JP2024035678A - 光チップ及び光通信装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエハ当たりの光チップの取れ数を確保しながら、試験精度の向上を図る光チップ等を提供する。【解決手段】光チップは、ウエハ上のチップ領域と、チップ領域に配置された光回路とを有する。光チップは、第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、第２の導波路と、第１の導波路と接続すると共に、第２の導波路と接続する第１のポート及び、光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、を有する。更に、光チップは、チップ領域の表面に形成され、第１の試験用ファイバを挿入して第２の導波路と接続するための第１のトレンチを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、光チップ及び光通信装置に関する。
図９は、従来の試験システム３００の一例を示す説明図である。図９に示す試験システム３００は、光チップ３０１と、試験装置３０２とを有する。試験装置３０２は、光源３２１と、偏波コントローラ３２２と、光パワーメータ３２３と、第１の試験用ファイバ３２４と、第２の試験用ファイバ３２５とを有する。光源３２１は、試験光を発光するＬＤ（Laser Diode）である。偏波コントローラ３２２は、光源３２１から試験光の偏波を制御するコントローラである。第１の試験用ファイバ３２４は、光チップ３０１と光接続し、偏波コントローラ３２２からの偏波調整後の試験光を入力する光ファイバである。第２の試験用ファイバ３２５は、光チップ３０１と接続する光ファイバである。光パワーメータ３２３は、第２の試験用ファイバ３２５からの試験光のパワーを計測するメータである。
光チップ３０１は、チップ領域３１０と、光回路３１１と、第１の導波路３１２と、第１のカプラ３１３と、第１のエッジカプラ（ＥＣ：Edge Coupler）３１４と、第２の導波路３１５と、第２のカプラ３１６と、第２のＥＣ３１７とを有する。光回路３１１は、例えば、チップ領域３１０上に配置された送信回路や受信回路である。第１の導波路３１２は、例えば、チップ領域３１０上に配置され、第１のカプラ３１３と第１のＥＣ３１４との間を光結合する光導波路である。第１のカプラ３１３は、第１の導波路３１２と光回路３１１との間を光結合する１×２カプラである。第１のＥＣ３１４は、光チップ３０１のチップ端面に配置され、第１の導波路３１２と第１の試験用ファイバ３２４とを光結合するカプラである。
第２の導波路３１５は、例えば、チップ領域３１０上に配置され、第２のカプラ３１６と第２のＥＣ３１７との間を光結合する光導波路である。第２のカプラ３１６は、第２の導波路３１５と光回路３１１との間を光結合する１×２カプラである。第２のＥＣ３１７は、光チップ３０１のチップ端面に配置され、第２の導波路３１５と第２の試験用ファイバ３２５とを光結合するカプラである。
第１のカプラ３１３は、第１の導波路３１２からの試験光を光回路３１１内の送信回路及び受信回路に分岐出力する。第２のカプラ３１６は、送信回路の送信処理後の試験光又は受信回路の受信処理後の試験光を第２の導波路３１５に出力する。
更に、第２のカプラ３１６は、送信回路からの送信処理後の試験光を入力した場合、送信処理後の試験光を第２の導波路３１５に出力する。更に、第２のＥＣ３１７は、第２の導波路３１５からの送信処理後の試験光を第２の試験用ファイバ３２５を通じて光パワーメータ３２３に出力する。その結果、光パワーメータ３２３は、送信処理後の試験光の光パワーを測定できる。
更に、第２のカプラ３１６は、受信回路からの受信処理後の試験光を入力した場合、受信処理後の試験光を第２の導波路３１５に出力する。更に、第２のＥＣ３１７は、第２の導波路３１５からの受信処理後の試験光を第２の試験用ファイバ３２５を通じて光パワーメータ３２３に出力する。その結果、光パワーメータ３２３は、受信処理後の試験光の光パワーを測定できる。
試験装置３０２は、光チップ３０１を試験用のステージに１個ずつセットした後、第１のＥＣ３１４に第１の試験用ファイバ３２４を接続すると共に、第２のＥＣ３１７に第２の試験用ファイバ３２５を接続する。しかしながら、例えば、チップ端面の第１のＥＣ３１４と第１の試験用ファイバ３２４とを接続する際の調心作業が面倒であるため、測定に要する作業効率が低下してしまう。
そこで、光チップ３０１をチップ化する前のウエハ状態で試験ができる試験システムが知られている。図１０は、従来の光チップ３０１Ａの一例を示す説明図である。尚、図９に示す試験システム３００と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。光チップ領域３０１Ａは、チップ化する前のウエハの状態である。ウエハは、光チップ領域３０１Ａ１と、試験領域３０１Ａ２と、を有し、光チップ領域３０１Ａと試験領域３０１Ａ２との間の境界線をダイシングライン３０１Ｃで切断可能にしている。光チップ領域３０１Ａ１は、光回路３１１と、第１の導波路３１２と、第１のカプラ３１３と、第１のＥＣ３１４とを有する。光チップ領域３０１Ａ１は、第２の導波路３１５と、第２のカプラ３１６と、第２のＥＣ３１７とを有する。
試験領域３０１Ａ２は、第１のＥＣ３１４と光接続する第１の試験用導波路３３１と、第２のＥＣ３１７と光接続する第２の試験用導波路３３２と、を有する。試験領域３０１Ａ２は、ウエハ表面に配置され、第１の試験用ファイバ３２４と第１の試験用導波路３３１との間を光接続する第１のグレーティングカプラ（ＧＣ：Grating Coupler）３３３を有する。試験領域３０１Ａ２は、ウエハ表面に配置され、第２の試験用導波路３３２と第２の試験用ファイバ３２５との間を光接続する第２のＧＣ３３４を有する。更に、試験領域３０１Ａ２は、ウエハ表面に配置され、第１の試験用ファイバ３２４と第１のＧＣ３３３とを光接続すると共に、第２の試験用ファイバ３２５と第２のＧＣ３３４とを光接続する光ファイバアレイ３３５を有する。尚、第１の試験用ファイバ３２４は、偏波コントローラ３２２を介して光源３２１と接続すると共に、第２の試験用ファイバ３２５は、光パワーメータ３２３と接続する。
ウエハ表面方向から光ファイバアレイ３３５をＧＣに近づけて第１の試験用ファイバ３２４と第１のＧＣ３３３との間、第２の試験用ファイバ３２５と第２のＧＣ３３４との間を光結合する。その結果、ウエハ状態での試験が可能となるため、測定に要する作業効率の向上を図ることができる。
しかしながら、ＧＣは波長依存性が高く、光の波長によって損失が異なり、また、光の戻り反射が大きく、戻り反射によって試験光が大きな影響を受ける。しかも、ＧＣの製造精度に依存した損失の個体ばらつきがある。その結果、ＧＣを用いた測定は測定精度が悪化してしまう。
そこで、ＧＣを使用しない光チップが考えられる。図１１は、従来の光チップ３０１Ｂ１の一例を示す説明図である。尚、図１１に示す光チップ３０１Ｂと同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。試験領域３０１Ｄは、第１のＥＣ３１４と光接続する第１の試験用導波路３３１と、第２のＥＣ３１７と光接続する第２の試験用導波路３３２と、ウエハ表面に形成されたトレンチ３４１とを有する。トレンチ３４１の側面から第１の試験用ファイバ３２４を挿入することで、第１の試験用ファイバ３２４と第１の試験用導波路３３１とを光接続する。更に、トレンチ３４１の側面から第２の試験用ファイバ３２５を挿入することで、第２の試験用ファイバ３２５と第２の試験用導波路３３２とを光接続する。
その結果、ＧＣを使用せずに、第１の試験用ファイバ３２４と第１の試験用導波路３３１とを光接続すると共に、第２の試験用ファイバ３２５と第２の試験用導波路３３２とを光接続するので、測定精度が改善できる。
特表２０２０－５１６９３２号公報 米国特許出願公開第２０１９／０２９３８６６号明細書 特開平１－２９８１０号公報 国際公開第２０２０／１３２９６８号
しかしながら、従来の光チップ３０１Ｂでは、ウエハの光チップ領域３０１Ａ１以外の試験領域３０１Ｄ内に形成するトレンチ３４１として試験用ファイバの端面が試験用導波路に光結合するのに十分な大きさを確保する必要がある。従って、ウエハ内で試験領域３０１Ｄを広くする必要がある。しかしながら、ウエハ内で試験領域３０１Ｄを広くした場合、ウエハ内の光チップ３０１Ｂの取れ数が少なくなる。
一つの側面では、ウエハ当たりの光チップの取れ数を確保しながら、試験精度の向上を図る光チップ等を提供することを目的とする。
一つの態様の光チップは、ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する。光チップは、第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、第２の導波路と、前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、を有する。光チップは、前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチを有する。
一つの側面によれば、ウエハ当たりの光チップの取れ数を確保しながら、試験精度の向上を図る。
図１は、実施例１の試験システムの一例を示す説明図である。 図２は、実施例２の光チップの一例を示す説明図である。 図３は、実施例３の光チップの一例を示す説明図である。 図４は、実施例４の光チップの一例を示す説明図である。 図５は、実施例５の光チップの一例を示す説明図である。 図６は、実施例６の光チップの一例を示す説明図である。 図７Ａは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。 図７Ｂは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。 図７Ｃは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。 図７Ｄは、ＶＯＡの一例を示す説明図である。 図８は、光チップを搭載した光デバイスの一例を示す説明図である。 図９は、従来の試験システムの一例を示す説明図である。 図１０は、従来の光チップの一例を示す説明図である。 図１１は、従来の光チップの一例を示す説明図である。
以下、図面に基づいて、本願の開示する光チップ等の実施例を詳細に説明する。尚、各実施例により、開示技術が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。
図１は、実施例１の試験システム１の一例を示す説明図である。図１に示す試験システム１は、光チップ２と、試験装置３とを有する。試験装置３は、光源３１と、偏波コントローラ３２と、光パワーメータ３３と、第１の試験用ファイバ３５と、第２の試験用ファイバ３６とを有する。
光源３１は、試験光を発光するＬＤである。偏波コントローラ３２は、光源３１からの試験光の偏波を制御するコントローラである。第１の試験用ファイバ３５は、光チップ２と光接続し、偏波コントローラ３２からの偏波調整後の試験光を入力する光ファイバである。第２の試験用ファイバ３６は、光チップ２と接続する光ファイバである。光パワーメータ３３は、第２の試験用ファイバ３６からの試験光のパワーを計測するメータである。
光チップ２は、ウエハ上のチップ領域１１と、チップ領域１１に配置された光回路１２とを有する。光回路１２は、送信回路と、受信回路とを有する。光チップ２は、第１の導波路１３と、第２の導波路１４と、第１のＥＣ（Edge Coupler）１５と、第１のカプラ１６と、第１のトレンチ１７とを有する。第１の導波路１３は、第１のＥＣ１５と第１のカプラ１６との間を光結合する光導波路である。第１のＥＣ１５は、第１の運用ファイバと接続するＥＣである。第１のカプラ１６は、第１の導波路１３と接続すると共に、第２の導波路１４と接続する第１のポート１６Ａと、光回路１２内の送信回路と接続すると共に、受信回路と接続する第２のポート１６Ｂとを備えた２×２の光カプラである。第１のトレンチ１７は、チップ領域１１の表面に形成され、第１の試験用ファイバ３５を挿入して第２の導波路１４と接続するための溝である。
光チップ２は、第３の導波路１８と、第４の導波路１９と、第２のＥＣ２０と、第２のカプラ２１と、第２のトレンチ２２とを有する。第３の導波路１８は、第２のＥＣ２０と第２のカプラ２１との間を光結合する光導波路である。第２のＥＣ２０は、第２の運用ファイバと接続するＥＣである。第２のカプラ２１は、第３の導波路１８と接続すると共に、第４の導波路１９と接続する第３のポート２１Ａと、光回路１２内の送信回路と接続すると共に、受信回路と接続する第４のポート２１Ｂとを備えた２×２の光カプラである。第２のトレンチ２２は、チップ領域１１の表面に形成され、第２の試験用ファイバ３６を挿入して第４の導波路１９と接続するための溝である。
第１のカプラ１６は、第２の導波路１４からの試験光を送信回路及び受信回路に分岐出力する。第２のカプラ２１は、送信回路の送信処理後の試験光又は受信回路の受信処理後の試験光を第３の導波路１８及び第４の導波路１９に出力する。
尚、第１のカプラ１６及び第２のカプラ２１は、２×２カプラで構成するため、２入力及び２出力の方が入力と出力とで分岐比が安定化することで、光損失が発生しないため、光回路１２に入射される光の強度が大きくなり、測定精度を改善できる。しかしながら、１×２カプラで構成しても良く、この場合、３ｄＢの光損失が発生するものの、ある程度の測定精度の改善は認められる。
次に実施例１の試験システム１の動作について説明する。光チップ２のウエハの状態で試験を開始する。第１の試験用ファイバ３５の端面を第１のトレンチ１７に挿入することで、第１の試験用ファイバ３５と第２の導波路１４との間を光接続する。第２の試験用ファイバ３６の端面を第２のトレンチ２２に挿入することで、第２の試験用ファイバ３６と第４の導波路１９との間を光接続する。
偏波コントローラ３２は、光源３１からの試験光を偏波調整後、偏波調整後の試験光を第１の試験用ファイバ３５に入力する。第１のカプラ１６は、第１の試験用ファイバ３５からの試験光を光回路１２内の送信回路又は受信回路に分岐出力する。送信回路は、偏波調整後の試験光に通常の送信処理を経た後、送信処理後の試験光を第２のカプラ２１に出力する。また、受信回路は、偏波調整の試験光に通常の受信処理を経た後、受信処理後の試験光を第２のカプラ２１に出力する。
第２のカプラ２１は、光回路１２内の送信回路から送信処理後の試験光又は受信回路から受信処理後の試験光を入力した場合、試験光を第４の導波路１９に出力する。光パワーメータ３３は、第４の導波路１９からの試験光を第２の試験用ファイバ３６を経て試験光のパワーを測定する。その結果、光チップ２の送信処理後の試験光及び受信処理後の試験光を測定できる。
実施例１の光チップ２では、第１のトレンチ１７での第２の導波路１４と第１の試験用ファイバ３５との間を光結合すると共に、第２のトレンチ２２での第４の導波路１９と第２の試験用ファイバ３６との間を光結合する。その結果、光結合による光回路１２の試験が可能となり、ウエハ状態での測定精度が改善できる。しかも、光チップ２内の空き領域に、第１のトレンチ１７及び第２のトレンチ２２を設けることで、ウエハ当たりの光チップ２の取れ数を確保できる。
つまり、実施例１では、従来のような試験領域ではなく、光チップ２内の空き領域にトレンチを配置したので、ウエハ当たりの光チップ２の取れ数を確保できる。更に、ＧＣを使用しないため、試験光が反射光の影響を受けることはなく、光源が不安定になることがなくなることで測定値を安定化できる。
実施例１の光チップ２では、第１のトレンチ１７の側面と第２の導波路１４とが直交するため、試験光と反射光とが同一の光進行方向になるため、反射光の影響が大きくなる。そこで、このような事態に対処する実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。
図２は、実施例２の光チップ２Ａの一例を示す説明図である。尚、実施例１の試験システム１と実施例２の試験システムと同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図１に示す光チップ２と図２に示す光チップ２Ａとが異なるところは、第２の導波路１４Ａが第１のトレンチ１７の側面に対して斜め約１０度の位置に配置される点にある。同様に、異なる点は、第４の導波路１９Ａが第２のトレンチ２２の側面に対して斜め約１０度の位置に配置される点にある。
第２の導波路１４Ａは、第１のトレンチ１７の側面の内、第２の導波路１４Ａと接続する側面に対して直交しない位置、例えば、斜め１０度の位置に配置されるため、試験光に対する反射光が第２の導波路１４Ａに進入するのを抑制する。その結果、試験光に対する反射光が小さくできるため、測定精度が高くなる。
第４の導波路１９Ａは、第２のトレンチ２２の側面の内、第４の導波路１９Ａと接続する側面に対して直交しない位置、例えば、斜め１０度の位置に配置されるため、試験光に対する反射光が第４の導波路１９Ａに進入するのを抑制する。その結果、試験光に対する反射光が小さくできるため、測定精度が高くなる。
尚、実施例２の光チップ２Ａは、第２の導波路１４Ａ及び第４の導波路１９Ａの両方を有する場合を例示したが、第２の導波路１４Ａを第２の導波路１４、第４の導波路１９Ａを第４の導波路１９の何れか一方に置き換えても良く、適宜変更可能である。
実施例２の光チップ２Ａでは、第２の導波路１４Ａが第１のトレンチ１７に対して斜めに配置する場合を例示したが、第２の導波路１４Ａと第１のトレンチ１７内に挿入された第１の試験用ファイバ３５との間で結合損失が大きくなる。また、第４の導波路１９Ａと第２のトレンチ２２内に挿入された第２の試験用ファイバ３６との間で結合損失が大きくなる。そこで、このような事態に対処すべく、その実施の形態につき、実施例３として以下に説明する。
図３は、実施例３の光チップ２Ｂの一例を示す説明図である。尚、実施例１の試験システム１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。実施例１の光チップ２と実施例３の光チップ２Ｂとが異なるところは、第１のトレンチ１７Ａが光チップ２Ｂの左右辺に対して斜め約１０度の位置に配置されると共に、第２のトレンチ２２Ａが光チップ２Ｂの左右辺に対して斜め約１０度の位置に配置される点にある。
第１のトレンチ１７Ａは、光チップ２Ｂの左右辺に対して斜め約１０度の位置に配置する。第１のトレンチ１７Ａは、第２の導波路１４と接続する第１のトレンチ１７Ａの側面が光チップ２Ｂの辺に対して斜めの位置に配置される。従って、第２の導波路１４と第１のトレンチ１７Ａ内に挿入された第１の試験用ファイバ３５との間の結合損失を小さくしながら、試験光に対する反射光が第２の導波路１４に進入するのを抑制できる。その結果、結合損失が小さくしながら、反射光による測定精度の向上を図ることができる。
第２のトレンチ２２Ａは、光チップ２Ｂの左右辺に対して斜め約１０度の位置に配置する。第２のトレンチ２２Ａは、第４の導波路１９と接続する第２のトレンチ２２Ａの側面が光チップ２Ｂの辺に対して斜めの位置に配置される。従って、第４の導波路１９と第２のトレンチ２２Ａ内に挿入された第２の試験用ファイバ３６との間の結合損失を小さくしながら、試験光に対する反射光が第４の導波路１９に進入するのを抑制できる。その結果、結合損失が小さくしながら、反射光による測定精度の向上を図ることができる。
尚、実施例３の光チップ２Ｂは、第１のトレンチ１７Ａ及び第２のトレンチ２２Ａの両方を有する場合を例示したが、第１のトレンチ１７Ａを第１のトレンチ１７、第２のトレンチ２２Ａを第２のトレンチ２２の何れか一方に置き換えても良く、適宜変更可能である。
しかしながら、実施例１の光チップ２では、試験時にのみトレンチ１７（２２）を使用することになるが、運用時にトレンチ１７（２２）での光の反射が光回路１２に影響を及ぼすことも考えられる。そこで、そのような事態に対処する実施の形態につき、実施例４として以下に説明する。
図４は、実施例４の光チップ２Ｃの一例を示す説明図である。尚、実施例１の試験システム１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図４に示す光チップ２Ｃでは、試験終了後に、第１のトレンチ１７及び第２のトレンチ２２から第１の試験用ファイバ３５及び第２の試験用ファイバ３６を取り外し、第１のトレンチ１７及び第２のトレンチ２２に光学系樹脂２３を充填した点にある。
実施例４の光チップ２Ｃでは、試験終了後に第１のトレンチ１７及び第２のトレンチ２２内に光学系樹脂２３を充填したので、運用中に生じる第１のトレンチ１７及び第２のトレンチ２２での光の反射を抑制できる。
尚、光学系樹脂２３の代わりに光学系接着剤を使用しても良く、適宜変更可能である。
実施例１の光チップ２では、第１のトレンチ１７から第２の導波路１４と第１の試験用ファイバ３５との間を光接続すると共に、第２のトレンチ２２から第４の導波路１９と第２の試験用ファイバ３６との間を光接続する場合を例示した。しかしながら、第１の試験用ファイバ３５と第２の導波路１４との間の光結合及び、第２の試験用ファイバ３６と第４の導波路１９との間の光結合の向上を図る実施の形態につき、実施例５として以下に説明する。
図５は、実施例５の光チップ２Ｄの一例を示す説明図である。尚、実施例１の試験システム１と同一の構成は同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図５に示す光チップ２Ｄは、第２の導波路１４と第１のトレンチ１７との間に配置された第１の試験用ＥＣ２５と、第４の導波路１９と第２のトレンチ２２との間に配置された第２の試験用ＥＣ２６とを有する。
第１の試験用ＥＣ２５は、第１の試験用ファイバ３５のモードフィールドに合致したＥＣである。第２の試験用ＥＣ２６も、第２の試験用ファイバ３６のモードフィールドに合致したＥＣである。
実施例５の光チップ２Ｄは、第２の導波路１４と第１のトレンチ１７との間に第１の試験用ＥＣ２５を配置し、第１の試験用ＥＣ２５で第２の導波路１４と第１の試験用ファイバ３５との間を光結合する。更に、光チップ２Ｄは、第４の導波路１９と第２のトレンチ２２との間に第２の試験用ＥＣ２６を配置し、第２の試験用ＥＣ２６で第４の導波路１９と第２の試験用ファイバ３６との間を光結合する。その結果、試験時における第１の試験用ファイバ３５と第２の導波路１４との間、第２の試験用ファイバ３６と第４の導波路１９との間を光結合するので、結合効率を改善しながら、試験の精度の向上を図ることができる。
尚、第１の試験用ＥＣ２５は第１の試験用ファイバ３５のモードフィールドに合致したＥＣを採用する場合を例示したが、第１の運用ファイバを接続する第１のＥＣ１５と同一のＥＣでも良く、また、ＳＳＣ（Spot Size Convertor）でも良い。また、第２の試験用ＥＣ２６は第２の試験用ファイバ３６のモードフィールドに合致したＥＣを採用する場合を例示したが、第２の運用ファイバを接続する第２のＥＣ２０と同一のＥＣでも良く、また、ＳＳＣでも良い。
尚、実施例１の光チップ２内の光回路１２は、送信回路及び受信回路を内蔵する場合を例示したが、デジタルコヒーレント送受信器を具体化した実施の形態につき、実施例６として以下に説明する。
図６は、実施例６の光チップ５０の一例を示す説明図である。図６に示す光チップ５０内の光回路は、デジタルコヒーレント機能の送信回路５１と、デジタルコヒーレント機能の受信回路５２とを有する。
受信回路５２は、局発光ポートの第１のＥＣ６１と、受信光ポートの第２のＥＣ６２と、ＰＢＳ(Polarization Beam Splitter)６３と、第１のＰＲ（Polarization Rotator）６４とを有する。受信回路５２は、第１の光ハイブリッド回路６５Ａと、第２の光ハイブリッド回路６５Ｂと、第１～第４のＰＤ(Photo Diode)６６Ａ～６６Ｄと、第１～第４の出力ポート６７Ａ～６７Ｄとを有する。
局発光ポートの第１のＥＣ６１は、光チップ５０内の側面端部に形成され、例えば、光源からの局発光を入力する運用ファイバと接続するポートのＥＣである。尚、局発光ポートは、ウエハをチップ化することで、光チップ５０の側面端部に表出することになる。受信光ポートの第２のＥＣ６２は、光チップ５０内の側面端部に形成され、例えば、受信光を入力する運用ファイバと接続するポートのＥＣである。尚、受信光ポートは、ウエハをチップ化することで、光チップ５０の側面端部に表出することになる。
ＰＢＳ６３は、受信光ポートの第２のＥＣ６２から入力した受信光を直交する２つの偏波状態、例えば、ＴＥ(Transverse Electric)偏波であるＸ偏波成分及びＴＭ（Transverse Magnetic）偏波であるＹ偏波成分に分離する。尚、Ｘ偏波成分は水平偏波成分、Ｙ偏波成分は垂直偏波成分である。ＰＢＳ６３は、受信光からＸ偏波成分を第１の光ハイブリッド回路６５Ａに出力する。更に、第１のＰＲ６４は、ＰＢＳ６３からの受信光からのＹ偏波成分をＸ偏波成分に変換して第２の光ハイブリッド回路６５Ｂに出力する。
第１の光ハイブリッド回路６５Ａは、受信光のＸ偏波成分に局発光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。尚、Ｉ成分は同相軸成分、Ｑ成分は直交軸成分である。第１の光ハイブリッド回路６５Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号を第１のＰＤ６６Ａに出力する。第１の光ハイブリッド回路６５Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号を第２のＰＤ６６Ｂに出力する。
第２の光ハイブリッド回路６５Ｂは、受信光のＸ偏波成分に局発光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。第２の光ハイブリッド回路６５Ｂは、Ｘ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号を第３のＰＤ６６Ｃに出力する。第２の光ハイブリッド回路６５Ｂは、Ｘ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号を第４のＰＤ６６Ｄに出力する。
第１のＰＤ６６Ａは、第１の光ハイブリッド回路６５ＡからのＸ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第１の出力ポート６７Ａに出力する。第２のＰＤ６６Ｂは、第１の光ハイブリッド回路６５ＡからのＸ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第２の出力ポート６７Ｂに出力する。
第３のＰＤ６６Ｃは、第２の光ハイブリッド回路６５ＢからのＸ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第３の出力ポート６７Ｃに出力する。第４のＰＤ６６Ｄは、第２の光ハイブリッド回路６５ＢからのＸ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第４の出力ポート６７Ｄに出力する。
送信回路５１は、第１の分岐部７１と、第２の分岐部７１Ａと、第３の分岐部７１Ｂと、第１のＸ偏波変調部７２Ａと、第２のＸ偏波変調部７２Ｂと、第１のＹ偏波変調部７２Ｃと、第２のＹ偏波変調部７２Ｄと、を有する。送信回路５１は、第１の合波部７３Ａと、第２の合波部７３Ｂと、第２のＰＲ７４と、ＰＢＣ７５と、送信光ポートの第３のＥＣ７６と、を有する。
送信光ポートの第３のＥＣ７６は、光チップ５０内の側面端部に形成され、例えば、送信光を出力する運用ファイバと接続するポートのＥＣである。尚、送信光ポートは、ウエハをチップ化することで、光チップ５０の側面端部に表出することになる。
第１の分岐部７１は、局発光の光信号を第２の分岐部７１Ａ及び第３の分岐部７１Ｂに分岐出力する。第２の分岐部７１Ａは、局発光の光信号を第１のＸ偏波変調部７２Ａ及び第２のＸ偏波変調部７２Ｂに分岐出力する。第３の分岐部７１Ｂは、局発光の光信号を第１のＹ偏波変調部７２Ｃ及び第２のＹ偏波変調部７２Ｄに分岐出力する。
第１のＸ偏波変調部７２Ａは、ＲＦ電極の電気信号に応じて光信号のＸ偏波のＩ成分を光変調する。更に、第１のＸ偏波変調部７２Ａは、ＤＣ電極の電気信号に応じて光変調後のＩ成分の光信号を位相変調し、位相変調後のＩ成分の光信号を第１の合波部７３Ａに出力する。第２のＸ偏波変調部７２Ｂは、ＲＦ電極の電気信号に応じて光信号のＸ偏波のＱ成分を光変調する。更に、第２のＸ偏波変調部７２Ｂは、ＤＣ電極の電気信号に応じて光変調後のＱ成分の光信号を位相変調し、位相変調後のＱ成分の光信号を第１の合波部７３Ａに出力する。第１の合波部７３Ａは、Ｘ偏波のＩ成分の光信号とＸ偏波のＱ成分の光信号とを合波し、合波後のＸ偏波の光信号をＰＢＣ７５に出力する。
第１のＹ偏波変調部７２Ｃは、ＲＦ電極の電気信号に応じて光信号のＹ偏波のＩ成分を光変調する。更に、第１のＹ偏波変調部７２Ｃは、ＤＣ電極の電気信号に応じて光変調後のＹ偏波のＩ成分の光信号を位相変調し、位相変調後のＩ成分の光信号を第２の合波部７３Ｂに出力する。第２のＹ偏波変調部７２Ｄは、ＲＦ電極の電気信号に応じて光信号のＹ偏波のＱ成分を光変調する。更に、第２のＹ偏波変調部７２Ｄは、ＤＣ電極の電気信号に応じて光変調後のＹ偏波のＱ成分の光信号を位相変調し、位相変調後のＱ成分の光信号を第２の合波部７３Ｂに出力する。第２の合波部７３Ｂは、Ｙ偏波のＩ成分の光信号とＹ偏波のＱ成分の光信号とを合波し、合波後のＸ偏波の光信号を第２のＰＲ７４に出力する。第２のＰＲ７４は、第２の合波部７３ＢからのＹ偏波の光信号を偏波回転することでＸ偏波の光信号をＰＢＣ７５に出力する。そして、ＰＢＣ７５は、第１の合波部７３ＡからＸ偏波の光信号と第２のＰＲ７４からのＸ偏波の光信号とを合波し、合波後の光信号を送信ポートの第３のＥＣ７６から出力する。
光チップ５０は、１：Ｎカプラ９４と、第１のＶＯＡ(Variable Optical Attenator)９６と、第２のＶＯＡ９７と、第３のＶＯＡ１０５と、第４のＶＯＡ１０６とを有する。光チップ５０は、第１の導波路９１と、第２の導波路９２と、第３の導波路９３と、を有する。光チップ５０は、第４の導波路９５と、第５の導波路９５Ａと、第６の導波路９５Ｂとを有する。光チップ５０は、第７の導波路１０１と、第８の導波路１０２と、第９の導波路１０３と、第１０の導波路１０４と、第１１の導波路１０７とを有する。
第１の導波路９１は、第１のＥＣ６１と１：Ｎカプラ９４との間を光接続し、運用中の局発光を導波する光導波路である。第２の導波路９２は、第１の試験用ファイバ８２Ａと１：Ｎカプラ９４との間を光接続し、第１の試験用ファイバ８２Ａからの試験用の局発光を導波する光導波路である。第３の導波路９３は、１：Ｎカプラ９４と第１の分岐部７１との間を光接続し、局発光を送信回路５１に導波する光導波路である。
第４の導波路９５は、第２のＥＣ６２とＰＢＳ６３との間を光接続し、運用中の受信光を導波する光導波路である。第５の導波路９５Ａは、第２の試験用ファイバ８２Ｂと第１のＶＯＡ９６との間を光接続し、試験用のＹ成分の受信光を導波する光導波路である。第６の導波路９５Ｂは、第３の試験用ファイバ８２Ｃと第２のＶＯＡ９７との間を光接続し、試験用のＸ成分の受信光を導波する光導波路である。
第７の導波路１０１は、第３のＶＯＡ１０５とＰＢＣ７５との間を光接続し、運用中のＸ成分の送信光を導波する光導波路である。第８の導波路１０２は、第３のＶＯＡ１０５と第５の試験用ファイバ８２Ｅとの間を光接続し、試験用のＸ成分の送信光を導波する光導波路である。第９の導波路１０３は、第４のＶＯＡ１０６と第２のＰＲ７４との間を光接続し、運用中のＹ成分の送信光を導波する光導波路である。第１０の導波路１０４は、第４のＶＯＡ１０６と第４の試験用ファイバ８２Ｄとの間を光接続し、試験用のＹ成分の送信光を導波する光導波路である。第１１の導波路１０７は、第３のＥＣ７６とＰＢＣ７５との間を光接続し、運用中の送信光を導波する光導波路である。
光チップ５０は、第１のトレンチ８１Ａと、第２のトレンチ８１Ｂと、第３のトレンチ８１Ｃと、第４のトレンチ８１Ｄと、第５のトレンチ８１Ｅとを有する。
第１のトレンチ８１Ａは、第１の試験用ファイバ８２Ａを挿入して第１の試験用ファイバ８２Ａと第２の導波路９２との間を光接続するためのトレンチである。第２のトレンチ８１Ｂは、第２の試験用ファイバ８２Ｂを挿入して第２の試験用ファイバ８２Ｂと第５の導波路９５Ａとの間を光接続するためのトレンチである。第３のトレンチ８１Ｃは、第３の試験用ファイバ８２Ｃを挿入して第３の試験用ファイバ８２Ｃと第６の導波路９５Ｂとの間を光接続するためのトレンチである。
第４のトレンチ８１Ｄは、第４の試験用ファイバ８２Ｄを挿入して第４の試験用ファイバ８２Ｄと第１０の導波路１０４との間を光接続するためのトレンチである。第５のトレンチ８１Ｅは、第５の試験用ファイバ８２Ｅを挿入して第５の試験用ファイバ８２Ｅと第８の導波路１０２との間を光接続するためのトレンチである。
第１のトレンチ８１Ａ、第２のトレンチ８１Ｂ、第３のトレンチ８１Ｃ、第４のトレンチ８１Ｄ及び第５のトレンチ８１Ｅは略同一線上に並ぶように光チップ５０上に配置される。しかも、第１のトレンチ８１Ａから第２の導波路９２、第２のトレンチ８１Ｂから第５の導波路９５Ａ、第３のトレンチ８１Ｃから第６の導波路９５Ｂ、第４のトレンチ８１Ｄから第８の導波路１０２、第５のトレンチ８１Ｅから第１０の導波路１０４を始点とする。従って、第２の導波路９２、第５の導波路９５Ａ、第６の導波路９５Ｂ、第８の導波路１０２及び第１０の導波路１０４は、同一方向で同一ピッチに配置されることになるため、ファイバアレイを用いた評価が可能となり、試験時の光軸の調整がし易くなる。
１：Ｎカプラ９４は、第１の導波路９１及び第２の導波路９２を接続する入力ポートと、第３の導波路９３及び第１２の導波路９８を接続する出力ポートとを有する光カプラである。第１２の導波路９８は、１：Ｎカプラ９４からの局発光又は局発光の試験光を第１の光ハイブリッド回路６５Ａ又は第２の光ハイブリッド回路６５Ｂに入力する導波路である。
第１のＶＯＡ９６は、第５の導波路９５Ａ及び第１のＰＲ６４と接続する入力ポートと、第２の光ハイブリッド回路６５Ｂと接続する出力ポートとを有する。第１のＶＯＡ９６は、試験用の受信光又は運用中の受信光を第２の光ハイブリッド回路６５Ｂに出力するＶＯＡである。
第２のＶＯＡ９７は、第６の導波路９５Ｂ及びＰＢＳ６３と接続する入力ポートと、第１の光ハイブリッド回路６５Ａと接続する出力ポートとを有する。第２のＶＯＡ９７は、試験用の受信光又は運用中の受信光を第１の光ハイブリッド回路６５Ａに出力するＶＯＡである。
第３のＶＯＡ１０５は、第１の合波部７３Ａと接続する入力ポートと、第７の導波路１０１及び第８の導波路１０２と接続する出力ポートとを有する。第３のＶＯＡ１０５は、試験用のＸ偏波の送信光を第８の導波路１０２に出力すると共に、運用中のＸ偏波の送信光を第７の導波路１０１に出力するＶＯＡである。
第４のＶＯＡ１０６は、第２の合波部７３Ｂと接続する入力ポートと、第９の導波路１０３及び第１０の導波路１０４と接続する出力ポートとを有する。第４のＶＯＡ１０６は、試験用のＹ偏波の送信光を第１０の導波路１０４に出力すると共に、運用中のＹ偏波の送信光を第９の導波路１０３に出力するＶＯＡである。
尚、第１のトレンチ８１Ａ、第２のトレンチ８１Ｂ、第３のトレンチ８１Ｃ、第４のトレンチ８１Ｄ及び第５のトレンチ８１Ｅは、光チップ５０の略同一線上に配置する。その結果、ファイバアレイを使用することで、試験時の光軸の調整作業が容易になるため、測定試験に要する作業効率の向上が図れる。
しかも、第１のトレンチ８１Ａ、第２のトレンチ８１Ｂ、第３のトレンチ８１Ｃ、第４のトレンチ８１Ｄ及び第５のトレンチ８１Ｅは、各導波路が同一方向に同一間隔に配置する。その結果、５本の試験用ファイバを収容するファイバアレイを使用した評価が可能になるため、試験時の光軸の調整作業が容易になる。
尚、第１のＶＯＡ９６、第２のＶＯＡ９７、第３のＶＯＡ１０５及び第４のＶＯＡ１０６は、図７Ａ～図７Ｄに示す構成でも良く、適宜変更可能である。
図７Ａは、ＶＯＡ１１０の一例を示す説明図である。図７Ａに示すＶＯＡ１１０は、入力側分岐部１１１と、２本の導波路１１３と、出力側合波部１１２と、各導波路１１３に配置されたヒータ電極１１４とを有する。入力側分岐部１１１は、１×２カプラである。出力側合波部１１２は、２×１カプラである。ＶＯＡ１１０は、ヒータ電極１１４に電流を流すことで両方の導波路１１３を加熱し、熱光学効果に応じて導波路１１３の屈折率を変化させ、マッハツェンダの両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させる。その結果、両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させることで分岐比を調整する。
図７Ｂは、ＶＯＡ１１０Ａの一例を示す説明図である。図７Ｂに示すＶＯＡ１１０Ａは、入力側分岐部１１１Ａと、２本の導波路１１３と、出力側合波部１１２と、各導波路１１３に配置されたヒータ電極１１４とを有する。入力側分岐部１１１Ａは、２×２カプラである。出力側合波部１１２は、２×１カプラである。ＶＯＡ１１０Ａは、ヒータ電極１１４に電流を流すことで両方の導波路１１３を加熱し、熱光学効果に応じて導波路１１３の屈折率を変化させ、マッハツェンダの両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させる。その結果、両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させることで分岐比を調整する。図７Ｂに示すＶＯＡ１１０Ａは、例えば、第１のＶＯＡ９６及び第２のＶＯＡ９７に適用可能である。
図７Ｃは、ＶＯＡ１１０Ｂの一例を示す説明図である。図７Ｃに示すＶＯＡ１１０Ｂは、入力側分岐部１１１と、２本の導波路１１３と、出力側合波部１１２Ａと、各導波路１１３に配置されたヒータ電極１１４とを有する。入力側分岐部１１１は、１×２カプラである。出力側合波部１１２Ａは、２×２カプラである。ＶＯＡ１１０Ｂは、ヒータ電極１１４に電流を流すことで両方の導波路１１３を加熱し、熱光学効果に応じて導波路１１３の屈折率を変化させ、マッハツェンダの両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させる。その結果、両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させることで分岐比を調整する。図７Ｃに示すＶＯＡ１１０Ｂは、例えば、第３のＶＯＡ１０５及び第４のＶＯＡ１０６に適用可能である。
尚、図７Ｂに示すＶＯＡ１１０Ａ及び図７Ｃに示すＶＯＡ１１０Ｂは、入力側分岐部及び出力側合波部のカプラ形態が異なるため、分岐比や合波比が異なることで消光比が劣化する。例えば、１×２カプラは対称的なので、分岐比は１：１からずれないが、２×２カプラの分岐比は製造誤差等により１：１からずれる場合がある。例えば、２×２カプラの分岐比が１:Ｎ（Ｎ＜１、Ｎ＞１）になったとき、２本の導波路を通る光の強度は１：Ｎの比となって干渉するので、それらの位相差がπとなっても２つの光は完全に打ち消しあうことができない。その結果、若干の光が残り、消光比が劣化することになる。そこで、このような事態に対処すべく、図７Ｄに示すＶＯＡ１１０Ｃを使用しても良い。
図７Ｄは、ＶＯＡ１１０Ｃの一例を示す説明図である。図７Ｄに示すＶＯＡ１１０Ｃは、入力側分岐部１１１Ａと、２本の導波路１１３と、出力側合波部１１２Ａと、各導波路１１３に配置されたヒータ電極１１４とを有する。入力側分岐部１１１Ａは、２×２カプラである。出力側合波部１１２Ａは、２×２カプラである。ＶＯＡ１１０Ｄは、ヒータ電極１１４に電流を流すことで両方の導波路１１３を加熱し、熱光学効果に応じて導波路１１３の屈折率を変化させ、マッハツェンダの両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させる。その結果、両アームの光の位相差に応じて出力光の強度を変化させることで分岐比を調整する。更に、入力側分岐部１１１Ａ及び出力側合波部１１２Ａのカプラ形態が同一であるため、消光比を改善できる。図７Ｄに示すＶＯＡ１１０Ｃは、例えば、第１のＶＯＡ９６、第２のＶＯＡ９７、第３のＶＯＡ１０５及び第４のＶＯＡ１０６にも適用可能である。
つまり、ＶＯＡ１１０Ｃでは、入力側分岐部１１１Ａ及び出力側合波部１１２Ａを２×２カプラとし、２×２カプラの分岐比が製造誤差等により１：１からずれた場合に、入力と出力とで分岐比ずれを補償できる。すなわち、入力２×２カプラの分岐比が１：Ｎ（Ｎ＜１、Ｎ＞１）となっても出力２×２カプラの分岐比も１：Ｎとなれば、２本の導波路を通る光は同じ強度で干渉するので、それらの位相差がπとなったときには完全に消光される。すなわち、消光比が改善されることになる。
図８は、本実施例の光通信装置２００の構成の一例を示すブロック図である。図８に示す光通信装置２００は、運用中の光ファイバである出力側の光ファイバ２０４及び入力側の光ファイバ２０５と接続する、例えば、光コヒーレント送受信機である。光通信装置２００は、光源２０１と、光チップ２０２と、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）２０３と、を有する。光チップ２０２は、例えば、図６に示す光チップ５０である。
ＤＳＰ２０３は、デジタル信号処理を実行する電気部品である。ＤＳＰ２０３は、例えば、送信データの符号化等の処理を実行し、実行後の送信データに相当するデータ信号を光チップ２０２内の送信回路に出力する。また、ＤＳＰ２０３は、光チップ２０２内の受信回路から得たデータ信号に相当する受信データに対して復号化等の処理を実行する。
光源２０１は、例えば、波長可変のレーザダイオード等を備え、所定の波長の光を発生させて送信回路内の光変調器及び受信回路内の光受信器へ供給する、例えば、ＩＴＬＡ（Integrated Tunable Laser Assembly）である。
尚、説明の便宜上、光チップ２０２は、送信回路及び受信回路両方を内蔵する場合を例示したが、送信回路及び受信回路の何れか一つのみを内蔵しても良く、送信回路のみを内蔵している場合は光送信器、受信回路のみを内蔵している場合は光受信器となる。
また、光ファイバアレイは、ウエハプローバ上に固定し、ウエハプローバ上に搭載されたウエハが光ファイバアレイに対して上下左右に移動、又は、光ファイバアレイがウエハ上を上下左右に移動しても良く、適宜変更可能である。
また、図示した各部の各構成要素は、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各部の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況等に応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。
更に、各装置で行われる各種処理機能は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（又はＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）等のマイクロ・コンピュータ）上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良い。また、各種処理機能は、ＣＰＵ（又はＭＰＵ、ＭＣＵ等のマイクロ・コンピュータ）で解析実行するプログラム上、又はワイヤードロジックによるハードウェア上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良いことは言うまでもない。
以上、本実施例を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップであって、
第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
第２の導波路と、
前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
を有することを特徴とする光チップ。
（付記２）第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
第４の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記光回路と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
を有することを特徴とする付記１に記載の光チップ。
（付記３）前記第１のトレンチは、
第１の試験用ファイバを挿入して前記第２の導波路と接続され、
前記第２のトレンチは、
第２の試験用ファイバを挿入して前記第４の導波路と接続されることを特徴とする付記２に記載の光チップ。
（付記４）前記第１のトレンチの側面の内、前記第２の導波路に接続する側面に対して直交しないように配置される前記第２の導波路及び、
前記第２のトレンチの側面の内、前記第４の導波路に接続する側面に対して直交しないように配置される前記第４の導波路の内、
少なくとも何れか一方の導波路を有することを特徴とする付記２に記載の光チップ。
（付記５）前記第２の導波路と接続する前記第１のトレンチの側面が前記チップ領域の辺に対して斜めの位置に配置される前記第１のトレンチ及び、
前記第４の導波路と接続する前記第２のトレンチの側面が前記チップ領域の辺に対して斜めの位置に配置される前記第２のトレンチの内、
少なくとも何れか一方のトレンチを有することを特徴とする付記４に記載の光チップ。
（付記６）前記第２の導波路及び、前記第１のトレンチ内に挿入された前記第１の試験用ファイバの内、少なくとも何れか一方に接続する第１のエッジカプラと、
前記第４の導波路及び、前記第２のトレンチ内に挿入された前記第２の試験用ファイバの内、少なくとも何れか一方に接続する第２のエッジカプラと、
を有することを特徴とする付記３に記載の光チップ。
（付記７）前記第１のポートが２個、前記第２のポートが２個の２×２カプラである前記第１のカプラ及び、
前記第３のポートが２個、前記第４のポートが２個の２×２カプラである前記第２のカプラの内、少なくとも何れか一方のカプラを有することを特徴とする付記２に記載の光チップ。
（付記８）前記第１のポートが２個、前記第２のポートが１個のマッハツェンダ構成の可変減衰器である前記第１のカプラ及び、
前記第３のポートが２個、前記第４のポートが１個のマッハツェンダ構成の可変減衰器である前記第２のカプラの内、少なくとも何れか一方のカプラを有することを特徴とする付記２に記載の光チップ。
（付記９）ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップを備えた光通信装置であって、
前記光回路は、
第１の変調部と、
第２の変調部と、
第１の受信部と、
第２の受信部と、を有し、
前記チップ領域は、
局発光用の第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
第２の導波路と、
前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
受信光用の第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
第４の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記第１の受信部と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
第５の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第５の導波路と接続する第５のポート及び、前記第２の受信部と接続する第６のポートを備えた第３のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第５の導波路と接続する第３のトレンチと、
送信光用の第３の運用ファイバと接続する第６の導波路と、
第７の導波路と、
前記第６の導波路と接続すると共に、前記第７の導波路と接続する第７のポート及び、前記第１の変調部と接続する第８のポートを備えた第４のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第７の導波路と接続する第４のトレンチと、
第８の導波路と、
前記第６の導波路と接続すると共に、前記第８の導波路と接続する第９のポート及び、前記第２の変調部と接続する第１０のポートを備えた第５のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第８の導波路と接続する第５のトレンチと、
を有することを特徴とする光通信装置。
（付記１０）前記第１のトレンチは、
第１の試験用ファイバを挿入して前記第２の導波路と接続され、
前記第２のトレンチは、
第２の試験用ファイバを挿入して前記第４の導波路と接続され、
前記第３のトレンチは、
第３の試験用ファイバを挿入して前記第５の導波路と接続され、
前記第４のトレンチは、
第４の試験用ファイバを挿入して前記第７の導波路と接続され、
前記第５のトレンチは、
第５の試験用ファイバを挿入して前記第８の導波路と接続されることを特徴とする付記９に記載の光通信装置。
（付記１１）前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、前記第３のトレンチ、前記第４のトレンチ及び前記第５のトレンチが、前記チップ領域内の略同一線上に配置されることを特徴とする付記９に記載の光通信装置。
（付記１２）前記第２の導波路、前記第４の導波路、前記第５の導波路、前記第７の導波路及び前記第８の導波路は、同一方向及び同一ピッチに前記チップ領域内に配置されることを特徴とする付記９に記載の光通信装置。
（付記１３）ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップを備えた光受信器であって、
前記光回路は、
第１の受信部と、
第２の受信部と、を有し、
前記チップ領域は、
局発光用の第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
第２の導波路と、
前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
受信光用の第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
第４の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記第１の受信部と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
第５の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第５の導波路と接続する第５のポート及び、前記第２の受信部と接続する第６のポートを備えた第３のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第５の導波路と接続する第３のトレンチと、
を有することを特徴とする光受信器。
（付記１４）前記第１のトレンチは、
第１の試験用ファイバを挿入して前記第２の導波路と接続され、
前記第２のトレンチは、
第２の試験用ファイバを挿入して前記第４の導波路と接続され、
前記第３のトレンチは、
第３の試験用ファイバを挿入して前記第５の導波路と接続されることを特徴とする付記１３に記載の光受信器。
（付記１５）ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップを備えた光送信器であって、
前記光回路は、
第１の変調部と、
第２の変調部と、を有し、
前記チップ領域は、
局発光用の第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
第２の導波路と、
前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
送信光用の第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
第４の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記第１の変調部と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
第５の導波路と、
前記第３の導波路と接続すると共に、前記第５の導波路と接続する第５のポート及び、前記第２の変調部と接続する第６のポートを備えた第３のカプラと、
前記チップ領域の表面に形成され、前記第５の導波路と接続する第３のトレンチと、
を有することを特徴とする光送信器。
（付記１６）前記第１のトレンチは、
第１の試験用ファイバを挿入して前記第２の導波路と接続され、
前記第２のトレンチは、
第２の試験用ファイバを挿入して前記第４の導波路と接続され、
前記第３のトレンチは、
第３の試験用ファイバを挿入して前記第５の導波路と接続されることを特徴とする付記１５に記載の光送信器。
１ 試験システム
２ 光チップ
３ 試験装置
１１ チップ領域
１２ 光回路
１３ 第１の導波路
１４ 第２の導波路
１６ 第１のカプラ
１６Ａ 第１のポート
１６Ｂ 第２のポート
１７ 第１のトレンチ
１８ 第３の導波路
１９ 第４の導波路
２１ 第２のカプラ
２１Ａ 第３のポート
２１Ｂ 第４のポート
２２ 第２のトレンチ
３５ 第１の試験用ファイバ
３６ 第２の試験用ファイバ

Claims (12)

  1. ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップであって、
    第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
    第２の導波路と、
    前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
    を有することを特徴とする光チップ。
  2. 第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
    第４の導波路と、
    前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記光回路と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
    を有することを特徴とする請求項１に記載の光チップ。
  3. 前記第１のトレンチは、
    第１の試験用ファイバを挿入して前記第２の導波路と接続され、
    前記第２のトレンチは、
    第２の試験用ファイバを挿入して前記第４の導波路と接続されることを特徴とする請求項２に記載の光チップ。
  4. 前記第１のトレンチの側面の内、前記第２の導波路に接続する側面に対して直交しないように配置される前記第２の導波路及び、
    前記第２のトレンチの側面の内、前記第４の導波路に接続する側面に対して直交しないように配置される前記第４の導波路の内、
    少なくとも何れか一方の導波路を有することを特徴とする請求項２に記載の光チップ。
  5. 前記第２の導波路と接続する前記第１のトレンチの側面が前記チップ領域の辺に対して斜めの位置に配置される前記第１のトレンチ及び、
    前記第４の導波路と接続する前記第２のトレンチの側面が前記チップ領域の辺に対して斜めの位置に配置される前記第２のトレンチの内、
    少なくとも何れか一方のトレンチを有することを特徴とする請求項４に記載の光チップ。
  6. 前記第２の導波路及び、前記第１のトレンチ内に挿入された前記第１の試験用ファイバの内、少なくとも何れか一方に接続する第１のエッジカプラと、
    前記第４の導波路及び、前記第２のトレンチ内に挿入された前記第２の試験用ファイバの内、少なくとも何れか一方に接続する第２のエッジカプラと、
    を有することを特徴とする請求項３に記載の光チップ。
  7. 前記第１のポートが２個、前記第２のポートが２個の２×２カプラである前記第１のカプラ及び、
    前記第３のポートが２個、前記第４のポートが２個の２×２カプラである前記第２のカプラの内、
    少なくとも何れか一方のカプラを有することを特徴とする請求項２に記載の光チップ。
  8. 前記第１のポートが２個、前記第２のポートが１個のマッハツェンダ構成の可変減衰器である前記第１のカプラ及び、
    前記第３のポートが２個、前記第４のポートが１個のマッハツェンダ構成の可変減衰器である前記第２のカプラの内、
    少なくとも何れか一方のカプラを有することを特徴とする請求項２に記載の光チップ。
  9. ウエハ上のチップ領域と、前記チップ領域に配置された光回路とを有する光チップを備えた光通信装置であって、
    前記光回路は、
    第１の受信部と、
    第２の受信部と、を有し、
    前記チップ領域は、
    局発光用の第１の運用ファイバと接続する第１の導波路と、
    第２の導波路と、
    前記第１の導波路と接続すると共に、前記第２の導波路と接続する第１のポート及び、前記光回路と接続する第２のポートを備えた第１のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、前記第２の導波路と接続する第１のトレンチと、
    受信光用の第２の運用ファイバと接続する第３の導波路と、
    第４の導波路と、
    前記第３の導波路と接続すると共に、前記第４の導波路と接続する第３のポート及び、前記第１の受信部と接続する第４のポートを備えた第２のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、前記第４の導波路と接続する第２のトレンチと、
    第５の導波路と、
    前記第３の導波路と接続すると共に、前記第５の導波路と接続する第５のポート及び、前記第２の受信部と接続する第６のポートを備えた第３のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、前記第５の導波路と接続する第３のトレンチと、
    を有することを特徴とする光通信装置。
  10. 前記光回路は、
    第１の変調部と、
    第２の変調部と、を有し、
    前記チップ領域は、
    送信光用の第３の運用ファイバと接続する第６の導波路と、
    第７の導波路と、
    前記第６の導波路と接続すると共に、前記第７の導波路と接続する第７のポート及び、前記第１の変調部と接続する第８のポートを備えた第４のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、第４の試験用ファイバを挿入して前記第７の導波路と接続するための第４のトレンチと、
    第８の導波路と、
    前記第６の導波路と接続すると共に、前記第８の導波路と接続する第９のポート及び、前記第２の変調部と接続する第１０のポートを備えた第５のカプラと、
    前記チップ領域の表面に形成され、第５の試験用ファイバを挿入して前記第８の導波路と接続するための第５のトレンチと、
    を有することを特徴とする請求項９に記載の光通信装置。
  11. 前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、前記第３のトレンチ、前記第４のトレンチ及び前記第５のトレンチが、前記チップ領域内の略同一線上に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の光通信装置。
  12. 前記第２の導波路、前記第４の導波路、前記第５の導波路、前記第７の導波路及び前記第８の導波路は、同一方向及び同一ピッチに前記チップ領域内に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の光通信装置。
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