JP2023161989A - 半導体装置、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の信頼性の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】光学素子が配された素子領域と外部接続端子が配された周辺領域とが設けられた第１面を有する素子基板と、前記素子領域を覆うように第２面が前記第１面に結合部材を介して結合された光透過基板と、前記外部接続端子に接続された電極が設けられた第３面を有する配線基板と、前記素子基板と前記配線基板との間の接合強度を補強するための補強部材と、を含み、前記外部接続端子は、前記第１面の第１辺に沿って配され、前記光透過基板のうち前記第２面に直交する側面は、前記第１辺に沿って配された第４面を含み、前記第２面と前記第４面との間には、前記第２面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第５面が配され、前記結合部材は、前記第５面に当接し、前記補強部材が、前記配線基板のうち前記第３面とは反対側の第６面、前記周辺領域、および、前記第４面に当接する。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに関する。

特許文献１には、光学素子が形成された半導体チップと、光学素子を覆うように半導体チップ上に透明接着剤によって固着された透明部材と、を備える半導体装置が示されている。

特開２００９－２７７９５０号公報

半導体チップを小型化するために、光学素子領域が配される素子領域の外縁側に設けられた周辺領域を狭くすることが求められている。周辺領域が狭くなると、周辺領域に設けられた端子とその端子に接続される電極が配された配線基板との接合面積が縮小することによって、半導体チップと配線基板との間の接合強度が低下してしまい、半導体装置の信頼性が低下してしまう可能性がある。

本発明は、半導体装置の信頼性の向上に有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る半導体装置は、光学素子が配された素子領域と外部接続端子が配された周辺領域とが設けられた第１面を有する素子基板と、前記素子領域を覆うように第２面が前記第１面に結合部材を介して結合された光透過基板と、前記外部接続端子に接続された電極が設けられた第３面を有する配線基板と、前記素子基板と前記配線基板との間の接合強度を補強するための補強部材と、を含む半導体装置であって、前記外部接続端子は、前記第１面の第１辺に沿って配され、前記光透過基板のうち前記第２面に直交する側面は、前記第１辺に沿って配された第４面を含み、前記第２面と前記第４面との間には、前記第２面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第５面が配され、前記結合部材は、前記第５面に当接し、前記補強部材が、前記配線基板のうち前記第３面とは反対側の第６面、前記周辺領域、および、前記第４面に当接することを特徴とする。

本発明によれば、半導体装置の信頼性の向上に有利な技術を提供することができる。

本実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す上面図および断面図。 図１の半導体装置の変形例を示す断面図。 図１の半導体装置の変形例を示す断面図。 図１の半導体装置の変形例を示す断面図。 本実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す上面図および断面図 本実施形態の半導体装置を用いた表示装置の一例を示す図。 本実施形態の半導体装置を用いた光電変換装置の一例を示す図。 本実施形態の半導体装置を用いた電子機器の一例を示す図。 本実施形態の半導体装置を用いた表示装置の一例を示す図。 本実施形態の半導体装置を用いた照明装置の一例を示す図。 本実施形態の半導体装置を用いた移動体の一例を示す図。 本実施形態の半導体装置を用いたウェアラブルデバイスの一例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１（ａ）、１（ｂ）～図５（ａ）～５（ｃ）を参照して、本開示の実施形態による半導体装置について説明する。図１（ａ）は、本実施形態における半導体装置９００の構成例を示す上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されるＡ－Ａ’間の断面図である。

本実施形態における半導体装置９００は、素子基板１００と、光透過基板２００と、配線基板３００と、補強部材６００と、を含む。素子基板１００は、光学素子が配された素子領域１０２と外部接続端子１０１が配された周辺領域１０３とが設けられた面１１１を有する。面１１１は、素子基板１００の主面とも呼ばれうる。素子基板１００には、シリコンなどの半導体基板や、半導体層が配されたガラス基板や樹脂基板などが用いられうる。それらの基板に、光学素子が配された素子領域１０２などが形成される。図１（ａ）、１（ｂ）に示される構成において、外部接続端子１０１は、面１１１の辺１０４に沿って配されている。しかしながら、これに限られることはなく、他の辺にも外部接続端子１０１が配されていてもよい。その場合、以下に説明する光透過基板２００、配線基板３００、補強部材６００などの各構成についても、素子基板１００の面１１１の辺１０４以外の辺に対しても同様に配されうる。

光透過基板２００は、素子基板１００に対向するように配される。光透過基板２００は、素子領域１０２を覆うように面２１２が素子基板１００の面１１１に結合部材５００を介して結合されている。面２１２は、光透過基板２００の主面とも呼ばれうる。光透過基板２００には、ガラスや樹脂などの透光性基板が用いられうる。光透過基板２００のうち面２１２に直交する側面は、素子基板１００の辺１０４に沿って配された面２１４を含む。さらに、光透過基板２００の面２１２と面２１４との間には、面２１２に対する角度が鈍角θ１になるように面取りされた面２１５が配されている。図１（ｂ）に示されるように、光透過基板２００の面２１２の外縁が、全周にわたって面取りされていていてもよい。

光透過基板２００の面２１２の外縁が面取りされることによって、半導体装置９００の製造工程などにおいて、光透過基板２００を搬送する際に、移載コレットや移載ステージとの接触によって、光透過基板２００の面２１２の稜線における欠けを防ぐことができる。また、面取りすることによって、光透過基板２００を素子基板１００に貼り合わせる際に、素子基板１００の素子領域１０２へのキズの発生を抑制することができる。結果として、半導体装置９００の製造工程における歩留まりの低下を抑制することができる。図１（ｂ）では、光透過基板２００の面２１５は、直線状に描かれているが、凸形状または凹形状であってもよい。

素子基板１００と光透過基板２００とを結合する結合部材５００は、素子領域１０２に配された光学素子が光電変換素子を含む場合、光電変換素子が感度を有する光を透過するエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂部材でありうる。また、結合部材５００は、素子領域１０２に配された光学素子が発光素子を含む場合、発光素子が発する光を透過するエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂部材でありうる。結合部材５００は、素子基板１００の外部接続端子１０１まではみ出さないように配置され、光透過基板２００の面２１２が面取りされた面２１５に当接する。光透過基板２００の面２１２の外縁が面取りされた面２１５が配されることによって、結合部材５００が光透過基板２００の外縁からはみ出すことを抑制できる。それによって、周辺領域１０３において結合部材５００がはみ出すことを想定した領域を小さくでき、結果として、半導体装置９００を小型化することが可能になる。

図１（ｂ）に示される構成において、結合部材５００は、素子基板１００の面１１１と光透過基板２００の面２１２とが重なる部分において、全面に当接しているように描かれているが、これに限られることはない。例えば、素子基板１００の面１１１と光透過基板２００の面２１２とが重なる部分の四隅のみなど、素子基板１００と光透過基板２００とが必要とされる強度で結合されれば、結合部材５００の配置は、適宜、設定可能である。

配線基板３００は、素子基板１００の外部接続端子１０１に接続された電極３０１が設けられた面３１３を有する。素子基板１００の外部接続端子１０１と配線基板３００の電極３０１とは接合部材８００を介して接続されている。配線基板３００は、例えば、プリント配線板でありうり、ガラスエポキシ基板やコンポジット基板などのリジッド基板に、配線パターンがプリントされた基板であってもよい。また、例えば、配線基板３００は、ポリイミドなどのフレキシブルフィルムに配線パターンが形成されたフレキシブル配線板であってもよい。さらに、例えば、配線基板３００は、フレキシブルフィルムとリジッド基板の複合体であるリジッドフレキシブル配線板であってもよい。配線基板３００は、素子基板１００の外部から素子基板１００に電力を供給してもよい。また、配線基板３００は、素子基板１００の外部から素子基板１００に信号を入力してもよく、素子基板１００から素子基板１００の外部に信号を出力してもよい。

素子基板１００の外部接続端子１０１と配線基板３００の電極３０１とを電気的に接続する接合部材８００は、バンプや異方性導電フィルム、異方性導電ペーストなどでありうる。接合部材８００としてバンプを用いた場合、超音波や加熱加圧によって、外部接続端子１０１と電極３０１との間の電気的な接合を行う。また、接合部材８００として異方性導電フィルム、異方性導電ペーストを用いた場合、加熱加圧によって、外部接続端子１０１と電極３０１とを電気的に接合する。

補強部材６００は、素子基板１００と配線基板３００との間の接合強度を補強するために配される。補強部材６００は、紫外線硬化型の接着剤や熱硬化型の接着剤などであってもよい。補強部材６００は、素子基板１００と配線基板３００との接合強度を向上させるために、配線基板３００のうち電極３０１が配された面３１３とは反対側の面３１６、素子基板１００の周辺領域１０３、および、光透過基板２００の面２１４に当接するように配される。補強部材６００が、素子基板１００および配線基板３００だけでなく光透過基板２００に当接することによって、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度が高くなり、半導体装置９００の信頼性を向上させることが可能になる。

また、図１（ｂ）に示される構成において、結合部材５００は、光透過基板２００の面２１５の一部に当接し、補強部材６００は、光透過基板２００の面２１５のうち結合部材５００によって覆われていない部分に、さらに当接している。それによって、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。このとき、図１（ｂ）に示されるように、補強部材６００が、結合部材５００に当接していてもよい。また、図１（ｂ）に示されるように、補強部材６００が、接合部材８００に当接していてもよい。補強部材６００が、配線基板３００、接合部材８００、素子基板１００、結合部材５００、光透過基板２００を連続的に覆うことによって、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。しかしながら、これに限られることはなく、補強部材６００は、結合部材５００と当接していなくてもよいし、接合部材８００と当接していなくてもよい。また、図１（ａ）、１（ｂ）に示される構成において、補強部材６００は、素子基板１００のうち配線基板３００が接続される辺１０４のみに配されているが、素子基板１００の外周にはみ出さなければ、その他の辺に配置されていても問題はない。

以上、説明したように、素子基板１００と配線基板３００との間の接合強度を補強するための補強部材６００が、光透過基板２００の側面である面２１４に当接する。また、上述のように、補強部材６００が、光透過基板２００の面２１５のうち結合部材５００によって覆われていない部分にも当接する。それによって、素子基板１００の周辺領域１０３が狭くなり、素子基板１００と配線基板３００との接合面積が縮小した場合であっても、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。つまり、半導体装置９００の小型化と高信頼性とを両立させることが実現できる。

次いで、図１（ｂ）に示される半導体装置９００の断面図の変形例について図２を用いて説明する。半導体装置９００の図１（ａ）、１（ｂ）を用いて上述した構成のうち同様であってもよい構成については、適宜説明を省略する。

図２に示される構成において、光透過基板２００は、素子基板１００に対向する面２１２とは反対の側の面２１７を備え、面２１４と面２１７との間には、面２１７に対する角度が鈍角θ２になるように面取りされた面２１８が配されている。光透過基板２００の面２１７の外縁が、全周にわたって面取りされていていてもよい。このとき、補強部材６００が、さらに光透過基板２００の面２１８に当接している。また、図２に示される構成では、結合部材５００は、光透過基板２００の面２１５の全体を覆っている。上述の図１（ｂ）に示される構成においても、結合部材５００は、光透過基板２００の面２１５の全体を覆っていてもよい。

光透過基板２００の面２１７の外縁が面取りされることによって、半導体装置９００の製造工程などにおいて、光透過基板２００を搬送する際に、移載コレットや移載ステージとの接触によって、光透過基板２００の面２１２の稜線における欠けを防ぐことができる。それによって、例えば、光透過基板２００が欠けることに起因したパーティクルの発生など、半導体装置９００の製造工程における歩留まりの低下を抑制することができる。

また、補強部材６００が、光透過基板２００の面２１８に当接する。それによって、素子基板１００の周辺領域１０３が狭くなり、素子基板１００と配線基板３００との接合面積が縮小した場合であっても、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。つまり、半導体装置９００の小型化と高信頼性とを両立させることが実現できる。

図２に示される構成において、補強部材６００は、結合部材５００および接合部材８００にそれぞれ当接している。補強部材６００が、配線基板３００、接合部材８００、素子基板１００、結合部材５００、光透過基板２００を連続的に覆うことによって、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。しかしながら、これに限られることはなく、補強部材６００は、結合部材５００と当接していなくてもよいし、接合部材８００と当接していなくてもよい。

図３は、図２に示される半導体装置９００の変形例を示す図である。図３に示される構成において、図１（ｂ）に示される構成と同様に、結合部材５００は、光透過基板２００の面２１５の一部に当接し、補強部材６００は、光透過基板２００の面２１５のうち結合部材５００によって覆われていない部分に、さらに当接している。それによって、図１（ｂ）に示される構成と同様に、結合部材５００の充填量が少なく、結合部材５００が光透過基板２００の面２１５の一部にしか当接していない場合であっても、光透過基板２００に対する接合強度を向上させることができる。図３に示される構成においても、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高め、半導体装置９００の小型化が実現できる。

図３に示される構成において、補強部材６００は、結合部材５００および接合部材８００にそれぞれ当接している。補強部材６００が、配線基板３００、接合部材８００、素子基板１００、結合部材５００、光透過基板２００を連続的に覆うことによって、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。しかしながら、これに限られることはなく、補強部材６００は、結合部材５００と当接していなくてもよいし、接合部材８００と当接していなくてもよい。

図４は、図３に示される半導体装置９００の変形例を示す図である。図４に示される構成において、素子基板１００の面１１１に対する正射影において、光透過基板２００の面２１７の外縁２２７が面２１２の外縁２２２よりも外側に配されている。この構成によって、例えば、素子基板１００と光透過基板２００とを結合する際の検査工程において、光透過基板２００の面２１５への異物の噛み込みなどが発見しやすくなる。また、例えば、光透過基板２００の面２１２および面２１５に対する結合部材５００の充填状態が、光透過基板２００の面２１７の側からより容易に検査することができる。そのため、半導体装置９００の信頼性を向上させることが可能になる。

また、上述の図１（ａ）、１（ｂ）～図４に示される各構成において、素子基板１００の面１１１に対する正射影において、光透過基板２００の面２１５および面２１８は、素子領域１０２に重ならないように配される。素子領域１０２の外縁部において、光透過基板２００の外縁が面取りされていることに起因して特性に変化が出ないようにするためである。

半導体装置９００は、透光性部材７００と、透光性部材７００と光透過基板２００の面２１７との間に配され、面２１７の外縁部を取り囲むように配された枠部材４００と、をさらに含み、モジュール化されうる。図５（ａ）～５（ｃ）には、半導体装置９００に、透光性部材７００と枠部材４００とを取り付けた場合の構成例が示されている。枠部材４００は、光透過基板２００の面２１７に当接する当接部４０３を備えている。図５（ａ）は、枠部材４００の当接部４０３に着目した上面図、図５（ｂ）は、透光性部材７００と枠部材４００とを取り付けた半導体装置９００の断面図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ－Ｂ’の断面図を、それぞれ示している。ここで、半導体装置９００のうち、上述の図１（ａ）、１（ｂ）～図４を用いて説明した素子基板１００、光透過基板２００、配線基板３００、結合部材５００、補強部材６００を含む構成を、図５（ｂ）、５（ｃ）に示されるように、構造体９１０と呼ぶ場合がある。

枠部材４００は、変性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリアミドなどの材料によって成形されうる。枠部材４００は、構造体９１０を外部から保護するために、構造体９１０を取り囲むように内壁を備えている。枠部材４００には、素子領域１０２に合わせて開口部４０４が設けられている。

透光性部材７００は、素子領域１０２に配された光学素子が光電変換素子を含む場合、光電変換素子が感度を有する光を透過するガラスやエポキシ樹脂、アクリル樹脂など透光性の部材でありうる。また、透光性部材７００は、素子領域１０２に配された光学素子が発光素子を含む場合、発光素子が発する光を透過するガラスやエポキシ樹脂、アクリル樹脂などの透光性の部材でありうる。透光性部材７００は、枠部材４００と協働して、半導体装置９００の外部からのパーティクルなどの侵入を抑制する役割がある。透光性部材７００は、枠部材４００に固定される。

次いで、枠部材４００の当接部４０３の構造について図５（ａ）～５（ｃ）を用いて説明する。図５（ａ）、５（ｂ）に示されるように、枠部材４００には、枠部材４００に設けられた開口部４０４の外側に、全周にわたって凸形状の当接部４０３が設けられている。当接部４０３は、光透過基板２００の面２１７と当接している。また、当接部４０３は、外縁４０１と、素子基板１００の面１１１に対する正射影において、外縁４０１と開口部４０４との間に配された内縁４０２を備える。素子基板１００の面１１１に対する正射影において、当接部４０３の外縁４０１は、光透過基板２００の面２１７の外縁２２７に重なるように、または、面２１７の外縁２２７よりも内側に配される。当接部４０３を凸形状にすることによって、枠部材４００の光透過基板２００に対する接触面積を減らすことができ、枠部材４００の成型金型を高精度に製作することができる。そのため、高精度に構造体９１０に対して枠部材４００を組付けることが可能になる。

さらに、図５（ｃ）に示されるように、当接部４０３の外縁４０１は、光透過基板２００の面２１７の外縁２２７に重なるように、または、面２１７の外縁２２７よりも内側に配されるため、補強部材６００が、光透過基板２００の面２１８に当接することができる。それによって、上述のように、素子基板１００、光透過基板２００および配線基板３００相互の結合強度を高めることができる。枠部材４００の当接部４０３の外縁４０１から光透過基板２００の面２１７の外縁２２７までの長さは、長くした方が、光透過基板２００や枠部材４００の部品寸法精度、半導体装置９００の組立精度を考えると有利である。しかしながら、枠部材４００の当接部４０３の外縁４０１から光透過基板２００の面２１７の外縁２２７までの長さを長くすると、半導体装置９００のサイズが大きくなってしまう。そのため、素子基板１００の素子領域１０２のサイズにも依存するが、枠部材４００の当接部４０３の外縁４０１から光透過基板２００の面２１７の外縁２２７までの長さは、０．０～１．０ｍｍの範囲であってもよい。

図１（ｂ）に示されるように、光透過基板２００の面２１７の外縁部が面取りされていない場合であっても、上述の枠部材４００および透光性部材７００は、光透過基板２００の面２１７の上に配されうる。その場合であっても、枠部材４００の当接部４０３の外縁４０１は、光透過基板２００の面２１７の外縁２２７に重なるように、または、面２１７の外縁２２７よりも内側に配されうる。

以上、説明したように、枠部材４００の当接部４０３の外縁４０１が、光透過基板２００の面２１７の外縁２２７と同じ位置または外縁２２７よりも内側に配される。それによって、補強部材６００が、光透過基板２００と当接部４０３との間に配されることがない。それによって、構造体９１０に枠部材４００を組付ける際の位置精度が向上する。結果として、構造体９１０に枠部材４００および透光性部材７００を組付けた際に、補強部材６００によって枠部材４００や透光性部材７００が所定の角度から傾くなど、半導体装置９００の歩留まりを低下させることが抑制される。

本明細書中の各用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、その均等物をも含みうり、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでない。

上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することが出来る。

ここで、素子領域１０２に配される光学素子として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子などの発光素子が配され、発光装置として機能する本実施形態の半導体装置９００を表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに適用した応用例について図６～図１２（ａ）、１２（ｂ）を用いて説明する。まず、上述の発光装置として機能する半導体装置９００の各構成の詳細や変形例を示した後に、応用例を説明する。素子領域１０２に配される光学素子のそれぞれは、画素とも呼ばれうる。

有機発光素子の構成
有機発光素子は、基板の上に、絶縁層、第一電極、有機化合物層、第二電極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。カラーフィルタとマイクロレンズとの間において、平坦化層を設ける場合も同様である。

基板
基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、第一電極との間に配線が形成可能なように、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。

電極
電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きいものが良い。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン、等の金属単体やこれらを含む混合物、あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。またポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。

これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。上記の材料にて、電極としての役割を有さない、反射膜として機能することも可能である。また、透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものがよい。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。中でも銀を用いることが好ましく、銀の凝集を低減するため、銀合金とすることがさらに好ましい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀：他の金属が、１：１、３：１等であってよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流及び交流スパッタリング法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより好ましい。

有機化合物層
有機化合物層は、単層で形成されても、複数層で形成されてもよい。複数層を有する場合には、その機能によって、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、と呼ばれてよい。有機化合物層は、主に有機化合物で構成されるが、無機原子、無機化合物を含んでいてもよい。例えば、銅、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、イリジウム、白金、モリブデン、亜鉛等を有してよい。有機化合物層は、第一電極と第二電極との間に配置されてよく、第一電極及び第二電極に接して配されてよい。

保護層
陰極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機化合物層に対する水等の浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。ＡＬＤ法による膜の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等であってよい。ＡＬＤ法で形成した膜の上に、さらにＣＶＤ法で窒化ケイ素を形成してよい。ＡＬＤ法による膜は、ＣＶＤ法で形成した膜よりも小さい膜厚であってよい。具体的には、５０％以下、さらには、１０％以下であってよい。

カラーフィルタ
保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。

平坦化層
カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は、下の層の凹凸を低減する目的で設けられる。目的を制限せずに、材質樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等があげられる。

マイクロレンズ
有機発光装置は、その光出射側にマイクロレンズ等の光学部材を有してよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で構成されうる。マイクロレンズは、有機発光装置から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。

また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線分の中点がマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってよい。

対向基板
平坦化層の上には、対向基板を有してよい。対向基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。対向基板は、前述の基板を第一基板とした場合、第二基板であってよい。

有機層
本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダ樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。

上記バインダ樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、これらバインダ樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。

画素回路
発光装置は、発光素子に接続されている画素回路を有してよい。画素回路は、第一の発光素子、第二の発光素子をそれぞれ独立に発光制御するアクティブマトリックス型であってよい。アクティブマトリックス型の回路は電圧プログラミングであっても、電流プログラミングであってもよい。駆動回路は、画素毎に画素回路を有する。画素回路は、発光素子、発光素子の発光輝度を制御するトランジスタ、発光タイミングを制御するトランジスタ、発光輝度を制御するトランジスタのゲート電圧を保持する容量、発光素子を介さずにＧＮＤに接続するためのトランジスタを有してよい。

発光装置は、表示領域と、表示領域の周囲に配されている周辺領域とを有する。表示領域には画素回路を有し、周辺領域には表示制御回路を有する。画素回路を構成するトランジスタの移動度は、表示制御回路を構成するトランジスタの移動度よりも小さくてよい。

画素回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きは、表示制御回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きよりも小さくてよい。電流電圧特性の傾きは、いわゆるＶｇ－Ｉｇ特性により測定できる。

画素回路を構成するトランジスタは、第一の発光素子など、発光素子に接続されているトランジスタである。

画素
有機発光装置は、複数の画素を有する。画素は互いに他と異なる色を発光する副画素を有する。副画素は、例えば、それぞれＲＧＢの発光色を有してよい。

画素は、画素開口とも呼ばれる領域が、発光する。この領域は第一領域と同じである。画素開口は１５μｍ以下であってよく、５μｍ以上であってよい。より具体的には、１１μｍ、９．５μｍ、７．４μｍ、６．４μｍ等であってよい。

副画素間は、１０μｍ以下であってよく、具体的には、８μｍ、７．４μｍ、６．４μｍであってよい。

画素は、平面図において、公知の配置形態をとりうる。例えば、ストライプ配置、デルタ配置、ペンタイル配置、ベイヤー配置であってよい。副画素の平面図における形状は、公知のいずれの形状をとってもよい。例えば、長方形、ひし形等の四角形、六角形、等である。もちろん、正確な図形ではなく、長方形に近い形をしていれば、長方形に含まれる。副画素の形状と、画素配列と、を組み合わせて用いることができる。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子の用途
本発明の一実施形態に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途がある。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

以下、図６～図１２（ａ）、１２（ｂ）を用いて詳細に説明する。

図６は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８を有していてもよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー１００８は、表示装置１０００が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル１００５に、半導体装置９００が適用できる。表示パネル１００５として機能する半導体装置９００の素子領域１０２は、回路基板１００７に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。

図６に示される表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置（撮像装置）の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。

図７は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。光電変換装置１１００は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ１１０１や背面ディスプレイ１１０２に、本実施形態の半導体装置９００が適用できる。この場合、半導体装置９００の素子領域１０２は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。

撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機ＥＬ素子などの有機発光材料が素子領域１０２に配される光学素子に配された発光装置として機能する半導体装置９００がビューファインダ１１０１や背面ディスプレイ１１０２に用いられてもよい。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置として機能する半導体装置９００は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適している。

光電変換装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体１１０４内に収容されている光電変換素子（不図示）に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。

発光装置として機能する半導体装置９００、は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。

図８は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部１２０２は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部１２０１に、本実施形態の半導体装置９００が適用できる。

図９（ａ）、９（ｂ）は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図８（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタなどの表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２に、本実施形態の半導体装置９００が適用できる。表示装置１３００は、額縁１３０１と表示部１３０２とを支える土台１３０３を有していてもよい。土台１３０３は、図９（ａ）の形態に限られない。例えば、額縁１３０１の下辺が土台１３０３を兼ねていてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図９（ｂ）は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた表示装置の他の一例を表す模式図である。図９（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とに、本実施形態の半導体装置９００が適用できる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部と第２表示部とで１つの画像を表示してもよい。

図１０は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有していてもよい。光源１４０２に、本実施形態の半導体装置９００が適用できる。光学フィルム１４０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部１４０５は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置１４００は、光学フィルム１４０４と光拡散部１４０５との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。

照明装置１４００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１４００は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、光源１４０２として機能する半導体装置９００の素子領域１０２に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。また、照明装置１４００は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。

図１１は、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ１５０１を点灯する形態であってもよい。本実施形態の半導体装置９００は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両、産業用ロボットなどであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。

テールランプ１５０１に、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００が適用できる。テールランプ１５０１は、テールランプ１５０１として機能する半導体装置９００の素子領域１０２を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイに、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００が用いられてもよい。この場合、半導体装置９００が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。

図１２（ａ）、１２（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００のさらなる適用例について説明する。発光装置として機能する半導体装置９００は、例えば、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な発光装置とを有する。

図１２（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、本実施形態の発光装置として機能する半導体装置９００が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る半導体装置９００に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と半導体装置９００の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図１２（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、発光装置として機能する半導体装置９００が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、半導体装置９００からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および半導体装置９００に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および半導体装置９００の動作を制御する。制御装置１６１２は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

本発明の一実施形態に係る発光装置として機能する半導体装置９００は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。

具体的には、半導体装置９００は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第１視界領域と、第１視界領域以外の第２視界領域とを決定する。第１視界領域、第２視界領域は、半導体装置９００の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。半導体装置９００の表示領域において、第１視界領域の表示解像度を第２視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第２視界領域の解像度を第１視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第１表示領域、第１表示領域とは異なる第２表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第１表示領域および第２表示領域から優先度が高い領域が決定される。第１表示領域、第２表示領域は、半導体装置９００の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第１視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、半導体装置９００が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、半導体装置９００に伝えられる。

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

本明細書の開示は、以下の半導体装置、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体を含む。

（項目１）
光学素子が配された素子領域と外部接続端子が配された周辺領域とが設けられた第１面を有する素子基板と、前記素子領域を覆うように第２面が前記第１面に結合部材を介して結合された光透過基板と、前記外部接続端子に接続された電極が設けられた第３面を有する配線基板と、前記素子基板と前記配線基板との間の接合強度を補強するための補強部材と、を含む半導体装置であって、
前記外部接続端子は、前記第１面の第１辺に沿って配され、
前記光透過基板のうち前記第２面に直交する側面は、前記第１辺に沿って配された第４面を含み、
前記第２面と前記第４面との間には、前記第２面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第５面が配され、
前記結合部材は、前記第５面に当接し、
前記補強部材が、前記配線基板のうち前記第３面とは反対側の第６面、前記周辺領域、および、前記第４面に当接することを特徴とする半導体装置。

（項目２）
前記結合部材が、前記第５面の一部に当接し、
前記補強部材が、前記第５面のうち前記結合部材によって覆われていない部分に、さらに当接していることを特徴とする項目１に記載の半導体装置。

（項目３）
前記補強部材が、前記結合部材に当接していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。

（項目４）
前記光透過基板は、前記第２面とは反対の側の第７面を備え、
透光性部材と、前記透光性部材と前記第７面との間に配され、前記第７面の外縁部を取り囲むように配された枠部材と、をさらに含み、
前記枠部材は、前記第７面に当接する当接部を備え、
前記第１面に対する正射影において、前記当接部の外縁は、前記第７面の外縁に重なるように、または、前記第７面の外縁よりも内側に配されることを特徴とする項目１乃至３の何れか１項目に記載の半導体装置。

（項目５）
前記光透過基板は、前記第２面とは反対の側の第７面を備え、
前記第４面と前記第７面との間には、前記第７面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第８面が配され、
前記補強部材が、さらに前記第８面に当接していること特徴とする請求項１乃至３の何れか１項目に記載の半導体装置。

（項目６）
前記第１面に対する正射影において、前記第７面の外縁が前記第２面の外縁よりも外側に配されていることを特徴とする項目５に記載の半導体装置。

（項目７）
前記第２面および前記第７面のそれぞれ外縁が、全周にわたって面取りされていることを特徴とする項目５または６に記載の半導体装置。

（項目８）
前記第１面に対する正射影において、前記第５面および前記第８面が、前記素子領域に重ならないことを特徴とする項目５乃至７の何れか１項目に記載の半導体装置。

（項目９）
透光性部材と、前記透光性部材と前記第７面との間に配され、前記第７面の外縁部を取り囲むように配された枠部材と、をさらに含み、
前記枠部材は、前記第７面に当接する当接部を備え、
前記第１面に対する正射影において、前記当接部の外縁は、前記第７面の外縁に重なるように、または、前記第７面の外縁よりも内側に配されることを特徴とする項目５乃至８の何れか１項目に記載の半導体装置。

（項目１０）
前記外部接続端子と前記電極とは接合部材を介して接続されており、
前記補強部材が、前記接合部材に当接していることを特徴とする項目１乃至９の何れか１項目に記載の半導体装置。

（項目１１）
項目１乃至１０の何れか１項に記載の半導体装置を含み、
前記光学素子が、発光素子を含むことを特徴とする発光装置。

（項目１２）
項目１１に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。

（項目１３）
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、項目１１に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。

（項目１４）
表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、項目１１に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。

（項目１５）
光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、項目１１に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。

（項目１６）
機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、項目１１に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。

（項目１７）
画像を表示するための表示装置を有するウェアラブルデバイスであって、
前記表示装置は、項目１１に記載の発光装置を有することを特徴とするウェアラブルデバイス。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神および範囲から離脱することなく、様々な変更および変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００：素子領域、１０１：外部接続端子、１０２：素子領域、１０３：周辺領域、１０４：辺、１１１，２１２，３１３，２１４，２１５，３１６，２１７，２１８：面、２００：光透過基板、３００：配線基板、３０１：電極、５００：結合部材、６００：補強部材

Claims (24)

1. 光学素子が配された素子領域と外部接続端子が配された周辺領域とが設けられた第１面を有する素子基板と、前記素子領域を覆うように第２面が前記第１面に結合部材を介して結合された光透過基板と、前記外部接続端子に接続された電極が設けられた第３面を有する配線基板と、前記素子基板と前記配線基板との間の接合強度を補強するための補強部材と、を含む半導体装置であって、
   前記外部接続端子は、前記第１面の第１辺に沿って配され、
   前記光透過基板のうち前記第２面に直交する側面は、前記第１辺に沿って配された第４面を含み、
   前記第２面と前記第４面との間には、前記第２面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第５面が配され、
   前記結合部材は、前記第５面に当接し、
   前記補強部材が、前記配線基板のうち前記第３面とは反対側の第６面、前記周辺領域、および、前記第４面に当接することを特徴とする半導体装置。
2. 前記結合部材が、前記第５面の一部に当接し、
   前記補強部材が、前記第５面のうち前記結合部材によって覆われていない部分に、さらに当接していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記補強部材が、前記結合部材に当接していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記光透過基板は、前記第２面とは反対の側の第７面を備え、
   透光性部材と、前記透光性部材と前記第７面との間に配され、前記第７面の外縁部を取り囲むように配された枠部材と、をさらに含み、
   前記枠部材は、前記第７面に当接する当接部を備え、
   前記第１面に対する正射影において、前記当接部の外縁は、前記第７面の外縁に重なるように、または、前記第７面の外縁よりも内側に配されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記光透過基板は、前記第２面とは反対の側の第７面を備え、
   前記第４面と前記第７面との間には、前記第７面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第８面が配され、
   前記補強部材が、さらに前記第８面に当接していること特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記第１面に対する正射影において、前記第７面の外縁が前記第２面の外縁よりも外側に配されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記第２面および前記第７面のそれぞれ外縁が、全周にわたって面取りされていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
8. 前記第１面に対する正射影において、前記第５面および前記第８面が、前記素子領域に重ならないことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
9. 前記補強部材が、前記結合部材に当接していることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
10. 透光性部材と、前記透光性部材と前記第７面との間に配され、前記第７面の外縁部を取り囲むように配された枠部材と、をさらに含み、
    前記枠部材は、前記第７面に当接する当接部を備え、
    前記第１面に対する正射影において、前記当接部の外縁は、前記第７面の外縁に重なるように、または、前記第７面の外縁よりも内側に配されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
11. 前記光透過基板は、前記第２面とは反対の側の第７面を備え、
    前記第４面と前記第７面との間には、前記第７面に対する角度が鈍角になるように面取りされた第８面が配され、
    前記補強部材が、さらに前記第８面に当接していること特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
12. 前記第１面に対する正射影において、前記第７面の外縁が前記第２面の外縁よりも外側に配されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記第２面および前記第７面のそれぞれ外縁が、全周にわたって面取りされていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
14. 前記第１面に対する正射影において、前記第５面および前記第８面が、前記素子領域に重ならないことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
15. 前記補強部材が、前記結合部材に当接していることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
16. 透光性部材と、前記透光性部材と前記第７面との間に配され、前記第７面の外縁部を取り囲むように配された枠部材と、をさらに含み、
    前記枠部材は、前記第７面に当接する当接部を備え、
    前記第１面に対する正射影において、前記当接部の外縁は、前記第７面の外縁に重なるように、または、前記第７面の外縁よりも内側に配されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
17. 前記外部接続端子と前記電極とは接合部材を介して接続されており、
    前記補強部材が、前記接合部材に当接していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
18. 請求項１乃至１７の何れか１項に記載の半導体装置を含み、
    前記光学素子が、発光素子を含むことを特徴とする発光装置。
19. 請求項１８に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。
20. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、請求項１８に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
21. 表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
    前記表示部は、請求項１８に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
22. 光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
    前記光源は、請求項１８に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
23. 機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
    前記灯具は、請求項１８に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。
24. 画像を表示するための表示装置を有するウェアラブルデバイスであって、
    前記表示装置は、請求項１８に記載の発光装置を有することを特徴とするウェアラブルデバイス。

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