JP2023139109A - Printed circuit board and electronic element package containing them - Google Patents

Printed circuit board and electronic element package containing them Download PDF

Info

Publication number
JP2023139109A
JP2023139109A JP2023117442A JP2023117442A JP2023139109A JP 2023139109 A JP2023139109 A JP 2023139109A JP 2023117442 A JP2023117442 A JP 2023117442A JP 2023117442 A JP2023117442 A JP 2023117442A JP 2023139109 A JP2023139109 A JP 2023139109A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder resist
resist layer
layer
circuit board
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023117442A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
オー、ヨーン
Yoong Oh
コー、ヨウン-クク
Young-Kuk Ko
キム、サン-フーン
Sang Hoon Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2023139109A publication Critical patent/JP2023139109A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/073Apertured devices mounted on one or more rods passed through the apertures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115Via connections; Lands around holes or via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

To provide a printed circuit board in which a package substrate and a binding force are improved, and provide an electronic element package containing them.SOLUTION: A printed circuit board contains: a lamination body 100 constructed by an insulation layer 110 and a circuit layer 121; a first solder resist layer 200 that is laminated onto one layer of the lamination body 100; a bump 140 that is formed on one surface of the lamination body via the first solder resist layer 200, and is electrically connected to the circuit layer 121; and a second solder resist layer 310 that is laminated onto the first solder resist layer 200, and provides an open part 320 exposing one surface of the bump 140. Also, the printed circuit board includes a third solder resist layer 400 covering a circuit layer 122 formed on the other surface of the lamination body 100. In the case where the circuit layer 122 formed on the other surface of the lamination body 100 is projected from the other surface of the lamination body 100, the third solder resist layer 400 is laminated so as to be higher than the projected circuit layer 122.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、プリント回路基板(printed circuit board)及びこれを含む電子素子パッケージ(electronic component package)に関する。 The present invention relates to a printed circuit board and an electronic component package including the printed circuit board.

半導体パッケージング技術の発達により、パッケージ基板は超高密度及び小型化されており、これにより、POP(Package On Package)基板のソルダーボールのピッチや高さが減少している。ピッチ及び高さの小さいソルダーボールを用いてPOP基板を実現するためにインターポ-ザ(interposer)基板を使用することもある。 With the development of semiconductor packaging technology, package substrates have become ultra-high density and miniaturized, which has reduced the pitch and height of solder balls on POP (Package On Package) substrates. Interposer substrates may also be used to implement POP substrates using solder balls with small pitch and height.

特開2010-029867号公報Japanese Patent Application Publication No. 2010-029867

本発明の目的は、パッケージ基板との結合力が向上したプリント回路基板及びこれを含む電子素子パッケージを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a printed circuit board with improved bonding strength with a package substrate, and an electronic device package including the same.

本発明の一側面によれば、絶縁層と回路層とで構成された積層体と、上記積層体の一面に積層された第1ソルダーレジスト層と、上記第1ソルダーレジスト層を貫通して上記積層体の一面上に形成され、上記回路層に電気的に接続するバンプと、上記第1ソルダーレジスト層上に積層され、上記バンプの一面を露出する開口部を備えた第2ソルダーレジスト層と、を含むプリント回路基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, a laminate including an insulating layer and a circuit layer, a first solder resist layer laminated on one surface of the laminate, and a bump formed on one surface of the laminate and electrically connected to the circuit layer; a second solder resist layer laminated on the first solder resist layer and provided with an opening that exposes one surface of the bump; A printed circuit board is provided that includes a printed circuit board.

本発明の他の側面によれば、電子素子が実装されるプリント回路基板と、上記プリント回路基板に接合されるパッケージ基板と、を含み、上記プリント回路基板は、絶縁層と回路層とで構成された積層体と、上記積層体の一面に積層された第1ソルダーレジスト層と、上記第1ソルダーレジスト層を貫通して上記積層体の一面上に形成され、上記回路層に電気的に接続するバンプと、上記第1ソルダーレジスト層上に積層され、上記バンプの一面を露出する開口部を備えた第2ソルダーレジスト層と、を含む電子素子パッケージが提供される。 According to another aspect of the present invention, the invention includes a printed circuit board on which electronic elements are mounted, and a package board bonded to the printed circuit board, wherein the printed circuit board includes an insulating layer and a circuit layer. a first solder resist layer laminated on one side of the laminated body; and a first solder resist layer formed on one side of the laminated body through the first solder resist layer and electrically connected to the circuit layer. and a second solder resist layer that is laminated on the first solder resist layer and has an opening that exposes one surface of the bump.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係る電子素子パッケージの断面図である。1 is a sectional view of an electronic device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の他の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施例に係る電子素子パッケージの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an electronic device package according to another embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造工程を示す図である。It is a figure showing the manufacturing process of the printed circuit board concerning one example of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造工程を示す図である。It is a figure showing the manufacturing process of the printed circuit board concerning one example of the present invention. 本発明の他の実施例に係るプリント回路基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the printed circuit board based on another Example of this invention. 本発明の他の実施例に係るプリント回路基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the printed circuit board based on another Example of this invention.

本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。 The terminology used in this application is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. A singular expression includes a plural expression unless expressly stated otherwise in a sentence.

本出願において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。 In this application, when we say that a part "includes" a certain component, this does not mean excluding other components, unless there is a specific statement to the contrary, but it does mean that it can further include other components. means.

また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。 Further, throughout the specification, "above" means to be located above or below the target part, and does not necessarily mean to be located above with respect to the direction of gravity.

また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。 In addition, "coupling" does not mean only the case where each component directly physically contacts in the contact relationship between each component, but also the case where another configuration is interposed between each component, It is used as a concept that covers cases where each component is in contact with other components.

第1、第2等の用語は、多様な構成要素を説明するために用いたものであって、上記構成要素が上記用語により限定されることはない。上記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するための目的にのみ使用される。 The terms first, second, etc. are used to describe various constituent elements, and the above constituent elements are not limited by the above terms. The above terms are only used to distinguish one component from another.

図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。 The size and thickness of each component shown in the drawings are shown arbitrarily for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited thereto.

本発明に係るプリント回路基板及びこれを含む電子素子パッケージの実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。 Embodiments of a printed circuit board and an electronic device package including the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A reference numeral is attached to the reference numeral, and a redundant explanation thereof will be omitted.

また、以下に説明した本発明のそれぞれの実施例は、必ずしも1つの実施例のみを示す概念ではなく、それぞれの実施例に対して従属されている実施例を包括する概念として理解しなければならない。 Furthermore, each embodiment of the present invention described below does not necessarily represent a single embodiment, but must be understood as a concept encompassing embodiments that are dependent on each embodiment. .

図1は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図2は、本発明の一実施例に係る電子素子パッケージの断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an electronic device package according to an embodiment of the present invention.

図1を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、積層体と、第1ソルダーレジスト層と、バンプと、第2ソルダーレジスト層と、を含み、第3ソルダーレジスト層をさらに含むことができる。 Referring to FIG. 1, a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a laminate, a first solder resist layer, a bump, a second solder resist layer, and further includes a third solder resist layer. can be included.

積層体100は、絶縁層110と回路層120とで構成され、一面及び他面を有する。ここで、積層体100の一面及び他面は、側面を除いた、互いに対向する両面を意味する。以下、本発明において積層体100の一面とは、電子素子600が実装される面であって他のパッケージ基板(図2の800参照)と対向する面であり、他面とは、メインボードと接合する面である。図1に基づいて積層体100の上面が一面であり、下面が他面になる。 The laminate 100 is composed of an insulating layer 110 and a circuit layer 120, and has one side and the other side. Here, one surface and the other surface of the laminate 100 refer to both surfaces facing each other, excluding the side surfaces. Hereinafter, in the present invention, one surface of the laminate 100 is the surface on which the electronic element 600 is mounted and faces another package substrate (see 800 in FIG. 2), and the other surface is the surface that faces the main board. This is the surface to be joined. Based on FIG. 1, the top surface of the laminate 100 is one surface, and the bottom surface is the other surface.

積層体100の絶縁層110は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材であって、薄い板状である。絶縁層110の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂またはポリイミドなどが挙げられる。ここで、エポキシ樹脂には、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。 The insulating layer 110 of the laminate 100 is made of an insulating material such as resin, and has a thin plate shape. As the resin for the insulating layer 110, various materials such as thermosetting resin and thermoplastic resin can be used, and specific examples include epoxy resin and polyimide. Here, the epoxy resin includes, for example, naphthalene epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, novolac epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, rubber modified epoxy resin, and cycloaliphatic epoxy resin. Examples include, but are not limited to, resins, silicone-based epoxy resins, nitrogen-based epoxy resins, and phosphorus-based epoxy resins.

絶縁層110は、プリプレグ(PPG)またはビルドアップフィルム(build up film)であることができる。プリプレグの場合は、上述したエポキシ樹脂にガラス繊維(glass cloth)等の補強材300が含まれることが可能である。ビルドアップフィルムの場合は、上述したエポキシ樹脂にシリカ(SiO)等の無機フィラー(filler)が含有されることが可能である。このビルドアップフィルムとしては、ABF(Ajinomoto Build-up Film)などが挙げられる。 The insulating layer 110 may be a prepreg (PPG) or a build up film. In the case of prepreg, a reinforcing material 300 such as glass fiber may be included in the epoxy resin described above. In the case of a build-up film, the epoxy resin described above may contain an inorganic filler such as silica (SiO 2 ). Examples of this build-up film include ABF (Ajinomoto Build-up Film).

ただし、ビルドアップフィルムに含有される無機フィラーは、シリカ(SiO)、硫酸バリウム(BaSO)、アルミナ(Al)のうちのいずれか1種を選択して使用するか、2種以上を組み合わせて使用することができる。無機充填材には、その他にも炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、フライアッシュ、天然シリカ、合成シリカ、カオリン、クレー、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、水酸化カリウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、タルク、マイカー、ハイドロタルサイト、珪酸アルミニウム、珪酸マグネシウム、珪酸カルシウム、焼成タルク、ウオラストナイト、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、リン酸マグネシウム等が挙げられるが、これらに制限されない。 However, as the inorganic filler contained in the build-up film, one of silica (SiO 2 ), barium sulfate (BaSO 4 ), and alumina (Al 2 O 3 ) may be selected or used. The above can be used in combination. Other inorganic fillers include calcium carbonate, magnesium carbonate, fly ash, natural silica, synthetic silica, kaolin, clay, calcium oxide, magnesium oxide, titanium oxide, zinc oxide, potassium hydroxide, aluminum hydroxide, and hydroxide. Examples include, but are not limited to, magnesium, talc, mica, hydrotalcite, aluminum silicate, magnesium silicate, calcium silicate, calcined talc, wollastonite, potassium titanate, magnesium sulfate, calcium sulfate, and magnesium phosphate.

積層体100は、上下に積層される複数の絶縁層110で構成されることができる。図1には、3層の絶縁層110が示されているが、絶縁層110の数に制限はない。 The stacked body 100 can be composed of a plurality of insulating layers 110 stacked one above the other. Although three insulating layers 110 are shown in FIG. 1, there is no limit to the number of insulating layers 110.

積層体100の回路層120は、電気信号を伝達するためにパターン化されている伝導体であって、所定の幅と厚さを有して形成され、回路デザイン設計に応じて、長さ、形状が決められる。回路層120は、金属で形成可能であり、電気伝導特性を考慮して銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 The circuit layer 120 of the laminate 100 is a patterned conductor for transmitting electrical signals, and is formed to have a predetermined width and thickness, and has a length or thickness depending on the circuit design. The shape can be determined. The circuit layer 120 can be formed of metal, such as copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), or platinum in consideration of electrical conductivity. (Pt) or an alloy thereof.

回路層120は、絶縁層110に形成され、絶縁層110が複数である場合は、各絶縁層110毎に形成される。回路層120は、絶縁層110の一面または両面に形成可能であり、絶縁層110の一面または両面に埋め込まれることができる。 The circuit layer 120 is formed on the insulating layer 110, and when there is a plurality of insulating layers 110, it is formed for each insulating layer 110. The circuit layer 120 can be formed on one or both sides of the insulating layer 110, and can be embedded in one or both sides of the insulating layer 110.

図1には、3層の絶縁層110が示されており、この場合、回路層120は、4層となり得る。 In FIG. 1, three insulating layers 110 are shown, in which case the circuit layer 120 may be four layers.

回路層120のうちの積層体100の一面に形成される回路層121は、絶縁層110に埋め込まれるように形成されることができる。また、積層体100の一面に形成される回路層121は、端子パッド121'を含むことができる。この端子パッド121'は、後述する電子素子600が実装される部分である。一方、積層体100の他面に形成される回路層122は、積層体100の他面よりも突出して形成されることができる。 The circuit layer 121 formed on one surface of the stacked body 100 among the circuit layers 120 may be embedded in the insulating layer 110 . Further, the circuit layer 121 formed on one surface of the stacked body 100 may include terminal pads 121'. This terminal pad 121' is a portion on which an electronic element 600, which will be described later, is mounted. Meanwhile, the circuit layer 122 formed on the other surface of the laminate 100 may be formed to protrude from the other surface of the laminate 100.

回路層120は、金属箔(図示せず、図3のS1参照)とシード層(図示せず、図3のS2参照)とを含むことができ、回路層120の金属箔及びシード層を除いた残りは、シード層を引込線とした電気メッキ方式により形成可能である。この場合、回路層120は、金属箔、シード層、電気メッキ層の順に構成されることができる。金属箔及びシード層は、回路層120がモディファイドセミアディティブ法(Modified Semi-Additive Process:MSAP)により形成された結果であり得る。よって、回路層120の金属箔及びシード層は、本発明において必ずしも形成されるものではなく、回路層120の製造工法に応じて、その存在可否が決められる。例えば、回路層120がサブトラクティブ法(ex.Tenting)、セミアディティブ法(SAP)により形成される場合は、回路層120は、金属箔なしでシード層のみを備えることができる。 The circuit layer 120 may include a metal foil (not shown, see S1 in FIG. 3) and a seed layer (not shown, see S2 in FIG. 3), excluding the metal foil and the seed layer of the circuit layer 120. The remaining portion can be formed by electroplating using the seed layer as a lead-in wire. In this case, the circuit layer 120 may include a metal foil, a seed layer, and an electroplated layer in this order. The metal foil and seed layer may be the result of circuit layer 120 being formed by a modified semi-additive process (MSAP). Therefore, the metal foil and seed layer of the circuit layer 120 are not necessarily formed in the present invention, and their presence or absence is determined depending on the manufacturing method of the circuit layer 120. For example, when the circuit layer 120 is formed by a subtractive method (ex. Tenting) or a semi-additive method (SAP), the circuit layer 120 can include only a seed layer without metal foil.

積層体100は、ビア130をさらに含むことができ、ビア130は、上下に離隔した回路層120を電気的に接続する。すなわち、ビア130は、互いに異なる絶縁層110に形成されているか、同じ絶縁層110の両面に形成されている回路層120を接続する。ビア130も金属で形成可能であり、回路層120と同じ金属で形成することができる。また、ビア130は、シード層を備えることができる。 The stacked body 100 may further include vias 130, and the vias 130 electrically connect the circuit layers 120 that are vertically spaced apart. That is, the vias 130 connect circuit layers 120 that are formed in different insulating layers 110 or on both sides of the same insulating layer 110. Via 130 can also be formed of metal, and can be formed of the same metal as circuit layer 120. Via 130 may also include a seed layer.

第1ソルダーレジスト層200は、感光性樹脂材により回路層120をカバーして不要なショートを防止するために積層体100の一面に積層される。特に、第1ソルダーレジスト層200は、積層体100の一面に形成される回路層121をカバーする。積層体100の一面に形成される回路層121が絶縁層110に埋め込まれる場合、第1ソルダーレジスト層200は、積層体100の一面及び埋め込まれている回路層121の露出された一面に接触するように形成される。 The first solder resist layer 200 is laminated on one surface of the laminate 100 to cover the circuit layer 120 with a photosensitive resin material and prevent unnecessary short circuits. In particular, the first solder resist layer 200 covers the circuit layer 121 formed on one surface of the laminate 100. When the circuit layer 121 formed on one surface of the laminate 100 is embedded in the insulating layer 110, the first solder resist layer 200 contacts one surface of the laminate 100 and one exposed surface of the embedded circuit layer 121. It is formed like this.

第1ソルダーレジスト層200は、第1キャビティ210を備え、第1キャビティ210を介して端子パッド121'が露出される。露出された端子パッド121'の表面には、金(Au)、ニッケル(Ni)等の表面処理層が形成されてもよい。また、電子素子600は、上記第1キャビティ210に挿入され、端子パッド121'上に実装される。 The first solder resist layer 200 includes a first cavity 210 through which the terminal pad 121' is exposed. A surface treatment layer of gold (Au), nickel (Ni), or the like may be formed on the exposed surface of the terminal pad 121'. Further, the electronic device 600 is inserted into the first cavity 210 and mounted on the terminal pad 121'.

バンプ140は、第1ソルダーレジスト層200を貫通して積層体100の一面上に形成され、積層体100の回路層120に電気的に接続する。特に、バンプ140は、積層体100の一面に形成される回路層121と接続及び接触することができる。バンプ140は、第1ソルダーレジスト層200よりも突出し、図1に示すように、バンプ140は、第1ソルダーレジスト層200を貫通する貫通部と、第1ソルダーレジスト層200よりも突出する突出部と、を含み、突出部は、貫通部の上に位置することができ、貫通部の横断面積は突出部の横断面積より小さくてもよい。 The bumps 140 are formed on one surface of the laminate 100 through the first solder resist layer 200 and are electrically connected to the circuit layer 120 of the laminate 100 . In particular, the bumps 140 can be connected and in contact with the circuit layer 121 formed on one side of the stacked body 100. The bump 140 protrudes beyond the first solder resist layer 200, and as shown in FIG. , the protrusion may be located above the penetration, and the cross-sectional area of the penetration may be smaller than the cross-sectional area of the protrusion.

バンプ140は、第1キャビティ210の外側に位置することができる。例えば、第1キャビティ210がプリント回路基板の中央部に位置し、バンプ140は、第1キャビティ210の周辺に位置することができる。一方、バンプ140は、回路層120と同じ金属を含む金属により形成可能であり、これに限定されず、電気伝導特性を考慮して、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等の金属またはこれらの合金で形成可能である。バンプ140は、シード層S2を備えることができ、バンプ140の表面には、金(Au)、ニッケル(Ni)等の表面処理層が形成されてもよい。 The bump 140 may be located outside the first cavity 210. For example, the first cavity 210 may be located at the center of the printed circuit board, and the bumps 140 may be located at the periphery of the first cavity 210. On the other hand, the bumps 140 can be formed of a metal including the same metal as the circuit layer 120, but are not limited to these, and are made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), etc. in consideration of electrical conductivity. It can be formed from metals such as nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or alloys thereof. The bump 140 may include a seed layer S2, and a surface treatment layer of gold (Au), nickel (Ni), etc. may be formed on the surface of the bump 140.

第2ソルダーレジスト層300は、第1ソルダーレジスト層200上に積層され、バンプ140の一面を露出する開口部320を備える。ここで、バンプ140の一面は、他のパッケージ基板と対向する面であって、図1ではバンプ140の上面であり得る。 The second solder resist layer 300 is laminated on the first solder resist layer 200 and includes an opening 320 that exposes one surface of the bump 140. Here, one surface of the bump 140 is a surface facing another package substrate, and may be the top surface of the bump 140 in FIG. 1.

開口部320の横断面積は、バンプ140の一面の面積よりも小さく、第2ソルダーレジスト層300がバンプ140の一面の端をカバーすることができる。露出したバンプ140の上面には、後述する接合部材700が形成されることができる。 The cross-sectional area of the opening 320 is smaller than the area of one side of the bump 140, so that the second solder resist layer 300 can cover the end of one side of the bump 140. A bonding member 700, which will be described later, may be formed on the exposed upper surface of the bump 140.

第2ソルダーレジスト層300の厚さは、第1ソルダーレジスト層200の厚さより大きくてもよい。積層体100の一面に形成された回路層121が絶縁層110に埋め込まれた場合、第1ソルダーレジスト層200は、積層体100の一面を薄い厚さでカバーしてもその機能を発揮でき、これに対して、第2ソルダーレジスト層300は、バンプ(特に、突出部)140よりも高く形成されることになるので、第2ソルダーレジスト層300の厚さが第1ソルダーレジスト層200の厚さよりも大きくてもよいが、これに制限されない。 The thickness of the second solder resist layer 300 may be greater than the thickness of the first solder resist layer 200. When the circuit layer 121 formed on one side of the laminate 100 is embedded in the insulating layer 110, the first solder resist layer 200 can perform its function even if it covers one side of the laminate 100 with a small thickness. On the other hand, since the second solder resist layer 300 is formed higher than the bump (especially the protrusion) 140, the thickness of the second solder resist layer 300 is the same as that of the first solder resist layer 200. It may be larger than that, but is not limited to this.

第2ソルダーレジスト層300は、第2キャビティ310を備え、第2キャビティ310は、第1キャビティ210に対応する。ここで、「対応する」とは、プリント回路基板に平行な仮想の平面に第1キャビティ210と第2キャビティ310とを投映したとき、2つのキャビティ210、310が互いに重なることを意味し、好ましくは、第1キャビティ210と第2キャビティ310との中心線が実質的に一致することができる。電子素子600は、第1キャビティ210及び第2キャビティ310内に挿入可能である。 The second solder resist layer 300 includes a second cavity 310 , and the second cavity 310 corresponds to the first cavity 210 . Here, "corresponding" means that when the first cavity 210 and the second cavity 310 are projected onto a virtual plane parallel to the printed circuit board, the two cavities 210 and 310 overlap each other, and preferably The center lines of the first cavity 210 and the second cavity 310 may substantially coincide. The electronic device 600 can be inserted into the first cavity 210 and the second cavity 310.

第2キャビティ310の横断面積は、第1キャビティ210の横断面積より大きくてもよい。これにより、平面図において、第1ソルダーレジスト層200が第2キャビティ310を介して露出することができる。 The cross-sectional area of the second cavity 310 may be larger than the cross-sectional area of the first cavity 210. Thereby, the first solder resist layer 200 can be exposed through the second cavity 310 in a plan view.

第2ソルダーレジスト層300により、キャビティ210、310以外の領域においてプリント回路基板の高さが確保でき、第2ソルダーレジストの高さが十分に確保されると、POP基板においてインターポ-ザ基板を省略できる。 The second solder resist layer 300 makes it possible to secure the height of the printed circuit board in areas other than the cavities 210 and 310, and when the second solder resist has a sufficient height, the interposer board is omitted in the POP board. can.

第3ソルダーレジスト層400は、感光性樹脂材により回路層120をカバーして不要なショートを防止するために積層体100の他面に積層されており、第3ソルダーレジスト層400は、第1ソルダーレジスト層200と反対面に位置する。 The third solder resist layer 400 is laminated on the other surface of the laminate 100 in order to cover the circuit layer 120 with a photosensitive resin material and prevent unnecessary short circuits. It is located on the opposite surface to the solder resist layer 200.

第3ソルダーレジスト層400は、積層体100の他面に形成された回路層122をカバーし、積層体100の他面に形成された回路層122が積層体100の他面よりも突出した場合、第3ソルダーレジスト層400は、突出した回路層122よりも高く積層される。また、積層体100の他面に形成された回路層122が積層体100の他面より突出し、積層体100の一面に形成された回路層121が絶縁層110に埋め込まれた場合、第3ソルダーレジスト層400の厚さは、第1ソルダーレジスト層200の厚さより大きくてもよい。 The third solder resist layer 400 covers the circuit layer 122 formed on the other surface of the laminate 100, and when the circuit layer 122 formed on the other surface of the laminate 100 protrudes from the other surface of the laminate 100, , the third solder resist layer 400 is stacked higher than the protruding circuit layer 122. Further, if the circuit layer 122 formed on the other surface of the laminate 100 protrudes from the other surface of the laminate 100 and the circuit layer 121 formed on one surface of the laminate 100 is embedded in the insulating layer 110, the third solder The thickness of the resist layer 400 may be greater than the thickness of the first solder resist layer 200.

第3ソルダーレジスト層400には第1開口410が備えられ、積層体100の他面に形成された回路層122の一面を露出することができる。ここで、回路層122の一面はメインボードと対向する面であって、図1では回路層122の下面であり得る。第1開口410の幅は、回路層120の幅よりも小さく、第3ソルダーレジスト層400が回路層120の端カバーすることができる。露出した回路層120の下面にはメインボードと接合するためのソルダーなどの接合剤を形成することができる。 The third solder resist layer 400 is provided with a first opening 410 to expose one surface of the circuit layer 122 formed on the other surface of the stacked body 100. Here, one surface of the circuit layer 122 is a surface facing the main board, and may be the lower surface of the circuit layer 122 in FIG. 1. The width of the first opening 410 is smaller than the width of the circuit layer 120, so that the third solder resist layer 400 can cover an edge of the circuit layer 120. A bonding agent such as solder may be formed on the exposed bottom surface of the circuit layer 120 to bond it to the main board.

図2を参照すると、本発明の一実施例に係る電子素子パッケージは、電子素子600が実装されるプリント回路基板を含み、プリント回路基板に接合するパッケージ基板800をさらに含むことができる。また、プリント回路基板とパッケージ基板800とは、接合部材700により接合可能である。この電子素子パッケージは、POPであり得る。 Referring to FIG. 2, an electronic device package according to an embodiment of the present invention includes a printed circuit board on which an electronic device 600 is mounted, and may further include a package substrate 800 bonded to the printed circuit board. Further, the printed circuit board and the package board 800 can be bonded by a bonding member 700. This electronic device package may be a POP.

プリント回路基板は、絶縁層110と回路層120とで構成された積層体100と、上記積層体100の一面に積層された第1ソルダーレジスト層200と、上記第1ソルダーレジスト層200を貫通して上記積層体100の一面上に形成され、上記回路層120に電気的に接続するバンプ140と、上記第1ソルダーレジスト層200上に積層され、上記バンプ140の一面を露出する開口部320を備えた第2ソルダーレジスト層300と、を含み、第3ソルダーレジスト層400をさらに含むことができる。このプリント回路基板に関する説明は、図1を参照して説明した内容と同様である。 The printed circuit board includes a laminate 100 composed of an insulating layer 110 and a circuit layer 120, a first solder resist layer 200 laminated on one surface of the laminate 100, and a layer that penetrates the first solder resist layer 200. a bump 140 formed on one surface of the laminate 100 and electrically connected to the circuit layer 120; and an opening 320 laminated on the first solder resist layer 200 and exposing one surface of the bump 140. and a second solder resist layer 300, and may further include a third solder resist layer 400. The explanation regarding this printed circuit board is the same as that explained with reference to FIG.

電子素子600は、プリント回路基板に実装されるもので、便宜上プリント回路基板に実装される電子素子を第1電子素子600と称して、パッケージ基板800に実装される第2電子素子810と区分する。第1電子素子600は、第1ソルダーレジスト層200の第1キャビティ210及び第2ソルダーレジスト層300の第2キャビティ310内に挿入され、キャビティ210、310を介して露出した積層体100の一面の端子パッド121'上にソルダー等の導電性部材610を媒介にして実装可能である。ただし、第1電子素子600は、導電性部材610を用いたフリップチップ(flip chip)方式以外にもワイヤボンディング(wire bonding)方式によりプリント回路基板に実装可能である。 The electronic device 600 is mounted on a printed circuit board, and for convenience, the electronic device mounted on the printed circuit board is referred to as a first electronic device 600 and is distinguished from a second electronic device 810 that is mounted on a package board 800. . The first electronic device 600 is inserted into the first cavity 210 of the first solder resist layer 200 and the second cavity 310 of the second solder resist layer 300, and the first electronic element 600 is inserted into the first cavity 210 of the first solder resist layer 200 and the second cavity 310 of the second solder resist layer 300. It can be mounted on the terminal pad 121' using a conductive member 610 such as solder. However, the first electronic device 600 can be mounted on the printed circuit board using a wire bonding method instead of a flip chip method using the conductive member 610.

第1電子素子600は、能動素子、受動素子、集積回路(IC)など様々な素子を含み、例えば、半導体チップであり得る。 The first electronic device 600 includes various devices such as active devices, passive devices, and integrated circuits (ICs), and may be, for example, a semiconductor chip.

パッケージ基板800は、第2電子素子810が実装された基板であり、プリント回路基板上に接合される。特に、パッケージ基板800は、プリント回路基板の第1電子素子600が実装された面と向い合うように実装され、第2電子素子810はその反対面に実装されることができる。第2電子素子810は、パッケージ基板800にフリップチップ方式またはワイヤボンディング方式により実装でき、図2には、第2電子素子810が基板に接着され、ワイヤにより基板に電気的に接続するワイヤボンディング方式により実装されている。 The package substrate 800 is a substrate on which a second electronic device 810 is mounted, and is bonded onto a printed circuit board. In particular, the package substrate 800 may be mounted to face the surface of the printed circuit board on which the first electronic device 600 is mounted, and the second electronic device 810 may be mounted on the opposite surface. The second electronic device 810 can be mounted on the package substrate 800 using a flip-chip method or a wire bonding method. In FIG. 2, the second electronic device 810 is bonded to the substrate and electrically connected to the substrate using wires. Implemented by

プリント回路基板とパッケージ基板800とを接合する接合部材700は、プリント回路基板のバンプ140とパッケージ基板800の接続パッドとを互いに接続する。この接合部材700は、ソルダーボール(solder ball)であってもよい。 The bonding member 700 for bonding the printed circuit board and the package board 800 connects the bumps 140 of the printed circuit board and the connection pads of the package board 800 to each other. The joining member 700 may be a solder ball.

接合部材700は、第1ソルダーレジスト層200とは接触せず、第2ソルダーレジスト層300とは接触することができる。これは、接合部材700がバンプ140上に形成され、接合部材700の高さが第1ソルダーレジスト層200よりも高いからである。ソルダーボールが狭ピッチ、低い高さを有しても、バンプ140及び第2ソルダーレジスト層300によりソルダーボールの位置が高くなるので、プリント回路基板とパッケージ基板800とを安定的に結合することができる。 The bonding member 700 does not contact the first solder resist layer 200 but can contact the second solder resist layer 300 . This is because the bonding member 700 is formed on the bump 140 and the height of the bonding member 700 is higher than the first solder resist layer 200. Even if the solder balls have a narrow pitch and a low height, the bumps 140 and the second solder resist layer 300 raise the position of the solder balls, so the printed circuit board and the package board 800 can be stably bonded. can.

図3は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図4は、本発明の他の実施例に係る電子素子パッケージの断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of an electronic device package according to another embodiment of the present invention.

図3を参照すると、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板は、積層体100と、第1ソルダーレジスト層200と、バンプ140と、第2ソルダーレジスト層300と、を含み、第3ソルダーレジスト層400と、補強材420と、第4ソルダーレジスト層500と、をさらに含むことができる。 Referring to FIG. 3, a printed circuit board according to another embodiment of the present invention includes a laminate 100, a first solder resist layer 200, a bump 140, a second solder resist layer 300, and a third solder resist layer 300. The solder resist layer 400, a reinforcing material 420, and a fourth solder resist layer 500 may further be included.

積層体100、第1ソルダーレジスト層200、バンプ140、第2ソルダーレジスト層300及び第3ソルダーレジスト層400に関する説明は、図1及び図2を参照して説明した内容と同様であり、省略する。 Descriptions regarding the laminate 100, first solder resist layer 200, bumps 140, second solder resist layer 300, and third solder resist layer 400 are the same as those described with reference to FIGS. 1 and 2, and will be omitted. .

補強材420は、第3ソルダーレジスト層400上に形成され、プリント回路基板に剛性を付与する。 The reinforcing material 420 is formed on the third solder resist layer 400 to provide rigidity to the printed circuit board.

補強材420は、金属で形成可能であり、回路層120を形成する金属を含む金属により形成可能である。補強材420は、回路層120を形成する工法と同じ工法により形成可能である。これにより、補強材420が金属箔S1とシード層S2とを備えることができ、上述したように、補強材420の形成工法に応じて補強材420がシード層S2のみを備えることもできる。また、補強材420は、回路形成工法ではなく、補強材420をパターン化した後に、パターン化した補強材420を第1ソルダーレジスト層200上に付着する方式により形成することもでき、形成方式に制限はない。 The reinforcing material 420 can be formed of metal, including the metal forming the circuit layer 120. The reinforcing material 420 can be formed by the same method as that used to form the circuit layer 120. Thereby, the reinforcing material 420 can include the metal foil S1 and the seed layer S2, and as described above, the reinforcing material 420 can also include only the seed layer S2 depending on the method of forming the reinforcing material 420. Further, the reinforcing material 420 can also be formed by patterning the reinforcing material 420 and then attaching the patterned reinforcing material 420 onto the first solder resist layer 200 instead of using the circuit forming method. There are no restrictions.

補強材420は、回路層120に比べて剛性(rigidity)またはモジュラス(modulus)が大きいことが可能である。剛性は外力に対する変形率を意味し、単純には軸方向力(垂直応力)が加えられたときの変形率といえる。この剛性は、弾性係数(modulus of elasticity)またはヤング率(Young's modulus)により変わり、弾性係数またはヤング率が大きいほど剛性が大きいと理解すればよい。 The stiffener 420 may have greater rigidity or modulus than the circuit layer 120. Rigidity means the rate of deformation in response to external force, and can simply be said to be the rate of deformation when axial force (vertical stress) is applied. This stiffness varies depending on the modulus of elasticity or Young's modulus, and it should be understood that the larger the elastic modulus or Young's modulus, the greater the stiffness.

補強材420は、第3ソルダーレジスト層400上に形成されるが、第3ソルダーレジスト層400の面積以上に形成されないようにできる。すなわち、補強材420は、第3ソルダーレジスト層400の第1開口410をカバーしない。 Although the reinforcing material 420 is formed on the third solder resist layer 400, the reinforcing material 420 can be formed not to have an area larger than the third solder resist layer 400. That is, the reinforcing material 420 does not cover the first opening 410 of the third solder resist layer 400.

第4ソルダーレジスト層500は、第3ソルダーレジスト層400上に形成され、補強材420をカバーする。これにより、補強材420は、第3ソルダーレジスト層400と第4ソルダーレジスト層500とにより覆われる。すなわち、補強材420は、第3ソルダーレジスト層400の表面に接し、第3ソルダーレジスト層400と接しない補強材420の表面は、第4ソルダーレジスト層500に接する。これにより、補強材420は外部に露出されない。 The fourth solder resist layer 500 is formed on the third solder resist layer 400 and covers the reinforcing material 420. Thereby, the reinforcing material 420 is covered with the third solder resist layer 400 and the fourth solder resist layer 500. That is, the reinforcing material 420 is in contact with the surface of the third solder resist layer 400, and the surface of the reinforcing material 420 that is not in contact with the third solder resist layer 400 is in contact with the fourth solder resist layer 500. Accordingly, the reinforcing material 420 is not exposed to the outside.

第4ソルダーレジスト層500は、第2開口510を備え、第2開口510は、第1開口410と対応する。すなわち、第1開口410と第2開口510とは互いに重なるように形成され、第1開口410及び第2開口510を介して積層体100の他面に形成された回路層122が露出され得る。 The fourth solder resist layer 500 includes a second opening 510, and the second opening 510 corresponds to the first opening 410. That is, the first opening 410 and the second opening 510 are formed to overlap each other, and the circuit layer 122 formed on the other surface of the stacked body 100 may be exposed through the first opening 410 and the second opening 510.

第1開口410の横断面積は、第2開口510の横断面積より小さくてもよい。これにより、第2開口510を介して第3ソルダーレジスト層400が露出され得る。 The cross-sectional area of the first opening 410 may be smaller than the cross-sectional area of the second opening 510. Accordingly, the third solder resist layer 400 may be exposed through the second opening 510.

図4を参照すると、本発明の他の実施例に係る電子素子パッケージは、電子素子600が実装されるプリント回路基板を含み、プリント回路基板に接合するパッケージ基板800をさらに含むことができる。また、プリント回路基板とパッケージ基板800とは接合部材700により接合することができる。この電子素子パッケージは、POPであり得る。 Referring to FIG. 4, an electronic device package according to another embodiment of the present invention includes a printed circuit board on which an electronic device 600 is mounted, and may further include a package substrate 800 bonded to the printed circuit board. Furthermore, the printed circuit board and the package board 800 can be bonded together using a bonding member 700. This electronic device package may be a POP.

プリント回路基板は、絶縁層110と回路層120とで構成された積層体100と、上記積層体100の一面に積層された第1ソルダーレジスト層200と、上記第1ソルダーレジスト層200を貫通して上記積層体100の一面上に形成され、上記回路層120に電気的に接続するバンプ140と、上記第1ソルダーレジスト層200上に積層され、上記バンプ140の一面を露出する開口部320を備えた第2ソルダーレジスト層300と、を含み、第3ソルダーレジスト層400と、補強材420と、第4ソルダーレジスト層500とをさらに含むことができる。このプリント回路基板に関する説明は、図1及び図3を参照して説明した内容と同様である。 The printed circuit board includes a laminate 100 composed of an insulating layer 110 and a circuit layer 120, a first solder resist layer 200 laminated on one surface of the laminate 100, and a layer that penetrates the first solder resist layer 200. a bump 140 formed on one surface of the laminate 100 and electrically connected to the circuit layer 120; and an opening 320 laminated on the first solder resist layer 200 and exposing one surface of the bump 140. The second solder resist layer 300 may further include a third solder resist layer 400, a reinforcing material 420, and a fourth solder resist layer 500. The explanation regarding this printed circuit board is the same as that explained with reference to FIGS. 1 and 3.

電子素子600は、プリント回路基板に実装されるもので、便宜上プリント回路基板に実装される電子素子を第1電子素子600と称して、パッケージ基板800に実装される第2電子素子810と区分する。第1電子素子600は、第1ソルダーレジスト層200の第1キャビティ210及び第2ソルダーレジスト層300の第2キャビティ310内に挿入され、キャビティ210、310を介して露出した積層体100の一面の端子パッド121'上にソルダー等の導電性部材610を媒介にして実装できる。ただし、第1電子素子600は、導電性部材610を用いたフリップチップ方式以外にもワイヤボンディング方式によりプリント回路基板に実装できる。 The electronic device 600 is mounted on a printed circuit board, and for convenience, the electronic device mounted on the printed circuit board is referred to as a first electronic device 600 and is distinguished from a second electronic device 810 that is mounted on a package board 800. . The first electronic device 600 is inserted into the first cavity 210 of the first solder resist layer 200 and the second cavity 310 of the second solder resist layer 300, and the first electronic element 600 is inserted into the first cavity 210 of the first solder resist layer 200 and the second cavity 310 of the second solder resist layer 300. It can be mounted on the terminal pad 121' using a conductive member 610 such as solder. However, the first electronic device 600 can be mounted on the printed circuit board using a wire bonding method instead of the flip-chip method using the conductive member 610.

第1電子素子600は、能動素子、受動素子、集積回路(IC)など様々な素子を含み、例えば、半導体チップであり得る。 The first electronic device 600 includes various devices such as active devices, passive devices, and integrated circuits (ICs), and may be, for example, a semiconductor chip.

パッケージ基板800は、第2電子素子810が実装された基板であって、プリント回路基板上に接合される。特に、パッケージ基板800は、プリント回路基板の第1電子素子600が実装された面と向い合うように実装され、第2電子素子810はその反対面に実装できる。第2電子素子810は、パッケージ基板800にフリップチップ方式またはワイヤボンディング方式により実装可能であり、図2には、第2電子素子810が基板に接着され、ワイヤにより基板に電気的に接続するワイヤボンディング方式により実装されている。 The package substrate 800 is a substrate on which a second electronic device 810 is mounted, and is bonded onto a printed circuit board. In particular, the package substrate 800 may be mounted to face the surface of the printed circuit board on which the first electronic device 600 is mounted, and the second electronic device 810 may be mounted on the opposite surface. The second electronic element 810 can be mounted on the package substrate 800 by a flip-chip method or a wire bonding method. In FIG. It is implemented using a bonding method.

プリント回路基板とパッケージ基板800とを接合する接合部材700は、プリント回路基板のバンプ140とパッケージ基板800の接続パッドとを互いに接続する。この接合部材700は、ソルダーボールであってもよい。 The bonding member 700 for bonding the printed circuit board and the package board 800 connects the bumps 140 of the printed circuit board and the connection pads of the package board 800 to each other. This joining member 700 may be a solder ball.

接合部材700は、第1ソルダーレジスト層200とは接触せず、第2ソルダーレジスト層300と接触することができる。これは、接合部材700がバンプ140上に形成されて、接合部材700の高さが第1ソルダーレジスト層200よりも高いからである。ソルダーボールが、狭ピッチ、低い高さを有しても、バンプ140及び第2ソルダーレジスト層300によりソルダーボールの位置が高くなるので、プリント回路基板とパッケージ基板800とを安定的に結合できる。 The bonding member 700 does not contact the first solder resist layer 200 but can contact the second solder resist layer 300 . This is because the bonding member 700 is formed on the bump 140 and the height of the bonding member 700 is higher than the first solder resist layer 200. Even if the solder balls have a narrow pitch and a low height, the bumps 140 and the second solder resist layer 300 raise the position of the solder balls, so that the printed circuit board and the package board 800 can be stably bonded.

図5及び図6は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造工程を示す図である。図5及び図6により、図1に係るプリント回路基板を製造することができる。 5 and 6 are diagrams showing the manufacturing process of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 5 and 6, the printed circuit board according to FIG. 1 can be manufactured.

図5(a)を参照すると、キャリアC上に積層体100が形成される。積層体100は、複数の絶縁層110がキャリアC上に順次積層されることにより形成可能であり、キャリアCは、絶縁材C0、キャリア金属C1及びシード金属C2を含み、キャリア金属C1とシード金属C2とは、その間に介在された離型層C3により接着されている。 Referring to FIG. 5(a), a laminate 100 is formed on a carrier C. The laminate 100 can be formed by sequentially stacking a plurality of insulating layers 110 on a carrier C, and the carrier C includes an insulating material C0, a carrier metal C1, and a seed metal C2, and the carrier metal C1 and the seed metal C2 is bonded to C2 by a release layer C3 interposed therebetween.

このようにキャリアCを用いると、積層体100をコアレス(coreless)形態に実現することができる。この場合、積層体100の一面に形成された回路層121は、絶縁層110内に埋め込まれることができる。一方、積層体100を形成するために、回路層120は、MSAP、SAP、Tentingなどの様々な工法により形成可能である。回路層120は、シード金属C2とその上に形成される電気メッキ層とを含むことができる。 By using the carrier C in this manner, the stacked body 100 can be realized in a coreless form. In this case, the circuit layer 121 formed on one side of the stacked body 100 can be embedded in the insulating layer 110. Meanwhile, in order to form the laminate 100, the circuit layer 120 can be formed by various methods such as MSAP, SAP, and Tenting. The circuit layer 120 may include a seed metal C2 and an electroplated layer formed thereon.

図5(b)を参照すると、積層体100がキャリアCから分離される。具体的に、離型層C3を境界にしてキャリア金属C1とシード金属C2とが互いに分離され、シード金属C2はエッチングにより除去される。 Referring to FIG. 5(b), the stacked body 100 is separated from the carrier C. Specifically, the carrier metal C1 and the seed metal C2 are separated from each other with the mold release layer C3 as a boundary, and the seed metal C2 is removed by etching.

図5(c)を参照すると、積層体100の両面にソルダーレジスト層が塗布される。塗布されたソルダーレジスト層は、予備乾燥(pre-cure)されてもよい。積層体100の一面に塗布されたソルダーレジスト層は第1ソルダーレジスト層200となり、積層体100の他面に塗布されたソルダーレジスト層は第3ソルダーレジスト層400となる。 Referring to FIG. 5(c), solder resist layers are applied to both sides of the laminate 100. The applied solder resist layer may be pre-cured. The solder resist layer applied to one side of the laminate 100 becomes the first solder resist layer 200, and the solder resist layer applied to the other side of the laminate 100 becomes the third solder resist layer 400.

図5(d)を参照すると、ソルダーレジスト層上に感光性ドライフィルムDが付着され、ドライフィルムDはパターニングされる。ドライフィルムDは、露光及び現像工程を介してパターニングされることができる。 Referring to FIG. 5(d), a photosensitive dry film D is attached on the solder resist layer, and the dry film D is patterned. The dry film D can be patterned through an exposure and development process.

図5(e)を参照すると、ドライフィルムDのパターニングにより開放された部分に対応するソルダーレジスト層が除去される。これにより、第1キャビティ210を備えた第1ソルダーレジスト層200と第1開口410を備えた第3ソルダーレジスト層400が形成される。一方、ソルダーレジスト層の除去は、露光及び現像を含むフォト工程やブラスト(blast)加工により実施できる。ブラスト加工により実施する場合、残留するソルダーレジストを除去するために化学的後処理を後続工程として行うことができる。 Referring to FIG. 5(e), the solder resist layer corresponding to the portions opened by patterning the dry film D is removed. As a result, the first solder resist layer 200 including the first cavity 210 and the third solder resist layer 400 including the first opening 410 are formed. On the other hand, the solder resist layer can be removed by a photo process including exposure and development, or by blast processing. If carried out by blasting, a chemical post-treatment can be carried out as a subsequent step to remove residual solder resist.

図6(f)を参照すると、ドライフィルムが剥離され、第1ソルダーレジスト層200と第3ソルダーレジスト層400が硬化(post-cure)される。必要によって、UVを用いた硬化をさらに行ってもよい。 Referring to FIG. 6(f), the dry film is peeled off, and the first solder resist layer 200 and the third solder resist layer 400 are post-cured. If necessary, curing using UV may be further performed.

図6(g)を参照すると、シード層S2が、蒸着、無電解メッキ等の方式により形成される。シード層S2は、銅、チタン/銅等の金属で形成可能である。シード層S2は、第1ソルダーレジスト層200上に形成され、第1キャビティ210内部にも形成される。 Referring to FIG. 6(g), the seed layer S2 is formed by vapor deposition, electroless plating, or the like. Seed layer S2 can be formed of metal such as copper, titanium/copper, etc. The seed layer S2 is formed on the first solder resist layer 200 and also inside the first cavity 210.

図6(h)を参照すると、第1ソルダーレジスト層200を貫通するバンプ140が形成される。バンプ140は、第1ソルダーレジスト層200を貫通し、第1ソルダーレジスト層200よりも突出して第1ソルダーレジスト層200の上面と接する。一方、バンプ140を形成するとき、バンプ140以外の領域にある不要なシード層S2はエッチング等により除去される。 Referring to FIG. 6H, bumps 140 penetrating the first solder resist layer 200 are formed. The bump 140 penetrates the first solder resist layer 200 , protrudes beyond the first solder resist layer 200 , and contacts the upper surface of the first solder resist layer 200 . On the other hand, when forming the bump 140, unnecessary seed layer S2 in the area other than the bump 140 is removed by etching or the like.

図6(i)を参照すると、第1ソルダーレジスト層200上に第2ソルダーレジスト層300が形成される。第2レジスト層には、第1キャビティ210に対応する第2キャビティ310が備えられ、バンプ140の上面を露出する開口部320が備えられる。 Referring to FIG. 6(i), a second solder resist layer 300 is formed on the first solder resist layer 200. The second resist layer includes a second cavity 310 corresponding to the first cavity 210 and an opening 320 that exposes the top surface of the bump 140.

第2ソルダーレジスト層300は、ソルダーレジストをプリント回路基板全面に塗布した後に、第2キャビティ310及び開口部320領域に対応するソルダーレジストを選択的に除去することにより形成可能である。ソルダーレジストの選択的除去は、露光/現像またはブラスト等の機械的加工等により実施できる。このとき、第1ソルダーレジスト層200及び第2ソルダーレジスト層300が両方とも感光性である場合、第1ソルダーレジスト層200及び第2ソルダーレジスト層300のそれぞれは、互いに異なる材料、または互いに異なる光(例えば、互いに異なる波長)に反応する特徴を有することにより、第2ソルダーレジスト層300を露光/現像工程により形成するとき、第1ソルダーレジスト層200に影響を与えずにできる。 The second solder resist layer 300 can be formed by applying a solder resist to the entire surface of the printed circuit board and then selectively removing the solder resist corresponding to the second cavity 310 and the opening 320 area. Selective removal of the solder resist can be performed by mechanical processing such as exposure/development or blasting. At this time, if both the first solder resist layer 200 and the second solder resist layer 300 are photosensitive, each of the first solder resist layer 200 and the second solder resist layer 300 is made of different materials or different light-sensitive materials. By having the characteristic of reacting to different wavelengths (for example, mutually different wavelengths), the second solder resist layer 300 can be formed by an exposure/development process without affecting the first solder resist layer 200.

図7及び図8は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板の製造工程を示す図である。図7及び図8により、図3に係るプリント回路基板を製造することができる。 7 and 8 are diagrams showing the manufacturing process of a printed circuit board according to another embodiment of the present invention. 7 and 8, the printed circuit board according to FIG. 3 can be manufactured.

図7(a)を参照すると、キャリアC上に積層体100が形成される。積層体100は、複数の絶縁層110をキャリアC上に順次積層することにより形成可能であり、キャリアCは、絶縁材C0、キャリア金属C1及びシード金属C2を含み、キャリア金属C1とシード金属C2とは、その間に介在された離型層C3により接着されている。 Referring to FIG. 7(a), a laminate 100 is formed on the carrier C. The laminate 100 can be formed by sequentially stacking a plurality of insulating layers 110 on a carrier C, the carrier C includes an insulating material C0, a carrier metal C1, and a seed metal C2, and the carrier metal C1 and the seed metal C2 and are bonded to each other by a release layer C3 interposed therebetween.

このように、キャリアCを用いると、積層体100をコアレス形態に製造することができる。この場合、積層体100の一面に形成された回路層121は、絶縁層110内に埋め込まれることができる。 In this way, by using the carrier C, the laminate 100 can be manufactured in a coreless form. In this case, the circuit layer 121 formed on one side of the stacked body 100 can be embedded in the insulating layer 110.

一方、積層体100を形成するために、回路層120は、MSAP、SAP、Tenting等の様々な工法により形成可能であり、回路層120は、シード金属C2及びその上に形成される電気メッキ層を含むことができる。 On the other hand, in order to form the laminate 100, the circuit layer 120 can be formed by various methods such as MSAP, SAP, and Tenting, and the circuit layer 120 includes a seed metal C2 and an electroplated layer formed thereon. can include.

図7(b)を参照すると、積層体100上に第3ソルダーレジスト層400が形成され、第3ソルダーレジスト層400に第1開口410が形成されて、回路層122が露出する。 Referring to FIG. 7B, a third solder resist layer 400 is formed on the laminate 100, a first opening 410 is formed in the third solder resist layer 400, and the circuit layer 122 is exposed.

図7(c)を参照すると、第3ソルダーレジスト層400上にシード層S2が、蒸着、無電解メッキ等の方式により形成される。シード層S2は、第1開口410を介して露出した回路層122の表面にも形成される。 Referring to FIG. 7C, a seed layer S2 is formed on the third solder resist layer 400 by vapor deposition, electroless plating, or the like. The seed layer S2 is also formed on the surface of the circuit layer 122 exposed through the first opening 410.

図7(d)を参照すると、シード層S2上に電気メッキ層が形成されるが、このとき、パターニングされたメッキレジストを用いることができる。シード層S2及びその上に形成された電気メッキ層は、補強材420となり、補強材420領域以外の不要なシード層S2はエッチング等により除去される。 Referring to FIG. 7D, an electroplating layer is formed on the seed layer S2, and a patterned plating resist can be used at this time. The seed layer S2 and the electroplated layer formed thereon become the reinforcing material 420, and unnecessary seed layer S2 other than the reinforcing material 420 area is removed by etching or the like.

図7(e)を参照すると、第3ソルダーレジスト層400上に補強材420をカバーする第4ソルダーレジスト層500が形成される。これにより、補強材420は、第3ソルダーレジスト層400及び第4ソルダーレジスト層500により覆われる。 Referring to FIG. 7E, a fourth solder resist layer 500 covering the reinforcing material 420 is formed on the third solder resist layer 400. Thereby, the reinforcing material 420 is covered with the third solder resist layer 400 and the fourth solder resist layer 500.

図8(f)を参照すると、第4ソルダーレジスト層500上に追加のキャリアCが付着され、図8(g)を参照すると、既存キャリアCから積層体100が分離される。具体的に、離型層C3を境界にしてキャリア金属C1とシード金属C2とが互いに分離され、シード金属C2はエッチングにより除去される。追加のキャリアCは、積層体100のハンドリングを容易にする。 Referring to FIG. 8(f), an additional carrier C is deposited on the fourth solder resist layer 500, and referring to FIG. 8(g), the stack 100 is separated from the existing carrier C. Specifically, the carrier metal C1 and the seed metal C2 are separated from each other with the mold release layer C3 as a boundary, and the seed metal C2 is removed by etching. The additional carrier C facilitates handling of the stack 100.

図8(h)を参照すると、第1ソルダーレジスト層200が形成される。第1ソルダーレジスト層200は、ソルダーレジストが塗布された後に、第1キャビティ210及びバンプ140の形成される領域を開放することにより形成可能である。一方、第1ソルダーレジスト層200上にシード層S2が、蒸着、無電解メッキ等の方法により形成される。 Referring to FIG. 8(h), a first solder resist layer 200 is formed. The first solder resist layer 200 can be formed by opening the regions where the first cavities 210 and the bumps 140 are to be formed after the solder resist is applied. Meanwhile, a seed layer S2 is formed on the first solder resist layer 200 by a method such as vapor deposition or electroless plating.

図8(i)を参照すると、バンプ140が形成される。バンプ140は、第1ソルダーレジスト層200を貫通し、第1ソルダーレジスト層200よりも突出して第1ソルダーレジスト層200の上面と接する。一方、バンプ140を形成するとき、バンプ140以外の領域にある不要なシード層S2は、エッチング等の方法により除去される。 Referring to FIG. 8(i), bumps 140 are formed. The bump 140 penetrates the first solder resist layer 200 , protrudes beyond the first solder resist layer 200 , and contacts the upper surface of the first solder resist layer 200 . On the other hand, when forming the bump 140, unnecessary seed layer S2 in the area other than the bump 140 is removed by a method such as etching.

図8(j)を参照すると、第1ソルダーレジスト層200上に第2ソルダーレジスト層300が形成される。第2レジスト層には、第1キャビティ210に対応する第2キャビティ310が備えられ、バンプ140の上面を露出する開口部320が備えられる。 Referring to FIG. 8(j), a second solder resist layer 300 is formed on the first solder resist layer 200. The second resist layer includes a second cavity 310 corresponding to the first cavity 210 and an opening 320 that exposes the top surface of the bump 140.

第2ソルダーレジスト層300は、ソルダーレジストをプリント回路基板全面に塗布した後に、第2キャビティ310及び開口部320の領域に対応するソルダーレジストを選択的に除去することにより形成可能である。ソルダーレジストの選択的除去は、露光/現像またはブラスト等の機械的加工等により実施できる。このとき、第1ソルダーレジスト層200及び第2ソルダーレジスト層300両方とも感光性である場合、第1ソルダーレジスト層200及び第2ソルダーレジスト層300のそれぞれは、互いに異なる材料、または互いに異なる光(例えば、互いに異なる波長)に反応する特徴を有することにより、第2ソルダーレジスト層300を露光/現像工程により形成するとき、第1ソルダーレジスト層200に影響を与えずにできる。 The second solder resist layer 300 can be formed by applying a solder resist to the entire surface of the printed circuit board and then selectively removing the solder resist corresponding to the second cavity 310 and the opening 320 area. Selective removal of the solder resist can be performed by mechanical processing such as exposure/development or blasting. At this time, when both the first solder resist layer 200 and the second solder resist layer 300 are photosensitive, each of the first solder resist layer 200 and the second solder resist layer 300 is made of different materials or different light ( For example, since the second solder resist layer 300 can be formed by an exposure/development process without affecting the first solder resist layer 200, the second solder resist layer 300 can be formed by an exposure/development process.

図8(k)を参照すると、追加のキャリアCが除去されるが、具体的に、離型層C3を境界にしてキャリア金属C1とシード金属C2とが互いに分離され、シード金属C2はエッチングにより除去される。以後に、必要によって、第1キャビティ210及び第2キャビティ310を介して露出した端子パッド121'の表面に表面処理層を形成することができる。 Referring to FIG. 8(k), the additional carrier C is removed, and specifically, the carrier metal C1 and the seed metal C2 are separated from each other with the release layer C3 as a boundary, and the seed metal C2 is etched. removed. Thereafter, a surface treatment layer may be formed on the surface of the terminal pad 121' exposed through the first cavity 210 and the second cavity 310, if necessary.

以上、本発明の実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。 Although the embodiments of the present invention have been described above, a person having ordinary knowledge in the relevant technical field will understand that additions and changes of constituent elements can be made without departing from the idea of the present invention described in the claims. The present invention can be modified and changed in various ways by adding, deleting, adding, etc., and these are also within the scope of the rights of the present invention.

100 積層体
110 絶縁層
120、121、122 回路層
121' 端子パッド
130 ビア
140 バンプ
S1 金属箔
S2 シード層
200 第1ソルダーレジスト層
210 第1キャビティ
300 第2ソルダーレジスト層
310 第2キャビティ
320 開口部
400 第3ソルダーレジスト層
410 第1開口
420 補強材
500 第4ソルダーレジスト層
510 第2開口
600 第1電子素子
610 導電性部材
700 接合部材
800 パッケージ基板
810 第2電子素子
820 接続パッド
830 ワイヤ
C キャリア
C0 絶縁材
C1 キャリア金属
C2 シード金属
C3 離型層
D ドライフィルム
100 Laminated body 110 Insulating layers 120, 121, 122 Circuit layer 121' Terminal pad 130 Via 140 Bump S1 Metal foil S2 Seed layer 200 First solder resist layer 210 First cavity 300 Second solder resist layer 310 Second cavity 320 Opening 400 Third solder resist layer 410 First opening 420 Reinforcing material 500 Fourth solder resist layer 510 Second opening 600 First electronic element 610 Conductive member 700 Bonding member 800 Package substrate 810 Second electronic element 820 Connection pad 830 Wire C Carrier C0 Insulating material C1 Carrier metal C2 Seed metal C3 Release layer D Dry film

Claims (32)

絶縁層と回路層とで構成された積層体と、
前記積層体の一面に積層された第1ソルダーレジスト層と、
前記第1ソルダーレジスト層を貫通して前記積層体の一面上に形成され、前記回路層に電気的に接続するバンプと、
前記第1ソルダーレジスト層上に積層され、前記バンプの一面を露出する開口部を備えた第2ソルダーレジスト層と、を含み、
前記第2ソルダーレジスト層の厚さは、前記第1ソルダーレジスト層の厚さよりも大きい、プリント回路基板。
A laminate composed of an insulating layer and a circuit layer,
a first solder resist layer laminated on one surface of the laminate;
a bump that is formed on one surface of the laminate through the first solder resist layer and electrically connects to the circuit layer;
a second solder resist layer laminated on the first solder resist layer and provided with an opening that exposes one surface of the bump;
The thickness of the second solder resist layer is greater than the thickness of the first solder resist layer.
前記第1ソルダーレジスト層を貫通する第1キャビティと、
前記第2ソルダーレジスト層を貫通し、前記第1キャビティに対応する第2キャビティと、をさらに含む請求項1に記載のプリント回路基板。
a first cavity penetrating the first solder resist layer;
The printed circuit board of claim 1 , further comprising a second cavity extending through the second solder resist layer and corresponding to the first cavity.
前記回路層のうちの前記積層体の一面に形成された回路層の一部は、前記第1キャビティ及び前記第2キャビティを介して露出する請求項2に記載のプリント回路基板。 3. The printed circuit board according to claim 2, wherein a portion of the circuit layer formed on one surface of the laminate is exposed through the first cavity and the second cavity. 前記第1キャビティの横断面積は、前記第2キャビティの横断面積よりも小さい請求項2または3に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 2 or 3, wherein the cross-sectional area of the first cavity is smaller than the cross-sectional area of the second cavity. 前記バンプは、前記第1キャビティの外側に位置する請求項2から4のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 2 to 4, wherein the bump is located outside the first cavity. 前記絶縁層は、複数形成され、
前記回路層は、前記複数の絶縁層のそれぞれに形成され、
前記積層体は、前記回路層に接続するビアをさらに含む請求項1から5のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
A plurality of the insulating layers are formed,
The circuit layer is formed on each of the plurality of insulating layers,
The printed circuit board according to any one of claims 1 to 5, wherein the laminate further includes a via connecting to the circuit layer.
前記回路層のうちの前記絶縁層の一面に形成された回路層は、前記絶縁層内に埋め込まれる請求項1から6のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 7. The printed circuit board according to claim 1, wherein the circuit layer formed on one surface of the insulating layer among the circuit layers is embedded within the insulating layer. 前記積層体の他面に積層された第3ソルダーレジスト層をさらに含む請求項1から7のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 1 to 7, further comprising a third solder resist layer laminated on the other surface of the laminate. 前記第3ソルダーレジスト層上に積層された第4ソルダーレジスト層をさらに含む請求項8に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board of claim 8, further comprising a fourth solder resist layer laminated on the third solder resist layer. 前記第3ソルダーレジスト層上に補強材が形成された請求項9に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 9, further comprising a reinforcing material formed on the third solder resist layer. 前記補強材は、前記第3ソルダーレジスト層及び前記第4ソルダーレジスト層により覆われる請求項10に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 10, wherein the reinforcing material is covered by the third solder resist layer and the fourth solder resist layer. 前記補強材は、前記回路層と同じ金属を含む金属により形成された請求項10または11に記載のプリント回路基板。 12. The printed circuit board according to claim 10, wherein the reinforcing material is formed of a metal containing the same metal as the circuit layer. 前記第3ソルダーレジスト層には、前記回路層のうちの前記積層体の他面に形成された回路層を露出する第1開口が形成され、
前記第4ソルダーレジスト層には、前記第1開口に対応する第2開口が形成された請求項9から12のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
A first opening is formed in the third solder resist layer to expose a circuit layer formed on the other surface of the laminate among the circuit layers,
The printed circuit board according to any one of claims 9 to 12, wherein a second opening corresponding to the first opening is formed in the fourth solder resist layer.
前記第1開口の横断面積は、前記第2開口の横断面積よりも小さい請求項13に記載のプリント回路基板。 14. The printed circuit board of claim 13, wherein the first opening has a smaller cross-sectional area than the second opening. 前記第3ソルダーレジスト層の厚さは、前記第1ソルダーレジスト層の厚さよりも大きい請求項8から14のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 8 to 14, wherein the thickness of the third solder resist layer is greater than the thickness of the first solder resist layer. 電子素子が実装されるプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に接合されるパッケージ基板と、を含み、
前記プリント回路基板は、
絶縁層と回路層とで構成された積層体と、
前記積層体の一面に積層された第1ソルダーレジスト層と、
前記第1ソルダーレジスト層を貫通して前記積層体の一面上に形成され、前記回路層に電気的に接続するバンプと、
前記第1ソルダーレジスト層上に積層され、前記バンプの一面を露出する開口部を備えた第2ソルダーレジスト層と、を含み、
前記第2ソルダーレジスト層の厚さは、前記第1ソルダーレジスト層の厚さよりも大きい、電子素子パッケージ。
a printed circuit board on which electronic elements are mounted;
a package substrate bonded to the printed circuit board;
The printed circuit board includes:
A laminate composed of an insulating layer and a circuit layer,
a first solder resist layer laminated on one surface of the laminate;
a bump that is formed on one surface of the laminate through the first solder resist layer and electrically connects to the circuit layer;
a second solder resist layer laminated on the first solder resist layer and provided with an opening that exposes one surface of the bump;
The thickness of the second solder resist layer is greater than the thickness of the first solder resist layer.
前記第1ソルダーレジスト層を貫通する第1キャビティと、
前記第2ソルダーレジスト層を貫通し、前記第1キャビティに対応する第2キャビティと、をさらに含み、
前記電子素子は、前記第1キャビティ及び前記第2キャビティ内に挿入される請求項16に記載の電子素子パッケージ。
a first cavity penetrating the first solder resist layer;
further comprising a second cavity penetrating the second solder resist layer and corresponding to the first cavity,
The electronic device package of claim 16, wherein the electronic device is inserted into the first cavity and the second cavity.
前記電子素子は、前記回路層のうちの前記積層体の一面に形成された回路層の一部上に導電性部材を媒介にして実装される請求項17に記載の電子素子パッケージ。 18. The electronic device package according to claim 17, wherein the electronic device is mounted on a part of the circuit layer formed on one surface of the laminate, using a conductive member as an intermediary. 前記第1キャビティの横断面積は、前記第2キャビティの横断面積よりも小さい請求項17または18に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to claim 17 or 18, wherein a cross-sectional area of the first cavity is smaller than a cross-sectional area of the second cavity. 前記バンプは、前記電子素子の外側に位置する請求項17から19のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to any one of claims 17 to 19, wherein the bump is located outside the electronic device. 前記絶縁層は、複数形成され、
前記回路層は、前記複数の絶縁層のそれぞれに形成され、
前記積層体は、前記回路層に接続するビアをさらに含む請求項16から20のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。
A plurality of the insulating layers are formed,
The circuit layer is formed on each of the plurality of insulating layers,
The electronic device package according to any one of claims 16 to 20, wherein the laminate further includes a via connecting to the circuit layer.
前記回路層のうちの前記絶縁層の一面に形成された回路層は、前記絶縁層内に埋め込まれる請求項16から21のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。 22. The electronic device package according to claim 16, wherein the circuit layer formed on one surface of the insulating layer among the circuit layers is embedded within the insulating layer. 前記積層体の他面に積層された第3ソルダーレジスト層をさらに含む請求項16から22のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to any one of claims 16 to 22, further comprising a third solder resist layer laminated on the other surface of the laminate. 前記第3ソルダーレジスト層上に積層された第4ソルダーレジスト層をさらに含む請求項23に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package of claim 23, further comprising a fourth solder resist layer laminated on the third solder resist layer. 前記第3ソルダーレジスト層上には、補強材が形成された請求項24に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to claim 24, wherein a reinforcing material is formed on the third solder resist layer. 前記補強材は、前記第3ソルダーレジスト層及び前記第4ソルダーレジスト層により覆われる請求項25に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to claim 25, wherein the reinforcing material is covered by the third solder resist layer and the fourth solder resist layer. 前記補強材は、前記回路層を形成する金属と同じ金属により形成された請求項25または26に記載の電子素子パッケージ。 27. The electronic device package according to claim 25, wherein the reinforcing material is made of the same metal as the metal forming the circuit layer. 前記第3ソルダーレジスト層には、前記回路層のうちの前記積層体の他面に形成された回路層を露出する第1開口が形成され、
前記第4ソルダーレジスト層には、前記第1開口に対応する第2開口が形成された請求項24から27のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。
A first opening is formed in the third solder resist layer to expose a circuit layer formed on the other surface of the laminate among the circuit layers,
28. The electronic device package according to claim 24, wherein a second opening corresponding to the first opening is formed in the fourth solder resist layer.
前記第1開口の横断面積は、前記第2開口の横断面積よりも小さい請求項28に記載の電子素子パッケージ。 29. The electronic device package of claim 28, wherein a cross-sectional area of the first opening is smaller than a cross-sectional area of the second opening. 前記第3ソルダーレジスト層の厚さは、前記第1ソルダーレジスト層の厚さよりも大きい請求項23から29のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to any one of claims 23 to 29, wherein the third solder resist layer has a thickness greater than the first solder resist layer. 前記バンプ上に形成され、前記プリント回路基板と前記パッケージ基板とを接合する接合部材をさらに含む請求項16から30のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to any one of claims 16 to 30, further comprising a bonding member formed on the bump and bonding the printed circuit board and the package substrate. 前記接合部材は、前記第1ソルダーレジスト層よりも高く位置して前記第1ソルダーレジスト層と接触しない請求項31に記載の電子素子パッケージ。 The electronic device package according to claim 31, wherein the bonding member is located higher than the first solder resist layer and does not contact the first solder resist layer.
JP2023117442A 2017-11-08 2023-07-19 Printed circuit board and electronic element package containing them Pending JP2023139109A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170148270A KR102456321B1 (en) 2017-11-08 2017-11-08 Printed circuit board and electronic component package having the same
KR10-2017-0148270 2017-11-08
JP2018088888A JP2019087723A (en) 2017-11-08 2018-05-02 Printed circuit board and electronic device package including the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018088888A Division JP2019087723A (en) 2017-11-08 2018-05-02 Printed circuit board and electronic device package including the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023139109A true JP2023139109A (en) 2023-10-03

Family

ID=66672162

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018088888A Pending JP2019087723A (en) 2017-11-08 2018-05-02 Printed circuit board and electronic device package including the same
JP2023117442A Pending JP2023139109A (en) 2017-11-08 2023-07-19 Printed circuit board and electronic element package containing them

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018088888A Pending JP2019087723A (en) 2017-11-08 2018-05-02 Printed circuit board and electronic device package including the same

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP2019087723A (en)
KR (1) KR102456321B1 (en)
TW (1) TWI771409B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220042539A (en) 2020-09-28 2022-04-05 삼성전자주식회사 Semiconductor package
KR20220129354A (en) 2021-03-16 2022-09-23 주식회사 엘지에너지솔루션 Protection circuit for detecting deformation of fuse box

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5106351B2 (en) * 2008-10-29 2012-12-26 京セラSlcテクノロジー株式会社 Wiring board and manufacturing method thereof
JP5083295B2 (en) 2009-11-12 2012-11-28 株式会社大林組 Photocatalyst carrier and method for producing photocatalyst carrier
WO2013054504A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 住友ベークライト株式会社 Semiconductor package and semiconductor device
JP5992676B2 (en) * 2011-11-25 2016-09-14 京セラ株式会社 Wiring board manufacturing method
JP2015072984A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 イビデン株式会社 Printed wiring board, manufacturing method of printed wiring board, and package-on-package
US9633965B2 (en) * 2014-08-08 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method of the same
JP6752553B2 (en) * 2015-04-28 2020-09-09 新光電気工業株式会社 Wiring board
KR102333092B1 (en) * 2015-07-15 2021-12-01 삼성전기주식회사 Circuit board and manufacturing method of the same
US9893028B2 (en) * 2015-12-28 2018-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond structures and the methods of forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102456321B1 (en) 2022-10-19
TW201919455A (en) 2019-05-16
TWI771409B (en) 2022-07-21
JP2019087723A (en) 2019-06-06
KR20190052526A (en) 2019-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5649490B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP4204989B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101077410B1 (en) Printed circuit board with electronic components embedded therein including cooling member and method for fabricating the same
JP5079475B2 (en) Electronic component mounting package
KR100510154B1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4171499B2 (en) Electronic device substrate and manufacturing method thereof, and electronic device and manufacturing method thereof
JP5864180B2 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2023139109A (en) Printed circuit board and electronic element package containing them
JP2009135162A (en) Wiring board and electronic component device
US9406620B2 (en) Semiconductor package
JP5188426B2 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
JP2006019368A (en) Interposer, its manufacturing method, and semiconductor device
US11430725B2 (en) Wiring board and method of manufacturing the same
KR20160032985A (en) Package board, method for manufacturing the same and package on package having the thereof
JP2018026437A (en) Wiring board and manufacturing method of the same
KR20090069852A (en) Packaging board and manufacturing method thereof
JP5734624B2 (en) Manufacturing method of semiconductor package
KR20170086921A (en) Package substrate and method for manufacturing the same
JP6671256B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP2012054519A (en) Semiconductor package substrate and its manufacturing method
KR102456322B1 (en) Substrate strip and electronic component package having the same
JP6856444B2 (en) Wiring board, manufacturing method of wiring board
JP2019050348A (en) Printed circuit board
US11665834B2 (en) Electronic assembly having circuit carrier and manufacturing method thereof
KR101119306B1 (en) Method of manufacturing a circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230719