JP2023549138A - Substrate with improved electrostatic performance - Google Patents

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Abstract

基板は、ガラスシートと、該ガラスシートの主面に堆積された堆積層とを含む。堆積層は、無機粒子を含み、約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の主面の表面粗さを与える。The substrate includes a glass sheet and a deposited layer deposited on a major surface of the glass sheet. The deposited layer includes inorganic particles and provides a major surface roughness in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers.

Description

関連出願の相互参照Cross-reference of related applications

本出願は、その全体がここに参照することにより本願に援用される、2020年11月6日出願の米国仮特許出願第63/110,548号の米国法典第35編特許法119条(e)に基づく優先権の利益を主張するものである。 This application is filed under United States Provisional Patent Application No. 63/110,548, filed November 6, 2020, 35 U.S.C. 35 U.S.C. 119(e), which is hereby incorporated by reference in its entirety. ).

本開示は、概して基板に関し、より詳細には、静電性能が改善された基板に関する。 TECHNICAL FIELD This disclosure relates generally to substrates and, more particularly, to substrates with improved electrostatic performance.

薄いガラス基板は、一般に、液晶ディスプレイ(LCD)及び有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ(FPD)デバイスで利用されている。FPDデバイスに用いられる基板は、概して、薄膜トランジスタが製造される機能的なA側表面と、A側表面の反対側の非機能的な裏面又はB側表面とを有する。FPDデバイスの製造中、ガラス基板のB側表面は、金属、セラミック、ポリマー材料などのさまざまな材料の搬送及び取り扱い装置と接触する可能性がある。基板とこれらの材料との間の相互作用により、多くの場合、摩擦電気効果又は接触帯電による帯電が発生する。その結果、電荷がガラス表面に移動し、基板上に蓄積する可能性がある。ガラス基板の表面に電荷が蓄積すると、ガラス基板の表面電位も変化する。 Thin glass substrates are commonly utilized in flat panel display (FPD) devices such as liquid crystal displays (LCD) and organic light emitting diode (OLED) displays. Substrates used in FPD devices generally have a functional A-side surface on which thin film transistors are fabricated, and a non-functional back or B-side surface opposite the A-side surface. During the manufacture of FPD devices, the B-side surface of the glass substrate may come into contact with various material transport and handling equipment, such as metal, ceramic, and polymeric materials. The interaction between the substrate and these materials often results in charging due to triboelectric effects or contact charging. As a result, charge can migrate to the glass surface and accumulate on the substrate. When charges accumulate on the surface of the glass substrate, the surface potential of the glass substrate also changes.

FPDデバイスに用いられるガラス基板のB側表面の静電気帯電(ESC)は、ガラス基板の性能を低下させる、及び/又はガラス基板を損傷する可能性がある。例えば、B側表面の静電気帯電は、絶縁破壊や電界誘起帯電により、ガラス基板のA側表面に堆積された薄膜トランジスタ(TFT)デバイスにゲート損傷を生じさせる可能性がある。さらには、ガラス基板のB側表面の帯電により、塵又は他の粒子状の破片などの粒子が引き寄せられる可能性があり、これがガラス基板に損傷を与える、又はガラス基板の表面品質を劣化させる可能性がある。いずれの状況でも、ガラス基板の静電気帯電は、FPDデバイスの製造歩留まりを低下させ、それによって製造プロセスの全体的なコストを増加させる可能性がある。 Electrostatic charging (ESC) on the B-side surface of a glass substrate used in an FPD device can degrade the performance of the glass substrate and/or damage the glass substrate. For example, electrostatic charging on the B-side surface can cause gate damage to thin film transistor (TFT) devices deposited on the A-side surface of a glass substrate due to dielectric breakdown or field-induced charging. Additionally, the electrical charge on the B-side surface of the glass substrate may attract particles such as dust or other particulate debris, which may damage the glass substrate or degrade the surface quality of the glass substrate. There is sex. In either situation, electrostatic charging of the glass substrate can reduce the manufacturing yield of FPD devices, thereby increasing the overall cost of the manufacturing process.

さらには、ガラス基板と取り扱い及び/又は搬送装置との間の摩擦接触は、このような装置を摩耗させ、それによって装置の耐用年数を短縮させる可能性がある。摩耗した機器を修理又は交換すると、プロセスのダウンタイムが発生し、製造歩留まりが低下し、FPDデバイス製造プロセス全体のコストが増加する。 Furthermore, frictional contact between the glass substrate and handling and/or transport equipment can wear out such equipment, thereby shortening its useful life. Repairing or replacing worn equipment causes process downtime, reduces manufacturing yield, and increases the cost of the entire FPD device manufacturing process.

したがって、電荷の発生を軽減し、ガラス基板とFPDデバイスの製造に利用される装置との間の摩擦を低減する、ガラス基板処理方法が必要とされている。 Therefore, there is a need for a method of processing glass substrates that reduces charge generation and reduces friction between the glass substrate and the equipment utilized in the fabrication of FPD devices.

本明細書に開示される実施形態は基板を含む。基板は、第1の主面と、該第1の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第2の主面とを含む。基板はまた、ガラスシート、及び該ガラスシートと第2の主面との間に延在する堆積層も含む。堆積層は無機粒子を含み、約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の基板の第2の主面上の表面粗さを与える。 Embodiments disclosed herein include a substrate. The substrate includes a first major surface and an opposite second major surface extending in a direction substantially parallel to the first major surface. The substrate also includes a glass sheet and a deposited layer extending between the glass sheet and the second major surface. The deposited layer includes inorganic particles and provides a surface roughness on the second major surface of the substrate in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers.

本明細書に開示される実施形態はまた、基板を製造する方法も含む。該方法は、ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含む。堆積層はガラスシートと基板の第2の主面との間に延在し、ガラスシートは堆積層と基板の第1の主面との間に延在する。第1の主面は第2の主面に対してほぼ平行な方向に延在する。堆積層は無機粒子を含み、約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の基板の第2の主面上の表面粗さを与える。 Embodiments disclosed herein also include a method of manufacturing a substrate. The method includes depositing a deposited layer on a glass sheet. The deposited layer extends between the glass sheet and the second major surface of the substrate, and the glass sheet extends between the deposited layer and the first major surface of the substrate. The first major surface extends in a direction substantially parallel to the second major surface. The deposited layer includes inorganic particles and provides a surface roughness on the second major surface of the substrate in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers.

本明細書に開示される実施形態のさらなる特徴及び利点は、以下の詳細な説明に記載されており、一部にはその説明から当業者には容易に明らかになり、あるいは、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付の図面を含む、本明細書に記載されるように開示される実施形態を実施することによって認識される。 Additional features and advantages of the embodiments disclosed herein are set forth in, and in part will be readily apparent to, those skilled in the art from the following detailed description, or will be described in the following detailed description. The embodiments disclosed may be practiced by practicing the disclosed embodiments as described herein, including the description, claims, and accompanying drawings.

前述の概要及び後述する詳細な説明はいずれも、特許請求の範囲に記載される実施形態の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供することが意図されていることが理解されるべきである。添付の図面は、さらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれて、その一部を構成する。図面は本開示のさまざまな実施形態を例証しており、その説明とともに、それらの原理及び動作を説明する役割を担う。 It is to be understood that both the foregoing summary and the following detailed description are intended to provide an overview or framework for understanding the nature and features of the claimed embodiments. It is. The accompanying drawings are included to provide a further understanding and are incorporated into and constitute a part of this specification. The drawings illustrate various embodiments of the disclosure and, together with the description, serve to explain the principles and operation thereof.

例となるフュージョンダウンドローガラス製造装置及びプロセスの概略図Schematic diagram of exemplary fusion downdraw glass manufacturing equipment and process ガラスシートの斜視図Perspective view of glass sheet 液体分散堆積層が堆積されたガラスシートの側面断面図Side cross-sectional view of a glass sheet with a liquid-dispersed deposit layer deposited on it 堆積層が堆積されたガラスシートの側面断面図Side cross-sectional view of a glass sheet with a deposited layer 動作の第1段階のリフト試験装置の側面断面図Side cross-sectional view of the lift test device during the first stage of operation 動作の第2段階のリフト試験装置の側面断面図Side cross-sectional view of the lift test device during the second stage of operation 動作の第3段階のリフト試験装置の側面断面図Side cross-sectional view of the lift test device in the third stage of operation

これより、その例が添付の図面に示されている本開示の好ましい実施形態について、詳細に説明する。可能な場合はいつでも、同一又は類似した部分についての言及には、図面全体を通して同じ参照番号が用いられる。しかしながら、本開示は、多くの異なる形態で具現化することができ、本明細書に記載される実施形態に限定されると解釈されるべきではない。 Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the disclosure, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Wherever possible, the same reference numbers are used throughout the drawings to refer to the same or similar parts. However, this disclosure may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

本明細書では、範囲は、「約」1つの特定の値から、及び/又は「約」別の特定の値までとして表現することができる。このような範囲が表現される場合、別の実施形態は、その1つの特定の値から及び/又は他方の特定の値までを含む。同様に、例えば先行詞「約」の使用によって、値が近似値として表される場合、その特定の値は別の実施形態を形成することが理解されよう。さらには、範囲の各々の端点は、他の端点に関連して、及び他の端点とは独立してのいずれにおいても重要であることが理解されよう。 Ranges can be expressed herein as from "about" one particular value, and/or to "about" another particular value. When such a range is expressed, another embodiment includes from the one particular value and/or to the other particular value. Similarly, when values are expressed as approximations, eg, by use of the antecedent "about," it will be understood that the particular value forms another embodiment. Furthermore, it will be appreciated that each endpoint of the range is significant both in relation to the other endpoints and independently of the other endpoints.

本明細書で用いられる方向の用語(例えば、上、下、右、左、前、後、上部、底部)は、描かれた図を参照してのみ作られており、絶対的な方向を意味することは意図していない。 Directional terms used herein (e.g., top, bottom, right, left, front, back, top, bottom) are made only with reference to the depicted figures and are meant to refer to absolute directions. It is not intended to.

特に明記しない限り、本明細書に記載されるいずれの方法も、その工程が特定の順序で実行されることを必要とすること、若しくは、装置には特定の向きが必要であると解釈されることは、決して意図していない。したがって、方法クレームが、そのステップが従うべき順序を実際に記載していない場合、若しくは装置クレームが個々の構成要素に対する順序又は向きを実際に記載していない場合、あるいは、ステップが特定の順序に限定されるべきであることが特許請求の範囲又は明細書に別段に明確に述べられていない場合、若しくは装置の構成要素に対する特定の順序又は向きが記載されていない場合には、いかなる意味においても、順序又は方向が推測されることは決して意図していない。これには、次のような解釈のためのあらゆる非明示的根拠が当てはまる:ステップの配置、動作フロー、構成要素の順序、又は構成要素の方向に関する論理的事項;文法上の編成又は句読点から派生した平明な意味;及び、明細書に記載される実施形態の数又はタイプ。 Unless stated otherwise, any method described herein is to be construed as requiring its steps to be performed in a particular order or requiring a particular orientation of the apparatus. That was never my intention. Thus, if a method claim does not actually recite the order in which its steps are to be followed, or an apparatus claim does not actually recite the order or orientation for the individual components, or if the steps are not in a particular order, Unless it is expressly stated otherwise in the claims or specification that a limitation is to be imposed, or unless a specific order or orientation of the components of the device is recited, , order or direction is in no way intended to be inferred. This applies to any implicit basis for interpretation, such as: logical considerations regarding the arrangement of steps, flow of action, order of components, or direction of components; derived from grammatical organization or punctuation. and the number or type of embodiments described in the specification.

本明細書で用いられる場合、単数形「a」、「an」、及び「the」は、文脈上明らかに別段の指示がない限り、複数の指示対象を含む。よって、例えば、「ある1つの(a)」構成要素への言及は、文脈がそうでないことを明確に示さない限り、そのような構成要素を2つ以上有する態様を含む。 As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. Thus, for example, reference to "a" component includes embodiments having more than one such component, unless the context clearly indicates otherwise.

本明細書で用いられる場合、「表面粗さ」という用語は、本明細書に記載される表面粗さ測定技法によって決定される、基板の主面上の測定された粗さを指す。 As used herein, the term "surface roughness" refers to the measured roughness on the major surface of a substrate as determined by the surface roughness measurement techniques described herein.

本明細書で用いられる場合、「静電電荷」という用語は、本明細書に記載される表面電位測定技法によって決定される基板の主面上の測定された電荷を指す。 As used herein, the term "electrostatic charge" refers to the measured charge on the major surface of a substrate as determined by the surface potential measurement techniques described herein.

図1に例示的なガラス製造装置10が示されている。幾つかの例では、ガラス製造装置10は、溶融容器14を含むことができるガラス溶融炉12を備えることができる。溶融容器14に加えて、ガラス溶融炉12は、任意選択的に、原料を加熱して該原料を溶融ガラスへと変換する加熱要素(例えば、燃焼バーナ又は電極)などの1つ以上の追加の構成要素を含むことができる。さらなる例では、ガラス溶融炉12は、溶融容器の近傍からの熱損失を低減する熱管理装置(例えば断熱構成要素)を含んでいてもよい。さらに別の例では、ガラス溶融炉12は、原材料のガラス溶融物への溶融を促進する電子デバイス及び/又は電気機械デバイスを含むことができる。さらにまた、ガラス溶融炉12は、支持構造(例えば、支持シャーシ、支持部材等)又は他の構成要素を含んでいてもよい。 An exemplary glass manufacturing apparatus 10 is shown in FIG. In some examples, glass manufacturing apparatus 10 can include a glass melting furnace 12 that can include a melting vessel 14. In addition to the melting vessel 14, the glass melting furnace 12 optionally includes one or more additional heating elements (e.g., combustion burners or electrodes) that heat the feedstock to convert the feedstock into molten glass. Can contain components. In a further example, glass melting furnace 12 may include a thermal management device (eg, an insulating component) to reduce heat loss from the vicinity of the melting vessel. In yet another example, glass melting furnace 12 may include electronic and/or electromechanical devices that facilitate the melting of raw materials into a glass melt. Additionally, glass melting furnace 12 may include support structures (eg, support chassis, support members, etc.) or other components.

ガラス溶融容器14は、典型的には耐火セラミック材料、例えばアルミナ又はジルコニアを含む耐火セラミック材料などの耐火材料で構成される。幾つかの例では、ガラス溶融容器14は、耐火セラミックブリックで構成されていてもよい。ガラス溶融容器14の特定の実施形態は、以下により詳細に説明される。 Glass melting vessel 14 is typically constructed of a refractory material, such as a refractory ceramic material, such as a refractory ceramic material containing alumina or zirconia. In some examples, glass melting vessel 14 may be constructed from a refractory ceramic brick. Certain embodiments of glass melting vessel 14 are described in more detail below.

幾つかの例では、ガラス溶融炉をガラス製造装置の構成要素として組み込んで、ガラスシート、例えば連続長のガラスリボンを製造することができる。幾つかの例では、本開示のガラス溶融炉は、スロットドロー装置、フロートバス装置、フュージョンプロセスなどのダウンドロー装置、アップドロー装置、プレス圧延装置、管延伸装置、又は本明細書に開示される態様からの利益を享受するであろう他の任意のガラス製造装置を含む、ガラス製造装置の構成要素として組み込まれてもよい。例として、図1は、その後に個別のガラスシートへと加工するためにガラスリボンを溶融延伸するためのフュージョンダウンドローガラス製造装置10の構成要素としてのガラス溶融炉12を概略的に示している。 In some examples, a glass melting furnace can be incorporated as a component of glass manufacturing equipment to produce glass sheets, such as continuous lengths of glass ribbon. In some examples, the glass melting furnace of the present disclosure can be applied to a slot draw device, a float bath device, a downdraw device such as a fusion process, an updraw device, a press rolling device, a tube drawing device, or any of the methods disclosed herein. It may be incorporated as a component of glass manufacturing equipment, including any other glass manufacturing equipment that would benefit from the embodiments. By way of example, FIG. 1 schematically depicts a glass melting furnace 12 as a component of a fusion downdraw glass manufacturing apparatus 10 for melt-drawing a glass ribbon for subsequent processing into individual glass sheets. .

ガラス製造装置10(例えばフュージョンダウンドロー装置10)は、任意選択的に、ガラス溶融容器14に対して上流に位置付けられた上流側ガラス製造装置16を含みうる。幾つかの例では、上流側ガラス製造装置16の一部又は全体をガラス溶融炉12の一部として組み込むことができる。 Glass manufacturing apparatus 10 (eg, fusion downdraw apparatus 10) may optionally include an upstream glass manufacturing apparatus 16 positioned upstream with respect to glass melting vessel 14. In some examples, a portion or all of upstream glass manufacturing equipment 16 may be incorporated as part of glass melting furnace 12 .

図示される例に示すように、上流側ガラス製造装置16は、貯蔵ビン18、原料送達デバイス20、及び該原料送達デバイスに接続されたモータ22を備えることができる。貯蔵ビン18は、矢印26で示すように、ガラス溶融炉12の溶融容器14に供給することができる、ある量の原料24を保管するように構成することができる。原料24は、典型的には、1つ以上のガラス形成金属酸化物と1つ以上の改質剤とを含む。幾つかの例では、原料送達デバイス20が所定量の原料24を貯蔵ビン18から溶融容器14に送達するように、モータ22によって原料送達デバイス20に動力を与えることができる。さらなる例では、モータ22は、溶融容器14の下流で感知された溶融ガラスのレベルに基づいて制御された速度で原料24を導入するように原料送達デバイス20に動力を与えることができる。その後、溶融容器14内の原料24を加熱して溶融ガラス28を形成することができる。 As shown in the illustrated example, upstream glass manufacturing apparatus 16 may include a storage bin 18, a feedstock delivery device 20, and a motor 22 connected to the feedstock delivery device. Storage bin 18 may be configured to store a quantity of raw material 24 that can be fed to melting vessel 14 of glass melting furnace 12, as shown by arrow 26. Feedstock 24 typically includes one or more glass-forming metal oxides and one or more modifiers. In some examples, raw material delivery device 20 may be powered by motor 22 such that raw material delivery device 20 delivers a predetermined amount of raw material 24 from storage bin 18 to melting vessel 14 . In a further example, motor 22 can power feedstock delivery device 20 to introduce feedstock 24 at a controlled rate based on a sensed level of molten glass downstream of melting vessel 14. Thereafter, raw material 24 within melting vessel 14 may be heated to form molten glass 28.

ガラス製造装置10はまた、任意選択的に、ガラス溶融炉12に対して下流に位置付けられた下流側ガラス製造装置30を含むことができる。幾つかの例では、下流側ガラス製造装置30の一部をガラス溶融炉12の一部として組み込むことができる。幾つかの事例では、以下で論じる第1の接続導管32、又は下流側ガラス製造装置30の他の部分をガラス溶融炉12の一部として組み込むことができる。第1の接続導管32を含む下流側ガラス製造装置の要素は、貴金属から形成することができる。適切な貴金属には、白金、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、及びパラジウムからなる金属の群から選択される白金族金属、又はそれらの合金が含まれる。例えば、ガラス製造装置の下流構成要素は、約70~約90質量%の白金及び約10質量%~約30質量%のロジウムを含む白金-ロジウム合金から形成することができる。しかしながら、他の適切な金属は、モリブデン、パラジウム、レニウム、タンタル、チタン、タングステン、及びそれらの合金を含みうる。 Glass manufacturing apparatus 10 may also optionally include a downstream glass manufacturing apparatus 30 positioned downstream with respect to glass melting furnace 12 . In some examples, a portion of downstream glass manufacturing equipment 30 may be incorporated as part of glass melting furnace 12 . In some cases, the first connecting conduit 32, discussed below, or other portions of the downstream glass manufacturing apparatus 30 may be incorporated as part of the glass melting furnace 12. The elements of the downstream glass manufacturing apparatus, including the first connecting conduit 32, may be formed from precious metals. Suitable noble metals include platinum group metals selected from the group of metals consisting of platinum, iridium, rhodium, osmium, ruthenium, and palladium, or alloys thereof. For example, downstream components of glass manufacturing equipment can be formed from a platinum-rhodium alloy containing from about 70% to about 90% by weight platinum and from about 10% to about 30% by weight rhodium. However, other suitable metals may include molybdenum, palladium, rhenium, tantalum, titanium, tungsten, and alloys thereof.

下流側ガラス製造装置30は、溶融容器14の下流に位置し、かつ、上記第1の接続導管32によって溶融容器14に結合された、清澄容器34などの第1の調整(すなわち、処理)容器を含みうる。幾つかの例では、溶融ガラス28は、第1の接続導管32によって溶融容器14から清澄容器34へと重力供給されてもよい。例えば、重力によって、溶融ガラス28を、溶融容器14から清澄容器34へと第1の接続導管32の内部経路を通過させることができる。しかしながら、他の調整容器を、例えば溶融容器14と清澄容器34との間など、溶融容器14の下流に配置することができるものと理解されたい。幾つかの実施形態では、一次溶融容器からの溶融ガラスをさらに加熱して溶融プロセスを継続するか、又は清澄容器に入る前に溶融容器内の溶融ガラスの温度より低い温度へと冷却する調整容器を溶融容器と清澄容器との間に用いることができる。 Downstream glass production apparatus 30 includes a first conditioning (i.e., processing) vessel, such as a fining vessel 34 , located downstream of melting vessel 14 and coupled to melting vessel 14 by said first connecting conduit 32 . may include. In some examples, molten glass 28 may be gravity fed from melting vessel 14 to fining vessel 34 by first connecting conduit 32 . For example, gravity can cause molten glass 28 to pass from melting vessel 14 to fining vessel 34 through the internal passage of first connecting conduit 32 . However, it should be understood that other conditioning vessels may be placed downstream of melting vessel 14, such as between melting vessel 14 and fining vessel 34, for example. In some embodiments, a conditioning vessel that further heats the molten glass from the primary melting vessel to continue the melting process or cools it to a temperature below the temperature of the molten glass in the melting vessel before entering the fining vessel. can be used between the melting vessel and the fining vessel.

気泡は、清澄容器34内の溶融ガラス28から、さまざまな技法によって除去することができる。例えば、原料24は、加熱されると化学還元反応を被り、酸素を放出する、酸化スズなどの多価化合物(すなわち清澄剤)を含みうる。他の適切な清澄剤としては、限定はしないが、ヒ素、アンチモン、鉄、及びセリウムが挙げられる。清澄容器34は、溶融容器温度より高い温度へと加熱され、それによって溶融ガラスと清澄剤を加熱する。清澄剤の温度誘発性の化学還元によって生じた酸素気泡は、清澄容器内の溶融ガラスを通って上昇し、ここで、溶融炉内で生成した溶融ガラス内のガスは、清澄剤によって生成された酸素気泡中に拡散又は一体化しうる。次に、拡大した気泡は、清澄容器内の溶融ガラスの自由表面へと上昇し、その後、清澄容器から排出されうる。酸素気泡はさらに、清澄容器内での溶融ガラスの機械的混合も生じさせることができる。 Air bubbles can be removed from molten glass 28 within finer vessel 34 by a variety of techniques. For example, feedstock 24 may include a polyvalent compound (i.e., a fining agent), such as tin oxide, that undergoes a chemical reduction reaction and releases oxygen when heated. Other suitable fining agents include, but are not limited to, arsenic, antimony, iron, and cerium. The fining vessel 34 is heated to a temperature above the melting vessel temperature, thereby heating the molten glass and fining agent. Oxygen bubbles produced by the temperature-induced chemical reduction of the fining agent rise through the molten glass in the fining vessel, where the gases in the molten glass produced in the melting furnace are It can diffuse or integrate into oxygen bubbles. The enlarged air bubbles can then rise to the free surface of the molten glass within the fining vessel and then be discharged from the fining vessel. Oxygen bubbles can also cause mechanical mixing of the molten glass within the finer vessel.

下流側ガラス製造装置30は、溶融ガラスを混合するための混合容器36など、別の調整容器をさらに含むことができる。混合容器36は、清澄容器34の下流に配置することができる。混合容器36を使用して均質なガラス溶融組成物をもたらし、それによって、そうでなければ清澄容器から出る清澄された溶融ガラス内に存在しうる化学的又は熱的不均一性のコードを低減することができる。示されるように、清澄容器34は、第2の接続導管38によって混合容器36に連結されうる。幾つかの例では、溶融ガラス28は、第2の接続導管38によって清澄容器34から混合容器36へと重力供給することができる。例えば、重力によって、溶融ガラス28を、清澄容器34から混合容器36へと第2の接続導管38の内部経路を通過させることができる。混合容器36が清澄容器34の下流に示されているが、混合容器36は、清澄容器34の上流に位置付けられてもよいことに留意すべきである。幾つかの実施形態では、下流側ガラス製造装置30は、例えば清澄容器34の上流の混合容器と清澄容器34の下流の混合容器など、複数の混合容器を含んでいてもよい。これらの複数の混合容器は、同じ設計のものであっても、異なる設計のものであってもよい。 Downstream glass manufacturing apparatus 30 may further include another conditioning vessel, such as a mixing vessel 36 for mixing molten glass. A mixing vessel 36 may be located downstream of the fining vessel 34. Mixing vessel 36 is used to provide a homogeneous glass melt composition, thereby reducing codes of chemical or thermal non-uniformity that may otherwise exist within the fined molten glass exiting the finer vessel. be able to. As shown, fining vessel 34 may be connected to mixing vessel 36 by a second connecting conduit 38 . In some examples, molten glass 28 may be gravity fed from finer vessel 34 to mixing vessel 36 by second connecting conduit 38 . For example, gravity can cause molten glass 28 to pass from the fining vessel 34 to the mixing vessel 36 through the internal passage of the second connecting conduit 38 . Although mixing vessel 36 is shown downstream of fining vessel 34, it should be noted that mixing vessel 36 may be positioned upstream of fining vessel 34. In some embodiments, downstream glass manufacturing apparatus 30 may include multiple mixing vessels, such as a mixing vessel upstream of fining vessel 34 and a mixing vessel downstream of fining vessel 34 . These multiple mixing vessels may be of the same design or of different designs.

下流側ガラス製造装置30は、混合容器36の下流に配置することができる送達容器40などの別の調整容器をさらに含んでいてもよい。送達容器40は、溶融ガラス28を調整し、下流の成形装置内へと供給することができる。例えば、送達容器40は、出口導管44によって成形体42への溶融ガラス28の一定の流れを調整及び/又は提供するためのアキュムレータ及び/又は流量制御装置として機能することができる。示されるように、混合容器36は、第3の接続導管46によって送達容器40に連結されうる。幾つかの例では、溶融ガラス28は、第3の接続導管46によって混合容器36から送達容器40へと重力供給されうる。例えば、重力によって、第3の接続導管46の内部経路を通って混合容器36から送達容器40へと溶融ガラス28を駆動させることができる。 Downstream glass manufacturing apparatus 30 may further include another conditioning vessel, such as delivery vessel 40 , which may be located downstream of mixing vessel 36 . Delivery container 40 can condition and feed molten glass 28 into downstream forming equipment. For example, delivery container 40 can function as an accumulator and/or flow control device to regulate and/or provide a constant flow of molten glass 28 to compact 42 via outlet conduit 44 . As shown, mixing container 36 may be connected to delivery container 40 by a third connecting conduit 46 . In some examples, molten glass 28 may be gravity fed from mixing vessel 36 to delivery vessel 40 by third connecting conduit 46 . For example, gravity can drive molten glass 28 from mixing vessel 36 to delivery vessel 40 through the internal path of third connecting conduit 46 .

下流側ガラス製造装置30は、上述の成形体42と入口導管50とを含む成形装置48をさらに含むことができる。出口導管44は、溶融ガラス28を送達容器40から成形装置48の入口導管50へと送達するように位置付けることができる。例えば、出口導管44は入口導管50の内面に入れ子にされ、かつ、そこから離間され、それによって出口導管44の外面と入口導管50の内面との間に位置付けられた溶融ガラスの自由表面を提供することができる。フュージョンダウンドローガラス製造装置の成形体42は、該成形体の上面に位置付けられたトラフ52と、成形体の底部エッジ56に沿って延伸方向に収束する収束成形面54とを含みうる。送達容器40、出口導管44、及び入口導管50を介して成形体トラフへと送達された溶融ガラスは、トラフの側壁から溢れ出て、溶融ガラスの別々の流れとして収束成形面54に沿って下降する。溶融ガラスの別々の流れは、底部エッジ56の下及び底部エッジ56に沿って合流し、重力、エッジロール72、及びプルロール82などによってガラスリボンに張力を印加することにより、ガラスが冷えてガラスの粘性が増すにつれてガラスリボンの寸法を制御するように底部エッジ56から延伸方向又は流れ方向60に延伸される、単一のガラスリボン58を生成する。したがって、ガラスリボン58は、粘弾性転移を経て、ガラスリボン58に安定した寸法特性を与える機械的性質を獲得する。ガラスリボン58は、幾つかの実施形態では、ガラスリボンの弾性領域においてガラス分離装置100によって個々のガラスシート62へと分離することができる。次いで、ロボット64によって、把持具65を使用して個々のガラスシート62をコンベヤシステムに移すことができ、その後、個々のガラスシートをさらに処理することができる。 The downstream glass manufacturing apparatus 30 may further include a forming apparatus 48 that includes the formed body 42 and inlet conduit 50 described above. Outlet conduit 44 may be positioned to deliver molten glass 28 from delivery container 40 to inlet conduit 50 of forming device 48 . For example, outlet conduit 44 is nested within and spaced from the inner surface of inlet conduit 50, thereby providing a free surface of molten glass positioned between the outer surface of outlet conduit 44 and the inner surface of inlet conduit 50. can do. The compact 42 of the fusion downdraw glass manufacturing apparatus may include a trough 52 located on the top surface of the compact and a converging forming surface 54 that converges in the drawing direction along a bottom edge 56 of the compact. Molten glass delivered to the compact trough via delivery vessel 40, outlet conduit 44, and inlet conduit 50 overflows the sidewalls of the trough and descends along converging forming surface 54 as separate streams of molten glass. do. The separate streams of molten glass meet below and along the bottom edge 56, and by applying tension to the glass ribbon, such as by gravity, edge rolls 72, and pull rolls 82, the glass cools and the glass A single glass ribbon 58 is produced that is drawn from the bottom edge 56 in the draw or machine direction 60 to control the dimensions of the glass ribbon as the viscosity increases. Therefore, the glass ribbon 58 undergoes a viscoelastic transition and acquires mechanical properties that give the glass ribbon 58 stable dimensional properties. Glass ribbon 58 may be separated into individual glass sheets 62 by glass separation apparatus 100 in the elastic regions of the glass ribbon in some embodiments. The individual glass sheets 62 can then be transferred by the robot 64 using the grippers 65 to a conveyor system, after which the individual glass sheets can be further processed.

図2は、第1の主面162、該第1の主面162とほぼ平行な方向に延在する第2の主面164(ガラスシート62の第1の主面とは反対側)、並びに、第1の主面162と第2の主面164との間に延在し、かつ、第1及び第2の主面162、164とほぼ垂直な方向に延在するエッジ表面166を有するガラスシート62の斜視図を示している。 FIG. 2 shows a first major surface 162, a second major surface 164 (on the opposite side of the glass sheet 62 from the first major surface) extending in a direction substantially parallel to the first major surface 162, and , a glass having an edge surface 166 extending between a first major surface 162 and a second major surface 164 and extending in a direction generally perpendicular to the first and second major surfaces 162, 164. A perspective view of the sheet 62 is shown.

図3は、液体分散堆積層202が堆積されたガラスシート62の側面断面図を示している。具体的には、液体分散堆積層202は、ガラスシート62の第2の主面164上に堆積されて、基板前駆体62’を形成する。液体分散堆積層202は、限定はしないが、スピンコーティング、流し塗り、又はスプレーコーティングのうちの少なくとも1つを含む、当業者に知られている方法に従って、分散機300を介してガラスシート62上に堆積させることができる。 FIG. 3 shows a side cross-sectional view of a glass sheet 62 with a liquid dispersed deposition layer 202 deposited thereon. Specifically, a liquid dispersed deposition layer 202 is deposited on the second major surface 164 of the glass sheet 62 to form the substrate precursor 62'. Liquid dispersed deposited layer 202 is deposited onto glass sheet 62 via disperser 300 according to methods known to those skilled in the art, including, but not limited to, at least one of spin coating, flow coating, or spray coating. can be deposited.

ある特定の例示的な実施形態では、堆積層は、液体分散堆積層202が水性分散液を含むように水中に分散させることができる。堆積層はまた、例えば、アルコール、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アミン、エステル、エーテル、及び/又はケトンなどの有機溶媒を含む他の液体中に分散させることもできる。 In certain exemplary embodiments, the deposited layer can be dispersed in water such that liquid-dispersed deposited layer 202 includes an aqueous dispersion. The deposited layer can also be dispersed in other liquids, including organic solvents such as, for example, alcohols, aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, amines, esters, ethers, and/or ketones.

液体分散堆積層202中の固体の質量パーセント(質量%)は、限定はしないが、例えば、約0.1質量%から約10質量%、例えば約0.5質量%から約5質量%、さらには例えば約1質量%から約3質量%の範囲でありうる。 The weight percent (wt%) of solids in the liquid-dispersed deposited layer 202 can be, for example, but not limited to, about 0.1 wt% to about 10 wt%, such as about 0.5 wt% to about 5 wt%, and even can range, for example, from about 1% to about 3% by weight.

ある特定の例示的な実施形態では、液体分散堆積層202は、無機粒子を含む固体材料を含むことができる。このような粒子は、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び/又はコロイド状シリカのうちの少なくとも1つを含みうる。液体分散堆積層202に組み込まれる前に、このような粒子は、例えば、1gあたり少なくとも約100平方メートル、例えば、少なくとも約200平方メートル/グラム、さらには、約100平方メートル/グラムから約500平方メートル/グラム、例えば約200平方メートル/グラムから約400平方メートル/グラムを含む、少なくとも約300平方メートル/グラムのブルナウアー・エメット・テラー(BET)比表面積を含みうる。BET比表面積は、固体表面へのガスの物理吸着を観察し、当業者には知られているブルナウアー・エメット・テラー(BET)吸着等温式を使用して表面の単分子層に相当する吸着ガスの量を計算することによって決定される。 In certain exemplary embodiments, liquid-dispersed deposited layer 202 can include a solid material that includes inorganic particles. Such particles may include, for example, at least one of aluminum oxide, aluminum hydroxide, and/or colloidal silica. Prior to incorporation into the liquid dispersed deposited layer 202, such particles may be, for example, at least about 100 square meters per gram, such as at least about 200 square meters per gram, even from about 100 square meters per gram to about 500 square meters per gram, It can include a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of at least about 300 square meters/gram, including, for example, from about 200 square meters/gram to about 400 square meters/gram. The BET specific surface area is calculated by observing the physical adsorption of a gas onto a solid surface and using the Brunauer-Emmett-Teller (BET) adsorption isotherm known to those skilled in the art to calculate the adsorbed gas equivalent to a monolayer on the surface. determined by calculating the amount of

無機粒子が酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び/又はコロイド状シリカを含む場合、それらは非晶質であっても結晶の形態であってもよい。液体分散堆積層202に使用することができる酸化アルミニウム及び/又は水酸化アルミニウムの例としては、非晶質酸化アルミニウム、アルファアルミナ、ベータアルミナ、ガンマアルミナ、ギブサイト、バイヤライト、ノルドストランド石、ベーマイト、ダイアスポア、又はトーダイトが挙げられるが、これらに限定されない。 When the inorganic particles include aluminum oxide, aluminum hydroxide, and/or colloidal silica, they may be in amorphous or crystalline form. Examples of aluminum oxide and/or aluminum hydroxide that can be used in the liquid-dispersed deposit layer 202 include amorphous aluminum oxide, alpha alumina, beta alumina, gamma alumina, gibbsite, bayerite, nordstrandite, boehmite, Examples include, but are not limited to, diaspore or todite.

ガラスシート62上に堆積させた後、液体分散堆積層202は、当業者に知られているように、例えばエアナイフの使用及び/又は高温乾燥などによって液体を蒸発させるために、乾燥工程に供することができる。例えば、高温乾燥は、少なくとも約100℃、例えば少なくとも約200℃、例えば約100℃から約500℃の温度で、少なくとも約10秒間、例えば約10秒から約20分の間、行うことができる。エアナイフ乾燥は、例えば、少なくとも約30秒、例えば約30秒から約30分の間、行うことができる。 After being deposited on the glass sheet 62, the liquid-dispersed deposited layer 202 may be subjected to a drying process to evaporate the liquid, such as by using an air knife and/or high temperature drying, as is known to those skilled in the art. Can be done. For example, high temperature drying can be carried out at a temperature of at least about 100°C, such as at least about 200°C, such as from about 100°C to about 500°C, for at least about 10 seconds, such as from about 10 seconds to about 20 minutes. Air knife drying can be performed, for example, for at least about 30 seconds, such as from about 30 seconds to about 30 minutes.

図4は、堆積層204が堆積されたガラスシート62の側面断面図を示している。具体的には、堆積層204は、ガラスシート62の第2の主面164上に堆積されて、基板62”を形成する。堆積層204は、例えば、上述したように液体分散堆積層202の乾燥の結果として、ガラスシート62の第2の主面164上に堆積させることができる。 FIG. 4 shows a side cross-sectional view of a glass sheet 62 with a deposited layer 204 deposited thereon. Specifically, the deposited layer 204 is deposited on the second major surface 164 of the glass sheet 62 to form the substrate 62''. As a result of drying, it can be deposited on the second major surface 164 of the glass sheet 62.

堆積層204は、約0.4ナノメートルから約50ナノメートル、例えば約0.6ナノメートルから約20ナノメートル、さらには例えば約0.8ナノメートルから約10ナノメートルの範囲の基板62”の第2の主面206の表面粗さを与えうる。一方、基板62”の第1の主面162は、例えば、約0.05ナノメートルから約0.5ナノメートル、例えば約0.1ナノメートルから約0.25ナノメートルを含む、例えば約0.25ナノメートル未満など、約0.5ナノメートル未満の表面粗さを有しうる。 The deposited layer 204 has a substrate 62'' in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers, such as about 0.6 nanometers to about 20 nanometers, and even such as about 0.8 nanometers to about 10 nanometers. The first major surface 162 of the substrate 62'' may have a surface roughness of, for example, from about 0.05 nanometers to about 0.5 nanometers, such as about 0.1 nanometers. It can have a surface roughness of less than about 0.5 nanometers, including from nanometers to about 0.25 nanometers, such as less than about 0.25 nanometers.

第2の主面206の上記表面粗さは、少なくとも部分的には、無機粒子を含む堆積層204に起因しうる。このような粒子は、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び/又はコロイド状シリカのうちの少なくとも1つを含みうる。加えて、このような粒子は、例えば、1gあたり少なくとも約100平方メートル、例えば、少なくとも約200平方メートル/グラム、さらには、約100平方メートル/グラムから約500平方メートル/グラム、例えば約200平方メートル/グラムから約400平方メートル/グラムを含む、少なくとも約300平方メートル/グラムのブルナウアー・エメット・テラー(BET)比表面積を含みうる。 The surface roughness of the second main surface 206 may be at least partially due to the deposited layer 204 containing inorganic particles. Such particles may include, for example, at least one of aluminum oxide, aluminum hydroxide, and/or colloidal silica. In addition, such particles may contain, for example, at least about 100 square meters per gram, such as at least about 200 square meters per gram, even from about 100 square meters per gram to about 500 square meters per gram, such as from about 200 square meters per gram to about It can include a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of at least about 300 square meters/gram, including 400 square meters/gram.

無機粒子が酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び/又はコロイド状シリカを含む場合、それらは非晶質であっても結晶の形態であってもよい。堆積層204に使用することができる酸化アルミニウム及び/又は水酸化アルミニウムの例としては、非晶質酸化アルミニウム、アルファアルミナ、ベータアルミナ、ガンマアルミナ、ギブサイト、バイヤライト、ノルドストランド石、ベーマイト、ダイアスポア、又はトーダイトが挙げられるが、これらに限定されない。 When the inorganic particles include aluminum oxide, aluminum hydroxide, and/or colloidal silica, they may be in amorphous or crystalline form. Examples of aluminum oxide and/or aluminum hydroxide that can be used in the deposited layer 204 include amorphous aluminum oxide, alpha alumina, beta alumina, gamma alumina, gibbsite, bayerite, nordstrandite, boehmite, diaspore, or todite, but is not limited to these.

ある特定の例示的な実施形態では、基板62”は、上述の乾燥工程に続いて、洗浄工程に供することができる。具体的には、第1の主面162又は基板62”の第2の主面206の少なくとも一方を、水又は有機溶媒などの溶媒と少なくとも1つの溶質とを含む液体洗浄液で洗浄することができる。ある特定の例示的な実施形態では、溶質は、少なくとも1つの洗剤及び/又は界面活性剤を含みうる。ある特定の例示的な実施形態では、溶媒は水(例えば、脱イオン水)を含み、溶質は、水酸化カリウム(KOH)又は水酸化ナトリウム(NaOH)の少なくとも一方を含む洗剤など、アルカリ洗剤を含み、その市販例として、Semi Clean KG及びPK-LCG225Xが挙げられる。ある特定の例示的な実施形態では、溶質は、少なくとも約1%、例えば約0.1%から約10%、さらには例えば約1%から約5%を含む、少なくとも約0.1%の質量パーセントで溶液中に存在しうる。ある特定の例示的な実施形態では、洗浄液は、少なくとも約20℃、例えば約20℃から約80℃の温度で、少なくとも約10秒間、例えば約10秒から約10分の間、適用されうる。加えて、洗浄液は、噴霧、ブラッシング、及び浸漬を含むがこれらに限定されない、当業者に知られている方法に従って適用することができる。 In certain exemplary embodiments, the substrate 62'' may be subjected to a cleaning process following the drying process described above. Specifically, the first major surface 162 or the second major surface of the substrate 62'' At least one of the major surfaces 206 can be cleaned with a liquid cleaning solution that includes a solvent, such as water or an organic solvent, and at least one solute. In certain exemplary embodiments, the solute may include at least one detergent and/or surfactant. In certain exemplary embodiments, the solvent comprises water (e.g., deionized water) and the solute comprises an alkaline detergent, such as a detergent comprising at least one of potassium hydroxide (KOH) or sodium hydroxide (NaOH). commercially available examples include Semi Clean KG and PK-LCG225X. In certain exemplary embodiments, the solute is at least about 0.1% by weight, including at least about 1%, such as from about 0.1% to about 10%, even such as from about 1% to about 5%. % in solution. In certain exemplary embodiments, the cleaning liquid may be applied at a temperature of at least about 20°C, such as from about 20°C to about 80°C, for at least about 10 seconds, such as from about 10 seconds to about 10 minutes. Additionally, cleaning fluids can be applied according to methods known to those skilled in the art, including, but not limited to, spraying, brushing, and dipping.

ある特定の例示的な実施形態では、基板62”は、上述の洗浄工程に続いて、乾燥工程に供することができる。例えば、洗浄工程に続いて、当業者には知られているように、エアナイフ及び/又は高温乾燥を使用して、基板62”を乾燥させることができる。例えば、高温乾燥は、少なくとも約100℃、例えば少なくとも約200℃、例えば約100℃から約500℃の温度で、少なくとも約10秒間、例えば約10秒から約20分の間、行うことができる。エアナイフ乾燥は、例えば、少なくとも約30秒、例えば約30秒から約30分の間、行うことができる。 In certain exemplary embodiments, substrate 62'' may be subjected to a drying process following the cleaning process described above. For example, following the cleaning process, as is known to those skilled in the art, An air knife and/or high temperature drying may be used to dry the substrate 62''. For example, high temperature drying can be carried out at a temperature of at least about 100°C, such as at least about 200°C, such as from about 100°C to about 500°C, for at least about 10 seconds, such as from about 10 seconds to about 20 minutes. Air knife drying can be performed, for example, for at least about 30 seconds, such as from about 30 seconds to about 30 minutes.

ある特定の例示的な実施形態では、基板62”はまた、酸エッチング工程などのエッチング工程に供することができる。例えば、フッ化水素酸(HF)などのエッチング液を含む溶液を、噴霧、浸漬、又はブラッシングなど、当業者に知られている方法に従って、少なくとも基板62”の第2の主面206に適用することができる。酸エッチング液は、例えば、約0.1質量%から約10質量%の範囲の濃度の溶液中に存在し、約20℃から約60℃の範囲の温度で約10秒から約10分の範囲の時間、適用することができる。 In certain exemplary embodiments, the substrate 62'' may also be subjected to an etching process, such as an acid etching process, such as spraying, dipping, etc. It can be applied to at least the second major surface 206 of the substrate 62'' according to methods known to those skilled in the art, such as, or brushing. The acid etchant is, for example, present in solution at a concentration ranging from about 0.1% to about 10% by weight and at a temperature ranging from about 20°C to about 60°C for about 10 seconds to about 10 minutes. time, can be applied.

本明細書に開示される実施形態は、エッチング工程が基板62”の第2の主面206の表面粗さに大きな影響を与えない実施形態を含む。例えば、エッチング工程の後、基板62”の第2の主面206は、約0.4ナノメートルから約50ナノメートル、例えば約0.6ナノメートルから約20ナノメートル、さらには例えば約0.8ナノメートルから約10ナノメートルの範囲の表面粗さを有しうる。 Embodiments disclosed herein include embodiments in which the etching process does not significantly affect the surface roughness of the second major surface 206 of the substrate 62''. The second major surface 206 has a diameter in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers, such as about 0.6 nanometers to about 20 nanometers, and even such as about 0.8 nanometers to about 10 nanometers. It may have surface roughness.

ある特定の例示的な実施形態では、基板62”の第2の主面206の静電電荷(ESC)の絶対値は、約200ボルト(V)未満、例えば約150ボルト(V)未満、さらには100ボルト(V)未満、さらには約50ボルト(V)未満、例えば約0ボルト(V)から約200ボルト(V)、さらには例えば約1ボルト(V)から約150ボルト(V)、さらには例えば約2ボルト(V)から約100ボルト(V)、さらには例えば約5ボルト(V)から約50ボルト(V)である。 In certain exemplary embodiments, the absolute electrostatic charge (ESC) of the second major surface 206 of the substrate 62'' is less than about 200 volts (V), such as less than about 150 volts (V), and is less than 100 volts (V), even less than about 50 volts (V), such as from about 0 volts (V) to about 200 volts (V), further such as from about 1 volt (V) to about 150 volts (V), Further, for example, from about 2 volts (V) to about 100 volts (V), and further, for example, from about 5 volts (V) to about 50 volts (V).

ある特定の例示的な実施形態では、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲における第1の主面162と基板62”の第2の主面206との間の厚さ0.5ミリメートルあたりの全光線透過率は、約90%から約99%を含む、例えば少なくとも約95%など、少なくとも約90%である。以下の実施例を含めて本明細書に記載される全光線透過率は、厚さ0.5ミリメートルの基板試料を日立U-4000分光光度計に配置し、約400から約850ナノメートルの間の波長範囲におけるパーセント透過率(T%)を測定することによって決定した。 In certain exemplary embodiments, the thickness between the first major surface 162 and the second major surface 206 of the substrate 62'' in a wavelength range of between about 400 nanometers and about 850 nanometers is 0.0. The total light transmittance per 5 millimeters is at least about 90%, including from about 90% to about 99%, such as at least about 95%. Transmittance was determined by placing a 0.5 mm thick substrate sample in a Hitachi U-4000 spectrophotometer and measuring the percent transmittance (T%) in the wavelength range between about 400 and about 850 nanometers. Decided.

本明細書に開示される実施形態は、堆積層204が焼結されない実施形態を含みうる。本明細書に開示される実施形態はさらに、堆積層204が溶融しない実施形態を含みうる。加えて、本明細書に開示される実施形態は、堆積層204に圧縮応力が印加されない実施形態を含みうる。本明細書に開示される実施形態はまた、堆積層204が実質的な量(例えば、1質量%超)のガラス、金属、及び/又は有機化合物(例えば、結合剤など)を含まない実施形態も含みうる。さらに、本明細書に開示される実施形態は、堆積層204の適用前にガラスシート62に対して湿式又は乾式のエッチング工程(湿式又は乾式の酸エッチング工程など)が行われない実施形態を含みうる。 Embodiments disclosed herein may include embodiments in which deposited layer 204 is not sintered. Embodiments disclosed herein may further include embodiments in which the deposited layer 204 does not melt. Additionally, embodiments disclosed herein may include embodiments in which no compressive stress is applied to the deposited layer 204. Embodiments disclosed herein also provide embodiments in which the deposited layer 204 does not include a substantial amount (e.g., greater than 1% by weight) of glass, metal, and/or organic compounds (e.g., binders, etc.). may also be included. Additionally, embodiments disclosed herein include embodiments in which a wet or dry etching step (such as a wet or dry acid etching step) is not performed on the glass sheet 62 prior to application of the deposited layer 204. sell.

ある特定の例示的な実施形態では、第1の主面162と第2の主面206との間の基板62”の厚さは、例えば、約0.1ミリメートルから約1ミリメートルの間を含む、さらには約0.2ミリメートル及び約0.5ミリメートルを含む、約0.5ミリメートル未満など、約1ミリメートル未満でありうる。 In certain exemplary embodiments, the thickness of the substrate 62'' between the first major surface 162 and the second major surface 206 includes, for example, between about 0.1 mm and about 1 mm. , even less than about 1 mm, such as less than about 0.5 mm, including about 0.2 mm and about 0.5 mm.

本明細書に開示される実施形態は、さまざまなガラス組成物とともに使用することができる。このような組成物は、例えば、58~65質量パーセント(質量%)のSiO、14~20質量%のAl、8~12質量%のB、1~3質量%のMgO、5~10質量%のCaO、及び0.5~2質量%のSrOを含有する、無アルカリガラス組成物などのガラス組成物を含みうる。このような組成物はまた、58~65質量%のSiO、16~22質量%のAl、1~5質量%のB、1~4質量%のMgO、2~6質量%のCaO、1~4質量%のSrO、及び5~10質量%のBaOを含有する、無アルカリガラス組成物などのガラス組成物も含みうる。このような組成物は、さらには、57~61質量%のSiO、17~21質量%のAl、5~8質量%のB、1~5質量%のMgO、3~9質量%のCaO、0~6質量%のSrO、及び0~7質量%のBaOを含有する、無アルカリガラス組成物などのガラス組成物も含みうる。このような組成物は、55~72質量%のSiO、12~24質量%のAl、10~18質量%のNaO、0~10質量%のB、0~5質量%のKO、0~5質量%のMgO、及び0~5質量%のCaOを含み、ある特定の実施形態では、1~5質量%のKO及び1~5質量%のMgOも含みうる、例えばアルカリ含有ガラス組成物などのガラス組成物をさらに含みうる。 Embodiments disclosed herein can be used with a variety of glass compositions. Such a composition may contain, for example, 58-65 weight percent (wt.%) SiO 2 , 14-20 wt. % Al 2 O 3 , 8-12 wt. % B 2 O 3 , 1-3 wt. % Glass compositions such as alkali-free glass compositions containing MgO, 5-10% by weight CaO, and 0.5-2% by weight SrO can be included. Such compositions also contain 58-65% by weight SiO 2 , 16-22% by weight Al 2 O 3 , 1-5% by weight B 2 O 3 , 1-4% by weight MgO, 2-6% by weight Glass compositions may also be included, such as alkali-free glass compositions containing % by weight CaO, 1-4% by weight SrO, and 5-10% by weight BaO. Such a composition further comprises 57-61% by weight SiO 2 , 17-21% by weight Al 2 O 3 , 5-8% by weight B 2 O 3 , 1-5% by weight MgO, 3 Glass compositions may also be included, such as alkali-free glass compositions containing ~9% by weight CaO, 0-6% by weight SrO, and 0-7% by weight BaO. Such a composition contains 55-72% by weight SiO 2 , 12-24% by weight Al 2 O 3 , 10-18% by weight Na 2 O, 0-10% by weight B 2 O 3 , 0-10% by weight B 2 O 3 5% by weight K 2 O, 0-5% by weight MgO, and 0-5% by weight CaO, and in certain embodiments, 1-5% by weight K 2 O and 1-5% by weight. It may further include a glass composition, such as an alkali-containing glass composition, which may also include MgO.

表面粗さ測定技法
以下の実施例を含めて本明細書に記載されるように、表面粗さとは、日立High-Tech AFM5400Lを使用して測定される原子間力顕微鏡粗さ(AFM Ra)分析を指す。分析する各試料について、AFMの表面形態画像を、カンチレバーSI-DF20P2(バネ定数=9N/m、共振周波数:100~200kHz、先端の半径:7nm、先端の高さ:14μm、レバーの長さ:160μm、レバーの幅:40μm、レバーの厚さ:3.5μm)を使用し、ダイナミックフォースモード(DFM)でスキャンした。分析する各試料について、次の分析パラメータを使用して、測定中に基板表面に軟X線を照射した:積分ゲイン(0.2)、比例ゲイン(0.05)、Zリミット(500nm)、走査領域(10μm×10μm)、画質X軸(256)及びY軸(256)。また、表面の最も高い「山」と最も深い「谷」との差(P-V値)も求めた。
Surface Roughness Measurement Techniques As described herein, including in the examples below, surface roughness is measured by atomic force microscopy roughness (AFM Ra) analysis using a Hitachi High-Tech AFM5400L. refers to For each sample to be analyzed, an AFM surface morphology image was obtained using a cantilever SI-DF20P2 (spring constant = 9 N/m, resonance frequency: 100-200 kHz, tip radius: 7 nm, tip height: 14 μm, lever length: 160 μm, lever width: 40 μm, lever thickness: 3.5 μm) and scanned in dynamic force mode (DFM). For each sample analyzed, the substrate surface was irradiated with soft X-rays during the measurement using the following analysis parameters: integral gain (0.2), proportional gain (0.05), Z limit (500 nm), Scan area (10 μm x 10 μm), image quality X axis (256) and Y axis (256). The difference (PV value) between the highest "mountain" and the deepest "valley" on the surface was also determined.

表面電位測定技法
以下の実施例を含めて本明細書に記載される基板の第2の主面の静電電荷(ESC)は、図5~7に概略的に示されるように、リフト試験装置に基板試料を配置することによって決定した。具体的には、図5に示されるように、動作の第1段階では、約10×10cmの基板試料62”を、該試料が陽極酸化アルミニウムテーブル404の約30ミリメートル上方に位置するように、リフト試験装置400の3つのリフトピン408a、408b、及び408c上に配置する。この段階中、イオン発生器410が、基板試料62”の第2の主面とテーブルとの間の空隙を約30秒間、処理する。次に、動作の第2段階では、図6に示されるように、3つのリフトピン408a、408b、及び408cが下降し、基板試料62”の第2の主面がテーブル404に接触し、真空406がテーブル404と基板試料62”との間に約70秒間、オンになる。次に、動作の第3段階では、図7に示されるように、真空406がオフになり、基板試料62”が3つのリフトピン408a、408b、及び408cによって持ち上げられ、Hanwa静電気力顕微鏡(ESFM)402で約30秒間監視され、ボルト(V)単位の静電電荷(ESC)が決定される。この段階中、基板試料62”の第1の主面とESFM402との間の間隙は約10ミリメートルであり、基板試料62”の第2の主面とテーブル404との間の間隙は約30ミリメートルである。
Surface Potential Measurement Technique The electrostatic charge (ESC) of the second major surface of the substrates described herein, including in the examples below, was measured using a lift test apparatus as schematically illustrated in FIGS. This was determined by placing the substrate sample on the substrate. Specifically, as shown in FIG. 5, in the first stage of operation, a substrate sample 62'' of approximately 10 x 10 cm2 is placed such that the sample is located approximately 30 mm above the anodized aluminum table 404. , on the three lift pins 408a, 408b, and 408c of the lift test apparatus 400. During this step, the ion generator 410 increases the air gap between the second major surface of the substrate sample 62'' and the table by approximately 30 mm. Process for seconds. Then, in the second stage of operation, as shown in FIG. is turned on for approximately 70 seconds between table 404 and substrate sample 62''. Then, in the third stage of operation, the vacuum 406 is turned off and the substrate sample 62'' is lifted by three lift pins 408a, 408b, and 408c, as shown in FIG. 402 for approximately 30 seconds to determine the electrostatic charge (ESC) in volts (V). During this step, the gap between the first major surface of the substrate sample 62" and the ESFM 402 is approximately 10 millimeters. , and the gap between the second major surface of the substrate sample 62'' and the table 404 is about 30 mm.

以下の非限定的な実施例を参照して、本明細書に開示される実施形態をさらに説明する。 The embodiments disclosed herein will be further described with reference to the following non-limiting examples.

実施例1:
約300m/gのBET比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、約1,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約200℃で約15秒間、乾燥させた。得られた基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、その主面間の全光透過率が約91.4%を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約11.4ナノメートルであると測定され、P-V値は約209ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+49Vであった。次に、TFTプロセスのシミュレーションとして、基板を約590℃で約30分間加熱し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-9Vであった。次に、さらなるTFTプロセスのシミュレーションとして、基板を約1質量%のHFを含む水溶液中に約23℃で約45秒間、浸漬し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+69Vであった。
Example 1:
Amorphous aluminum oxide particles having a BET specific surface area of about 300 m 2 /g were combined with water to form an aqueous dispersion with a solids content of about 1% by mass, and coated with a thickness of about It was applied to the main surface of 0.5 mm Corning Lotus™ NXT glass. The surface was then dried at about 200° C. for about 15 seconds. The obtained substrate exhibited a total light transmittance of about 91.4% between its main surfaces in a wavelength range of about 400 nanometers to about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 11.4 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 209 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately +49V. The substrate was then heated at about 590° C. for about 30 minutes as a simulation of the TFT process, after which the ESC measured between the coated main surface and the lift test device was about −9V. Next, as a further TFT process simulation, the substrate was immersed in an aqueous solution containing about 1% by mass of HF at about 23°C for about 45 seconds, and then measurements were taken between the coated main surface and a lift test device. The ESC applied was approximately +69V.

実施例2:
約220m/gのBET比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、約1,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約200℃で約15秒間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約60秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約60秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.6%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約6.37ナノメートルであると測定され、P-V値は約166ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-42Vであった。次に、TFTプロセスのシミュレーションとして、基板を約590℃で約30分間加熱し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-1Vであった。次に、さらなるTFTプロセスのシミュレーションとして、基板を約1質量%のHFを含む水溶液中に約23℃で約45秒間、浸漬し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+114Vであった。
Example 2:
Boehmite particles having a BET specific surface area of about 220 m 2 /g were combined with water to form an aqueous dispersion with a solids content of about 1% by mass, and coated with a thickness of about 0.5 mm via a spin coater rotating at about 1,000 rpm. of Corning Lotus™ NXT glass. The surface was then dried at about 200° C. for about 15 seconds. The resulting substrate is then cleaned with an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 60 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 60 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.6% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 6.37 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 166 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately -42V. The substrate was then heated at about 590° C. for about 30 minutes as a simulation of the TFT process, after which the ESC measured between the coated main surface and the lift test device was about −1V. Next, as a further TFT process simulation, the substrate was immersed in an aqueous solution containing about 1% by mass of HF at about 23°C for about 45 seconds, and then measurements were taken between the coated main surface and a lift test device. The ESC applied was approximately +114V.

実施例3:
約220m/gのBET比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約3質量%の水性分散液を生成し、約4,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約150℃で約15分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約60秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約60秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.4%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約7.4ナノメートルであると測定され、P-V値は約99ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-1Vであった。
Example 3:
Boehmite particles having a BET specific surface area of about 220 m 2 /g were combined with water to produce an aqueous dispersion with a solids content of about 3% by mass, and coated with a thickness of about 0.5 mm via a spin coater rotating at about 4,000 rpm. of Corning Lotus™ NXT glass. The surface was then dried at about 150° C. for about 15 minutes. The resulting substrate is then cleaned with an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 60 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 60 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.4% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 7.4 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 99 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately -1V.

実施例4:
約300m/gのBET比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、約2,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約10分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約90秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約90秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.3%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約11.0ナノメートルであると測定され、P-V値は約193ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+52Vであった。
Example 4:
Amorphous aluminum oxide particles having a BET specific surface area of about 300 m 2 /g are combined with water to form an aqueous dispersion with a solids content of about 1% by mass, and coated with a thickness of about It was applied to the main surface of 0.5 mm Corning Lotus™ NXT glass. The surface was then dried using an air knife for approximately 10 minutes at room temperature. The resulting substrate is then cleaned using an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 90 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 90 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.3% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 11.0 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 193 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately +52V.

実施例5:
約220m/gのBET比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、約2,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約10分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約90秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約90秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.5%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約4.6ナノメートルであると測定され、P-V値は約166ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+19Vであった。
Example 5:
Boehmite particles having a BET specific surface area of about 220 m 2 /g were combined with water to form an aqueous dispersion with a solids content of about 1% by mass, and coated with a thickness of about 0.5 mm via a spin coater rotating at about 2,000 rpm. of Corning Lotus™ NXT glass. The surface was then dried using an air knife for approximately 10 minutes at room temperature. The resulting substrate is then cleaned using an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 90 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 90 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.5% in a wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 4.6 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 166 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately +19V.

実施例6:
約300m/gのBET比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約10分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約90秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約90秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.4%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約15.9ナノメートルであると測定され、P-V値は約253ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+106Vであった。
Example 6:
Amorphous aluminum oxide particles with a BET specific surface area of about 300 m 2 /g were combined with water to form an aqueous dispersion with a solids content of about 1% by weight and coated with Corning powder with a thickness of about 0.5 mm via a flow coater. It was applied to the main surface of Lotus™ NXT glass. The surface was then dried using an air knife for approximately 10 minutes at room temperature. The resulting substrate is then cleaned using an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 90 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 90 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.4% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 15.9 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 253 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately +106V.

実施例7:
約220m/gのBET比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約10分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約90秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約90秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.3%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約8.1ナノメートルであると測定され、P-V値は約105ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-26Vであった。
Example 7:
Boehmite particles with a BET specific surface area of about 220 m 2 /g were combined with water to form an aqueous dispersion with a solids content of about 1% by weight and coated with Corning Lotus™ with a thickness of about 0.5 mm via a flow coater. It was applied to the main surface of NXT glass. The surface was then dried using an air knife for approximately 10 minutes at room temperature. The resulting substrate is then cleaned using an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 90 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 90 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.3% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 8.1 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 105 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately -26V.

実施例8:
約110m/gのBET比表面積を有する非晶質酸化ケイ素(コロイド状シリカ)粒子を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、約2,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約10分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約90秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約90秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.5%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約1.5ナノメートルであると測定され、P-V値は約74ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-21Vであった。
Example 8:
Amorphous silicon oxide (colloidal silica) particles having a BET specific surface area of about 110 m 2 /g were combined with water to produce an aqueous dispersion with a solid content of about 1% by mass, and a spin coater rotating at about 2,000 rpm was used. The solution was applied to the main surface of Corning Lotus™ NXT glass approximately 0.5 millimeters thick. The surface was then dried using an air knife for approximately 10 minutes at room temperature. The resulting substrate is then cleaned using an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 90 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 90 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.5% in a wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 1.5 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 74 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately -21V.

実施例9:
各々約220m/gのBET比表面積を有する、ベーマイトと非晶質酸化ケイ素(コロイド状シリカ)との質量%比70:30の混合物を水と合わせて固形分約1質量%の水性分散液を生成し、約2,000rpmで回転するスピンコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約10分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約90秒間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約90秒間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.7%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約13.6ナノメートルであると測定され、P-V値は約162ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約+73Vであった。
Example 9:
A 70:30 mass % mixture of boehmite and amorphous silicon oxide (colloidal silica), each having a BET specific surface area of approximately 220 m 2 /g, is combined with water to form an aqueous dispersion with a solid content of approximately 1 mass %. was produced and applied to the major surface of Corning Lotus™ NXT glass approximately 0.5 millimeters thick via a spin coater rotating at approximately 2,000 rpm. The surface was then dried using an air knife for approximately 10 minutes at room temperature. The resulting substrate is then cleaned using an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at about 40°C for about 90 seconds, rinsed with deionized (DI) water at about 40°C for about 90 seconds, and then washed at about 150°C. It was dried in an oven for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.7% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 13.6 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 162 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately +73V.

実施例10:
約220m/gのBET比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約0.2質量%の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラスの主面に塗布した。水性分散液をシートの傾斜によって20秒間水切りし、次に、得られた基板を4%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約50℃で約10分間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約10分間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。基板は、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.7%のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ(AFM Ra)は約0.50ナノメートルであると測定され、P-V値は約17ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約0.2ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-94Vであった。
Example 10:
Boehmite particles having a BET specific surface area of about 220 m 2 /g were combined with water to produce an aqueous dispersion with a solid content of about 0.2% by mass, and then coated with Corning Lotus (about 0.5 mm thick) via a flow coater. Trademark) NXT was applied to the main surface of the glass. The aqueous dispersion was drained by sheet tilting for 20 seconds, and the resulting substrate was then washed with an aqueous solution containing 4% Parker 225X detergent at about 50° C. for about 10 minutes and with deionized (DI) water for about 10 minutes. Rinsed at 40°C for about 10 minutes and then dried in an oven at about 150°C for about 20 minutes. The substrate exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.7% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of the coated major surface was determined to be approximately 0.50 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 17 nanometers. In contrast, the surface roughness of the opposite, uncoated major surface was approximately 0.2 nanometers. The ESC measured between the coated major surface and the lift test apparatus was approximately -94V.

比較例:
厚さ約0.5ミリメートルのCorning Lotus(商標)NXTガラス1%のParker225X洗剤を含む水溶液を用いて約40℃で約20分間洗浄し、脱イオン(DI)水で約40℃で約20分間すすぎ、次に、約150℃のオーブン内で約20分間、乾燥させた。ガラスは、約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲において、約91.8%のその主面間の全光透過率を示した。両主面の表面粗さ(AFM Ra)は約0.2ナノメートルであると測定され、P-V値は約16ナノメートルであると測定された。ガラスの主面とリフト試験装置との間で測定されたESCは約-350Vであった。
Comparative example:
Corning Lotus(TM) NXT glass approximately 0.5 mm thick cleaned with an aqueous solution containing 1% Parker 225X detergent at approximately 40°C for approximately 20 minutes and deionized (DI) water at approximately 40°C for approximately 20 minutes. Rinsed and then dried in an oven at about 150° C. for about 20 minutes. The glass exhibited a total light transmission between its major surfaces of about 91.8% in the wavelength range between about 400 nanometers and about 850 nanometers. The surface roughness (AFM Ra) of both major surfaces was determined to be approximately 0.2 nanometers, and the PV value was determined to be approximately 16 nanometers. The ESC measured between the main surface of the glass and the lift test apparatus was approximately -350V.

本明細書に開示される実施形態は、ガラス基板の表面電位を大幅に低下させることができ、その結果、ガラス基板のA側表面に堆積されたTFTデバイスへのゲート損傷の低減、ガラス基板のB側表面における粒子及び破片の低減、FPDデバイス製造の歩留まりの増加、並びにガラス基板の取り扱い及び/又は搬送装置の耐用年数の増加を可能にすることができる。 Embodiments disclosed herein can significantly reduce the surface potential of a glass substrate, resulting in reduced gate damage to TFT devices deposited on the A-side surface of the glass substrate, It may be possible to reduce particles and debris on the B-side surface, increase the yield of FPD device manufacturing, and increase the useful life of glass substrate handling and/or transport equipment.

本明細書に開示される実施形態には、本明細書に開示される基板のいずれかを含む電子デバイスも含まれる。 Embodiments disclosed herein also include electronic devices that include any of the substrates disclosed herein.

上記の実施形態は、フュージョンダウンドロープロセスを参照して説明されているが、このような実施形態は、フロートプロセス、スロットドロープロセス、アップドロープロセス、チューブドロープロセス、及びプレス圧延プロセスなどの他のガラス成形プロセスにも適用可能であるものと理解されたい。 Although the above embodiments are described with reference to a fusion downdraw process, such embodiments may be used with other processes such as float processes, slot draw processes, updraw processes, tube draw processes, and press rolling processes. It should be understood that it is also applicable to glass forming processes.

本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示の実施形態に対してさまざまな修正及び変形がなされうることは、当業者にとって明白であろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内に入ることを条件として、そのような修正及び変形にも及ぶことが意図されている。 It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the embodiments of the present disclosure without departing from the spirit and scope of the disclosure. Accordingly, it is intended that this disclosure cover such modifications and variations provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。 Preferred embodiments of the present invention will be described below.

実施形態1
基板であって、
第1の主面、及び前記第1の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第2の主面、並びに
ガラスシート、及び前記ガラスシートと前記第2の主面との間に延在する堆積層
を含み、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の前記基板の前記第2の主面の表面粗さを与える、
基板。
Embodiment 1
A substrate,
a first main surface, an opposite second main surface extending in a direction substantially parallel to the first main surface, a glass sheet, and a connection between the glass sheet and the second main surface; a deposited layer extending therebetween, the deposited layer comprising inorganic particles and providing a surface roughness of the second major surface of the substrate in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers;
substrate.

実施形態2
前記第1の主面が約0.5ナノメートル未満の表面粗さを有する、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 2
The substrate of embodiment 1, wherein the first major surface has a surface roughness of less than about 0.5 nanometers.

実施形態3
前記無機粒子が、1gあたり少なくとも約100平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー(BET)比表面積を含む、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 3
2. The substrate of embodiment 1, wherein the inorganic particles have a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of at least about 100 square meters per gram.

実施形態4
前記無機粒子が、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び/又はコロイド状シリカのうちの少なくとも1つを含む、実施形態3に記載の基板。
Embodiment 4
4. The substrate of embodiment 3, wherein the inorganic particles include at least one of aluminum oxide, aluminum hydroxide, and/or colloidal silica.

実施形態5
約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲における前記第1の主面と前記第2の主面との間の厚さ0.5ミリメートルあたりの全光線透過率が、少なくとも約90%である、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 5
The total light transmittance per 0.5 mm thickness between the first major surface and the second major surface in a wavelength range of about 400 nanometers to about 850 nanometers is at least about 90%. The substrate according to Embodiment 1, which is.

実施形態6
前記第2の主面の静電電荷(ESC)の絶対値が約200ボルト(V)未満である、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 6
2. The substrate of embodiment 1, wherein the second major surface has an absolute electrostatic charge (ESC) of less than about 200 volts (V).

実施形態7
前記第1の主面と前記第2の主面との間の基板厚さが、約0.1ミリメートルから約1ミリメートルの間である、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 7
2. The substrate of embodiment 1, wherein the substrate thickness between the first major surface and the second major surface is between about 0.1 mm and about 1 mm.

実施形態8
前記ガラスシートが、58~65質量%のSiO、14~20質量%のAl、8~12質量%のB、1~3質量%のMgO、5~10質量%のCaO、及び0.5~2質量%のSrOを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 8
The glass sheet contains 58-65% by weight of SiO 2 , 14-20% by weight of Al 2 O 3 , 8-12% by weight of B 2 O 3 , 1-3% by weight of MgO, 5-10% by weight of The substrate according to embodiment 1, comprising an alkali-free glass composition containing CaO and 0.5 to 2% by mass of SrO.

実施形態9
前記ガラスシートが、58~65質量%のSiO、16~22質量%のAl、1~5質量%のB、1~4質量%のMgO、2~6質量%のCaO、1~4質量%のSrO、及び5~10質量%のBaOを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 9
The glass sheet contains 58-65% by weight of SiO 2 , 16-22% by weight of Al 2 O 3 , 1-5% by weight of B 2 O 3 , 1-4% by weight of MgO, 2-6% by weight of The substrate of embodiment 1, comprising an alkali-free glass composition comprising CaO, 1-4 wt% SrO, and 5-10 wt% BaO.

実施形態10
前記ガラスシートが、57~61質量%のSiO、17~21質量%のAl、5~8質量%のB、1~5質量%のMgO、3~9質量%のCaO、0~6質量%のSrO、及び0~7質量%のBaOを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 10
The glass sheet contains 57-61% by weight of SiO 2 , 17-21% by weight of Al 2 O 3 , 5-8% by weight of B 2 O 3 , 1-5% by weight of MgO, 3-9% by weight of The substrate of embodiment 1, comprising an alkali-free glass composition comprising CaO, 0-6% by weight SrO, and 0-7% by weight BaO.

実施形態11
前記ガラスシートが、55~72質量%のSiO、12~24質量%のAl、10~18質量%のNaO、0~10質量%のB、0~5質量%のKO、0~5質量%のMgO、及び0~5質量%のCaO、1~5質量%のKO、及び1~5質量%のMgOを含むガラス組成物を含む、実施形態1に記載の基板。
Embodiment 11
The glass sheet contains 55-72% by weight of SiO 2 , 12-24% by weight of Al 2 O 3 , 10-18% by weight of Na 2 O, 0-10% by weight of B 2 O 3 , 0-5% by weight % K 2 O, 0-5% MgO, and 0-5% CaO, 1-5% K 2 O, and 1-5% MgO. The substrate according to Form 1.

実施形態12
実施形態1に記載の基板を含む、電子デバイス。
Embodiment 12
An electronic device comprising the substrate according to embodiment 1.

実施形態13
基板を製造する方法であって、
ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含み、前記堆積層が前記ガラスシートと前記基板の第2の主面との間に延在し、前記ガラスシートが前記堆積層と前記基板の第1の主面との間に延在し、かつ前記第1の主面に対してほぼ平行な方向に延在し、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の前記基板の前記第2の主面の表面粗さを与える、
方法。
Embodiment 13
A method of manufacturing a substrate, the method comprising:
depositing a deposited layer on a glass sheet, the deposited layer extending between the glass sheet and a second major surface of the substrate, and the glass sheet extending between the deposited layer and the first major surface of the substrate. and extends in a direction substantially parallel to the first major surface, the deposited layer includes inorganic particles, and has a diameter of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers. providing a surface roughness of the second major surface of the substrate in the range of meters;
Method.

実施形態14
前記方法が溶融ガラスから前記ガラスシートを形成する工程をさらに含む、実施形態13に記載の方法。
Embodiment 14
14. The method of embodiment 13, wherein the method further comprises forming the glass sheet from molten glass.

実施形態15
前記堆積層が分散液中で前記ガラスシート上に堆積される、実施形態13に記載の方法。
Embodiment 15
14. The method of embodiment 13, wherein the deposited layer is deposited on the glass sheet in a dispersion.

実施形態16
前記分散液が、スピンコーティング、流し塗り、又はスプレーコーティングのうちの少なくとも1つによって前記ガラスシート上に堆積される、実施形態15に記載の方法。
Embodiment 16
16. The method of embodiment 15, wherein the dispersion is deposited on the glass sheet by at least one of spin coating, flow coating, or spray coating.

実施形態17
前記分散液が、前記ガラスシート上に堆積された後に乾燥工程に供される、実施形態15に記載の方法。
Embodiment 17
16. The method of embodiment 15, wherein the dispersion is subjected to a drying step after being deposited on the glass sheet.

実施形態18
前記基板が、前記乾燥工程の後に洗浄工程に供される、実施形態17に記載の方法。
Embodiment 18
18. The method of embodiment 17, wherein the substrate is subjected to a cleaning step after the drying step.

実施形態19
前記無機粒子が、1gあたり少なくとも約100平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー(BET)比表面積を含む、実施形態13に記載の方法。
Embodiment 19
14. The method of embodiment 13, wherein the inorganic particles have a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of at least about 100 square meters per gram.

実施形態20
前記無機粒子が、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び/又はコロイド状シリカのうちの少なくとも1つを含む、実施形態19に記載の方法。
Embodiment 20
20. The method of embodiment 19, wherein the inorganic particles include at least one of aluminum oxide, aluminum hydroxide, and/or colloidal silica.

10 ガラス製造装置
12 ガラス溶融炉
14 溶融容器
16 上流側ガラス製造装置
18 貯蔵ビン
20 原料送達デバイス
22 モータ
24 原料
28 溶融ガラス
30 下流側ガラス製造装置
32 第1の接続導管
34 清澄容器
36 混合容器
38 第2の接続導管
40 送達容器
42 成形体
44 出口導管
46 第3の接続導管
48 成形装置
50 入口導管
54 収束成形面
56 底部エッジ
58 ガラスリボン
62 ガラスシート
62’ 基板前駆体
62” 基板
72 エッジロール
82 プルロール
100 ガラス分離装置
162 第1の主面
164 第2の主面
166 エッジ表面
202 液体分散堆積層
204 堆積層
206 第2の主面
300 分散機
400 リフト試験装置
402 静電気力顕微鏡(ESFM)
404 陽極酸化アルミニウムテーブル
406 真空
408a,408b,408c リフトピン
410 イオン発生器
10 glass manufacturing equipment 12 glass melting furnace 14 melting vessel 16 upstream glass manufacturing equipment 18 storage bin 20 raw material delivery device 22 motor 24 raw material 28 molten glass 30 downstream glass manufacturing equipment 32 first connecting conduit 34 fining vessel 36 mixing vessel 38 Second connecting conduit 40 Delivery container 42 Formed body 44 Outlet conduit 46 Third connecting conduit 48 Forming device 50 Inlet conduit 54 Convergent forming surface 56 Bottom edge 58 Glass ribbon 62 Glass sheet 62' Substrate precursor 62'' Substrate 72 Edge roll 82 pull roll 100 glass separation device 162 first main surface 164 second main surface 166 edge surface 202 liquid dispersed deposited layer 204 deposited layer 206 second main surface 300 disperser 400 lift test device 402 electrostatic force microscope (ESFM)
404 Anodized aluminum table 406 Vacuum 408a, 408b, 408c Lift pin 410 Ion generator

Claims (13)

基板であって、
第1の主面、及び前記第1の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第2の主面、並びに
ガラスシート、及び前記ガラスシートと前記第2の主面との間に延在する堆積層
を含み、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の前記基板の前記第2の主面の表面粗さを与える、
基板。
A substrate,
a first main surface, an opposite second main surface extending in a direction substantially parallel to the first main surface, a glass sheet, and a connection between the glass sheet and the second main surface; a deposited layer extending therebetween, the deposited layer comprising inorganic particles and providing a surface roughness of the second major surface of the substrate in the range of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers;
substrate.
前記第1の主面が約0.5ナノメートル未満の表面粗さを有する、請求項1に記載の基板。 The substrate of claim 1, wherein the first major surface has a surface roughness of less than about 0.5 nanometers. 前記無機粒子が、1gあたり少なくとも約100平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー(BET)比表面積を含む、請求項1に記載の基板。 2. The substrate of claim 1, wherein the inorganic particles have a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of at least about 100 square meters per gram. 約400ナノメートルから約850ナノメートルの間の波長範囲における前記第1の主面と前記第2の主面との間の厚さ0.5ミリメートルあたりの全光線透過率が、少なくとも約90%である、請求項1に記載の基板。 The total light transmittance per 0.5 mm thickness between the first major surface and the second major surface in a wavelength range of about 400 nanometers to about 850 nanometers is at least about 90%. The substrate according to claim 1. 前記第2の主面の静電電荷(ESC)の絶対値が約200ボルト(V)未満である、請求項1に記載の基板。 2. The substrate of claim 1, wherein the second major surface has an absolute electrostatic charge (ESC) of less than about 200 volts (V). 前記第1の主面と前記第2の主面との間の基板厚さが、約0.1ミリメートルから約1ミリメートルの間である、請求項1に記載の基板。 2. The substrate of claim 1, wherein the substrate thickness between the first major surface and the second major surface is between about 0.1 millimeter and about 1 millimeter. 請求項1から6のいずれか一項に記載の基板を含む、電子デバイス。 An electronic device comprising the substrate according to any one of claims 1 to 6. 基板を製造する方法であって、
ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含み、前記堆積層が前記ガラスシートと前記基板の第2の主面との間に延在し、前記ガラスシートが前記堆積層と前記基板の第1の主面との間に延在し、かつ前記第1の主面に対してほぼ平行な方向に延在し、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約0.4ナノメートルから約50ナノメートルの範囲の前記基板の前記第2の主面の表面粗さを与える、
方法。
A method of manufacturing a substrate, the method comprising:
depositing a deposited layer on a glass sheet, the deposited layer extending between the glass sheet and a second major surface of the substrate, and the glass sheet extending between the deposited layer and the first major surface of the substrate. and extends in a direction substantially parallel to the first major surface, the deposited layer includes inorganic particles, and has a diameter of about 0.4 nanometers to about 50 nanometers. providing a surface roughness of the second major surface of the substrate in the range of meters;
Method.
前記方法が、溶融ガラスから前記ガラスシートを形成する工程をさらに含む、請求項8に記載の方法。 9. The method of claim 8, wherein the method further comprises forming the glass sheet from molten glass. 前記堆積層が、分散液中で前記ガラスシート上に堆積される、請求項8に記載の方法。 9. The method of claim 8, wherein the deposited layer is deposited on the glass sheet in a dispersion. 前記分散液が、前記ガラスシート上に堆積された後に乾燥工程に供される、請求項10に記載の方法。 11. The method of claim 10, wherein the dispersion is subjected to a drying step after being deposited on the glass sheet. 前記基板が、前記乾燥工程の後に洗浄工程に供される、請求項11に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the substrate is subjected to a cleaning step after the drying step. 前記無機粒子が、1gあたり少なくとも約100平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー(BET)比表面積を含む、請求項8に記載の方法。 9. The method of claim 8, wherein the inorganic particles have a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of at least about 100 square meters per gram.
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