KR100272914B1 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
제조 기간의 단축, 집적도의 향상, 소형화, 및 적응 범위의 확대를 도모한다.It aims to shorten the manufacturing period, improve the integration degree, reduce the size, and expand the adaptation range.
다수 종류의 커스텀 회로에 대하여 범용성이 있는 기본기능, 공통 기능을 구비한 공통 기본 회로(11) 및 다수의 범프 전극(14)으로 구성된 옵션 접속부(15)가 형성된 머더 칩(1)에, 공통 기본 회로(11)에 대한 각종 변경을 담아 넣은 옵션 회로 및 다수의 범프 전극(21)으로 이루어지는 접속부가 형성된 옵션 칩(2)을, 다수의 범프 전극(14) 및 다수의 범프 전극(21)을 서로 대응 접속하여 탑재한다. 머더칩(1) 및 옵션 칩(2)은 별도로 제작할 수 있고, 또한, 옵션 탑재부(15)의 영역에도 공통 기본 회로(11)가 형성될 수 있다.The common basic to the mother chip 1 in which the basic connection which is universal with respect to many types of custom circuits, the common basic circuit 11 with common functions, and the option connection part 15 comprised from the several bump electrodes 14 were formed. The option chip 2 containing the various changes to the circuit 11 and the option chip 2 including the connection part formed of the plurality of bump electrodes 21 are formed, and the plurality of bump electrodes 14 and the plurality of bump electrodes 21 are connected to each other. Correspond to the connection and mount. The mother chip 1 and the option chip 2 can be manufactured separately, and a common basic circuit 11 can also be formed in the region of the option mounting part 15.
Description
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 특히 사용자의 요구를 담은 커스텀 회로 부분을 포함하는 반도체 집적 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
사용자의 요구를 담은 커스텀 회로 부분을 포함하는 반도체 집적 회로는 1장의 칩상에, 많은 커스텀 회로 부분에 대하여 공통인 기본적인 회로 부분과, 개개의 사용자를 향한 커스텀회로 부분을 형성하는 경우가 많다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] A semiconductor integrated circuit including a custom circuit portion that meets the needs of a user often forms, on one chip, a basic circuit portion common to many custom circuit portions and a custom circuit portion for an individual user.
이러한 반도체 집적 회로의 종래의 제 1 예의 칩의 레이아웃도를 제5도에 도시한다.5 is a layout diagram of a chip of the first conventional example of such a semiconductor integrated circuit.
상기 반도체 집적 회로는 1장의 반도체 기판의 소정의 영역에, 다수 종류의 커스텀 회로에 대하여 범용성이 있는 소정의 기본 기능, 공통 기능을 구비한 공통 기본 회로(11a)와, 이 공통 기본 회로(11a)의 영역외 PD 소정의 영역에 공통 기본회로(11a)의 소정의 부분에 대한 규정 변경 기능 변경, 기능 추가 등을 포함하는 각종 변경을 담아 넣은 커스텀 회로(20)와, 반도체 기판의 주변부에, 공통 기본 회로(111a) 및 커스텀 회로(20)와 외부 회로를 접속하는 다수의 전극 패드(12)가 형성된 집적 회로 칩(10)을 갖는 구성으로 되어 있다.The semiconductor integrated circuit includes a common basic circuit 11a having a predetermined basic function and a common function that are versatile for a plurality of types of custom circuits in a predetermined region of one semiconductor substrate, and the common basic circuit 11a. The custom circuit 20 in which various modifications including a change of a prescribed function for a predetermined portion of the common basic circuit 11a, addition of a function, etc. are stored in a predetermined region of the PD outside the region of the PD, and the peripheral portion of the semiconductor substrate is common. The
이러한 반도체 집적 회로를 제조하는 경우, 제조 기간(TAT)을 단축하기 위해서, 커스텀 회로(20)를 제외한 부분은 미리 제작해 두고, 커스텀 회로(20) 부분은 수주에 따라서, 사용자의 요구를 담아 후속 공정에서 제조해 넣는 방법을 취하고 있다. 이렇게 함에 따라, 후속 공정으로 제조해 넣는 커스텀 회로(20) 부분은 집적 회로 칩(10) 전체와 비교하면 작기 때문에, 수주로부터 납품까지의 제조 기간, 집적 회로 칩(10) 전체의 제조기간을 단축할 수 있다.In the case of manufacturing such a semiconductor integrated circuit, in order to shorten the manufacturing period (TAT), parts except for the custom circuit 20 are manufactured in advance, and the custom circuit 20 part is made according to the user's request according to the order. It takes the method to manufacture in a process. As a result, since the portion of the custom circuit 20 manufactured in the subsequent process is smaller than the
또한, 개발 기간이 짧고, 또한 다품종 소량 생산에 대응할 수 있는 커스텀형 반도체 집적 회로로서, 일본특허공개 평4-199742호 공보 기재의 예가 있다. 이 공보를 참조하여 작성한 종래의 반도체 집적 회로의 제 2 예의 레이아웃도 및 부분확대측면도를 제6(a),(b)도에 도시한다.In addition, there is an example of Japanese Patent Laid-Open No. 4-199742 as a custom semiconductor integrated circuit that has a short development period and can cope with a small quantity production of a large variety of products. The layout diagram and partial enlarged side view of a second example of a conventional semiconductor integrated circuit created with reference to this publication are shown in FIGS. 6 (a) and (b).
이 반도체 집적 회로는 기판의 주변 부분 및 그 안쪽의 소정의 위치에 설치된 다수의 전극 패드(31) 및 이들 다수의 전극 패드와 접속하여 사용자의 요구에 따라서 배선 경로나 배선, 전극 패드간의 접속 등이 결정되는 커스텀화된 배선을 구비한 모듈 기판(30)과, 이 모듈 기판의 안쪽의 전극 패드(81)와 접속하여 모듈 기판(30)에 탑재되어 집적 회로 전체를 구성하는 다수의 칩(40)을 갖는 구성으로 되어 있다.The semiconductor integrated circuit is connected to a plurality of electrode pads 31 provided at the periphery of the substrate and a predetermined position therein, and to the plurality of electrode pads so that wiring paths, wiring, connection between the electrode pads, etc. can be made according to a user's request. A plurality of
이 반도체 집적 회로의 모듈 기판(30)은 다수의 배선이 평행하게 달리는 배선층을 복치층, 각 층간의 배선이 상호 교차하도록 형성하여, 이들 각 중간의 배선 및 배선·전극 패드간의 접속을, 기록 회로에 의해 사용자의 요구에 따라서 완성하도록 되어 있고, 탑재되는 칩(40)의 내용에 따라서, 배선 경로, 배선과 주변의 전극 패드(31) 사이의 접속, 배선과 안쪽(칩(40)을 탑재 접속한다)의 전극 패드(31)의 접속을 결정할 수 있다. 또한, 다수의 칩(40) 각각은 평행하여 설계, 제작할 수 있다. 따라서, 다품종 소량 생산이라도, 개발 기간, 제조 기간을 짧게 할 수 있다.The
상술한 종래의 반도체 집적 회로는 제 1 예에서는 커스텀 회로(20) 부분 이외를 미리 제작해 두고, 커스텀 회로(20)부분은 수주 후, 후속 공정으로 제조해 넣는 구조로 되어 있기 때문에, 후속 공정에서 제조해 넣은 부분이 적고, 수주로부터 납품까지의 제조 기간, 집적 회로 칩(10) 전체의 제조 기간을 단축할 수 있지만, 커스텀 회로(20) 부분 이외의 부분의 제작과, 커스텀 회로(20) 부분의 제작이 시간적으로 완전히 시리얼(serial)로 되기 때문에, 제조 기간의 단축에는 한계가 있고, 또한, 제조 기간의 단축이 곤란한 문제점과, 커스텀 회로(20)의 형성 영역이 한정되기 때문에, 커스텀화에 대한 적응 범위가 좁은 문제점이 있다.In the above-described conventional semiconductor integrated circuit, in the first example, a part other than the custom circuit 20 part is manufactured in advance, and the custom circuit 20 part is manufactured in a subsequent step after several weeks. Although there are few parts manufactured, the manufacturing period from an order to delivery and the manufacturing period of the whole integrated
또한, 제 2 예에서는 모듈 기판(30)은 그 제조 후에도 배선 및 전극 패드(81)를 칩(40)의 내용에 맞추어 결정할 수 있기 때문에, 개발기간이 짧고, 또한 다품종 소량 생산에 대응할 수 있지만, 모듈 기판(30)은 범용성을 높이기 위해서 실제로 사용하지 않는 배선이 많아 그 면적이 커진다고 하는 문제점과, 모듈 기판(30)에는 배선 및 전극 패드(31) 및 이들의 접속제어를 위한, 기록회로만이 설치되어 있어 집적 회로 본래의 회로는 칩(40)에만 형성되어 있는 배선과 집적 회로가 별개의 기판으로 되기 때문에, 전체가 대형화하여, 집적도가 낮다고 하는 결점과, 미세화가 진행하여 인접하는 전극 패드(31)간의 간격이 좁게 되면, 모듈 기판(30)의 전극 패드(31)와 칩(40)의 전극 패드(41)의 위치를 정확히 맞추어 접속할 필요가 있지만, 그 위치 맞춤(얼라인먼트)을 위한 수단이 없기 때문에, 전극 패드(31, 41)사이의 오류 접속이나 인접하는 전극 패드끼리가 단락하는 좋지 않은 상황이 발생하기 쉽다고 하는 문제점과, 칩(40)이 전극 패드(31, 41)의 접속만으로 모듈 기판(30)에 탑재되어 있기 때문에, 칩(40)에 힘(스트레스)이 가해졌을 때 파손되기 쉬운 문제점이 있다.In addition, in the second example, since the
본 발명의 목적은, 첫째, 집적도의 향상 및 소형화를 꾀함과 동시에 제조 기간을 단축하고 또한 커스텀화에 대응하는 적응 범위를 확대할 수 있고, 제 2에, 미세화 진전시의 오류접속이나 단락 사고의 발생을 방지함과 동시에 칩에 대한 스트레스 인가시의 파손을 방지할 수 있는 반도체 집적 회로를 제공하는데 있다.The object of the present invention is firstly to improve the density and to reduce the size, to shorten the manufacturing period and to expand the adaptation range corresponding to the customization, and secondly, to prevent the error connection and the short circuit accident at the time of miniaturization. The present invention provides a semiconductor integrated circuit capable of preventing occurrence and at the same time preventing breakage upon application of stress to a chip.
본 발명의 반도체 집적 회로는 다수 종류의 커스텀 회로에 대하여 범용성이 있는 소정의 기본 기능, 공통 기능을 구비한 공통 기본 회로 및 이 공통 기본 회로와 접속하여 소정의 위치에 설치된 다수의 제 1 접속 단자를 포함한 옵션 접속부가 형성된 머더 칩부에, 상기 공통 기본 회로의 소정의 부분에 대응하는 규정 변경, 기능 변경, 기능 부가를 포함한 각종 변경을 담은 커스텀 회로 부분의 옵션 회로 및 상기 옵션 접속부의 다수의 제 1 접속 단자 각각과 대응하는 다수의 제 2 접속단자를 포함한 접속부가 형성된 옵션 칩을, 상기 다수의 제 1 접속 단자 및 다수의 제 2 접속 단자를 대응 접속하여 탑재하여 이루어진 구성을 갖고 있다. 또한, 다수의 제 1 및 제 2 접속 단자를 범프 전극으로서 구성한다.The semiconductor integrated circuit of the present invention includes a predetermined basic function that is universal for a plurality of types of custom circuits, a common basic circuit having a common function, and a plurality of first connection terminals provided at predetermined positions in connection with the common basic circuit. An option circuit of a custom circuit portion containing various changes including a prescribed change, a function change, and a function corresponding to a predetermined portion of the common basic circuit, and a plurality of first connections of the option connection portion, on a mother chip portion having an optional connection portion included therein. The option chip in which the connection part containing the several 2nd connection terminal corresponding to each terminal was formed has the structure comprised by mounting the said 1st many connection terminal and many 2nd connection terminal correspondingly. Moreover, many 1st and 2nd connection terminals are comprised as bump electrode.
또한, 머더 칩과 옵션 사이에, 다수의 제 1 및 제 2 접속 단자의 인접하는 접속 단자 사이의 간극 확보용 머더 칩 및 옵션 칩에 가해지는 충격에 대한 강도 강화용 보호·완충층을 설치하여 구성되고, 또한, 머더 칩 및 옵션의 제 1, 제 2접속 단자 사이의 위치에 대응하는 얼라인먼트 수단을 설치하여 구성된다.In addition, between the mother chip and the option, a mother chip for securing the gap between adjacent connection terminals of the plurality of first and second connection terminals and a protective layer for strengthening strength against impacts applied to the option chip are provided. Moreover, it is comprised by providing the alignment means corresponding to the position between a mother chip and an optional 1st, 2nd connection terminal.
또한, 얼라인먼트 수단은 옵션 칩의 소정의 위치에 소정 간격으로 일렬로 배치된 소정 굵기의 다수의 제 1 얼라인먼트용 단자와, 이들 다수의 제 1 얼라인먼트용 단자 각각과 대응하는 머더 칩의 위치에 상기 다수의 제 1 얼라인먼트용 단자는 다른 굵기, 다른 간격으로 일렬로 배치된 다수의 제 2 얼라인먼트용 단자를 구비하여, 상기 다수의 제 1 및 제 2 얼라인먼트용 단자 각각의 대응하는 것끼리의 통전상태를 확인하여 얼라인먼트를 행하는 쇼트노기스 얼라인먼트 시스템으로 구성되고, 또한, 얼라인먼트 수단은, 머더 칩 및 옵션 칩 중의 한쪽에 설치된 선단이 끝이 가늘게 되도록 경사를 갖는 제 1 얼라인먼트용 단자와, 상기 머더 칩 및 옵션 칩 중의 다른쪽에 설치되고 상기 제 1 얼라인먼트용 단자를 삽입하는 삽입 구멍을 갖고 이 삽입 구멍이 개구부에서 넓게 되도록 한 경사를 갖는 제 2 얼라인먼트용 단자를 포함하는 셀프 얼라인먼트 구조로서 구성된다.Further, the alignment means includes a plurality of first alignment terminals having a predetermined thickness arranged in a line at predetermined intervals on the option chip, and the plurality of first alignment terminals at the mother chips corresponding to each of the plurality of first alignment terminals. The first alignment terminals of the plurality of terminals have a plurality of second alignment terminals arranged in a row at different thicknesses and at different intervals to check the energization state of the corresponding ones of the plurality of first and second alignment terminals. And a shortening alignment system configured to perform alignment, and the alignment means includes a first alignment terminal having an inclination such that a tip provided on one of the mother chip and the option chip is tapered, and the mother chip and the option chip. It is installed on the other side and has an insertion hole for inserting the first alignment terminal, and this insertion hole is an opening. Wide so that is configured as a self-alignment structure including a terminal for the second alignment that has a gradient in the.
또한, 머더 칩의 옵션 탑재부 부근에, 상기 옵션 탑재부에 옵션 칩이 탑재되지 않을 때에는 상기 머더 칩 개체로 이 머더 칩내의 공통 기본 회로가 갖는 기능을 달성하는 접속 상태로 하고, 상기 옵션 탑재부에 상기 옵션 칩이 탑재되어 있을때에는, 상기 공통 기본 회로 및 옵션 칩의 옵션 회로를 결합한 상태의 기능을 달성하는 접속 상태로 하는 접속 전환 회로를 설치하여 구성된다.When the option chip is not mounted on the option mounting unit near the option mounting unit of the mother chip, the mother chip unit is connected to achieve the function of the common basic circuit in the mother chip. When the chip is mounted, a connection switching circuit for providing a connection state that achieves the function of combining the common basic circuit and the option circuit of the option chip is provided.
제1도는 본 발명의 제 1 실시 형태를 나타내는 평면도 및 부분 확대 측면도.1 is a plan view and a partially enlarged side view showing a first embodiment of the present invention.
제2도는 본 발명의 제 2 실시 형태를 나타내는 옵션 칩을 탑재한 부분의 평면도 및 측면도.2 is a plan view and a side view of a portion on which an option chip according to a second embodiment of the present invention is mounted.
제3도는 본 발명의 제 3 실시 형태를 나타내는 쇼트노기스 얼라인먼트 부분의 원리 설명용 모식도 및 쇼트노기스부의 배치도.FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle of a short noggin alignment portion showing a third embodiment of the present invention, and a layout view of the short noggins section.
제4도는 본 발명의 제 4 실시 형태를 나타내는 셀프 얼라인먼트 구조의 측면도 및 얼라인먼트 단자 부분의 확대 측면도.4 is a side view of a self-alignment structure and a magnified side view of the alignment terminal portion according to the fourth embodiment of the present invention.
제5도는 종래의 반도체 집적 회로의 제 1 예를 나타내는 평면도.5 is a plan view showing a first example of a conventional semiconductor integrated circuit.
제6도는 종래의 반도체 집적 회로의 제 2 예를 나타내는 평면도 및 부분 확대측면도.6 is a plan view and a partially enlarged side view showing a second example of a conventional semiconductor integrated circuit.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 머더 칩 2 : 옵션 칩1: Mother chip 2: Option chip
3 : 보호 완충층 10 : 집적 회로 칩3: protective buffer layer 10: integrated circuit chip
11, 11a : 공통 기본 회로 12 : 전극 패드11, 11a: common basic circuit 12: electrode pad
13 : 접속 전환 회로 14 : 범프 전극13
15 : 옵션 탑재부 16,17 : 얼라인먼트용 단자15:
20 : 커스텀 회로 21 : 범프 전극20: custom circuit 21: bump electrode
22 : 얼라인먼트용 단자 23x,23y : 쇼트노기스부22:
24 : 얼라인먼트용 단자 80 : 모듈 기판24: terminal for alignment 80: module board
31 : 전극 패드 32 : 배선31 electrode pad 32 wiring
33 : 전도성 접착제 40 : 칩33: conductive adhesive 40: chip
41 : 전극 패드 42 : 범프41: electrode pad 42: bump
다음에 본 발명의 실시의 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, embodiment of this invention is described with reference to drawings.
제1(a),(b)도는 본 발명의 제 1 실시의 형태를 예시하는 평면도 및 부분 확대 측면도이다.1 (a) and (b) are a plan view and a partially enlarged side view illustrating the first embodiment of the present invention.
이 제 1 실시 형태는 반도체 기판의 소정 영역에 다수 종류의 커스텀 회로에 대하여 범용성이 있는 소정의 기본 조작, 공통 기능을 구비한 공통 기본 회로(11), 이 공통 기본 회로(11)와 접속하여 상기 반도체 기판의 주변 부분에 설치된 다수의 전극 패드(12) 및 공통 기본 회로(11)와 접속하여 상기 반도체 기판의 소정 위치에 설치된 다수의 범프 전극(14)을 포함하는 옵션접속부(15)가 형성된 머더 칩(1)에, 공통 기본 회로(11)의 소정의 부분에 대응하는 규정 변경, 기능 변형, 기능 추가 등을 포함한 각종 변경을 담은 커스텀 회로 부분의 옵션 회로(도시 생략) 및 옵션 접속부(15)의 다수의 범프 전극(14) 각각과 대응하는 다수의 범프 전극(21)을 포함하는 접속부가 형성된 옵션 칩(2)을, 다수의 범프 전극(14)과 다수의 범프 전극(21)을 상호 대응 접속하여 탑재한 구성으로 되어 있다.This first embodiment is connected to a common basic circuit 11 having a predetermined basic operation and a common function that is versatile for a plurality of custom circuits in a predetermined region of a semiconductor substrate, and the common basic circuit 11 described above. Mother formed with the option connecting portion 15 including a plurality of electrode pads 12 provided on the periphery of the semiconductor substrate and the common basic circuit 11 and a plurality of
또, 머더 칩(1)의 접속 전환 회로(13)는 옵션 칩(2)이 탑재되어 있지 않는 상태에서는 머더 칩(1) 개체로 소정의 기능을 달성하는 접속 상태가 되어 있고, 옵션 칩(2)이 탑재되어 있는 상태에서는, 옵션 칩(2)의 기능과 머더 칩(1)의 기능이 결합한 상태를 만들어낼 수 있는 접속 상태가 되도록, 접속 상태를 전환하는 기능을 가지고 있다. 또, 이 접속 상태의 전환은, 퓨즈 소자의 절단, 비절단에 의해 행할 수 있다.In addition, in the state in which the
또한, 커스텀화는 공통 기본 회로(11)의 한정된 소정의 부분, 소정의 신호등에 대한 규정 변경, 기능 변경, 기능 추가 등이 많기 때문에, 이들 각종 변경에 대한 공통 기본 회로(11)와 옵션 칩(2)의 커스텀 회로 부분과의 사이에서 주고 받는 신호의 종류는 어느 정도 한정된다. 따라서, 옵션 탑재부(15) 및 옵션 칩(2)에 형성되는 범프 전극(14,21)의 수라든지 배치는 여러 종류의 커스텀 회로 부분(따라서 옵션 칩(2))에 대하여 공통으로 할 수 있다.Further, since the customization is often limited to a predetermined part of the common basic circuit 11, a change in regulations for a predetermined signal lamp, a function change, a function addition, and the like, the common basic circuit 11 and the option chip (for example) The types of signals exchanged with the custom circuit part of 2) are somewhat limited. Therefore, the number and arrangement of the
머더 칩(1)은 여러 종류의 옵션 칩(2)에 대하여 공통이고, 더우기 접속 절단회로(13)에 의해서 단독으로 기능 확인, 검사 등이 가능하므로, 수주전에 미리 제작 및 검사를 해 둘 수 있다. 또한, 옵션 칩(2)의 종류도 한정되기 때문에, 이러한 종류의 옵션 칩(2)을 머더 칩(1)과는 다른 공정에서 미리 제작해 둘 수 있으며, 사용자의 요구에 따라서 제작이 끝난 옵션 칩(2)을 선택하여 머더 칩(1)에 탑재하고, 접속 전환 회로(13)에 의해 머더 칩(1)및 옵션 칩(2)간의 신호의 주고 받음을 가능하게 하며, 커스텀화된 반도체 집적 회로로 할 수 있다. 또한, 새로운 커스텀화라도, 옵션 칩(2)의 제작으로 대응할 수 있다. 따라서 수주에서 납품까지의 제조 기간을 종래의 제 1 예보다 대폭 단축할 수 있다. 또한, 옵션 칩(2)의 면적에 대한 제약이 작으므로, 커스텀화에 대한 적응 범위를 넓게 할 수 있다.The
또한, 머더 칩(1)의 옵션 탑재부(15)의 영역에도 공통 기본 회로(11)를 형성할 수 있으므로, 종래의 제 1 및 제 2의 예보다 집적도를 향상시킬 수 있고, 또한 소형화할 수 있다.In addition, since the common basic circuit 11 can be formed in the area of the option mounting unit 15 of the
제2(a),(b)도는 본 발명의 제 2 실시 형태를 나타내는 옵션 칩을 탑재한 부분의 평면도 및 측면도이다.2 (a) and 2 (b) are a plan view and a side view of a portion on which an option chip according to a second embodiment of the present invention is mounted.
이 제 2 실시 형태는 머더 칩(1)과 옵션 칩(2)의 사이에, 상호 접속하는 범프 전극(14,21)이, 인접하는 것끼리로 접촉하여 단락 사고를 일어나지 않도록 그 간극을 확보하기 위함과, 옵션 칩(2)이나 머더 칩(1)에 외부로부터 충격(힘)이 가해졌을 때에 이 옵션 칩(2) 및 머더 칩(1)이 파손되지 않도록 하기 위해서, 보호완충층(3)을 설치한 것이다.In this second embodiment, the gap between the
보호 완충층(3)은 옵션 칩(2) 및 머더 칩(1)의 적어도 한쪽에, (폴리)이미드·저 유전율 저 레지스트의 PGMA/PMMA 수지를 사용하여, 범프 전극을 노출하기 위해서 리소그래피 기술을 사용하여 형성한다.The protective buffer layer 3 uses a lithography technique to expose the bump electrodes on at least one of the
제3(a),(b)도는 본 발명의 제 3 실시 형태를 나타내는 쇼트노기스 얼라인먼트 부분의 원리 설명용 모식도 및 쇼트노기스부의 배치도이다.3 (a) and 3 (b) are schematic diagrams for explaining the principle of the short nozzle alignment part and the layout diagram of the short nozzle part of the third embodiment of the present invention.
미세화가 진전하여 인접하는 범프 전극(14,21)사이가 좁게 되면, 머더 칩(1)에 탑재하는 옵션 칩(2)의 탑재 위치 정밀도를 높게 할 필요가 있다. 또한, 머더 칩(1)과 옵션 칩(2)의 사이의 간격은 좁기 때문에, 서로 대응하는 범프 전극(14,21)이 정확한 위치에서 접속되어 있는지의 여부를 확인할 수 없다.When miniaturization advances and the
그리하여, 노기스의 원리를 응용하여, 예를 들면 제3(a)도와 같은 사이즈로 다수의 얼라인먼트용 단자(16,22)를 머더 칩(1) 및 옵션 칩(2)에 배치한 다수의 쇼트노기스부(23x,23y)를 설치하여, 상호 대응하는 얼라인먼트용 단자(16,22)간의 통전이 있는지의 여부를 센서(4) 및 전원(E)에 의해 확인함으로써, 옵션 칩(2)의 정확한 탑재 위치를 결정한다. 대응하는 얼라인먼트용 단자간에서 전부에 통전이 있을 때, 정확한 위치가 된다.Thus, by applying the principle of Noggins, for example, a plurality of short-nose devices in which a plurality of
얼라인먼트용 단자(16,22)는 그 높이를 범프 전극(14,21)에 의해 약간 높게하여, 대응하는 얼라인먼트용 단자(16,22)가 가볍게 접촉하는 상태에서는 범프 전극(14,21)은 접촉하지 않도록 해 두고 이들 사이의 통전을 확인하여, 정확한 위치가 결정되었을 때, 대응하는 얼라인먼트용 단자(16,22)를 강하게 접촉시킴으로써(다소의 변형은 문제 없다), 대응하는 범프 전극(14, 21)끼리를 접촉시킨다. 이렇게 함으로써, 정확한 위치에서 대응하는 범프 전극(14,21)끼리를 접속할 수 있다.The
제4(a),(b)도는 본 발명의 제 4 실시 형태를 나타내는 셀프 얼라인먼트 구조의 측면도 및 얼라인먼트용 단자 부분의 확대측면도이다.4 (a) and 4 (b) are side views of the self-alignment structure showing the fourth embodiment of the present invention and enlarged side views of the alignment terminal portion.
이 셀프얼라인먼트 구조는 옵션 칩(2)측에, 그 높이가 범프 전극(21)보다 높고, 선단이 끝이 가늘게 되도록 경사를 가지는 얼라인먼트용 단자(24)가 설치되고, 머더 칩(1)측에, 그 높이가 범프 전극(14)보다 높고, 얼라인먼트용 단자(24)를 삽입하는 삽입 구멍을 가지고 이 삽입 구멍이 개구부에서 넓어지도록 경사를 가지는 얼라인먼트용 단자(17)가 설치된 구성으로 되어 있다. 이러한 구조, 구성으로 함으로써 얼라인먼트용 단자(24)를 얼라인먼트용 단자(17)의 삽입 구멍에 삽입하기만 해도, 머더 칩(1) 및 옵션 칩(2)의 대응하는 위치를 정확히, 또한 용이하게 결정할 수 있다. 따라서, 이러한 얼라인먼트용 단자(17,24)를 다수 장소에 설치함으로써, 머더 칩(1)에 대한 옵션 칩(2)의 탑재 위치를 정확히, 또한 용이하게 결정할 수 있다.This self-alignment structure is provided on the
또, 제 2 내지 제 4 실시 형태는 이들을 조합하여 적용할 수 있다. 또한, 옵션 칩(2) 및 대응하는 옵션 탑재부(15)는 하나에 한정되지 않고, 다수 설치하는 것도 가능하다.Moreover, 2nd-4th embodiment can be applied combining these. In addition, the
이상 설명한 바와 같이 본 발명은, 다수 종류의 커스텀회로에 대하여 범용성이 있는 기본 기능, 공통 기능을 구비한 공통 기본 회로, 및 옵션 접속부가 형성된 머더 칩과, 공통 기본 회로에 대한 각종 변경을 담아 넣은 옵션 회로 및 접속부가 형성된 옵션 칩을 따로 따로 제작하여, 옵션 칩을 머더 칩에 탑재하는 구성으로 함에 따라, 머더 칩 및 옵션 칩을 동시에 미리 제작해 둘 수 있고, 또한 새로운 옵션화라도 옵션 칩의 제작으로 대응할 수 있기 때문에, 수주로부터 납품까지의 제조기간을 단축할 수 있으며, 또한, 종래의 제 2 예와 같은 사용하지 않는 배선, 패드등은 없고, 옵션 탑재부에도 공통 기본 회로를 형성하여 2층 구조로 할 수 있으므로, 집적도가 향상되어 소형화할 수 있으며, 또한, 옵션 칩의 면적에 대한 제약이 작기 때문에, 커스텀화에 대한 적응 범위를 확대할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention provides a multi-purpose basic function for a plurality of custom circuits, a common basic circuit having a common function, and a mother chip on which an optional connection part is formed, and an option containing various modifications to the common basic circuit. By making an option chip with a circuit and a connection part separately and mounting the option chip on the mother chip, the mother chip and the option chip can be manufactured at the same time in advance, and a new option can be produced by the option chip. In this way, the manufacturing period from order to delivery can be shortened, and there is no unused wiring and pads as in the conventional second example. As a result, the degree of integration can be improved and downsized, and since the constraint on the area of the option chip is small, it is possible to customize it. There is an effect that can extend the range of adaptation.
또한, 머더 칩과 옵션 칩의 사이에는 보호 완충층을 설치한 구성으로 함에 의해, 미세화가 진전하더라도 오류 접속이나 인접 단자간의 단락 사고의 발생 및 칩에 대한 충격, 스트레스 인가시의 칩의 파손을 방지할 수 있는 효과가 있어, 얼라인먼트 수단을 설치한 구성으로 하는 것에 의해, 미세화가 진전하더라도 옵션 칩을 머더 칩의 정확한 위치에 정확히 탑재할 수 있고 오류 접속, 단락 사고 등의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, by providing a protective buffer layer between the mother chip and the option chip, even if miniaturization progresses, occurrence of a fault connection or a short circuit between adjacent terminals, damage to the chip during impact or stress application, can be prevented. It is possible to effectively mount the option chip at the exact position of the mother chip even if the miniaturization progresses, and to prevent the occurrence of an error connection or a short circuit accident. have.
Claims (6)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8300101A JP2845847B2 (en) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | Semiconductor integrated circuit |
JP96-300101 | 1996-11-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980042497A KR19980042497A (en) | 1998-08-17 |
KR100272914B1 true KR100272914B1 (en) | 2000-11-15 |
Family
ID=17880732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970060395A KR100272914B1 (en) | 1996-11-12 | 1997-11-12 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6037666A (en) |
EP (1) | EP0841700A3 (en) |
JP (1) | JP2845847B2 (en) |
KR (1) | KR100272914B1 (en) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000039853A1 (en) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Infineon Technologies Ag | Vertically integrated semiconductor arrangement |
US6965166B2 (en) | 1999-02-24 | 2005-11-15 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device of chip-on-chip structure |
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JP4091838B2 (en) | 2001-03-30 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | Semiconductor device |
EP1328015A3 (en) * | 2002-01-11 | 2003-12-03 | Hesse & Knipps GmbH | Method of bonding a flip chip |
JP2004186314A (en) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Rohm Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
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JPH10144862A (en) | 1998-05-29 |
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