JP2023167137A - 絶縁電源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】各トランスの出力電圧の制御性を高めることができる絶縁電源装置を提供する。【解決手段】絶縁電源装置１００は、複数のトランス６０ａ～６０ｅと、オンオフされることにより、低電圧バッテリ４２から各入力巻線６１ａ～６１ｅに流れる電流を制御する制御用スイッチ５１とを備え、制御用スイッチ５１をオンオフさせることにより、低電圧バッテリ４２から各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬへと電力を供給する。絶縁電源装置１００は、第１～第５帰還巻線６３ａ～６３ｅを有し、各帰還巻線６３ａ～６３ｅの両端のうちいずれか一方がグランドに接続されており、第１端が各帰還巻線６３ａ～６３ｅの両端のうち他端に接続される第１～第５帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅと、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅの第２端が接続される入力側共通配線Ｌｓと、入力側共通配線Ｌｓの電圧値に基づいて、制御用スイッチ５１をオンオフする電源ＩＣ５０と、を備える。【選択図】 図２

Description

本発明は、絶縁電源装置に関する。

絶縁電源装置としては、直流電源及び複数の給電対象の間をトランスにより電気的に絶縁しつつ、直流電源から各給電対象へと電力を供給するものが知られている。例えば、特許文献１には、複数のトランスと、各トランスに対応する入力巻線に流れる電流を制御する制御用スイッチとを備える絶縁電源装置が記載されている。

各入力巻線が直流電源に接続され、各トランスの出力側が各トランスに対応する給電対象に接続される。制御用スイッチがオンされることにより、直流電源から各入力巻線への給電が行われる。これにより、各トランスに磁気エネルギが蓄積される。一方、制御用スイッチがオフされることにより、直流電源から各入力巻線への給電が停止される。この間に、各トランスから、各トランスの出力側に対応する給電対象へと電力が供給される。

特許第６８１７２９８号公報

各給電対象の負荷の大きさにばらつきが生じると、各トランスの出力電圧の制御性が低下する懸念がある。

詳しくは、各給電対象の負荷の大きさにばらつきが生じると、負荷の大きさが小さい給電対象に対応するトランスでは、磁気エネルギの供給が過剰となることに起因して、負荷の大きさが大きい給電対象に対応するトランスに比べて、出力電圧が上昇する可能性がある。一方、負荷の大きさが大きい給電対象に対応するトランスでは、磁気エネルギの供給が不足することに起因して、負荷の大きさが小さい給電対象に対応するトランスに比べて、出力電圧が低下する可能性がある。つまり、各給電対象の負荷の大きさにばらつきが生じる状況では、各トランスの出力電圧にばらつきが生じる可能性がある。

ここで、各トランスのうちいずれか１つのトランスの出力電圧に基づいて、制御用スイッチがオンオフされることがあると考えられる。この場合、各トランスのうち制御対象とされるトランスでは、出力電圧が目標出力電圧となるように制御用スイッチがオンオフされる。一方、各トランスのうち、制御対象とされないトランスでは、基本的には、制御対象とされるトランスの出力電圧と目標出力電圧との差分だけ出力電圧が変化する。そのため、各トランスの出力電圧にばらつきが生じると、各トランスのうち制御対象とされないトランスの出力電圧が目標出力電圧に対して過度に高くなったり、目標出力電圧に対して過度に低くなったりする等、出力電圧の制御性が低下する懸念がある。

本発明は、上記事情に鑑みたものであり、各トランスの出力電圧の制御性を高めることができる絶縁電源装置を提供することを目的とする。

本発明は、入力巻線及び前記入力巻線が巻回されたコアを有するトランスを複数備える絶縁電源装置において、
前記各入力巻線が直流電源に接続され、前記各トランスの出力側が前記各トランスに対応する給電対象に接続されており、
前記各トランスのうち少なくとも２つのトランスは、前記コアを介して前記入力巻線と磁気結合する制御用巻線を有し、
オンされることにより、前記直流電源から前記各入力巻線に給電し、オフされることにより、前記直流電源から前記各入力巻線への給電を停止させる制御用スイッチと、
前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用配線と、
共通配線と、を備え、
前記各制御用巻線の第１端は、グランドに接続されており、
前記各制御用巻線の第２端は、対応する前記制御用配線の第１端に接続されており、
前記各制御用配線の第２端は、前記共通配線に接続されており、
前記共通配線の電圧値に基づいて、前記制御用スイッチをオンオフする制御部を備える。

各給電対象の負荷の大きさにばらつきが生じ得る。この場合、負荷の大きさが小さい給電対象に対応するトランスでは、磁気エネルギの供給が過剰となる一方、負荷の大きさが大きい給電対象に対応するトランスでは、磁気エネルギの供給が不足することに起因して、各トランスの出力電圧にばらつきが生じ得る。この場合に、各トランスのうち、いずれか１つのトランスの出力電圧に基づいて制御用スイッチがオンオフされると、それ以外のトランスの出力電圧の制御性が低下する懸念がある。

そこで、本発明では、各トランスのうち少なくとも２つのトランスが、入力巻線が巻回されたコアを介して入力巻線と磁気結合する制御用巻線を有する。各制御用巻線の第１端はグランドに接続されている。各制御用巻線の第２端は、対応する制御用配線を介して共通配線に接続されている。この構成では、各制御用巻線、各制御用配線及び共通配線を含む閉回路が形成される。この場合、閉回路に電流が流れることにより、制御用巻線を有するトランスにおいて、各トランスに蓄積される磁気エネルギが各トランス間において授受される。具体的には、磁気エネルギが高いトランスから磁気エネルギが低いトランスへと、磁気エネルギが伝達される。これにより、各トランスに蓄積される磁気エネルギが過剰となったり、不足したりすることが抑制される。そのため、各トランスの出力電圧のばらつきを低減することができる。

また、共通配線の電圧値に基づいて、制御用スイッチがオンオフされる。これにより、各トランスのうちいずれか１つの制御用巻線に生じる電圧に基づいて、制御用スイッチがオンオフされる場合に比べて、多くの制御用巻線に生じる電圧が制御用スイッチの制御に用いられる。これにより、各トランスのうち制御対象とならないトランスの数を低減することができる。

以上により、本発明によれば、各トランスの出力電圧のばらつきを低減しつつ、各トランスのうち制御対象とならないトランスの数を低減することができる。その結果、各トランスの出力電圧が過度に高くなったり、過度に低くなったりすることを抑制することができ、ひいては、各トランスの出力電圧の制御性を高めることができる。

第１実施形態に係るモータ制御システムの全体構成図。 絶縁電源装置を示す図。 第１実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。 第１実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。 第１実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。 第１実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。 第１実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。 第１実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。 第２実施形態に係る絶縁電源装置を示す図。 第２実施形態の変形例に係る絶縁電源装置を示す図。

＜第１実施形態＞
以下、本発明に係る絶縁電源装置を具体化した第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の絶縁電源装置は、例えば、モータジェネレータ及びエンジンのうちモータジェネレータのみを備える電気自動車に搭載されている。

図１に示すように、モータ制御システムは、モータジェネレータ１０、インバータ１２、昇圧コンバータ３０及び制御装置４０を備えている。モータジェネレータ１０は、図示しない動力分割機構を介して駆動輪に連結されている。モータジェネレータ１０は、インバータ１２に接続され、車載主機等の役割を果たす。インバータ１２は、３相インバータであり、昇圧コンバータ３０を介して高電圧バッテリ２０（例えば、リチウムイオン２次電圧やニッケル水素２次電池）に接続されている。

昇圧コンバータ３０は、平滑コンデンサ３１、リアクトル３２、上アーム昇圧スイッチＳＣＨ、及び下アーム昇圧スイッチＳＣＬを備えている。本実施形態では、上アーム昇圧スイッチＳＣＨ及び下アーム昇圧スイッチＳＣＬとして、電圧制御型の半導体スイッチが用いられており、具体的にはＩＧＢＴが用いられている。各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬには、フリーホイールダイオードが逆並列に接続されている。

上アーム昇圧スイッチＳＣＨのエミッタが、下アーム昇圧スイッチＳＣＬのコレクタに接続されている。上アーム昇圧スイッチＳＣＨのコレクタには、平滑コンデンサ３１の第１端が接続され、下アーム昇圧スイッチＳＣＬのエミッタには、平滑コンデンサ３１の第２端及び高電圧バッテリ２０の負極端子が接続されている。つまり、各昇圧スイッチＳＣＨ，ＳＣＬの直列接続体が平滑コンデンサ３１に並列接続されている。上アーム昇圧スイッチＳＣＨのエミッタと下アーム昇圧スイッチＳＣＬのコレクタとは、リアクトル３２を介して高電圧バッテリ２０の正極端子に接続されている。昇圧コンバータ３０は、各昇圧スイッチＳＣＨ，ＳＣＬのオンオフにより、高電圧バッテリ２０の出力電圧を昇圧する。

インバータ１２は、上アームスイッチＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨと下アームスイッチＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬとの直列接続体を３相分備えている。本実施形態では、各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬとして、電圧制御形の半導体スイッチが用いられており、具体的にはＩＧＢＴが用いられている。各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬには、フリーホイールダイオードが逆並列に接続されている。

Ｕ相上アームスイッチＳＵＨのエミッタがＵ相下アームスイッチＳＵＬのコレクタに接続されている。Ｕ相上アームスイッチＳＵＨとＵ相下アームスイッチＳＵＬとの接続点は、モータジェネレータ１０のＵ相の入力端子に接続されている。Ｖ相上アームスイッチＳＶＨのエミッタがＶ相下アームスイッチＳＶＬのコレクタに接続されている。Ｖ相上アームスイッチＳＶＨとＶ相下アームスイッチＳＶＬとの接続点は、モータジェネレータ１０のＶ相の入力端子に接続されている。Ｗ相上アームスイッチＳＷＨのエミッタがＷ相下アームスイッチＳＷＬのコレクタに接続されている。Ｗ相上アームスイッチＳＷＨとＷ相下アームスイッチＳＷＬとの接続点は、モータジェネレータ１０のＷ相の入力端子に接続されている。

各上アームスイッチＳＵＨ～ＳＷＨのコレクタは、バスバー等の正極側母線１３により接続されている。正極側母線１３は、上アーム昇圧スイッチＳＣＨのコレクタ及び平滑コンデンサ３１の第１端に接続されている。各下アームスイッチＳＵＬ～ＳＷＬのエミッタは、バスバー等の負極側母線１４により接続されている。負極側母線１４は、下アーム昇圧スイッチＳＣＬのエミッタ、平滑コンデンサ３１の第２端及び高電圧バッテリ２０の負極端子に接続されている。

制御装置４０は、直流電源としての低電圧バッテリ４２から供給される電力により駆動するマイクロコンピュータである。制御装置４０は、モータジェネレータ１０のトルクを指令トルクＴｒｑ＊に制御すべく、インバータ１２及び昇圧コンバータ３０を操作する。詳しくは、制御装置４０は、インバータ１２を構成する各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬをオンオフすべく、操作信号ＧＵＨ～ＧＷＬを生成して各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬの駆動回路に対して出力する。制御装置４０は、昇圧コンバータ３０を構成する各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬをオンオフすべく、操作信号ＧＣＨ，ＧＣＨを生成して各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬの駆動回路に対して出力する。

低電圧バッテリ４２は、出力電圧が高電圧バッテリ２０の出力電圧よりも低い蓄電池であり、例えば、鉛蓄電池である。本実施形態において、低電圧バッテリ４２が「直流電源」に相当する。

インターフェース部４４は、モータジェネレータ１０、インバータ１２、昇圧コンバータ３０及び高電圧バッテリ２０を備える高圧領域と、制御装置４０及び低電圧バッテリ４２を備える低圧領域との間を電気的に絶縁しつつ、これらシステム間の信号の伝達を行う機能を有する。インターフェース部４４は、例えばフォトカプラである。

続いて、図２を用いて、絶縁電源装置１００について説明する。絶縁電源装置１００は、高圧領域と低圧領域との間を絶縁しつつ、各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬ，ＳＵＨ～ＳＷＬを駆動する駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬに対して電力を供給する機能を有する。本実施形態では、絶縁電源装置１００は、フライバック式のスイッチング電源である。

絶縁電源装置１００は、電源ＩＣ５０及び制御用スイッチ５１を備えている。電源ＩＣ５０及び制御用スイッチ５１は、低圧領域に設けられている。電源ＩＣ５０は、制御用スイッチ５１をオンオフする。制御用スイッチ５１は、電圧制御型の半導体スイッチであり、具体的にはＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。

絶縁電源装置１００は、各上アーム駆動回路ＤＣＨ，ＤＵＨ，ＤＶＨ，ＤＷＨに電力を供給する上アーム用トランスと、各下アーム駆動回路ＤＣＬ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬに電力を供給する下アーム用トランスとを備えている。上アーム用トランスは、各上アームスイッチＳＣＨ，ＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨに対応して個別に設けられている。下アーム用トランスは、各下アームスイッチＳＣＬ，ＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬに対して共通のトランスとして設けられている。

具体的には、上アーム用トランスは、第１～第４トランス６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄであり、下アーム用トランスは、第５トランス６０ｅである。第１トランス６０ａは、昇圧用上アーム駆動回路ＤＣＨに対して電力を供給し、第２トランス６０ｂは、Ｕ相上アーム駆動回路ＤＵＨに対して電力を供給する。第３トランス６０ｃは、Ｖ相上アーム駆動回路ＤＶＨに対して電力を供給し、第４トランス６０ｄは、Ｗ相上アーム駆動回路ＤＷＨに対して電力を供給する。第５トランス６０ｅは、各下アーム駆動回路ＤＣＬ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬに対して電力を供給する。なお、本実施形態において、各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬが「給電対象」に相当する。

第１トランス６０ａは、第１入力巻線６１ａ、第１出力巻線６２ａ及び第１帰還巻線６３ａを備えている。第１トランス６０ａは、各巻線６１ａ，６２ａ，６３ａが巻回された共通のコアを備え、各巻線６１ａ，６２ａ，６３ａが共通のコアにより磁気結合している。

第２トランス６０ｂは、第１トランス６０ａと同様に、共通のコアにより磁気結合される第２入力巻線６１ｂ、第２出力巻線６２ｂ及び第２帰還巻線６３ｂを備えている。第３トランス６０ｃは、第１トランス６０ａと同様に、共通のコアにより磁気結合される第３入力巻線６１ｃ、第３出力巻線６２ｃ及び第３帰還巻線６３ｃを備えている。第４トランス６０ｄは、第１トランス６０ａと同様に、共通のコアにより磁気結合される第４入力巻線６１ｄ、第４出力巻線６２ｄ及び第４帰還巻線６３ｄを備えている。第５トランス６０ｅは、第１トランス６０ａと同様に、共通のコアにより磁気結合される第５入力巻線６１ｅ、第５出力巻線６２ｅ、第５帰還巻線６３ｅを備えている。

なお、各入力巻線６１ａ～６１ｅ及び各帰還巻線６３ａ～６３ｅは、低圧領域に設けられている。各出力巻線６２ａ～６２ｅは、高圧領域に設けられている。

各トランス６０ａ～６０ｅには、複数の端子が設けられている。第１～第５トランス６０ａ～６０ｅの出力端子には、対応する第１～第５出力巻線６２ａ～６２ｅが接続されている。

第１トランス６０ａの第１端子Ｔ１ａは、第１入力巻線６１ａを介して、第１トランス６０ａの第２端子Ｔ２ａに接続されている。第１トランス６０ａの第３端子Ｔ３ａは、第１帰還巻線６３ａを介して、第１トランス６０ａの第４端子Ｔ４ａに接続されている。第１トランス６０ａの第２端子Ｔ２ａに対する第１端子Ｔ１ａの電位が高くなる場合、第１帰還巻線６３ａには、第１トランス６０ａの第３端子Ｔ３ａよりも第４端子Ｔ４ａの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第２トランス６０ｂの第１端子Ｔ１ｂは、第２入力巻線６１ｂを介して、第２トランス６０ｂの第２端子Ｔ２ｂに接続されている。第２トランス６０ｂの第３端子Ｔ３ｂは、第２帰還巻線６３ｂを介して、第２トランス６０ｂの第４端子Ｔ４ｂに接続されている。第２トランス６０ｂの第２端子Ｔ２ｂに対する第１端子Ｔ１ｂの電位が高くなる場合、第２帰還巻線６３ｂには、第２トランス６０ｂの第３端子Ｔ３ｂよりも第４端子Ｔ４ｂの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第３トランス６０ｃの第１端子Ｔ１ｃは、第３入力巻線６１ｃを介して、第３トランス６０ｃの第２端子Ｔ２ｃに接続されている。第３トランス６０ｃの第３端子Ｔ３ｃは、第３帰還巻線６３ｃを介して、第３トランス６０ｃの第４端子Ｔ４ｃに接続されている。第３トランス６０ｃの第２端子Ｔ２ｃに対する第１端子Ｔ１ｃの電位が高くなる場合、第３帰還巻線６３ｃには、第３トランス６０ｃの第３端子Ｔ３ｃよりも第４端子Ｔ４ｃの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第４トランス６０ｄの第１端子Ｔ１ｄは、第４入力巻線６１ｄを介して、第４トランス６０ｄの第２端子Ｔ２ｄに接続されている。第４トランス６０ｄの第３端子Ｔ３ｄは、第４帰還巻線６３ｄを介して、第４トランス６０ｄの第４端子Ｔ４ｄに接続されている。第４トランス６０ｄの第２端子Ｔ２ｄに対する第１端子Ｔ１ｄの電位が高くなる場合、第４帰還巻線６３ｄには、第４トランス６０ｄの第３端子Ｔ３ｄよりも第４端子Ｔ４ｄの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第５トランス６０ｅの第１端子Ｔ１ｅは、第５入力巻線６１ｅを介して、第５トランス６０ｅの第２端子Ｔ２ｅに接続されている。第５トランス６０ｅの第３端子Ｔ３ｅは、第５帰還巻線６３ｅを介して、第５トランス６０ｅの第４端子Ｔ４ｅに接続されている。第５トランス６０ｅの第２端子Ｔ２ｅに対する第１端子Ｔ１ｅの電位が高くなる場合、第５帰還巻線６３ｅには、第５トランス６０ｅの第３端子Ｔ３ｅよりも第４端子Ｔ４ｅの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第１トランス６０ａの出力端子は、第１出力ダイオード６４ａ及び第１出力コンデンサ６５ａを介して、昇圧用上アーム駆動回路ＤＣＨに接続されている。第２トランス６０ｂの出力端子は、第２出力ダイオード６４ｂ及び第２出力コンデンサ６５ｂを介して、Ｕ相上アーム駆動回路ＤＵＨに接続されている。第３トランス６０ｃの出力端子は、第３出力ダイオード６４ｃ及び第３出力コンデンサ６５ｃを介して、Ｖ相上アーム駆動回路ＤＶＨに接続されている。第４トランス６０ｄの出力端子は、第４出力ダイオード６４ｄ及び第４出力コンデンサ６５ｄを介して、Ｗ相上アーム駆動回路ＤＷＨに接続されている。第５トランス６０ｅの出力端子は、第５出力ダイオード６４ｅ及び第５出力コンデンサ６５ｅを介して、各下アーム駆動回路ＤＣＬ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬに接続されている。

各トランス６０ａ～６０ｅの第１端子Ｔ１ａ～Ｔ１ｅは、配線を介して低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。詳しくは、第５トランス６０ｅの第１端子Ｔ１ｅは、第５正極配線ＬＰｅを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第１トランス６０ａの第１端子Ｔ１ａは、第１正極配線ＬＰａを介して、第５正極配線ＬＰｅに接続されている。つまり、第１トランス６０ａの第１端子Ｔ１ａは、第１，第５正極配線ＬＰａ，ＬＰｅを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第２～第４トランス６０ｂ～６０ｄの第１端子Ｔ１ｂ～Ｔ１ｄは、第１トランス６０ａの第１端子Ｔ１ａと同様に、対応する第２～第４正極配線ＬＰｂ～ＬＰｄを介して、第５正極配線ＬＰｅに接続されている。つまり、第２～第４トランス６０ｂ～６０ｄの第１端子Ｔ１ｂ～Ｔ１ｄは、第５正極配線ＬＰｅ及び対応する第２～第４正極配線ＬＰｂ～ＬＰｄを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。なお、低電圧バッテリ４２の負極側はグランドに接続されている。

各トランス６０ａ～６０ｅの第２端子Ｔ２ａ～Ｔ２ｅは、配線を介して制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。詳しくは、第１トランス６０ａの第２端子Ｔ２ａは、第１負極配線ＬＮａを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。第２～第５トランス６０ｂ～６０ｅの第２端子Ｔ２ｂ～Ｔ２ｄは、対応する第２～第５負極配線ＬＮｂ～ＬＮｄを介して、第１負極配線ＬＮａに接続されている。つまり、第２～第５トランス６０ｂ～６０ｅの第２端子Ｔ２ｂ～Ｔ２ｄは、第１負極配線ＬＮａ及び対応する第２～第５負極配線ＬＮｂ～ＬＮｄを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。制御用スイッチ５１のソースは、グランドに接続されている。

第１～第５トランス６０ａ～６０ｅの第３端子Ｔ３ａ～Ｔ３ｅは、対応する第１～第５帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓは、低圧領域に設けられている。

第１帰還配線ＬＲａには、第１帰還ダイオード７１ａが設けられている。第１帰還ダイオード７１ａのアノードは、第１トランス６０ａの第３端子Ｔ３ａに接続され、第１帰還ダイオード７１ａのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第２帰還配線ＬＲｂには、第２帰還ダイオード７１ｂが設けられている。第２帰還ダイオード７１ｂのアノードは、第２トランス６０ｂの第３端子Ｔ３ｂに接続され、第２帰還ダイオード７１ｂのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。

第３帰還配線ＬＲｃには、第３帰還ダイオード７１ｃが設けられている。第３帰還ダイオード７１ｃのアノードは、第３トランス６０ｃの第３端子Ｔ３ｃに接続され、第３帰還ダイオード７１ｃのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第４帰還配線ＬＲｄには、第４帰還ダイオード７１ｄが設けられている。第４帰還ダイオード７１ｄのアノードは、第４トランス６０ｄの第３端子Ｔ３ｄに接続され、第４帰還ダイオード７１ｄのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第５帰還配線ＬＲｅには、第５帰還ダイオード７１ｅが設けられている。第５帰還ダイオード７１ｅのアノードは、第５トランス６０ｅの第３端子Ｔ３ｅに接続され、第５帰還ダイオード７１ｅのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。

第１トランス６０ａの第４端子Ｔ４ａは、第１グランド配線ＬＧａを介して、グランドに接続されている。第１トランス６０ａの場合と同様に、第２～第５トランス６０ｂ～６０ｅの第４端子Ｔ４ｂ～Ｔ４ｅは、対応する第２～第５グランド配線ＬＧｂ～ＬＧｅを介して、グランドに接続されている。

絶縁電源装置１００は、第１～第５帰還コンデンサ７２ａ～７２ｅを備えている。第１帰還コンデンサ７２ａは、第１帰還ダイオード７１ａのカソードと第１グランド配線ＬＧａとを接続する。第１帰還コンデンサ７２ａの場合と同様に、第２～第５帰還コンデンサ７２ｂ～７２ｅは、対応する第２～第５帰還ダイオード７１ｂ～７１ｅのカソードと、対応する第２～第５グランド配線ＬＧｂ～ＬＧｅとを接続する。

絶縁電源装置１００は、ブリーダ抵抗体を備えている。ブリーダ抵抗体は、各トランス６０ａ～６０ｅに接続される負荷の大きさを調整するために設けられ、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに生じる電圧のばらつきを低減する役割を担う抵抗体である。本実施形態では、絶縁電源装置１００は、上アーム用ブリーダ抵抗体としての第１～第４ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｄと、下アーム用ブリーダ抵抗体としての第５ブリーダ抵抗体７３ｅとを備えている。第５ブリーダ抵抗体７３ｅの抵抗値は、第１～第４ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｄの抵抗値よりも小さくされている。

第１ブリーダ抵抗体７３ａの第１端は第１帰還配線ＬＲａに接続され、第１ブリーダ抵抗体７３ａの第２端はグランドに接続されている。第１ブリーダ抵抗体７３ａの場合と同様に、第２～第５ブリーダ抵抗体７３ｂ～７３ｅの第１端は、対応する第２～第５帰還配線ＬＲｂ～ＬＲｅに接続され、第２～第５ブリーダ抵抗体７３ｂ～７３ｅの第２端は、グランドに接続されている。なお、各ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｅの第１端は、対応する帰還ダイオード７１ａ～７１ｅのカソードに接続されている。

電源ＩＣ５０は、１つの集積回路であり、低電圧バッテリ４２及びの各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬの間を電気的に絶縁しつつ、低電圧バッテリ４２から各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬへと電力を供給すべく、制御用スイッチ５１をオンオフする。この際、電源ＩＣ５０は、フィードバック制御値Ｖｆｂを目標値Ｖｔｇにフィードバック制御すべく、制御用スイッチ５１をオンオフする。本実施形態では、電源ＩＣ５０は、制御用スイッチ５１における１スイッチング周期をＴｓｗとし、オン時間をＴｏｎとした場合の時比率Ｔｏｎ／Ｔｓｗを設定する。そして、設定した時比率に応じた操作信号を制御用スイッチ５１のゲートに出力する。本実施形態において、電源ＩＣ５０が「制御部」に相当する。

なお、本実施形態では、フィードバック制御値Ｖｆｂが目標値Ｖｔｇにフィードバック制御されることにより、フィードバック制御値Ｖｆｂと目標値Ｖｔｇとの乖離値に対応する分だけ、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧を変化させるように制御用スイッチ５１がオンオフされる。

制御用スイッチ５１がオンされる場合に、低電圧バッテリ４２から各入力巻線６１ａ～６１ｅへの給電が行われる。この間に、第１帰還巻線６３ａには、第１トランス６０ａの第３端子Ｔ３ａよりも第４端子Ｔ４ａの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。この場合、第１帰還巻線６３ａに電流が流れることが第１帰還ダイオード７１ａにより規制され、第１トランス６０ａに磁気エネルギが蓄積される。なお、第１帰還巻線６３ａの場合と同様に、第１出力巻線６２ａに電流が流れることが第１出力ダイオード６４ａにより規制される。

第１トランス６０ａの場合と同様に、制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第２～第５トランス６０ｂ～６０ｅに磁気エネルギが蓄積される。具体的には、制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第２帰還巻線６３ｂには、第２トランス６０ｂの第３端子Ｔ３ｂよりも第４端子Ｔ４ｂの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。この場合、第２帰還巻線６３ｂに電流が流れることが第２帰還ダイオード７１ｂにより規制され、第２トランス６０ｂに磁気エネルギが蓄積される。制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第３帰還巻線６３ｃには、第３トランス６０ｃの第３端子Ｔ３ｃよりも第４端子Ｔ４ｃの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。この場合、第３帰還巻線６３ｃに電流が流れることが第３帰還ダイオード７１ｃにより規制され、第３トランス６０ｃに磁気エネルギが蓄積される。

制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第４帰還巻線６３ｄには、第４トランス６０ｄの第３端子Ｔ３ｄよりも第４端子Ｔ４ｄの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。この場合、第４帰還巻線６３ｄに電流が流れることが第４帰還ダイオード７１ｄにより規制され、第４トランス６０ｄに磁気エネルギが蓄積される。制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第５帰還巻線６３ｅには、第５トランス６０ｅの第３端子Ｔ３ｅよりも第４端子Ｔ４ｅの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。この場合、第５帰還巻線６３ｅに電流が流れることが第５帰還ダイオード７１ｅにより規制され、第５トランス６０ｅに磁気エネルギが蓄積される。

なお、制御用スイッチ５１がオンされる場合では、第２～第５帰還巻線６３ｂ～６３ｅの場合と同様に、第２～第５出力巻線６２ｂ～６２ｅに電流が流れることが、対応する第２～第５出力ダイオード６４ｂ～６４ｅにより規制される。

一方、制御用スイッチ５１がオフされる場合に、低電圧バッテリ４２から各入力巻線６１ａ～６１ｅへの給電が停止される。この間に、第１帰還巻線６３ａには、第１トランス６０ａの第４端子Ｔ４ａよりも第３端子Ｔ３ａの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。これにより、第１帰還巻線６３ａに電流が流れる。また、第１帰還巻線６３ａの場合と同様にして第１出力巻線６２ａに電流が流れ、昇圧用上アーム駆動回路ＤＣＨに電力が供給される。

第１トランス６０ａの場合と同様に、制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第２～第５帰還巻線６３ｂ～６３ｅに電流が流れる。具体的には、制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第２帰還巻線６３ｂには、第２トランス６０ｂの第４端子Ｔ４ｂよりも第３端子Ｔ３ｂの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。これにより、第２帰還巻線６３ｂに電流が流れる。また、第２帰還巻線６３ｂの場合と同様にして第２出力巻線６２ｂに電流が流れ、対応するＵ相上アーム駆動回路ＤＵＨに電力が供給される。

制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第３帰還巻線６３ｃには、第３トランス６０ｃの第４端子Ｔ４ｃよりも第３端子Ｔ３ｃの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。これにより第３帰還巻線６３ｃに電流が流れる。また、第３帰還巻線６３ｃの場合と同様にして第３出力巻線６２ｃに電流が流れ、対応するＶ相上アーム駆動回路ＤＶＨに電力が供給される。

制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第４帰還巻線６３ｄには、第４トランス６０ｄの第４端子Ｔ４ｄよりも第３端子Ｔ３ｄの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。これにより、第４帰還巻線６３ｄに電流が流れる。また、第４帰還巻線６３ｄの場合と同様にして第４出力巻線６２ｄに電流が流れ、対応するＷ相上アーム駆動回路ＤＷＨに電力が供給される。

制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第５帰還巻線６３ｅには、第５トランス６０ｅの第４端子Ｔ４ｅよりも第３端子Ｔ３ｅの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。これにより、第５帰還巻線６３ｅに電流が流れる。また、第５帰還巻線６３ｅの場合と同様にして第５出力巻線６２ｅに電流が流れ、対応する各下アーム駆動回路ＤＣＬ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬに電力が供給される。

ところで、各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬの負荷の大きさにばらつきが生じると、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性が低下する懸念がある。

具体的には、インバータ１２の各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬ、及び昇圧コンバータ３０の各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬの駆動条件が異なる状況があると考えられる。例えば、昇圧コンバータ３０の各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬの駆動は行われないが、インバータ１２の各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬの駆動は行われる状況がある。この場合、昇圧用上，下アーム駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬの負荷の大きさは、各相上，下アーム駆動回路ＤＵＨ～ＤＷＬの負荷の大きさよりも小さくなる。これにより、例えば、昇圧用上アーム駆動回路ＤＣＨに対応する第１トランス６０ａでは、各相上アーム駆動回路ＤＵＨ～ＤＷＨに対応する第２～第４トランス６０ｂ～６０ｄに比べて、磁気エネルギの供給が過剰となることに起因して、出力電圧が上昇する可能性がある。

また、例えば、インバータ１２の各スイッチＳＵＨ～ＳＷＬのうち、Ｕ，Ｖ相上，下アームスイッチＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＵＬ，ＳＶＬのみ駆動が行われる場合がある。この場合、Ｕ，Ｖ相上，下アーム駆動回路ＤＵＨ，ＤＶＨ，ＤＵＬ，ＤＶＬの負荷の大きさは、Ｗ相上，下アーム駆動回路ＤＷＨ，ＤＷＬの負荷の大きさよりも大きくなる。これにより、例えば、Ｕ，Ｖ相上アーム駆動回路ＤＵＨ，ＤＶＨに対応する第２，第３トランス６０ｂ，６０ｃでは、Ｗ相上アーム駆動回路ＤＷＨに対応する第４トランス６０ｄに比べて、磁気エネルギの供給が不足することに起因して、出力電圧が低下する可能性がある。このように、各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬの負荷の大きさにばらつきが生じる状況では、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧がばらつく可能性がある。

ここで、本実施形態とは異なり、各トランス６０ａ～６０ｅのうちいずれか１つのトランスの出力電圧に基づいて、制御用スイッチ５１がオンオフされることがあると考えられる。この場合、各トランス６０ａ～６０ｅのうち制御対象とされるトランスでは、出力電圧が目標出力電圧となるように制御用スイッチ５１がオンオフされる。一方、各トランス６０ａ～６０ｅのうち制御対象とされないトランスでは、制御対象とされるトランスの出力電圧と目標出力電圧との差分だけ出力電圧が変化する。そのため、上述した各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧にばらつきが生じる可能性がある状況では、各トランス６０ａ～６０ｅのうち制御対象とされないトランスの出力電圧が、目標出力電圧に対して過度に高くなったり、目標出力電圧に対して過度に低くなったりする懸念がある。なお、例えば、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧は、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧であり、目標出力電圧は、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧の上限電圧及び下限電圧によって規定される電圧範囲内に設定される。

そこで、本実施形態では、絶縁電源装置１００は、制御用スイッチ５１をオンオフするのに、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに生じる電圧を用いる。詳しくは、絶縁電源装置１００は、第１分圧抵抗体８４及び第２分圧抵抗体８５を備えている。第１分圧抵抗体８４の第１端は入力側共通配線Ｌｓに接続され、第１分圧抵抗体８４の第２端は第２分圧抵抗体８５の第１端に接続されている。第２分圧抵抗体８５の第２端はグランドに接続されている。第１分圧抵抗体８４の第２端及び第２分圧抵抗体８５の第１端の接続点は、電源ＩＣ５０に接続されている。

電源ＩＣ５０は、入力側共通配線Ｌｓの電圧値に基づいて、制御用スイッチ５１をオンオフする。本実施形態では、電源ＩＣ５０は、第１，第２分圧抵抗体８４，８５の分圧値を取得する。電源ＩＣ５０は、取得した分圧値に基づいて、制御用スイッチ５１の時比率を設定する。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅのうちいずれか１つの帰還巻線に生じる電圧に基づいて制御用スイッチ５１の時比率が設定される場合に比べて、多くの帰還巻線に生じる電圧が制御用スイッチ５１の時比率の設定に用いられる。

本実施形態では、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積される磁気エネルギが各トランス６０ａ～６０ｅ間において授受される。詳しくは、上述した絶縁電源装置１００の構成では、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓを含む閉回路が形成される。この場合、閉回路に電流が流れることにより、各トランス６０ａ～６０ｅの間において、磁気エネルギが高いトランスから磁気エネルギが低いトランスへと、磁気エネルギが伝達される。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積される磁気エネルギが過剰となったり、不足したりすることが抑制される。そのため、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧のばらつきを低減することができる。

本実施形態では、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに対応して、各帰還ダイオード７１ａ～７１ｅ及び各帰還コンデンサ７２ａ～７２ｅが設けられている。各トランス６０ａ～６０ｅの第３端子Ｔ３ａ～Ｔ３ｅから出力される電流が、対応する帰還ダイオード７１ａ～７１ｅにより整流されるとともに、対応する帰還コンデンサ７２ａ～７２ｅが充電される。この場合、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓを含む閉回路において、各帰還コンデンサ７２ａ～７２ｅに蓄積された電荷の授受が行われることにより電流が流れる。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅ間において磁気エネルギが授受される。

なお、各入力巻線６１ａ～６１ｅ、各正極配線ＬＰａ～ＬＰｅ、各負極配線ＬＮａ～ＬＮｅ、制御用スイッチ５１及び低電圧バッテリ４２を含む閉回路が形成され、その閉回路に電流が流れることにより、各トランス６０ａ～６０ｅ間において磁気エネルギが授受されると考えられる。

しかしながら、この場合、低電圧バッテリ４２から各トランス６０ａ～６０ｅへと電力を供給すべく、各正極配線ＬＰａ～ＬＰｅ及び各負極配線ＬＮａ～ＬＮｅには大きな電流が流れることに起因して、形成される閉回路の電圧降下量が増大する懸念がある。また、制御用スイッチ５１のオンオフに対応して各配線ＬＰａ～ＬＰｅ，ＬＮａ～ＬＮｅに電流が流れることに起因して、各配線ＬＰａ～ＬＰｅ，ＬＮａ～ＬＮｅを流れる電流の変化率が大きくなる。そのため、各入力巻線６１ａ～６１ｅのインダクタンス成分により、各入力巻線６１ａ～６１ｅ等を含む閉回路に電流が流れ難くなる懸念がある。そのため、本実施形態では、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓを含む閉回路が形成される構成としている。なお、本実施形態において、各帰還巻線６３ａ～６３ｅが「制御用巻線」に相当し、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅが「制御用配線」に相当する。

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。

本実施形態によれば、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧のばらつきが低減されつつ、各トランス６０ａ～６０ｅのうちいずれか１つに帰還巻線が設けられる場合に比べて、制御対象とならないトランスの数が低減される。その結果、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧が過度に高くなったり、過度に低くなったりすることを抑制することができ、ひいては、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。

各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧に基づいて、制御用スイッチ５１のオンオフ制御が行われることが考えられる。しかしながら、電源ＩＣ５０は低圧領域に設けられ、各出力巻線６２ａ～６２ｅは高圧領域に設けられている。そのため、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧を電源ＩＣ５０に伝達するには、各出力巻線６２ａ～６２ｅ及び電源ＩＣ５０の間を電気的に絶縁しつつ、各出力巻線６２ａ～６２ｅの電圧値を電源ＩＣ５０に伝達する絶縁伝達部を追加する必要がある。

この点、本実施形態では、各トランス６０ａ～６０ｅに対応して帰還巻線６３ａ～６３ｅが設けられている。各トランス６０ａ～６０ｅの第３端子Ｔ３ａ～Ｔ３ｅが、対応する帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。そして、入力側共通配線Ｌｓの電圧値が電源ＩＣ５０に伝達される。そのため、絶縁伝達部を追加する必要がないため、絶縁電源装置１００の部品数が増大することを抑制できる。これと共に、本実施形態によれば、上述したように各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。つまり、絶縁電源装置１００の部品数が増大することを抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。

各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓを含む閉回路に電流が流れる場合では、各帰還巻線６３ａ～６３ｅのインダクタンス成分により、閉回路に電流が流れ難くなる懸念がある。この場合、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積された磁気エネルギが十分に授受されないことが懸念される。

この点、本実施形態によれば、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓを含む閉回路において、各帰還コンデンサ７２ａ～７２ｅに蓄積された電荷の授受が行われることにより電流が流れる。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積された磁気エネルギが授受される。そのため、各帰還巻線６３ａ～６３ｅのインダクタンス成分により閉回路に電流が流れることが妨げられることを抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅ間において磁気エネルギを好適に授受することができる。

各帰還巻線６３ａ～６３ｅに対応して分圧抵抗体が設けられる構成があると考えられる。この構成では、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに分圧抵抗体が接続される。この場合、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ、入力側共通配線Ｌｓ及び分圧抵抗体を含む閉回路が形成され、閉回路に電流が流れ難くなる懸念がある。この点、本実施形態によれば、入力側共通配線Ｌｓが第１分圧抵抗体８４の第１端に接続されている。これにより、第１，第２分圧抵抗体８４，８５を介さずに、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅ及び入力側共通配線Ｌｓを含む閉回路が形成される。そのため、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに対応して分圧抵抗体が備えられる構成に比べて、閉回路に電流が流れ難くなることを抑制することができる。

発熱部品であるブリーダ抵抗体を含む閉回路に電流が流れることにより、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積された磁気エネルギが授受されることが考えられる。ここで、ブリーダ抵抗体を含む閉回路の経路が長くなることを抑制すべく、ブリーダ抵抗体が、各帰還巻線６３ａ～６３ｅの近くに配置されることが望ましい。この点、各帰還巻線６３ａ～６３ｅは、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅを介して入力側共通配線Ｌｓに接続されている。そのため、ブリーダ抵抗体が、入力側共通配線Ｌｓに接続される場合よりも、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに直接接続されている各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに接続される場合の方が、ブリーダ抵抗体を各帰還巻線６３ａ～６３ｅの近くに配置可能であると考えられる。

そこで、本実施形態では、各ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｅは、対応する帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに接続されている。これにより、各ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｅを含む閉回路の経路が長くなることを抑制しつつ、各ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｅを配置することができる。

また、本実施形態では、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに対応してブリーダ抵抗体が設けられている。具体的には、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに対応する各ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｅが接続されている。これにより、発熱部品である各ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｅを分散して配置することができる。

第１～第４トランス６０ａ～６０ｄは、各上アームスイッチＳＣＨ，ＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨに対応して個別に設けられ、第５トランス６０ｅは、各下アームスイッチＳＣＬ，ＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬに対して共通のトランスとして設けられている。この構成では、第５トランス６０ｅに接続される負荷の大きさは、第１～第４トランス６０ａ～６０ｄに接続される負荷の大きさよりも大きくなると考えられる。

この点、本実施形態では、第５ブリーダ抵抗体７３ｅの抵抗値は、第１～第４ブリーダ抵抗体７３ａ～７３ｄの抵抗値よりも小さくされている。これにより、第５トランス６０ｅに接続される負荷の大きさと、第１～第４トランス６０ａ～６０ｄに接続される負荷の大きさとのアンバランスを的確に抑制することができる。そのため、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに生じる電圧のばらつきを的確に低減することができる。

＜第１実施形態の変形例＞
・上アーム用トランスは、各上アームスイッチＳＣＨ，ＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨに対応して個別に設けられていることに代えて、各上アームスイッチＳＣＨ，ＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨに対して共通のトランスとして設けられてもよい。

具体的には、図３に示すように、上アーム用トランスは、第６トランス６０ｆである。第６トランス６０ｆは、各上アーム駆動回路ＤＣＨ，ＤＵＨ～ＤＷＨに対して電力を供給する。第６トランス６０ｆは、第６入力巻線６１ｆ及び第６帰還巻線６３ｆを備えている。第６トランス６０ｆは、第６入力巻線６１ｆ、各出力巻線６２ａ～６２ｄ及び第６帰還巻線６３ｆが巻回された共通のコアを備え、各巻線６１ｆ，６２ａ～６２ｄ，６３ｆが共通のコアにより磁気結合している。なお、図３において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。

第６トランス６０ｆには、第１～第４端子Ｔ１ｆ～Ｔ４ｆが設けられている。第６トランス６０ｆの第１端子Ｔ１ｆは、第６入力巻線６１ｆを介して、第６トランス６０ｆの第２端子Ｔ２ｆに接続されている。第６トランス６０ｆの第３端子Ｔ３ｆは、第６帰還巻線６３ｆを介して、第６トランス６０ｆの第４端子Ｔ４ｆに接続されている。第６トランス６０ｆの第２端子Ｔ２ｆに対する第１端子Ｔ１ｆの電位が高くなる場合、第６帰還巻線６３ｆには、第６トランス６０ｆの第３端子Ｔ３ｆよりも第４端子Ｔ４ｆの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第６トランス６０ｆの第１端子Ｔ１ｆは、第１，第５正極配線ＬＰａ，ＬＰｅを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第６トランス６０ｆの第２端子Ｔ２ｆは、第１負極配線ＬＮａを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。第６トランス６０ｆの第３端子Ｔ３ｆは、第４帰還配線ＬＲｄを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第６トランス６０ｆの第４端子Ｔ４ｆは、第４グランド配線ＬＧｄを介して、グランドに接続されている。

本実施形態によれば、上アーム用トランスとして、第６トランス６０ｆが設けられている。これにより、第１～第４トランス６０ａ～６０ｄが設けられる構成と比べて、上アーム用トランスとして設けられるトランスの数を低減することができる。これと共に、第５，第６トランス６０ｅ，６０ｆの出力電圧にばらつきが生じることを抑制しつつ、第５，第６トランス６０ｅ，６０ｆのうちいずれか１つに帰還巻線が設けられる場合に比べて、制御対象とならないトランスの数を低減することができる。その結果、上アーム用トランスとして設けられるトランスの数を低減しつつ、第５，第６トランス６０ｅ，６０ｆの出力電圧の制御性を高めることができる。

・各トランス６０ａ～６０ｅに対応して帰還巻線６３ａ～６３ｅが設けられることに代えて、各トランス６０ａ～６０ｅのうち少なくとも２つのトランスに対応して帰還巻線が設けられていてもよい。

例えば、図４に示すように、各トランス６０ａ～６０ｅのうち、第１，第３，第４，第５トランス６０ａ，６０ｃ，６０ｄ，６０ｅに対応して第１，第３，第４，第５帰還巻線６３ａ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅが設けられ、第２トランス６０ｂには帰還巻線が設けられていなくてもよい。なお、図４において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。

本実施形態によれば、各トランス６０ａ～６０ｅに対応して帰還巻線６３ａ～６３ｅが設けられる構成に比べて、帰還巻線が設けられるトランスの数が低減される。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅに対応して帰還巻線６３ａ～６３ｅが設けられる構成に比べて、絶縁電源装置１００の部品数を低減することができる。これと共に、第１，第３，第４，第５トランス６０ａ，６０ｃ，６０ｄ，６０ｅの出力電圧に変化が生じることを抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅのうちいずれか１つに帰還巻線が設けられる構成に比べて、制御対象とならないトランスの数を低減することができる。その結果、絶縁電源装置１００の部品数を低減しつつ、第１，第３，第４，第５トランス６０ａ，６０ｃ，６０ｄ，６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。

・第１，第２分圧抵抗体８４，８５が入力側共通配線Ｌｓに接続される構成に代えて、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに対応して分圧抵抗体が設けられる構成としてもよい。

例えば、図５に示すように、絶縁電源装置１００は、第３～第１２分圧抵抗体８６～９５を備えている。なお、図５において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。

第３分圧抵抗体８６及び第４分圧抵抗体８７は、第１帰還配線ＬＲａに対応して設けられている。第３分圧抵抗体８６の第１端は第１帰還配線ＬＲａに接続され、第３分圧抵抗体８６の第２端は入力側共通配線Ｌｓ及び第４分圧抵抗体８７の第１端に接続されている。第４分圧抵抗体８７の第２端はグランドに接続されている。第５分圧抵抗体８８及び第６分圧抵抗体８９は、第２帰還配線ＬＲｂに対応して設けられている。第５分圧抵抗体８８の第１端は第２帰還配線ＬＲｂに接続され、第５分圧抵抗体８８の第２端は入力側共通配線Ｌｓ及び第６分圧抵抗体８９の第１端に接続されている。第６分圧抵抗体８９の第２端はグランドに接続されている。

第７分圧抵抗体９０及び第８分圧抵抗体９１は、第３帰還配線ＬＲｃに対応して設けられている。第７分圧抵抗体９０の第１端は第３帰還配線ＬＲｃに接続され、第７分圧抵抗体９０の第２端は入力側共通配線Ｌｓ及び第８分圧抵抗体９１の第１端に接続されている。第８分圧抵抗体９１の第２はグランドに接続されている。第９分圧抵抗体９２及び第１０分圧抵抗体９３は、第４帰還配線ＬＲｄに対応して設けられている。第９分圧抵抗体９２の第１端は第４帰還配線ＬＲｄに接続され、第９分圧抵抗体９２の第２端は入力側共通配線Ｌｓ及び第１０分圧抵抗体９３の第１端に接続されている。第１０分圧抵抗体９３の第２端はグランドに接続されている。第１１分圧抵抗体９４及び第１２分圧抵抗体９５は、第５帰還配線ＬＲｅに対応して設けられている。第１１分圧抵抗体９４の第１端は第５帰還配線ＬＲｅに接続され、第１１分圧抵抗体９４の第２端は入力側共通配線Ｌｓ及び第１２分圧抵抗体９５の第１端に接続されている。第１２分圧抵抗体９５の第２端はグランドに接続されている。

・各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅを接続する共通配線の構成を変更してもよい。例えば、図６に示すように、絶縁電源装置１００には、第１共通配線Ｌｓ１及び第２共通配線Ｌｓ２が設けられてもよい。第１共通配線Ｌｓ１は、先の図２における入力側共通配線Ｌｓに相当する。第２共通配線Ｌｓ２は、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに接続されている。ここで、各トランス６０ａ～６０ｅの第３端子Ｔ３ａ～Ｔ３ｅは、第２共通配線Ｌｓ２を介して接続されている。また、各帰還ダイオード７１ａ～７１ｅのアノードは、第２共通配線Ｌｓ２に接続されている。なお、図６において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。

各帰還巻線６３ａ～６３ｅ、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲe、第１共通配線Ｌｓ１を含む第１閉回路の経路が長くなることに起因して、第１閉回路での電圧降下量が増大し、第１閉回路に電流が流れ難くなる懸念がある。この点、本実施形態によれば、各トランス６０ａ～６０ｅの第３端子Ｔ３ａ～Ｔ３ｅは、第２共通配線Ｌｓ２を介して接続されている。これにより、各帰還巻線６３ａ～６３ｅ及び第２共通配線Ｌｓ２を含む第２閉回路が形成される。この場合、第２閉回路の経路は、第１閉回路の経路に比べて長くなることが抑制される。そのため、閉回路における電圧降下量の増大を抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積された磁気エネルギを授受することができる。

・ブリーダ抵抗体が各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに接続されることに代えて、ブリーダ抵抗体が入力側共通配線Ｌｓに接続されてもよい。本実施形態では、図７に示すように、絶縁電源装置１００は、共通ブリーダ抵抗体７４を備えている。共通ブリーダ抵抗体７４の第１端は入力側共通配線Ｌｓに接続され、共通ブリーダ抵抗体７４の第２端はグランドに接続されている。なお、図７において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。

本実施形態によれば、共通ブリーダ抵抗体７４の第１端が入力側共通配線Ｌｓに接続されている。この構成では、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅに対応してブリーダ抵抗体が設けられないため、各帰還配線ＬＲａ～ＬＲｅにブリーダ抵抗体が接続される場合に比べて、ブリーダ抵抗体の数を低減することができる。

・ブリーダ抵抗体は、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに対応して設けられることに限られず、各帰還巻線６３ａ～６３ｅのうちいずれか１つ、２つ、３つ又は４つに対応して設けられてもよい。

・インバータ１２及び昇圧コンバータ３０を構成する各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬ，ＳＵＨ～ＳＷＬとしては、ＩＧＢＴに限らず、例えばＳｉで構成されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴであってもよい。

・下アーム用トランスは、各下アームスイッチＳＣＬ，ＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬに対して共通のトランスに限らず、例えば、各下アームスイッチＳＣＬ，ＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬのそれぞれに対応して個別に設けられるトランスであってもよい。なお、下アーム用トランスが個別に設けられる場合としては、各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬ，ＳＵＨ～ＳＷＬが、ＩＧＢＴに代えて、例えばＳｉＣ（シリコンカーバイド）系材料や、ＧａＮ（窒化ガリウム）系材料などによって構成されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴである場合が考えられる。

この場合、図８に示すように、絶縁電源装置１００は、下アーム用トランスとして、第７～第１０トランス６０ｇ～６０ｊを備えている。なお、図８において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。また、図８において、各スイッチＳＣＨ，ＳＣＬ，ＳＵＨ～ＳＷＬ等の図示を省略している。

第７トランス６０ｇは、昇圧用下アーム駆動回路ＤＣＬに対して電力を供給し、第８トランス６０ｈは、Ｕ相下アーム駆動回路ＤＵＬに対して電力を供給する。第９トランス６０ｉは、Ｖ相下アーム駆動回路ＤＶＬに対して電力を供給し、第１０トランス６０ｊは、Ｗ相下アーム駆動回路ＤＷＬに対して電力を供給する。

第７トランス６０ｇは、共通のコアにより磁気結合される第７入力巻線６１ｇ、第７出力巻線６２ｇ及び第７帰還巻線６３ｇを備えている。第８トランス６０ｈは、共通のコアにより磁気結合される第８入力巻線６１ｈ、第８出力巻線６２ｈ及び第８帰還巻線６３ｈを備えている。第９トランス６０ｉは、共通のコアにより磁気結合される第９入力巻線６１ｉ、第９出力巻線６２ｉ及び第９帰還巻線６３ｉを備えている。第１０トランス６０ｊは、共通のコアにより磁気結合される第１０入力巻線６１ｊ、第１０出力巻線６２ｊ及び第１０帰還巻線６３ｊを備えている。

なお、第７～第１０入力巻線６１ｇ～６１ｊ及び第７～第１０帰還巻線６３ｇ～６３ｊは、低圧領域に設けられている。第７～第１０出力巻線６２ｇ～６２ｊは、高圧領域に設けられている。

第７トランス６０ｇの出力端子は、第７出力ダイオード６４ｇ及び第７出力コンデンサ６５ｇを介して、昇圧用下アーム駆動回路ＤＣＬに接続されている。第８トランス６０ｈの出力端子は、第８出力ダイオード６４ｈ及び第８出力コンデンサ６５ｈを介して、Ｕ相下アーム駆動回路ＤＵＬに接続されている。第９トランス６０ｉの出力端子は、第９出力ダイオード６４ｉ及び第９出力コンデンサ６５ｉを介して、Ｖ相下アーム駆動回路ＤＶＬに接続されている。第１０トランス６０ｊの出力端子は、第１０出力ダイオード６４ｊ及び第１０出力コンデンサ６５ｊを介して、Ｗ相下アーム駆動回路ＤＷＬに接続されている。

第７トランス６０ｇには、第１～第４端子Ｔ１ｇ～Ｔ４ｇが設けられている。第７トランス６０ｇの第１端子Ｔ１ｇは、第７入力巻線６１ｇを介して、第７トランス６０ｇの第２端子Ｔ２ｇに接続されている。第７トランス６０ｇの第３端子Ｔ３ｇは、第７帰還巻線６３ｇを介して、第７トランス６０ｇの第４端子Ｔ４ｇに接続されている。第７トランス６０ｇの第２端子Ｔ２ｇに対する第１端子Ｔ１ｇの電位が高くなる場合、第７帰還巻線６３ｇには、第７トランス６０ｇの第３端子Ｔ３ｇよりも第４端子Ｔ４ｇの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第８トランス６０ｈには、第１～第４端子Ｔ１ｈ～Ｔ４ｈが設けられている。第８トランス６０ｈの第１端子Ｔ１ｈは、第８入力巻線６１ｈを介して、第８トランス６０ｈの第２端子Ｔ２ｈに接続されている。第８トランス６０ｈの第３端子Ｔ３ｈは、第８帰還巻線６３ｈを介して、第８トランス６０ｈの第４端子Ｔ４ｈに接続されている。第８トランス６０ｈの第２端子Ｔ２ｈに対する第１端子Ｔ１ｈの電位が高くなる場合、第８帰還巻線６３ｈには、第８トランス６０ｈの第３端子Ｔ３ｈよりも第４端子Ｔ４ｈの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第９トランス６０ｉには、第１～第４端子Ｔ１ｉ～Ｔ４ｉが設けられている。第９トランス６０ｉの第１端子Ｔ１ｉは、第９入力巻線６１ｉを介して、第９トランス６０ｉの第２端子Ｔ２ｉに接続されている。第９トランス６０ｉの第３端子Ｔ３ｉは、第９帰還巻線６３ｉを介して、第９トランス６０ｉの第４端子Ｔ４ｉに接続されている。第９トランス６０ｉの第２端子Ｔ２ｉに対する第１端子Ｔ１ｉの電位が高くなる場合、第９帰還巻線６３ｉには、第９トランス６０ｉの第３端子Ｔ３ｉよりも第４端子Ｔ４ｉの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第１０トランス６０ｊには、第１～第４端子Ｔ１ｊ～Ｔ４ｊが設けられている。第１０トランス６０ｊの第１端子Ｔ１ｊは、第１０入力巻線６１ｊを介して、第１０トランス６０ｊの第２端子Ｔ２ｊに接続されている。第１０トランス６０ｊの第３端子Ｔ３ｊは、第１０帰還巻線６３ｊを介して、第１０トランス６０ｊの第４端子Ｔ４ｊに接続されている。第１０トランス６０ｊの第２端子Ｔ２ｊに対する第１端子Ｔ１ｊの電位が高くなる場合、第１０帰還巻線６３ｊには、第１０トランス６０ｊの第３端子Ｔ３ｊよりも第４端子Ｔ４ｊの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。

第７トランス６０ｇの第１端子Ｔ１ｇは、第５正極配線ＬＰｅを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第７トランス６０ｇの第２端子Ｔ２ｇは、第１，第５負極配線ＬＮａ，ＬＮｅを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。第７トランス６０ｇの第３端子Ｔ３ｇは、第７帰還配線ＬＲｇを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第７トランス６０ｇの第４端子Ｔ４ｇは、第７グランド配線ＬＧｇを介して、グランドに接続されている。

第８トランス６０ｈの第１端子Ｔ１ｈは、第８正極配線ＬＰｈを介して、第５正極配線ＬＰｅに接続されている。つまり、第８トランス６０ｈの第１端子Ｔ１ｈは、第５，第８正極配線ＬＰｅ，ＬＰｈを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第８トランス６０ｈの第２端子Ｔ２ｈは、第８負極配線ＬＮｈを介して、第５負極配線ＬＮｅに接続されている。つまり、第８トランス６０ｈの第２端子Ｔ２ｈは、第１，第５，第８負極配線ＬＮａ，ＬＮｅ，ＬＮｈを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。第８トランス６０ｈの第３端子Ｔ３ｈは、第８帰還配線ＬＲｈを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第８トランス６０ｈの第４端子Ｔ４ｈは、第８グランド配線ＬＧｈを介して、グランドに接続されている。

第９トランス６０ｉの第１端子Ｔ１ｉは、第９正極配線ＬＰｉを介して、第５正極配線ＬＰｅに接続されている。つまり、第９トランス６０ｉの第１端子Ｔ１ｉは、第５，第９正極配線ＬＰｅ，ＬＰｉを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第９トランス６０ｉの第２端子Ｔ２ｉは、第９負極配線ＬＮｉを介して、第５負極配線ＬＮｅに接続されている。つまり、第９トランス６０ｉの第２端子Ｔ２ｉは、第１，第５，第９負極配線ＬＮａ，ＬＮｅ，ＬＮｉを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。第９トランス６０ｉの第３端子Ｔ３ｉは、第９帰還配線ＬＲｉを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第９トランス６０ｉの第４端子Ｔ４ｉは、第９グランド配線ＬＧｉを介して、グランドに接続されている。

第１０トランス６０ｊの第１端子Ｔ１ｊは、第１０正極配線ＬＰｊを介して、第５正極配線ＬＰｅに接続されている。つまり、第１０トランス６０ｊの第１端子Ｔ１ｊは、第５，第１０正極配線ＬＰｅ，ＬＰｊを介して、低電圧バッテリ４２の正極端子に接続されている。第１０トランス６０ｊの第２端子Ｔ２ｊは、第１０負極配線ＬＮｊを介して、第５負極配線ＬＮｅに接続されている。つまり、第１０トランス６０ｊの第２端子Ｔ２ｊは、第１，第５，第１０負極配線ＬＮａ，ＬＮｅ，ＬＮｊを介して、制御用スイッチ５１のドレインに接続されている。第１０トランス６０ｊの第３端子Ｔ３ｊは、第１０帰還配線ＬＲｊを介して、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第１０トランス６０ｊの第４端子Ｔ４ｊは、第１０グランド配線ＬＧｊを介して、グランドに接続されている。

第７帰還配線ＬＲｇには、第７帰還ダイオード７１ｇが設けられている。第７帰還ダイオード７１ｇのアノードは、第７トランス６０ｇの第３端子Ｔ３ｇに接続され、第７帰還ダイオード７１ｇのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第８帰還配線ＬＲｈには、第８帰還ダイオード７１ｈが設けられている。第８帰還ダイオード７１ｈのアノードは、第８トランス６０ｈの第３端子Ｔ３ｈに接続され、第８帰還ダイオード７１ｈのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第９帰還配線ＬＲｉには、第９帰還ダイオード７１ｉが設けられている。第９帰還ダイオード７１ｉのアノードは、第９トランス６０ｉの第３端子Ｔ３ｉに接続され、第９帰還ダイオード７１ｉのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。第１０帰還配線ＬＲｊには、第１０帰還ダイオード７１ｊが設けられている。第１０帰還ダイオード７１ｊのアノードは、第１０トランス６０ｊの第３端子Ｔ３ｊに接続され、第１０帰還ダイオード７１ｊのカソードは、入力側共通配線Ｌｓに接続されている。

絶縁電源装置１００は、第７～第１０帰還コンデンサ７２ｇ～７２ｊを備えている。第７帰還コンデンサ７２ｇは、第７帰還ダイオード７１ｇのカソードと第７グランド配線ＬＧｇとを接続する。第７帰還コンデンサ７２ｇの場合と同様に、第８～第１０帰還コンデンサ７２ｈ～７２ｊは、対応する第８～第１０帰還ダイオード７１ｈ～７１ｊのカソードと、対応する第８～第１０グランド配線ＬＧｈ～ＬＧｊとを接続する。

絶縁電源装置１００は、第７～第１０ブリーダ抵抗体７３ｇ～７３ｊを備えている。第７ブリーダ抵抗体７３ｇの第１端は第７帰還配線ＬＲｇに接続され、第７ブリーダ抵抗体７３ｇの第２端はグランドに接続されている。第７ブリーダ抵抗体７３ｇの場合と同様に、第８～第１０ブリーダ抵抗体７３ｈ～７３ｊの第１端は、対応する第８～第１０帰還配線ＬＲｈ～ＬＲｊに接続され、第８～第１０ブリーダ抵抗体７３ｈ～７３ｊの第２端は、グランドに接続されている。なお、第７～第１０ブリーダ抵抗体７３ｇ～７３ｊの第１端は、対応する帰還ダイオード７１ｇ～７１ｊのカソードに接続されている。

制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第７帰還巻線６３ｇに電流が流れることが第７帰還ダイオード７１ｇにより規制され、第７トランス６０ｇに磁気エネルギが蓄積される。なお、第７帰還巻線６３ｇの場合と同様に、第７出力巻線６２ｇに電流が流れることが第７出力ダイオード６４ｇにより規制される。また、第７トランス６０ｇの場合と同様に、制御用スイッチ５１がオンされる場合に、第８～第１０トランス６０ｈ～６０ｊに磁気エネルギが蓄積される。

一方、制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第７帰還巻線６３ｇには、第７トランス６０ｇの第４端子Ｔ４ｇよりも第３端子Ｔ３ｇの電位が高くなるような誘起電圧が発生する。これにより、第７帰還巻線６３ｇに電流が流れる。また、第７帰還巻線６３ｇの場合と同様にして第７出力巻線６２ｇに電流が流れ、昇圧用下アーム駆動回路ＤＣＬに電力が供給される。

第７トランス６０ｇの場合と同様に、制御用スイッチ５１がオフされる場合に、第８～第１０帰還巻線６３ｈ～６３ｊに電流が流れる。また、第８～第１０出力巻線６２ｈ～６２ｊに電流が流れ、対応する各相下アーム駆動回路ＤＵＬ～ＤＷＬに電力が供給される。

＜第２実施形態＞
以下、第２実施形態について、第１実施形態との相違点を中心に説明する。制御用スイッチ５１がオンオフされる場合に、第１実施形態では、各帰還巻線６３ａ～６３ｅに生じる電圧が用いられたが、これを変更し、各出力巻線６２ａ～６２ｅのうち少なくとも２つの出力巻線に生じる電圧が用いられてもよい。本実施形態では、制御用スイッチ５１のオンオフ制御に、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧が用いられる。本実施形態において、各出力巻線６２ａ～６２ｅが「制御用巻線」に相当する。

以下、図９を用いて、絶縁電源装置１００の構成について説明する。本実施形態では、各トランス６０ａ～６０ｅは、対応する入力巻線６１ａ～６１ｅ及び出力巻線６２ａ～６２ｅを有し、帰還巻線を有していない。なお、図９において、先の図２に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。また、図９において、各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬ等の図示を省略している。

ここでは、各トランス６０ａ～６０ｅの出力側の構成について、詳細に説明する。各トランス６０ａ～６０ｅには、各第５端子Ｔ５ａ～Ｔ５ｅ及び各第６端子Ｔ６ａ～Ｔ６ｅが設けられている。第１トランス６０ａの第５端子Ｔ５ａは、第１出力巻線６２ａ介して、第１トランス６０ａの第６端子Ｔ６ａに接続されている。第２トランス６０ｂの第５端子Ｔ５ｂは、第２出力巻線６２ｂを介して、第２トランス６０ｂの第６端子Ｔ６ｂに接続されている。第３トランス６０ｃの第５端子Ｔ５ｃは、第３出力巻線６２ｃを介して、第３トランス６０ｃの第６端子Ｔ６ｃに接続されている。第４トランス６０ｄの第５端子Ｔ５ｄは、第４出力巻線６２ｄを介して、第４トランス６０ｄの第６端子Ｔ６ｄに接続されている。第５トランス６０ｅの第５端子Ｔ５ｅは、第５出力巻線６２ｅを介して、第５トランス６０ｅの第６端子Ｔ６ｅに接続されている。

第１トランス６０ａの第５端子Ｔ５ａは、第１出力配線ＬＯａを介して、出力側共通配線Ｌｔ及び昇圧用上アーム駆動回路ＤＣＨに接続されている。第２トランス６０ｂの第５端子Ｔ５ｂは、第２出力配線ＬＯｂを介して、出力側共通配線Ｌｔ及びＵ相上アーム駆動回路ＤＵＨに接続されている。第３トランス６０ｃの第５端子Ｔ５ｃは、第３出力配線ＬＯｃを介して、出力側共通配線Ｌｔ及びＶ相上アーム駆動回路ＤＶＨに接続されている。第４トランス６０ｄの第５端子Ｔ５ｄは、第４出力配線ＬＯｄを介して、出力側共通配線Ｌｔ及びＷ相上アーム駆動回路ＤＷＨに接続されている。第５トランス６０ｅの第５端子Ｔ５ｅは、第５出力配線ＬＯｅを介して、出力側共通配線Ｌｔ及び各下アーム駆動回路ＤＣＬ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬに接続されている。各トランス６０ａ～６０ｅの第６端子Ｔ６ａ～Ｔ６ｅは、グランドに接続されている。本実施形態において、各出力配線ＬＯａ～ＬＯｅが「制御用配線」に相当する。

第１出力配線ＬＯａには、第１出力ダイオード６４ａが設けられている。第１出力ダイオード６４ａのアノードは、第１トランス６０ａの第５端子Ｔ５ａに接続され、第１出力ダイオード６４ａのカソードは、昇圧用上アーム駆動回路ＤＣＨ及び出力側共通配線Ｌｔに接続されている。第２出力配線ＬＯｂには、第２出力ダイオード６４ｂが設けられている。第２出力ダイオード６４ｂのアノードは、第２トランス６０ｂの第５端子Ｔ５ｂに接続され、第２出力ダイオード６４ｂのカソードは、Ｕ相上アーム駆動回路ＤＵＨ及び出力側共通配線Ｌｔに接続されている。第３出力配線ＬＯｃには、第３出力ダイオード６４ｃが設けられている。第３出力ダイオード６４ｃのアノードは、第３トランス６０ｃの第５端子Ｔ５ｃに接続され、第３出力ダイオード６４ｃのカソードは、Ｖ相上アーム駆動回路ＤＶＨ及び出力側共通配線Ｌｔに接続されている。なお、本実施形態では、出力側共通配線Ｌｔは、高圧領域に設けられている。

第４出力配線ＬＯｄには、第４出力ダイオード６４ｄが設けられている。第４出力ダイオード６４ｄのアノードは、第４トランス６０ｄの第５端子Ｔ５ｄに接続され、第４出力ダイオード６４ｄのカソードは、Ｗ相上アーム駆動回路ＤＷＨ及び出力側共通配線Ｌｔに接続されている。第５出力配線ＬＯｅには、第５出力ダイオード６４ｅが設けられている。第５出力ダイオード６４ｅのアノードは、第５トランス６０ｅの第５端子Ｔ５ｅに接続され、第５出力ダイオード６４ｅのカソードは、各下アーム駆動回路ＤＣＬ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬ及び出力側共通配線Ｌｔに接続されている。本実施形態において、各出力ダイオード６４ａ～６４ｅが「制御用ダイオード」に相当する。

上述した第１～第５出力コンデンサ６５ａ～６５ｅは、対応する各出力ダイオード６４ａ～６４ｅのカソードとグランドとを接続する。本実施形態において、第１～第５出力コンデンサ６５ａ～６５ｅが「制御用コンデンサ」に相当する。

絶縁電源装置１００は、出力側共通配線Ｌｔ及び電源ＩＣ５０の間を電気的に絶縁しつつ、出力側共通配線Ｌｔの電圧値を電源ＩＣ５０に伝達する絶縁伝達部を備える。本実施形態では、絶縁電源装置１００は、絶縁伝達部として、Ａ/Ｄコンバータ５２及びアイソレータ５３を備える。Ａ/Ｄコンバータ５２は、高圧領域に設けられ、アナログ信号である出力側共通配線Ｌｔの電圧値をデジタル信号に変換する。変換されたデジタル信号はアイソレータ５３に出力される。アイソレータ５３は、低圧領域及び高圧領域の境界を跨いで低圧領域及び高圧領域に設置されている。アイソレータ５３は、例えば一対の磁気コイルによって信号を伝達するデジタルアイソレータである。アイソレータ５３は、出力側共通配線Ｌｔ及び電源ＩＣ５０の間を電気的に絶縁しつつ、Ａ/Ｄコンバータ５２の出力値を、電源ＩＣ５０に伝達する。なお、絶縁伝達部は、Ａ/Ｄコンバータ５２及びアイソレータ５３に代えて、フォトカプラであってもよい。

電源ＩＣ５０は、Ａ/Ｄコンバータ５２及びアイソレータ５３を介して伝達される出力側共通配線Ｌｔの電圧値に基づいて、制御用スイッチ５１の時比率を設定する。これにより、制御用スイッチ５１のオンオフ制御に、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧が用いられる。

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。

本実施形態によれば、各出力巻線６２ａ～６２ｅ、各出力配線ＬＯａ～ＬＯａ及び出力側共通配線Ｌｔを含む閉回路が形成される。この場合、形成される閉回路に電流が流れることにより、各トランス６０ａ～６０ｅの間において、磁気エネルギが高いトランスから磁気エネルギが低いトランスへと、磁気エネルギが伝達される。これにより、各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬの負荷の大きさがばらつくことに起因して、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧がばらつくことを抑制することができる。

また、制御用スイッチ５１のオンオフ制御に、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧が用いられる。このため、各出力巻線６２ａ～６２ｅのうちいずれか１つの出力巻線に生じる電圧に基づいて、制御用スイッチ５１の時比率が設定される場合に比べて、多くの出力巻線に生じる電圧が制御用スイッチ５１の時比率の設定に用いられる。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧のばらつきを低減しつつ、各出力巻線６２ａ～６２ｅのうち制御対象とならないトランスの数を低減することができる。その結果、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。

低圧領域に帰還巻線を設け、帰還巻線に生じる電圧に基づいて、制御用スイッチ５１のオンオフ制御を行うことが考えられる。しかしながら、この場合、各トランス６０ａ～６０ｅのうち少なくとも２つのトランスにおいて、帰還巻線を新たに設ける必要がある。

この点、本実施形態では、各トランス６０ａ～６０ｅの第５端子Ｔ５ａ～Ｔ５ｅが、対応する各出力配線ＬＯａ～ＬＯｅを介して、出力側共通配線Ｌｔに接続されている。そして、出力側共通配線Ｌｔの電圧値が、Ａ/Ｄコンバータ５２及びアイソレータ５３を介して電源ＩＣ５０に伝達される。そのため、帰還巻線を新たに設ける必要がないため、絶縁電源装置１００の部品数が増大することを抑制できる。これと共に、本実施形態によれば、上述したように各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。つまり、絶縁電源装置１００の部品数が増大することを抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅの出力電圧の制御性を高めることができる。

各出力巻線６２ａ～６２ｅに対応して、各出力ダイオード６４ａ～６４ｅ及び各出力コンデンサ６５ａ～６５ｅが設けられている。各トランス６０ａ～６０ｅの第５端子Ｔ５ａ～Ｔ５ｅから出力される電流が、対応する出力ダイオード６４ａ～６４ｅにより整流されるとともに、対応する出力コンデンサ６５ａ～６５ｅが充電される。この場合、各出力巻線６２ａ～６２ｅ、各出力配線ＬＯａ～ＬＯｅ及び出力側共通配線Ｌｔを含む閉回路において、各出力コンデンサ６５ａ～６５ｅに蓄積された電荷の授受が行われることにより電流が流れる。これにより、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積された磁気エネルギが授受される。そのため、各出力巻線６２ａ～６２ｅのインダクタンス成分により閉回路に電流が流れることが妨げられることを抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅ間において磁気エネルギを好適に授受することができる。

＜第２実施形態の変形例＞
・各出力巻線６２ａ～６２ｅを接続する共通配線の構成を変更してもよい。例えば、図１０に示すように、絶縁電源装置１００には、第３共通配線Ｌｔ１及び第４共通配線Ｌｔ２が設けられてもよい。第３共通配線Ｌｔ１は、先の図９における出力側共通配線Ｌｔに相当する。第４共通配線Ｌｔ２は、各出力配線ＬＯａ～ＬＯｅを接続する。ここで、各トランス６０ａ～６０ｅの第５端子Ｔ５ａ～Ｔ５ｅは、第４共通配線Ｌｔ２を介して接続されている。また、各出力ダイオード６４ａ～６４ｅのアノードは、第４共通配線Ｌｔ２に接続されている。なお、図１０において、先の図９に示した構成と同一の構成については、便宜上、同一の符号を付している。

各出力巻線６２ａ～６２ｅ、各出力配線ＬＯａ～ＬＯｅ、第３共通配線Ｌｔ１を含む第３閉回路の経路が長くなることに起因して、第３閉回路での電圧降下量が増大し、第３閉回路に電流が流れ難くなる懸念がある。この点、本実施形態によれば、各トランス６０ａ～６０ｅの第５端子Ｔ５ａ～Ｔ５ｅは、第４共通配線Ｌｔ２を介して接続されている。つまり、各出力巻線６２ａ～６２ｅの第１端が、第４共通配線Ｌｔ２を介して接続されている。これにより、各出力巻線６２ａ～６２ｅ及び第４共通配線Ｌｔ２を含む第４閉回路が形成される。この場合、第４閉回路の電流が流れる経路は、第３閉回路の電流が流れる経路に比べて長くなることが抑制される。そのため、第４閉回路における電圧降下量の増大を抑制しつつ、各トランス６０ａ～６０ｅに蓄積された磁気エネルギを授受することができる。

・制御用スイッチ５１のオンオフ制御に、各出力巻線６２ａ～６２ｅに生じる電圧が用いられることに代えて、各出力巻線６２ａ～６２ｅのうち少なくとも２つの出力巻線に生じる電圧が用いられてもよい。

＜その他の実施形態＞
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

・先の図１に示したモータ制御システムは、昇圧コンバータ３０を備えていなくてもよい。この場合、正極側母線１３は、上アーム昇圧スイッチＳＣＨのコレクタ及び平滑コンデンサ３１の第１端に接続されることに代えて、高電圧バッテリ２０の正極端子に接続される。

・絶縁電源装置１００が適用されるのは、インバータ１２及び昇圧コンバータ３０に限らない。例えば、ハーフブリッジ回路やフルブリッジ回路等、他の電力変換回路に適用されてもよい。
・各トランス６０ａ～６０ｆの出力電圧が供給されるのは、各駆動回路ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬに限らず、一般的な電気負荷でもよい。電気負荷の具体例としては、シートヒータやリヤウインドウのデフロスタ用ヒータ、ヘッドライト、フロントウインドウのワイパ、空調装置の送風ファン等が挙げられる。

・絶縁電源装置は、電気自動車に搭載されることに代えて、車載主機としてモータジェネレータ及びエンジンを備えるハイブリッド車に搭載されてもよい。この場合、モータ制御システムとしては、１モータ制御システムに限らず、２モータ制御システムであってもよい。詳しくは、モータ制御システムは、第１のモータジェネレータ及び第１のインバータの組と、第２のモータジェネレータ及び第２のインバータの組とを備える。第１のモータジェネレータ及び第２のモータジェネレータは、動力分割機構を介して駆動輪や車載主機としてのエンジンに連結されている。第１のモータジェネレータは、第１のインバータに接続され、エンジンのクランク軸に初期回転を付与するスタータや、車載機器に給電するための発電機等の役割を果たす。一方、第２のモータジェネレータは、第２のインバータに接続され、車載主機等の役割を果たす。絶縁電源装置は、第１のインバータを構成するスイッチの駆動回路、及び第２のインバータを構成するスイッチの駆動回路に対して電力を供給する。

・絶縁電源装置１００が搭載されるのは、車両に限らず、例えば、航空機又は船舶であってよい。また、絶縁電源装置１００の搭載先は、車両、航空機又は船舶等の移動体に限らない。

・以下、上述した各実施形態から抽出される特徴的な構成を記載する。
［構成１］
入力巻線（６１ａ～６１ｊ）及び前記入力巻線が巻回されたコアを有するトランス（６０ａ～６０ｊ）を複数備える絶縁電源装置において、
前記各入力巻線が直流電源（４２）に接続され、前記各トランスの出力側が前記各トランスに対応する給電対象（ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬ）に接続されており、
前記各トランスのうち少なくとも２つのトランスは、前記コアを介して前記入力巻線と磁気結合する制御用巻線（６２ａ～６２ｅ，６３ａ～６３ｊ）を有し、
オンされることにより、前記直流電源から前記各入力巻線に給電し、オフされることにより、前記直流電源から前記各入力巻線への給電を停止させる制御用スイッチ（５１）と、
前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用配線（ＬＲａ～ＬＲｅ，ＬＲｇ～ＬＲｊ，ＬＯａ～ＬＯｅ）と、
共通配線（Ｌｓ，Ｌｓ１，Ｌｓ２，Ｌｔ，Ｌｔ１，Ｌｔ２）と、を備え、
前記各制御用巻線の第１端は、グランドに接続されており、
前記各制御用巻線の第２端は、対応する前記制御用配線の第１端に接続されており、
前記各制御用配線の第２端は、前記共通配線に接続されており、
前記共通配線の電圧値に基づいて、前記制御用スイッチをオンオフする制御部（５０）を備える絶縁電源装置。
［構成２］
前記各入力巻線、前記各制御用巻線（６３ａ～６３ｊ）、前記制御用スイッチ、前記各制御用配線（ＬＲａ～ＬＲｅ，ＬＲｇ～ＬＲｊ）、前記共通配線（Ｌｓ，Ｌｓ１，Ｌｓ２）及び前記制御部は、電気的に絶縁された高圧領域及び低圧領域のうち前記低圧領域に設けられる構成１に記載の絶縁電源装置。
［構成３］
前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用コンデンサ（７２ａ～７２ｅ，７２ｇ～７２ｊ）と、
前記各制御用配線に設けられる制御用ダイオード（７１ａ～７１ｅ，７１ｇ～７１ｊ）と、を備え、
前記各制御用コンデンサの第１端は、対応する前記制御用配線に接続され、前記各制御用コンデンサの第２端は、対応する前記制御用巻線の第１端に接続されており、
前記各制御用ダイオードのアノードが、対応する前記制御用巻線の第２端に接続され、前記各制御用ダイオードのカソードが、前記共通配線及び対応する前記制御用コンデンサの第１端に接続されている構成２に記載の絶縁電源装置。
［構成４］
互いに直列接続された第１分圧抵抗体（８４）及び第２分圧抵抗体（８５）を備え、
前記第１分圧抵抗体の第１端が前記共通配線に接続され、前記第１分圧抵抗体の第２端が前記第２分圧抵抗体の第１端に接続され、前記第２分圧抵抗体の第２端が前記グランドに接続されており、
前記第１分圧抵抗体及び前記第２分圧抵抗体の接続点が、前記制御部に接続されている構成３に記載の絶縁電源装置。
［構成５］
前記共通配線は、第１共通配線（Ｌｓ１）であり、
前記各制御用配線の第１端を接続する第２共通配線（Ｌｓ２）を備える構成３又は４に記載の絶縁電源装置。
［構成６］
前記各制御用巻線のうち少なくとも１つに対応して設けられるブリーダ抵抗体（７３ａ～７３ｅ，７３ｇ～７３ｊ）を備え、
前記ブリーダ抵抗体の第１端が対応する前記制御用配線に接続され、前記ブリーダ抵抗体の第２端が前記グランドに接続されている構成２～５のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
［構成７］
上アームスイッチ（ＳＣＨ，ＳＵＨ～ＳＷＨ）及び下アームスイッチ（ＳＣＬ，ＳＵＬ～ＳＷＬ）の直列接続体を複数有する電力変換回路（１２，３０）と、
前記給電対象であって、前記上アームスイッチを駆動する複数の上アーム駆動回路（ＤＣＨ，ＤＵＨ～ＤＷＨ）と、
前記給電対象であって、前記下アームスイッチを駆動する複数の下アーム駆動回路（ＤＣＬ，ＤＵＬ～ＤＷＬ）と、を備えるシステムに適用され、
前記トランスは、
出力側が前記上アーム駆動回路に接続される上アーム用トランス（６０ａ～６０ｄ）と、
出力側が前記下アーム駆動回路に接続される下アーム用トランス（６０ｅ）とであり、
前記上アーム用トランスは、前記上アーム駆動回路のそれぞれに対応して個別に設けられ、
前記下アーム用トランスは、前記下アーム駆動回路のそれぞれに共通のトランスであり、
前記ブリーダ抵抗体は、
前記上アーム用トランスが有する前記制御用巻線のうち少なくとも１つに対応して設けられる上アーム用ブリーダ抵抗体（７３ａ～７３ｄ）と、
前記下アーム用トランスが有する前記制御用巻線に対応して設けられる下アーム用ブリーダ抵抗体（７３ｅ）とであり、
前記下アーム用ブリーダ抵抗体の抵抗値は、前記上アーム用ブリーダ抵抗体の抵抗値よりも小さくされている構成６に記載の絶縁電源装置。
［構成８］
ブリーダ抵抗体（７４）を備え、
前記ブリーダ抵抗体の第１端が前記共通配線に接続され、前記ブリーダ抵抗体の第２端が前記グランドに接続されている請求項２～５のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
［構成９］
前記各入力巻線、前記制御用スイッチ及び前記制御部は、電気的に絶縁された高圧領域及び低圧領域のうち前記低圧領域に設けられており、
前記各トランスの出力側には、前記コアを介して前記入力巻線と磁気結合する出力巻線（６２ａ～６２ｅ）が設けられており、
前記各出力巻線及び前記共通配線（Ｌｔ，Ｌｔ１，Ｌｔ２）は、前記高圧領域に設けられており、
前記各出力巻線に対応して、前記高圧領域に設けられる出力配線（ＬＯａ～ＬＯｅ）と、
前記低圧領域と前記高圧領域との境界を跨いで前記低圧領域及び前記高圧領域に設けられ、前記共通配線及び前記制御部の間を電気的に絶縁しつつ、前記共通配線の電圧値を前記制御部に伝達する絶縁伝達部（５２，５３）と、を備え、
前記各出力巻線の第１端は、前記グランドに接続されており、
前記各出力巻線の第２端は、対応する前記出力配線の第１端に接続されており、
前記各出力配線の第２端は、対応する前記給電対象に接続されており、
前記制御用巻線（６２ａ～６２ｅ）は、前記各出力巻線のうち少なくとも２つの出力巻線であり、
前記制御用配線（ＬＯａ～ＬＯｅ）は、前記各制御用巻線に対応する前記出力配線であり、
前記共通配線は、前記各制御用配線の第２端を接続するとともに、前記絶縁伝達部に前記電圧値を出力する構成１に記載の絶縁電源装置。
［構成１０］
前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用コンデンサ（６５ａ～６５ｅ）と、
前記各制御用配線に設けられる制御用ダイオード（６４ａ～６４ｅ）と、を備え、
前記各制御用コンデンサの第１端は、対応する前記制御用配線に接続され、前記各制御用コンデンサの第２端は、対応する前記制御用巻線の第１端に接続されており、
前記各制御用ダイオードのアノードが、対応する前記制御用巻線の第２端に接続され、前記各制御用ダイオードのカソードが、前記共通配線及び対応する前記制御用コンデンサの第１端に接続されている構成９に記載の絶縁電源装置。
［構成１１］
前記共通配線は、第１共通配線（Ｌｔ１）であり、
前記各制御用配線の第１端を接続する第２共通配線（Ｌｔ２）を備える構成１０に記載の絶縁電源装置。

５０…電源ＩＣ、５１…制御用スイッチ、６０ａ～６０ｊ…第１～第１０トランス、６１ａ～６１ｊ…第１～第１０入力巻線、６２ａ～６２ｅ…第１～第５出力巻線、６３ａ～６３ｊ…第１～第１０帰還巻線、１００…絶縁電源装置、ＬＲａ～ＬＲｅ，ＬＲｇ～ＬＲｊ…第１～第５，第７～第１０帰還配線、ＬＯａ～ＬＯｅ…第１～第５出力配線、ＤＣＨ，ＤＣＬ…昇圧用上，下アーム駆動回路、ＤＵＨ～ＤＷＬ…Ｕ，Ｖ，Ｗ相上，下アーム駆動回路。

Claims (11)

1. 入力巻線（６１ａ～６１ｊ）及び前記入力巻線が巻回されたコアを有するトランス（６０ａ～６０ｊ）を複数備える絶縁電源装置において、
   前記各入力巻線が直流電源（４２）に接続され、前記各トランスの出力側が前記各トランスに対応する給電対象（ＤＣＨ，ＤＣＬ，ＤＵＨ～ＤＷＬ）に接続されており、
   前記各トランスのうち少なくとも２つのトランスは、前記コアを介して前記入力巻線と磁気結合する制御用巻線（６２ａ～６２ｅ，６３ａ～６３ｊ）を有し、
   オンされることにより、前記直流電源から前記各入力巻線に給電し、オフされることにより、前記直流電源から前記各入力巻線への給電を停止させる制御用スイッチ（５１）と、
   前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用配線（ＬＲａ～ＬＲｅ，ＬＲｇ～ＬＲｊ，ＬＯａ～ＬＯｅ）と、
   共通配線（Ｌｓ，Ｌｓ１，Ｌｓ２，Ｌｔ，Ｌｔ１，Ｌｔ２）と、を備え、
   前記各制御用巻線の第１端は、グランドに接続されており、
   前記各制御用巻線の第２端は、対応する前記制御用配線の第１端に接続されており、
   前記各制御用配線の第２端は、前記共通配線に接続されており、
   前記共通配線の電圧値に基づいて、前記制御用スイッチをオンオフする制御部（５０）を備える絶縁電源装置。
2. 前記各入力巻線、前記各制御用巻線（６３ａ～６３ｊ）、前記制御用スイッチ、前記各制御用配線（ＬＲａ～ＬＲｅ，ＬＲｇ～ＬＲｊ）、前記共通配線（Ｌｓ，Ｌｓ１，Ｌｓ２）及び前記制御部は、電気的に絶縁された高圧領域及び低圧領域のうち前記低圧領域に設けられている請求項１に記載の絶縁電源装置。
3. 前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用コンデンサ（７２ａ～７２ｅ，７２ｇ～７２ｊ）と、
   前記各制御用配線に設けられる制御用ダイオード（７１ａ～７１ｅ，７１ｇ～７１ｊ）と、を備え、
   前記各制御用コンデンサの第１端は、対応する前記制御用配線に接続され、前記各制御用コンデンサの第２端は、対応する前記制御用巻線の第１端に接続されており、
   前記各制御用ダイオードのアノードが、対応する前記制御用巻線の第２端に接続され、前記各制御用ダイオードのカソードが、前記共通配線及び対応する前記制御用コンデンサの第１端に接続されている請求項２に記載の絶縁電源装置。
4. 互いに直列接続された第１分圧抵抗体（８４）及び第２分圧抵抗体（８５）を備え、
   前記第１分圧抵抗体の第１端が前記共通配線に接続され、前記第１分圧抵抗体の第２端が前記第２分圧抵抗体の第１端に接続され、前記第２分圧抵抗体の第２端が前記グランドに接続されており、
   前記第１分圧抵抗体及び前記第２分圧抵抗体の接続点が、前記制御部に接続されている請求項３に記載の絶縁電源装置。
5. 前記共通配線は、第１共通配線（Ｌｓ１）であり、
   前記各制御用配線の第１端を接続する第２共通配線（Ｌｓ２）を備える請求項３に記載の絶縁電源装置。
6. 前記各制御用巻線のうち少なくとも１つに対応して設けられるブリーダ抵抗体（７３ａ～７３ｅ，７３ｇ～７３ｊ）を備え、
   前記ブリーダ抵抗体の第１端が対応する前記制御用配線に接続され、前記ブリーダ抵抗体の第２端が前記グランドに接続されている請求項２～５のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
7. 上アームスイッチ（ＳＣＨ，ＳＵＨ～ＳＷＨ）及び下アームスイッチ（ＳＣＬ，ＳＵＬ～ＳＷＬ）の直列接続体を複数有する電力変換回路（１２，３０）と、
   前記給電対象であって、前記上アームスイッチを駆動する複数の上アーム駆動回路（ＤＣＨ，ＤＵＨ～ＤＷＨ）と、
   前記給電対象であって、前記下アームスイッチを駆動する複数の下アーム駆動回路（ＤＣＬ，ＤＵＬ～ＤＷＬ）と、を備えるシステムに適用され、
   前記トランスは、
   出力側が前記上アーム駆動回路に接続される上アーム用トランス（６０ａ～６０ｄ）と、
   出力側が前記下アーム駆動回路に接続される下アーム用トランス（６０ｅ）とであり、
   前記上アーム用トランスは、前記上アーム駆動回路のそれぞれに対応して個別に設けられ、
   前記下アーム用トランスは、前記下アーム駆動回路のそれぞれに共通のトランスであり、
   前記ブリーダ抵抗体は、
   前記上アーム用トランスが有する前記制御用巻線のうち少なくとも１つに対応して設けられる上アーム用ブリーダ抵抗体（７３ａ～７３ｄ）と、
   前記下アーム用トランスが有する前記制御用巻線に対応して設けられる下アーム用ブリーダ抵抗体（７３ｅ）とであり、
   前記下アーム用ブリーダ抵抗体の抵抗値は、前記上アーム用ブリーダ抵抗体の抵抗値よりも小さくされている請求項６に記載の絶縁電源装置。
8. ブリーダ抵抗体（７４）を備え、
   前記ブリーダ抵抗体の第１端が前記共通配線に接続され、前記ブリーダ抵抗体の第２端が前記グランドに接続されている請求項２～５のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
9. 前記各入力巻線、前記制御用スイッチ及び前記制御部は、電気的に絶縁された高圧領域及び低圧領域のうち前記低圧領域に設けられており、
   前記各トランスの出力側には、前記コアを介して前記入力巻線と磁気結合する出力巻線（６２ａ～６２ｅ）が設けられており、
   前記各出力巻線及び前記共通配線（Ｌｔ，Ｌｔ１，Ｌｔ２）は、前記高圧領域に設けられており、
   前記各出力巻線に対応して、前記高圧領域に設けられる出力配線（ＬＯａ～ＬＯｅ）と、
   前記低圧領域と前記高圧領域との境界を跨いで前記低圧領域及び前記高圧領域に設けられ、前記共通配線及び前記制御部の間を電気的に絶縁しつつ、前記共通配線の電圧値を前記制御部に伝達する絶縁伝達部（５２，５３）と、を備え、
   前記各出力巻線の第１端は、前記グランドに接続されており、
   前記各出力巻線の第２端は、対応する前記出力配線の第１端に接続されており、
   前記各出力配線の第２端は、対応する前記給電対象に接続されており、
   前記制御用巻線（６２ａ～６２ｅ）は、前記各出力巻線のうち少なくとも２つの出力巻線であり、
   前記制御用配線（ＬＯａ～ＬＯｅ）は、前記各制御用巻線に対応する前記出力配線であり、
   前記共通配線は、前記各制御用配線の第２端を接続するとともに、前記絶縁伝達部に前記電圧値を出力する請求項１に記載の絶縁電源装置。
10. 前記各制御用巻線に対応して設けられる制御用コンデンサ（６５ａ～６５ｅ）と、
    前記各制御用配線に設けられる制御用ダイオード（６４ａ～６４ｅ）と、を備え、
    前記各制御用コンデンサの第１端は、対応する前記制御用配線に接続され、前記各制御用コンデンサの第２端は、対応する前記制御用巻線の第１端に接続されており、
    前記各制御用ダイオードのアノードが、対応する前記制御用巻線の第２端に接続され、前記各制御用ダイオードのカソードが、前記共通配線及び対応する前記制御用コンデンサの第１端に接続されている請求項９に記載の絶縁電源装置。
11. 前記共通配線は、第１共通配線（Ｌｔ１）であり、
    前記各制御用配線の第１端を接続する第２共通配線（Ｌｔ２）を備える請求項１０に記載の絶縁電源装置。

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