JP2023541105A - フッ素測定装置及びフッ素測定方法 - Google Patents
フッ素測定装置及びフッ素測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023541105A JP2023541105A JP2023507382A JP2023507382A JP2023541105A JP 2023541105 A JP2023541105 A JP 2023541105A JP 2023507382 A JP2023507382 A JP 2023507382A JP 2023507382 A JP2023507382 A JP 2023507382A JP 2023541105 A JP2023541105 A JP 2023541105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- fluorine
- concentration
- gas mixture
- discharge chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 157
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 157
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 239
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 121
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 46
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 43
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 29
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 22
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001506 inorganic fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
[0001] この出願は、2020年9月10日に出願されたAPPARATUS FOR AND METHOD OF FLUORINE MEASUREMENTと題する米国出願番号第63/076,681号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
O2(n)は残留O2の測定値であり、
F2(n)は、第2のO2測定値から推測されるF2濃度であり、
P(n)は、F2(n)を測定している間にセンサに充填されるチャンバからのF2含有ガスの全圧であり、
ΔtIdleは直近の前の測定からの時間(秒)であり、
ΔtPushは、N2を使用して残留O2を反応チャンバから押し出す時間(秒)である。
[0044] 6F2+2Al2O3=4AlF3+302
O2(n)は残留(第1)O2測定の結果であり、
F2(n)は、最終(第2)O2測定値から推測される補償されていないF2濃度であり、
P(n)は、F2(n)測定中にセンサに充填されたチャンバガスの全圧であり、
ΔtIdleは、直近の、すなわち直前の測定及び現在の測定の開始からの時間(秒)であり、
ΔtPushは、現在の測定の開始時の残留O2測定値を得るために、不活性ガス、例えばN2を使用して残留O2を反応チャンバから押し出す時間(秒)である。
1.サンプリングされるフッ素を含む混合ガスの源と選択可能に流体連通して配置される反応キャビティを画定する容器であって、酸素を含む製品ガスを形成するために混合ガス中のフッ素と反応する金属酸化物を含み、更に不活性ガスの源と選択可能に流体連通して配置される容器と、
製品ガスを受け取り、製品ガス中の酸素の量を検知するために容器と選択可能に流体連通して配置される酸素センサとを備えた装置。
2.容器が更に真空源と選択可能に流体連通して配置される、条項1に記載の装置。
3.金属酸化物がアルミナを含む、条項1に記載の装置。
4.サンプリングされるフッ素を含む混合ガスの源がレーザ放電チャンバを備える、条項1に記載の装置。
5.不活性ガスの源が窒素の源を含む、条項1に記載の装置。
6.レーザ放電チャンバと、
サンプリングされるフッ素を含む混合ガスのサンプルを受け取るためにレーザ放電チャンバと選択可能に流体連通して配置される反応キャビティを画定する容器であって、酸素を含む製品ガスを形成するために混合ガス中のフッ素と反応する金属酸化物を含む容器と、
容器と選択可能に流体連通した不活性ガスの源と、
製品ガスを受け取り、製品ガス内の酸素の量を検知するために容器と選択可能に流体連通して配置されている酸素センサとを備えた装置。
7.容器がまた真空源と選択可能に流体連通して配置されている、条項6に記載の装置。
8.金属酸化物がアルミナを含む、条項6に記載の装置。
9.サンプリングされるフッ素を含む混合ガスの源がレーザ放電チャンバを備える、条項6に記載の装置。
10.不活性ガスの源が窒素の源を含む、条項6に記載の装置。
11.レーザ放電チャンバに流体接続されたガス供給システムを備えたガス維持システムと、
ガス維持システム及び検出装置に接続されており、酸素センサの出力を受け、ガス放電チャンバから受け取った混合ガス中のフッ素の濃度を推定し、ガス維持システムのガス供給システムからのガス混合物中のフッ素の濃度を混合ガス中の推定したフッ素濃度に基づいて変更すべきかどうかを判定し、レーザ放電チャンバのガス更新中にガス維持システムのガス供給システムからレーザ放電チャンバに供給されるガス混合物中のフッ素の相対濃度を変更する信号をガス維持システムに送信する制御システムとを更に備えた、条項6に記載の装置。
12.不活性ガスの第1の部分を使用して反応キャビティ内の残留ガスをセンサに押し出すこと、
センサを使用して残留ガス内の第1の酸素濃度を検知すること、
レーザ放電チャンバからのフッ素を含む混合ガスの少なくとも一部分を反応キャビティに供給すること、
酸素を含む製品ガスを形成するために混合ガスの一部分中のフッ素を反応チャンバ内で金属酸化物と反応させること、
不活性ガスの第2の部分を使用して反応キャビティ内の製品ガスをセンサに押し出すこと、
製品ガス内の第2の酸素濃度を検知すること、
レーザ放電チャンバからの混合ガスの一部分中の推定フッ素濃度を、検知した第2の酸素濃度に基づいて推測すること、及び
レーザ放電チャンバからの混合ガスの一部分中の補償フッ素濃度を、第1の酸素濃度及び推定フッ素濃度に少なくとも部分的に基づいて決定することを含む方法。
13.センサを使用して残留ガス内の第1の酸素濃度を検知することと、反応キャビティにフッ素を含むレーザ放電チャンバからの混合ガスの少なくとも一部分を供給することとの間に反応キャビティを空にすることを更に含む、条項12に記載の方法。
14.フッ素濃度の現在の測定の開始直前の測定から経過した時間を示す量ΔtIdleと、不活性ガスの第1の部分が生成されたガス混合物をセンサに押し出す時間を示す量ΔtPushとを決定することを更に含み、レーザ放電チャンバからの混合ガスの一部分中の補償フッ素濃度を決定することも、ΔtIdle及びΔtPushに少なくとも部分的に基づいている、条項12に記載の方法。
15.補償フッ素測定値f2(n)が次式によって決定され、
O2(n)が、センサを使用して残留ガス内の第1のO2濃度を検知した結果であり、
F2(n)が、測定される推定フッ素濃度であり、
P(n)が、生成されたガス混合物中のF2の推定値を得るときにセンサに加えられる全圧であり、
ΔtIdleが、直近の前の測定及び現在の測定の開始からの時間(秒)であり、
ΔtPushが、現在の測定の開始時の残留O2測定値を得るために、不活性ガスを使用して残留O2を反応チャンバから押し出す時間(秒)である、条項12に記載の方法。
16.残留ガスが直前の測定からのものである、条項12に記載の方法。
17.金属酸化物がアルミナを含む、条項12に記載の方法。
18.不活性ガスが窒素を含む、条項12に記載の方法。
19.レーザ放電チャンバ内の混合ガスに供給する追加のフッ素含有ガスの量を推定フッ素濃度に基づいて決定することを更に含む、条項12に記載の方法。
20.不活性ガスの第1の部分を使用して反応キャビティ内の残留ガスをセンサに押し出すこと、
センサを使用して残留ガス内の第1の酸素濃度を検知すること、
レーザ放電チャンバからのフッ素を含む混合ガスの少なくとも一部分を反応キャビティに供給すること、
酸素を含む製品ガスを形成するために混合ガスの一部分中のフッ素を反応チャンバ内で金属酸化物と反応させること、
不活性ガスの第2の部分を使用して反応キャビティ内の製品ガスをセンサに押し出すこと、
製品ガス内の第2の酸素濃度を検知すること、
レーザ放電チャンバからの混合ガスの一部分中の推定フッ素濃度を、検知した第2の酸素濃度に基づいて推測すること、
レーザ放電チャンバからの混合ガスの一部分中の補償フッ素濃度を、第1の酸素濃度及び推定フッ素濃度に少なくとも部分的に基づいて決定すること
レーザ放電チャンバ内の混合ガスに供給する追加のフッ素含有ガスの量を推定フッ素濃度に基づいて決定すること、及び
追加のフッ素含有ガスの量をレーザ放電チャンバ内の混合ガスに供給することを含む方法。
Claims (20)
- サンプリングされるフッ素を含む混合ガスの源と選択可能に流体連通して配置される反応キャビティを画定する容器であって、酸素を含む製品ガスを形成するために前記混合ガス中のフッ素と反応する金属酸化物を含み、更に不活性ガスの源と選択可能に流体連通して配置される容器と、
前記製品ガスを受け取り、前記製品ガス中の酸素の量を検知するために前記容器と選択可能に流体連通して配置される酸素センサとを備えた装置。 - 前記容器が更に真空源と選択可能に流体連通して配置される、請求項1に記載の装置。
- 前記金属酸化物がアルミナを含む、請求項1に記載の装置。
- サンプリングされるフッ素を含む混合ガスの前記源がレーザ放電チャンバを備える、請求項1に記載の装置。
- 不活性ガスの前記源が窒素の源を含む、請求項1に記載の装置。
- レーザ放電チャンバと、
サンプリングされるフッ素を含む混合ガスのサンプルを受け取るために前記レーザ放電チャンバと選択可能に流体連通して配置される反応キャビティを画定する容器であって、酸素を含む製品ガスを形成するために前記混合ガス中のフッ素と反応する金属酸化物を含む容器と、
前記容器と選択可能に流体連通した不活性ガスの源と、
前記製品ガスを受け取り、前記製品ガス内の酸素の量を検知するために前記容器と選択可能に流体連通して配置されている酸素センサとを備えた装置。 - 前記容器がまた真空源と選択可能に流体連通して配置されている、請求項6に記載の装置。
- 前記金属酸化物がアルミナを含む、請求項6に記載の装置。
- サンプリングされるフッ素を含む混合ガスの源がレーザ放電チャンバを備える、請求項6に記載の装置。
- 前記不活性ガスの源が窒素の源を含む、請求項6に記載の装置。
- 前記レーザ放電チャンバに流体接続されたガス供給システムを備えたガス維持システムと、
前記ガス維持システム及び検出装置に接続されており、前記酸素センサの出力を受け、前記ガス放電チャンバから受け取った前記混合ガス中のフッ素の濃度を推定し、前記ガス維持システムの前記ガス供給システムからのガス混合物中のフッ素の濃度を前記混合ガス中の推定した前記フッ素濃度に基づいて変更すべきかどうかを判定し、前記レーザ放電チャンバのガス更新中に前記ガス維持システムの前記ガス供給システムから前記レーザ放電チャンバに供給されるガス混合物中のフッ素の相対濃度を変更する信号を前記ガス維持システムに送信する制御システムとを更に備えた、請求項6に記載の装置。 - 不活性ガスの第1の部分を使用して反応キャビティ内の残留ガスをセンサに押し出すこと、
前記センサを使用して前記残留ガス内の第1の酸素濃度を検知すること、
レーザ放電チャンバからのフッ素を含む混合ガスの少なくとも一部分を前記反応キャビティに供給すること、
酸素を含む製品ガスを形成するために前記混合ガスの一部分中のフッ素を前記反応チャンバ内で金属酸化物と反応させること、
前記不活性ガスの第2の部分を使用して前記反応キャビティ内の前記製品ガスを前記センサに押し出すこと、
前記製品ガス内の第2の酸素濃度を検知すること、
前記レーザ放電チャンバからの前記混合ガスの前記一部分中の推定フッ素濃度を、検知した前記第2の酸素濃度に基づいて推測すること、及び
前記レーザ放電チャンバからの前記混合ガスの前記一部分中の補償フッ素濃度を、前記第1の酸素濃度及び前記推定フッ素濃度に少なくとも部分的に基づいて決定することを含む方法。 - 前記センサを使用して前記残留ガス内の第1の酸素濃度を検知することと、前記反応キャビティにフッ素を含むレーザ放電チャンバからの混合ガスの少なくとも一部分を供給することとの間に前記反応キャビティを空にすることを更に含む、請求項12に記載の方法。
- フッ素濃度の現在の測定の開始直前の測定から経過した時間を示す量ΔtIdleと、前記不活性ガスの前記第1の部分が生成されたガス混合物を前記センサに押し出す時間を示す量ΔtPushとを決定することを更に含み、前記レーザ放電チャンバからの前記混合ガスの前記一部分中の前記補償フッ素濃度を決定することも、ΔtIdle及びΔtPushに少なくとも部分的に基づいている、請求項12に記載の方法。
- 前記補償フッ素測定値f2(n)が次式によって決定され、
O2(n)が、前記センサを使用して前記残留ガス内の第1のO2濃度を検知した結果であり、
F2(n)が、測定される推定フッ素濃度であり、
P(n)が、前記生成されたガス混合物中のF2の推定値を得るときにセンサに加えられる全圧であり、
ΔtIdleが、直近の前の測定及び現在の測定の開始からの時間(秒)であり、
ΔtPushが、前記現在の測定の開始時の残留O2測定値を得るために、前記不活性ガスを使用して残留O2を前記反応チャンバから押し出す時間(秒)である、請求項12に記載の方法。 - 前記残留ガスが直前の測定からのものである、請求項12に記載の方法。
- 前記金属酸化物がアルミナを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記不活性ガスが窒素を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記レーザ放電チャンバ内の前記混合ガスに供給する追加のフッ素含有ガスの量を前記推定フッ素濃度に基づいて決定することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 不活性ガスの第1の部分を使用して反応キャビティ内の残留ガスをセンサに押し出すこと、
前記センサを使用して前記残留ガス内の第1の酸素濃度を検知すること、
レーザ放電チャンバからのフッ素を含む混合ガスの少なくとも一部分を前記反応キャビティに供給すること、
酸素を含む製品ガスを形成するために前記混合ガスの一部分中のフッ素を前記反応チャンバ内で金属酸化物と反応させること、
前記不活性ガスの第2の部分を使用して前記反応キャビティ内の前記製品ガスを前記センサに押し出すこと、
前記製品ガス内の第2の酸素濃度を検知すること、
前記レーザ放電チャンバからの前記混合ガスの前記一部分中の推定フッ素濃度を、検知した前記第2の酸素濃度に基づいて推測すること、
前記レーザ放電チャンバからの前記混合ガスの前記一部分中の補償フッ素濃度を、前記第1の酸素濃度及び前記推定フッ素濃度に少なくとも部分的に基づいて決定すること
前記レーザ放電チャンバ内の前記混合ガスに供給する追加のフッ素含有ガスの量を前記推定フッ素濃度に基づいて決定すること、及び
前記追加のフッ素含有ガスの量を前記レーザ放電チャンバ内の前記混合ガスに供給することを含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063076681P | 2020-09-10 | 2020-09-10 | |
US63/076,681 | 2020-09-10 | ||
PCT/US2021/045584 WO2022055654A1 (en) | 2020-09-10 | 2021-08-11 | Apparatus for and method of fluorine measurement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023541105A true JP2023541105A (ja) | 2023-09-28 |
JP7511744B2 JP7511744B2 (ja) | 2024-07-05 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022055654A1 (en) | 2022-03-17 |
TW202212785A (zh) | 2022-04-01 |
CN116057795A (zh) | 2023-05-02 |
KR20230045093A (ko) | 2023-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7254152B2 (ja) | ガス放電光源におけるフッ素検出 | |
JP2019509626A (ja) | ガス放電光源におけるガス最適化 | |
TWI542098B (zh) | 兩腔室氣體放電雷射系統中高精度氣體再填充的系統及方法 | |
CN111801855B (zh) | 激光气体再生装置和电子器件的制造方法 | |
JP7511744B2 (ja) | フッ素測定装置及びフッ素測定方法 | |
JP2023541105A (ja) | フッ素測定装置及びフッ素測定方法 | |
TWI840693B (zh) | 用於量測氟之方法 | |
JP7360539B2 (ja) | ガス放電光源におけるフッ素検出 | |
KR102666007B1 (ko) | 광학 장치를 작동시키는 방법, 및 광학 장치 | |
JP4164399B2 (ja) | Euv光源のガス流量計測装置および測定方法 | |
JP3769629B2 (ja) | エキシマレーザ装置 | |
JP3739877B2 (ja) | エキシマレーザ装置 | |
WO2024023968A1 (ja) | レーザ装置、レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法 | |
JPH10154842A (ja) | エキシマレーザ装置 | |
JP3779010B2 (ja) | エキシマレーザ装置のガス供給制御装置およびガス供給制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230310 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240423 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240527 |