JP2023505595A - 半導体スイッチ素子用の冷却装置、パワーインバータ装置、およびパワーインバータ装置と電気機械とを有する構成体 - Google Patents

Abstract

半導体スイッチ素子（１０、１１）を冷却するための冷却装置（１５）であって、前記冷却装置（１５）は、－前記半導体スイッチ素子（１０、１１）を支持するための第１側面（１８）を有するとともに、前記第１側面（１８）の反対側の第２側面（１９）を有する第１壁（１７）と、－前記第１壁（１７）の前記第２側面（１９）とともに主冷却チャネル（２２）を形成する第１側面（２１）を有する第２壁（２０）であって、前記第２壁（２０）の前記第１側面（２１）の反対側の第２側面（２５）を有する第２壁（２０）と、前記第２壁（２０）の前記第２側面（２５）とともに補助冷却チャネル（２４）を形成する第３壁（２３）と、を備え、前記第２壁（２０）は、前記補助冷却チャネル（２４）を前記主冷却チャネル（２２）に流体的に導通した態様で接続する接続手段（２６）を備える。

Description

本発明は、半導体スイッチ素子を冷却するための冷却装置であって、前記半導体スイッチ素子を支持するための第１側面を有するとともに、前記第１側面の反対側の第２側面を有する第１壁と、前記第１壁の前記第２側面とともに主冷却チャネルを形成する第１側面を有する第２壁であって、前記第２壁の前記第１側面の反対側の第２側面を有する第２壁と、を備える冷却装置に関する。

さらに、本発明は、パワーインバータ装置と、パワーインバータ装置と電気機械とを備える構成体と、に関する。

例えば電気駆動車両の電気機械に給電するパワーインバータ装置内での半導体スイッチ素子の動作時に、半導体スイッチ素子の過熱による故障を引き起こし得る大きな電力損失が発生する。半導体スイッチ素子を冷却するための冷却装置を使用することが知られている。冷却装置は、半導体スイッチ素子を冷却するように、これに沿って冷却剤を流れさせ得る冷却チャネルを有している。ここで、冷却剤に乱流を発生させることでより大きな熱交換面を生成することを目的として、冷却チャネル内に延びるピンフィン等の追加のヒートシンク構造体が使用される場合がある。

文書ＵＳ ２００４／０１５０９５６ Ａ１号は、半導体ダイを備える発熱源から冷却媒体に熱を伝達するための、パワーエレクトロニクス用途で使用されるヒートシンクアセンブリを開示している。ヒートシンクアセンブリは、ベースプレートと、ベースプレートの内部に配置されて発熱源から冷却媒体に熱を伝達するための複数の伝熱ピンと、頂部装着部とこれらの間に形成された冷却チャネルとを有する熱交換アセンブリと、を備え、熱を吸収するための冷却媒体が冷却チャネルに配置されている。

しかしながら、付着する熱の影響により、単一の冷却チャネルの流出領域において冷却剤の温度が流入領域より高くなり、出口側の半導体スイッチ素子からの伝熱が減少し、冷却装置の出口側部分に蓄熱することとなる。

したがって、本発明の目的は、特に車両を駆動するための、パワーインバータ装置における半導体スイッチ素子を冷却するための改善された可能性を提供することである。

本発明によれば、上述の目的は、冒頭に記載した冷却装置であって、前記第２壁の前記第２側面とともに補助冷却チャネルを形成する第３壁をさらに備え、前記第２壁は、前記補助冷却チャネルを前記主冷却チャネルに流体的に導通した態様で接続する接続手段を備える冷却装置により解決される。

本発明による冷却装置は、補助冷却チャネルを提供する。補助冷却チャネルは、半導体スイッチ素子から第２壁を介して熱的に切り離されることにより、主冷却チャネルよりも低温の冷却剤を伝えるものである。接続手段により、冷却剤が補助冷却チャネルから主冷却チャネル内に吐出され得る。このため、乱流が主冷却チャネル内で発生する、および／または、主冷却チャネルに沿って流れる冷却剤流の温度が低下する。これは、冷却剤流が補助冷却チャネルからのより低温の冷却剤流と混合するためである。乱流が発生すること、および冷却剤の温度が低下することの両方により、半導体スイッチ素子から主冷却チャネルに沿って流れる冷却剤へより多くの熱が伝達され得る。有利には、本発明による冷却装置により、半導体スイッチ素子からの放熱を向上させることができる、および／または、ピンフィン等の高価な従来のヒートシンク構造体を省くことができる。

好適には、半導体スイッチ素子は、各々がハーフブリッジ回路を備える半導体スイッチ素子構成体を形成する。ハーフブリッジ回路は、各々が逆並列ダイオード構造体を設けられた２つのトランジスタ構造体の直列接続体を備え得る。典型的には、３つの半導体スイッチ素子構成体が、冷却装置により冷却され得る。典型的には、第１壁は、第２壁および／または第３壁に対して平行に延びる。好適には、第１壁の第２側面と第２壁の第１側面との間の距離は、第２壁の第２側面と第３壁との間の距離よりも大きい。

好適には、本発明による冷却装置の前記接続手段は、複数の貫通孔である。これにより、補助冷却チャネルに沿って流れる冷却剤流は、主冷却チャネル内に吐出され得る。好適には、貫通孔は、第２壁に沿って行列状に配置される。それぞれの行は、主冷却チャネルにおいて冷却剤流の流れ方向に沿って延びる。好適には、各列は、少なくとも５個、より好適には少なくとも１０個、より好適には少なくとも１５個の貫通孔を備えている。典型的には、貫通孔は、矩形または楕円形のパターン、および／または斜めのパターンで配置される。冷却チャネルの幅に対する貫通孔の直径の比率は、好適には１．５％～１０％である。さらに、貫通孔の直径は、実質的に等しくてもよいし、または等しくてもよい。あるいは、貫通孔の直径は異なっていてもよい。好適には、貫通孔の直径は、流れ方向に対して増大または縮小している。これにより、伝熱および圧力損失の所望の要件が満たされ得る。

前記貫通孔は、前記第２壁に平行な平面に対して傾斜することがさらに好適である。好適には、傾斜角度は、少なくとも１０°、より好適には少なくとも３０°、および／または最大で８０°、より好適には最大で６０°である。

本発明による冷却装置は、前記主冷却チャネルと前記補助冷却チャネルとに冷却剤を供給するための入口チャネルアセンブリと、前記冷却剤を前記主冷却チャネルから排出するための出口チャネルと、をさらに備え得る。

ここで、前記接続手段の出口チャネル側における前記主冷却チャネルと前記補助冷却チャネルとの間の接続部の密度が、前記接続手段の入口チャネル側におけるよりも高いことが好適である。主冷却チャネルに沿って流れる冷却剤の温度は、典型的には、入口チャネル側から出口チャネル側に向かって上昇するため、出口チャネル側で接続部の密度、例えば貫通孔の密度を高くすることにより、主冷却チャネルに沿って流れる冷却剤の温度分布をよりバランスよくすることができる。

さらに、前記接続手段は、前記第２壁の出口チャネル側端部と、前記出口チャネルと前記入口チャネルアセンブリとの間の位置と、の間で延びる、前記第２壁のセクション内に配置され、前記第２壁は、前記セクションの外側において、前記冷却剤に対して不透過性であり得ることが好適である。

ここで、前記第２壁の前記出口チャネル側端部と前記位置との間の距離が、前記第２壁の長さの最大で６０パーセント、好適には最大で５０パーセント、より好適には最大で４０パーセントである。この場合、補助冷却チャネルからの冷却剤が、主冷却チャネルに沿った冷却剤流が既に加熱されている、主冷却チャネルの領域のみに吐出され得る。これにより、主冷却チャネル内での熱分布をよりバランスよくすることができる。

あるいは、前記第２壁の前記出口チャネル側端部と前記位置との間の距離が、前記第２壁の長さの少なくとも６０パーセント、好適には少なくとも７５パーセント、より好適には少なくとも９０パーセントである。距離がかなり高い場合、例えば前記長さの６０パーセントを超える場合、補助冷却チャネルからの冷却剤が、主冷却チャネル内に、主冷却チャネルの広い範囲に亘って吐出され得る。これにより、第１壁の第２側面に分散配置されたピンフィンまたはリボン接合部に匹敵する冷却効果が、そのような高価な構造体を使用せずに達成され得る。

第１の好適な代替案によれば、前記入口チャネルアセンブリは、共通の入口チャネルを備え、前記入口チャネルから、主入口チャネルと前記補助冷却チャネルとが分岐する。これにより、冷却装置を冷却サイクルに組み込むことが容易化され得る。

第２の好適な代替案によれば、前記入口チャネルアセンブリは、互いに離れた主入口チャネルと補助入口チャネルとを備える。これにより、例えば冷却装置のスポーツ車両への組み込みに関して、より高い冷却性能が得られる。特に、主入口チャネルと補助入口チャネルとは、別個の冷却サイクルにより供給を受け得る、または供給を受ける。

典型的には、冷却装置は、主冷却チャネルおよび補助冷却チャネルに対して単一の出口チャネルを有する。

本発明による冷却装置の前記第３壁は、ハウジング要素内に形成されたキャビティの底部により形成されることが好適である。典型的には、キャビティは、金属製のブロックにフライス加工される、またはキャビティを有するようにハウジング要素を鋳造することにより実現される。ハウジング要素は、アルミニウムから構成され得る。典型的には、キャビティは、良好に成形されるとともに、入口チャネルアセンブリを実現する少なくとも１つのボア、および／または出口チャネルを実現するボアを有している。各ボアは、傾斜していてもよい。

有利には、前記第２壁は、前記キャビティの凹部に配置されたプレート状の仕切要素により形成される。これにより、仕切要素がハウジング要素に対して別個の部品となり得るため、冷却装置の組立が容易になる。典型的には、冷却装置の重量を実現するために、仕切要素はプラスチックから構成される。

一般に、本発明による冷却装置に関して、前記第１壁は、ベースプレートにより形成され得る。半導体スイッチ素子は、はんだ付けにより、ベースプレートに装着され得る。

製造のための第１代替例によれば、前記冷却装置は、前記ベースプレートと前記仕切要素との間に配置された固定要素であって、前記ベースプレートが前記キャビティを閉鎖するとき、前記ベースプレートにより弾性変形する固定要素を備える。第２代替例によれば、前記冷却装置は、前記ベースプレートと前記仕切要素との間に配置されたフレーム要素であって、締結手段により前記ハウジング要素のフランジに接続された、または接続可能なフランジを有するフレーム要素を備える。

本発明によれば、上述の目的は、複数の半導体スイッチ素子と、本発明による前記半導体スイッチ素子用の冷却装置と、を備えるパワーインバータ装置によりさらに解決される。

本発明によれば、上述の目的は、本発明によるパワーインバータ装置と、車両を駆動するように構成された電気機械と、を備える構成体であって、前記パワーインバータ装置は、前記電気機械に給電するように構成される、構成体によりさらに解決される。

本発明のさらなる詳細および利点について、以下の実施形態で説明する。説明では、以下を概略的に示す添付図面が参照される。

本発明による冷却装置の第１実施形態を有する本発明によるパワーインバータ装置の第１実施形態を有する本発明による構成体の実施形態のブロック図。 パワーインバータ装置の第１実施形態の上面図。 図２における平面ＩＩＩ－ＩＩＩに沿ったパワーインバータ装置の第１実施形態の長手方向断面図。 冷却装置の第１実施形態の第２壁の原理図。 パワーインバータ装置の第１実施形態の簡略化した断面図であって、主冷却チャネルおよび補助冷却チャネルを示す図。 パワーインバータ装置の第１実施形態の簡略化した断面図であって、出口チャネルを示す図。 図２における平面ＶＩＩ－ＶＩＩに沿ったパワーインバータ装置の第１実施形態の断面図。 冷却装置の第１実施形態の固定要素の上面図。 本発明による冷却装置の第２実施形態を有する本発明によるパワーインバータ装置の第２実施形態の長手方向断面図。 本発明による冷却装置の第３実施形態を有する本発明によるパワーインバータ装置の第３実施形態の長手方向断面図。 冷却装置の第３実施形態の第２壁の原理図。 本発明による冷却装置の第４実施形態を有する本発明によるパワーインバータ装置の第４実施形態の、図７に対応する断面図。

図１は、パワーインバータ装置２と電気機械３とを有する構成体１の実施形態のブロック図である。パワーインバータ装置２は、電気機械３に給電するように構成されている。電気機械３は、バッテリ電気自動車やハイブリッド電気自動車等の車両を駆動するのに適している。さらに、図１は、パワーインバータ装置２のＤＣリンク、または構成体１にそれぞれ接続された高電圧バッテリ４を示している。

パワーインバータ装置２は、ＤＣリンクコンデンサ５と、半導体スイッチ素子モジュール６と、を備えている。半導体スイッチ素子モジュール６は、第１半導体スイッチ素子構成体７と、第２半導体スイッチ素子構成体８と、第３半導体スイッチ素子構成体９と、を有している。各半導体スイッチ素子構成体７、８、９は、パワーインバータ装置２の出力相電流を供給するように構成されている。このために、各半導体スイッチ素子構成体７、８、９は、２つの半導体スイッチ素子１０、１１により形成されたハーフブリッジを備えている。各半導体スイッチ素子は、トランジスタ構造体１２と、逆並列ダイオード構造体１３と、を有している。トランジスタ構造体１２およびダイオード構造体１３は、単数または複数のパワーＭＯＳＦＥＴにより、またはＩＧＢＴとダイオードとの単数または複数の接続部により、形成され得る。

さらに、パワーインバータ装置２は、制御ユニット１４を備えている。制御ユニット１４は、半導体スイッチ素子モジュール６、すなわち半導体スイッチ素子構成体７、８、９をそれぞれ制御して三相出力電圧を提供するように構成されている。パワーインバータ装置２は、半導体スイッチ素子１０、１１を冷却するための冷却装置１５の第１実施形態をさらに備えている。

図２は、パワーインバータ装置２の第１実施形態の上面図である。図示のように、半導体スイッチ素子構成体７、８、９は、冷却装置１５のベースプレート１６上に一列に装着されている。

図３は、図２における平面ＩＩＩ－ＩＩＩに沿ったパワーインバータ装置２の第１実施形態の長手方向断面図である。

冷却装置１５は、ベースプレート１６により形成された第１壁１７を備えている。第１壁１７は、半導体スイッチ素子１０、１１すなわち半導体スイッチ素子構成体７、８、９をそれぞれ支持するための第１側面１８と、第１側面１８の反対側の第２側面１９と、を有している。さらに、冷却装置１５は、第１壁１７の第２側面１９とともに主冷却チャネル２２を形成する第１側面２１を有する第２壁２０を備えている。冷却装置１５の第３壁２３が、第２壁２０の第２側面２５とともに補助冷却チャネル２４を形成している。主冷却チャネル２２および補助冷却チャネル２４は、主冷却チャネル２２に沿った冷却剤流に直接的に熱接触しているベースプレート１６の下方において平行に延びている。

第２壁２０は、補助冷却チャネル２４を主冷却チャネル２２に流体的に導通した態様で接続する接続手段２６を備えている。そのために、接続手段２６は、第２壁２０に平行な平面に対して傾斜した複数の貫通孔２６ａを備えている。したがって、半導体スイッチ素子１０、１１から第２壁２０により熱的に切り離された補助冷却チャネル２４に沿った冷却剤流が、貫通孔２６ａにより実現された接続部を介して主冷却チャネル２２内に吐出される。

さらに、冷却装置１５は、主冷却チャネル２２および補助入口チャネル２４に冷却剤を供給するための入口チャネルアセンブリ２７を備えている。冷却剤を主冷却チャネル２２から排出するための出口チャネル２８が、冷却装置１５の入口チャネルアセンブリ２７に対して反対側に設けられている。本実施形態において、入口チャネルアセンブリ２７は、共通の入口チャネル３１を備えている。入口チャネル３１から、主冷却チャネル２０と補助冷却剤チャネル２４とに冷却剤を供給するための主入口チャネル２９が分岐している。

入口チャネルアセンブリ２７および出口チャネル２８は、例えばアルミニウムから構成されたハウジング要素３２内の傾斜したボアにより形成されている。さらに、図３は、第１壁１７の第２側面１９に配置された任意のリボン接合部３３を示している。

図４は、第１実施形態の冷却装置１５の第２壁２０の原理図である。

接続手段２６は、第２壁２０のセクション３４内に配置されている。セクション３４は、第２壁２０の出口チャネル側端部３５と、出口チャネル２８と入口チャネルアセンブリ２７との間の位置と、の間で延びている。セクション３４の外側において、第２壁２０は、冷却剤に対して不透過性である。第２壁２０の出口チャネル側端部３５と当該位置との間の距離は、第２壁２０の長さの約５０パーセントである。

セクション３４は、接続手段２６の入口チャネル側にある第１サブセクション３６と、接続手段２６の出口チャネル側にある第２サブセクション３７と、を有している。第２サブセクション３７内において、接続部の密度すなわち貫通孔２６ａの密度は、第１サブセクション３６内よりもそれぞれ高い。第１サブセクション３６において、貫通孔２６ａは、正方形のパターンで配置されている。これに対して、第２サブセクション３７においては、接続部がより高い密度となるように、貫通孔２６ａは斜めのパターンである。

これにより、補助冷却チャネル２４に沿って流れるより低温の冷却剤が、主冷却チャネル２２の領域、すなわち第２スイッチ素子構成体８および第３スイッチ素子構成体９の下方にある領域に吐出される。この領域では、主冷却チャネル２２に沿った冷却剤流は、第１スイッチ素子構成体７からの放熱により既に加熱されている。補助冷却チャネル２４に沿った冷却剤流は、主冷却チャネル２２に沿った冷却剤流よりも低温であるため、第２スイッチ素子構成体８および第３スイッチ素子構成体９の下方の温度は、補助冷却チャネルのない冷却装置に比較して低下する。第３半導体スイッチ素子構成体９の下方にある第２サブセクション３７の貫通孔２６ａの密度は、第１サブセクション３６におけるよりも高いため、さらに多くの冷却剤が主冷却チャネル２２に吐出される。これにより、補助冷却チャネルのない冷却装置に比較して、主冷却チャネル２２に沿った冷却剤流の温度が低下する。貫通孔２６ａを介して吐出される冷却剤により乱流が発生するため、放熱のさらなる向上が達成される。

図５および図６は、各々パワーインバータ装置２の第１実施形態の簡略化した断面図である。図５は主冷却チャネル２２および補助冷却チャネル２４を示し、図６は出口チャネル２８を示す。図示のように、第１壁１７の第２側面１９と第２壁２０の第１側面２１との間の距離は、第２壁２０の第２側面２５と第３壁２３との間の距離よりも大きい。この結果、主冷却チャネル２２の高さは、補助冷却チャネル２４の高さよりも大きくなっている。

図７は、図２における平面ＶＩＩ－ＶＩＩに沿ったパワーインバータ装置２の第１実施形態の断面図である。

第３壁２３は、ハウジング要素３２内に形成されたキャビティ３９の底部３８により形成されている。第２壁２０は、キャビティ３９の凹部４１に配置されたプレート状の仕切要素４０により形成されている。図８に上面図で示す固定要素４２が、ベースプレート１６と仕切要素４２との間に設けられ、ベースプレート１６がキャビティ３９を閉鎖するとき、ベースプレート１６により弾性変形する。

図９～図１２は、冷却装置１５のさらなる実施形態を各々有するパワーインバータ装置２のさらなる実施形態を示す。以下では、パワーインバータ装置２および冷却装置１５のそれぞれの実施形態と上述のパワーインバータ装置２および冷却装置１５の第１実施形態との相違点のみ説明する。同一の参照符号が、同一または同等の構成要素に使用される。あるいは、パワーインバータ装置２のさらなる実施形態の全てが、構成体１に適用され得る。

図９は、冷却装置１５の第２実施形態を有するパワーインバータ装置２の第実施形態の長手方向断面図である。本実施形態によれば、主入口チャネル２９は、補助入口チャネル３０から離れている。このために、入口チャネル２９、３０の各々用の２つの別個のボアが、ハウジング要素３２内に設けられている。主入口チャネル２９および補助入口チャネル３０は、第１実施形態よりも高い冷却性能を提供するように、異なる冷却サイクルにより供給を受ける。

図１０は、冷却装置１５の第３実施形態を有するパワーインバータ２の第３実施形態の長手方向断面図である。これらの実施形態において、貫通孔２６ａは、第２壁２０の略全領域に亘って分散配置されている。図１１は、冷却装置１５の第３実施形態の第２壁２０の原理図である。図示のように、セクション３４は、出口チャネル側端部３５までの距離が第２壁２０の長さの９０パーセント超である位置まで延びている。ここで、ベースプレート１６にリボン接合部は設けられていない。なぜならば、補助冷却チャネル２４から主冷却チャネル２２内に流れる冷却剤の傾斜したジェットが、第１壁１７のリボン接合部の対応する分散配置により発生する乱流と同等の乱流を主冷却チャネル２２内で発生させるからである。

図１２は、冷却装置１５の第４実施形態を有するパワーインバータ装置２の第４実施形態による、図７に対応する断面図である。本実施形態において、冷却装置は、ベースプレート１６と仕切要素４０との間に配置されたフレーム要素４３であって、締結手段４６によりハウジング要素３２のフランジ４５に接続されたフランジ４４を有するフレーム要素４３を備えている。

Claims (15)

1. 半導体スイッチ素子（１０、１１）を冷却するための冷却装置（１５）であって、
   －前記半導体スイッチ素子（１０、１１）を支持するための第１側面（１８）を有するとともに、前記第１側面（１８）の反対側の第２側面（１９）を有する第１壁（１７）と、
   －前記第１壁（１７）の前記第２側面（１９）とともに主冷却チャネル（２２）を形成する第１側面（２１）を有する第２壁（２０）であって、前記第２壁（２０）の前記第１側面（２１）の反対側の第２側面（２５）を有する第２壁（２０）と、
   を備え、
   前記第２壁（２０）の前記第２側面（２５）とともに補助冷却チャネル（２４）を形成する第３壁（２３）であって、前記第２壁（２０）が前記補助冷却チャネル（２４）を前記主冷却チャネル（２２）に流体的に導通した態様で接続する接続手段（２６）を備える、第３壁（２３）を特徴とする、
   冷却装置（１５）。
2. 前記接続手段（２６）は、複数の貫通孔（２６ａ）である、
   請求項１に記載の冷却装置。
3. 前記貫通孔（２６ａ）は、前記第２壁（２０）に平行な平面に対して傾斜する、
   請求項２に記載の冷却装置。
4. －前記主冷却チャネル（２２）と前記補助冷却チャネル（２４）とに冷却剤を供給するための入口チャネルアセンブリ（２７）と、
   －前記冷却剤を前記主冷却チャネル（２２）から排出するための出口チャネル（２８）と、
   をさらに備える、
   請求項１～３のいずれかに記載の冷却装置。
5. 前記接続手段（２６）の出口チャネル側における前記主冷却チャネル（２２）と前記補助冷却チャネル（２４）との間の接続部の密度が、前記接続手段（２６）の入口チャネル側におけるよりも高い、
   請求項４に記載の冷却装置。
6. 前記接続手段（２６）は、前記第２壁（２０）の出口チャネル側端部（３５）と、前記出口チャネル（２８）と前記入口チャネルアセンブリ（２７）との間の位置と、の間で延びる、前記第２壁（２０）のセクション（３４）内に配置され、
   前記第２壁（２０）は、前記セクション（３４）の外側において、前記冷却剤に対して不透過性である、
   請求項４または５に記載の冷却装置。
7. 前記第２壁（２０）の前記出口チャネル側端部（３５）と前記位置との間の距離が、前記第２壁（２０）の長さの
   －最大で６０パーセント、好適には最大で５０パーセント、より好適には最大で４０パーセント、または、
   －少なくとも６０パーセント、好適には少なくとも７５パーセント、より好適には少なくとも９０パーセント
   である、
   請求項６に記載の冷却装置。
8. 前記入口チャネルアセンブリ（２７）は、共通の入口（３１）チャネルを備え、
   前記入口（３１）チャネルから、主入口チャネル（２９）と前記補助冷却チャネル（２４）とが分岐する、
   請求項５～７のいずれかに記載の冷却装置。
9. 前記入口チャネルアセンブリ（２７）は、互いに離れた主入口チャネル（２９）と補助入口チャネル（３０）とを備える、
   請求項５～７のいずれかに記載の冷却装置。
10. 前記第３壁（２３）は、ハウジング要素（３２）内に形成されたキャビティ（３９）の底部（３８）により形成される、
    請求項１～９のいずれかに記載の冷却装置。
11. 前記第２壁（２０）は、前記キャビティ（３９）の凹部（４１）に配置されたプレート状の仕切要素（４０）により形成される、
    請求項１０に記載の冷却装置。
12. 前記第１壁（１７）は、ベースプレート（１６）により形成され、
    前記冷却装置（１５）は、前記ベースプレート（１６）と前記仕切要素（４０）との間に配置された固定要素（４２）であって、前記ベースプレート（１６）が前記キャビティ（３９）を閉鎖するとき、前記ベースプレート（１６）により弾性変形する固定要素（４２）を備える、
    請求項１１に記載の冷却装置。
13. 前記第１壁（１７）は、ベースプレート（１６）により形成され、
    前記冷却装置（１５）は、前記ベースプレート（１６）と前記仕切要素（４０）との間に配置されたフレーム要素（４３）であって、締結手段（４６）により前記ハウジング要素（３２）のフランジ（４５）に接続された、または接続可能なフランジ（４４）を有するフレーム要素（４３）を備える、
    請求項１１に記載の冷却装置。
14. 複数の半導体スイッチ素子（１０、１１）と、前記半導体スイッチ素子（１０、１１）用の請求項１～１３のいずれかに記載の冷却装置（１５）と、を備える、パワーインバータ装置（２）。
15. 請求項１４に記載のパワーインバータ装置（２）と、車両を駆動するように構成された電気機械（３）と、を備える構成体（１）であって、前記パワーインバータ装置（２）は、前記電気機械（３）に給電するように構成される、構成体（１）。

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