JP2024021491A - base film - Google Patents
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Abstract
【課題】良好なエキスパンドを可能にする優れた柔軟性を有する基材フィルムを提供する。
【解決手段】半導体加工用シートを構成する基材として使用するための基材フィルムであって、前記基材フィルムが、ポリエステル樹脂を含有する材料からなり、前記ポリエステル樹脂が、脂環構造を有するとともに、２３０℃、荷重２．１６ｋｇで測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下である基材フィルム。
【選択図】なし
An object of the present invention is to provide a base film having excellent flexibility that enables good expansion.
[Solution] A base film for use as a base material constituting a sheet for semiconductor processing, wherein the base film is made of a material containing a polyester resin, and the polyester resin has an alicyclic structure. Also, a base film having a melt flow rate of 10 g/10 min or less when measured at 230° C. and a load of 2.16 kg.
[Selection diagram] None
Description
本発明は、半導体ウエハ等の加工に使用される半導体加工用シートのための基材として好適に使用できる基材フィルムに関するものである。 The present invention relates to a base film that can be suitably used as a base material for a semiconductor processing sheet used for processing semiconductor wafers and the like.
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハや各種パッケージ類は、大径の状態で製造され、チップに切断（ダイシング）され、剥離（ピックアップ）された後に、次の工程であるマウント工程に移される。この際、半導体ウエハ等の半導体材料は、基材および粘着剤層を備える粘着シート（以下、「半導体加工用シート」という場合がある。）に貼付された状態で、バックグラインド、ダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップ、マウンティング等の加工が行われる。 Semiconductor wafers and various packages made of silicon, gallium arsenide, etc. are manufactured in a large diameter state, diced into chips, peeled off (picked up), and then transferred to the next process, the mounting process. At this time, the semiconductor material such as the semiconductor wafer is attached to an adhesive sheet (hereinafter sometimes referred to as "semiconductor processing sheet") that includes a base material and an adhesive layer, and is subjected to back grinding, dicing, cleaning, etc. Processing such as drying, expanding, picking up, and mounting is performed.
上記ピックアップの工程では、半導体チップのピックアップを容易にするために、半導体加工用シートにおける半導体チップが積層された面とは反対の面から、半導体チップを個々に突き上げることを行う場合がある。特に、ピックアップの際の半導体チップ同士の衝突を抑制するとともに、ピックアップを容易にするために、通常、半導体加工用シートを延伸（エキスパンド）させて、半導体チップ同士を離間させることが行われる。そのため、半導体加工用シートには、良好なエキスパンドを可能にする、優れた柔軟性を有することが求められる。 In the above-mentioned pickup process, in order to facilitate pickup of the semiconductor chips, the semiconductor chips may be individually pushed up from the surface of the semiconductor processing sheet opposite to the surface on which the semiconductor chips are stacked. In particular, in order to suppress collisions between semiconductor chips during pickup and to facilitate pickup, a sheet for semiconductor processing is usually stretched (expanded) to separate semiconductor chips from each other. Therefore, sheets for semiconductor processing are required to have excellent flexibility to enable good expansion.
特許文献１および２には、良好なエキスパンドを実現する目的のもと開発された半導体加工用シートに関する発明が開示されている。特に、引用文献１には、基材層と粘着層とを有するダイシングフィルムであって、当該基材層が、所定のランダムポリプロピレンと所定のオレフィン系エラストマーとを所定の条件で含むダイシングフィルムが開示されている。また、引用文献２には、粘着剤層と、粘着剤被塗布層と、熱可塑性エラストマー層と、樹脂層とがこの順に積層してなる粘着テープであって、上記熱可塑性エラストマー層が所定の樹脂組成物からなる粘着テープが開示されている。 Patent Documents 1 and 2 disclose inventions relating to sheets for semiconductor processing developed with the aim of achieving good expansion. In particular, Cited Document 1 discloses a dicing film having a base layer and an adhesive layer, the base layer containing a predetermined random polypropylene and a predetermined olefin elastomer under predetermined conditions. has been done. Further, Cited Document 2 discloses an adhesive tape in which an adhesive layer, an adhesive coated layer, a thermoplastic elastomer layer, and a resin layer are laminated in this order, and the thermoplastic elastomer layer has a predetermined shape. An adhesive tape made of a resin composition is disclosed.
ところで、本発明者らは、所定のポリエステル樹脂を主材として用いて構成される基材フィルムを、半導体加工用シートの基材フィルムとして使用することを検討している。本発明者らは、このような半導体加工用シートにおいて、ダイシング時における切削片の発生を抑制する効果をはじめとした種々の優れた効果があることを確認している。さらに、本発明者らは、上記基材フィルムのエキスパンド性を向上させることで、当該基材フィルムの有用性をより高めることができるとわかった。 By the way, the present inventors are considering using a base film composed of a predetermined polyester resin as a main material as a base film of a sheet for semiconductor processing. The present inventors have confirmed that such a sheet for semiconductor processing has various excellent effects including the effect of suppressing the generation of cutting chips during dicing. Furthermore, the present inventors found that by improving the expandability of the base film, the usefulness of the base film can be further enhanced.
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、良好なエキスパンドを可能にする優れた柔軟性を有する基材フィルムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a base film having excellent flexibility that enables good expansion.
上記目的を達成するために、第１に本発明は、半導体加工用シートを構成する基材として使用するための基材フィルムであって、前記基材フィルムが、ポリエステル樹脂を含有する材料からなり、前記ポリエステル樹脂が、脂環構造を有するとともに、２３０℃、荷重２．１６ｋｇで測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下であることを特徴とする基材フィルムを提供する（発明１）。 In order to achieve the above object, the present invention firstly provides a base film for use as a base material constituting a sheet for semiconductor processing, wherein the base film is made of a material containing a polyester resin. , provides a base film characterized in that the polyester resin has an alicyclic structure and a melt flow rate measured at 230° C. and a load of 2.16 kg is 10 g/10 min or less (Invention 1).
上記発明（発明１）に係る基材フィルムは、その材料として、脂環構造を有し且つ上述したメルトフローレートを示すポリエステル樹脂を用いていることにより、優れた柔軟性を有するものとなり、当該基材フィルムを用いることで、良好なエキスパンド性を有する半導体加工用シートを得ることができる。 The base film according to the above invention (Invention 1) has excellent flexibility by using a polyester resin having an alicyclic structure and exhibiting the above-mentioned melt flow rate as its material. By using the base film, it is possible to obtain a sheet for semiconductor processing that has good expandability.
上記発明（発明１）において、前記ポリエステル樹脂は、当該ポリエステル樹脂を構成するモノマー単位として、前記脂環構造を有するジカルボン酸と、前記脂環構造を有するジオールと、不飽和脂肪酸を二量化してなるダイマー酸とを含むことが好ましい（発明２）。 In the above invention (invention 1), the polyester resin is obtained by dimerizing the dicarboxylic acid having the alicyclic structure, the diol having the alicyclic structure, and the unsaturated fatty acid as monomer units constituting the polyester resin. (Invention 2).
上記発明（発明２）において、前記ポリエステル樹脂を構成する全モノマー単位に対する、前記ダイマー酸の割合は、１モル％以上、１０モル％以下であることが好ましい（発明３）。 In the above invention (invention 2), the proportion of the dimer acid to all monomer units constituting the polyester resin is preferably 1 mol% or more and 10 mol% or less (invention 3).
上記発明（発明２，３）において、前記ダイマー酸を構成する前記不飽和脂肪酸の炭素数は、１０以上、３０以下であることが好ましい（発明４）。 In the above inventions (Inventions 2 and 3), the number of carbon atoms in the unsaturated fatty acid constituting the dimer acid is preferably 10 or more and 30 or less (Invention 4).
上記発明（発明１～４）において、２３℃の環境下および引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行った場合に測定される引張弾性率は、１００ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい（発明５）。 In the above inventions (Inventions 1 to 4), the tensile modulus measured when a tensile test is conducted in an environment of 23°C and at a tensile rate of 200 mm/min is preferably 100 MPa or more and 500 MPa or less (Invention 5). ).
上記発明（発明１～５）において、２３℃の環境下および引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行った場合に測定される破断伸度は、２００％以上、８００％以下であることが好ましい（発明６）。 In the above inventions (Inventions 1 to 5), the elongation at break measured when a tensile test is conducted in an environment of 23°C and at a tensile rate of 200 mm/min is preferably 200% or more and 800% or less ( Invention 6).
上記発明（発明１～６）において、厚さは、２０μｍ以上、４５０μｍ以下であることが好ましい（発明７）。 In the above inventions (Inventions 1 to 6), the thickness is preferably 20 μm or more and 450 μm or less (Invention 7).
本発明に係る基材フィルムは、良好なエキスパンドを可能にする優れた柔軟性を有する。 The base film according to the present invention has excellent flexibility that enables good expansion.
以下、本発明の実施形態について説明する。
〔基材フィルム〕
本実施形態に係る基材フィルムは、半導体加工用シートを構成する基材として使用するためのものである。そして、本実施形態に係る基材フィルムは、ポリエステル樹脂を含有する材料からなるものであり、当該ポリエステル樹脂は、脂環構造を有するとともに、２３０℃、荷重２．１６ｋｇで測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下である。
Embodiments of the present invention will be described below.
[Base film]
The base film according to this embodiment is used as a base material constituting a sheet for semiconductor processing. The base film according to the present embodiment is made of a material containing a polyester resin, and the polyester resin has an alicyclic structure and a melt flow rate measured at 230° C. and a load of 2.16 kg. It is 10g/10min or less.
本実施形態に係る基材フィルムは、上記ポリエステル樹脂を含有する材料からなることにより、非常に優れた柔軟性を有するものとなる。それにより、本実施形態に係る基材フィルムを用いて得られた半導体加工用シートは、良好なエキスパンドを行うことが可能となり、続くピックアップ工程においては、チップの裏面からの突き上げを行い易くなり、良好なピックアップも可能となる。 Since the base film according to this embodiment is made of a material containing the above polyester resin, it has extremely excellent flexibility. As a result, the sheet for semiconductor processing obtained using the base film according to the present embodiment can be expanded well, and in the subsequent pick-up process, it becomes easier to push up the chip from the back surface. Good pickup is also possible.
特に、上記ポリエステル樹脂の２３０℃、荷重２．１６ｋｇで測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下であることにより、基材フィルムは良好な機械的強度を有する。それにより、本実施形態に係る基材フィルムが、優れたエキスパンド性やピックアップ性を示すものとなる。 In particular, since the melt flow rate of the polyester resin measured at 230° C. and a load of 2.16 kg is 10 g/10 min or less, the base film has good mechanical strength. Thereby, the base film according to this embodiment exhibits excellent expandability and pick-up properties.
また、本実施形態に係る基材フィルムは、脂環構造を有するポリエステル樹脂を含む材料からなることにより、当該基材フィルムを用いて構成された半導体加工用シートでは、回転する丸刃を用いた半導体材料のダイシングに使用した場合に、切削屑の発生を良好に抑制することもできる。このような切削屑抑制効果は、本実施形態に係る基材フィルムに対して、電子線またはγ線といった放射線の照射を行うことなく発揮される。そのため、本実施形態に係る基材フィルムによれば、放射線照射の工程を含む方法により製造される従来の基材フィルムと比較して、製造コストを低く抑えて半導体加工用シートを製造することができる。 Furthermore, since the base film according to the present embodiment is made of a material containing a polyester resin having an alicyclic structure, a semiconductor processing sheet constructed using the base film can be used with a rotating round blade. When used for dicing semiconductor materials, generation of cutting waste can also be effectively suppressed. Such a cutting waste suppression effect is exhibited without irradiating the base film according to the present embodiment with radiation such as electron beams or gamma rays. Therefore, according to the base film according to the present embodiment, it is possible to manufacture a sheet for semiconductor processing while keeping the manufacturing cost low compared to the conventional base film manufactured by a method including a step of radiation irradiation. can.
さらに、上記ポリエステル樹脂を材料とする本実施形態に係る基材フィルムは、良好な透明性を有するものともなるため、当該基材フィルムを備える半導体加工用シートを介した半導体材料の視認や検査も行い易いものとなる。 Furthermore, since the base film according to the present embodiment made of the above-mentioned polyester resin has good transparency, the semiconductor material can be visually recognized and inspected through the semiconductor processing sheet provided with the base film. It will be easier to do.
本実施形態に係る基材フィルムを用いて得られる半導体加工用シートの例としては、バックグラインドシート、ダイシングシート、エキスパンドシート、ピックアップシート等が挙げられる。特に、本実施形態に係る基材フィルムを用いることで良好なエキスパンドが可能となるため、本実施形態に係る基材フィルムは、ダイシングシート、エキスパンドシートまたはピックアップシートを構成する基材として使用することが好適である。 Examples of sheets for semiconductor processing obtained using the base film according to the present embodiment include back grind sheets, dicing sheets, expanded sheets, pickup sheets, and the like. In particular, since good expansion is possible by using the base film according to this embodiment, the base film according to this embodiment can be used as a base material constituting a dicing sheet, an expandable sheet, or a pickup sheet. is suitable.
１．基材フィルムの材料
（１）ポリエステル樹脂
本実施形態に係る基材フィルムの材料の１つとして使用されるポリエステル樹脂の具体的な組成は、脂環構造を有し、且つ、２３０℃、荷重２．１６ｋｇで測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下である限り、特に限定されない。
1. Material of the base film (1) Polyester resin The specific composition of the polyester resin used as one of the materials of the base film according to this embodiment is that it has an alicyclic structure, and is heated at 230°C and under a load of 2. There is no particular limitation as long as the melt flow rate measured at 16 kg is 10 g/10 min or less.
前述の通り、本実施形態におけるポリエステル樹脂は、２３０℃、２．１６ｋｇの荷重で測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下であるが、より良好な機械的強度を有しやすくなるという観点からは、当該メルトフローレートは５ｇ／１０ｍｉｎ以下であることが好ましく、特に２．５ｇ／１０ｍｉｎ以下であることが好ましい。なお、上記メルトフローレートの下限値については特に限定されず、例えば０．１ｇ／１０ｍｉｎ以上であってよく、さらには１．０ｇ／１０ｍｉｎ以上であってよい。上記メルトフローレートの測定方法の詳細は、後述する試験例に記載の通りである。 As mentioned above, the polyester resin in this embodiment has a melt flow rate of 10 g/10 min or less when measured at 230°C and a load of 2.16 kg, but from the viewpoint of easily having better mechanical strength. The melt flow rate is preferably 5 g/10 min or less, particularly preferably 2.5 g/10 min or less. Note that the lower limit of the melt flow rate is not particularly limited, and may be, for example, 0.1 g/10 min or more, and further may be 1.0 g/10 min or more. The details of the method for measuring the melt flow rate are as described in the test examples described below.
また、基材フィルムがより良好な柔軟性を有し易くなるという観点からは、上記ポリエステル樹脂が有する脂環構造は、環を構成する炭素数が６以上であることが好ましい。また、当該炭素数は、１４以下であることが好ましく、特に１０以下であることが好ましい。とりわけ、上記炭素数は、６であることが好ましい。また、当該脂環構造は、１つの環からなる単環式であってもよく、２つの環からなる二環式であってもよく、３つ以上の環からなるものであってもよい。 Moreover, from the viewpoint that the base film tends to have better flexibility, it is preferable that the alicyclic structure of the polyester resin has 6 or more carbon atoms in the ring. Further, the number of carbon atoms is preferably 14 or less, particularly preferably 10 or less. In particular, the number of carbon atoms is preferably six. Further, the alicyclic structure may be monocyclic, consisting of one ring, bicyclic, consisting of two rings, or three or more rings.
また、基材フィルムがより良好な柔軟性を有し易くなるという観点から、上記ポリエステル樹脂は、当該ポリエステル樹脂を構成するモノマー単位として、脂環構造を有するジカルボン酸を含むことが好ましい。また、同様の観点から、上記ポリエステル樹脂は、当該ポリエステル樹脂を構成するモノマー単位として、脂環構造を有するジオールを含むことが好ましい。このようなジカルボン酸およびジオールは、いずれか一方のみがポリエステル樹脂に含まれてもよいものの、より良好な柔軟性を有し易くなるという観点からは、ポリエステル樹脂がこのようなジカルボン酸およびジオールの両方を含むことが好ましい。 Moreover, from the viewpoint that the base film tends to have better flexibility, it is preferable that the polyester resin contains a dicarboxylic acid having an alicyclic structure as a monomer unit constituting the polyester resin. Moreover, from the same viewpoint, it is preferable that the polyester resin includes a diol having an alicyclic structure as a monomer unit constituting the polyester resin. Although only one of these dicarboxylic acids and diols may be included in the polyester resin, from the viewpoint that the polyester resin tends to have better flexibility, it is preferable that the polyester resin contains such dicarboxylic acids and diols. It is preferable to include both.
上述したジカルボン酸の構造は、脂環構造を有するとともに、２つのカルボキシ基を有するものであれば、特に限定されない。例えば、ジカルボン酸は、脂環構造に２つのカルボキシ基が結合してなる構造であってもよく、そのような脂環構造とカルボキシ基との間に、さらにアルキル基等が挿入されてなる構造であってもよい。このようなジカルボン酸の好ましい例としては、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸、１，４－デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，５－デカヒドロナフタレンジカルボン酸、２，６－デカヒドロナフタレンジカルボン酸、２，７－デカヒドロナフタレンジカルボン酸等が挙げられ、これらの中でも、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸を使用することが好ましい。これらのジカルボン酸は、アルキルエステル等の誘導体であってもよい。このようなアルキエステル誘導体としては、例えば、炭素数が１以上、１０以下のアルキルエステルであってよい。より具体的な例としては、ジメチルエステル、ジエチルエステル等が挙げられ、特にジメチルエステルが好ましい。 The structure of the dicarboxylic acid described above is not particularly limited as long as it has an alicyclic structure and two carboxy groups. For example, a dicarboxylic acid may have a structure in which two carboxy groups are bonded to an alicyclic structure, or a structure in which an alkyl group or the like is further inserted between such an alicyclic structure and a carboxy group. It may be. Preferred examples of such dicarboxylic acids include 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-decahydronaphthalene dicarboxylic acid, and 1,5-decahydronaphthalene dicarboxylic acid. Examples include hydronaphthalene dicarboxylic acid, 2,6-decahydronaphthalene dicarboxylic acid, 2,7-decahydronaphthalene dicarboxylic acid, and the like, and among these, it is preferable to use 1,4-cyclohexane dicarboxylic acid. These dicarboxylic acids may be derivatives such as alkyl esters. Such an alkyl ester derivative may be, for example, an alkyl ester having 1 or more and 10 or less carbon atoms. More specific examples include dimethyl ester, diethyl ester, etc., with dimethyl ester being particularly preferred.
本実施形態におけるポリエステル樹脂が、それを構成するモノマー単位として、脂環構造を有するジカルボン酸を含む場合、当該ポリエステル樹脂を構成する全モノマー単位に対する、脂環構造を有するジカルボン酸モノマーの割合は、３０モル％以上であることが好ましく、３５モル％以上であることがより好ましく、特に４０モル％以上であることが好ましく、さらには４３モル％以上であることが好ましい。また、当該割合は、５０モル％以下であることが好ましく、４９モル％以下であることがより好ましく、特に４８モル％以下であることが好ましく、さらには４７モル％以下であることが好ましい。これらの範囲であることで、本実施形態に係る基材フィルムがより優れた柔軟性を有し易いものとなる。 When the polyester resin in this embodiment contains a dicarboxylic acid having an alicyclic structure as a monomer unit constituting it, the ratio of the dicarboxylic acid monomer having an alicyclic structure to all monomer units constituting the polyester resin is as follows: It is preferably 30 mol% or more, more preferably 35 mol% or more, particularly preferably 40 mol% or more, and even more preferably 43 mol% or more. Further, the proportion is preferably 50 mol% or less, more preferably 49 mol% or less, particularly preferably 48 mol% or less, and even more preferably 47 mol% or less. Within these ranges, the base film according to this embodiment tends to have better flexibility.
また、本実施形態におけるポリエステル樹脂が、それを構成するモノマー単位として、脂環構造を有するジカルボン酸を含む場合、当該ポリエステル樹脂を構成する環構造を有するジカルボン酸全体に対する、脂環構造を有するジカルボン酸の割合は、６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、特に８０％以上であることが好ましく、さらには９０％以上であることが好ましい。上記割合が６０％以上であることで、本実施形態に係る基材フィルムがより優れた柔軟性を有し易いものとなる。なお、当該割合の上限値については特に限定されず、例えば、１００％以下であってもよい。なお、上記環構造を有するジカルボン酸には、脂環構造を有するジカルボン酸の他、芳香環構造を有するジカルボン酸などが含まれる。 In addition, when the polyester resin in this embodiment contains a dicarboxylic acid having an alicyclic structure as a monomer unit constituting it, the dicarboxylic acid having an alicyclic structure relative to the entire dicarboxylic acid having a ring structure constituting the polyester resin The proportion of acid is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, particularly preferably 80% or more, and even more preferably 90% or more. When the ratio is 60% or more, the base film according to this embodiment tends to have better flexibility. Note that the upper limit of the ratio is not particularly limited, and may be, for example, 100% or less. Note that the dicarboxylic acids having a ring structure include dicarboxylic acids having an aromatic ring structure in addition to dicarboxylic acids having an alicyclic structure.
上述したジオールの構造は、脂環構造を有するとともに、２つのヒドロキシ基を有するものであれば、特に限定されない。例えば、ジオールは、脂環構造に２つのヒドロキシ基が結合してなる構造であってもよく、そのような脂環構造とヒドロキシ基との間に、さらにアルキル基等が挿入されてなる構造であってもよい。このようなジオールの好ましい例としては、１，２－シクロヘキサンジオール（特に１，２－シクロヘキサンジメタノール）、１，３－シクロヘキサンジオール（特に１，３－シクロヘキサンジメタノール）、１，４－シクロヘキサンジオール（特に１，４－シクロヘキサンジメタノール）、２，２－ビス－（４－ヒドロキシシクロヘキシル）－プロパン等が挙げられ、これらの中でも、１，４－シクロヘキサンジメタノールを使用することが好ましい。 The structure of the diol described above is not particularly limited as long as it has an alicyclic structure and two hydroxy groups. For example, a diol may have a structure in which two hydroxy groups are bonded to an alicyclic structure, or a diol may have a structure in which an alkyl group or the like is further inserted between such an alicyclic structure and a hydroxy group. There may be. Preferred examples of such diols include 1,2-cyclohexanediol (especially 1,2-cyclohexanedimethanol), 1,3-cyclohexanediol (especially 1,3-cyclohexanedimethanol), and 1,4-cyclohexanediol. (especially 1,4-cyclohexanedimethanol), 2,2-bis-(4-hydroxycyclohexyl)-propane, etc. Among these, it is preferable to use 1,4-cyclohexanedimethanol.
本実施形態におけるポリエステル樹脂が、それを構成するモノマー単位として、脂環構造を有するジオールを含む場合、当該ポリエステル樹脂を構成する全モノマー単位に対する、当該ジオールモノマーの割合は、３５モル％以上であることが好ましく、特に４０モル％以上であることが好ましく、さらには４５モル％以上であることが好ましい。また、当該割合は、５０モル％以下であることが好ましく、特に４９モル％以下であることが好ましく、さらには４８モル％以下であることが好ましい。これらの範囲であることで、本実施形態に係る基材フィルムがより優れた柔軟性を有し易いものとなる。 When the polyester resin in this embodiment includes a diol having an alicyclic structure as a monomer unit constituting it, the proportion of the diol monomer to all monomer units constituting the polyester resin is 35 mol% or more. It is preferably at least 40 mol%, particularly preferably at least 45 mol%. Further, the proportion is preferably 50 mol% or less, particularly preferably 49 mol% or less, and even more preferably 48 mol% or less. Within these ranges, the base film according to this embodiment tends to have better flexibility.
本実施形態におけるポリエステル樹脂は、基材フィルムがより優れた柔軟性を有し易くなるという観点から、当該ポリエステル樹脂を構成するモノマー単位として、不飽和脂肪酸を二量化してなるダイマー酸を含むことも好ましい。ここで、当該不飽和脂肪酸の炭素数は、１０以上であることが好ましく、特に１５以上であることが好ましい。また、上記炭素数は、３０以下であることが好ましく、特に２５以下であることが好ましい。このようなダイマー酸の例としては、オレイン酸、リノール酸等の炭素数１８の不飽和脂肪酸を二量化して得られる炭素数３６のジカルボン酸、エルカ酸等の炭素数２２の不飽和脂肪酸を二量化して得られる炭素数４４のジカルボン酸等が挙げられる。なお、上記ダイマー酸を得る際には、上述した不飽和脂肪酸を三量化してなるトリマー酸も少量生じる場合がある。本実施形態におけるポリエステル樹脂は、上記ダイマー酸とともに、このようなトリマー酸を含んでいてもよい。また、二量化後に残存する不飽和二重結合を水素添加によって飽和化した水添ダイマー酸を、柔軟性、耐衝撃性の点から好適に用いることができる。 The polyester resin in this embodiment includes a dimer acid obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid as a monomer unit constituting the polyester resin, from the viewpoint that the base film tends to have better flexibility. is also preferable. Here, the number of carbon atoms in the unsaturated fatty acid is preferably 10 or more, particularly preferably 15 or more. Moreover, it is preferable that the said carbon number is 30 or less, and it is especially preferable that it is 25 or less. Examples of such dimer acids include dicarboxylic acids with 36 carbon atoms obtained by dimerizing unsaturated fatty acids with 18 carbon atoms such as oleic acid and linoleic acid, and unsaturated fatty acids with 22 carbon atoms such as erucic acid. Examples include dicarboxylic acids having 44 carbon atoms obtained by dimerization. In addition, when obtaining the above-mentioned dimer acid, a small amount of trimer acid formed by trimerizing the above-mentioned unsaturated fatty acid may also be produced. The polyester resin in this embodiment may contain such a trimer acid together with the above dimer acid. Further, a hydrogenated dimer acid in which unsaturated double bonds remaining after dimerization are saturated by hydrogenation can be preferably used from the viewpoint of flexibility and impact resistance.
本実施形態におけるポリエステル樹脂が、それを構成するモノマー単位として、上記ダイマー酸を含む場合、当該ポリエステル樹脂を構成する全モノマー単位に対する、当該ダイマー酸の割合は、1モル％以上であることが好ましく、特に２モル％以上であることが好ましく、さらには３モル％以上であることが好ましい。また、当該割合は、１０モル％以下であることが好ましく、特に８モル％以下であることが好ましく、さらには７モル％以下であることが好ましい。これらの範囲であることで、ポリエステル樹脂が所望の柔軟性を有し易くなり、その結果、本実施形態に係る基材フィルムがより優れた柔軟性を有し易いものとなる。 When the polyester resin in this embodiment contains the above dimer acid as a monomer unit constituting it, the proportion of the dimer acid to all monomer units constituting the polyester resin is preferably 1 mol% or more. In particular, it is preferably 2 mol% or more, and more preferably 3 mol% or more. Further, the proportion is preferably 10 mol% or less, particularly preferably 8 mol% or less, and even more preferably 7 mol% or less. Within these ranges, the polyester resin tends to have desired flexibility, and as a result, the base film according to this embodiment tends to have better flexibility.
本実施形態におけるポリエステル樹脂は、それを構成するモノマー単位として、上述したジカルボン酸、ジオールおよびダイマー酸以外のモノマーを含有してもよい。そのようなモノマーの例としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の脂肪族ジカルボン酸；フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、１，４－ナフタレンジカルボン酸、４，４’－ジフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸等が挙げられる。また、脂環構造を有するジオール以外のジオール成分を含有してもよい。例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、デカンジオール；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ等のエチレンオキサイド付加物；トリメチロールプロパン等を含有してもよい。 The polyester resin in this embodiment may contain monomers other than the above-mentioned dicarboxylic acid, diol, and dimer acid as monomer units constituting the polyester resin. Examples of such monomers include aliphatic dicarboxylic acids such as succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid; phthalic acid, terephthalic acid, isophthalic acid, 2,6-naphthalene Examples include aromatic dicarboxylic acids such as dicarboxylic acid, 1,4-naphthalene dicarboxylic acid, and 4,4'-diphenyldicarboxylic acid. Further, it may contain a diol component other than the diol having an alicyclic structure. For example, it may contain ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, hexanediol, octanediol, decanediol; ethylene oxide adducts such as bisphenol A and bisphenol S; trimethylolpropane, and the like.
但し、本実施形態におけるポリエステル樹脂においては、より優れた柔軟性を実現し易いという観点から、脂環構造を有するモノマー（前述した、脂環構造を有するジカルボン酸や脂肪構造を有するジオール）が、芳香環構造を有するモノマーよりも多く含まれていることが好ましい。特に、本実施形態におけるポリエステル樹脂を構成するモノマー単位のうち、脂環構造を有するモノマー単位に対する芳香環構造を有するモノマー単位のモル比は、１未満であることが好ましく、０．５以下であることがより好ましく、０．２以下であることがより好ましく、０．１以下であることがより好ましく、０．０５以下であることがより好ましく、０．０３以下であることがより好ましく、０．０１以下であることがより好ましく、特に０．００５以下であることが好ましく、さらには０．００１以下であることが好ましく、０であることが最も好ましい。 However, in the polyester resin in this embodiment, from the viewpoint of easily achieving better flexibility, monomers having an alicyclic structure (the aforementioned dicarboxylic acids having an alicyclic structure and diols having an aliphatic structure) are used. It is preferable that it is contained in a larger amount than the monomer having an aromatic ring structure. In particular, among the monomer units constituting the polyester resin in this embodiment, the molar ratio of the monomer units having an aromatic ring structure to the monomer units having an alicyclic structure is preferably less than 1, and is 0.5 or less. more preferably 0.2 or less, more preferably 0.1 or less, more preferably 0.05 or less, more preferably 0.03 or less, 0. It is more preferably .01 or less, particularly preferably 0.005 or less, further preferably 0.001 or less, and most preferably 0.
本実施形態におけるポリエステル樹脂の製造方法は、メルトフローレートが上述した範囲となる限り特に限定されず、公知の触媒を使用し、公知の方法によって製造することができる。例えば、ジカルボン酸とグリコールを直接エステル化反応し、得られたオリゴマーを減圧下で重合する方法、ジメチルエステル等のエステル化物とグリコールをエステル交換反応し、得られたオリゴマーを減圧下で重合する方法のいずれでもよい。また、メルトフローレートを上述した範囲に調整する為、前述した方法（溶液重合）で得られたポリエステル樹脂を減圧下または不活性ガス流通下において融点以下の温度で加熱することで反応させる固相重合で製造してもよい。 The method for producing the polyester resin in this embodiment is not particularly limited as long as the melt flow rate is within the above-mentioned range, and the polyester resin can be produced by a known method using a known catalyst. For example, a method in which a dicarboxylic acid and a glycol are directly esterified and the resulting oligomer is polymerized under reduced pressure, or a method in which an esterified product such as dimethyl ester and a glycol is transesterified and the resulting oligomer is polymerized under reduced pressure. Either is fine. In addition, in order to adjust the melt flow rate to the above-mentioned range, the polyester resin obtained by the above-mentioned method (solution polymerization) is reacted with a solid phase by heating it at a temperature below the melting point under reduced pressure or under an inert gas flow. It may also be produced by polymerization.
本実施形態に係る基材フィルムを構成する材料中におけるポリエステル樹脂の含有量は、５５質量％以上であることが好ましく、特に６０質量％以上であることが好ましく、さらには６５質量％以上であることが好ましい。上記含有量が５５％以上であることで、本実施形態に係る基材フィルムがより良好な柔軟性を有し易いものとなる。なお、上記含有量の上限値については特に限定されず、例えば１００％以下である。 The content of polyester resin in the material constituting the base film according to this embodiment is preferably 55% by mass or more, particularly preferably 60% by mass or more, and further preferably 65% by mass or more. It is preferable. When the content is 55% or more, the base film according to this embodiment tends to have better flexibility. Note that the upper limit of the content is not particularly limited, and is, for example, 100% or less.
（２）その他の成分
本実施形態に係る基材フィルムを作製するため材料は、上述したポリエステル樹脂以外のその他の成分を含有してもよい。特に、当該材料には、一般的な半導体加工用シートの基材フィルムに用いられる成分を含有させてもよい。
(2) Other components The material for producing the base film according to this embodiment may contain components other than the above-mentioned polyester resin. In particular, the material may contain components used in base films of general semiconductor processing sheets.
そのような成分の例としては、難燃剤、可塑剤、滑剤、酸化防止剤、着色剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤等の各種添加剤が挙げられる。これらの添加剤の含有量としては、特に限定されないものの、基材フィルムが所望の機能を発揮する範囲とすることが好ましい。 Examples of such components include various additives such as flame retardants, plasticizers, lubricants, antioxidants, colorants, infrared absorbers, ultraviolet absorbers, and ion scavengers. Although the content of these additives is not particularly limited, it is preferably within a range that allows the base film to exhibit desired functions.
なお、柔軟性を付与するという観点から、上記材料には、熱可塑性エラストマー等のエラストマーを添加してもよい。しかしながら、本願実施形態に係る基材フィルムは、このようなエラストマーを添加しない場合であっても、十分な柔軟性を発揮するものとなる。 Note that from the viewpoint of imparting flexibility, an elastomer such as a thermoplastic elastomer may be added to the above material. However, the base film according to the embodiment of the present application exhibits sufficient flexibility even when such an elastomer is not added.
また、本実施形態に係る基材フィルムを作製するため材料は、塩素原子等のハロゲン原子を含有する成分を実質的に含有しないことが好ましい。ハロゲン原子は、半導体加工用シートにて取り扱われる半導体材料や半導体装置に悪影響を与える可能性があり、ハロゲン原子を含有する成分を実質的に含有しない材料から基材フィルムが構成されることで、そのような問題を回避することができる。なお、上述した「実質的に含有しない」とは、ハロゲン原子を含有する成分の含有量が、材料の全成分に対して、１．０質量％以下であることを指し、特に０．１質量％以下であることを指し、さらには０．０１質量％であることを指す。 Moreover, it is preferable that the material for producing the base film according to the present embodiment does not substantially contain a component containing a halogen atom such as a chlorine atom. Halogen atoms may have a negative effect on semiconductor materials and semiconductor devices handled in semiconductor processing sheets, and by making the base film from a material that does not substantially contain components containing halogen atoms, Such problems can be avoided. The above-mentioned "substantially not containing" means that the content of components containing halogen atoms is 1.0% by mass or less based on the total components of the material, particularly 0.1% by mass. % or less, and further refers to 0.01% by mass.
（３）基材フィルムの構成
本実施形態に係る基材フィルムの層構成としては、前述したポリエステル樹脂を含有する材料からなる層（以下、「樹脂層Ａ」という場合がある。）を備える限り、単層であってもよく、複数層であってもよい。製造コストを低減できる観点からは、本実施形態における基材フィルムは、単層（樹脂層Ａのみ）であることが好ましい。一方、複数層とする場合、樹脂層Ａを複数積層してもよく、あるいは、樹脂層Ａと、それ以外の層とを積層してもよい。
(3) Structure of base film As long as the layer structure of the base film according to this embodiment includes a layer made of a material containing the above-mentioned polyester resin (hereinafter sometimes referred to as "resin layer A"), , may be a single layer or may be a plurality of layers. From the viewpoint of reducing manufacturing costs, the base film in this embodiment is preferably a single layer (only the resin layer A). On the other hand, in the case of multiple layers, a plurality of resin layers A may be laminated, or the resin layer A and other layers may be laminated.
また、基材フィルムにおける粘着剤層が積層される面には、当該粘着剤層との密着性を高めるために、プライマー処理、コロナ処理、プラズマ処理等の表面処理が施されてもよい。 Further, the surface of the base film on which the adhesive layer is laminated may be subjected to surface treatment such as primer treatment, corona treatment, plasma treatment, etc., in order to improve the adhesion with the adhesive layer.
２．基材フィルムの物性等
本実施形態における基材フィルムの、２３℃の環境下および引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行った場合に測定される引張弾性率は、５００ＭＰａ以下であることが好ましく、特に４５０ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには４００ＭＰａ以下であることが好ましい。上記引張弾性率が５００ＭＰａ以下であることで、本実施形態に係る基材フィルムがより良好な柔軟性を有し易いものとなる。また、上記引張弾性率は、１００ＭＰａ以上であることが好ましく、特に２００ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには３００ＭＰａ以上であることが好ましい。また、上記引張弾性率が１００ＭＰａ以上であることで、本実施形態に係る基材フィルムが適度な強度を有し易いものとなり、当該基材フィルムを備える半導体加工用シートが良好な取り扱い性を有するものとなるとともに、所望の半導体加工を良好に行い易くなる。
2. Physical Properties of Base Film The tensile modulus of the base film in this embodiment measured when a tensile test is conducted in an environment of 23° C. and at a tensile speed of 200 mm/min is preferably 500 MPa or less, In particular, it is preferably 450 MPa or less, and more preferably 400 MPa or less. When the tensile modulus is 500 MPa or less, the base film according to this embodiment tends to have better flexibility. Further, the tensile modulus is preferably 100 MPa or more, particularly preferably 200 MPa or more, and even more preferably 300 MPa or more. Further, since the tensile modulus is 100 MPa or more, the base film according to this embodiment tends to have appropriate strength, and the sheet for semiconductor processing including the base film has good handling properties. In addition, it becomes easier to perform desired semiconductor processing in a good manner.
本実施形態における基材フィルムの、２３℃の環境下および引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行った場合に測定される破断点応力は、６０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に５０ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには４５ＭＰａ以下であることが好ましい。上記破断点応力が６０ＭＰａ以下であることで、本実施形態に係る基材フィルムがより良好な加工性を有するものとなる。また、上記破断点応力は、１５ＭＰａ以上であることが好ましく、特に２０ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには２５ＭＰａ以上であることが好ましい。上記破断点応力が１５ＭＰａ以上であることで、本実施形態に係る基材フィルムが適度な強度を有し易いものとなり、当該基材フィルムを備える半導体加工用シートが良好な取り扱い性を有するものとなるとともに、所望の加工を良好に行い易くなる。さらに、上記破断点応力が１５ＭＰａ以上であることで、本実施形態に係る基材フィルムが良好なエキスパンド性を有するものとなる。 The stress at break of the base film in this embodiment measured when a tensile test is conducted in an environment of 23° C. and at a tensile rate of 200 mm/min is preferably 60 MPa or less, particularly 50 MPa or less. is preferable, and more preferably 45 MPa or less. When the stress at break is 60 MPa or less, the base film according to this embodiment has better workability. Further, the stress at break is preferably 15 MPa or more, particularly preferably 20 MPa or more, and even more preferably 25 MPa or more. When the stress at break is 15 MPa or more, the base film according to this embodiment tends to have appropriate strength, and the sheet for semiconductor processing including the base film has good handling properties. At the same time, it becomes easier to perform desired processing. Furthermore, since the stress at break is 15 MPa or more, the base film according to this embodiment has good expandability.
本実施形態における基材フィルムの、２３℃の環境下および引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行った場合に測定される破断伸度は、２００％以上であることが好ましく、２５０％以上であることがより好ましく、特に３００％以上であることが好ましく、さらには３５０％以上であることが好ましい。上記破断伸度が２００％以上であることで、本実施形態における基材フィルムが所望の伸長性を有し易いものとなり、当該基材フィルムを備える半導体加工用シートが優れたエキスパンド性やピックアップ性を実現し易いものとなる。また、上記破断伸度は、８００％以下であることが好ましく、７００％以下であることがより好ましく、特に６００％以下であることが好ましく、さらには５００％以下であることが好ましい。上記破断伸度が８００％以下であることで、基材フィルムの加工性がより優れたものとなり、所望の半導体加工用シートを製造し易いものとなる。 The elongation at break of the base film in this embodiment measured when a tensile test is conducted in an environment of 23° C. and at a tensile speed of 200 mm/min is preferably 200% or more, and preferably 250% or more. More preferably, it is 300% or more, and even more preferably 350% or more. When the elongation at break is 200% or more, the base film in this embodiment easily has desired elongation properties, and the sheet for semiconductor processing provided with the base film has excellent expandability and pick-up property. becomes easier to realize. Further, the elongation at break is preferably 800% or less, more preferably 700% or less, particularly preferably 600% or less, and even more preferably 500% or less. When the elongation at break is 800% or less, the processability of the base film becomes more excellent, making it easier to manufacture a desired sheet for semiconductor processing.
なお、以上の引張弾性率、破断点応力および破断伸度の測定方法の詳細は、後述する試験例に記載の通りである。 The details of the method for measuring the tensile modulus, stress at break, and elongation at break are as described in the test examples described later.
本実施形態に係る基材フィルムの厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには５０μｍ以上であることが好ましい。また、基材フィルムの厚さは、４５０μｍ以下であることが好ましく、特に４００μｍ以下であることが好ましく、さらには３００μｍ以下であることが好ましい。基材フィルムの厚さが２０μｍ以上であることで、基材フィルムを備える半導体加工用シートが適度な強度を有し易いものとなり、半導体加工用シート上に固定される対象を良好に支持し易いものとなる。その結果、ダイシングの際におけるチッピングの発生等を効果的に抑制することが可能となる。また、基材フィルムの厚さが４５０μｍ以下であることで、基材フィルムがより良好な加工性を有するものとなる。 The thickness of the base film according to this embodiment is preferably 20 μm or more, particularly preferably 25 μm or more, and even more preferably 50 μm or more. Further, the thickness of the base film is preferably 450 μm or less, particularly preferably 400 μm or less, and even more preferably 300 μm or less. When the thickness of the base film is 20 μm or more, the sheet for semiconductor processing including the base film tends to have appropriate strength, and the object fixed on the sheet for semiconductor processing can be easily supported. Become something. As a result, it becomes possible to effectively suppress the occurrence of chipping during dicing. Moreover, since the thickness of the base film is 450 μm or less, the base film has better processability.
３．基材フィルムの製造方法
本実施形態に係る基材フィルムの製造方法は、前述したポリエステル樹脂を含有する材料を用いる限り、特に限定されず、例えば、Ｔダイ法、丸ダイ法等の溶融押出法；カレンダー法；乾式法、湿式法等の溶液法などを使用することができる。これらの中でも、効率良く基材を製造する観点から、溶融押出法またはカレンダー法を採用することが好ましい。
3. Method for manufacturing the base film The method for manufacturing the base film according to the present embodiment is not particularly limited as long as the material containing the polyester resin described above is used, and examples include melt extrusion methods such as the T-die method and the round die method. Calendar method; Solution methods such as dry method and wet method can be used. Among these, from the viewpoint of efficiently manufacturing the base material, it is preferable to employ the melt extrusion method or the calender method.
単層からなる基材フィルムを溶融押出法により製造する場合、基材フィルムの材料（前述したポリエステル樹脂を含有する材料）を混練し、得られた混練物から直接、または一旦ペレットを製造したのち、公知の押出機を用いて製膜すればよい。 When producing a single-layer base film by melt extrusion, the base film material (material containing the above-mentioned polyester resin) is kneaded and the resulting kneaded product is used directly or after pellets have been produced. , a film may be formed using a known extruder.
また、複数層からなる基材フィルムを溶融押出法により製造する場合、各層を構成する成分をそれぞれ混練し、得られた混練物から直接、または一旦ペレットを製造したのち、公知の押出機を用いて、複数層を同時に押出して製膜すればよい。 In addition, when producing a base film consisting of multiple layers by melt extrusion, the components constituting each layer may be kneaded, and the resulting kneaded product may be used directly, or once pellets are produced, using a known extruder. Then, a plurality of layers may be simultaneously extruded to form a film.
〔半導体加工用シート〕
前述した通り、本実施形態に係る基材フィルムは、半導体加工用シートを構成する基材として使用することができる。当該半導体加工用シートの好適な構成例としては、本実施形態に係る基材フィルムと、当該基材フィルムの片面側に積層された粘着剤層とを備えたものが挙げられる。
[Sheet for semiconductor processing]
As described above, the base film according to this embodiment can be used as a base material constituting a sheet for semiconductor processing. A suitable example of the structure of the sheet for semiconductor processing includes the base film according to the present embodiment and an adhesive layer laminated on one side of the base film.
１．半導体加工用シートの構成
以下、上述した半導体加工用シートを構成する部材のうち、前述した基材フィルム以外の構成について説明する。
1. Structure of Sheet for Semiconductor Processing Among the members constituting the sheet for semiconductor processing described above, the structure other than the above-mentioned base film will be described below.
（１）粘着剤層
上記粘着剤層を構成する粘着剤としては、被着体に対する十分な粘着力（特に、半導体材料の加工を行うために十分となるような粘着力）を発揮することができる限り、特に限定されない。粘着剤層を構成する粘着剤の例としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、所望の粘着力を発揮し易いという観点から、アクリル系粘着剤を使用することが好ましい。
(1) Adhesive layer The adhesive constituting the above-mentioned adhesive layer must exhibit sufficient adhesion to the adherend (in particular, adhesion sufficient for processing semiconductor materials). There are no particular limitations as far as possible. Examples of the adhesive constituting the adhesive layer include acrylic adhesive, rubber adhesive, silicone adhesive, urethane adhesive, polyester adhesive, polyvinyl ether adhesive, and the like. Among these, it is preferable to use acrylic pressure-sensitive adhesives from the viewpoint of easily exhibiting desired adhesive strength.
上記粘着剤層を構成する粘着剤は、活性エネルギー線硬化性を有しない粘着剤であってもよいものの、活性エネルギー線硬化性を有する粘着剤（以下、「活性エネルギー線硬化性粘着剤」という場合がある。）であることが好ましい。粘着剤層が活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されていることで、活性エネルギー線の照射により粘着剤層を硬化させて、半導体加工用シートの被着体に対する粘着力を容易に低下させることができる。特に、活性エネルギー線の照射によって、加工後の半導体材料を当該粘着シートから容易に分離することが可能となる。 The adhesive constituting the adhesive layer may be an adhesive that does not have active energy ray curability, but may be an adhesive that has active energy ray curability (hereinafter referred to as "active energy ray curable adhesive"). ) is preferable. Since the adhesive layer is composed of an active energy ray-curable adhesive, the adhesive layer can be cured by irradiation with active energy rays, and the adhesive strength of the semiconductor processing sheet to the adherend can be easily reduced. Can be done. In particular, by irradiation with active energy rays, it becomes possible to easily separate the semiconductor material after processing from the pressure-sensitive adhesive sheet.
粘着剤層を構成する活性エネルギー線硬化性粘着剤としては、活性エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とするものであってもよいし、活性エネルギー線非硬化性ポリマー（活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー）と少なくとも１つ以上の活性エネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。 The active energy ray-curable adhesive constituting the adhesive layer may be one containing an active energy ray-curable polymer as a main component, or a non-active energy ray-curable polymer (active energy ray-curable). The main component may be a mixture of a monomer and/or oligomer having at least one active energy ray-curable group.
活性エネルギー線硬化性を有するポリマーは、側鎖に活性エネルギー線硬化性を有する官能基（活性エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル重合体（以下「活性エネルギー線硬化性重合体」という場合がある。）であることが好ましい。この活性エネルギー線硬化性重合体は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物とを反応させて得られるものであることが好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸及びメタクリル酸の両方を意味する。他の類似用語も同様である。さらに、「重合体」には「共重合体」の概念も含まれるものとする。 Polymers that are curable with active energy rays are (meth)acrylic acid ester polymers (hereinafter referred to as ``active energy ray-curable'') in which functional groups that are curable with active energy rays (active energy ray-curable groups) are introduced into the side chains. (sometimes referred to as "polymer") is preferable. This active energy ray-curable polymer is obtained by reacting an acrylic copolymer having a functional group-containing monomer unit with an unsaturated group-containing compound having a functional group that binds to the functional group. is preferred. In addition, in this specification, (meth)acrylic acid means both acrylic acid and methacrylic acid. The same applies to other similar terms. Furthermore, the concept of "copolymer" is also included in "polymer".
上記活性エネルギー線硬化性重合体の重量平均分子量は、１万以上であることが好ましく、特に１５万以上であることが好ましく、さらには２０万以上であることが好ましい。また、当該重量平均分子量は、２５０万以下であることが好ましく、特に２００万以上であることが好ましく、さらには１５０万以下であることが好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。 The weight average molecular weight of the active energy ray-curable polymer is preferably 10,000 or more, particularly preferably 150,000 or more, and even more preferably 200,000 or more. Further, the weight average molecular weight is preferably 2.5 million or less, particularly preferably 2 million or more, and even more preferably 1.5 million or less. Note that the weight average molecular weight (Mw) in this specification is a value measured by gel permeation chromatography (GPC method) in terms of standard polystyrene.
一方、活性エネルギー線硬化性粘着剤が、活性エネルギー線非硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上の活性エネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とする場合、当該活性エネルギー線非硬化性ポリマー成分としては、例えば、不飽和基含有化合物を反応させる前の上記アクリル系共重合体を使用することができる。また、活性エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、例えば、多価アルコールと（メタ）アクリル酸とのエステル等を使用することができる。 On the other hand, when the active energy ray curable adhesive is mainly composed of a mixture of an active energy ray non-curable polymer component and a monomer and/or oligomer having at least one active energy ray curable group, As the energy ray non-curable polymer component, for example, the above-mentioned acrylic copolymer before being reacted with the unsaturated group-containing compound can be used. Further, as the active energy ray-curable monomer and/or oligomer, for example, an ester of polyhydric alcohol and (meth)acrylic acid can be used.
上記活性エネルギー線非硬化性ポリマー成分としてのアクリル系重合体の重量平均分子量は、１万以上であることが好ましく、特に１５万以上であることが好ましく、さらには２０万以上であることが好ましい。また、当該重量平均分子量は、２５０万以下であることが好ましく、特に２００万以上であることが好ましく、さらには１５０万以下であることが好ましい。 The weight average molecular weight of the acrylic polymer as the active energy ray non-curable polymer component is preferably 10,000 or more, particularly preferably 150,000 or more, and even more preferably 200,000 or more. . Further, the weight average molecular weight is preferably 2.5 million or less, particularly preferably 2 million or more, and even more preferably 1.5 million or less.
なお、活性エネルギー線硬化性粘着剤を硬化させるための活性エネルギー線として紫外線を用いる場合には、当該粘着剤に対して、光重合開始剤を添加することが好ましい。また、当該粘着剤には、活性エネルギー線非硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分や、架橋剤等を添加してもよい。 In addition, when ultraviolet rays are used as active energy rays for curing an active energy ray-curable adhesive, it is preferable to add a photopolymerization initiator to the adhesive. Further, an active energy ray non-curable polymer component or oligomer component, a crosslinking agent, etc. may be added to the adhesive.
上記粘着剤層の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、特に２μｍ以上であることが好ましく、さらには３μｍ以上であることが好ましい。また、粘着剤層の厚さは、５０μｍ以下であることが好ましく、特に４０μｍ以下であることが好ましく、さらには３０μｍ以下であることが好ましい。粘着剤層の厚さが１μｍ以上であることで、本実施形態に係る半導体加工用シートが所望の粘着性を発揮し易いものとなる。また、粘着剤層の厚さが５０μｍ以下であることで、硬化後の粘着剤層から被着体を分離する際に、分離し易いものとなる。 The thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more, particularly preferably 2 μm or more, and even more preferably 3 μm or more. Further, the thickness of the adhesive layer is preferably 50 μm or less, particularly preferably 40 μm or less, and even more preferably 30 μm or less. When the thickness of the adhesive layer is 1 μm or more, the sheet for semiconductor processing according to this embodiment easily exhibits desired adhesiveness. Moreover, since the thickness of the adhesive layer is 50 μm or less, the adherend can be easily separated from the adhesive layer after being cured.
（２）剥離シート
本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートでは、粘着剤層における基材フィルムとは反対側の面（以下、「粘着面」という場合がある。）を被着体に貼付するまでの間、当該面を保護する目的で、当該面に剥離シートが積層されていてもよい。
(2) Release sheet In the sheet for semiconductor processing constructed using the base film according to this embodiment, the surface of the adhesive layer opposite to the base film (hereinafter sometimes referred to as "adhesive surface"). ) A release sheet may be laminated on the surface for the purpose of protecting the surface until it is affixed to the adherend.
上記剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。当該プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム；およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。上記剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中でも、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。 The structure of the above-mentioned release sheet is arbitrary, and a plastic film subjected to release treatment using a release agent or the like is exemplified. Specific examples of the plastic film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene. As the above-mentioned release agent, silicone type, fluorine type, long chain alkyl type, etc. can be used, and among these, silicone type is preferable because it is inexpensive and provides stable performance.
上記剥離シートの厚さについては特に制限はなく、例えば、２０μｍ以上、２５０μｍ以下であってよい。 The thickness of the release sheet is not particularly limited, and may be, for example, 20 μm or more and 250 μm or less.
（３）その他
本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートでは、粘着剤層における基材フィルムとは反対側の面に接着剤層が積層されていてもよい。この場合、当該半導体加工用シートは、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することができる。当該シートでは、接着剤層における粘着剤層とは反対側の面に半導体材料を貼付し、当該半導体材料とともに接着剤層をダイシングすることで、個片化された接着剤層が積層されたチップを得ることができる。当該チップは、この個片化された接着剤層によって、当該チップが搭載される対象に対して容易に固定することが可能となる。上述した接着剤層を構成する材料としては、熱可塑性樹脂と低分子量の熱硬化性接着成分とを含有するものや、Ｂステージ（半硬化状）の熱硬化型接着成分を含有するもの等を用いることが好ましい。
(3) Others In the sheet for semiconductor processing constructed using the base film according to this embodiment, an adhesive layer may be laminated on the surface of the adhesive layer opposite to the base film. In this case, the semiconductor processing sheet can be used as a dicing/die bonding sheet. In this sheet, a semiconductor material is pasted on the side of the adhesive layer opposite to the adhesive layer, and the adhesive layer is diced together with the semiconductor material to form a chip in which the individualized adhesive layers are laminated. can be obtained. The chip can be easily fixed to the object on which the chip is to be mounted, by means of the individualized adhesive layer. Examples of the material constituting the adhesive layer described above include those containing a thermoplastic resin and a low molecular weight thermosetting adhesive component, and those containing a B-stage (semi-cured) thermosetting adhesive component. It is preferable to use
また、本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートでは、粘着剤層における粘着面に保護膜形成層が積層されていてもよい。この場合、当該半導体加工用シートは、保護膜形成兼ダイシング用シートとして使用することができる。このようなシートでは、保護膜形成層における粘着剤層とは反対側の面に半導体材料を貼付し、当該半導体材料とともに保護膜形成層をダイシングすることで、個片化された保護膜形成層が積層されたチップを得ることができる。当該半導体材料としては、片面に回路が形成されたものが使用されることが好ましく、この場合、通常、当該回路が形成された面とは反対側の面に保護膜形成層が積層される。個片化された保護膜形成層は、所定のタイミングで硬化させることで、十分な耐久性を有する保護膜をチップに形成することができる。保護膜形成層は、未硬化の硬化性接着剤からなることが好ましい。 Moreover, in the sheet for semiconductor processing configured using the base film according to the present embodiment, a protective film forming layer may be laminated on the adhesive surface of the adhesive layer. In this case, the semiconductor processing sheet can be used as a protective film forming and dicing sheet. In such a sheet, a semiconductor material is pasted on the surface of the protective film forming layer opposite to the adhesive layer, and the protective film forming layer is diced together with the semiconductor material, thereby forming the protective film forming layer into individual pieces. It is possible to obtain a stacked chip. It is preferable to use a semiconductor material having a circuit formed on one side, and in this case, a protective film forming layer is usually laminated on the surface opposite to the surface on which the circuit is formed. By curing the separated protective film forming layer at a predetermined timing, a protective film having sufficient durability can be formed on the chip. The protective film forming layer is preferably made of an uncured curable adhesive.
２．半導体加工用シートの製造方法
本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートの製造方法は特に限定されない。例えば、剥離シート上に粘着剤層を形成した後、当該粘着剤層における剥離シートとは反対側の面に基材フィルムの片面を積層することで半導体加工用シートを得ることが好ましい。
2. Method for manufacturing a sheet for semiconductor processing The method for manufacturing a sheet for semiconductor processing using the base film according to this embodiment is not particularly limited. For example, after forming an adhesive layer on a release sheet, it is preferable to obtain a sheet for semiconductor processing by laminating one side of a base film on the opposite side of the adhesive layer to the release sheet.
上述した粘着剤層の形成は、公知の方法により行うことができる。例えば、粘着剤層を形成するための粘着性組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗布液を調製する。そして、剥離シートの剥離性を有する面（以下、「剥離面」という場合がある。）に上記塗布液を塗布する。続いて、得られた塗膜を乾燥させることで、粘着剤層を形成することができる。 The above-described adhesive layer can be formed by a known method. For example, a coating liquid containing an adhesive composition for forming an adhesive layer and, if desired, a solvent or a dispersion medium is prepared. Then, the coating liquid is applied to the releasable surface of the release sheet (hereinafter sometimes referred to as "release surface"). Subsequently, an adhesive layer can be formed by drying the obtained coating film.
上述した塗布液の塗布は公知の方法により行うことができ、例えば、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等により行うことができる。なお、塗布液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。また、剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、被着体に貼付するまでの間、粘着剤層を保護していてもよい。 The coating liquid described above can be applied by a known method, such as a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, a gravure coating method, or the like. The coating liquid is not particularly limited in its properties as long as it can be applied, and may contain components for forming the adhesive layer as a solute or as a dispersoid. . Further, the release sheet may be peeled off as a process material, or may protect the adhesive layer until it is attached to an adherend.
粘着剤層を形成するための粘着性組成物が前述した架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内のポリマー成分と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成することが好ましい。さらに、上述した架橋反応を十分に進行させるために、粘着剤層と基材とを貼り合わせた後、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。 When the adhesive composition for forming the adhesive layer contains the above-mentioned crosslinking agent, the coating can be improved by changing the drying conditions (temperature, time, etc.) or by separately providing heat treatment. It is preferable to allow a crosslinking reaction between the polymer component within the film and the crosslinking agent to proceed, and to form a crosslinked structure at a desired density within the adhesive layer. Furthermore, in order to allow the above-mentioned crosslinking reaction to proceed sufficiently, after the adhesive layer and the base material are bonded together, curing may be performed, such as leaving the adhesive layer and the base material at rest for several days in an environment of 23° C. and 50% relative humidity. .
３．半導体加工用シートの使用方法
本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートは、半導体ウエハといった半導体材料の加工のために使用することができる。この場合、当該半導体加工用シートの粘着面を半導体材料に貼付した後、半導体加工用シート上にて半導体材料の加工を行うことができる。当該加工に応じて、半導体加工用シートは、バックグラインドシート、ダイシングシート、エキスパンドシート、ピックアップシート等として使用することができる。ここで、半導体材料の例としては、半導体ウエハ、半導体パッケージ等が挙げられる。
3. How to use the sheet for semiconductor processing The sheet for semiconductor processing constructed using the base film according to this embodiment can be used for processing semiconductor materials such as semiconductor wafers. In this case, after the adhesive surface of the semiconductor processing sheet is attached to the semiconductor material, the semiconductor material can be processed on the semiconductor processing sheet. Depending on the processing, the sheet for semiconductor processing can be used as a back grinding sheet, a dicing sheet, an expanding sheet, a pickup sheet, etc. Here, examples of semiconductor materials include semiconductor wafers, semiconductor packages, and the like.
本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートは、前述した通り、当該基材フィルムが良好な柔軟性を有することにより、良好なエキスパンドが可能となる。そのため、当該半導体加工用シートは、特にダイシングシート、エキスパンドシートまたはピックアップシートとして使用することが好適である。 As described above, the sheet for semiconductor processing formed using the base film according to this embodiment can be expanded well because the base film has good flexibility. Therefore, the sheet for semiconductor processing is particularly suitable for use as a dicing sheet, an expandable sheet, or a pickup sheet.
なお、本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートが前述した接着剤層を備える場合には、当該半導体加工用シートは、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することができる。さらに、本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートが前述した保護膜形成層を備える場合には、当該半導体加工用シートは、保護膜形成兼ダイシング用シートとして使用することができる。 In addition, when the sheet for semiconductor processing constructed using the base film according to the present embodiment is provided with the above-mentioned adhesive layer, the sheet for semiconductor processing can be used as a dicing/die bonding sheet. . Furthermore, when the semiconductor processing sheet configured using the base film according to the present embodiment includes the above-mentioned protective film forming layer, the semiconductor processing sheet can be used as a protective film forming and dicing sheet. be able to.
また、本実施形態に係る基材フィルムを用いて構成される半導体加工用シートにおける粘着剤層が、前述した活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成される場合には、使用の際に、次のような活性エネルギー線を照射することも好ましい。すなわち、半導体加工用シート上にて半導体材料の加工が完了し、加工後の半導体材料を半導体加工用シートから分離する場合に、当該分離の前に粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射することが好ましい。これにより、粘着剤層が硬化して、加工後の半導体材料に対する半導体材料加工用シートの粘着力が良好に低下し、加工後の半導体材料の分離が容易となる。 In addition, when the adhesive layer in the semiconductor processing sheet constructed using the base film according to the present embodiment is comprised of the above-mentioned active energy ray-curable adhesive, the following It is also preferable to irradiate with such active energy rays. That is, when the processing of the semiconductor material on the semiconductor processing sheet is completed and the processed semiconductor material is separated from the semiconductor processing sheet, the adhesive layer is irradiated with active energy rays before the separation. It is preferable. As a result, the adhesive layer is cured, and the adhesion of the sheet for semiconductor material processing to the semiconductor material after processing is favorably reduced, and the separation of the semiconductor material after processing is facilitated.
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiments described above are described to facilitate understanding of the present invention, and are not described to limit the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiments is intended to include all design changes and equivalents that fall within the technical scope of the present invention.
以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to examples, but the scope of the present invention is not limited to these examples.
〔実施例１〕
（１）基材フィルムの作製
撹拌機、留出管および減圧装置を装備した反応器内に、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル（ｔｒａｎｓ体比率９８％）１１．１ｋｇ、１，４－シクロヘキサンジメタノール８．８ｋｇ、および５％テトラブチルチタネートを含むエチレングリコール溶液０．０４ｋｇを仕込み、窒素フロー下で２００℃まで加熱した後、２３０℃まで１時間かけて昇温した。そのまま２時間保持してエステル交換反応を行った後、エルカ酸由来ダイマー酸（炭素数４４，クローダ社製，製品名「ＰＲＩＰＯＬ１００４」）３．９ｋｇ、２０％トリメチルホスフェートを含むエチレングリコール溶液０．０１８ｋｇを系内に投入し、引き続き２３０℃で１時間エステル化反応を行った。続いて、重縮合触媒として二酸化ゲルマニウム３００ｐｐｍを添加撹拌後、１時間で１３３Ｐａ以下まで減圧し、この間に内温を２３０℃から２７０℃へと引き上げ、１３３Ｐａ以下の高真空下で所定の粘度となるまで撹拌して重縮合反応を行った。得られたポリマーをストランド状に水中に押出してカットし、ペレット状にした。得られたペレットを、減圧装置を装備したドラム型の反応器内に仕込み、１３３Ｐａ以下の減圧下、１７０℃で固相重合をして目的とするポリエステル樹脂を得た。なお、当該固相重合の時間は、５時間４５分とした。
[Example 1]
(1) Preparation of base film In a reactor equipped with a stirrer, a distillation tube, and a pressure reducing device, 11.1 kg of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate (trans isomer ratio 98%), 1,4-cyclohexanedicarboxylate, 8.8 kg of methanol and 0.04 kg of an ethylene glycol solution containing 5% tetrabutyl titanate were charged, heated to 200°C under a nitrogen flow, and then raised to 230°C over 1 hour. After holding as it was for 2 hours to perform a transesterification reaction, 3.9 kg of erucic acid-derived dimer acid (carbon number 44, manufactured by Croda, product name "PRIPOL1004") and 0.018 kg of an ethylene glycol solution containing 20% trimethyl phosphate. was introduced into the system, followed by an esterification reaction at 230°C for 1 hour. Subsequently, 300 ppm of germanium dioxide as a polycondensation catalyst was added and stirred, and the pressure was reduced to 133 Pa or less in 1 hour. During this time, the internal temperature was raised from 230°C to 270°C, and the predetermined viscosity was achieved under high vacuum of 133 Pa or less. Polycondensation reaction was carried out by stirring until The resulting polymer was extruded into strands into water and cut into pellets. The obtained pellets were charged into a drum-shaped reactor equipped with a pressure reduction device, and solid phase polymerization was performed at 170° C. under reduced pressure of 133 Pa or less to obtain the desired polyester resin. Note that the solid phase polymerization time was 5 hours and 45 minutes.
このように得られたポリエステル樹脂を、８５℃で４時間以上乾燥させた後、Ｔダイを設置した単軸押出機のホッパーに投入した。そして、シリンダー温度２５０℃、ダイス温度２５０℃の条件下、上記ポリエステル樹脂を溶融混錬させた状態でＴダイから押出し、冷却ロールにて冷却させることにより、厚さ８０μｍのシート状の基材フィルムを得た。 The polyester resin thus obtained was dried at 85° C. for 4 hours or more, and then put into a hopper of a single-screw extruder equipped with a T-die. Then, under conditions of a cylinder temperature of 250°C and a die temperature of 250°C, the polyester resin is melted and kneaded and extruded from a T-die and cooled with a cooling roll to form a sheet-like base film with a thickness of 80 μm. I got it.
なお、上記ポリエステル樹脂は、当該樹脂を構成するモノマーとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールを５０モル％、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチルを４５．４モル％、およびエルカ酸由来のダイマー酸４．６モル％含むものであった。さらに、上記ポリエステル樹脂のメルトフローレートを後述する方法によって測定したところ、０．６ｇ／１０ｍｉｎであった。 The above polyester resin contains 50 mol% of 1,4-cyclohexanedimethanol, 45.4 mol% of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, and erucic acid-derived dimer acid 4 as monomers constituting the resin. It contained .6 mol%. Furthermore, the melt flow rate of the polyester resin was measured by the method described below and was 0.6 g/10 min.
（２）粘着性組成物の調製
アクリル酸ｎ－ブチル９５質量部と、アクリル酸５質量部とを、溶液重合法により重合させて、（メタ）アクリル酸エステル重合体を得た。このアクリル系重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を後述する方法により測定したところ、５０万であった。
(2) Preparation of adhesive composition 95 parts by mass of n-butyl acrylate and 5 parts by mass of acrylic acid were polymerized by a solution polymerization method to obtain a (meth)acrylate ester polymer. The weight average molecular weight (Mw) of this acrylic polymer was measured by the method described below and was found to be 500,000.
上記の通り得られた（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部（固形分換算，以下同じ）と、ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ：８，０００）１２０質量部と、イソシアネート系架橋剤（東ソー株式会社製，製品名「コロネートＬ」）５質量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ，Ｖ社製，製品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１８４」）４質量部とを混合し、活性エネルギー線硬化性の粘着性組成物を得た。 100 parts by mass of the (meth)acrylic acid ester polymer obtained as described above (in terms of solid content, the same applies hereinafter), 120 parts by mass of urethane acrylate oligomer (Mw: 8,000), and an isocyanate-based crosslinking agent (Tosoh Corporation 5 parts by mass of a photopolymerization initiator (manufactured by IGM Resins B, V, product name "Omnirad 184") were mixed to form an active energy ray-curable adhesive composition. I got something.
（３）粘着剤層の形成
上記工程（２）で得られた粘着性組成物を、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの片面がシリコーン系剥離剤により剥離処理された剥離シート（リンテック株式会社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に塗布し、得られた塗膜を１００℃で１分間乾燥させた。これにより、剥離シートにおける剥離面上に、厚さ１０μｍの粘着剤層が形成されてなる積層体を得た。
(3) Formation of Adhesive Layer The adhesive composition obtained in step (2) above is applied to a release sheet (manufactured by Lintec Co., Ltd., made of a polyethylene terephthalate film with a thickness of 38 μm, one side of which has been subjected to release treatment with a silicone release agent). It was applied to the release-treated surface of a product (product name: "SP-PET381031"), and the resulting coating film was dried at 100° C. for 1 minute. Thereby, a laminate was obtained in which a 10 μm thick adhesive layer was formed on the release surface of the release sheet.
（４）半導体加工用シートの作製
上記工程（１）で得られた基材フィルムの片面と、上記工程（３）で得られた積層体における粘着剤層側の面とを貼り合わせることで、半導体加工用シートを得た。
(4) Preparation of sheet for semiconductor processing By bonding one side of the base film obtained in the above step (1) and the surface on the adhesive layer side of the laminate obtained in the above step (3), A sheet for semiconductor processing was obtained.
ここで、前述したポリエステル樹脂のメルトフローレートはＪＩＳ Ｋ７２１０に準じて、標準ダイを使用し、測定温度２３０℃、測定荷重２．１６ｋｇの条件でメルトインデクサー(立山科学社製，製品名「Ｌ２４８－４５３１」)を用いて測定したものである。 Here, the melt flow rate of the polyester resin mentioned above was determined in accordance with JIS K7210 using a standard die, a measurement temperature of 230°C, and a measurement load of 2.16kg using a melt indexer (manufactured by Tateyama Kagaku Co., Ltd., product name "L248"). -4531'').
また、前述したアクリル系重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて以下の条件で測定（ＧＰＣ測定）した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
＜測定条件＞
・測定装置：東ソー株式会社製，ＨＬＣ－８３２０
・ＧＰＣカラム（以下の順に通過）：東ソー株式会社製
ＴＳＫ ｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨ－Ｈ
ＴＳＫ ｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨＭ－Ｈ
ＴＳＫ ｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨ２０００
・測定溶媒：テトラヒドロフラン
・測定温度：４０℃
Furthermore, the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer described above is the weight average molecular weight in terms of standard polystyrene measured using gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions (GPC measurement).
<Measurement conditions>
・Measuring device: Tosoh Corporation, HLC-8320
・GPC column (passed in the following order): TSK gel superH-H manufactured by Tosoh Corporation
TSK gel superHM-H
TSK gel superH2000
・Measurement solvent: Tetrahydrofuran ・Measurement temperature: 40℃
〔実施例２〕
ポリエステル樹脂のペレットを作製する際における固相重合の時間を３時間に変更した以外は、実施例１と同様にして基材フィルムを作製し、当該基材フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体加工用シートを得た。
[Example 2]
A base film was produced in the same manner as in Example 1, except that the solid phase polymerization time when producing polyester resin pellets was changed to 3 hours, and the procedure was performed in the same manner as in Example 1 using the base film. A sheet for semiconductor processing was obtained.
なお、上記ポリエステル樹脂は、当該樹脂を構成するモノマーとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールを５０モル％、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチルを４５．４モル％、およびエルカ酸由来のダイマー酸４．６モル％含むものであった。さらに、上記ポリエステル樹脂のメルトフローレートを前述した方法によって測定したところ、２．９ｇ／１０ｍｉｎであった。 The above polyester resin contains 50 mol% of 1,4-cyclohexanedimethanol, 45.4 mol% of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, and erucic acid-derived dimer acid 4 as monomers constituting the resin. It contained .6 mol%. Furthermore, when the melt flow rate of the polyester resin was measured by the method described above, it was 2.9 g/10 min.
〔実施例３〕
ポリエステル樹脂のペレットを作製する際における１，４－シクロヘキサンジカルボン酸とダイマー酸の割合を変更するとともに、固相重合の時間を３時間３０分に変更した以外は、実施例１と同様にして基材フィルムを作製し、当該基材フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体加工用シートを得た。
[Example 3]
The base was prepared in the same manner as in Example 1, except that the ratio of 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid and dimer acid was changed when producing polyester resin pellets, and the solid phase polymerization time was changed to 3 hours and 30 minutes. A sheet for semiconductor processing was obtained in the same manner as in Example 1 using the base film.
なお、上記ポリエステル樹脂は、当該樹脂を構成するモノマーとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールを５０．０モル％、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチルを約４４．５モル％、およびエルカ酸由来のダイマー酸５．５モル％含むものであった。さらに、上記ポリエステル樹脂のメルトフローレートを前述した方法によって測定したところ、２．０ｇ／１０ｍｉｎであった。 The above polyester resin contains, as monomers constituting the resin, 50.0 mol% of 1,4-cyclohexanedimethanol, about 44.5 mol% of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, and erucic acid-derived monomers. It contained 5.5 mol% of dimer acid. Furthermore, the melt flow rate of the polyester resin was measured by the method described above and was found to be 2.0 g/10 min.
〔実施例４〕
ポリエステル樹脂のペレットを作製する際における固相重合の時間を４時間に変更した以外は、実施例３と同様にして基材フィルムを作製し、当該基材フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体加工用シートを得た。
[Example 4]
A base film was produced in the same manner as in Example 3, except that the solid phase polymerization time when producing polyester resin pellets was changed to 4 hours, and the same procedure as in Example 1 was carried out using the base film. A sheet for semiconductor processing was obtained.
なお、上記ポリエステル樹脂は、当該樹脂を構成するモノマーとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールを５０．０モル％、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチルを４４．５モル％、およびエルカ酸由来のダイマー酸５．５モル％含むものであった。さらに、上記ポリエステル樹脂のメルトフローレートを前述した方法によって測定したところ、１．６ｇ／１０ｍｉｎであった。 The above polyester resin contains 50.0 mol% of 1,4-cyclohexanedimethanol, 44.5 mol% of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, and a dimer derived from erucic acid as monomers constituting the resin. It contained 5.5 mol% of acid. Furthermore, when the melt flow rate of the polyester resin was measured by the method described above, it was 1.6 g/10 min.
〔比較例１〕
ポリエステル樹脂のペレットを作製する際における固相重合の時間を４５分間に変更した以外は、実施例１と同様にして基材フィルムを作製し、当該基材フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体加工用シートを得た。
[Comparative example 1]
A base film was produced in the same manner as in Example 1, except that the solid phase polymerization time when producing polyester resin pellets was changed to 45 minutes, and the procedure was performed in the same manner as in Example 1 using the base film. A sheet for semiconductor processing was obtained.
なお、上記ポリエステル樹脂は、当該樹脂を構成するモノマーとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールを５０モル％、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチルを４５．４モル％、およびエルカ酸由来のダイマー酸４．６モル％含むものであった。さらに、上記ポリエステル樹脂のメルトフローレートを前述した方法によって測定したところ、１１．９ｇ／１０ｍｉｎであった。 The above polyester resin contains 50 mol% of 1,4-cyclohexanedimethanol, 45.4 mol% of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, and erucic acid-derived dimer acid 4 as monomers constituting the resin. It contained .6 mol%. Furthermore, the melt flow rate of the polyester resin was measured by the method described above and was found to be 11.9 g/10 min.
〔比較例２〕
ポリエステル樹脂のペレットを作製する際に、固相重合を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして基材フィルムを作製し、当該基材フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体加工用シートを得た。
[Comparative example 2]
A base film was produced in the same manner as in Example 1, except that solid phase polymerization was not performed when producing polyester resin pellets, and a semiconductor was produced in the same manner as in Example 1 using the base film. A sheet for processing was obtained.
なお、上記ポリエステル樹脂は、当該樹脂を構成するモノマーとして、１，４－シクロヘキサンジメタノールを５０モル％、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸ジメチルを４５．４モル％、およびエルカ酸由来のダイマー酸４．６モル％含むものであった。さらに、上記ポリエステル樹脂のメルトフローレートを前述した方法によって測定したところ、２２．５ｇ／１０ｍｉｎであった。 The above polyester resin contains 50 mol% of 1,4-cyclohexanedimethanol, 45.4 mol% of dimethyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, and erucic acid-derived dimer acid 4 as monomers constituting the resin. It contained .6 mol%. Furthermore, when the melt flow rate of the polyester resin was measured by the method described above, it was 22.5 g/10 min.
〔試験例１〕（基材フィルムの引張物性の測定）
実施例および比較例で作製した基材フィルムを１５ｍｍ×１５０ｍｍの試験片に裁断した。このとき、１５０ｍｍの辺が基材フィルムのＭＤ方向（基材フィルムの製造時の流れ方向）と平行となり、且つ、１５ｍｍの辺が基材フィルムのＴＤ方向（上記ＭＤ方向に垂直な方向）と平行となるように裁断を行った。そして、当該試験片について、ＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、引張弾性率、破断伸度および破断点応力を測定した。
[Test Example 1] (Measurement of tensile properties of base film)
The base films produced in Examples and Comparative Examples were cut into test pieces of 15 mm x 150 mm. At this time, the 150 mm side is parallel to the MD direction of the base film (the flow direction when manufacturing the base film), and the 15 mm side is parallel to the TD direction of the base film (direction perpendicular to the above MD direction). The cuts were made so that they were parallel. Then, the tensile modulus, elongation at break, and stress at break of the test piece were measured in accordance with JIS K7127:1999.
具体的には、上記試験片を、引張試験機（島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－Ｘｐｌｕｓ １００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２３℃の環境下、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で、基材フィルムのＭＤ方向に試験片を引っ張る引張試験を行い、引張弾性率（ＭＰａ）、破断伸度（％）および破断点応力（ＭＰａ）を測定した。結果を表１に示す。 Specifically, the above test piece was set in a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, product name "Autograph AG-Xplus 100N") at a distance between chucks of 100 mm, and then tested at 200 mm/min in an environment of 23°C. A tensile test was conducted in which the test piece was pulled in the MD direction of the base film at a speed of 1, and the tensile modulus (MPa), elongation at break (%), and stress at break (MPa) were measured. The results are shown in Table 1.
〔試験例２〕（エキスパンド性の評価）
実施例および比較例で製造した半導体加工用シートから剥離シートを剥離し、露出した粘着剤層の露出面を、厚さ４０μｍのシリコンウエハの片面に貼付した後、半導体加工用シートにおける上記露出面の周縁部（シリコンウエハとは重ならない位置）に、ダイシング用リングフレームを付着させた。次いで、ダイシングソー（株式会社ディスコ社製，製品名「ＤＦＤ６３６２」）を用いて以下の条件にて、当該シリコンウエハのダイシングを行った。
・被着体：シリコンウエハ
・ウエハサイズ：直径６インチ，厚さ４０μｍ
・ダイシングブレード：株式会社ディスコ社製，製品名「２７ＨＥＣＣ」，ダイヤモンドブレード
・ブレード回転数：５０，０００ｒｐｍ
・ダイシングスピード：１００ｍｍ／ｓｅｃ
・切り込み深さ：基材フィルム表面より、２５μｍの深さまで切り込み
・ダイシングサイズ：８ｍｍ×８ｍｍ
[Test Example 2] (Evaluation of expandability)
After peeling off the release sheet from the sheets for semiconductor processing manufactured in Examples and Comparative Examples and pasting the exposed surface of the exposed adhesive layer on one side of a silicon wafer with a thickness of 40 μm, the exposed surface of the sheet for semiconductor processing was A ring frame for dicing was attached to the peripheral edge (a position that does not overlap with the silicon wafer). Next, the silicon wafer was diced using a dicing saw (manufactured by DISCO Co., Ltd., product name "DFD6362") under the following conditions.
・Substrate: Silicon wafer ・Wafer size: 6 inches in diameter, 40 μm thick
・Dicing blade: manufactured by DISCO Co., Ltd., product name “27HECC”, diamond blade ・Blade rotation speed: 50,000 rpm
・Dicing speed: 100mm/sec
・Cut depth: Cut to a depth of 25μm from the base film surface ・Dicing size: 8mm x 8mm
続いて、半導体加工用シートにおける粘着剤層に対して、半導体加工用シートにおける基材側の面から紫外線を照射し（照度：２３０ｍＷ／ｃｍ２，光量：１９０ｍＪ／ｃｍ２）、半導体加工用シートの粘着剤層を硬化させた。 Subsequently, the adhesive layer of the semiconductor processing sheet is irradiated with ultraviolet rays from the substrate side surface of the semiconductor processing sheet (illuminance: 230 mW/cm 2 , light amount: 190 mJ/cm 2 ), and the semiconductor processing sheet is The adhesive layer was cured.
その後、ダイシングによって得られたチップおよびリングフレームが貼付された半導体加工用シートを、エキスパンド装置（ＪＣＭ社製，製品名「ＭＥ－３００Ｂ」）に設置し、リングフレームを１ｍｍ／ｓｅｃの速さで、引き落とし量が４０ｍｍとなるまで引き落としを行った。 After that, the semiconductor processing sheet with the chip obtained by dicing and the ring frame attached is placed in an expanding device (manufactured by JCM, product name "ME-300B"), and the ring frame is moved at a speed of 1 mm/sec. , The withdrawal was continued until the amount of withdrawal reached 40 mm.
そして、破断が生じたときの引き落とし量（ｍｍ）を記録した。その結果を、限界引き落とし量として表１に示す。 Then, the amount of withdrawal (mm) when the breakage occurred was recorded. The results are shown in Table 1 as the limit withdrawal amount.
表１から明らかなように、実施例で製造した半導体加工用シートは、優れたエキスパンド性を示すものであった。 As is clear from Table 1, the sheets for semiconductor processing manufactured in the examples exhibited excellent expandability.
本発明の基材フィルムは、半導体ウエハ等の半導体材料の加工に使用される半導体加工用シートを構成する基材として好適に使用することができる。 The base film of the present invention can be suitably used as a base material constituting a semiconductor processing sheet used for processing semiconductor materials such as semiconductor wafers.
Claims (7)
前記基材フィルムが、ポリエステル樹脂を含有する材料からなり、
前記ポリエステル樹脂が、脂環構造を有するとともに、２３０℃、荷重２．１６ｋｇで測定したメルトフローレートが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下である
ことを特徴とする基材フィルム。 A base film for use as a base material constituting a sheet for semiconductor processing,
The base film is made of a material containing polyester resin,
A base film characterized in that the polyester resin has an alicyclic structure and a melt flow rate measured at 230° C. and a load of 2.16 kg is 10 g/10 min or less.
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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2022
- 2022-08-03 JP JP2022124342A patent/JP2024021491A/en active Pending
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