JP2024006448A - Tungsten wire and fiber product - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、タングステン線及び繊維製品に関する。 The present invention relates to tungsten wire and textile products.
特許文献1には、表面が荒らされたタングステン線と、アラミド繊維又はナイロン系繊維とが組み合わされた金属繊維が開示されている。
タングステンは、銀又は銅と比較して比抵抗値が高く抵抗が高い。例えば、タングステンを線(ワイヤ)に加工し、抵抗を低くするためには、線を太くする必要がある。すなわち、従来のタングステン線では、低抵抗と細い線径とを両立することができない。 Tungsten has a high specific resistance value and high resistance compared to silver or copper. For example, in order to process tungsten into a wire and lower its resistance, the wire must be made thicker. That is, conventional tungsten wires cannot achieve both low resistance and small wire diameter.
そこで、本発明は、低抵抗と細い線径とを両立することができるタングステン線及び繊維製品を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a tungsten wire and a fiber product that can achieve both low resistance and a small wire diameter.
本発明の一態様に係るタングステン線は、比抵抗値は、6.2μΩ・cm以上6.9μΩ・cm以下であり、線径は、50μm以下であり、結晶粒内に転位を含む。 The tungsten wire according to one aspect of the present invention has a specific resistance value of 6.2 μΩ·cm or more and 6.9 μΩ·cm or less, a wire diameter of 50 μm or less, and includes dislocations in crystal grains.
本発明の一態様に係る繊維製品は、上記一態様に係るタングステン線を含む繊維製品である。 A textile product according to one embodiment of the present invention includes the tungsten wire according to the above one embodiment.
本発明によれば、低抵抗と細い線径とを両立することができるタングステン線などを提供する。 According to the present invention, a tungsten wire and the like that can achieve both low resistance and a small wire diameter are provided.
以下では、本発明の実施の形態に係るタングステン線及び繊維製品について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Below, tungsten wires and textile products according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that all of the embodiments described below are specific examples of the present invention. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, arrangement and connection forms of the components, steps, order of steps, etc. shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims will be described as arbitrary constituent elements.
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。 Furthermore, each figure is a schematic diagram and is not necessarily strictly illustrated. Therefore, for example, the scales and the like in each figure do not necessarily match. Further, in each figure, substantially the same configurations are denoted by the same reference numerals, and overlapping explanations will be omitted or simplified.
また、本明細書において、要素間の関係性を示す用語、要素の形状を示す用語、及び、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数%程度の差異をも含むことを意味する表現である。 In addition, in this specification, terms that indicate relationships between elements, terms that indicate the shape of elements, and numerical ranges are not expressions that express only strict meanings, but are substantially equivalent ranges, such as several percentage points. This is an expression that means that it also includes the difference between.
(実施の形態)
[構成]
まず、本実施の形態に係るタングステン線及び繊維製品の構成について、図1を用いて説明する。図1は、本実施の形態に係るタングステン線1及び繊維製品を示す模式図である。
(Embodiment)
[composition]
First, the configuration of the tungsten wire and textile product according to this embodiment will be explained using FIG. 1. FIG. 1 is a schematic diagram showing a
図1に示されるように、タングステン線1は、巻枠2に巻回されて保管される。巻枠2は、ボビン、リール、スプール又はドラムなどと称される場合がある。タングステン線1は、例えば、100m程度のメートルオーダーの全長からキロメートルオーダーの全長を有するが、特に限定されない。
As shown in FIG. 1, a
図1に示されるタングステン線1は、2次加工可能である。すなわち、タングステン線1は、加工されることにより製品の一部を構成する。製品は、例えば、所定の長さのタングステン線1を1本以上備える繊維製品である。繊維製品は、タングステン線1の導電性を利用した導電性繊維である。
The
図1には、繊維製品の一例として、撚り糸10を示している。撚り糸10は、タングステン線1と、タングステン線1に組み合わされた有機繊維11と、を備える。
FIG. 1 shows a
撚り糸10は、有機繊維11を芯糸とし、タングステン線1を鞘糸とするカバーリング糸である。例えば、有機繊維11を芯糸として延伸させて固定し、有機繊維11の周りにタングステン線1を鞘糸として巻き回す(すなわち、カバーリング加工を行う)ことで、撚り糸10が製造される。
The twisted
タングステン線1は、有機繊維11の外側面に沿って所定のピッチで巻き回されている。図1に示されるように、タングステン線1は、一巻き毎に間隔が空けられているが、隣り合う一巻きが密着していてもよい。タングステン線1の具体的な構成及び製造方法については、後で説明する。
The
有機繊維11は、合成繊維、天然繊維及び再生繊維からなる群から選択される少なくとも1つの繊維である。有機繊維11は、例えば、合成繊維であり、アラミド繊維、ナイロン系繊維又はポリエチレン系繊維である。アラミド繊維としては、例えば、ケブラー(登録商標)などの芳香族ポリアミド系樹脂材料を用いて製造された繊維を用いることができる。ポリエチレン系繊維としては、例えば、ダイニーマ(登録商標)などの超高分子量ポリエチレンを用いて製造された繊維を用いることができる。
The
なお、有機繊維11として用いられる化学繊維は、これらに限らず、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、アクリルなどを用いることができる。あるいは、有機繊維11は、半合成繊維又は再生繊維であってもよい。また、有機繊維11は、植物繊維又は動物繊維などの天然繊維でもよい。例えば、有機繊維11としては、綿、羊毛、絹、麻、レーヨンなどを利用することができる。
Note that the chemical fibers used as the
なお、撚り糸10は、芯糸がタングステン線1で、鞘糸が有機繊維11のカバーリング糸であってもよい。あるいは、撚り糸10は、カバーリング糸に限定されず、合撚糸であってもよい。
In addition, the twisted
また、撚り糸10は、有機繊維11を備えずに、複数のタングステン線1を備えてもよい。撚り糸10は、複数のタングステン線1が撚糸加工(例えば、カバーリング加工又は合撚加工)されることで製造されてもよい。あるいは、撚り糸10は、タングステン線1とステンレス線などの他の金属線との撚り糸であってもよい。
Moreover, the
また、図1には、別の繊維製品の一例として、メッシュ20を示している。メッシュ20は、複数のタングステン線1を備える。メッシュ20は、複数のタングステン線1をタテ糸及びヨコ糸として織り加工を施すことで製造される。メッシュ20の織組織は、平織、綾織、畳織又は繻子織などであり、特に限定されない。メッシュ20は、複数のタングステン線1を編糸として用いて、所定のゲージ数でメリヤス編みなどの編み加工を施すことで製造されてもよい。
Further, FIG. 1 shows a
なお、メッシュ20は、撚り糸10を用いた織り加工又は編み加工が施されて製造されてもよい。また、メッシュ20は、立体的に構成されていてもよい。例えば、メッシュ20は、手袋、帽子又は衣服を構成していてもよい。
Note that the
撚り糸10又はメッシュ20などの繊維製品は、導電性のタングステン線1を備えるので、例えばバイタルセンシングに利用できる。例えば、繊維製品は、着用者の体温又は脈拍をバイタルの一例としてセンシングすることができる。具体的には、繊維製品が備えるタングステン線1は、バイタルのセンシング用の端子として機能する。すなわち、着用者が発する微弱な電流をタングステン線1が検出することができる。
Since the textile product such as the
あるいは、繊維製品は、バイタルのセンシング用の端子を別途備えてもよい。この場合、タングステン線1は、当該端子と信号処理回路とを電気的に接続する配線として機能する。
Alternatively, the textile product may be provided with a separate terminal for sensing vital signs. In this case, the
また、繊維製品は、発熱用途に利用されてもよい。具体的には、繊維製品が備えるタングステン線1に電流を流して発熱させることができる。
The textile product may also be used for heat generation purposes. Specifically, a current can be passed through the
繊維製品は、手袋、衣服、帽子などの被り物、靴下、足袋などの履物などを含む衣料品であってもよい。あるいは、繊維製品は、タオル、手拭い、ハンカチ、毛布、敷布などであってもよい。 The textile product may be clothing including gloves, clothing, headwear such as hats, footwear such as socks and tabi socks, and the like. Alternatively, the textile product may be a towel, washcloth, handkerchief, blanket, sheet, or the like.
また、繊維製品は、タングステン線1と有機繊維11とをそれぞれ、線材として利用して不織布加工を行うことで製造された不織布であってもよい。また、繊維製品は、タングステン線1又は撚り糸10を綿状(ワタ状)にまとめたものであってもよい。あるいは、繊維製品は、有機繊維を用いて製造された織物、編物又は組み物などの繊維布帛に対して、タングステン線1を後縫い(刺繍又は縫製)したものであってもよい。
Moreover, the textile product may be a nonwoven fabric manufactured by performing nonwoven fabric processing using the
[タングステン線]
続いて、本実施の形態に係るタングステン線1の具体的な構成について説明する。
[Tungsten wire]
Next, a specific configuration of the
タングステン線1は、タングステン(W)を主成分として含む金属線である。主成分とは、対象元素(ここではタングステン)の含有率が50wt%より大きいことを意味する。例えば、タングステン線1におけるタングステンの含有率は、90wt%以上である。タングステンの含有率は、95wt%以上でもよく、99wt%以上でもよく、99.9wt%以上でもよい。なお、タングステンの含有率とは、タングステン線1の重さに対するタングステンの重さの割合である。タングステン線1は、含有率が実質的に100wt%の純タングステン線であってもよい。なお、純タングステン線には、製造上混入が避けられない不可避的不純物が含まれていてもよい。
The
タングステン線1は、タングステンとタングステン以外の金属元素との合金からなるタングステン合金線であってもよい。タングステン以外の金属元素は、例えば、レニウム(Re)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)などである。例えば、レニウムなどの合金(固溶体)を構成する金属元素の含有率は、0.1wt%以上10wt%以下であるが、これに限定されない。合金を構成する金属元素の含有率は、0.5wt%以上5wt%以下であってもよい。一例として、レニウムの含有率は1wt%であるが、3wt%であってもよい。
The
また、タングステン線1は、カリウム(K)、セリウム(Ce)などの所定の元素(ドープ元素)ドープされたドープタングステン線であってもよい。ドープ元素の含有率は、例えば、0.005wt%以上0.010wt%以下であるが、これに限定されない。
Further, the
タングステン線1の線径は、50μm以下である。例えば、タングステン線1の線径は、40μm以下であってもよく、30μm以下でもよく、20μm以下でもよく、10μm以下であってもよい。例えば、タングステン線1の線径は、5μm程度であってもよい。
The wire diameter of the
タングステン線1の引張強度は、2200MPa以上2800MPa以下である。これにより、繊維製品などとして利用するには十分な引張強度を確保することができている。
The tensile strength of the
タングステン線1の線軸に垂直な方向における表面結晶粒の幅の平均値は、220nm以上である。表面結晶粒の幅の平均値(以下では、平均結晶幅と記載する)は、タングステン線1を構成する結晶粒の大きさを表すパラメータの1つである。具体的な測定方法については、後で実施例とともに説明する。平均結晶幅は、例えば220nm以上310nm以下である。
The average width of the surface crystal grains in the direction perpendicular to the line axis of the
平均結晶幅が220nm以上であることによって、タングステン線1の比抵抗値が低くなる。すなわち、タングステン線1の結晶粒の大きさが大きくなることによって、タングステン線1内の粒界が少なくなる。タングステン線1に電流を流す場合、粒界が電子の移動の妨げになることで、電気抵抗が生じる。本実施の形態では、粒界が少なくなることによって、タングステン線1の比抵抗値を低くすることができる。具体的には、タングステン線1の比抵抗値は、6.2μΩ・cm以上6.9μΩ・cm以下である。
When the average crystal width is 220 nm or more, the specific resistance value of the
タングステン線1の結晶粒内には、転位が含まれる。転位とは、線状の結晶欠陥である。転位は、タングステン線1の製造方法における線引き工程(伸線工程)で発生する。発生した転位は、所定の温度(例えば1200℃)以上での加熱(アニール)が行われた場合に、実質的(所定の倍率では観察できない程度)に消滅する。言い換えると、所定の倍率で観察できる程度に転位を含むタングステン線1は、最後の線引き工程の後に、上記所定の温度以上の加熱が行われていないことを意味する。
Dislocations are included in the crystal grains of the
また、タングステン線1の結晶粒内に転位が含まれることによって、タングステン線1の2次加工性が高まる。例えば、同じ線径で比較した場合に、転位を含むタングステン線1の2次加工性は、転位を含まないタングステン線の2次加工性より高い。具体的には、転位を含むタングステン線1の柔軟性(屈曲性)が増し、タングステン線1を用いた撚糸加工、製織加工、整網加工などの折曲又は屈曲を伴う2次加工が可能になる。これは、2次加工時にタングステン線1に加わる力の伝搬が、結晶粒内の転位によって抑えられ、タングステン線1の断線などの発生を抑制することができるためである。
Further, since dislocations are included in the crystal grains of the
なお、転位は、弾性変形が生じる程度では発生しない。例えば、図1に示したようにタングステン線1を保管のために巻枠2に巻き付けた程度では、転位は発生しない。
Note that dislocations do not occur to the extent that elastic deformation occurs. For example, when the
以上のように、本実施の形態に係るタングステン線1は、低抵抗と細い線径とを両立することができる。また、本実施の形態に係るタングステン線1は、撚糸加工などの2次加工が可能であり、上述した繊維製品を製造可能である。
As described above, the
[製造方法]
次に、本実施の形態に係るタングステン線1の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、本実施の形態に係るタングステン線1の製造方法を示すフローチャートである。
[Production method]
Next, a method for manufacturing the
まず、図2に示されるように、最終目標の線径よりも太い所定の線径(例えば、約3mm)のタングステン線に対して、高い加工度で線引きを行う(S10)。所定の線径のタングステン線は、タングステンインゴットに対してスエージング加工又は圧延加工などを繰り返し行うことによって作製される。また、タングステンインゴットは、タングステン粉末の集合物を準備し、準備した集合物に対してプレス及び焼結(シンター)を行うことで作製される。なお、タングステン粉末に合金元素の粉末又はドープ元素の粉末を混合することで、タングステン合金線又はドープタングステン線の製造が可能である。 First, as shown in FIG. 2, a tungsten wire having a predetermined wire diameter (for example, about 3 mm) that is thicker than the final target wire diameter is drawn at a high degree of processing (S10). A tungsten wire having a predetermined wire diameter is produced by repeatedly performing swaging or rolling on a tungsten ingot. Moreover, a tungsten ingot is produced by preparing an aggregate of tungsten powder and performing pressing and sintering on the prepared aggregate. Note that a tungsten alloy wire or a doped tungsten wire can be manufactured by mixing powder of an alloying element or powder of a doping element with tungsten powder.
加工度は、線引きによる断面減少率である。具体的には、加工度は、線引き前のタングステン線の断面積に対する、線引き後のタングステン線の断面積の比率を1から減算した値を百分率で表したものである。加工度が高い程、線引きによる断面積の減少量が多く、加工度が低い程、線引きによる断面積の減少量が少ない。すなわち、同じ線径のタングステン線に対して高い加工度で線引きされた後のタングステン線の線径は、低い加工度で線引きされた後のタングステン線の線径より細くなる。 The degree of processing is the reduction rate of cross section due to wire drawing. Specifically, the working degree is a value obtained by subtracting from 1 the ratio of the cross-sectional area of the tungsten wire after drawing to the cross-sectional area of the tungsten wire before drawing, expressed as a percentage. The higher the working degree, the greater the reduction in cross-sectional area due to wire drawing, and the lower the working degree, the smaller the reduction in cross-sectional area due to wire drawing. That is, the wire diameter of a tungsten wire after being drawn at a high working degree is smaller than the wire diameter of a tungsten wire after being drawn at a low working degree for a tungsten wire having the same wire diameter.
ステップS10において、高い加工度とは、具体的には80%以上の加工度である。例えば、80%以上95%以下の加工度で線引きが実行される。 In step S10, the high degree of machining is specifically a degree of machining of 80% or more. For example, line drawing is performed with a processing degree of 80% or more and 95% or less.
線引きは、1以上の伸線ダイスを用いて行われる。線引き工程において、黒鉛を水に分散させた潤滑剤を用いてもよい。なお、最初の線引き前に、タングステン線に対してアニールが行われてもよい。アニールを行うことで、タングステン線の表面に酸化物層を形成する。これにより、線引き加工中の断線の発生を抑制することができる。 Wire drawing is performed using one or more wire drawing dies. In the wire drawing process, a lubricant in which graphite is dispersed in water may be used. Note that the tungsten wire may be annealed before the first wire drawing. By performing annealing, an oxide layer is formed on the surface of the tungsten wire. Thereby, occurrence of wire breakage during wire drawing can be suppressed.
次の線引きが最後の線引きではない場合(S12でNo)、タングステン線に対してアニールを行う(S14)。アニールを行うことで、線引きの加工性の悪化を抑制することができる。アニール温度は、例えば、1000℃以上1600℃以下の温度であるが、これに限定されない。アニールが行われた後、ステップS10に戻り、高い加工度で線引きを行う。線引き(S10)とアニール(S14)とを繰り返すことによって、所望の線径までタングステン線の細径化を行う。線引きの繰り返しにおいて、途中で電解研磨が行われてもよい。電解研磨によってタングステン線の表面を滑らかにすることができ、加工性を高めて線引き中の断線の発生を抑制することができる。 If the next drawing is not the last drawing (No in S12), the tungsten wire is annealed (S14). By performing annealing, deterioration in wire drawing workability can be suppressed. The annealing temperature is, for example, a temperature of 1000° C. or more and 1600° C. or less, but is not limited thereto. After annealing is performed, the process returns to step S10 and wire drawing is performed at a high degree of processing. By repeating wire drawing (S10) and annealing (S14), the tungsten wire is thinned to a desired wire diameter. Electrolytic polishing may be performed during the repetition of wire drawing. Electropolishing can make the surface of the tungsten wire smooth, improve workability, and suppress the occurrence of wire breakage during wire drawing.
次の線引きが最後の線引きである場合(S12でYes)、タングステン線に対してアニールを行う(S16)。アニール温度は、1200℃以上1600℃以下の温度である。このアニール温度は、例えば、直前に行われたアニール(S14)の温度より高い温度であるが、これに限定されない。 If the next drawing is the last drawing (Yes in S12), the tungsten wire is annealed (S16). The annealing temperature is 1200°C or more and 1600°C or less. This annealing temperature is, for example, higher than the temperature of the immediately preceding annealing (S14), but is not limited thereto.
次に、アニールを行った後(S16)のタングステン線に対して、低い加工度で線引きを行う(S18)。ここでの低い加工度とは、ステップS10における加工度よりも低い加工度である。具体的には、低い加工度とは、20%以上50%以下である。例えば、約30%の加工度で線引きが実行される。ステップS18の最後の線引きによって、タングステン線の結晶粒内には、転位が形成される。なお、ステップS18以降の工程では、1200℃以上の温度でのアニールが行われない。 Next, the tungsten wire that has been annealed (S16) is drawn at a low degree of processing (S18). The low degree of machining here is a degree of machining lower than the degree of machining in step S10. Specifically, the low degree of processing is 20% or more and 50% or less. For example, line drawing is performed with a processing degree of about 30%. By the final drawing in step S18, dislocations are formed within the crystal grains of the tungsten wire. Note that in the steps after step S18, annealing at a temperature of 1200° C. or higher is not performed.
最後の線引きにおける加工度が50%より大きい場合、結晶粒が小さくなり、比抵抗値を低くすることができない。最後の線引きにおける加工度が20%未満である場合、結晶粒内に転位が形成されずに、タングステン線1の2次加工性を十分に高めることができない。
If the degree of work in the final wire drawing is greater than 50%, the crystal grains become small and the specific resistance value cannot be lowered. If the degree of workability in the final wire drawing is less than 20%, dislocations will not be formed within the crystal grains and the secondary workability of the
最後に、線引き後のタングステン線に対して、電解研磨を行う(S20)。電解研磨は、例えば、水酸化ナトリウム水溶液などの電解液に、タングステン線と対向電極とを浸した状態で、タングステン線と対向電極との間に電位差を発生させることで行われる。電解研磨によって、タングステン線の線径が僅かに減少し、所望の線径に調整される。なお、電解研磨(S20)は行われなくてもよい。 Finally, the tungsten wire after drawing is subjected to electrolytic polishing (S20). Electrolytic polishing is performed, for example, by immersing the tungsten wire and the counter electrode in an electrolytic solution such as an aqueous sodium hydroxide solution, and generating a potential difference between the tungsten wire and the counter electrode. By electrolytic polishing, the wire diameter of the tungsten wire is slightly reduced and adjusted to a desired wire diameter. Note that electrolytic polishing (S20) may not be performed.
以上の工程を経て、上述したタングステン線1を製造することができる。
Through the above steps, the above-described
また、タングステン線1の製造方法に示される各工程は、例えばインラインで行われる。具体的には、ステップS10で使用される複数の伸線ダイスは、生産ライン上で孔径が小さくなる順で配置される。また、各伸線ダイス間にはバーナーなどの加熱装置が配置されている。また、各伸線ダイス間には電解研磨装置が配置されていてもよい。ステップS10で使用される伸線ダイスの下流側(後工程側)に、ステップS18で使用される1以上の伸線ダイスが、孔径が小さくなる順で配置され、最も孔径が小さい伸線ダイスの下流側に電解研磨装置が配置される。なお、各工程は、個別に行われてもよい。
Further, each step shown in the method for manufacturing the
[実施例及び比較例]
続いて、本実施の形態に係るタングステン線1の具体的な実施例及び比較例について説明する。
[Examples and comparative examples]
Next, specific examples and comparative examples of the
実施例1~3及び比較例1~3に係るタングステン線は、線径が24μmのタングステン線である。実施例4~6及び比較例4~6に係るタングステン線は、線径が48μmのタングステン線である。なお、実施例1~6及び比較例1~6に係るタングステンの含有率は、99.9wt%以上である。 The tungsten wires according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 have a wire diameter of 24 μm. The tungsten wires according to Examples 4 to 6 and Comparative Examples 4 to 6 have a wire diameter of 48 μm. Note that the tungsten content in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 6 is 99.9 wt% or more.
実施例に係るタングステン線は、図2に示される製造方法に沿って製造したものである。比較例に係るタングステン線は、図2に示される製造方法のうち、ステップS18の低い加工度での線引きの代わりに、高い加工度で線引きを行ったもの、又は、その線引き後にアニールを行ったものである。具体的な各実施例及び各比較例の製造方法は、以下のとおりである。なお、実施例1~6及び比較例1~6のいずれも、線径が180μmになるまでの加工方法は、互いに同じである。 The tungsten wire according to the example was manufactured according to the manufacturing method shown in FIG. 2. The tungsten wire according to the comparative example was manufactured using the manufacturing method shown in FIG. 2, in which drawing was performed at a high degree of work instead of drawing at a low degree of work in step S18, or the wire was annealed after the wire drawing. It is something. The specific manufacturing method of each Example and each Comparative Example is as follows. Note that in both Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 6, the processing method until the wire diameter reached 180 μm was the same.
<実施例1>
実施例1では、線径が180μmのタングステン線に対して、1500℃のアニール(S14)を行った後、加工度80%で線引き(S12、最後の線引きの2回前の線引き)を行って、線径が80μmのタングステン線を作成した。次に、1100℃のアニール(S14)を行った後、加工度86%で線引き(S12、最後の線引きの1回前の線引き)を行って、線径が30μmのタングステン線を作成した。次に、1200℃のアニール(S16)を行った後、加工度30%で線引き(S18)を行って、線径が25.1μmのタングステン線を作成した。その後、電解研磨(S20)を行うことで、線径が24μmの実施例1に係るタングステン線を作成した。
<Example 1>
In Example 1, a tungsten wire with a wire diameter of 180 μm was annealed at 1500°C (S14), and then drawn at a processing rate of 80% (S12, two drawings before the last drawing). A tungsten wire with a wire diameter of 80 μm was prepared. Next, after performing annealing at 1100° C. (S14), wire drawing was performed at a workability of 86% (S12, one drawing before the final wire drawing) to create a tungsten wire with a wire diameter of 30 μm. Next, after performing annealing at 1200° C. (S16), wire drawing was performed at a workability of 30% (S18) to create a tungsten wire with a wire diameter of 25.1 μm. Thereafter, by performing electrolytic polishing (S20), a tungsten wire according to Example 1 having a wire diameter of 24 μm was created.
<実施例2>
実施例2では、実施例1とほぼ同じ製造方法であり、ステップS16での最後の線引きの前のアニールを、1400℃で行った点のみが異なる。
<Example 2>
In Example 2, the manufacturing method is almost the same as in Example 1, and the only difference is that the annealing before the final wire drawing in step S16 was performed at 1400°C.
<実施例3>
実施例3では、実施例1とほぼ同じ製造方法であり、ステップS16での最後の線引きの前のアニールを、1600℃で行った点のみが異なる。
<Example 3>
In Example 3, the manufacturing method is almost the same as in Example 1, and the only difference is that the annealing before the final wire drawing in step S16 was performed at 1600°C.
<実施例4>
実施例4では、線径が180μmのタングステン線に対して、1500℃のアニール(S14)を行った後、加工度90%で線引き(S12、最後の線引きの1回前の線引き)を行って、線径が57μmのタングステン線を作成した。次に、1200℃のアニール(S16)を行った後、加工度23%で線引き(S18)を行って、線径が50μmのタングステン線を作成した。その後、電解研磨(S20)を行うことで、線径が48μmの実施例4に係るタングステン線を作成した。
<Example 4>
In Example 4, a tungsten wire with a wire diameter of 180 μm was annealed at 1500°C (S14), and then drawn at a processing rate of 90% (S12, one drawing before the last drawing). A tungsten wire with a wire diameter of 57 μm was prepared. Next, after performing annealing at 1200° C. (S16), wire drawing was performed at a workability of 23% (S18) to create a tungsten wire with a wire diameter of 50 μm. Thereafter, by performing electrolytic polishing (S20), a tungsten wire according to Example 4 having a wire diameter of 48 μm was created.
<実施例5>
実施例5では、実施例4とほぼ同じ製造方法であり、ステップS16での最後の線引きの前のアニールを、1400℃で行った点のみが異なる。
<Example 5>
In Example 5, the manufacturing method is almost the same as in Example 4, and the only difference is that the annealing before the final wire drawing in step S16 was performed at 1400°C.
<実施例6>
実施例6では、実施例4とほぼ同じ製造方法であり、ステップS16での最後の線引きの前のアニールを、1600℃で行った点のみが異なる。
<Example 6>
In Example 6, the manufacturing method is almost the same as in Example 4, and the only difference is that the annealing before the final wire drawing in step S16 was performed at 1600°C.
<比較例1>
比較例1では、線径が180μmのタングステン線に対して、1500℃のアニールを行った後、加工度80%で線引き(最後の線引きの1回前の線引き)を行って、線径が80μmのタングステン線を作成した。次に、1100℃のアニールを行った後、加工度91%で線引き(最後の線引き)を行って、線径が25.1μmのタングステン線を作成した。その後、電解研磨(S20)を行うことで、線径が24μmの比較例1に係るタングステン線を作成した。比較例1は、本願の製造方法において、最後の線引き工程(S18)での加工度が高い場合に相当している。
<Comparative example 1>
In Comparative Example 1, a tungsten wire with a wire diameter of 180 μm was annealed at 1500° C., and then drawn at a processing rate of 80% (one drawing before the final wire drawing), resulting in a wire diameter of 80 μm. tungsten wire was created. Next, after annealing at 1100° C., wire drawing was performed at a workability of 91% (final wire drawing) to create a tungsten wire with a wire diameter of 25.1 μm. Thereafter, by performing electrolytic polishing (S20), a tungsten wire according to Comparative Example 1 having a wire diameter of 24 μm was created. Comparative Example 1 corresponds to a case where the degree of processing in the final wire drawing step (S18) is high in the manufacturing method of the present application.
<比較例2>
比較例2では、比較例1と同じ製造方法で製造したタングステン線に対して、最後の線引き後に、1400℃でのアニールを行った。
<Comparative example 2>
In Comparative Example 2, a tungsten wire manufactured by the same manufacturing method as Comparative Example 1 was annealed at 1400° C. after the final wire drawing.
<比較例3>
比較例3では、比較例1と同じ製造方法で製造したタングステン線に対して、最後の線引き後に、1600℃でのアニールを行った。
<Comparative example 3>
In Comparative Example 3, the tungsten wire manufactured by the same manufacturing method as Comparative Example 1 was annealed at 1600° C. after the final wire drawing.
<比較例4>
比較例4では、線径が180μmのタングステン線に対して、1500℃のアニールを行った後、加工度94%で線引き(最後の線引き)を行って、線径が50μmのタングステン線を作成した。その後、電解研磨(S20)を行うことで、線径が48μmの比較例4に係るタングステン線を作成した。比較例4は、本願の製造方法において、最後の線引き工程(S18)での加工度が高い場合に相当している。
<Comparative example 4>
In Comparative Example 4, a tungsten wire with a wire diameter of 180 μm was annealed at 1500° C., and then drawn at a processing rate of 94% (final wire drawing) to create a tungsten wire with a wire diameter of 50 μm. . Thereafter, by performing electrolytic polishing (S20), a tungsten wire according to Comparative Example 4 having a wire diameter of 48 μm was created. Comparative Example 4 corresponds to a case where the degree of processing in the final wire drawing step (S18) is high in the manufacturing method of the present application.
<比較例5>
比較例5では、比較例4と同じ製造方法で製造したタングステン線に対して、最後の線引き後に、1400℃でのアニールを行った。
<Comparative example 5>
In Comparative Example 5, the tungsten wire manufactured by the same manufacturing method as Comparative Example 4 was annealed at 1400° C. after the final wire drawing.
<比較例6>
比較例6では、比較例4と同じ製造方法で製造したタングステン線に対して、最後の線引き後に、1600℃でのアニールを行った。
<Comparative example 6>
In Comparative Example 6, the tungsten wire manufactured by the same manufacturing method as Comparative Example 4 was annealed at 1600° C. after the final wire drawing.
[評価結果]
続いて、上述した実施例1~6及び比較例1~6に係るタングステン線について、比抵抗値、引張強度、平均結晶幅及び2次加工性の各々を測定及び評価した結果を、表1及び表2、並びに、図3A~図6Bを用いて説明する。実施例1~3並びに比較例2及び3については、転位の有無についても評価した。
[Evaluation results]
Next, the results of measuring and evaluating the resistivity, tensile strength, average crystal width, and secondary workability of the tungsten wires according to Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 6 are shown in Table 1 and Table 1. This will be explained using Table 2 and FIGS. 3A to 6B. Examples 1 to 3 and Comparative Examples 2 and 3 were also evaluated for the presence or absence of dislocations.
図3A~図3Fはそれぞれ、実施例1~6に係るタングステン線の表面を拡大して示す図である。図4A~図4Fはそれぞれ、比較例1~6に係るタングステン線の表面を拡大して示す図である。各図は、作成したタングステン線の表面のSEM(Scanning Electron Microscope)像を示している。各図において、同一の濃さ(色)の範囲が1つの結晶粒を表している。各図の紙面左右方向がタングステン線の線軸に平行な方向であり、表面結晶粒は、当該線軸に沿った方向に長尺に延びている。 3A to 3F are enlarged views showing the surfaces of tungsten wires according to Examples 1 to 6, respectively. 4A to 4F are enlarged views showing the surfaces of tungsten wires according to Comparative Examples 1 to 6, respectively. Each figure shows an SEM (Scanning Electron Microscope) image of the surface of the produced tungsten wire. In each figure, a range of the same density (color) represents one crystal grain. The left-right direction of each drawing is parallel to the line axis of the tungsten wire, and the surface crystal grains extend in a long direction along the line axis.
各図において、中央近傍に垂直に引かれた実線Lは、線軸に垂直な方向に延びる直線である。表面結晶粒の幅の平均値、すなわち、平均結晶幅は、各図に示される範囲内において、実線Lに沿って結晶粒と結晶粒との境界(すなわち、粒界)の数を計数することで算出される。具体的には、計数範囲の長さ、すなわち、各図の縦方向の長さを粒界数+1で割ることにより、表面結晶粒の幅の平均値が算出される。なお、各図において、実線Lに直交する短い複数の線分はそれぞれ、粒界の位置を示している。 In each figure, a solid line L drawn vertically near the center is a straight line extending in a direction perpendicular to the line axis. The average value of the width of surface crystal grains, that is, the average crystal width, is determined by counting the number of boundaries between crystal grains (i.e., grain boundaries) along the solid line L within the range shown in each figure. It is calculated by Specifically, the average width of the surface grains is calculated by dividing the length of the counting range, that is, the length in the vertical direction of each figure, by the number of grain boundaries + 1. In each figure, a plurality of short line segments orthogonal to the solid line L each indicate the position of a grain boundary.
図5A~図5Cはそれぞれ、実施例1~3に係るタングステン線の表面を、図3A~図3Cよりも高い倍率で拡大して示す図である。図6A及び図6Bはそれぞれ、比較例2及び3に係るタングステン線の表面を、図4B及び図4Cよりも高い倍率で拡大して示す図である。 5A to 5C are views showing the surfaces of the tungsten wires according to Examples 1 to 3, respectively, enlarged at a higher magnification than FIGS. 3A to 3C. 6A and 6B are views showing the surfaces of tungsten wires according to Comparative Examples 2 and 3, respectively, enlarged at a higher magnification than FIGS. 4B and 4C.
図5A~図5Cにはそれぞれ、結晶粒内に含まれる転位が確認された範囲を実線の枠で囲んでいる。各図において、タングステン線の線軸方向(図中の紙面左右方向)に交差するように細かく現れた凹凸が転位に相当する。実施例1~3のいずれにおいても、転位が現れていることが分かる。なお、図には示していないが、実施例1~3とは線径のみが異なる実施例4~6についても、実施例1~3と同様の製造方法によって製造されているので、結晶粒内に転位が含まれていると推測される。 In each of FIGS. 5A to 5C, the range in which dislocations contained within the crystal grains have been confirmed is surrounded by a solid line frame. In each figure, fine irregularities that appear to intersect with the line axis direction of the tungsten wire (in the left-right direction of the paper plane in the figure) correspond to dislocations. It can be seen that dislocations appear in all of Examples 1 to 3. Although not shown in the figure, Examples 4 to 6, which differ only in wire diameter from Examples 1 to 3, were manufactured by the same manufacturing method as Examples 1 to 3, so that It is assumed that dislocations are included.
一方で、図6A及び図6Bに示されるように、最後の線引き後にアニールを行った比較例2及び3では、図5A~図5Cとは異なり、転位が確認されなかった。線引き後のアニールにより、結晶粒の再結晶が進行し、転位が消滅したためと推測される。 On the other hand, as shown in FIGS. 6A and 6B, in Comparative Examples 2 and 3 in which annealing was performed after the final drawing, no dislocation was observed, unlike in FIGS. 5A to 5C. It is presumed that this is because recrystallization of crystal grains progresses due to annealing after drawing, and dislocations disappear.
表1は、実施例1~3及び比較例1~3(線径:24μm)に係るタングステン線の評価結果を示している。表2は、実施例4~6及び比較例4~6(線径:48μm)に係るタングステン線の評価結果を示している。 Table 1 shows the evaluation results of the tungsten wires according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 (wire diameter: 24 μm). Table 2 shows the evaluation results of the tungsten wires according to Examples 4 to 6 and Comparative Examples 4 to 6 (wire diameter: 48 μm).
表1に示されるように、実施例1~3に係るタングステン線は、比較例1に係るタングステン線よりも、比抵抗値が低くなっている。具体的には、実施例1~3の各々の比抵抗改善率は、5.6%、9.6%、12.6%であった。なお、比抵抗改善率は、比較例1に係るタングステン線の比抵抗値に対する、各実施例に係るタングステン線の比抵抗値の比率を1から減算した値を百分率で表したものである。最後のアニール(S16)の温度が高い程(例えば、比較例1に比べて比較例3の方が)、比抵抗が低くなり、改善率が高くなっていることが分かる。 As shown in Table 1, the tungsten wires according to Examples 1 to 3 have lower specific resistance values than the tungsten wire according to Comparative Example 1. Specifically, the specific resistance improvement rates of Examples 1 to 3 were 5.6%, 9.6%, and 12.6%. Note that the specific resistance improvement rate is the value obtained by subtracting the ratio of the specific resistance value of the tungsten wire according to each example to the specific resistance value of the tungsten wire according to Comparative Example 1 from 1, expressed as a percentage. It can be seen that the higher the temperature of the final annealing (S16) is (for example, in Comparative Example 3 compared to Comparative Example 1), the lower the specific resistance and the higher the improvement rate.
比較例2及び3に係るタングステン線では、実施例1~3と同等の比抵抗値を実現している。これは、最後の線引き後に行ったアニールによって再結晶による結晶粒の肥大化が起こったためと推測される。平均結晶幅は、比抵抗値及び引張強度の各々と相関関係を有する。平均結晶幅が大きい程、比抵抗値が低く、引張強度が低い。平均結晶幅が小さい程、比抵抗値が高く、引張強度が高い。 The tungsten wires according to Comparative Examples 2 and 3 achieved specific resistance values equivalent to those of Examples 1 to 3. This is presumed to be because the annealing performed after the final drawing caused the crystal grains to enlarge due to recrystallization. The average crystal width has a correlation with each of resistivity and tensile strength. The larger the average crystal width, the lower the specific resistance value and the lower the tensile strength. The smaller the average crystal width, the higher the specific resistance value and the higher the tensile strength.
しかしながら、比較例2及び3では、実施例1~3と同等の比抵抗値を実現しているものの、2次加工性が低い。これは、図6A及び図6Bで示したように、結晶粒内に転位が含まれないためと推測される。 However, although Comparative Examples 2 and 3 achieved resistivity values similar to those of Examples 1 to 3, their secondary workability was low. This is presumably because no dislocations are included in the crystal grains, as shown in FIGS. 6A and 6B.
なお、表1及び表2において、「2次加工」は、各実施例又は各比較例に係るタングステン線を用いた2次加工が可能か不可能かを示している。具体的には、2次加工として、タングステン線を用いた撚糸加工を行った。撚糸加工は、対象となるタングステン線に対して行った所定の撚糸加工である。具体的には、対象となるタングステン線の直径と等しい曲率半径で曲げる加工を行った。 Note that in Tables 1 and 2, "secondary processing" indicates whether secondary processing using the tungsten wire according to each example or each comparative example is possible or impossible. Specifically, as a secondary process, twisting process using tungsten wire was performed. The twisting process is a predetermined twisting process performed on the target tungsten wire. Specifically, the tungsten wire was bent with a radius of curvature equal to the diameter of the tungsten wire.
表1及び表2における「不可」は、撚糸加工を行っている途中でタングステン線の断線が発生し、撚糸加工が行えなかったことを意味している。「可」は、タングステン線の断線が発生せずに、撚糸加工が行うことができたことを意味している。 "Not possible" in Tables 1 and 2 means that the tungsten wire broke during the twisting process, and the twisting process could not be performed. "Acceptable" means that the twisting process could be performed without breaking the tungsten wire.
実施例1~3に係るタングステン線ではいずれも、2次加工が可能であった。これは、上述したとおり、結晶粒内に転位が含まれていたためと推測される。比較例1に係るタングステン線も、実施例と同様に、2次加工が可能であった。しかしながら、比較例1に係るタングステン線は、上記のとおり、比抵抗値が高い。すなわち、比較例1では、低い比抵抗値と高い2次加工性とを実現できていない。 All of the tungsten wires according to Examples 1 to 3 could be subjected to secondary processing. This is presumed to be because dislocations were included in the crystal grains, as described above. The tungsten wire according to Comparative Example 1 could also be subjected to secondary processing similarly to the example. However, the tungsten wire according to Comparative Example 1 has a high specific resistance value as described above. That is, in Comparative Example 1, a low resistivity value and high secondary workability could not be achieved.
一方で、比較例2及び3では、比抵抗値が低いものの、2次加工ができなかった。具体的には、上記撚糸加工を行った場合に、タングステン線がもろくて断線が発生した。すなわち、比較例2及び3でも、低い比抵抗値と高い2次加工性とを実現できていない。 On the other hand, in Comparative Examples 2 and 3, although the specific resistance values were low, secondary processing could not be performed. Specifically, when the above-mentioned twisting process was performed, the tungsten wire was brittle and broke. That is, in Comparative Examples 2 and 3 as well, it was not possible to realize a low resistivity value and high secondary workability.
以上のように、線径が24μmのタングステン線では、実施例1~3では、低い比抵抗値と高い2次加工性とを両立できているのに対して、比較例1~3では、低い比抵抗値と高い2次加工性とを両立できていないことが分かる。 As described above, in Examples 1 to 3, a tungsten wire with a wire diameter of 24 μm has both low resistivity and high secondary processability, whereas Comparative Examples 1 to 3 have a low specific resistance value and high secondary workability. It can be seen that both specific resistance value and high secondary workability cannot be achieved.
なお、引張強度については、実施例1~3に係るタングステン線は、比較例1に係るタングステン線よりも、引張強度が低くなっている。引張強度の低下はあるものの、繊維製品などとして利用するには十分な引張強度を確保することができている。 Regarding the tensile strength, the tungsten wires according to Examples 1 to 3 have lower tensile strengths than the tungsten wire according to Comparative Example 1. Although there is a decrease in tensile strength, sufficient tensile strength can be secured for use as textile products.
また、表2に示されるように、実施例1~3よりも線径が太い実施例4~6に係るタングステン線は、実施例1~3と同様の傾向が見られる。具体的には、実施例4~6に係るタングステン線は、比較例4に係るタングステン線よりも、比抵抗値が低くなっている。より具体的には、実施例4~6の各々の比抵抗改善率は、5.2%、10.5%、12.6%であった。 Further, as shown in Table 2, the tungsten wires according to Examples 4 to 6, which have wire diameters larger than those of Examples 1 to 3, exhibit the same tendency as Examples 1 to 3. Specifically, the tungsten wires according to Examples 4 to 6 have lower specific resistance values than the tungsten wire according to Comparative Example 4. More specifically, the specific resistance improvement rates of Examples 4 to 6 were 5.2%, 10.5%, and 12.6%.
実施例4~6の引張強度、平均結晶幅及び2次加工性についても、実施例1~3と同様の傾向が見られた。すなわち、各実施例に係るタングステン線によれば、線径の大小によらず、低い比抵抗値と高い2次加工性とを両立できていることが分かる。 The same trends as in Examples 1 to 3 were observed in the tensile strength, average crystal width, and secondary workability of Examples 4 to 6. That is, it can be seen that the tungsten wires according to each example can achieve both a low resistivity value and high secondary workability, regardless of the wire diameter.
以上のように、本実施の形態に係るタングステン線1では、最後の線引きの前にアニールを行い、その後に、低い加工度で最後の線引きを行っている。これにより、細い線径と、低い比抵抗値と、高い2次加工性とを実現したタングステン線1を得ることができている。
As described above, in the
(まとめ)
本発明の第1態様に係るタングステン線は、例えば、上述したタングステン線1であり、比抵抗値は、6.2μΩ・cm以上6.9μΩ・cm以下であり、線径は、50μm以下であり、結晶粒内に転位を含む。
(summary)
The tungsten wire according to the first aspect of the present invention is, for example, the above-mentioned
これにより、低抵抗と細い線径とを両立することができる。比抵抗値が低くなることによって、太いタングステン線の電気抵抗と同等の電気抵抗を、細いタングステン線1(具体的には、5%~13%程度の断面積の減少)で実現することができる。なお、この断面積の減少の割合は、上述した比抵抗改善率に対応している。 This makes it possible to achieve both low resistance and a small wire diameter. By lowering the specific resistance value, it is possible to achieve electrical resistance equivalent to that of a thick tungsten wire with a thin tungsten wire 1 (specifically, a reduction in cross-sectional area of about 5% to 13%). . Note that this rate of reduction in cross-sectional area corresponds to the specific resistance improvement rate described above.
また、第1態様に係るタングステン線は、結晶粒内に転位を含むことによって、高い2次加工性を実現することができる。すなわち、第1態様に係るタングステン線は、様々な製品への2次加工に利用することができる。 Moreover, the tungsten wire according to the first aspect can realize high secondary workability by including dislocations in the crystal grains. That is, the tungsten wire according to the first aspect can be used for secondary processing into various products.
また、本発明の第2態様に係るタングステン線は、第1態様に係るタングステン線であって、引張強度は、2200MPa以上2800MPa以下である。 Further, the tungsten wire according to the second aspect of the present invention is the tungsten wire according to the first aspect, and has a tensile strength of 2200 MPa or more and 2800 MPa or less.
これにより、繊維製品などとして利用するには十分な引張強度を確保することができている。 This ensures sufficient tensile strength for use as textile products.
また、本発明の第3態様に係るタングステン線は、第1態様又は第2態様に係るタングステン線であって、タングステン線の線軸に垂直な方向における表面結晶粒の幅の平均値は、220nm以上である。 Further, the tungsten wire according to the third aspect of the present invention is the tungsten wire according to the first aspect or the second aspect, and the average width of the surface crystal grains in the direction perpendicular to the line axis of the tungsten wire is 220 nm or more. It is.
これにより、低い比抵抗値を実現することができる。 Thereby, a low specific resistance value can be achieved.
本発明の第4態様に係る繊維製品は、第1態様~第3態様のいずれか1つに係るタングステン線を備える。 A textile product according to a fourth aspect of the present invention includes the tungsten wire according to any one of the first to third aspects.
これにより、タングステン線の比抵抗値が低いので、タングステン線の導電性を利用したバイタルセンシングなどに繊維製品を利用することができる。また、タングステン線の線径が細いことは、衣料品及びタオルなどの人が直接触れて使用する繊維製品において有用である。例えば、線径が太いと肌触りが悪くなるのに対して、本実施の形態に係るタングステン線の線径が細いので、肌触りの良い繊維製品を実現することができる。 As a result, since the specific resistance value of the tungsten wire is low, the textile product can be used for vital sensing, etc. that utilizes the conductivity of the tungsten wire. Furthermore, the thin wire diameter of the tungsten wire is useful in textile products that are directly touched and used by people, such as clothing and towels. For example, if the wire diameter is large, the feel will be poor, but since the wire diameter of the tungsten wire according to this embodiment is small, it is possible to realize a textile product that is comfortable to the touch.
また、本発明の第5態様に係る繊維製品は、第4態様に係る繊維製品であって、撚り糸10又はメッシュ20である。
Further, the textile product according to the fifth aspect of the present invention is the textile product according to the fourth aspect, and is the twisted
これにより、各種衣料品などへの応用が可能である。 This makes it possible to apply it to various clothing items.
(その他)
以上、本発明に係るタングステン線及び繊維製品について、上記の実施の形態などに基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
(others)
Although the tungsten wire and textile products according to the present invention have been described above based on the above-described embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments.
例えば、タングステン線を2次加工して繊維製品に製造する例を示したが、これに限定されない。タングステン線は、例えば、放電加工用の電極などに利用されてもよい。 For example, although an example has been shown in which a tungsten wire is fabricated into a textile product by secondary processing, the present invention is not limited thereto. The tungsten wire may be used, for example, as an electrode for electrical discharge machining.
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。 In addition, forms obtained by applying various modifications to each embodiment that those skilled in the art can think of, or by arbitrarily combining the constituent elements and functions of each embodiment without departing from the spirit of the present invention. The form is also included in the present invention.
1 タングステン線
10 撚り糸(繊維製品)
20 メッシュ(繊維製品)
1
20 Mesh (textile products)
Claims (5)
線径は、50μm以下であり、
結晶粒内に転位を含む、
タングステン線。 The specific resistance value is 6.2 μΩ·cm or more and 6.9 μΩ·cm or less,
The wire diameter is 50 μm or less,
Contains dislocations within grains,
tungsten wire.
請求項1に記載のタングステン線。 The tensile strength is 2200 MPa or more and 2800 MPa or less,
The tungsten wire according to claim 1.
請求項1又は2に記載のタングステン線。 The average value of the width of the surface crystal grains in the direction perpendicular to the line axis of the tungsten wire is 220 nm or more,
The tungsten wire according to claim 1 or 2.
請求項4に記載の繊維製品。 The textile product is a thread or a mesh.
The textile product according to claim 4.
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