JP2024021189A

JP2024021189A - ポリマー、該ポリマー及び溶媒を含む非感光性絶縁膜形成組成物

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Publication number: JP2024021189A
Application number: JP2022123851A
Authority: JP
Inventors: 峻菅原; Shun Sugawara; 勲安達; Isao Adachi
Original assignee: Nissan Chemical Corp
Current assignee: Nissan Chemical Corp
Priority date: 2022-08-03
Filing date: 2022-08-03
Publication date: 2024-02-16

Abstract

【課題】低比誘電率化や低誘電正接化を達成できる非感光性絶縁膜形成組成物に有用なポリマー、該ポリマーを含む非感光性絶縁膜形成組成物、及び該組成物から得られる非感光性樹脂膜を提供すること。【解決手段】下記式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー、該ポリマー及び溶媒を含む非感光性絶縁膜形成組成物。TIFF2024021189000036.tif24161［式中、Ｘは特定のフェノール化合物の残基を表し、ＡｒＮは、特定含窒素複素環からなる群から選択される一種又は二種以上の２価の有機基を表す。］【選択図】なし

Description

本発明は、非感光性絶縁膜形成組成物に有用なポリマー、該ポリマーを含む非感光性絶縁膜形成組成物、及び該組成物から得られる非感光性樹脂膜に関する。

シアン酸エステル化合物と、ビスマレイミド化合物とを併用する熱硬化性樹脂（例えば、特許文献１）は「ＢＴレジン」と呼ばれ、加工性、耐熱性、電気特性に優れた熱硬化性樹脂として、高機能のプリント配線基板用材料等の絶縁材料として幅広く使用されている。しかし、近年の通信機器の高速通信化に伴い、伝送周波数の高周波数化に対応するために、ＢＴレジンの低比誘電率化や低誘電正接化が求められている。

かかる課題に対して、特許文献２では、ＢＴレジンと、ガラス転移温度が２６０℃以上３１０℃以下である環状オレフィン系樹脂と、硬化触媒とを含む熱硬化性樹脂組成物により、低比誘電率化や低誘電正接化の課題を解決できたとしている。

特公昭５４－３０４４０号公報特開２０１７－８８６４７号公報特開２０１７－１３７４８６号公報特開平３－１６３５６８号公報

しかし、ＢＴレジンを含む組成物の改良だけでは、電気特性の改善に限界がある。

従って、本発明は、低比誘電率化や低誘電正接化を達成できる非感光性絶縁膜形成組成物に有用なポリマー、該ポリマーを含む非感光性絶縁膜形成組成物、及び該組成物から得られる非感光性樹脂膜を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記の課題を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の芳香族複素環と特定の架橋性置換基とを含む繰り返し単位構造を有するポリマーを採用することにより、低比誘電率で、低誘電正接の硬化膜を与える非感光性樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は以下を包含する。

［１］
下記式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー。

［式中、Ｘは下記式（２ａ）又は式（２ｂ）で表される２価の有機基を表し、

式中、Ａｒ_Ｎは、下記式（２ｃ）～（２ｆ）：

からなる群から選択される一種又は二種以上の２価の有機基を表す。
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は炭化水素基を表し、これら四つの炭化水素基の炭素数の合計が１３～８０であり、＊は酸素原子との結合手を表す。）］

［２］
式（２ａ）及び（２ｂ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に炭素数４以上の炭化水素基を表す、［１］に記載のポリマー。

［３］
前記式（１）で表される繰り返し単位構造の少なくとも一部が、下記式（１－１）で表わされる、［１］に記載のポリマー。

（式中、Ｘは［１］の定義と同じである。）

［４］
前記炭素数４以上の炭化水素基は、炭素数４～２０のアルキル基、又は炭素数１～１０のアルキル基を少なくとも１つ有するアリール基である、［２］に記載のポリマー。

［５］
さらに下記式（３）で表される繰り返し単位構造を有する、［１］に記載のポリマー。

（式中、Ｚは単結合又は２価の有機基を表し、Ａｒ_Ｎは［１］の定義と同じである。）

［６］
前記式（３）で表される繰り返し単位構造の少なくとも一部が、下記式（３－１）で表わされる、［５］に記載のポリマー。

（式中、Ｚは［５］の定義と同じである。）

［７］
前記式（３）において、Ｚは下記式（４ａ）乃至式（４ｍ）からなる群から選択される一種又は二種以上の２価の基を表す、［５］に記載のポリマー。

（式中、黒丸「・」はベンゼン環との結合手を表す。）

［８］
［１］乃至［７］のいずれか一項に記載のポリマー及び溶媒を含む非感光性絶縁膜形成組成物。

［９］
さらに架橋剤を含む［８］に記載の非感光性絶縁膜形成組成物。

［１０］
前記架橋剤がビスマレイミド化合物である［９］に記載の非感光性絶縁膜形成組成物。

［１１］
［８］～［１０］のいずれか一項に記載の非感光性絶縁膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物である、非感光性絶縁膜。

本発明によれば、低比誘電率で、低誘電正接の硬化物を与える非感光性樹脂組成物に有用なポリマー、該ポリマーを含む非感光性絶縁膜形成組成物、該組成物から得られる非感光性樹脂膜を提供することができる。

［Ｉ］ポリマー
（Ｉ－１）
本発明の一態様であるポリマーは、下記式（１）で表される繰り返し単位構造を有する。

式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーの重量平均分子量は、通常、５００～１００，０００、好ましくは６００～８０，０００、８００～６０，０００、又は１，０００～５０，０００である。

（Ｉ－２）
式（１）中、
Ｘは下記式（２ａ）又は式（２ｂ）：

で表される２価の有機基を表し、個々の繰り返し単位構造毎に異なっていても同じであってもよい。

式（２ａ）、（２ｂ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ炭化水素基を表し、これら四つの炭化水素基の炭素数の合計が１３～８０であり、＊は酸素原子との結合手を表す。

かかる炭化水素基には、直鎖状又は分岐状、飽和又は不飽和の炭化水素基が包含されるが；好ましくは、置換基を有していてもよい、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、脂環式アルキル基、又は芳香族炭化水素基であり；より好ましくは、置換基を有していてもよい直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、芳香族炭化水素基である。例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコサニル基、ベヘニル基、トリアコンチル基、テトラコンチル基、トリル基、４－エチルフェニル基、４－ｎ－プロピルフェニル基、４－ｎ－ブチルフェニル基、４－ｔ－ブチルフェニル基等を例示できる。

置換基としては、炭素数１～１０のアルキル基や炭素数６～１０のアリール基等を例示できる。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の４つの炭化水素基の炭素数の合計は、低誘電率、低誘電正接の観点からは１３以上であり、好ましくは３２以上である。他方、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の４つの炭化水素基の炭素数の合計は、相溶性の観点からは８０以下、より好ましくは４８以下である。

上記炭素数の合計に関する規定に加えて、式（２ａ）及び（２ｂ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に炭素数４以上の炭化水素基であることを要求することが好ましく、炭素数８以上の炭化水素基であることを要求することがより好ましい。

あるいは上記炭素数の合計に関する規定に加えて、式（２ａ）及び（２ｂ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に炭素数４～２０のアルキル基、又は炭素数１～１０のアルキル基を少なくとも１つ有するアリール基であることが好ましく、炭素数８～１８のアルキル基、又は炭素数４～１０のアルキル基を少なくとも１つ有するアリール基であることがより好ましい。

（Ｉ－３）
式（１）中、Ａｒ_Ｎは、下記式（２ｃ）～（２ｆ）：

からなる群から選択される一種又は二種以上の２価の有機基を表し、個々の繰り返し単位構造毎に異なっていても同じであってもよい。

ここで、原料の入手しやすさの観点からは、式（２ｃ）のピリミジン－４，６－ジイル基が好ましい。

このため、前記式（１）で表される繰り返し単位構造の少なくとも一部が、下記式（１－１）：

で表わされることが好ましい。ここで、式（１－１）中、Ｘは式（１）と同じ定義を有する。

（Ｉ－４）
本発明の一態様であるポリマーは、式（１）の繰り返し単位構造に加えて、硬化性付与の観点から、任意選択的に、下記式（３）：

の繰り返し単位構造を含んでいてもよい。ここで、Ｚは単結合又は２価の有機基を表し、Ａｒ_Ｎは式（１）の定義と同じであるが、式（１）のＡｒ_Ｎとは独立して、個々の繰り返し単位構造毎に異なっていても同じであってもよい。

より好ましくは、式（３）で表される繰り返し単位構造の少なくとも一部が、下記式（３－１）：

で表わされる。ここで、Ｚは、式（３）における定義と同じである。

式（１）の繰り返し構造単位と式（３）の繰り返し構造単位のモル比は、硬化性付与の観点から、１：０．１～１：９であることが好ましく、１：０．５～１：４であることがより好ましい。

（Ｉ－５）
式（３）又は式（３－１）のＺとしては、下記式（４ａ）乃至式（４ｍ）：

からなる群から選択される２価の基が好ましく、個々の繰り返し単位構造毎に異なっていても同じであってもよい。

（Ｉ－６）
式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーは、公知の方法によって調製することができる。

（Ｉ－６－１）
例えば、Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物と、ＨＯ－Ｘ－ＯＨで表される化合物とを、適宜選択して求核置換反応をさせることにより調製することができる。ここで、Ａｒ_Ｎ及びＸは式（１）中の定義と同じであり、Ｙは塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を表す。Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物、及びＨＯ－Ｘ－ＯＨで表される化合物はそれぞれ一種を用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

この求核置換反応においては、Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物１モルに対して、ＨＯ－Ｘ－ＯＨで表される化合物で表される化合物を通常０．１乃至１０モル、好ましくは０．１乃至２モルの割合に設定して用いることができる。

（Ｉ－６－２）
更に任意選択的に式（３）で表わされる繰り返し単位構造も追加的に含まれるポリマーは、Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物と、ＨＯ－Ｘ－ＯＨ及びＨＯ－Ｂ－ＯＨで表される化合物とを、適宜選択して求核置換反応をさせることにより調製することができる。ここで、Ａｒ_Ｎ及びＸは式（１）中の定義と同じであり、Ｙは塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を表し、ＨＯ－Ｂ－ＯＨは、下記式（３－２）：

［Ｚは式（３）における定義と同一である。］
を表す。Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物、ＨＯ－Ｘ－ＯＨで表される化合物、及びＨＯ－Ｂ－ＯＨで表わされる化合物はそれぞれ一種を用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

この求核置換反応においては、Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物１モルに対して、ＨＯ－Ｘ－ＯＨで表される化合物で表される化合物及びＨＯ－Ｂ－ＯＨで表される化合物で表される化合物の合計を通常０．１乃至１０モル、好ましくは０．１乃至２モルの割合に設定して用いることができる。

（Ｉ－６－３）
求核置換反応で用いられる触媒としては、塩基性又は酸性の触媒を用いることが出来るが、塩基性の触媒を用いることが好ましい。

塩基性の触媒としては、固体塩基触媒が挙げられ、例えば水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム八水和物、水酸化バリウム八水和物、水酸化マグネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。

酸性の触媒としては、例えば硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類、ｐ－トルエンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物、メタンスルホン酸等の有機スルホン酸類、蟻酸、シュウ酸等のカルボン酸類を使用することができる。

触媒の使用量は、使用する触媒の種類によって異なるが、Ｙ－Ａｒ_Ｎ－Ｙで表される化合物１００質量部に対して、通常０．００１乃至１０，０００質量部、好ましくは０．０１乃至１，０００質量部、より好ましくは０．０５乃至１００質量部である。

（Ｉ－６－４）
求核置換反応は無溶剤でも行われるが、通常は溶剤を用いて行われる。溶剤としては反応基質を溶解することができ、反応を阻害しないものであれば特に限定されない。例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、１，２－ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等が挙げられる。縮合反応温度は通常４０℃乃至２００℃、好ましくは５０℃乃至１８０℃である。反応時間は反応温度によって異なるが、通常５分乃至５００時間、好ましくは５分乃至２００時間である。

（Ｉ－６－５）
ＨＯ－Ｘ－ＯＨ，すなわち、下記式（５ａ），（５ｂ）：

（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は式（２ａ），（２ｂ）におけるＲ¹，Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴の定義と同一である。）
のビスフェノール系化合物は、例えば、下記反応式に示されるように、イソフタル酸エステル又はテレフタル酸エステルにグリニャール試薬（例えば、下記式で例示されるＲ^ｎＭｇＢｒ、ここで、Ｒ^ｎはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４を表す。）を用いた付加反応を行って、Ｒ^１～Ｒ^４置換基を有するジオール誘導体を合成後、酸存在下、該ジオール誘導体の２分子のフェノールへの求電子置換反応により調製できる。

（Ｉ－７）
なお、特許文献３には、４，６－ジクロロピリミジンと各種ビスフェノール［実施例１（ビスフェノール－ＡＰ：１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルエタン）、実施例１１（ビスフェノール－ＡＦ：２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン）、実施例１２（ビスフェノール－Ｚ：１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、実施例１３（ビスフェノール－ＴＭＣ：１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン）、実施例１４（ＢＰＦＬ：９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フルオレン）］と、を反応して得られるポリマーが開示されている。しかし、本願発明の一態様であるポリマーでは、式（１）中におけるＸでは三つのベンゼン環が２つの２価の連結基［―Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）―及び―Ｃ（Ｒ^３）（Ｒ^４）―］で連結している点、及びＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の４つの炭化水素基の炭素数の合計が１３～８０と比較的大きい点で異なっている。また、特許文献３では、高い無色透明性が求められる用途、例えば耐熱透明フィルム、透明回路基板、レンズ、太陽電池基板等の用途に好ましく適用できる、着色を抑制した色相に優れる成形体を製造できる樹脂組成物、重合体の製造方法及び成形体を提供することを課題としており、本願発明とはその方向性が全く異なる。

また、特許文献４には、式（１－１）～（１－１６）に、三つのベンゼン環が２つの二価の連結基で連結しているビスフェノール系化合物が開示されている。しかし、特許文献４に記載の発明は、このビスフェノール系化合物そのものを摩擦帯電付与部材として用いる発明であり、本願発明の一態様であるポリマーのようにビスフェノール系化合物をコポリマーの繰り返し構造単位として用いるものとは全く異なるものである。

［ＩＩ］非感光性絶縁膜形成組成物
本発明の一態様である非感光性絶縁膜形成組成物は、下記式（１）で表される繰り返し単位構造：

を有するポリマー及び溶媒を含む。任意選択的に更に架橋剤等のその他の成分を含んでいてもよい。

本発明の一態様である非感光性絶縁膜形成組成物は、半導体装置への適用の他、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、及び液晶配向膜等の用途にも有用である。

ここで、非感光性絶縁膜形成組成物にいう「非感光性」とは、光重合開始剤を含まない組成物を意味する。

各成分を以下に順に説明する。

（ＩＩ－１）ポリマー
前記［Ｉ］において、すでに説明した。

（ＩＩ－２）溶媒
溶媒としては、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーに対する溶解性の点から、有機溶媒を用いることが好ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、メチルラクテート、エチルラクテート、テトラメチル尿素、１，３－ジメチル－２－イミダゾリノン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン、トルエン、メチルエチルケトン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上の組合せで用いることができる。好ましくは沸点２３０℃以下の溶媒が望ましく、より好ましくは沸点２００℃以下の溶媒が望ましい。

上記溶媒は、非感光性絶縁膜形成組成物の所望の塗布膜厚及び粘度に応じて、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー１００質量部に対し、例えば、３０質量部～１５００質量部の範囲、好ましくは４０質量部～１０００質量部、より好ましくは５０質量部～３００質量部の範囲で用いることができる。

（ＩＩ－３）その他の成分
実施の形態では、非感光性絶縁膜形成組成物は、上記式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー、溶媒以外の成分をさらに含有してもよい。その他の成分としては、例えば、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー以外の樹脂成分（「その他樹脂成分」）、熱重合開始剤、ヒンダードフェノール化合物、架橋剤、フィラーなどが挙げられる。

（ＩＩ－３－１）その他樹脂成分
実施の形態では、非感光性絶縁膜形成組成物は、前記式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー以外の樹脂成分（「その他樹脂成分」）をさらに含有してもよい。

非感光性絶縁膜形成組成物に含有させることができる樹脂成分としては、例えば、ポリイミド、ポリオキサゾール、ポリオキサゾール前駆体、フェノール樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、シロキサン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。

このような樹脂を配合する場合、樹脂成分の配合量は、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部～２０質量部の範囲である。

（ＩＩ－３－２）熱重合開始剤
実施の形態では、熱重合を促進し硬化性を高めるために、非感光性絶縁膜形成組成物に熱重合開始剤を配合することができる。

熱重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド類（メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等）、ジアシルパーオキサイド類（アセチルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等）、ハイドロパーオキサイド類（過酸化水素、ｔｅｒｔ－ブチルハイドパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等）、ジアルキルパーオキサイド類（ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド等）、パーオキシケタール類（ジブチルパーオキシシクロヘキサン等）、アルキルパーエステル類（パーオキシネオデカン酸－ｔｅｒｔ－ブチルエステル、パーオキシピバリン酸－ｔｅｒｔ－ブチルエステル、パーオキシ－２－エチルシクロヘキサン酸－ｔｅｒｔ－アミルエステル等）、過硫酸塩類（過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等）、アゾ系化合物（アゾビスイソブチロニトリル、および２，２’－ジ（２－ヒドロキシエチル）アゾビスイソブチロニトリル等）が挙げられるが、これらに限定されない。また、前記熱重合開始剤としては、市販品を使用することができる。このような熱重合開始剤は、一種を単独で使用することもできるし、あるいは二種以上を組み合わせて使用することもできる。

熱重合開始剤の配合量は、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー１００質量部に対し、好ましくは１質量部～１０質量部であり、より好ましくは１質量部～５質量部である。

（ＩＩ－３－３）架橋剤
実施の形態では、架橋密度を上げて硬化性を高めるために、非感光性絶縁膜形成組成物に架橋剤を配合することができる。

このような架橋剤としては、熱重合開始剤によりラジカル重合反応する多官能ビニルエーテル化合物、多官能アリルエーテル化合物、及びビスマレイミド化合物が好ましい。

多官能ビニルエーテル化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキシドジビニルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキシドジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ビニルベンジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、４－メトキシビニルベンジルエーテル、２－メトキシビニルベンジルエーテル、１，４－ジビニルオキシメチルベンゼン、エチレンオキシド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキシド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキシド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキシド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル等の化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。

多官能アリルエーテル化合物としては、例えば、エチレングリコールジアリルエーテル、ジエチレングリコールジアリルエーテル、ポリエチレングリコールジアリルエーテル、プロピレングリコールジアリルエーテル、ブチレングリコールジアリルエーテル、ヘキサンジオールジアリルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキシドジアリルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキシドジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラアリルエーテル、グリセリントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタアリルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサアリルエーテル、ポリエチレングリコールジアリルエーテル、ペンタエリスリトールジアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、アリルベンジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、４－メトキシアリルベンジルエーテル、２－メトキシアリルベンジルエーテル、１，４－ジアリルオキシメチルベンゼン、エチレンオキシド付加トリメチロールプロパントリアリルエーテル、エチレンオキシド付加ジトリメチロールプロパンテトラアリルエーテル、エチレンオキシド付加ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、エチレンオキシド付加ジペンタエリスリトールヘキサアリルエーテル等の化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。

ビスマレイミド化合物としては、例えば、ビス（４－マレイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミド、ビス（４－マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４－マレイミドフェニル）スルホン、３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルメタンビスマレイミド、４－メチル－１，３－フェニレンビスマレイミド、ｍ－フェニレンビスマレイミド、２，２－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、ビス（４－マレイミドフェニル）スルホン、ビス（４－マレイミドフェニル）スルフィド、ビス（４－マレイミドフェニル）ケトン、２，２－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）スルホン、４，４’－ビス（３－マレイミドフェノキシ）ビフェニル、１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサン、等の化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。

架橋剤の配合量は、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー１００質量部に対し、好ましくは１質量部～２００質量部であり、より好ましくは１質量部～１００質量部である。

（ＩＩ－３－４）フィラー
フィラーとしては、例えば無機フィラーが挙げられ、具体的にはシリカ、窒化アルミニウム、窒化ボロン、ジルコニア、アルミナなどのゾルが挙げられる。

（ＩＩ－３－５）ヒンダードフェノール化合物
実施の形態では、ラジカル架橋部位の重合禁止剤として、ヒンダードフェノール化合物を任意に非感光性絶縁膜形成組成物に配合することができる。

ヒンダードフェノール化合物としては、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネ－ト、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、４、４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス〔３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６－ヘキサンジオール－ビス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、２，２－チオ－ジエチレンビス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、Ｎ，Ｎ’ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル－テトラキス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。これらの中でも、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオンが特に好ましい。

ヒンダードフェノール化合物の配合量は、式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー１００質量部に対し、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、ラジカル架橋部位の反応性の観点から０．５質量部～１０質量部であることがより好ましい。ヒンダードフェノール化合物の式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー１００質量部に対する配合量が０．１質量部以上である場合、例えば溶液中での望まないラジカル架橋反応が防止され、一方、２０質量部以下である場合には架橋反応に好ましい。

［ＩＩＩ］非感光性絶縁膜
前記［ＩＩ］に記載の非感光性絶縁膜形成組成物を用いて塗布膜を形成し、それを焼成することによって、低比誘電率で、低誘電正接の硬化物である非感光性絶縁膜を得ることができる。

塗布膜の形成にあたっては、組成物の粘度と表面張力、所望する薄膜の厚さ等を考慮し、ドロップキャスト法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、インクジェット法、印刷法（凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等）等といった各種ウェットプロセス法の中から最適なものを採用すればよい。

また、通常、塗布膜の形成は、常温、常圧の不活性ガス雰囲気下で行われるが、組成物中の化合物が分解したり、組成が大きく変化したりしない限り、大気雰囲気下（酸素存在下）で行ってもよく、加熱しながら行ってもよい。

以下、合成例、比較合成例、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。

なお、使用した分析装置およびその測定条件等は以下のとおりである。

（１）¹Ｈ－ＮＭＲ測定
装置：Ｂｒｕｋｅｒ社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩＨＤ
測定周波数：５００ＭＨｚ
測定溶媒：重水素化クロロホルム（ＣＤＣｌ₃、関東化学（株）製）、または重水素化ＤＭＳＯ（ＤＭＳＯ－ｄ₆、関東化学（株）製）
内部標準：テトラメチルシラン（δ＝０．００ｐｐｍ）

（２）重量平均分子量測定
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記する。）により測定した。
装置：日本分光（株）製ＧＰＣシステム
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）ＫＦ－８０４ＬおよびＫＦ－８０３Ｌ
カラムオーブン：４０℃
流量：１ｍＬ／分
溶離液：テトラヒドロフラン
試料濃度：１０ｍｇ／ｍＬ
試料注入量：２０μＬ
標準物質：単分散ポリスチレン
検出器：示差屈折計

＜合成例１＞（モノマー（Ａ１）の合成）

１Ｌナスフラスコにマグネシウム（富士フイルム和光純薬（株）製）８．８８ｇとヨウ素（東京化成工業（株）製）０．７７ｇを加え、窒素置換した。１－ブロモオクタン（東京化成工業（株）製）６４．１ｇを溶解した脱水ジエチルエーテル（関東化学（株）製）２００ｍＬの溶液を滴下して加え、室温で３０分攪拌した。次に、イソフタル酸ジメチル（東京化成工業（株）製）１１．７ｇを溶解した脱水ジエチルエーテル（関東化学（株）製）１００ｍＬの溶液を滴下して、室温で１９時間攪拌した。０℃に冷却しながら純水を加えて反応を停止し、５Ｍ塩酸６５ｍＬを加えた。有機層をジエチルエーテルで抽出し、続いて水・飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。濾過で有機層を分離したのち、溶媒を留去することで、化合物（Ａ１）を黄色液体として得た（３４．３ｇ、収率９７％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ ７．１９－７．３３（ｍ，４Ｈ）、１．７０－１．８８（ｍ，８Ｈ）、１．１４－１．３３（ｍ，４８Ｈ）、０．８５（ｔ，１２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）．

＜合成例２＞（モノマー（Ｂ１）の合成）

５００ｍＬナスフラスコに合成例１で得られた化合物（Ａ１）１４．１ｇと５当量のフェノール１１．３ｇを加え、さらに濃塩酸８．５ｍＬを入れ、８０℃で２４時間攪拌した。反応溶液に水を１２０ｍＬ加え、ヘキサンで抽出した後、有機層を水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過で有機層を分離したのち、溶媒を留去することで粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１：４）で精製した後、化合物（Ｂ１）を黄色固体として得た（１０．２ｇ、収率５７％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ ７．１３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．９８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．９２（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．７７（ｓ，１Ｈ）、６．６４（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、４．５５－４．６７（ｍ，２Ｈ）、１．８３－１．９８（ｍ，８Ｈ）、１．１１－１．３０（ｍ，４０Ｈ）、０．８１－０．９６（ｍ，２０Ｈ）．

＜合成例３＞（モノマー（Ａ２）の合成）

１－ブロモオクタンを１－ブロモドデカンに変えた以外は合成例１と同様の方法で合成し、化合物（Ａ２）を白色固体として得た（４４．１ｇ、収率９０％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ ７．１９－７．３３（ｍ，４Ｈ）、１．７０－１．８８（ｍ，８Ｈ）、１．１４－１．３３（ｍ，７２Ｈ）、０．８５－０．９２（ｍ，２０Ｈ）．

＜合成例４＞（モノマー（Ｂ２）の合成）

化合物（Ａ１）を化合物（Ａ２）に変えた以外は合成例２と同様の方法で合成し、化合物（Ａ２）を黄色固体として得た（１９．１ｇ、収率６２％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ ７．１３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．９８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．９２（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．７４（ｓ，１Ｈ）、６．６４（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、４．７４（ｓ，２Ｈ）、１．８１－１．９９（ｍ，８Ｈ）、１．０９－１．３４（ｍ，７２Ｈ）、０．８１－０．９６（ｍ，２０Ｈ）．

＜合成例５＞（モノマー（Ａ３）の合成）

１Ｌナスフラスコにマグネシウム（富士フイルム和光純薬（株）製）４．１２ｇとヨウ素（東京化成工業（株）製）０．４４ｇを加え、窒素置換した。１－ブロモ－４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン（東京化成工業（株）製）３２．８ｇを溶解したテトラヒドロフラン（関東化学（株）製、特級）１５５ｍＬの溶液を滴下して加え、室温で３０分攪拌した。次に、イソフタル酸ジメチル（東京化成工業（株）製）６．８０ｇを溶解したテトラヒドロフラン（関東化学（株）製、特級）３５ｍＬの溶液を滴下して、室温で１７時間攪拌した。０℃に冷却しながら純水を加えて反応を停止し、飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加えた。有機層をクロロホルムで抽出し、続いて水・飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。乾燥固体にヘキサンを加えて攪拌した後、濾過で固体をろ取した。ヘキサンで洗浄した後、乾燥することで化合物（Ａ３）を白色固体として得た（２０．４ｇ、収率８７％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ ７．４０（ｓ，１Ｈ）、７．１０－７．３０（ｍ、１９Ｈ）、１．３０－１．８８（ｓ，３６Ｈ）．

＜合成例６＞（モノマー（Ｂ３）の合成）

５００ｍＬナスフラスコに合成例５で得られた化合物（Ａ３）３１．１ｇと５当量のフェノール４３．９ｇを加え、さらに濃塩酸１６．３ｍＬを入れ、８０℃で２４時間攪拌した。反応溶液に水を１５０ｍＬ加え、析出した固体をろ取してメタノールで洗浄した。固体を乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１：２）で精製した後、化合物（Ｂ３）を白色固体として得た（２１．４ｇ、収率５６％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ ７．１４（ｄ，８Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．９４－７．００（ｍ，９Ｈ）、７．０２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、７．０２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、６．８８（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、６．５９（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、５．６４（ｓ，２Ｈ）、１．２９（ｓ，３６Ｈ）．

＜合成例７＞（ポリマー（Ｐ１－１）の合成）
２００ｍＬ容量の四口フラスコに４，６－ジクロロピリミジン２．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン（小西化学工業（株）製）４．８５ｇ（１５．１ｍｍｏｌ）、合成例２で得られた化合物（Ｂ１）１．２５ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム５．４７ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）及びＮ－エチル－２－ピロリドン２０．３４ｇを入れて１００℃に昇温し、１００℃で４３時間攪拌した。３０℃以下に降温した後、テトラヒドロフラン２８．７２ｇを入れて希釈し、反応液に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応混合物を得た。得られた反応混合物を６Ｎ塩酸／Ｎ－エチル－２－ピロリドン（１：９）溶液でｐＨ４に調整した後、メタノール９０．１６ｇと純水８４．５８ｇに滴下してポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を濾別し、ろ物をメタノール１３．５ｇで二回洗浄し、真空乾燥してポリマー（Ｐ１－１）を５．７１ｇ得た。このポリマーの分子量をＧＰＣ（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２１，７５９であり、収率は５７％であった。このポリマーは、下記式（Ｐ１）で表される繰り返し単位構造を有する。

＜合成例８＞（ポリマー（Ｐ１－２）の合成）
２００ｍＬ容量の四口フラスコに４，６－ジクロロピリミジン２．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン（小西化学工業（株）製）４．３１ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、合成例２で得られた化合物（Ｂ１）２．５１ｇ（３．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．５６ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）及びＮ－メチル－２－ピロリドン２５．０７ｇを入れて１００℃に昇温し、１００℃で２０時間攪拌した。３０℃以下に降温した後、テトラヒドロフラン３２．５７ｇを入れて希釈し、反応液に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応混合物を得た。得られた反応混合物を６Ｎ塩酸／Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１：９）溶液でｐＨ４に調整した後、メタノール９１．４６ｇと純水８９．６４ｇに滴下してポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を濾別し、ろ物をメタノール３０．５ｇで二回洗浄し、真空乾燥してポリマー（Ｐ１－２）を６．９５ｇ得た。このポリマーの分子量をＧＰＣ（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３５，３５１であり、収率は６９％であった。このポリマーは、前記式（Ｐ１）で表される繰り返し単位構造を有する。

＜合成例９＞（ポリマー（Ｐ１－３）の合成）
２００ｍＬ容量の四口フラスコに４，６－ジクロロピリミジン２．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン（小西化学工業（株）製）２．６９ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、合成例２で得られた化合物（Ｂ１）６．２７ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．５６ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）及びＮ－メチル－２－ピロリドン２８．９１ｇを入れて１００℃に昇温し、１００℃で２０時間攪拌した。３０℃以下に降温した後、テトラヒドロフラン３５．９９ｇを入れて希釈し、反応液に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応混合物を得た。得られた反応混合物を６Ｎ塩酸／Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１：９）溶液でｐＨ４に調整した後、メタノール１０７．６５ｇと純水１１２．７３ｇに滴下してポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を濾別し、ろ物をメタノール３２．５ｇで二回洗浄し、真空乾燥してポリマー（Ｐ１－３）を８．８６ｇ得た。このポリマーの分子量をＧＰＣ（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２１，７７８であり、収率は８８％であった。このポリマーは、前記式（Ｐ１）で表される繰り返し単位構造を有する。

＜合成例１０＞（ポリマー（Ｐ２－１）の合成）
２００ｍＬ容量の四口フラスコに４，６－ジクロロピリミジン２．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン（小西化学工業（株）製）４．３１ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、合成例４で得られた化合物（Ｂ２）３．３７ｇ（３．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．５６ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）及びＮ－メチル－２－ピロリドン２５．０７ｇを入れて１００℃に昇温し、１００℃で２０時間攪拌した。３０℃以下に降温した後、テトラヒドロフラン３２．５７ｇを入れて希釈し、反応液に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応混合物を得た。得られた反応混合物を６Ｎ塩酸／Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１：９）溶液でｐＨ４に調整した後、メタノール８００．９５ｇと純水７３４．０９ｇに滴下してポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を濾別し、ろ物をメタノール２９．５ｇで二回洗浄し、真空乾燥してポリマー（Ｐ２－１）を７．４６ｇ得た。このポリマーの分子量をＧＰＣ（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は７１，２８３であり、収率は６９％であった。このポリマーは、下記式（Ｐ２）で表される繰り返し単位構造を有する。

＜合成例１１＞（ポリマー（Ｐ３－１）の合成）
２００ｍＬ容量の四口フラスコに４，６－ジクロロピリミジン２．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン（小西化学工業（株）製）４．３１ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、合成例６で得られた化合物（Ｂ３）２．８２ｇ（３．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．５６ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）及びＮ－メチル－２－ピロリドン２３．４２ｇを入れて１００℃に昇温し、１００℃で１７時間攪拌した。３０℃以下に降温した後、テトラヒドロフラン３２．２１ｇを入れて希釈し、反応液に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応混合物を得た。得られた反応混合物を６Ｎ塩酸／Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１：９）溶液でｐＨ４に調整した後、メタノール８００．８６ｇと純水８２２．０９ｇに滴下してポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を濾別し、ろ物をメタノール１０７．４ｇで二回洗浄し、真空乾燥してポリマー（Ｐ３－１）を６．０３ｇ得た。このポリマーの分子量をＧＰＣ（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３３，５５６であり、収率は５６％であった。このポリマーは、下記式（Ｐ３）で表される繰り返し単位構造を有する。

＜合成例１２＞（ポリマー（Ｐ３－２）の合成）
２００ｍＬ容量の四口フラスコに４，６－ジクロロピリミジン２．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン（小西化学工業（株）製）２．６９ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、合成例６で得られた化合物（Ｂ３）７．０５ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．５６ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）及びＮ－メチル－２－ピロリドン３１．２６ｇを入れて１００℃に昇温し、１００℃で１７時間攪拌した。３０℃以下に降温した後、テトラヒドロフラン３８．５３ｇを入れて希釈し、反応液に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応混合物を得た。得られた反応混合物を６Ｎ塩酸／Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１：９）溶液でｐＨ４に調整した後、メタノール８００．８８ｇと純水７９２．５０ｇに滴下してポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を濾別し、ろ物をメタノール１１８．４ｇで二回洗浄し、真空乾燥してポリマー（Ｐ３－２）を６．９１ｇ得た。このポリマーの分子量をＧＰＣ（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は１９，９１９であり、収率は６４％であった。このポリマーは、前記式（Ｐ３）で表される繰り返し単位構造を有する。

＜実施例１＞
合成例７で得られたポリマー（Ｐ１－１）４．２１ｇ、２，２－ビス－［４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイ・アイ化成（株）製）０．８４ｇをシクロヘキサノン７．５８ｇに溶解させ、組成物を調製した。その後、孔径５μｍのポリテトラフルオロエチレン（以下、本明細書ではＰＴＦＥと略称する。）製マイクロフィルターを用いてろ過して、非感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例２＞
合成例７で得られたポリマー（Ｐ１－１）の替わりに合成例８で得られたポリマー（Ｐ１－２）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、非感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例３＞
合成例７で得られたポリマー（Ｐ１－１）の替わりに合成例９で得られたポリマー（Ｐ１－３）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、非感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例４＞
合成例７で得られたポリマー（Ｐ１－１）の替わりに合成例１０で得られたポリマー（Ｐ２－１）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、非感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例５＞
合成例７で得られたポリマー（Ｐ１－１）の替わりに合成例１１で得られたポリマー（Ｐ３－１）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、非感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例６＞
合成例７で得られたポリマー（Ｐ１－１）の替わりに合成例１２で得られたポリマー（Ｐ３－２）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、非感光性樹脂組成物を調製した。

＜比較例１＞
テトラヒドロフラン１０．００ｇに２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン９．００ｇと４，４’－ビスマレイミドフェニルメタン１．００ｇを溶解して、さらに硬化触媒のアセチルアセトン鉄０．１０ｇを溶解して溶液を調製した。調製した溶液を、シリコンウェハに積層させたアルミ箔上にスピンコーターを用いて塗布し、７５℃で５分間プリベークし、更に真空下、１００℃で１時間、さらに１６０℃で４時間ベークして、厚さ１０～３０μｍ程度のＢＴレジン膜を形成した。

［電気特性試験］
実施例１～６で調製した非感光性樹脂組成物を、シリコンウェハに積層させたアルミ箔上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で５分間プリベークし、さらに窒素下、２３０℃で４時間ベークし、膜厚１０～４０μｍ程度の膜を形成した。その後６Ｎ塩酸中に浸漬させた。それぞれの膜について、塩酸中に浸漬後、アルミが溶解して膜が浮き上がったところを回収し、縦７．５ｃｍ、横６．３ｃｍにカットし自立膜を得た。この自立膜を用いてスプリットシリンダー式空洞共振法にて、自立膜取得直後の、１０ＧＨｚにおける比誘電率及び誘電正接を算出した。比較例１で得られたＢＴレジン膜についても同様に塩酸処理・カッティングを行い、得られた自立膜を用いてスプリットシリンダー式空洞共振法にて測定を行った。測定結果を以下の表１に示す。なお、測定方法の詳細は以下の通りである。

（測定方法）
スプリットシリンダー式空洞共振法
（装置構成）
ベクトルネットワークアナライザ：Ｎ５２２７ＡＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイト・テクノロジーズ・インク製）
共振器：ＣＲ－７１０（ＥＭラボ（株）製）
測定周波数：約１０ＧＨｚ（サンプルの共振周波数に依存）

表１に示すとおり、本発明のポリマーを含む非感光性樹脂組成物から得られた膜は、比較例１のＢＴレジン膜に比べ、極性反応基数が減少するため、低比誘電率及び低誘電正接を示すことがわかる。

Claims

下記式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマー。

［式中、Ｘは下記式（２ａ）又は式（２ｂ）で表される２価の有機基を表し、

式中、Ａｒ_Ｎは、下記式（２ｃ）～（２ｆ）：

からなる群から選択される一種又は二種以上の２価の有機基を表す。
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は炭化水素基を表し、これら四つの炭化水素基の炭素数の合計が１３～８０であり、＊は酸素原子との結合手を表す。）］
式（２ａ）及び（２ｂ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に炭素数４以上の炭化水素基を表す、請求項１に記載のポリマー。
前記式（１）で表される繰り返し単位構造の少なくとも一部が、下記式（１－１）で表わされる、請求項１に記載のポリマー。

（式中、Ｘは請求項１の定義と同じである。）
前記炭素数４以上の炭化水素基は、炭素数４～２０のアルキル基、又は炭素数１～１０のアルキル基を少なくとも１つ有するアリール基である、請求項２に記載のポリマー。
さらに下記式（３）で表される繰り返し単位構造を有する、請求項１に記載のポリマー。

（式中、Ｚは単結合又は２価の有機基を表し、Ａｒ_Ｎは請求項１の定義と同じである。）
前記式（３）で表される繰り返し単位構造の少なくとも一部が、下記式（３－１）で表わされる、請求項５に記載のポリマー。

（式中、Ｚは請求項５の定義と同じである。）
前記式（３）において、Ｚは下記式（４ａ）乃至式（４ｍ）からなる群から選択される一種又は二種以上の２価の基を表す、請求項５に記載のポリマー。

（式中、黒丸「・」はベンゼン環との結合手を表す。）
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のポリマー及び溶媒を含む非感光性絶縁膜形成組成物。
さらに架橋剤を含む請求項８に記載の非感光性絶縁膜形成組成物。
前記架橋剤がビスマレイミド化合物である請求項９に記載の非感光性絶縁膜形成組成物。
請求項８～１０のいずれか一項に記載の非感光性絶縁膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物である、非感光性絶縁膜。