JP2024004752A - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
半導体デバイスの製造過程では、基板処理装置を用いて半導体ウエハに対し様々な処理が行われる。例えば、基板処理装置として、半導体ウエハに含まれる処理対象膜の膜厚を目標膜厚にするエッチング装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。例えば、エッチング装置は、半導体ウエハに向けて供給管からエッチング液を供給して、半導体ウエハをエッチングする。 In the process of manufacturing semiconductor devices, various processes are performed on semiconductor wafers using a substrate processing apparatus. For example, as a substrate processing apparatus, an etching apparatus is known that sets the thickness of a target film included in a semiconductor wafer to a target thickness (for example, see Patent Document 1). For example, an etching apparatus supplies an etching liquid from a supply pipe toward a semiconductor wafer to etch the semiconductor wafer.
また、様々な処理に応じて、エッチング液のような処理液の吐出量を変更する必要がある。そのため、供給管には、処理液の流量を調整する調整バルブが設けられている。 Furthermore, it is necessary to change the discharge amount of a processing liquid such as an etching liquid depending on various processes. Therefore, the supply pipe is provided with an adjustment valve that adjusts the flow rate of the processing liquid.
基板処理装置には、流量計が供給管に配置される。流量計は、供給管内の処理液の流量を検知する。基板処理装置を長期間、使用していると、供給管内の処理液の流量と、流量計の検知結果とが異なることがあった。その結果、供給管内の処理液の流量と、流量計の検知結果とが異なった状態で、基板を処理することがあった。よって、基板を精度よく処理できないことがあった。 In the substrate processing apparatus, a flow meter is arranged in the supply pipe. The flow meter detects the flow rate of the processing liquid within the supply pipe. When a substrate processing apparatus is used for a long period of time, the flow rate of the processing liquid in the supply pipe and the detection result of the flowmeter may differ. As a result, the substrate may be processed in a state where the flow rate of the processing liquid in the supply pipe and the detection result of the flowmeter are different. Therefore, the substrate may not be processed with high precision.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を精度よく処理できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can process a substrate with high precision.
本発明に係る基板処理方法は、基板処理装置で実行される。前記基板処理装置は、処理槽と、流量調整部と、流量計とを備える。前記処理槽は、処理液を貯留して、前記処理液で基板を処理する。前記流量調整部は、開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する。前記流量計は、前記配管内の前記処理液の流量を検知する。前記基板処理方法は、前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定工程と、前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更工程と、前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第1判定工程と、前記設定工程と前記変更工程と前記第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第2判定工程とを含む。 The substrate processing method according to the present invention is executed by a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a processing tank, a flow rate adjustment section, and a flow meter. The processing tank stores a processing liquid and processes a substrate with the processing liquid. The flow rate adjustment section adjusts the flow rate of the processing liquid in a pipe connected to the processing tank by adjusting the opening degree. The flow meter detects the flow rate of the processing liquid within the piping. The substrate processing method includes setting the opening degree of the flow rate adjusting section to the initial opening degree based on opening degree information indicating a relationship between the initial opening degree of the flow rate adjusting section and a target flow rate of the processing liquid. a changing step of changing the initial opening degree to the target opening degree so that the detection result of the flowmeter becomes the target flow rate; and a changing step of changing the initial opening degree to the target opening degree so that the detection result of the flowmeter becomes the target flow rate. a first determination step of determining whether the change is in a positive direction indicating that the degree of opening is larger than the initial opening degree, or a change in a negative direction indicating that the target opening degree is smaller than the initial opening degree; A step of determining whether or not an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus based on a plurality of determination results obtained by performing each of the setting step, the changing step, and the first determining step multiple times. 2 determination steps.
ある実施形態において、前記第2判定工程において、前記複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定し、前記異常条件は、前記正方向の変更が第1所定回数以上連続したこと、又は、前記負方向の変更が前記第1所定回数以上連続したことを示す。 In one embodiment, in the second determination step, it is determined whether an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus by determining whether an abnormality condition is satisfied based on the plurality of determination results. , the abnormal condition indicates that the change in the positive direction has continued for a first predetermined number of times or more, or that the change in the negative direction has continued for a first predetermined number of times or more.
ある実施形態において、前記第2判定工程において、前記複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定し、前記異常条件は、所定期間において第2所定回数以上の前記正方向の変更があったこと、又は、前記所定期間において前記第2所定回数以上の前記負方向の変更があったことを示す。 In one embodiment, in the second determination step, it is determined whether an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus by determining whether an abnormality condition is satisfied based on the plurality of determination results. , the abnormal condition indicates that there has been a change in the positive direction more than a second predetermined number of times in a predetermined period, or that there has been a change in the negative direction more than a second predetermined number of times in the predetermined period.
ある実施形態において、複数のレシピの各々に基づいて、前記基板を処理し、前記第2判定工程において、前記複数のレシピの内の同一のレシピで実行された前記複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する。 In an embodiment, the substrate is processed based on each of a plurality of recipes, and in the second determination step, based on the plurality of determination results executed with the same recipe among the plurality of recipes, It is determined whether an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus.
本発明に係る基板処理装置は、処理液を貯留して、前記処理液で基板を処理する処理槽と、開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と、前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定部と、前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更部と、前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第1判定部と、前記第1判定部で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第2判定部とを備える。 The substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing tank that stores a processing liquid and processes a substrate with the processing liquid, and a processing tank that stores a processing liquid and processes a substrate with the processing liquid. A flow rate adjustment unit that adjusts the flow rate, a flow meter that detects the flow rate of the processing liquid in the piping, and opening degree information that indicates the relationship between the initial opening degree of the flow rate adjustment unit and the target flow rate of the processing liquid. a setting section that sets the opening degree of the flow rate adjustment section to the initial opening degree; and a changing section that changes the opening degree from the initial opening degree to the target opening degree so that the detection result of the flow meter becomes the target flow rate. and the change from the initial opening degree to the target opening degree is a positive change indicating that the target opening degree is larger than the initial opening degree, and that the target opening degree is smaller than the initial opening degree. a first determination unit that determines which of the negative changes shown in FIG. and a second determination unit.
ある実施形態において、複数の前記配管と、複数の前記流量調整部と、複数の前記流量計とを備え、前記複数の配管には、同一の種類又は異なる種類の処理液が流れ、前記第2判定部は、前記複数の流量計の各々の異常が発生しているか否かを判定する。 In an embodiment, a plurality of the piping, a plurality of the flow rate adjustment sections, and a plurality of the flowmeters are provided, the same type or different types of processing liquid flows through the plurality of piping, and the second The determination unit determines whether an abnormality has occurred in each of the plurality of flowmeters.
本発明に係る基板処理方法、及び基板処理装置によれば、基板を精度よく処理できる。 According to the substrate processing method and substrate processing apparatus according to the present invention, a substrate can be processed with high precision.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、X軸、Y軸、及びZ軸は互いに直交し、X軸及びY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in the drawings, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts, and the description will not be repeated. Further, in an embodiment of the present invention, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are perpendicular to each other, the X-axis and Y-axis are parallel to the horizontal direction, and the Z-axis is parallel to the vertical direction.
<実施形態1>
図1を参照して、本発明の実施形態1に係る基板処理装置100A及び基板処理方法を説明する。まず、図1を参照して、基板処理装置100Aを説明する。図1は、基板処理装置100Aを示す模式的斜視図である。具体的には、図1(a)及び図1(b)は、基板Wを処理槽110に投入する前及び後の基板処理装置100Aの模式的斜視図である。
<
Referring to FIG. 1, a
図1(a)及び図1(b)に示すように、基板処理装置100Aは、処理液LQによって複数の基板Wを一括して処理する。なお、基板処理装置100Aは、処理液LQによって多数の基板Wを所定数ずつ処理してもよい。所定数は、1以上の整数である。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the
基板Wは、薄い板状である。典型的には、基板Wは、薄い略円板状である。基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板等を含む。 The substrate W has a thin plate shape. Typically, the substrate W is thin and approximately disk-shaped. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, or a photomask. including solar cell substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates.
処理液LQにより、複数の基板Wには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも1つが行われる。例えば、基板処理装置100Aは、シリコン基板からなる基板Wのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜(SiO2膜)及びシリコン窒化膜(SiN膜)のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Wの表面からシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうちのいずれかを除去する。
Using the treatment liquid LQ, at least one of etching treatment, surface treatment, property imparting, treatment film formation, removal of at least a portion of the film, and cleaning is performed on the plurality of substrates W. For example, the
処理液LQは、例えば、薬液である。処理液は、エッチング液と、リンス液と、SC1と、SC2とを含む。エッチング液は、基板Wをエッチングする。エッチング液は、例えば、フッ硝酸(フッ酸(HF)と硝酸(HNO3)との混合液)、フッ酸、バファードフッ酸(BHF)、フッ化アンモニウム、HFEG(フッ酸とエチレングリコールとの混合液)、又は、燐酸(H3PO4)である。リンス液は、基板Wをリンスする。具体的には、リンス液は、基板W上に残存するエッチング液を洗い流すために使用される。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水である。SC1とSC2との各々は、基板Wを洗浄する。SC1は、例えば、NH4OHとH2O2とを含む混合液である。処理液は、特に限定されないが、以下、実施形態1では、処理液LQがエッチング液である場合について説明する。 The treatment liquid LQ is, for example, a chemical liquid. The processing liquid includes an etching liquid, a rinsing liquid, SC1, and SC2. The etching solution etches the substrate W. Examples of the etching solution include hydrofluoric nitric acid (a mixture of hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO 3 )), hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid (BHF), ammonium fluoride, and HFEG (a mixture of hydrofluoric acid and ethylene glycol). ) or phosphoric acid (H 3 PO 4 ). The rinsing liquid rinses the substrate W. Specifically, the rinsing liquid is used to wash away the etching liquid remaining on the substrate W. The rinsing liquid is, for example, deionized water, carbonated water, electrolyzed ionized water, hydrogen water, ozone water, or hydrochloric acid water with a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm). Each of SC1 and SC2 cleans the substrate W. SC1 is, for example, a mixed liquid containing NH 4 OH and H 2 O 2 . Although the treatment liquid is not particularly limited, in the first embodiment, a case where the treatment liquid LQ is an etching liquid will be described below.
具体的には、基板処理装置100Aは、処理槽110と、基板保持部120とを備える。
Specifically, the
処理槽110は、処理液LQを貯留する。具体的には、処理槽110は、処理液LQを貯留する。具体的には、処理槽110は、内槽112及び外槽114を含む二重槽構造を有している。内槽112及び外槽114はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽112は、処理液LQを貯留し、複数の基板Wを収容可能に構成される。外槽114は、内槽112の上部開口の外周面に設けられる。
The
基板保持部120は、複数の基板Wを保持する。複数の基板Wは、第1方向D10(Y方向)に沿って一列に配列される。換言すれば、第1方向D10は、複数の基板Wの配列方向を示す。第1方向D10は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Wの各々は、第2方向D20に略平行である。第2方向D20は、第1方向D10に略直交し、水平方向に略平行である。
The
具体的には、基板保持部120は、リフターを含む。基板保持部120は、複数の基板Wを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部120が鉛直下方に移動することにより、基板保持部120によって保持されている複数の基板Wは、内槽112に貯留されている処理液LQに浸漬される。
Specifically, the
図1(a)では、基板保持部120は、処理槽110の内槽112の上方に位置する。基板保持部120は、複数の基板Wを保持したまま鉛直下方(Z方向)に降下する。これにより、複数の基板Wが処理槽110に投入される。
In FIG. 1A, the
図1(b)に示すように、基板保持部120が処理槽110にまで降下すると、複数の基板Wは、処理槽110内の処理液LQに浸漬する。実施形態1では、基板保持部120は、処理槽110に貯留された処理液LQに、所定間隔をあけて整列した複数の基板Wを浸漬する。
As shown in FIG. 1B, when the
詳細には、基板保持部120は、本体板122と、保持棒124とを更に含む。本体板122は、鉛直方向(Z方向)に延びる板である。保持棒124は、本体板122の一方の主面から水平方向(Y方向)に延びる。図1(a)及び図1(b)の例では、3つの保持棒124が本体板122の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Wは、所定間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒124によって各基板Wの下縁が当接されて起立姿勢(鉛直姿勢)で保持される。
Specifically, the
基板保持部120は、昇降ユニット126を更に含んでもよい。昇降ユニット126は、基板保持部120に保持されている複数の基板Wが内槽112内に位置する処理位置(図1(b)に示す位置)と、基板保持部120に保持されている複数の基板Wが内槽112の上方に位置する退避位置(図1(a)に示す位置)との間で本体板122を昇降させる。従って、昇降ユニット126によって本体板122が処理位置に移動させられることにより、保持棒124に保持されている複数の基板Wが処理液LQに浸漬される。
The
続けて図2を参照して、基板処理装置100Aを詳細に説明する。図2は、実施形態1に係る基板処理装置100Aを示す模式的断面図である。なお、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。図2に示すように、基板処理装置100Aは、第1供給部210と、複数の循環処理液供給部材130と、希釈液供給部700と、制御装置200とを更に備える。
Continuing with reference to FIG. 2, the
複数の循環処理液供給部材130は、処理槽110の内槽112に処理液LQを供給する。複数の循環処理液供給部材130は、処理槽110の内槽112の内部において、内槽112の底部に配置される。複数の循環処理液供給部材130の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材130の各々は、例えば、管である。
The plurality of circulating processing
具体的には、複数の循環処理液供給部材130の各々は、複数の処理液吐出孔Pを有する。図2では、1つの循環処理液供給部材130に対して1つの処理液吐出孔Pだけが表れている。複数の循環処理液供給部材130の各々は、複数の処理液吐出孔Pから処理液LQを内槽112に供給する。
Specifically, each of the plurality of circulating processing
希釈液供給部700は、複数の循環処理液供給部材130を介して処理槽110に希釈液を供給する。希釈液は、例えば、DIW(:Deionized Water:脱イオン水)である。
The
第1供給部210は、第1配管211と、第1流量計212と、第1調整バルブ215と、第1開閉バルブ216と、開閉バルブ217とを含む。第1流量計212と、第1調整バルブ215と、第1開閉バルブ216と、開閉バルブ217とは、この順番に第1配管211の上流か下流に向かって、第1配管211に配置される。第1調整バルブ215は、「流量調整部」の一例である。
The
第1配管211は、複数の循環処理液供給部材130を介して処理槽110に処理液LQを供給する。詳しくは、処理液LQは、第1配管211を介してタンク218から処理槽110に供給される。処理液LQは、例えばフッ酸(HF)である。第1配管211は、処理液LQが流通する管状部材である。
The
第1開閉バルブ216は、第1配管211を開閉する。つまり、第1開閉バルブ216は、第1配管211からの処理槽110に対する処理液LQの供給と供給停止とを切り替える。
The first on-off
開閉バルブ217は、第1配管211を開閉する。つまり、開閉バルブ217は、第1配管211からの処理槽110に対する処理液LQの供給と供給停止とを切り替える。
The on-off
第1調整バルブ215は、第1配管211を流通する処理液LQの流量を調整する。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する処理液LQの流量を示す。第1調整バルブ215は、開度を調整することにより、第1配管211内の処理液LQの流量を調整する。
The
第1調整バルブ215は、例えば、モータニードルバルブである。具体的には、第1調整バルブ215は、弁座が内部に設けられたバルブボディ(図示しない)と、弁座を開閉するニードルと、開位置と閉位置との間でニードルを移動させるモータ(図示しない)とを含む。第1調整バルブ215の開度は、制御装置200によって調整される。具体的には、第1調整バルブ215の開度は、モータに入力されるニードルの原点位置からの駆動パルス数により調整される。
The
第1流量計212は、第1配管211を流通する処理液LQの流量を検知する。第1流量計212は、例えば、容積式流量計、差圧式流量計、渦流量計、熱線式質量流量計、蒸気用流量計、質量流量計、超音波流量計又は電磁流量計である。第1流量計212は、流量を示す信号を制御装置200に出力する。流量を示す信号は、「検知結果」の一例であり、第1配管211を流通する処理液LQの流量を示す。以下、流量を示す信号を、「第1流量信号FA」と記載する。
The
続けて図3及び図4を参照して、制御装置200を説明する。図3は、実施形態1に係る制御装置200を示すブロック図である。図4は、実施形態1に係る基板処理装置100Aが実行する基板処理を説明するための図である。「基板処理」とは、処理液LQによって所定数の基板Wを順次、処理することである。
Continuing with reference to FIGS. 3 and 4, the
図3に示すように、制御装置200は、基板処理装置100Aの各部の動作を制御する。具体的には、制御装置200は、制御部201と、記憶部202とを含む。
As shown in FIG. 3, the
記憶部202は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部202は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部202はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。
記憶部202は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、基板処理装置100Aが実行する基板処理を示すデータDAを含む。図4に示すように、複数のレシピの各々に基づいて、基板Wを処理する。基板処理を示すデータDAは、複数のレシピRAAを示す情報を含む。具体的には、基板処理を示すデータDAは、第1レシピRAA1を示す情報と、第2レシピRAA2を示す情報と、第3レシピRAA3を示す情報とを含む。第1レシピRAA1と、第2レシピRAA2と、第3レシピRAA3とは、同一のレシピである。第1レシピRAA1と、第2レシピRAA2と、第3レシピRAA3とは、この順番に実行される。
第1レシピRAA1を示す情報と、第2レシピRAA2を示す情報と、第3レシピRAA3を示す情報との各々は、複数のレシピステップを示す情報とを含む。換言すれば、複数のレシピRAAの各々は、基板Wの処理内容及び処理手順を規定する。 Each of the information indicating the first recipe RAA1, the information indicating the second recipe RAA2, and the information indicating the third recipe RAA3 includes information indicating a plurality of recipe steps. In other words, each of the plurality of recipes RAA defines the processing content and processing procedure for the substrate W.
具体的には、複数のレシピRAAの各々は、レシピステップ1stと、レシピステップNと、レシピステップN+1とを含む。レシピステップ1stと、レシピステップNと、レシピステップN+1とは、この順番に実行される。レシピステップ1stとレシピステップNとレシピステップN+1との各々は、異なる処理内容を示す。レシピステップNは、処理液LQの目標流量SAAを示す情報を含む。 Specifically, each of the plurality of recipes RAA includes a recipe step 1st, a recipe step N, and a recipe step N+1. Recipe step 1st, recipe step N, and recipe step N+1 are executed in this order. Recipe step 1st, recipe step N, and recipe step N+1 each indicate different processing contents. Recipe step N includes information indicating the target flow rate SAA of the processing liquid LQ.
図4において、第1流量計212の検知結果と、第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217の開閉の状態と、レシピステップの処理内容と、第1調整バルブ215の開度の状態とが示されている。第1流量計212の検知結果において、横軸は時間を示し、縦軸は処理液LQの流量を示す。第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217の開閉の状態において、横軸は時間を示し、縦軸は開状態及び閉状態の内のいずれかの状態を示す。レシピステップの処理内容において、横軸は時間を示し、縦軸はレシピステップの処理内容を示す。第1調整バルブ215の開度の状態において、横軸は時間を示し、縦軸は第1調整バルブ215の開度を示す。
In FIG. 4, the detection results of the
また、記憶部202は、第1テーブルTAを記憶する。第1テーブルTAは、「開度情報」の一例である。第1テーブルTAは、第1調整バルブ215の初期開度XAAと処理液LQの目標流量SAAとの関係を示す。初期開度XAAは、第1調整バルブ215の開度の大きさを示す。具体的には、初期開度XAAは、第1配管211を流通する処理液LQの流量が目標流量SAAになるように、ニードルの原点位置からの駆動パルス数を示す情報を含む。詳細には、記憶部202に、ニードルの原点位置からの駆動パルス数が、ティーチングされている。
The
制御部201は、プロセッサーを有する。制御部201は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、又は、MPU(Micro Processing Unit)を有する。或いは、制御部201は、汎用演算機を有してもよい。
制御部201は、記憶部202に記憶されているコンピュータプログラムとデータと第1テーブルTAとに基づいて、処理液LQで基板Wを処理する。具体的には、制御部201は、設定部2011と、変更部2012と、第1判定部2013と、第2判定部2014とを備える。
The
設定部2011は、第1テーブルTAに基づいて、第1調整バルブ215の開度を初期開度XAAに設定する。具体的には、設定部2011は、第1調整バルブ215に開度信号を出力する。開度信号は、ニードルの原点位置からの駆動パルス数を示す。詳細には、目標流量SAAの処理液LQを処理槽110に供給する場合には、設定部2011は、第1テーブルTAに基づく駆動パルス数を第1調整バルブ215に出力する。
The
また、設定部2011は、第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に開閉信号を出力する。開閉信号は、第1配管121の開状態及び閉状態の内のいずれかの状態を示す。詳細には、設定部2011は、開状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力することで、第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217が第1配管211を開く。一方、設定部2011は、閉状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力することで、第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217が第1配管211を閉じる。具体的には、時間T1と時間T3と時間T5とに、設定部2011が開状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力する。また、時間T2と時間T4と時間T6とに、設定部2011が閉状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力する。
Further, the
変更部2012は、第1流量計212の検知結果が目標流量SAAとなるように、第1調整バルブ215の開度を初期開度XAAから目標開度YAAに変更する。具体的には、変更部2012は、第1流量計212から第1流量信号FAを受信する。変更部2012は、第1流量信号FAに示される流量が目標流量SAAより少ないときには、初期開度XAAより大きくなる開度を示す開度信号を第1調整バルブ215に出力する。その結果、第1配管211を流通する処理液LQの流量が、目標流量SAAになる。一方、変更部2012は、第1流量信号FAに示される流量が目標流量SAAより多いときには、初期開度XAAより小さくなる開度を示す開度信号を第1調整バルブ215に出力する。その結果、第1配管211を流通する処理液LQの流量が、目標流量SAAになる。
The changing
また、変更部2012は、第1調整バルブ215の開度をフィードバック制御することが可能である。より詳細には、フィードバック制御は、第1流量信号FAに基づく比例制御と積分制御と微分制御とを含む。変更部2012は、第1流量信号FAに示される流量に基づいて、比例制御と積分制御と微分制御とを実行し、比例制御と積分制御と微分制御とが実行された開度を示す開度信号を第1調整バルブ215に出力する。フィードバック制御は、例えばPID制御である。
Further, the changing
第1判定部2013は、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更及び負方向の変更のいずれであるかを判定する。正方向の変更は、目標開度YAAが初期開度XAAより大きいことを示す。負方向の変更は、目標開度YAAが初期開度XAAより小さいことを示す。
The
第2判定部2014は、第1判定部2013で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置100Aの異常が発生しているか否かを判定する。換言すれば、第2判定部2014は、後述する設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、基板処理装置100Aの異常が発生しているか否かを判定する。詳細には、第2判定部2014は、複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、基板処理装置100Aの異常が発生しているか否かを判定する。異常条件は、正方向の変更が第1所定回数以上連続したこと、又は、負方向の変更が第1所定回数以上連続したことを示す。第1所定回数は、2回以上であり、例えば3回である。
The
例えば、第1レシピRAA1を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第2レシピRAA2を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第3レシピRAA3を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であった場合には、第2判定部2014は、異常条件を満たしたと判定する。その結果、基板処理装置100Aを長期間、使用したため、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。よって、適切なタイミングで、第1流量計212の原点を調整したり、第1供給部210の状態を点検したりできる。
For example, when executing the first recipe RAA1, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction, and when executing the second recipe RAA2, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a positive change. If the change to degree YAA is a change in the positive direction, and when the third recipe RAA3 is executed, if the change from the initial opening degree 2
一方、第1レシピRAA1を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第2レシピRAA2を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第3レシピRAA3を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、負方向の変更であった場合には、第2判定部2014は、異常条件を満たしていないと判定する。その結果、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていないことを認識できる。
On the other hand, when the first recipe RAA1 is executed, the change from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction, and when the second recipe RAA2 is executed, the initial opening XAA is changed to the target opening YAA. If the change to degree YAA is a change in the positive direction, and when the third recipe RAA3 is executed, and the change from the initial opening degree 2
以上、本発明の実施形態1について説明した。実施形態1によれば、複数の判定結果に基づいて、基板処理装置100Aの異常が発生しているか否かを判定する。その結果、第1流量計212の検知結果の変位を認識できる。よって、基板処理装置100Aを長期間、使用したため、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。その結果、第1配管211内の処理液LQの流量と、第1流量計212の検知結果とが異なった状態で、基板Wを処理することを抑制できる。
また、異常条件は、正方向の変更が第1所定回数以上連続したこと、又は、負方向の変更が第1所定回数以上連続したことを示す。その結果、第1流量計212の検知結果の変位が偏っていることを、容易に認識できる。
Further, the abnormal condition indicates that the change in the positive direction has continued for a first predetermined number of times or more, or that the change in the negative direction has continued for a first predetermined number or more. As a result, it can be easily recognized that the displacement detected by the
続いて図5を参照して、実施形態1の基板処理方法を説明する。実施形態1の基板処理方法は、図1~図4を参照して説明した基板処理装置100Aによって実行される。図5は、実施形態1の基板処理装置100Aが備える制御装置200による処理を示すフローチャートである。
Next, with reference to FIG. 5, the substrate processing method of the first embodiment will be described. The substrate processing method of the first embodiment is executed by the
まず、ステップS101において、設定部2011は、閉状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力することで、第1配管211を閉じる。
First, in step S101, the
次に、ステップS102において、設定部2011は、第1調整バルブ215の開度を閉鎖角度に設定する。
Next, in step S102, the
次に、ステップS103において、設定部2011は、第1テーブルTAに基づいて、第1調整バルブ215の開度を初期開度XAAに設定する。ステップS103は、本発明の「設定工程」の一例に相当する。
Next, in step S103, the
次に、ステップS104において、設定部2011は、開状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力することで、第1配管211を開く。
Next, in step S104, the
次に、ステップS105において、変更部2012は、第1流量計212から第1流量信号FAを受信する。
Next, in step S105, the changing
次に、ステップS106において、変更部2012は、第1流量計212の検知結果が目標流量SAAとなるように、第1調整バルブ215の開度を初期開度XAAから目標開度YAAに変更する。ステップS106は、本発明の「変更工程」の一例に相当する。
Next, in step S106, the changing
次に、ステップS107において、第1判定部2013は、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更及び負方向の変更のいずれであるかを判定する。ステップS107は、本発明の「第1判定工程」の一例に相当する。
Next, in step S107, the
次に、ステップS108において、第2判定部2014は、第1判定部2013で判定された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。ステップS108は、本発明の「第2判定工程」の一例に相当する。ステップS108で第2判定部2014は、異常条件を満たさないと判定した場合には、処理は、ステップS101に戻る。
Next, in step S<b>108 , the
一方、ステップS108で第2判定部2014は、異常条件を満たすと判定した場合には、処理は、ステップS109に進む。
On the other hand, if the
次に、ステップS109において、第2判定部2014は、基板処理装置100Aの異常が発生していることを示すアラートを発報し、処理が終了する。
Next, in step S109, the
以上、本発明の実施形態1について説明した。実施形態1によれば、複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。その結果、第1流量計212の検知結果の変位を認識できる。よって、基板処理装置100Aを長期間、使用したため、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。その結果、第1配管211内の処理液LQの流量と、第1流量計212の検知結果とが異なった状態で、基板Wを処理することを抑制できる。
続けて図2を参照して、実施形態1に係る基板処理装置100Aを、より詳細に説明する。基板処理装置100Aは、排液部170と、循環部140とを更に備える。
Continuing with reference to FIG. 2, the
排液部170は、処理槽110の処理液LQを排出する。具体的には、排液部170は、排液配管170aと、バルブ170bとを含む。そして、処理槽110の内槽112の底壁には、排液配管170aが接続される。排液配管170aにはバルブ170bが配置される。バルブ170bが開くことにより、内槽112内に貯留されている処理液LQは排液配管170aを通って外部に排出される。排出された処理液LQは排液処理装置(図示しない)へと送られ、処理される。
The
循環部140は、配管141、ポンプ142、ヒーター143、フィルター144、調整バルブ145、及び、バルブ146を含む。ポンプ142、ヒーター143、フィルター144、調整バルブ145及びバルブ146は、この順番に配管141の上流から下流に向かって配置される。
配管141は、処理槽110から送出された処理液LQを再び処理槽110に導く。具体的には、配管141の上流端が外槽114に接続されている。従って、配管141は、外槽114から循環処理液供給部材130に処理液LQを導く。配管141の下流端に、循環処理液供給部材130が接続される。具体的には、配管141の下流端に吐出部131が接続される。
Piping 141 guides processing liquid LQ sent out from
ポンプ142は、配管141から吐出部131に処理液LQを送る。従って、吐出部131は、配管141から供給された処理液LQを吐出する。フィルター144は、配管141を流れる処理液LQをろ過する。
ヒーター143は、配管141を流れる処理液LQの温度を加熱する。つまり、ヒーター143は、処理液LQの温度を調節する。調整バルブ145は、配管141の開度を調節して、吐出部131に供給される処理液LQの流量を調整する。バルブ146は配管141を開閉する。
The
[実施形態2]
図6を参照して本発明の実施形態2について説明する。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態2は、異常条件は、所定期間において第2所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第2所定回数以上の負方向の変更があったことを示す点で実施形態1と異なる。
[Embodiment 2]
Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. However, matters that are different from
図6は、実施形態2に係る基板処理装置100Aが実行する基板処理を説明するための図である。図6に示すように、複数のレシピの各々に基づいて、基板Wを処理する。基板処理を示すデータDBは、複数のレシピRBBを示す情報を含む。具体的には、基板処理を示すデータDBは、第1レシピRBB1を示す情報と、第2レシピRBB2を示す情報と、第3レシピRBB3を示す情報と、第4レシピRBB4を示す情報とを含む。第1レシピRBB1と、第2レシピRBB2と、第3レシピRBB3と、第4レシピRBB4とは、同一のレシピである。第1レシピRBB1と、第2レシピRBB2と、第3レシピRBB3と、第4レシピRBB4とは、この順番に実行される。
FIG. 6 is a diagram for explaining substrate processing performed by the
第1レシピRBB1を示す情報と、第2レシピRBB2を示す情報と、第3レシピRBB3を示す情報と、第4レシピRBB4を示す情報との各々は、複数のレシピステップを示す情報とを含む。なお、時間T1と時間T3と時間T5と時間T7とに、設定部2011が開状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力する。また、時間T2と時間T4と時間T6と時間T8とに、設定部2011が閉状態を示す開閉信号を第1開閉バルブ216及び開閉バルブ217に出力する。
Each of the information indicating the first recipe RBB1, the information indicating the second recipe RBB2, the information indicating the third recipe RBB3, and the information indicating the fourth recipe RBB4 includes information indicating a plurality of recipe steps. Note that at time T1, time T3, time T5, and time T7, the
第2判定部2014は、第1判定部2013で判定された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを決定する。換言すれば、第2判定部2014は、設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、基板処理装置100Aの異常が発生しているか否かを判定する。
The
具体的には、異常条件は、所定期間において第2所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第2所定回数以上の負方向の変更があったことを示す。所定期間は、例えば4回のレシピを実行する期間である。第2所定回数は、例えば3回である。 Specifically, the abnormal condition indicates that there has been a change in the positive direction more than a second predetermined number of times in a predetermined period, or that there has been a change in a negative direction more than a second predetermined number of times in a predetermined period. The predetermined period is, for example, a period during which the recipe is executed four times. The second predetermined number of times is, for example, three times.
例えば、第1レシピRBB1を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第2レシピRBB2を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第3レシピRBB3を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、負方向の変更であり、第4レシピRBB4を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であった場合には、第2判定部2014は、異常条件を満たしたと判定する。その結果、基板処理装置100Aを長期間、使用したため、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。よって、適切なタイミングで、第1流量計212の原点を調整したり、第1供給部210の状態を点検したりできる。
For example, when executing the first recipe RBB1, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction, and when executing the second recipe RBB2, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a positive change. The change to degree YAA is a positive change, and when the third recipe RBB3 is executed, the change from the initial opening degree XAA to the target opening YAA is a negative change, and the fourth recipe RBB4 When executed, if the change from the initial opening degree XAA to the target opening degree YAA is a change in the positive direction, the
一方、第1レシピRBB1を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第2レシピRBB2を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第3レシピRBB3を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、負方向の変更であり、第4レシピRBB4を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、負方向の変更であった場合には、第2判定部2014は、異常条件を満たしていないと判定する。その結果、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていないことを認識できる。
On the other hand, when executing the first recipe RBB1, the change from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction, and when executing the second recipe RBB2, the change from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction. The change to degree YAA is a positive change, and when the third recipe RBB3 is executed, the change from the initial opening degree XAA to the target opening YAA is a negative change, and the fourth recipe RBB4 When executed, if the change from the initial opening degree XAA to the target opening degree YAA is a change in the negative direction, the
以上、本発明の実施形態2について説明した。実施形態2によれば、複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。その結果、第1流量計212の検知結果の変位を認識できる。よって、基板処理装置100Aを長期間、使用したため、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。その結果、第1配管211内の処理液LQの流量と、第1流量計212の検知結果とが異なった状態で、基板Wを処理することを抑制できる。
The second embodiment of the present invention has been described above. According to the second embodiment, it is determined whether the abnormal condition is satisfied based on a plurality of determination results. As a result, the displacement of the detection result of the
また、異常条件は、所定期間において第2所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第2所定回数以上の負方向の変更があったことを示す。その結果、第1流量計212の検知結果の変位が偏っていることを、容易に認識できる。
Further, the abnormal condition indicates that there has been a change in the positive direction more than a second predetermined number of times in a predetermined period, or that there has been a change in a negative direction more than a second predetermined number of times in a predetermined period. As a result, it can be easily recognized that the displacement detected by the
[実施形態3]
図7を参照して本発明の実施形態3について説明する。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態3は、第1レシピRCC1と、第3レシピRCC3とが、異なるレシピである点で実施形態1と異なる。
[Embodiment 3]
Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. However, matters that are different from
図7は、実施形態3に係る基板処理装置100Aが実行する基板処理を説明するための図である。図7に示すように、複数のレシピの各々に基づいて、基板Wを処理する。基板処理を示すデータDCは、複数のレシピRCCを示す情報を含む。具体的には、基板処理を示すデータDCは、第1レシピRCC1を示す情報と、第2レシピRCC2を示す情報と、第3レシピRCC3を示す情報と、第4レシピRCC4を示す情報とを含む。第1レシピRCC1と、第2レシピRCC2と、第3レシピRCC3と、第4レシピRCC4とは、この順番に実行される。
FIG. 7 is a diagram for explaining substrate processing performed by the
第1レシピRCC1を示す情報と、第2レシピRCC2を示す情報と、第3レシピRCC3を示す情報と、第4レシピRCC4を示す情報との各々は、複数のレシピステップを示す情報とを含む。第1レシピRCC1を示す情報と、第2レシピRCC2を示す情報と、第4レシピRCC4を示す情報との各々のレシピステップNは、処理液LQの目標流量SAAを示す情報を含む。第3レシピRCC3を示す情報のレシピステップNは、処理液LQの目標流量SCCを示す情報を含む。 Each of the information indicating the first recipe RCC1, the information indicating the second recipe RCC2, the information indicating the third recipe RCC3, and the information indicating the fourth recipe RCC4 includes information indicating a plurality of recipe steps. Each recipe step N of the information indicating the first recipe RCC1, the information indicating the second recipe RCC2, and the information indicating the fourth recipe RCC4 includes information indicating the target flow rate SAA of the processing liquid LQ. Recipe step N of the information indicating the third recipe RCC3 includes information indicating the target flow rate SCC of the processing liquid LQ.
第2判定部2014は、第1判定部2013で判定された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。換言すれば、第2判定部2014は、設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。具体的には、異常条件は、正方向の変更が第1所定回数以上連続したこと、又は、負方向の変更が第1所定回数以上連続したことを示す。実施形態3では、第2判定部2014は、複数のレシピの内の同一のレシピで実行された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。詳細には、第3レシピRCC3以外のレシピと、第3レシピRCC3とが、異なるレシピであるため、第3レシピRCC3での判定結果を除外する。
The
例えば、第1レシピRCC1を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第2レシピRCC2を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第4レシピRCC4を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であった場合には、第2判定部2014は、異常条件を満たしたと判定する。その結果、異なるレシピが実行されても、第1流量計212の原点がずれたり、第1供給部210の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。よって、適切なタイミングで、第1流量計212の原点を調整したり、第1供給部210の状態を点検したりできる。
For example, when executing the first recipe RCC1, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction, and when executing the second recipe RCC2, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a positive change. If the change to degree YAA is a change in the positive direction, and when the fourth recipe RCC4 is executed, if the change from the initial opening degree 2
[実施形態4]
続いて図8を参照して本発明の実施形態4について説明する。図8は、実施形態1に係る基板処理装置100Aを示す模式的断面図である。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態4は、複数の供給部を更に備える点で実施形態1と異なる。
[Embodiment 4]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the
図8に示すように、基板処理装置100Aは、第2供給部310と、第3供給部410と、第4供給部510と、第5供給部610とを更に備える。なお、第2供給部310と第3供給部410と第4供給部510と第5供給部610との各々の構成は、第1供給部210の構成と同様である。
As shown in FIG. 8, the
第2供給部310は、第2配管311と、第2流量計312と、第2調整バルブ315と、第2開閉バルブ316と、開閉バルブ317とを含む。第3供給部410は、第3配管411と、第3流量計412と、第3調整バルブ415と、第3開閉バルブ416と、開閉バルブ417とを含む。第4供給部510は、第4配管511と、第4流量計512と、第4調整バルブ515と、第4開閉バルブ516と、開閉バルブ517とを含む。第5供給部610は、第5配管611と、第5流量計612と、第5調整バルブ615と、第5開閉バルブ616と、開閉バルブ617とを含む。第2調整バルブ315と第3調整バルブ415と第4調整バルブ515と第5調整バルブ615との各々は、「流量調整部」の一例である。
The
第1配管211と第2配管311と第3配管411と第4配管511と第5配管611とには、同一の種類又は異なる種類の処理液LQが流れる。例えば、第1配管211には、処理液LQとしてフッ酸(HF)が流れる。第2配管311には、処理液LQとして塩酸(HCL)が流れる。第3配管411には、処理液LQとして過酸化水素(H2O2)が流れる。第4配管511には、処理液LQとしてH2O2が流れる。第5配管611には、処理液LQとしてトリメチル-2ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMY)が流れる。
The same or different types of processing liquids LQ flow through the
記憶部202は、第2テーブルと第3テーブルと第4テーブルと第5テーブルとを更に記憶する。第2テーブルと第3テーブルと第4テーブルと第5テーブルとの各々は、「開度情報」の一例である。第2テーブルは、第2調整バルブ315の初期開度XAAと処理液LQの目標流量SAAとの関係を示す。第3テーブルは、第3調整バルブ415の初期開度XAAと処理液LQの目標流量SAAとの関係を示す。第4テーブルは、第4調整バルブ515の初期開度XAAと処理液LQの目標流量SAAとの関係を示す。第5テーブルは、第5調整バルブ615の初期開度XAAと処理液LQの目標流量SAAとの関係を示す。
The
第2判定部2014は、第1流量計212と第2流量計312と第3流量計412と第4流量計512と第5流量計612との各々の異常条件を満たすか否かを判定する。具体的には、第2判定部2014は、第1供給部210において設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第1流量計212の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第2判定部2014は、第2供給部310において設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第2流量計312の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第2判定部2014は、第3供給部410において設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第3流量計412の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第2判定部2014は、第4供給部510において設定工程と変更工程と判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第4流量計512の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第2判定部2014は、第5供給部610において設定工程と変更工程と第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第5流量計612の異常条件を満たすか否かを判定する。
The
以上、本発明の実施形態4について説明した。実施形態4によれば、実施形態4によれば、第1流量計212と第2流量計312と第3流量計412と第4流量計512と第5流量計612との各々の異常条件を満たすか否かを判定する。その結果、第1流量計212と第2流量計312と第3流量計412と第4流量計512と第5流量計612との各々の原点がずれたりした状態になっていることを認識できる。よって、適切に点検できる。
Embodiment 4 of the present invention has been described above. According to the fourth embodiment, the abnormal conditions of each of the
以上、図面(図1~図8)を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 8). However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various forms without departing from the spirit thereof. Further, the plurality of components disclosed in the above embodiments can be modified as appropriate. For example, some of the components shown in one embodiment may be added to the components of another embodiment, or some of the components shown in one embodiment may be configured. Elements may be deleted from the embodiment.
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 The drawings mainly schematically show each component in order to facilitate understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each illustrated component may vary depending on the convenience of drawing. The above image may differ from the actual one. Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example, and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes can be made without substantially departing from the effects of the present invention. .
(1)実施形態3では、第1レシピRCC1と、第3レシピRCC3とが、異なるレシピであるため、第3レシピRCC3での判定結果を除外したが、特に限定されない。第3レシピRCC3での判定結果を加えてもよい。例えば、第1レシピRCC1を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第2レシピRCC2を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であり、第3レシピRCC3を実行した際に、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、正方向の変更であった場合には、第2判定部2014は、異常条件を満たしたと判定する。
(1) In the third embodiment, since the first recipe RCC1 and the third recipe RCC3 are different recipes, the determination result for the third recipe RCC3 is excluded, but this is not particularly limited. The determination result in the third recipe RCC3 may be added. For example, when executing the first recipe RCC1, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a change in the positive direction, and when executing the second recipe RCC2, changing from the initial opening XAA to the target opening YAA is a positive change. If the change to degree YAA is a change in the positive direction, and when the third recipe RCC3 is executed, the change from the initial opening degree 2
(2)第1判定工程では、初期開度XAAから目標開度YAAへの変更が、目標開度YAAが初期開度XAAより大きいことを示す正方向の変更、及び、目標開度YAAが初期開度XAAより小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定したが、特に限定されない。正方向の変更は、目標開度YAAが初期開度XAAより所定値以上、大きいことを示し、負方向の変更は、目標開度YAAが初期開度XAAより所定値以上、小さいことを示してもよい。 (2) In the first determination step, the change from the initial opening degree XAA to the target opening degree YAA is a positive change indicating that the target opening degree YAA is larger than the initial opening degree XAA, and Although it has been determined whether the change is in the negative direction indicating that the opening degree is smaller than the opening degree XAA, this is not particularly limited. A change in the positive direction indicates that the target opening YAA is larger than the initial opening XAA by a predetermined value or more, and a change in the negative direction indicates that the target opening YAA is smaller than the initial opening XAA by a predetermined value or more. Good too.
本発明は、基板を処理する分野に有用である。 The present invention is useful in the field of processing substrates.
100A :基板処理装置
110 :処理槽
211 :第1配管
212 :第1流量計
215 :第1調整バルブ(流量調整部)
LQ :処理液
100A: Substrate processing apparatus 110: Processing tank 211: First piping 212: First flow meter 215: First adjustment valve (flow rate adjustment section)
LQ: Processing liquid
Claims (6)
開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と
を備える基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定工程と、
前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更工程と、
前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第1判定工程と、
前記設定工程と前記変更工程と前記第1判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第2判定工程と
を含む、基板処理方法。 a processing tank that stores a processing liquid and processes a substrate with the processing liquid;
a flow rate adjustment unit that adjusts the flow rate of the processing liquid in the piping connected to the processing tank by adjusting the opening degree;
A substrate processing method carried out in a substrate processing apparatus including a flow meter that detects the flow rate of the processing liquid in the piping,
a setting step of setting the opening degree of the flow rate adjustment section to the initial opening degree based on opening degree information indicating a relationship between the initial opening degree of the flow rate adjustment section and the target flow rate of the processing liquid;
a changing step of changing the initial opening degree to the target opening degree so that the detection result of the flowmeter becomes the target flow rate;
The change from the initial opening degree to the target opening degree is a positive change indicating that the target opening degree is greater than the initial opening degree, and a negative change indicating that the target opening degree is smaller than the initial opening degree. a first determination step of determining whether it is a change in direction;
A step of determining whether or not an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus based on a plurality of determination results obtained by performing each of the setting step, the changing step, and the first determining step multiple times. 2. A substrate processing method, comprising: 2 determination steps.
前記異常条件は、前記正方向の変更が第1所定回数以上連続したこと、又は、前記負方向の変更が前記第1所定回数以上連続したことを示す、請求項1に記載の基板処理方法。 In the second determination step, determine whether an abnormality condition has occurred in the substrate processing apparatus by determining whether an abnormality condition is satisfied based on the plurality of determination results;
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the abnormal condition indicates that the change in the positive direction has continued for a first predetermined number of times or more, or that the change in the negative direction has continued for a first predetermined number or more.
前記異常条件は、所定期間において第2所定回数以上の前記正方向の変更があったこと、又は、前記所定期間において前記第2所定回数以上の前記負方向の変更があったことを示す、請求項1に記載の基板処理方法。 In the second determination step, determine whether an abnormality condition has occurred in the substrate processing apparatus by determining whether an abnormality condition is satisfied based on the plurality of determination results;
The abnormal condition indicates that there has been a change in the positive direction more than a second predetermined number of times in a predetermined period, or that there has been a change in the negative direction more than a second predetermined number of times in the predetermined period. Item 1. The substrate processing method according to item 1.
前記第2判定工程において、前記複数のレシピの内の同一のレシピで実行された前記複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理方法。 processing the substrate based on each of a plurality of recipes;
2. In the second determination step, it is determined whether or not an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus based on the plurality of determination results executed with the same recipe among the plurality of recipes. 4. The substrate processing method according to claim 3.
開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と、
前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定部と、
前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更部と、
前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第1判定部と、
前記第1判定部で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第2判定部と
を備える、基板処理装置。 a processing tank that stores a processing liquid and processes a substrate with the processing liquid;
a flow rate adjustment unit that adjusts the flow rate of the processing liquid in the piping connected to the processing tank by adjusting the opening degree;
a flow meter that detects the flow rate of the processing liquid in the piping;
a setting section that sets the opening degree of the flow rate adjustment section to the initial opening degree based on opening degree information indicating a relationship between the initial opening degree of the flow rate adjustment section and the target flow rate of the processing liquid;
a changing unit that changes the initial opening degree to the target opening degree so that the detection result of the flowmeter becomes the target flow rate;
The change from the initial opening degree to the target opening degree is a positive change indicating that the target opening degree is greater than the initial opening degree, and a negative change indicating that the target opening degree is smaller than the initial opening degree. a first determination unit that determines whether the direction is changed;
and a second determination section that determines whether or not an abnormality has occurred in the substrate processing apparatus based on a plurality of determination results determined by the first determination section.
複数の前記流量調整部と、
複数の前記流量計と
を備え、
前記複数の配管には、同一の種類又は異なる種類の処理液が流れ、
前記第2判定部は、前記複数の流量計の各々の異常が発生しているか否かを判定する、請求項5に記載の基板処理装置。 a plurality of the piping;
a plurality of the flow rate adjustment units;
and a plurality of the flowmeters,
Processing liquids of the same type or different types flow through the plurality of pipes,
The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the second determination unit determines whether or not an abnormality has occurred in each of the plurality of flowmeters.
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