JP2023504045A - 半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス及びその製造 - Google Patents
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 253
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 60
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 52
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 14
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 8
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- -1 NbTiN Inorganic materials 0.000 description 33
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 21
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 14
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 6
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000121629 Majorana Species 0.000 description 5
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- IWVKTOUOPHGZRX-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methylprop-2-enoate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.COC(=O)C(C)=C IWVKTOUOPHGZRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020073 MgB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019794 NbN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0156—Manufacture or treatment of devices comprising Nb or an alloy of Nb with one or more of the elements of group IVB, e.g. titanium, zirconium or hafnium
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/128—Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/805—Constructional details for Josephson-effect devices
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- H10N60/00—Superconducting devices
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- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
- G06N10/40—Physical realisations or architectures of quantum processors or components for manipulating qubits, e.g. qubit coupling or qubit control
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Abstract
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法は、半導体コンポーネントと、半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、第１の超伝導体材料上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、第２の超伝導体材料は第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、第２の超伝導体材料の層をエッチングして第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、上記第１の超伝導体材料の一部を酸化させて半導体上に不動態化層を形成するステップを含む。第１の超伝導体は、半導体と第２の超伝導体との間のエネルギー結合を提供し、不動態化層は、半導体を保護しつつ、半導体への電気的アクセスを可能にする。ハイブリッドデバイス、及びエッチングの方法がさらに提供される。
Description
特定の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスは、量子コンピューティング、例えば、トポロジカル量子コンピューティングにおける応用性がある。
トポロジカル量子コンピューティングは、半導体が超伝導体に結合される領域に「マヨラナゼロモード」（Majorana zero modes、ＭＺＭ）の形態の非アーベルエニオン（non-abelian anyons）を形成できることによる現象に基づく。非アーベルエニオンは、準粒子の一種であり、粒子自体ではなく、少なくとも部分的に粒子のようにふるまう電子液体中の励起を意味する。ＭＺＭは、そのような準粒子の特定の束縛状態である。特定の条件下では、これらの状態は、超伝導体でコーティングされたある長さの半導体から形成されたナノワイヤ中で、半導体・超伝導体界面の近くに形成することができる。ＭＺＭがナノワイヤ中で誘導される（induced）と、それは「トポロジカルレジーム（topological regime）」にあると言われる。いくつかの例では、これを誘導するためには、磁場が従来のように外部から印加されることと、さらに、超伝導体材料における超伝導挙動を誘導する温度以下へのナノワイヤの冷却を必要とする。それは、さらに、静電ポテンシャルでナノワイヤの一部をゲート制御する（gating）ことを含んでもよい。
そのようなナノワイヤのネットワークを形成し、ネットワークの一部におけるトポロジカルレジームを誘導することにより、量子コンピューティングの目的のために操作可能な量子ビット（キュービット（qubit））を生成することが可能である。量子ビット、又はキュービットは、２つのとり得る結果を有する測定を実行できるが、任意の所与の時点で（測定されていないとき）、実際には、異なる結果に対応する２つの状態の量子重ね合わせであることが可能な要素である。
ＭＺＭを誘導するために、デバイスは、超伝導体（例えば、アルミニウム）が超伝導挙動を提示する温度に冷却される。適切な環境下では、超伝導体は、隣接する半導体に近接効果をもたらし、それにより、超伝導体との界面に近い半導体の領域も、超伝導特性を提示する。すなわち、トポロジカル位相挙動が、超伝導体だけでなく隣接する半導体においても誘導される。ＭＺＭが形成される場所は、半導体のこの領域内である。
ＭＺＭが形成できるトポロジカル位相を誘導するための別の条件は、半導体中のスピン縮退を解く（lift）ための磁場の印加である。量子系の文脈における縮退とは、異なる量子状態が同じエネルギー準位を有する場合を指す。縮退を解くことは、そのような状態に異なるエネルギー準位を取らせることを意味する。スピン縮退は、異なるスピン状態が同じエネルギー準位を有する場合を指す。スピン縮退は、磁場を用いて解くことができ、エネルギー準位を、別様にスピン偏極された電子間に分裂させる。これは、ゼーマン効果として知られている。ｇ因子は、印加磁場とスピン分裂との間の係数を指す。典型的には、磁場は、外部の電磁石により印加される。
［関連出願の相互参照］
本出願は、「SEMICONDUCTOR-SUPERCONDUCTOR HYBRID DEVICE AND ITS FABRICATION」と各々題された2019年12月5日に出願された米国仮出願第62/944,093号及び2020年2月20日に出願された米国出願第16/796,671号の利益及び優先権を主張するものであり、これらの双方が、その全体を全ての目的のために本明細書に完全に記載されているかのようにここで本明細書に組み込まれる。
本出願は、「SEMICONDUCTOR-SUPERCONDUCTOR HYBRID DEVICE AND ITS FABRICATION」と各々題された2019年12月5日に出願された米国仮出願第62/944,093号及び2020年2月20日に出願された米国出願第16/796,671号の利益及び優先権を主張するものであり、これらの双方が、その全体を全ての目的のために本明細書に完全に記載されているかのようにここで本明細書に組み込まれる。
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス（semiconductor-superconductor hybrid device）を製造する方法が提供される。当該方法は、半導体コンポーネントと、半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、第１の超伝導体材料の層上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、第２の超伝導体材料は第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、第２の超伝導体材料の層をエッチングして第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、第１の超伝導体材料の一部を酸化させて半導体コンポーネント上に不動態化層（passivating layer）を形成するステップと、を含む。
さらに、半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスが提供される。当該デバイスは、半導体コンポーネントと、半導体コンポーネントの第１の部分上にわたる第１の超伝導体コンポーネントであり、第１の超伝導体コンポーネントは第１の超伝導体材料を含む、第１の超伝導体コンポーネントと、第１の超伝導体コンポーネント上の第２の超伝導体コンポーネントであり、第２の超伝導体コンポーネントは、第１の超伝導体材料と異なる第２の超伝導体材料を含む、第２の超伝導体コンポーネントと、半導体コンポーネントの第２の部分上にわたる不動態化層であり、不動態化層は第１の超伝導体材料の酸化物を含む、不動態化層と、を含む。
さらに、鉛コンポーネント（lead component）を含むワークピースをエッチングする方法が提供される。当該方法は、鉛コンポーネント上にマスクを形成するステップであり、マスクは鉛コンポーネントの露出領域を画定する、ステップと、露出領域をエッチャント組成物と接触させるステップと、を含む。エッチャント組成物は酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む。
この要約は、以下の詳細な説明でさらに記載される概念のうち選択されたものを簡素化された形式で紹介するために提供されている。この要約は、請求される対象事項の重要な特徴又は必須の特徴を識別することを意図したものではなく、請求される対象事項の範囲を限定するために使用されることを意図したものでもない。請求される対象事項は、本明細書に記載された欠点のいずれか又は全てを解決する実装にも限定されない。
本開示の実施形態の理解を助け、そのような実施形態がどのように実施され得るかを示すために、単に例として、添付の図面を参照する。
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法を概説するフローチャートである。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
図２ａ～図２ｇは、図１の方法の様々なステップにおけるワークピースの概略断面図であり、図２ｇは、例示的な半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを示している（図２は概略的であり、縮尺どおりではない。この図に示されているコンポーネントの相対的な比率は、表現を容易にするために誇張されている場合がある）。
ワークピースの鉛コンポーネントをエッチングする方法を概説するフローチャートである。
アルミニウムのシェル（shell）と、アルミニウムのシェル上に配置された鉛のシェルとを有するヒ化インジウムナノワイヤの、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）顕微鏡写真である。
ナノワイヤの選択された領域から鉛をエッチングした後の、図４に示されるタイプのナノワイヤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
エッチングされたエリアを示す、図５ａの拡大部分である。
Ｉ． 一般的考察及び概要
本明細書で用いられるとき、動詞「含む」は、「含める、又は、から成る」の簡便な表現として用いられる。換言すれば、動詞「含む」は、開放的な語であることを意図しているが、この用語を閉じた語「から成る」で置き換えることは、特に化学組成物に関連して用いられる場合、明示的に企図されている。
本明細書で用いられるとき、動詞「含む」は、「含める、又は、から成る」の簡便な表現として用いられる。換言すれば、動詞「含む」は、開放的な語であることを意図しているが、この用語を閉じた語「から成る」で置き換えることは、特に化学組成物に関連して用いられる場合、明示的に企図されている。
「上部」、「底部」、「左」、「右」、「上」、「下」、「水平」、及び「垂直」などの方向の用語は、説明の簡便さのために本明細書で用いられ、図２に示される向きで見たときのデバイスに関連する。疑義を回避するために、この用語は、外部参照系におけるデバイスの向きを制限することを意図していない。
用語「の上に」は、コンポーネント間の関係を記述するために用いられる場合、典型的には、文脈が別段明確に指示しない限り、「の上に直接」を意味する。
本明細書で用いられるとき、用語「超伝導体」は、材料の臨界温度Ｔｃ未満の温度に冷却されると超伝導になる材料を指す。この用語の使用は、デバイスの温度を制限することを意図するものではない。
本明細書で参照される「ナノワイヤ」は、ナノスケールの幅と、少なくとも１００、又は少なくとも５００、又は少なくとも１０００の長さ対幅比率とを有する、細長い部材である。ナノワイヤの典型的な例は、１０～５００ｎｍ、任意で５０～１００ｎｍ又は７５～１２５ｎｍの範囲の幅を有する。長さは、典型的には、マイクロメートルのオーダのものであり、例えば、少なくとも１μｍ、又は少なくとも１０μｍである。
本開示の文脈における用語「結合」は、特に、２つの材料又はコンポーネント間のエネルギー準位のハイブリッド形成（hybridisation）を指す。
体積（Volumes）は、２５℃、及び１ａｔｍ（１０１３２５Ｐａ）の圧力で測定される。
用語「ワークピース（workpiece）」は、特に、１つ以上の製造ステップの後に得られる未完成のデバイスを指し得る。
数字に関連して用いられる場合、用語「約」は、その値が表示値の±１０％変動し得ることを意味する。
本明細書で引用される全ての文献の内容は、その全体を参照により本明細書に組み込まれる。
超伝導体コンポーネントとしてアルミニウムを使用する半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスが研究されている。アルミニウムは、様々な半導体材料との良好な格子整合及び良好な結合を含む様々な好ましい特性を有する。
本明細書において、第１の超伝導体がさらなる超伝導体を半導体に接続し、かつ不動態化層が半導体コンポーネントを劣化から保護する、半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスについて説明する。
次に、図１及び図２を参照し、半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法について説明する。
ブロック１０１において、第１の超伝導体材料の層が半導体コンポーネント上に形成される。典型的には、第１の超伝導体材料の層は、半導体コンポーネント上にエピタキシャルに成長する。
このステップは、図２ａに概略的に示されるワークピースを形成する。図２ａは、半導体コンポーネント２０の上に直接配置された第１の超伝導体材料の層２２を有する半導体コンポーネント２０を示している。
半導体コンポーネントを形成する材料の性質は、特に限定されない。
例えば、シリコン、ゲルマニウム、又はシリコン／ゲルマニウム半導体が使用されてもよい。
代替的に、半導体コンポーネントは、ＩＩＩ－Ｖ族半導体を含んでもよい。有用なＩＩＩ－Ｖ族半導体材料の例は、以下の一般式のものが含まれる。
ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ （式１）
ここで、ｘは０～１の範囲内である。換言すれば、半導体コンポーネント２０は、アンチモン化インジウム（indium antimonide）（ｘ＝０）、ヒ化インジウム（indium arsenide）（ｘ＝１）、又はモルベースで５０％のインジウムと可変比率のヒ素及びアンチモン（０＜ｘ＜１）とを含む三元混合物を含んでもよい。
ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ （式１）
ここで、ｘは０～１の範囲内である。換言すれば、半導体コンポーネント２０は、アンチモン化インジウム（indium antimonide）（ｘ＝０）、ヒ化インジウム（indium arsenide）（ｘ＝１）、又はモルベースで５０％のインジウムと可変比率のヒ素及びアンチモン（０＜ｘ＜１）とを含む三元混合物を含んでもよい。
ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）は、良好な取り扱い特性を有することが見い出されており、良好な性能を有するデバイスを提供する。アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）は、デバイス性能に対するさらなる向上を提供するが、あまり好ましくない取り扱い特性を有することがある。三元混合物は、二元化合物ＩｎＡｓ及びＩｎＳｂの特性の間の中間の特性を有する。ｘが０～０．７、又は０．０１～０．７の範囲内であるとき、ＩｎＡｓと比較してのデバイス性能の向上が観測され得る。０．３５～０．４５の範囲内のｘの値は、デバイスの性能と取り扱い特性との特に良好なバランスを提供し得る。
半導体コンポーネントは、ヒ化インジウムを含んでもよい。ハイブリッドデバイスのコンポーネントがエピタキシャル成長プロセスにより製造され得るため、コンポーネント材料間の良好な格子整合が望ましい場合がある。ヒ化インジウムは、特にアルミニウムと良好な相溶性（compatibility）を有する。
図２は、単一の半導体層を示す。複数の半導体コンポーネントが存在してもよい。例えば、ウェハの形態の第２の半導体コンポーネントにより支持される、ナノワイヤの形態の第１の半導体コンポーネントがあってもよい。より精巧なデバイスは、ウェハ上に配置されたナノワイヤのネットワーク、又は浅い平面状の電子ガスを含む半導体ヘテロ構造を含んでもよい。
リン化インジウム（Indium phosphide）は、ウェハ材料として有用であり得る半導体の一例である。リン化インジウムは、式１の材料より高いバンドギャップを有し、したがって、これらの材料に基づくデバイスの動作に干渉しない可能性がある。
第１の超伝導体材料は、半導体材料上で容易に成長し得る材料であるように選択される。第１の超伝導体材料と半導体材料との間の良好な格子整合は、この点において有用であり得る。第１の超伝導体材料は、さらに、第２の超伝導体コンポーネントを選択的にエッチングできるように選択される。例えば、第１の超伝導体コンポーネントは、第２の超伝導体材料のエッチャント（etchant）が第１の超伝導体材料をエッチングしないように、選択されてもよい。第１の超伝導体コンポーネントは、第２の超伝導体材料のエッチャントが第１の超伝導体材料を保持しつつ第２の超伝導体材料の選択的な除去を可能にするほど十分に遅い速度で第１の超伝導体コンポーネントをエッチングするように、選択されてもよい。
第１の超伝導体材料は、例えば大気中の酸素に晒されると、特定の深さまで自己制限酸化を受ける材料でもよい。第１の超伝導体材料は、望ましくは、誘電体（dielectric）として作用する酸化物を形成する。
アルミニウムは、第１の超伝導体材料として特に好ましい可能性がある。一変形は、第１の超伝導体材料としてインジウムを使用する。
第１の超伝導体材料の層の厚さは、プロセスにおいて後に不動態化層の形成を可能にするように選択される。不動態化層は、半導体コンポーネントへのアクセスを可能にしつつ、半導体コンポーネントを反応種から保護する層である。本文脈における「アクセス」は、不動態化層を介して半導体コンポーネントに静電場を印加できることを意味する。
第１の超伝導体材料の層の厚さは、第１の超伝導体材料の露出部分の完全な厚さがブロック１０４で酸化するように、選択されてもよい。これを達成するための正確な厚さは、とりわけ、選ばれる超伝導体材料、選択された反応条件、及び第１の超伝導体材料の結晶の配向性に依存して変動する。
第１の超伝導体材料がアルミニウムである例において、第１の超伝導体材料の層は、典型的には、４ｎｍ以下、例えば２～３ｎｍの厚さを有する。３ｎｍ以下の厚さのアルミニウム層は、典型的には、大気中の酸素に晒されると完全に酸化する。アルミニウムの層は、少なくとも２ｎｍの厚さを有してもよく、なぜならば、これより薄い連続層は、確実に生産することがより困難であるためである。
第１の超伝導体材料がインジウムである例において、第１の超伝導体材料の層は、１０ｎｍ以下、任意で８ｎｍ以下の厚さを有してもよい。空気中の酸素に晒されると、インジウム層は、約１０ｎｍの深さまで下方に酸化する。
ブロック１０４における後続のエッチングステップが第１の超伝導体層を部分的にエッチングする場合、このことを補償するために、開始層の厚さが増やされてもよい。
ブロック１０２において、第２の超伝導体材料の層２４が、第１の超伝導体材料の層２２の上に形成される。第２の超伝導体材料は、第１の超伝導体材料と異なる。図２（ｂ）に、このステップで得られるワークピースを示している。
アルミニウムは、半導体材料と良好な相溶性を有するが、比較的小さい超伝導ギャップを有する。より大きい超伝導ギャップを有するさらなる超伝導体の層が、アルミニウム層上に形成されてもよい。アルミニウム層は、第２の超伝導体の層のエピタキシャル成長を容易にし得る。アルミニウム層は、半導体コンポーネントと第２の超伝導体との間の良好な結合を提供し得る。
半導体材料及び第１の超伝導体材料は、半導体材料と第１の超伝導体材料との間の界面における大きいショットキー障壁（Schottky barrier）、換言すれば、高い抵抗を回避するように、選択されてもよい。例えば、式１の材料は、典型的には、アルミニウムなどの金属と界面で接する（interfacing）とき、大きいショットキー障壁を形成しない。その代わりに、半導体の表面における伝導帯を、化学ポテンシャル未満に引き下げることができる。これは、第１の超伝導体材料が超伝導相にあるとき、界面を横切る良好な輸送と良好な近接効果を可能にし得る。
一般に、金属は、金属・金属界面を横切る良好な輸送を保証する化学ポテンシャルの周りに、多くの占有された利用可能な電子状態を有する。
結果的に、半導体コンポーネントと第２の超伝導体の層との間に第１の超伝導体の層を設けることにより、半導体コンポーネントに対する第２の超伝導体の向上したエネルギー結合が達成され得る。
第２の超伝導体として有用な材料の例には、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｖ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ、ＮｂＮ、ＮｂＴｉＮ、ＭｇＢ２、ＭｏＲｅ、及びＦｅベースの超伝導体が含まれる。原理的には、第２の超伝導体材料は、第１の超伝導体材料から選択的にエッチング可能な任意の超伝導体材料であってよい。
第２の超伝導体材料は、例えば、インジウム、バナジウム、ニオブ、及び鉛から、例えばインジウム、バナジウム、及び鉛から、より詳細には鉛から選択されてもよい。これらの材料の層は、低温、例えば、０℃未満の温度で成長し得る。低温の使用は、アルミニウムが第１の超伝導体材料として使用されるとき、好ましい可能性がある。アルミニウムの薄い層は、過剰な熱に晒された場合、不連続になる傾向がある。
鉛は、いくつかの応用に特に好ましい可能性がある。鉛は、アルミニウムの超伝導体ギャップより約６倍大きい超伝導体ギャップを有する。大きい超伝導体ギャップは、トポロジカル量子コンピューティングのためのデバイスの文脈において有用である可能性があり、なぜならば、計算的に有用なマヨラナゼロモードとより高いエネルギー状態との間のエネルギーギャップを増加させ得るためである。マヨラナゼロモードからより高いエネルギー状態への電子の移動を回避することが望ましく、なぜならば、これは、情報の損失を結果としてもたらし得るためである。
ブロック１０３において、第２の超伝導体材料の層の一部が、第１の超伝導体材料の一部を露出させるためにエッチングされる。これは、マスクを使用するリソグラフィを含んでもよい。リソグラフィプロセスの様々な段階で得られたワークピースを、図２Ｃ～図２Ｅに概略的に示している。
レジストの層２６が第２の超伝導体材料の層２４に塗布されて、図２Ｃに示されるワークピースが提供され得る。
レジストの層を塗布するための一例示的な手法は、スピンコーティングである。
レジストの層２６の一部が、選択的に露光される（exposed）。露光により、レジストにおける露光された部分の材料は、現像液（developer）中でのレジストの溶解度を変える反応を受ける。露光の性質は、レジストの性質に基づいて適宜選択される。
露光されるレジストの層の部分は、所望のデバイス構造と、さらにレジストの性質とに基づいて選択される。レジストは、ポジ型レジストでもよい。ポジ型レジストは、露光されると現像液中でより溶けやすくなる。代替的に、レジストは、ネガ型レジストでもよい。ネガ型レジストは、露光されると現像液中でより少なくなる。
レジスト２６は、例えば、レジストを適切な溶剤と接触させることにより現像される。これは、図２ｄに示すように、第２の超伝導体材料の一部を露出させるマスクを形成する。
金属コンポーネントの露出部分がエッチングされて、図２ｅにおけるような構造が形成される。エッチングに使用される試薬及び条件は、第１の超伝導体材料を除去することなく第２の超伝導体材料が選択的に除去されするように、選択される。
ブロック１０４において、第１の超伝導体材料２２の露出部分が酸化されて、図２ｆに示すように、半導体コンポーネント２０上の不動態化層２８が形成される。
酸化は、第１の半導体材料をエッチャントに晒した結果でもよい。したがって、エッチング及び酸化は、単一のプロセスステップとして実施されてもよい。
代替的に、酸化は、第１の半導体材料を酸素に、例えば空気中の酸素に晒した結果でもよい。
酸化の後、残りのレジスト２６は、例えば、ワークピースを適切な溶剤に浸漬することにより剥離され得る。
次に、図２ｇを参照し、半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスの一例について説明する。
図２ｇに示される半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスは、半導体コンポーネント２０と、半導体コンポーネント２０の第１の部分上の第１の超伝導体コンポーネント２２と、半導体コンポーネント２０の第２の部分上の不動態化層２８と、第１の超伝導体コンポーネント２２上の第２の超伝導体コンポーネント２４とを含む。第１及び第２の超伝導体コンポーネントは、第１及び第２の超伝導体材料をそれぞれ含む。第１及び第２の超伝導体材料は、互いに異なる。不動態化層は、第１の超伝導体材料の酸化物を含む。
第１の超伝導体コンポーネント２２は、第２の超伝導体コンポーネント２４を半導体コンポーネント２０に結合する。不動態化層２８は、半導体コンポーネント２０のうち、超伝導体コンポーネントを設けられていない部分を被覆する。これは、半導体コンポーネント２０をその環境から保護する。大気からの酸素、及び製造中に使用される特定の試薬は、さもなければ、半導体コンポーネント２０を劣化させる可能性がある。
不動態化層２８が、金属ではなく酸化物を含むため、デバイスが使用されているとき、不動態化層２８を介して半導体コンポーネント２０に静電場が印加されてもよい。
図２ｇは、デバイスの簡素化された概略図である。半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスの例には、ジョセフソン接合（Josephson junctions）、及びマヨラナゼロモードを生成可能なデバイスが含まれる。
次に、図３を参照し、鉛コンポーネントを含むワークピースをエッチングする一例示的な方法について説明する。
ブロック３０１において、鉛コンポーネント上にマスクが形成される。マスクは、鉛コンポーネントの部分を露出させる。
マスクを形成することは、典型的には、ワークピースにレジストを塗布することと、レジストを選択的に露光することと、レジストを現像することとを含む。そのような一プロセスは、図２を参照して上記で論じられている。
ブロック３０２において、鉛コンポーネントの露出部分が、エッチャント組成物と接触される。エッチング組成物は、ｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌ中の酢酸の溶液を含む。ｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と呼ばれることもある。
エッチャント組成物中に存在する酢酸の量は、エッチャント組成物の総体積に基づいて体積で５％～２０％、任意で１０％～２０％、１４％～１８％、１５％～１７％の範囲内でもよく、あるいは約１６％でもよい。
ｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌがエッチャント組成物中に含まれるとき、マスクの損傷が防止され得ることが見出されている。特に、ポリ（メタクリル酸）（poly（methacrylic acid））マスクについて、向上が観察されている。
ＩＩ． 例示的な実施形態
ヒ化インジウムのナノワイヤが、気相・液相・固相（vapour-liquid-solid、ＶＬＳ）手法を用いてチップ上で成長した。ヒ化インジウムは、エピタキシャル成長により、約１ｎｍの厚さを有するアルミニウムの層でコーティングされた。次いで、アルミニウム層上に、鉛の層がエピタキシャルに成長した。図４に、ナノワイヤの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）顕微鏡写真を示す。
ヒ化インジウムのナノワイヤが、気相・液相・固相（vapour-liquid-solid、ＶＬＳ）手法を用いてチップ上で成長した。ヒ化インジウムは、エピタキシャル成長により、約１ｎｍの厚さを有するアルミニウムの層でコーティングされた。次いで、アルミニウム層上に、鉛の層がエピタキシャルに成長した。図４に、ナノワイヤの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）顕微鏡写真を示す。
チップは、電子ビームリソグラフィ（electron beam lithography、ＥＬＢ）レジストでスピンコーティングされる。例示的なレジストには、ポリ（メタクリル酸メチル）（poly（methyl methacrylate））及びメチルメタクリレート（methylmethacrylate）が含まれる。
レジストの選択されたエリアが、電子ビームに露光された。レジストは、化学的に現像され、レジスト中に小さい構造を形成し、鉛の選択されたエリアを露出させた。
露出された鉛が、アルミニウムに対して選択的なエッチャントを用いてエッチングされた。レジストで被覆されていない全ての鉛が除去され、これらの領域内のアルミニウム層を露出させる。ｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌ中に、体積で約１６％の酢酸を含む溶液は、このプロセスに特に有用である。そのような溶液は、ＥＢＬレジストを攻撃し（attack）ない可能性がある。
露出されたアルミニウムは、酸化されてＡｌ２Ｏ３を形成する。この酸化は、エッチャントとの反応により、及び／又は大気中の酸素との接触により起こり得る。
次いで、レジストが、溶剤を使用して剥離される。
上記の実施形態は、単に例として説明されていることが理解されるであろう。
より一般的には、本明細書に開示される一態様によれば、半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法が提供され、当該方法は、
半導体コンポーネントと、半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、第１の超伝導体材料上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、第２の超伝導体材料は第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、
第２の超伝導体材料の層をエッチングして第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、
上記第１の超伝導体材料の一部を酸化させて半導体上に不動態化層を形成するステップと、
を含む。第１の超伝導体材料の層を含むことにより、第２の超伝導体材料の層は、半導体コンポーネントに十分に結合され得る。第１の超伝導体材料は、エッチングの間に半導体コンポーネントを保護し、不動態化層の形成を可能にする。不動態化層は、半導体コンポーネントを保護し、一方で同時に、静電場が半導体コンポーネントに効果的に印加されることを可能にする。半導体は、向上した電子輸送特性を有し得、なぜならば、不動態化層によりエッチャントから、及び大気腐食から保護されるためである。
半導体コンポーネントと、半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、第１の超伝導体材料上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、第２の超伝導体材料は第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、
第２の超伝導体材料の層をエッチングして第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、
上記第１の超伝導体材料の一部を酸化させて半導体上に不動態化層を形成するステップと、
を含む。第１の超伝導体材料の層を含むことにより、第２の超伝導体材料の層は、半導体コンポーネントに十分に結合され得る。第１の超伝導体材料は、エッチングの間に半導体コンポーネントを保護し、不動態化層の形成を可能にする。不動態化層は、半導体コンポーネントを保護し、一方で同時に、静電場が半導体コンポーネントに効果的に印加されることを可能にする。半導体は、向上した電子輸送特性を有し得、なぜならば、不動態化層によりエッチャントから、及び大気腐食から保護されるためである。
ワークピースを提供するステップは、半導体コンポーネント上にエピタキシャル成長により第１の超伝導体材料の層を形成することと、第１の超伝導体材料の層上にエピタキシャル成長により第２の超伝導体材料の層を形成することであり、第２の超伝導体材料は第１の超伝導体材料と異なることを含んでもよい。そのようなステップは、方法の残りのステップから事前に実行されてもよい。
第１の超伝導体材料はアルミニウムでもよい。アルミニウムは、様々な半導体材料、特に式１のものとの間で、良好な相溶性を有する。
一変形において、第１の半導体材料はインジウムでもよい。
第１の超伝導体材料の層は、不動態化層の形成を可能にするように選択された厚さを有してもよい。厚さは、第１の超伝導体材料の露出部分が実質的に完全に酸化されるように、選択されてもよい。
第１の半導体材料がアルミニウムである例において、第１の超伝導体材料の層の厚さは、典型的には４ｎｍ以下であり、任意で３ｎｍ以下である。これらの範囲の厚さを有するアルミニウム層は、例えば、空気に晒されると完全に酸化し得る。
アルミニウムの層は、典型的には、２ｎｍ以上の厚さを有する。原理的には、より小さい厚さを有する層を使用することができるが、２ｎｍの厚さの層では完全な酸化がすでに達成されており、２ｎｍ未満の厚さを有する連続的な層の製造は困難な可能性がある。
第１の半導体材料がインジウムである例において、第１の超伝導体材料の層は、１０ｎｍ以下、又は８ｎｍ以下の厚さを有してもよい。これらの範囲の厚さを有するインジウム層は、例えば、空気に晒されると完全に酸化し得る。
第２の超伝導体材料の性質は、この材料の層が、第１の超伝導体材料の層の構造を破壊することなく第１の超伝導体材料の層上に製造できることを条件として、特に限定されない。典型的には、第２の超伝導体材料は、アルミニウムより大きい超伝導ギャップを有するように選択される。
第２の超伝導体材料として有用な材料の例には、鉛（lead）、インジウム（indium）、バナジウム（vanadium）、ニオブ（niobium）、タンタル（tantalum）、錫（tin）、及びレニウム（rhenium）から選択される材料が含まれる。これらの材料は、特に、アルミニウムを過剰な温度に晒すことなくアルミニウム上で成長し得る。
第２の超伝導体材料は、鉛でもよい。鉛は、アルミニウムより６倍超大きい超伝導ギャップを有する（C. Kittel（2004） Introduction to Solid State Physics．Wiley．ISBN：9780471415268）。
第２の超伝導体材料の層の厚さは、選ばれる材料に依存して適宜選択されてもよい。いくつかの材料では、層の厚さは、超伝導性に影響を与えることがある。厚さは、デバイスの動作温度で材料が超伝導性を示すことができるように選択される。
鉛が使用される例において、鉛層の厚さは、特に限定されない。単層の鉛は、超伝導特性を維持し得る（Cherkezら、Phys．Rev．X 4，011033 （2014））。印加された磁場の影響に対する抵抗は、厚さが減少すると増加し得る。可能な限り薄い鉛層を提供することは、いくつかの応用で好ましい可能性がある。
ニオブは、いくつかの応用で好ましい第２の超伝導体材料であり得る。ニオブは、最も強い元素の超伝導体であり、すなわち、特に大きい超伝導体ギャップを有する。
エッチングは、第２の超伝導体材料の一部が除去されて第１の超伝導体材料の一部を露出させるように選択された条件を使用して実行される。第１の超伝導体材料の一部の部分的除去、すなわち、厚さの低減は、エッチングが半導体材料のいかなる部分も露出させず、不動態化層が半導体コンポーネントを酸化から保護するほど十分に厚くなる限り、許容され得る。第１の超伝導体層の厚さは、エッチング段階での部分的除去を補償するために増やされてもよい。
第２の超伝導体が鉛である例において、エッチングは、第２の超伝導体材料を、硝酸及び酢酸から選択された酸を含むエッチャント組成物と接触させることを含んでもよい。
酸が酢酸である例において、エッチャント組成物は、氷酢酸でもよい。代替的に、エッチャント組成物は、酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含んでもよい。このエッチャント組成物は、特に有用であることが見い出されている。リソグラフィに使用されるマスクの、エッチャントによる攻撃は、エッチャント組成物にｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌが含まれるとき低減されることが観察されている。
酢酸は、エッチャント組成物の総体積に基づいて体積で５％～２０％、例えば、１０％～２０％、１４％～１８％、又は１５％～１７％の範囲内の量で、あるいは約１６％の量で、エッチャント組成物中に存在してもよい。これらの範囲の濃度は、良好なエッチング速度を依然として提供しつつ、マスクの劣化を回避するのに特に効果的である。
このエッチャント組成物は、アクリレートポリマー（acrylate polymer）を含むレジストと組み合わせて使用されるとき、特に有利であり得る。アクリレートポリマーの例には、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸）（poly（acrylic acid））、ポリ（アクリル酸メチル）（poly（methyl acrylate））、及びメチルメタクリレート－メタクリル酸コポリマー（methylmethacrylate-methacrylic acid copolymers）が含まれる。
第２の超伝導体材料がニオブを含む変形において、エッチングは、塩化物イオンを用いる反応性イオンエッチングを含んでもよい。塩化物イオンを用いる反応性イオンエッチングは、アルミニウムを除去することなくニオブを選択的に除去する。
本明細書に記載の方法は、０℃以下の温度で実行され得る。これは、第１の超伝導体材料がアルミニウムを含むとき、特に適用できる。製造の間、アルミニウムの温度を可能な限り低く保つのが好ましいことが見い出されている。別のコンポーネントで被覆されていないアルミニウム層は、過剰な熱に晒された場合、劣化し、不連続になる傾向があり、アルミニウムの離散的な小塊（blobs）を形成する。したがって、製造中に温度を制御することは、完成したデバイスの特性を向上させ得る。
本明細書で提供される方法は、エッチングの前に、
第２の超伝導体材料層上にレジストの層を形成するステップと、
レジストの層を選択的に露光するステップと、
レジストを現像して第２の超伝導体材料の層上にマスクを形成するステップと、
をさらに含んでもよい。換言すれば、エッチングは、リソグラフィプロセスでもよい。
第２の超伝導体材料層上にレジストの層を形成するステップと、
レジストの層を選択的に露光するステップと、
レジストを現像して第２の超伝導体材料の層上にマスクを形成するステップと、
をさらに含んでもよい。換言すれば、エッチングは、リソグラフィプロセスでもよい。
レジストは、フォトレジストでもよい。換言すれば、エッチングは、光学リソグラフィを含んでもよい。光学リソグラフィに使用される現像液は、特定の材料、特にアルミニウムを損傷する可能性がある。しかしながら、本明細書で提供される方法では、第２の超伝導体コンポーネントが第１の超伝導体コンポーネントを被覆し、それにより、第１の超伝導体コンポーネントを現像液から保護する。したがって、使用されるワークピースは、光学リソグラフィプロセスに適合し得る。
光学リソグラフィは、レジストを迅速に露光することを可能にする。したがって、光学リソグラフィは、より大きいデバイスの製造に好ましい可能性がある。
代替的に、レジストは、電子ビームレジストでもよい。換言すれば、エッチングは、電子ビームリソグラフィを含んでもよい。電子ビームリソグラフィは、光学リソグラフィより高い解像度を可能にし得る。
電子ビームレジストの例には、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸メチル）、及びメチルメタクリレート－メタクリル酸コポリマーなどのアクリレートポリマーが含まれる。
露光するステップ及び現像するステップの性質は、選ばれるレジストに依存して適宜選択されてもよい。当業者は、リソグラフィプロセスに精通しているであろう。
本明細書で提供される方法は、半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極を製造するステップをさらに含んでもよい。静電ゲート制御は、様々なタイプの半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスに有用である。本明細書に記載の方法を用いて得られる不動態化層は酸化物を含むため、デバイスの半導体コンポーネントは、不動態化層を介して静電的にゲート制御することができる。
別の態様は、半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを提供し、当該デバイスは、
半導体コンポーネントと、
半導体コンポーネントの第１の部分上の第１の超伝導体コンポーネントであり、第１の超伝導体コンポーネントは第１の超伝導体材料を含む、第１の超伝導体コンポーネントと、
第１の超伝導体コンポーネント上の第２の超伝導体コンポーネントであり、第２の超伝導体コンポーネントは、第１の超伝導体材料と異なる第２の超伝導体材料を含む、第２の超伝導体コンポーネントと、
半導体コンポーネントの第２の部分上の不動態化層であり、不動態化層は第１の超伝導体材料の酸化物を含む、不動態化層と、
を含む。第１の超伝導体材料の層は、半導体コンポーネントに対する第２の超伝導体材料の結合を向上させ得る。第２の超伝導体材料は、第１の超伝導体材料より大きい超伝導体ギャップを有し得る。不動態化層は、半導体コンポーネントを、例えば酸化から保護し得る。これにより、半導体は、不動態化層のないデバイスと比較して向上した電子輸送特性を有する結果となり得る。
半導体コンポーネントと、
半導体コンポーネントの第１の部分上の第１の超伝導体コンポーネントであり、第１の超伝導体コンポーネントは第１の超伝導体材料を含む、第１の超伝導体コンポーネントと、
第１の超伝導体コンポーネント上の第２の超伝導体コンポーネントであり、第２の超伝導体コンポーネントは、第１の超伝導体材料と異なる第２の超伝導体材料を含む、第２の超伝導体コンポーネントと、
半導体コンポーネントの第２の部分上の不動態化層であり、不動態化層は第１の超伝導体材料の酸化物を含む、不動態化層と、
を含む。第１の超伝導体材料の層は、半導体コンポーネントに対する第２の超伝導体材料の結合を向上させ得る。第２の超伝導体材料は、第１の超伝導体材料より大きい超伝導体ギャップを有し得る。不動態化層は、半導体コンポーネントを、例えば酸化から保護し得る。これにより、半導体は、不動態化層のないデバイスと比較して向上した電子輸送特性を有する結果となり得る。
不動態化層は、上述した方法により得ることができる。
第１の超伝導体コンポーネント及び不動態化層は、互いに一体的に形成され得る。換言すれば、半導体コンポーネント上に連続層が配置されてもよく、連続層は、不動態化層に対応する部分と、第１の超伝導体コンポーネントに対応する部分とを含む。
第１の超伝導体材料は、アルミニウムでもよい。
第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、錫、及びレニウムから選択されてもよい。例えば、第２の超伝導体材料は、鉛でもよい。
半導体コンポーネントは、式１の材料、例えば、ヒ化インジウムを含んでもよい。
デバイスは、１つ以上のさらなるコンポーネントをさらに含んでもよい。さらなるコンポーネントは、半導体コンポーネントの第３の部分上に、不動態化層がこのさらなるコンポーネント上にわたり延在する状態で、設けられてもよい。このようなさらなるコンポーネントの例には、強磁性絶縁体（ferromagnetic insulator）コンポーネントが含まれる。
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスは、半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極をさらに含んでもよい。
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスの例には、ジョセフソン接合、及びマヨラナゼロモードを生成可能なデバイスが含まれる。
またさらに別の態様は、鉛コンポーネントを含むワークピースをエッチングする方法を提供し、当該方法は、
鉛コンポーネント上にマスクを形成するステップであり、マスクは鉛コンポーネントの露出領域を画定する、ステップと、
露出領域をエッチャント組成物と接触させるステップと、を含み、
エッチャント組成物は、酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む。酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含むエッチング組成物は、レジスト材料を現像することなく鉛のエッチングを可能にし得る。これは、向上した解像度でのエッチングを可能にし得る。
鉛コンポーネント上にマスクを形成するステップであり、マスクは鉛コンポーネントの露出領域を画定する、ステップと、
露出領域をエッチャント組成物と接触させるステップと、を含み、
エッチャント組成物は、酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む。酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含むエッチング組成物は、レジスト材料を現像することなく鉛のエッチングを可能にし得る。これは、向上した解像度でのエッチングを可能にし得る。
酢酸は、エッチャント組成物の総体積に基づいて体積で５％～２０％、例えば１０％～２０％、任意で１４％～１８％、さらに任意で１５％～１７％の範囲、又は約１６％の量で、エッチャント組成物中に存在してもよい。これらの範囲の濃度は、良好なエッチング速度を依然として提供しつつ、マスクの劣化を回避するのに特に効果的である。
マスクは、アクリレートポリマーを含んでもよい。アクリレートポリマーの例には、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（アクリル酸メチル）、及びメチルメタクリレート－メタクリル酸コポリマーが含まれる。
ワークピースは、アルミニウムコンポーネントをさらに含んでもよい。このような例において、本方法は、アルミニウムコンポーネントをエッチャント組成物と接触させてアルミニウムコンポーネントを酸化させるステップをさらに含んでもい。アルミニウムコンポーネントは、完全に酸化されるように構成されてもよい。例えば、アルミニウムコンポーネントは、４ｎｍ以下の厚さを有してもよい。
ワークピースは、半導体コンポーネントをさらに含んでもよい。半導体コンポーネントは、アルミニウムコンポーネントの下に配置されてもよく、それにより、アルミニウムコンポーネントは、半導体コンポーネントをエッチャント組成物から保護する。
関連する態様は、エッチャント組成物によるマスクの劣化を防止するために、エッチャント組成物におけるｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌの使用を提供し、エッチャント組成物は、酢酸を含む。
酢酸は、エッチャント組成物の全体積に基づいて体積で５％～２０％、任意で１０％～２０％、任意で１４～１８％、さらに任意で１５～１７％の範囲の、又は約１６％の量で、エッチャント組成物中に存在してもよい。これらの範囲の濃度は、良好なエッチング速度を依然として提供しつつ、マスクの劣化を回避するのに特に効果的である
マスクは、アクリレートポリマーを含んでもよい。アクリレートポリマーの例には、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（アクリル酸メチル）、及びメチルメタクリレート－メタクリル酸コポリマーが含まれる。
またさらなる態様は、エッチャント組成物と、リソグラフィマスクを形成する組成物とを含むキットを提供し、エッチャント組成物は、酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む。酢酸は、体積で１０～２０％の量でエッチャント組成物中に存在してもよい。リソグラフィレジストを形成するための組成物は、フォトレジストを形成するための、又は電子ビームレジストを形成するためのものでもよい。
リソグラフィマスクを形成するための組成物は、ワークピース上にアクリレートポリマーの層を形成するための組成物を含んでもよい。アクリレートポリマーの例には、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（アクリル酸メチル）、及びメチルメタクリレート－メタクリル酸コポリマーが含まれる。
本明細書において、以下の箇条が提供される。
［箇条１］
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法であって、
半導体コンポーネントと、前記半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、前記第１の超伝導体材料上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、前記第２の超伝導体材料は前記第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、
前記第２の超伝導体材料の層をエッチングして前記第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、
前記第１の超伝導体材料の前記一部を酸化させて前記半導体上に不動態化層を形成するステップと、
を含む、方法。
［箇条２］
前記第１の超伝導体材料はアルミニウムである、箇条１に記載の方法。
［箇条３］
前記第１の超伝導体材料の層は３ｎｍ以下の厚さを有する、箇条１又は箇条２に記載の方法。
［箇条４］
前記第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、タンタル、錫、レニウム、及びニオブから選択される、箇条３に記載の方法。
［箇条５］
前記第２の超伝導体材料は鉛である、箇条４に記載の方法。
［箇条６］
前記エッチングは、前記第２の超伝導体材料を、硝酸及び酢酸から選択された酸を含むエッチャント組成物と接触させることを含む、箇条５に記載の方法。
［箇条７］
前記酸は酢酸であり、エッチャント組成物はｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌをさらに含み、前記エッチャント組成物中の前記酢酸の濃度は体積で５％～２０％である、箇条６に記載の方法。
［箇条８］
前記第２の超伝導体材料はニオブであり、前記エッチングは、塩化物イオンを用いる反応性イオンエッチングを含む、箇条４に記載の方法。
［箇条９］
０℃以下の温度で実行される、箇条１乃至８のうちいずれか１つに記載の方法。
［箇条１０］
前記エッチングの前に、
前記第２の超伝導体材料の層上にレジストの層を形成するステップと、
前記レジストの層を選択的に露光するステップと、
前記レジストを現像して前記第２の超伝導体材料の層上にマスクを形成するステップと、
をさらに含む箇条１乃至９のうちいずれか１つに記載の方法。
［箇条１１］
前記半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極を製造するステップ、をさらに含む箇条１乃至１０のうちいずれか１つに記載の方法。
［箇条１２］
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスであって、
半導体コンポーネントと、
前記半導体コンポーネントの第１の部分上にわたる第１の超伝導体コンポーネントであり、前記第１の超伝導体コンポーネントは第１の超伝導体材料を含む、第１の超伝導体コンポーネントと、
前記第１の超伝導体コンポーネント上の第２の超伝導体コンポーネントであり、前記第２の超伝導体コンポーネントは、前記第１の超伝導体材料と異なる第２の超伝導体材料を含む、第２の超伝導体コンポーネントと、
前記半導体コンポーネントの第２の部分上にわたる不動態化層であり、前記不動態化層は前記第１の超伝導体材料の酸化物を含む、不動態化層と、
を含む半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１３］
前記第１の超伝導体材料はアルミニウムである、箇条１２に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１４］
前記第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、タンタル、錫、レニウム、及びニオブから選択される、箇条１２又は箇条１３に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１５］
前記半導体コンポーネント上のさらなるコンポーネント、をさらに含み、前記第１の超伝導体コンポーネント及び前記不動態化層は、前記さらなるコンポーネント上に配置される、箇条１２乃至１４のうちいずれか１つに記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１６］
前記半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極、をさらに含む箇条１２乃至１５のうちいずれか１つに記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１７］
鉛コンポーネントを含むワークピースをエッチングする方法であって、
前記鉛コンポーネント上にマスクを形成するステップであり、前記マスクは前記鉛コンポーネントの露出領域を画定する、ステップと、
前記露出領域をエッチャント組成物と接触させるステップと、を含み、
前記エッチャント組成物は酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む、方法。
［箇条１８］
前記酢酸は、体積で１０～２０％の範囲内の量でエッチャント組成物中に存在する、箇条１７に記載の方法。
［箇条１９］
前記ワークピースは、アルミニウムコンポーネントをさらに含み、当該方法は、前記アルミニウムコンポーネントを前記エッチャント組成物と接触させて前記アルミニウムコンポーネントを酸化させるステップをさらに含む、箇条１７又は箇条１８に記載の方法。
［箇条２０］
前記ワークピースは、半導体コンポーネントをさらに含み、前記半導体コンポーネントは、前記アルミニウムコンポーネントの下に配置され、それにより、前記アルミニウムコンポーネントは、前記半導体コンポーネントを前記エッチャント組成物から保護する、箇条１９に記載の方法。
［箇条１］
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法であって、
半導体コンポーネントと、前記半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、前記第１の超伝導体材料上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、前記第２の超伝導体材料は前記第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、
前記第２の超伝導体材料の層をエッチングして前記第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、
前記第１の超伝導体材料の前記一部を酸化させて前記半導体上に不動態化層を形成するステップと、
を含む、方法。
［箇条２］
前記第１の超伝導体材料はアルミニウムである、箇条１に記載の方法。
［箇条３］
前記第１の超伝導体材料の層は３ｎｍ以下の厚さを有する、箇条１又は箇条２に記載の方法。
［箇条４］
前記第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、タンタル、錫、レニウム、及びニオブから選択される、箇条３に記載の方法。
［箇条５］
前記第２の超伝導体材料は鉛である、箇条４に記載の方法。
［箇条６］
前記エッチングは、前記第２の超伝導体材料を、硝酸及び酢酸から選択された酸を含むエッチャント組成物と接触させることを含む、箇条５に記載の方法。
［箇条７］
前記酸は酢酸であり、エッチャント組成物はｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌをさらに含み、前記エッチャント組成物中の前記酢酸の濃度は体積で５％～２０％である、箇条６に記載の方法。
［箇条８］
前記第２の超伝導体材料はニオブであり、前記エッチングは、塩化物イオンを用いる反応性イオンエッチングを含む、箇条４に記載の方法。
［箇条９］
０℃以下の温度で実行される、箇条１乃至８のうちいずれか１つに記載の方法。
［箇条１０］
前記エッチングの前に、
前記第２の超伝導体材料の層上にレジストの層を形成するステップと、
前記レジストの層を選択的に露光するステップと、
前記レジストを現像して前記第２の超伝導体材料の層上にマスクを形成するステップと、
をさらに含む箇条１乃至９のうちいずれか１つに記載の方法。
［箇条１１］
前記半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極を製造するステップ、をさらに含む箇条１乃至１０のうちいずれか１つに記載の方法。
［箇条１２］
半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスであって、
半導体コンポーネントと、
前記半導体コンポーネントの第１の部分上にわたる第１の超伝導体コンポーネントであり、前記第１の超伝導体コンポーネントは第１の超伝導体材料を含む、第１の超伝導体コンポーネントと、
前記第１の超伝導体コンポーネント上の第２の超伝導体コンポーネントであり、前記第２の超伝導体コンポーネントは、前記第１の超伝導体材料と異なる第２の超伝導体材料を含む、第２の超伝導体コンポーネントと、
前記半導体コンポーネントの第２の部分上にわたる不動態化層であり、前記不動態化層は前記第１の超伝導体材料の酸化物を含む、不動態化層と、
を含む半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１３］
前記第１の超伝導体材料はアルミニウムである、箇条１２に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１４］
前記第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、タンタル、錫、レニウム、及びニオブから選択される、箇条１２又は箇条１３に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１５］
前記半導体コンポーネント上のさらなるコンポーネント、をさらに含み、前記第１の超伝導体コンポーネント及び前記不動態化層は、前記さらなるコンポーネント上に配置される、箇条１２乃至１４のうちいずれか１つに記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１６］
前記半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極、をさらに含む箇条１２乃至１５のうちいずれか１つに記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
［箇条１７］
鉛コンポーネントを含むワークピースをエッチングする方法であって、
前記鉛コンポーネント上にマスクを形成するステップであり、前記マスクは前記鉛コンポーネントの露出領域を画定する、ステップと、
前記露出領域をエッチャント組成物と接触させるステップと、を含み、
前記エッチャント組成物は酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む、方法。
［箇条１８］
前記酢酸は、体積で１０～２０％の範囲内の量でエッチャント組成物中に存在する、箇条１７に記載の方法。
［箇条１９］
前記ワークピースは、アルミニウムコンポーネントをさらに含み、当該方法は、前記アルミニウムコンポーネントを前記エッチャント組成物と接触させて前記アルミニウムコンポーネントを酸化させるステップをさらに含む、箇条１７又は箇条１８に記載の方法。
［箇条２０］
前記ワークピースは、半導体コンポーネントをさらに含み、前記半導体コンポーネントは、前記アルミニウムコンポーネントの下に配置され、それにより、前記アルミニウムコンポーネントは、前記半導体コンポーネントを前記エッチャント組成物から保護する、箇条１９に記載の方法。
開示された手法の他の変形又は使用事例が、本明細書における開示を与えられると当業者に明らかになり得る。本開示の範囲は、記載された実施形態により限定されるものでなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
Claims (15)
- 半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法であって、
半導体コンポーネントと、前記半導体コンポーネント上の第１の超伝導体材料の層と、前記第１の超伝導体材料の層上の第２の超伝導体材料の層とを含むワークピースを提供するステップであり、前記第２の超伝導体材料は前記第１の超伝導体材料と異なる、ステップと、
前記第２の超伝導体材料の層をエッチングして前記第１の超伝導体材料の一部を露出させるステップと、
前記第１の超伝導体材料の前記一部を酸化させて前記半導体コンポーネント上に不動態化層を形成するステップと、
を含む、方法。 - 前記第１の超伝導体材料はアルミニウムである、請求項１に記載の方法。
- 前記第１の超伝導体材料の層は３ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
- 前記第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、タンタル、錫、レニウム、及びニオブから選択される、請求項１に記載の方法。
- 前記エッチングは、前記第２の超伝導体材料を、硝酸及び酢酸から選択された酸を含むエッチャント組成物と接触させることを含む、請求項４に記載の方法。
- 前記酸は酢酸であり、エッチャント組成物はｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌをさらに含み、前記エッチャント組成物中の前記酢酸の濃度は体積で５％～２０％である、請求項５に記載の方法。
- 前記第２の超伝導体材料はニオブであり、前記エッチングは、塩化物イオンを用いる反応性イオンエッチングを含む、請求項４に記載の方法。
- 前記エッチングの前に、
前記第２の超伝導体材料の層上にレジストの層を形成するステップと、
前記レジストの層を選択的に露光するステップと、
前記レジストを現像して前記第２の超伝導体材料の層上にマスクを形成するステップと、
をさらに含む請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の方法。 - 半導体・超伝導体ハイブリッドデバイスであって、
半導体コンポーネントと、
前記半導体コンポーネントの第１の部分上にわたる第１の超伝導体コンポーネントであり、前記第１の超伝導体コンポーネントは第１の超伝導体材料を含む、第１の超伝導体コンポーネントと、
前記第１の超伝導体コンポーネント上の第２の超伝導体コンポーネントであり、前記第２の超伝導体コンポーネントは、前記第１の超伝導体材料と異なる第２の超伝導体材料を含む、第２の超伝導体コンポーネントと、
前記半導体コンポーネントの第２の部分上にわたる不動態化層であり、前記不動態化層は前記第１の超伝導体材料の酸化物を含む、不動態化層と、
を含む半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。 - 前記第１の超伝導体材料はアルミニウムであり、
前記第２の超伝導体材料は、鉛、インジウム、バナジウム、タンタル、錫、レニウム、及びニオブから選択される、
請求項９に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。 - 前記半導体コンポーネント上のさらなるコンポーネント、をさらに含み、前記第１の超伝導体コンポーネント及び前記不動態化層は、前記さらなるコンポーネント上に配置される、請求項９に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
- 前記半導体コンポーネントに静電場を印加するゲート電極、をさらに含む請求項９乃至１１のうちいずれか１項に記載の半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス。
- 鉛コンポーネントを含むワークピースをエッチングする方法であって、
前記鉛コンポーネント上にマスクを形成するステップであり、前記マスクは前記鉛コンポーネントの露出領域を画定する、ステップと、
前記露出領域をエッチャント組成物と接触させるステップと、を含み、
前記エッチャント組成物は酢酸及びｐｒｏｐａｎ－２－ｏｌを含む、方法。 - 前記ワークピースは、アルミニウムコンポーネントをさらに含み、当該方法は、前記アルミニウムコンポーネントを前記エッチャント組成物と接触させて前記アルミニウムコンポーネントを酸化させるステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
- 前記ワークピースは、半導体コンポーネントをさらに含み、前記半導体コンポーネントは、前記アルミニウムコンポーネントの下に配置され、それにより、前記アルミニウムコンポーネントは、前記半導体コンポーネントを前記エッチャント組成物から保護する、請求項１３又は１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962944093P | 2019-12-05 | 2019-12-05 | |
| US62/944,093 | 2019-12-05 | ||
| US16/796,671 | 2020-02-20 | ||
| US16/796,671 US11211543B2 (en) | 2019-12-05 | 2020-02-20 | Semiconductor-superconductor hybrid device and its fabrication |
| PCT/US2020/063459 WO2021113746A1 (en) | 2019-12-05 | 2020-12-04 | Semiconductor-superconductor hybrid device and its fabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023504045A true JP2023504045A (ja) | 2023-02-01 |
| JPWO2021113746A5 JPWO2021113746A5 (ja) | 2023-11-06 |
Family
ID=76210628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022530890A Pending JP2023504045A (ja) | 2019-12-05 | 2020-12-04 | 半導体・超伝導体ハイブリッドデバイス及びその製造 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11211543B2 (ja) |
| EP (2) | EP4354358A3 (ja) |
| JP (1) | JP2023504045A (ja) |
| CN (1) | CN114788026A (ja) |
| AU (1) | AU2020395314A1 (ja) |
| WO (1) | WO2021113746A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11211543B2 (en) | 2019-12-05 | 2021-12-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Semiconductor-superconductor hybrid device and its fabrication |
| US20210280763A1 (en) * | 2019-12-23 | 2021-09-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Superconductor heterostructures for semiconductor-superconductor hybrid structures |
| CN115968251A (zh) | 2021-10-08 | 2023-04-14 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备 |
| US20250006486A1 (en) | 2021-11-10 | 2025-01-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Method of fabricating a device having a passivating layer |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224677A (ja) | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路用接地面の形成方法 |
| US4904980A (en) | 1988-08-19 | 1990-02-27 | Westinghouse Electric Corp. | Refractory resistors with etch stop for superconductor integrated circuits |
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| JP6790245B2 (ja) | 2016-09-15 | 2020-11-25 | グーグル エルエルシー | イオンミル損傷を低減させるためのキャッピング層 |
| US11035044B2 (en) | 2017-01-23 | 2021-06-15 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for tungsten and GST films |
| WO2019151141A1 (ja) | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
| US10692010B2 (en) | 2018-07-20 | 2020-06-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon |
| US10879464B2 (en) | 2019-01-11 | 2020-12-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Semiconductor and ferromagnetic insulator heterostructure |
| US20220407482A1 (en) | 2019-11-15 | 2022-12-22 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Parametric amplifier and uses thereof |
| EP4070390A1 (en) | 2019-12-05 | 2022-10-12 | Microsoft Technology Licensing, LLC | Method of selectively etching a metal component |
| WO2021110274A1 (en) | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Microsoft Technology Licensing Llc | Semiconductor-ferromagnetic insulator-superconductor hybrid devices |
| US11211543B2 (en) | 2019-12-05 | 2021-12-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Semiconductor-superconductor hybrid device and its fabrication |
| US11380836B2 (en) * | 2020-03-16 | 2022-07-05 | International Business Machines Corporation | Topological qubit device |
-
2020
- 2020-02-20 US US16/796,671 patent/US11211543B2/en active Active
- 2020-12-04 CN CN202080084194.1A patent/CN114788026A/zh active Pending
- 2020-12-04 EP EP24160621.9A patent/EP4354358A3/en active Pending
- 2020-12-04 AU AU2020395314A patent/AU2020395314A1/en not_active Abandoned
- 2020-12-04 EP EP20830437.8A patent/EP4070391B1/en active Active
- 2020-12-04 WO PCT/US2020/063459 patent/WO2021113746A1/en unknown
- 2020-12-04 JP JP2022530890A patent/JP2023504045A/ja active Pending
-
2021
- 2021-12-23 US US17/561,330 patent/US12171147B2/en active Active
-
2024
- 2024-05-23 US US18/673,084 patent/US20240315148A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220149262A1 (en) | 2022-05-12 |
| EP4070391A1 (en) | 2022-10-12 |
| KR20220109419A (ko) | 2022-08-04 |
| EP4070391B1 (en) | 2024-09-04 |
| EP4354358A2 (en) | 2024-04-17 |
| AU2020395314A1 (en) | 2022-06-30 |
| EP4354358A3 (en) | 2024-07-24 |
| US11211543B2 (en) | 2021-12-28 |
| US20210175408A1 (en) | 2021-06-10 |
| US20240315148A1 (en) | 2024-09-19 |
| WO2021113746A1 (en) | 2021-06-10 |
| CN114788026A (zh) | 2022-07-22 |
| US12171147B2 (en) | 2024-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
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