JP2023536697A - ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム含有前駆体及びインジウム含有層の堆積のためのその使用方法 - Google Patents

Abstract

一般式：Ｉｎ［Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＣｐＬ１］又はＩｎ［ＣｐＬ１Ｌ２ｙ］（式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｙ＝１～４である）を有するヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体を使用する蒸着法によるインジウム含有膜の形成方法。例示的なヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体には、ｌｎ（Ｃｐ（ＣＨ２）３ＮＭｅ２）又はｌｎ（ＣｐＰ／Ｐｒ２）が含まれる。【選択図】なし

Description

関連出願の相互参照
本出願は、その全体があらゆる目的で参照により本明細書に援用される、２０２０年７月２８日に出願された米国特許出願第１６／９４１，０８８号に基づく優先権を主張するものである。

本発明は、Ｉｎ（Ｉ）前駆体、特にヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム前駆体を含むインジウム（Ｉｎ）含有膜形成組成物、それらの合成方法、及びＩｎ含有膜の堆積のためのそれらの使用方法に関する。

半導体産業において、他の元素でドープされたインジウム含有膜は、そのより高い電子移動度のため、光電子デバイスで一般的に使用されている。例えば、酸化インジウムスズＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ）は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の電極として長い間使用されてきた。最近では、ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）と呼ばれる材料、すなわち透明な薄膜トランジスタにインジウムと、ガリウムと、亜鉛とを含む材料が、特定のタイプの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に実装されている。インジウムの無酸素薄膜も広く研究されており、様々な光電子デバイスにおいて使用されている。例えば、ＩＩＩ－Ｖ族半導体、例えばＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂなどは、高い電子移動度、直接遷移、及び低い励起子結合エネルギーを有することが知られており、そのため高性能光電子デバイスに広く使用されている。さらに、ＩｎＳ又はＩｎ_２Ｓ_３などのＩｎＳ_ｘは、ＩＩＩ－Ｖ化合物の表面のパッシベーションに役立ち得るミッドバンドギャップ半導体である。

そのような光電子デバイスは、それらの性能をよりよく制御し、サイズを最適化するために、非常に明確に規定された均質な薄膜層を必要とする。歴史的には、インジウムの堆積にはスパッタリング技術が採用されてきたが、この技術は過酷な条件、すなわち非常に高い真空を必要とする。現在、これらの薄い酸化インジウム層は、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ支援原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）を使用して製造されている。工業的利用のための重要なパラメーターは、８０℃以下で液体であるインジウム含有前駆体を開発することである。これは、液体インジウム含有前駆体の供給ラインと排出ラインを介して準備し、貯蔵キャニスターに充填し、反応器に供給することがより実用的であるためである。固体前駆体の使用は、製造条件において典型的には少なくとも１日に１回交換する必要がある蒸気形成のための昇華器を要し、また昇華中の粒子サイズの変動に起因して変動もし得る供給速度を生じさせる。さらに、安全上の理由からは、インジウム含有前駆体は、空気に曝露されたときに自然発火性ではないことが好ましいであろう。インジウム含有前駆体は、そのプロセスから生じるインジウム含有膜の導電性を低下させる可能性のあるハライドを含むべきではない。そのようなインジウム含有層を堆積するために最も適した前駆体としては、Ｉｎ（ＩＩＩ）：ＩｎＣｌ_３、Ｉｎ（Ｍｅ）_３（別名ＴＭＩ）、Ｉｎ（Ｅｔ）_３（別名ＴＥＩ）、Ｉｎ（Ａｃ）_３、［３－（ジメチルアミノ）プロピル］ジメチルインジウム（別名ＤＡＤＩ）が挙げられる。Ｍｉｚｕｔａｎｉらは、１００～５００℃の温度範囲で、そのような前駆体の堆積により、サイクルあたりの成膜量（ＧＰＣ）が１Å／サイクル未満になることを開示している（Ｍｉｚｕｔａｎｉ ｅｔ ａｌ．，ＡＩＰ Ａｄｖａｎｃｅｓ，２０１９，９，０４５０１９）。そのようなプロセスで使用されるインジウム含有前駆体の量を最小限に抑えるためには、より高いＧＰＣが望まれる。Ｍｉｚｕｔａｎｉら及び国際公開第２０１８２２５６６８号パンフレットには、Ｒ＝アルキル置換基を有するシクロペンタジエニル型配位子を有するＩｎ（Ｉ）前駆体（ＩｎＲＣｐ）も開示されている。これらは、最近、高いＧＰＣ（＞１Å／サイクル）を得るためにより優れた前駆体として認識されている。残念なことに、これらの前駆体のＧＰＣ性能は２００℃未満の温度で劇的に低下し、また炭素汚染が多い（１０～２０％）膜ももたらす。したがって、２００℃未満、好ましくは１５０℃未満、より好ましくは約１００℃の温度での堆積を可能にし、結果としてＧＰＣが０．３Å／サイクルを超え、炭素汚染が少ない、新規な前駆体の探索が必要とされている。そのような材料の用途の１つとしては、融点が２００℃未満のポリマー上にインジウム含有層を堆積させることが考えられる。Ｂｅａｃｈｌｅｙらは、ＩｎＣｐ＊（Ｉｎ（Ｃ_５Ｍｅ_５）がドナー溶媒の存在下でわずかに分解することを開示している（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ １９８９，８，３４６－３５６）。Ｊｕｔｚら（Ｊｕｔｚｉ，ｅｔ ａｌ．，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２０００，１９，１２９２－１２９８）は、Ｃｐ上のヘテロアルキル基の存在が、ドナーで安定化されていないＣｐ１３族元素化合物と比較して、水分及び空気に対する反応性を低下させ得ることを開示している。

インジウム含有膜を形成する方法であって、
一般式：
Ｉｎ［Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＣｐＬ^１］又は
Ｉｎ［ＣｐＬ^１Ｌ^２ _ｙ］
（式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｙ＝１～４である）
を有するヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体を含有する膜形成組成物の蒸気に基板を曝露するステップ；及び
蒸着法を使用してヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体の少なくとも一部を基板上に堆積させて、インジウム含有膜を形成するステップ、
を含む方法が開示される。開示される方法は、以下の態様の１つ以上を含み得る：
・蒸着法は、ＡＬＤ、ＣＶＤ、又はそれらの組み合わせである；
・蒸着プロセスは、ＰＥＡＬＤプロセス又は空間ＡＬＤプロセスである；
・Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して－（Ｃ_ｋＨ_ｌ－ＥＲ_ｍ）基（式中、－Ｃ_ｋＨ_ｌは、直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖であり；ｋ＝０～６であり；ｌ＝０～１１であり；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、環状、又は分岐のアルキルである）である；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、
（式中、ｎ及びｎ’はそれぞれ独立して０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ及び’Ｅ’は、それぞれ独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；Ｒ^１～Ｒ^４は独立してＨ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；ｍ＝０～４であり；ｙ＝１～４である）からなる群から選択される；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、
（式中、ｎは０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ＝Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｏ、Ｓ、Ｆであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；Ｒ^１～Ｒ^４はそれぞれＨである）である；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＣＨＭｅ－ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨＭｅ）ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＮＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＮＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＮＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＮｉＰｒ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨＭｅ）ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＰＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＰＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＰＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＰｉＰｒ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨＭｅ）ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＢ（ＯＭｅ）_２］、Ｉｎ［ＣｐＢＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＢＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＢＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＢｉＰｒ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＯＭｅ］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＯＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＯｉＰｒ］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＳＭｅ］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＳＥｔ］、又はＩｎ［ＣｐＳｉＰｒ］などから選択される；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、
（式中、ｎは０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；Ｒ^１～Ｒ^４はそれぞれ独立してＨ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルである）である；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＣＨＭｅ－ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨＭｅ）ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮｉＰｒ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨＭｅ）ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰｉＰｒ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨＭｅ）ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４Ｂ（ＯＭｅ）_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢｉＰｒ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＯＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＯｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＳＥｔ］、又はＩｎ［ＣｐＭｅ_４ＳｉＰｒ］などから選択される；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、
（式中、ｎは０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；ｙ＝１～４である）である；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｍｅ_３Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｍｅ_３Ｃｐ（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_３Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２）、又はＩｎ（ｉＰｒ_３Ｃｐ（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）などから選択される；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、
（式中、ｎ及びｎ’は、それぞれ独立して０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ及び’Ｅ’は、それぞれ独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；ｙ＝１～４である）である；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２（ＮＥｔ_２））、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｍｅ_２Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２（ＮＥｔ_２））、Ｉｎ（Ｍｅ_２Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_２Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_２Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、又はＩｎ（Ｃｐ（ＮＭｅ_２）（ＢＭｅ_２））などから選択される；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）である；
・ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体は、Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）である；
・反応器に共反応物を供給するステップをさらに含む；
・共反応物は、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、Ｏラジカル、アルコール、シラノール、アミノアルコール、カルボン酸、パラホルムアルデヒド、又はそれらの混合物から選択される酸化剤である；
・共反応物はＯ_３又はＯ_２である；
・共反応物は、ＮＨ_３、Ｎ_２、Ｈ_２、Ｎ_２／Ｈ_２、Ｈ_２とＮＨ_３、Ｎ_２とＮＨ_３、ＮＨ_３とＮ_２Ｈ_４、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、アミン、ジアミン、シアニド、ジイミン、ヒドラジン、有機アミン、ピラゾリン、ピリジン；メチルアミン、エチルアミン、ｔｅｒｔブチルアミンなどの一級アミン；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルメチルアミン、ピロリジンなどの二級アミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリシリルアミンなどの三級アミン；又はそれらの混合物から選択される窒素含有還元剤である；
・共反応物はＮＨ_３である；
・共反応物はＮ_２プラズマである；
・基板温度が２５０℃未満の場合、Ｎ_２プラズマが適切な共反応物である；
・共反応物は、Ｈ_２、Ｈ_２ＣＯ、Ｎ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、一級アミン、二級アミン、三級アミン、トリシリルアミン、それらのラジカル、及び導電膜のためのそれらの混合物である；
・共反応物はＨ_２である；
・共反応物は、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、酸素含有ラジカル（Ｏ－ＯＨ－など）、カルボン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、及び誘電性膜のためのそれらの混合物のうちの１つなどの酸化性ガスである；
・酸化性ガスは、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２Ｏからなる群から選択される；
・共反応物は、プラズマによって処理される；
・プラズマ源は、Ｎ_２プラズマ、Ｎ_２／Ｈｅプラズマ、Ｎ_２／Ａｒプラズマ、ＮＨ_３プラズマ、ＮＨ_３／Ｈｅプラズマ、ＮＨ_２／ＡＲプラズマ、Ｈｅプラズマ、Ａｒプラズマ、Ｈ_２プラズマ、Ｈ_２／Ｈｅプラズマ、Ｈ_２／有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物である；
・インジウム含有膜は、酸化インジウム、ＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、又はＩｎ_２Ｓ_３である；
・インジウム含有膜は、Ｐ、Ｎ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ、Ｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｚｎ、１つ以上のランタニド、又はそれらの組み合わせから選択される第２の元素を含む；
・インジウム含有膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２の交互の層のスタックである；
・開示されたプロセスのいずれかによって堆積されたインジウム含有膜は、室温で約５０μｏｈｍ・ｃｍ～約１，０００μｏｈｍ・ｃｍのバルク抵抗率を有する；
・基板は粉末である；
・粉末は、ＮＭＣ（リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物）、ＬＣＯ（リチウムコバルト酸化物）、ＬＦＰ（リン酸鉄リチウム）、及び他の電池カソード材料のうちの１つ以上を含む；
・堆積圧力は、約１０^－３Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒに保持される；
・堆積圧力は、約１０^－２Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒに保持される；
・堆積温度は、約１００℃～約６００℃に保持される；
・堆積温度は、約１００℃～約５００℃に保持される；及び
・加熱される反応器壁は、約５０℃～約６００℃に含まれる。

一般式：
Ｉｎ［Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＣｐＬ^１］又は
Ｉｎ［ＣｐＬ^１Ｌ^２ _ｙ］
（式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｙ＝１～４である）
を有するヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体を含む、蒸着プロセスのための膜形成組成物。開示される膜形成組成物は、以下の態様の１つ以上を含み得る：
・膜形成前駆体は約９５％ｗ／ｗ～約１００．０％ｗ／ｗの前駆体を含む；
・膜形成組成物の純度は９５％ｗ／ｗ超である；
・膜形成組成物の純度は９８％ｗ／ｗ超である；
・膜形成組成物の純度は９９％ｗ／ｗ超である；
・膜形成組成物は約０．０％ｗ／ｗ～約５．０％ｗ／ｗの不純物を含む；
・膜形成組成物は約０．０％ｗ／ｗ～約２．０％ｗ／ｗの不純物を含む；
・膜形成組成物は約０．０％ｗ／ｗ～約１．０％ｗ／ｗの不純物を含む；
・膜形成組成物の金属不純物は０ｐｐｂｗ～１ｐｐｍｗである；及び
・膜形成組成物の金属不純物は０ｐｐｂｗ～５００ｐｐｂｗである。

一般式：
Ｉｎ［Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＣｐＬ^１］又は
Ｉｎ［ＣｐＬ^１Ｌ^２ _ｙ］
（式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｙ＝１～４である）
を有するヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体である膜形成前駆体。開示される膜形成前駆体は、以下の態様の１つ以上を含み得る：
・膜形成前駆体の純度は９５％ｗ／ｗ超である；
・膜形成前駆体の純度は９８％ｗ／ｗ超である；
・膜形成前駆体の純度は９９％ｗ／ｗ超である；
・膜形成前駆体は約０．０％ｗ／ｗ～約５．０％ｗ／ｗの不純物を含む；
・膜形成前駆体は約０．０％ｗ／ｗ～約２．０％ｗ／ｗの不純物を含む；
・膜形成前駆体は約０．０％ｗ／ｗ～約１．０％ｗ／ｗの不純物を含む；
・膜形成前駆体の金属不純物は０ｐｐｂｗ～１ｐｐｍｗである；及び
・膜形成前駆体の金属不純物は０ｐｐｂｗ～５００ｐｐｂｗである。

表記及び用語
以下の詳細な説明及び特許請求の範囲では、当該技術分野で一般によく知られている多くの略語、記号、及び用語が利用される。

本明細書において使用される場合、不定冠詞「１つの（ａ）」又は「１つの（ａｎ）」は、１つ以上を意味する。

本明細書において使用される場合、本文中又は特許請求の範囲中の「約」又は「ほぼ」又は「およそ」は、記載の値の±１０％を意味する。

本明細書において使用される場合、本文中又は特許請求の範囲中の「室温」は、約２０℃～約２８℃を意味する。

「周囲温度」という用語は、約２０℃～約２８℃の環境温度を指す。

開示される実施形態において使用される場合、Ｒ基の記載に関連して使用される場合の「独立して」という用語は、対象のＲ基が、同じ又は異なる下付き文字又は上付き文字を有する別のＲ基に対して独立して選択されるだけでなく、その同じＲ基のあらゆる追加の種類に対しても独立して選択されることを示すものと理解されたい。例えば、式ＭＲ^１ _ｘ（ＮＲ^２Ｒ^３）_{（４－ｘ）}（ここで、ｘは、２又は３である）中、２つ又は３つのＲ^１基は、互いに又はＲ^２若しくはＲ^３と同じ場合があるが、同じである必要はない。さらに、別段の明記がない限り、Ｒ基の値は、異なる式で使用される場合、互いに独立していると理解すべきである。

「基板」という用語は、その上でプロセスが行われる１つ以上の材料を指す。基板は、その上でプロセスが行われる１つ以上の材料を有するウエハを指す場合がある。基板は、半導体、太陽電池、フラットパネル、又はＬＣＤ－ＴＦＴデバイスの製造に使用される任意の適切なウエハであってよい。基板は、その前の製造ステップからその上に既に堆積された異なる材料の１つ以上の層も有し得る。例えば、ウエハは、シリコン層（例えば結晶性、非晶質、多孔質など）、ケイ素含有層（例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＯＨなど）、金属含有層（例えば銅、コバルト、ルテニウム、タングステン、白金、パラジウム、ニッケル、ルテニウム、金など）、又はこれらの組み合わせを含み得る。さらに、基板は平坦であっても又はパターン化されていてもよい。基板は、有機物でパターン化されたフォトレジスト膜であってもよい。基板は、ＭＥＭＳ、３Ｄ ＮＡＮＤ、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、又はＦｅＲａｍデバイス用途で誘電体材料として使用される酸化物の層（例えばＺｒＯ_２ベースの材料、ＨｆＯ_２ベースの材料、ＴｉＯ_２ベースの材料、希土類酸化物ベースの材料、三元酸化物ベースの材料など）又は電極として使用される窒化物ベースの膜（例えばＴａＮ、ＴｉＮ、ＮｂＮ）を含み得る。当業者は、本明細書で使用される「膜」又は「層」という用語が、表面上に配置されているか広がっている何らかの材料の厚さを指し、その表面はトレンチ又はラインであってよいことを認識するであろう。本明細書及び特許請求の範囲全体を通して、ウエハ及びその上の任意の関連する層は、基板と呼ばれる。基板は、ＳＡＭの反応性ヘッドと反応する傾向のある官能基を表面に有する任意の固体であることができ、それらとしては、限定するものではないが、３Ｄ物体又は粉末を挙げることができる。粉末基板の例としては、充電式電池技術で使用される粉末が挙げられる。非限定的な数の粉末材料としては、ＮＭＣ（リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物）、ＬＣＯ（リチウムコバルト酸化物）、ＬＦＰ（リン酸鉄リチウム）、及び他の電池カソード材料が挙げられる。

なお、本明細書においては、「膜」及び「層」という用語は交換可能に使用され得る。膜が層に対応するか、又は関連している場合があり、層が膜を指す場合があることが理解される。さらに、当業者は、本明細書で使用される「膜」又は「層」という用語が、表面上に配置されているか広がっている何らかの材料の厚さを指し、その表面はウエハ全体ほどの大きい大きさからトレンチ又はラインほどの小さい大きさであってよいことを認識するであろう。

「ビア」、「アパーチャ」、「トレンチ」、及び「ホール」という用語は、交換可能に使用される場合があり、一般には層間絶縁体の開口部を意味する。

本明細書で使用される場合、「ＮＡＮＤ」という略語は、「Ｎｅｇａｔｅｄ ＡＮＤ」又は「Ｎｏｔ ＡＮＤ」ゲートを指し；「２Ｄ」という略語は、平坦基板上の２次元ゲート構造を指し；「３Ｄ」という略語は、ゲート構造が垂直方向にスタックされた３次元又は垂直ゲート構造を指す。

元素周期表からの元素の標準的な略語が本明細書で使用される。元素がこれらの略語によって言及され得ることは理解されるべきである（例えば、Ｓｉはケイ素を指し、Ｉｎはインジウムを指し、Ｎは窒素を指し、Ｏは酸素を指し、Ｃは炭素を指し、Ｈは水素を指し、Ｆはフッ素を指す、など）。

開示された特定の分子を識別するために、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｓｅｒｖｉｃｅによって割り当てられた固有のＣＡＳ登録番号（すなわち「ＣＡＳ」）が示される。

「ウエハ」又は「パターン化されたウエハ」という用語は、基板上のケイ素含有膜のスタックと、パターンエッチングのために形成されたケイ素含有膜のスタック上のパターン化されたハードマスク層とを有するウエハを指す。「ウエハ」又は「パターン化されたウエハ」という用語は、あるアスペクト比を有するトレンチウエハを指す場合もある。

なお、本明細書においては、「堆積温度」及び「基板温度」という用語は交換可能に使用される場合がある。基板温度は、堆積温度に対応するか、又は関連付けることができ、堆積温度は基板温度を意味し得ることが理解される。

なお、本明細書においては、「前駆体」、「前駆体化合物」、「堆積化合物」、及び「堆積ガス」という用語は、前駆体が室温及び周囲圧力で気体状態にある場合には交換可能に使用することができる。前駆体は、堆積化合物若しくは堆積ガスに対応するか、又は関連付けることができ、堆積化合物又は堆積ガスは、前駆体を意味し得ることが理解される。

開示される実施形態で使用される用語「ヒドロカルビル基」は、炭素と水素とを含む官能基を指し；「アルキル基」という用語は、炭素原子と水素原子のみを含む飽和官能基を指す。ヒドロカルビル基は飽和であっても又は不飽和であってもよい。いずれの用語も、直鎖、分岐、又は環状の基を指す。直鎖アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。分岐アルキル基の例としては、ｔ－ブチルが挙げられるが、これに限定されるものではない。環状アルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

開示される実施形態で使用される場合、略語「Ｍｅ」はメチル基を指し；略語「Ｅｔ」はエチル基を指し；略語「Ｐｒ」はプロピル基を指し；Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を指す；などである。

範囲は、本明細書において、約ある特定の値から、及び／又は約別の特定の値までとして表現される場合がある。そのような範囲が表現される場合、別の実施形態は、前記範囲内のすべての組み合わせと共に、ある特定の値から、及び／又は別の特定の値までのものであることが理解されるべきである。本明細書で列挙されているあらゆる範囲は、「すべてを含む」という用語が使用されるか否かにかかわらず、それらの終点を含む（すなわち、ｘ＝１～４又はｘは１～４の範囲であるは、ｘ＝１、ｘ＝４、及びｘ＝それらの間の任意の数を含む）。

本明細書における「一実施形態」又は「ある実施形態」への言及は、実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、又は特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ得ることを意味する。本明細書の様々な場所における「一実施形態では」という語句の出現は、必ずしもすべてが同じ実施形態を指すわけではなく、また別の又は代替の実施形態は、必ずしも他の実施形態と相互に排他的ではない。同じことが「実施」という用語にも当てはまる。

本出願で使用される「例示的」という用語は、本明細書では、実施例、実例、又は例示として機能することを意味するために使用される。本明細書で「例示的」と記載されている態様又は設計は、必ずしも他の態様又は設計よりも好ましい又は有利であるものとして解釈されるべきではない。むしろ、例示的という言葉の使用は、具体的な形式で概念を提示することが意図されている。

さらに、「又は」という用語は、排他的「又は」ではなく、包括的な「又は」を意味することが意図されている。すなわち、別段の明記がない限り、或いは文脈から明らかでない限り、「ＸはＡ又はＢを使用する」は、自然な包括的順列のいずれかを意味することが意図されている。つまり、ＸがＡを使用する場合、ＸはＢを使用する場合、或いはＸがＡとＢの両方を使用する場合；前述した場合のいずれにおいても「ＸはＡ又はＢを使用する」が満たされる。加えて、本出願及び添付の特許請求の範囲で使用される冠詞「１つの（ａ）」及び「１つの（ａｎ）」は、別段の明記がない限り、或いは文脈から単数形に関するものであることが明確でない限り、通常「１つ以上」を意味すると解釈されるべきである。

インジウム（Ｉ）前駆体、特にヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム前駆体を含むインジウム（Ｉｎ）含有膜形成組成物、それらの合成方法、及びそれらを使用して原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）などの蒸着法によってインジウム含有膜を堆積させる方法が開示される。

ＩｎＣｐ＊（Ｉｎ（Ｃ_５Ｍｅ_５）はドナー溶媒の存在下でわずかに分解することから（Ｂｅａｃｈｌｅｙ ｅｔ ａｌ．，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ １９８９，８，３４６－３５６を参照）、配位子上の孤立電子対を含むヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓなど）は、堆積プロセス中にヘテロアルキルＣｐ配位子の除去を促進することができる本開示のインジウム（Ｉ）前駆体に付加される。インジウム（Ｉ）は空のπ軌道と孤立電子対の両方を持つため、通常、配位する配位子の性質に応じて、インジウム（Ｉ）はルイス酸又はルイス塩基のいずれかとして機能することができる。この両親媒性は、シクロペンタジエニル配位子上に電子吸引基又は電子供与基を付加することにより、特異的な反応性を提供することができる。

開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体は、一般式：
Ｉｎ［Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＣｐＬ^１］ （Ｉ）又は
Ｉｎ［ＣｐＬ^１Ｌ^２ _ｘ］ （ＩＩ）
（式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｘ＝１～４である）
を有する、ヘテロアルキル置換基を持つシクロペンタジエニル配位子を含むヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム前駆体である。

一実施形態では、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して－（Ｃ_ｋＨ_ｌ－ＥＲ_ｍ）基（式中、－Ｃ_ｋＨ_ｌは、直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖であり；ｋ＝０～６であり；ｌ＝０～１１であり；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；ｍ＝１～４である）であってよい。

式（Ｉ）で示される本開示のＩｎ（Ｉ）前駆体は、以下のヘテロアルキルシクロペンタジエニルＩｎ（Ｉ）前駆体：
（式中、ｎは０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ＝Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｏ、Ｓ、Ｆであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；Ｒ^１～Ｒ^４はそれぞれＨである）を含み得る。

式（ＩＩＩ）の例示的なＩｎ（Ｉ）前駆体には、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＣＨＭｅ－ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨＭｅ）ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＮＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＮＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＮＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＮｉＰｒ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨＭｅ）ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＰＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＰＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＰＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＰｉＰｒ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨＭｅ）ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＢ（ＯＭｅ）_２］、Ｉｎ［ＣｐＢＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＢＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＢＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＢｉＰｒ_２］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＯＭｅ］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＯＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＯｉＰｒ］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＳＭｅ］、Ｉｎ［Ｃｐ（ＣＨ_２）_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＣＨ_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＳＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＳｉＰｒ］などが含まれる。

或いは、式（Ｉ）で示される本開示のＩｎ（Ｉ）前駆体は、以下のヘテロアルキルシクロペンタジエニルＩｎ（Ｉ）前駆体：
（式中、ｎは０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；Ｒ^１～Ｒ^４はそれぞれ独立してＨ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルである）を含み得る。

式（ＩＶ）の例示的なＩｎ（Ｉ）前駆体には、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＣＨＭｅ－ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨＭｅ）ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＮｉＰｒ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨＭｅ）ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＰｉＰｒ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨＭｅ）ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＭｅ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４Ｂ（ＯＭｅ）_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＭｅＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＥｔ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢＭｅｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＢｉＰｒ_２］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＯＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＯＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＯｉＰｒ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_３ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４（ＣＨ_２）_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＣＨ_２ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＳＭｅ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＳＥｔ］、Ｉｎ［ＣｐＭｅ_４ＳｉＰｒ］などが含まれる。

或いは、式（ＩＩ）で示される本開示のＩｎ（Ｉ）前駆体は、Ｌ^１とＬ^２がシクロペンタジエニルに結合した同じ置換基である以下のヘテロアルキルシクロペンタジエニルＩｎ（Ｉ）前駆体：
（式中、ｎは０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；ｙ＝１～４である）を含み得る。

（Ｖ）で示される例示的なＩｎ（Ｉ）前駆体には、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｍｅ_３Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｍｅ_３Ｃｐ（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_３Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_３Ｃｐ（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）などが含まれる。

或いは、式（ＩＩ）で示される本開示のＩｎ（Ｉ）前駆体は、Ｌ^１とＬ^２がシクロペンタジエニルに結合した異なる置換基である以下のヘテロアルキルシクロペンタジエニルＩｎ（Ｉ）前駆体：
（式中、ｎ及びｎ’は、それぞれ独立して０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ及び’Ｅ’は、それぞれ独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；ｍ＝０～４であり；ｙ＝１～４である）を含み得る。

（ＶＩ）で示される例示的なＩｎ（Ｉ）前駆体には、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２（ＮＥｔ_２））、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｍｅ_２Ｃｐ（ＮＭｅ_２）_２（ＮＥｔ_２））、Ｉｎ（Ｍｅ_２Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_２Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（ｉＰｒ_２Ｃｐ（ＮＥｔ_２）（ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、Ｉｎ（Ｃｐ（ＮＭｅ_２）（ＢＭｅ_２））などが含まれる。

開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体及び開示される膜形成組成物は、対応する元素含有膜の堆積及び対応する元素含有層の堆積のためのその関連する使用に適している。

開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体及び開示される膜形成組成物は、酸化インジウム、ＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｉｎ_２Ｓ_３などのエレクトロニクス分野で使用されるインジウム含有薄膜の形成に適している。開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体及び開示される膜形成組成物は、ディスプレイ、太陽光燃料、高速エレクトロニクス（ＩｎＮ）、光電子部品、高速エレクトロニクス、太陽電池（ＩｎＰ）、赤外線検出器、ダイオードレーザー（ＩｎＡｓ）、高速トランジスタ、磁場、熱画像検出器（ＩｎＳｂ）、光電子デバイス、光電気化学的水分解（Ｉｎ_２Ｓ_３）、ＬＥＤ用途におけるインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ（ＩＧＺＯ））の製造、太陽電池及び光学用途、ロジック及びメモリ産業、半導体などにおけるセレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）の製造などに有用である。

インジウム含有膜を形成するためのプロセス、及び開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体を使用してＡＬＤ、ＣＶＤ、又は他の堆積法によって酸素化又は無酸素インジウム含有膜を形成する方法も開示される。開示されるプロセスは堆積プロセスであり、このプロセスでは、開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体が使用され、これは、同時に及び／又は逐次的に反応器の中に導入される１種以上の酸化剤（例えば、Ｏ_２とＯ_３、又はＨ_２ＯとＯ_３）と組み合わせて、若しくは酸化剤なしで、又は１種以上の還元剤若しくは窒化剤（例えばＨ_２とＮＨ_３、Ｎ_２とＮＨ_３、又はＮＨ_３とＮ_２Ｈ_４）と組み合わせて、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スピンオン、スプレー、ディップコーティング、スリットコーティング、又は任意の他の堆積技術で膜を堆積するために反応チャンバーに導入されて膜を形成する。開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体を使用する開示される堆積プロセスは、加熱、光、直接若しくは遠隔プラズマ、又はそれらの組み合わせによって支援され得る。

より具体的には、開示されるＩｎ（Ｉ）前駆体に加えて、反応物又は共反応物も反応チャンバーに導入され得る。共反応物は、酸素含有ガス又はオキシダント又は酸化剤であってよい。酸素含有ガスとしては、限定するものではないが、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、Ｏラジカル、アルコール、シラノール、アミノアルコール、カルボン酸、パラホルムアルデヒド、及びそれらの組み合わせなどの酸化剤が挙げられる。好ましくは、酸素含有ガスはＯ_３又はＯ_２である。或いは、共反応物は、窒素含有ガス又は還元ガス又は還元剤であってもよい。窒素含有ガスとしては、限定するものではないが、ＮＨ_３、Ｎ_２、Ｈ_２、Ｎ_２／Ｈ_２、Ｈ_２とＮＨ_３、Ｎ_２とＮＨ_３、ＮＨ_３とＮ_２Ｈ_４、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、アミン、ジアミン、シアニド、ジイミン、ヒドラジン、有機アミン、ピラゾリン、ピリジン、；メチルアミン、エチルアミン、ｔｅｒｔブチルアミンなどの一級アミン；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルメチルアミン、ピロリジンなどの二級アミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリシリルアミンなどの三級アミン；又はそれらの混合物が挙げられ、好ましくはＮＨ_３である。共反応物は、系内又は遠隔のいずれかで、プラズマによって活性化することができる。Ｎ_２又はＮ_２／Ｈ_２については、プラズマ活性化が必要とされる。共反応物は、ＮＨ_３、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ヒドラジン、Ｎ_２プラズマ、Ｎ_２／Ｈ_２プラズマ、アミン類、及びそれらの組み合わせから選択することができる。出願人らは、基板温度が２５０℃未満である場合に、Ｎ_２プラズマが適切な共反応物である場合があることを見出した。

目的が導電膜である場合、共反応物は、Ｈ_２、Ｈ_２ＣＯ、Ｎ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、一級アミン、二級アミン、三級アミン、トリシリルアミン、それらのラジカル、及びそれらの混合物とすることができる。好ましくは、共反応物はＨ_２又はＮＨ_３である。或いは、目的が誘電性膜である場合、共反応物は、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、酸素含有ラジカル（Ｏ－ＯＨ－など）、カルボン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、及びそれらの混合物のうちの１つなどの酸化性ガスとすることができる。好ましくは、酸化性ガスは、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２Ｏからなる群から選択される。

さらに、反応物をそのラジカル形態へと分解するために、共反応物をプラズマによって処理することができ、プラズマで処理したときに、Ｈ_２、Ｎ_２、及びＯ_２のうちの少なくとも１つを、それぞれ水素、窒素、又は酸素の供給源ガスとして利用することができる。プラズマ源は、Ｎ_２プラズマ、Ｎ_２／Ｈｅプラズマ、Ｎ_２／Ａｒプラズマ、ＮＨ_３プラズマ、ＮＨ_３／Ｈｅプラズマ、ＮＨ_２／ＡＲプラズマ、Ｈｅプラズマ、Ａｒプラズマ、Ｈ_２プラズマ、Ｈ_２／Ｈｅプラズマ、Ｈ_２／有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物であってよい。例えば、プラズマは、約１０Ｗ～約１０００Ｗ、好ましくは約５０Ｗ～約５００Ｗの範囲の電力で生成することができる。プラズマは、反応器自体の内部で生成されて存在することができる。或いは、プラズマは、例えば遠隔に配置されたプラズマシステムなど、通常反応器から離れた位置にあってもよい。当業者は、そのようなプラズマ処理に適した方法及び装置を認識するであろう。

例えば、反応チャンバー中でプラズマが発生する直接プラズマ反応器中に共反応物を導入して、反応チャンバー中でプラズマ処理された反応物を生成することができる。例示的な直接プラズマ反応器としては、Ｔｒｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓによって製造されるＴｉｔａｎ（商標）ＰＥＣＶＤ Ｓｙｓｔｅｍが挙げられる。共反応物は、プラズマ処理前に反応チャンバー中に導入し維持することができる。或いは、反応物の導入と同時にプラズマ処理が行われてもよい。系内プラズマは、典型的には、シャワーヘッドと基板ホルダーとの間で発生する１３．５６ＭＨｚのＲＦ誘導結合プラズマである。基板とシャワーヘッドは、陽イオン衝突が起こるかどうかに応じて、電力が印加された電極になることができる。系内プラズマ発生器における典型的な印加電力は、約３０Ｗ～約１０００Ｗである。好ましくは、開示される方法において約３０Ｗ～約６００Ｗの電力が使用される。より好ましくは、電力は、約１００Ｗ～約５００Ｗの範囲である。系内プラズマを用いた共反応物の解離は、同じ電力入力の遠隔プラズマ源を用いて実現される場合よりも典型的には少なく、したがって遠隔プラズマ系ほど反応物の解離が効率的ではなく、プラズマによって容易にダメージを受ける基板上での膜の堆積に有益である場合がある。

代わりに、プラズマ処理された共反応物は、反応チャンバーの外部で生成することができ、例えば反応チャンバー内を通過する前に共反応物を処理するための遠隔プラズマである。

蒸着プロセスを使用して基板上にインジウム（Ｉ）含有層を形成する方法も開示される。出願人らは、開示される膜形成組成物がＡＬＤに適していると考えている。より具体的には、開示される膜形成組成物は、表面飽和、１サイクル当たりの自己限定的成長、及び約２：１～約２００：１、好ましくは約２０：１～約１００：１の範囲のアスペクト比での完全なステップカバレージが可能である。加えて、開示される膜形成組成物は、ＡＬＤを可能にするための良好な熱安定性を示す高い分解温度を有する。高い分解温度は、より高い純度の膜をもたらすより高い温度（例えば約６００℃）でのＡＬＤを可能にする。開示される方法は、半導体、太陽電池、ＬＣＤ－ＴＦＴ、フラットパネルタイプのデバイスの製造に有用であることができる。

開示される膜形成組成物は、当業者に公知の任意の堆積方法を使用して膜を堆積するために使用することができる。適切な蒸着法の例としては、ＣＶＤ及びＡＬＤが挙げられる。例示的なＣＶＤ方法としては、熱ＣＶＤ、プラズマ支援ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、準大気圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）、大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、ホットワイヤーＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ、ｃａｔ－ＣＶＤとしても知られ、ホットワイヤーが堆積プロセスのエネルギー源として機能する）、ラジカル組み込みＣＶＤ、及びそれらの組み合わせが挙げられる。例示的なＡＬＤ方法としては、熱ＡＬＤ、プラズマ支援ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、空間ＡＬＤ、ホットワイヤーＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル組み込みＡＬＤ、及びそれらの組み合わせが挙げられる。超臨界流体堆積も使用され得る。堆積方法は、好ましくは、適切なステップカバレージ及び膜厚制御を得るために、ＡＬＤ、ＰＥ－ＡＬＤ、又は空間ＡＬＤである。

開示される膜形成組成物の純度は、９５％ｗ／ｗ超（すなわち９５．０％ｗ／ｗ～１００．０％ｗ／ｗ）、好ましくは９８％ｗ／ｗ超（すなわち９８．０％ｗ／ｗ～１００．０％ｗ／ｗ）、より好ましくは９９％ｗ／ｗ超（すなわち９９．０％ｗ／ｗ～１００．０％ｗ／ｗ）である。当業者は、純度がＨ ＮＭＲ又は質量分析付きの気液クロマトグラフィーによって決定され得ることを認識するであろう。開示される膜形成組成物は、次の不純物：ピラゾール；ピリジン；アルキルアミン；アルキルイミン；ＴＨＦ；エーテル；ペンタン；シクロヘキサン；ヘプタン；ベンゼン；トルエン；塩素化金属化合物；リチウム、ナトリウム、若しくはカリウムピラゾリルのいずれかを含有し得る。これらの不純物の合計量は、好ましくは５％ｗ／ｗ未満（すなわち０．０％ｗ／ｗ～５．０％ｗ／ｗ）、好ましくは２％ｗ／ｗ未満（すなわち０．０％ｗ／ｗ～２．０％ｗ／ｗ）、より好ましくは１％ｗ／ｗ未満（すなわち０．０％ｗ／ｗ～１．０％ｗ／ｗ）である。開示される膜形成組成物は、再結晶、昇華、蒸留、及び／又は４Ａモレキュラーシーブなどの適切な吸着材にガスや液体を通すことによって精製され得る。

開示される膜形成組成物の精製はまた、０ｐｐｂｗ～１ｐｐｍｗ、好ましくは０～５００ｐｐｂｗ（十億重量当たりの部）レベルでの金属不純物をもたらし得る。これらの金属不純物としては、アルミニウム（Ａｌ）、ヒ素（Ａｓ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、鉛（Ｐｂ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、ウラン（Ｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）が挙げられ得るが、これらに限定されるものではない。

開示される膜形成組成物は、ニート形態又はエチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカリン、デカン、ドデカンなどの適切な溶媒とのブレンド物のいずれかで供給され得る。開示される前駆体は、溶媒中に様々な濃度で存在し得る。

ニートの混合された膜形成組成物は、配管及び／又は流量計などの従来手段によって蒸気形態で反応器中に導入される。従来の気化ステップ、例えば直接気化、蒸留、バブリングにより、又は昇華器を用いることにより、ニートの又は混合された組成物を気化させることによって蒸気形態を得ることができる。反応器中に導入する前に気化させる場合、ニートの又は混合された組成物を液体状態で蒸発器に供給することができる。代わりに、組成物を収容する容器中にキャリアガスを流すことにより、キャリアガスを組成物中にバブリングすることにより、ニートの又は混合された組成物を気化させることができる。キャリアガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ_２及びそれらの混合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。キャリアガスのバブリングにより、ニートの又は混合された組成物溶液中に存在するあらゆる溶存酸素を除去することもできる。キャリアガスと組成物とは、次に蒸気として反応器中に導入される。

必要に応じて、組成物がその液相にあることができ、十分な蒸気圧を有することができる温度まで、開示される膜形成組成物を収容する容器を加熱することができる。容器は、例えば、約０℃～約２００℃の範囲内の温度に維持することができる。当業者は、気化させる前駆体の量を制御するために周知の方法で容器の温度を調節できることを認識する。

反応器は、限定するものではないが、化合物を反応させ、層を形成させるのに適切な条件下において、平行板型反応器、コールドウォール型反応器、ホットウォール型反応器、枚葉式反応器、多葉式反応器、他のタイプの堆積システムなどの装置内で堆積方法が行われるあらゆるエンクロージャーチャンバーであり得る。当業者は、これらの反応器のいずれかがＡＬＤ又はＣＶＤ堆積プロセスのいずれかのために使用され得ることを認めるであろう。

反応器には、膜がその上に堆積される１つ以上の基板が収容される。基板は、プロセスが行われる材料として一般に定義される。基板は、半導体、光起電力、フラットパネル、ＬＣＤ－ＴＦＴのデバイスの製造に使用されるあらゆる適切な基板であり得る。適切な基板の例としては、シリコン、シリカ、ガラスなどのウエハ、ＧａＡｓウエハが挙げられる。ウエハは、前の製造ステップでその上に堆積された異なる材料の１つ以上の層を有し得る。例えば、ウエハは、誘電体層を含み得る。さらに、ウエハは、シリコン層（結晶性、非晶質、多孔質など）、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＣＯＨ）層、金属、金属酸化物金属窒化物層（Ｔｉ、Ｒｕ、Ｔａなど）及びそれらの組み合わせを含み得る。さらに、ウエハは、銅層、貴金属層（例えば、白金、パラジウム、ロジウム、金）を含み得る。ウエハは、マンガン、酸化マンガンなどの障壁層を含み得る。ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層も使用され得る。層は、平面である場合もパターン化される場合もある。開示される方法により、ウエハの上に直接又はパターン化された層が基板上に形成される場合、ウエハの上面上の１つ若しくは複数の層の上に直接、層を堆積することができる。パターン化された層は、３Ｄ ＮＡＮＤで使用されるＩｎ_２Ｏ_３とＺｒＯ_２などの２つの特定の層の交互の層であってもよい。さらに、当業者であれば、本明細書において使用される「膜」、「層」という用語は、表面上に配置され、広げられるある厚さのある材料を意味し、この表面は、トレンチ、線であり得ることを認識するであろう。本明細書及び請求項の全体にわたって、ウエハ及びその上の任意の関連する層が基板と呼ばれる。例えば、酸化インジウム膜は、ＺｒＯ_２層、ＨｆＯ_２層、ＭｏＯ_２層などの金属酸化物層上に堆積され得る。

基板の最終用途は本発明に限定されないが、この技術は、以下のタイプの基板で特に利点を見出すことができる：シリコンウエハ、ガラスウエハ及びパネル、ビーズ、粉末及びナノ粉末、モノリシック多孔質媒体、プリント回路基板、プラスチックシートなど。例示的な粉末基板としては、充電式電池技術で使用される粉末が挙げられる。非限定的な数の粉末材料としては、ＮＭＣ（リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物）、ＬＣＯ（リチウムコバルト酸化物）、ＬＦＰ（リン酸鉄リチウム）、及び他の電池カソード材料が挙げられる。

反応器内の温度及び圧力は、ＡＬＤ及びＣＶＤなどの蒸着に適した条件に保持される。換言すると、気化した開示される膜形成組成物をチャンバー中に導入した後、チャンバー内の条件は、前駆体の一部が基板上に堆積して層を形成するような条件である。例えば、反応器内の圧力又は堆積圧力は、堆積パラメーターに準拠して必要に応じて約１０^－３Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒ、より好ましくは約１０^－２Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒに維持することができる。同様に、反応器内の温度又は堆積温度は、約１００℃～約６００℃、好ましくは約１００℃～約５００℃に維持することができる。当業者であれば、「前駆体の少なくとも一部が堆積する」とは、前駆体の一部又はすべてが基板と反応するか又は基板に付着することを意味することを認識するであろう。

反応器の温度は、基板ホルダーの温度の制御又は反応器壁の温度の制御のいずれかによって制御することができる。基板の加熱に使用される装置は、当技術分野において周知である。反応器壁は、十分な成長速度において、所望の物理的状態及び組成を有する所望の膜を得るのに十分な温度に加熱される。反応器壁を加熱できる非限定的で代表的な温度範囲としては、約５０℃～約６００℃を挙げることができる。プラズマ堆積プロセスが使用される場合、堆積温度は、約１００℃～約５００℃の範囲であり得る。代わりに、熱プロセスが行われる場合、堆積温度は、約１００℃～約６００℃の範囲であり得る。

ＡＬＤ条件は、基板表面上に吸着された又は化学吸着された開示される膜形成組成物を反応させ、基板上に膜を形成させる。幾つかの実施形態では、本出願人らは、共反応物のプラズマ処理により、開示される膜形成組成物との反応に必要なエネルギーを有する共反応物を得ることができると考えている。この例示的なＡＬＤプロセスにおいて共反応物がプラズマで処理される場合、例示的なＡＬＤプロセスは例示的なＰＥＡＬＤプロセスになる。共反応物は、チャンバー内への導入の前後にプラズマで処理することができる。

膜形成組成物及び共反応物は、逐次反応器中に導入され得る（ＡＬＤ）。反応器は、膜形成組成物、任意の追加の前駆体及び共反応物のそれぞれの導入間に不活性ガスでパージされ得る。別の例は、膜形成組成物と非活性化共反応物とがチャンバー温度及び圧力条件で実質的に反応しないという条件で、共反応物をプラズマで逐次活性化しながら、共反応物を連続的に導入すること及び膜形成組成物をパルスで導入することである（ＣＷ ＰＥＡＬＤ）。

開示される膜形成組成物のそれぞれのパルスは、約０．０１秒～約１２０秒、代わりに約１秒～約８０秒、代わりに約５秒～約３０秒の範囲の時間にわたって続くことができる。共反応物もパルスで反応器中に送ることができる。このような実施形態では、それぞれのパルスは、約０．０１秒～約１２０秒、代わりに約１秒～約３０秒、代わりに約２秒～約２０秒の範囲の期間にわたって続くことができる。別の代替形態では、気化した膜形成組成物及び共反応物は、数枚のウエハを保持するサセプターがその下で回転するシャワーヘッドの異なるセクターから（組成物と反応物との混合なしに）同時に噴霧され得る（空間ＡＬＤ）。

特定のプロセスパラメーターに応じて、堆積は、種々の長さの時間にわたって行われ得る。一般に、堆積は、必要な性質を有する膜を生成するために所望の必要な長さで続けられ得る。典型的な膜厚は、具体的な堆積プロセスに応じて、数オングストローム～数百ミクロン、典型的には２ｎｍ～１００ｎｍで変動し得る。堆積プロセスは、所望の膜を得るために必要な回数でも行われ得る。

開示される膜形成組成物及び共反応物は、同時に（ＣＶＤ）、逐次的に（ＡＬＤ）、又はそれらの異なる組み合わせのいずれかで反応器に導入することができる。反応器は、膜形成組成物の導入と共反応物の導入との間に不活性ガス（例えばＮ_２、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）でパージされてもよい。或いは、共反応物と膜形成組成物を一緒に混合して共反応物／化合物混合物を形成し、その後混合物の形態で反応器に導入することができる。別の例は、共反応物を連続的に導入し、開示される膜形成組成物をパルス（パルスＣＶＤ）によって導入することである。

インジウム含有膜を形成する非限定的で代表的なＡＬＤ型プロセスにおいて、気相の開示される膜形成組成物、例えば、Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）が反応器中に導入され、反応器において、それは、適切な基板と接触する。過剰の組成物は、次に、反応器をパージ及び／又は排気することによって、すなわち、不活性ガス（例えばＮ_２、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）で反応器をパージすること又は高真空及び／若しくはキャリアガスカーテン下の区域で基板を通過させることによって反応器から除去することができる。共反応物（例えば、Ｏ_３）が反応器中に導入され、反応器において、それは、吸着された膜形成組成物と自己限定的に反応する。いかなる過剰の共反応物も、反応器をパージすること及び／又は排気することによって反応器から除去される。所望の膜が酸化物、例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３である場合、この２ステッププロセスは、所望の膜厚を提供し得、必要な厚さを有する膜が得られるまで繰り返され得る。インジウム膜形成組成物と共反応物とを交互に供給することによって、目的の組成及び厚さの膜を堆積させることができる。

代わりに、所望の膜がインジウムと第２の元素とを含む場合、前述の２ステッププロセス後、第２の元素を含む追加の前駆体化合物の蒸気を反応器中に導入することができる（３ステッププロセス）。追加の前駆体化合物は、堆積される膜の性質に基づいて選択される。第２の元素は、Ｐ、Ｎ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ、Ｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｚｎ、１種以上のランタニド、又はそれらの組み合わせを含み得る。追加の前駆体化合物が利用される場合、基板上に堆積される得られる膜は、追加の元素と組み合わせてインジウムを含む。追加の前駆体及びＩｎ（Ｉ）前駆体が２つ以上のＡＬＤスーパーサイクルシーケンスで使用される場合には、ナノラミネート膜が得られる。反応器中への導入後、追加の前駆体化合物は、基板と接触し又は吸着される。その後、いかなる過剰の追加の前駆体化合物も反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から除去される。再び、共反応物を反応器中に導入してインジウム前駆体化合物と反応させることができる。過剰の共反応物は、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から除去される。所望の膜厚が実現されれば、プロセスを終了することができる。しかし、より厚い膜が望まれる場合、この３ステッププロセス全体を繰り返すことができる。インジウム膜形成組成物、追加の前駆体化合物及び共反応物の供給を交替で行うことにより、所望の組成及び厚さの膜を堆積することができる。

或いは、交互の層のスタックを形成する非限定的な例示的なＡＬＤプロセスでは、Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）などの開示される膜形成組成物の１つの蒸気相が反応器に導入され、そこでこれは吸着膜を形成する基板と接触又は吸着する。次いで、不活性ガスでパージすること及び／又は反応器を排気することによって、過剰な組成物を反応器から除去することができる。その後、共反応物（例えばＯ_３）が反応器に導入され、そこでこれは吸着された膜形成組成物と自己制限的に反応して、Ｉｎ_２Ｏ_３などの酸化物膜を形成する。次に、不活性ガスでパージすること及び／又は反応器を排気することによって、過剰なＯ_３ガスが反応器から除去される。これらの２つのステップは、酸化膜Ｉｎ_２Ｏ_３が望まれる厚さ、典型的には約１０オングストロームの厚さになるまで繰り返すことができる。次に、酸化膜Ｉｎ_２Ｏ_３上にＺｒＯ_２などの別の層を堆積させることができる。例えば、ＺｒＣｐ（ＮＭｅ_２）_３をＺｒ前駆体として機能させることができる。Ｉｎ_２Ｏ_３の上にＺｒＯ_２の層を形成するために共反応物を使用することができる。次いで、Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）及びＯ_３を使用する上述した非限定的な例示的なＡＬＤプロセスを、ＺｒＯ_２層の上で繰り返すことができる。４段階プロセス全体（例えば、インジウム前駆体／Ｏ含有共反応物／第２の前駆体／Ｏ含有共反応物）を繰り返すことによって、Ｉｎ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２の交互の層のスタックを形成することができる。インジウム膜形成組成物、共反応物、追加の前駆体化合物、及び共反応物を交互に供給することによって、望まれる組成及び厚さの膜を堆積させることができる。得られるＩｎ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２スタックは、ＤＲＡＭコンデンサにおいて使用することができる。

上述したプロセスから得られるインジウム含有膜は、酸化インジウム、ＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｉｎ_２Ｓ_３を含むことができる。当業者は、適切な膜形成組成物及び共反応物の選択により、所望の膜組成が得られ得ることを認めるであろう。インジウム含有膜は、ＤＲＡＭ中のキャパシタ電極、３Ｄフラッシュメモリデバイス中のゲート金属、相変化メモリ中の加熱素子、論理デバイス中のエレクトロマイグレーション障壁層、ゲート金属及び接触層に適切なステップカバレージを提供し得る。

所望の膜厚を得た後、膜は、熱アニール、炉内アニール、高速熱アニール、ＵＶ、ｅビーム硬化及び／又はプラズマガス曝露などの更なる処理を行うことができる。当業者であれば、これらの更なる処理ステップを行うために用いられるシステム及び方法を認識するであろう。例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３膜は、不活性雰囲気、又はＯ含有雰囲気、それらの組み合わせの下で、約２００℃～約１０００℃の範囲の温度に０．１秒～約７２００秒の範囲の時間にわたって曝露することができる。最も好ましくは、不活性雰囲気下又はＯ含有雰囲気下において、温度は、４００℃で３６００秒である。結果として得られる膜は、より少ない不純物を含むことができ、したがって密度を改善して漏れ電流を改善することができる。アニールステップは、堆積が行われる反応チャンバーと同じ反応チャンバー中で行うことができるか、又は別の装置中で行うことができる。上記のいずれかの後処理方法、特に熱アニールは、Ｉｎ_２Ｏ_３膜の炭素及び窒素による汚染の軽減に有効であることが分かっている。これにより、したがって膜の抵抗率が改善される傾向にある。

アニーリング後、開示されるプロセスのいずれかによって堆積されたインジウム含有膜は、約５０μｏｈｍ．ｃｍ～約１，０００μｏｈｍ．ｃｍの室温でのバルク抵抗率を有し得る。室温は、季節に応じて約２０℃～約２８℃である。バルク抵抗率は、体積抵抗率としても知られる。当業者は、バルク抵抗率が典型的には約５０ｎｍ厚さである膜に関して室温で測定されることを認めるであろう。バルク抵抗率は、典型的には、電子輸送メカニズムの変化のためにより薄い膜について増加する。バルク抵抗率は、より高い温度でも増加する。

以下の非限定的な実施例は、本発明の実施形態を更に例示するために提供される。しかし、これらの実施例は、すべてを含むことを意図するものではなく、本明細書において記載される本発明の範囲を限定することを意図するものではない。

実施例１：Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）の合成
Ｅｔ_２Ｏ（５０ｍＬ）中のＬｉＣｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２（１１ｍｍｏｌ）が入っているシュレンクフラスコに、ＩｎＣｌ（１当量）を入れた。反応混合物を室温で一晩撹拌した。反応混合物を濾過した後、溶媒を減圧留去して赤色オイルを得た。蒸留後、黄色液体の最終生成物を回収した（ｍｐ約５℃）。最終生成物に対して様々な測定を行った。^１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ_６Ｄ_６，４００ＭＨｚ）：δ５．９４（ｔ，２Ｈ，Ｃｐ－Ｈ），５．８２（ｔ，２Ｈ，Ｃｐ－Ｈ），２．５２（ｔ，２Ｈ，Ｎ－ＣＨ_２－），２．２１（ｔ，２Ｈ，Ｃｐ－ＣＨ_２－），２．０９（ｓ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ_３）_２，１．６８（ｑ，２Ｈ，Ｃ－ＣＨ_２－Ｃ）。熱重量（ＴＧ）測定は、以下の測定条件で行った：試料重量：２２．３５ｍｇ、雰囲気：１ａｔｍのＮ_２、昇温速度：１０．０℃／分。化合物質量の９７．２％が２５０℃までに蒸発した。（残留物＜２．８％）。Ｔ（５０％）＝２０８℃。真空ＴＧ測定は、供給条件下で、以下の測定条件で行った：試料重量：５．４６ｍｇ、雰囲気：２０ｍｂａｒのＮ_２、昇温速度：１０．０℃／分。ＴＧ測定は、反応器への供給条件（約２０ｍｂａｒ）で行った。試料質量の５０％が１１１℃で蒸発する。

実施例２：Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）の合成
Ｌｉ（ＣｐＰｉＰｒ_２）から出発して実施例１と同様の手順でＩｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）を合成した。オレンジ色の液体が得られた。^１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ_６Ｄ_６，４００ＭＨｚ）：δ６．１７（ｔ，２Ｈ，Ｃｐ－Ｈ），５．９９（ｔ，２Ｈ，Ｃｐ－Ｈ），１．９１（ｓｅｐｔ，２Ｈ，Ｐ－ＣＨ－），１．２０－１．００（ｍ，１２Ｈ，Ｃ－ＣＨ_３）。

仮想実施例１：Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）を使用する堆積
実施例１で合成したＩｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）をインジウム前駆体として、Ｈ_２ＯとＯ_３を反応ガスとして使用して、以下の堆積条件でＡＬＤ法により基板上に酸化インジウム膜を形成することができる。最初のステップでは、Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）が充填されたシリンダーが９０℃に加熱され、１００ｓｃｃｍのＮ_２ガスでバブリングされ、Ｉｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）が反応チャンバーに導入される（パルスＡ）。次のステップでは、オゾン発生器により生成したＯ_３に５０ｓｃｃｍのＮ_２ガスが供給され、反応チャンバーに導入される（パルスＢ）。各ステップに続いて、２００ｓｃｃｍのＮ_２をパージガスとして使用する４秒間のパージステップが反応チャンバーに対して行われた。約１ｔｏｒｒの圧力の反応チャンバー内で１５０℃の基板温度を有するＳｉ基板に対して２００サイクルが実行された。その結果、約１５０℃で酸化インジウム膜が得られる。

仮想実施例２：Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）を使用する堆積
実施例２で合成したＩｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）をインジウム前駆体として、Ｈ_２ＯとＯ_３を反応ガスとして使用して、以下の堆積条件でＡＬＤ法により基板上に酸化インジウム膜を形成することができる。最初のステップでは、Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）が充填されたシリンダーが９０℃に加熱され、１００ｓｃｃｍのＮ_２ガスでバブリングされ、Ｉｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）が反応チャンバーに導入される（パルスＡ）。次のステップでは、オゾン発生器により生成したＯ_３に５０ｓｃｃｍのＮ_２ガスが供給され、反応チャンバーに導入される（パルスＢ）。各ステップに続いて、２００ｓｃｃｍのＮ_２をパージガスとして使用する４秒間のパージステップが反応チャンバーに対して行われた。約１ｔｏｒｒの圧力のＡＬＤチャンバー内で１５０℃の基板温度を有するＳｉ基板に対して２００サイクルが実行された。その結果、１５０℃で酸化インジウムが得られた。

仮想実施例３：Ｉｎ（ＣｐＮＭｅ_２）の合成とＩｎ（ＣｐＮＭｅ_２）を使用する堆積
Ｅｔ_２Ｏ（５０ｍＬ）中のＬｉＣｐＮＭｅ_２が入っているシュレンクフラスコに、ＩｎＣｌ（１当量）を入れた。反応混合物を室温で一晩撹拌した。反応混合物を濾過した後、溶媒を減圧留去することで目的化合物を得た。

反応ガスとしてＨ_２Ｏ及び／又はＯ_３の組み合わせで合成されたＩｎ（ＣｐＮＭｅ_２）を使用して、以下の堆積条件でＡＬＤ法により基板上に酸化インジウム膜を形成することができる。最初のステップでは、ＬｉＣｐＮＭｅ_２が充填されたシリンダーが９０℃に加熱され、１００ｓｃｃｍのＮ_２ガスでバブリングされ、ＬｉＣｐＮＭｅ_２が反応チャンバーに導入される（パルスＡ）。次のステップでは、オゾン発生器により生成したＯ_３に５０ｓｃｃｍのＮ_２ガスが供給され、反応チャンバーに導入される（パルスＢ）。各ステップに続いて、２００ｓｃｃｍのＮ_２をパージガスとして使用する４秒間のパージステップが反応チャンバーに対して行われた。約１ｔｏｒｒの圧力のＡＬＤチャンバー内で１５０℃の基板温度を有するＳｉ基板に対して２００サイクルが実行された。その結果、１５０℃で酸化インジウムが得られた。

本明細書で説明される主題は、ユーザ対話型コンポーネントを有するコンピューティングアプリケーションのための１つ以上のコンピューティングアプリケーション機能／動作を処理するための例示的な実装との関係で説明され得るが、主題はこれらの特定の実施形態に限定されない。むしろ、本明細書に記載の技術は、任意の適切なタイプのユーザ対話型コンポーネント実行管理方法、システム、プラットフォーム、及び／又は装置に適用することができる。

本発明の性質を説明するために本明細書に記載され例示された詳細、材料、ステップ及び部品の配置の多くの更なる変更形態は、添付の請求項に示される本発明の原理及び範囲から逸脱せずに当業者によってなされ得ることを理解されたい。したがって、本発明は、前述の実施例及び／又は添付の図面中の特定の実施形態に限定されることを意図するものでない。

本発明の実施形態が示されており、説明されているが、本発明の趣旨又は教示から逸脱することなしに、これらの修正が当業者によって行われ得る。本明細書に記載の実施形態は、例示にすぎず、限定ではない。組成物及び方法の多くの変形及び修正が可能であり、それらは本発明の範囲内である。したがって、保護の範囲は本明細書に記載の実施形態に限定されず、特許請求の範囲の主題のすべての均等物を含むことになる特許請求の範囲によってのみ限定される。

Claims (15)

1. インジウム含有膜を形成する方法であって、
   一般式：
   Ｉｎ［Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＣｐＬ^１］又はＩｎ［ＣｐＬ^１Ｌ^２ _ｙ］
   （式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｙ＝１～４である）
   を有するヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体を含有する膜形成組成物の蒸気に基板を曝露するステップ、及び
   蒸着法を使用して前記ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積させて、前記インジウム含有膜を形成するステップ、
   を含む方法。
2. Ｌ^１及びＬ^２が、それぞれ独立して－（Ｃ_ｋＨ_ｌ－ＥＲ_ｍ）基（式中、－Ｃ_ｋＨ_ｌは、直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖であり；ｋ＝０～６であり；ｌ＝０～１１であり；Ｅ＝Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、環状、又は分岐のアルキルである）である、請求項１に記載の方法。
3. 前記ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体が、
   （式中、ｎ及びｎ’はそれぞれ独立して０～６であり、Ｃ_０～Ｃ_６の直鎖、環状、又は分岐のアルキル鎖を表し；Ｅ及びＥ’は、それぞれ独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉであり；Ｒ＝Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_５の直鎖、分岐、又は環状のアルキル又はヘテロアルキルであり；Ｒ^１～Ｒ^４は、独立してＨ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；ｍ＝０～４であり；ｙ＝１～４である）
   からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
4. 前記ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体がＩｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）である、請求項１に記載の方法。
5. 前記ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体がＩｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）である、請求項１に記載の方法。
6. 反応器に共反応物を供給するステップをさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記共反応物が、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、Ｏラジカル、アルコール、シラノール、アミノアルコール、カルボン酸、パラホルムアルデヒド、又はそれらの混合物から選択される酸化剤である、請求項６に記載の方法。
8. 前記共反応物が、ＮＨ_３、Ｎ_２、Ｈ_２、Ｎ_２／Ｈ_２、Ｈ_２とＮＨ_３、Ｎ_２とＮＨ_３、ＮＨ_３とＮ_２Ｈ_４、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、アミン、ジアミン、シアニド、ジイミン、ヒドラジン、有機アミン、ピラゾリン、ピリジン；メチルアミン、エチルアミン、ｔｅｒｔブチルアミンなどの一級アミン；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルメチルアミン、ピロリジンなどの二級アミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリシリルアミンなどの三級アミン；又はそれらの混合物から選択される窒素含有還元剤である、請求項６に記載の方法。
9. 前記インジウム含有膜が、Ｉｎ_ｘＯ_ｙ、ＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、又はＩｎ_２Ｓ_３である、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記インジウム含有膜が、Ｐ、Ｎ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ、Ｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｚｎ、１つ以上のランタニド、又はそれらの組み合わせから選択される第２の元素を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記基板が、ＮＭＣ（リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物）、ＬＣＯ（リチウムコバルト酸化物）、ＬＦＰ（リン酸鉄リチウム）、及び他の電池カソード材料のうちの１つ以上を含む粉末である、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記蒸着法がＡＬＤ、ＣＶＤ、又はそれらの組み合わせである、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
13. 一般式：
    Ｉｎ［Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＣｐＬ^１］又はＩｎ［ＣｐＬ^１Ｌ^２ _ｙ］
    （式中、Ｃｐはシクロペンタジエニル配位子を表し；Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４の直鎖、分岐、又は環状のアルキルであり；Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、Ｃｐ配位子に結合しており且つＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含むアルキル鎖からなる置換基であり；ｙ＝１～４である）
    を有するヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体を含む、蒸着プロセスのための膜形成組成物。
14. 前記ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体がＩｎ（Ｃｐ（ＣＨ_２）_３ＮＭｅ_２）である、請求項１３に記載の膜形成組成物。
15. 前記ヘテロアルキルシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）前駆体がＩｎ（ＣｐＰｉＰｒ_２）である、請求項１３に記載の膜形成組成物。