JP2023170414A - Member for wiring formation, laminate film for wiring formation, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、配線形成用部材、配線形成用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a member for forming wiring, a laminated film for forming wiring, and a method for manufacturing a semiconductor device.
高密度実装可能な先端パッケージの1つとして、FO-WLP(Fan-Out Wafer Level Packaging)が知られている。FO-WLPは、チップ上に形成された微細な再配線層(RDL:Redistribution Layer)が、チップの外形より外側に拡張されて形成されている構造のパッケージである。FO-WLPの組み立て工程は、2つに大別することができる。1つは、チップをはじめに搭載してから再配線層を形成する方法であり、Chip First法と呼ばれる。もう1つは、再配線層をはじめに形成してからチップを搭載する方法であり、RDL-First(Redistribution Layer-First)法と呼ばれる。 FO-WLP (Fan-Out Wafer Level Packaging) is known as one of the advanced packages capable of high-density packaging. The FO-WLP is a package having a structure in which a fine redistribution layer (RDL) formed on a chip is extended outside the outer shape of the chip. The FO-WLP assembly process can be roughly divided into two. One method is to first mount a chip and then form a rewiring layer, which is called the Chip First method. The other method is to first form a redistribution layer and then mount the chip, which is called the RDL-First (Redistribution Layer-First) method.
近年、RDL-First法によるパッケージ(配線層付き半導体部材)の製造プロセスに好適に使用される配線形成用部材の開発が進められている。例えば、特許文献1には、キャリア(支持部材)と、ニッケル合金層と、炭素層と、極薄銅層とを備えるキャリア付銅箔(配線形成用部材)が開示されている。
In recent years, progress has been made in the development of wiring forming members suitable for use in the manufacturing process of packages (semiconductor members with wiring layers) using the RDL-First method. For example,
RDL-First法による配線層付き半導体部材の製造プロセスにおいては、支持部材上の最表面にある金属層を加工して配線層(再配線層)を形成し、又は、金属層上に配線層(再配線層)を設け、必要に応じて、半導体チップを搭載してパッケージ(配線層付き半導体部材)を作製した後に、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する必要がある。しかしながら、従来の配線形成用部材では、支持部材と配線層付き半導体部材との分離が容易ではなく、この点の改善が求められている。 In the manufacturing process of a semiconductor member with a wiring layer using the RDL-First method, a metal layer on the outermost surface of a support member is processed to form a wiring layer (rewiring layer), or a wiring layer (rewiring layer) is formed on the metal layer. It is necessary to separate the support member and the semiconductor member with a wiring layer after providing a rewiring layer) and, if necessary, mounting a semiconductor chip and producing a package (semiconductor member with a wiring layer). However, in the conventional wiring forming member, it is not easy to separate the supporting member and the semiconductor member with a wiring layer, and there is a need for improvement in this point.
そこで、本開示は、配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能な配線形成用部材を提供することを主な目的とする。 Therefore, it is an object of the present disclosure to provide a wiring forming member that can be used in the manufacturing process of a semiconductor member with a wiring layer and that can easily separate a supporting member and a semiconductor member with a wiring layer. Main purpose.
本開示の一側面は、配線形成用部材に関する。当該配線形成用部材は、支持部材と、第1の樹脂層と、第2の樹脂層と、金属層とをこの順に備える。第1の樹脂層は、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。第2の樹脂層は、第2の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。導電性粉体は、カーボンブラックであってよい。このような配線形成用部材によれば、パッケージ(配線層付き半導体部材)の製造プロセスに好適に使用することが可能であり、支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射することによって、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能となる。 One aspect of the present disclosure relates to a wiring forming member. The wiring forming member includes a support member, a first resin layer, a second resin layer, and a metal layer in this order. The first resin layer contains a first curable resin composition containing conductive powder or a cured product thereof. The second resin layer contains a second curable resin composition or a cured product thereof. The conductive powder may be carbon black. According to such a wiring forming member, it can be suitably used in the manufacturing process of a package (semiconductor member with a wiring layer), and by irradiating light containing at least infrared light from the supporting member side, It becomes possible to easily separate the support member and the semiconductor member with a wiring layer.
本開示の他の側面は、配線形成用積層フィルムに関する。当該配線形成用積層フィルムは、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物を含有する第1の硬化性樹脂層と、第2の硬化性樹脂組成物を含有する第2の硬化性樹脂層と、金属層とをこの順に備える。導電性粉体は、カーボンブラックであってよい。 Another aspect of the present disclosure relates to a laminated film for forming wiring. The laminated film for wiring formation includes a first curable resin layer containing a first curable resin composition containing conductive powder, and a second curable resin layer containing a second curable resin composition. A resin layer and a metal layer are provided in this order. The conductive powder may be carbon black.
本開示の他の側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記の配線形成用部材を準備する工程と、金属層を加工して配線層を形成する工程と、配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、積層体の第1の樹脂層に対して支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える。当該半導体装置の製造方法の他の実施形態は、上記の配線形成用部材を準備する工程と、金属層上に配線層を形成する工程と、配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、積層体の第1の樹脂層に対して支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える。 Another aspect of the present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor device. One embodiment of the method for manufacturing the semiconductor device includes a step of preparing the above-mentioned wiring forming member, a step of processing a metal layer to form a wiring layer, and a step of arranging a semiconductor member on the wiring layer and forming the wiring layer. irradiating the first resin layer of the laminate with light containing at least infrared light from the side of the supporting member to separate the supporting member and the semiconductor member with the wiring layer; and a step of separating. Another embodiment of the method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of preparing the above wiring forming member, forming a wiring layer on the metal layer, placing the semiconductor member on the wiring layer, and forming the wiring layer with the wiring layer. A step of producing a laminate including a semiconductor member, and irradiating a first resin layer of the laminate with light containing at least infrared light from the support member side to separate the support member and the semiconductor member with a wiring layer. and a step of doing so.
本開示によれば、配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能な配線形成用部材が提供される。また、本開示によれば、このような配線形成用部材を形成するために有用な配線形成用積層フィルムが提供される。さらに、本開示によれば、このような配線形成用部材を用いた半導体装置の製造方法が提供される。 According to the present disclosure, there is provided a wiring forming member that can be used in the manufacturing process of a semiconductor member with a wiring layer and that can easily separate a support member and a semiconductor member with a wiring layer. Further, according to the present disclosure, a laminated film for wiring formation useful for forming such a member for wiring formation is provided. Furthermore, according to the present disclosure, a method of manufacturing a semiconductor device using such a wiring forming member is provided.
以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素(ステップ等も含む)は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。 Embodiments of the present disclosure will be described below with appropriate reference to the drawings. However, the present disclosure is not limited to the following embodiments. In the following embodiments, the constituent elements (including steps, etc.) are not essential unless otherwise specified. The sizes of the components in each figure are conceptual, and the relative size relationships between the components are not limited to those shown in each figure.
本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。 The same applies to the numerical values and their ranges in this disclosure, and they do not limit the present disclosure. In this specification, a numerical range indicated using "-" indicates a range that includes the numerical values written before and after "-" as the minimum and maximum values, respectively. In the numerical ranges described step by step in this specification, the upper limit value or lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or lower limit value of another numerical range described step by step. good. Further, in the numerical ranges described in this specification, the upper limit or lower limit of the numerical range may be replaced with the value shown in the Examples.
本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。 In this specification, the term "layer" includes not only a structure formed on the entire surface but also a structure formed on a part of the layer when observed in a plan view. In addition, in this specification, the term "process" does not only refer to an independent process, but also refers to a process that cannot be clearly distinguished from other processes, as long as the intended effect of the process is achieved. included.
本明細書において、(メタ)アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。 As used herein, (meth)acrylate means acrylate or the corresponding methacrylate. The same applies to other similar expressions such as (meth)acryloyl group and (meth)acrylic copolymer.
本明細書中、以下で例示する材料は、特に断らない限り、条件に該当する範囲で、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。各成分の含有量は、各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、当該複数の物質の合計量を意味する。 In this specification, unless otherwise specified, the materials exemplified below may be used alone or in combination of two or more within the range applicable to the conditions. When there are multiple substances corresponding to each component, the content of each component means the total amount of the multiple substances, unless otherwise specified.
[配線形成用部材及び配線形成用積層フィルム]
図1は、配線形成用部材の一実施形態を示す模式断面図である。図1に示される配線形成用部材10は、支持部材1と、第1の樹脂層5aと、第2の樹脂層5bと、金属層3とをこの順に備える。
[Member for wiring formation and laminated film for wiring formation]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a wiring forming member. The
支持部材1は、高い透過率を有し、配線形成時に受ける負荷に耐え得る板状体である。支持部材1としては、例えば、無機ガラス基板、透明樹脂基板等が挙げられる。
The
支持部材1の厚さは、例えば、0.1~2.0mmであってよい。支持部材1の厚さが0.1mm以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にある。支持部材1の厚さが2.0mm以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。
The thickness of the
第1の樹脂層5aは、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する層である。第1の樹脂層5aは、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。第1の硬化性樹脂組成物は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂組成物であり得る。すなわち、第1の樹脂層5aは、少なくとも一部が硬化し、半硬化(Bステージ)状態を経て、その後に加熱処理によって硬化(Cステージ)状態となり得るものであってよい。
The
Bステージとは、ある種の熱硬化性樹脂の反応において、材料がある種の液体に接触する場合には膨潤しかつ加熱する場合には軟化するが、しかし完全には溶解又は溶融しない中間段階を意味し、Cステージとは、ある種の熱硬化性樹脂の反応において、その材料が事実上不溶不融となる最終段階を意味する。 The B stage is an intermediate stage in the reaction of certain thermosetting resins, where the material swells when in contact with certain liquids and softens when heated, but does not completely dissolve or melt. C-stage refers to the final stage in the reaction of certain thermosetting resins, when the material becomes virtually insoluble and infusible.
導電性粉体は、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する導電体の粉末であれば特に制限されない。導電性粉体は、例えば、カーボンブラック(導電性カーボンブラック)であってよい。カーボンブラックとしては、例えば、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、サーマルブラック、チャンネルブラック、ファーネスブラック等が挙げられる。カーボンブラックは、赤外光を含む光を吸収して熱を発生し易いことから、例えば、アセチレンブラックであってよい。 The conductive powder is not particularly limited as long as it is a conductive powder that absorbs light including infrared light and generates heat. The conductive powder may be, for example, carbon black (conductive carbon black). Examples of carbon black include acetylene black, Ketjen black, thermal black, channel black, and furnace black. Carbon black may be, for example, acetylene black because it easily absorbs light including infrared light and generates heat.
導電性粉体の平均一次粒径は、例えば、10~100nmであってよい。導電性粉体の平均一次粒径が10nm以上であると、第1の樹脂層における分散性が良好となる傾向にある。導電性粉体の平均一次粒径が100nm以下であると、第1の樹脂層(第1の樹脂フィルム)の平坦性が良好となり、支持部材との密着性が向上する傾向にある。導電性粉体の平均一次粒径は、20nm以上又は30nm以上であってもよく、80nm以下又は60nm以上であってもよい。なお、導電性粉体の平均一次粒径は、電子顕微鏡画像から一次粒子50個の長径を測定し、その算術平均を測定することによって求めることができる。 The average primary particle size of the conductive powder may be, for example, 10 to 100 nm. When the average primary particle size of the conductive powder is 10 nm or more, the dispersibility in the first resin layer tends to be good. When the average primary particle size of the conductive powder is 100 nm or less, the flatness of the first resin layer (first resin film) tends to be good, and the adhesion with the support member tends to improve. The average primary particle size of the conductive powder may be 20 nm or more or 30 nm or more, and may be 80 nm or less or 60 nm or more. Note that the average primary particle size of the conductive powder can be determined by measuring the major diameters of 50 primary particles from an electron microscope image and measuring the arithmetic mean thereof.
導電性粉体の含有量は、下記の条件(i)及び条件(ii)のうち、少なくとも一方の条件を満たす。導電性粉体の含有量は、条件(i)及び条件(ii)の両方を満たしていてもよい。
条件(i):導電性粉体の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.1~25質量部である。
条件(ii):導電性粉体の含有量は、第1の樹脂層の総量を基準として、0.1~10体積%である。
The content of the conductive powder satisfies at least one of the following conditions (i) and (ii). The content of the conductive powder may satisfy both condition (i) and condition (ii).
Condition (i): The content of the conductive powder is 0.1 to 25 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition.
Condition (ii): The content of the conductive powder is 0.1 to 10% by volume based on the total amount of the first resin layer.
条件(ii)における導電性粉体の含有量(体積%)は、例えば、第1の樹脂層の密度をx(g/cm3)、導電性粉体の密度をy(g/cm3)第1の樹脂層中の導電性粉体の質量割合をz(質量%)としたとき、下記式(I)から算出することができる。なお、第1の樹脂層中の導電性粉体の質量割合は、例えば、熱重量示差熱分析装置(TG-DTA)を用いて、熱重量分析を行うことによって求めることができる。
導電性粉体の含有量(体積%)=(x/y)×z (I)
The content (volume %) of the conductive powder in condition (ii) is, for example, the density of the first resin layer x (g/cm 3 ) and the density of the conductive powder y (g/cm 3 ). When the mass proportion of the conductive powder in the first resin layer is z (mass %), it can be calculated from the following formula (I). Note that the mass proportion of the conductive powder in the first resin layer can be determined by performing thermogravimetric analysis using, for example, a thermogravimetric differential thermal analyzer (TG-DTA).
Content of conductive powder (volume %) = (x/y) x z (I)
導電性粉体の含有量が、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.1質量部以上であること、又は、第1の樹脂層の総量を基準として、0.1体積%以上であることのいずれか一方を満たすことによって、支持部材と配線層付き半導体部材との分離性に優れる傾向にある。条件(i)において、導電性粉体の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.3質量部以上、0.5質量部以上、0.8質量部以上、1質量部以上、3質量部以上、5質量部以上、又は7質量部以上であってもよい。条件(ii)において、導電性粉体の含有量は、第1の樹脂層の総量を基準として、0.2体積%以上、0.3体積%以上、0.4体積%以上、0.5体積%以上、1体積%以上、2体積%以上、又は3体積%以上であってもよい。 The content of the conductive powder is 0.1 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition, or 0.1 parts by mass or more based on the total amount of the first resin layer. By satisfying either of the following conditions: .1% by volume or more, the separability between the supporting member and the semiconductor member with a wiring layer tends to be excellent. In condition (i), the content of the conductive powder is 0.3 parts by mass or more, 0.5 parts by mass or more, and 0.8 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition. parts or more, 1 part or more, 3 parts or more, 5 parts or more, or 7 parts by mass or more. In condition (ii), the content of the conductive powder is 0.2% by volume or more, 0.3% by volume or more, 0.4% by volume or more, 0.5% by volume, based on the total amount of the first resin layer. It may be at least 1% by volume, at least 2% by volume, or at least 3% by volume.
導電性粉体の含有量が、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、25質量部以下であること、又は、第1の樹脂層の総量を基準として、10体積%以下であることのいずれか一方を満たすことによって、支持部材との密着性に優れる傾向にある。条件(i)において、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、22質量部以下又は20質量部以下であってもよい。条件(ii)において、導電性粉体の含有量は、第1の樹脂層の総量を基準として、9.5体積%以下又は9体積%以下であってもよい。 The content of the conductive powder is 25 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition, or 10% by volume based on the total amount of the first resin layer. By satisfying either one of the following conditions, adhesiveness with the supporting member tends to be excellent. In condition (i), the amount may be 22 parts by mass or less or 20 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition. In condition (ii), the content of the conductive powder may be 9.5% by volume or less or 9% by volume or less based on the total amount of the first resin layer.
第1の硬化性樹脂組成物は、導電性粉体に加えて、一実施形態において、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む。このとき、第1の硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤、重合性モノマー、重合開始剤等をさらに含んでいてもよい。 In one embodiment, the first curable resin composition includes a thermoplastic resin and a thermosetting resin in addition to the conductive powder. At this time, the first curable resin composition may further contain a curing accelerator, a polymerizable monomer, a polymerization initiator, and the like.
熱可塑性樹脂は、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であってよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、炭化水素樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、石油樹脂、ノボラック樹脂等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱可塑性樹脂は、炭化水素樹脂であってよい。 The thermoplastic resin may be a thermoplastic resin, or a resin that has thermoplasticity at least in an uncured state and forms a crosslinked structure after heating. Examples of the thermoplastic resin include hydrocarbon resin, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polyetherimide, polyimide, petroleum resin, and novolac resin. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the thermoplastic resin may be a hydrocarbon resin.
炭化水素樹脂は、主骨格が炭化水素で構成される樹脂である。このような炭化水素樹脂としては、例えば、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・1-ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・1-ブテン共重合体エラストマー、エチレン・1-ヘキセン共重合体、エチレン・1-オクテン共重合体、エチレン・スチレン共重合体、エチレン・ノルボルネン共重合体、プロピレン・1-ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体、エチレン・1-ブテン・非共役ジエン共重合体、エチレン・プロピレン・1-ブテン・非共役ジエン共重合体、ポリイソプレン、ポリブタジエン、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体(SBS)、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体(SIS)、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体(SEPS)等が挙げられる。これらの炭化水素樹脂は、水添処理が施されていてもよい。また、これらの炭化水素樹脂は、無水マレイン酸等によってカルボキシ変性されていてもよい。これらのうち、炭化水素樹脂は、スチレンに由来するモノマー単位を含む炭化水素樹脂(スチレン系樹脂)を含んでいてもよく、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体(SEBS)を含んでいてもよい。 Hydrocarbon resin is a resin whose main skeleton is composed of hydrocarbon. Examples of such hydrocarbon resins include ethylene/propylene copolymer, ethylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/1-butene copolymer elastomer, ethylene/1-hexene copolymer, and ethylene/1-hexene copolymer. 1-octene copolymer, ethylene/styrene copolymer, ethylene/norbornene copolymer, propylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/non-conjugated diene copolymer, ethylene/1-butene/non-conjugated diene copolymer Copolymer, ethylene/propylene/1-butene/non-conjugated diene copolymer, polyisoprene, polybutadiene, styrene/butadiene/styrene block copolymer (SBS), styrene/isoprene/styrene block copolymer (SIS), Examples include styrene/ethylene/butylene/styrene block copolymer (SEBS), styrene/ethylene/propylene/styrene block copolymer (SEPS), and the like. These hydrocarbon resins may be subjected to hydrogenation treatment. Further, these hydrocarbon resins may be carboxy-modified with maleic anhydride or the like. Among these, the hydrocarbon resin may include a hydrocarbon resin containing monomer units derived from styrene (styrenic resin), and may include a styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS). Good too.
熱可塑性樹脂のTgは、-100~500℃、-50~300℃、又は-50~50℃であってよい。熱可塑性樹脂のTgが500℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。熱可塑性樹脂のTgが-100℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。 The Tg of the thermoplastic resin may be -100 to 500°C, -50 to 300°C, or -50 to 50°C. When the Tg of the thermoplastic resin is 500° C. or lower, when a film-like temporary fixing material is formed, flexibility is easily ensured and low-temperature adhesion properties tend to be improved. When the Tg of the thermoplastic resin is −100° C. or higher, when a film-like temporary fixing material is formed, it tends to be possible to suppress deterioration in handleability and releasability due to excessive flexibility.
熱可塑性樹脂のTgは、示差走査熱量測定(DSC)によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のTgは、具体的には、昇温速度10℃/分、測定温度-80~80℃の条件で熱量変化を測定し、JIS K 7121に準拠した方法によって算出される中間点ガラス転移温度である。 The Tg of a thermoplastic resin is the midpoint glass transition temperature value obtained by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the Tg of a thermoplastic resin is determined by measuring the change in calorific value under the conditions of a heating rate of 10°C/min and a measurement temperature of -80 to 80°C, and calculating it by a method based on JIS K 7121. is the transition temperature.
熱可塑性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1万~500万又は10万~200万であってよい。重量平均分子量が1万以上であると、形成される樹脂層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が500万以下であると、フィルム状の樹脂層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。 The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin may be 10,000 to 5,000,000 or 100,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is 10,000 or more, it tends to be easier to ensure heat resistance of the resin layer formed. When the weight average molecular weight is 5,000,000 or less, when a film-like resin layer is formed, a decrease in flow and adhesiveness tends to be easily suppressed. Note that the weight average molecular weight is a polystyrene equivalent value obtained by gel permeation chromatography (GPC) using a standard polystyrene calibration curve.
熱可塑性樹脂の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、30~70質量部であってよい。熱可塑性樹脂の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、35質量部以上又は40質量部以上であってもよく、65質量部以下又は60量部以下あってもよい。熱可塑性樹脂の含有量が上記範囲にあると、樹脂層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。 The content of the thermoplastic resin may be 30 to 70 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition. The content of the thermoplastic resin may be 35 parts by mass or more or 40 parts by mass or more, and 65 parts by mass or less or 60 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition. It's okay. When the content of the thermoplastic resin is within the above range, the resin layer tends to have better thin film forming properties and flatness.
熱硬化性樹脂は、熱により硬化する樹脂を意味し、上記炭化水素樹脂を包含しない概念である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってよい。熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂硬化剤(熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂硬化剤)と組み合わせて用いてもよい。 Thermosetting resin means a resin that is cured by heat, and is a concept that does not include the above-mentioned hydrocarbon resins. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, thermosetting polyimide resin, polyurethane resin, melamine resin, and urea resin. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the thermosetting resin may be an epoxy resin because it is superior in heat resistance, workability, and reliability. The thermosetting resin may be used in combination with a thermosetting resin curing agent (when an epoxy resin is used as the thermosetting resin, an epoxy resin curing agent).
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、例えば、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、又は複素環含有エポキシ樹脂であってもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、耐熱性及び耐候性の観点から、脂環式エポキシ樹脂を含んでいてもよい。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it hardens and has heat resistance. Examples of epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A epoxy, phenol novolak epoxy resins, novolak epoxy resins such as cresol novolac epoxy resins, and alicyclic epoxy resins such as dicyclopentadiene epoxy resins. can be mentioned. Further, the epoxy resin may be, for example, a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, or a heterocycle-containing epoxy resin. Among these, the epoxy resin may include an alicyclic epoxy resin from the viewpoint of heat resistance and weather resistance.
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、第1の硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂硬化剤を含んでいてもよい。エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型等のフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールA型ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。 When using an epoxy resin as the thermosetting resin, the first curable resin composition may contain an epoxy resin curing agent. As the epoxy resin curing agent, commonly used known curing agents can be used. Examples of epoxy resin curing agents include amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, such as bisphenol A type, bisphenol F type, and bisphenol S type. , phenol novolak resin, bisphenol A type novolak resin, cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, and the like.
熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、5~45質量部であってよい。熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、10質量部以上又は15質量部以上であってもよく、40質量部以下又は35質量部以下であってもよい。熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量が上記範囲にあると、樹脂層の薄膜形成性、平坦性、耐熱性等により優れる傾向にある。 The total content of the thermosetting resin and the thermosetting resin curing agent may be 5 to 45 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition. The total content of the thermosetting resin and the thermosetting resin curing agent may be 10 parts by mass or more or 15 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the first curable resin composition, It may be 40 parts by mass or less or 35 parts by mass or less. When the total content of the thermosetting resin and the thermosetting resin curing agent is within the above range, the resin layer tends to have better thin film forming properties, flatness, heat resistance, etc.
第1の硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤をさらに含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The first curable resin composition may further contain a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include imidazole derivatives, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo[5, 4,0] undecene-7-tetraphenylborate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の総量100質量部に対して、0.01~4質量部であってよい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性が向上し、耐熱性がより優れる傾向にある。 The content of the curing accelerator may be 0.01 to 4 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the thermosetting resin and thermosetting resin curing agent. When the content of the curing accelerator is within the above range, the curability tends to improve and the heat resistance tends to be better.
第1の硬化性樹脂組成物は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含んでいてもよい。重合性モノマーは、加熱又は紫外光等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってよい。重合性モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、(メタ)アクリレートであってもよい。(メタ)アクリレートは、単官能(1官能)、2官能、又は3官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、2官能以上の(メタ)アクリレートであってもよい。 The first curable resin composition may further contain a polymerizable monomer and a polymerization initiator. The polymerizable monomer is not particularly limited as long as it can be polymerized by heating or irradiation with ultraviolet light or the like. The polymerizable monomer may be, for example, a compound having a polymerizable functional group such as an ethylenically unsaturated group from the viewpoint of material selectivity and availability. Examples of the polymerizable monomer include (meth)acrylate, vinylidene halide, vinyl ether, vinyl ester, vinylpyridine, vinylamide, and arylated vinyl. Among these, the polymerizable monomer may be (meth)acrylate. The (meth)acrylate may be monofunctional (monofunctional), bifunctional, or trifunctional or more functional, but from the viewpoint of obtaining sufficient curability, it may be a difunctional or more functional (meth)acrylate. good.
重合性モノマーの含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、1~45質量部であってよい。 The content of the polymerizable monomer may be 1 to 45 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition.
重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってよい。 The polymerization initiator is not particularly limited as long as it can initiate polymerization by heating or irradiation with ultraviolet light or the like. For example, when a compound having an ethylenically unsaturated group is used as the polymerizable monomer, the polymerization initiator may be a thermal radical polymerization initiator or a photoradical polymerization initiator.
重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量100質量部に対して、0.01~4質量部であってよい。 The content of the polymerization initiator may be 0.01 to 4 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of polymerizable monomers.
第1の硬化性樹脂組成物は、絶縁性フィラー、増感剤、酸化防止剤等のその他の成分をさらに含んでいてもよい。 The first curable resin composition may further contain other components such as an insulating filler, a sensitizer, and an antioxidant.
絶縁性フィラーは、樹脂層に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加され得る。絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。 The insulating filler may be added for the purpose of imparting low thermal expansion and low hygroscopicity to the resin layer. Examples of the insulating filler include nonmetallic inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, and ceramic. These insulating fillers may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of dispersibility with a solvent, the insulating filler may be a particle whose surface is treated with a surface treatment agent. The surface treatment agent may be, for example, a silane coupling agent.
絶縁性フィラーの含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、3~15質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上させることができる傾向にある。また、絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。 The content of the insulating filler may be 3 to 15 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition. When the content of the insulating filler is within the above range, heat resistance tends to be further improved without interfering with light transmission. Furthermore, when the content of the insulating filler is within the above range, it may also contribute to easy releasability.
増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン-9-オン、2-イソプロピル-9H-チオキサンテン-9-オン、4-イソプロピル-9H-チオキサンテン-9-オン、1-クロロ-4‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。 Examples of the sensitizer include anthracene, phenanthrene, chrysene, benzopyrene, fluoranthene, rubrene, pyrene, xanthone, indanthrene, thioxanthene-9-one, 2-isopropyl-9H-thioxanthene-9-one, 4- Examples include isopropyl-9H-thioxanthene-9-one and 1-chloro-4-propoxythioxanthone.
増感剤の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.01~5質量部であってよい。増感剤の含有量が上記範囲内であると、第1の硬化性樹脂組成物の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。 The content of the sensitizer may be 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition. When the content of the sensitizer is within the above range, it tends to have little influence on the properties and thin film properties of the first curable resin composition.
酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、4-メトキシフェノール、4-t-ブチルカテコール等のフェノール誘導体(ヒンダードフェノール誘導体)、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-1-オキシル、4-ヒドロキシ-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-1-オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。 Examples of antioxidants include quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone, phenol derivatives (hindered phenol derivatives) such as 4-methoxyphenol and 4-t-butylcatechol, and 2,2,6,6-tetramethylpiperidine. Examples include aminoxyl derivatives such as 1-oxyl and 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-oxyl, and hindered amine derivatives such as tetramethylpiperidyl methacrylate.
酸化防止剤の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.1~8質量部であってよい。酸化防止剤の含有量が上記範囲内であると、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。 The content of the antioxidant may be 0.1 to 8 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition. When the content of the antioxidant is within the above range, the decomposition of the thermoplastic resin and the thermosetting resin tends to be suppressed and contamination can be prevented.
第1の硬化性樹脂組成物の硬化物は、第1の硬化性樹脂組成物を熱硬化(又は光硬化)させることによって得ることができる。熱硬化の条件は、例えば、300℃以下又は100~250℃で、1~180分間又は1~120分間であってよい。 The cured product of the first curable resin composition can be obtained by thermally curing (or photocuring) the first curable resin composition. The heat curing conditions may be, for example, 300° C. or lower or 100 to 250° C. for 1 to 180 minutes or 1 to 120 minutes.
第1の硬化性樹脂組成物及びその硬化物は、第1の樹脂層5aの主成分であり得る。第1の硬化性樹脂組成物及びその硬化物の合計の含有量は、第1の樹脂層5aの総量を基準として、80質量%以上、85質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、又は100質量%であってよい。第1の樹脂層5aは、第1の硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなるものであってよい。
The first curable resin composition and its cured product may be the main components of the
第1の樹脂層5aの厚さは、応力緩和の観点から、例えば、200μm以下であってよい。第1の硬化性樹脂層14の厚さは、1~150μm又は10~100μmであってもよい。
The thickness of the
第2の樹脂層5bは、第2の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。第2の硬化性樹脂組成物は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂組成物であり得る。すなわち、第2の樹脂層5bは、少なくとも一部が硬化した、半硬化(Bステージ)状態を経て、その後に加熱処理によって硬化(Cステージ)状態となり得るものであってよい。
The
第2の硬化性樹脂組成物は、導電性粉体を実質的に含まないことが好ましい。ここで、導電性粉体を実質的に含まないとは、導電性粉体の含有量が、第2の硬化性樹脂組成物の総量を基準として、3質量%以下、1質量%以下、0.5質量%以下、又は0.1質量%以下であることを意味する。 Preferably, the second curable resin composition does not substantially contain conductive powder. Here, "containing substantially no conductive powder" means that the content of the conductive powder is 3% by mass or less, 1% by mass or less, 0% by mass or less based on the total amount of the second curable resin composition. It means .5% by mass or less, or 0.1% by mass or less.
第2の硬化性樹脂組成物は、一実施形態において、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む。このとき、第2の硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤、重合性モノマー、重合開始剤等をさらに含んでいてもよい。第2の硬化性樹脂組成物の各成分としては、第1の硬化性樹脂組成物の各成分と同様のものが例示される。 In one embodiment, the second curable resin composition includes a thermoplastic resin and a thermosetting resin. At this time, the second curable resin composition may further contain a curing accelerator, a polymerizable monomer, a polymerization initiator, and the like. Examples of each component of the second curable resin composition include the same components as those of the first curable resin composition.
熱可塑性樹脂の含有量は、第2の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、40~90質量部であってよい。熱可塑性樹脂の含有量は、第2の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、50質量部以上又は60質量部以上であってもよく、85質量部以下又は80量部以下あってもよい。 The content of the thermoplastic resin may be 40 to 90 parts by mass based on 100 parts by mass of the second curable resin composition. The content of the thermoplastic resin may be 50 parts by mass or more or 60 parts by mass or more, and 85 parts by mass or less or 80 parts by mass or less, based on the total amount of 100 parts by mass of the second curable resin composition. It's okay.
熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量は、第2の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、10~60質量部であってよい。熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量は、第2の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、15質量部以上又は20質量部以上であってもよく、50質量部以下又は40質量部以下であってもよい。 The total content of the thermosetting resin and the thermosetting resin curing agent may be 10 to 60 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the second curable resin composition. The total content of the thermosetting resin and the thermosetting resin curing agent may be 15 parts by mass or more or 20 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the second curable resin composition, It may be 50 parts by mass or less or 40 parts by mass or less.
硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の総量100質量部に対して、0.01~5質量部であってよい。 The content of the curing accelerator may be 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the thermosetting resin and thermosetting resin curing agent.
重合性モノマーの含有量は、第2の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、10~60質量部であってよい。重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量100質量部に対して、0.01~5質量部であってよい。 The content of the polymerizable monomer may be 10 to 60 parts by mass based on 100 parts by mass of the second curable resin composition. The content of the polymerization initiator may be 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of polymerizable monomers.
絶縁性フィラーの含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、5~20質量部であってよい。増感剤の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.01~10質量部であってよい。酸化防止剤の含有量は、第1の硬化性樹脂組成物の総量100質量部に対して、0.1~10質量部であってよい。 The content of the insulating filler may be 5 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition. The content of the sensitizer may be 0.01 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition. The content of the antioxidant may be 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the first curable resin composition.
第2の硬化性樹脂組成物又はその硬化物は、第2の樹脂層5bの主成分であり得る。第2の硬化性樹脂組成物及びその硬化物の合計の含有量は、第2の樹脂層5bの総量を基準として、80質量%以上、85質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、又は100質量%であってよい。第2の樹脂層5bは、第2の硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなるものであってよい。
The second curable resin composition or a cured product thereof may be the main component of the
第2の樹脂層5bの厚さは、光透過性の観点から、例えば、200μm以下であってよい。第2の樹脂層5bの厚さは、1~150μm又は10~100μmであってもよい。
The thickness of the
金属層3は、加工されて配線層となる層又はめっき等の下地となる層である。金属層3を構成する金属は、銅又はチタンであってよく、銅であってもよい。
The
金属層3は、金属箔を用いて形成される金属層、又は、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長(PVD)によって形成される金属層であってよい。金属箔は、銅箔又はチタン箔であってよく、銅箔であってもよい。
The
金属層3が金属箔から形成される金属層である場合、金属層3の厚さは、取扱性の観点から、1~40μm、3~35μm、又は5~30μmであってよい。金属層3がPVDによって形成される金属層である場合、金属層3の厚さは、取扱性の観点から、1~5000nm(0.001~5μm)又は50~3000nm(0.05~3μm)であってよい。
When the
図1に示される配線形成用部材10の製造方法は、所定の構成を有する部材を得ることができるのであれば特に制限されない。配線形成用部材10は、例えば、支持部材1上に第1の樹脂層5aを設ける工程(工程1A)と、第1の樹脂層5a上に第2の樹脂層5bを設ける工程(工程1B)と、第2の樹脂層5b上に金属層3を設ける工程(工程1C)とを備える方法によって得ることができる。
The method for manufacturing the
(工程1A)
支持部材1上に第1の樹脂層5aを設ける方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、第1の硬化性樹脂組成物の各成分を、溶剤中で撹拌、混錬等を行うことによって、溶解又は分散させ、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物を含有する第1の樹脂ワニスを調製する。次いで、離型処理を施した支持フィルム上に、第1の樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いて塗工した後、加熱によって溶剤を揮発させて、支持フィルム上に、第1の樹脂フィルムを形成する。このとき、第1の樹脂ワニスの塗工量を調整することによって、第1の樹脂フィルム(第1の樹脂層5a)の厚さを調整することができる。第1の樹脂フィルムの厚さは、上記の第1の樹脂層5aの厚さと同様であってよい。次いで、支持部材1に、得られた第1の樹脂フィルム(第1の樹脂層5a)を貼り付けることによって、第1の樹脂層5aを設けることができる。
(Step 1A)
Examples of the method for providing the
第1の樹脂ワニスで使用される溶剤は、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものであれば特に制限されない。このような溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、p-シメン等の芳香族炭化水素;ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素;メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン;テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等の環状エーテル;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等のケトン;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、10~80質量%であってよい。 The solvent used in the first resin varnish is not particularly limited as long as it has the property of uniformly dissolving or dispersing each component. Examples of such solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cumene, and p-cymene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; tetrahydrofuran, 1,4- Cyclic ethers such as dioxane; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, etc. carbonate esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The concentration of solid components in the varnish may be from 10 to 80% by weight, based on the total weight of the varnish.
第1の樹脂ワニスを調製する際の撹拌又は混錬は、例えば、撹拌機、らいかい機、3本ロール、ボールミル、ビーズミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。 Stirring or kneading when preparing the first resin varnish can be performed using, for example, a stirrer, a sieve, a three-roll mill, a ball mill, a bead mill, a homodisper, or the like.
支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン;ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ(メタ)アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、1~250μmであってよい。 Examples of supporting films include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyether sulfide, and polyether. Examples include sulfone, polyether ketone, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, poly(meth)acrylate, polysulfone, and liquid crystal polymer films. The thickness of the support film may be, for example, from 1 to 250 μm.
支持フィルムへ塗工した第1の樹脂ワニスから溶剤を揮発させる際の加熱条件は、使用する溶剤の種類等に合わせて適宜設定することができる。加熱条件は、例えば、40~120℃で0.1~30分間であってよい。 The heating conditions for volatilizing the solvent from the first resin varnish applied to the support film can be appropriately set according to the type of solvent used. The heating conditions may be, for example, 40 to 120° C. for 0.1 to 30 minutes.
支持部材1に第1の樹脂フィルム(第1の樹脂層5a)を貼り付ける方法としては、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等の方法が挙げられる。ラミネートは、例えば、0~120℃の温度条件下で行うことができる。
Examples of methods for attaching the first resin film (
支持部材1上に第1の樹脂層5aを設ける方法の他の例としては、例えば、第1の樹脂ワニスを支持部材1上に直接塗工し、溶剤を加熱によって揮発させて、第1の樹脂層5aを形成する方法が挙げられる。
As another example of the method of providing the
(工程1B)
第1の樹脂層5a上に第2の樹脂層5bを設ける方法としては、上記の工程1Aと同様にして、第2の硬化性樹脂組成物を含有する第2の樹脂ワニスを調製し、第2の樹脂フィルムを形成する。次いで、第1の樹脂層5aに、得られた第2の樹脂フィルム(第2の樹脂層5b)を貼り付けることによって、第2の樹脂層5bを設けることができる。第2の樹脂フィルムの厚さは、上記の第2の樹脂層5bの厚さと同様であってよい。第1の樹脂層5a上に第2の樹脂層5bを設ける方法の他の例としては、例えば、第2の樹脂ワニスを第1の樹脂層5a上に直接塗工し、溶剤を加熱によって揮発させて、第2の樹脂層5bを形成する方法が挙げられる。
(Process 1B)
As a method for providing the
(工程1C)
金属層3は、第2の樹脂層5b上に金属箔を配置することによって形成することができる。金属層3は、第2の樹脂層5b上に真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長(PVD)を実施することによっても形成することができる。
(Step 1C)
The
第2の樹脂層5b上に金属箔を用いて金属層3を形成する場合、第2の樹脂層5bは、Bステージ状態であることが好ましい。また、第2の樹脂層5bは、金属層3を加工する前に、第2の硬化性樹脂組成物を硬化させ、第2の硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るCステージ状態とすることが好ましい。第2の硬化性樹脂組成物を硬化させる場合、第1の硬化性樹脂組成物も硬化し得ることから、第2の樹脂層5bがCステージ状態である場合は、第1の樹脂層5aもCステージ状態であり得る。
When forming the
第2の樹脂層5b上にPVDを実施することによって金属層3を形成する場合、第2の樹脂層5bは、Bステージ状態であっても、第2の硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るCステージ状態であってもよいが、低分子成分の揮発を抑制する観点から、Cステージ状態であることが好ましい。第2の樹脂層5b中の第2の硬化性樹脂組成物を熱硬化(又は光硬化)させる条件は、上記と同様であってよい。
When forming the
図2は、配線形成用積層フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図2に示される配線形成用積層フィルム20は、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物を含有する第1の硬化性樹脂層7aと、第2の硬化性樹脂組成物を含有する第2の硬化性樹脂層7bと、金属層3とをこの順に備える。第1の硬化性樹脂層7aに含有される第1の硬化性樹脂組成物は、第1の樹脂層5aに含有される第1の硬化性樹脂組成物と同一であり、第2の硬化性樹脂層7bに含有される第2の硬化性樹脂組成物は、第2の樹脂層5bに含有される第2の硬化性樹脂組成物と同一である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a laminated film for wiring formation. The wiring forming
配線形成用部材10は、例えば、配線形成用積層フィルム20を作製する工程(工程2A)と、支持部材1に配線形成用積層フィルム20の第1の硬化性樹脂層7aを貼り付ける工程(工程2B)とを備える方法によっても得ることができる。
The
(工程2A)
配線形成用積層フィルム20は、例えば、工程1Aと同様にして、支持フィルム上に第1の硬化性樹脂層7aを形成し、工程1Bと同様にして、第1の硬化性樹脂層7a上に第2の硬化性樹脂層7bを形成し、工程1Cと同様にして、さらに第2の硬化性樹脂層7b上に金属層3を形成することによって得ることができる。
(Step 2A)
The wiring forming
(工程2B)
配線形成用部材10は、支持部材1に配線形成用積層フィルム20の第2の硬化性樹脂層7bを貼り付けることによって得ることができる。支持部材1に配線形成用積層フィルム20の第1の硬化性樹脂層7aを貼り付ける方法は、上記の支持部材1に第1の樹脂フィルム(第1の樹脂層5a)を貼り付ける方法と同様であってよい。
(Process 2B)
The
このようにして、配線形成用部材10を得ることができる。配線形成用部材10において、第1の樹脂層5aは、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物の硬化物を含有することが好ましく、第2の樹脂層5bは、第2の硬化性樹脂組成物の硬化物を含有することが好ましい。すなわち、第1の樹脂層5a及び第2の樹脂層5bは、Cステージ状態にあることが好ましい。
In this way, the
このような配線形成用部材10によれば、パッケージ(配線層付き半導体部材)の製造プロセスに好適に使用することが可能であり、支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射することによって、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能となる。
According to such a
[半導体装置の製造方法]
図3及び図4は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記の配線形成用部材10を準備する工程(工程3A、図3(a)参照)と、金属層3を加工して配線層11を形成する工程(工程3B、図3(b)参照)と、配線層11上に半導体部材15を配置し、配線層付き半導体部材30を備える積層体40を作製する工程(工程3C、図3(c)参照)と、積層体40の第1の樹脂層5aに対して支持部材1側から少なくとも赤外光を含む光Aを照射して、支持部材1と配線層付き半導体部材30とを分離する工程(工程3D、図4(a)、(b)参照)とを備える。
[Method for manufacturing semiconductor device]
3 and 4 are schematic cross-sectional views for explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device. One embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device includes a step of preparing the
(工程3A)
本工程では、上記の配線形成用部材を準備する。以下では、主に、配線形成用部材10を用いた態様について詳細に説明する。
(Step 3A)
In this step, the above wiring forming member is prepared. Below, the embodiment using the
(工程3B)
本工程では、金属層3を加工して配線層11を形成する。金属層3を加工して配線層11を形成する方法としては、例えば、サブトラクティブ法(エッチング法)等が挙げられる。
(Process 3B)
In this step, the
サブトラクティブ法は、金属層上に、所望のパターン形状に対応した形状のエッチングレジスト層を形成し、その後の現像処理によって、レジストの除去された部分の金属層を薬液で溶解して除去することによって、所望の回路を有する配線層を形成する方法である。金属層3を加工して配線層11を形成する方法としてサブトラクティブ法を適用する場合、従来公知のレジスト、薬液等を使用することができる。また、サブトラクティブ法を適用する場合、金属層3は、金属箔を用いて形成される金属層であってよい。
In the subtractive method, an etching resist layer with a shape corresponding to the desired pattern is formed on the metal layer, and then the metal layer in the area where the resist was removed is dissolved with a chemical solution and removed through a subsequent development process. This method forms a wiring layer having a desired circuit. When applying the subtractive method as a method of processing the
(工程3C)
本工程では、配線層11上に半導体部材15を配置し、配線層付き半導体部材30を備える積層体40を作製する。半導体部材15としては、例えば、半導体ウェハ、半導体ウェハを分割して得られる半導体チップ等が挙げられる。配線層11上に配置される半導体部材15の数は、1個であってもよく、複数であってもよい。半導体部材15の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、1~1000μm、10~500μm、又は20~200μmであってよい。
(Step 3C)
In this step, the
半導体部材15を配線層11上に配置する場合、半導体部材15が配置される面における配線層11が形成されていない部分には、絶縁層13が形成されていてもよい。
When the
半導体部材15は、配線層11上に配置した後に所望の加工が実施されてもよい。半導体部材の加工は、例えば、半導体ウェハ又は半導体チップの薄化、半導体部材の分割(ダイシング)、貫通電極の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理、又はこれらの組み合わせを含むことができる。加工された半導体部材は、封止層で封止されていてもよい。封止層は、半導体部材(半導体装置)の製造のために通常用いられる封止材を用いて形成することができる。封止層を形成した後、封止層及び配線層を、半導体部材を1個ずつ含む複数の部分に分割してもよい。
The
(工程3D)
本工程では、積層体40の第1の樹脂層5aに対して支持部材1側から少なくとも赤外光を含む光Aを照射して、支持部材1と配線層付き半導体部材30とを分離する。光Aの照射によって、第1の樹脂層5aに含有される導電性粉体が光を吸収して熱を瞬間的に発生する。発生した熱によって、第1の樹脂層5aの溶融、支持部材1と配線層付き半導体部材30との間に生じる熱応力等が発生し得る。これらの現象が主な原因となって、例えば、界面剥離(例えば、第1の樹脂層5aと第2の樹脂層5bとの界面における界面剥離)、凝集剥離(例えば、第1の樹脂層5aにおける凝集剥離)などが発生して、支持部材1と配線層付き半導体部材30とを分離し得る。支持部材1と配線層付き半導体部材30とを分離するために、光Aの照射とともに、配線層付き半導体部材30に対して応力をわずかに加えてもよい。
(Process 3D)
In this step, the
光Aは、少なくとも赤外光を含む。赤外光の波長は、通常、700nm~1mmである。 Light A includes at least infrared light. The wavelength of infrared light is usually 700 nm to 1 mm.
光Aは、コヒーレント光であってよい。コヒーレント光は、可干渉性が高い、指向性が高い、単色性が高いといった性質を有する電磁波である。コヒーレント光は、同一波長で同位相の光が互いに強め合って合成されるため、強度が高い傾向を有する。レーザー光は、一般にコヒーレント光である。レーザー光は、YAGレーザー、ファイバレーザー、半導体レーザー、ヘリウムーネオンレーザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。レーザー光の波長は、1300nm以下であってもよい。波長が1300nm以下であることにより、支持部材1の光吸収が抑制され、かつ、第1の樹脂層5aに含有される導電性粉体の光吸収が高くなるため、より低い光照射エネルギーではく離することが可能である。コヒーレント光は、パルス光であってもよい。
Light A may be coherent light. Coherent light is an electromagnetic wave that has properties such as high coherence, high directivity, and high monochromaticity. Coherent light tends to have high intensity because light having the same wavelength and the same phase is reinforced and combined with each other. Laser light is generally coherent light. Examples of laser light include YAG laser, fiber laser, semiconductor laser, helium-neon laser, argon laser, excimer laser, and the like. The wavelength of the laser light may be 1300 nm or less. When the wavelength is 1300 nm or less, the light absorption of the supporting
光Aは、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、コヒーレントでない光であり、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波である。インコヒーレント光は、光路長が長くなるほど、減衰する傾向を有する。太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、一般にコヒーレント光(すなわち、レーザー光)よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすることが可能である。例えば、1回の照射により、複数の配線層付き半導体部材30の分離を生じさせ得る。インコヒーレント光は、パルス光であってもよい。
Light A may be incoherent light. Incoherent light is non-coherent light, and is an electromagnetic wave that does not generate interference fringes, has low coherence, and has low directivity. Incoherent light tends to be attenuated as the optical path length becomes longer. Light such as sunlight and fluorescent light is incoherent light. Incoherent light can also be said to be light other than laser light. Since the irradiation area of incoherent light is generally much wider than that of coherent light (ie, laser light), it is possible to reduce the number of times of irradiation. For example, one irradiation can cause separation of a plurality of
光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外光領域から赤外光領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却時間が短く、連続的な作業が可能な点でも、キセノンランプは有利である。 The light source may be, but is not particularly limited to, a xenon lamp. A xenon lamp is a lamp that utilizes light emission by application and discharge in an arc tube filled with xenon gas. Since a xenon lamp discharges while repeating ionization and excitation, it stably has continuous wavelengths from the ultraviolet light region to the infrared light region. Since a xenon lamp requires less time to start than a lamp such as a metal halide lamp, the time required for the process can be significantly shortened. Furthermore, since it is necessary to apply a high voltage to emit light, high heat is generated instantaneously, but xenon lamps are also advantageous in that they have a short cooling time and can be used continuously.
配線層付き半導体部材30の配線層11上には、第1の樹脂層5aの全部又は一部が残渣として付着することがある。付着した残さは、図4(c)に示されるように除去される。付着した残さは、例えば、ピールにより剥離されてもよいし、溶剤で洗浄することにより除去されてもよい。溶剤としては、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。付着した残さの除去のために、配線層付き半導体部材30を溶剤に浸漬させてもよいし、超音波洗浄を行ってもよい。また、付着した残さの除去のために、必要に応じて、100℃以下程度の低温で配線層付き半導体部材30を加熱してもよい。
All or part of the
このようにして、配線層付き半導体部材30(半導体装置50)を得ることができる。配線層付き半導体部材30には、例えば、図4(d)に示されるように、配線層付き半導体部材30の配線層11上にはんだボール17が設けられていてもよい。
In this way, the
半導体装置の製造方法の他の実施形態は、上記の配線形成用部材10を準備する工程(工程4A、図5(a)参照)と、金属層3上に配線層12を形成する工程(工程4B、図5(b)参照)と、配線層12上に半導体部材15を配置し、配線層付き半導体部材60を備える積層体70を作製する工程(工程4C、図5(c)参照)と、積層体70の第1の樹脂層5aに対して支持部材1側から少なくとも赤外光を含む光Aを照射して、支持部材1と配線層付き半導体部材60とを分離する工程(工程4D、図6(a)、(b)参照)とを備える。
Another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device includes the step of preparing the
(工程4A)
本工程では、上記の配線形成用部材を準備する。以下では、主に、配線形成用部材10を用いた態様について詳細に説明する。
(Step 4A)
In this step, the above wiring forming member is prepared. Below, the embodiment using the
(工程4B)
本工程では、金属層3上に配線層12を形成する。金属層3上に配線層12を形成する方法としては、例えば、セミアディティブ法等が挙げられる。
(Step 4B)
In this step, a
セミアディティブ法は、金属層上に所望のパターンに対応した形状のめっきレジスト層を形成し、次いで、電解めっき法によって配線層を形成した後、レジスト層を除去することによって、所望の回路を有する配線層を形成する方法である。不要な金属層は、薬液等を用いてもよいし、配線層付き半導体部材を作製した後に除去してもよい。金属層3上に配線層12を形成する方法としてセミアディティブ法を適用する場合、従来公知のレジスト、薬液等を使用することができる。また、セミアディティブ法を適用する場合、金属層3は、PVDによって形成される金属層であってよい。
In the semi-additive method, a plating resist layer with a shape corresponding to a desired pattern is formed on a metal layer, a wiring layer is then formed by electrolytic plating, and the resist layer is removed to form a desired circuit. This is a method of forming a wiring layer. The unnecessary metal layer may be removed using a chemical solution or the like, or after producing the semiconductor member with the wiring layer. When applying a semi-additive method as a method of forming the
(工程4C)
本工程では、配線層12上に半導体部材15を配置し、配線層付き半導体部材60を備える積層体70を作製する。本工程は、工程3Cと同様であることから、重複する説明を省略する。
(Step 4C)
In this step, the
(工程4D)
本工程では、積層体70の第1の樹脂層5aに対して支持部材1側から少なくとも赤外光を含む光Aを照射して、支持部材1と配線層付き半導体部材60とを分離する。本工程は、工程3Dと同様であることから、重複する説明を省略する。
(Process 4D)
In this step, the
配線層付き半導体部材60の配線層12上には、金属層3が付着することがある。金属層3は、図6(d)に示されるように除去される。金属層3は、例えば、薬液;プラズマ等によるエッチングなどにより除去されてもよい。
The
このようにして、配線層付き半導体部材60(半導体装置80)を得ることができる。配線層付き半導体部材60には、例えば、図6(e)に示されるように、配線層付き半導体部材60の配線層12上にはんだボール17が設けられていてもよい。
In this way, the
本開示の配線形成用部材は、配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能となる。また、本開示によれば、このような配線形成用部材を形成するために有用な配線形成用積層フィルムを提供することができる。さらに、本開示によれば、このような配線形成用部材を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。 The wiring forming member of the present disclosure can be used in the manufacturing process of a semiconductor member with a wiring layer, and the supporting member and the semiconductor member with a wiring layer can be easily separated. Further, according to the present disclosure, it is possible to provide a laminated film for wiring formation that is useful for forming such a member for wiring formation. Furthermore, according to the present disclosure, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such a wiring forming member.
1…支持部材、3…金属層、5a…第1の樹脂層、5b…第2の樹脂層、7a…第1の硬化性樹脂層、7b…第2の硬化性樹脂層、10…配線形成用部材、11,12…配線層、13…絶縁層、15…半導体部材、17…はんだボール、20…配線形成用積層フィルム、30,60…配線層付き半導体部材、40,70…積層体、50,80…半導体装置。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記第1の樹脂層が、導電性粉体を含む第1の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有し、
前記第2の樹脂層が、第2の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する、
配線形成用部材。 comprising a support member, a first resin layer, a second resin layer, and a metal layer in this order,
The first resin layer contains a first curable resin composition containing conductive powder or a cured product thereof,
the second resin layer contains a second curable resin composition or a cured product thereof;
Wiring forming member.
請求項1に記載の配線形成用部材。 the conductive powder is carbon black,
The wiring forming member according to claim 1.
第2の硬化性樹脂組成物を含有する第2の硬化性樹脂層と、
金属層と、
をこの順に備える、
配線形成用積層フィルム。 a first curable resin layer containing a first curable resin composition containing conductive powder;
a second curable resin layer containing a second curable resin composition;
a metal layer;
in this order,
Laminated film for wiring formation.
請求項3に記載の配線形成用積層フィルム。 the conductive powder is carbon black,
The laminated film for wiring formation according to claim 3.
前記金属層を加工して配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第1の樹脂層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。 A step of preparing the wiring forming member according to claim 1 or 2;
processing the metal layer to form a wiring layer;
arranging a semiconductor member on the wiring layer to produce a laminate including a semiconductor member with a wiring layer;
irradiating the first resin layer of the laminate with light containing at least infrared light from the support member side to separate the support member and the wiring layer-equipped semiconductor member;
Equipped with
A method for manufacturing a semiconductor device.
前記金属層上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第1の樹脂層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。 A step of preparing the wiring forming member according to claim 1 or 2;
forming a wiring layer on the metal layer;
arranging a semiconductor member on the wiring layer to produce a laminate including a semiconductor member with a wiring layer;
irradiating the first resin layer of the laminate with light containing at least infrared light from the support member side to separate the support member and the wiring layer-equipped semiconductor member;
Equipped with
A method for manufacturing a semiconductor device.
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