JP2024019972A - Insulating substrate, manufacturing method of insulating substrate, and thermal print head - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、絶縁基板、絶縁基板の製造方法及びサーマルプリントヘッドに関する。 The present disclosure relates to an insulating substrate, a method for manufacturing the insulating substrate, and a thermal print head.
例えば、特開2022-78589号公報(特許文献1)には、サーマルプリントヘッドが記載されている。特許文献1に記載のサーマルプリントヘッドには、絶縁基板が用いられる。絶縁基板は、セラミック層と、グレーズ層と、金属層とを有している。グレーズ層は、セラミック層の主面上に配置されている。金属層は、グレーズ層上に配置されている。金属層は、パターンニングされることにより、特許文献1に記載のサーマルプリントヘッドの共通電極及び複数の個別電極になる。 For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2022-78589 (Patent Document 1) describes a thermal print head. The thermal print head described in Patent Document 1 uses an insulating substrate. The insulating substrate has a ceramic layer, a glaze layer, and a metal layer. A glaze layer is disposed on the main surface of the ceramic layer. A metal layer is disposed on the glaze layer. The metal layer becomes a common electrode and a plurality of individual electrodes of the thermal print head described in Patent Document 1 by being patterned.
複数の個別電極の各々は、ボンディングパッドを有している。隣り合う2つのボンディングパッドを、それぞれ第1ボンディングパッド及び第2ボンディングパッドとする。第1ボンディングパッド及び第2ボンディングパッドに対しては、ドライバICとの接続のために、ワイヤボンディングが行われる。 Each of the plurality of individual electrodes has a bonding pad. Two adjacent bonding pads are defined as a first bonding pad and a second bonding pad, respectively. Wire bonding is performed on the first bonding pad and the second bonding pad for connection to the driver IC.
第1ボンディングパッドと第2ボンディングパッドとの間の間隔が短くなると、第1ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤ及び第2ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤが、互いに干渉してしまうことがある。そのため、第1ボンディングパッドと第2ボンディングパッドとの間隔を小さくすることは、困難である。 When the distance between the first bonding pad and the second bonding pad becomes short, the bonding wire connected to the first bonding pad and the bonding wire connected to the second bonding pad may interfere with each other. Therefore, it is difficult to reduce the distance between the first bonding pad and the second bonding pad.
本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、サーマルプリントヘッドの製造に用いた際に隣り合う個別電極のボンディングパッドの間の間隔を小さくすることが可能な絶縁基板を提供するものである。 The present disclosure has been made in view of the above problems. More specifically, the present invention provides an insulating substrate that can reduce the distance between bonding pads of adjacent individual electrodes when used for manufacturing a thermal print head.
本開示の絶縁基板は、主面を有するセラミック層と、主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、隆起部を覆うように主面上に配置されているグレーズ層とを備える。隆起部の頂面は、平坦になっている。隆起部の構成材料の融点は、グレーズ層の焼成温度よりも高い。 An insulating substrate of the present disclosure includes a ceramic layer having a main surface, a raised portion disposed on the main surface and extending linearly in a first direction in a plan view, and covering the raised portion. and a glaze layer disposed on the main surface. The top surface of the ridge is flat. The melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer.
本開示の絶縁基板によると、サーマルプリントヘッドの製造に用いた際に隣り合う個別電極のボンディングパッドの間の間隔を小さくすることが可能である。 According to the insulating substrate of the present disclosure, when used for manufacturing a thermal print head, it is possible to reduce the distance between bonding pads of adjacent individual electrodes.
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。実施形態に係る絶縁基板を絶縁基板100とし、実施形態に係るサーマルプリントヘッドをサーマルプリントヘッド200とする。
Details of embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts, and overlapping descriptions will not be repeated. The insulating substrate according to the embodiment will be referred to as an
(絶縁基板100の構成)
以下に、絶縁基板100の構成を説明する。
(Configuration of insulating substrate 100)
The configuration of the
図1は、絶縁基板100の平面図である。図2は、図1中のII-IIにおける断面図である。図1及び図2に示されるように、絶縁基板100は、セラミック層10と、隆起部20と、グレーズ層30と、金属層40とを有している。
FIG. 1 is a plan view of the
セラミック層10は、主面10aと、主面10bとを有している。主面10a及び主面10bは、セラミック層10の厚さ方向における端面である。主面10bは、主面10aの反対面である。セラミック層10は、平面視において、例えば矩形状である。平面視とは、主面10aの法線方向に沿って主面10a側から見た場合を言う。平面視におけるセラミック層10の長手方向を、第1方向DR1とする。平面視における第1方向DR1に直交している方向を、第2方向DR2とする。
セラミック層10は、例えば、アルミナ(Al2O3)等のセラミックを主成分とする材料で形成されている。セラミックを主成分とする材料で形成されているとは、セラミック層10の構成材料中におけるセラミックの含有量が50質量パーセント超であることを言う。なお、セラミック層10の構成材料中におけるセラミックの含有量は、70質量パーセント以上であってもよく、80質量パーセント以上であってもよい。
The
隆起部20は、主面10a上に配置されている。隆起部20は、平面視において、直線状に延在している。隆起部20は、例えば、第1方向DR1に沿って延在している。隆起部20の数は、複数であってもよい。複数の隆起部20は、平面視において、第2方向DR2において間隔を空けて並んでいる。隣り合う2つの隆起部20の間の間隔は、例えば一定である。
The raised
隆起部20は、例えばセラミック材料で形成されている。隆起部20を構成しているセラミック材料の融点は、グレーズ層30の焼成温度よりも高い。より具体的には、隆起部20を構成しているセラミック材料の融点は、例えば1250℃よりも高い。隆起部20を構成しているセラミック材料の具体例としては、アルミナが挙げられる。隆起部20の構成材料は、セラミック材料に限られない。隆起部20は、金属材料で形成されていてもよい。隆起部20を構成しているセラミック材料の融点は、グレーズ層30の焼成温度よりも高い(1250℃よりも高い)。
The raised
隆起部20は、頂面21を有している。頂面21は、平坦になっている。但し、頂面21は、完全な平面である必要はない。頂面21は、グレーズ層30を介在させて頂面21上に配置されるボンディングパッド52bがワイヤボンディング可能な程度に平坦になっていればよい。第2方向DR2における隆起部20の幅を、幅Wとする。幅Wは、例えば100μm以上である。隆起部20の高さを、高さHとする。高さHは、主面10aと頂面21との間の距離の最大値である。高さHは、例えば10μm以上である。
The raised
グレーズ層30は、隆起部20を覆うように、主面10a上に配置されている。グレーズ層30は、例えば、ガラスを主成分とする材料で形成されている。ガラスを主成分とする材料で形成されているとは、グレーズ層30の構成材料中におけるガラスの含有量が50質量パーセント超であることを言う。なお、グレーズ層30の構成材料中におけるガラスの含有量は、70質量パーセント以上であってもよく、80質量パーセント以上であってもよい。
The
金属層40は、グレーズ層30上に配置されている。金属層40は、金属材料で形成されている。金属層40は、例えば、金(Au)で形成されている。図示されていないが、金属層40は、複数の層で構成されていてもよい。
(絶縁基板100の製造方法)
以下に、絶縁基板100の製造方法を説明する。
(Method for manufacturing insulating substrate 100)
A method for manufacturing the insulating
図3は、絶縁基板100の製造工程図である。図3に示されるように、絶縁基板100の製造方法は、準備工程S1と、隆起部形成工程S2と、グレーズ層形成工程S3と、金属層形成工程S4とを有している。準備工程S1では、セラミック層10が準備される。準備工程S1において準備されるセラミック層10では、隆起部20、グレーズ層30及び金属層40が形成されていない。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the insulating
隆起部形成工程S2は、準備工程S1の後に行われる。隆起部形成工程S2では、隆起部20が形成される。隆起部20の形成には、例えば、3Dプリンタが用いられる。隆起部20の形成に用いられる3Dプリンタは、例えば、FDM(Fused Deposition Modeling)式の3Dプリンタである。隆起部20の形成では、第1に、バインダ及び当該バインダ中に混合されている隆起部20の構成材料の粉末を含むペーストが、主面10a上に印刷される。
The protuberance forming step S2 is performed after the preparatory step S1. In the raised portion forming step S2, raised
第2に、主面10a上に印刷されたペースト中のバインダが除去される。第3に、炉中においてバインダ除去後のペーストが加熱されることにより、隆起部20の構成材料の粉末が焼結され、隆起部20となる。隆起部20の形成に用いられる3Dプリンタは、ペレット式の3Dプリンタであってもよい。なお、隆起部20の構成材料を含むペーストの印刷には、3Dプリンタに代えてディスペンサが用いられてもよい。
Second, the binder in the paste printed on the
グレーズ層形成工程S3は、隆起部形成工程S2の後に行われる。グレーズ層形成工程S3では、主面10a上に、隆起部20を覆うようにグレーズ層30が形成される。グレーズ層30の形成では、第1に、ガラスを含有するペーストが、隆起部20を覆うように主面10a上に塗布される。第2に、主面10a上にペーストが塗布されたペーストの焼成が行われる。これにより、ペースト中の溶剤が蒸発されるとともにペースト中のガラスが互いに結合されることにより、グレーズ層30が形成される。なお、グレーズ層30の焼成温度よりも隆起部20の構成材料の融点の方が高いため、グレーズ層30を焼成する際に隆起部20は溶融されない。
The glaze layer forming step S3 is performed after the raised portion forming step S2. In the glaze layer forming step S3, the
金属層形成工程S4は、グレーズ層形成工程S3の後に行われる。金属層形成工程S4では、グレーズ層30上に金属層40が形成される。金属層40は、例えば、金属層40の構成材料を含むレジネートペーストをグレーズ層30上に塗布するとともに当該レジネートペーストを焼成することにより形成される。但し、金属層40の形成方法は、これに限られるものではない。以上により、図1及び図2に示される構造の絶縁基板100が形成されることになる。
The metal layer forming step S4 is performed after the glaze layer forming step S3. In the metal layer forming step S4, a
<変形例>
図4は、変形例に係る絶縁基板100の断面図である。図4に示されるように、頂面21は、第1部分21aと、第2部分21bとを有している。第1部分21a及び第2部分21bは、第2方向DR2において隣り合っている。第1部分21aと主面10aとの間の距離を距離DIS1とし、第2部分21bと主面10bとの間の距離を距離DIS2とする。距離DIS1は、距離DIS2よりも小さい。このことを別の観点から言えば、頂面21は、第1部分21aと第2部分21bとの境界に段差を有している。
<Modified example>
FIG. 4 is a cross-sectional view of an insulating
この例では、頂面21が2つの部分を有し、当該2つの部分の間に段差がある場合を示した。しかしながら、頂面21は、3以上の部分を有し、当該3つの部分のうちの隣り合う2つの間に段差があってもよい。
In this example, the
(サーマルプリントヘッド200の構成)
以下に、サーマルプリントヘッド200の構成を説明する。
(Configuration of thermal print head 200)
The configuration of the
図5は、サーマルプリントヘッド200の平面図である。図6は、図5中のVI-VIにおける断面図である。図7は、図5中のVII-VIIにおける断面図である。図5から図7に示されているように、サーマルプリントヘッド200は、セラミック層10と、隆起部20と、グレーズ層30と、共通電極51と、複数の個別電極52と、発熱体60とを有している。
FIG. 5 is a plan view of the
セラミック層10の平面視における外周縁は、第1辺10cと、第2辺10dとを有している。第1辺10c及び第2辺10dは、第1方向DR1に沿っている。平面視において、隆起部20は、第1辺10cよりも第2辺10dの近くにある。
The outer peripheral edge of the
共通電極51は、グレーズ層30上に配置されている。共通電極51は、本体部51aと、複数の突出部51bとを有している。本体部51aは、第1方向DR1に沿って延在している。平面視において、本体部51aは、第2辺10dよりも第1辺10cの近くにある。突出部51bは、本体部51aの第2辺10d側を向いている辺から、第2方向DR2に突出している。複数の突出部51bは、第1方向DR1において間隔を空けて並んでいる。共通電極51は、金属材料で形成されている。共通電極51は、例えば、金で形成されている。
個別電極52は、グレーズ層30上に配置されている。複数の個別電極52の各々は、互いに離間するように配置されている。個別電極52は、一方端において先端部52aを有しており、他方端においてボンディングパッド52bを有している。先端部52aは、第1方向DR1において隣り合う2つの突出部51bの間に配置されている。すなわち、突出部51b及び先端部52aは、第1方向DR1において交互に並んでいる。ボンディングパッド52bには、ドライバIC70(図11参照)が電気的に接続される。個別電極52は、共通電極51と同一材料で形成されている。
第1方向DR1において隣り合う2つのボンディングパッド52bを、それぞれボンディングパッド52ba及びボンディングパッド52bbとする。ボンディングパッド52baは、グレーズ層30を介在させて、頂面21上に配置されている。ボンディングパッド52bbは、グレーズ層30を介在させて、第2辺10d側から隆起部20に隣り合っている主面10aの部分上に配置されている。
Two
発熱体60は、第1方向DR1に延在している。発熱体60は、グレーズ層30上に配置されている部分と、突出部51b上に配置されている部分と、先端部52a上に配置されている部分とを有している。これらの部分は、互いに連続している。これにより、発熱体60は、突出部51bと先端部52aとを電気的に接続している。発熱体60は、ガラスと、ガラス中に混入されている複数の導電粒子とを有している。導電粒子は、例えば、酸化ルテニウム(RuO2)で形成されている。ドライバIC70により、個別電極52に対して選択的に電圧が印加される。これにより、電圧が印加された個別電極52の先端部52aとその隣にある突出部51bとを電気的に接続している発熱体60の部分に電流が流れ、当該部分が抵抗発熱する。
The
図示されていないが、グレーズ層30上には第1配線が配置されている。第1配線は、例えば銀(Ag)で形成されており、共通電極51(本体部51a)に電気的に接続されている。また、図示されていないが、第1配線上には、第2配線が配置されている。第2配線は、例えば銀で形成されている。さらに、図示されていないが、サーマルプリントヘッド200は、共通電極51、個別電極52、発熱体60、第1配線及び第2配線を覆う保護ガラスを有している。なお、保護ガラスからは、ボンディングパッド52bが露出している。
Although not shown, a first wiring is arranged on the
<変形例>
図8は、変形例に係るサーマルプリントヘッド200の平面図である。図9は、図8中のIX-IXにおける断面図である。隣り合う3つのボンディングパッド52bを、それぞれボンディングパッド52bc、ボンディングパッド52bd及びボンディングパッド52beとする。図8及び図9に示されるように、第1方向DR1において、ボンディングパッド52bdは、ボンディングパッド52bcとボンディングパッド52beとの間にある。
<Modified example>
FIG. 8 is a plan view of a
ボンディングパッド52bcは、グレーズ層30を介在させて、第2辺10d側から隆起部20に隣り合っている主面10aの部分上に配置されている。ボンディングパッド52bdは、グレーズ層30を介在させて第1部分21a上に配置されている。ボンディングパッド52beは、グレーズ層30を介在させて第2部分21b上に配置されている。なお、第1部分21aは、第2辺10d側から第2部分21bに隣り合っている。
The bonding pad 52bc is arranged on a portion of the
(サーマルプリントヘッド200の製造方法)
図10は、サーマルプリントヘッド200の製造方法を示す工程図である。図10に示されるように、サーマルプリントヘッド200の製造方法は、準備工程S5と、配線パターンニング工程S6と、第1配線形成工程S7と、発熱体形成工程S8と、第2配線形成工程S9と、保護ガラス形成工程S10と、個片化工程S11とを有している。
(Method for manufacturing thermal print head 200)
FIG. 10 is a process diagram showing a method for manufacturing the
準備工程S5では、絶縁基板100が準備される。配線パターンニング工程S6は、準備工程S5の後に行われる。配線パターンニング工程S6では、金属層40がパターンニングされることにより、共通電極51及び複数の個別電極52が形成される。配線パターンニング工程S6では、第1に、金属層40上にフォトレジストが塗布される。フォトレジストは、例えば、ロールコータを用いて塗布される。第2に、金属層40上に塗布されたフォトレジストが露光される。露光は、例えば、ガラスマスクを用いてUV(Ultra Violet)光を部分的にフォトレジストに照射することにより行われる。UV光が照射された部分のフォトレジストは、変質される。第3に、露光により変質されたフォトレジストの部分を溶解除去することにより、レジストパターンが形成される。第4に、レジストパターンをマスクとして金属層40をエッチングすることにより、共通電極51及び複数の個別電極52が形成される。なお、レジストパターンは、金属層40のエッチング後に溶解除去される。
In the preparation step S5, the insulating
第1配線形成工程S7は、配線パターンニング工程S6の後に行われる。第1配線形成工程S7では、第1配線が形成される。第1配線は、複数の銀粒子を含む導電性ペーストを塗布するとともに、塗布された導電性ペーストを焼成することにより形成される。 The first wiring forming step S7 is performed after the wiring patterning step S6. In the first wiring formation step S7, a first wiring is formed. The first wiring is formed by applying a conductive paste containing a plurality of silver particles and firing the applied conductive paste.
発熱体形成工程S8は、第1配線形成工程S7の後に行われる。発熱体形成工程S8では、発熱体60が形成される。発熱体60は、ガラス及び複数の酸化ルテニウム粒子を含む導電性ペーストを塗布するとともに、塗布された導電性ペーストを焼成することにより形成される。第2配線形成工程S9は、発熱体形成工程S8の後に行われる。第2配線形成工程S9では、第2配線が形成される。第2配線は、複数の銀粒子を含む導電性ペーストを塗布するとともに、塗布された導電性ペーストを焼成することにより形成される。
The heating element forming step S8 is performed after the first wiring forming step S7. In the heating element forming step S8, the
保護ガラス形成工程S10は、第2配線形成工程S9の後に行われる。保護ガラス形成工程S10では、保護ガラスが形成される。保護ガラスは、ガラスのペーストを共通電極51、複数の個別電極52、第1配線、発熱体60及び第2配線を覆うように塗布するとともに塗布されたガラスのペーストを焼成することにより形成される。個片化工程S11は、保護ガラス形成工程S10の後に行われる。個片化工程S11では、例えば隣り合う2つのサーマルプリントヘッド200の境界に沿ってレーザを照射することにより、複数のサーマルプリントヘッド200が得られる。
The protective glass forming step S10 is performed after the second wiring forming step S9. In the protective glass forming step S10, a protective glass is formed. The protective glass is formed by applying a glass paste to cover the
(絶縁基板100及びサーマルプリントヘッド200の効果)
以下に、絶縁基板100及びサーマルプリントヘッド200の効果を説明する。
(Effects of insulating
The effects of the insulating
図11は、ボンディングワイヤ80が接続された状態のサーマルプリントヘッド200の断面図である。図11に示されているように、ドライバIC70は、複数のボンディングパッド71を有している。
FIG. 11 is a cross-sectional view of the
ボンディングワイヤ80の一方端は、ボンディングパッド71に接合されている。ボンディングワイヤ80の他方端は、ボンディングパッド52bに接合されている。なお、ボンディングワイヤ80の一方端とボンディングパッド71との接合は例えばボールボンディングであり、ボンディングワイヤ80の他方端とボンディングパッド52bとの接合は例えばウェッジボンディングである。
One end of the
サーマルプリントヘッド200は、隆起部20を有する絶縁基板100を用いて形成されている。そのため、サーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52baがグレーズ層30を介在させて頂面21上に配置され、ボンディングパッド52bbがグレーズ層30を介在させて隆起部20に隣り合う主面10aの部分上に配置される。すなわち、サーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52baの高さ位置とボンディングパッド52bbの高さ位置とを異ならせることができる。
The
その結果、サーマルプリントヘッド200によると、第1方向DR1におけるボンディングパッド52baとボンディングパッド52bbとの間の間隔を小さくしても、ボンディングパッド52baに接合されるボンディングワイヤ80がボンディングパッド52bbに接合されるボンディングワイヤ80と干渉することが抑制される。
As a result, according to the
また、仮にサーマルプリントヘッド200が隆起部20を有しない場合、すなわちボンディングパッド52baの高さ位置とボンディングパッド52bbの高さ位置とが異ならない場合、第2方向DR2におけるボンディングパッド52baとボンディングパッド52bbとの間の距離を大きくする必要がある。すなわち、この場合、ボンディングパッド52baに接続されるボンディングワイヤ80を長くする必要がある。しかしながら、サーマルプリントヘッド200では、隆起部20によりボンディングパッド52baの高さ位置とボンディングパッド52bbの高さ位置とを異なっているため、上記の場合と比較してボンディングパッド52baに接続されるボンディングワイヤ80を短くすることが可能である。
Further, if the
図12は、ボンディングワイヤ80が接続された状態の変形例に係るサーマルプリントヘッド200の断面図である。図12に示されるように、変形例に係るサーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52bcの高さ位置とボンディングパッド52bdとの高さ位置とが異なっているとともに、ボンディングパッド52bdとボンディングパッド52beの高さ位置とが異なっている。そのため、変形例に係るサーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52bcとボンディングパッド52bdとの間の間隔及びボンディングパッド52bdとボンディングパッド52beとの間隔を小さくしても、ボンディングパッド52bcに接合されるボンディングワイヤ80とボンディングパッド52bdに接合されるボンディングワイヤ80との干渉及びボンディングパッド52bdに接合されるボンディングワイヤ80とボンディングパッド52beに接合されるボンディングワイヤ80との干渉を抑制できる。また、この場合、ボンディングパッド52bdに接合されるボンディングワイヤ80及びボンディングパッド52beに接合されるボンディングワイヤ80を短くすることができる。
FIG. 12 is a cross-sectional view of a
なお、セラミック層10は加工が難しいため、セラミック層10を加工することにより隆起部20に相当する構成を形成することは困難である。また、グレーズ層30を加工して隆起部20に相当する構成を形成しようとすると、グレーズ層30を厚く形成する必要があるとともにグレーズ層30に対するエッチングを行う必要があるため、製造コストが増大する。この場合、上記のエッチングにフッ酸等の有毒性の高い薬品を用いる必要もある。他方で、絶縁基板100では、隆起部20が3Dプリンタ又はディスペンサを用いて形成されるため、製造コストの増大を抑制できるとともに、有毒性の高い薬品の使用を回避することができる。
Note that since the
(付記)
以下に、本開示の実施形態に係る構成を付記する。
(Additional note)
Below, configurations according to embodiments of the present disclosure will be additionally described.
<付記1>
主面を有するセラミック層と、
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板。
<Additional note 1>
a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion,
The top surface of the raised portion is flat,
The insulating substrate may have a melting point of a constituent material of the raised portions higher than a firing temperature of the glaze layer.
<付記2>
前記構成材料は、セラミック材料である、付記1に記載の絶縁基板。
<Additional note 2>
The insulating substrate according to supplementary note 1, wherein the constituent material is a ceramic material.
<付記3>
第2方向における前記隆起部の幅は、100μm以上であり、
前記第2方向は、平面視において前記第1方向に直交している、付記1又は付記2に記載の絶縁基板。
<Additional note 3>
The width of the raised portion in the second direction is 100 μm or more,
The insulating substrate according to appendix 1 or 2, wherein the second direction is orthogonal to the first direction in plan view.
<付記4>
前記隆起部の高さは、10μm以上である、付記1から付記3のいずれかに記載の絶縁基板。
<Additional note 4>
The insulating substrate according to any one of Supplementary Notes 1 to 3, wherein the height of the raised portion is 10 μm or more.
<付記5>
前記融点は、1250℃よりも高い、付記1から付記4のいずれかに記載の絶縁基板。
<Additional note 5>
The insulating substrate according to any one of Supplementary Notes 1 to 4, wherein the melting point is higher than 1250°C.
<付記6>
主面を有するセラミック層を準備する工程と、
前記主面上に平面視において直線状に延在するように隆起部を形成する工程と、
前記隆起部を覆うように前記主面上にグレーズ層を形成する工程とを備え、
前記隆起部は、3Dプリンタ又はディスペンサを用いて形成され、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板の製造方法。
<Additional note 6>
preparing a ceramic layer having a major surface;
forming a raised portion on the main surface so as to extend linearly in plan view;
forming a glaze layer on the main surface so as to cover the raised portion,
The raised portion is formed using a 3D printer or a dispenser,
The top surface of the raised portion is flat,
The method for manufacturing an insulating substrate, wherein the melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer.
<付記7>
主面を有するセラミック層と、
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層と、
前記グレーズ層上に配置されている共通電極と、
前記グレーズ層上に配置されている第1個別電極及び第2個別電極と、
前記第1個別電極及び前記第2個別電極と前記共通電極とを電気的に接続している発熱体とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高く、
前記第1個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記頂面上に配置されている第1ボンディングパッドを有し、
前記第2個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記隆起部の隣にある前記主面の部分上に配置されている第2ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドは、前記第1方向において隣り合って並んでいる、サーマルプリントヘッド。
<Additional note 7>
a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion;
a common electrode disposed on the glaze layer;
a first individual electrode and a second individual electrode disposed on the glaze layer;
comprising a heating element electrically connecting the first individual electrode, the second individual electrode, and the common electrode,
The top surface of the raised portion is flat,
The melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer,
The first individual electrode has a first bonding pad disposed on the top surface with the glaze layer interposed therebetween;
The second individual electrode has a second bonding pad disposed on a portion of the main surface adjacent to the raised portion with the glaze layer interposed therebetween;
The first bonding pad and the second bonding pad are arranged next to each other in the first direction.
<付記8>
ドライバICと、
第1ボンディングワイヤ及び第2ボンディングワイヤをさらに備え、
前記ドライバICは、第3ボンディングパッド及び第4ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングワイヤの一方端及び前記第2ボンディングワイヤの一方端は、それぞれ前記第3ボンディングパッド及び前記第4ボンディングパッドにボールボンディングされており、
前記第1ボンディングワイヤの他方端及び前記第2ボンディングワイヤの他方端は、それぞれ前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドにウェッジボンディングされている、付記7に記載のサーマルプリントヘッド。
<Additional note 8>
driver IC and
further comprising a first bonding wire and a second bonding wire,
The driver IC has a third bonding pad and a fourth bonding pad,
One end of the first bonding wire and one end of the second bonding wire are ball-bonded to the third bonding pad and the fourth bonding pad, respectively,
The thermal print head according to appendix 7, wherein the other end of the first bonding wire and the other end of the second bonding wire are wedge-bonded to the first bonding pad and the second bonding pad, respectively.
以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the embodiments described above can be modified in various ways. Moreover, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is intended to include all changes within the meaning and scope equivalent to the claims.
10 セラミック層、10a,10b 主面、10c 第1辺、10d 第2辺、20 隆起部、21 頂面、21a 第1部分、21b 第2部分、30 グレーズ層、40 金属層、51 共通電極、51a 本体部、51b 突出部、52 個別電極、52a 先端部、52b,52ba,52bb,52bc,52bd,52be ボンディングパッド、60 発熱体、70 ドライバIC、71 ボンディングパッド、80 ボンディングワイヤ、100 絶縁基板、200 サーマルプリントヘッド、DIS1,DIS2 距離、DR1 第1方向、DR2 第2方向、H 高さ、S1 準備工程、S2 隆起部形成工程、S3 グレーズ層形成工程、S4 金属層形成工程、S5 準備工程、S6 配線パターンニング工程、S7 第1配線形成工程、S8 発熱体形成工程、S9 第2配線形成工程、S10 保護ガラス形成工程、S11 個片化工程、W 幅。
Claims (8)
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板。 a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion,
The top surface of the raised portion is flat,
The insulating substrate may have a melting point of a constituent material of the raised portions higher than a firing temperature of the glaze layer.
前記第2方向は、平面視において前記第1方向に直交している、請求項1に記載の絶縁基板。 The width of the raised portion in the second direction is 100 μm or more,
The insulating substrate according to claim 1, wherein the second direction is orthogonal to the first direction in plan view.
前記主面上に平面視において直線状に延在するように隆起部を形成する工程と、
前記隆起部を覆うように前記主面上にグレーズ層を形成する工程とを備え、
前記隆起部は、3Dプリンタ又はディスペンサを用いて形成され、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板の製造方法。 preparing a ceramic layer having a major surface;
forming a raised portion on the main surface so as to extend linearly in plan view;
forming a glaze layer on the main surface so as to cover the raised portion,
The raised portion is formed using a 3D printer or a dispenser,
The top surface of the raised portion is flat,
The method for manufacturing an insulating substrate, wherein the melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer.
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層と、
前記グレーズ層上に配置されている共通電極と、
前記グレーズ層上に配置されている第1個別電極及び第2個別電極と、
前記第1個別電極及び前記第2個別電極と前記共通電極とを電気的に接続している発熱体とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高く、
前記第1個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記頂面上に配置されている第1ボンディングパッドを有し、
前記第2個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記隆起部の隣にある前記主面の部分上に配置されている第2ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドは、前記第1方向において隣り合って並んでいる、サーマルプリントヘッド。 a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion;
a common electrode disposed on the glaze layer;
a first individual electrode and a second individual electrode disposed on the glaze layer;
comprising a heating element electrically connecting the first individual electrode, the second individual electrode, and the common electrode,
The top surface of the raised portion is flat,
The melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer,
The first individual electrode has a first bonding pad disposed on the top surface with the glaze layer interposed therebetween;
The second individual electrode has a second bonding pad disposed on a portion of the main surface adjacent to the raised portion with the glaze layer interposed therebetween;
The first bonding pad and the second bonding pad are arranged next to each other in the first direction.
第1ボンディングワイヤ及び第2ボンディングワイヤをさらに備え、
前記ドライバICは、第3ボンディングパッド及び第4ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングワイヤの一方端及び前記第2ボンディングワイヤの一方端は、それぞれ前記第3ボンディングパッド及び前記第4ボンディングパッドにボールボンディングされており、
前記第1ボンディングワイヤの他方端及び前記第2ボンディングワイヤの他方端は、それぞれ前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドにウェッジボンディングされている、請求項7に記載のサーマルプリントヘッド。
driver IC and
further comprising a first bonding wire and a second bonding wire,
The driver IC has a third bonding pad and a fourth bonding pad,
One end of the first bonding wire and one end of the second bonding wire are ball-bonded to the third bonding pad and the fourth bonding pad, respectively,
The thermal print head according to claim 7, wherein the other end of the first bonding wire and the other end of the second bonding wire are wedge-bonded to the first bonding pad and the second bonding pad, respectively.
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JP2022122784A JP2024019972A (en) | 2022-08-01 | 2022-08-01 | Insulating substrate, manufacturing method of insulating substrate, and thermal print head |
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