JP2024002645A - Wiring board and method for manufacturing wiring board - Google Patents

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Hideyuki Goto
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the characteristics of wiring boards and the efficiency of wiring board manufacturing.
SOLUTION: A wiring board of the embodiment includes an insulating layer 31 having a first surface 31a, and a conductor layer 1 having a portion formed over the first surface 31a of the insulating layer 31. The insulating layer 31 has a void 311 opening on the first surface 31a. The conductor layer 1 includes: a first conductor pattern 11 formed entirely over the first surface 31a; and a second conductor pattern 12 having a portion formed inside the void 311 and not overlapping the first conductor pattern 11 in plan view, wherein a thickness of the second conductor pattern 12 is greater than a thickness of the first conductor pattern 11.
SELECTED DRAWING: Figure 1
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing a wiring board.

特許文献1には、誘電体層に設けられた開口部を充填する金属層によって回路層が構成される回路基板及びその製造方法が開示されている。 Patent Document 1 discloses a circuit board in which a circuit layer is formed by a metal layer filling an opening provided in a dielectric layer, and a method for manufacturing the same.

特開2007-221089号公報Japanese Patent Application Publication No. 2007-221089

特許文献1に開示の回路基板では、回路層に含まれる全ての回路パターンが、誘電体層に設けられた開口部内に形成されている。特許文献1の回路基板では、各回路パターンが、所望される厚さや、厚さの均一性を有し得ないことがある。そのため、回路基板において所望の電気特性が得られないことがある。また、特許文献1に開示の回路基板の製造方法では、回路パターンの形成の効率が低いことがある。 In the circuit board disclosed in Patent Document 1, all circuit patterns included in the circuit layer are formed within openings provided in the dielectric layer. In the circuit board of Patent Document 1, each circuit pattern may not have the desired thickness or thickness uniformity. Therefore, desired electrical characteristics may not be obtained in the circuit board. Further, in the method for manufacturing a circuit board disclosed in Patent Document 1, the efficiency of forming a circuit pattern may be low.

本発明の配線基板は、第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有する第1絶縁層と、前記第1絶縁層の前記第1面の上に形成されている部分を有する導体層と、を含んでいる。そして、前記第1絶縁層は、前記第1面に開口する空隙を有し、前記導体層は、全体的に前記第1面の上に形成されている第1導体パターンと、前記空隙の内部に形成されている部分を有していて前記第1導体パターンと平面視で重ならない第2導体パターンと、を含み、前記第2導体パターンの厚さは前記第1導体パターンの厚さよりも大きい。 The wiring board of the present invention includes a first insulating layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a portion of the first insulating layer formed on the first surface. A conductor layer. The first insulating layer has a gap opening on the first surface, and the conductor layer includes a first conductor pattern formed entirely on the first surface and an inside of the gap. a second conductor pattern having a portion formed in a shape that does not overlap with the first conductor pattern in plan view, the thickness of the second conductor pattern being greater than the thickness of the first conductor pattern. .

本発明の配線基板の製造方法は、第1絶縁層を用意することと、前記第1絶縁層の表面上に位置する部分を有していて第1導体パターン及び第2導体パターンを含む導体層を形成することと、を含んでいる。そして、前記導体層を形成することは、前記第1絶縁層の前記表面を覆う金属層を設けることと、前記金属層を部分的に除去することによって前記第1導体パターンを前記表面上に形成することと、前記第1絶縁層に、前記第1絶縁層の前記表面に開口する空隙を形成することと、めっき膜を含む導電膜で前記空隙を充填することによって、前記空隙内の前記導電膜からなる部分を含む前記第2導体パターンを、前記第1導体パターンよりも大きな厚さを有するように形成することと、を含んでいる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention includes preparing a first insulating layer, and a conductor layer having a portion located on the surface of the first insulating layer and including a first conductor pattern and a second conductor pattern. It includes forming and. Forming the conductor layer includes providing a metal layer covering the surface of the first insulating layer, and forming the first conductor pattern on the surface by partially removing the metal layer. forming a void in the first insulating layer that opens to the surface of the first insulating layer; and filling the void with a conductive film including a plating film, thereby increasing the conductivity in the void. The method includes forming the second conductor pattern including a portion made of a film to have a thickness greater than that of the first conductor pattern.

本発明の実施形態によれば、配線基板において良好な電気的特性が得られることがある。また、そのような良好な電気的特性を有する配線基板を効率良く製造することができると考えられる。 According to embodiments of the present invention, good electrical characteristics may be obtained in a wiring board. Further, it is considered that a wiring board having such good electrical characteristics can be efficiently manufactured.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 図1の配線基板におけるコア基板の一方の面の一例を部分的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view partially showing an example of one surface of a core substrate in the wiring board of FIG. 1; 図1の配線基板におけるコア基板の他方の面の一例を部分的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view partially showing an example of the other surface of the core substrate in the wiring board of FIG. 1; 一実施形態の配線基板の変形例を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modified example of the wiring board according to the embodiment. 一実施形態の配線基板の変形例を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modified example of the wiring board according to the embodiment. 一実施形態の配線基板におけるコア基板の他の例の一部を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of another example of the core board in the wiring board of one embodiment. 一実施形態の配線基板におけるコア基板の他の例を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the core board in the wiring board of one embodiment. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention.

一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板100を示す断面図である。図2A及び図2Bには、図1の配線基板100に含まれるコア基板10について、一面10a側からの平面図(上面図)及び他面10b側からの平面図(下面図)が、それぞれ示されている。なお、配線基板100は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図1の配線基板100の積層構造、並びに配線基板100に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さについて各構成要素がそれぞれの間の正確な比率で描かれていない場合がある。 A wiring board of one embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wiring board 100, which is an example of a wiring board according to an embodiment. 2A and 2B respectively show a plan view (top view) from one surface 10a side and a plan view (bottom view) from the other surface 10b side of the core substrate 10 included in the wiring board 100 of FIG. has been done. Note that the wiring board 100 is only an example of the wiring board of this embodiment. The laminated structure of the wiring board of this embodiment and the number of conductive layers and insulating layers are not limited to the laminated structure of the wiring board 100 in FIG. 1 and the number of conductive layers and insulating layers included in the wiring board 100. . In addition, in each of the drawings referred to in the following description, certain parts may be enlarged to make it easier to understand the disclosed embodiments, and each component may differ in size and length. They may not be drawn to exact proportions.

図1に示されるように、本実施形態の配線基板100は、コア基板10からなるコア基板層50と、ビルドアップ層51と、ビルドアップ層52と、ビルドアップ層51を覆うソルダーレジスト層61と、ビルドアップ層52を覆うソルダーレジスト層62と、を含んでいる。コア基板10は、配線基板100の厚さ方向と直交する2つの表面である一面10a及び他面10bを有している。ビルドアップ層51はコア基板10の一面10a上に積層されており、ビルドアップ層52はコア基板10の他面10b上に積層されている。ビルドアップ層51及びビルドアップ層52は、それぞれ、コア基板層50の表面(コア基板10の一面10a又は他面10b)に交互に積層されている1組以上(図1の例では2組)の導体層5a及び絶縁層5bによって構成されている。各ビルドアップ層には、絶縁層5bを貫通して導体層5aと接続されているビア導体5cが形成されている。図1の例のコア基板10は、配線基板100が有する絶縁層と導体層とによる階層構造の中心の層に位置している。コア基板10は、配線基板100に剛性を付与しており、配線基板100の製造時及び使用時において、ビルドアップ層51及びビルドアップ層52を支持している。 As shown in FIG. 1, the wiring board 100 of this embodiment includes a core board layer 50 consisting of the core board 10, a buildup layer 51, a buildup layer 52, and a solder resist layer 61 covering the buildup layer 51. and a solder resist layer 62 covering the buildup layer 52. The core board 10 has one surface 10a and the other surface 10b, which are two surfaces orthogonal to the thickness direction of the wiring board 100. The buildup layer 51 is laminated on one surface 10a of the core substrate 10, and the buildup layer 52 is laminated on the other surface 10b of the core substrate 10. Each of the buildup layers 51 and 52 is one or more sets (two sets in the example of FIG. 1) that are alternately laminated on the surface of the core substrate layer 50 (one side 10a or the other side 10b of the core substrate 10). It is composed of a conductor layer 5a and an insulating layer 5b. A via conductor 5c is formed in each buildup layer, penetrating the insulating layer 5b and connected to the conductor layer 5a. The core board 10 in the example of FIG. 1 is located at the center layer of a hierarchical structure of an insulating layer and a conductor layer that the wiring board 100 has. The core substrate 10 provides rigidity to the wiring board 100 and supports the buildup layer 51 and the buildup layer 52 during manufacturing and use of the wiring board 100.

コア基板10は、コア層30と、絶縁層31(第1絶縁層)と、絶縁層32(第2絶縁層)と、導体層1(第1導体層)と、導体層2(第2導体層)と、絶縁層33及び絶縁層34と、を含んでいる。コア層30、絶縁層31~34、導体層1、及び導体層2は、それぞれ、コア基板層50の一部を構成している。コア層30は、絶縁層31などと同様に絶縁性の材料で形成されている絶縁層である。しかしコア層30は、配線基板100の厚さ方向において、コア基板10及び配線基板100の中心に位置しているため特に「コア層」と称される。 The core substrate 10 includes a core layer 30, an insulating layer 31 (first insulating layer), an insulating layer 32 (second insulating layer), a conductor layer 1 (first conductor layer), and a conductor layer 2 (second conductor layer). layer), an insulating layer 33 and an insulating layer 34. The core layer 30, the insulating layers 31 to 34, the conductor layer 1, and the conductor layer 2 each constitute a part of the core substrate layer 50. The core layer 30 is an insulating layer formed of an insulating material like the insulating layer 31 and the like. However, since the core layer 30 is located at the center of the core substrate 10 and the wiring board 100 in the thickness direction of the wiring board 100, it is particularly referred to as a "core layer."

また、本実施形態の方法の説明では、配線基板100の厚さ方向においてコア層30から遠い側は、「外側」、「上側」若しくは「上方」、又は単に「上」とも称される。一方、コア層30に近い側は、「内側」、「下側」若しくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各導体層に含まれる導体パターン、並びに各絶縁層において、コア層30と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア層30側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板100の厚さ方向は「Z方向」とも称される。 Furthermore, in the description of the method of this embodiment, the side of the wiring board 100 that is far from the core layer 30 in the thickness direction is also referred to as the "outside", "upper side", "upper", or simply "upper". On the other hand, the side closer to the core layer 30 is also referred to as "inner", "lower", or "lower", or simply "lower". Furthermore, in each conductor layer, the conductor pattern included in each conductor layer, and each insulating layer, the surface facing the opposite side to the core layer 30 is also referred to as the "upper surface", and the surface facing the core layer 30 side is also referred to as the "lower surface". It is called. Further, the thickness direction of the wiring board 100 is also referred to as the "Z direction."

コア基板10は、さらに、コア基板10全体を配線基板100の厚さ方向に貫くスルーホール導体4を含んでいる。すなわち、スルーホール導体4は、コア層30と、絶縁層31~34と、導体層1と、導体層2と、を貫通している。スルーホール導体4によって、ビルドアップ層51内の導体層5aとビルドアップ層52内の導体層5aとが電気的に接続されている。配線基板100では、スルーホール導体4で貫かれている、(コア層30を含む)絶縁層及び導体層によって構成される積層体が、コア基板10である。 The core board 10 further includes through-hole conductors 4 that penetrate the entire core board 10 in the thickness direction of the wiring board 100. That is, the through-hole conductor 4 penetrates the core layer 30, the insulating layers 31 to 34, the conductor layer 1, and the conductor layer 2. The conductor layer 5a in the buildup layer 51 and the conductor layer 5a in the buildup layer 52 are electrically connected by the through-hole conductor 4. In the wiring board 100, the core board 10 is a laminate made up of insulating layers (including the core layer 30) and conductor layers, which are penetrated by the through-hole conductors 4.

コア層30は、コア基板10の一面10a側の表面である一面30aと、一面30aと反対側の表面である他面30bと、を有している。絶縁層31は、コア層30の一面30a上に積層されている。絶縁層31は、コア基板10の一面10a側の表面である第1面31aと、第1面31aと反対側の表面であってコア層30側の表面である第2面31bと、を有している。絶縁層31は、その第1面31aに開口する空隙311を有している。図1の例では空隙311は、絶縁層31を貫通しており、コア層30の一面30aに設けられた凹部30cと連通している。 The core layer 30 has one surface 30a, which is the surface on the one surface 10a side of the core substrate 10, and the other surface 30b, which is the surface on the opposite side to the one surface 30a. The insulating layer 31 is laminated on one surface 30a of the core layer 30. The insulating layer 31 has a first surface 31a that is a surface on the one side 10a side of the core substrate 10, and a second surface 31b that is a surface on the opposite side to the first surface 31a and is a surface on the core layer 30 side. are doing. The insulating layer 31 has a void 311 open to its first surface 31a. In the example of FIG. 1, the void 311 penetrates the insulating layer 31 and communicates with a recess 30c provided on one surface 30a of the core layer 30.

絶縁層32は、絶縁層31の第1面31aの上に積層されている。絶縁層32における絶縁層31と反対方向を向く表面である表面32a、導体層1におけるコア層30と反対方向を向く表面(上面)、及びスルーホール導体4における絶縁層31及び絶縁層32側の端面4aによって、コア基板10の一面10aが構成される。 The insulating layer 32 is laminated on the first surface 31a of the insulating layer 31. A surface 32a of the insulating layer 32 facing in the opposite direction to the insulating layer 31, a surface (top surface) of the conductor layer 1 facing the opposite direction to the core layer 30, and a surface of the through-hole conductor 4 on the insulating layer 31 and insulating layer 32 sides. One surface 10a of the core substrate 10 is constituted by the end surface 4a.

絶縁層33はコア層30の他面30b上に積層されており、絶縁層33の上に絶縁層34が積層されている。図1の例では導体層2は全体的に絶縁層33の上に形成されている。絶縁層34は導体層2に覆われていない絶縁層33の表面上に設けられている。導体層2及び絶縁層34それぞれにおけるコア層30と反対方向を向く表面並びにスルーホール導体4における絶縁層34側の端面4bによって、コア基板10の他面10bが構成される。コア基板10の他面10bをそれぞれ構成する導体層2の表面と絶縁層34の表面とスルーホール導体4の端面4bは略同一平面上に位置している。すなわち、コア基板10の他面10bは略平坦である。 The insulating layer 33 is laminated on the other surface 30b of the core layer 30, and the insulating layer 34 is laminated on the insulating layer 33. In the example of FIG. 1, the conductor layer 2 is formed entirely on the insulating layer 33. The insulating layer 34 is provided on the surface of the insulating layer 33 that is not covered with the conductor layer 2. The other surface 10b of the core substrate 10 is constituted by the surfaces of the conductor layer 2 and the insulating layer 34 facing in the direction opposite to the core layer 30, and the end surface 4b of the through-hole conductor 4 on the insulating layer 34 side. The surface of the conductor layer 2, the surface of the insulating layer 34, and the end surface 4b of the through-hole conductor 4, which respectively constitute the other surface 10b of the core substrate 10, are located on substantially the same plane. That is, the other surface 10b of the core substrate 10 is substantially flat.

なお、本開示において、2以上の面(例えば「表面」、「端面」、「上面」、又は「下面」など)が「同一平面上に位置する」は、それら2以上の面の間の法線方向における位置の差異が3μm以下であることを意味している。 In addition, in this disclosure, two or more surfaces (for example, "front surface," "end surface," "upper surface," or "lower surface," etc.) "located on the same plane" refers to the modulus between those two or more surfaces. This means that the difference in position in the linear direction is 3 μm or less.

導体層1は、絶縁層31の第1面31a上に形成されている部分と、絶縁層31の内部に形成されている部分とを有している。導体層1は、任意の導体パターンを含み得るが、少なくとも第1導体パターン11と、第1導体パターン11と平面視で重ならない領域に形成されている第2導体パターン12と、を含んでいる。なお、実施形態の配線基板において個々の導体層は、側面視において互いに少なくとも部分的に重なる導体パターンを含み得る。換言すると、側面視において互いに重なる部分を有する複数の導体パターンは同一の導体層に属し得る。図1に示されるように、第1導体パターン11及び第2導体パターン12は、それぞれ側面視(例えば図1の配線基板100の右側又は左側に位置する視点からの側面視)において、互いに重なる部分を有している。従って、第1導体パターン11及び第2導体パターン12は単一の導体層である導体層1に属している。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向と平行な視線で見ることを意味している。また「側面視」は、実施形態の配線基板の厚さ方向と直交する視線で、実施形態の配線基板をその側面に向かって見ることを意味している。 The conductor layer 1 has a portion formed on the first surface 31a of the insulating layer 31 and a portion formed inside the insulating layer 31. The conductor layer 1 may include any conductor pattern, but includes at least a first conductor pattern 11 and a second conductor pattern 12 formed in a region that does not overlap with the first conductor pattern 11 in plan view. . Note that in the wiring board of the embodiment, each conductor layer may include conductor patterns that at least partially overlap each other in a side view. In other words, a plurality of conductor patterns having mutually overlapping portions in side view may belong to the same conductor layer. As shown in FIG. 1, the first conductor pattern 11 and the second conductor pattern 12 each overlap with each other in a side view (for example, in a side view from a viewpoint located on the right or left side of the wiring board 100 in FIG. 1). have. Therefore, the first conductor pattern 11 and the second conductor pattern 12 belong to the conductor layer 1, which is a single conductor layer. Note that "planar view" means viewing the wiring board of the embodiment from a line of sight parallel to its thickness direction. Moreover, "side view" means viewing the wiring board of the embodiment toward the side with a line of sight perpendicular to the thickness direction of the wiring board of the embodiment.

第1導体パターン11は、全体的に絶縁層31の第1面31aの上に形成されている。そのため、第1導体パターン11の側面は、絶縁層31の第1面31aの上に積層されている絶縁層32に覆われている。一方、第2導体パターン12の厚さ方向の一部は、絶縁層31が有する空隙311の内部に形成されている。すなわち、第2導体パターン12は、空隙311の内部に形成されている部分を含んでいる。図1の例では、第2導体パターン12は、絶縁層31の第1面31aから突出している。第2導体パターン12において絶縁層31の第1面31aから突出している部分が、第1導体パターン11と、側面視で重なっている。そして、本実施形態では、第2導体パターン12の厚さは、第1導体パターン11の厚さよりも大きい。 The first conductor pattern 11 is formed entirely on the first surface 31a of the insulating layer 31. Therefore, the side surfaces of the first conductor pattern 11 are covered with the insulating layer 32 laminated on the first surface 31a of the insulating layer 31. On the other hand, a portion of the second conductor pattern 12 in the thickness direction is formed inside the gap 311 that the insulating layer 31 has. That is, the second conductor pattern 12 includes a portion formed inside the void 311. In the example of FIG. 1, the second conductor pattern 12 protrudes from the first surface 31a of the insulating layer 31. A portion of the second conductor pattern 12 that protrudes from the first surface 31a of the insulating layer 31 overlaps with the first conductor pattern 11 in a side view. In this embodiment, the thickness of the second conductor pattern 12 is greater than the thickness of the first conductor pattern 11.

本実施形態では、上記の通り、導体層1に属する第2導体パターン12が、同様に導体層1に属する第1導体パターン11よりも厚い。すなわち、厚さの異なる複数の導体パターンが単一の導体層である導体層1に混在している。そのため、導体層1内に、比較的厚い導体パターンで形成されることが望まれる導電路を、そのような導電路以外の導電体と混在させることができる。特に、細い配線幅と小さい導体抵抗との両方が求められる配線パターンを、そのような配線パターン以外の導体パターンと混在させることができる。 In this embodiment, as described above, the second conductor pattern 12 belonging to the conductor layer 1 is thicker than the first conductor pattern 11 also belonging to the conductor layer 1. That is, a plurality of conductor patterns having different thicknesses are mixed in the conductor layer 1, which is a single conductor layer. Therefore, a conductive path that is desired to be formed with a relatively thick conductor pattern can be mixed with conductors other than such a conductive path in the conductor layer 1. In particular, wiring patterns that require both narrow wiring width and low conductor resistance can be mixed with conductor patterns other than such wiring patterns.

例えば、小さい導体抵抗を得るべく厚い導電路で構成されることが望まれる配線パターンとして第2導体パターン12が形成される。実施形態の配線基板において第2導体パターン12は信号線であってもよい。信号線は、経時的に電位を変化させる電気信号を伝播させることがある。導体抵抗が小さく、そのため、電圧降下の小さい信号線が得られることがある。また、小さい導体抵抗を有し得ることにより所望の特性インピーダンスが得られ、結果として、反射や減衰の少ない、高周波信号の伝送に優れた信号線が得られることがある。 For example, the second conductor pattern 12 is formed as a wiring pattern that is desired to be composed of thick conductive paths in order to obtain low conductor resistance. In the wiring board of the embodiment, the second conductor pattern 12 may be a signal line. Signal lines may propagate electrical signals that change potential over time. The conductor resistance is small, so a signal line with a small voltage drop may be obtained. Further, by having a small conductor resistance, a desired characteristic impedance can be obtained, and as a result, a signal line with low reflection and attenuation and excellent in transmission of high-frequency signals can be obtained.

一方、平面面積の広い導体パターン、例えば、所定の領域を占めるように任意の方向に延在するプレート状の導体パターンである所謂ベタパターンなどでは、大きな厚さが、必ずしも好ましくないことがある。例えば、平面面積の広い導体パターンでは、厚く形成されるに連れて、厚さの均一性が得られ難いことがある。平面視で配線基板の多くの領域を占め得る平面面積の大きな導体パターンにおいて厚さの均一性が得られていないと、配線基板の表面の平坦性が損なわれることがある。逆に、平面面積の大きな導体パターンでは、その厚さが大きくなくても比較的低い導体抵抗が得られやすい。従って、例えばこのように比較的大きな平面面積を有する導体パターンが、第1導体パターン11によって実現される。第1導体パターン11は、電源パターン又はグランドパターンであってもよい。電源パターンやグランドパターンは、配線基板の使用時に、その配線基板が用いられる電気機器の電源電位やグランド電位が印加されて、電源電位又はグランド電位を帯びると考えられる。このような電源パターン又はグランドパターンは、安定電位を得るべく平面面積の大きな所謂ベタパターンによって実現されるのが好ましいと考えられる。 On the other hand, in the case of a conductor pattern having a large planar area, for example, a so-called solid pattern, which is a plate-shaped conductor pattern extending in an arbitrary direction so as to occupy a predetermined area, a large thickness may not necessarily be desirable. For example, in the case of a conductor pattern having a large planar area, it may be difficult to obtain uniformity in thickness as the conductor pattern becomes thicker. If uniformity in thickness is not achieved in a conductor pattern with a large planar area that can occupy a large area of the wiring board in plan view, the flatness of the surface of the wiring board may be impaired. Conversely, with a conductor pattern having a large planar area, relatively low conductor resistance is likely to be obtained even if the thickness is not large. Therefore, for example, a conductor pattern having such a relatively large planar area is realized by the first conductor pattern 11. The first conductor pattern 11 may be a power supply pattern or a ground pattern. When the wiring board is used, the power supply pattern and the ground pattern are considered to have a power supply potential or a ground potential when the power supply potential or ground potential of an electrical device in which the wiring board is used is applied. It is considered that such a power supply pattern or ground pattern is preferably realized by a so-called solid pattern with a large planar area in order to obtain a stable potential.

このように、本実施形態では、互いに厚さの異なる導体パターン同士が1つの導体層に混在しているので、各導体パターンにおいて、所望の電気的特性及び/又は物理的(形状的)特性が得られることがある。例えば、導体パターンの厚さの自由度が高いので、ビルドアップ層51内に配置される配線パターンと同一の幅及び厚さの配線パターンを導体層1に配置し得ることがある。すなわち、互いに同じ特性インピーダンスを有する配線パターンをビルドアップ層51及びコア基板層50の両方に配置し得ることがある。このような配線パターンの配置が可能なことは、信号線として機能する配線パターンのごく一部がビルドアップ層51のようなビルドアップ層内の導体層に配置され得ないときに、特に有益なことがある。すなわち、本実施形態によれば、互いに厚さの異なる導体パターン毎に個別に導体層を設けることを回避し得ることがあり、そのため、配線基板の層数の増大による厚さ及びコストの増大を抑制して、配線基板の薄型化及び低コスト化に寄与し得ることがある。 In this way, in this embodiment, since conductor patterns having different thicknesses are mixed in one conductor layer, each conductor pattern has desired electrical characteristics and/or physical (shape) characteristics. There are things you can get. For example, since there is a high degree of freedom in the thickness of the conductor pattern, a wiring pattern having the same width and thickness as the wiring pattern arranged in the buildup layer 51 may be arranged in the conductor layer 1 in some cases. That is, wiring patterns having the same characteristic impedance may be arranged on both the buildup layer 51 and the core substrate layer 50. Being able to arrange such a wiring pattern is particularly beneficial when a small portion of the wiring pattern that functions as a signal line cannot be placed on a conductor layer within a buildup layer such as the buildup layer 51. Sometimes. That is, according to the present embodiment, it is possible to avoid providing individual conductor layers for each conductor pattern having different thicknesses, and therefore, an increase in thickness and cost due to an increase in the number of layers of the wiring board can be avoided. This may contribute to making the wiring board thinner and lower in cost.

図1の例では、絶縁層31の第1面31aから突出する第2導体パターン12は絶縁層32を貫通している。第2導体パターン12におけるコア基板10の一面10aと同じ方向を向く表面12aが一面10aに露出している。第2導体パターン12における絶縁層31の第1面31aからの突出部分の側面は絶縁層32に覆われている。また、図1の例では、第2導体パターン12は絶縁層31を貫通しており、さらに、コア層30の内部にまで入り込んでいる。すなわち、第2導体パターン12における絶縁層31の第2面31b側の端部は、絶縁層31の第2面31bから突出していてコア層30内に埋め込まれている。すなわち、第2導体パターン12は、その一部で、コア層30の一面30aに設けられている凹部30cを充填している。 In the example of FIG. 1, the second conductor pattern 12 protruding from the first surface 31a of the insulating layer 31 penetrates the insulating layer 32. One surface 12a of the second conductor pattern 12 facing in the same direction as the one surface 10a of the core substrate 10 is exposed on the surface 10a. The side surface of the portion of the second conductor pattern 12 protruding from the first surface 31 a of the insulating layer 31 is covered with an insulating layer 32 . Further, in the example of FIG. 1, the second conductor pattern 12 penetrates through the insulating layer 31 and further penetrates into the core layer 30. That is, the end of the second conductor pattern 12 on the second surface 31b side of the insulating layer 31 protrudes from the second surface 31b of the insulating layer 31 and is embedded in the core layer 30. That is, a portion of the second conductor pattern 12 fills a recess 30c provided on one surface 30a of the core layer 30.

絶縁層31~34、及び絶縁層5bは、それぞれ、主に適切な絶縁性を有する任意の樹脂によって形成されている。絶縁層31~34、及び絶縁層5bは、それぞれ、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂(BT樹脂)、及びフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を含み得る。これら各絶縁層は、フッ素樹脂、液晶ポリマー(LCP)、フッ化エチレン(PTFE)樹脂、ポリエステル(PE)樹脂、及び変性ポリイミド(MPI)樹脂のような熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。これら各絶縁層は、さらに、例えば二酸化ケイ素やアルミナなどの粒体からなるフィラー(図示せず)を含んでいてもよい。これら各絶縁層は、図示されていないが、さらに、例えばガラス繊維などからなる補強材を含んでいてもよい。しかし第2導体パターン12の形成の容易性の面では、補強材を含まない絶縁層31及び絶縁層32が好ましいことがある。 The insulating layers 31 to 34 and the insulating layer 5b are each mainly formed of any resin having appropriate insulating properties. The insulating layers 31 to 34 and the insulating layer 5b may each contain, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), and a phenol resin. Each of these insulating layers may contain a thermoplastic resin such as a fluororesin, a liquid crystal polymer (LCP), a fluorinated ethylene (PTFE) resin, a polyester (PE) resin, and a modified polyimide (MPI) resin. Each of these insulating layers may further contain a filler (not shown) made of particles of silicon dioxide, alumina, or the like. Although not shown, each of these insulating layers may further include a reinforcing material made of, for example, glass fiber. However, in terms of ease of forming the second conductor pattern 12, the insulating layer 31 and the insulating layer 32 that do not contain reinforcing material may be preferable.

一方、図1の例においてコア層30は、主にガラスによって形成されているガラス基板からなる。従って、コア基板層50はガラス基板を含んでおり、絶縁層31及び絶縁層33は、コア層30を構成するガラス基板上に積層されている。コア基板層50が一般的に高い剛性を有するガラスによって形成されているガラス基板を含んでいるので、配線基板100に反りが生じ難いと考えられる。コア層30を形成するガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどが例示される。なお、コア層30は、必ずしもガラス基板によって構成されず、後述されるように絶縁性樹脂で構成されていてもよい。 On the other hand, in the example of FIG. 1, the core layer 30 is made of a glass substrate mainly made of glass. Therefore, the core substrate layer 50 includes a glass substrate, and the insulating layer 31 and the insulating layer 33 are laminated on the glass substrate constituting the core layer 30. Since the core substrate layer 50 includes a glass substrate generally made of glass having high rigidity, it is considered that the wiring board 100 is unlikely to warp. Examples of the glass forming the core layer 30 include soda lime glass, alkali-free glass, quartz glass, and borosilicate glass. Note that the core layer 30 is not necessarily made of a glass substrate, and may be made of an insulating resin as described later.

ソルダーレジスト層61、62は、例えば感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などのような任意の絶縁性樹脂で形成される。ソルダーレジスト層61、62には、それぞれ、導体層5aの一部を露出させる開口63が形成されている。 The solder resist layers 61 and 62 are made of any insulating resin such as photosensitive epoxy resin or polyimide resin. Openings 63 are formed in each of the solder resist layers 61 and 62 to expose a portion of the conductor layer 5a.

導体層1は、前述したように第1導体パターン11及び第2導体パターン12を少なくとも含む任意の導体パターンを含んでおり、導体層2及び各導体層5aも、任意の導体パターンを含んでいる。これら各導体層、及びスルーホール導体4、並びにビア導体5cは、例えば銅やニッケルなどの適切な導電性を有する任意の金属で形成されている。図1の例において導体層1のうち、第1導体パターン11は単層構造を有し、第2導体パターン12は、2つの層からなる多層構造を有している。図1の例では、導体層2は、第1導体パターン11と同様に単層構造を有し、スルーホール導体4は第2導体パターン12同様に2つの層からなる多層構造を有している。 As described above, the conductor layer 1 includes any conductor pattern including at least the first conductor pattern 11 and the second conductor pattern 12, and the conductor layer 2 and each conductor layer 5a also include any conductor pattern. . Each of these conductor layers, through-hole conductor 4, and via conductor 5c are formed of any metal having appropriate conductivity, such as copper or nickel. In the example of FIG. 1, the first conductor pattern 11 of the conductor layer 1 has a single layer structure, and the second conductor pattern 12 has a multilayer structure consisting of two layers. In the example of FIG. 1, the conductor layer 2 has a single-layer structure like the first conductor pattern 11, and the through-hole conductor 4 has a multilayer structure consisting of two layers like the second conductor pattern 12. .

図1の例において導体層1の第1導体パターン11、及び導体層2は、金属箔によって構成されている。一方、多層構造を有する第2導体パターン12は、第1金属膜121と、第2金属膜122とを含んでいる。第1金属膜121は、第2金属膜122と絶縁層31との間に介在しており、第2金属膜122の側面及び底面(第2金属膜122における絶縁層31の第2面31bと同じ方向を向く表面)を覆っている。すなわち、各第2導体パターン12の側面、及び各第2導体パターン12において絶縁層31の第2面31bと同じ方向を向く底面は、第1金属膜121によって構成されている。 In the example of FIG. 1, the first conductor pattern 11 of the conductor layer 1 and the conductor layer 2 are made of metal foil. On the other hand, the second conductor pattern 12 having a multilayer structure includes a first metal film 121 and a second metal film 122. The first metal film 121 is interposed between the second metal film 122 and the insulating layer 31, and the side and bottom surfaces of the second metal film 122 (the second surface 31b of the insulating layer 31 in the second metal film 122) surfaces facing in the same direction). That is, the side surfaces of each second conductor pattern 12 and the bottom surface of each second conductor pattern 12 facing in the same direction as the second surface 31b of the insulating layer 31 are constituted by the first metal film 121.

第1金属膜121は、例えば無電解めっき膜やスパッタリング膜であり得る。第2金属膜122は、例えば電解めっき膜である。第2金属膜122は、例えば第1金属膜121を給電層として用いる電解めっきによって形成され得る。このように、実施形態の配線基板において第1導体パターン11は金属箔を含んでいてもよい。一方、第2導体パターン12は、金属箔を含まずに、めっき膜を含んでいてもよい。さらに第2導体パターン12は、電解めっき膜(第2金属膜122)、及び電解めっき膜と絶縁層31との間に介在する金属膜(第1金属膜121)を含み得る。第1導体パターン11において厚さのむらが少なく、第1導体パターン11よりも厚い第2導体パターン12においては、その形成が容易なことがある。 The first metal film 121 may be, for example, an electroless plating film or a sputtering film. The second metal film 122 is, for example, an electroplated film. The second metal film 122 may be formed, for example, by electroplating using the first metal film 121 as a power supply layer. In this way, in the wiring board of the embodiment, the first conductor pattern 11 may include metal foil. On the other hand, the second conductor pattern 12 may include a plating film without including the metal foil. Furthermore, the second conductor pattern 12 may include an electrolytic plated film (second metal film 122) and a metal film (first metal film 121) interposed between the electrolytic plated film and the insulating layer 31. If the first conductor pattern 11 has less uneven thickness and the second conductor pattern 12 is thicker than the first conductor pattern 11, it may be easier to form the second conductor pattern 12.

図1の例では、スルーホール導体4も第1金属膜121、及び第2金属膜122によって構成されている。スルーホール導体4を構成する第1金属膜121は、スルーホール導体4を構成する第2金属膜122の側面を覆っている。第1金属膜121によってスルーホール導体4の側面が構成されている。図1の例において、スルーホール導体4は、コア基板10を貫く貫通孔10c内に形成されている。スルーホール導体4を構成する第1及び第2の金属膜121、122によって貫通孔10cが充填されている。 In the example of FIG. 1, the through-hole conductor 4 is also composed of a first metal film 121 and a second metal film 122. The first metal film 121 forming the through-hole conductor 4 covers the side surface of the second metal film 122 forming the through-hole conductor 4. The first metal film 121 constitutes the side surface of the through-hole conductor 4 . In the example of FIG. 1, the through-hole conductor 4 is formed in a through-hole 10c penetrating the core substrate 10. The through hole 10c is filled with first and second metal films 121 and 122 that constitute the through hole conductor 4.

また図1の例では各導体層5a及びビア導体5cも、2つの層からなる多層構造を有している各導体層5a及び各ビア導体5cは、それぞれ、金属膜5aa及び金属膜5abを含んでいる。金属膜5aaの上に金属膜5abが形成されている。金属膜5aaは、例えば、第1金属膜121と同様に無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり得、金属膜5abは、例えば金属膜5aaを給電層として用いて形成される電解めっき膜であり得る。 Further, in the example of FIG. 1, each conductor layer 5a and each via conductor 5c also have a multilayer structure consisting of two layers. Each conductor layer 5a and each via conductor 5c include a metal film 5aa and a metal film 5ab, respectively. I'm here. A metal film 5ab is formed on the metal film 5aa. The metal film 5aa may be, for example, an electroless plating film or a sputtering film like the first metal film 121, and the metal film 5ab may be an electrolytic plating film formed using the metal film 5aa as a power supply layer, for example. .

コア基板10全体を貫く図1の例のスルーホール導体4は、端面4a側の端部において絶縁層31の第1面31aから突出して絶縁層32を貫通している。さらにスルーホール導体4aは、端面4b側の端部で絶縁層33におけるコア層30側と反対側の表面(上面)から突出して絶縁層34を貫通している。そして、スルーホール導体4おける絶縁層31の第1面31aからの突出部分の側面は絶縁層32に覆われており、スルーホール導体4おける絶縁層33の上面からの突出部分の側面は絶縁層34に覆われている。 The through-hole conductor 4 shown in FIG. 1, which penetrates the entire core substrate 10, protrudes from the first surface 31a of the insulating layer 31 and penetrates the insulating layer 32 at the end on the end surface 4a side. Further, the through-hole conductor 4a protrudes from the surface (upper surface) of the insulating layer 33 on the side opposite to the core layer 30 side at the end portion on the end surface 4b side and penetrates the insulating layer 34. The side surfaces of the through-hole conductor 4 that protrude from the first surface 31a of the insulating layer 31 are covered with an insulating layer 32, and the side surfaces of the through-hole conductor 4 that protrude from the top surface of the insulating layer 33 are covered with an insulating layer 32. It is covered by 34.

図1の例では、スルーホール導体4は、絶縁層31の第1面31aから突出しているが、導体層1と接することなく絶縁層32を貫通している。すなわち、スルーホール導体4は、端面4a側において、一般的なスルーホール導体が備えている所謂スルーホールランドを備えていない。図1の例のスルーホール導体4は、絶縁層31及び導体層1側の端部では、所謂ランドレススルーホールである。そのため、導体層1においてスルーホール導体4と電気的に離間して配置されるべき導体パターンがスルーホール導体4に近接させて形成され得ることがある。導体層1の配線の高密度化や配線基板100の小型化が促進されることがある。 In the example of FIG. 1, the through-hole conductor 4 protrudes from the first surface 31a of the insulating layer 31, but penetrates the insulating layer 32 without contacting the conductor layer 1. That is, the through-hole conductor 4 does not have a so-called through-hole land, which is provided in a general through-hole conductor, on the end surface 4a side. The through-hole conductor 4 in the example of FIG. 1 is a so-called landless through-hole at the end on the insulating layer 31 and conductor layer 1 side. Therefore, a conductor pattern that should be placed electrically apart from the through-hole conductor 4 in the conductor layer 1 may be formed close to the through-hole conductor 4 . Higher wiring density in the conductor layer 1 and miniaturization of the wiring board 100 may be promoted.

一方、図1の例においてスルーホール導体4における絶縁層31及び導体層1と反対側の端部は導体層2に接している。導体層2とビルドアップ層51内の導体層5aなどの導電体とが、スルーホール導体4を介して短い経路で電気的に接続されていると考えられる。 On the other hand, in the example of FIG. 1, the end of the through-hole conductor 4 on the side opposite to the insulating layer 31 and the conductor layer 1 is in contact with the conductor layer 2. It is considered that the conductor layer 2 and the conductor such as the conductor layer 5a in the buildup layer 51 are electrically connected via the through-hole conductor 4 through a short path.

図1の例のスルーホール導体4は、端面4a及び端面4bそれぞれから、Z方向におけるスルーホール導体4の中央部に向かって先細りする形状を有しており、Z方向の中央部にくびれを有している。なお、スルーホール導体4は、図1の例のような、Z方向において幅が変化する形状ではなく、例えば端面4aから端面4bまで略一定の幅の柱状の形状を有していてもよい。 The through-hole conductor 4 in the example of FIG. 1 has a shape that tapers from each of the end surfaces 4a and 4b toward the center of the through-hole conductor 4 in the Z direction, and has a constriction at the center in the Z direction. are doing. Note that the through-hole conductor 4 may have a columnar shape having a substantially constant width from the end surface 4a to the end surface 4b, for example, instead of having a shape whose width changes in the Z direction as in the example of FIG.

図1の例では、第1導体パターン11の表面11aと、第2導体パターン12の表面12aとが、同一平面上に位置している。なお、表面11aは、第1導体パターン11における絶縁層31の第1面31aと反対方向を向く表面である。また表面12aは、第2導体パターン12における、第1導体パターン11の表面11a、スルーホール導体4の端面4a、及び絶縁層32の表面32aそれぞれが向く方向と同じ方向を向く表面である。それぞれが導体層1の上面である表面11a及び表面12aは、コア基板10の一面10aの一部を構成する。表面11aと表面12aとが同一平面上に位置しているので、コア基板10の一面10aが平坦になり易く、配線基板100の表面も平坦になり易い。 In the example of FIG. 1, the surface 11a of the first conductor pattern 11 and the surface 12a of the second conductor pattern 12 are located on the same plane. Note that the surface 11a is a surface of the first conductor pattern 11 facing in the opposite direction to the first surface 31a of the insulating layer 31. The surface 12a is a surface of the second conductor pattern 12 that faces in the same direction as the surface 11a of the first conductor pattern 11, the end surface 4a of the through-hole conductor 4, and the surface 32a of the insulating layer 32. Surface 11a and surface 12a, each of which is the upper surface of conductor layer 1, constitute a part of one surface 10a of core substrate 10. Since the surface 11a and the surface 12a are located on the same plane, one surface 10a of the core substrate 10 tends to be flat, and the surface of the wiring board 100 also tends to be flat.

図1の例では、さらに、スルーホール導体4の2つの端面4a、4bのうちの絶縁層31の第1面31a側の端面4aと、第1導体パターン11の表面11a及び第2導体パターン12の表面12aとが、同一平面上に位置している。前述したように、スルーホール導体4の端面4aもコア基板10の一面10aの一部を構成する。端面4aと表面11a及び表面12aとが同一平面上に位置しているので、コア基板10の一面10aがさらに平坦になり易く、配線基板100の表面もさらに平坦になり易い。 In the example of FIG. 1, the end surface 4a of the two end surfaces 4a and 4b of the through-hole conductor 4 on the first surface 31a side of the insulating layer 31, the surface 11a of the first conductor pattern 11, and the second conductor pattern 12 are located on the same plane. As described above, the end surface 4a of the through-hole conductor 4 also constitutes a part of the one surface 10a of the core substrate 10. Since the end surface 4a and the surfaces 11a and 12a are located on the same plane, one surface 10a of the core substrate 10 tends to become even more flat, and the surface of the wiring board 100 also tends to become even more flat.

さらに、図1の例では、絶縁層32の表面32aは、スルーホール導体4の端面4a、第1導体パターン11の表面11a、及び第2導体パターン12の表面12aと同一平面上に位置している。前述したように、絶縁層32の表面32aもコア基板10の一面10aの一部を構成する。絶縁層32の表面32aと、端面4a、並びに表面11a及び表面12aとが同一平面上に位置しているので、コア基板10の一面10aがさらに平坦になり易く、配線基板100の表面もさらに平坦になり易い。 Furthermore, in the example of FIG. 1, the surface 32a of the insulating layer 32 is located on the same plane as the end surface 4a of the through-hole conductor 4, the surface 11a of the first conductor pattern 11, and the surface 12a of the second conductor pattern 12. There is. As described above, the surface 32a of the insulating layer 32 also constitutes a part of the surface 10a of the core substrate 10. Since the surface 32a of the insulating layer 32, the end surface 4a, and the surfaces 11a and 12a are located on the same plane, one surface 10a of the core substrate 10 tends to become even more flat, and the surface of the wiring board 100 also becomes even more flat. easy to become

図2Aに示されるように、コア基板10の一面10aには、導体層1の第1導体パターン11及び第2導体パターン12、スルーホール導体4、並びに絶縁層32が露出している。第2導体パターン12については、第2導体パターン12を構成する第1金属膜121及び第2金属膜122が露出しており、スルーホール導体4については、スルーホール導体4を構成する第1金属膜121及び第2金属膜122が露出している。図2Aの例の第1導体パターン11は、第2導体パターン12及びスルーホール導体4と離間している。 As shown in FIG. 2A, the first conductor pattern 11 and the second conductor pattern 12 of the conductor layer 1, the through-hole conductor 4, and the insulating layer 32 are exposed on one surface 10a of the core substrate 10. Regarding the second conductor pattern 12, the first metal film 121 and the second metal film 122 constituting the second conductor pattern 12 are exposed, and regarding the through-hole conductor 4, the first metal film constituting the through-hole conductor 4 is exposed. The film 121 and the second metal film 122 are exposed. The first conductor pattern 11 in the example of FIG. 2A is spaced apart from the second conductor pattern 12 and the through-hole conductor 4.

図2Aの例において3つの第2導体パターン12は、コア基板10の一面10aと平行な所定の方向(図2Aの例では符号Yで示されるY方向)に沿って延びている。3つの第2導体パターン12のうちの右端の第2導体パターン12は、導体パッド123を含んでいる。導体パッド123は、例えば、図1に例示のビア導体5cのような層間接続導体が接続される。そしてその層間接続導体を介して導体パッド12とビルドアップ層51内の導体層5aのような導電体とが電気的に接続される。このように第2導体パターン12は、導体層1と導体層1以外の導体層とを接続する接続導体が接する導体パッド(所謂、ビア導体の受けパッド)を含んでいてもよい。 In the example of FIG. 2A, the three second conductor patterns 12 extend along a predetermined direction (Y direction indicated by the symbol Y in the example of FIG. 2A) parallel to one surface 10a of the core substrate 10. The rightmost second conductor pattern 12 among the three second conductor patterns 12 includes a conductor pad 123 . The conductor pad 123 is connected to an interlayer connection conductor such as the via conductor 5c illustrated in FIG. 1, for example. The conductor pad 12 and a conductor such as the conductor layer 5a in the buildup layer 51 are electrically connected via the interlayer connection conductor. In this way, the second conductor pattern 12 may include a conductor pad (a so-called via conductor receiving pad) that is in contact with a connection conductor that connects the conductor layer 1 and a conductor layer other than the conductor layer 1.

前述したように、電気信号を伝播させる信号線が、第2導体パターン12として形成されてもよく、所謂ベタパターンなどの平面面積の大きな導体パターンが第1導体パターン11として形成されてもよい。従って、第1導体パターン11は、全体として、平面視における第2導体パターン12全体の面積の5倍以上の面積を有していることがある。換言すると、平面視における第2導体パターン12全体の面積は、平面視における第1導体パターン11の全体の面積の20%以下であってもよい。さらに、平面視における第2導体パターン12全体の面積は、平面視における第1導体パターン11の全体の面積の10%以下であってもよい。必要最小限の第2導体パターン12を第1導体パターン11と混在させることで、導体層1が効率的に形成され得ることがある。 As described above, a signal line for propagating an electric signal may be formed as the second conductor pattern 12, and a conductor pattern with a large planar area, such as a so-called solid pattern, may be formed as the first conductor pattern 11. Therefore, the first conductor pattern 11 as a whole may have an area that is five times or more the area of the entire second conductor pattern 12 in plan view. In other words, the entire area of the second conductor pattern 12 in plan view may be 20% or less of the entire area of the first conductor pattern 11 in plan view. Further, the entire area of the second conductor pattern 12 in plan view may be 10% or less of the entire area of the first conductor pattern 11 in plan view. By mixing the required minimum second conductor pattern 12 with the first conductor pattern 11, the conductor layer 1 may be formed efficiently.

図2Bに示されるように、コア基板10の他面10bには、導体層2の導体パターン21、スルーホール導体4、並びに絶縁層34が露出している。他面10bにおいても、スルーホール導体4については、スルーホール導体4を構成する第1金属膜121及び第2金属膜122が露出している。図2Bの例において2つの導体パターン21のうちの左側の導体パターン21は、スルーホール導体4と離間していて、この導体パターン21とスルーホール導体4との間には絶縁層34が介在している。一方、右側の導体パターン21はスルーホール導体4と接していて、この導体パターン21とスルーホール導体4とが導通している。 As shown in FIG. 2B, the conductor pattern 21 of the conductor layer 2, the through-hole conductor 4, and the insulating layer 34 are exposed on the other surface 10b of the core substrate 10. Also on the other surface 10b, the first metal film 121 and the second metal film 122 constituting the through-hole conductor 4 are exposed. In the example of FIG. 2B, the left conductor pattern 21 of the two conductor patterns 21 is spaced apart from the through-hole conductor 4, and an insulating layer 34 is interposed between this conductor pattern 21 and the through-hole conductor 4. ing. On the other hand, the right conductor pattern 21 is in contact with the through-hole conductor 4, and the conductor pattern 21 and the through-hole conductor 4 are electrically connected.

図3A及び図3Bには、本実施形態の配線基板100の変形例である配線基板101及び配線基板102が、それぞれ示されている。また、図4及び図5には、本実施形態の配線基板100におけるコア基板10の変形例であるコア基板10α及びコア基板10βがそれぞれ示されている。なお図4は、コア基板10βの一面10a付近だけを部分的に示している。以下では、これら各図面に示される変形例が説明される。なお、図3A、図3B、図4、及び図5において、図1の配線基板100及びコア基板10に含まれる構成要素と同様の構成要素には、各図面において図1に付されている符号と同じ符号が付されるか符号が適宜省略され、それら同様の構成要素についての繰り返しとなる説明は省略される。 3A and 3B respectively show a wiring board 101 and a wiring board 102, which are modified examples of the wiring board 100 of this embodiment. Further, FIGS. 4 and 5 respectively show a core substrate 10α and a core substrate 10β, which are modified examples of the core substrate 10 in the wiring board 100 of this embodiment. Note that FIG. 4 only partially shows the vicinity of one surface 10a of the core substrate 10β. Modifications shown in each of these drawings will be explained below. Note that in FIGS. 3A, 3B, 4, and 5, the same components as those included in the wiring board 100 and core board 10 in FIG. The same reference numerals will be given or the reference numerals will be omitted as appropriate, and repeated explanations of these similar components will be omitted.

図3Aに示される変形例の配線基板101では、導体層1の第1導体パターン11及び導体層2は、2つの層からなる多層構造を有している。配線基板101の第1導体パターン11及び導体層2は、第1金属膜111と、第1金属膜111の上に形成されている第2金属膜112とを含んでいる。第1金属膜111は、例えば無電解めっき膜やスパッタリング膜であり得る。また、第2金属膜112は、例えば電解めっき膜である。第2金属膜112は、例えば第1金属膜111を給電層として用いる電解めっきによって形成され得る。このように、実施形態の配線基板において、第1導体パターン11及び導体層2は多層構造を有していてもよく、積層された、無電解めっき膜などからなる金属膜(第1金属膜111)及び電解めっき膜(第2金属膜112)を含んでいてもよい。 In the modified wiring board 101 shown in FIG. 3A, the first conductor pattern 11 of the conductor layer 1 and the conductor layer 2 have a multilayer structure consisting of two layers. The first conductor pattern 11 and the conductor layer 2 of the wiring board 101 include a first metal film 111 and a second metal film 112 formed on the first metal film 111. The first metal film 111 may be, for example, an electroless plating film or a sputtering film. Further, the second metal film 112 is, for example, an electroplated film. The second metal film 112 may be formed, for example, by electrolytic plating using the first metal film 111 as a power supply layer. As described above, in the wiring board of the embodiment, the first conductor pattern 11 and the conductor layer 2 may have a multilayer structure, and the first conductor pattern 11 and the conductor layer 2 may have a multilayer structure, and the first metal film 11 ) and an electroplated film (second metal film 112).

図3Aに示される配線基板101では、ビルドアップ層51及びビルドアップ層52それぞれにおいて各導体層5aは、各絶縁層5bの上面に形成されている凹部5ba内に形成されている。各導体層5aは、各導体層5aの下側の絶縁層5bの中に埋め込まれている。配線基板101の各導体層5aは、図1の例の導体層5aと同様に金属膜5aaと金属膜5abとを含んでいる。しかし、配線基板101の導体層5aに含まれる各導体パターン5acでは、金属膜5aaは、金属膜5abと絶縁層5bとの間に介在しており、金属膜5abの側面及び底面(金属膜5abにおけるコア基板10側を向く表面)を覆っている。導体パターン5acの側面、及び導体パターン5acにおいてコア基板10側を向く底面は金属膜5aaによって構成されている。このように、実施形態の配線基板において導体層5aのような、ビルドアップ層を構成する各導体層は、各導体層の下側の絶縁層に埋め込まれていてもよい。ビルドアップ層51のようなビルドアップ層において、導体パターン5acのような導体パターンが、より微細に配置され得ることがある。 In the wiring board 101 shown in FIG. 3A, each conductor layer 5a in each of the buildup layer 51 and the buildup layer 52 is formed in a recess 5ba formed on the upper surface of each insulating layer 5b. Each conductor layer 5a is embedded in an insulating layer 5b below each conductor layer 5a. Each conductor layer 5a of the wiring board 101 includes a metal film 5aa and a metal film 5ab, similar to the conductor layer 5a in the example of FIG. However, in each conductor pattern 5ac included in the conductor layer 5a of the wiring board 101, the metal film 5aa is interposed between the metal film 5ab and the insulating layer 5b, and the side and bottom surfaces of the metal film 5ab (metal film 5ab (the surface facing the core substrate 10 side). The side surfaces of the conductor pattern 5ac and the bottom surface of the conductor pattern 5ac facing the core substrate 10 are formed of a metal film 5aa. In this way, in the wiring board of the embodiment, each conductor layer constituting the buildup layer, such as the conductor layer 5a, may be embedded in the insulating layer below each conductor layer. In a buildup layer such as buildup layer 51, a conductor pattern such as conductor pattern 5ac may be arranged more finely.

図3Bに示される変形例の配線基板102では、ビルドアップ層51及びビルドアップ層52は、それぞれ、コア基板10内の導体層1と同様に厚さの異なる導体パターンを含む導体層5dを含んでいる。コア基板10の一面10a及び他面10bそれぞれの上に絶縁層5eaが積層されており、絶縁層5eaの上面にさらに絶縁層5ebが積層されている。絶縁層5ea及び絶縁層5ebは、それぞれ、コア基板10内の絶縁層31及び絶縁層32と同様の材料を用いて形成され得る。 In the wiring board 102 of the modified example shown in FIG. 3B, the buildup layer 51 and the buildup layer 52 each include a conductor layer 5d including conductor patterns having different thicknesses, similar to the conductor layer 1 in the core board 10. I'm here. An insulating layer 5ea is laminated on each of the one surface 10a and the other surface 10b of the core substrate 10, and an insulating layer 5eb is further laminated on the upper surface of the insulating layer 5ea. The insulating layer 5ea and the insulating layer 5eb may be formed using the same material as the insulating layer 31 and the insulating layer 32 in the core substrate 10, respectively.

導体層5dは導体パターン5daと、導体パターン5daよりも厚い導体パターン5dbと、を含んでいる。導体パターン5daは、全体的に絶縁層5eaの上面の上に形成されていてその側面を絶縁層5ebに覆われている。導体パターン5daの上面は絶縁層5ebの上面に露出していて絶縁層5ebの上面と同一平面上に位置している。導体パターン5dbは、絶縁層5eaの上面に形成された凹部の内部に形成されている部分と絶縁層5ebを貫通している部分とを有している。すなわち導体パターン5dbは、その一部で絶縁層5eaの凹部を充填すると共に絶縁層5eaの上面から突出している。導体パターン5dbの上面は絶縁層5ebの上面に露出していて絶縁層5ebの上面と同一平面上に位置している。 The conductor layer 5d includes a conductor pattern 5da and a conductor pattern 5db thicker than the conductor pattern 5da. The conductive pattern 5da is formed entirely on the upper surface of the insulating layer 5ea, and its side surfaces are covered with the insulating layer 5eb. The upper surface of the conductor pattern 5da is exposed on the upper surface of the insulating layer 5eb and is located on the same plane as the upper surface of the insulating layer 5eb. Conductive pattern 5db has a portion formed inside a recess formed on the upper surface of insulating layer 5ea and a portion penetrating through insulating layer 5eb. That is, the conductor pattern 5db partially fills the recess of the insulating layer 5ea and protrudes from the upper surface of the insulating layer 5ea. The upper surface of conductor pattern 5db is exposed on the upper surface of insulating layer 5eb and is located on the same plane as the upper surface of insulating layer 5eb.

導体パターン5daは、例えば金属箔からなる単層構造を有し、導体パターン5dbは、無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり得る金属膜5dcと、電解めっき膜であり得る金属膜5ddと、を含んでいる。金属膜5ddの側面、及びコア基板10側を向く底面は金属膜5dcに覆われており、導体パターン5dbの側面、及びコア基板10側を向く底面は金属膜5dcによって構成されている。 The conductor pattern 5da has a single layer structure made of, for example, metal foil, and the conductor pattern 5db includes a metal film 5dc that may be an electroless plating film or a sputtering film, and a metal film 5dd that may be an electrolytic plating film. I'm here. The side surfaces of the metal film 5dd and the bottom surface facing the core substrate 10 side are covered with the metal film 5dc, and the side surfaces of the conductor pattern 5db and the bottom surface facing the core substrate 10 side are constituted by the metal film 5dc.

絶縁層5ea及び絶縁層5eb内には、この2つの絶縁層を貫くビア導体5fが形成されている。ビア導体5fは、導体パターン5dbと同様に金属膜5dc及び金属膜5ddによって形成されている。ビア導体5fによって絶縁層5ea及び絶縁層5ebを挟む導電体同士(例えばスルーホール導体4と、さらに上側のビア導体5fと)が接続され得る。図3Bの例のビルドアップ層51及びビルドアップ層52では、このようなビア導体5fを含む絶縁層5ea及び絶縁層5ebと導体層5dとの積層体が、それぞれ2組ずつ積層されている。 A via conductor 5f is formed in the insulating layer 5ea and the insulating layer 5eb, penetrating these two insulating layers. The via conductor 5f is formed of a metal film 5dc and a metal film 5dd similarly to the conductor pattern 5db. Via conductor 5f can connect conductors (for example, through-hole conductor 4 and upper via conductor 5f) sandwiching insulating layer 5ea and insulating layer 5eb. In the buildup layer 51 and the buildup layer 52 in the example of FIG. 3B, two sets of laminates each of the insulating layer 5ea and the insulating layer 5eb including the via conductor 5f and the conductor layer 5d are stacked.

配線基板102が含む導体層5d並びに絶縁層5ea及び絶縁層5ebは、導体パターン5dbが絶縁層5eaを貫通していない点を除いて、コア基板10内の導体層1並びに絶縁層31及び絶縁層32と同様の構造を有している。実施形態の配線基板が含むビルドアップ層は、図3Bの例のように、コア基板内の導体層と同様に、2つの絶縁層に渡って形成されていて、互いに厚さの異なる導体パターンを含む導体層を含んでいてもよい。 The conductive layer 5d, the insulating layer 5ea, and the insulating layer 5eb included in the wiring board 102 are the same as the conductive layer 1, the insulating layer 31, and the insulating layer in the core board 10, except that the conductive pattern 5db does not penetrate the insulating layer 5ea. It has a structure similar to No. 32. As in the example of FIG. 3B, the build-up layer included in the wiring board of the embodiment is formed across two insulating layers, similar to the conductor layer in the core board, and has conductor patterns of different thicknesses. The conductor layer may also include a conductive layer.

配線基板102では、導体層1の第2導体パターン12は、絶縁層31を貫通しているが、絶縁層31の第2面31bから突出していない。第2導体パターン12における絶縁層31の第2面31b側の端面(下面)と、絶縁層31の第2面31bとは略面一である。そのため、第2導体パターン12のZ方向に沿う長さは、絶縁層31の厚さと絶縁層32の厚さとの合計に略等しい。このように実施形態の配線基板では、第2導体パターン12の下面と絶縁層31の第2面31bとが略面一であってもよい。 In the wiring board 102, the second conductor pattern 12 of the conductor layer 1 penetrates the insulating layer 31, but does not protrude from the second surface 31b of the insulating layer 31. The end surface (lower surface) of the second conductor pattern 12 on the second surface 31b side of the insulating layer 31 and the second surface 31b of the insulating layer 31 are substantially flush with each other. Therefore, the length of the second conductor pattern 12 along the Z direction is approximately equal to the sum of the thicknesses of the insulating layer 31 and the insulating layer 32. In this manner, in the wiring board of the embodiment, the lower surface of the second conductor pattern 12 and the second surface 31b of the insulating layer 31 may be substantially flush with each other.

配線基板102では、導体層2も、導体層1と同様の構造を有していて互いに厚さの異なる導体パターンを含んでいる。実施形態の配線基板においてコア基板10のようなコア基板は、その両面それぞれに、互いに厚さの異なる導体パターンを含む導体層を備えていてもよい。 In the wiring board 102, the conductor layer 2 also has the same structure as the conductor layer 1, and includes conductor patterns having mutually different thicknesses. In the wiring board of the embodiment, a core board such as the core board 10 may be provided with conductor layers including conductor patterns having different thicknesses on each of its both surfaces.

また、配線基板102では、スルーホール導体4は導体層1と接している。図3Bにおいて右側のスルーホール導体4は、第1導体パターン11と接している。また、図3Bにおいて左側のスルーホール導体4は、スルーホール導体4に接する第1導体パターン11からなるスルーホールランドを備えている。このように、実施形態の配線基板に含まれるスルーホール導体は、導体層1のような互いに厚さの異なる導体パターンを含む導体層と接していてもよい。 Further, in the wiring board 102, the through-hole conductor 4 is in contact with the conductor layer 1. The through-hole conductor 4 on the right side in FIG. 3B is in contact with the first conductor pattern 11. In FIG. Furthermore, the through-hole conductor 4 on the left side in FIG. 3B includes a through-hole land made of a first conductor pattern 11 that is in contact with the through-hole conductor 4. In this way, the through-hole conductors included in the wiring board of the embodiment may be in contact with a conductor layer, such as the conductor layer 1, that includes conductor patterns having mutually different thicknesses.

図4に示される変形例のコア基板10αでは、導体層1の第1導体パターン11の表面11aは絶縁層32に覆われており、第1導体パターン11は絶縁層32の表面32aに露出していない。そのため、第1導体パターン11の表面11aと第2導体パターン12の表面12aとは同一平面上に位置していない。例えば第1導体パターン11と他の導電体との接続が不要な場合は、第1導体パターン11が絶縁層32から露出していなくてもよい。むしろ、実施形態の配線基板の製造において第1導体パターン11を露出させるための工数が削減されることがある。 In the core substrate 10α of the modified example shown in FIG. Not yet. Therefore, the surface 11a of the first conductor pattern 11 and the surface 12a of the second conductor pattern 12 are not located on the same plane. For example, if the first conductor pattern 11 does not need to be connected to another conductor, the first conductor pattern 11 does not need to be exposed from the insulating layer 32. Rather, the number of steps required to expose the first conductor pattern 11 in manufacturing the wiring board of the embodiment may be reduced.

また、図4の例のコア基板10αでは、第2導体パターン12は絶縁層31を貫通していない。すなわち、図4の例において絶縁層31の空隙311は、絶縁層31の第1面31aに設けられた凹部であり、第2導体パターン12は、その一部で、第1面31aの凹部である空隙311を充填している。しかし、図4の例においても、第2導体パターン12の厚さは、第1導体パターン11の厚さよりも大きい。図4の例のように、第2導体パターン12は絶縁層31を貫通していなくもよく、従って第2導体パターン12の下面は絶縁層31の2面31bまで達していなくてもよい。 Furthermore, in the core substrate 10α in the example of FIG. 4, the second conductor pattern 12 does not penetrate the insulating layer 31. That is, in the example of FIG. 4, the void 311 of the insulating layer 31 is a recess provided in the first surface 31a of the insulating layer 31, and the second conductor pattern 12 is a part of the recess provided in the first surface 31a. A certain void 311 is filled. However, also in the example of FIG. 4, the thickness of the second conductor pattern 12 is greater than the thickness of the first conductor pattern 11. As in the example of FIG. 4, the second conductor pattern 12 does not need to penetrate the insulating layer 31, and therefore the lower surface of the second conductor pattern 12 does not need to reach the second surface 31b of the insulating layer 31.

図5に示される変形例のコア基板10βでは、コア層30は、ガラス基板ではなく絶縁層樹脂で形成されている。従って、図5の例のコア層30も、図1の例のコア層30と同様に絶縁層である。コア基板10βのコア層30は、前述された絶縁層31などと同様に、エポキシ樹脂、BT樹脂、及びフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又は、フッ素樹脂、LCP、PTFE樹脂、PE樹脂、及びMPI樹脂のような熱可塑性樹脂で形成され得る。コア層30は、図5に示されるように、例えばガラス繊維などからなる補強材30dを含んでいてもよい。コア基板10βの剛性が向上し、実施形態の配線基板の反りが抑制されることがある。コア層30は、例えば二酸化ケイ素やアルミナなどの粒体からなるフィラー(図示せず)を含んでいてもよい。 In the modified core substrate 10β shown in FIG. 5, the core layer 30 is formed of an insulating layer resin instead of a glass substrate. Therefore, the core layer 30 in the example of FIG. 5 is also an insulating layer like the core layer 30 in the example of FIG. The core layer 30 of the core substrate 10β is made of thermosetting resin such as epoxy resin, BT resin, and phenol resin, or fluororesin, LCP, PTFE resin, PE resin, and the like, as well as the insulating layer 31 described above. It may be made of thermoplastic resin such as MPI resin. As shown in FIG. 5, the core layer 30 may include a reinforcing material 30d made of, for example, glass fiber. The rigidity of the core board 10β may be improved, and warping of the wiring board of the embodiment may be suppressed. The core layer 30 may include a filler (not shown) made of particles such as silicon dioxide or alumina.

図5の例のコア層30は、図1の例のコア層30と同様に、一面30a(第1面)及び一面30aと反対側の他面30b(第2面)とを有すると共に、一面30aに開口する空隙311を有している。図5の例の空隙311は一面30aに設けられた凹部である。コア層30の一面30aには絶縁層32が積層されており、コア層30の一面30aの上、及びコア層30の内部に導体層1が形成されている。導体層1の第1導体パターン11は、全体的にコア層30の一面30aの上に形成されている。導体層1の第2導体パターン12は、空隙311の内部に形成されている部分を含んでいる。すなわち、コア基板10βにおいてコア層30は、導体層1に対して、図1の例の絶縁層31(第1絶縁層)として機能する。このように本実施形態において導体層1は、コア層30を構成する絶縁層の表面(第1面)の上及びその絶縁層の内部に渡るように形成されていてもよい。 The core layer 30 in the example of FIG. 5 has one surface 30a (first surface) and the other surface 30b (second surface) opposite to the one surface 30a, like the core layer 30 in the example of FIG. It has a gap 311 that opens to 30a. The void 311 in the example of FIG. 5 is a recess provided on one surface 30a. An insulating layer 32 is laminated on one surface 30a of the core layer 30, and a conductor layer 1 is formed on the one surface 30a of the core layer 30 and inside the core layer 30. The first conductor pattern 11 of the conductor layer 1 is formed entirely on one surface 30a of the core layer 30. The second conductor pattern 12 of the conductor layer 1 includes a portion formed inside the void 311. That is, in the core substrate 10β, the core layer 30 functions as the insulating layer 31 (first insulating layer) in the example of FIG. 1 with respect to the conductor layer 1. As described above, in this embodiment, the conductor layer 1 may be formed so as to extend over the surface (first surface) of the insulating layer constituting the core layer 30 and inside the insulating layer.

次に、図1の配線基板100が製造される場合を例に、図6A~図6Hを参照して、本実施形態の配線基板の製造方法が説明される。以下の説明では、「本実施形態の配線基板の製造方法」は、単に「実施形態の方法」とも称される。なお、以下に説明される製造方法において形成される各構成要素は、特に説明がなければ、対応する構成要素について図1の配線基板100の説明において特定又は例示された材料を用いて形成され得る。 Next, the method for manufacturing the wiring board of this embodiment will be described with reference to FIGS. 6A to 6H, taking as an example the case where the wiring board 100 of FIG. 1 is manufactured. In the following description, the "method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment" is also simply referred to as the "method according to the embodiment." Note that each component formed in the manufacturing method described below may be formed using the material specified or exemplified in the description of the wiring board 100 in FIG. 1 for the corresponding component, unless otherwise specified. .

図1の配線基板100が製造される場合、図6Aに示されるように、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス、又はホウケイ酸ガラスなどで主に形成されるガラス基板300が用意される。ガラス基板300は、例えばフロートガラス法などの一般的な板ガラスの製法によって用意され得る。 When the wiring board 100 of FIG. 1 is manufactured, as shown in FIG. 6A, a glass substrate 300 mainly made of, for example, soda lime glass, alkali-free glass, quartz glass, or borosilicate glass is prepared. Ru. The glass substrate 300 can be prepared, for example, by a common plate glass manufacturing method such as a float glass method.

ガラス基板300の両面に、樹脂310が積層され、さらにその上に、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属からなる金属箔110が積層される。樹脂310は、図1の配線基板100の説明において絶縁層31(図1参照)の材料として例示されたエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、又はLCPなどの熱可塑性樹脂であり得る。図6Aの例では樹脂310は、Bステージの状態でフィルム状に成形されたうえで、ガラス基板300の両面それぞれに積層されている。図示されていないが、樹脂310は、二酸化ケイ素やアルミナなどの粒体からなるフィラーを含んでいてもよい。又、樹脂310は、シート状に成形されていてガラス繊維などの補強材(図示せず)を含んでいてもよい。 A resin 310 is laminated on both sides of the glass substrate 300, and a metal foil 110 made of a metal having appropriate conductivity such as copper or nickel is further laminated thereon. The resin 310 may be a thermosetting resin such as an epoxy resin, which is exemplified as a material for the insulating layer 31 (see FIG. 1) in the description of the wiring board 100 in FIG. 1, or a thermoplastic resin such as LCP. In the example of FIG. 6A, the resin 310 is formed into a film in the B-stage state, and then laminated on both surfaces of the glass substrate 300. Although not shown, the resin 310 may include a filler made of particles of silicon dioxide, alumina, or the like. Further, the resin 310 may be formed into a sheet shape and may include a reinforcing material (not shown) such as glass fiber.

ガラス基板300の両面に積層された樹脂310及び金属箔110は、適度な圧力及び温度で加圧及び加熱される。その加圧及び加熱によって、樹脂310が一旦軟化して、樹脂310と、ガラス基板300及び金属箔110とが接着される。 The resin 310 and metal foil 110 laminated on both sides of the glass substrate 300 are pressurized and heated at appropriate pressure and temperature. Due to the pressure and heating, the resin 310 is once softened, and the resin 310, the glass substrate 300, and the metal foil 110 are bonded together.

その結果、図6Bに示されるように、図6Aのガラス基板300からなるコア層30の一面30a上に、一旦軟化後に硬化した図6Aの樹脂310からなる絶縁層31(第1絶縁層)が形成される。同様にコア層30の他面30b上には、絶縁層33が形成される。絶縁層31は、コア層30側と反対側の表面である第1面31a、及び第1面31aの反対面である第2面31bを有している。このように実施形態の方法は、絶縁層31(第1絶縁層)を用意することを含んでいる。 As a result, as shown in FIG. 6B, an insulating layer 31 (first insulating layer) made of the resin 310 in FIG. 6A that has been softened and then hardened is formed on one surface 30a of the core layer 30 made of the glass substrate 300 in FIG. 6A. It is formed. Similarly, an insulating layer 33 is formed on the other surface 30b of the core layer 30. The insulating layer 31 has a first surface 31a, which is a surface opposite to the core layer 30 side, and a second surface 31b, which is a surface opposite to the first surface 31a. Thus, the method of the embodiment includes preparing the insulating layer 31 (first insulating layer).

なお、図6Bの例に示されるコア層30を伴う絶縁層31の用意に代えて、好ましくはガラス繊維のような補強材(図示せず)を含む絶縁性樹脂からなる基板が、コア層30として機能する絶縁層(第1絶縁層)として用意されてもよい。そして、そのコア層30として機能する絶縁層を出発基板として、以下に説明される工程が行われてもよい。その場合、先に参照した図5に示されるコア基板10βが形成され得る。 Note that instead of preparing the insulating layer 31 with the core layer 30 shown in the example of FIG. It may be prepared as an insulating layer (first insulating layer) that functions as an insulating layer. Then, the steps described below may be performed using the insulating layer functioning as the core layer 30 as a starting substrate. In that case, the core substrate 10β shown in FIG. 5 referred to above may be formed.

絶縁層31の第1面31a上には、図6Aの金属箔110からなる金属層1aが形成されている。同様に絶縁層33の表面上には、図6Aの金属箔110からなる金属層2aが形成されている。後述されるように、金属層1aをパターニングすることによって図1の配線基板100の第1導体パターン11が形成され、金属層2aをパターニングすることによって配線基板100の導体層2が形成される。なお、金属層1a及び金属層2aは、図6Aに示される金属箔110の積層による方法ではなく、例えば無電解めっき又はスパッタリングによる金属膜の形成と、その金属膜を給電層として用いる電解めっきによるパネルめっきによって形成されてもよい。その場合、先に参照した図3Aに示される第1導体パターン11及び導体層2が形成され得る。 On the first surface 31a of the insulating layer 31, a metal layer 1a made of the metal foil 110 shown in FIG. 6A is formed. Similarly, on the surface of the insulating layer 33, a metal layer 2a made of the metal foil 110 shown in FIG. 6A is formed. As will be described later, the first conductor pattern 11 of the wiring board 100 of FIG. 1 is formed by patterning the metal layer 1a, and the conductor layer 2 of the wiring board 100 is formed by patterning the metal layer 2a. Note that the metal layer 1a and the metal layer 2a are formed not by the method of laminating the metal foils 110 shown in FIG. 6A, but by, for example, forming a metal film by electroless plating or sputtering, and electrolytic plating using the metal film as a power supply layer. It may also be formed by panel plating. In that case, the first conductor pattern 11 and conductor layer 2 shown in FIG. 3A referred to above may be formed.

その後、金属層1a及び金属層2aそれぞれの一部が除去される。例えば、適切な開口を有するエッチングマスク、及び、例えば塩化第二鉄や塩化第二銅を含むエッチング液を用いたエッチングによって各金属層の一部が除去される。各金属層が所望のパターンを有するようにパターニングされる。前述したように、金属層1a及び金属層2aのパターニングによって、図1の配線基板100の第1導体パターン11及び導体層2がそれぞれ形成される。従って、金属層1aは、第1導体パターン11に対応する部分が残るようにパターニングされ、金属層2aは、導体層2が含む導体パターンに対応する部分が残るようにパターニングされる。 After that, a portion of each of the metal layer 1a and the metal layer 2a is removed. For example, a portion of each metal layer is removed by etching using an etch mask with appropriate openings and an etchant containing, for example, ferric chloride or cupric chloride. Each metal layer is patterned to have a desired pattern. As described above, the first conductor pattern 11 and the conductor layer 2 of the wiring board 100 in FIG. 1 are formed by patterning the metal layer 1a and the metal layer 2a, respectively. Therefore, the metal layer 1a is patterned so that a portion corresponding to the first conductor pattern 11 remains, and the metal layer 2a is patterned so that a portion corresponding to the conductor pattern included in the conductor layer 2 remains.

図6Bの金属層1a及び金属層2aのパターニングの結果、図6Cに示されるように、絶縁層31の第1面31aの上に第1導体パターン11が形成され、絶縁層33の表面上には、所望の導体パターンを含む導体層2が形成される。 As a result of patterning the metal layer 1a and the metal layer 2a in FIG. 6B, the first conductor pattern 11 is formed on the first surface 31a of the insulating layer 31, as shown in FIG. A conductor layer 2 including a desired conductor pattern is formed.

図6Cに示されるように、絶縁層31の第1面31aの上、及び第1導体パターン11の上に絶縁層32(第2絶縁層)が積層される。第1導体パターン11が絶縁層32で覆われる。絶縁層32には、例えば絶縁層31の材料と同じ材料が用いられる。絶縁層32は、例えば前述した絶縁層31の用意と同様に、フィルム状に成形されたエポキシ樹脂などの適切な樹脂を、絶縁層31の第1面31a及び第1導体パターン11上に積層し、加熱及び加圧することによって形成される。 As shown in FIG. 6C, an insulating layer 32 (second insulating layer) is laminated on the first surface 31a of the insulating layer 31 and on the first conductor pattern 11. The first conductor pattern 11 is covered with an insulating layer 32. For example, the same material as the insulating layer 31 is used for the insulating layer 32. For example, the insulating layer 32 is prepared by laminating an appropriate resin such as an epoxy resin formed into a film on the first surface 31a of the insulating layer 31 and the first conductor pattern 11 in the same way as the insulating layer 31 described above. , formed by heating and pressurizing.

絶縁層33の表面上及び導体層2の上には、絶縁層34が形成されている。絶縁層34は、例えば絶縁層32と同様の材料及び同様の方法を用いて形成され得る。絶縁層32及び絶縁層34を形成する樹脂は、先に参照した図5に示される補強材30dのようなガラス繊維などからなる補強材を含んでいてもよい。しかしそのような補強材を含まない絶縁層32及び絶縁層34は、後工程で行われ得る研磨の容易性の面で好ましいことがある。 An insulating layer 34 is formed on the surface of the insulating layer 33 and on the conductor layer 2. The insulating layer 34 may be formed using the same material and the same method as the insulating layer 32, for example. The resin forming the insulating layer 32 and the insulating layer 34 may include a reinforcing material made of glass fiber or the like, such as the reinforcing material 30d shown in FIG. 5 referred to above. However, insulating layers 32 and 34 that do not include such reinforcing materials may be preferable in terms of ease of polishing that can be performed in a subsequent process.

図6Cの例では、絶縁層33及び絶縁層34の表面上に、例えば銅からなる金属箔Fが積層されている。金属箔Fは、図6Aを参照して説明された金属箔110と同様の方法で積層される。金属箔Fは必ずしも積層されないが、金属箔Fによって、絶縁層32及び絶縁層34それぞれの表面の起伏が低減されることがある。 In the example of FIG. 6C, a metal foil F made of copper, for example, is laminated on the surfaces of the insulating layer 33 and the insulating layer 34. The metal foil F is laminated in the same manner as the metal foil 110 described with reference to FIG. 6A. Although the metal foils F are not necessarily laminated, the undulations of the surfaces of the insulating layers 32 and 34 may be reduced by the metal foils F.

図6Dに示されるように、絶縁層31に、絶縁層31の第1面31aに開口する空隙311が形成される。図6Dに示される例では、絶縁層31を貫通する空隙311が形成されている。また、コア層30の一面30aには、空隙311に連通する凹部30cが形成されている。さらに、絶縁層32には、金属箔Fの上面に開口すると共に空隙311に連通する貫通孔321が形成されている。すなわちコア層30、絶縁層31及び絶縁層32、並びに金属箔Fに、コア層30の凹部30c、絶縁層31の空隙311、並びに絶縁層32の貫通孔321を含み、金属箔Fの上面に開口する凹部Rが形成されている。凹部30a、空隙311及び貫通孔321は、図1の配線基板100の第2導体パターン12の形成位置に形成される。 As shown in FIG. 6D, a void 311 is formed in the insulating layer 31 and opens to the first surface 31a of the insulating layer 31. In the example shown in FIG. 6D, a void 311 penetrating the insulating layer 31 is formed. Furthermore, a recess 30c communicating with the void 311 is formed on one surface 30a of the core layer 30. Furthermore, a through hole 321 is formed in the insulating layer 32 and is open to the upper surface of the metal foil F and communicates with the void 311. That is, the core layer 30, the insulating layer 31, the insulating layer 32, and the metal foil F include the recess 30c of the core layer 30, the void 311 of the insulating layer 31, and the through hole 321 of the insulating layer 32, and the upper surface of the metal foil F An open recess R is formed. The recess 30a, the void 311, and the through hole 321 are formed at the position where the second conductor pattern 12 of the wiring board 100 in FIG. 1 is formed.

また、図6Dの例では、絶縁層32上の金属箔Fから、絶縁層34上の金属箔Fまで、絶縁層32、絶縁層31、コア層30、絶縁層33、及び絶縁層34を一括して貫く貫通孔40が形成されている。貫通孔40は、図1の配線基板100のスルーホール導体4の形成位置に形成される。 In addition, in the example of FIG. 6D, the insulating layer 32, the insulating layer 31, the core layer 30, the insulating layer 33, and the insulating layer 34 are connected all at once from the metal foil F on the insulating layer 32 to the metal foil F on the insulating layer 34. A through hole 40 is formed therethrough. The through hole 40 is formed in the wiring board 100 of FIG. 1 at the position where the through hole conductor 4 is formed.

凹部Rは、例えば、エキシマレーザーを用いるレーザー加工によって形成される。凹部Rは、エキシマレーザー以外のレーザー光の照射によって形成されてもよい。貫通孔40は、凹部Rと同じレーザー光の照射工程で形成されもよいが、凹部Rの形成工程の前又は後に、凹部Rの形成とは別のレーザー光の照射によって形成されてもよい。例えば、貫通孔40は、絶縁層32側及び絶縁層34側それぞれからの炭酸ガスレーザー光やYAGレーザー光の照射によって形成されてもよい。また、貫通孔40は、ドリル加工のような機械加工によって形成されてもよい。 The recess R is formed, for example, by laser processing using an excimer laser. The recessed portion R may be formed by irradiation with a laser beam other than an excimer laser. The through-hole 40 may be formed in the same laser beam irradiation process as the recess R, but it may also be formed in a laser beam irradiation process different from that for forming the recess R, before or after the recess R formation process. For example, the through hole 40 may be formed by irradiation with carbon dioxide laser light or YAG laser light from the insulating layer 32 side and the insulating layer 34 side, respectively. Further, the through hole 40 may be formed by machining such as drilling.

図6Dでは、凹部Rの形成においてコア層30に凹部30cが形成されているが、ガラス基板からなるコア層30がレーザー光のストッパとして機能し得るように、レーザーパワーなどのレーザー光の照射条件が調整され、コア層30がストッパとして用いられてもよい。その場合、絶縁層31の第2面31bと略面一の底面を有する凹部Rが形成される。そのような凹部Rの形成によって、先に参照した図3Bに示される第2導体パターン12が形成され得る。また、絶縁層31を貫通しない凹部Rが形成されてもよい。その場合、先に参照した図4に示される第2導体パターン12が形成され得る。このように、コア層30の内部に達しない凹部Rが形成されてもよく、絶縁層31を貫通しない凹部Rが形成されてもよい。すなわち、絶縁層31を貫通する空隙311が形成されてもよく、絶縁層31を貫通しない凹部状の有底の空隙311が絶縁層31内に形成されてもよい。 In FIG. 6D, a recess 30c is formed in the core layer 30 in forming the recess R, but the laser light irradiation conditions such as laser power are set so that the core layer 30 made of a glass substrate can function as a laser light stopper. may be adjusted and the core layer 30 may be used as a stopper. In that case, a recess R having a bottom surface substantially flush with the second surface 31b of the insulating layer 31 is formed. By forming such a recess R, the second conductor pattern 12 shown in FIG. 3B referred to above can be formed. Further, a recess R that does not penetrate the insulating layer 31 may be formed. In that case, the second conductor pattern 12 shown in FIG. 4 referred to above may be formed. In this way, a recess R that does not reach the inside of the core layer 30 may be formed, and a recess R that does not penetrate the insulating layer 31 may be formed. That is, a void 311 penetrating the insulating layer 31 may be formed, or a concave-shaped void 311 with a bottom that does not penetrate the insulating layer 31 may be formed within the insulating layer 31.

図6Eに示されるように、凹部Rに露出する絶縁層31、絶縁層32、及びコア層30の露出面、並びに、貫通孔40内に露出する絶縁層31~34及び導体層2の露出面に第1金属膜121が形成される。第1金属膜121は、金属箔Fの上面にも形成される。例えば無電解めっきやスパッタリングなどによって、銅やニッケルなどからなる金属膜が第1金属膜121として形成される。 As shown in FIG. 6E, the exposed surfaces of the insulating layer 31, the insulating layer 32, and the core layer 30 exposed in the recess R, and the exposed surfaces of the insulating layers 31 to 34 and the conductive layer 2 exposed in the through hole 40 A first metal film 121 is formed thereon. The first metal film 121 is also formed on the upper surface of the metal foil F. A metal film made of copper, nickel, or the like is formed as the first metal film 121 by, for example, electroless plating or sputtering.

さらに、第1金属膜121上に、第1金属膜121を給電層として用いる電解めっきによって、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属のめっき膜からなる第2金属膜122が形成される。凹部Rの内部、すなわち、絶縁層31の空隙311、コア層30の凹部30c、及び絶縁層32の貫通孔321それぞれの内部が、第1金属膜121及び第2金属膜122からなる導電膜によって充填される。その結果、凹部R内に第1金属膜121及び第2金属膜122からなる第2導体パターン12が形成される。 Further, on the first metal film 121, a second metal film 122 made of a plating film of a metal having appropriate conductivity such as copper or nickel is formed by electrolytic plating using the first metal film 121 as a power supply layer. . The inside of the recess R, that is, the inside of each of the void 311 of the insulating layer 31, the recess 30c of the core layer 30, and the through hole 321 of the insulating layer 32 is covered by a conductive film made of the first metal film 121 and the second metal film 122. Filled. As a result, the second conductor pattern 12 consisting of the first metal film 121 and the second metal film 122 is formed in the recess R.

同様に、貫通孔40の内部が第1金属膜121及び第2金属膜122によって充填される。その結果、貫通孔40内に第1金属膜121及び第2金属膜122からなるスルーホール導体4が形成される。 Similarly, the inside of the through hole 40 is filled with the first metal film 121 and the second metal film 122. As a result, a through-hole conductor 4 made of the first metal film 121 and the second metal film 122 is formed in the through-hole 40 .

図6Eに示される例では、第2金属膜122は、金属箔F上に形成されている第1金属膜121の上にも形成されている。すなわち、絶縁層32の表面32a及び絶縁層34の表面34aの上にも、第1金属膜121及び第2金属膜122からなる導電膜が形成されていて、表面32a及び表面34aが、金属箔Fを介して、この導電膜に覆われている。このように第1金属膜121の全面に第2金属膜122が形成されるので、第1金属膜121上へのめっきレジストの形成を省略することができる。 In the example shown in FIG. 6E, the second metal film 122 is also formed on the first metal film 121 formed on the metal foil F. That is, a conductive film consisting of the first metal film 121 and the second metal film 122 is also formed on the surface 32a of the insulating layer 32 and the surface 34a of the insulating layer 34, and the surface 32a and the surface 34a are made of metal foil. It is covered with this conductive film via F. Since the second metal film 122 is thus formed on the entire surface of the first metal film 121, formation of a plating resist on the first metal film 121 can be omitted.

その後、絶縁層32の表面32a上及び絶縁層34の表面34a上の第1金属膜121及び第2金属膜122が除去される。例えば塩化第二鉄や塩化第二銅を含むエッチング液に、第1金属膜121及び第2金属膜122を晒すことによって、絶縁層32の表面32a上及び絶縁層34の表面34a上の第1金属膜121及び第2金属膜122が除去される。 After that, the first metal film 121 and the second metal film 122 on the surface 32a of the insulating layer 32 and the surface 34a of the insulating layer 34 are removed. For example, by exposing the first metal film 121 and the second metal film 122 to an etching solution containing ferric chloride or cupric chloride, the first metal film 121 and the second metal film 122 are Metal film 121 and second metal film 122 are removed.

その結果、図6Fに示されるように、各第2導体パターン12同士が互いに電気的及び物理的に分離され、各スルーホール導体4同士も互いに電気的及び物理的に分離される。また、スルーホール導体4と第2導体パターン12も、電気的及び物理的に分離される。電気的に接続されるべきでない導電体から絶縁された個々の第2導体パターン12及びスルーホール導体4が得られる。絶縁層31の空隙311の内部に形成される部分を有する第2導体パターン12は、空隙311のZ方向の長さにも依存した、第1導体パターン11の厚さよりも大きな厚さを有するように形成される。一方、第2導体パターン12と第1導体パターン11は、側面視で互いに重なる部分を有しているので同一の導体層に属し得る。すなわち、第1導体パターン11と第2導体パターン12とを含む導体層1(第1導体層)が得られる。第1導体パターン11は、その全体が絶縁層31の第1面31a上に位置している。第1導体パターン11と第2導体パターン12とは、平面視で互いに重ならない位置に形成される。 As a result, as shown in FIG. 6F, the second conductor patterns 12 are electrically and physically isolated from each other, and the through-hole conductors 4 are also electrically and physically isolated from each other. Furthermore, the through-hole conductor 4 and the second conductor pattern 12 are also electrically and physically separated. Individual second conductor patterns 12 and through-hole conductors 4 are obtained which are insulated from conductors that are not to be electrically connected. The second conductor pattern 12 having a portion formed inside the gap 311 of the insulating layer 31 has a thickness larger than the thickness of the first conductor pattern 11, which also depends on the length of the gap 311 in the Z direction. is formed. On the other hand, since the second conductor pattern 12 and the first conductor pattern 11 have portions that overlap each other in side view, they can belong to the same conductor layer. That is, a conductor layer 1 (first conductor layer) including the first conductor pattern 11 and the second conductor pattern 12 is obtained. The first conductor pattern 11 is entirely located on the first surface 31a of the insulating layer 31. The first conductor pattern 11 and the second conductor pattern 12 are formed at positions that do not overlap each other in plan view.

このように、実施形態の方法は、絶縁層31の用意に加えて、絶縁層31の表面(第1面31a)上に位置する部分を有していて第1導体パターン11及び第2導体パターン12を含む導体層1を形成することを、さらに含んでいる。そして導体層1を形成することは、前述したように、絶縁層31の第1面31aを覆う金属層1a(図6B参照)を設けることと、金属層1aを部分的に除去することによって第1導体パターン11を絶縁層31の第1面31a上に形成することと、を含んでいる。導体層1を形成することは、さらに、前述したように、絶縁層31に、絶縁層31の第1面31aに開口する空隙311を形成することと、めっき膜を含む導電膜(第1金属膜121及び第2金属膜122)で空隙311を充填することによって第2導体パターン12を形成することと、を含んでいる。第2導体パターン12は空隙311内を充填する導電膜からなる部分を含んでいる。そして実施形態の方法において第2導体パターン12は、第1導体パターン11よりも大きな厚さを有するように形成される。 As described above, the method of the embodiment includes, in addition to preparing the insulating layer 31, a portion located on the surface (first surface 31a) of the insulating layer 31 and the first conductor pattern 11 and the second conductor pattern. It further comprises forming a conductor layer 1 comprising 12. As described above, forming the conductor layer 1 involves providing the metal layer 1a (see FIG. 6B) covering the first surface 31a of the insulating layer 31 and partially removing the metal layer 1a. 1 conductor pattern 11 on the first surface 31a of the insulating layer 31. Forming the conductive layer 1 further includes, as described above, forming the void 311 in the insulating layer 31 that opens to the first surface 31a of the insulating layer 31, and forming a conductive film including a plating film (first metal forming the second conductor pattern 12 by filling the void 311 with a film 121 and a second metal film 122). The second conductor pattern 12 includes a portion made of a conductive film that fills the void 311. In the method of the embodiment, the second conductor pattern 12 is formed to have a greater thickness than the first conductor pattern 11.

実施形態の方法は、前述したように第1導体パターン11を覆う絶縁層32(第2絶縁層)を絶縁層31の第1面31a上に積層することを、さらに含んでいてもよい。そして、絶縁層31の空隙311を形成することは、空隙311に連通する貫通孔321を絶縁層32に形成することを含み得る。その場合、実施形態の方法において第2導体パターン12を形成することは、空隙311を充填する導電膜(第1金属膜121及び第2金属膜122)で貫通孔321を充填することを含み得る。その場合、貫通孔321を充填することは、空隙311を充填する導電膜を絶縁層32における絶縁層31と反対側の表面32aまで形成して絶縁層32の表面32aを、空隙311を充填する導電膜で覆うことを含み得る(図6E参照)。そしてその場合、実施形態の方法において第2導体パターン12を形成することは、さらに、絶縁層32の表面32aの上の導電膜(第1金属膜121及び第2金属膜122)を除去することを含み得る。 The method of the embodiment may further include laminating the insulating layer 32 (second insulating layer) covering the first conductor pattern 11 on the first surface 31a of the insulating layer 31 as described above. Forming the void 311 in the insulating layer 31 may include forming a through hole 321 in the insulating layer 32 that communicates with the void 311 . In that case, forming the second conductive pattern 12 in the method of the embodiment may include filling the through hole 321 with a conductive film (first metal film 121 and second metal film 122) that fills the void 311. . In that case, filling the through hole 321 means forming a conductive film filling the void 311 up to the surface 32a of the insulating layer 32 opposite to the insulating layer 31, and filling the surface 32a of the insulating layer 32 with the void 311. It may include covering with a conductive film (see FIG. 6E). In that case, forming the second conductive pattern 12 in the method of the embodiment further involves removing the conductive film (the first metal film 121 and the second metal film 122) on the surface 32a of the insulating layer 32. may include.

図6Fの例では、第2導体パターン12における絶縁層32側の端部も、この端部側の表面12aが絶縁層32の表面32aよりも絶縁層31側に凹むようにエッチングで除去されている。また。スルーホール導体4の両端部も、それぞれ、端面4a及び端面4bが、絶縁層32の表面32a又は絶縁層34の表面34aよりもコア層30側に凹むようにエッチングで除去されている。各第2導体パターン12同士、各スルーホール導体4同士、及び第2導体パターン12とスルーホール増体4とが、確実に電気的及び機械的に分離されると考えられる。 In the example of FIG. 6F, the end of the second conductor pattern 12 on the insulating layer 32 side is also removed by etching so that the surface 12a on this end side is recessed toward the insulating layer 31 side from the surface 32a of the insulating layer 32. There is. Also. Both ends of the through-hole conductor 4 are also removed by etching so that the end surfaces 4a and 4b are recessed toward the core layer 30 side relative to the surface 32a of the insulating layer 32 or the surface 34a of the insulating layer 34, respectively. It is considered that the second conductor patterns 12, the through-hole conductors 4, and the second conductor patterns 12 and the through-hole extensions 4 are reliably separated electrically and mechanically.

図6Gに示されるように、絶縁層32及び絶縁層34の厚さ方向の一部が除去される。絶縁層32の一部の除去と共に、第2導体パターン12における絶縁層32の表面32a側の端部及びスルーホール導体4の端面4a側の端部も除去される。また、絶縁層34の一部の除去と共に、スルーホール導体4の端面4b側の端部も除去される。絶縁層32の一部、並びに第2導体パターン12の端部、及びスルーホール導体4の端面4a側の端部は、好ましくは、絶縁層32の表面32a、第2導体パターン12の表面12a、及びスルーホール導体4の端面4aが同一平面上に位置するように除去される。同様に、絶縁層34の一部、及びスルーホール導体4の端面4b側の端部は、好ましくは、絶縁層34の表面34a及びスルーホール導体4の端面4bが同一平面上に位置するように除去される。平坦な一面10a及び他面10bを有するコア基板10が得られる。 As shown in FIG. 6G, a portion of the insulating layer 32 and the insulating layer 34 in the thickness direction is removed. Along with the removal of a portion of the insulating layer 32, the end of the second conductor pattern 12 on the surface 32a side of the insulating layer 32 and the end of the through-hole conductor 4 on the end surface 4a side are also removed. Furthermore, along with the removal of a portion of the insulating layer 34, the end portion of the through-hole conductor 4 on the end surface 4b side is also removed. A portion of the insulating layer 32, the end of the second conductor pattern 12, and the end of the through-hole conductor 4 on the end surface 4a side preferably include a surface 32a of the insulating layer 32, a surface 12a of the second conductor pattern 12, and the end surfaces 4a of the through-hole conductors 4 are removed so that they are located on the same plane. Similarly, a portion of the insulating layer 34 and the end portion of the through-hole conductor 4 on the end surface 4b side are preferably arranged such that the surface 34a of the insulating layer 34 and the end surface 4b of the through-hole conductor 4 are located on the same plane. removed. A core substrate 10 having one flat surface 10a and the other flat surface 10b is obtained.

絶縁層32及び絶縁層34の一部、並びに第2導体パターン12及びスルーホール導体の端部は、例えば研磨のような任意の方法で除去され得る。例えば、ベルトサンダによるサンディングやバフ研磨などの機械的研磨、溶解性のプラズマガスを用いる化学的研磨、又は、これらを組み合わせた化学機械的研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)によって、絶縁層32及び絶縁層34の一部、並びに第2導体パターン12及びスルーホール導体4の端部が除去される。 Portions of the insulating layer 32 and the insulating layer 34, as well as the ends of the second conductive pattern 12 and the through-hole conductor, may be removed by any method, such as polishing. For example, the insulating layer 32 and the insulating layer 32 can be removed by mechanical polishing such as sanding with a belt sander or buffing, chemical polishing using soluble plasma gas, or chemical mechanical polishing (CMP) that is a combination of these. A portion of layer 34 and the ends of second conductor pattern 12 and through-hole conductor 4 are removed.

図6Gの例では、第1導体パターン11の表面11a、及び導体層2の上面(導体層2における導体層1と反対側の表面)が露出するまで、絶縁層32及び絶縁層34の一部が、先に例示された各種の研磨のような適切な方法で除去されている。このように、実施形態の方法は、さらに、絶縁層32の一部を除去して第1導体パターン11を露出させることを含んでいてもよい。好ましくは、第1導体パターン11の表面11aと絶縁層32の表面32aとが同一平面上に位置するように、絶縁層32の一部を除去する研磨が行なわれる。同様に、導体層2の上面と絶縁層34の表面34aとが同一平面上に位置するように、絶縁層34の一部を除去する研磨が行なわれる。平坦な一面10a及び他面10bを有するコア基板10が得られる。以上の工程を経ることによって、図1の配線基板100のコア基板10が完成する。 In the example of FIG. 6G, parts of the insulating layer 32 and the insulating layer 34 are exposed until the surface 11a of the first conductor pattern 11 and the upper surface of the conductor layer 2 (the surface of the conductor layer 2 opposite to the conductor layer 1) are exposed. is removed by a suitable method, such as the various polishing methods exemplified above. In this manner, the method of the embodiment may further include removing a portion of the insulating layer 32 to expose the first conductor pattern 11. Preferably, polishing is performed to remove a portion of the insulating layer 32 so that the surface 11a of the first conductor pattern 11 and the surface 32a of the insulating layer 32 are located on the same plane. Similarly, polishing is performed to remove a portion of the insulating layer 34 so that the upper surface of the conductor layer 2 and the surface 34a of the insulating layer 34 are located on the same plane. A core substrate 10 having one flat surface 10a and the other flat surface 10b is obtained. Through the above steps, the core substrate 10 of the wiring board 100 in FIG. 1 is completed.

図1の配線基板100が製造される場合、図6Hに示されるように、コア基板10の両面それぞれに絶縁層5b及び導体層5aを交互に形成することによって、ビルドアップ層51、52が形成される。例えば、絶縁層5bは、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板10の上、又は既に形成されている絶縁層5bの上に積層して加熱及び加圧することによって形成され得る。また、図6Hの導体層5aは、絶縁層5bへの貫通孔の形成後、例えばセミアディティブ法によって金属膜5aa及び金蔵膜5abを形成することによって形成される。絶縁層5bの内部には、導体層5aの形成と共にビア導体5cが形成去される。 When the wiring board 100 of FIG. 1 is manufactured, as shown in FIG. 6H, the build-up layers 51 and 52 are formed by alternately forming the insulating layers 5b and the conductor layers 5a on both sides of the core board 10, respectively. be done. For example, the insulating layer 5b can be formed by laminating a film-like epoxy resin on the core substrate 10 or on the already formed insulating layer 5b, and heating and pressurizing the epoxy resin. Further, the conductor layer 5a in FIG. 6H is formed by forming a metal film 5aa and a gold storage film 5ab by, for example, a semi-additive method after forming a through hole in the insulating layer 5b. Inside the insulating layer 5b, a via conductor 5c is formed and removed at the same time as the conductor layer 5a is formed.

そして、ビルドアップ層51の上にソルダーレジスト層61が形成され、ビルドアップ層52の上にソルダーレジスト層62が形成される。ソルダーレジスト61、62は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを、スプレーイングや積層、又は印刷などで供給することによって形成される。適切な開口を有する露光マスク(図示せず)を用いる露光、及び現像、又はレーザー加工などによって、所定の位置に開口63が形成される。以上の工程を経ることによって、図1の配線基板100が完成する。 Then, a solder resist layer 61 is formed on the buildup layer 51, and a solder resist layer 62 is formed on the buildup layer 52. The solder resists 61 and 62 are formed, for example, by supplying photosensitive epoxy resin or polyimide resin by spraying, laminating, printing, or the like. An opening 63 is formed at a predetermined position by exposure using an exposure mask (not shown) having an appropriate opening, development, or laser processing. Through the above steps, the wiring board 100 shown in FIG. 1 is completed.

なお、先に参照された図3Aの例の導体層5aは、図6D~図6Fを参照して説明された第2導体パターン12の形成方法と同様の方法で形成される。すなわち図3Aの導体層5aは、レーザー加工などによって絶縁層5bに凹部5baを形成し、凹部5ba内を、例えば無電解めっき及び電解めっきによって生成した金属膜5aaと金属膜5abで充填することによって形成され得る。また、先に参照された図3Bの例の導体層5d並びに絶縁層5ea及び絶縁層5ebは、図6A~図6Fを参照して説明された、第1導体パターン11、第2導体パターン12、絶縁層31、及び絶縁層32の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、図3Bに示される第1導体パターン11は、図6B及び図6Cを参照して説明された金属層1aのパターニングにおいて、図3Bの例の第1導体パターン11の形成に適したエッチングマスクを用いることによって形成され得る。 Note that the conductor layer 5a in the example of FIG. 3A referred to above is formed by a method similar to the method of forming the second conductor pattern 12 described with reference to FIGS. 6D to 6F. That is, the conductor layer 5a in FIG. 3A is formed by forming a recess 5ba in the insulating layer 5b by laser processing or the like, and filling the recess 5ba with a metal film 5aa and a metal film 5ab produced by, for example, electroless plating and electrolytic plating. can be formed. Further, the conductive layer 5d, the insulating layer 5ea, and the insulating layer 5eb in the example of FIG. 3B referred to above are the first conductive pattern 11, the second conductive pattern 12, The insulating layer 31 and the insulating layer 32 may be formed by a method similar to that of the insulating layer 31 and the insulating layer 32. Furthermore, the first conductor pattern 11 shown in FIG. 3B is an etching mask suitable for forming the first conductor pattern 11 in the example of FIG. 3B in the patterning of the metal layer 1a described with reference to FIGS. 6B and 6C. can be formed by using

また、先に参照した図4に例示される絶縁層32から露出しない第1導体パターン11は、図6Gを参照して説明された絶縁層32の一部の除去において、単に第1導体パターン11が露出する前に、各種研磨のような、絶縁層32の一部の除去工程を終了することによって形成され得る。なお、コア基板10の表面について、特段の平坦性が求められない場合は、絶縁層32及び絶縁層34の一部の除去の工程が省略されてもよい。或いは、絶縁層32の表面32aの上の第1及び第2の金属膜121、122(図6E参照)の除去の結果、第2導体パターン12の表面12a及びスルーホール導体4の端面4aが表面32aと同一平面上に位置している場合、絶縁層32の一部の除去の工程が省略されてもよい。同様に、絶縁層34の表面の上の第1及び第2の金属膜121、122の除去の結果、スルーボール導体4の端面4bが絶縁層34の表面と同一平面上に位置している場合、絶縁層34の一部の除去の工程が省略されてもよい。 Further, the first conductor pattern 11 that is not exposed from the insulating layer 32 illustrated in FIG. The insulating layer 32 may be formed by completing a removal process of a portion of the insulating layer 32, such as various types of polishing, before the insulating layer 32 is exposed. Note that if particular flatness is not required for the surface of the core substrate 10, the step of removing part of the insulating layer 32 and the insulating layer 34 may be omitted. Alternatively, as a result of removing the first and second metal films 121 and 122 (see FIG. 6E) on the surface 32a of the insulating layer 32, the surface 12a of the second conductor pattern 12 and the end surface 4a of the through-hole conductor 4 become the surface. 32a, the step of removing part of the insulating layer 32 may be omitted. Similarly, when the end surface 4b of the through-ball conductor 4 is located on the same plane as the surface of the insulating layer 34 as a result of removing the first and second metal films 121 and 122 on the surface of the insulating layer 34 , the step of removing part of the insulating layer 34 may be omitted.

実施形態の方法によれば、厚さの異なる第1導体パターンと第2導体パターンとが1つの導体層に形成されるので、異なる特性が求められる導体パターンを同一の導体層に混在させ得ることがある。また、第2導体パターンは絶縁層に設けられる空隙内に少なくとも部分的に形成されるので、アスペクト比の高い、すなわち、配線幅に対する厚さが大きく、従って微細な配線でありながら低い導体抵抗を有する配線パターンを実現し得ることがある。一方、平面面積の大きな導体パターンが絶縁層の内部に厚く形成されるには、絶縁層内への広範に渡る凹部や貫通孔のような空隙の形成のための多くの時間が必要とされたり、その導体パターンの厚さが不均一になったりすることがある。しかし実施形態の方法では、第1導体パターンは、第2導体パターン12がその内部に部分的に形成される絶縁層の表面上に第2導体パターンとは別に形成されるので、効率良く、均一な厚さで形成され易いと考えられる。 According to the method of the embodiment, since the first conductor pattern and the second conductor pattern having different thicknesses are formed in one conductor layer, conductor patterns requiring different characteristics can be mixed in the same conductor layer. There is. In addition, since the second conductor pattern is formed at least partially within the gap provided in the insulating layer, it has a high aspect ratio, that is, the thickness is large relative to the wiring width, and therefore it can achieve low conductor resistance even though it is a fine wiring. In some cases, it may be possible to realize a wiring pattern that has the following characteristics. On the other hand, in order to form a thick conductor pattern with a large planar area inside an insulating layer, a lot of time is required to form cavities such as extensive recesses and through holes in the insulating layer. , the thickness of the conductor pattern may become non-uniform. However, in the method of the embodiment, the first conductor pattern is formed separately from the second conductor pattern on the surface of the insulating layer in which the second conductor pattern 12 is partially formed. It is thought that it can be easily formed with a certain thickness.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、実施形態の配線基板において、コア基板を貫通するスルーホール導体が設けられなくてもよい。また、実施形態の配線基板は、ビルドアップ層を備えていなくともよく、コア基板若しくはコア基板層と解釈される層状の構成要素を備えていなくてもよい。すなわち、実施形態の配線基板において、互いに厚さの異なる導体パターンを含む導体層及びその導体層の側面を覆う絶縁層は、コア基板の一部でなくてもよい。 The wiring board of the embodiment is not limited to the structure illustrated in each drawing and the structure, shape, and material illustrated in this specification. For example, in the wiring board of the embodiment, a through-hole conductor penetrating the core board may not be provided. Further, the wiring board of the embodiment does not need to include a buildup layer, and does not need to include a core board or a layered component that can be interpreted as a core board layer. That is, in the wiring board of the embodiment, the conductor layer including conductor patterns having mutually different thicknesses and the insulating layer covering the side surface of the conductor layer do not need to be part of the core board.

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、実施形態の配線基板の製造方法によって、任意の層数を有する任意の積層構造の配線基板が製造され得る。また、前述したように、図6Cの金属箔Fは、必ずしも積層されない。また、図6Gを参照して説明された絶縁層32及び絶縁層34の一部の除去と共に、第1導体パターン11及び導体層2それぞれの一部が除去されて、これらの厚さが小さくされてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。 The method of manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described with reference to each drawing. For example, a wiring board having an arbitrary laminated structure having an arbitrary number of layers can be manufactured by the wiring board manufacturing method of the embodiment. Furthermore, as described above, the metal foils F in FIG. 6C are not necessarily laminated. In addition, along with the removal of a portion of the insulating layer 32 and the insulating layer 34 described with reference to FIG. 6G, a portion of each of the first conductor pattern 11 and the conductor layer 2 is also removed to reduce their thickness. You can. In the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment, any steps other than the steps described above may be added, or some of the steps described above may be omitted.

100、101、102 配線基板
10、10α、10β コア基板
1 導体層
1a 金属層
11 第1導体パターン
110 金属箔
11a 表面
12 第2導体パターン
12a 表面
300 ガラス基板
31 絶縁層(第1絶縁層)
31a 第1面
31b 第2面
311 空隙
32 絶縁層(第2絶縁層)
32a 表面
4 スルーホール導体
4a、4b 端面
50 コア基板層
51、52 ビルドアップ層
5a 導体層
5b 絶縁層
100, 101, 102 Wiring board 10, 10α, 10β Core substrate 1 Conductor layer 1a Metal layer 11 First conductor pattern 110 Metal foil 11a Surface 12 Second conductor pattern 12a Surface 300 Glass substrate 31 Insulating layer (first insulating layer)
31a First surface 31b Second surface 311 Gap 32 Insulating layer (second insulating layer)
32a Surface 4 Through-hole conductors 4a, 4b End surface 50 Core substrate layers 51, 52 Buildup layer 5a Conductor layer 5b Insulating layer

Claims (19)

第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有する第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の前記第1面の上に形成されている部分を有する導体層と、
を含む配線基板であって、
前記第1絶縁層は、前記第1面に開口する空隙を有し、
前記導体層は、全体的に前記第1面の上に形成されている第1導体パターンと、前記空隙の内部に形成されている部分を有していて前記第1導体パターンと平面視で重ならない第2導体パターンと、を含み、
前記第2導体パターンの厚さは前記第1導体パターンの厚さよりも大きい。
a first insulating layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
a conductor layer having a portion formed on the first surface of the first insulating layer;
A wiring board comprising:
The first insulating layer has a void opening on the first surface,
The conductor layer has a first conductor pattern formed entirely on the first surface and a portion formed inside the gap, and overlaps with the first conductor pattern in plan view. a second conductor pattern that does not
The thickness of the second conductive pattern is greater than the thickness of the first conductive pattern.
請求項1記載の配線基板であって、
前記第1導体パターンは電源パターン又はグランドパターンであり、
前記第2導体パターンは信号線である。
The wiring board according to claim 1,
The first conductor pattern is a power supply pattern or a ground pattern,
The second conductor pattern is a signal line.
請求項1記載の配線基板であって、前記第1導体パターンにおける前記第1絶縁層と反対方向を向く表面と、前記第2導体パターンにおける前記第1導体パターンの前記表面が向く方向と同じ方向を向く表面とが、同一平面上に位置している。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the surface of the first conductor pattern facing in a direction opposite to the first insulating layer is the same direction as the surface of the first conductor pattern facing in the second conductor pattern. The surfaces facing the surface are located on the same plane. 請求項1記載の配線基板であって、平面視における前記第2導体パターン全体の面積は、平面視における前記第1導体パターンの全体の面積の20%以下である。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the entire area of the second conductor pattern in plan view is 20% or less of the entire area of the first conductor pattern in plan view. 請求項1記載の配線基板であって、前記第2導体パターンは金属箔を含まず、前記第1導体パターンは金属箔を含んでいる。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the second conductor pattern does not include metal foil, and the first conductor pattern includes metal foil. 請求項5記載の配線基板であって、前記第2導体パターンは、電解めっき膜、及び、前記電解めっき膜と前記第1絶縁層との間に介在する金属膜を含んでいる。 6. The wiring board according to claim 5, wherein the second conductor pattern includes an electrolytically plated film and a metal film interposed between the electrolytically plated film and the first insulating layer. 請求項1記載の配線基板であって、さらに、前記第1絶縁層を貫通するスルーホール導体を含み、
前記スルーホール導体における前記第1絶縁層の前記第1面側の端面と、前記第2導体パターンにおける前記スルーホール導体の前記端面が向く方向と同じ方向を向く表面とが、同一平面上に位置している。
The wiring board according to claim 1, further comprising a through-hole conductor penetrating the first insulating layer,
An end surface of the first insulating layer of the through-hole conductor on the first surface side and a surface of the second conductor pattern facing in the same direction as the end surface of the through-hole conductor are located on the same plane. are doing.
請求項7記載の配線基板であって、前記スルーホール導体の前記端面は、前記第1導体パターンにおける前記第1絶縁層と反対方向を向く表面と同一平面上に位置している。 8. The wiring board according to claim 7, wherein the end surface of the through-hole conductor is located on the same plane as a surface of the first conductor pattern facing in a direction opposite to the first insulating layer. 請求項7記載の配線基板であって、前記スルーホール導体は、前記導体層と接することなく前記第1絶縁層の前記第1面から突出している。 8. The wiring board according to claim 7, wherein the through-hole conductor protrudes from the first surface of the first insulating layer without contacting the conductor layer. 請求項1記載の配線基板であって、
前記配線基板は、コア基板層と、前記コア基板層の表面に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成されるビルドアップ層とを含み、
前記第1絶縁層及び前記導体層は前記コア基板層の一部を構成している。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board includes a core board layer and a buildup layer constituted by insulating layers and conductor layers that are alternately laminated on the surface of the core board layer,
The first insulating layer and the conductor layer constitute a part of the core substrate layer.
請求項10記載の配線基板であって、前記第1絶縁層は熱硬化性樹脂を含んでいる。 11. The wiring board according to claim 10, wherein the first insulating layer contains a thermosetting resin. 請求項11記載の配線基板であって、
前記コア基板層はガラス基板を含み、前記第1絶縁層は前記ガラス基板上に積層されている。
The wiring board according to claim 11,
The core substrate layer includes a glass substrate, and the first insulating layer is laminated on the glass substrate.
請求項1記載の配線基板であって、さらに、
前記第1絶縁層の前記第1面の上に積層されている第2絶縁層と、
前記第1絶縁層を貫通して前記第1面から突出するスルーホール導体と、を含み、
前記第2導体パターンは前記第1絶縁層の前記第1面から突出しており、
前記第1導体パターンの側面、並びに、前記第2導体パターン及び前記スルーホール導体それぞれにおける前記第1面からの突出部分の側面は、前記第2絶縁層に覆われている。
The wiring board according to claim 1, further comprising:
a second insulating layer stacked on the first surface of the first insulating layer;
a through-hole conductor penetrating the first insulating layer and protruding from the first surface,
the second conductor pattern protrudes from the first surface of the first insulating layer;
A side surface of the first conductor pattern and a side surface of each of the second conductor pattern and the through-hole conductor protruding from the first surface are covered with the second insulating layer.
請求項13記載の配線基板であって、
前記第2絶縁層における前記第1絶縁層と反対方向を向く表面は、前記スルーホール導体における前記第2絶縁層側の端面、及び前記第2導体パターンにおける前記第2絶縁層の前記表面と同じ方向を向く表面と、同一平面上に位置している。
The wiring board according to claim 13,
The surface of the second insulating layer facing in the opposite direction to the first insulating layer is the same as the end surface of the through-hole conductor on the second insulating layer side and the surface of the second insulating layer of the second conductor pattern. lies on the same plane as the surface toward which it faces.
請求項14記載の配線基板であって、前記第2絶縁層の前記表面は、前記第1導体パターンにおける前記第1絶縁層と反対方向を向く表面と同一平面上に位置している。 15. The wiring board according to claim 14, wherein the surface of the second insulating layer is located on the same plane as a surface of the first conductor pattern facing in a direction opposite to the first insulating layer. 第1絶縁層を用意することと、
前記第1絶縁層の表面上に位置する部分を有していて第1導体パターン及び第2導体パターンを含む導体層を形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記導体層を形成することは、
前記第1絶縁層の前記表面を覆う金属層を設けることと、
前記金属層を部分的に除去することによって前記第1導体パターンを前記表面上に形成することと、
前記第1絶縁層に、前記第1絶縁層の前記表面に開口する空隙を形成することと、
めっき膜を含む導電膜で前記空隙を充填することによって、前記空隙内の前記導電膜からなる部分を含む前記第2導体パターンを、前記第1導体パターンよりも大きな厚さを有するように形成することと、
を含んでいる。
providing a first insulating layer;
forming a conductor layer having a portion located on the surface of the first insulating layer and including a first conductor pattern and a second conductor pattern;
A method for manufacturing a wiring board, the method comprising:
Forming the conductor layer includes:
providing a metal layer covering the surface of the first insulating layer;
forming the first conductor pattern on the surface by partially removing the metal layer;
forming a void in the first insulating layer that opens to the surface of the first insulating layer;
By filling the void with a conductive film including a plating film, the second conductive pattern including the portion made of the conductive film within the void is formed to have a thickness greater than that of the first conductive pattern. And,
Contains.
請求項16記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記第1導体パターンを覆う第2絶縁層を前記第1絶縁層の前記表面上に積層することを含み、
前記空隙を形成することは、前記空隙に連通する貫通孔を前記第2絶縁層に形成することを含み、
前記第2導体パターンを形成することは、前記導電膜で前記貫通孔を充填することを含んでいる。
17. The method of manufacturing a wiring board according to claim 16, further comprising laminating a second insulating layer covering the first conductor pattern on the surface of the first insulating layer.
Forming the void includes forming a through hole communicating with the void in the second insulating layer,
Forming the second conductor pattern includes filling the through hole with the conductive film.
請求項17記載の配線基板の製造方法であって、
前記導電膜で前記貫通孔を充填することは、前記導電膜を前記第2絶縁層における前記第1絶縁層と反対側の表面まで形成して前記第2絶縁層の前記表面を前記導電膜で覆うことを含み、
前記第2導体パターンを形成することは、さらに、前記第2絶縁層の前記表面の上の前記導電膜を除去することを含んでいる。
18. The method for manufacturing a wiring board according to claim 17,
Filling the through hole with the conductive film includes forming the conductive film up to the surface of the second insulating layer opposite to the first insulating layer, and filling the surface of the second insulating layer with the conductive film. including covering;
Forming the second conductive pattern further includes removing the conductive film on the surface of the second insulating layer.
請求項17記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記第2絶縁層の一部を除去して前記第1導体パターンを露出させることを含んでいる。 18. The method of manufacturing a wiring board according to claim 17, further comprising removing a portion of the second insulating layer to expose the first conductor pattern.
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