JP2024021364A - インセルタッチパネル - Google Patents

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Abstract

Figure 2024021364000001
【課題】タッチの検出感度が低下するのを防止しながら、静電気による表示への影響及び静電気によるタッチ検出への影響を低減することが可能なインセルタッチパネルを提供する。
【解決手段】表示装置が有するインセルタッチパネル１は、タッチ電極と、タッチ電極とタッチ面７０ａとの間に配置された導電性のシールド層３０と、シールド層３０に電気的に接続された導電層４０と、導電層４０と基準電位とを接続する導電体８０及び配線部３と、を備える。シールド層３０の少なくとも一部は、タッチ検出領域Ｒ１に重なって配置されている。導電層４０の少なくとも一部は、額縁領域Ｒ２に重なって配置されている。導電層４０のシート抵抗値は、シールド層３０のシート抵抗値よりも低い。
【選択図】図２

Description

本開示は、インセルタッチパネルに関する。
従来、インセルタッチパネルが知られている。例えば、特許文献１には、透明導電膜を有するインセルタッチパネルが開示されている。このインセルタッチパネルでは、ＴＦＴ基板、液晶層、カラーフィルタ基板、透明導電膜、粘着層、及びカバーが、順に積層されている。透明導電膜のシート抵抗は、１０７～１０９Ω／ｓｑ．である。
特開２０１３－１４２１９５号公報
インセルタッチパネルでは、上記特許文献１に記載されているように、電磁遮蔽を行うために、透明導電膜（シールド層）が用いられる。ここで、透明導電膜の抵抗が低い場合、タッチ感知時のシグナル強度が低下するため、タッチの検出感度が低下してしまう。これに対して、上記特許文献１では、透明導電膜のシート抵抗を１０７～１０９Ω／ｓｑ．と高くすることにより、タッチの検出感度の低下が防止されている。
しかしながら、上記特許文献１のインセルタッチパネルでは、透明導電膜のシート抵抗が高いことに起因して、外部から侵入した静電気により透明導電膜が帯電した場合、静電気が放電されるまでの時間が長い。つまり、静電気による表示への影響、及びタッチ検出への影響が大きいという問題点がある。
そこで、本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、タッチの検出感度が低下するのを防止しながら、静電気による表示への影響及び静電気によるタッチ検出への影響を低減することが可能なインセルタッチパネルを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本開示の一の態様に係るインセルタッチパネルは、指示体によりタッチされるタッチ面を有するインセルタッチパネルであって、タッチ電極と、前記タッチ電極と前記タッチ面との間に配置された導電性のシールド層と、前記シールド層に電気的に接続された導電層と、前記導電層と基準電位とを接続する配線と、を備え、前記タッチ面は、前記指示体によりタッチされた場合に当該タッチを前記タッチ電極で検出するタッチ検出領域と、前記タッチ検出領域の外側に配置された額縁領域とを有し、前記シールド層の少なくとも一部は、前記タッチ検出領域に平面視で重なるように配置され、前記導電層の少なくとも一部は、前記額縁領域に平面視で重なるように配置されており、前記導電層のシート抵抗値は、前記シールド層のシート抵抗値よりも低い。
上記の構成によれば、タッチ検出領域と平面視で重なる位置に、シート抵抗値が高いシールド層が配置されるので、タッチの検出感度の低下を防止することができる。そして、シート抵抗値が低い導電層がシールド層に電気的に接続されているので、シールド層に静電気が帯電した場合でも、帯電した静電気をシート抵抗値が低い導電層を介して、迅速に配線（基準電位）に放電することができる。また、導電層の少なくとも一部は、額縁領域に平面視で重なるように配置されているので、導電層のシート抵抗値が低いことによるタッチ検出への影響を低減することができる。これらの結果、タッチの検出感度が低下するのを防止しながら、静電気による表示への影響及び静電気によるタッチ検出への影響を低減することができる。
図１は、第１実施形態におけるインセルタッチパネル１を含む表示装置１００の構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態によるインセルタッチパネル１の断面図である。 図３は、ＴＦＴ基板１０上のタッチ電極１１の配置位置を説明するための図である。 図４は、ＣＦ基板２０上のブラックマトリクス２１の配置位置を説明するための図である。 図５は、ＣＦ基板２０上のシールド層３０及び導電層４０の配置位置を説明するための図である。 図６は、静電気Ｅがシールド層３０に侵入した場合の静電気Ｅが通過する経路を模式図に示す図である。 図７は、第２実施形態におけるインセルタッチパネル２０１の平面図である。 図８は、第３実施形態におけるインセルタッチパネル３０１の平面図である。 図９は、第３実施形態におけるインセルタッチパネル３０１の断面図である。 図１０は、第３実施形態の変形例におけるインセルタッチパネル４０１の断面図である。 図１１は、第１～第３実施形態の第１変形例におけるインセルタッチパネル５０１の断面図である。 図１２は、第１～第３実施形態の第２変形例におけるインセルタッチパネル６０１の断面図である。
以下、本開示の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本開示は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本開示の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。また、以下の説明において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、実施形態および変形例に記載された各構成は、本開示の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。また、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態におけるインセルタッチパネル１を含む表示装置１００の構成を示すブロック図である。表示装置１００は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチ、車載用インフォメーションディスプレイ、及びパーソナルコンピューターとして構成される。表示装置１００は、インセルタッチパネル１と、コントローラ２と、配線部３とを含む。コントローラ２は、配線部３を介して、インセルタッチパネル１に接続されている。また、インセルタッチパネル１は、指示体（指やペン）のタッチを検出する機能を有するとともに、映像または画像を表示する表示パネルとしての機能を有する。コントローラ２は、インセルタッチパネル１から取得したタッチの検出結果に基づいて、表示装置１００における各制御処理を実行する。配線部３は、例えば、フレキシブルプリント基板である。
図２は、第１実施形態によるインセルタッチパネル１の断面図である。図２に示すように、インセルタッチパネル１は、薄膜トランジスタ基板１０（以下、「ＴＦＴ基板１０」という）と、液晶層１０ａと、カラーフィルタ基板２０（以下「ＣＦ基板２０」という）と、シールド層３０と、導電層４０と、偏光板５０と、糊層６０と、カバー７０と、導電体８０と、ドライバ回路９０と、を含む。インセルタッチパネル１は、カバー７０の表面（以下、「タッチ面７０ａ」という）に対する指示体によるタッチを検出する。なお、「タッチ」とは、タッチ面７０ａに指示体が接触していることのみならず、タッチ面７０ａに指示体が接触せずに近接した位置にいること含む広い概念を意味する。ＴＦＴ基板１０と、液晶層１０ａと、ＣＦ基板２０と、シールド層３０と、導電層４０と、偏光板５０と、糊層６０と、カバー７０とは、タッチ面７０ａに向かって順に配置されている。偏光板５０は、所定の偏光方向を有する光を透過する。糊層６０は、例えば、光学透明接着剤（ＯＣＡ：Optical Clear Adhesive）等から構成されており、偏光板５０とカバー７０とを接着させる。カバー７０は、例えば、カバーガラスである。ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０は、例えば、ガラス材料及び樹脂材料の少なくとも一方を含む基板である。
図３は、ＴＦＴ基板１０上のタッチ電極１１の配置位置を説明するための図である。図３に示すように、ＴＦＴ基板１０には、複数のタッチ電極１１が形成されている。例えば、複数のタッチ電極１１は、マトリクス状に配置されている。複数のタッチ電極１１は、それぞれ、ドライバ回路９０に接続されている。ドライバ回路９０は、複数のタッチ電極１１の各々の静電容量の変化を検出し、検出結果を、配線部３を介してコントローラ２（図１参照）に送信する。ドライバ回路９０は、ＴＦＴ基板１０に配置された集積回路である。ここで、タッチ面７０ａは、指示体によりタッチされた場合に当該タッチをタッチ電極１１で検出するタッチ検出領域Ｒ１と、タッチ検出領域Ｒ１の外側に配置された額縁領域Ｒ２とを有する。第１実施形態では、額縁領域Ｒ２は、タッチ検出領域Ｒ１を取り囲んでいる。第１実施形態では、タッチ検出領域Ｒ１は縦長であり、インセルタッチパネル１は、縦長タイプ（ポートレートタイプ）である。複数のタッチ電極１１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。なお、複数のタッチ電極１１を、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる透明電極として構成してもよい。例えば、複数のタッチ電極１１は、酸化インジウムスズを含む。複数のタッチ電極１１は、例えば、図示しない薄膜トランジスタに接続された画素電極に対向して配置され、液晶層１０ａに電界を生じさせる対向電極（共通電極）を兼ねている。なお、本実施形態では、インセルタッチパネル１をポートレートタイプに構成する例を示しているが、本開示は、これに限られない。例えば、インセルタッチパネル１をランドスケープタイプ（横長タイプ）に構成してもよい。
図４は、ＣＦ基板２０上のブラックマトリクス２１の配置位置を説明するための図である。図４に示すように、ＣＦ基板２０には、平面視で矩形の枠状にブラックマトリクス２１が配置されている。ブラックマトリクス２１は、額縁領域Ｒ２を覆うように配置されている。これにより、額縁領域Ｒ２では、図示しないバックライトからの光が遮光され画像が表示されない。すなわち、額縁領域Ｒ２は、画像が表示されない非表示領域である。また、ＣＦ基板２０のタッチ検出領域Ｒ１には、複数のカラーフィルタ２２が配置されている。カラーフィルタ２２は、液晶層１０ａを透過した光のうちの所定の色の光を透過する。なお、図４では図示しないが、複数のカラーフィルタ２２の間には、ブラックマトリクス２１が配置されていてもよい。タッチ検出領域Ｒ１は、画像を表示する表示領域に対応する。ブラックマトリクス２１及びカラーフィルタ２２は、例えば、絶縁性を有する樹脂材料を含む。
図５は、ＣＦ基板２０上のシールド層３０及び導電層４０の配置位置を説明するための図である。図５に示すように、シールド層３０は、タッチ検出領域Ｒ１を覆うように配置されている。言い換えると、シールド層３０は、複数のタッチ電極１１（図３参照）と平面視で重なるように配置されている。また、シールド層３０は、額縁領域Ｒ２のうちのドライバ回路９０側の部分（図５における紙面下方部分）と、額縁領域Ｒ２のうちのタッチ検出領域Ｒ１の近傍部分とに、平面視で重なるように形成されている。これらにより、シールド層３０は、シールド層３０に対してタッチ面７０ａ側から侵入するノイズを遮蔽する。シールド層３０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。例えば、シールド層３０は、酸化インジウムスズを含む。なお、シールド層３０を、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる透明電極として構成してもよい。
図５に示すように、導電層４０は、額縁領域Ｒ２のうちのタッチ検出領域Ｒ１に対してドライバ回路９０とは反対側（図５における紙面上方部分）と、額縁領域Ｒ２のうちのタッチ検出領域Ｒ１に対して紙面左右の両側の部分と、に平面視で重なるように形成されている。これにより、第１実施形態では、導電層４０は、平面視でＵ字形状を有する。例えば、導電層４０は、額縁領域Ｒ２のみに配置されている。また、導電層４０の少なくとも一部は、額縁領域Ｒ２のうちのタッチ検出領域Ｒ１の近傍部分において、シールド層３０と重なって配置されている。そして、導電層４０は、シールド層３０と重なっている部分において、シールド層３０に接触している。これにより、導電層４０は、シールド層３０と電気的に接続されている。また、第１実施形態では、導電層４０とシールド層３０とが直接接続しているので、導電層４０とシールド層３０とを電気的に接続するための別部材が不要になる。
導電層４０は、例えば、シールド層３０と同一の材料から構成されている。導電層４０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。なお、導電層４０を、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる透明電極として構成してもよい。第１実施形態では、導電層４０は、酸化インジウムスズを含む。ここで、インセルタッチパネル１における製造工程には、一般的に、酸化インジウムスズを含む透明電極（第１実施形態ではタッチ電極１１）を形成する工程が含まれる。これに対して、第１実施形態によれば、シールド層３０及び導電層４０を成膜（例えば、蒸着）する際に、既存の透明電極（タッチ電極１１）を成膜するための装置を利用できるので、インセルタッチパネル１の製造装置を流用することができる。そして、額縁領域Ｒ２に配置される導電層を、導電性ペースト、又はカーボン樹脂により構成する場合には、導電層の厚みが大きくなり、タッチ検出領域Ｒ１において空気層（空間）が生じてしまう。これに対して、第１実施形態では、導電層４０を酸化インジウムスズにより構成することにより、厚みを小さくすることができるので、タッチ検出領域Ｒ１において空気層（空間）が生じるのを防止することができる。
導電体８０は、例えば、額縁領域Ｒ２のうちのドライバ回路９０側の部分（紙面下方部分）に平面視で重なる位置に配置されている。図６は、静電気Ｅがシールド層３０に侵入した場合の静電気Ｅが通過する経路を模式図に示す図である。図６に示すように、配線部３は、基準電位（例えば、グラウンド電位）に接続されている。導電層４０は、導電体８０及び配線部３を介して、グラウンド電位に電気的に接続されている。導電体８０は、例えば、銀ペーストから構成されている。そして、導電体８０は、導電層４０及び配線部３に接続されている。シールド層３０又は導電層４０に静電気Ｅが侵入した場合に、配線部３を介して、インセルタッチパネル１の外部（グラウンド電位）に静電気Ｅを逃がす。なお、導電体８０は、銀ペースト以外の金属（例えば、銅または金）により構成されてもよい。導電体８０は、例えば、２つ設けられている。
ポートレートタイプのインセルタッチパネル１では、紙面下方部分の導電体８０と、シールド層３０の紙面上方部分との距離は、ポートレートタイプでない場合に比べて大きくなる。なお、額縁領域Ｒ２を狭額縁にするために、額縁領域Ｒ２のうちの紙面上方部分には、導電体８０は配置されていない。このため、シールド層３０の紙面上方部分に静電気が侵入した場合、導電体８０までの経路が長くなる。
そこで、第１実施形態では、導電層４０のシート抵抗値ｒ１は、シールド層３０のシート抵抗値ｒ２（１．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下）よりも低い。例えば、シート抵抗値ｒ１は、１．０×１０Ω（Ω／ｓｑ．）以上１．０×１０３Ω以下の範囲内の値である。例えば、シート抵抗値ｒ１は、１．０×１０２Ωである。例えば、シート抵抗値ｒ２は、１．０×１０８Ωである。例えば、導電層４０の厚みを、シールド層３０よりも厚みを大きくすることにより、シート抵抗値ｒ１をシート抵抗値ｒ２よりも低く設定されている。なお、これに限られず、導電層４０の材料組成比を、シールド層３０の材料組成比に対して、公知の方法で変更することにより、シート抵抗値ｒ１をシート抵抗値ｒ２よりも低く設定してもよい。
シート抵抗値ｒ１がシート抵抗値ｒ２よりも低いことにより、図６に示すように、シールド層３０に静電気Ｅが侵入した場合でも、シールド層３０のシート抵抗値ｒ２に比べて小さいシート抵抗値ｒ１を有する導電層４０に静電気Ｅが進む。そして、静電気Ｅは、額縁領域Ｒ２に配置された導電層４０を経由して、導電体８０に到達する。そして、静電気Ｅは、導電体８０及び配線部３を介して、インセルタッチパネル１の外部（グラウンド電位）に拡散される。これにより、シールド層３０に静電気Ｅが長時間留まることなく、静電気Ｅがインセルタッチパネル１の外部に迅速に拡散される。
また、第１実施形態によれば、タッチ検出領域Ｒ１と平面視で重なる位置に、シート抵抗値ｒ２が高いシールド層３０が配置されるので、タッチの検出感度の低下を防止することができる。そして、シート抵抗値ｒ１が低い導電層４０がシールド層３０に電気的に接続されている。これにより、シールド層３０に静電気が帯電した場合でも、帯電した静電気をシート抵抗値ｒ２が低い導電層４０を介して、迅速にグラウンド電位に放電することができる。また、導電層４４０の少なくとも一部は、額縁領域Ｒ２に平面視で重なるように配置されているので、導電層４０のシート抵抗値ｒ２が低いことによるタッチ検出への影響を低減することができる。これらの結果、タッチの検出感度が低下するのを防止しながら、静電気による表示への影響及び静電気によるタッチ検出への影響を低減することができる。
［第２実施形態］
図７を参照して、第２実施形態におけるインセルタッチパネル２０１の構成について説明する。図７は、第２実施形態におけるインセルタッチパネル２０１の平面図である。なお、第１実施形態と同様の構成には、第１実施形態と同じ符号を用い説明を省略する。
第２実施形態では、図７に示すように、インセルタッチパネル２０１の導電層２４０は、額縁領域Ｒ１２において平面視で矩形の枠形状を有する。すなわち、導電層２４０は、平面視でタッチ検出領域Ｒ１１を取り囲んでいる。インセルタッチパネル２０１には、導電層２４０に接続された１つ以上の導電体２８０が設けられている（図７では、３つの導電体２８０を図示している）。第２実施形態によれば、枠状の額縁領域Ｒ１２のどの辺にも導電層２４０が形成されるので（特に紙面下方部分に導電層２４０が形成されるので）、額縁領域Ｒ１２において導電体２８０と導電層２４０との接続点の数を多くすることができる。この結果、導電層２４０から導電体２８０へ静電気を逃がしやすくすることができる。なお、インセルタッチパネル２０１を小型に構成する場合には、紙面下方部分に１つの導電体２８０を設ければよいので、この場合には、導電体２８０（例えば、銀ペースト）の材料を削減することができる。第２実施形態によるその他の構成及び効果は、第１実施形態と同様である。
［第３実施形態］
図８及び図９を参照して、第３実施形態におけるインセルタッチパネル３０１の構成について説明する。図８は、第３実施形態におけるインセルタッチパネル３０１の平面図である。図９は、第３実施形態におけるインセルタッチパネル３０１の断面図である。なお、第１又は第２実施形態と同様の構成には、第１又は第２実施形態と同じ符号を用い説明を省略する。
図８に示すように、インセルタッチパネル３０１は、シールド層３３０及び導電層３４０を含む。インセルタッチパネル３０１の導電層３４０は、額縁領域Ｒ２２において平面視で矩形の枠形状を有する。すなわち、導電層３４０は、平面視でタッチ検出領域Ｒ２１を取り囲んでいる。第３実施形態では、シールド層３３０及び導電層３４０は、導電性を有する糊層からなる。例えば、シールド層３３０及び導電層３４０は、例えば、光学透明接着剤（ＯＣＡ：Optical Clear Adhesive）に導電性部材が含有された導電性接着剤である。導電性部材は、例えば、金属粉を用いることができる。導電層３４０のシート抵抗値ｒ１１は、シールド層３３０のシート抵抗値ｒ１２よりも低い。シート抵抗値ｒ１１は、１．０×１０Ω以上１．０×１０３Ω以下の範囲内の値である。例えば、シート抵抗値ｒ１１は、１．０×１０２Ωである。また、シート抵抗値ｒ１２は、１．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下の範囲内の値である。例えば、シート抵抗値ｒ１２は、１．０×１０８Ωである。
図９に示すように、シールド層３３０及び導電層３４０は、ＣＦ基板２０と偏光板５０との間に配置されている。シールド層３３０及び導電層３４０は、ＣＦ基板２０と偏光板５０とを接着させる。導電層３４０は、シールド層３３０の上に積層されており、シールド層３３０に接触している。そして、導電層３４０は、配線部３を介してグラウンド電位に接続された導電体３８０に接続されている。これにより、シールド層３３０に静電気が侵入した場合でも、導電層３４０及び導電体３８０を介して、インセルタッチパネル３０１の外部に静電気を逃がすことができる。
ここで、ロールからロールへパネルを搬送しながら膜を接合させる方式（ロール・ツー・ロール方式）は、成膜を行う方法に比べて、生産に要する負荷（時間及びコスト等）を低減することができる。第３実施形態によれば、ロール・ツー・ロール方式によって、シールド層３３０及び導電層３４０を構成することができるので、シールド層及び導電層を成膜する場合に比べて、生産に要する負荷を低減することができる。第３実施形態におけるその他の構成及び効果は、第１又は第２実施形態と同様である。
［第３実施形態の変形例］
図１０を参照して、第３実施形態の変形例によるインセルタッチパネル４０１の構成について説明する。図１０は、第３実施形態の変形例におけるインセルタッチパネル４０１の断面図である。なお、第１～第３実施形態のいずれかと同様の構成には、第１～第３実施形態のいずれかと同じ符号を用い説明を省略する。
図１０に示すように、インセルタッチパネル４０１は、シールド層４３０及び導電層４４０を含む。シールド層４３０は、透明電極（ＩＴＯ）から構成されている。例えば、シールド層４３０は、ＣＦ基板２０の全面に形成されている。導電層４４０は、導電性を有する糊層である。第３実施形態においても、導電層４４０のシート抵抗値は、シールド層４３０のシート抵抗値よりも低い。第３実施形態の変形例によれば、ロール・ツー・ロール方式によって、導電層３４０を構成することができるので、導電層を成膜する場合に比べて、生産に要する負荷を低減することができる。第３実施形態の変形例におけるその他の構成及び効果は、第１～第３実施形態と同様である。
以上、実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本開示を実施するための例示に過ぎない。よって、本開示は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
（１）上記第１～第３実施形態では、シールド層と導電層とを接触させる例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、シールド層と導電層との間に別の導電性を有する部材（層）が配置されていてもよく、シールド層と導電層とが電気的に接続されていればよい。
（２）上記第１～第３実施形態では、基準電位をグラウンド電位とする例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、基準電位をグラウンド電位以外の所定の電位であってもよい。
（３）上記第１実施形態では、導電層を透明電極として構成する例を示したが、本開示はこれに限られない。導電層を透明ではない導電性材料から構成してもよい。例えば、導電層を銅、銀、又は金などの金属材料から構成してもよい。
（４）上記第１～第３実施形態では、額縁領域を矩形の枠状に形成する例を示したが、本開示はこれに限られない。額縁領域を円形、楕円形、又は多角形状の枠状に形成してもよいし、額縁領域を矩形状であって、３つの辺のみ（Ｕ字状）を有するように形成してもよい。
（５）上記第１～第３実施形態では、導電層のシート抵抗値とシールド層のシート抵抗値との具体的な数値例を示したが、本開示はこれに限られない。導電層のシート抵抗値が、シールド層のシート抵抗値よりも低ければよい。
（６）上記第１～第３実施形態では、導電層を額縁領域のみに配置する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、導電層の一部をタッチ検出領域内に配置してもよい。
（７）上記第１～第３実施形態では、導電層を平面視でＵ字形状又は枠形状を有するように形成する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、導電層を枠状の額縁領域のうちの４つの辺のうちの１つまたは２つの辺に設けられていてもよい。
（８）上記第１～第３実施形態では、シールド層はＣＦ基板の一部を覆うように形成される例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、シールド層はＣＦ基板の全面を覆うように形成されていてもよい。
（９）上記第１～第３実施形態では、シールド層の上に導電層を設ける例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、図１１に示す第１変形例によるインセルタッチパネル５０１のように、シールド層５３０と導電層５４０とが同一の高さ位置に配置されていてもよい。また、図１２に示す第２変形例によるインセルタッチパネル６０１のように、シールド層６３０の下層に、導電層６４０が配置されてもよい。
上述したインセルタッチパネルは、以下のように説明することもできる。
第１の構成に係るインセルタッチパネルは、指示体によりタッチされるタッチ面を有するインセルタッチパネルであって、タッチ電極と、タッチ電極とタッチ面との間に配置された導電性のシールド層と、シールド層に電気的に接続された導電層と、導電層と基準電位とを接続する配線と、を備え、タッチ面は、指示体によりタッチされた場合に当該タッチをタッチ電極で検出するタッチ検出領域と、タッチ検出領域の外側に配置された額縁領域とを有し、シールド層の少なくとも一部は、タッチ検出領域に平面視で重なるように配置され、導電層の少なくとも一部は、額縁領域に平面視で重なるように配置されており、導電層のシート抵抗値は、シールド層のシート抵抗値よりも低い（第１の構成）。
第１の構成によれば、タッチ検出領域と平面視で重なる位置に、シート抵抗値が高いシールド層が配置されるので、タッチの検出感度の低下を防止することができる。そして、シート抵抗値が低い導電層がシールド層に電気的に接続されているので、シールド層に静電気が帯電した場合でも、帯電した静電気をシート抵抗値が低い導電層を介して、迅速に配線（基準電位）に放電することができる。また、導電層の少なくとも一部は、額縁領域に平面視で重なるように配置されているので、導電層のシート抵抗値が低いことによるタッチ検出への影響を低減することができる。これらの結果、タッチの検出感度が低下するのを防止しながら、静電気による表示への影響及び静電気によるタッチ検出への影響を低減することができる。
第１の構成において、インセルタッチパネルは、額縁領域に平面視で重なるように配置された遮光部材をさらに備えてもよく、導電層は、遮光部材の少なくとも一部と平面視で重なって配置されていてもよい（第２の構成）。
第２の構成によれば、額縁領域のうち、遮蔽部材が配置され画像が表示されない領域（非表示領域）に導電層の少なくとも一部が配置されるので、導電層が配置されることによる表示への影響を低減することができる。
第１または第２の構成において、導電層は、シールド層に接触していてもよい（第３の構成）。
第３の構成によれば、導電層とシールド層とを電気的に接続するための別部材が不要になる。
第１～第３の構成のいずれか１つにおいて、シールド層及び導電層は、それぞれ、酸化インジウムスズを含んでもよい（第４の構成）。
ここで、インセルタッチパネルにおける製造工程には、一般的に、酸化インジウムスズを含む透明電極を形成する工程が含まれる。これに対して、第４の構成によれば、シールド層及び導電層を成膜する際に、既存の透明電極を成膜するための装置を流用することができる。そして、額縁領域に配置された導電層を、金属、導電性ペースト、又はカーボン樹脂により構成する場合には、導電層の厚みが大きくなり、タッチ検出領域において空気層（空間）が生じてしまう。これに対して、導電層を酸化インジウムスズにより構成することにより、厚みを小さくすることができるので、タッチ検出領域において空気層（空間）が生じるのを防止することができる。
第１～第４の構成のいずれか１つにおいて、インセルタッチパネルは、シールド層とタッチ面との間に配置された偏光板を、さらに備えてもよく、導電層は、偏光板に接着する第１の糊層であって、導電性を有する第１の糊層を含んでもよい（第５の構成）。
ここで、ロールからロールへパネルを搬送しながら膜を接合させる方式（ロール・ツー・ロール方式）は、成膜を行う方法に比べて、生産に要する負荷（時間及びコスト等）を低減することができる。第５の構成によれば、ロール・ツー・ロール方式によって、導電層を構成することができるので、生産に要する負荷を低減することができる。
第５の構成において、シールド層は、第１の糊層に接着する第２の糊層であって、導電性を有する第２の糊層を含んでもよく、第１の糊層のシート抵抗値は、第２の糊層のシート抵抗値よりも低くてもよい（第６の構成）。
第６の構成によれば、シールド層及び導電層の両方を、ロール・ツー・ロール方式によって作成することができるので、生産に要する負荷を低減することができる。
第１～第６の構成のいずれか１つにおいて、導電層は、平面視でＵ字形成を有するように構成されてもよい（第７の構成）。
第７の構成によれば、枠状の額縁領域の形状に沿って、導電層が形成されるので、タッチ検出領域を平面視でＵ字状に囲むように導電層を形成することができる。この結果、タッチ検出領域内に侵入した静電気を、額縁領域に逃がすことができるで、静電気がタッチ検出領域内で長い時間存在するのを防止することができる。
第１～第６の構成のいずれか１つにおいて、導電層は、平面視で枠形成を有するように構成されてもよく、配線は、額縁領域において導電層に接続していてもよい（第８の構成）。
第８の構成によれば、枠状の額縁領域のどの辺にも導電層が形成されるので、額縁領域において配線と導電層との接続点の数を多くすることができる。この結果、導電層から配線へ静電気を逃がしやすくすることができる。また、インセルタッチパネルを小型に構成する場合には、枠状の額縁領域のうちの１つ辺に１つの導電体を設ければよいので、この場合には、導電体の材料を削減することができる。
１，２０１，３０１，４０１…インセルタッチパネル、３…配線部、１１…タッチ電極、２０…カラーフィルタ基板、２１…ブラックマトリクス、３０，３３０，４３０，５３０，６３０…シールド層、４０，２４０，３４０，４４０，５４０，６４０…導電層、５０…偏光板、７０ａ…タッチ面、８０，２８０，３８０…導電体、Ｒ１，Ｒ１１，Ｒ２１…タッチ検出領域、Ｒ２，Ｒ１２，Ｒ２２…額縁領域
特開２０１３－１４２１９４号公報

Claims (8)

  1. 指示体によりタッチされるタッチ面を有するインセルタッチパネルであって、
    タッチ電極と、
    前記タッチ電極と前記タッチ面との間に配置された導電性のシールド層と、
    前記シールド層に電気的に接続された導電層と、
    前記導電層と基準電位とを接続する配線と、を備え、
    前記タッチ面は、前記指示体によりタッチされた場合に当該タッチを前記タッチ電極で検出するタッチ検出領域と、前記タッチ検出領域の外側に配置された額縁領域とを有し、
    前記シールド層の少なくとも一部は、前記タッチ検出領域に平面視で重なるように配置され、
    前記導電層の少なくとも一部は、前記額縁領域に平面視で重なるように配置されており、
    前記導電層のシート抵抗値は、前記シールド層のシート抵抗値よりも低い、インセルタッチパネル。
  2. 前記額縁領域に平面視で重なるように配置された遮光部材をさらに備え、
    前記導電層は、前記遮光部材の少なくとも一部と平面視で重なって配置されている、請求項１に記載のインセルタッチパネル。
  3. 前記導電層は、前記シールド層に接触している、請求項１に記載のインセルタッチパネル。
  4. 前記シールド層及び前記導電層は、それぞれ、酸化インジウムスズを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のインセルタッチパネル。
  5. 前記シールド層と前記タッチ面との間に配置された偏光板を、さらに備え、
    前記導電層は、前記偏光板に接着する第１の糊層であって、導電性を有する第１の糊層を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のインセルタッチパネル。
  6. 前記シールド層は、前記第１の糊層に接着する第２の糊層であって、導電性を有する第２の糊層を含み、
    前記第１の糊層のシート抵抗値は、前記第２の糊層のシート抵抗値よりも低い、請求項５に記載のインセルタッチパネル。
  7. 前記導電層は、平面視でＵ字形成を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のインセルタッチパネル。
  8. 前記導電層は、平面視で枠形成を有し、
    前記配線は、前記額縁領域において前記導電層に接続している、請求項１～３のいずれか１項に記載のインセルタッチパネル。
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