JP2023553491A - 少なくとも１つの炭素導体を有する導電性導体ストランドの製造方法 - Google Patents

少なくとも１つの炭素導体を有する導電性導体ストランドの製造方法 Download PDF

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Abstract

少なくとも１つの炭素導体（３）を含む導電性導体ストランド（１）の製造方法であって、ａ）特にグラファイト、熱分解グラファイト、グラフェン、グラフィンおよび／またはカーボンナノチューブを含む、少なくとも１つの炭素導体（３）を含む中間生成物として、導体ストランド（１）を製造または提供するステップと、ｂ）前記導体ストランド（１）と、１つもしくは複数のインターカラント（２）、特に１つもしくは複数の金属ハロゲン化物、または１つもしくは複数の有機アルカリ金属のいずれかと、を、反応器体積（５）の気相または液相に導入するステップであって、前記インターカラントは、前記導体ストランド（１）の前記少なくとも１つの炭素導体（３）の材料へのインターカレーションに適しているステップと、ｃ）前記導体ストランド（１）の熱処理を実行するステップであって、前記反応器体積（５）はインターカレーション（４）を開始するためのプロセス温度にされ、前記インターカラント（２）の原子または分子が前記それぞれの炭素導体（３）の材料中に埋め込まれ、特に、多層炭素構造形状の層間領域において、特に前記炭素導体（３）の炭素構造形状へ堆積されるステップと、を有する方法。

Description

本発明は、少なくとも１つの炭素導体を有する導電性導体ストランドの製造方法に関する。
炭素導体は先行技術から知られている。例えば先行技術からは、グラファイト、熱分解グラファイト、カーボンナノチューブまたはグラフェンを含む電気導体が知られている。その導電性を増加させるために、炭素導体をドープすることが知られている。例えば、独国特許出願公開第１０２０１９２２０１７７号明細書からは、固有にドープされたグラフェンによってグラフェンをドープできることが知られている。国際公開第２０２１／００４６９２号には、導電性を増加させるように、遷移金属上の酸化物によってグラフェンをドープできる方法が示されている。欧州特許第００８１００４号明細書には、ＢＦ３、ＳｉＦ４、ＨｆＦ４、ＴｉＦ４、ＺｒＦ４、ＰＦ５、ＮｂＦ５、ＴａＦ５、ＡｓＦ５またはＳｂＦ５をそれぞれドープすることによって、グラファイトの導電性を増加できることが示されている。
中国特許出願公開第１０６７４４８８８号明細書からは、フッ化アルミニウムとアミンを添加することによって、グラフェン分散液のグラフェンを製造することが知られている。また、Ｎａｋａｊｉｍａ，Ｔ．，Ｋａｗａｇｕｃｈｉ，Ｍ．，＆Ｗａｔａｎａｂｅ，Ｎ．（１９８１）Ｔｅｒｎａｒｙ ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｗｉｔｈ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｆｌｕｏｒｉｄｅ ａｎｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ（グラファイトとフッ化アルミニウムおよびフッ素の三元層間化合物）、自然研究ジャーナル、３６（１１）巻、１４１９－１４２３からは、気相に等モルのフッ素が存在し、十分に高い温度が存在する場合、フッ化アルミニウムがグラファイトにインターカレートすることも知られている。欠点は、インターカレーションが高温を必要とし、これが、フッ素がすでに３００℃でグラファイトをフッ素化し、したがって導電性を悪化させることである。
欧州特許出願公開第０２１２９４０号明細書には、金属塩化物の昇華点または沸点が低い場合に、インターカレーションドーピングに特に適していることが示されている。したがって、欧州特許出願公開第０２１２９４０号明細書では、昇華点が非常に低い塩化アルミニウムを使用して、昇華点または沸点が高い他の金属塩化物を、より迅速に、より低温でグラファイトにインターカレートする。
同様に、先行技術で不利なのは、Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ，他（Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ，Ｋ．，Ｍｉｎｏｒｉ，Ｄ．，Ｔａｋａｇｉ，Ｋ．，＆Ｈａｇｉｗａｒａ，Ｒ．（２０１４），Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｏｆ ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｏａｌｕｍｉｎａｔｅ－ｇｒａｐｈｉｔｅ ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｂｙ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ａｎｈｙｄｒｏｕｓ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｆｌｕｏｒｉｄｅ（無水フッ化水素との反応によるテトラクロロアルミネート-グラファイト層間化合物の膨張）、Ｃａｒｂｏｎ，６７，４３４－４３９）等で示されるように、金属塩化物がインターカレートされたグラファイトを無水フッ化水素酸（ＨＦ）でフッ素化すると、グラファイト内にガスが発生し、これによりグラファイトが膨張することである。これは、導体でも同様に膨張を引き起こし、ひいては導体の破壊を引き起こす。
独国特許出願公開第１０２０１９２２０１７７号明細書 国際公開第２０２１／００４６９２号 欧州特許第００８１００４号明細書 中国特許出願公開第１０６７４４８８８号明細書 欧州特許出願公開第０２１２９４０号明細書
Nakajima, T., Kawaguchi, M., & Watanabe, N. (1981). Ternary intercalation compound of graphite with aluminum fluoride and fluorine. Zeitschrift fur Naturforschung B, 36(11), 1419-1423. Matsumoto, K., Minori, D., Takagi, K., & Hagiwara, R. (2014). Expansion of tetrachloroaluminate-graphite intercalation compound by reaction with anhydrous hydrogen fluoride. Carbon, 67, 434-439.
これに対し、独立形式請求項の特徴を有する本発明に係る方法は、先行技術よりも高い導電性を有し、少なくとも２００℃までの温度耐性を有する、炭素導体を備えた導体ストランドが製造可能であるという利点を有する。
独立形式請求項の方法の特徴は、第１の実施形態によれば、最終生成物を生成し、第２および第３の実施形態によれば、本発明に係るさらなるステップによって最終生成物に加工することができる中間生成物を生成する。
独立形式請求項に記載された方法の有利な改善形態および改良形態は、従属請求項に記載された方法によって可能である。
第１の実施形態によれば、インターカラントは、少なくとも１つの金属フッ化物、特にフッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）、フッ化ジルコニウム（ＺｒＦ４）、フッ化鉄（ＦｅＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）であり、金属フッ化物の金属が、周期表の第２、４、５、６、８、１０、１１、１２または１３族のうちの１つから選択されている。インターカラントとして金属フッ化物を用いる第１の実施形態に係る方法は、導体ストランドの導体材料における強いルイス酸として、導電性の増加を直接もたらすインターカラントまたはドーパントのインターカレーションが行われるため、要求される工程ステップが少なく、ひいては非常に容易であるという利点を有する。
第２の実施形態によれば、インターカラントは、少なくとも１つの金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物、特に塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ３）、ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）、臭化ジルコニウム（ＺｒＢｒ４）、塩化鉄（ＦｅＣｌ３）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）であり、金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物の金属が、周期表の第２、４、５、６、８、１０、１１、１２または１３族のうちの１つから選択されている。第２の実施形態に係る方法は、第１の実施形態に係る方法よりも低い温度でインターカラントを導体ストランドにインターカレートすることができるという利点を有する。
第３の実施形態によれば、インターカラントは、有機アルカリ金属、特に有機ナトリウム化合物、具体的には特にナフタリドナトリウム（Ｃ１０Ｈ８Ｎａ）、ｎ－アミルナトリウム（Ｃ５Ｈ１１Ｎａ）またはベンジルナトリウム（Ｃ７Ｈ７Ｎａ）、有機カリウム化合物、具体的には特にベンジルカリウム（Ｃ７Ｈ７Ｋ）またはメチルカリウム（ＣＨ３Ｋ）、有機リチウム化合物、具体的には特にベンジルリチウム（Ｃ７Ｈ７Ｌｉ）、ｎ－ヘキシルリチウム（Ｃ６Ｈ１３Ｌｉ）、ｎ－ブチルリチウム（Ｃ４Ｈ９Ｌｉ）およびフェニルリチウム（Ｃ６Ｈ５Ｌｉ）である。第３の実施形態に係る方法は、第１の実施形態に係る方法よりも低い温度でインターカラントを導体ストランドにインターカレートすることができるという利点を有する。また、第３の実施形態に係る方法は、インターカレーションのためのフッ素または塩素のような補助ガスを必要としない。さらに、第３の実施形態は、他の実施形態とは対照的に、ｎ型炭素導体のドーピングを行う。
有利には、第１の実施形態に係る方法は、反応器体積の気相でインターカレーションを行う場合に、補助ガスとして気体状のフッ素を気相に添加するステップ、または反応器体積の液相でインターカレーションを行う場合に、フッ素イオンの液相を提供するステップを含む。インターカラントが導体ストランドの導体材料により迅速に浸透することができるため、この方法によってインターカレーションの促進が達成される。
また、有利には、第２の実施形態に係る方法は、反応器体積の気相でインターカレーションを行う場合に、補助ガスとして気体状の塩素、臭素および／またはヨウ素を反応器体積内に添加するステップを含む。特に、好ましくはインターカラントとして金属塩化物を用いる場合には塩素が、好ましくはインターカラントとして金属臭化物を用いる場合には臭素が、または、好ましくはインターカラントとして金属ヨウ化物を用いる場合にはヨウ素が添加される。インターカラントは、このようにしてのみインターカレートすることができるか、導体ストランドの導体材料により迅速にインターカレートすることができるため、この方法によってインターカレーションが可能になり、および／または促進される。
非常に有利には、第２の実施形態に係る方法は、導体ストランドをフッ素化剤で処理することによって、それぞれの炭素導体の材料中に存在する金属塩化物、金属臭化物および／または金属ヨウ化物を金属フッ化物に変換するステップを追加的に含む。第２の実施形態に係る方法は、第１の実施形態に対して、インターカラントである金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物が、第１の実施形態に係る金属フッ化物よりも低い温度で導体ストランドにインターカレートすることができる、という利点を有する。フッ素化剤を用いた変換によって、インターカラント、すなわち金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物は、その後、金属フッ化物、ひいては強いルイス酸にｉｎ－ｓｉｔｕ変換され、これにより、導体ストランドの炭素導体において高い導電性が達成される。すなわち、インターカレートされたインターカラントは、第１の実施形態に係る方法とは異なり、導体材料における導電性の強い増加を直接的に引き起こすことはない。これは、フッ素化剤を用いたインターカラントのｉｎ－ｓｉｔｕ変換によってその後に達成される。
フッ素化剤は、特にＸｅＦ２、Ｆ２、特にヘキサフルオロブテンやヘキサフルオロプロペンなどのパーフルオロオレフィンまたはフッ素化オレフィン、特にトリクロロフルオロメタンなどのハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、特にパーフルオロヘキサン、ペンタフルオロブタン、ペンタフルオロプロパンなどのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を含んでもよく、および／または、特に気相に存在するか、またはフッ素化処理中に気相に移行してもよい。特に、フッ素化剤を用いた処理は、２００℃未満の温度で行われ、これにより、炭素導体中に微細に分散された、インターカレートされた金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物から、それぞれの炭素導体の導電性を悪化させるクラスタが、拡散によって形成されることが防止される。
また、有利には、第３の実施形態に係る方法は、導体ストランドを水素雰囲気中、特に５０℃～２５０℃の温度で熱処理することによって、それぞれの炭素導体の材料中に存在する有機アルカリ金属を、アルカリ金属水素化物、特に水素化リチウム（ＬｉＨ）、水素化ナトリウム（ＮａＨ）または水素化カリウム（ＫＨ）に変換するステップを追加的に含む。第３の実施形態に係る方法は、第１の実施形態に対して、インターカラントとしての有機アルカリ金属が、第１の実施形態に係る金属フッ化物よりも低い温度で導体ストランドにインターカレートすることができる、という利点を有する。インターカレーションは、有機アルカリ金属が溶解している溶媒から行われる。
熱処理中に水素と反応することにより、インターカラント、すなわち有機アルカリ金属は、その後、アルカリ金属水素化物、ひいては強いルイス塩基にｉｎ－ｓｉｔｕ変換され、これにより、導体ストランドの炭素導体において高い導電性が達成される。
すなわち、インターカラントとしてのインターカレートされた有機アルカリ金属は、第１の実施形態に係る方法とは異なり、導体材料における導電性の増加を直接的に引き起こすことはない。これは、アルカリ金属水素化物と有機残留物へのｉｎ－ｓｉｔｕ変換として、水素雰囲気中での熱処理によるインターカラントと水素との反応によって、その後に達成される。
同じく有利には、３つの実施形態のうちの１つによる方法が、疎水化剤、特に脂肪族、特にウンデカンなどのアルカン、パーフルオロトリペンチルアミン、パーフルオロパーヒドロフルオレン、パーフルオロパーヒドロフェナンスレン、または特にポリメチルシロキサンなどのポリシロキサンを、それぞれの炭素導体の材料に、特に気相または液相でインターカレートするステップを追加的に含む。この方法によって、導体ストランドへの水の浸透が防止されるため、導体ストランドは、その材料特性、特に導電性および材料耐性に関して、水の影響を受けない。
さらに、有利には、３つの実施形態のうちの１つによる方法が、例えばインターカラントのインターカレーション中に、導体ストランドの体積を増加させる膨張を少なくとも部分的に後退させるために、導体ストランドの体積を減少させるように圧縮するステップを追加的に含む。この方法によって、空隙率、ひいては導体断面積が減少するため、導体ストランドの導電性はさらに増加するが、導体抵抗は変化しないままである。
また、屈曲弛緩した導体ストランドは、高い溝充填率で電気機械の溝に配置することができるため、電気機械の電力を増加させることができる。
インターカレーションが反応器体積５の気相で実行される場合、追加的に方法の第２のステップおいて、反応器体積５内で水蒸気を発生させたり、反応器体積５内に添加したりしてもよい。これは、インターカラントのインターカレーションによる導体ストランドの体積を増加させる膨張が、水蒸気を添加しない方法よりも少なくなるという利点を有する。
以下に、本発明の実施例を、添付の図面を参照して詳述する。
本発明の実施例に係る方法によって製造可能な導体ストランドの概略図である。 反応器体積内に配置された、図１の導体ストランドの概略的な横断面図である。 本発明の実施例に係る方法の範囲における、熱処理中のインターカレーションの概略図である。 金属フッ化物またはアルカリ金属水素化物への本発明に係るｉｎ－ｓｉｔｕ変換の概略図である。
図１は、少なくとも１つの炭素導体３を有する導体ストランド１を概略的に示す。
本発明に係る方法を実行するために、第１のステップにおいて、少なくとも１つの導体ストランド１が中間生成物として提供または製造される。
この導体ストランド１は、例えば複数の炭素導体３から構成される導体複合体、例えば糸であり、炭素導体３は、それぞれ導体フィルム、フィラメントまたは繊維であってもよい。しかし、代替的に、炭素導体３は導体ストランド１よりも小さい直径の糸または導体複合体であってもよい。炭素導体３は、例えば、グラファイト、熱分解グラファイト、グラフェン、グラフィンおよび／またはカーボンナノチューブまたはそれをベースとする化合物、例えば酸化グラフェンなどの炭素材料から製造されている。
方法の第２のステップにおいて、導体ストランド１は、１つまたは複数のインターカラント２と共に反応器体積５の気相または液相に導入される（図２）。インターカラント２は、導体ストランド１の少なくとも１つの炭素導体３の材料へのインターカレーションに適切であるように選択されている。
方法の第３のステップにおいて、導体ストランド１の熱処理が実行され、反応器体積５はインターカレーション４を開始するためのプロセス温度にされ、インターカラント２の原子または分子がそれぞれの炭素導体３の材料中に埋め込まれ、例えば、多層炭素構造形状の層間領域において、例えば炭素導体３の炭素構造形状へ堆積される。
図３は、インターカレーション１００の原則的手順を概略的に示し、インターカラント２が、導体ストランド１の少なくとも１つの炭素導体３の、例ではグラフェンから形成された炭素材料の中間層４にインターカレートされる様子を例示している。図３は、インターカレーション１００の異なる段階を示し、インターカラント２の異なる量が炭素導体３の炭素材料にインターカレートされている。
インターカラント２には様々な実施形態があり、以下に、３つの異なる実施形態として説明する。
本発明によれば、インターカラント２は、第１または第２の実施形態に係る１つまたは複数の金属ハロゲン化物、または第３の実施形態に係る１つまたは複数の有機アルカリ金属のいずれでもよい。
Ｉ．第１の実施形態：金属フッ化物、特にアルミニウム（ＡｌＦ ３ ）の使用
本発明に係る方法の第１の実施形態では、導体ストランド１のインターカレーションドーピングのために金属フッ化物を使用することが企図され、金属フッ化物の金属が、周期表の第２、４、５、６、８、１０、１１、１２または１３族のうちの１つから選択されている。好適な金属フッ化物の例は、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）、フッ化ジルコニウム（ＺｒＦ４）、フッ化鉄（ＦｅＦ３）またはフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）である。特に非晶質のフッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）は非常に強いルイス酸である。
インターカレーションが反応器体積５の気相で実行される場合、気体状のフッ素は、方法の第２のステップにおいて補助ガスとして気相に追加的に添加されてもよい。インターカレーションが反応器体積５の液相で実行される場合、フッ素イオンを含む液相を選択してもよい。
インターカレーションのために、反応器体積５内に低真空を設けてもよい。反応器体積５は、例えば、好ましくは最大０．１ｍｂａｒ、特に好ましくは最大０．０１ｍｂａｒの真空に排気される。反応器体積５の壁部は、インターカラント２に対して耐性があるように構成され、例えば、ニッケルまたは銅で作成されている。
方法の第３のステップにおいて、反応器体積５は、少なくとも７５０℃のプロセス温度に加熱される。プロセス温度は、金属フッ化物の昇華温度の範囲内であり、例えば昇華温度を上回る。
気相でのインターカレーションは、例えば、昇華が始まる限界点付近で、特に±２０℃～±４０℃の変動幅で温度が変動するように実行することができる。これにより、インターカラントの昇華と再昇華との間で温度が変動することが達成される。したがって、インターカレーションは、導体材料中に１０体積％を超える金属フッ化物結晶をクラスタ形成することなく行われる。
ここで、反応器体積５内の圧力は、温度によって変化することが考慮されている。したがって、室温での圧力は、目標温度に到達した際に金属フッ化物の昇華が可能になるように選択される。好ましくは、この場合、ルイス酸として強度が高いため、インターカレートされたフッ化アルミニウムが主に非晶質であることが企図されている。
第１の実施形態に係るドーピングは、特に、少なくとも３００℃まで安定的であり、水分はドーピングに対して分解作用を及ぼさない。したがって、効果的で持続的なドーピングが達成される。
ＩＩ．第２の実施形態：金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物の使用と、その後の金属フッ化物へのｉｎ－ｓｉｔｕ変換
金属フッ化物がインターカラント２として使用される上述の第１の実施形態に加えて、少なくとも１つの金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物がインターカラント２として炭素導体３にインターカレートされ、金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物の金属が、周期表の第２、４、５、６、８、１０、１１、１２または１３族のうちの１つから選択されている、方法の代替的な第２の実施形態が企図されている。後続的に、金属塩化物、金属臭化物および／または金属ヨウ化物の金属フッ化物へのｉｎ－ｓｉｔｕ変換２００がフッ素化によって行われる、追加のステップが行われる。これは、図４に概略的に示されている。
第２の実施形態に係る好適なインターカラントの例は、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ３）またはヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）、臭化ジルコニウム（ＺｒＢｒ４）、塩化鉄（ＦｅＣｌ３）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、ヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）である。
インターカレーションが反応器体積５の気相で実行される場合には、方法の第２のステップにおいて、補助ガスとして気体状の塩素、臭素またはヨウ素を反応器体積５に追加的に添加してもよい。インターカラント２として金属塩化物を用いる場合には、例えば塩素を、インターカラント２として金属臭化物を用いる場合には、例えば臭素を、インターカラント２として金属ヨウ化物を用いる場合には、例えばヨウ素を添加してもよい。
インターカレーションが反応器体積５の気相で実行される場合には、追加的に方法の第２のステップにおいて、反応器体積５内で水蒸気を発生させたり、反応器体積５内に添加したりしてもよい。このようにして、インターカレーションによって引き起こされる導体ストランドまたは炭素導体の体積の増加が、水蒸気を添加しない方法よりも小さくなることが達成できる。
本発明に係る方法の第４のステップにおいて、それぞれの炭素導体３の材料中に存在するインターカレートされた金属塩化物、金属臭化物および／または金属ヨウ化物は、金属フッ化物にｉｎ－ｓｉｔｕ変換される。
これは、導体ストランド１がフッ素化剤で処理されることによって生じる。フッ素化剤は、例えば、ＸｅＦ２、Ｆ２、特にヘキサフルオロブテンおよびヘキサフルオロプロペンなどのパーフルオロオレフィンまたはフッ素化オレフィン、特にトリクロロフルオロメタンなどのハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、特にパーフルオロヘキサン、ペンタフルオロブタン、ペンタフルオロプロパンなどのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む物質の群から選択される。フッ素化剤は、第４のステップにおいて気相中に存在するか、第４のステップにおいて気相へ移行する。フッ素化剤を用いた処理は、例えば、２００℃未満の温度で行われる。
これに加えて、例えば以下に記載される実施例が可能である。
塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ ３ ）、臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ ３ ）またはヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ ３ ）の使用
本実施例では、第４のステップにおいて、導体複合体中に非結晶フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）がｉｎ－ｓｉｔｕ生成される。非結晶フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）のルイス酸としての強度は、フッ化アンチモン（ＳｂＦ５）およびフッ化ヒ素（ＡｓＦ３）と同程度である。
一実施例では、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）のフッ素化が企図され、第３のステップにおいて、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）は、インターカラント２として導体ストランド１の少なくとも１つの炭素導体３中にインターカレートされる。
利点は、１ｂａｒでの昇華温度である約１８０℃が、ＡｌＦ３の約１２６０℃と比較して非常に低く、ＡｌＣｌ３は気相で四面体配位の二量体として存在するため、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）が炭素導体３に非常に容易にインターカレートすることである。
さらなる利点は、フッ素化剤を用いたＡｌＣｌ３からＡｌＦ３へのｉｎ－ｓｉｔｕ変換が、導体複合体において室温で行うことができることである。これにより、ルイス酸としての強度が高い非結晶ＡｌＦ３が生成される。したがって、カーボン導体３の導電性を向上させることができる。使用されるＡｌＣｌ３は、大部分がＡｌＦ３に変換されるため、先に記載したのと同じ利点が生じる。
塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）および導体ストランド１は、第２のステップにおいて、密閉された反応器体積５に導入され、反応器体積５の壁部６は、例えばニッケルまたは銅から作成されている。反応器体積５内の雰囲気は、好ましくは、特にアルゴンまたはヘリウムのような不活性ガスに交換される。これは特に、０．１ｍｂａｒ未満の圧力まで数回排気し、真空を不活性ガスで充填することによって行われる。代替的に、反応器体積５は、好ましくは０．１ｍｂａｒ未満、特に好ましくは０．０１ｍｂａｒ未満の真空によって不活性化されてもよい。真空は、ＡｌＣｌ３の分圧を増加させ、これによってドーピングを容易にする。
続いて、第３のステップにおいて、好ましくは８０℃～２５０℃で熱処理が行われる。ここで、図３に概略的に示すように、ＡｌＣｌ３は導体ストランド１、すなわち導体複合体にインターカレートする。熱処理の時間は、特に導体複合体の厚さ、およびこれにより決定されるＡｌＣｌ３の拡散長に依存する。
第４のステップにおいて、フッ素化剤を用いた処理が行われる。第４のステップにおいて、導体ストランド１にインターカレートされたＡｌＣｌ３をフッ素化剤でフッ素化することにより（図４）、導体ストランド１の非晶質ＡｌＦ３がｉｎ－ｓｉｔｕ生成され、以下に、塩化アルミニウムとフッ素をフッ化アルミニウムと塩素に変換するためのフッ素化剤として、フッ素を例示する。
２ＡｌＣｌ３＋３Ｆ２→２ＡｌＦ３＋３Ｃｌ２
ＡｌＣｌ３のフッ素化は強発熱性であるため、室温で行うことができる。フッ素化の際のこれらの条件が非常に穏やかであるため、形成されたＡｌＦ３は結晶化できず、したがって、本発明によれば非晶質のままであり、特に有利には、導体複合体中に単分子として微細に分布してインターカレートされる。単分子として微細に分布したＡｌＦ３は、強い電子受容体であり、炭素導体のｐ型ドーピングを引き起こす。これにより、炭素導体３の高い導電性を達成することができる。
ここで、塩化アルミニウムとトリクロロフルオロメタンがフッ化アルミニウムとテトラクロロメタンになる反応にしたがって、強発熱性のフッ素化が行われる。
ＡｌＣｌ３＋３ＣＦＣｌ３→ＡｌＦ３＋３ＣＣｌ４
ＣＦＣｌ３での堆積中に、導体複合体に発生したＣＣｌ４がＣＦＣｌ３に拡散する。
インターカラント２として塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）の代わりに、第３のステップにおいて、臭化アルミニウムまたはヨウ化アルミニウムを炭素導体または導体複合体にインターカレートしてもよい。このために、導体ストランド１は、第３のステップにおいて、例えば２２０℃～３６０℃の温度で熱処理される。この時、臭化アルミニウムおよび／またはヨウ化アルミニウムは導体複合材料にインターカレートされる。熱処理の時間は、特に導体複合体の厚さ、およびこれにより決定されるハロゲン化アルミニウムの拡散長に依存する。臭化アルミニウムまたはヨウ化アルミニウムのフッ素化は強発熱性であるため、室温で行うことができ、例えば臭化アルミニウムの場合、以下の反応にしたがって行うことができる。
ＡｌＢｒ３＋３ＣＦＣｌ３→ＡｌＦ３＋３ＣＢｒＣｌ３
この反応では、臭化アルミニウムとトリクロロフルオロメタンが反応し、フッ化アルミニウムとトリクロロブロモメタンとなる。
フッ素をフッ素化剤、臭化アルミニウムをインターカラントとすると、次のような反応が行われる。
２ＡｌＢｒ３＋３Ｆ２→２ＡｌＦ３＋３Ｂｒ２
この反応では、臭化アルミニウムはフッ素の作用でフッ化アルミニウムと臭素に変換される。
臭化アルミニウムまたはヨウ化アルミニウムは、沸点温度が２６３℃（ＡｌＢｒ３）または３６０℃（ＡｌＩ３）と、ＡｌＦ３の昇華温度約１２６０℃に比べて非常に低いため、炭素導体に非常に容易にインターカレートする。
本実施例の利点は、ＡｌＦ３によるドーピングが特に少なくとも３００℃まで安定的であり、水分の影響を受けづらいことである。これは、先行技術によれば、非常に効果的なインターカレートドーパントは、高温で揮発し、周囲の雰囲気に蒸発するか、空気と接触すると大気中の水分によって分解され、これによってドーピングが効果的でなくなるという欠点を解消する。
フッ素化の際のこれらの条件が非常に穏やかであるため、形成されたＡｌＦ３は結晶化できず、したがって、本発明によれば非晶質のままであり、導体複合体中に微細に分布してインターカレートされる。
その後、インターカレートしたトリクロロブロモメタン（沸点１０５℃）またはＣＣｌ４（沸点７６．７℃）を導体複合体から除去するために、導体複合体を、例えば１２０℃でエージングさせてもよい。
塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ ４ ）の使用
さらなる実施例は、フッ化ジルコニウム（ＺｒＦ４）を用いたドーピングである。フッ化ジルコニウム（ＺｒＦ４）は、非晶質で存在する場合、最も強いルイス酸の１つであるという利点を有する。
ＺｒＣｌ４および導体ストランド１は、第２のステップにおいて反応器体積５に導入され、反応器体積５の壁部６は、例えばニッケルまたは銅で作成されている。反応器体積５内の雰囲気は、特にアルゴンまたはヘリウムのような不活性ガスに交換される。これは、好ましくは、０．１ｍｂａｒの圧力までの複数回の排気と、不活性ガスによる対応する真空破壊とによって行われる。代替的に、反応器体積５は、好ましくは０．１ｍｂａｒ未満、特に好ましくは０．０１ｍｂａｒ未満の真空によって不活性化されてもよい。真空になることによって、昇華温度が低下し、ＺｒＣｌ４の分圧が増加し、これによってドーピングが容易になる。また、塩素を添加することによってインターカレーションを促進してもよい。これは、例えば、塩化金（ＩＩＩ）（ＡｕＣｌ３）または塩化金（ＩＩＩ）水和物（ＡｕＣｌ３・Ｈ２Ｏ）を添加することによって行ってもよい。塩化金（ＩＩＩ）水和物は１００℃を超えると結晶水を失う。両方の種類の塩化金は、２５４℃を超えると１ｂａｒの圧力で分解し、塩素を放出する。
第３のステップにおいて、好ましくは２９０℃～４５０℃で熱処理される。ここで、ＺｒＣｌ４が導体複合体にインターカレートする。熱処理の時間は、特に導体複合体の厚みと、これによって決まるＺｒＣｌ４の拡散長に依存する。
第４のステップにおいて、フッ素化剤を用いた処理が行われる。これは、特にヘキサフルオロブテンやヘキサフルオロプロペンなどのパーフルオロオレフィンまたはフッ素化オレフィン、特にトリクロロフルオロメタンＣＦＣｌ３（沸点開始２３．７℃）やジクロロジフルオロメタンＣＦ２Ｃｌ２（沸点２３．７℃）などのハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、特にパーフルオロヘキサン、ペンタフルオロブタンまたはペンタフルオロプロパンなどのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、または、例えばＸｅＦ２やＦ２などの他の適切なフッ素化合物である。
第４のステップにおいて、導体ストランド１にインターカレートされた塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）をフッ素化剤によってフッ素化することによって、導体ストランド１の非晶質フッ化ジルコニウム（ＺｒＦ４）がｉｎ－ｓｉｔｕ生成され、これは、塩化ジルコニウムとフッ素がフッ化ジルコニウムと塩素へ変換される以下の反応において、フッ素化剤としてフッ素を用いて例示されている。
ＺｒＣｌ４＋２Ｆ２→ＺｒＦ４＋２Ｃｌ２
ＺｒＣｌ４のフッ素化は強発熱性であるため、室温で行うことができる。フッ素化の際のこれら条件が非常に穏やかであるため、形成されたＺｒＦ４は結晶化できず、したがって、本発明によれば非晶質のままであり、特に有利には、導体複合体中に単分子として微細に分布してインターカレートされる。これにより、炭素導体３の高い導電性を達成することができる。
さらなるステップにおいて、導体複合体が３０体積％を超える高濃度の気体状のＣＦＣｌ３によって囲まれるように、導体複合体は液体状のＣＦＣｌ３の上に堆積される。ここで、塩化ジルコニウムとトリクロロフルオロメタンがフッ化ジルコニウムとテトラクロロメタンになる反応にしたがって、強発熱性のフッ素化が行われる。
ＺｒＣｌ４＋４ＣＦＣｌ３→ＺｒＦ４＋４ＣＣｌ４
その後、トリクロロフルオロメタンに拡散しなかったインターカレートテトラクロロメタン（沸点７６．７℃）の痕跡が残っている場合には、導体複合体から除去するために、導体複合体を、例えば１２０℃でエージングさせてもよい。
塩化鉄（ＦｅＣｌ ３ ）の使用
フッ化鉄（ＦｅＦ３）は、非晶質または単分子で存在する場合、強いルイス酸であるため、フッ化鉄（ＦｅＦ３）によるドーピングも可能である。このため、インターカラント２として塩化鉄（ＦｅＣｌ３）が使用される。
塩化鉄（ＦｅＣｌ３）および導体ストランドは、第２のステップにおいて反応器体積５に導入され、反応器体積５の壁部６は、好ましくはニッケルまたは銅で作成されている。反応器体積５内の雰囲気は、特にアルゴンやヘリウムのような不活性ガスに交換される。これは、好ましくは、０．１ｍｂａｒ未満の圧力まで数回排気し、それに応じて不活性ガスで真空を充填することによって行われる。代替的に、反応器体積５は、好ましくは０．１ｍｂａｒ未満、特に好ましくは０．０１ｍｂａｒ未満の真空によって不活性化されてもよい。真空は、ＦｅＣｌ３の揮発性を高め、これによってドーピングを容易にする。また、塩素を添加することによってインターカレーションを促進してもよい。これは、例えば、塩化金（ＩＩＩ）（ＡｕＣｌ３）または塩化金（ＩＩＩ）水和物（ＡｕＣｌ３・Ｈ２Ｏ）を添加することによって行ってもよい。塩化金（ＩＩＩ）水和物は１００℃を超えると結晶水を失う。両方の種類の塩化金は、２５４℃を超えると１ｂａｒで、すでに６５℃を超えると０．１ｍｂａｒで、脱塩素化しながら分解する。
第３のステップにおいて、好ましくは１２０℃～３００℃で熱処理される。ここで、ＦｅＣｌ３が導体ストランド１にインターカレートする。熱処理の時間は、特に導体ストランド１の厚さ、およびこれによって決まるＦｅＣｌ３の拡散長に依存する。
第４のステップにおいて、フッ素化剤を用いた処理が行われる。これは、特にヘキサフルオロブテンやヘキサフルオロプロペンなどのパーフルオロオレフィンまたはフッ素化オレフィン、特にトリクロロフルオロメタンＣＦＣｌ３（沸点開始２３．７℃）やジクロロジフルオロメタンＣＦ２Ｃｌ２などのハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、特にパーフルオロヘキサン、ペンタフルオロブタンまたはペンタフルオロプロパンなどのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、または、例えばＸｅＦ２やＦ２などの他の適切なフッ素化合物である。
第４のステップにおいて、導体ストランド１にインターカレートされたＦｅＣｌ３をフッ素化剤によってフッ素化することにより、導体複合体中に非結晶ＦｅＦ３がｉｎ－ｓｉｔｕ生成される。特に、これは、塩化鉄とフッ化水素酸がフッ化鉄と塩酸へ変換される以下の反応に例示されているように、フッ化水素酸によって行われる。
ＦｅＣｌ３（ｓ）＋３ＨＦ（ｇ）→ＦｅＦ３（ｓ）＋３ＨＣｌ（ｇ）
代替的に、フッ素化剤としてフッ素を使用してもよく（塩化鉄とフッ素のフッ化鉄と塩素への変換）、これにより、ＦｅＣｌ３に対して半分のガスしか発生しない。
２ＦｅＣｌ３（ｓ）＋３Ｆ２（ｇ）→２ＦｅＦ３（ｓ）＋３Ｃｌ２（ｇ）
さらに有利には、トリクロロフルオロメタン（ＣＦＣｌ３）やジクロロジフルオロメタン（ＣＦ２Ｃｌ２）によるフッ素化は、ガスが発生せず、テトラクロロメタン（ＣＣｌ４）によるフッ素化は液体が発生し、これは、膨張せずに拡散によって導体から除去することができる。これは、塩化鉄とジクロロジフルオロメタンがフッ化鉄とテトラクロロメタンへ変換される以下の反応において、ＣＦ２Ｃｌ２によるフッ素化が例示されている。
２ＦｅＣｌ３（ｓ）＋３ＣＦ２Ｃｌ２（ｇ）→２ＦｅＦ３（ｓ）＋３ＣＣｌ４（ｌ）
トリクロロフルオロメタン（ＣＦＣｌ３）によるフッ素化は、例えば、導体複合体がＣＦＣｌ３に浸漬することで行ってもよい。強発熱性のフッ素化は、特に水分排除下で、塩化鉄とトリクロロフルオロメタンがフッ化鉄とテトラクロロメタンになる以下の反応にしたがって行われる。
ＦｅＣｌ３（ｓ）＋３ＣＦＣｌ３（ｌ）→ＦｅＦ３（ｓ）＋３ＣＣｌ４（ｌ）
その後、導体複合体をトリクロロメタンに浸漬した時に導体複合体から拡散しなかったインターカレートテトラクロロメタン（沸点７６．７℃）の痕跡がある場合に、導体複合体から除去するために、導体複合体を、例えば６５℃でエージングさせてもよい。
ＦｅＣｌ３のフッ素化は強発熱性であるため、室温で行うことができる。フッ素化の際のこれら条件が非常に穏やかであるため、形成されたＦｅＦ３は結晶化できず、したがって、本発明によれば非晶質のままであり、特に有利には、導体ストランド１において単分子として微細に分布してインターカレートされる。これにより、炭素導体３の高い導電性を達成することができる。
第２のステップにおいて、塩化鉄（ＩＩＩ）ＦｅＣｌ３の代わりに、塩化鉄（ＩＩ）（ＦｅＣｌ２）および塩素を、例えば塩化金の形態で反応器体積５内に導入してもよい。ここで、以下の反応にしたがって、塩化鉄（ＩＩ）および塩化金を塩化鉄（ＩＩＩ）および金に変換することにより、ＦｅＣｌ３が生成される。
３ＦｅＣｌ２（ｓ）＋ＡｕＣｌ３（ｓ）→３ＦｅＣｌ３（ｓ）＋Ａｕ（ｓ）
この塩化鉄（ＩＩＩ）は、その後第３のステップで炭素導体にインターカレートされる。
塩化マグネシウム、臭化マグネシウムまたはヨウ化マグネシウムの使用
本実施例では、第４のステップにおいて、導体複合体中に非晶質のフッ化マグネシウムＭｇＦ２がｉｎ－ｓｉｔｕ生成される。
これに対し、第３のステップにおいて、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）が導体複合体にインターカレートされる。続いて、第４のステップにおいて、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）が、塩化マグネシウムについて例示し、フッ素をフッ素化剤とした以下の反応に示すように、フッ素化剤によってフッ素化される。
ＭｇＣｌ２＋Ｆ２→ＭｇＦ２＋Ｃｌ２
塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、ヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）は、融点が７１２℃（ＭｇＣｌ２）、７１１℃（ＭｇＢｒ２）、６３７℃（ＭｇＩ２）とＭｇＦ２の昇華温度約１２５６℃に比べ非常に低いため、炭素導体を有する導体複合体において非常に容易にインターカレートする。さらに、特に塩素によって、金属ハロゲン化物の融点温度を下回る温度での導体複合体へのインターカレーションが可能になる。さらなる利点は、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）のＭｇＦ２への導体複合体におけるｉｎ－ｓｉｔｕ変換が、室温でフッ素化剤によって行われることである。この時、強いルイス酸である非結晶ＭｇＦ２が生成される。さらなる利点は、ＭｇＦ２によるドーピングが、特に少なくとも３５０℃まで安定的であり、水分の影響を受けないことである。
ＭｇＦ２を式ＭＦ３のフッ化物でドーピングすることにより、ＭｇＦ２の酸性度をフッ化アンチモン（ＳｂＦ５）およびフッ化ヒ素（ＡｓＦ３）の強度まで高めることができる。これは、本発明によれば、ハロゲン化マグネシウムに加えて、式ＭＸ３（ここで、Ｍは、例えば鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）などの酸化状態＋３の金属を表し、Ｘは塩素、臭素および／またはヨウ素を表す）の少なくとも一つのさらなるハロゲン化物を導体複合体にインターカレートし、かつ、フッ化ステップにおいて、例えば以下の反応に係る塩化マグネシウムについて、同様にフッ化物に転換することで実現される。
１５ＭｇＣｌ２＋ＶＣｌ３＋２ＡｌＣｌ３＋ＦｅＣｌ３＋２１Ｆ２→１５ＭｇＦ２＋ＶＦ３＋２ＡｌＦ３＋ＦｅＦ３＋２１Ｃｌ２
ＩＩＩ．第３の実施形態：有機アルカリ金属の使用と、その後のアルカリ金属水素化物へのｉｎ－ｓｉｔｕ変換
第３の実施形態において、インターカラントは、有機アルカリ金属、例えば有機ナトリウム化合物、特にナフタリドナトリウム（Ｃ１０Ｈ８Ｎａ）、ｎ－アミルナトリウム（Ｃ５Ｈ１１Ｎａ）またはベンジルナトリウム（Ｃ７Ｈ７Ｎａ）である。代替的に、有機カリウム化合物、特にベンジルカリウム（Ｃ７Ｈ７Ｋ）もしくはメチルカリウム（ＣＨ３Ｋ）、または有機リチウム化合物、特にベンジルリチウム（Ｃ７Ｈ７Ｌｉ）、ｎ－ヘキシルリチウム（Ｃ６Ｈ１３Ｌｉ）、ｎ－ブチルリチウム（Ｃ４Ｈ９Ｌｉ）およびフェニルリチウム（Ｃ６Ｈ５Ｌｉ）が提供されてもよい。
第２のステップにおいて、導体ストランド１と、溶媒に溶解した有機アルカリ金属とが、反応体積５に導入される。ここで、導体ストランド１は溶媒に浸漬される。
第３のステップにおいて、導体ストランド１と、溶媒に溶解した有機アルカリ金属とが、室温から２００℃までのマイルドな温度で熱処理され、これにより、有機アルカリ金属が導体ストランドの炭素導体中にインターカレートする。
第４のステップにおいて、第２の実施形態に類似して、それぞれの炭素導体の材料に存在する有機アルカリ金属が、アルカリ金属水素化物、例えば水素化リチウム（ＬｉＨ）、水素化ナトリウム（ＮａＨ）または水素化カリウム（ＫＨ）にｉｎ－ｓｉｔｕ変換されることが企図されている。第２の実施形態とは異なり、これは、導体ストランド１が水素雰囲気中で、例えば５０℃～２５０℃の温度で熱処理されることによって行われる。
３つの実施形態のうちの１つに係る導体ストランドの製造後、第５のステップとして、例えば気相または液相で、炭素導体または導体ストランド１の材料に疎水化剤をインターカレートすることが企図されていてもよい。疎水化剤は、例えば脂肪族、特にウンデカンなどのアルカン、パーフルオロトリペンチルアミン、パーフルオロパーヒドロフルオレン、パーフルオロパーヒドロフェナンスレン、または特にポリメチルシロキサンなどのポリシロキサンであってもよい。
さらに、３つの実施形態のうちの１つに係る炭素導体または導体ストランドの製造後、導体ストランド１を圧縮することが企図されていてもよい。

Claims (10)

  1. 少なくとも１つの炭素導体（３）を含む導電性導体ストランド（１）の製造方法であって、
    ａ）特にグラファイト、熱分解グラファイト、グラフェン、グラフィンおよび／またはカーボンナノチューブを含む、少なくとも１つの炭素導体（３）を含む中間生成物として、導体ストランド（１）を製造または提供するステップと、
    ｂ）前記導体ストランド（１）と、１つもしくは複数のインターカラント（２）、特に１つもしくは複数の金属ハロゲン化物、または１つもしくは複数の有機アルカリ金属のいずれかと、を、反応器体積（５）の気相または液相に導入するステップであって、前記インターカラントは、前記導体ストランド（１）の前記少なくとも１つの炭素導体（３）の材料へのインターカレーションに適しているステップと、
    ｃ）前記導体ストランド（１）の熱処理を実行するステップであって、前記反応器体積（５）はインターカレーション（４）を開始するためのプロセス温度にされ、前記インターカラント（２）の原子または分子が前記それぞれの炭素導体（３）の材料中に埋め込まれ、特に、多層炭素構造形状の層間領域において、特に前記炭素導体（３）の炭素構造形状へ堆積されるステップと、
    を有する方法。
  2. 前記インターカラント（２）が金属フッ化物であり、特にフッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）、フッ化ジルコニウム（ＺｒＦ４）、フッ化鉄（ＦｅＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）であり、前記金属フッ化物の金属が、周期表の第２、４、５、６、８、１０、１１、１２または１３族のうちの１つから選択されていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 前記インターカラント（２）が、金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物であり、特に塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）、臭化ジルコニウム（ＺｒＢｒ４）、塩化鉄（ＦｅＣｌ３）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、ヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ２）、臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ３）、またはヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）であり、前記金属塩化物、前記金属臭化物または前記金属ヨウ化物の金属が、周期表の第２、４、５、６、８、１０、１１、１２または１３族のうちの１つから選択されていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  4. 前記インターカラント（２）が有機アルカリ金属であり、特に、
    － 有機ナトリウム化合物、具体的には特にナフタリドナトリウム（Ｃ１０Ｈ８Ｎａ）、ｎ－アミルナトリウム（Ｃ５Ｈ１１Ｎａ）もしくはベンジルナトリウム（Ｃ７Ｈ７Ｎａ）、
    － 有機カリウム化合物、具体的には特にベンジルカリウム（Ｃ７Ｈ７Ｋ）もしくはメチルカリウム（ＣＨ３Ｋ）、または
    － 有機リチウム化合物、具体的には特にベンジルリチウム（Ｃ７Ｈ７Ｌｉ）、ｎ－ヘキシルリチウム（Ｃ６Ｈ１３Ｌｉ）、ｎ－ブチルリチウム（Ｃ４Ｈ９Ｌｉ）およびフェニルリチウム（Ｃ６Ｈ５Ｌｉ）である、
    ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  5. 前記方法が、前記ステップ１ｂ）において、
    － 前記反応器体積の気相でインターカレーションを行う場合に、気体状のフッ素を気相に添加するステップ、または、
    － 前記反応器体積の液相でインターカレーションを行う場合に、フッ素イオンの液相を提供するステップ、を含むことを特徴とする、
    請求項１または２のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記方法が、前記ステップ１ｂ）において、前記反応器体積の気相でインターカレーションを行う場合に、
    － 気体状の塩素、臭素および／またはヨウ素を前記反応器体積内に添加するステップであって、特に、
    － インターカラント（２）として金属塩化物を用いる場合には塩素を添加するステップと、
    － インターカラント（２）として金属臭化物を用いる場合には臭素を添加するステップと、
    － インターカラント（２）として金属ヨウ化物を用いる場合にはヨウ素を添加するステップと、を含む、
    ことを特徴とする、請求項１または３のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記方法が、
    － 前記導体ストランド（１）をフッ素化剤で処理することによって、前記それぞれの炭素導体の材料中に存在する金属塩化物、金属臭化物または金属ヨウ化物を金属フッ化物に変換するステップであって、前記フッ素化剤は、特にヘキサフルオロブテンやヘキサフルオロプロペンなどのパーフルオロオレフィンまたはフッ素化オレフィン、特にトリクロロフルオロメタン（ＣＦＣｌ３）やジクロロジフルオロメタン（ＣＦ２Ｃｌ２）などのハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、特にパーフルオロヘキサン、ペンタフルオロブタンまたはペンタフルオロプロパンなどのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、または、例えばＸｅＦ２やＦ２などの他のフッ素化合物を含み、および／または、特に気相に存在するか、または前記処理中に気相に移行し、前記フッ素化剤を用いた前記処理は、特に２００℃未満の温度で行われるステップを追加的に含む、
    ことを特徴とする、請求項１、３または６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記方法が、
    － 前記導体ストランド（１）を水素雰囲気中、特に５０℃～２５０℃の温度で熱処理することによって、前記それぞれの炭素導体の材料中に存在する有機アルカリ金属をアルカリ金属水素化物、特に水素化リチウム（ＬｉＨ）、水素化ナトリウム（ＮａＨ）または水素化カリウム（ＫＨ）に変換するステップを追加的に含む、
    ことを特徴とする、請求項１または４のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記方法が、
    － 疎水化剤、特に脂肪族、特にウンデカンなどの特にアルカン、パーフルオロトリペンチルアミン、パーフルオロパーヒドロフルオレン、パーフルオロパーヒドロフェナンスレン、または特にポリメチルシロキサンなどのポリシロキサンを、前記それぞれの炭素導体の材料に、特に気相または液相でインターカレートするステップを追加的に含む、
    ことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記方法が、
    － 前記導体ストランドを圧縮するステップを追加的に含むことを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
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