JP2024019972A - Insulating substrate, manufacturing method of insulating substrate, and thermal print head - Google Patents

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Goro Nakaya
真澄 奥村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an insulating substrate which is capable of reducing an interval between bonding pads of individual electrodes adjacent to each other when used for manufacturing a thermal print head.
SOLUTION: An insulating substrate 100 comprises: a ceramic layer 10 with a main surface 10a; a protrusion part 20 which is arranged on the main surface 10a, and extends linearly along a first direction DR1 in plan view; and a glaze layer 30 arranged on the main surface 10a so as to cover the protrusion part 20. A top face 21 of the protrusion part 20 is flat. A melting point of a constituent material of the protrusion part 20 is higher than a burning temperature of the glaze layer 30.
SELECTED DRAWING: Figure 2
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本開示は、絶縁基板、絶縁基板の製造方法及びサーマルプリントヘッドに関する。 The present disclosure relates to an insulating substrate, a method for manufacturing the insulating substrate, and a thermal print head.

例えば、特開2022-78589号公報(特許文献1)には、サーマルプリントヘッドが記載されている。特許文献1に記載のサーマルプリントヘッドには、絶縁基板が用いられる。絶縁基板は、セラミック層と、グレーズ層と、金属層とを有している。グレーズ層は、セラミック層の主面上に配置されている。金属層は、グレーズ層上に配置されている。金属層は、パターンニングされることにより、特許文献1に記載のサーマルプリントヘッドの共通電極及び複数の個別電極になる。 For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2022-78589 (Patent Document 1) describes a thermal print head. The thermal print head described in Patent Document 1 uses an insulating substrate. The insulating substrate has a ceramic layer, a glaze layer, and a metal layer. A glaze layer is disposed on the main surface of the ceramic layer. A metal layer is disposed on the glaze layer. The metal layer becomes a common electrode and a plurality of individual electrodes of the thermal print head described in Patent Document 1 by being patterned.

特開2022-78589号公報Japanese Patent Application Publication No. 2022-78589

複数の個別電極の各々は、ボンディングパッドを有している。隣り合う2つのボンディングパッドを、それぞれ第1ボンディングパッド及び第2ボンディングパッドとする。第1ボンディングパッド及び第2ボンディングパッドに対しては、ドライバICとの接続のために、ワイヤボンディングが行われる。 Each of the plurality of individual electrodes has a bonding pad. Two adjacent bonding pads are defined as a first bonding pad and a second bonding pad, respectively. Wire bonding is performed on the first bonding pad and the second bonding pad for connection to the driver IC.

第1ボンディングパッドと第2ボンディングパッドとの間の間隔が短くなると、第1ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤ及び第2ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤが、互いに干渉してしまうことがある。そのため、第1ボンディングパッドと第2ボンディングパッドとの間隔を小さくすることは、困難である。 When the distance between the first bonding pad and the second bonding pad becomes short, the bonding wire connected to the first bonding pad and the bonding wire connected to the second bonding pad may interfere with each other. Therefore, it is difficult to reduce the distance between the first bonding pad and the second bonding pad.

本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、サーマルプリントヘッドの製造に用いた際に隣り合う個別電極のボンディングパッドの間の間隔を小さくすることが可能な絶縁基板を提供するものである。 The present disclosure has been made in view of the above problems. More specifically, the present invention provides an insulating substrate that can reduce the distance between bonding pads of adjacent individual electrodes when used for manufacturing a thermal print head.

本開示の絶縁基板は、主面を有するセラミック層と、主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、隆起部を覆うように主面上に配置されているグレーズ層とを備える。隆起部の頂面は、平坦になっている。隆起部の構成材料の融点は、グレーズ層の焼成温度よりも高い。 An insulating substrate of the present disclosure includes a ceramic layer having a main surface, a raised portion disposed on the main surface and extending linearly in a first direction in a plan view, and covering the raised portion. and a glaze layer disposed on the main surface. The top surface of the ridge is flat. The melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer.

本開示の絶縁基板によると、サーマルプリントヘッドの製造に用いた際に隣り合う個別電極のボンディングパッドの間の間隔を小さくすることが可能である。 According to the insulating substrate of the present disclosure, when used for manufacturing a thermal print head, it is possible to reduce the distance between bonding pads of adjacent individual electrodes.

絶縁基板100の平面図である。1 is a plan view of an insulating substrate 100. FIG. 図1中のII-IIにおける断面図である。2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. 1. FIG. 絶縁基板100の製造工程図である。3 is a manufacturing process diagram of the insulating substrate 100. FIG. 変形例に係る絶縁基板100の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an insulating substrate 100 according to a modification. サーマルプリントヘッド200の平面図である。2 is a plan view of a thermal print head 200. FIG. 図5中のVI-VIにおける断面図である。6 is a sectional view taken along VI-VI in FIG. 5. FIG. 図5中のVII-VIIにおける断面図である。6 is a sectional view taken along VII-VII in FIG. 5. FIG. 変形例に係るサーマルプリントヘッド200の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a thermal print head 200 according to a modified example. 図8中のIX-IXにおける断面図である。9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. 8. FIG. サーマルプリントヘッド200の製造方法を示す工程図である。FIG. 2 is a process diagram showing a method for manufacturing a thermal print head 200. FIG. ボンディングワイヤ80が接続された状態のサーマルプリントヘッド200の断面図である。3 is a cross-sectional view of the thermal print head 200 with a bonding wire 80 connected thereto. FIG. ボンディングワイヤ80が接続された状態の変形例に係るサーマルプリントヘッド200の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a thermal print head 200 according to a modified example in a state where a bonding wire 80 is connected.

本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。実施形態に係る絶縁基板を絶縁基板100とし、実施形態に係るサーマルプリントヘッドをサーマルプリントヘッド200とする。 Details of embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts, and overlapping descriptions will not be repeated. The insulating substrate according to the embodiment will be referred to as an insulating substrate 100, and the thermal print head according to the embodiment will be referred to as a thermal print head 200.

(絶縁基板100の構成)
以下に、絶縁基板100の構成を説明する。
(Configuration of insulating substrate 100)
The configuration of the insulating substrate 100 will be explained below.

図1は、絶縁基板100の平面図である。図2は、図1中のII-IIにおける断面図である。図1及び図2に示されるように、絶縁基板100は、セラミック層10と、隆起部20と、グレーズ層30と、金属層40とを有している。 FIG. 1 is a plan view of the insulating substrate 100. FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the insulating substrate 100 includes a ceramic layer 10, a raised portion 20, a glaze layer 30, and a metal layer 40.

セラミック層10は、主面10aと、主面10bとを有している。主面10a及び主面10bは、セラミック層10の厚さ方向における端面である。主面10bは、主面10aの反対面である。セラミック層10は、平面視において、例えば矩形状である。平面視とは、主面10aの法線方向に沿って主面10a側から見た場合を言う。平面視におけるセラミック層10の長手方向を、第1方向DR1とする。平面視における第1方向DR1に直交している方向を、第2方向DR2とする。 Ceramic layer 10 has main surface 10a and main surface 10b. The main surface 10a and the main surface 10b are end surfaces of the ceramic layer 10 in the thickness direction. Main surface 10b is the opposite surface to main surface 10a. The ceramic layer 10 has, for example, a rectangular shape in plan view. Planar view refers to the case viewed from the main surface 10a side along the normal direction of the main surface 10a. The longitudinal direction of the ceramic layer 10 in plan view is defined as a first direction DR1. A direction perpendicular to the first direction DR1 in plan view is referred to as a second direction DR2.

セラミック層10は、例えば、アルミナ(Al)等のセラミックを主成分とする材料で形成されている。セラミックを主成分とする材料で形成されているとは、セラミック層10の構成材料中におけるセラミックの含有量が50質量パーセント超であることを言う。なお、セラミック層10の構成材料中におけるセラミックの含有量は、70質量パーセント以上であってもよく、80質量パーセント以上であってもよい。 The ceramic layer 10 is made of, for example, a material whose main component is ceramic such as alumina (Al 2 O 3 ). The phrase "made of a material containing ceramic as a main component" means that the content of ceramic in the constituent material of the ceramic layer 10 is more than 50% by mass. Note that the content of ceramic in the constituent material of the ceramic layer 10 may be 70% by mass or more, or may be 80% by mass or more.

隆起部20は、主面10a上に配置されている。隆起部20は、平面視において、直線状に延在している。隆起部20は、例えば、第1方向DR1に沿って延在している。隆起部20の数は、複数であってもよい。複数の隆起部20は、平面視において、第2方向DR2において間隔を空けて並んでいる。隣り合う2つの隆起部20の間の間隔は、例えば一定である。 The raised portion 20 is arranged on the main surface 10a. The raised portion 20 extends linearly in a plan view. The raised portion 20 extends, for example, along the first direction DR1. The number of raised portions 20 may be plural. The plurality of raised portions 20 are lined up at intervals in the second direction DR2 in plan view. The distance between two adjacent protuberances 20 is, for example, constant.

隆起部20は、例えばセラミック材料で形成されている。隆起部20を構成しているセラミック材料の融点は、グレーズ層30の焼成温度よりも高い。より具体的には、隆起部20を構成しているセラミック材料の融点は、例えば1250℃よりも高い。隆起部20を構成しているセラミック材料の具体例としては、アルミナが挙げられる。隆起部20の構成材料は、セラミック材料に限られない。隆起部20は、金属材料で形成されていてもよい。隆起部20を構成しているセラミック材料の融点は、グレーズ層30の焼成温度よりも高い(1250℃よりも高い)。 The raised portion 20 is made of, for example, a ceramic material. The melting point of the ceramic material forming the raised portions 20 is higher than the firing temperature of the glaze layer 30. More specifically, the melting point of the ceramic material forming the raised portion 20 is higher than, for example, 1250°C. A specific example of the ceramic material forming the raised portion 20 is alumina. The constituent material of the raised portion 20 is not limited to ceramic material. The raised portion 20 may be formed of a metal material. The melting point of the ceramic material forming the raised portion 20 is higher than the firing temperature of the glaze layer 30 (higher than 1250° C.).

隆起部20は、頂面21を有している。頂面21は、平坦になっている。但し、頂面21は、完全な平面である必要はない。頂面21は、グレーズ層30を介在させて頂面21上に配置されるボンディングパッド52bがワイヤボンディング可能な程度に平坦になっていればよい。第2方向DR2における隆起部20の幅を、幅Wとする。幅Wは、例えば100μm以上である。隆起部20の高さを、高さHとする。高さHは、主面10aと頂面21との間の距離の最大値である。高さHは、例えば10μm以上である。 The raised portion 20 has a top surface 21 . The top surface 21 is flat. However, the top surface 21 does not need to be a perfect plane. The top surface 21 only needs to be flat enough to allow wire bonding to the bonding pad 52b arranged on the top surface 21 with the glaze layer 30 interposed therebetween. The width of the raised portion 20 in the second direction DR2 is defined as a width W. The width W is, for example, 100 μm or more. Let the height of the raised portion 20 be a height H. The height H is the maximum value of the distance between the main surface 10a and the top surface 21. The height H is, for example, 10 μm or more.

グレーズ層30は、隆起部20を覆うように、主面10a上に配置されている。グレーズ層30は、例えば、ガラスを主成分とする材料で形成されている。ガラスを主成分とする材料で形成されているとは、グレーズ層30の構成材料中におけるガラスの含有量が50質量パーセント超であることを言う。なお、グレーズ層30の構成材料中におけるガラスの含有量は、70質量パーセント以上であってもよく、80質量パーセント以上であってもよい。 The glaze layer 30 is arranged on the main surface 10a so as to cover the raised portion 20. The glaze layer 30 is made of, for example, a material whose main component is glass. The phrase "made of a material containing glass as a main component" means that the content of glass in the constituent material of the glaze layer 30 is more than 50% by mass. Note that the content of glass in the constituent material of the glaze layer 30 may be 70% by mass or more, or may be 80% by mass or more.

金属層40は、グレーズ層30上に配置されている。金属層40は、金属材料で形成されている。金属層40は、例えば、金(Au)で形成されている。図示されていないが、金属層40は、複数の層で構成されていてもよい。 Metal layer 40 is disposed on glaze layer 30. The metal layer 40 is made of a metal material. The metal layer 40 is made of, for example, gold (Au). Although not shown, the metal layer 40 may be composed of multiple layers.

(絶縁基板100の製造方法)
以下に、絶縁基板100の製造方法を説明する。
(Method for manufacturing insulating substrate 100)
A method for manufacturing the insulating substrate 100 will be described below.

図3は、絶縁基板100の製造工程図である。図3に示されるように、絶縁基板100の製造方法は、準備工程S1と、隆起部形成工程S2と、グレーズ層形成工程S3と、金属層形成工程S4とを有している。準備工程S1では、セラミック層10が準備される。準備工程S1において準備されるセラミック層10では、隆起部20、グレーズ層30及び金属層40が形成されていない。 FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the insulating substrate 100. As shown in FIG. 3, the method for manufacturing the insulating substrate 100 includes a preparation step S1, a raised portion forming step S2, a glaze layer forming step S3, and a metal layer forming step S4. In the preparation step S1, the ceramic layer 10 is prepared. In the ceramic layer 10 prepared in the preparation step S1, the raised portions 20, the glaze layer 30, and the metal layer 40 are not formed.

隆起部形成工程S2は、準備工程S1の後に行われる。隆起部形成工程S2では、隆起部20が形成される。隆起部20の形成には、例えば、3Dプリンタが用いられる。隆起部20の形成に用いられる3Dプリンタは、例えば、FDM(Fused Deposition Modeling)式の3Dプリンタである。隆起部20の形成では、第1に、バインダ及び当該バインダ中に混合されている隆起部20の構成材料の粉末を含むペーストが、主面10a上に印刷される。 The protuberance forming step S2 is performed after the preparatory step S1. In the raised portion forming step S2, raised portions 20 are formed. For example, a 3D printer is used to form the raised portion 20. The 3D printer used to form the raised portion 20 is, for example, an FDM (Fused Deposition Modeling) type 3D printer. In forming the raised portions 20, first, a paste containing a binder and a powder of the constituent material of the raised portions 20 mixed in the binder is printed on the main surface 10a.

第2に、主面10a上に印刷されたペースト中のバインダが除去される。第3に、炉中においてバインダ除去後のペーストが加熱されることにより、隆起部20の構成材料の粉末が焼結され、隆起部20となる。隆起部20の形成に用いられる3Dプリンタは、ペレット式の3Dプリンタであってもよい。なお、隆起部20の構成材料を含むペーストの印刷には、3Dプリンタに代えてディスペンサが用いられてもよい。 Second, the binder in the paste printed on the main surface 10a is removed. Thirdly, by heating the paste after the binder has been removed in a furnace, the powder of the constituent material of the raised portions 20 is sintered to form the raised portions 20 . The 3D printer used to form the raised portion 20 may be a pellet type 3D printer. Note that a dispenser may be used instead of a 3D printer to print the paste containing the constituent material of the raised portions 20.

グレーズ層形成工程S3は、隆起部形成工程S2の後に行われる。グレーズ層形成工程S3では、主面10a上に、隆起部20を覆うようにグレーズ層30が形成される。グレーズ層30の形成では、第1に、ガラスを含有するペーストが、隆起部20を覆うように主面10a上に塗布される。第2に、主面10a上にペーストが塗布されたペーストの焼成が行われる。これにより、ペースト中の溶剤が蒸発されるとともにペースト中のガラスが互いに結合されることにより、グレーズ層30が形成される。なお、グレーズ層30の焼成温度よりも隆起部20の構成材料の融点の方が高いため、グレーズ層30を焼成する際に隆起部20は溶融されない。 The glaze layer forming step S3 is performed after the raised portion forming step S2. In the glaze layer forming step S3, the glaze layer 30 is formed on the main surface 10a so as to cover the raised portion 20. In forming the glaze layer 30, first, a paste containing glass is applied onto the main surface 10a so as to cover the raised portions 20. Second, the paste applied onto the main surface 10a is fired. As a result, the glaze layer 30 is formed by evaporating the solvent in the paste and bonding the glasses in the paste to each other. Note that since the melting point of the constituent material of the raised portions 20 is higher than the firing temperature of the glaze layer 30, the raised portions 20 are not melted when the glaze layer 30 is fired.

金属層形成工程S4は、グレーズ層形成工程S3の後に行われる。金属層形成工程S4では、グレーズ層30上に金属層40が形成される。金属層40は、例えば、金属層40の構成材料を含むレジネートペーストをグレーズ層30上に塗布するとともに当該レジネートペーストを焼成することにより形成される。但し、金属層40の形成方法は、これに限られるものではない。以上により、図1及び図2に示される構造の絶縁基板100が形成されることになる。 The metal layer forming step S4 is performed after the glaze layer forming step S3. In the metal layer forming step S4, a metal layer 40 is formed on the glaze layer 30. The metal layer 40 is formed, for example, by applying a resinate paste containing the constituent material of the metal layer 40 onto the glaze layer 30 and firing the resinate paste. However, the method for forming the metal layer 40 is not limited to this. Through the above steps, the insulating substrate 100 having the structure shown in FIGS. 1 and 2 is formed.

<変形例>
図4は、変形例に係る絶縁基板100の断面図である。図4に示されるように、頂面21は、第1部分21aと、第2部分21bとを有している。第1部分21a及び第2部分21bは、第2方向DR2において隣り合っている。第1部分21aと主面10aとの間の距離を距離DIS1とし、第2部分21bと主面10bとの間の距離を距離DIS2とする。距離DIS1は、距離DIS2よりも小さい。このことを別の観点から言えば、頂面21は、第1部分21aと第2部分21bとの境界に段差を有している。
<Modified example>
FIG. 4 is a cross-sectional view of an insulating substrate 100 according to a modification. As shown in FIG. 4, the top surface 21 has a first portion 21a and a second portion 21b. The first portion 21a and the second portion 21b are adjacent to each other in the second direction DR2. The distance between the first portion 21a and the main surface 10a is defined as a distance DIS1, and the distance between the second portion 21b and the main surface 10b is defined as a distance DIS2. Distance DIS1 is smaller than distance DIS2. To put this from another perspective, the top surface 21 has a step at the boundary between the first portion 21a and the second portion 21b.

この例では、頂面21が2つの部分を有し、当該2つの部分の間に段差がある場合を示した。しかしながら、頂面21は、3以上の部分を有し、当該3つの部分のうちの隣り合う2つの間に段差があってもよい。 In this example, the top surface 21 has two parts, and there is a step between the two parts. However, the top surface 21 may have three or more parts, and there may be a step between two adjacent parts of the three parts.

(サーマルプリントヘッド200の構成)
以下に、サーマルプリントヘッド200の構成を説明する。
(Configuration of thermal print head 200)
The configuration of the thermal print head 200 will be explained below.

図5は、サーマルプリントヘッド200の平面図である。図6は、図5中のVI-VIにおける断面図である。図7は、図5中のVII-VIIにおける断面図である。図5から図7に示されているように、サーマルプリントヘッド200は、セラミック層10と、隆起部20と、グレーズ層30と、共通電極51と、複数の個別電極52と、発熱体60とを有している。 FIG. 5 is a plan view of the thermal print head 200. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along VI-VI in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along VII-VII in FIG. As shown in FIGS. 5 to 7, the thermal print head 200 includes a ceramic layer 10, a raised portion 20, a glaze layer 30, a common electrode 51, a plurality of individual electrodes 52, and a heating element 60. have.

セラミック層10の平面視における外周縁は、第1辺10cと、第2辺10dとを有している。第1辺10c及び第2辺10dは、第1方向DR1に沿っている。平面視において、隆起部20は、第1辺10cよりも第2辺10dの近くにある。 The outer peripheral edge of the ceramic layer 10 in plan view has a first side 10c and a second side 10d. The first side 10c and the second side 10d are along the first direction DR1. In plan view, the raised portion 20 is closer to the second side 10d than the first side 10c.

共通電極51は、グレーズ層30上に配置されている。共通電極51は、本体部51aと、複数の突出部51bとを有している。本体部51aは、第1方向DR1に沿って延在している。平面視において、本体部51aは、第2辺10dよりも第1辺10cの近くにある。突出部51bは、本体部51aの第2辺10d側を向いている辺から、第2方向DR2に突出している。複数の突出部51bは、第1方向DR1において間隔を空けて並んでいる。共通電極51は、金属材料で形成されている。共通電極51は、例えば、金で形成されている。 Common electrode 51 is arranged on glaze layer 30 . The common electrode 51 has a main body portion 51a and a plurality of protrusions 51b. The main body portion 51a extends along the first direction DR1. In plan view, the main body portion 51a is closer to the first side 10c than the second side 10d. The protruding portion 51b protrudes in the second direction DR2 from the side of the main body portion 51a facing the second side 10d. The plurality of protrusions 51b are arranged at intervals in the first direction DR1. The common electrode 51 is made of a metal material. The common electrode 51 is made of, for example, gold.

個別電極52は、グレーズ層30上に配置されている。複数の個別電極52の各々は、互いに離間するように配置されている。個別電極52は、一方端において先端部52aを有しており、他方端においてボンディングパッド52bを有している。先端部52aは、第1方向DR1において隣り合う2つの突出部51bの間に配置されている。すなわち、突出部51b及び先端部52aは、第1方向DR1において交互に並んでいる。ボンディングパッド52bには、ドライバIC70(図11参照)が電気的に接続される。個別電極52は、共通電極51と同一材料で形成されている。 Individual electrodes 52 are arranged on glaze layer 30. Each of the plurality of individual electrodes 52 is arranged so as to be spaced apart from each other. The individual electrode 52 has a tip 52a at one end and a bonding pad 52b at the other end. The tip portion 52a is arranged between two adjacent protrusions 51b in the first direction DR1. That is, the protruding portions 51b and the tip portions 52a are arranged alternately in the first direction DR1. A driver IC 70 (see FIG. 11) is electrically connected to the bonding pad 52b. The individual electrodes 52 are made of the same material as the common electrode 51.

第1方向DR1において隣り合う2つのボンディングパッド52bを、それぞれボンディングパッド52ba及びボンディングパッド52bbとする。ボンディングパッド52baは、グレーズ層30を介在させて、頂面21上に配置されている。ボンディングパッド52bbは、グレーズ層30を介在させて、第2辺10d側から隆起部20に隣り合っている主面10aの部分上に配置されている。 Two bonding pads 52b adjacent in the first direction DR1 are referred to as a bonding pad 52ba and a bonding pad 52bb, respectively. Bonding pad 52ba is arranged on top surface 21 with glaze layer 30 interposed therebetween. The bonding pad 52bb is arranged on a portion of the main surface 10a adjacent to the raised portion 20 from the second side 10d side with the glaze layer 30 interposed therebetween.

発熱体60は、第1方向DR1に延在している。発熱体60は、グレーズ層30上に配置されている部分と、突出部51b上に配置されている部分と、先端部52a上に配置されている部分とを有している。これらの部分は、互いに連続している。これにより、発熱体60は、突出部51bと先端部52aとを電気的に接続している。発熱体60は、ガラスと、ガラス中に混入されている複数の導電粒子とを有している。導電粒子は、例えば、酸化ルテニウム(RuO)で形成されている。ドライバIC70により、個別電極52に対して選択的に電圧が印加される。これにより、電圧が印加された個別電極52の先端部52aとその隣にある突出部51bとを電気的に接続している発熱体60の部分に電流が流れ、当該部分が抵抗発熱する。 The heating element 60 extends in the first direction DR1. The heating element 60 has a portion disposed on the glaze layer 30, a portion disposed on the protrusion 51b, and a portion disposed on the tip portion 52a. These parts are continuous with each other. Thereby, the heating element 60 electrically connects the protruding portion 51b and the tip portion 52a. The heating element 60 includes glass and a plurality of conductive particles mixed in the glass. The conductive particles are made of, for example, ruthenium oxide (RuO 2 ). A voltage is selectively applied to the individual electrodes 52 by the driver IC 70 . As a result, current flows through the portion of the heating element 60 that electrically connects the tip portion 52a of the individual electrode 52 to which the voltage is applied and the protrusion portion 51b adjacent thereto, and this portion generates resistance heat.

図示されていないが、グレーズ層30上には第1配線が配置されている。第1配線は、例えば銀(Ag)で形成されており、共通電極51(本体部51a)に電気的に接続されている。また、図示されていないが、第1配線上には、第2配線が配置されている。第2配線は、例えば銀で形成されている。さらに、図示されていないが、サーマルプリントヘッド200は、共通電極51、個別電極52、発熱体60、第1配線及び第2配線を覆う保護ガラスを有している。なお、保護ガラスからは、ボンディングパッド52bが露出している。 Although not shown, a first wiring is arranged on the glaze layer 30. The first wiring is made of silver (Ag), for example, and is electrically connected to the common electrode 51 (main body portion 51a). Further, although not shown, a second wiring is arranged on the first wiring. The second wiring is made of silver, for example. Furthermore, although not shown, the thermal print head 200 includes a protective glass that covers the common electrode 51, the individual electrodes 52, the heating element 60, the first wiring, and the second wiring. Note that the bonding pad 52b is exposed from the protective glass.

<変形例>
図8は、変形例に係るサーマルプリントヘッド200の平面図である。図9は、図8中のIX-IXにおける断面図である。隣り合う3つのボンディングパッド52bを、それぞれボンディングパッド52bc、ボンディングパッド52bd及びボンディングパッド52beとする。図8及び図9に示されるように、第1方向DR1において、ボンディングパッド52bdは、ボンディングパッド52bcとボンディングパッド52beとの間にある。
<Modified example>
FIG. 8 is a plan view of a thermal print head 200 according to a modification. FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. The three adjacent bonding pads 52b are referred to as a bonding pad 52bc, a bonding pad 52bd, and a bonding pad 52be, respectively. As shown in FIGS. 8 and 9, in the first direction DR1, the bonding pad 52bd is between the bonding pad 52bc and the bonding pad 52be.

ボンディングパッド52bcは、グレーズ層30を介在させて、第2辺10d側から隆起部20に隣り合っている主面10aの部分上に配置されている。ボンディングパッド52bdは、グレーズ層30を介在させて第1部分21a上に配置されている。ボンディングパッド52beは、グレーズ層30を介在させて第2部分21b上に配置されている。なお、第1部分21aは、第2辺10d側から第2部分21bに隣り合っている。 The bonding pad 52bc is arranged on a portion of the main surface 10a adjacent to the raised portion 20 from the second side 10d side with the glaze layer 30 interposed therebetween. Bonding pad 52bd is arranged on first portion 21a with glaze layer 30 interposed therebetween. Bonding pad 52be is arranged on second portion 21b with glaze layer 30 interposed therebetween. Note that the first portion 21a is adjacent to the second portion 21b from the second side 10d side.

(サーマルプリントヘッド200の製造方法)
図10は、サーマルプリントヘッド200の製造方法を示す工程図である。図10に示されるように、サーマルプリントヘッド200の製造方法は、準備工程S5と、配線パターンニング工程S6と、第1配線形成工程S7と、発熱体形成工程S8と、第2配線形成工程S9と、保護ガラス形成工程S10と、個片化工程S11とを有している。
(Method for manufacturing thermal print head 200)
FIG. 10 is a process diagram showing a method for manufacturing the thermal print head 200. As shown in FIG. 10, the method for manufacturing the thermal print head 200 includes a preparation step S5, a wiring patterning step S6, a first wiring forming step S7, a heating element forming step S8, and a second wiring forming step S9. , a protective glass forming step S10, and a singulation step S11.

準備工程S5では、絶縁基板100が準備される。配線パターンニング工程S6は、準備工程S5の後に行われる。配線パターンニング工程S6では、金属層40がパターンニングされることにより、共通電極51及び複数の個別電極52が形成される。配線パターンニング工程S6では、第1に、金属層40上にフォトレジストが塗布される。フォトレジストは、例えば、ロールコータを用いて塗布される。第2に、金属層40上に塗布されたフォトレジストが露光される。露光は、例えば、ガラスマスクを用いてUV(Ultra Violet)光を部分的にフォトレジストに照射することにより行われる。UV光が照射された部分のフォトレジストは、変質される。第3に、露光により変質されたフォトレジストの部分を溶解除去することにより、レジストパターンが形成される。第4に、レジストパターンをマスクとして金属層40をエッチングすることにより、共通電極51及び複数の個別電極52が形成される。なお、レジストパターンは、金属層40のエッチング後に溶解除去される。 In the preparation step S5, the insulating substrate 100 is prepared. The wiring patterning step S6 is performed after the preparation step S5. In the wiring patterning step S6, the metal layer 40 is patterned to form a common electrode 51 and a plurality of individual electrodes 52. In the wiring patterning step S6, first, a photoresist is applied on the metal layer 40. The photoresist is applied using a roll coater, for example. Second, the photoresist coated on metal layer 40 is exposed. Exposure is performed, for example, by partially irradiating the photoresist with UV (Ultra Violet) light using a glass mask. The portions of the photoresist that are irradiated with UV light are altered in quality. Third, a resist pattern is formed by dissolving and removing portions of the photoresist that have been altered in quality by exposure. Fourth, by etching the metal layer 40 using the resist pattern as a mask, a common electrode 51 and a plurality of individual electrodes 52 are formed. Note that the resist pattern is dissolved and removed after the metal layer 40 is etched.

第1配線形成工程S7は、配線パターンニング工程S6の後に行われる。第1配線形成工程S7では、第1配線が形成される。第1配線は、複数の銀粒子を含む導電性ペーストを塗布するとともに、塗布された導電性ペーストを焼成することにより形成される。 The first wiring forming step S7 is performed after the wiring patterning step S6. In the first wiring formation step S7, a first wiring is formed. The first wiring is formed by applying a conductive paste containing a plurality of silver particles and firing the applied conductive paste.

発熱体形成工程S8は、第1配線形成工程S7の後に行われる。発熱体形成工程S8では、発熱体60が形成される。発熱体60は、ガラス及び複数の酸化ルテニウム粒子を含む導電性ペーストを塗布するとともに、塗布された導電性ペーストを焼成することにより形成される。第2配線形成工程S9は、発熱体形成工程S8の後に行われる。第2配線形成工程S9では、第2配線が形成される。第2配線は、複数の銀粒子を含む導電性ペーストを塗布するとともに、塗布された導電性ペーストを焼成することにより形成される。 The heating element forming step S8 is performed after the first wiring forming step S7. In the heating element forming step S8, the heating element 60 is formed. The heating element 60 is formed by applying a conductive paste containing glass and a plurality of ruthenium oxide particles and firing the applied conductive paste. The second wiring forming step S9 is performed after the heating element forming step S8. In the second wiring formation step S9, a second wiring is formed. The second wiring is formed by applying a conductive paste containing a plurality of silver particles and firing the applied conductive paste.

保護ガラス形成工程S10は、第2配線形成工程S9の後に行われる。保護ガラス形成工程S10では、保護ガラスが形成される。保護ガラスは、ガラスのペーストを共通電極51、複数の個別電極52、第1配線、発熱体60及び第2配線を覆うように塗布するとともに塗布されたガラスのペーストを焼成することにより形成される。個片化工程S11は、保護ガラス形成工程S10の後に行われる。個片化工程S11では、例えば隣り合う2つのサーマルプリントヘッド200の境界に沿ってレーザを照射することにより、複数のサーマルプリントヘッド200が得られる。 The protective glass forming step S10 is performed after the second wiring forming step S9. In the protective glass forming step S10, a protective glass is formed. The protective glass is formed by applying a glass paste to cover the common electrode 51, the plurality of individual electrodes 52, the first wiring, the heating element 60, and the second wiring, and firing the applied glass paste. . The singulation step S11 is performed after the protective glass forming step S10. In the singulation step S11, a plurality of thermal print heads 200 are obtained, for example, by irradiating a laser along the boundary between two adjacent thermal print heads 200.

(絶縁基板100及びサーマルプリントヘッド200の効果)
以下に、絶縁基板100及びサーマルプリントヘッド200の効果を説明する。
(Effects of insulating substrate 100 and thermal print head 200)
The effects of the insulating substrate 100 and the thermal print head 200 will be explained below.

図11は、ボンディングワイヤ80が接続された状態のサーマルプリントヘッド200の断面図である。図11に示されているように、ドライバIC70は、複数のボンディングパッド71を有している。 FIG. 11 is a cross-sectional view of the thermal print head 200 with the bonding wire 80 connected. As shown in FIG. 11, the driver IC 70 has a plurality of bonding pads 71.

ボンディングワイヤ80の一方端は、ボンディングパッド71に接合されている。ボンディングワイヤ80の他方端は、ボンディングパッド52bに接合されている。なお、ボンディングワイヤ80の一方端とボンディングパッド71との接合は例えばボールボンディングであり、ボンディングワイヤ80の他方端とボンディングパッド52bとの接合は例えばウェッジボンディングである。 One end of the bonding wire 80 is bonded to the bonding pad 71. The other end of the bonding wire 80 is bonded to the bonding pad 52b. The bonding between one end of the bonding wire 80 and the bonding pad 71 is, for example, ball bonding, and the bonding between the other end of the bonding wire 80 and the bonding pad 52b is, for example, wedge bonding.

サーマルプリントヘッド200は、隆起部20を有する絶縁基板100を用いて形成されている。そのため、サーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52baがグレーズ層30を介在させて頂面21上に配置され、ボンディングパッド52bbがグレーズ層30を介在させて隆起部20に隣り合う主面10aの部分上に配置される。すなわち、サーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52baの高さ位置とボンディングパッド52bbの高さ位置とを異ならせることができる。 The thermal print head 200 is formed using an insulating substrate 100 having a raised portion 20. Therefore, in the thermal print head 200, the bonding pad 52ba is arranged on the top surface 21 with the glaze layer 30 interposed therebetween, and the bonding pad 52bb is arranged on the part of the main surface 10a adjacent to the raised part 20 with the glaze layer 30 interposed therebetween. will be placed in That is, in the thermal print head 200, the height position of the bonding pad 52ba and the height position of the bonding pad 52bb can be made different.

その結果、サーマルプリントヘッド200によると、第1方向DR1におけるボンディングパッド52baとボンディングパッド52bbとの間の間隔を小さくしても、ボンディングパッド52baに接合されるボンディングワイヤ80がボンディングパッド52bbに接合されるボンディングワイヤ80と干渉することが抑制される。 As a result, according to the thermal print head 200, even if the distance between the bonding pads 52ba and 52bb in the first direction DR1 is reduced, the bonding wire 80 bonded to the bonding pad 52ba is not bonded to the bonding pad 52bb. Interference with the bonding wire 80 is suppressed.

また、仮にサーマルプリントヘッド200が隆起部20を有しない場合、すなわちボンディングパッド52baの高さ位置とボンディングパッド52bbの高さ位置とが異ならない場合、第2方向DR2におけるボンディングパッド52baとボンディングパッド52bbとの間の距離を大きくする必要がある。すなわち、この場合、ボンディングパッド52baに接続されるボンディングワイヤ80を長くする必要がある。しかしながら、サーマルプリントヘッド200では、隆起部20によりボンディングパッド52baの高さ位置とボンディングパッド52bbの高さ位置とを異なっているため、上記の場合と比較してボンディングパッド52baに接続されるボンディングワイヤ80を短くすることが可能である。 Further, if the thermal print head 200 does not have the raised portion 20, that is, if the height position of the bonding pad 52ba and the height position of the bonding pad 52bb do not differ, the bonding pad 52ba and the bonding pad 52bb in the second direction DR2 It is necessary to increase the distance between That is, in this case, it is necessary to lengthen the bonding wire 80 connected to the bonding pad 52ba. However, in the thermal print head 200, since the height position of the bonding pad 52ba and the height position of the bonding pad 52bb are different due to the raised portion 20, the bonding wire connected to the bonding pad 52ba is different from the height position of the bonding pad 52ba compared to the above case. 80 can be made shorter.

図12は、ボンディングワイヤ80が接続された状態の変形例に係るサーマルプリントヘッド200の断面図である。図12に示されるように、変形例に係るサーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52bcの高さ位置とボンディングパッド52bdとの高さ位置とが異なっているとともに、ボンディングパッド52bdとボンディングパッド52beの高さ位置とが異なっている。そのため、変形例に係るサーマルプリントヘッド200では、ボンディングパッド52bcとボンディングパッド52bdとの間の間隔及びボンディングパッド52bdとボンディングパッド52beとの間隔を小さくしても、ボンディングパッド52bcに接合されるボンディングワイヤ80とボンディングパッド52bdに接合されるボンディングワイヤ80との干渉及びボンディングパッド52bdに接合されるボンディングワイヤ80とボンディングパッド52beに接合されるボンディングワイヤ80との干渉を抑制できる。また、この場合、ボンディングパッド52bdに接合されるボンディングワイヤ80及びボンディングパッド52beに接合されるボンディングワイヤ80を短くすることができる。 FIG. 12 is a cross-sectional view of a thermal print head 200 according to a modified example with bonding wires 80 connected. As shown in FIG. 12, in the thermal print head 200 according to the modification, the height position of the bonding pad 52bc and the height position of the bonding pad 52bd are different, and the height position of the bonding pad 52bd and the bonding pad 52be is different. The location is different. Therefore, in the thermal print head 200 according to the modification, even if the distance between the bonding pad 52bc and the bonding pad 52bd and the distance between the bonding pad 52bd and the bonding pad 52be are reduced, the bonding wire bonded to the bonding pad 52bc 80 and the bonding wire 80 bonded to the bonding pad 52bd, and interference between the bonding wire 80 bonded to the bonding pad 52bd and the bonding wire 80 bonded to the bonding pad 52be can be suppressed. Further, in this case, the bonding wire 80 bonded to the bonding pad 52bd and the bonding wire 80 bonded to the bonding pad 52be can be shortened.

なお、セラミック層10は加工が難しいため、セラミック層10を加工することにより隆起部20に相当する構成を形成することは困難である。また、グレーズ層30を加工して隆起部20に相当する構成を形成しようとすると、グレーズ層30を厚く形成する必要があるとともにグレーズ層30に対するエッチングを行う必要があるため、製造コストが増大する。この場合、上記のエッチングにフッ酸等の有毒性の高い薬品を用いる必要もある。他方で、絶縁基板100では、隆起部20が3Dプリンタ又はディスペンサを用いて形成されるため、製造コストの増大を抑制できるとともに、有毒性の高い薬品の使用を回避することができる。 Note that since the ceramic layer 10 is difficult to process, it is difficult to form a structure corresponding to the raised portion 20 by processing the ceramic layer 10. Further, when attempting to process the glaze layer 30 to form a structure corresponding to the raised portion 20, it is necessary to form the glaze layer 30 thickly and also to perform etching on the glaze layer 30, which increases manufacturing costs. . In this case, it is also necessary to use highly toxic chemicals such as hydrofluoric acid for the above etching. On the other hand, in the insulating substrate 100, the raised portions 20 are formed using a 3D printer or a dispenser, so an increase in manufacturing costs can be suppressed and the use of highly toxic chemicals can be avoided.

(付記)
以下に、本開示の実施形態に係る構成を付記する。
(Additional note)
Below, configurations according to embodiments of the present disclosure will be additionally described.

<付記1>
主面を有するセラミック層と、
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板。
<Additional note 1>
a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion,
The top surface of the raised portion is flat,
The insulating substrate may have a melting point of a constituent material of the raised portions higher than a firing temperature of the glaze layer.

<付記2>
前記構成材料は、セラミック材料である、付記1に記載の絶縁基板。
<Additional note 2>
The insulating substrate according to supplementary note 1, wherein the constituent material is a ceramic material.

<付記3>
第2方向における前記隆起部の幅は、100μm以上であり、
前記第2方向は、平面視において前記第1方向に直交している、付記1又は付記2に記載の絶縁基板。
<Additional note 3>
The width of the raised portion in the second direction is 100 μm or more,
The insulating substrate according to appendix 1 or 2, wherein the second direction is orthogonal to the first direction in plan view.

<付記4>
前記隆起部の高さは、10μm以上である、付記1から付記3のいずれかに記載の絶縁基板。
<Additional note 4>
The insulating substrate according to any one of Supplementary Notes 1 to 3, wherein the height of the raised portion is 10 μm or more.

<付記5>
前記融点は、1250℃よりも高い、付記1から付記4のいずれかに記載の絶縁基板。
<Additional note 5>
The insulating substrate according to any one of Supplementary Notes 1 to 4, wherein the melting point is higher than 1250°C.

<付記6>
主面を有するセラミック層を準備する工程と、
前記主面上に平面視において直線状に延在するように隆起部を形成する工程と、
前記隆起部を覆うように前記主面上にグレーズ層を形成する工程とを備え、
前記隆起部は、3Dプリンタ又はディスペンサを用いて形成され、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板の製造方法。
<Additional note 6>
preparing a ceramic layer having a major surface;
forming a raised portion on the main surface so as to extend linearly in plan view;
forming a glaze layer on the main surface so as to cover the raised portion,
The raised portion is formed using a 3D printer or a dispenser,
The top surface of the raised portion is flat,
The method for manufacturing an insulating substrate, wherein the melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer.

<付記7>
主面を有するセラミック層と、
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層と、
前記グレーズ層上に配置されている共通電極と、
前記グレーズ層上に配置されている第1個別電極及び第2個別電極と、
前記第1個別電極及び前記第2個別電極と前記共通電極とを電気的に接続している発熱体とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高く、
前記第1個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記頂面上に配置されている第1ボンディングパッドを有し、
前記第2個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記隆起部の隣にある前記主面の部分上に配置されている第2ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドは、前記第1方向において隣り合って並んでいる、サーマルプリントヘッド。
<Additional note 7>
a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion;
a common electrode disposed on the glaze layer;
a first individual electrode and a second individual electrode disposed on the glaze layer;
comprising a heating element electrically connecting the first individual electrode, the second individual electrode, and the common electrode,
The top surface of the raised portion is flat,
The melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer,
The first individual electrode has a first bonding pad disposed on the top surface with the glaze layer interposed therebetween;
The second individual electrode has a second bonding pad disposed on a portion of the main surface adjacent to the raised portion with the glaze layer interposed therebetween;
The first bonding pad and the second bonding pad are arranged next to each other in the first direction.

<付記8>
ドライバICと、
第1ボンディングワイヤ及び第2ボンディングワイヤをさらに備え、
前記ドライバICは、第3ボンディングパッド及び第4ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングワイヤの一方端及び前記第2ボンディングワイヤの一方端は、それぞれ前記第3ボンディングパッド及び前記第4ボンディングパッドにボールボンディングされており、
前記第1ボンディングワイヤの他方端及び前記第2ボンディングワイヤの他方端は、それぞれ前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドにウェッジボンディングされている、付記7に記載のサーマルプリントヘッド。
<Additional note 8>
driver IC and
further comprising a first bonding wire and a second bonding wire,
The driver IC has a third bonding pad and a fourth bonding pad,
One end of the first bonding wire and one end of the second bonding wire are ball-bonded to the third bonding pad and the fourth bonding pad, respectively,
The thermal print head according to appendix 7, wherein the other end of the first bonding wire and the other end of the second bonding wire are wedge-bonded to the first bonding pad and the second bonding pad, respectively.

以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the embodiments described above can be modified in various ways. Moreover, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is intended to include all changes within the meaning and scope equivalent to the claims.

10 セラミック層、10a,10b 主面、10c 第1辺、10d 第2辺、20 隆起部、21 頂面、21a 第1部分、21b 第2部分、30 グレーズ層、40 金属層、51 共通電極、51a 本体部、51b 突出部、52 個別電極、52a 先端部、52b,52ba,52bb,52bc,52bd,52be ボンディングパッド、60 発熱体、70 ドライバIC、71 ボンディングパッド、80 ボンディングワイヤ、100 絶縁基板、200 サーマルプリントヘッド、DIS1,DIS2 距離、DR1 第1方向、DR2 第2方向、H 高さ、S1 準備工程、S2 隆起部形成工程、S3 グレーズ層形成工程、S4 金属層形成工程、S5 準備工程、S6 配線パターンニング工程、S7 第1配線形成工程、S8 発熱体形成工程、S9 第2配線形成工程、S10 保護ガラス形成工程、S11 個片化工程、W 幅。 Reference Signs List 10 ceramic layer, 10a, 10b main surface, 10c first side, 10d second side, 20 raised portion, 21 top surface, 21a first portion, 21b second portion, 30 glaze layer, 40 metal layer, 51 common electrode, 51a main body, 51b protrusion, 52 individual electrode, 52a tip, 52b, 52ba, 52bb, 52bc, 52bd, 52be bonding pad, 60 heating element, 70 driver IC, 71 bonding pad, 80 bonding wire, 100 insulating substrate, 200 Thermal print head, DIS1, DIS2 distance, DR1 first direction, DR2 second direction, H height, S1 preparation process, S2 ridge formation process, S3 glaze layer formation process, S4 metal layer formation process, S5 preparation process, S6 wiring patterning process, S7 first wiring forming process, S8 heating element forming process, S9 second wiring forming process, S10 protective glass forming process, S11 singulation process, W width.

Claims (8)

主面を有するセラミック層と、
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板。
a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion,
The top surface of the raised portion is flat,
The insulating substrate may have a melting point of a constituent material of the raised portions higher than a firing temperature of the glaze layer.
前記構成材料は、セラミック材料である、請求項1に記載の絶縁基板。 The insulating substrate according to claim 1, wherein the constituent material is a ceramic material. 第2方向における前記隆起部の幅は、100μm以上であり、
前記第2方向は、平面視において前記第1方向に直交している、請求項1に記載の絶縁基板。
The width of the raised portion in the second direction is 100 μm or more,
The insulating substrate according to claim 1, wherein the second direction is orthogonal to the first direction in plan view.
前記隆起部の高さは、10μm以上である、請求項1に記載の絶縁基板。 The insulating substrate according to claim 1, wherein the height of the raised portion is 10 μm or more. 前記融点は、1250℃よりも高い、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の絶縁基板。 The insulating substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the melting point is higher than 1250°C. 主面を有するセラミック層を準備する工程と、
前記主面上に平面視において直線状に延在するように隆起部を形成する工程と、
前記隆起部を覆うように前記主面上にグレーズ層を形成する工程とを備え、
前記隆起部は、3Dプリンタ又はディスペンサを用いて形成され、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高い、絶縁基板の製造方法。
preparing a ceramic layer having a major surface;
forming a raised portion on the main surface so as to extend linearly in plan view;
forming a glaze layer on the main surface so as to cover the raised portion,
The raised portion is formed using a 3D printer or a dispenser,
The top surface of the raised portion is flat,
The method for manufacturing an insulating substrate, wherein the melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer.
主面を有するセラミック層と、
前記主面上に配置されており、かつ平面視において第1方向に沿って直線状に延在している隆起部と、
前記隆起部を覆うように前記主面上に配置されているグレーズ層と、
前記グレーズ層上に配置されている共通電極と、
前記グレーズ層上に配置されている第1個別電極及び第2個別電極と、
前記第1個別電極及び前記第2個別電極と前記共通電極とを電気的に接続している発熱体とを備え、
前記隆起部の頂面は、平坦になっており、
前記隆起部の構成材料の融点は、前記グレーズ層の焼成温度よりも高く、
前記第1個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記頂面上に配置されている第1ボンディングパッドを有し、
前記第2個別電極は、前記グレーズ層を介在させて前記隆起部の隣にある前記主面の部分上に配置されている第2ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドは、前記第1方向において隣り合って並んでいる、サーマルプリントヘッド。
a ceramic layer having a main surface;
a raised portion disposed on the main surface and extending linearly along the first direction in plan view;
a glaze layer disposed on the main surface so as to cover the raised portion;
a common electrode disposed on the glaze layer;
a first individual electrode and a second individual electrode disposed on the glaze layer;
comprising a heating element electrically connecting the first individual electrode, the second individual electrode, and the common electrode,
The top surface of the raised portion is flat,
The melting point of the constituent material of the raised portion is higher than the firing temperature of the glaze layer,
The first individual electrode has a first bonding pad disposed on the top surface with the glaze layer interposed therebetween;
The second individual electrode has a second bonding pad disposed on a portion of the main surface adjacent to the raised portion with the glaze layer interposed therebetween;
The first bonding pad and the second bonding pad are arranged next to each other in the first direction.
ドライバICと、
第1ボンディングワイヤ及び第2ボンディングワイヤをさらに備え、
前記ドライバICは、第3ボンディングパッド及び第4ボンディングパッドを有し、
前記第1ボンディングワイヤの一方端及び前記第2ボンディングワイヤの一方端は、それぞれ前記第3ボンディングパッド及び前記第4ボンディングパッドにボールボンディングされており、
前記第1ボンディングワイヤの他方端及び前記第2ボンディングワイヤの他方端は、それぞれ前記第1ボンディングパッド及び前記第2ボンディングパッドにウェッジボンディングされている、請求項7に記載のサーマルプリントヘッド。
driver IC and
further comprising a first bonding wire and a second bonding wire,
The driver IC has a third bonding pad and a fourth bonding pad,
One end of the first bonding wire and one end of the second bonding wire are ball-bonded to the third bonding pad and the fourth bonding pad, respectively,
The thermal print head according to claim 7, wherein the other end of the first bonding wire and the other end of the second bonding wire are wedge-bonded to the first bonding pad and the second bonding pad, respectively.
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