JP2023532335A - ハードマスク及びその他のパターニング応用のための高密度炭素膜を製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
本開示の実施形態は、概して、集積回路の製造に関する。より具体的には、本明細書に記載の実施形態は、パターニング応用のための低応力ダイヤモンド状炭素膜を製造するための方法を提供する。1つ又は複数の実施形態では、方法は、静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことと、静電チャックに第1のRFバイアスを印加することにより、処理空間内の基板の上方にプラズマを生成して、基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることとを含む。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa以上の圧縮応力を有する。この方法は、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を加熱することをさらに含む。低応力ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa未満の圧縮応力を有する。【選択図】図3
Description
[0001] 本開示の実施形態は、概して、集積回路の製造に関する。より具体的には、本明細書に記載され説明される実施形態は、パターニング応用のための高密度膜の堆積のための技術を提供する。
関連技術の説明
[0002] 集積回路は、単一チップ上に数百万個ものトランジスタ、コンデンサ、及び抵抗器が搭載されうる複雑なデバイスへと進化を遂げている。チップ設計の進化には、より高速な回路とより高い回路密度とが、絶えず必要とされる。より高い回路密度を有するより高速な回路に対する要求により、かかる集積回路の製造に使用される材料についても、相応な要求が課されている。具体的には、集積回路構成要素の寸法がサブミクロン単位まで小さくなるにつれ、かかる構成要素から適切な電気的性能を得るために、低抵抗率の導電性材料だけでなく低誘電率の絶縁材料を使用することも、現在必要になっている。
[0002] 集積回路は、単一チップ上に数百万個ものトランジスタ、コンデンサ、及び抵抗器が搭載されうる複雑なデバイスへと進化を遂げている。チップ設計の進化には、より高速な回路とより高い回路密度とが、絶えず必要とされる。より高い回路密度を有するより高速な回路に対する要求により、かかる集積回路の製造に使用される材料についても、相応な要求が課されている。具体的には、集積回路構成要素の寸法がサブミクロン単位まで小さくなるにつれ、かかる構成要素から適切な電気的性能を得るために、低抵抗率の導電性材料だけでなく低誘電率の絶縁材料を使用することも、現在必要になっている。
[0003] より大きな集積回路密度に対する要求は、集積回路構成要素の製造に使用される処理シーケンスにも要求を課す。例えば、従来のフォトリソグラフィ技法を使用する処理シーケンスでは、基板に配置された積層体の材料層の上にエネルギー感応性レジストの層が形成される。このエネルギー感応性レジスト層は、パターンの像に露光され、フォトレジストマスクが形成される。その後、エッチング処理を使用して、マスクパターンが積層体の1つ又は複数の材料層に転写される。このエッチング処理で使用される化学エッチャントは、エネルギー感応性レジストのマスクに対してよりも、積層体の材料層に対してより高いエッチング選択性を有するように選択される。つまり、この化学エッチャントは、エネルギー感応性レジストよりもはるかに速い速度で材料積層体の1つ又は複数の層をエッチングする。レジスト上の積層体の1つ又は複数の材料層に対するエッチング選択性により、パターン転写が完了する前のエネルギー感応性レジストの消耗が防止される。
[0004] パターン寸法が縮小するにつれて、パターン解像度を制御するために、エネルギー感応性レジストの厚さも相応に小さくなる。このような薄いレジスト層は、化学エッチャントの浸食により、パターン転写工程中に下層の材料層をマスキングするのに不十分となることがありうる。ハードマスクと呼ばれる中間層(例えば、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、又は炭素膜)は、エネルギー感応性レジスト層と下層の材料層との間に使用されることが多く、化学エッチャントに対する耐性がより高いので、パターン転写を容易にする。高いエッチング選択性と速い堆積速度の両方を有するハードマスク材料が、求められている。限界寸法(CD)が小さくなっているため、既存のハードマスク材料は、下層材料(例えば酸化物及び窒化物)と比較して望ましいエッチング選択性が欠如しており、かつ多くの場合、堆積が困難である。
[0005] したがって、当該技術分野では、改善されたハードマスク層、及び改善されたハードマスク層を堆積するための方法が必要とされている。
[0006] 本開示の実施形態は、概して、集積回路の製造に関する。より具体的には、本明細書に記載され説明される実施形態は、パターニング応用のための低応力(reduced-stress)ダイヤモンド状炭素膜膜などの高密度膜の堆積のための技法を提供する。1つ又は複数の実施形態では、基板を処理する方法は、静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に、炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことを含み、処理空間は約0.5mTorr~約10Torrの圧力で維持されている。この方法はまた、静電チャックに第1のRFバイアスを印加して、処理空間内の基板の上方にプラズマを生成し、基板上に応力負荷(stressed)ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることを含み、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa以上の圧縮応力を有する。この方法は、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することをさらに含む。低応力ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa未満の圧縮応力と1.5g/ccを上回る密度とを有する。いくつかの実施例では、窒素ドープダイヤモンド状炭素膜は、1.5g/cc超~約2.1g/ccの密度と、約20MPa~約400MPaの圧縮応力とを有する。
[0007] いくつかの実施形態では、基板を処理する方法は、静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に、炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことを含み、処理空間は約0.5mTorr~約10Torrの圧力で維持されている。この方法はまた、基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させるために、静電チャックに第1のRFバイアスを印加することにより、処理空間内の基板の上方においてプラズマを生成することを含む。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、約50原子%~約90原子%のsp3ハイブリッド炭素原子を含み、500MPa以上の圧縮応力と1.5g/ccを上回る密度とを有する。この方法はまた、熱アニーリング処理の間に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板をプラズマ処理チャンバから熱アニーリングチャンバへ移送することと、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することとを含む。低応力ダイヤモンド状炭素膜は、約50原子%~約90原子%のsp3ハイブリッド炭素原子を含み、約20MPa~500MPa未満の圧縮応力と1.5g/cc超~約2.1g/ccの密度とを有する。
[0008] 他の実施形態では、基板を処理する方法は、静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことと、静電チャックに第1のRFバイアスを印加することにより、処理空間内の基板の上方においてプラズマを生成し、基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることとを含む。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa以上の圧縮応力を有する。この方法はまた、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することを含む。低応力ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa未満の圧縮応力と1.5g/ccを上回る密度とを有する。また、低応力ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力は、応力負荷ダイヤモンドラ状炭素膜の圧縮応力より約40%~約90%小さい。この方法は、低応力ダイヤモンド状炭素膜の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、パターニングフォトレジスト層に対応するパターンで低応力ダイヤモンド状炭素膜をエッチングすることと、パターンを基板にエッチングすることとをさらに含む。
[0009] 1つ又は複数の実施形態では、極紫外線(「EUV」)リソグラフィ処理の下層として使用するための低応力ダイヤモンド状炭素膜が提供され、約50原子%~約90原子%、又は約60原子%~約70原子%のsp3ハイブリッド炭素原子を含む。低応力ドープダイヤモンド状炭素膜は、1.5g/cc超~約2.1g/cc、約1.55g/cc~2g/cc未満、又は約1.6g/cc~約1.8g/ccの密度と、60GPa~約150GPa、又は約65GPa~約80GPaの弾性率と、約20MPa~約600MPa未満、又は約200MPa~約500MPa、又は約250MPa~約400MPaの圧縮応力とを有する。
[0010] 上述の本開示の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実装を参照することによって得られ、一部の実装は、付随する図面に例示されている。しかしながら、本開示が他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本発明の範囲を限定すると見なされないことに注意されたい。
[0017] 理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられている。
[0018] 本明細書で提供される実施形態は、低応力ダイヤモンド状炭素膜と、低応力ダイヤモンド状炭素膜を基板上に堆積させるか又は形成するための方法とに関する。本開示の様々な実施形態の完全な理解をもたらすために、特定の詳細が以下の説明及び図1A~図5で提示されている。様々な実行形態の説明を不必要に曖昧にすることを避けるために、プラズマ処理及びダイヤモンド状炭素膜の堆積に関連することが多い周知の構造及びシステムについて説明するその他の詳細事項は、以下の開示に明記しない。
[0019] 図面に示す詳細、寸法、角度、及びその他の特徴の多くは、特定の実施形態の例示に過ぎない。したがって、他の実施形態は、本開示の主旨又は範囲から逸脱することなく、他の詳細、構成要素、寸法、角度、及び特徴を有しうる。加えて、本開示のさらなる実施形態は、以下に記載された詳細のうちのいくつかがなくても、実施可能である。
[0020] 本明細書に記載の実施形態は、高密度(例えば、>1.5g/cc)、高弾性率(例えば、>60GPa)、及び低圧縮応力(例えば、<500MPa)を有する低応力ダイヤモンド状炭素膜の製造方法の改良を含む。本明細書に記載の実施形態により製造される低応力ダイヤモンド状炭素膜は、非晶質であり、現行のパターニング膜よりも低い応力とともに、より高いエッチング選択性を有している。本明細書に記載の実施形態により製造される低応力ダイヤモンド状炭素膜は、圧縮応力が低いだけでなく、sp3炭素含有量が高くなっている。概して、本明細書に記載の堆積処理及びアニーリング処理はまた、ハードマスク応用の現行の集積化スキームと完全な互換性がある。
[0021] 1つ又は複数の実施形態において、低応力ダイヤモンド状炭素膜の作製又は製造は、化学気相堆積(CVD)処理などの堆積処理中に基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積又は形成することと、次に、熱アニーリング処理中などに基板をアニーリングすることにより、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換することとを含む。例えば、この方法は、静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことと、静電チャックに第1のRFバイアスを印加することにより、基板の上方にプラズマを生成して、基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることとを含む。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、一般的に500MPa以上の圧縮応力を有し、例えば約-600MPa~約-1,000MPaの圧縮応力を有する。この方法はまた、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することを含む。
[0022] いくつかの実施形態では、本明細書に記載の応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、1つ又は複数の炭化水素化合物を用いて、例えば、プラズマCVD処理及び/又は熱CVD処理などのCVDによって形成されてもよい。1つ又は複数の実施例では、1つ又は複数の炭化水素化合物、及び任意選択により1つ又は複数の希釈ガスを含む堆積ガスは、処理チャンバの処理空間に流されるか又は導入されうる。基板は処理空間内の静電チャックに位置するか、静電チャック上に配置され、静電チャックはチャッキング電極と、チャッキング電極から分離されたRF電極とを有する。この方法は、基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させるために、RF電極に第1のRFバイアスと、チャッキング電極に第2のRFバイアスとを印加することにより、基板の上、及び/又は基板の上方にプラズマを生成することをさらに含む。
[0023] 例示的な炭化水素化合物は、エチレン又はアセチレン(C2H2)、プロペン(C3H6)、メタン(CH4)、ブテン(C4H8)、1,3-ジメチルアダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ2,5-ジエン(2,5-ノルボルナジエン)、アダマンティン(C10H16)、ノルボルネン(C7H10)、これらの誘導体、これらの異性体、又はこれらの任意の組み合せであるか、これらを含みうる。堆積ガスは、例えば、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン、窒素(N2)、水素(H2)、又はこれらの任意の組み合わせなど、1つ、2つ、又はそれ以上の希釈ガス、キャリアガス、及び/又はパージガスをさらに含んでもよい。いくつかの実施例では、堆積ガスは、膜の品質を向上させるために、塩素(Cl2)、四フッ化炭素(CF4)、及び/又は三フッ化窒素(NF3)などのエッチャントガスをさらに含んでもよい。
[0024] 基板及び/又は処理空間は、堆積処理の間、個別の温度で加熱及び維持することができる。基板及び/又は処理空間は、約50℃、約40℃、約25℃、約10℃、約5℃、約0℃、約5℃、又は約10℃~約15℃、約20℃、約23℃、約30℃、約50℃、約100℃、約150℃、約200℃、約300℃、約400℃、約500℃、又は約600℃まで加熱されうる。例えば、基板及び/又は処理空間は、約50℃~約600℃、約50℃~約450℃、約50℃~約350℃、約50℃~約200℃、約50℃~約100℃、約50℃~約50℃、約50℃~約0℃、約40℃~約200℃、約40℃~約100℃、約40℃~約80℃、約40℃~約50℃、約40℃~約25℃、約40℃~約10℃、約40℃~約0℃、約0℃~約600℃、約0℃~約450℃、約0℃~約350℃、約0℃~約200℃、約0℃~約120℃、約0℃~約100℃、約0℃~約80℃、約0℃~約50℃、約0℃~約25℃、約10℃~約600℃、約10℃~約450℃、約10℃~約350℃、約10℃~約200℃、約10℃~約100℃、又は約10℃~約50℃の温度に加熱されうる。
[0025] 処理チャンバの処理空間は、堆積処理の間、大気圧以下の圧力に維持される。処理チャンバの処理空間は、約0.1mTorr、約0.5mTorr、約1mTorr、約5mTorr、約10mTorr、約50mTorr、又は約80mTorr~約100mTorr、約250mTorr、約500mTorr、約1Torr、約5Torr、約10Torr、約20Torr、約50Torr、又は約100Torrの圧力に維持されている。例えば、処理チャンバの処理空間は、約0.1mTorr~約10Torr、約0.1mTorr~約5Torr、約0.1mTorr~約1Torr、約0.1mTorr~約500mTorr、約0.1mTorr~約100mTorr、約0.1mTorr~約10mTorr、約1mTorr~約10Torr、約1mTorr~約5Torr、約1mTorr~約1Torr、約1mTorr~約500mTorr、約1mTorr~約100mTorr、約1mTorr~約10mTorr、約5mTorr~約10Torr、約5mTorr~約5Torr、約5mTorr~約1Torr、約5mTorr~約500mTorr、約5mTorr~約100mTorr、又は約5mTorr~約10mTorrの圧力に維持されている。1つ又は複数の実施例では、プラズマを生成し、約0℃~約50℃の温度に維持された基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させる際に、処理空間は約0.5mTorr~約10Torr、約1mTorr~約500mTorr、又は約5mTorr~約100mTorrの圧力に保持される。
[0026] プラズマ(例えば、容量結合プラズマ)は、頂部及び底部の電極又は側部電極のいずれかから形成されうる。これらの電極は、単一の電力供給電極から、二重の(dual)電力供給電極から、又は複数の周波数(約350KHz、約2MHz、約13.56MHz、約27MHz、約40MHz、約60MHz、及び約100MHzなどであるが、これらに限定されるわけではない)を伴うより多くの電極から、形成されてよく、薄い応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させるために、本明細書で列挙されている反応ガスのいずれか又はすべてと共に、CVDシステムにおいて代替的に又は同時に使用される。
[0027] 1つ又は複数の実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、約10℃に維持された基板ペデスタルを有する処理チャンバであって、圧力が約2mTorrに維持され、静電チャックに約2,500ワット(約13.56MHz)のバイアスを印加することにより基板レベル又はその上方において生成されたプラズマを有する、処理チャンバ内で堆積される。他の実施形態では、約2MHzで約1,000ワットの追加のRF電力もまた、静電チャックに供給され、基板レベルでデュアルバイアスプラズマを生成する。
[0028] 本明細書に記載され説明される実施形態は、任意の適切な薄膜堆積システムを使用して実行されうるプラズマ化学気相堆積(PE‐CVD)処理を参照して以下で説明される。適切なシステムの例には、DXZ(登録商標)処理チャンバ、PRECISION5000(登録商標)システム、PRODUCER(登録商標)システム、PRODUCER(登録商標)GT(商標)システム、PRODUCER(登録商標)XP Precision(商標)システム、PRODUCER(登録商標)SE(商標)システム、Sym3(登録商標)処理チャンバ、及びMesa(商標)処理チャンバを使用可能なCENTURA(登録商標)システムが含まれており、これらはすべて、カリフォルニア州サンタクララに所在するApplied Materials Inc.から入手可能である。PE-CVD処理を実施可能な他のツールも、本明細書に記載の実施形態から恩恵を受けるよう適合されうる。加えて、本明細書に記載のCVD処理を可能にする任意のシステムを有利に使用することができる。本明細書に記載の任意の装置の説明は例示的なものであり、本明細書に記載された実施形態の範囲を制限するものとして理解又は解釈するべきではない。
[0029] 1つ又は複数の実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板は、本明細書に記載され説明されるように、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換するために、1つ又は複数の熱アニーリング処理にさらに曝露される。いくつかの実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板は、堆積されたのと同じ処理チャンバ(例えば、プラズマ処理チャンバ)内で熱アニールすることができる。すなわち、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させた後、同じ処理チャンバ内でアニールして、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成することができる。
[0030] 他の実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板を第1の処理チャンバ(例えば、プラズマ処理チャンバ)から第2の処理チャンバ(例えば、熱アニーリングチャンバ)に移送し、熱アニーリング処理に曝露して応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換させる。例えば、製造プロセスには、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板を第1の処理チャンバから取り出すこと、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板を熱アニーリングチャンバに配置すること、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を加熱すること、次に低応力ダイヤモンド状炭素膜を含む基板を熱アニーリングチャンバから取り出すことが含まれうる。
[0031] 応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約200℃、約250℃、約300℃、約350℃、約375℃、約390℃、又は約400℃~約410℃、約425℃、約450℃、約475℃、約500℃、約550℃、約600℃、約650℃、約700℃、又は約800℃で加熱される。例えば、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド様炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約200℃~約800℃、約200℃~約700℃、約200℃~約600℃、約200℃~約500℃、約200℃~約450℃、約200℃~約400℃、約200℃~約350℃、約200℃~約300℃、約300℃~約600℃、約300℃~約500℃、約300℃~約450℃、約300℃~約400℃、約300℃~約350℃、約350℃~約600℃、約350℃~約500℃、約350℃~約450℃、約350℃~約420℃、約350℃~約400℃、約350℃~380℃、約380℃~約420℃、または約390℃~約410℃の温度で加熱される。
[0032] 応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約15秒、約30秒、約1分、約1.5分、約2分、約3分、約4分、又は約5分~約6分、約8分、約10分、約12分、約15分、約20分、約30分、約40分、約50分、約60分、約75分、約90分間、又はそれ以上加熱される。例えば、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約15秒~約90分、約15秒~約75分、約15秒~約60分、約15秒~約45分、約15秒~約30分、約15秒~約20分、約15秒~約10分、約15秒~約5分、約15秒~約3分、約15秒~約1分、約15秒~約30秒、約1分~約90分、約1分~約75分、約1分~約60分、約1分~約45分、約1分~約30分、約1分~約20分、約1分~約10分、約1分~約5分、約1分~約3分、約3分~約90分、約3分~約75分、約3分~約60分、約3分~約45分、約3分~約30分、約3分~約20分、約3分~約10分、約3分~約8分、約3分~約5分、約4分~約8分、または約4分~約6分間加熱される。
[0033] 1つ又は複数の実施例では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱される。いくつかの実施例では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約300℃~約500℃の温度で約2分~約15分間加熱される。他の実施例では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜、基板、及び/又は処理チャンバは、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約350℃~約450℃の温度で約3分~約8分間加熱される。
[0034] 応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む基板は、熱アニーリング処理の間、処理チャンバ内に位置するか、配置される。処理チャンバは、プラズマ処理チャンバ、熱アニーリング処理チャンバ、真空チャンバ、堆積チャンバ(例えば、CVDチャンバ)、又は基板を熱的に加熱するために使用できる他のタイプのチャンバであるか、これらを含みうる。処理チャンバ内の処理空間は、熱アニーリング処理中に、真空下、及び/又は、処理ガス又はアニーリングガスを含む環境下にありうる。例示的な処理ガス又はアニーリングガスは、窒素(N2)、アルゴン、ヘリウム、ネオン、又はこれらの任意の組み合わせであるか、これらを含みうる。
[0035] 処理チャンバ内の処理空間は、熱アニーリング処理中に、約0.5mTorr、約1mTorr、約5mTorr、約10mTorr、約50mTorr、約100mTorr、約500mTorr~約800mTorr、約1Torr、約2Torr、約5Torr、約8Torr、約10Torr、約20Torr、約50Torr、又は約100Torrの圧力を有しうる。例えば、処理チャンバ内の処理空間は、熱アニーリング処理中に、約5mTorr~約100Torr、約10mTorr~約100Torr、約100mTorr~約100Torr、約500mTorr~約100Torr、約1Torr~約100Torr、約5Torr~約100Torr、約10Torr~約100Torr、約25Torr~約100Torr、約50Torr~約100Torr、約0.5mTorr~約20Torr、約5mTorr~約20Torr、約10mTorr~約20Torr、約100mTorr~約20Torr、約500mTorr~約20Torr、約1Torr~約20Torr、約5Torr~約20Torr、約10Torr~約20Torr、約0.5mTorr~約1Torr、約5mTorr~約1Torr、約5mTorr~約1Torr、約10mTorr~約1Torr、約100mTorr~約1Torr、約500mTorr~約1Torrの圧力を有しうる。
[0036] アニーリング処理は、ダイヤモンド状炭素膜からの圧縮応力を大幅に減少させ、その結果、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力の多くは、ひとたび低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換されると、緩和、軽減、又は除去される。密度、弾性率、sp3ハイブリッド炭素原子濃度、水素濃度など、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の他の多くの特性は、これから生成される低応力ダイヤモンド状炭素膜と同じか、実質的に類似している。
[0037] 低応力ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力は、低応力膜が作られる元となる応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力よりも小さい。いくつかの実施例では、低応力ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力は、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力よりも約25%、約30%、約35%、約40%、約45%、約50%、又は約55%~約60%、約65%、約70%、約75%、約80%、約85%、約90%、又は約95%小さくなっている。例えば、低応力ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力は、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の圧縮応力よりも、約25%~約95%、約25%~約90%、約25%~約80%、約25%~約75%、約25%~約70%、約25%~約60%、約25%~約55%、約25%~約50%、約25%~約40%、約40%~約95%、約40%~約90%、約40%~約80%、約40%~約75%、約45%、約40%~約40%。約40%~約70%、約40%~約60%、約40%~約55%、約40%~約50%、約50%~約95%、約50%~約90%、約50%~約80%、約50%~約75%、約50%~約70%、約50%~約60%、約60%~約70%、約60%~約80%、又は約60%~約90%小さくなっている。
[0038] 応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa以上、例えば、約525MPa、約550MPa、約575MPa、約600MPa、約625MPa、又は約650MPa~約675MPa、約700MPa、約725MPa、約750MPa、約800MPa、約850MPa、約900MPa、約950MPa、約1,000MPa、約1,100MPa、約1,200MPa、又はこれを上回る圧縮応力を有しうる。例えば、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa~約1,200MPa、500MPa~約1,000MPa、500MPa~約900MPa、500MPa~約850MPa、500MPa~約800MPa、500MPa~約750MPa、500MPa~約725MPa、500MPa~約700MPa、500MPa~約675MPa、500MPa~約650MPa、500MPa~約625MPa、500MPa~約600MPa、約600MPa~約1,200MPa、約600MPa~約1,000MPa、約600MPa~約900MPa、約600MPa~約850MPa、約600MPa~約800MPa、約600MPa~約750MPa、約600MPa~約725MPa、約600MPa~約700MPa、約600MPa~約675MPa、約600MPa~約650MPa、約600MPa~約625MPa、約650MPa~約1,200MPa、約650MPa~約1,000MPa、約650MPa~約900MPa、約650MPa~約850MPa、約650MPa~約800MPa、約650MPa~約750MPa、約650MPa~約725MPa、又は約650MPa~約700MPaの圧縮応力を有しうる。
[0039] 低応力ダイヤモンド状炭素膜は、500MPa未満、例えば、約10MPa、約20MPa、約50MPa、約80MPa、約100MPa、約125MPa、約150MPa、約175MPa、約200MPa、約225MPa、約250MPa、約275MPa、又は約300MPa~約325MPa、約350MPa、約375MPa、約400MPa、約425MPa、約450MPa、約475MPa、約490MPa、約495MPa、約499MPa、又は‐500MPa未満の圧縮応力を有しうる。例えば、低応力ダイヤモンド状炭素膜は、約20MPa~500MPa未満、約50MPa~500MPa未満、約80MPa~500MPa未満、約100MPa~500MPa未満、約150MPa~500MPa未満、約200MPa~500MPa未満、約225MPa~500MPa未満、約250MPa~500MPa未満、約275MPa~500MPa未満、約300MPa~500MPa未満、約325MPa~500MPa未満、約350MPa~500MPa未満、約375MPa~500MPa未満、約400MPa~500MPa未満、約450MPa~500MPa未満、約20MPa~400MPa未満約50MPa~約400MPa、約80MPa~約400MPa、約100MPa~約400MPa、約150MPa~約400MPa、約200MPa~約400MPa、約225MPa~約400MPa、約250MPa~約400MPa、約275MPa~約400MPa、約300MPa~約400MPa、約325MPa~約400MPa、約350MPa~約400MPa、約375MPa~約400MPa、約20MPa~約300MPa、約50MPa~約300MPa、約80MPa~約300MPa、約100MPa~約300MPa、約150MPa~約300MPa、約200MPa~約300MPa、約225MPa~約300MPa、約250MPa~約300MPa、又は約275MPa~約300MPaの圧縮応力を有しうる。
[0040] 1つ又は複数の実施例では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、約600MPa~約1,000MPaの圧縮応力を有し、ひとたび低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換されると、約20MPa~約400MPa、又は約150MPa~約400MPaの圧縮応力を有する。いくつかの実施例では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、約650MPa~約900MPaの圧縮応力を有し、ひとたび低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換されると、約50MPa~約350MPa、又は約200MPa~約350MPaの圧縮応力を有する。他の実施例では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、約700MPa~約850MPaの圧縮応力を有し、ひとたび低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換されると、約100MPa~約325MPa、又は約250MPa~約325MPaの圧縮応力を有する。
[0041] 1つ又は複数の実施形態では、RPSを通じて水素ラジカルが供給され、これが、sp2ハイブリッド炭素原子の選択的エッチングにつながり、ひいては膜のsp3ハイブリッド炭素原子の分画(fraction)をさらに増大させ、これによりエッチング選択性をさらに高める。低応力ダイヤモンド状炭素膜の高いエッチング選択性は、既存の生成膜よりも高い密度及び弾性率を有することによって実現される。理論に縛られるわけではないが、密度及び弾性率の向上は、低応力ダイヤモンド状炭素膜中のsp3ハイブリッド炭素原子の含有量の増大によりもたらされると考えられており、この含有量の増大は、低い圧力とプラズマ出力との組み合わせによって実現されうる。
[0042] 応力負荷ダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、それぞれのダイヤモンド状炭素膜中の炭素原子の総量を基準にして、少なくとも40原子%(at%)、約45at%、約50at%、約55at%、又は約58at%~約60at%、約65at%、約70at%、約75at%、約80at%、約85at%、約88at%、約90at%、約92at%、又は約95at%であるsp3ハイブリッド炭素原子の濃度又は割合(例えば、sp3ハイブリッド炭素原子含有量)を個別に有しうる。例えば、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々はそれぞれのダイヤモンド状炭素膜中の炭素原子の総量を基準にして、少なくとも40at%~約95at%、約45at%~約95at%、約50at%~約95at%、約50at%~約90at%、約50at%~約85at%、約50at%~約80at%、約50at%~約75at%、約50at%~約70at%、約50at%~約65at%、約55at%~約75at%、約55at%~約70at%、約55at%~約65at%、約55at%~約60at%、約60at%~約80at%、約60at%~約75at%、約60at%~約70at%、約60at%~約65at%、約65at%~約95at%、約65at%~約90at%、約65at%~約85at%、約65at%~約80at%、約65at%~約75at%、約65at%~約70at%、約65at%~約68at%、約75at%~約95at%、約75at%~約90at%、約75at%~約85at%、約75at%~約80at%、又は約75at%~約78at%であるsp3ハイブリッド炭素原子の濃度又は割合を個別に有しうる。
[0043] いくつかの実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、60at%未満、例えば、55at%未満又は50at%未満のsp2ハイブリッド炭素原子の濃度又は割合(例えば、sp2ハイブリッド炭素原子含有量)を個別に有しうる。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、それぞれのダイヤモンド状炭素膜中の炭素原子の総量を基準にして、約5at%、約10at%、約15at%、約20at%、約25at%、約28at%、約30at%、約32at%、約35at%、約36at%、約38at%、約40at%、約45at%、約50at%、約55at%、又は約60at%であるsp2ハイブリッド炭素原子の濃度又は割合を個別に有しうる。例えば、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、それぞれのダイヤモンド状炭素膜中の炭素原子の総量を基準にして、約5at%~約60at%、約5at%~約50at%、約5at%~約45at%、約5at%~約40at%、約5at%~約38at%、約5at%~約36at%、約5at%~約35at%、約5at%~約32at%、約5at%~約30at%、約5at%~約25at%、約5at%~約20at%、約5at%~約15at%、約5at%~約10at%、約20at%~約60at%、約20at%~約50at%、約20at%~約45at%、約20at%~約40at%、約20at%~約38at%、約20at%~約36at%、約20at%~約35at%、約20at%~約32at%、約20at%~約30at%、約20at%~約25at%、約20at%~約22at%、約30at%~約60at%、約30at%~約50at%、約30at%~約45at%、約30at%~約40at%、約30at%~約38at%、約30at%~約36at%、約30at%~約35at%、約30at%~約32at%、約32at%~約38at%、約32at%~約36at%、約32at%~約34at%、約34at%~約38at%、約34at%~約36at%であるsp2ハイブリッド炭素原子の濃度又は割合を個別に有しうる。
[0044] 応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、1.5g/cc(グラム/立方センチメートル(cm3))を上回る密度、例えば、約1.55g/cc、約1.6g/cc、約1.65g/cc、又は約1.68g/cc~約1.7g/cc、約1.72g/cc、約1.75g/cc、約1.78g/cc、約1.8g/cc、約1.85g/cc、約1.9g/cc、約1.95g/cc、約1.98g/cc、約2g/cc、約2.05g/cc、約2.1g/cc、又はこれを上回る密度を個別に有する。例えば、応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、1.5g/cc超~約2.1g/cc、1.5g/cc超~約2.05g/cc、1.5g/cc超~約2g/cc、1.5g/cc超~約1.9g/cc、1.5g/cc超~約1.85g/cc、1.5g/cc超~約1.8g/cc、1.5g/cc超~約1.78g/cc、1.5g/cc超~約1.75g/cc、1.5g/cc超~約1.72g/cc、1.5g/cc超~約1.7g/cc、1.5g/cc超~約1.68g/cc、1.5g/cc超~約1.65g/cc、1.5g/cc超~約1.6g/cc、約1.6g/cc~約2.1g/cc、約1.6g/cc~約2.05g/cc、約1.6g/cc~約2g/cc、約1.6g/cc~約1.9g/cc、約1.6g/cc~約1.85g/cc、約1.6g/cc~約1.8g/cc、約1.6g/cc~約1.78g/cc、約1.6g/cc~約1.75g/cc、約1.6g/cc~約1.72g/cc、約1.6g/cc~約1.7g/cc、約1.6g/cc~約1.68g/cc、約1.6g/cc~約1.65g/cc、約1.68g/cc~約2.1g/cc、約1.68g/cc~約2.05g/cc、約1.68g/cc~約2g/cc、約1.68g/cc~約1.9g/cc、約1.68g/cc~約1.85g/cc、約1.68g/cc~約1.8g/cc、約1.68g/cc~約1.78g/cc、約1.68g/cc~約1.75g/cc、約1.68g/cc~約1.72g/cc、約1.68g/cc~約1.7g/cc、約1.7g/cc~約1.75g/cc、約1.7g/cc~約1.72g/cc、約1.55g/cc~2g/cc未満、約1.6g/cc~2g/cc未満、約1.65g/cc~2g/cc未満、約1.68g/cc~2g/cc未満、約1.7g/cc~2g/cc未満、約1.72g/cc~2g/cc未満、約1.75g/cc~2g/cc未満、又は約1.8g/cc~2g/cc未満の密度を個別に有する。
[0045] 応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、約5Å、約10Å、約50Å、約100Å、約150Å、約200Å、又は約300Å~約400Å、約500Å、約600Å、約700Å、約800Å、約1,000Å、約2,000Å、約3,000Å、約5,000Å、約6,000Å、約8,000Å、約10,000Å、約15,000Å、約20,000Å、又はこれを上回る厚さを個別に有しうる。例えば、応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、約5Å~約20,000Å、約5Å~約10,000Å、約5Å~約5,000Å、約5Å~約3,000Å、約5Å~約2,000Å、約5Å~約1,000Å、約5Å~約500Å、約5Å~約200Å、約5Å~約100Å、約5Å~約50Å、約200Å~約20,000Å、約200Å~約10,000Å、約200Å~約6,000Å、約200Å~約5,000Å、約200Å~約3,000Å、約200Å~約2,000Å、約200Å~約1,000Å、約200Å~約500Å、約600Å~約3,000Å、約600Å~約2,000Å、約600Å~約1,500Å、約600Å~約1,000Å、約600Å~約800Å、約1,000Å~約20,000Å、約1,000Å~約10,000Å、約1,000Å~約5,000Å、約1,000Å~約3,000Å、約1,000Å~約2,000Å、約2,000Å~約20,000Å、又は約2,000Å~約3,000Åの厚さを個別に有しうる。
[0046] 応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、2を上回る、例えば、約2.1、約2.2、約2.3、約2.4又は約2.5~約2.6、約2.7、約2.8、約2,9、又は約3の屈折率又はn値(633nmにおけるn)を個別に有しうる。例えば、応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、2超~約3、2超~約2.8、2超~約2.5、2超~約2.3、約2.1~約3、約2.1~約2.8、約2.1~約2.5、約2.1~約2.3、約2.3~約3、約2.3~約2.8、又は約2.3~約2.5の屈折率又はn値(633nmにおけるn)を個別に有しうる。
[0047] 応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、0.1を上回る、例えば、約0.15、約0.2、約0.25、又は約0.3の吸光係数又はk値(633nmにおけるk)を個別に有しうる。例えば、応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、0.1超~約0.3、0.1超~約0.25、0.1超~約0.2、0.1超~約0.15、約0.2~約0.3、約0.2~約0.25の吸光係数又はk値(633nmにおけるk)を個別に有しうる。
[0048] 応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、50GPa超又は60GPa超の、例えば、約65GPa、約70GPa、約75GPa、約90GPa、約100GPa、約125GPa、又は約150GPa~約175GPa、約200GPa、約250GPa、約275GPa、約300GPa、約350GPa、又は約400GPaの弾性率を個別に有しうる。例えば、応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、60GPa超~約400GPa、60GPa超~約350GPa、60GPa超~約300GPa、60GPa超~約250GPa、60GPa超~約200GPa、60GPa超~約150GPa、60GPa超~約125GPa、60GPa超~約100GPa、60GPa超~約80GPa、約65GPa~約400GPa、約65GPa~約350GPa、約65GPa~約300GPa、約65GPa~約250GPa、約65GPa~約200GPa、約65GPa~約150GPa、約65GPa~約125GPa、約65GPa~約100GPa、約65GPa~約80GPa、約80GPa~約400GPa、約80GPa~約350GPa、約80GPa~約300GPa、約80GPa~約250GPa、約80GPa~約200GPa、約80GPa~約150GPa、約80GPa~約125GPa、又は約80GPa~約100GPaの弾性率を個別に有しうる。1つ又は複数の実施例では、応力負荷ドープダイヤモンド状炭素膜及び低応力ダイヤモンド状炭素膜の各々は、前述の弾性率を有し、約600Åの厚さを個別に有しうる。
[0049] いくつかの実施形態では、低応力ダイヤモンド状炭素膜は、極紫外線(「EUV」)リソグラフィ処理のための下層である。いくつかの実施形態では、低応力ダイヤモンド状炭素膜は、EUVリソグラフィ処理用の下層であり、膜中の炭素原子の総量を基準にして約40%~約90%の含有量のsp3ハイブリッド炭素原子と、1.5g/cc超~約1.9g/ccの密度と、約60GPa~約150GPa、又は約200GPa以上の弾性率を有する。
[0050] 図1Aは、本明細書に記載の実施形態による、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の堆積を実施するために使用されうる基板処理システム132の概略図を示している。基板処理システム132は、ガスパネル130及びコントローラ110に連結された処理チャンバ100を含む。処理チャンバ100は、一般的に、上部壁124、側壁101、及び底部壁122を含み、これらの壁が処理空間126を画定する。基板支持アセンブリ146が、処理チャンバ100の処理空間126内に設けられる。基板支持アセンブリ146は、一般的に、ステム160によって支持される静電チャック150を含む。静電チャック150は、典型的には、アルミニウム、セラミック、及びその他の適切な材料から製造されうる。静電チャック150は、変位機構(図示せず)を使用して、処理チャンバ100の内部で垂直方向に動かされうる。
[0051] 真空ポンプ102は、処理チャンバ100の底部に形成されたポートに連結されている。真空ポンプ102は、処理チャンバ100内を所望のガス圧を保つために使用される。真空ポンプ102は、処理チャンバ100から、後処理ガス及び処理の副生成物を排出する。
[0052] 基板処理システム132は、チャンバ圧力を制御するために処理チャンバ100と真空ポンプ102との間に位置付けられた、チャンバ圧力制御用の追加装置、例えば、バルブ(スロットルバルブや隔離バルブなど)をさらに含みうる。
[0053] 複数の開孔128を有するガス分配アセンブリ120が、静電チャック150の上方で、処理チャンバ100の上部に配置される。ガス分配アセンブリ120の開孔128は、処理チャンバ100内に処理ガス(例えば、堆積ガス、希釈ガス、キャリアガス、バージガス)を導入するために利用される。開孔128は、種々の処理要件のために様々な処理ガスの流れを容易にするため、種々のサイズ、数量、分配態様、形状、設計、及び直径を有しうる。ガス分配アセンブリ120はガスパネル130に接続され、ガスパネル130は、処理中に様々なガスを処理空間126に供給することを可能にする。基板190の表面191上への材料の堆積をもたらす処理ガスの熱分解を強化するために、ガス分配アセンブリ120から出る処理混合ガスからプラズマが形成される。
[0054] ガス分配アセンブリ120と静電チャック150とは、処理空間126内に離間した電極の対を形成しうる。ガス分配アセンブリ120と静電チャック150との間でプラズマの生成を促進するために、1つ又は複数のRF電源140が、整合ネットワーク138(これは任意選択である)を通じて、ガス分配アセンブリ120にバイアス電位を提供する。代替的に、RF電源140及び整合ネットワーク138は、ガス分配アセンブリ120に、静電チャック150に、又はガス分配アセンブリ120と静電チャック150の両方に連結されうるか、或いは、処理チャンバ100の外部に配置されたアンテナ(図示せず)に連結されうる。1つ又は複数の実施例では、RF電源140は、約350KHz、約2MHz、約13.56MHz、約27MHz、約40MHz、約60MHz、又は約100MHzの周波数で、電力を発生させうる。いくつかの実施形態では、RF電源140は、約50kHz~約13.6MHzの周波数で、約100ワット~約3,000ワットの電力を供給しうる。他の実施例では、RF電源140は、約50kHz~約13.6MHzの周波数で、約500ワット~約1,800ワットの電力を供給しうる。
[0055] コントローラ110は、中央処理装置(CPU)112、メモリ116、及び支持回路114を含み、これらは、処理シーケンスを制御し、ガスパネル130からのガス流を調節するために利用される。CPU112は、産業用設定で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサであってもよい。ソフトウェアルーチンは、メモリ116に、例えば、ランダムアクセスメモリ、読出専用メモリ、フロッピー、又はハードディスクドライブ、或いはその他の形態のデジタルストレージに記憶されうる。支持回路114は、従来的にはCPU112に接続され、キャッシュ、クロック回路、入出力システム、電力供給源などを含みうる。コントローラ110と基板処理システム132の様々な構成要素との間の双方向通信は、多数の信号ケーブル(信号バス118と総称され、その一部が図1Aに示されている)を通じて処理される。
[0056] 図1Bは、本明細書に記載された実施形態を実践するために使用することができる別の基板処理システム180の概略断面図を示している。基板処理システム180は、ガスパネル130から、側壁101を経て基板190の表面191の端から端まで処理ガスを流すよう構成されていることを除けば、図1Aの基板処理システム132に類似している。加えて、図1Aに示しているガス分配アセンブリ120が電極182で置換されている。電極182は、二次的な電荷生成装置として構成されうる。1つ又は複数の実施形態では、電極182は、ケイ素含有電極である。
[0057] 図2は、本明細書に記載の実施形態を実践する上で使用されうる図1A及び図1Bの処理システムにおいて使用される、基板支持アセンブリ146の概略断面図を示している。図2を参照するに、静電チャック150は、静電チャック150の上面192の上に支持されている基板190の温度を制御するのに適した、ヒータ素子170を含みうる。ヒータ素子170は、静電チャック150に埋設されうる。静電チャック150は、ヒータ電源106からの電流がヒータ素子170に印加されることによって、抵抗加熱されうる。ヒータ電源106は、RFフィルタ216を通じて連結されうる。RFフィルタ216は、ヒータ電源106をRFエネルギーから保護するために使用されうる。ヒータ素子170は、ニッケル-鉄-クロム合金(例えば、INCOLOY(登録商標))のシース管内に封入されたニッケル-クロムワイヤから作製されうる。ヒータ素子170により生成された熱を制御し、ひいては基板190及び静電チャック150を膜堆積中に実質的に一定の温度に維持するよう、ヒータ電源106から供給される電流はコントローラ110によって調整される。供給される電流は、静電チャック150の温度を約50℃~約600℃に選択的に制御するよう、調節されうる。
[0058] 図1を参照するに、従来の様態では、静電チャック150の温度をモニタするために、静電チャック150に温度センサ172(熱電対など)が埋設されうる。測定された温度は、ヒータ素子170に供給される電力を制御して、基板を望ましい温度に維持するために、コントローラ110によって使用される。
[0059] 静電チャック150は、チャッキング電極210を含み、これは導電性材料のメッシュであってよい。チャッキング電極210は、静電チャック150に埋設されうる。チャッキング電極210はチャッキング電源212に連結されており、通電されると、基板190を静電チャック150の上面192に静電クランプする。
[0060] チャッキング電極210は、単極若しくは双極の電極として構成されてもよく、又は別の適切な構成を有してもよい。チャッキング電極210は、RFフィルタ214を通じてチャッキング電源212に連結されてよく、チャッキング電源212は、直流(DC)電力を供給して、基板190を静電チャック150の上面192に静電固定する。RFフィルタ214は、処理チャンバ100内のプラズマ形成に利用されるRF電力が、チャンバの外で電気機器を損傷すること、又は電気的障害を引き起こすことを防止する。静電チャック150は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウム(例えば、アルミナ)などのセラミック材料から製造されうる。代替的に、静電チャック150は、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアリールエーテルケトン(PAEK)などのポリマーから製造されうる。
[0061] 電力印加システム220が、基板支持アセンブリ146に連結される。電力印加システム220は、ヒータ電源106、チャッキング電源212、第1の高周波(RF)電源230、及び第2のRF電源240を含みうる。電力印加システム220は、コントローラ110と、コントローラ110及び第1のRF電源230と第2のRF電源240の両方と通信可能なセンサデバイス250とを含みうる。コントローラ110はさらに、基板190に材料の層を堆積させるように、第1のRF電源230と第2のRF電源240からのRF電力を印加することにより、処理ガスからのプラズマを制御するために利用されうる。
[0062] 上述したように、静電チャック150は、
一態様では、基板190をチャックするよう機能すると同時に、第1のRF電極としても機能しうるチャッキング電極210を含む。静電チャック150は、第2のRF電極260も含んでよく、チャッキング電極210と共に、プラズマを調整するためにRF電力を印加しうる。第1のRF電源230は、第2のRF電極260に連結されてもよいが、第2のRF電源240は、チャッキング電極210に連結されてもよい。第1のRF電源230と第2のRF電源240のそれぞれのために、第1の整合ネットワークと第2の整合ネットワークが設けられてもよい。第2のRF電極260は、図示しているような導電性材料の固体金属プレートであってもよい。代替的に、第2のRF電極260は、導電性材料のメッシュであってもよい。
一態様では、基板190をチャックするよう機能すると同時に、第1のRF電極としても機能しうるチャッキング電極210を含む。静電チャック150は、第2のRF電極260も含んでよく、チャッキング電極210と共に、プラズマを調整するためにRF電力を印加しうる。第1のRF電源230は、第2のRF電極260に連結されてもよいが、第2のRF電源240は、チャッキング電極210に連結されてもよい。第1のRF電源230と第2のRF電源240のそれぞれのために、第1の整合ネットワークと第2の整合ネットワークが設けられてもよい。第2のRF電極260は、図示しているような導電性材料の固体金属プレートであってもよい。代替的に、第2のRF電極260は、導電性材料のメッシュであってもよい。
[0063] 第1のRF電源230及び第2のRF電源240は、同じ周波数で、又は異なる周波数で電力を発生させうる。1つ又は複数の実施形態では、第1のRF電源230と第2のRF電源240の一方又は両方が、約350KHz~約100MHz(例えば、350KHz、2MHz、13.56MHz、27MHz、40MHz、60MHz、又は100MHz)の周波数で、個別に電力を発生させうる。1つ又は複数の実施形態では、第1のRF電源230は、13.56MHzの周波数で電力を発生させることができ、第2のRF電源240は、2MHzの周波数で電力を発生させることができ、或いはその逆も可能である。第1のRF電源230と第2のRF電源240の一方又は両方からのRF電力が、プラズマを調整するために変更されうる。例えば、センサデバイス250は、第1のRF電源230と第2のRF電源240の一方又は両方からのRFエネルギーをモニタするために使用されうる。センサデバイス250からのデータは、コントローラ110に送信されてよく、コントローラ110は、第1のRF電源230及び第2のRF電源240によって印加される電力を変更するために利用されうる。
[0064] 1つ又は複数の実施形態では、静電チャック150は、チャッキング電極210とRF電極とを互いに分離し、第1のRFバイアスをRF電極260に印加し、第2のRFバイアスをチャッキング電極210に印加することが可能である。1つ又は複数の実施例では、第1のRFバイアスは、約350KHz~約100MHzの周波数で、約10ワット~約3,000ワットの電力で供給され、第2のRFバイアスは、約350KHz~約100MHzの周波数で、約10ワット~約3,000ワットの電力で供給される。他の実施例では、第1のRFバイアスは、約13.56MHzの周波数で、約2,500ワット~約3,000ワットの電力で供給され、第2のRFバイアスは、約2MHzの周波数で、約800ワット~約1,200ワットの電力で供給される。
[0065] 1つ又は複数の実施形態では、1つ又は複数の炭化水素化合物を含む堆積ガスは、PE-CVDチャンバなどの処理チャンバの処理空間に流されるか又は導入されてもよい。炭化水素化合物及び希釈ガスは、個別に処理空間に流されるか又は導入されうる。いくつかの実施例では、1つ又は複数の基板が処理チャンバ内の静電チャック上に配置される。静電チャックは、チャッキング電極とRF電極を別々に有することができる。RF電極に第1のRFバイアスを、チャッキング電極に第2のRFバイアスを印加することにより、基板又はその近傍(例えば、基板レベル)でプラズマを点火又は発生させることができる。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、基板上に堆積又は形成される。いくつかの実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層は、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の上に堆積又は形成されてよく、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、パターニングされたフォトレジスト層に対応するパターンでエッチング又は形成され、また、パターンは基板にエッチング又は形成される。他の実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、低応力ダイヤモンド状炭素膜に変換され、次にパターニングされたフォトレジスト層は、低応力ダイヤモンド状炭素膜の上に堆積又は形成されてよく、低応力ダイヤモンド状炭素膜は、パターニングされたフォトレジスト層に対応するパターンでエッチング又は形成され、また、パターンは基板にエッチング又は形成される。
[0066] 一般的に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を形成するために、以下の例示的な堆積処理パラメータが使用されてもよい。基板温度は、約50℃~約350℃(例えば、約40℃~約100℃、約10℃~約100℃、又は約10℃~約50℃)の範囲であってよい。チャンバ圧力は、約0.5mTorr~約10Torr(例えば、約2mTorr~約50mTorr、又は約2mTorr~約10mTorr)のチャンバ圧力の範囲であってよい。炭化水素化合物の流量は、約20sccm~約5,000sccm(例えば、約50sccm~約1,000sccm、約100sccm~約200sccm、又は約150sccm~約200sccm)であってよい。希釈ガス又はパージガス(例えば、He)の流量は、約1sccm~約3,000sccm(例えば、約5sccm~約500sccm、約10sccm~約150sccm、又は約20sccm~約100sccm)であってよい。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、約200Å~約6,000Å(用途に応じて、例えば、約300Å~約5,000Å、約400Å~約800Å、約2,000Å~約3,000Å、又は約5Å~約200Å)の厚さに堆積されてもよい。1つ又は複数の実施例では、処理パラメータは、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials,Inc.から入手可能な堆積チャンバにおける300mm基板向けの処理パラメータの例を提示するものである。
[0067] 図3は、本開示の一実施形態による、基板上に配置された膜積層体の上に低応力ダイヤモンド状炭素膜を形成するための方法300のフロー図を示す。膜積層体上に形成された応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、例えば、膜積層体に階段状構造を形成するためのハードマスクとして利用されうる。図4A、図4Bは、方法300により基板上に配置された膜積層体の上に低応力ダイヤモンド状炭素膜を形成するためのシーケンスを示す、概略断面図である。三次元半導体デバイス向けに膜積層体に階段状構造を製造するために利用される膜積層体の上に形成されうるハードマスク層に関連して、方法300について後述しているが、方法300は、他のデバイス製造応用においても、有利に使用されうる。さらに、図3に示している工程は、同時に、及び/又は図3に示している順序とは異なる順序で、実施されうることも理解されたい。
[0068] 方法300は、工程310において、基板(図4Aに示す基板402など)を、処理チャンバ(図1A又は図1Bに示す処理チャンバ100など)の中に位置付けることによって始まる。基板402は、図1A、図1B、及び図2に示している基板190でありうる。基板402は、静電チャック(例えば、静電チャック150の上面192)の上に位置付けられうる。基板402は、膜積層体404が上部に配置された、ケイ素系材料、又は必要に応じて任意の適切な絶縁材料若しくは導電材料であってもよく、これらの材料は、膜積層体404において構造400(例えば、階段状構造)を形成するために利用されうる。
[0069] 図4Aに示される実施形態に示すように、基板402は、実質的に平面的な表面、平坦ではない表面、又は構造がその上に形成された実質的に平面的な表面を有しうる。膜積層体404が、基板402上に形成されている。1つ又は複数の実施形態では、膜積層体404は、フロントエンド処理又はバックエンド処理においてゲート構造、接触構造、又は相互接続構造を形成するために、利用されうる。方法300は、膜積層体404でメモリ構造(NAND構造など)に使用される階段状構造を形成するために、膜積層体404に対して実施されうる。1つ又は複数の実施形態では、基板402は、結晶シリコン(例えば、Si<100>又はSi<111>)、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされた又はドープされていないポリシリコン、ドープされた又はドープされていないシリコン基板、パターニングされた又はパターニングされていない基板シリコンオンインシュレータ(SOI)、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料であってもよい。基板402は、様々な寸法、例えば200mm、300mm、450mm、又はその他の直径を有してもよく、矩形又は方形のパネルであってもよい。別途明記されない限り、本明細書に記載の実施形態及び実施例は、直径200mm、直径300mm、又は直径450mmの基板上で実行される。基板402でSOI構造が利用される実施形態では、基板402は、シリコン結晶基板に配置された埋め込み型誘電体層を含みうる。本明細書に記載の1つ又は複数の実施形態では、基板402は、結晶シリコン基板であってもよい。
[0070] 1つ又は複数の実施形態では、基板402上に配置された膜積層体404は、多数の垂直に積層された層を有しうる。膜積層体404は、膜積層体404において繰り返し形成される第1の層(408a1、408a2、408a3、...、408anとして示される)、及び第2の層(408b1、408b2、408b3、...、408bnとして示される)を含むペアを含みうる。これらのペアは、交互に重なる第1の層(408a1、408a2、408a3、...、408anとして示される)と、第2の層(408b1、408b2、408b3、...、408bnとして示される)とを含み、第1の層と第2の層のペアが目標数に達するまで、繰り返し形成される。
[0071] 膜積層体404は、三次元メモリチップなどの半導体チップの一部であってもよい。第1の層(408a1、408a2、408a3、...、408anとして示される)と、第2の層(408b1、408b2、408b3、...、408bnとして示される)の反復層が図4A、図4Bに3つ示されているが、必要に応じて、第1の層と第2の層の反復するペアが任意の目標数だけ利用されてもよいことに留意されたい。
[0072] 1つ又は複数の実施形態では、膜積層体404を利用して、3次元メモリチップ用の複数のゲート構造を形成することができる。膜積層体404において形成された第1の層408a1、408a2、408a3、...、408anは、第1の誘電体層であってもよく、第2の層408b1、408b2、408b3、...、408bnは、第2の誘電体層であってもよい。第1の層408a1、408a2、408a3、...、408an、及び第2の層408b1、408b2、408b3、...、408bnの形成に利用されうる適切な誘電体層には、とりわけ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、窒化チタン、酸化物と窒化物の複合物、窒化物層を挟む少なくとも1つ又は複数の酸化物層、及びこれらの組み合わせが含まれうる。1つ又は複数の実施形態では、誘電体層は、4を上回る誘電率を有する、高誘電率材料であってもよい。高誘電率材料の適切な例としては、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物、ハフニウム酸化ケイ素、又はハフニウムケイ酸塩、ハフニウムアルミニウム酸化物、又はハフニウムアルミネート、ジルコニウム酸化ケイ素又はジルコニウムケイ酸塩、タンタル酸化物、アルミニウム酸化物、アルミニウムドープ二酸化ハフニウム、ビスマスストロンチウムチタン(BST)、及び白金ジルコニウムチタン(PZT)、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせが含まれる。
[0073] 1つ又は複数の実施例では、第1の層408a1、408a2、408a3、...、408anは、酸化ケイ素層であり、第2の層408b1、408b2、408b3、...、408bnは、第1の層408a1、408a2、408a3、...、408anの上に配置された窒化ケイ素層又はポリシリコン層である。1つ又は複数の実施形態では、第1の層408a1、408a2、408a3、...、408anは、の厚さは、約50Å~約1,000Å(例えば、約500Å)で制御されてよく、第2の層408b1、408b2、408b3、...、408bnの各々の厚さは、約50Å~約1,000Å(例えば、約500Å)で制御されてよい。膜積層体404は、約100Å~約2,000Åの総厚を有しうる。1つ又は複数の実施形態では、膜積層体404の総厚は、約3ミクロン~約10ミクロンであり、技術が進歩するにつれて変化することになる。
[0074] 基板402上に膜積層体404が存在するか否かに関わらず、基板402の任意の表面又は任意の部分に低応力ダイヤモンド状炭素膜が形成されうることに留意されたい。
[0075] 工程320では、チャッキング電圧が静電チャックに印加されて、基板402が静電チャックにクランプされるか、その上に配置される。基板402が静電チャック150の上面192に位置付けられる1つ又は複数の実施形態では、処理中、上面192が基板402を支持してクランプする。静電チャック150は、基板402を上面192に密着させ、裏側堆積を防止する。チャッキング電極210を介して、基板402に電気バイアスが提供される。チャッキング電極210は、チャッキング電極210にバイアス電圧を供給するチャッキング電源212と、電気的に通信可能でありうる。1つ又は複数の実施形態では、チャッキング電圧は、約10ボルト~約3,000ボルト、約100ボルト~約2,000ボルト、又は約200ボルト~約1,000ボルトである。
[0076] 工程320では、いくつかの処理パラメータが処理に合わせて調節されうる。300mm基板の処理に適した1つ又は複数の実施形態では、処理空間内の処理圧力は、約0.1mTorr~約10Torr(例えば、約2mTorr~約50mTorr、又は約5mTorr~約20mTorr)に維持されうる。300mm基板の処理に適したいくつかの実施形態では、処理温度及び/又は基板温度は、約50℃~約350℃(例えば、約0℃~約50℃、又は約10℃~約20℃)に維持されうる。
[0077] 1つ又は複数の実施形態では、一定のチャッキング電圧が基板402に印加される。いくつかの実施形態では、チャッキング電圧は、静電チャック150へとパルス化されうる。他の実施形態では、基板の温度を制御するためにチャッキング電圧が印加されている間、裏側ガスが基板402に適用されうる。裏側ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、窒素(N2)、水素(H2)、又はこれらの任意の組み合わせであるか、これらを含みうる。
[0078] 工程330では、第1のRFバイアスを静電チャックに印加することにより、基板において、例えば、基板に隣接して、又は基板レベルの近傍で、プラズマが生成される。基板において生成されるプラズマは、基板と静電チャックとの間のプラズマ領域内で生成されうる。第1のRFバイアスは、約350KHz~約100MHz(例えば、350KHz、約2MHz、約13.56MHz、約27MHz、約40MHz、約60MHz、又は約100MHz)の周波数で、約10ワット~約3,000ワットになりうる。1つ又は複数の実施形態では、第1のRFバイアスは、約13.56MHzの周波数で、約2,500ワット~約3,000ワットの電力で供給される。1つ又は複数の実施形態では、第1のRFバイアスは、第2のRF電極260を介して、静電チャック150に供給される。第2のRF電極260は、第2のRF電極260にバイアス電圧を供給する第1のRF電源230と電気的に通信可能でありうる。1つ又は複数の実施形態では、バイアス電力は、約10ワット~約3,000ワット、約2,000ワット~約3,000ワット、又は約2,500ワット~約3,000ワットである。第1のRF電源230は、約350KHz~約100MHz(例えば、約350KHz、約2MHz、約13.56MHz、約27MHz、約40MHz、約60MHz、又は約100MHz)の周波数で電力を発生させうる。
[0079] 1つ又は複数の実施形態では、工程330は、第2のRFバイアスを静電チャックに印加することをさらに含む。第2のRFバイアスは、約350KHz~約100MHz(例えば、約350KHz、約2MHz、約13.56MHz、約27MHz、約40MHz、約60MHz、又は約100MHz)の周波数で、約10ワット~約3,000ワットになりうる。いくつかの実施形態では、第2のRFバイアスは、約2MHzの周波数で、約800ワット~約1,200ワットの電力で供給される。他の実施例では、第2のRFバイアスは、チャッキング電極210を介して基板402に供給される。チャッキング電極210は、チャッキング電極210にバイアス電圧を供給する第2のRF電源240と、電気的に通信可能でありうる。1つ又は複数の実施例では、バイアス電力は、約10ワット~約3,000ワット、約500ワット~約1,500ワット、又は約800ワット~約1,200ワットである。第2のRF電源240は、約350KHz~約100MHz(例えば、約350KHz、約2MHz、約13.56MHz、約27MHz、約40MHz、約60MHz、又は約100MHz)の周波数で電力を発生させうる。1つ又は複数の実施形態では、工程320中に供給されるチャッキング電圧は、工程330中にも維持される。
[0080] いくつかの実施形態では、工程330中に、第1のRFバイアスは、チャッキング電極210を介して基板402に供給され、第2のRFバイアスは、第2のRF電極260を介して基板402に供給されうる。1つ又は複数の実施形態では、第1のRFバイアスは約2,500ワット(約13.56MHz)であり、第2のRFバイアスは約1,000ワット(約2MHz)である。
[0081] 工程340では、膜積層体上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を形成するために、堆積ガスが処理空間126内に流される。堆積ガスは、ガスパネル130から、ガス分配アセンブリ120を通して、又は側壁101を介して、処理空間126内に流されうる。堆積ガスは、1つ又は複数の窒素ドーパント化合物を含む。炭化水素化合物は、物質の任意の状態における、1つ、2つ、又はそれ以上の炭化水素化合物であるか、これらを含みうる。炭化水素化合物は、液体又は気体のいずれでもよいが、材料の計量、制御、及び処理空間への供給に必要なハードウェアを簡略化するために、前駆体のいずれかが室温で蒸気であれば、いくつかの利点が実現される場合がある。
[0082] 堆積ガスは、不活性ガス、希釈ガス、エッチャントガス、又はこれらの組み合わせをさらに含みうる。1つ又は複数の実施形態では、工程320中に供給されるチャッキング電圧は、工程340中にも維持される。いくつかの実施形態では、工程320中に確立された処理条件及び工程330中に形成されたプラズマは、工程340中にも維持される。
[0083] 1つ又は複数の実施形態では、炭化水素化合物は気体の炭化水素又は液体の炭化水素である。炭化水素は、1つ又は複数のアルカン、1つ又は複数のアルケン、1つ又は複数のアルキン、1つ又は複数の芳香族、或いはこれらの任意の組み合わせであるか、これらを含みうる。いくつかの実施形態では、炭化水素化合物は、一般式CxHyで表され、ここで、xは1~20の範囲を有し、yは1~20の範囲を有する。適切な炭化水素化合物としては、例えば、C2H2、C3H6、CH4、C4H8、1,3-ジメチルアダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2,5-ジエン(2,5-ノルボルナジエン)、アダマンティン(C10H16)、ノルボルネン(C7H10)、或いはこれらの任意の組み合わせが含まれる。1つ又は複数の実施例では、エチンは、表面移動度の向上を可能にする、より安定した中間種を形成するため利用される。
[0084] 炭化水素化合物は、1つ又は複数のアルカン(例えば、CnH2n+2、nは1~20)であるか、これらを含みうる。適切な炭化水素化合物には、アルカン(例えば、メタン(CH4)、エタン(C2H6)、プロパン(C3H8)、ブタン(C4H10)及びその異性体イソブタン、ペンタン(C5H12)、ヘキサン(C6H14)及びその異性体イソペンタンとネオペンタン、ヘキサン(C6H14)及びその異性体2-メチルペンタン、3-メチルペンタン、2,3-ジメチルブタン、並びに2,2-ジメチルブタン、又はこれらの組み合わせ)が含まれる。
[0085] 炭化水素化合物は、1つ又は複数のアルケン(例えば、CnH2n、nは1~20)であるか、これらを含みうる。適切な炭化水素化合物には、例えば、エチレン、プロピレン(C3H6)、ブチレン及びその異性体、ペンテン及びその異性体などのアルケン類、ブタジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエンなどのジエン類、又はこれらの組み合わせが含まれる。さらに適切な炭化水素には、例えば、ハロゲン化されたアルケン(例えば、モノフルオロエチレン、ジフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、モノクロロエチレン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、又はこれらの任意の組み合わせ)が含まれる。
[0086] 炭化水素化合物は、1つ又は複数のアルキン(例えば、CnH2n2、nは1~20)であるか、これらを含みうる。適切な炭化水素には、例えば、アルキン(例えば、アセチレン(C2H4)、プロピン(C3H4)、ブチレン(C4H8)、ビニルアセチレン、又はこれらの組み合わせ)が含まれる。
[0087] 炭化水素化合物は、1つ又は複数の芳香族炭化水素化合物(例えば、ベンゼン、スチレン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アセトフェノン、安息香酸メチル、酢酸フェニル、フェノール、クレゾール、フラン等)、α-テルピネン、シメン、1,1,3,3-テトラメチルブチルベンゼン、t-ブチルエーテル、t-ブチルエチレン、メチルメタアクリレート、及びt-ブチルフルフリルエーテル、化学式C3H2及びC5H4を有する化合物、ハロゲン化芳香族化合物(モノフルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン、テトラフルオロベンゼン、ヘキサフルオロベンゼン、又はこれらの任意の組み合わせを含む)であるか、これらを含みうる。
[0088] 1つ又は複数の実施形態では、堆積ガスは、1つ又は複数の希釈ガス、1つ又は複数のキャリアガス、及び/又は、1つ又は複数のパージガスをさらに含む。とりわけ、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)、水素(H2)、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、一酸化窒素(NO)、又はこれらの任意の組み合わせなどの適切な希釈ガス、キャリアガス、及び/又はパージガスが、堆積ガスと共に処理空間126に共流されるか、又は他の方法で供給されてもよい。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の密度及び堆積速度を制御するために、アルゴン、ヘリウム、及び窒素が使用されうる。場合によっては、N2及び/又はNH3の添加は、後述するように、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜中の水素比率を制御するために使用されうる。代替的に、堆積中に希釈ガスが使用されないこともある。
[0089] いくつかの実施形態では、堆積ガスは、エッチャントガスをさらに含む。適切なエッチャントガスは、塩素(Cl2)、フッ素(F2)、フッ化水素(HF)、四フッ化炭素(CF4)、三フッ化窒素(NF3)、又はこれらの組み合わせであるか、これらを含む。理論に縛られるわけではないが、エッチャントガスは、膜からsp2ハイブリッド炭素原子を選択的のエッチングし、ひいては膜中のsp3ハイブリッド炭素原子の分画を増大させ、これにより、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412のエッチング選択性が高まると考えられている。
[0090] 1つ又は複数の実施形態では、工程340において、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412が基板上に堆積又は形成された後に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412は水素ラジカルに曝露される。いくつかの実施形態では、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜は、工程340の堆積処理中に、水素ラジカルに曝露される。他の実施形態では、水素ラジカルは、RPS内で形成され、処理領域に供給される。理論に縛られるわけではないが、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を水素ラジカルに曝露することは、sp2ハイブリッド炭素原子を選択的エッチングにつながり、その結果、膜のsp3ハイブリッド炭素原子の分画を増大させ、これにより、エッチング選択性を高めると考えられている。
[0091] 工程350において、基板上に応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412が形成された後、基板がチャック解除される。工程350の間、チャッキング電圧はオフにされる。反応性ガスもオフにされ、任意選択により、処理チャンバからパージされる。1つ又は複数の実施形態では、RF電力は、工程350の間、低減される(例えば、約200ワット)。任意選択により、コントローラ110がインピーダンスの変化をモニタして、静電荷がRF経路を通って接地に散逸したかどうかを判断する。基板が静電チャックからチャック解除されると、残留ガスは処理チャンバからパージされる。処理チャンバはポンプダウンされ、基板は、リフトピンで持ち上げられてチャンバの外に移送される。
[0092] いくつかの代替的な実施形態では、操作350で基板をチャック解除する前に、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、同じ処理チャンバ内の熱アニーリング処理中に、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412を含む基板を加熱することができる。
[0093] 1つ又は複数の実施形態では、操作350の後、応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412を含む基板は、リフトピンで持ち上げられて、プラズマ処理チャンバの外に移送される。操作360において、基板は、熱アニーリングチャンバ、真空チャンバ、堆積チャンバ、又は熱アニーリング処理を実施するために使用できる他のタイプの処理チャンバなど、別の処理チャンバに導入される。応力負荷ダイヤモンド状炭素膜412を含む基板は、低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱される。
[0094] 図5は、本明細書に記載され説明される1つ又は複数の実施形態による低応力ダイヤモンド状炭素膜を使用する方法500のフロー図を示す。低応力ダイヤモンド状炭素膜412は、基板上に形成された後に、エッチング処理において、三次元構造(階段状構造など)を形成するためのパターニングマスクとして利用されうる。低応力ダイヤモンド状炭素膜412は、標準的なフォトレジストパターニング技法を使用してパターニングされうる。工程510では、低応力ダイヤモンド状炭素膜412の上に、パターニングされたフォトレジスト(図示せず)が形成されうる。工程520では、低応力ダイヤモンド状炭素膜412は、パターニングされたフォトレジスト層に対応するパターンでエッチングされてよく、その後、工程530で、基板402にこのパターンがエッチングされる。工程540では、基板402のエッチングされた部分の中に、材料が堆積されうる。低応力ダイヤモンド状炭素膜412は、過酸化水素と硫酸を含む溶液を使用して除去されうる。過酸化水素と硫酸を含む例示的な溶液の1つは、ピラニア溶液又はピラニア腐食液として既知である。低応力ダイヤモンド状炭素膜412は、酸素とハロゲン(例えばフッ素又は塩素)を含有するエッチング化学物質(例えばCl2/O2、CF4/O2、Cl2/O2/CF4)を使用しても除去されうる。低応力ダイヤモンド状炭素膜412は、化学機械研磨(CMP)処理によっても除去されうる。
極紫外線(EUV)パターニング方式
[0095] 極紫外線(EUV)パターンニング方式において金属含有フォトレジストを使用する場合、半導体デバイスにおける極小不具合(nanofailures)(例えばブリッジ形成の欠陥及び間隔形成の欠陥)を防止するために、下層の選択が重要になる。EUVパターニング(リソグラフィ)方式向けの従来の下層は、スピンオンカーボン(SOC)材料である。しかし、パターンニング中に、スズなどの金属は、例えばSOC材料を通って拡散し、半導体デバイスの極小不具合につながる。このような極小不具合は、半導体性能を引き下げ、劣化させ、妨害するよう作用する。
[0095] 極紫外線(EUV)パターンニング方式において金属含有フォトレジストを使用する場合、半導体デバイスにおける極小不具合(nanofailures)(例えばブリッジ形成の欠陥及び間隔形成の欠陥)を防止するために、下層の選択が重要になる。EUVパターニング(リソグラフィ)方式向けの従来の下層は、スピンオンカーボン(SOC)材料である。しかし、パターンニング中に、スズなどの金属は、例えばSOC材料を通って拡散し、半導体デバイスの極小不具合につながる。このような極小不具合は、半導体性能を引き下げ、劣化させ、妨害するよう作用する。
[0096] その一方で、本明細書に記載の高密度炭素膜は、優れた膜品質を有する(例えば、硬度及び密度が向上している)。このような硬度及び密度により、高密度炭素膜が、従来型のSOC膜よりも大幅に、金属侵入に対するより強力なバリアとして作用すること、及び極小不具合を防ぐ(最低でも低減する)ことが、可能になる。1つ又は複数の実施形態では、極紫外線(EUV)リソグラフィ処理の向けの下層として使用される低応力ダイヤモンド状炭素膜が提供される。
[0097] 1つ又は複数の実施形態では、EUVリソグラフィ処理用の下層として使用される低応力ダイヤモンド状炭素膜は、本明細書に記載の任意の膜でありうる。低応力ダイヤモンド状炭素膜は、低応力ダイヤモンド状炭素膜中の炭素原子の総量を基準にして、約40%~約90%のsp3ハイブリッド炭素原子含有量と、約-20MPa~約-600MPa未満、約-150MPa~約-600MPa未満、又は約-200MPa~約-600MPa未満(例えば、約225MPa~約500MPa、又は約250MPa~約400MPa)の圧縮応力と、60GPa超~約200GPa、又は60GPa超~約150GPaの弾性率と、約1.5g/cc超~約2.1g/cc、約1.55g/cc~2g/cc未満(例えば、約1.6g/cc~約1.8g/cc、約1.65g/cc~約1.75g/cc、又は約1.68g/cc~約1.72g/cc)の密度とを有しうる。
[0098] このように、半導体デバイスの三次元積層を製造するための階段状構造の形成に使用されうる低応力ダイヤモンド状炭素膜であるか、これを含むハードマスク層を形成するための、方法及び装置が提供される。所望の強固な膜特性とエッチング選択性を有するハードマスク層として、低応力ダイヤモンド状炭素膜を利用することによって、結果として得られる、膜積層体で形成される構造物の寸法及びプロファイル制御の向上が得られ、半導体デバイスの三次元積層向けの応用における、チップデバイスの電気的性能が強化されうる。
[0099] つまり、本開示の利点の一部により、基板上に低応力ダイヤモンド状炭素膜を堆積又は形成するための処理がもたらされる。典型的なPE-CVDハードマスク膜は、ハイブリッドsp3原子の割合が非常に低く、ゆえに、弾性率及びエッチング選択性も低い。本明細書に記載のいくつかの実施形態では、低プロセス圧力(1Torr未満)及び底部駆動(bottom driven)プラズマにより、約60%以上のハイブリッドsp3原子を有するドープされた膜の製造が可能になり、これは、従来から入手可能なハードマスク膜と比較して、エッチング選択性の改善をもたらす。加えて、本明細書に記載の実施形態のいくつかは低い基板温度で実施され、これにより、現在可能な温度よりもずっと低い温度で、その他の誘電体膜の堆積も可能になり、これまでCVDによって対処することができなかった、低い熱収支を伴う応用の可能性が開かれる。加えて、本明細書に記載の実施形態のいくつかは、EUVリソグラフィ処理向けの下層として使用されうる。
[00100] 上述は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。本明細書に記載の全ての文書は、この本文と矛盾しない限りにおいて、あらゆる優先文書及び/又は試験手順を含め、参照により本明細書に援用される。上述の概要及び具体的な実施形態から自明であるように、本開示の形態が図示され、説明されているが、本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、様々な改変が行われうる。したがって、これによって本開示を限定することは意図されていない。同様に、「備える/含む(comprising)」という語は、米国法の解釈での「含む(including)」という語の同義語であると見なされる。同様に、組成物、要素、又は要素の群に「備える/含む(comprising)」という移行表現(transitional phrase)が先行する場合は常に、組成物、1つ又は複数の要素の列挙に先だって「実質的に~からなる(consisting essentially of)」、「~からなる(consisting of)」、「~からなる群から選択される(selected from the group of consisting of)」、又は「~である(is)」という移行表現を有する同じ組成物又は要素の群も想定され、その逆もまた同様であると、理解される。
[00101] ある種の実施形態及び特徴は、数値の上限のセット及び数値の下限のセットを使用して説明されている。別途指示されない限り、任意の2つの値の組み合わせ(例えば、任意の下方値と任意の上方値との組み合わせ、任意の2つの下方値の組み合わせ、及び/又は任意の2つの上方値の組み合わせ)を含む範囲が想定されると、認識すべきである。以下の1つ又は複数の請求項には、ある種の下限、上限、及び範囲が記載されている。
Claims (20)
- 基板を処理する方法であって、
静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことであって、前記処理空間は約0.5mTorr~約10Torrの圧力に維持されている、堆積ガスを流すことと、
前記静電チャックに第1のRFバイアスを印加することによって前記処理空間内の前記基板の上方にプラズマを生成し、前記基板上に500MPa以上の圧縮応力を有する応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることと、
500MPa未満の圧縮応力及び1.5g/ccを上回る密度を有する低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することと、
を含む方法。 - 前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む前記基板を前記処理チャンバから取り出すことと、
前記熱アニーリング処理中に、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を加熱して、前記低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む前記基板を熱アニーリングチャンバに配置することと、
前記低応力ダイヤモンド状炭素膜を含む前記基板を、前記熱アニーリングチャンバから取り出すことと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、前記熱アニーリング処理中に、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜が、約300℃~約500℃の温度で約2分~約15分間加熱される、請求項2に記載の方法。
- 前記熱アニーリングチャンバが、前記熱アニーリング処理中に、約10mTorr~約100Torrの圧力で維持される、請求項2に記載の方法。
- 前記低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、前記熱アニーリング処理中に、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜が、窒素(N2)、アルゴン、ヘリウム、ネオン、又はこれらの任意の組み合わせを含むガスを含む環境下で加熱される、請求項2に記載の方法。
- 低応力ダイヤモンド状炭素膜の前記圧縮応力が、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の前記圧縮応力より約40%~約90%小さい、請求項1に記載の方法。
- 前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜が、約600MPa~約1,000MPaの圧縮応力を有し、前記低応力ダイヤモンド状炭素膜が、約150MPa~約400MPaの圧縮応力を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記低応力ダイヤモンド状炭素膜が、60GPa超~約200GPaの弾性率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記低応力ダイヤモンド状炭素膜が、約1.55g/cc~2g/cc未満の密度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記処理空間が、約5mTorr~約100mTorrの圧力に維持され、前記基板が、前記プラズマを生成して、前記基板上に前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させる際に、約0℃~約50℃の温度に維持される、請求項1に記載の方法。
- 前記低応力ダイヤモンド状炭素膜が、約50原子%~約90原子%のsp3ハイブリッド炭素原子を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記炭化水素化合物が、エチレン、プロペン、メタン、ブテン、1,3-ジメチルアダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ2,5-ジエン、アダマンティン、ノルボルネン、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積ガスが、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン、水素(H2)、又はこれらの組み合わせをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板において前記プラズマを生成することが、前記静電チャックに第2のRFバイアスを印加することをさらに含み、前記静電チャックは、チャッキング電極と、該チャッキング電極から分離されているRF電極とを有し、前記第1のRFバイアスは前記RF電極に印加され、前記第2のRFバイアスは前記チャッキング電極に印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記基板で前記プラズマを生成することは、前記静電チャックに第2のRFバイアスを印加することをさらに含み、前記第1のRFバイアスが、約350KHz~約100MHzの周波数で、約10ワット~約3,000ワットの電力で供給され、前記第2のRFバイアスが、約350KHz~約100MHzの周波数で、約10ワット~約3,000ワットの電力で供給される、請求項1に記載の方法。
- 基板を処理する方法であって、
静電チャック上に配置された基板を有するプラズマ処理チャンバの処理空間に炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことであって、前記処理空間は約0.5mTorr~約10Torrの圧力に維持されている、堆積ガスを流すことと、
前記静電チャックに第1のRFバイアスを印加することによって前記処理空間内の前記基板の上方にプラズマを生成し、前記基板上に、約50原子%~約90原子%のsp3ハイブリッド炭素原子を含み、500MPa以上の圧縮応力及び1.5g/ccを上回る密度を有する応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることと、
前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を含む前記基板を前記プラズマ処理チャンバから熱アニーリングチャンバへ移送することと、
約50原子%~約90原子%のsp3ハイブリッド炭素原子を含み、約20MPa~500MPa未満の圧縮応力及び1.5g/ccを上回る密度を有する低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することと、
を含む方法。 - 低応力ダイヤモンド状炭素膜の前記圧縮応力が、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の前記圧縮応力より約40%~約90%小さい、請求項16に記載の方法。
- 前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜が、約600MPa~約1,000MPaの圧縮応力及び約1.55g/cc~2g/cc未満の密度を有し、前記低応力ダイヤモンド状炭素膜が、約150MPa~約400MPaの圧縮応力及び約1.55g/cc~2g/cc未満の密度を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記低応力ダイヤモンド状炭素膜が、60GPa超~約200GPaの弾性率を有する、請求項16に記載の方法。
- 基板を処理する方法であって、
静電チャック上に配置された基板を有する処理チャンバの処理空間に、炭化水素化合物を含む堆積ガスを流すことと、
前記静電チャックに第1のRFバイアスを印加することによって前記処理空間内の前記基板の上方にプラズマを生成し、前記基板上に、500MPa以上の圧縮応力を有する応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を堆積させることと、
500MPa未満の圧縮応力及び1.5g/cc超~約2.1g/ccの密度を有する低応力ダイヤモンド状炭素膜を生成するため、熱アニーリング処理中に、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜を約200℃~約600℃の温度で約15秒~約60分間加熱することであって、低応力ダイヤモンド状炭素膜の前記圧縮応力は、前記応力負荷ダイヤモンド状炭素膜の前記圧縮応力より約40%~約90%小さい、加熱することと、
前記低応力ダイヤモンド状炭素膜の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記パターニングされたフォトレジスト層に対応するパターンで、前記低応力ダイヤモンド状炭素膜をエッチングすることと、
前記パターンを前記基板にエッチングすることと、
を含む方法。
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