JP2023121581A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】サブ画素毎の視野角特性のずれを小さくしつつ、視野角それ自体を拡大する。【解決手段】電気光学装置１０は、画素Ｐx1と、Ｘ方向で隣り合う画素Ｐx2と、を備え、画素Ｐx1および画素（Ｐx2）は、それぞれ第１色光を出射するサブ画素と、第２色光を出射するサブ画素と、第３色光を出射するサブ画素と、を含み、画素Ｐx1に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第１パターンと、画素Ｐx2に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第２パターンとは、画素Ｐx1および画素Ｐx2の間の仮想線Ｖi1を基準に互いに線対称の関係にある。【選択図】図８Ｂ

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

発光素子として例えばＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を用いた電気光学装置では、カラー表示を実現するために、１つの画素が複数のサブ画素、例えば赤、緑および青の３つのサブ画素で構成される。３つのサブ画素には、それぞれ赤、緑または青に着色するカラーフィルター（着色層）が設けられて、発光素子からの発せられた光が対応する色で着色されて出射する。このような構成において、視野角がサブ画素毎に異なると、視野角による色変化のばらつきが発生するという問題がある。

そこで、１画素を構成する赤、緑および青のサブ画素のうち、一色を例えば青のサブ画素を２つとして、縦および横の方向で隣り合うサブ画素の色が異なるようにサブ画素が配置されて、赤、緑および青のサブ画素について視野角特性のずれを小さくする技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１９－１１７９４１号公報

上記特許文献１に記載された技術によれば、赤、緑および青のサブ画素について視野角特性のずれを小さくすることができるものの、視野角それ自体は狭くなる、という課題がある。

本開示の一態様に係る電気光学装置は、第１画素と、当該第１画素と第１方向または第２方向で隣り合う第２画素と、を含み、前記第１画素および前記第２画素は、それぞれ第１色光を出射するサブ画素と、第２色光を出射するサブ画素と、第３色光を出射するサブ画素と、を含み、前記第１画素に含まれるサブ画素を平面視した第１パターンと、前記第２画素に含まれるサブ画素を平面視した第２パターンと、は、当該第１画素および当該第２画素の間の仮想線を基準に互いに線対称の関係、または、互いに１８０度回転した関係にある。

第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。 電気光学装置の構成を示すブロック図である。 電気光学装置におけるサブ画素部の電気的な構成を示す回路図である。 電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。 電気光学装置における画素分の発光領域の配置を示す平面図である。 電気光学装置における画素電極を示す平面図である。 電気光学装置における１画素分の着色層の配置を示す平面図である。 電気光学装置における発光領域の配列を示す図である。 電気光学装置における発光領域の配列パターンを示す図である。 電気光学装置における着色層の配列パターンを平面図である。 電気光学装置において画素部を含む要部断面図である。 電気光学装置において画素部を含む要部断面図である。 電気光学装置における視野角の改善を説明するための図である。 第１実施形態の第１変形例における発光領域の配列を示す図である。 第１実施形態の第１変形例における発光領域の配列パターンを示す図である。 第１実施形態の第２変形例を示す平面図である。 第１実施形態の第２変形例を示す要部断面図である。 第２実施形態に係る電気光学装置における発光領域の配列を示す図である。 電気光学装置における発光領域の配列パターンを示す図である。 第２実施形態の変形例を示す平面図である。 第３実施形態に係る電気光学装置における発光領域の配列を示す図である。 電気光学装置における発光領域の配列パターンを示す図である。 第３実施形態の変形例に係る電気光学装置における発光領域の配列を示す図である。 電気光学装置における発光領域の配列パターンを示す図である。 第４実施形態に係る電気光学装置における発光領域の配列を示す図である。 電気光学装置における発光領域の配列パターンを示す図である。 電気光学装置を用いたヘッドマウントディスプレイを示す斜視図である。 ヘッドマウントディスプレイの光学構成を示す図である。 第１比較例に係る電気光学装置におけるサブ画素の配置を示す図である。 第１比較例における視野角を説明するための図である。 第２比較例に係る電気光学装置におけるサブ画素の配置を示す図である。

以下、本発明の実施形態に係る電気光学装置について図面を参照して説明する。なお、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

＜第１実施形態＞
図１は、電気光学装置１０を示す斜視図である。電気光学装置１０は、例えばヘッドマウントディスプレイなどにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイ・パネルである。電気光学装置１０は、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などを含む。当該画素回路および当該駆動回路は半導体基板に集積化される。半導体基板は、典型的にはシリコン基板であるが、他の半導体基板であってもよい。

この図に示されるように、電気光学装置１０は、開口部１９１を有する枠状のケース１９２に収納される。電気光学装置１０には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板１９４の一端が接続される。ＦＰＣ基板１９４の他端には、複数の端子１９６が設けられる。複数の端子１９６は、図示省略された上位装置に接続される。上位装置は、映像データや各種の電源電位を、ＦＰＣ基板１９４を介して電気光学装置１０に供給する。映像データは、電気光学装置１０で表示させる映像を示すデータである。

なお、図において、Ｘ方向は、電気光学装置１０における表示画像の横方向を示し、Ｙ方向は、表示画像の縦方向を示す。また、Ｘ方向およびＹ方向で定まる二次元平面が半導体基板の基板面である。Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向に垂直であって、後述するＯＬＥＤから発せられる光の出射方向を示す。

図２は、電気光学装置１０の電気的な構成を示す図である。電気光学装置１０は、制御回路３０、データ信号出力回路５０、表示領域１００および走査線駆動回路１２０に大別される。
表示領域１００では、ｍ行の走査線１２が図においてＸ方向に沿って設けられ、（３ｎ）列のデータ線１４が、Ｙ方向に沿って、かつ、各走査線１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられる。なお、ｍ、ｎは、２以上の整数である。

走査線１２における行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、…、（ｍ－１）、ｍ行と呼ぶことがある。なお、走査線１２について、行を特定しないで一般的に説明するために、１以上ｍ以下の整数ｉを用いて、ｉ行目という表記することがある。
また、データ線１４における列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ－２）、（３ｎ－１）、（３ｎ）列と呼ぶことがある。なお、データ線１４は、３列毎にグループ化される。グループを一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊを用いると、左から数えてｊ番目のグループには、（３ｊ－２）列目、（３ｊ－１）列目および（３ｊ）列目の計３列のデータ線１４が属している、ということになる。

サブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂは、ｍ行で配列する走査線１２と、（３ｎ）列で配列するデータ線１４とに対応して設けられる。詳細には、サブ画素１１Ｒは、ｉ行目の走査線１２と（３ｊ－２）列目のデータ線１４との交差に対応して設けられる。サブ画素１１Ｇは、ｉ行目の走査線１２と（３ｊ－１）列目のデータ線１４との交差に対応して設けられる。サブ画素１１Ｂは、ｉ行目の走査線１２と（３ｊ）列目のデータ線１４との交差に対応して設けられる。

後述するように、サブ画素１１Ｒは、出射される光に赤色成分を含む発光素子を含み、サブ画素１１Ｇは、出射される光に緑色成分を含む発光素子を含み、サブ画素１１Ｂは、出射される光に青色成分を含む発光素子を含む。サブ画素１１Ｒ、１１Ｂおよび１１Ｇから出射する光の加法混色によって１つのカラーが表現される。

制御回路３０は、図示省略されたホスト装置から供給される映像データＶidや同期信号Ｓyncに基づいて各部を制御する。具体的には、制御回路３０は、各部を制御するために各種の制御信号を生成する。
映像データＶidは、表示すべき画素における階調レベルを例えば８ビットで指定する。同期信号Ｓyncには、映像データＶidの垂直走査開始を指示する垂直同期信号や、水平走査開始を指示する水平同期信号、および、映像データの１画素分のタイミングを示すドットクロック信号が含まれる。

本実施形態において表示すべき画像の画素と表示領域１００における画素部１１０とは一対一に対応する。
ホスト装置から供給される映像データＶidが示す階調レベルにおける輝度の特性と、画素部１１０に含まれるＯＬＥＤにおける輝度の特性とは、必ずしも一致しない。そこで、制御回路３０は、映像データＶidが示す階調レベルに対応した輝度でＯＬＥＤを発光させるために、映像データＶidの８ビットを、例えば１０ビットにアップコンバージョンして、映像データＶdataとして出力する。このため、１０ビットの映像データＶdataは、映像データＶidで指定される階調レベルに対応したデータになる。
なお、アップコンバージョンには、入力である映像データＶidの８ビットと、出力である映像データＶdataの１０ビットとの対応関係を予め記憶したルックアップテーブルが用いられる。

走査線駆動回路１２０は、制御回路３０による制御にしたがって、ｍ行（３ｎ）列で配列する画素部１１０を１行毎に駆動するための回路である。例えば、走査線駆動回路１２０は、１、２、３、…、（ｍ－１）、ｍ行目の走査線１２に、順に走査信号／Ｇwr(1)、／Ｇwr(2)、…、／Ｇwr(m-1)、／Ｇwr(m)を供給する。一般的には、ｉ行目の走査線１２に供給される走査信号が／Ｇwr(i)と表記される。

データ信号出力回路５０は、走査線駆動回路１２０によって選択される行に位置する画素部１１０に、制御回路３０による制御にしたがってデータ信号を、データ線１４を介して出力する回路である。データ信号は、１０ビットの映像データＶdataをアナログに変換した電圧信号である。すなわち、データ信号出力回路５０は、選択される行における１～（３ｎ）列の画素部１１０に対応する１行分の映像データＶdataをアナログに変換し、この順で１～（３ｎ）列目のデータ線１４に出力する。

図において１、２、３、…、（３ｎ－２）、（３ｎ－１）、（３ｎ）列目のデータ線１４に出力されるデータ信号が、順にＶd(1)、Ｖd(2)、Ｖd(3)、…、Ｖd(3n-2)、Ｖd(3n-1)、Ｖd(3n)と表記される。一般的には、ｊ列目におけるデータ線１４の電位はＶd(j)と表記される。
なお、図２に示されるサブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂの配列は、あくまでも電気的にみた場合であり、実際には後述する図８Ａのような配列である。

サブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂにおける電気的な構成は互いに同一である。
そこで、サブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂにおける電気的な構成については、ｉ行目であって、（３ｊ－２）列目に対応するサブ画素１１Ｒで代表させて説明する。

図３は、サブ画素１１Ｒにおける電気的な構成を示す回路図である。図に示されるように、サブ画素１１Ｒは、電気的にみれば、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１、１２２と、ＯＬＥＤ１３０と、容量素子１４０とを含む。
なお、サブ画素１１Ｒの説明において「電気的にみれば」とは、サブ画素１１Ｒを構成する複数の要素と、当該複数の要素同士の接続関係をいうときに用いている。サブ画素１１Ｒは、機械的または物理的にみれば、電気的な接続関係に寄与しない要素を含んでいるので、このような表現を用いている。

ＯＬＥＤ１３０は、発光素子の一例であり、画素電極１３１Ｒと共通電極１３３とで発光層１３２を挟持する。画素電極１３１Ｒはアノードとして機能し、共通電極１３３はカソードとして機能する。ＯＬＥＤ１３０では、アノードからカソードに向かって電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが発光層１３２で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。
発生した白色光は、図３では省略された反射電極と半反射半透過層とで構成された光共振器にて共振し、サブ画素１１Ｒであれば、赤色に対応して設定された共振波長で出射する。光共振器から光の出射側には当該赤色に対応した着色層が設けられる。したがって、ＯＬＥＤ１３０からの出射光は、光共振器および着色層を経て、観察者に視認される。
なお、サブ画素１１Ｇであれば、緑色に対応して設定された共振波長で出射し、緑色に対応した着色層を経て、観察者に視認され、サブ画素１１Ｂであれば、青色に対応して設定された共振波長で出射し、青色に対応した着色層を経て、観察者に視認される。

ｉ行（３ｊ－２）列におけるサブ画素１１Ｒのトランジスター１２１にあっては、ゲートノードｇがトランジスター１２２のドレインノードに接続され、ソースノードが電圧Ｖelの給電線１１６に接続され、ドレインノードがＯＬＥＤ１３０のアノードである画素電極１３１Ｒに接続される。
ｉ行（３ｊ－２）列におけるサブ画素１１Ｒのトランジスター１２２にあっては、ゲートノードがｉ行目の走査線１２に接続され、ソースノードが当該（３ｊ－２）列目のデータ線１４に接続される。ＯＬＥＤ１３０のカソードとして機能する共通電極１３３は、電圧Ｖctの給電線１１８に接続される。また、電気光学装置１０はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１および１２２の基板電位については例えば電圧Ｖelに相当する電位としている。

図３に示されるサブ画素１１Ｒは、電気的にみれば、サブ画素１１Ｇおよび１１Ｂと共通であるが、構造的にみれば、サブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂは互いに異なる。
例えばサブ画素１１Ｇの画素電極は、サブ画素１１Ｒの画素電極１３１Ｒとは形状が異なる。このため、サブ画素１１Ｇの画素電極については符号を１３１Ｇとし、サブ画素１１Ｂの画素電極については符号を１３１Ｂとする。

図４は、電気光学装置１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
電気光学装置１０では、ｍ行の走査線１２がフレーム（Ｖ）の期間に１、２、３、…、ｍ行目という順番で１行ずつ走査される。詳細には、図に示されるように、走査信号／Ｇwr(1)、／Ｇwr(2)、…、／Ｇwr(m-1)、／Ｇwr(m)が、走査線駆動回路１２０によって水平走査期間（Ｈ）毎に、順次排他的にＬレベルになる。
なお、本実施形態では、走査信号／Ｇwr(1)～／Ｇwr(m)のうち、隣り合う走査信号においてＬレベルになる期間が時間的に隔絶される。具体的には、走査信号／Ｇwr(i-1)がＬレベルからＨレベルに変化した後、次の走査信号／Ｇwr(i)が期間を置いてＬレベルになる。この期間は水平帰線期間に相当する。

本説明において１フレーム（Ｖ）の期間とは、映像データＶidで指定される画像の１コマを表示するのに要する期間をいう。１フレーム（Ｖ）の期間の長さは、垂直同期期間と同じであれば、例えば同期信号Ｓyncに含まれる垂直同期信号の周波数が６０Ｈｚであれば、当該垂直同期信号の１周期分に相当する１６．７ミリ秒である。また、水平走査期間（Ｈ）とは、走査信号／Ｇwr(1)～／Ｇwr(m)が順にＬレベルになるの時間の間隔であるが、図では便宜的に、水平走査期間（Ｈ）の開始タイミングを水平帰線期間のほぼ中心としている。

走査信号／Ｇwr(1)～／Ｇwr(m)のうち、ある走査信号が、例えばｉ行目の走査線１２に供給される走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルになると、（３ｊ－２）列目でいえば、ｉ行（３ｊ－２）列のサブ画素１１Ｒにおいて、トランジスター１２２がオン状態になる。このため、当該サブ画素１１Ｒにおけるトランジスター１２１のゲートノードｇには、（３ｊ－２）列目のデータ線１４に電気的に接続された状態になる。

なお、本説明において、トランジスターの「オン状態」とは、トランジスターにおけるソースノード・ドレインノードの間が電気的に閉じて低インピーダンス状態になることをいう。また、トランジスターの「オフ状態」とは、ソースノード・ドレインノードの間が電気的に開いて高インピーダンス状態になることをいう。
また、本説明において「電気的に接続」される、または、単に「接続」される、とは、２以上の要素間の直接的または間接的な接続された、または、結合されている状態を意味する。「電気的に非接続」または、単に「非接続」とは、２以上の要素間が直接的または間接的な接続されていない、または、結合されていない状態を意味する。

走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルになる水平走査期間（Ｈ）では、データ信号出力回路５０が、映像データＶdataで示されるｉ行１列～ｉ行（３ｎ）列のサブ画素の階調レベルをアナログである電位Ｖd(1)～Ｖd(n)に変換して、１～（３ｎ）列目のデータ線１４にデータ信号として出力する。（３ｊ－２）列目でいえば、データ信号出力回路５０は、ｉ行（３ｊ－２）列の画素の階調レベルｄ(i,3j-2)をアナログ信号の電位Ｖd(j)に変換して、(３ｊ－２）列目のデータ線１４にデータ信号として出力する。
なお、走査信号／Ｇwr(i)より１行前の走査信号／Ｇwr(i-1)がＬレベルになる水平走査期間（Ｈ）では、データ信号出力回路５０は、(ｉ－１）行（３ｊ－２）列のサブ画素の階調レベルｄ(i-1,3j-2）をアナログ信号の電位Ｖd(3j-2)に変換して、(３ｊ－２）列目のデータ線１４にデータ信号として出力する。

当該電位Ｖd(3j-2)のデータ信号は、（３ｊ－２）列目のデータ線１４を介して、ｉ行（３ｊ－２）列のサブ画素１１Ｒにおけるトランジスター１２１のゲートノードｇに印加され、当該電位Ｖd(3j-2)が容量素子１４０によって保持される。このため、当該トランジスター１２１がゲートノード・ソースノード間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に流す。
走査信号Ｇwr(i)がＨレベルになり、トランジスター１２２がオフ状態になっても、電位Ｖd(3j-2)は容量素子１４０によって保持されるので、ＯＬＥＤ１３０には電流が流れ続ける。したがって、ｉ行（３ｊ－２）列のサブ画素１１Ｒでは、１フレーム（Ｖ）の期間が経過してトランジスター１２２が再度オンしてデータ信号の電圧が再度印加されるまで、ＯＬＥＤ１３０は、容量素子１４０によって保持された電圧、すなわち階調レベルに応じた明るさで発光し続ける。

なお、ここではｉ行（３ｊ－２）列のサブ画素１１Ｒについて説明したが、ｉ行目において（３ｊ－２）列以外のＯＬＥＤ１３０についても、映像データＶdataで示される輝度で発光する。
また、ｉ行目以外におけるサブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂの各ＯＬＥＤ１３０についても、走査信号／Ｇwr(1)～／Ｇwr(m)が順にＬレベルになることによって、映像データＶdataで示される輝度で発光する。
したがって、電気光学装置１０では、１フレーム（Ｖ）の期間において、１行１列からｍ行（３ｎ）列までのすべてのサブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂにおける各ＯＬＥＤ１３０が、映像データＶdataで示される輝度で発光し、これにより、１コマの画像が表示される。

図５は、表示領域１００の発光領域において基本となる配列パターンを示す平面図であり、図６は、画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇおよび１３１Ｂの形状を示す平面図である。
これらの図において枠状のＰxは、１つのカラーの表現単位である画素である。画素Ｐxでは、発光領域ｒ、ｇ１、ｇ２およびｂが２行２列で配列し、これらの発光領域からの出射光による加法混色によって１つのカラーが表現される。
発光領域ｒとは、図６に示される画素電極１３１Ｒのうち、発光層１３２と接する領域である。発光領域ｇ１およびｇ２は、画素電極１３１Ｇのうち、発光層１３２と接する領域である。発光領域ｂは、画素電極１３１Ｂのうち、発光層１３２と接する領域である。

発光領域ｒ、ｇ１、ｇ２およびｂは、順に分離層の開口部Ａp_r、Ａp_g1、Ａp_g2およびＡp_bによって規定される。開口部Ａp_r、Ａp_g1、Ａp_g2およびＡp_bは、後述するように画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇおよび１３１Ｂを覆うように設けられた絶縁性を有する分離層のパターニングによって形成される。
なお、緑の発光領域がｇ１およびｇ２の２つ領域であるのに対し、発光領域ｒまたは発光領域ｂの１つ領域になっている理由は、例えば赤、緑、青のうち、緑が最も視認性が高いために、緑の寿命を確保するためである。
説明の便宜上、図５および図６において、Ｘ方向を反時計回りで４５度回転させた方向をＡ方向とする。

図６において、画素電極１３１Ｒは、平面視で八角形と長方形とをつなげた形状になっている。具体的には、画素電極１３１Ｒにおける長方形領域における一辺と八角形領域の一辺とはほぼ同じ長さであり、当該長方形は、当該八角形に対してＡ方向に位置する。このような画素電極１３１Ｒのうち、八角形領域には、当該八角形よりも小さい八角形形状の開口部Ａp_rが設けられ、長方形領域には、コンタクトホールＣt_rが設けられる。コンタクトホールＣt_rは、画素電極１３１Ｒにおける下部配線に接続するための領域である。なお、下部配線はさらに複数の要素を介して、サブ画素１１Ｒにおけるトランジスター１２１のドレインノードに電気的に接続される。

画素電極１３１Ｇは、平面視で画素電極１３１ＲをＡ方向に２つ、つながった形状になっている。このような画素電極１３１Ｇにおいて、２つの八角形のうち、図において右上に位置する八角形領域には、当該八角形よりも小さい八角形形状の開口部Ａp_g1が設けられる。画素電極１３１Ｇにおいて、２つの八角形のうち、左下に位置する八角形領域には、当該八角形よりも小さい八角形形状の開口部Ａp_g2が設けられる。
また、画素電極１３１Ｇにおいて、開口部Ａp_g1に対してＡ方向に位置する長方形領域には、コンタクトホールＣt_gが設けられる。
コンタクトホールＣt_gは、画素電極１３１Ｇにおける下部配線に接続するための領域である。下部配線はさらに複数の要素を介して、サブ画素１１Ｇにおけるトランジスター１２１のドレインノードに電気的に接続される。

画素電極１３１Ｂは、平面視で画素電極１３１Ｒとほぼ同形状である。このような画素電極１３１Ｂのうち、八角形領域には、当該八角形よりも小さい八角形形状の開口部Ａp_bが設けられ、長方形領域には、コンタクトホールＣt_bが設けられる。コンタクトホールＣt_bは、画素電極１３１Ｂにおける下部配線の接続領域であり、下部配線はさらに複数の要素を介して、画素部１１０Ｂにおけるトランジスター１２１のドレインノードに電気的に接続される。

図７は、着色層において基本になる配列パターンを示す平面図である。この図に示されるように、平面視で赤に対応する着色層Ｃf_rが発光領域ｒを覆うように設けられ、緑に対応する着色層Ｃf_gが発光領域ｇ１およびｇ２を覆うように設けられる。青に対応する着色層Ｃf_bは、発光領域ｂを覆うように設けられる。

発光領域ｒ、ｇ１、ｇ２およびｂからの出射光がユーザに視認される。すなわち、平面視したとき、発光領域ｒが赤のサブ画素として視認され、発光領域ｇ１およびｇがそれぞれ緑のサブ画素として視認され、発光領域ｂが青のサブ画素として視認される。このため、平面視でみれば、発光領域ｒは赤のサブ画素として扱うこうができ、発光領域ｇ１およびｇ２はそれぞれ緑のサブ画素として扱うこうができ、発光領域ｂは青のサブ画素として扱うこうができる。
換言すれば、ある１つの画素Ｐxに含まれるサブ画素１１Ｇは、発光領域ｇ１、ｇ２の２つと考えることができる。

本実施形態において、表示領域１００では、発光領域および着色層が、図５、図６に示される発光領域の配列パターン、および、図７に示される着色層の配列パターンを、それぞれ基本として次のような配列となっている。

図８Ａは、第１実施形態に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。
発光領域および着色層の配列を説明するために、画素Ｐxを単位とした行において１、３、５、…、（ｍ－１）行を奇数行とし、２、４、６、…、ｍ行を偶数行とする。なお、画素Ｐxを単位とした１行は、サブ画素を単位としてみれば、第１行と、当該第１行とＹ方向で隣り合う第２行との２行で構成される、ということができる。
また、画素Ｐxを単位とした列において１、３、５、…、（ｎ－１）列を奇数列とし、２、４、６、…、ｎ列を偶数列とする。

図８Ａにおいて領域Ｒは、発光領域ｒと着色層Ｃf_rとの位置を簡易的に示す。同様に、領域Ｇ１は、発光領域ｇ１と着色層Ｃf_gとの位置を簡易的に示し、領域Ｇ２は、発光領域ｇ２と着色層Ｃf_gとの位置を簡易的に示し、領域Ｂは、発光領域ｂと着色層Ｃf_bとの位置を簡易的に示す。
なお、実際の発光領域と着色層とは、平面視で図７に示される関係で位置する。

領域Ｒ、Ｇ１、Ｇ２およびＢにおいて基本となる配列パターンが、画素でみて奇数行奇数列に位置するものとする。
当該奇数行奇数列の配列パターンに対してＸ方向で隣り合う奇数行偶数列の配列パターンは、奇数行奇数列の配列パターンと線対称の関係にある。詳細には、図８Ｂに示されるように、奇数行奇数列における画素Ｐx1の配列パターンと、奇数行偶数列の画素Ｐx2における配列パターンとは、画素Ｐx1と画素Ｐx2との間においてＹ方向に沿った仮想線Ｖi1を基準にして線対称の関係にある。

本実施形態では、奇数行において、奇数行奇数列の配列パターンと奇数行偶数列の配列パターンとがＸ方向に沿って交互に繰り返される。また、本実施形態では、偶数行については、奇数行と同じ配列である。すなわち、偶数行奇数列の配列パターンは、奇数行奇数列の配列パターンと同じであり、偶数行偶数列の配列パターンは、奇数行偶数列の配列パターンと同じである。

なお、図８Ａの配列において、領域Ｇ１およびＧ２（サブ画素１１Ｇ）に接続されるデータ線１４が、当該領域Ｇ１およびＧ２の間に位置すれば、電気的にみたサブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂの配列は、図２と同視することができる。

次に、電気光学装置１０における要部の断面構造について説明する。
図９は、図８Ａにおいて電気光学装置１０をＣ－Ｃ’線で破断した場合の要部断面図であり、図１０は、図８Ａにおいて電気光学装置１０をＤ－Ｄ’線で破断した場合の要部断面図である。

図において基板６０は、半導体素子基板で構成される電気光学装置１０のうち、反射電極６１よりも下層を総称したものである。基板６０には、トランジスター１２１、１２２、走査線１２、データ線１４が形成されている。
反射電極６１は、Ｚ方向の反対方向から入射した光をＺ方向に反射させる。反射電極６１としては、例えばチタン（Ｔｉ）膜に、アルミニウムおよび銅の合金（ＡｌＣｕ）膜を積層した導電層が用いられる。なお、反射電極６１は、画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇおよび１３１Ｂ毎に、上記導電層を、平面視で島状にパターニングすることによって形成される。

反射電極６１を覆うように、絶縁性および光透過性を有する増反射層６２が設けられる。増反射層６２は、反射電極６１による反射特性を高めるための層である。増反射層６２としては、例えば酸化シリコンが用いられる。

増反射層６２を覆うように、絶縁層６３が設けられる。絶縁層６３としては、例えば酸化シリコンが用いられる。
絶縁層６３を覆うように、第１光学調整層６４および第２光学調整層６５が、この順で設けられる。ただし、緑のサブ画素１１Ｇでは、第２光学調整層６５が設けられず、青のサブ画素１１Ｂでは、第１光学調整層６４および第２光学調整層６５が設けられない。第１光学調整層６４および第２光学調整層６５は、光共振器における光学的距離を調整するための絶縁層であって、光透過性を有する。第１光学調整層６４および第２光学調整層６５としては、例えば酸化シリコンが用いられる。

画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇおよび１３１Ｂは、それぞれ光透過性および導電性を有する導電層をパターニングしたものである。画素電極１３１Ｒは、第２光学調整層６５に積層され、画素電極１３１Ｇは、第１光学調整層６４に積層され、画素電極１３１Ｂは、絶縁層６３に積層される。画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇおよび１３１Ｂを構成する導電層としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
画素電極１３１Ｒは、図示省略されたコンタクトホールＣt_rを介して、サブ画素１１Ｒにおけるトランジスター１２１のゲート電極に電気的に接続される。同様に、画素電極１３１Ｇは、コンタクトホールＣt_gを介して、サブ画素１１Ｇにおけるトランジスター１２１のゲート電極に電気的に接続され、画素電極１３１Ｂは、コンタクトホールＣt_bを介して、サブ画素１１Ｂにおけるトランジスター１２１のゲート電極に電気的に接続される。

分離層１３４は、絶縁層６３、第１光学調整層６４、第２光学調整層６５、画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇまたは１３１Ｂに積層され、画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇおよび１３１Ｂの周縁部を覆うように設けられた絶縁膜である。分離層１３４は、平面視でみて図５に示されるように、画素部１１０Ｒでは開口部Ａp_rを有し、画素部１１０Ｇでは開口部Ａp_g1およびＡp_g2を有し、画素部１１０Ｂでは開口部Ａp_bを有する。分離層１３４としては、例えば酸化シリコンが用いられる。

発光層１３２は、画素電極１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂまたは分離層１３４に積層される。発光層１３２は、特に図示しないが、正孔注入層、有機発光層および電子輸送層を備え、サブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂのすべてにわたって共通である。

共通電極１３３は、光透過性および反射性を有する導電層である。共通電極１３３は、発光層１３２を覆うように設けられ、サブ画素１１Ｒ、１１Ｇおよび１１Ｂのすべてにわたって共通である。共通電極１３３としては、例えばＭｇおよびＡｇの合金等が用いられる。

封止層７１は、光透過性を有する絶縁層であり、共通電極１３３を覆うように設けられる。封止層７１は、発光層１３２に水分や酸素等が侵入するのを防止し、段差をなくして観察面を平坦化させるために設けられる。

発光領域ｒに対応する領域では、着色層Ｃf_rが、封止層７１を覆うように、平面視では、図７で示されるような形状にて、設けられる。着色層Ｃf_rは、赤の色光を選択的に透過させる顔料を含む感光性樹脂を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより設けられる。これにより、着色層Ｃf_rは、赤の色光を透過させる機能を有する。なお、赤の色光とは、赤色の波長域を含む光のことを示す。本実施形態において、赤色の波長域とは、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である。

同様に、発光領域ｇ１およびｇ２に対応する領域では、着色層Ｃf_gが、封止層７１を覆うように、平面視では、図７で示されるような形状で、設けられる。着色層Ｃf_gは、緑の色光を選択的に透過させる顔料を含む感光性樹脂を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより設けられる。これにより、着色層Ｃf_gは、緑の色光を透過させる機能を有する。緑の色光とは、緑色の波長域を含む光のことを示す。本実施形態において、緑色の波長域とは、５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である。

同様に、発光領域ｂに対応する領域では、着色層Ｃf_bが、封止層７１を覆うように、平面視では、図７で示されるような形状で、設けられる。着色層Ｃf_bは、青の色光を選択的に透過させる顔料を含む感光性樹脂を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより設けられる。これにより、着色層Ｃf_bは、緑の色光を透過させる機能を有する。青の色光とは、緑色の波長域を含む光のことを示す。本実施形態において、青色の波長域とは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

なお、保護ガラス７３は、表示領域１００を保護するために、着色層Ｃf_r、Ｃf_g、Ｃf_bとは接着材７２を介して接着される。

発光層１３２には、サブ画素１１Ｒでいえば、画素電極１３１Ｒのうち、分離層１３４により覆われていない領域、すなわち画素電極１３１Ｒと接する領域であって、開口部Ａp_rで規定される領域から正孔が供給され、白色に発光する。
平面視で発光領域ｒに相当する部分では、断面視でみて反射電極６１と共通電極１３３とによって光共振器が形成され、増反射層６２、絶縁層６３、第１光学調整層６４および第２光学調整層６５の膜厚により、反射電極６１と共通電極１３３との間における光学的距離ＬRが調整される。
なお、光学的距離について厳密にいえば、反射電極６１と共通電極１３３との間における距離に、反射電極６１と共通電極１３３との間における媒質の屈折率を乗じた値であるが、ここでは単に物理的な距離として図示されている。

発光領域ｒに相当する部分において、発光層１３２から発せられた白色光は、反射電極６１と共通電極１３３との間で繰り返し反射し、光学的距離ＬRに対応する波長の光の強度が強められる。本実施形態では、一例として、サブ画素１１Ｒにおいて６１０ｎｍの波長の光の強度が強められる。当該強められた光は、共通電極１３３を通過し、着色層Ｃf_rを経てＺ方向等に赤色光で出射する。
このようにして、発光領域ｒから赤色の波長域を含む光がＺ方向等に出射する。

平面視で発光領域ｇ１およびｇ２に相当する部分では、断面視でみて反射電極６１と共通電極１３３とによって光共振器が形成され、増反射層６２、絶縁層６３および第１光学調整層６４の膜厚により、反射電極６１と共通電極１３３との間における光学的距離ＬGが調整される。
詳細には、発光領域ｇ１およびｇ２に相当する部分において反射電極６１と画素電極１３１Ｇとの間には、第２光学調整層６５が設けられないので、光学的距離ＬGは、第２光学調整層６５が存在しない分だけ、光学的距離ＬRよりも短くなっている。

発光領域ｇ１およびｇ２に相当する部分において、発光層１３２から発せられた白色光は、反射電極６１と共通電極１３３との間で繰り返し反射し、光学的距離ＬGに対応する波長の光の強度が強められる。本実施形態では、一例として、サブ画素１１Ｇにおいて５４０ｎｍの波長の光の強度が強められる。当該強められた光は、共通電極１３３を通過し、着色層Ｃf_gを経てＺ方向等に緑色光で出射する。
このようにして、発光領域ｇ１およびｇ２から緑の波長域を含む光がＺ方向等に出射する。

同様に、平面視で発光領域ｂに相当する部分では、断面視でみて反射電極６１と共通電極１３３とによって光共振器が形成されて、増反射層６２および絶縁層６３により、反射電極６１と共通電極１３３との間における光学的距離ＬBが調整される。
詳細には、発光領域ｂに相当する部分において反射電極６１と画素電極１３１Ｇとの間には、第２光学調整層６５が設けられないので、光学的距離ＬBは、第１光学調整層６４が存在しない分だけ、光学的距離ＬBよりも短くなっている。

発光領域ｂに相当する部分において、発光層１３２から発せられた白色光は、反射電極６１と共通電極１３３との間で繰り返し反射し、光学的距離ＬBに対応する波長の光の強度が強められる。本実施形態では、一例として、サブ画素１１Ｂにおいて４７０ｎｍの波長の光の強度が強められる。当該強められた光は、共通電極１３３を通過し、着色層Ｃf_bを経てＺ方向等に緑色光で出射する。
このようにして、発光領域ｂから青の波長域を含む光がＺ方向等に出射する。

第１実施形態における優位性を説明する前に、本実施形態の比較例について説明する。図２２は、第１比較例に係る発光領域を示す平面図であり、図２３は、図２２におけるＦ－Ｆ’線で破断した要部断面図である。
図２２に示されるように、第１比較例では、奇数列偶数列の区別なく、発光領域の配列パターンは、すべて共通である。

第１比較例では、ある色の発光領域に対して、ＸまたはＹ方向で隣り合う発光領域の色は必ず異なる。このため、ＸまたはＹ方向で隣り合う発光領域では、着色層の色についても必ず異なる。
したがって、発光層１３２から出射する光のうち、対応する色の着色層のみを通過する光の角度範囲（視野角）は、図２３においてθ2になる。
なお、視野角θ2から外れた光は、破線で示されるように、異なる色の着色層を通過するので、正しい色として視認されることはない。また、図２３では、赤の色光についての視野角θ2が示されているが、他の色光、例えば緑の色光や青の色光などについても視野角θ2でほぼ赤の色光とほぼ同様になる。

第１比較例に対して、本実施形態では、ある色の発光領域が必ずＸ方向で隣り合う。このため、図８Ｃに示されるように、Ｘ方向に沿って、同じ色の着色層が２つのサブ画素でつながる。
したがって、本実施形態では、発光層１３２から出射する光のうち、対応する色の着色層のみを通過する視野角は、図１１に示されるように、θ1に拡がる。なお、図１１では、赤の色光についての視野角θ1が示されているが、他の色光、例えば緑の色光や青の色光などについても視野角θ1でほぼ赤の色光とほぼ同様になる。

このように本実施形態では、視野角が、赤、緑および青の各色で揃い、かつ、第１比較例と比べて拡がる、という効果を奏する。
また、第１比較例では、電気光学装置１０における小型化に伴って画素ピッチが微細化すると、着色層Ｃf_r、Ｃf_gおよびＣf_bの配列パターンも微細化する。このため、第１比較例では、着色層の成膜時におけるフォトリソグラフィーにおいて位置合わせに高い精度が要求される。これに対して本実施形態では、Ｘ方向で隣り合う２つのサブ画素において同じ色の着色層が共用されるので、フォトリソグラフィーにおける位置合わせにおいて、第１比較例ほど高い精度が要求されない。

＜第１実施形態の第１変形例＞
図１２Ａは、第１実施形態の第１変形例に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。
第１変形例では、奇数行奇数列の配列パターンに対してＹ方向で隣り合う偶数行奇数列の配列パターンが、奇数行奇数列の配列パターンと線対称の関係にある。詳細には、図１２Ｂに示されるように、奇数行奇数列における画素Ｐx1の配列パターンと、偶数行奇数列の画素Ｐx3における配列パターンとは、画素Ｐx1と画素Ｐx3との間においてＸ方向に沿った仮想線Ｖi2を基準にして線対称の関係にある。

このため、第１変形例では、ある色の発光領域が必ずＹ方向で隣り合い、Ｙ方向で隣り合う発光領域では、同じ色の着色層が連続する。すなわち、同じ色の着色層が、第１実施形態ではＸ方向で２つにサブ画素でつながるのに対し、第１変形例ではＹ方向で２つのサブ画素でつながる。
したがって、第１変形例においても、視野角が、赤、緑および青の各色で揃い、かつ、第１比較例と比べて拡がる、という効果を奏する。また、第１変形例では、Ｙ方向で隣り合う２つのサブ画素において同じ色の着色層が共用されるので、フォトリソグラフィーにおける位置合わせにおいて、第１比較例ほど高い精度が要求されない。

＜第１実施形態の第２変形例＞
図１３は、第１実施形態の第２変形例に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。
第２変形例では、領域Ｒ、Ｇ１、Ｇ２およびＢの配列パターンが、第１実施形態の配列パターンと同じである。ただし、第２実施形態では、隣り合う２つのサブ画素で連続する同色の着色層に対応して１つのレンズ７２１が設けられる。

図１４は、図１３において電気光学装置１０をＥ－Ｅ’線で破断した場合の要部断面図である。レンズ７２１は、着色層Ｃf_r、Ｃf_g、Ｃf_bにおいて積層され、隣り合う２つのサブ画素で連続する同色の着色層に対応して設けられる。レンズ７２１としては、透光性および絶縁性を有する材料が挙げられ、例えば酸化シリコンなどの珪素系の無機材料や、アクリル樹脂などの有機材料などが用いられる。この第２変形例によれば、発光層１３２からの出射光がレンズ７２１によって拡散するので、視野角特性を、より改善することができる。

＜第２実施形態＞
図１５Ａは、第２実施形態に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。
第２実施形態では、奇数行奇数列の配列パターンに対してＸ方向で隣り合う奇数行数列の配列パターンが、奇数行奇数列の配列パターンと線対称の関係にあり、かつ、奇数行奇数列の配列パターンに対してＹ方向で隣り合う偶数行奇数列の配列パターンが、奇数行奇数列の配列パターンと線対称の関係にある。
詳細には、図１５Ｂに示されるように、奇数行奇数列における画素Ｐx1の配列パターンと、奇数行偶数列の画素Ｐx2における配列パターンとは、画素Ｐx1と画素Ｐx2との間においてＹ方向に沿った仮想線Ｖi1を基準にして線対称の関係にある。さらに、画素Ｐx1の配列パターンと、偶数行奇数列の画素Ｐx3における配列パターンとは、画素Ｐx1とＰx3との間においてＸ方向に沿った仮想線Ｖi2を基準にして線対称の関係にある。

このため、第２実施形態では、各色の発光領域が必ずＸ方向およびＹ方向で隣り合うので、同じ色の着色層がサブ画素においてＸ方向で２つ、Ｙ方向で２つ、で計４個においてまとまって共用される。
したがって、第２実施形態では、視野角が、赤、緑および青の各色で揃い、かつ、縦方向でも横方向でも拡がる、という効果を奏する。

また、第２実施形態では、図１６に示されるように、第１実施形態の第２変形例と同様に、レンズ７２１が設けられてもよい。第２実施形態では、同じ色の着色層が２×２の計４つのサブ画素において共用されるので、当該４つのサブ画素における同色の着色層に対応して１つのレンズ７２１が設けられる。

＜第３実施形態＞
図１７Ａは、第３実施形態に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。第３実施形態は、平面視で領域Ｒ、ＧおよびＢが三角形で配列して１つの画素を表現する、いわゆるデルタ配列である。デルタ配列では、画素行を構成するサブ画素の２行が、サブ画素における半分のピッチでシフトした関係にある。
第３実施形態では、図１７Ｂに示されるように、ある画素Ｐx1の配列パターンと、当該画素Ｐx1とＸ方向で隣り合う画素Ｐx4の配列パターンとは互いに１８０度回転した関係にある。

第３施形態における優位性を説明する前に、第３実施形態の比較例について説明する。図２４は、第２比較例に係る発光領域および着色層を示す平面図である。
図２４に示されるように、第２比較例では、画素行を構成するサブ画素の２行において、Ｘ方向に沿って領域Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順で繰り返され、同色の領域についてみれば、サブ画素の１．５個分シフトした関係にある。
このため、第２比較例では、ある色の発光領域に対して、ＸまたはＹ方向で隣り合う発光領域の色は必ず異なる。このため、第２比較例において、ＸまたはＹ方向で隣り合う発光領域では、着色層の色が必ず異なるので、第１比較例と同様に、視野角が狭くなる。

第２比較例に対して、第３実施形態では、領域Ｒ、ＧおよびＢのうち、領域Ｇおよび領域Ｂが、それぞれサブ画素の半分のピッチで重なった状態で、Ｙ方向で連続する。したがって、第３実施形態では、緑および青のうち、半分のピッチで重なる方向について視野角が第２比較例と比べて改善される。

＜第３実施形態の変形例＞
図１８Ａは、第３実施形態の変形例に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。この変形例は、第３実施形態と同様にデルタ配列であるが、この変形例では、ある画素Ｐx1の配列パターンと、当該画素Ｐx1とＸ方向で隣り合う画素Ｐx4の配列パターンとは、１８０度回転した関係にあり、かつ、画素Ｐx1の配列パターンと、当該画素Ｐx14とＹ方向で隣り合う画素Ｐx5の配列パターンと、は、画素Ｐx1と画素Ｐx5との間においてＸ方向に沿った仮想線Ｖi2を基準にして線対称の関係にある。
この変形例では、領域Ｒ、ＧおよびＢが、それぞれＹ方向で２つずつ連続する。したがって、この変形例では、視野角が、赤、緑および青の各色で揃い、かつ、第２比較例と比べて改善される。

＜第４実施形態＞
図１９Ａは、第４実施形態に係る電気光学装置１０における発光領域および着色層の配列を示す図である。第４実施形態は、第３実施形態と同様にデルタ配列である。第４実施形態では、図１９Ｂに示されるように、ある画素Ｐx1の配列パターンと、当該画素Ｐx1とＹ方向で隣り合う画素Ｐx5の配列パターンとは、画素Ｐx1と画素Ｐx5との間においてＸ方向に沿った仮想線Ｖi2を基準にして線対称の関係にある。

第４実施形態では、領域Ｒ、ＧおよびＢにおいて、それぞれサブ画素の半分のピッチで重なった状態で、Ｙ方向で２つ連続する。したがって、この変形例では、視野角が、赤、緑および青の各色で揃い、かつ、第２比較例と比べて改善される。

第４実施形態では、領域Ｒ、ＧおよびＢのうち、領域ＧおよびＢが、それぞれサブ画素の半分のピッチで重なった状態で、Ｙ方向で連続する。また、領域Ｒが、Ｙ方向で２つずつ連続する。したがって、第４実施形態では、視野角が、緑および青で揃い、かつ、第２比較例と比べて改善される。

上述した第１乃至第４実施形態およびそれの変形例（以下「実施形態等」と称呼する）では、以下のように種々の変形または応用が可能である。
上述した実施形態等では、発光素子の一例としてＯＬＥＤ１３０を例示して説明したが、他の発光素子を用いてもよい。例えば発光素子として、ＬＥＤ、ミニＬＥＤ、マイクロＬＥＤ等を用いてもよい。また、発光素子ではなく、表示素子として液晶素子を用いてもよい。

＜電子機器＞
次に、実施形態等に係る電気光学装置１０を適用した電子機器について説明する。電気光学装置１０は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウントディスプレイを例に挙げて説明する。

図２０は、ヘッドマウントディスプレイの外観を示す図であり、図２１は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図２０に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウントディスプレイ３００は、図２１に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１０Ｌと右眼用の電気光学装置１０Ｒとが設けられる。
電気光学装置１０Ｌの画像表示面は、図２１において左になるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１０Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。電気光学装置１０Ｒの画像表示面は、電気光学装置１０Ｌとは反対の右になるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１０Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。

この構成において、ヘッドマウントディスプレイ３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌ、１０Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウントディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１０Ｌが表示し、右眼用画像を電気光学装置１０Ｒが表示すると、装着者に、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる。

なお、電気光学装置１０を含む電子機器については、ヘッドマウントディスプレイ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダー、携帯情報端末、腕時計の表示部、投写式プロジェクターのライトバルブなどにも適用可能である。

＜付記＞
以上の記載から、例えば以下のように本開示の好適な態様が把握される。なお、各態様の理解を容易にするために、以下では、図面の符号を便宜的に括弧書で併記するが、本発明を図示の態様に限定する趣旨ではない。

ひとつの態様（態様１）に係る電気光学装置（１０）は、第１画素（Ｐx1）と、当該第１画素（Ｐx1）と第１方向（Ｘ方向）または第２方向（Ｙ方向で隣り合う第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）と、を備え、第１画素（Ｐx1）および第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）は、それぞれ第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）と、第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）と、第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）と、を含み、第１画素（Ｐx1）に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第１パターンと、第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第２パターンと、は、当該第１画素（Ｐx1）および当該第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）の間の仮想線（Ｖi1またはＶi2）を基準に互いに線対称の関係、または、互いに１８０度回転した関係にある。
態様１によれば、第１色光と第２色光と第３色光との視野角特性のずれを小さくしつつ、視野角の拡大を図ることができる。

態様１の具体的な態様２に係る電気光学装置（１０）において、第２画素（Ｐx2）は、第１画素（Ｐx1）と第１方向（Ｘ方向）に沿って隣り合い、第１画素（Ｐx2）と第２方向（Ｙ方向）で隣り合う第３画素（Ｐx3）を備え、第３画素（Ｐx3）は、第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）と、第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）と、第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）と、を含み、第１パターンと、第２パターンとは、当該第１画素（Ｐx1）および当該第２画素（Ｐx2の間の第１仮想線（Ｖi1）を基準に互いに線対称の関係にあり、第１パターンと、第３画素（Ｐx3）に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第３パターンとは、当該第１画素（Ｐx1）および当該第３画素（Ｐx3）の間の第２仮想線（Ｖi2）を基準に互いに線対称の関係にある。
態様２によれば、態様１と比較してさらに視野角の拡大を図ることができる。

態様１の具体的な態様３に係る電気光学装置（１０）において、第２画素（Ｐx4）は、第１画素（Ｐx1）と第１方向（Ｘ方向）で隣り合い、第１画素（Ｐx1）と第２方向（Ｙ方向）で隣り合う第３画素（Ｐx5)を備え、第３画素（Ｐx5）は、第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）と、第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）と、第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）と、を含み、第１パターンと、第２パターンとは、互いに１８０度回転した関係にあり、第１パターンと、第３画素（Ｐx5）に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第３パターンとは、当該第１画素（Ｐx１）および当該第３画素（Ｐx5）の間の仮想線（Ｖi2）を基準に互いに線対称の関係にある。
態様３によれば、第１色光と第２色光と第３色光との視野角特性のずれを小さくしつつ、視野角の拡大を図ることができる。

態様１乃至３のいずれかの具体的な態様４に係る電気光学装置（１０）は、第１画素（Ｐx1）で第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）、および、第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）で第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）には、第１色光に対応した第１着色層（Ｃf_r）が設けられ、第１画素（Ｐx1）で第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）、および、第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）で第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）には、第２色光に対応した第２着色層（Ｃf_g）が設けられ、第１画素（Ｐx1）で第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）、および、第２画素（Ｐx2、Ｐx3またはＰx4）で第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）には、第３色光に対応した第３着色層（Ｃf_b）が設けられる。

態様４の具体的な態様５に係る電気光学装置（１０）は、第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）、第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）、および、第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）は、それぞれ画素電極（１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂ）と共通電極（１３３）とで発光層（１３３）を挟持した発光素子（１３０）を含み、発光素子（１３０）と、第１着色層（Ｃf_r）、第２着色層（Ｃf_g）および第３着色層（Ｃf_b）との間には封止層（７１）が設けられる。

態様５の具体的な態様６に係る電気光学装置（１０）において、画素電極（１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂ）は、反射電極（６１）と共通電極（１３３）との間に設けられ、反射電極（６１）と共通電極（１３１）との間の光学的距離（ＬR、ＬG、ＬB）は、第１サブ画素（１１Ｒ）、第２サブ画素（１１Ｇ）および第３サブ画素（１１Ｂ））で異なる。

態様１乃至６のいずれかの具体的な態様７に係る電気光学装置（１０）は、平面視で互いに隣り合う同一色光を出射する２または４つのサブ画素に対して一のレンズ（７２１）を有する。

別の態様（態様８）に係る電気光学装置（１０）は、第１行に設けられる複数のサブ画素は、第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）と、第２色光を出射するサブ画素（１１Ｇ）と、が含まれ、第１行と隣り合う第２行に設けられる複数のサブ画素は、第１色光を出射するサブ画素（１１Ｒ）と、第３色光を出射するサブ画素（１１Ｂ）と、が含まれ、第１行において、第１色光を出射する複数のサブ画素（１１Ｒ）は、２つのサブ画素が並んで配置され、第２色光を出射する複数のサブ画素（１１Ｇ）は、２つのサブ画素が並んで配置され、第２行において、第１色光を出射する複数のサブ画素（１１Ｒ）は、２つのサブ画素が並んで配置され、第３色光を出射する複数のサブ画素（１１Ｇ）は、２つのサブ画素が並んで配置される。
態様１によれば、第１色光と第２色光と第３色光との視野角特性のずれを小さくしつつ、視野角の拡大を図ることができる。

また、態様９の電子機器（３００）は、態様１乃至８のいずれかの態様に係る電気光学装置（１０）を有する。

１０…電気光学装置、１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ…サブ画素、１２…走査線、１４…データ線、６０…基板、６１…反射電極、１００…表示領域、１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂ…画素電極、１３３…共通電極、７２１…レンズ、Ｃf_r、Ｃf_g、Ｃf_b…着色層、ＬR、ＬG、ＬB…光学的距離。

Claims (9)

1. 第１画素と、当該第１画素と第１方向または第２方向で隣り合う第２画素と、
   を備え、
   前記第１画素および前記第２画素は、それぞれ
   第１色光を出射するサブ画素と、
   第２色光を出射するサブ画素と、
   第３色光を出射するサブ画素と、
   を含み、
   前記第１画素に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第１パターンと、
   前記第２画素に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第２パターンと、
   は、
   当該第１画素および当該第２画素の間の仮想線を基準に互いに線対称の関係、または、互いに１８０度回転した関係にある
   電気光学装置。
   
2. 前記第２画素は、前記第１画素と前記第１方向で隣り合い、
   前記第１画素と前記第２方向で隣り合う第３画素を備え、
   前記第３画素は、
   第１色光を出射するサブ画素と、
   第２色光を出射するサブ画素と、
   第３色光を出射するサブ画素と、
   を含み、
   前記第１パターンと、前記第２パターンとは、当該第１画素および当該第２画素の間の第１仮想線を基準に互いに線対称の関係にあり、
   前記第１パターンと、前記第３画素に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第３パターンとは、当該第１画素および当該第３画素の間の第２仮想線を基準に互いに線対称の関係にある
   請求項１に記載の電気光学装置。
   
3. 前記第２画素は、前記第１画素と前記第１方向に沿って隣り合い、
   前記第１画素と前記第２方向で隣り合う第３画素を備え、
   前記第３画素は、
   第１色光を出射するサブ画素と、
   第２色光を出射するサブ画素と、
   第３色光を出射するサブ画素と、
   を含み、
   前記第１パターンと、前記第２パターンとは、互いに１８０度回転した関係にあり、
   前記第１パターンと、前記第３画素に含まれる複数のサブ画素を平面視した際の配置パターンである第３パターンとは、当該第１画素および当該第３画素の間の仮想線を基準に互いに線対称の関係にある
   請求項１に記載の電気光学装置。
   
4. 前記第１画素で第１色光を出射するサブ画素、および、前記第２画素で第１色光を出射するサブ画素には、前記第１色光に対応した第１着色層が設けられ、
   前記第１画素で第２色光を出射するサブ画素、および、前記第２画素で第２色光を出射するサブ画素には、前記第２色光に対応した第２着色層が設けられ、
   前記第１画素で第３色光を出射するサブ画素、および、前記第２画素で第３色光を出射するサブ画素には、前記第３色光に対応した第３着色層が設けられる
   請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
   
5. 前記第１色光を出射するサブ画素、前記第２色光を出射するサブ画素、および、前記第３色光を出射するサブ画素は、それぞれ画素電極と共通電極とで発光層を挟持した発光素子を含み、
   前記発光素子と、前記第１着色層、前記第２着色層および前記第３着色層との間には封止層が設けられた
   請求項４に記載の電気光学装置。
   
6. 前記画素電極は、反射電極と前記共通電極との間に設けられ、
   前記反射電極と前記共通電極との間の光学的距離は、
   前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素で異なる
   請求項５に記載の電気光学装置。
   
7. 平面視で互いに隣り合う同一色光を出射する２または４個のサブ画素に対して一のレンズを有する
   請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置。
   
8. 第１行に設けられる複数のサブ画素は、第１色光を出射するサブ画素と、第２色光を出射するサブ画素と、が含まれ、
   前記第１行と隣り合う第２行に設けられる複数のサブ画素は、前記第１色光を出射するサブ画素と、第３色光を出射するサブ画素と、が含まれ、
   第１行において、第１色光を出射する複数のサブ画素は、２つのサブ画素が並んで配置され、第２色光を出射する複数のサブ画素は、２つのサブ画素が並んで配置され、
   第２行において、第１色光を出射する複数のサブ画素は、２つのサブ画素が並んで配置され、第３色光を出射する複数のサブ画素は、２つのサブ画素が並んで配置される
   電気光学装置。
   
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。

Images