JP2023177434A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device.
従来、特許文献１に示すように、記憶装置が設けられた消耗品ユニットが知られている。この記憶装置には、消耗品ユニットのリユース回数が記憶される。また、この記憶装置は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）などの半導体装置である。
Conventionally, as shown in
消耗品ユニットの使用時や、使用済みの消耗品ユニットの回収時などにおいて、消耗品ユニットは、衝撃を受けたり、高温環境に放置されたりすることがある。消耗品ユニットに衝撃や熱などによる応力が加わると、リユース回数の多少に係わらず、消耗品ユニットに不具合が生じる虞がある。例えば、消耗品ユニットに設けられた記憶装置に衝撃や熱などによる応力が加わると、記憶装置が損傷する虞がある。損傷した記憶装置は、記憶装置の動作確認テストでは正常動作が確認できたとしても、リユースには適さない。
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、消耗品ユニットに衝撃や熱による応力が加えられたか否かを判定することができないという課題がある。
When using a consumable unit or collecting a used consumable unit, the consumable unit may be subjected to impact or left in a high temperature environment. If stress due to impact or heat is applied to the consumable unit, there is a risk that the consumable unit will malfunction, regardless of the number of times it is reused. For example, if stress due to shock or heat is applied to a storage device provided in a consumable unit, there is a risk that the storage device will be damaged. A damaged storage device is not suitable for reuse, even if normal operation is confirmed in a storage device operation test.
However, the technique described in
半導体装置は、内部回路を含む半導体基板と、前記内部回路と接続される入出力用端子と、前記半導体基板と前記入出力用端子との接触面積よりも前記半導体基板との接触面積が小さい検査用端子と、を有する半導体チップと、前記入出力用端子および前記検査用端子とそれぞれ接続されるワイヤーと、前記入出力用端子および前記検査用端子と前記ワイヤーを介して接続される配線基板と、を備える。 A semiconductor device has a semiconductor substrate including an internal circuit, an input/output terminal connected to the internal circuit, and a contact area with the semiconductor substrate that is smaller than a contact area between the semiconductor substrate and the input/output terminal. a semiconductor chip having a terminal for input/output, a wire connected to the input/output terminal and the inspection terminal, respectively, and a wiring board connected to the input/output terminal and the inspection terminal via the wire; , is provided.
半導体装置は、内部回路を含む半導体基板と、前記内部回路と接続される入出力用端子と、前記入出力用端子よりも厚さが小さい検査用端子と、を有する半導体チップと、前記入出力用端子および前記検査用端子とそれぞれ接続されるワイヤーと、前記入出力用端子および前記検査用端子と前記ワイヤーを介して接続される配線基板と、を備える。 A semiconductor device includes a semiconductor chip having a semiconductor substrate including an internal circuit, an input/output terminal connected to the internal circuit, an inspection terminal whose thickness is smaller than the input/output terminal, and the input/output terminal. and a wiring board connected to the input/output terminal and the inspection terminal via the wire.
半導体装置は、内部回路を含む半導体基板と、前記内部回路と接続される入出力用端子と、検査用端子と、を有する半導体チップと、前記入出力用端子と接続される第１ワイヤーと、前記検査用端子と接続される第２ワイヤーと、前記入出力用端子と前記第１ワイヤーを介して接続され、前記検査用端子と前記第２ワイヤーを介して接続される配線基板と、を備え、前記検査用端子と前記第２ワイヤーとの接触面積は、前記入出力用端子と前記第１ワイヤーとの接触面積よりも小さい。 The semiconductor device includes: a semiconductor substrate including an internal circuit; a semiconductor chip having an input/output terminal connected to the internal circuit; and a testing terminal; a first wire connected to the input/output terminal; a second wire connected to the test terminal; a wiring board connected to the input/output terminal via the first wire; and a wiring board connected to the test terminal via the second wire. , a contact area between the test terminal and the second wire is smaller than a contact area between the input/output terminal and the first wire.
１．実施形態１
まず、実施形態１に係る半導体装置２４を備えるインクカートリッジ１０について、図１～図５を参照して説明し、次に、実施形態１に係る半導体装置２４について、図６～図９を参照して説明する。
1.
First, the
インクカートリッジ１０は、消耗品ユニットの一例である。インクカートリッジ１０は、インクジェット式記録装置のキャリッジに着脱して用いられる。なお、インクカートリッジ１０は、インク以外の液体を収容する液体カートリッジにも適用することができる。このような液体カートリッジは、液体を噴射する液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置に着脱可能に装着される。液体噴射装置としては、例えば、液晶ディスプレイなどのカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射装置、有機ＥＬディスプレイなどの電極形成に用いられる電極材噴射装置、バイオチップの製造に用いられる生体有機物を含む液体を噴射する液体噴射装置などが挙げられる。
The
図１および図２に示すように、インクカートリッジ１０は、カートリッジ本体１２と、蓋体１４と、を有する。カートリッジ本体１２は、図示しない凹部を有する箱状である。この凹部の図示しない開口部は、蓋体１４によって覆われる。このようにして、カートリッジ本体１２と蓋体１４との間に、インクを収容するインク収容部が形成される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
カートリッジ本体１２には、図示しないインク流路部と、図示しない大気連通部と、が形成される。インク流路部は、インク収容部からインク供給部１６へインクを供給するためのインク流路である。大気連通部は、インクカートリッジ１０の外部とインク収容部との間の大気の流路である。大気連通部は、インク側通路、大気弁収容部、および大気側通路により構成される。大気連通部は、それぞれを区画する隔壁にフィルム１１を熱溶着などの方法で貼着することにより大気と隔離された領域となっている。
The cartridge
また、インクカートリッジ１０は、インク供給部１６と、図示しないインク供給制御部と、係合レバー１８と、取り付け部１９と、回路基板２０と、を有する。
The
インク供給部１６は、カートリッジ本体１２の下面に配置される。インクカートリッジ１０がキャリッジに装着されたとき、キャリッジに設けられたインク供給針がインク供給部１６に挿入される。インク供給針がインク供給部１６に挿入されることにより、インクを噴射する記録ヘッドとインク供給針との間に設けられるインク流路を介して、インク収容部に収容されているインクが、記録ヘッドに供給される。インク供給部１６は、インク供給針が挿入される挿入口を有するエラストマーなどから形成されたシール部材と、シール部材の挿入口を塞ぐ供給弁と、供給弁をシール部材に向けて付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材とを有する。なお、シール部材の挿入口には、工場出荷時において、フィルム１３が貼り付けられている。
The
インク供給制御部は、インクの消費に伴って発生するインク収容部とインク供給部１６との圧力差を調整する差圧弁と、差圧弁を閉じるように付勢するコイルスプリングを備える。
The ink supply control section includes a differential pressure valve that adjusts the pressure difference between the ink storage section and the
係合レバー１８は、カートリッジ本体１２の側面の上部に形成される。インクカートリッジ１０がキャリッジに装着されたとき、係合レバー１８は、キャリッジと係合する。
The
取り付け部１９は、カートリッジ本体１２における係合レバー１８と反対側の側面の下方に配置される。取り付け部１９には、複数の端子２１と、記憶装置としての半導体装置２４と、を有する回路基板２０が取り付けられる。
インクカートリッジ１０がキャリッジに装着されたとき、取り付け部１９の側面がキャリッジに形成されたリブにより規制されることにより、回路基板２０の端子２１と、キャリッジに設けられる弾性接点と、が当接する。
The
When the
図３および図４に示すように、回路基板２０は、平板状の基板２３と、複数の端子２１と、半導体装置２４と、半導体装置２４を被覆するモールド樹脂２５と、を有する。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
基板２３は、例えば、プリント基板である。基板２３は、表面２３Ａと、表面２３Ａとは反対側の裏面２３Ｂと、を有する。表面２３Ａは、回路基板２０をカートリッジ本体１２に固定したとき、カートリッジ本体１２の外部に露出する面である。
表面２３Ａには、複数の端子２１が配置される。裏面２３Ｂには、半導体装置２４が配置される。端子２１と、半導体装置２４と、は基板２３に設けられる図示しない配線により、電気的に接続される。これにより、端子２１を介して、半導体装置２４に電気的に接続することができる。例えば、端子２１を介して、半導体装置２４を電源や接地電位に接続したり、記憶装置としての半導体装置２４に対して各種の情報の記憶や読み出しなどを行うことができる。
The
A plurality of
記憶装置としての半導体装置２４は、インクカートリッジ１０およびインクに関する情報を記憶する。半導体装置２４は、基板２３の表面２３Ａに露出した複数の端子２１を介して、インクジェット式記録装置本体との間でこれらの情報を受け渡す。
半導体装置２４に記憶する情報としては、例えば、インクカートリッジ１０の製造年月日、インクカートリッジ１０の種類、インクカートリッジ１０が保持するインクの色、インク残量、キャリッジに対して着脱された回数、リユース回数などがある。
The
The information stored in the
また、基板２３には、カートリッジ本体１２の取り付け部１９に固定されるための位置決め用凹部である貫通孔２７と切り欠き部２８とが形成される。
Further, the
図５に示すように、回路基板２０は、取り付け部１９に形成された取り付け凹部３０に嵌め込まれて固定される。回路基板２０が取り付け部１９に固定されたとき、回路基板２０の表面２３Ａは、カートリッジ本体１２の外部に露出している。
取り付け凹部３０は、基板２３を収容するために基板２３より僅かに大きく形成された底部３１と、底部３１の外縁から立設された壁部３２と、により形成される。底部３１には、基板２３に形成された貫通孔２７および切り欠き部２８にそれぞれ対応する位置に、位置決め用凸部としてのピン３４およびリブ３６が立設されている。ピン３４およびリブ３６が、それぞれ貫通孔２７と切り欠き部２８との内側にそれぞれ挿入されることにより、回路基板２０の位置決めが行われる。また、底部３１の中央部分には、基板２３の裏面２３Ｂに設けられる半導体装置２４と、半導体装置２４を被覆するモールド樹脂２５と、を収容する空間３３が設けられる。
As shown in FIG. 5, the
The mounting
取り付け凹部３０に嵌め込まれた回路基板２０は、貫通孔２７および切り欠き部２８から基板２３の表面２３Ａ側に突出したピン３４の頂部３５およびリブ３６の頂部３７を熱により軟化させて基板２３に向けて押圧することにより熱加締めがなされ、取り付け凹部３０内に固定される。なお、ピン３４とリブ３６を位置決めのためだけに用いて熱加締めを行わず、基板２３の裏面２３Ｂと底部３１とを接着剤により固定しても構わない。
The
このように構成されたインクカートリッジ１０は、インクジェット式記録装置によって印刷が行われ、インクが徐々に消費されていく。インクの残量は、適時、半導体装置２４に記憶される。そして、半導体装置２４に記憶されているインク残量がゼロになり、インクジェット式記録装置がその情報を読み取ると、インクジェット式記録装置を駆動するコンピューターにインク切れのメッセージ等が表示され、ユーザーに報知される。これにより、ユーザーはインク切れとなったインクカートリッジ１０をインクジェット式記録装置のキャリッジから取り外す。
インク切れとなったインクカートリッジ１０は、使用済みのインクカートリッジとして、インクカートリッジ１０の製造、販売を行うメーカーやベンダーにより回収される。インクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収されたインクカートリッジ１０を検査し、回収されたインクカートリッジ１０がリユースに適する状態であるか否かを判定する。回収されたインクカートリッジ１０がリユースに適する状態であると判定されたとき、インクカートリッジ１０は再整備され、未使用のインクカートリッジに準じる状態に仕上げられ、再び市場に流通される。
The
The
ところで、インクカートリッジ１０の使用時や、インクカートリッジ１０の回収時などにおいて、インクカートリッジ１０は、衝撃を受けたり、高温環境に放置されたりすることがある。そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加わり、インクカートリッジ１０に不具合が生じることがある。
例えば、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加わると、半導体装置２４が損傷することがある。損傷した半導体装置２４は、半導体装置２４の動作確認テストでは正常動作が確認できたとしても、半導体装置２４の寿命が低下している虞がある。そのため、衝撃や熱などによる応力が加えられた半導体装置２４は、リユースには適さない。
By the way, when the
For example, if stress due to impact or heat is applied to the
そこで、インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたか否かを判定し、インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４を、正常な半導体装置２４に交換する。
このように、損傷した可能性がある半導体装置２４を正常な半導体装置２４に交換することにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
Therefore, it is determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
In this way, by replacing the potentially damaged
半導体装置２４について、図６～図９を参照して説明する。
The
図６および図７に示すように、半導体装置２４は、半導体チップ４０と、配線基板６０と、半導体チップ４０と配線基板６０とを電気的に接続する導電性のワイヤー７０と、半導体チップ４０とワイヤー７０とを被覆するモールド樹脂９０と、を有する。なお、説明の都合上、図６では、モールド樹脂９０を透過して図示している。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
半導体チップ４０は、半導体基板４２と、入出力用端子４４と、検査用端子４６と、を有する。半導体チップ４０は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）チップである。
The
半導体基板４２には、各種の信号処理を行なう内部回路４８が形成される。換言すると、半導体基板４２は、内部回路４８を含む。
内部回路４８は、インクカートリッジ１０およびインクに関する情報を記憶する記憶回路と、記憶回路などを制御する制御回路と、を有する。内部回路４８が記憶回路を有することにより、半導体装置２４は、インクカートリッジ１０およびインクに関する情報を記憶する記憶装置として機能する。
An
The
半導体基板４２は、平板状であり、上面４２Ａと下面４２Ｂとを有する。
半導体基板４２の上面４２Ａには、入出力用端子４４と、検査用端子４６と、が配置される。詳細には、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａには、複数の入出力用端子４４と、１つの検査用端子４６と、が配置される。
The
On the
入出力用端子４４は、内部回路４８と電気的に接続される。
入出力用端子４４は、電源に接続される端子、接地電位に接続される端子、内部回路４８に各種の信号を入力するための端子、内部回路４８から各種の信号を出力するための端子などを含む。内部回路４８に入出力される各種の信号は、インクカートリッジ１０およびインクに関する情報を含む。
入出力用端子４４のうち、接地電位に接続される端子を接地端子４４Ａとも言う。
The input/
The input/
Among the input/
検査用端子４６は、半導体基板４２に設けられる配線５０を介して、接地端子４４Ａと電気的に接続される。
The
配線基板６０は、リードフレームである。配線基板６０としてのリードフレームは、ダイパッド６２と、複数のリード６４と、を有する。なお、配線基板６０は、リードフレームに限らない。例えば、配線基板６０は、インターポーザー基板でも構わない。 The wiring board 60 is a lead frame. The lead frame as the wiring board 60 has a die pad 62 and a plurality of leads 64. Note that the wiring board 60 is not limited to a lead frame. For example, the wiring board 60 may be an interposer board.
ダイパッド６２には、半導体基板４２が固定される。詳細には、ダイパッド６２の上面と、半導体基板４２の下面４２Ｂと、の間に配置される図示しない接着部材を介して、ダイパッド６２の上面と半導体基板４２の下面４２Ｂとが機械的に接続される。
The
リード６４と、入出力用端子４４および検査用端子４６と、は導電性のワイヤー７０を介して、電気的に接続される。つまり、リード６４と、入出力用端子４４および検査用端子４６と、はワイヤーボンディングにより、接合される。
導電性のワイヤー７０は、例えば、金、アルミニウム、銅により形成される。
The lead 64, the input/
The conductive wire 70 is made of, for example, gold, aluminum, or copper.
ワイヤー７０は、入出力用端子４４とリード６４とを電気的に接続する第１ワイヤー７１と、検査用端子４６とリード６４とを電気的に接続する第２ワイヤー７２と、を有する。第１ワイヤー７１と、第２ワイヤー７２と、を区別する必要がないとき、第１ワイヤー７１と第２ワイヤー７２とをまとめてワイヤー７０と言う。
The wire 70 includes a first wire 71 that electrically connects the input/
第１ワイヤー７１は、その一端において入出力用端子４４と接合し、他端においてリード６４と接合する。また、第２ワイヤー７２は、その一端において検査用端子４６と接合し、他端においてリード６４と接合する。
The first wire 71 is connected to the input/
図７に示すように、入出力用端子４４と接合される側の第１ワイヤー７１の一端を、第１ワイヤー７１の端子接合部７４とも言う。また、検査用端子４６と接合される側の第２ワイヤー７２の一端を、第２ワイヤー７２の端子接合部７６とも言う。換言すると、入出力用端子４４と接合される側の第１ワイヤー７１の一端には、端子接合部７４が形成され、検査用端子４６と接合される側の第２ワイヤー７２の一端には、端子接合部７６が形成される。
As shown in FIG. 7, one end of the first wire 71 that is joined to the input/
周知のワイヤーボンディング技法としては、ボールボンディングと、ウエッジボンディングと、がある。本実施形態では、ボールボンディングを用いて、リード６４と、入出力用端子４４および検査用端子４６と、を電気的に接続している。ただし、ウエッジボンディングを用いて、リード６４と、入出力用端子４４および検査用端子４６と、を電気的に接続しても構わない。
また、本実施形態では、ワイヤー７０と入出力用端子４４および検査用端子４６との接合をファーストボンディングで行い、ワイヤー７０とリード６４との接合をセカンドボンディングで行う。ただし、ワイヤー７０とリード６４との接合をファーストボンディングで行い、ワイヤー７０と入出力用端子４４および検査用端子４６との接合をセカンドボンディングで行っても構わない。
Well-known wire bonding techniques include ball bonding and wedge bonding. In this embodiment, the lead 64 is electrically connected to the input/
Further, in this embodiment, the wire 70 and the input/
図８および図９は、それぞれ入出力用端子４４および検査用端子４６を半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面図である。説明の都合上、図８では、第１ワイヤー７１の端子接合部７４を透過して図示し、端子接合部７４以外の第１ワイヤー７１の図示を省略している。図９では、第２ワイヤー７２の端子接合部７６を透過して図示し、端子接合部７６以外の第２ワイヤー７２の図示を省略している。
8 and 9 are plan views of the input/
図８に示すように、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、入出力用端子４４は、正方形状である。
入出力用端子４４の下面全体が、半導体基板４２の上面４２Ａと接合している。そのため、入出力用端子４４と半導体基板４２との接触面積Ｓ１は、入出力用端子４４の下面全体の面積と等しい。
As shown in FIG. 8, in this embodiment, the input/
The entire lower surface of the input/
図９に示すように、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６は、正方形状である。詳細には、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６は、入出力用端子４４と比べ、各辺の長さが短い正方形状である。
検査用端子４６の下面全体が、半導体基板４２の上面４２Ａと接合している。そのため、検査用端子４６と半導体基板４２との接触面積Ｓ２は、検査用端子４６の下面全体の面積と等しい。
As shown in FIG. 9, in this embodiment, the
The entire lower surface of the
半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６は、入出力用端子４４と比べ、各辺の長さが短い正方形状であるため、入出力用端子４４と半導体基板４２との接触面積Ｓ１よりも、検査用端子４６と半導体基板４２との接触面積Ｓ２は、小さくなる。
In a plan view seen from the
なお、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、入出力用端子４４および検査用端子４６は、正方形状であるが、入出力用端子４４および検査用端子４６は、正方形状以外の形状でも構わない。つまり、接触面積Ｓ１よりも接触面積Ｓ２が小さくなる限りにおいて、入出力用端子４４および検査用端子４６は、任意の形状であって構わない。
In this embodiment, the input/
入出力用端子４４と半導体基板４２との接触面積Ｓ１よりも、検査用端子４６と半導体基板４２との接触面積Ｓ２を小さくすることにより、入出力用端子４４と半導体基板４２との接合強度よりも、検査用端子４６と半導体基板４２との接合強度は小さくなる。
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４と比べ、検査用端子４６は、半導体基板４２との接合面が破壊され易い。
By making the contact area S2 between the
Therefore, when stress due to impact, heat, etc. is applied to the
検査用端子４６と半導体基板４２との接合面が破壊されると、検査用端子４６と半導体基板４２との間の電気的特性が変化する。詳細には、検査用端子４６と半導体基板４２との接合面が破壊されると、検査用端子４６が半導体基板４２から剥離する。検査用端子４６が半導体基板４２から剥離すると、検査用端子４６と、半導体基板４２に設けられた配線５０と、の接続部の接続状態が変化する。検査用端子４６と配線５０との接続部の接続状態が変化すると、検査用端子４６と配線５０との間の電気的特性が変化する。例えば、検査用端子４６と配線５０との接続部の接続状態が変化すると、検査用端子４６と配線５０との間の電気抵抗が高くなる。なお、電気抵抗が高くなるとは、検査用端子４６と配線５０との接続部において検査用端子４６と配線５０とが断線し、非導通状態になることを含む。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６と半導体基板４２との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加えられたか否かを判定することができる。さらに換言すると、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
ここで、検査用端子４６と配線５０との間の電気的特性を測定する方法について、説明する。
Here, a method of measuring the electrical characteristics between the
上述したように、本実施形態では、検査用端子４６は、半導体基板４２に設けられる配線５０を介して、接地端子４４Ａと電気的に接続している。検査用端子４６は、第２ワイヤー７２を介して、リード６４に電気的に接続している。接地端子４４Ａは、第１ワイヤー７１を介して、リード６４に電気的に接続している。つまり、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、は第２ワイヤー７２、検査用端子４６、配線５０、および接地端子４４Ａを介して、電気的に接続している。換言すると、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間には、検査用端子４６と配線５０との接続部を含む電気的導通路が形成されている。
As described above, in this embodiment, the
検査用端子４６と半導体基板４２との接合面が破壊されると、検査用端子４６と配線５０との接続部を含む電気的導通路、すなわち、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４との間に形成される電気的導通路の電気抵抗が高くなる。
When the bonding surface between the
インクカートリッジ１０を製造するメーカーは、インクカートリッジ１０の製造時において、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
本実施形態では、半導体装置２４は、回路基板２０に実装されており、この測定装置は、回路基板２０に配置される端子２１を介して、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、に接続される。
The manufacturer of the
In this embodiment, the
この測定装置は、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。この計測装置には、電気抵抗の測定に必要な電力の供給を行う電源を含めても構わない。なお、電気抵抗の測定には、所定の電圧または電流を供給したときの電流または電圧を測定する場合も含まれる。
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of the electrical conduction path formed between the lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の値以下であるとき、リード６４と、入出力用端子４４および検査用端子４６と、の間のワイヤーボンディングは正常に行われたと判定する。所定の値は、例えば、１ｎΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
When the manufacturer or vendor who collects the used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of the electrical conduction path formed between the lead 64 electrically connected to the
上述したように、本実施形態では、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４と比べ、検査用端子４６は、半導体基板４２との接合面が破壊され易くなっている。そして、検査用端子４６と半導体基板４２との接合面が破壊されると、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間の電気抵抗が高くなる。
そのため、この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
As described above, in this embodiment, when stress due to impact or heat is applied to the
Therefore, the electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, or the like has been applied to the
衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられていないと判定されたときは、インクカートリッジ１０の外観検査や半導体装置２４の動作確認テストなどを行い、インクカートリッジ１０がリユースに適した状態であるか否かを判定する。インクカートリッジ１０がリユースに適した状態であると判定されると、インクカートリッジ１０の再整備が行われる。
When it is determined that stress due to impact or heat is not applied to the
衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたと判定されたときは、回収されたインクカートリッジ１０に設けられた半導体装置２４は損傷している可能性がある。そのため、回収されたインクカートリッジ１０に設けられた半導体装置２４は、正常な半導体装置２４に交換される。詳細には、回収されたインクカートリッジ１０に装着された回路基板２０が取り外され、正常な半導体装置２４が実装されている回路基板２０がインクカートリッジ１０に取り付けられる。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
本実施形態では、回収されたインクカートリッジ１０に設けられた半導体装置２４を、正常な半導体装置２４に交換した後に、インクカートリッジ１０の外観検査や半導体装置２４の動作確認テストなどを行い、インクカートリッジ１０がリユースに適した状態であるか否かを判定する。インクカートリッジ１０がリユースに適した状態であると判定されると、インクカートリッジ１０の再整備が行われる。
In this embodiment, after replacing the
上述したように、インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４は、正常な半導体装置２４に交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
As described above, when it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
なお、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたと判定されたときは、インクカートリッジ１０を構成する半導体装置２４以外の部品にも損傷が生じている虞がある。したがって、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたと判定されたときは、そのインクカートリッジ１０をリユース対象から除外することにしても構わない。この場合、衝撃や熱による応力が加えられたと判定されたインクカートリッジ１０は分解され、インクカートリッジ１０を構成する部品単位でのリユース、あるいはリサイクルが行われる。
Note that if it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
半導体装置２４は、内部回路４８を含む半導体基板４２と、内部回路４８と接続される入出力用端子４４と、半導体基板４２と入出力用端子４４との接触面積Ｓ１よりも半導体基板４２との接触面積Ｓ２が小さい検査用端子４６と、を有する半導体チップ４０と、入出力用端子４４および検査用端子４６とそれぞれ接続されるワイヤー７０と、入出力用端子４４および検査用端子４６とワイヤー７０を介して接続される配線基板６０と、を備える。
これにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加えられたか否かを判定することができる。また、このような半導体装置２４をインクカートリッジ１０に設けることにより、インクカートリッジ１０に衝撃や熱による応力が加えられたか否かを判定することができる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.
The
Thereby, it can be determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
また、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加えられたか否かを判定することができるので、回収されたインクカートリッジ１０を再整備するときに、損傷した可能性がある半導体装置２４を、正常な半導体装置２４に交換することができる。そのため、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
Furthermore, since it is possible to determine whether stress due to impact or heat has been applied to the
また、配線基板６０が有する２つのリード６４の間の電気抵抗を測定するだけなので、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４に加えられたか否かを容易に判定することができる。
Further, since only the electrical resistance between the two leads 64 of the wiring board 60 is measured, it is possible to easily determine whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
２．実施形態２
次に、実施形態２に係る半導体装置２４ａについて、図１０および図１１を参照して説明する。
実施形態２の半導体装置２４ａは、実施形態１と比べ、半導体基板４２の上面４２Ａに検査用端子４６に加え、さらに検査用端子４６ａが配置されることや、検査用端子４６と接地端子４４Ａとを接続する配線５０に代わり、検査用端子４６と検査用端子４６ａとを接続する配線５０ａが半導体基板４２に設けられていること以外は、実施形態１と同様である。
なお、上述した実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
2. Embodiment 2
Next, a
The
Note that the same components as those in the first embodiment described above are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図１０および図１１に示すように、半導体基板４２の上面４２Ａには、複数の入出力用端子４４と、２つの検査用端子４６，４６ａと、が配置される。
検査用端子４６と、検査用端子４６ａと、は半導体基板４２に設けられる配線５０ａを介して、互いに電気的に接続される。
As shown in FIGS. 10 and 11, on the
The
検査用端子４６ａは、第２ワイヤー７２を介して、リード６４と電気的に接続される。なお、検査用端子４６ａが電気的に接続されるリード６４と、検査用端子４６が電気的に接続されるリード６４と、はそれぞれ異なる。
The
本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ａは、正方形状である。詳細には、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ａは、検査用端子４６と互いに寸法が同じ正方形状である。つまり、検査用端子４６ａと半導体基板４２との接触面積は、検査用端子４６と半導体基板４２との接触面積Ｓ２と等しい。換言すると、入出力用端子４４と半導体基板４２との接触面積Ｓ１よりも、検査用端子４６ａと半導体基板４２との接触面積は、小さくなる。
In this embodiment, the
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４と比べ、検査用端子４６，４６ａは、半導体基板４２との接合面が破壊され易い。
Therefore, when stress due to impact or heat is applied to the
検査用端子４６，４６ａと半導体基板４２との接合面が破壊されると、検査用端子４６，４６ａと半導体基板４２との間の電気的特性が変化する。詳細には、検査用端子４６，４６ａと配線５０ａとのそれぞれの接続部の接続状態が変化し、検査用端子４６，４６ａと配線５０ａとの間の電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６，４６ａと半導体基板４２との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ａに加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
検査用端子４６，４６ａと配線５０ａとの間の電気的特性を測定する方法について、説明する。
A method of measuring the electrical characteristics between the
検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、検査用端子４６ａに電気的に接続されるリード６４と、は第２ワイヤー７２、検査用端子４６，４６ａ、および配線５０ａを介して、電気的に接続している。換言すると、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、検査用端子４６ａに電気的に接続されるリード６４と、の間には、検査用端子４６と配線５０ａとの接続部および検査用端子４６ａと配線５０ａとの接続部を含む電気的導通路が形成されている。
The lead 64 electrically connected to the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、検査用端子４６ａに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と、検査用端子４６ａに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
Manufacturers and vendors who have collected used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of an electrical conduction path formed between a lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６に電気的に接続されるリード６４と検査用端子４６ａに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ａに加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ａに加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, or the like has been applied to the
インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４ａは、正常な半導体装置２４ａに交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１と同様な効果を得ることができる。 As described above, according to this embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
なお、本実施形態では、検査用端子４６ａと半導体基板４２との接触面積は、検査用端子４６と半導体基板４２との接触面積Ｓ２と等しいが、検査用端子４６ａと半導体基板４２との接触面積は、接触面積Ｓ２と異なっていても構わない。つまり、検査用端子４６ａと半導体基板４２との接触面積と、検査用端子４６と半導体基板４２との接触面積Ｓ２と、のうち、少なくとも一方の接触面積が、入出力用端子４４と半導体基板４２との接触面積Ｓ１よりも小さければ、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
In this embodiment, the contact area between the
３．実施形態３
次に、実施形態３に係る半導体装置２４ｂについて、図１２および図１３を参照して説明する。
実施形態３の半導体装置２４ｂは、実施形態１と比べ、検査用端子４６に代わり、検査用端子４６ｂが配置されることや、入出力用端子４４に代わり、入出力用端子４４ｂが配置されること以外は、実施形態１と同様である。検査用端子４６ｂは、検査用端子４６と比べ、半導体基板４２との接触面積が異なる。詳細には、検査用端子４６ｂと半導体基板４２との接触面積は、入出力用端子４４ｂと半導体基板４２との接触面積と、は同じである。また、入出力用端子４４ｂの厚さｔ１は、検査用端子４６ｂの厚さｔ２よりも大きくなっている。
なお、上述した実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
3. Embodiment 3
Next, a
The
Note that the same components as those in the first embodiment described above are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図１２および図１３に示すように、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａには、複数の入出力用端子４４ｂと、１つの検査用端子４６ｂと、が配置される。
As shown in FIGS. 12 and 13, in this embodiment, a plurality of input/
入出力用端子４４ｂは、内部回路４８と電気的に接続される。
入出力用端子４４ｂのうち、接地電位に接続される端子を接地端子４４Ａｂとも言う。
The input/
Among the input/
検査用端子４６ｂは、半導体基板４２に設けられる配線５０を介して、接地端子４４Ａｂと電気的に接続される。
The
リード６４と入出力用端子４４ｂとは、第１ワイヤー７１を介して、電気的に接続される。リード６４と検査用端子４６ｂとは、第２ワイヤー７２を介して、電気的に接続される。
The lead 64 and the input/
本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、入出力用端子４４ｂおよび検査用端子４６ｂは、互いに寸法が同じ正方形状である。つまり、入出力用端子４４ｂと半導体基板４２との接触面積と、検査用端子４６ｂと半導体基板４２との接触面積と、は同じである。なお、入出力用端子４４ｂおよび検査用端子４６ｂは、正方形状以外の形状でも構わない。
In the present embodiment, the input/
図１３に示すように、入出力用端子４４ｂの厚さｔ１は、検査用端子４６ｂの厚さｔ２よりも、大きい。換言すると、検査用端子４６ｂの厚さｔ２は、入出力用端子４４ｂの厚さｔ１よりも、小さい。
As shown in FIG. 13, the thickness t1 of the input/
検査用端子４６ｂの厚さｔ２を入出力用端子４４ｂの厚さｔ１よりも小さくすることにより、入出力用端子４４ｂと第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合強度よりも、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合強度は小さくなる。
詳細には、検査用端子４６ｂの厚さｔ２を入出力用端子４４ｂの厚さｔ１よりも小さくすることにより、入出力用端子４４ｂと第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合面における入出力用端子４４ｂの変形よりも、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面における検査用端子４６ｂの変形は、小さくなる。そのため、例えば、入出力用端子４４ｂおよび検査用端子４６ｂのそれぞれの表面に酸化膜が形成されていたとき、入出力用端子４４ｂの表面に形成される酸化膜に比べ、検査用端子４６ｂの表面に形成される酸化膜は、破壊され難くなる。したがって、入出力用端子４４ｂと第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合強度よりも、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合強度は小さくなる。
By making the thickness t2 of the
Specifically, by making the thickness t2 of the
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４ｂと第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合面と比べ、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面は破壊され易い。
Therefore, when stress due to impact or heat is applied to the
検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面が破壊されると、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との間の電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｂに加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との間の電気的特性を測定する方法について、説明する。
A method of measuring the electrical characteristics between the
上述したように、本実施形態では、検査用端子４６ｂは、配線５０を介して、接地端子４４Ａｂと電気的に接続している。つまり、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａｂに電気的に接続されるリード６４と、は第２ワイヤー７２、検査用端子４６ｂ、配線５０、および接地端子４４Ａｂを介して、電気的に接続している。換言すると、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａｂに電気的に接続されるリード６４と、の間には、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面を含む電気的導通路が形成されている。
As described above, in this embodiment, the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａｂに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａｂに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
When the manufacturer or vendor who collects the used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of an electrical conduction path formed between a lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａｂに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｂに加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｂに加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４ｂは、正常な半導体装置２４ｂに交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
半導体装置２４ｂは、内部回路４８を含む半導体基板４２と、内部回路４８と接続される入出力用端子４４ｂと、入出力用端子４４ｂよりも厚さｔ２が小さい検査用端子４６ｂと、を有する半導体チップ４０と、入出力用端子４４ｂおよび検査用端子４６ｂとそれぞれ接続されるワイヤー７０と、入出力用端子４４ｂおよび検査用端子４６ｂとワイヤー７０を介して接続される配線基板６０と、を備える。
これにより、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.
The
Thereby, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
４．実施形態４
次に、実施形態４に係る半導体装置２４ｃについて、図１４および図１５を参照して説明する。
実施形態４の半導体装置２４ｃは、実施形態３と比べ、半導体基板４２に代わり、半導体基板４２ｃを有することや、入出力用端子４４ｂに代わり、入出力用端子４４ｃが配置されること以外は、実施形態３と同様である。半導体基板４２ｃは、絶縁膜４２１を有する。入出力用端子４４ｃは、複数の電極を有する。複数の電極を積層することにより、入出力用端子４４ｃの厚さは、検査用端子４６ｂの厚さｔ２よりも大きくなっている。
なお、上述した実施形態３と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
4. Embodiment 4
Next, a
The
Note that the same configurations as those in the third embodiment described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図１４および図１５に示すように、半導体基板４２ｃは、絶縁膜４２１を有する。
絶縁膜４２１は、半導体基板４２ｃの上面４２Ａ側に設けられる。本実施形態では、半導体基板４２ｃの上面４２Ａ側に絶縁膜４２１が設けられることにより、絶縁膜４２１の上面が半導体基板４２ｃの上面４２Ａとなる。
As shown in FIGS. 14 and 15, the
The insulating
入出力用端子４４ｃは、複数の電極を有する。後述するように、入出力用端子４４ｃは、複数の電極が半導体基板４２ｃの厚さ方向に沿って積層して配置された多層構造となっている。詳細には、入出力用端子４４ｃは、２つの電極を有する、２つの電極のうち、一方は、第１電極４４１であり、他方は、第２電極４４２である。
The input/
第１電極４４１は、半導体基板４２ｃの上面４２Ａ、すなわち、絶縁膜４２１の上面に配置される。
第２電極４４２は、半導体基板４２ｃの厚さ方向に沿って、第１電極４４１の下方に配置される。第１電極４４１と、第２電極４４２と、は半導体基板４２ｃの上面４２Ａ側から見た平面視で、重なるように配置される、つまり、入出力用端子４４ｃは、第１電極４４１と第２電極４４２とが半導体基板４２ｃの厚さ方向に沿って積層して配置される。
The
The
第１電極４４１と第２電極４４２とが半導体基板４２ｃの厚さ方向に沿って積層して配置されることにより、入出力用端子４４ｃの厚さは、第１電極４４１の厚さと第２電極４４２の厚さとの和となる。
また、本実施形態では、第１電極４４１と第２電極４４２とが半導体基板４２の厚さ方向に沿って積層して配置されている入出力用端子４４ｃの厚さは、検査用端子４６ｂの厚さｔ２（図１３参照）よりも大きい。換言すると、検査用端子４６ｂの厚さｔ２は、入出力用端子４４ｃの厚さよりも、小さい。
Since the
Further, in this embodiment, the thickness of the input/
第１電極４４１と、第２電極４４２と、は絶縁膜４２１を挟んで配置される。第１電極４４１と、第２電極４４２と、は絶縁膜４２１を半導体基板４２ｃの厚さ方向に貫通する複数の貫通電極５２により電気的に接続される。なお、本実施形態では、第１電極４４１と第２電極４４２とは絶縁膜４２１を挟んで配置され、貫通電極５２により電気的に接続されているが、絶縁膜４２１および貫通電極５２は無くても構わない。つまり、第１電極４４１と第２電極４４２とは半導体基板４２の厚さ方向に沿って積層して配置されていれば構わない。例えば、第２電極４４２の上面に第１電極４４１が配置され、第１電極４４１の下面と第２電極４４２の上面とが機械的および電気的に接続されていても構わない。
The
入出力用端子４４ｃは、内部回路４８と電気的に接続される。詳細には、入出力用端子４４ｃが有する第２電極４４２と内部回路４８とは、半導体基板４２ｃに設けられる図示しない配線を介して、電気的に接続される。
入出力用端子４４ｃのうち、接地電位に接続される端子を接地端子４４Ａｃとも言う。
The input/
Among the input/
接地端子４４Ａｃは、半導体基板４２に設けられる配線５０を介して、検査用端子４６ｂと電気的に接続される。詳細には、配線５０は、接地端子４４Ａｃが有する第２電極４４２と電気的に接続される。
The ground terminal 44Ac is electrically connected to the
リード６４と入出力用端子４４ｃとは、第１ワイヤー７１を介して、電気的に接続される。詳細には、リード６４と、入出力用端子４４ｃが有する第１電極４４１と、は第１ワイヤー７１を介して、電気的に接続される。
The lead 64 and the input/
本実施形態では、半導体基板４２ｃの上面４２Ａ側から見た平面視で、入出力用端子４４ｃが有する第１電極４４１および第２電極４４２と、検査用端子４６ｂと、は互いに寸法が同じ正方形状である。なお、第１電極４４１、第２電極４４２、および検査用端子４６ｂは、正方形状以外の形状でも構わない。
In this embodiment, the
上述したように、検査用端子４６ｂの厚さｔ２は、入出力用端子４４ｃの厚さよりも、小さい。
As described above, the thickness t2 of the
検査用端子４６ｂの厚さｔ２を入出力用端子４４ｃの厚さよりも小さくすることにより、入出力用端子４４ｃと第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合強度よりも、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合強度は小さくなる。
By making the thickness t2 of the
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４ｃと第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合面と比べ、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面は破壊され易い。
Therefore, when stress due to impact or heat is applied to the
検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面が破壊されると、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との間の電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｃに加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａｃに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａｃに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
When the manufacturer or vendor who collects the used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of an electrical conduction path formed between a lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａｃに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｃに加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｃに加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４ｃは、正常な半導体装置２４ｃに交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
なお、本実施形態では、入出力用端子４４ｃは、２つの電極、すなわち、第１電極４４１および第２電極４４２を有するが、３つ以上の電極を有していても構わない。つまり、入出力用端子４４ｃは、２つの電極が半導体基板４２ｃの厚さ方向に沿って積層して配置された構造に限らず、３つ以上の電極が半導体基板４２ｃの厚さ方向に沿って積層して配置された構造でも構わない。
In this embodiment, the input/
以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態３と同様な効果を得ることができる。 As described above, according to this embodiment, the same effects as in the third embodiment can be obtained.
５．実施形態５
次に、実施形態５に係る半導体装置２４ｄについて、図１６、図１７、および図１８を参照して説明する。
実施形態５の半導体装置２４ｄは、実施形態１と比べ、検査用端子４６に代わり、検査用端子４６ｂが配置されることや、第２ワイヤー７２の一端には端子接合部７６に代わり、端子接合部７６ｄが形成されること以外は、実施形態１と同様である。検査用端子４６ｂは、実施形態３と同様に、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、入出力用端子４４ｂと寸法が同じ正方形状である。第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄと検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５は、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも、小さい。
なお、上述した実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
5. Embodiment 5
Next, a
The
Note that the same components as those in the first embodiment described above are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図１６に示すように、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａには、複数の入出力用端子４４と、１つの検査用端子４６ｂと、が配置される。
As shown in FIG. 16, in this embodiment, a plurality of input/
検査用端子４６ｂは、半導体基板４２に設けられる配線５０を介して、接地端子４４Ａと電気的に接続される。
The
本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、入出力用端子４４および検査用端子４６ｂは、互いに寸法が同じ正方形状である。なお、入出力用端子４４および検査用端子４６ｂは、正方形状以外の形状でも構わない。
In this embodiment, the input/
リード６４と入出力用端子４４とは、第１ワイヤー７１を介して、電気的に接続される。リード６４と検査用端子４６ｂとは、第２ワイヤー７２を介して、電気的に接続される。
The lead 64 and the input/
本実施形態では、第１ワイヤー７１と入出力用端子４４とをワイヤーボンディングにより接合するときのボンディング条件と、第２ワイヤー７２と検査用端子４６とをワイヤーボンディングにより接合するときのボンディング条件と、が異なる。ワイヤーボンディングにより接合するときのボンディング条件とは、例えば、ワイヤー７０を入出力用端子４４および検査用端子４６に接合するときの圧力、超音波の出力エネルギー、超音波の印加時間、温度などである。
In this embodiment, the bonding conditions when bonding the first wire 71 and the input/
図１７および図１８に示すように、本実施形態では、第１ワイヤー７１と入出力用端子４４とを接合するときのボンディング条件と、第２ワイヤー７２と検査用端子４６とを接合するときのボンディング条件と、を異なる条件とすることにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄと検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５を第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも小さくしている。なお、説明の都合上、図１７では、第１ワイヤー７１の端子接合部７４を透過して図示し、端子接合部７４以外の第１ワイヤー７１の図示を省略している。図１８では、第２ワイヤー７２の端子接合部７６を透過して図示し、端子接合部７６以外の第２ワイヤー７２の図示を省略している。
As shown in FIGS. 17 and 18, in this embodiment, the bonding conditions when bonding the first wire 71 and the input/
詳細には、例えば、第１ワイヤー７１と入出力用端子４４とを接合するときの圧力に比べ、第２ワイヤー７２と検査用端子４６とを接合するときの圧力を小さくすることにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄと検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５を第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも小さくすることができる。また、例えば、第１ワイヤー７１と入出力用端子４４とを接合するときの超音波の印加時間に比べ、第２ワイヤー７２と検査用端子４６とを接合するときの超音波の印加時間を短くすることにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄと検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５を第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも小さくすることができる。なお、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４を、第１ワイヤー７１と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４とも言い、第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄと検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５を、第２ワイヤー７２と検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５とも言う。
In detail, for example, by reducing the pressure when joining the second wire 72 and the
第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄと検査用端子４６ｂとの接触面積Ｓ５を、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも小さくすることにより、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合強度よりも、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６ｄとの接合強度は小さくなる。
By making the contact area S5 between the terminal
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合面と比べ、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面は破壊され易い。
Therefore, when stress due to impact or heat is applied to the
検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面が破壊されると、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との間の電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｄに加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
When the manufacturer or vendor who collects the used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of the electrical conduction path formed between the lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６ｂに電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｄに加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｄに加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４ｄは、正常な半導体装置２４ｄに交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
半導体装置２４ｄは、内部回路４８を含む半導体基板４２と、内部回路４８と接続される入出力用端子４４と、検査用端子４６ｂと、を有する半導体チップ４０と、入出力用端子４４と接続される第１ワイヤー７１と、検査用端子４６ｂと接続される第２ワイヤー７２と、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１を介して接続され、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２を介して接続される配線基板６０と、を備え、検査用端子４６ｂと第２ワイヤー７２との接触面積Ｓ５は、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１との接触面積Ｓ４よりも小さい。
これにより、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.
The
Thereby, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
６．実施形態６
次に、実施形態６に係る半導体装置２４ｅについて、図１９を参照して説明する。
実施形態６の半導体装置２４ｅは、実施形態１と比べ、検査用端子４６に代わり、検査用端子４６ｅが配置されること以外は、実施形態１と同様である。半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｅと、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部と、が重なるように、検査用端子４６ｅは配置される。これにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｅとの接触面積Ｓ５ｅは、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも、小さくなる。
なお、上述した実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
6. Embodiment 6
Next, a
The
Note that the same components as those in the first embodiment described above are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図１９に示すように、検査用端子４６ｅは、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、長方形状である。なお、説明の都合上、図１９では、第２ワイヤー７２の端子接合部７６を透過して図示し、端子接合部７６以外の第２ワイヤー７２の図示を省略している。
As shown in FIG. 19, the
半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｅと、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部と、が重なるように、検査用端子４６ｅは配置される。換言すると、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第２ワイヤー７２と検査用端子４６ｅとは、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部が検査用端子４６ｅと重なるように、接合される。
The
半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｅと、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部と、が重なるように、検査用端子４６ｅを配置することにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｅとの接触面積Ｓ５ｅは、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４（図１７参照）よりも、小さくなる。
By arranging the
第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｅとの接触面積Ｓ５ｅを、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも小さくすることにより、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合強度よりも、検査用端子４６ｅと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合強度は小さくなる。
By making the contact area S5e between the terminal
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合面と比べ、検査用端子４６ｅと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面は破壊され易い。
Therefore, when stress due to impact or heat is applied to the
検査用端子４６ｅと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面が破壊されると、検査用端子４６ｅと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との間の電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６ｅと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｅに加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６ｅに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６ｅに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
When the manufacturer or vendor who collects the used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of the electrical conduction path formed between the lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６ｅに電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｅに加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｅに加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４ｅは、正常な半導体装置２４ｅに交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
なお、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｅは、長方形状であるが、検査用端子４６は、長方形状以外の形状でも構わない。つまり、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｅと第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部とが重なるように検査用端子４６ｅが配置されて、接触面積Ｓ４よりも接触面積Ｓ５ｅが小さくなる限りにおいて、検査用端子４６ｅは、任意の形状であって構わない。
In this embodiment, the
また、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第２ワイヤー７２の端子接合部７６のうち、検査用端子４６ｅと重ならない部分は、検査用端子４６ｅから離れた位置で、半導体基板４２と接合している。図１９中、領域Ｓ１０は、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第２ワイヤー７２の端子接合部７６が、検査用端子４６ｅから離れた位置で半導体基板４２と接合している領域を示す。
Further, in this embodiment, in a plan view seen from the
以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１と同様な効果を得ることができる。 As described above, according to this embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
７．実施形態７
次に、実施形態７に係る半導体装置２４ｆについて、図２０を参照して説明する。
実施形態７の半導体装置２４ｆは、実施形態１と比べ、検査用端子４６に代わり、検査用端子４６ｆが配置されること以外は、実施形態１と同様である。半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｆと、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部と、が重なるように、検査用端子４６ｆは配置される。これにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｆとの接触面積Ｓ５ｆは、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも、小さくなる。
なお、上述した実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
7. Embodiment 7
Next, a
The
Note that the same components as those in the first embodiment described above are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図２０に示すように、検査用端子４６ｆは、第１検査用電極４６１と、第２検査用電極４６２と、を有する。半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第１検査用電極４６１と、第２検査用電極４６２と、は互いに離間して配置される。つまり、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第１検査用電極４６１と、第２検査用電極４６２と、の間には間隙が形成される。なお、説明の都合上、図２０では、第２ワイヤー７２の端子接合部７６を透過して図示し、端子接合部７６以外の第２ワイヤー７２の図示を省略している。
As shown in FIG. 20, the
本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第１検査用電極４６１と、第２検査用電極４６２と、は互いに寸法が同じ長方形状である。第１検査用電極４６１が有する長辺と、第２検査用電極４６２が有する長辺と、は対向して配置される。つまり、第１検査用電極４６１が有する長辺と、その長辺に対向して配置される第２検査用電極４６２が有する長辺と、の間には間隙が形成される。
In this embodiment, the
半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｆと、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部と、が重なるように、検査用端子４６ｆは配置される。換言すると、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第２ワイヤー７２と検査用端子４６ｆとは、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部が検査用端子４６ｆと重なるように、接合される。詳細には、第２ワイヤー７２の端子接合部７６は、第１検査用電極４６１と第２検査用電極４６２とに跨るように配置される。これにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｆとの接触面積Ｓ５ｆは、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と第１検査用電極４６１との接触面積Ｓ５１と、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と第２検査用電極４６２との接触面積Ｓ５２と、の和となる。
The
また、本実施形態では、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、第１検査用電極４６１と第２検査用電極４６２との間に形成される間隙において、第２ワイヤー７２の端子接合部７６は、検査用端子４６ｆおよび半導体基板４２とは接触していない。ただし、第１検査用電極４６１と第２検査用電極４６２との間に形成される間隙において、第２ワイヤー７２の端子接合部７６は、半導体基板４２と接触しても構わない。
Furthermore, in the present embodiment, the terminal of the second wire 72 is located in the gap formed between the
半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｆと、第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部と、が重なるように、検査用端子４６ｆを配置することにより、第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｆとの接触面積Ｓ５ｆは、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４（図１７参照）よりも、小さくなる。
By arranging the
第２ワイヤー７２の端子接合部７６と検査用端子４６ｆとの接触面積Ｓ５ｆを、第１ワイヤー７１の端子接合部７４と入出力用端子４４との接触面積Ｓ４よりも小さくすることにより、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合強度よりも、検査用端子４６ｆと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合強度は小さくなる。
By making the contact area S5f between the terminal
そのため、衝撃や熱などによる応力がインクカートリッジ１０に加えられたとき、入出力用端子４４と第１ワイヤー７１の端子接合部７４との接合面と比べ、検査用端子４６ｆと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面は破壊され易い。
Therefore, when stress due to impact or heat is applied to the
検査用端子４６ｆと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面が破壊されると、検査用端子４６ｆと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との間の電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することにより、検査用端子４６ｆと第２ワイヤー７２の端子接合部７６との接合面に破壊が生じているか否かを判定することができる。換言すると、この電気的特性の変化を検出することにより、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｆに加えられたか否かを判定することができる。
When the bonding surface between the
使用済みのインクカートリッジ１０を回収したメーカーやベンダーは、回収したインクカートリッジ１０の再整備時において、検査用端子４６ｆに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、に図示しない測定装置を接続する。
この測定装置は、検査用端子４６ｆに電気的に接続されるリード６４と、接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４と、の間に形成される電気的導通路の電気的導通度を測定する。詳細には、この測定装置は、電気抵抗を測定する。
When the manufacturer or vendor who collects the used
This measuring device measures the degree of electrical conductivity of the electrical conduction path formed between the lead 64 electrically connected to the
この測定装置により測定された電気抵抗値、すなわち、検査用端子４６ｆに電気的に接続されるリード６４と接地端子４４Ａに電気的に接続されるリード６４との間の電気抵抗値が、所定の閾値以上であるとき、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｆに加えられたと判定する。所定の閾値は、例えば、１ＭΩである。
The electrical resistance value measured by this measuring device, that is, the electrical resistance value between the lead 64 electrically connected to the
このようにして、衝撃や熱などによる応力が半導体装置２４ｆに加えられたか否かを判定することができる。換言すると、衝撃や熱による応力がインクカートリッジ１０に加えられたか否かを判定することできる。
In this way, it can be determined whether stress due to impact, heat, etc. has been applied to the
インクカートリッジ１０に衝撃や熱などによる応力が加えられたと判定されたとき、損傷した可能性がある半導体装置２４ｆは、正常な半導体装置２４ｆに交換される。これにより、再整備されたインクカートリッジ１０の信頼性が向上する。
When it is determined that stress due to impact or heat has been applied to the
なお、第１検査用電極４６１および第２検査用電極４６２の形状は、長方形以外の形状でも構わない。つまり、半導体基板４２の上面４２Ａ側から見た平面視で、検査用端子４６ｆと第２ワイヤー７２の端子接合部７６の一部とが重なるように検査用端子４６ｆが配置されて、接触面積Ｓ４よりも接触面積Ｓ５ｆが小さくなる限りにおいて、第１検査用電極４６１および第２検査用電極４６２は、任意の形状であって構わない。
Note that the
以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１と同様な効果を得ることができる。 As described above, according to this embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
以上、半導体装置２４～２４ｆについて、実施形態１～実施形態７に基づいて説明した。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていても構わない。また、各実施形態を適宜組み合わせても構わない。また、本開示における「同じ」および「等しい」は、製造ばらつきを含む概念であり、製造ばらつきの範囲内で異なっていても構わない。
The
１０…インクカートリッジ、２０…回路基板、２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ…半導体装置、４０…半導体チップ、４２，４２ｃ…半導体基板、４４，４４ｂ，４４ｃ…入出力用端子、４４Ａ，４４Ａｂ，４４Ａｃ…接地端子、４６，４６ａ，４６ｂ，４６ｅ，４６ｆ…検査用端子、４８…内部回路、５０，５０ａ…配線、６０…配線基板、６２…ダイパッド、６４…リード、７０…ワイヤー、７１…第１ワイヤー、７２…第２ワイヤー、７４…端子接合部、７６，７６ｄ…端子接合部、Ｓ１…接触面積、Ｓ２…接触面積、Ｓ４…接触面積、Ｓ５…接触面積、Ｓ５ｅ…接触面積、Ｓ５ｆ…接触面積、ｔ１…厚さ、ｔ２…厚さ。 10... Ink cartridge, 20... Circuit board, 24, 24a, 24b, 24c, 24d, 24e, 24f... Semiconductor device, 40... Semiconductor chip, 42, 42c... Semiconductor board, 44, 44b, 44c... Input/output terminal, 44A, 44Ab, 44Ac...Ground terminal, 46, 46a, 46b, 46e, 46f...Test terminal, 48...Internal circuit, 50, 50a...Wiring, 60...Wiring board, 62...Die pad, 64...Lead, 70...Wire , 71...First wire, 72...Second wire, 74...Terminal joint, 76, 76d...Terminal joint, S1...Contact area, S2...Contact area, S4...Contact area, S5...Contact area, S5e...Contact Area, S5f...Contact area, t1...Thickness, t2...Thickness.
Claims (3)
前記入出力用端子および前記検査用端子とそれぞれ接続されるワイヤーと、
前記入出力用端子および前記検査用端子と前記ワイヤーを介して接続される配線基板と、を備える、
半導体装置。 a semiconductor substrate including an internal circuit, an input/output terminal connected to the internal circuit, and an inspection terminal having a contact area with the semiconductor substrate smaller than a contact area between the semiconductor substrate and the input/output terminal; a semiconductor chip having
Wires connected to the input/output terminal and the inspection terminal, respectively;
A wiring board connected to the input/output terminal and the inspection terminal via the wire,
Semiconductor equipment.
前記入出力用端子および前記検査用端子とそれぞれ接続されるワイヤーと、
前記入出力用端子および前記検査用端子と前記ワイヤーを介して接続される配線基板と、を備える、
半導体装置。 a semiconductor chip having a semiconductor substrate including an internal circuit, an input/output terminal connected to the internal circuit, and an inspection terminal having a thickness smaller than the input/output terminal;
Wires connected to the input/output terminal and the inspection terminal, respectively;
A wiring board connected to the input/output terminal and the inspection terminal via the wire,
Semiconductor equipment.
前記入出力用端子と接続される第１ワイヤーと、
前記検査用端子と接続される第２ワイヤーと、
前記入出力用端子と前記第１ワイヤーを介して接続され、前記検査用端子と前記第２ワイヤーを介して接続される配線基板と、を備え、
前記検査用端子と前記第２ワイヤーとの接触面積は、前記入出力用端子と前記第１ワイヤーとの接触面積よりも小さい、
半導体装置。 a semiconductor chip having a semiconductor substrate including an internal circuit, input/output terminals connected to the internal circuit, and inspection terminals;
a first wire connected to the input/output terminal;
a second wire connected to the test terminal;
A wiring board connected to the input/output terminal via the first wire and connected to the inspection terminal via the second wire,
The contact area between the test terminal and the second wire is smaller than the contact area between the input/output terminal and the first wire.
Semiconductor equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022090101A JP2023177434A (en) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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ID=89123797
Family Applications (1)
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| Country | Link |
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-
2022
- 2022-06-02 JP JP2022090101A patent/JP2023177434A/en active Pending
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