JP2023548230A

JP2023548230A - 液晶アセンブリの製造

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Publication number: JP2023548230A
Application number: JP2023527398A
Authority: JP
Inventors: ウィーラーメイ; リーヴスウィリアム
Original assignee: フレックスエネーブルテクノロジーリミティッド
Priority date: 2020-11-02
Filing date: 2021-11-02
Publication date: 2023-11-15
Also published as: TW202235971A; US20230400736A1; GB202308227D0; GB2615963A; WO2022090574A1; CN116368426A; GB202017360D0

Abstract

アセンブリの１つ以上の部分を恒久的に延伸させる後プロセスの準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、横方向バリアによって横方向に境界付けられた領域内に、ある量の液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記後延伸プロセスの１つ以上のパラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記ＬＣ材料の量を決定することを含む、技術。【選択図】図１

Description

本出願は、アセンブリの１つ以上の部分を恒久的に延伸して、例えばアセンブリに湾曲プロファイルを作成する準備として液晶（ＬＣ）アセンブリを製造することに関する。

本出願の発明者らは、後にＬＣアセンブリを、ＬＣアセンブリの１つ以上の部分を恒久的に延伸して、例えばＬＣアセンブリに湾曲プロファイルを作成することを伴うプロセスに供する準備として、ＬＣアセンブリの製造に取り組んでいる。図１４及び図１５を参照すると、本発明者らは、後にＬＣアセンブリの１つ以上の部分を恒久的に延伸して、例えばＬＣアセンブリに湾曲プロファイルを作成するときに、活性領域における光学的欠陥の発生に対してより良好に耐性があるＬＣアセンブリを製造するという問題を特定した。

本発明によって、アセンブリの１つ以上の部分を恒久的に延伸させる後プロセスの準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、横方向バリアによって横方向に境界付けられた領域内に、ある量の液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記後延伸プロセスの１つ以上のパラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記ＬＣ材料の量を決定することを含む、方法が提供される。

前記１つ以上のパラメータは、前記延伸プロセスによって引き起こされる前記領域の面積の変化を含むことができる。

前記延伸プロセスは、前記アセンブリの１つ以上の支持フィルムのガラス転移温度より高い成形温度まで前記アセンブリを加熱することと、前記成形温度で前記アセンブリを成形して、前記アセンブリの１つ以上の部分を延伸させることと、次いで、前記成形されたアセンブリを冷却することとを含むことができる。

前記アセンブリを成形することは、前記アセンブリに湾曲プロファイルを作成することを含むことができる。

前記アセンブリは、前記アセンブリの２つの構成要素の間に前記液晶材料のための１つ以上の空間を画定するスペーサを備え、前記延伸プロセスの前記１つ以上のパラメータは、前記延伸プロセスによって引き起こされる前記スペーサの１つ以上の寸法の変化を含むことができる。

前記スペーサの前記１つ以上の寸法は、前記スペーサの総断面積及び前記スペーサの高さを含むことができる。

前記スペーサは、前記アセンブリの前記２つの構成要素の一方又は両方と一体化した部分を形成するスペーサのアレイを備えることができる。

前記延伸プロセスの前記１つ以上のパラメータは、前記延伸プロセスによって引き起こされる前記アセンブリの１つ以上の局所圧縮から生じる体積減少を含むことができる。

本明細書によってさらに、アセンブリの第１の領域に曲率の変化を含む湾曲プロファイルを前記アセンブリ内に作成する準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、バリアによって境界付けられた領域内に、前記アセンブリの２つの半体の間に収容された液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記バリアを前記アセンブリの前記第１の領域に配置することを伴う、方法が提供される。

前記曲率の変化は曲率反転を含むことができる。

前記曲率の変化は、前記第１の領域の内側のより低い曲率から前記第１の領域の外側のより高い曲率への変化を含むことができる。

前記アセンブリ内に前記湾曲プロファイルを作成することは、前記アセンブリの二軸歪みを含み、前記第１の領域は前記アセンブリの内側領域を境界付けることができる。

前記バリアは、前記アセンブリの前記２つの半体を互いに接合する接着剤を含むことができる。

前記バリアは、前記アセンブリの前記半体の一方の一部を形成するスペーサ層によって画定され、前記スペーサ層はまた、スペーサカラムのアレイを画定することができる。

前記アセンブリの前記半体は、前記バリアの外側に配置された接着剤によって互いに接合されることができる。

本明細書によってさらに、アセンブリの第１の領域に曲率の変化を含む湾曲プロファイルを前記アセンブリ内に作成する準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、前記アセンブリの２つの半体の間に収容された液晶材料を含み、前記アセンブリの前記半体の少なくとも一方は、前記アセンブリの少なくとも活性領域にスペーサカラムを画定し、前記アセンブリを製造することは、前記湾曲プロファイルを作成するときに前記活性領域にわたって前記アセンブリに加えられる圧力の変動に従って、前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの構成を変動させることを伴う、方法が提供される。

前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの構成を変動させることは、前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの開始高さを変動させることを含むことができる。

前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの構成を変動させることは、前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの面積密度を変動させることを含むことができる。

前記活性領域にわたってスペーサカラムの前記面積密度を変動させることは、単位面積当たりのスペーサカラムの数を変動させることを含むことができる。

前記活性領域にわたってスペーサカラムの前記面積密度を変動させることは、個々のスペーサカラムの断面積を変動させることを含むことができる。

本明細書によってさらに、曲率の変化を含む湾曲プロファイルをアセンブリ内に作成する準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、バリアによって境界付けられた領域内に、前記アセンブリの２つの半体の間に収容された液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記アセンブリ内に前記湾曲プロファイルを作成するときに前記バリアによって境界付けられた領域にわたる前記アセンブリの圧縮度の変動を少なくとも考慮に入れて、前記バリア内の前記アセンブリの前記２つの半体の間に収容された前記ＬＣ材料の量を決定することを伴う、方法が提供される。

本発明の実施形態は、添付の図面を参照して、単なる例として以下で詳細に記載される。

図１は、一実施形態による技術例を示す。図２は、図１の技術の変形例を示す。図３は、図１の技術の別の変形例を示す。図４は、別の実施形態に従って製造されたＬＣアセンブリにおいて湾曲プロファイルを形成する例を示す。図５は、図４で使用されるモールドの湾曲部の断面図である。図６は、図４で使用されるモールドの斜視図である。図７は、ＬＣ材料を横方向に収容するためのバリアとしてスペーサリングを使用する、図４に示す技術の変形を示す。図８は、別の実施形態に従って製造されたＬＣアセンブリにおいて湾曲プロファイルを形成する例を示す。図９は、図８の技術における様々なスペーサ構成の異なる例を示す。図１０は、図８の技術における様々なスペーサ構成の異なる例を示す。図１１は、図８の技術における様々なスペーサ構成の異なる例を示す。図１２は、図８の技術における様々なスペーサ構成の異なる例を示す。図１３は、図８の技術における様々なスペーサ構成の異なる例を示す。図１４は、ＬＣ中間アセンブリに湾曲プロファイルを作成するための形成技術を示す。図１５は、本出願の発明者らによって考案された変更を一切伴わない、図１４の形成技術に従って形成された湾曲プロファイルＬＣアセンブリの交差偏光子を通る画像である。

最初に、第１の発明の実施形態によるＬＣ中間体アセンブリの製造プロセスを説明するために使用される熱成形プロセスの例を記載する。しかしながら、ＬＣ中間アセンブリの製造プロセスは、ＬＣアセンブリの１つ以上の部分を延伸して、例えば、ＬＣ中間アセンブリに恒久湾曲プロファイルを作成する他の方法にも適用可能である。

図１４を参照すると、ＬＣ中間アセンブリにおいて恒久湾曲プロファイルを作成するための延伸プロセスの一例は、熱成形装置／治具を使用する。この例では、ＬＣ中間アセンブリは、下側プラスチックフィルム構成要素３０及び上側プラスチックフィルム構成要素２０と、２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０の間に収容されたＬＣ材料５０とを備える。２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０は、ＬＣ中間アセンブリの周囲で接着フレーム４０によって互いに接合される。接着フレーム４０は、ＬＣ材料５０の横方向の広がりを制限するシーラントバリア（ｓｅａｌａｎｔｂａｒｒｉｅｒ）としても機能する。各プラスチックフィルム構成要素２０、３０は、熱成形可能なプラスチック支持フィルムを含む。この例では、プラスチックフィルム構成要素はまた、それぞれ、プラスチック支持フィルム上にｉｎｓｉｔｕで形成された導体層（例えば、無機金属層）、及びプラスチック支持フィルム上で導体層にわたってｉｎｓｉｔｕで形成されたＬＣ配向層も含む。導体層は、２つの導体層の間の電圧の印加を容易にするためにＬＣ中間アセンブリの縁部で露出している。ＬＣ配向層は、ＬＣ材料５０の両側の２つの導体層の間の電圧の印加によってＬＣ材料内に生成されるオーバーライド（ｏｖｅｒ－ｒｉｄｉｎｇ）電界の不在下で、ＬＣ材料の分子配向（ＬＣダイレクタ）を決定する。したがって、２つの導体層の間の電圧を変化させることを使用して、ＬＣ材料の分子配向を制御し、それによってＬＣ材料の１つ以上の光学特性を制御することができる。この例では、ＬＣ中間アセンブリは、それに沿って両方のプラスチックフィルム構成要素の導体層が活性領域全体にわたって延在する比較的単純な構造のものであり、活性領域全体の１つ以上の光学特性は、１つの電気入力によって制御可能である。しかしながら、この技術は、より複雑なＬＣ中間アセンブリにも等しく適用可能である。プラスチックフィルム構成要素２０、３０の一方又は両方はまた、活性領域にスペーサカラム（ｓｐａｃｅｒｃｏｌｕｍｎ）のアレイを画定してもよい。

プラスチックフィルム構成要素の一方又は両方は、例えば、ポラライザ／波長板フィルム、反射防止フィルム、ハードコーティング、機械的裏打ちのうちの１つ以上を含む追加の要素を備えることができる。

ＬＣ中間アセンブリは、ベースプレート４上に支持された形成プレート／モールド１２の上に設置される。次いで、熱成形装置のトップカバーがベースプレート４に取り付けられ、クランプ締めされる。トップカバーは、形成プレート／モールド１２を完全に囲み、シリコーンシール８を介してベースプレート４とインターフェースで接続する、下方に延在する壁６を支持するトッププレート２を備える。トッププレート２はまた、トッププレート２の底面において、シリコーンダイヤフラム（ｓｉｌｉｃｏｎｅｄｉａｐｈｒａｇｍ）１０を支持する。熱成形装置全体（内部にＬＣ中間アセンブリを有する）をオーブンに入れる。オーブンは、オーブン内で測定／監視される温度が設定点温度（ＬＣ中間アセンブリのプラスチック支持フィルムのガラス転移温度より高い）に維持されるように制御される。オーブンがこの温度にあるとき、加圧ガス（例えば、空気又は窒素）が、入口１４を介してトッププレート２の底面と膨張可能なシリコーンダイヤフラム１０との間に制御可能に導入され、シリコーンダイヤフラムが（シリコーンダイヤフラム１０の膨張下で）ＬＣ中間アセンブリに加える圧力を上昇させる。シリコーンダイヤフラム１０によって加えられる圧力下で、ＬＣ中間アセンブリ（ＬＣ中間アセンブリのプラスチック支持フィルムのガラス転移温度より高い温度にある）は、モールド１２のプロファイルの形を取る。所定のプロセス時間の後、オーブンは、オーブン内の温度をより低い温度（ＬＣ中間アセンブリのプラスチック支持フィルムのガラス転移温度未満）に下げるように制御される。次いで、トッププレート２とシリコーンダイヤフラム１０との間の加圧ガスを制御可能に放出して、シリコーンダイヤフラム１０の両側の圧力を徐々に等しくし、したがって、シリコーンダイヤフラム１０がＬＣ中間アセンブリに加える圧力を下げる。ＬＣ中間アセンブリは、しわなしでモールド１２のプロファイルを保持する。

図５及び図６を参照すると、この例で使用されるモールド１２は、均一な曲率を有する二軸湾曲中央領域Ｂと、外側平坦領域Ｃと、領域Ｂと領域Ｃとを連結する二軸湾曲遷移領域Ａとを含むプロファイルを有する。領域Ｂのプロファイルは、球体シェルの一部のプロファイルである。遷移領域Ａは、領域Ｂと平坦領域Ｃとの間の遷移を管理し、鋭い曲率半径を回避するように設計されている。

遷移領域Ａは、（ｉ）領域Ｂの曲率とは反対の方向にあり、（ｉｉ）領域Ｂの曲率よりも高い曲率を有する均一な曲率を有する。ここでの曲率は、曲率半径の逆数を指す。この例では、領域Ｂの曲率半径は、領域Ａの曲率半径の約３倍である。領域Ａと領域Ｂとの間の結合部で曲率反転１００が生じる。

図１５の画像を参照すると、本出願の発明者らは、活性領域に光学的欠陥を生じさせることなく、単一の曲げ軸の周りに強制的に曲げることができる可撓性プラスチックＬＣデバイスの製造に使用された方法に従ってＬＣ中間アセンブリが製造される場合、熱成形プロセスが光学的欠陥をもたらし得ることを見出した。図１５の画像は、交差偏光子間の熱成形ＬＣ中間体アセンブリの画像である。黄色着色２００はＬＣ材料の厚さが過剰であることを示し、青色着色３００はＬＣ材料の厚さが不十分であることを示す。

図１は、本発明の第１の実施形態による技術を示す。

この第１の例示的実施形態によれば、上述のＬＣ中間アセンブリを製造するプロセスは、熱成形プロセスの１つ以上のパラメータに少なくとも部分的に基づいてＬＣ中間アセンブリのためのＬＣ材料５０の量を決定することによって変更される。

この第１の例示的実施形態では、熱成形プロセスの１つ以上のパラメータは、熱成形プロセスによって引き起こされる、ＬＣ材料の横方向の広がりを防止する接着剤／シーラントフレームバリア（ｓｅａｌａｎｔｆｒａｍｅｂａｒｒｉｅｒ）４０によって境界付けられた領域の面積の変化を含む。以下の記載では、この領域の面積をセル面積と称する。ＬＣ材料の体積は、以下の式に従って決定される。
式（１）：使用されるＬＣ材料の体積＝（中間セル面積）×（熱成形プロセスによって引き起こされるセル面積の変化％）－（セル面積内のスペーサの総体積）

中間セル面積は、熱成形プロセス前のセル面積のサイズである。

アセンブリを構成する２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０の間でセル面積の変化が異なる熱成形プロセスの場合、上記の式（１）におけるセル面積の変化は、２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０のセル面積の変化の平均である。

熱成形プロセスによって引き起こされるセル面積の変化は、例えば、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）シミュレーションから、及び／又は製造プロセスのセットアップ段階中の実験試験によって計算することができる。

スペーサが、２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０のうちの１つ以上と一体化した部分を形成するスペーサカラムを含む例については、セル領域内の総スペーサ体積は、（平均スペーサカラム高さ）×（単一スペーサカラムの平均断面積）×（セル領域内のスペーサカラムの数）である。

共通の大面積プラスチックシート（マザーパネル（ｍｏｔｈｅｒｐａｎｅｌｓ））から一連の中間ＬＣアセンブリ又は中間ＬＣアセンブリのアレイを一緒に大量生産するいくつかの技術は、マザーパネルの比較的大きな面積にわたってスペーサカラム寸法（スペーサカラム高さ及び／又はスペーサカラム断面積）にいくらかの変動をもたらす可能性があり、大面積マザーパネルから製造されたセットのうちの１つのＬＣ中間アセンブリの平均スペーサカラム寸法は、同じ大面積マザーパネルから製造された同じセットの別のＬＣ中間アセンブリの平均スペーサカラム寸法と異なっていてもよい。これらの差は、同じ大面積マザーパネルから製造されたアセンブリのセット中のそれぞれのＬＣ中間アセンブリが占める位置に従って、セル面積内のスペーサの総体積に対するそれぞれの値を使用することによって、上記の式（１）において考慮することができる。

上述の例では、熱成形プロセスによって引き起こされる延伸は、セル領域内の総スペーサ体積を変化させないか、又は熱成形プロセスによって引き起こされる総スペーサ体積の任意の変化は無視することができると仮定する。

図２に示す技術の一変形例によれば、式（１）は、熱成形プロセスによって引き起こされる延伸から生じる（平均スペーサカラム高さの変化及び／又は平均スペーサカラム断面積の変化に起因する）総スペーサ体積のパーセンテージ変化をさらに考慮するように変形される。
式（１Ａ）：使用されるＬＣ材料の体積＝（中間セル面積）×（熱成形プロセスによって引き起こされるセル面積の変化％）－［（セル面積内のスペーサの総体積）×（熱成形プロセスによって引き起こされる延伸から生じるスペーサ体積の変化％）］

いくつかの熱成形プロセスは、１つ以上の領域におけるスペーサカラムの局所圧縮を伴うことができる。図３に示すように、ＬＣ材料５０の量を決定する際に、熱成形プロセスによって引き起こされる局所圧縮から生じる体積減少を考慮に入れることができる。

式（１）は、以下のように変形することができる。
式（１Ｂ）：使用されるＬＣ材料の体積＝（中間セル面積）×（熱成形プロセスによって引き起こされるセル面積の変化％）－（セル面積内のスペーサの総体積）－（熱成形プロセスによって引き起こされる局所セル圧縮から生じる体積減少の合計）

局所セル圧縮は、例えば、熱成形プロセスによって作成されたプロファイルの遷移領域で起こる可能性がある。遷移領域は、プロファイルの曲率半径の変化を特徴とすることができる。遷移領域における体積減少のサイズは、例えば、スペーサカラムの圧縮性、熱成形プロセス中にアセンブリが受ける圧力の大きさ、及び遷移領域における曲率半径の変化の鋭さに依存する可能性がある。

熱成形プロセスによって引き起こされる局所セル圧縮から生じる体積減少の合計は、例えば、製造プロセスのセットアップ段階中の実験的試験によって決定することができる。図４は、ＬＣ中間体アセンブリに湾曲プロファイルを作成する準備として、本発明の別の実施形態によるＬＣ中間体アセンブリを製造するための技術を示す。図４を参照すると、（後の熱成形の準備としての）ＬＣ中間アセンブリの製造は、領域Ａと領域Ｂとの間の曲率反転領域１００に接着フレーム４０の横方向内縁（ＬＣ材料の横方向の広がりを制限するように機能する）を配置することを伴う。ＬＣ中間体アセンブリのこの製造方法は、熱成形後のＬＣ中間体アセンブリの活性領域における光学的欠陥の発生を回避するのに有効であることが見出された。

図７に示される一変形例によれば、スペーサ材料の閉リング７０が、ＬＣ材料の横方向の広がりを制限するためのバリアとして代わりに使用され、スペーサ材料の閉リング７０は、領域Ａと領域Ｂとの間の曲率反転領域１００内に配置される。閉リング７０は、プラスチック支持フィルムの一方の上にｉｎｓｉｔｕで形成されたスペーサ材料のパターン化層によって画定される。スペーサ材料のパターン化層はまた、ＬＣ中間アセンブリの活性領域内にスペーサカラム６０（これは、例えば、正方形、長方形、又は円形の断面を有し得る）のアレイを画定する。スペーサカラム６０のこのアレイは、ＬＣ中間アセンブリの活性領域にわたってＬＣ材料の均一な厚さを確保するのに役立つ。２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０を互いに接合するために使用されるセル接着剤４０は、スペーサリング（ｓｐａｃｅｒｒｉｎｇ）７０のすぐ横方向外側に配置されてもよい。

図８～図１３は、第２の実施形態によるＬＣ中間体アセンブリを製造する技術を示す。この第２の実施形態では、ＬＣ材料の横方向の広がりを制限するバリア（例えば、セル接着剤４０）は、高曲率領域Ａの外側に配置され、領域Ｂ及び領域Ａにわたって延在するスペーサカラム６０のアレイは、熱成形中にＬＣ中間アセンブリに加えられる圧力の活性領域にわたる変動を補償するように構成されている。図９～図１３は、スペーサカラム６０のアレイを構成するための異なる例を示す。図９～図１３の各々は、２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０を互いに接合するプロセスの結果、又は後の熱成形プロセスの結果のいずれかとして、スペーサ材料層をパターン化してスペーサカラム６０を画定した直後のスペーサカラム６０の構成、及びスペーサカラム６０を圧縮する前のスペーサカラム６０の構成を示す。

図９の例では、スペーサカラム６０の開始高さは、熱成形プロセス中に加えられる局所圧力の予測量に比例して曲率反転領域１００にわたって徐々に変動する。

図１０の例では、低曲率領域Ｂのスペーサカラム６０はすべて、実質的に同じ開始高さを有し、高曲率領域Ａのすべてのスペーサカラム６０は、実質的に同じ開始高さを有するが、高曲率領域Ａのスペーサの開始高さは、熱成形プロセス中に高曲率領域Ａに加えられるより高い圧力を補償するために（スペーサカラム６０の圧縮性を考慮して）計算される量だけ、低曲率領域Ｂのスペーサカラム６０の開始高さよりも大きい。

図１１の例は、スペーサカラム６０が両方のプラスチックフィルム構成要素２０、３０によって画定される図１０の例の変形である。より高いスペーサカラム６０はすべて、２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０の一方によって画定され、より短いスペーサカラム６０はすべて、２つのプラスチックフィルム構成要素２０、３０の他方によって画定される。

図１２の例では、スペーサカラム６０のすべてが同じ開始高さ及び断面サイズ（直径）を有するが、スペーサカラム密度は、熱成形プロセス中に領域Ａ及び領域Ｂに加えられる圧力の変動に従って、単位面積当たりのスペーサカラム６０の数を変動させることによって（すなわち、スペーサカラムピッチを変動させることによって）、曲率反転領域１００にわたって領域Ｂと領域Ａとの間で変動する。単位面積当たりのスペーサカラム６０の数は、高曲率領域Ａの方が低曲率領域Ｂよりも多い。単位面積当たりのスペーサカラムの変化は、曲率反転領域１００にわたって徐々に行われてもよい。

図１３の例では、スペーサカラム６０のすべてが同じ開始高さを有し、スペーサカラムピッチは領域Ａ及び領域Ｂの両方で同じであるが、代わりに、熱成形プロセス中に領域Ａ及び領域Ｂに加えられる圧力の変動に従って、曲率反転領域１００にわたる領域Ａと領域Ｂとの間の個々のスペーサカラムの断面サイズ（直径）を変動させることによって、曲率反転領域１００にわたる領域Ｂと領域Ａとの間でスペーサカラム密度が変動する。個々のスペーサカラムの断面サイズは、高曲率領域Ａの方が低曲率領域Ｂよりも大きい。個々のカラムスペーサ断面積の変化は、曲率反転領域１００にわたって徐々に行われてもよい。

ＬＣ中間アセンブリに湾曲プロファイルを作成する準備としてＬＣ中間アセンブリを作成するための別の技術によれば、ＬＣ材料の横方向の広がりを制限するバリア内の２つのプラスチックフィルム構成要素１００の間に収容されたＬＣ材料の総量は、ＬＣ中間アセンブリに湾曲プロファイルを作成する後プロセス中にＬＣ中間アセンブリに加えられる圧力の（ＬＣ中間アセンブリの活性領域にわたる）変動を少なくとも考慮に入れるように調整される。ＬＣ材料の総量を減少させることにより、ＬＣ中間体アセンブリの活性領域の一部にＬＣ材料の過剰なプールを引き起こすＬＣ中間体アセンブリに加えられる圧力の変動をより良好に防止することができる。ＬＣ材料の量の決定はまた、例えば湾曲プロファイルを作成するときのアセンブリの延伸などの追加の要因を考慮に入れることができる。

上記で明示的に言及された任意の変更に加えて、記載された実施形態の様々な他の変更が本発明の範囲内で行われ得ることは当業者には明らかであろう。

本出願人は、本明細書に記載された個々の特徴を単独で、及び２つ以上のそのような特徴の任意の組み合わせを、当業者の共通の一般知識に照らしてそのような特徴又は組み合わせが全体として本明細書に基づいて実行することができる範囲で、そのような特徴又は特徴の組み合わせが本明細書に開示された問題を解決するかどうかにかかわらず、かつ特許請求の範囲に限定せずに開示する。本出願人は、本発明の態様が、任意のそのような個々の特徴又は特徴の組み合わせからなり得ることを示す。

Claims

アセンブリの１つ以上の部分を恒久的に延伸させる後プロセスの準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、横方向バリアによって横方向に境界付けられた領域内に、ある量の液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記後延伸プロセスの１つ以上のパラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記ＬＣ材料の量を決定することを含む、方法。
前記１つ以上のパラメータは、前記延伸プロセスによって引き起こされる前記領域の面積の変化を含む、請求項１に記載の方法。
前記延伸プロセスは、前記アセンブリの１つ以上の支持フィルムのガラス転移温度より高い成形温度まで前記アセンブリを加熱することと、前記成形温度で前記アセンブリを成形して、前記アセンブリの１つ以上の部分を延伸させることと、次いで、前記成形されたアセンブリを冷却することとを含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
前記アセンブリを成形することは、前記アセンブリに湾曲プロファイルを作成することを含む、請求項３に記載の方法。
前記アセンブリは、前記アセンブリの２つの構成要素の間に前記液晶材料のための１つ以上の空間を画定するスペーサを備え、前記延伸プロセスの前記１つ以上のパラメータは、前記延伸プロセスによって引き起こされる前記スペーサの１つ以上の寸法の変化を含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
前記スペーサの前記１つ以上の寸法は、前記スペーサの総断面積及び前記スペーサの高さを含む、請求項５に記載の方法。
前記スペーサは、前記アセンブリの前記２つの構成要素の一方又は両方と一体化した部分を形成するスペーサのアレイを備える、請求項５又は請求項６に記載の方法。
前記延伸プロセスの前記１つ以上のパラメータは、前記延伸プロセスによって引き起こされる前記アセンブリの１つ以上の局所圧縮から生じる体積減少を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
アセンブリの第１の領域に曲率の変化を含む湾曲プロファイルを前記アセンブリ内に作成する準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、バリアによって境界付けられた領域内に、前記アセンブリの２つの半体の間に収容された液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記バリアを前記アセンブリの前記第１の領域に配置することを伴う、方法。
前記曲率の変化は曲率反転を含む、請求項９に記載の方法。
前記曲率の変化は、前記第１の領域の内側のより低い曲率から前記第１の領域の外側のより高い曲率への変化を含む、請求項９又は請求項１０に記載の方法。
前記アセンブリ内に前記湾曲プロファイルを作成することは、前記アセンブリの二軸歪みを含み、前記第１の領域は前記アセンブリの内側領域を境界付ける、請求項９から１１のいずれかに記載の方法。
前記バリアは、前記アセンブリの前記２つの半体を互いに接合する接着剤を含む、請求項９から１２のいずれかに記載の方法。
前記バリアは、前記アセンブリの前記半体の一方の一部を形成するスペーサ層によって画定され、前記スペーサ層はまた、スペーサカラムのアレイを画定する、請求項９から１２のいずれかに記載の方法。
前記アセンブリの前記半体は、前記バリアの外側に配置された接着剤によって互いに接合される、請求項１４に記載の方法。
アセンブリの第１の領域に曲率の変化を含む湾曲プロファイルを前記アセンブリ内に作成する準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、前記アセンブリの２つの半体の間に収容された液晶材料を含み、前記アセンブリの前記半体の少なくとも一方は、前記アセンブリの少なくとも活性領域にスペーサカラムを画定し、前記アセンブリを製造することは、前記湾曲プロファイルを作成するときに前記活性領域にわたって前記アセンブリに加えられる圧力の変動に従って、前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの構成を変動させることを伴う、方法。
前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの構成を変動させることは、前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの開始高さを変動させることを含む、請求項１６に記載の方法。
前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの構成を変動させることは、前記活性領域にわたって前記スペーサカラムの面積密度を変動させることを含む、請求項１６に記載の方法。
前記活性領域にわたってスペーサカラムの前記面積密度を変動させることは、単位面積当たりのスペーサカラムの数を変動させることを含む、請求項１８に記載の方法。
前記活性領域にわたってスペーサカラムの前記面積密度を変動させることは、個々のスペーサカラムの断面積を変動させることを含む、請求項１８に記載の方法。
曲率の変化を含む湾曲プロファイルをアセンブリ内に作成する準備として前記アセンブリを製造することを含み、前記アセンブリは、バリアによって境界付けられた領域内に、前記アセンブリの２つの半体の間に収容された液晶材料を含み、前記アセンブリを製造することは、前記アセンブリ内に前記湾曲プロファイルを作成するときに前記バリアによって境界付けられた領域にわたる前記アセンブリの圧縮度の変動を少なくとも考慮に入れて、前記バリア内の前記アセンブリの前記２つの半体の間に収容された前記ＬＣ材料の量を決定することを伴う、方法。