JP2023154505A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオードによって明るい画像を表示可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置1Aは、基板2と、前記基板2上に設けられ、複数の貫通孔を有する隔壁層3と、前記複数の貫通孔内にそれぞれ配置された複数の発光ダイオード4と、前記複数の貫通孔の位置にそれぞれ配置された複数のレンズ5とを備え、前記レンズ5は前記発光ダイオード4を間に挟んで前記基板2と向き合った第1面5aとその裏面である第2面5bとを有し、前記第2面5bは凸面であり、前記基板2を基準とした前記凸面の頂部の高さH5Tは、前記基板2を基準とした前記隔壁層3の上面の高さH3と比較してより大きい。
【選択図】図1
【解決手段】表示装置1Aは、基板2と、前記基板2上に設けられ、複数の貫通孔を有する隔壁層3と、前記複数の貫通孔内にそれぞれ配置された複数の発光ダイオード4と、前記複数の貫通孔の位置にそれぞれ配置された複数のレンズ5とを備え、前記レンズ5は前記発光ダイオード4を間に挟んで前記基板2と向き合った第1面5aとその裏面である第2面5bとを有し、前記第2面5bは凸面であり、前記基板2を基準とした前記凸面の頂部の高さH5Tは、前記基板2を基準とした前記隔壁層3の上面の高さH3と比較してより大きい。
【選択図】図1
Description
本発明は、表示装置に関する。
ARグラス及びMRグラスなどのヘッドマウントディスプレイは、仮想現実(VR)、拡張現実(AR)又は複合現実(MR)の体験に利用可能である。ヘッドマウントディスプレイが搭載する表示装置には、低消費電力、小型且つ軽量であり、高輝度且つ高精細な画像を表示可能であることが求められる。
ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能な小型表示装置として、LCOS(Liquid Crystal on Silicon)マイクロディスプレイ、LBS(Laser Beam Scanning)ディスプレイ、及びOLED-on-Siliconマイクロディスプレイなどの様々な表示装置の開発が行われている。しかしながら、これらの何れも、上述した要求を充分に満たすことができていない。
マイクロLED(Light-Emitting Diode)ディスプレイは、上述した要求を満たす可能性が最も高い表示装置であると言われている。そのため、マイクロLEDディスプレイに関する研究開発が盛んに進められている状況にある。
ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能な小型のマイクロLEDディスプレイでは、発光ダイオードの前方へマイクロレンズを設置することがある(特許文献1及び2)。発光ダイオードが射出する光は、拡散光である。マイクロレンズは、発光ダイオードが射出した拡散光をコリメート光へ近づける。
本発明は、発光ダイオードによって明るい画像を表示可能な表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一側面によると、基板と、前記基板上に設けられ、複数の貫通孔を有する隔壁層と、前記複数の貫通孔内にそれぞれ配置された複数の発光ダイオードと、前記複数の貫通孔の位置にそれぞれ配置された複数のレンズとを備え、前記レンズは前記発光ダイオードを間に挟んで前記基板と向き合った第1面とその裏面である第2面とを有し、前記第2面は凸面であり、前記基板を基準とした前記凸面の頂部の高さは、前記基板を基準とした前記隔壁層の上面の高さと比較してより大きいことを特徴とした表示装置が提供される。
本発明の他の側面によると、前記基板を基準とした前記凸面の周縁部の高さは、前記基板を基準とした前記隔壁層の前記上面の前記高さ以下である上記側面に係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記複数の貫通孔の各々の中に位置し、前記レンズと前記発光ダイオードとの間に介在した1以上の層を更に備えた上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、上記1以上の層のうち、前記レンズと隣接したものの屈折率は、前記レンズの屈折率と比較してより小さい上記側面に係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記隔壁層は前記1以上の層の少なくとも1つと接触した光透過性部を含み、前記1以上の層のうち前記光透過性部と接触したものの屈折率は、前記光透過性部の屈折率と比較してより大きい上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記隔壁層は多層構造を有している上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記隔壁層は、遮光性の第1層と、前記第1層上に設けられ、光透過性樹脂からなる第2層とを含んだ上記側面に係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記隔壁層は、前記第2層上に設けられた遮光性の第3層を更に含んだ上記側面に係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記複数の貫通孔をそれぞれ充填し、各々が、前記複数のレンズの1つと前記基板との間に介在するとともに、そのレンズと向き合った前記発光ダイオードを埋め込んだ複数の充填層を更に備えた上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記複数の充填層の少なくとも一部は波長変換層を含んだ上記側面に係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記複数の充填層のうち前記波長変換層を含んだものは、前記波長変換層と前記レンズとの間に介在した着色層を更に含んだ上記側面に係る表示装置が提供される。
本発明の更に他の側面によると、前記複数の充填層の少なくとも一部は透明樹脂層を含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。
本発明によれば、発光ダイオードによって明るい画像を表示可能な表示装置が提供される。
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。
<1>第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の断面図である。図1に示す表示装置1Aは、ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能であり、モノクローム画像を表示するマイクロLEDディスプレイである。
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の断面図である。図1に示す表示装置1Aは、ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能であり、モノクローム画像を表示するマイクロLEDディスプレイである。
表示装置1Aは、基板2と、隔壁層3と、発光ダイオード4と、レンズ5と、充填層6とを含んでいる。
基板2は、例えば、半導体基板又は絶縁基板と、その一方の主面上に設けられた回路とを含んでいる。半導体基板は、例えば、シリコン基板である。絶縁基板は、例えば、ガラス基板である。回路は、例えば、発光ダイオード4をアクティブマトリクス駆動するものである。回路は、発光ダイオード4をパッシブマトリクス駆動するものであってもよい。一例によれば、基板2は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)バックプレーンである。
なお、図中、X方向及びY方向は、基板2の回路が設けられた面に平行であり且つ互いに交差する方向である。一例によれば、X方向及びY方向は、互いに対して垂直である。また、Z方向は、基板2の厚さ方向であって、X方向及びY方向に対して垂直である。
隔壁層3は、基板2の回路が設けられた面の上に設けられている。隔壁層3は、複数の貫通孔を有している。これら貫通孔は、各々がZ方向に伸びており、X方向及びY方向に配列している。
後述するように、発光ダイオード4は、これら貫通孔内にそれぞれ配置されている。隔壁層3は、或る貫通孔内に位置した発光ダイオード4が射出した光が、他の貫通孔への入射することを抑制又は防止する。
隔壁層3の各貫通孔は、上面側の開口が正方形状である。この開口は、円形などの他の形状を有していてもよい。ここで、或る構成要素「上面」は、その構成要素の表面のうち、基板2と向き合った面の裏面を意味している。
各貫通孔は、ここでは、Z方向に平行な断面が矩形状である。貫通孔のZ方向に平行な断面は、他の形状を有していてもよい。例えば、貫通孔のZ方向に平行な断面は、順テーパ状であってもよい。
隔壁層3は、例えば、樹脂からなる。隔壁層3は、透明であってもよく、光散乱性であってもよい。光散乱性の隔壁層3は、例えば、透明樹脂と、これとは屈折率が異なる透明粒子とを含んだ混合物からなる。光散乱性の粒子を用いない場合においては、透明樹脂からなる隔壁層を光学的に反射する金属膜で被覆することが光取り出し効率の向上の観点から望ましい。
基板2を基準とした隔壁層3の上面の高さH3、即ち、隔壁層3の厚さは、2.8乃至15μmの範囲内にあることが好ましく、5乃至10μmの範囲内にあることがより好ましい。
隔壁層3の上面における貫通孔の最大径は、1乃至10μmの範囲内にあることが好ましく、2乃至5μmの範囲内にあることがより好ましい。
発光ダイオード4は、隔壁層3の貫通孔内にそれぞれ配置されている。発光ダイオード4は、例えば、無機発光ダイオードである。各発光ダイオード4の2つの電極は、基板2の回路へ接続されている。
これら発光ダイオード4は、発光スペクトルが互いに等しい。一例によれば、発光ダイオード4は、青色発光ダイオードである。他の例によれば、発光ダイオード4は、紫外発光ダイオードである。
基板2を基準とした発光ダイオード4の上面の高さH4と、基板2を基準とした隔壁層3の上面の高さH3との比H4/H3は、0.36乃至0.8の範囲内にあることが好ましく、0.4乃至0.7の範囲内にあることがより好ましい。
レンズ5は、隔壁層3の貫通孔の位置にそれぞれ配置されている。レンズ5の各々は、凸レンズである。各レンズ5は、第1面5aと第2面5bとを有している。
第1面5aは、発光ダイオード4を間に挟んで基板2と向き合っている。第1面5aは、ここでは平坦面である。第2面5bは、第1面5aの裏面である。第2面5bは凸面である。レンズ5は、第1面5aに入射した拡散光をコリメート光に近づけて第2面5bから射出する。
レンズ5は、透明材料からなる。この透明材料は、有機物であってもよく、無機物であってもよい。
上記の通り、レンズ5の第2面5bは凸面である。この凸面の縁を基準とした凸面の頂部の高さHは、0.3乃至3μmの範囲内にあることが好ましく、0.6乃至1.5μmの範囲内にあることがより好ましい。
上記の高さHとレンズ5の最大径Dとの比H/Dは、0.03乃至3の範囲内にあることが好ましく、0.06乃至1.5の範囲内にあることがより好ましい。なお、レンズ5の最大径Dは、隔壁層3の上面における貫通孔の最大径と等しいか又はそれよりも僅かに小さい。
基板2を基準とした第2面5bの頂部の高さH5Tは、基板2を基準とした隔壁層3の上面の高さH3と比較してより大きい。後述するように、この構造を採用した場合、高さH5Tが高さH3以下である場合と比較して、より明るい画像を表示することができる。
高さH5Tと高さH3との差H5T-H3は、0.02乃至1.5μmの範囲内にあることが好ましく、0.1乃至0.5μmの範囲内にあることがより好ましい。
基板2を基準とした凸面の周縁部の高さH5Pは、基板2を基準とした隔壁層3の上面の高さH3以下である。高さH5Pは高さH3よりも大きくてもよいが、この場合、第1面5aに入射した光の一部は、第2面5bを透過せずに、例えば、レンズ5の側面を透過する。高さH5Pを高さH3以下とした場合、高さH5Pを高さH3よりも大きくした場合と比較して、レンズ5が拡散光をコリメート光に近づける効果が大きい。
充填層6は、隔壁層3の貫通孔をそれぞれ充填している。充填層6の各々は、レンズ5の1つと基板2との間に介在するとともに、そのレンズ5と向き合った発光ダイオード4を埋め込んでいる。充填層6の各々は、レンズ5と発光ダイオード4との間に介在した1以上の層を含んでいる。
充填層6が含んでいる1以上の層のうちレンズ5と隣接したものの屈折率は、レンズ5の屈折率と比較してより小さいことが好ましい。ここで、「屈折率」は、充填層6が射出し、レンズ5へ入射する光の屈折率である。屈折率が上記の関係を満たしている場合、充填層6からレンズ5へ向けて進行する光がそれらの間の界面によって反射されるのを抑制できる。
上記の通り、隔壁層3は、その全体が透明であるか又は光散乱性である。即ち、隔壁層3は、充填層6が含んでいる1以上の層の少なくとも1つと接触した光透過性部を含んでいる。充填層6が含んでいる1以上の層のうち光透過性部と接触したものの屈折率は、光透過性部の屈折率と比較してより大きいことが好ましい。ここで、「屈折率」は、充填層6が含んでいる1以上の層のうち光透過性部と接触したものから光透過性部へ向けて進行する光の屈折率である。屈折率が上記の関係を満たしている場合、充填層6から隔壁層3へ向けて進行する光が隔壁層3へ入射するのを抑制できる。
充填層6の各々は、下部充填層61と上部充填層62とを含んでいる。
下部充填層61は、発光ダイオード4を埋め込んでいる。下部充填層61は、例えば、波長変換層である。波長変換層は、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。一例によれば、波長変換層は、発光ダイオード4が射出した青色光を、黄色光などの他の色の光へ変換する。他の例によれば、波長変換層は、発光ダイオード4が射出した紫外光を、可視域の光へ変換する。発光ダイオード4が可視域の光を射出する場合、下部充填層61は波長変換機能を有していなくてもよい。
下部充填層61は、発光ダイオード4を埋め込んでいる。下部充填層61は、例えば、波長変換層である。波長変換層は、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。一例によれば、波長変換層は、発光ダイオード4が射出した青色光を、黄色光などの他の色の光へ変換する。他の例によれば、波長変換層は、発光ダイオード4が射出した紫外光を、可視域の光へ変換する。発光ダイオード4が可視域の光を射出する場合、下部充填層61は波長変換機能を有していなくてもよい。
上部充填層62は、下部充填層61上に設けられている。上部充填層62は、例えば、平坦化層としての役割を果たす層である。発光ダイオード4が青色光を射出し、下部充填層61が青色光を黄色光へ変換する波長変換層である場合、上部充填層62は、例えば、波長変換されることなしに波長変換層を透過した青色光と、波長変換層によって青色光から変換されてなる黄色光とを透過させる。この場合、例えば、青色と黄色との加法混色による白色の表示が可能である。
上部充填層62には、光学フィルタの役割を更に担わせてもよい。例えば、上部充填層62は、可視域の光の一部、紫外域の光の少なくとも一部、又はそれらの両方を吸収又は遮断するものであってもよい。上部充填層62は省略することができる。
なお、この表示装置1Aでは、画素PXの各々は、1つの発光ダイオード4と、これと向き合ったレンズ5と、それらの間に介在した充填層6とを含んでいる。基板2が発光ダイオードをアクティブマトリクス駆動するものである場合、画素PXの各々は、基板2の回路が含んでいる画素回路のうち、この画素PXが含んでいる発光ダイオード4の発光動作を制御する画素回路を更に含む。
この表示装置1Aは、例えば、以下の方法により製造することができる。
先ず、基板2に発光ダイオード4を実装する。この実装には、例えば、フリップチップボンディング技術又はワイヤボンディング技術を利用することができる。
先ず、基板2に発光ダイオード4を実装する。この実装には、例えば、フリップチップボンディング技術又はワイヤボンディング技術を利用することができる。
次に、基板2上に、隔壁層3、下部充填層61及び上部充填層62を、この順に形成する。隔壁層3、下部充填層61及び上部充填層62は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィによって形成することができる。
次いで、レンズ5を形成する。レンズ5は、例えば、以下の方法により形成する。
先ず、感光性樹脂からなる塗膜を、上部充填層62及び隔壁層3を被覆するように形成する。次に、この塗膜のパターン露光及び現像を行うことにより、上部充填層62の中央部上に各々が位置した複数の柱状体を形成する。その後、これら柱状体をリフローさせることにより、レンズ5を得る。
先ず、感光性樹脂からなる塗膜を、上部充填層62及び隔壁層3を被覆するように形成する。次に、この塗膜のパターン露光及び現像を行うことにより、上部充填層62の中央部上に各々が位置した複数の柱状体を形成する。その後、これら柱状体をリフローさせることにより、レンズ5を得る。
或いは、先ず、ポジ型の感光性樹脂からなる塗膜を、上部充填層62及び隔壁層3を被覆するように形成する。次に、この塗膜のうち、隔壁層3に設けられた各貫通孔の中心に対応した部分から、この貫通孔の側壁に対応した部分へ向けて露光量が順次大きくなるように、及び、この隔壁のうち隔壁層3の直上に位置した部分の露光量が最大となるように設計したグレイトーンマスクを介して、塗膜を露光する。その後、現像及び硬化を行うことにより、レンズ5を得る。
或いは、先ず、ネガ型の感光性樹脂を、上部充填層62及び隔壁層3上に塗工する。ここで、上部充填層62及び隔壁層3は、表面自由エネルギーが相違しているとする。また、感光性樹脂の表面張力は、上部充填層62の表面自由エネルギーとほぼ等しく、隔壁層3の表面自由エネルギーとは大きく相違しているとする。この場合、上部充填層62は感光性樹脂によって濡れ易く、隔壁層3は感光性樹脂によって濡れ難い。それ故、上部充填層62上には、感光性樹脂からなり、上面が凸曲面である島状部が形成される。その後、島状部を露光することにより、レンズ5を得る。
或いは、先ず、上部充填層62を被覆した透明材料層を形成する。透明材料層は、隔壁層3を更に被覆するように形成してもよい。次に、透明材料層上に、レンズ5の中央部に対応した島状パターンからなるエッチングマスクを形成する。次いで、透明材料層をエッチングして、透明材料層のうちエッチングマスクから露出した部分を除去するとともに、エッチングマスクの下方でサイドエッチングを生じさせる。その後、エッチングマスクを除去することにより、レンズ5を得る。
以上のようにしてレンズ5を形成した後、隔壁層3の上面をエッチングして、その厚さを減じる。このエッチングは省略することができる。但し、このエッチングを行うことにより、高さH5Tが高さH3と比較してより大きな構造を、より確実に得ることが可能になる。
上記の発光ダイオード4は、例えば、これと同様の層構造を有している積層体を、複数の部分へと個片化することにより得られる。このようにして得られた発光ダイオード4の各々は、その端面近傍の領域が個片化によってダメージを受けている。ダメージを受けた領域は、ダメージを受けていない領域と比較して、発光効率が低い。
マイクロLEDディスプレイ、特には、ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能なマイクロLEDディスプレイでは、発光ダイオードの寸法が小さい。それ故、発光ダイオードに占める、個片化によってダメージを受けた領域の割合が大きい。
一般に、発光ダイオードは高い輝度を実現可能である。しかしながら、以上の理由から、マイクロLEDディスプレイ、特には、ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能なマイクロLEDディスプレイには、画像の明るさに関して改善の余地がある。
上記の表示装置1Aは、明るい画像を表示することが可能である。これについて、以下に説明する。
レンズ5の第2面5bの頂部の高さH5Tを、隔壁層3の高さH3よりも大きくした場合、高さH5Tが高さH3と等しい場合や、高さH5Tが高さH3よりも小さい場合と比較して、レンズ5が射出した光のうち、隔壁層3の表面近傍の部分、即ち、隔壁層3のうち隣り合ったレンズ5によって挟まれた部分へ入射するか又はこの部分によって反射される光成分が占める割合が小さい。隔壁層3の表面近傍の部分に入射した光の多くは、表示に利用されないか又はノイズになる。そして、反射に伴う光の減衰は避けられない。それ故、上記の表示装置1Aは、レンズ5が射出した光を表示へ効率的に利用することができ、従って、明るい画像を表示することが可能である。
また、レンズ5の第2面5bの頂部の高さH5Tを、隔壁層3の高さH3よりも大きくすると、高さH5Tが高さH3と等しい場合や、高さH5Tが高さH3よりも小さい場合と比較して、発光ダイオード4からレンズ5の第2面5bまでの距離を大きくすることができる。
下部充填層61が波長変換機能を有していない場合、発光ダイオード4からレンズ5の第2面5bまでの距離を大きくすると、レンズ5の第1面5aへ入射する光のうち、第1面5aへ小さな入射角で入射する光成分の割合が大きくなる。これは、この距離を大きくすると、発光ダイオード4が射出した光のうち、隔壁層3に設けられた貫通孔の側壁によって反射されることなしに第1面5aへ入射する光成分は反射に伴う減衰がなく且つ入射角が小さなものに限られる一方で、貫通孔の側壁によって1回以上反射された後に第1面5aへ入射する光成分は反射時にその進行方向が変化し得るからである。例えば、隔壁層3のうち隣り合った貫通孔に挟まれた部分が順テーパ状の断面形状を有している場合、発光ダイオード4が広角側に射出した光成分は、貫通孔の側壁によって反射されることにより、その進行方向が垂直方向に近くなる。レンズ5が射出した光の指向性が高い(拡散の程度が小さい)と、観察者の眼に入射する光の割合を高めることができ、明るい画像を表示することが可能になる。
また、発光ダイオード4からレンズ5の第2面5bまでの距離を大きくすると、充填層6をより厚くすることができ、それ故、下部充填層61もより厚くすることができる。波長変換機能を有している下部充填層61を厚くすると、波長変換効率が高まる。従って、下部充填層61が波長変換機能を有している場合も、明るい画像を表示することが可能になる。
以上の理由でも、上記の表示装置1Aは、明るい画像を表示することが可能である。
以上の理由でも、上記の表示装置1Aは、明るい画像を表示することが可能である。
<2>第2実施形態
図2は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の断面図である。図2に示す表示装置1Bは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図1を参照しながら説明した表示装置1Aと同様である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の断面図である。図2に示す表示装置1Bは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図1を参照しながら説明した表示装置1Aと同様である。
即ち、表示装置1Bの隔壁層3は、多層構造を有している。具体的には、この隔壁層3は、第1層31と第2層32とを含んでいる。
第1層31は、遮光性である。一例によれば、第1層31は、黒色層である。そのような第1層31は、例えば、バインダ樹脂と着色剤とを含んだ混合物からなる。着色剤は、例えば、黒色顔料であるか、又は、減法混色によって黒色を呈する顔料の混合物、例えば、青色顔料、緑色顔料及び赤色顔料を含んだ混合物である。第1層31には、隔壁層3に設けられた貫通孔の下側部分としての第1貫通孔が設けられている。
第2層32は、第1層31上に設けられている。第2層32は、光透過性樹脂からなる。第2層32は、例えば、透明樹脂からなる。第2層32には、隔壁層3に設けられた貫通孔の他の部分としての第2貫通孔が設けられている。第2貫通孔の側壁は、第1貫通孔の側壁に対して面一である。
この表示装置1Bは、表示装置1Aについて上述したのと同様の効果を奏する。
また、この表示装置1Bでは、或る画素PXの発光ダイオード4が射出し、隣の画素PXの下部充填層61へ向けて進行する光の一部は、第1層31によって吸収される。それ故、例えば、下部充填層61が波長変換機能を有している場合、或る画素PXの発光ダイオード4が射出した光が、隣の画素PXの下部充填層61によって波長変換される可能性が低い。即ち、隔壁層3に図2の構造を採用すると、クロストークを生じ難くなる。
また、この表示装置1Bでは、或る画素PXの発光ダイオード4が射出し、隣の画素PXの下部充填層61へ向けて進行する光の一部は、第1層31によって吸収される。それ故、例えば、下部充填層61が波長変換機能を有している場合、或る画素PXの発光ダイオード4が射出した光が、隣の画素PXの下部充填層61によって波長変換される可能性が低い。即ち、隔壁層3に図2の構造を採用すると、クロストークを生じ難くなる。
また、隔壁層3の全体が黒色である場合、隔壁層3による光の吸収が大きい。図2の隔壁層3は光透過性樹脂からなる第2層32を含んでいるので、隔壁層3に図2の構造を採用することに伴って隔壁層3による光の吸収が過剰に大きくなることはない。
また、隔壁層3の全体が黒色である場合、その形成に使用する感光性樹脂も黒色である。そのような感光性樹脂は、一般に、パターン露光に使用する光に対して高い吸収率を示す。それ故、貫通孔を有し且つ厚い黒色層は、高い形状精度で形成することが難しい。図2の隔壁層は、黒色層である第1層31だけでなく、光透過性樹脂からなる第2層32を含んでいるので、厚く且つ高い形状精度で形成することが容易である。
なお、ここでは、基板2を基準とした第1層31の上面の高さは、基板2を基準とした発光ダイオード4の上面の高さと比較してより小さい。基板2を基準とした第1層31の上面の高さは、基板2を基準とした発光ダイオード4の上面の高さと等しくてもよく、この高さよりも大きくてもよい。
<3>第3実施形態
図3は、本発明の第3実施形態に係る表示装置の断面図である。図3に示す表示装置1Cは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
図3は、本発明の第3実施形態に係る表示装置の断面図である。図3に示す表示装置1Cは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
即ち、表示装置1Cの隔壁層3では、第2層32は、第1層31の上面だけでなく、第1層31に設けられた貫通孔の側壁も被覆している。
この表示装置1Cは、表示装置1A及び1Bについて上述したのと同様の効果を奏する。また、この構造によると、発光ダイオード4が射出し、第1層31へ向けて進行する光の一部は、第2層32と下部充填層61との界面によって反射される。それ故、表示装置1Cでは、表示装置1Bと比較して、第1層31による光の吸収を生じ難い。
<4>第4実施形態
図4は、本発明の第4実施形態に係る表示装置の断面図である。図4に示す表示装置1Dは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
図4は、本発明の第4実施形態に係る表示装置の断面図である。図4に示す表示装置1Dは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
即ち、表示装置1Dの隔壁層3では、第1層31に設けられた第1貫通孔の径は、第2層32に設けられた第2貫通孔の径と比較してより小さい。このため、隔壁層3に設けられた貫通孔の側壁は、下方から上方へ向けて拡径するように、第1層31と第2層32との境界の位置に段差を有している。
この表示装置1Dは、表示装置1A及び1Bについて上述したのと同様の効果を奏する。また、この構造を採用すると、第1貫通孔に対する第2貫通孔の位置が表示性能へ及ぼす影響を小さくすることができる。即ち、この構造を採用すると、製造プロセスのマージンが大きくなる。
<5>第5実施形態
図5は、本発明の第5実施形態に係る表示装置の断面図である。図5に示す表示装置1Eは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
図5は、本発明の第5実施形態に係る表示装置の断面図である。図5に示す表示装置1Eは、隔壁層3に以下の構造を採用したこと以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
即ち、表示装置1Eの隔壁層3は、第3層33を更に含んでいる。第3層33は、第2層32上に設けられている。第3層33は、遮光性である。一例によれば、第3層33は、黒色層である。第3層33は、例えば、第1層31について上述したのと同様の材料からなる。第3層33には、隔壁層3に設けられた貫通孔の上側部分としての第3貫通孔が設けられている。第3貫通孔の側壁は、第2貫通孔の側壁に対して面一である。第3貫通孔の側壁は、第2貫通孔の側壁に対して面一でなくてもよい。
この表示装置1Eは、表示装置1A及び1Bについて上述したのと同様の効果を奏する。また、この表示装置1Eは、レンズ5が設けられた面に外部から光が照射された場合、第3層33は、この光を吸収し得る。それ故、表示装置1Eは、表示装置1Bと比較して、深みがより強い黒色を表示することができ、従って、より高いコントラスト比を実現することができる。
<6>第6実施形態
図6は、本発明の第6実施形態に係る表示装置の断面図である。図6に示す表示装置1Fは、被覆層7を更に含んでいること以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
図6は、本発明の第6実施形態に係る表示装置の断面図である。図6に示す表示装置1Fは、被覆層7を更に含んでいること以外は、図2を参照しながら説明した表示装置1Bと同様である。
被覆層7は、隔壁層3及びレンズ5を覆っている。被覆層7は、レンズ5が透過させる光を透過させ得る。被覆層7は、例えば、透明樹脂からなる透明層である。上記光に対する被覆層7の屈折率は、この光に対するレンズ5の屈折率と比較してより小さい。
この表示装置1Fは、表示装置1Aについて上述したのと同様の効果を奏する。また、被覆層7は、例えば、平坦化層又は保護層としての役割を果たす。それ故、この表示装置1Fは、他の装置との組み合わせが容易であり、また、損傷による性能の劣化を生じ難い。
<7>第7実施形態
図7は、本発明の第7実施形態に係る表示装置の断面図である。図7に示す表示装置1Gは、ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能であり、カラー画像を表示するマイクロLEDディスプレイである。
図7は、本発明の第7実施形態に係る表示装置の断面図である。図7に示す表示装置1Gは、ヘッドマウントディスプレイへの搭載が可能であり、カラー画像を表示するマイクロLEDディスプレイである。
図7に示す表示装置1Gは、以下の構成を採用したこと以外は、図1を参照しながら説明した表示装置1Aと同様である。
即ち、表示装置1Gは、画素PXの代わりに、画素PXGを含んでいる。これら画素PXGは、X方向とY方向とに配列している。
画素PXGの各々は、第1サブ画素PX1と、第2サブ画素PX2と、第3サブ画素PX3とを含んでいる。各画素PXGにおいて、第1サブ画素PX1、第2サブ画素PX2及び第3サブ画素PX3は、X方向に配列している。各画素PXGにおいて、第1サブ画素PX1、第2サブ画素PX2及び第3サブ画素PX3の配列には、デルタ配列などの他の配列を採用してもよい。
第1サブ画素PX1、第2サブ画素PX2及び第3サブ画素PX3の各々は、以下の点を除き、画素PXと同様である。
第1サブ画素PX1は、青色光を射出する。第1サブ画素PX1は、下部充填層61及び上部充填層62を含んだ充填層6の代わりに、第1下部充填層61A及び第1上部充填層62Aを含んだ第1充填層6Aを含んでいる。
第2サブ画素PX2は、緑色光を射出する。第2サブ画素PX2は、下部充填層61及び上部充填層62を含んだ充填層6の代わりに、第2下部充填層61B及び第2上部充填層62Bを含んだ第2充填層6Bを含んでいる。
第3サブ画素PX3は、赤色光を射出する。第3サブ画素PX3は、下部充填層61及び上部充填層62を含んだ充填層6の代わりに、第3下部充填層61C及び第3上部充填層62Cを含んだ第3充填層6Cを含んでいる。
発光ダイオード4が青色光を射出する場合、第1下部充填層61Aは、青色光を波長変換することなしに透過させる無色透明な層であり、第2下部充填層61Bは、青色光を緑色光へ変換する波長変換層であり、第3下部充填層61Cは、青色光を赤色光へ変換する波長変換層である。この場合、第1上部充填層62Aは、無色透明な層であるか、又は、緑色光及び赤色光を吸収又は遮断し、青色光を透過させる青色着色層であり、第2上部充填層62Bは、青色光及び赤色光を吸収又は遮断し、緑色光を透過させる緑色着色層であり、第3上部充填層62Cは、青色光及び緑色光を吸収又は遮断し、赤色光を透過させる赤色着色層である。このように、青色光を射出する発光ダイオード4を使用してカラー画像を表示する場合、波長変換層と、着色層を含んだカラーフィルタとを設ける。
発光ダイオード4が紫外光を射出する場合、第1下部充填層61Aは、紫外光を青色光へ波長変換する波長変換層であり、第2下部充填層61Bは、紫外光を緑色光へ変換する波長変換層であり、第3下部充填層61Cは、紫外光を赤色光へ変換する波長変換層である。この場合、第1上部充填層62Aは、無色透明な層であるか、又は、緑色光及び赤色光を吸収又は遮断し、青色光を透過させる青色着色層であり、第2上部充填層62Bは、無色透明な層であるか、又は、青色光及び赤色光を吸収又は遮断し、緑色光を透過させる緑色着色層であり、第3上部充填層62Cは、無色透明な層であるか、又は、青色光及び緑色光を吸収又は遮断し、赤色光を透過させる赤色着色層である。このように、紫外光を射出する発光ダイオード4を使用してカラー画像を表示する場合、波長変換層を設ける。また、この場合、着色層を含んだカラーフィルタは任意である。
この表示装置1Gは、表示装置1Aについて上述したのと同様の効果を奏する。また、この表示装置1Gは、モノクローム画像だけでなく、カラー画像も表示可能である。
<8>変形例
上記の表示装置には、様々な変形が可能である。
例えば、隔壁層3に設けられた貫通孔の側壁を、反射層で少なくとも部分的に被覆してもよい。また、この反射層で、隔壁層3の上面を少なくとも部分的に更に被覆してもよい。反射層を設けることにより、光の利用効率が向上する。反射層は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層が含む層は、例えば、無機誘電体層又は金属層である。反射層が含む層は、例えば、真空蒸着及びスパッタリング等の気相堆積法によって形成することができる。
上記の表示装置には、様々な変形が可能である。
例えば、隔壁層3に設けられた貫通孔の側壁を、反射層で少なくとも部分的に被覆してもよい。また、この反射層で、隔壁層3の上面を少なくとも部分的に更に被覆してもよい。反射層を設けることにより、光の利用効率が向上する。反射層は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層が含む層は、例えば、無機誘電体層又は金属層である。反射層が含む層は、例えば、真空蒸着及びスパッタリング等の気相堆積法によって形成することができる。
表示装置1Gにおいては、第1上部充填層62A、第2上部充填層62B及び第3上部充填層62Cにカラーフィルタの役割を担わせる代わりに、レンズ5の上方にカラーフィルタを設置してもよい。例えば、レンズ5及び隔壁層3上にカラーフィルタを形成してもよい。或いは、透明基板とその上に設けられたカラーフィルタとを含んだカラーフィルタ基板を準備し、これをカラーフィルタがレンズ5と向き合うように設置してもよい。但し、レンズ5及び隔壁層3上にカラーフィルタを形成した場合、カラーフィルタの膜厚均一性の制御が困難なため、表示ムラ等が生じてしまう懸念がある。また、カラーフィルタ基板を設置する場合、カラーフィルタ基板と発光ダイオード4が設けられたLED基板との位置合わせに高い精度が要求される。
或る表示装置について上述した構造又は複数の表示装置について上述した構造の組み合わせを、他の表示装置に適用してもよい。
例えば、図3又は図4を参照しながら第1層31及び第2層32について上述した構造を、表示装置1Eの第1層31及び第2層32に適用してもよい。図2乃至図5を参照しながら隔壁層3について説明した構造又はそれらの組み合わせは、表示装置1Gの隔壁層3に適用してもよい。また、図6を参照しながら説明した被覆層7は、他の表示装置に設けてもよい。
1A…表示装置、1B…表示装置、1C…表示装置、1D…表示装置、1E…表示装置、1F…表示装置、1G…表示装置、2…基板、3…隔壁層、4…発光ダイオード、5…レンズ、5a…第1面、5b…第2面、6…充填層、6A…第1充填層、6B…第2充填層、6C…第3充填層、7…被覆層、31…第1層、32…第2層、33…第3層、61…下部充填層、61A…第1下部充填層、61B…第2下部充填層、61C…第3下部充填層、62…上部充填層、62A…第1上部充填層、62B…第2上部充填層、62C…第3上部充填層、D…最大径、H…高さ、H3…高さ、H4…高さ、H5P…高さ、H5T…高さ、PX…画素、PX1…第1サブ画素、PX2…第2サブ画素、PX3…第3サブ画素、PXG…画素。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、複数の貫通孔を有する隔壁層と、
前記複数の貫通孔内にそれぞれ配置された複数の発光ダイオードと、
前記複数の貫通孔の位置にそれぞれ配置された複数のレンズとを備え、
前記レンズは前記発光ダイオードを間に挟んで前記基板と向き合った第1面とその裏面である第2面とを有し、前記第2面は凸面であり、前記基板を基準とした前記凸面の頂部の高さは、前記基板を基準とした前記隔壁層の上面の高さと比較してより大きいことを特徴とした表示装置。 - 前記基板を基準とした前記凸面の周縁部の高さは、前記基板を基準とした前記隔壁層の前記上面の前記高さ以下である請求項1に記載の表示装置。
- 前記複数の貫通孔の各々の中に位置し、前記レンズと前記発光ダイオードとの間に介在した1以上の層を更に備えた請求項1に記載の表示装置。
- 上記1以上の層のうち、前記レンズと隣接したものの屈折率は、前記レンズの屈折率と比較してより小さい請求項3に記載の表示装置。
- 前記隔壁層は前記1以上の層の少なくとも1つと接触した光透過性部を含み、前記1以上の層のうち前記光透過性部と接触したものの屈折率は、前記光透過性部の屈折率と比較してより大きい請求項3に記載の表示装置。
- 前記隔壁層は多層構造を有している請求項1に記載の表示装置。
- 前記隔壁層は、遮光性の第1層と、前記第1層上に設けられ、光透過性樹脂からなる第2層とを含んだ請求項6に記載の表示装置。
- 前記隔壁層は、前記第2層上に設けられた遮光性の第3層を更に含んだ請求項7に記載の表示装置。
- 前記複数の貫通孔をそれぞれ充填し、各々が、前記複数のレンズの1つと前記基板との間に介在するとともに、そのレンズと向き合った前記発光ダイオードを埋め込んだ複数の充填層を更に備えた請求項1に記載の表示装置。
- 前記複数の充填層の少なくとも一部は波長変換層を含んだ請求項9に記載の表示装置。
- 前記複数の充填層のうち前記波長変換層を含んだものは、前記波長変換層と前記レンズとの間に介在した着色層を更に含んだ請求項10に記載の表示装置。
- 前記複数の充填層の少なくとも一部は透明樹脂層を含んだ請求項9に記載の表示装置。
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