JP2023519566A - 荷電粒子評価ツール、検査方法 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title description 10
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 84
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 41
- 210000003811 finger Anatomy 0.000 description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1504—Associated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1536—Image distortions due to scanning
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、2020年4月6日出願の欧州特許出願第20168278.8号の優先権を主張するものであり、上記特許文献全体を参照により本明細書に援用する。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って第1の複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームのうちの1つをサンプルに投影するようにそれぞれ構成された対物レンズのアレイと、
細長い電極のアレイを含む補正器であって、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、補正器と、
第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、
を含む。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームをサンプルに投影するように構成された対物レンズアレイと、
複数の細長い電極を含む補正器アレイであって、細長い電極が、ビーム経路に実質的に直交して、ビーム経路のラインの各側に対として配置される、補正器アレイと、を含み、
補正器アレイが、ビーム経路を所望の量だけ偏向させるように1対の細長い電極の間に電位差を印加するように制御可能である。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームをサンプルに投影するように構成された対物レンズアレイと、
複数の細長い電極を含む補正器アレイであって、細長い電極が、ビーム経路に実質的に直交して、各ビーム経路の各側に対として配置される、補正器アレイと、を含み、
補正器アレイが、細長い電極の伸長方向に直交するサブビームにマクロ収差補正を適用するように制御可能である。
荷電粒子のビームを複数のサブビームに分割することと、
各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束することと、
補正器を使用してサブビームを偏向させて、サブビームのマクロ収差を補正することと、
複数の対物レンズを使用して、複数の荷電粒子ビームをサンプルに投影することと、を含み、補正器が、細長い電極のアレイを含み、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って第1の複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームのうちの1つをサンプルに投影するようにそれぞれ構成された対物レンズのアレイと、
細長い電極のアレイを含む補正器であって、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、補正器と、
第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、を含む。
細長い電極のアレイであって、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、アレイと、
第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、を含む。
第1のプレートセクションと、第1のプレートセクションの縁部から突出する複数の第1のフィンガとを含む第1の支持部材と、
第2のプレートセクションと、第2のプレートセクションの縁部から突出する複数の第2のフィンガとを含む第2の支持部材と、
第1のフィンガから第2のプレートセクションに延びる第1の複数の電極と、
第2のフィンガから第1のプレートセクションに延びる第2の複数の電極と、を含む。
・0度方向での位置の関数である0度方向での任意の偏向
・60度方向での位置の関数である60度方向での任意の偏向
・120度方向での位置の関数である120度方向での任意の偏向
・1次(レンズ効果):完全補正
・3次:完全補正
・5次:10分の1に縮小
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って第1の複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームのうちの1つをサンプルに投影するようにそれぞれ構成された対物レンズのアレイと、
細長い電極のアレイを含む補正器であって、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、補正器と、
第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、
を含む、荷電粒子ツール。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームをサンプルに投影するように構成された対物レンズアレイと、
複数の細長い電極を含む補正器アレイであって、細長い電極が、ビーム経路に実質的に直交して、ビーム経路のラインの各側に対として配置される、補正器アレイと、を含み、
補正器アレイが、ビーム経路を所望の量だけ偏向させるように1対の細長い電極の間に電位差を印加するように制御可能である、
荷電粒子ツール。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームをサンプルに投影するように構成された対物レンズアレイと、
複数の細長い電極を含む補正器アレイであって、細長い電極が、ビーム経路に実質的に直交して、各ビーム経路の各側に対として配置される、補正器アレイと、を含み、
補正器アレイが、細長い電極の伸長方向に直交するサブビームにマクロ収差補正を適用するように制御可能である、
荷電粒子ツール。
荷電粒子のビームを複数のサブビームに分割することと、
各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束することと、
補正器を使用してサブビームを偏向させて、サブビームのマクロ収差を補正することと、
複数の対物レンズを使用して、複数の荷電粒子ビームをサンプルに投影することと、を含み、補正器が、細長い電極のアレイを含み、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、
検査方法。
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って第1の複数のサブビームに分割し、各サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
複数の荷電粒子ビームのうちの1つをサンプルに投影するようにそれぞれ構成された対物レンズのアレイと、
細長い電極のアレイを含む補正器であって、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、補正器と、
第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、
を含む、マルチビーム荷電粒子光学システム。
細長い電極のアレイであって、細長い電極が、第1の複数のサブビームのビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数のサブビームが1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、第2の複数のサブビームが第1の複数のサブビームのサブセットである、アレイと、
第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、
を含む、荷電粒子光学要素。
第1のプレートセクションと、第1のプレートセクションの縁部から突出する複数の第1のフィンガとを含む第1の支持部材と、
第2のプレートセクションと、第2のプレートセクションの縁部から突出する複数の第2のフィンガとを含む第2の支持部材と、
第1のフィンガから第2のプレートセクションに延びる第1の複数の電極と、
第2のフィンガから第1のプレートセクションに延びる第2の複数の電極と、
を含む、荷電粒子光学要素。
Claims (15)
- 荷電粒子ツールであって、
荷電粒子のビームをそれぞれのビーム経路に沿って第1の複数のサブビームに分割し、各前記サブビームをそれぞれの中間焦点に集束させるように構成された集光レンズアレイと、
前記複数の荷電粒子ビームのうちの1つをサンプルに投影するようにそれぞれ構成された対物レンズのアレイと、
前記ビーム経路に沿って、細長い電極の第1のアレイ及び細長い電極の第2のアレイを含む補正器であって、細長い電極の前記第2のアレイが、細長い電極の前記第1のアレイと実質的に平行であり、前記第1のアレイが、前記ビーム経路に沿って前記第2のアレイに隣接し、前記第1のアレイの前記細長い電極が、前記第1の複数のサブビームの前記ビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数の前記サブビームが細長い電極の前記第1のアレイの前記1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、前記第2の複数のサブビームが前記第1の複数のサブビームのサブセットであり、前記細長い電極が、前記第2の複数のサブビームの前記伝播方向に平行に延びる平行板を含む、補正器と、
前記第2の複数のサブビームを所望の量だけ偏向させるために、前記第1のアレイの前記1対の細長い電極の間に電位差を印加するように構成された電源と、
を含む、荷電粒子ツール。 - それぞれの第2の複数のサブビームが各対の細長い電極の間を伝播するように構成された複数対の細長い電極が存在し、前記電源が、各対の細長い電極の間にそれぞれの電位差を印加するように構成される、請求項1に記載のツール。
- 前記細長い電極がそれぞれ、その片側のみに隣接するサブビームを有する、請求項2に記載のツール。
- 前記電源が、隣接する細長い電極に反対の極性の電位を印加するように構成される、請求項2又は3に記載のツール。
- 前記細長い電極のいくつかが、その両側に隣接するサブビームを有する、請求項2に記載のツール。
- 前記電源が、細長い電極の前記アレイに渡る位置の連続的に増加する、例えば単調増加する関数によって、前記細長い電極それぞれに印加される前記電位が与えられるように構成される、請求項5に記載のツール。
- 前記補正器が、前記ビーム経路に沿って、細長い電極の追加のアレイを含み、細長い電極の前記追加のアレイが、細長い電極の前記第1のアレイに垂直又は平行である、請求項1~6の何れか一項に記載のツール。
- 前記補正器が、第1の組の細長い電極、第2の組の細長い電極、及び第3の組の細長い電極を含む細長い電極の前記第1のアレイを含み、前記第1、第2、及び第3の組の細長い電極のうちの1つが、前記第1のアレイの前記細長い電極に対応し、前記第1の組の細長い電極と前記第2の組の細長い電極との間の角度が60°であり、前記第2の組の細長い電極と前記第3の組の細長い電極との間の角度が60°である、請求項1~6の何れか一項に記載のツール。
- 前記補正器が、前記第1のアレイの前記細長い電極の間に前記中間焦点があるように構成される、請求項1~8の何れか一項に記載のツール。
- 前記補正器が、前記集光レンズアレイに隣接して、及び/又は前記対物レンズアレイに隣接して、若しくは一体化されて配置される、請求項1~9の何れか一項に記載のツール。
- 前記補正器が、像面湾曲、焦点誤差、及び非点収差の少なくとも1つを減少するように構成される、請求項1~10の何れか一項に記載のツール。
- 前記補正器が、前記第1の複数のサブビームのマクロ収差を補正するように構成される、請求項1~11の何れか一項に記載のツール。
- 前記集光レンズアレイに隣接して、及び/又は前記対物レンズアレイに隣接して、若しくは一体化されて配置される追加の補正器を更に含む、請求項1~12の何れか一項に記載のツール。
- 前記追加の補正器が、請求項1~9の何れか一項に記載の補正器を含む、請求項13に記載のツール。
- 検査方法であって、
荷電粒子のビームを複数のサブビームに分割することと、
各前記サブビームをそれぞれの中間焦点に集束することと、
補正器を使用して前記サブビームを偏向させて、前記サブビームのマクロ収差を補正することと、
複数の対物レンズを使用して、前記複数の荷電粒子ビームを前記サンプルに投影することと、を含み、前記補正器が、前記ビーム経路に沿って、細長い電極の第1のアレイ及び細長い電極の第2のアレイを含み、細長い電極の前記第2のアレイが、細長い電極の前記第1のアレイと実質的に平行であり、前記第1のアレイが、前記ビーム経路に沿って前記第2のアレイに隣接し、前記第1のアレイの前記細長い電極が、前記第1の複数のサブビームの前記ビーム経路に実質的に垂直に延び、第2の複数の前記サブビームが細長い電極の前記第1のアレイの前記1対の細長い電極の間を伝播するように構成され、前記第2の複数のサブビームが前記第1の複数のサブビームのサブセットであり、前記細長い電極が、前記第2の複数のサブビームの前記伝播方向に平行に延びる平行板を含む、検査方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP20168278.8 | 2020-04-06 | ||
EP20168278.8A EP3893264A1 (en) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | Charged particle assessment tool, inspection method |
PCT/EP2021/058824 WO2021204734A1 (en) | 2020-04-06 | 2021-04-04 | Charged particle assessment tool, inspection method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023519566A true JP2023519566A (ja) | 2023-05-11 |
JP7477635B2 JP7477635B2 (ja) | 2024-05-01 |
Family
ID=70224280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022556551A Active JP7477635B2 (ja) | 2020-04-06 | 2021-04-04 | 荷電粒子評価ツール、検査方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230125800A1 (ja) |
EP (2) | EP3893264A1 (ja) |
JP (1) | JP7477635B2 (ja) |
KR (1) | KR20220150958A (ja) |
CN (1) | CN115380356A (ja) |
IL (1) | IL296996A (ja) |
TW (2) | TWI815101B (ja) |
WO (1) | WO2021204734A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4202970A1 (en) | 2021-12-24 | 2023-06-28 | ASML Netherlands B.V. | Alignment determination method and computer program |
EP4280252A1 (en) * | 2022-05-16 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method |
WO2023202819A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3411034A1 (de) | 1984-03-26 | 1985-09-26 | Ruhrchemie Ag, 4200 Oberhausen | Verfahren zur rueckgewinnung von rhodium aus reaktionsprodukten der oxosynthese |
JP4484868B2 (ja) | 2003-03-10 | 2010-06-16 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 複数の小ビームを発生させるための装置 |
EP2279515B1 (en) * | 2008-04-15 | 2011-11-30 | Mapper Lithography IP B.V. | Projection lens arrangement |
TWI497557B (zh) * | 2009-04-29 | 2015-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統 |
NL1036912C2 (en) | 2009-04-29 | 2010-11-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical system comprising an electrostatic deflector. |
TW201239943A (en) * | 2011-03-25 | 2012-10-01 | Canon Kk | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
NL2007604C2 (en) | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
NL2006868C2 (en) | 2011-05-30 | 2012-12-03 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle multi-beamlet apparatus. |
JP2013102060A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Canon Inc | 荷電粒子光学系、及びそれを用いた描画装置 |
JP2014007261A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Canon Inc | 静電偏向器、描画装置およびデバイスの製造方法 |
JP2014041936A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Canon Inc | 描画装置および物品の製造方法 |
NL2013411B1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-09-27 | Univ Delft Tech | Multi electron beam inspection apparatus. |
US10504687B2 (en) * | 2018-02-20 | 2019-12-10 | Technische Universiteit Delft | Signal separator for a multi-beam charged particle inspection apparatus |
JP2019186140A (ja) | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射方法 |
-
2020
- 2020-04-06 EP EP20168278.8A patent/EP3893264A1/en not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-04-01 TW TW110112244A patent/TWI815101B/zh active
- 2021-04-01 TW TW112141221A patent/TW202407737A/zh unknown
- 2021-04-04 IL IL296996A patent/IL296996A/en unknown
- 2021-04-04 WO PCT/EP2021/058824 patent/WO2021204734A1/en unknown
- 2021-04-04 EP EP21723952.4A patent/EP4133515A1/en active Pending
- 2021-04-04 US US17/912,608 patent/US20230125800A1/en active Pending
- 2021-04-04 JP JP2022556551A patent/JP7477635B2/ja active Active
- 2021-04-04 CN CN202180026727.5A patent/CN115380356A/zh active Pending
- 2021-04-04 KR KR1020227034884A patent/KR20220150958A/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202204886A (zh) | 2022-02-01 |
CN115380356A (zh) | 2022-11-22 |
IL296996A (en) | 2022-12-01 |
WO2021204734A1 (en) | 2021-10-14 |
KR20220150958A (ko) | 2022-11-11 |
EP3893264A1 (en) | 2021-10-13 |
TWI815101B (zh) | 2023-09-11 |
TW202407737A (zh) | 2024-02-16 |
JP7477635B2 (ja) | 2024-05-01 |
US20230125800A1 (en) | 2023-04-27 |
EP4133515A1 (en) | 2023-02-15 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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