JP2023111608A - wiring board - Google Patents

wiring board Download PDF

Info

Publication number
JP2023111608A
JP2023111608A JP2022013533A JP2022013533A JP2023111608A JP 2023111608 A JP2023111608 A JP 2023111608A JP 2022013533 A JP2022013533 A JP 2022013533A JP 2022013533 A JP2022013533 A JP 2022013533A JP 2023111608 A JP2023111608 A JP 2023111608A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductor layer
conductor
wiring board
land portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022013533A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
清輝 大冨
Kiyoteru Otomi
克敏 伊藤
Katsutoshi Ito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2022013533A priority Critical patent/JP2023111608A/en
Publication of JP2023111608A publication Critical patent/JP2023111608A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

To provide a wiring board including a core substrate having excellent connection reliability.SOLUTION: A wiring board 1 in an embodiment includes a core substrate including a core insulating layer 100 having a first surface 100A and a second surface 100B, a first conductive layer 101 including a first land part 101L, a second conductive layer 102 including a second land part 102L, a first insulating layer 111, a second insulating layer 112, a third conductive layer 103, and a fourth conductive layer 104. The first land part 101L and the second land part 102L are connected through a through-hole conductor 100tc. The first land part 101L and the third conductive layer 103 are connected through a plurality of first via conductors 111v. The second land part 102L and the fourth conductive layer 104 are connected through a plurality of second via conductors 112v. In a plan view, bottom parts of the first via conductors 111v exist in an outer peripheral part of a penetration hole 100th on an upper surface of the first land part 101L.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to wiring boards.

特許文献1には、多層配線基板が開示されている。多層配線基板が有するコア基板には、コア基板に形成される貫通孔(スルーホール)が形成されている。コア基板の上面及び下面には、貫通孔の内壁面を被覆するスルーホール導体、スルーホール導体の内側を埋める充填材の硬化体、及び蓋状導体によって構成される、ランド状の部分のみが形成されている。コア基板の外側には上面及び下面を被覆する層間絶縁層が形成され、層間絶縁層のコア基板と反対側の表面には配線層が形成されている。蓋状導体と配線層とは、層間絶縁層に形成されたビア凹部を充填する1つのフィルドビアによって接続される。 Patent Document 1 discloses a multilayer wiring board. A core substrate included in the multilayer wiring board is formed with a through hole formed in the core substrate. On the upper and lower surfaces of the core substrate, only land-like portions are formed, which are composed of a through-hole conductor covering the inner wall surface of the through-hole, a hardened filler filling the inside of the through-hole conductor, and a lid-like conductor. It is An interlayer insulating layer covering the upper and lower surfaces is formed outside the core substrate, and a wiring layer is formed on the surface of the interlayer insulating layer opposite to the core substrate. The lid-shaped conductor and the wiring layer are connected by one filled via that fills the via recess formed in the interlayer insulating layer.

特開2005-203764号公報JP 2005-203764 A

特許文献1に示される多層配線基板においては、配線層とスルーホールのランド状の部分との間は1つのフィルドビアによって接続されている。スルーホールのランド状の部分の上面に掛かり得る応力がフィルドビアと蓋状導体との界面に集中すると考えられる。 In the multilayer wiring board disclosed in Patent Document 1, the wiring layer and the land-like portion of the through hole are connected by one filled via. It is considered that the stress that can be applied to the upper surface of the land-like portion of the through-hole concentrates on the interface between the filled via and the lid-like conductor.

本発明の配線基板は、第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有するコア絶縁層と、前記第1面上に形成され第1ランド部を含む第1導体層と、前記第2面上に形成され第2ランド部を含む第2導体層と、前記第1面及び前記第1導体層を被覆する第1絶縁層と、前記第2面及び前記第2導体層を被覆する第2絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成される第3導体層と、前記第2絶縁層上に形成される第4導体層と、を含むコア基板を有している。前記第1ランド部と前記第2ランド部とは、前記コア絶縁層を貫通する貫通孔の内側に形成されるスルーホール導体によって接続されており、前記第1ランド部と前記第3導体層とは、前記第1絶縁層を貫通する複数の第1ビア導体によって接続され、前記第2ランド部と前記第4導体層とは、前記第2絶縁層を貫通する複数の第2ビア導体によって接続され、前記複数の第1ビア導体の底部は、平面視において、前記第1ランド部の上面における前記貫通孔の外側の周辺部に位置している。 A wiring board of the present invention comprises: a core insulating layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface; a first conductor layer formed on the first surface and including a first land portion; A second conductor layer formed on the second surface and including a second land portion, a first insulating layer covering the first surface and the first conductor layer, and covering the second surface and the second conductor layer and a core substrate including a second insulating layer formed on the first insulating layer, a third conductive layer formed on the first insulating layer, and a fourth conductive layer formed on the second insulating layer. The first land portion and the second land portion are connected by a through-hole conductor formed inside a through-hole penetrating the core insulating layer, and the first land portion and the third conductor layer are connected to each other. are connected by a plurality of first via conductors penetrating the first insulating layer, and the second land portion and the fourth conductor layer are connected by a plurality of second via conductors penetrating the second insulating layer. The bottoms of the plurality of first via conductors are located on the upper surface of the first land in the periphery outside the through hole in plan view.

本発明の実施形態によれば、第1ランド部と第3導体層、並びに、第2ランド部と第4導体層は貫通孔の外側の周辺部に位置している複数のビア導体で接続され、ランド部表面に係り得る応力は複数のビア導体に分散され得る。良好な接続信頼性を有するコア基板を含む配線基板が提供され得る。 According to the embodiment of the present invention, the first land portion and the third conductor layer, and the second land portion and the fourth conductor layer are connected by a plurality of via conductors located in the peripheral portion outside the through hole. , the stress that may be applied to the land surface can be distributed to a plurality of via conductors. A wiring board including a core substrate having good connection reliability can be provided.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to one embodiment of the present invention; FIG. 図1の配線基板に含まれるコア基板を一方の面側から見た平面図。FIG. 2 is a plan view of a core substrate included in the wiring substrate of FIG. 1 as viewed from one side; 図1のIIで示される領域の部分拡大図。FIG. 2 is a partial enlarged view of the area indicated by II in FIG. 1; 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of the wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing still another example of the wiring board according to one embodiment of the present invention; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board; 配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board;

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図が示されている。配線基板1は、一方の面10A及び一方の面10Aの反対面である他方の面10Bを有する積層体(コア基板)10を有している。 A wiring board according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wiring board 1 that is an example of a wiring board according to one embodiment. The wiring board 1 has a laminate (core substrate) 10 having one surface 10A and the other surface 10B opposite to the one surface 10A.

積層体10は、第1面100A及び第1面100Aの反対面である第2面100Bを有するコア絶縁層100を有している。第1面100A上には第1導体層101が形成され、第2面100B上には第2導体層102が形成されている。第1導体層101及び第1導体層101の導体パターンから露出する第1面100A上には第1絶縁層111が形成され、第1絶縁層111上には第3導体層103が形成される。第2導体層102及び第1導体層102の導体パターンから露出する第2面100B上には第2絶縁層112が形成され、第2絶縁層112上には第4導体層104が形成されている。 The laminate 10 has a core insulating layer 100 having a first surface 100A and a second surface 100B opposite to the first surface 100A. A first conductor layer 101 is formed on the first surface 100A, and a second conductor layer 102 is formed on the second surface 100B. A first insulating layer 111 is formed on the first surface 100A exposed from the first conductor layer 101 and the conductor pattern of the first conductor layer 101, and a third conductor layer 103 is formed on the first insulating layer 111. . A second insulating layer 112 is formed on the second surface 100B exposed from the conductor patterns of the second conductor layer 102 and the first conductor layer 102, and a fourth conductor layer 104 is formed on the second insulating layer 112. there is

第3導体層103及び第3導体層103の導体パターンから露出する第1絶縁層111の上面によって、積層体10の一方の面10Aが構成されている。第4導体層104及び第4導体層104の導体パターンから露出する第2絶縁層112の上面によって、積層体10の他方の面10Bが構成されている。本実施形態の配線基板が有する積層体10は、コア絶縁層100、第1及び第2導体層101、102、第1及び第2絶縁層111、112、並びに第3及び第4導体層103、104を含んでいる。 One surface 10A of the laminate 10 is configured by the upper surface of the first insulating layer 111 exposed from the third conductor layer 103 and the conductor pattern of the third conductor layer 103 . The upper surface of the second insulating layer 112 exposed from the fourth conductor layer 104 and the conductor pattern of the fourth conductor layer 104 constitutes the other surface 10B of the laminate 10 . The laminate 10 included in the wiring board of the present embodiment includes a core insulating layer 100, first and second conductor layers 101 and 102, first and second insulating layers 111 and 112, third and fourth conductor layers 103, 104 included.

図示される配線基板1は、積層体10の一方の面10A上に形成されている第1ビルドアップ部11と、他方の面10B上に形成されている第2ビルドアップ部12と、を有している。配線基板1は、積層体10の両面において積層される第1及び第2ビルドアップ部11、12を有しており、積層体10はコア基板の形態を有している。従って、本実施形態の説明において、積層体10はコア基板10とも称される。 The illustrated wiring board 1 has a first buildup portion 11 formed on one surface 10A of the laminate 10 and a second buildup portion 12 formed on the other surface 10B. are doing. The wiring board 1 has first and second buildup parts 11 and 12 laminated on both sides of the laminate 10, and the laminate 10 has the form of a core substrate. Therefore, the laminate 10 is also called a core substrate 10 in the description of this embodiment.

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、コア絶縁層100から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア絶縁層100に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各絶縁層及び導体層において、コア絶縁層100と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア絶縁層100側を向く表面は「下面」とも称される。従って、例えば、コア基板10、第1ビルドアップ部11、及び第2ビルドアップ部12を構成する各要素の説明では、コア絶縁層100から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」、「外側」、又は単に「上」もしくは「外」とも称され、コア絶縁層100に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」、「内側」、又は単に「下」もしくは「内」とも称される。また、実施形態の説明において配線基板の厚さ方向は、単に「Z方向」とも称される。 In the description of the wiring board of the present embodiment, the side far from the core insulating layer 100 is referred to as "upper", "upper", "outside", or "outside", and the side closer to the core insulating layer 100 is referred to as Referred to as "lower", "lower", "inner" or "inside". Further, in each insulating layer and conductor layer, the surface facing away from the core insulating layer 100 is also referred to as the "upper surface", and the surface facing the core insulating layer 100 side is also referred to as the "lower surface". Therefore, for example, in the description of each element constituting the core substrate 10, the first buildup section 11, and the second buildup section 12, the side farther from the core insulating layer 100 is referred to as "upper", "upper", and "upper layer side". , “outer”, or simply “upper” or “outer”, and the side closer to the core insulating layer 100 is the “lower side”, “lower”, “lower layer side”, “inner”, or simply “lower” or “outer”. Also called 'inside'. Further, in the description of the embodiments, the thickness direction of the wiring board is also simply referred to as the "Z direction".

コア基板10を構成する第1導体層101と第2導体層102とは、コア絶縁層100の厚さ方向を貫通するスルーホール導体100tcによって接続されている。スルーホール導体100tcは、詳しくは図3を参照して後述されるように、貫通孔100thの内壁を被覆する導体で構成されている。貫通孔100thの内側を被覆するスルーホール導体100tcのさらに内側は、充填材100trによって充填されている。 The first conductor layer 101 and the second conductor layer 102 forming the core substrate 10 are connected by a through-hole conductor 100tc passing through the core insulating layer 100 in the thickness direction. The through-hole conductor 100tc is composed of a conductor covering the inner wall of the through-hole 100th, as will be described in detail later with reference to FIG. Further inside of the through-hole conductor 100tc covering the inside of the through-hole 100th is filled with a filler 100tr.

コア基板10を構成する、第1導体層101は、スルーホール導体100tcと一体的に形成される第1ランド部101Lを有している。第1ランド部101Lは、第1絶縁層111を貫通する第1ビア導体111vを介して第3導体層103と接続されている。コア基板10を構成する、第2導体層102は、スルーホール導体100tcと一体的に形成される第2ランド部102Lを有している。第2ランド部102Lは、第2絶縁層112を貫通する第2ビア導体112vを介して第4導体層104と接続されている。第1ランド部101Lと第3導体層103とは、複数の第1ビア導体111vによって接続され、第2ランド部102Lと第4導体層104とは、複数の第2ビア導体112vを介して接続されている。詳しくは図2及び図3を参照して詳述されるように、これらの複数のビア導体111v、112vのランド部101L、102Lに対する接続位置によって、ランド部101L、102Lと導体層103、104との接続の信頼性が高まる場合がある。 The first conductor layer 101 forming the core substrate 10 has a first land portion 101L formed integrally with the through-hole conductor 100tc. The first land portion 101L is connected to the third conductor layer 103 via a first via conductor 111v penetrating the first insulating layer 111 . The second conductor layer 102 forming the core substrate 10 has a second land portion 102L formed integrally with the through-hole conductor 100tc. The second land portion 102L is connected to the fourth conductor layer 104 via a second via conductor 112v penetrating the second insulating layer 112 . The first land portion 101L and the third conductor layer 103 are connected by a plurality of first via conductors 111v, and the second land portion 102L and the fourth conductor layer 104 are connected via a plurality of second via conductors 112v. It is As will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3, land portions 101L and 102L and conductor layers 103 and 104 are connected to the land portions 101L and 102L by connecting positions of the plurality of via conductors 111v and 112v to the land portions 101L and 102L. connections may be more reliable.

図1に示される例の配線基板1では、第1導体層101は導体パターンとして第1ランド部101Lのみを有しており、第1ランド部101L以外の導体パターンを有していない。また、第2導体層102は導体パターンとして第2ランド部102Lのみを有しており、第2ランド部102L以外の導体パターンを有していない。コア基板10の最外の導体層が有するべき、例えば、信号伝送用の比較的微細なパターンの配線を有する導体パターンは、コア絶縁層100の表面には形成されず、コア絶縁層100上に形成される絶縁層111、112上に形成されている。このような構成により、詳しくは図3を参照して詳述されるように、コア絶縁層100の表面にコア基板10が有するべき導体パターンが形成される場合と比較して、比較的微細なパターンが、コア基板10の最外の導体層に形成される場合がある。 In the wiring board 1 of the example shown in FIG. 1, the first conductor layer 101 has only the first land portion 101L as a conductor pattern, and does not have any conductor pattern other than the first land portion 101L. Also, the second conductor layer 102 has only the second land portion 102L as a conductor pattern, and does not have any conductor pattern other than the second land portion 102L. A conductor pattern having relatively fine pattern wiring for signal transmission, which should be included in the outermost conductor layer of the core substrate 10, for example, is not formed on the surface of the core insulating layer 100, and is not formed on the core insulating layer 100. It is formed on the insulating layers 111 and 112 to be formed. With such a configuration, as will be described in detail with reference to FIG. A pattern may be formed on the outermost conductor layer of the core substrate 10 .

第1ビルドアップ部11は、コア基板10の一方の面10A上に交互に積層される絶縁層113、115及び導体層105、107によって構成されている。第2ビルドアップ部12は、コア基板10の他方の面10B上に交互に積層される絶縁層114、116及び導体層106、108によって構成されている。第1ビルドアップ部11を構成する、絶縁層113、115は第3絶縁層113、及び、第5絶縁層115とも称され、導体層105、107は、第5導体層105、及び、第7導体層107とも称される。また、第2ビルドアップ部12を構成する、絶縁層114、116は第4絶縁層114、及び、第6絶縁層116とも称され、導体層106、108は、第6導体層106、及び、第8導体層108とも称される。 The first buildup section 11 is composed of insulating layers 113 and 115 and conductor layers 105 and 107 alternately laminated on one surface 10A of the core substrate 10 . The second buildup section 12 is composed of insulating layers 114 and 116 and conductor layers 106 and 108 alternately laminated on the other surface 10B of the core substrate 10 . The insulating layers 113 and 115 constituting the first buildup portion 11 are also referred to as the third insulating layer 113 and the fifth insulating layer 115, and the conductor layers 105 and 107 are the fifth conductor layer 105 and the seventh insulating layer 115. Also referred to as conductor layer 107 . Also, the insulating layers 114 and 116 constituting the second buildup section 12 are also referred to as a fourth insulating layer 114 and a sixth insulating layer 116, and the conductor layers 106 and 108 are also referred to as the sixth conductor layer 106 and Also referred to as the eighth conductor layer 108 .

第1ビルドアップ部11を構成する絶縁層113、115は、それぞれ、厚さ方向に反対側に形成されている導体層103、105、107を接続するビア導体11vを含んでいる。第2ビルドアップ部12を構成する絶縁層114、116は、それぞれ、厚さ方向に反対側に形成されている導体層104、106、108を接続するビア導体12vを含んでいる。 Insulating layers 113 and 115 forming first buildup portion 11 include via conductors 11v that connect conductor layers 103, 105 and 107 formed on opposite sides in the thickness direction, respectively. The insulating layers 114, 116 forming the second buildup portion 12 respectively include via conductors 12v connecting the conductor layers 104, 106, 108 formed on opposite sides in the thickness direction.

第1ビルドアップ部11上には、ソルダーレジスト層11sが形成されている。第2ビルドアップ部12上には、ソルダーレジスト層12sが形成されている。ソルダーレジスト層11sには開口11soが形成され、開口11soからは第1ビルドアップ部11における最も外側の導体層107が有する導体パッド107pが露出している。ソルダーレジスト層12sには開口12soが形成され、開口12soからは第2ビルドアップ部12における最も外側の導体層108が有する導体パッド108pが露出している。 A solder resist layer 11 s is formed on the first buildup portion 11 . A solder resist layer 12 s is formed on the second buildup portion 12 . An opening 11so is formed in the solder resist layer 11s, and the conductor pad 107p of the outermost conductor layer 107 in the first buildup section 11 is exposed from the opening 11so. An opening 12so is formed in the solder resist layer 12s, and the conductor pad 108p of the outermost conductor layer 108 in the second buildup section 12 is exposed from the opening 12so.

導体パッド107pは、外部の電子部品(図示せず)などの実装に用いられる接続パッドであり得る。一方、導体パッド108pは、外部のマザーボード(図示せず)などとの接続に用いられる接続パッドであり得る。導体パッド107p、108pの露出面には、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されていてもよい。 The contact pads 107p may be connection pads used for mounting external electronic components (not shown). On the other hand, the conductor pads 108p may be connection pads used for connection with an external motherboard (not shown) or the like. A surface protection film (not shown) made of Au, Ni/Au, Ni/Pd/Au, solder, heat-resistant preflux, or the like may be formed on the exposed surfaces of the conductor pads 107p and 108p.

配線基板1を構成する、絶縁層100、111~116は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材(芯材)及び/又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図示の例では、コア絶縁層100は芯材を含み、その他の絶縁層111~116は芯材を含んでいない。特に、第1絶縁層111及び第2絶縁層112が芯材を含まないフィルム状の樹脂を用いて形成されることで、第1絶縁層111及び第2絶縁層112が芯材を含む場合と比較して、第1導体層101及び第2導体層102は比較的狭ピッチの配線パターンを有する導体層として形成される場合がある。ソルダーレジスト層11s、12sは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されている。 The insulating layers 100, 111 to 116 constituting the wiring board 1 are each formed using an insulating resin such as epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), or phenol resin. Each insulating layer may contain a reinforcing material (core material) such as glass fiber and/or an inorganic filler such as silica or alumina. In the illustrated example, the core insulating layer 100 contains a core material, and the other insulating layers 111-116 do not contain a core material. In particular, when the first insulating layer 111 and the second insulating layer 112 are formed using a film-like resin that does not contain a core material, the first insulating layer 111 and the second insulating layer 112 may contain a core material. In comparison, the first conductor layer 101 and the second conductor layer 102 may be formed as conductor layers having relatively narrow-pitch wiring patterns. The solder resist layers 11s and 12s are formed using, for example, photosensitive epoxy resin or polyimide resin.

導体層101~108、ビア導体111v、112v、11v、12v、スルーホール導体100tcは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。例えば、導体層101~108は、銅箔などの金属箔、及び/又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって形成され得る。導体層101~108、ビア導体111v、112v、11v、12v、スルーホール導体100tcは、図1では、見易さのために簡略化して単層構造で示されているが、2層以上の多層構造を有し得る。詳しくはスルーホール導体100tcの構成と併せて図3を参照して後述される、第1及び第2導体層101、102は、金属箔、金属膜層(無電解めっき膜)、及び電解めっき膜層を含む5層構造を有し得る。導体層103~108、ビア導体111v、112v、11v、12vは、例えば、金属膜層(無電解めっき膜)及び電解めっき膜層を含む2層構造を有し得る。 Conductive layers 101-108, via conductors 111v, 112v, 11v, 12v, and through-hole conductors 100tc can be formed using any metal such as copper or nickel. For example, the conductor layers 101-108 may be formed of metal foils such as copper foils and/or metal films formed by plating or sputtering. Conductor layers 101 to 108, via conductors 111v, 112v, 11v, 12v, and through-hole conductor 100tc are shown in FIG. can have a structure The first and second conductor layers 101 and 102, which will be described in detail later with reference to FIG. It may have a 5-layer structure containing layers. Conductor layers 103-108 and via conductors 111v, 112v, 11v, and 12v may have a two-layer structure including, for example, a metal film layer (electroless plated film) and an electrolytic plated film layer.

配線基板1が有する各導体層101~108は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。先述されたように、図示される例の配線基板1が備えるコア基板10では、第1導体層101及び第2導体層102は、スルーホール導体100tcと一体的に形成されるランド部(第1ランド部101L、第2ランド部102L)のみで構成されている。コア基板10の一方の面10Aを構成する第3導体層103は、第1ランド部101Lとビア導体111vを介して接続されるランド部(第3ランド部)103L、信号用配線SW、プレーン部(第3プレーン部)P3、を有している。コア基板10の他方の面10Bを構成する第4導体層104は、第2ランド部102Lとビア導体112vを介して接続されるランド部(第4ランド部)104L、信号用配線SW、プレーン部(第4プレーン部)P4、を有している。 Each conductor layer 101-108 of the wiring board 1 is patterned to have a predetermined conductor pattern. As described above, in the core substrate 10 included in the wiring substrate 1 of the illustrated example, the first conductor layer 101 and the second conductor layer 102 are formed integrally with the through-hole conductors 100tc. land portion 101L and second land portion 102L). A third conductor layer 103 forming one surface 10A of the core substrate 10 includes a land portion (third land portion) 103L connected to the first land portion 101L via via conductors 111v, a signal wiring SW, and a plane portion. (third plane portion) P3. The fourth conductor layer 104 forming the other surface 10B of the core substrate 10 includes a land portion (fourth land portion) 104L connected to the second land portion 102L via via conductors 112v, a signal wiring SW, and a plane portion. (Fourth plane portion) P4.

図示される例の、コア基板10の最外の面に形成されるランド部(第3ランド部103L、第4ランド部104L)はビア導体111v、112vを介して接続される直下のランド部(第1ランド部101L、第2ランド部102Lと)と平面視において略一致するパターンを有している。なお、「平面視」は、対象物をZ方向(配線基板1の厚さ方向)と平行な視線で見ることを意味している。コア基板10の最外の面に形成されるプレーン部(第3プレーン部P3、第4プレーン部P4)は、コア基板10の厚さ方向(Z方向)に対して直交する平面方向において所定の領域に亘って延在する所謂ベタパターンである。コア基板10の最外の面に形成される信号用配線SWは、コア基板10を構成する導体層101~104が有する導体パターンにおいて最も微細な配線幅及び配線間距離を有している。例えば、信号用配線SWの配線幅は30μm以下に形成され、配線間距離は30μm以下に形成され得る。例えば、信号用配線SWの配線幅は8μm~30μmの値を有し得る。例えば、信号用配線SWの配線間距離は10μm~30μmの値を有し得る。 In the illustrated example, the land portions (the third land portion 103L, the fourth land portion 104L) formed on the outermost surface of the core substrate 10 are the land portions ( The first land portion 101L and the second land portion 102L have patterns that substantially match each other in a plan view. Note that "planar view" means viewing an object with a line of sight parallel to the Z direction (the thickness direction of the wiring board 1). The plane portions (the third plane portion P3 and the fourth plane portion P4) formed on the outermost surface of the core substrate 10 are arranged in a predetermined plane direction orthogonal to the thickness direction (Z direction) of the core substrate 10. This is a so-called solid pattern extending over the area. The signal wiring SW formed on the outermost surface of the core substrate 10 has the smallest wiring width and inter-wiring distance among the conductor patterns of the conductor layers 101 to 104 forming the core substrate 10 . For example, the wiring width of the signal wiring SW can be formed to be 30 μm or less, and the distance between the wirings can be formed to be 30 μm or less. For example, the wiring width of the signal wiring SW can have a value of 8 μm to 30 μm. For example, the inter-wiring distance of the signal wiring SW can have a value of 10 μm to 30 μm.

次いで、図2を参照して、コア基板10の最外の面(一方の面10A)を構成する第3導体層103の構成、及び、第3導体層103が有する第3ランド部103Lとその直下の第1ランド部101Lとの接続関係が説明される。図2は、コア基板10の図1において範囲IIで示される領域を、一方の面10A側から見た平面視による平面図である。すなわち、図2は、配線基板1における、一方の面10Aから上側の構成要素(第1ビルドアップ部11及びソルダーレジスト層11s)を取り除いた状態で、コア基板10を一方の面10Aの上側から平面視した場合の平面図である。 Next, referring to FIG. 2, the configuration of the third conductor layer 103 forming the outermost surface (one surface 10A) of the core substrate 10, the third land portion 103L of the third conductor layer 103 and its A connection relationship with the first land portion 101L immediately below will be described. FIG. 2 is a plan view of the area indicated by area II in FIG. 1 of the core substrate 10 as seen from one surface 10A side. That is, in FIG. 2, the core substrate 10 is removed from one surface 10A of the wiring board 1 from above one surface 10A with the upper components (the first buildup portion 11 and the solder resist layer 11s) removed from the one surface 10A. It is a plan view when viewed in plan.

図2に示される一方の面10Aは、第3導体層103(第3プレーン部P3、信号用配線SW、第3ランド部103L)、及び、第3導体層103のパターンから露出する第1絶縁層111の上面で構成されている。図1を参照して説明されたように、図2に示される第3ランド部103Lはその直下の第1ランド部101Lと平面視において略一致しており、第3ランド部103Lの周縁103Lpは、直下に位置する第1ランド部101Lの周縁と一致している。図2においてランド部103Lの中心部に位置する円形状の破線は、コア絶縁層100に形成される貫通孔100thを示し。貫通孔100thの周囲に配置されている複数の円形の破線で示される領域111vbは、第1ランド部101Lと第3ランド部103Lを接続するビア導体111vの底面(第1ランド部101L上面との接続領域)を示している。 One surface 10A shown in FIG. It consists of the upper surface of layer 111 . As described with reference to FIG. 1, the third land portion 103L shown in FIG. 2 substantially coincides with the first land portion 101L directly thereunder in plan view, and the peripheral edge 103Lp of the third land portion 103L is , coincides with the periphery of the first land portion 101L located directly below. A circular dashed line positioned in the center of the land portion 103L in FIG. Regions 111vb indicated by a plurality of circular dashed lines arranged around through-hole 100th are the bottom surface of via conductor 111v connecting first land portion 101L and third land portion 103L (the top surface of first land portion 101L). connection area).

図2の平面図において、ビア導体111vの底面に対応する複数の領域111vbは、貫通孔100thの外側の領域に位置している。すなわち、第3ランド部103Lと第1ランド部101Lとを接続する複数のビア導体111vは、その第1ランド部101Lとの接続部分において貫通孔100thの直上の領域を、少なくとも部分的に避けるように形成されている。 In the plan view of FIG. 2, a plurality of regions 111vb corresponding to the bottom surfaces of via conductors 111v are located in regions outside through-holes 100th. That is, the plurality of via conductors 111v connecting the third land portion 103L and the first land portion 101L are arranged to at least partially avoid the region immediately above the through hole 100th in the connection portion with the first land portion 101L. is formed in

第1ランド部101Lと第3ランド部103Lとが複数のビア導体111vを介して接続されることで、第1ランド部101Lの上面に係り得る応力は、複数のビア導体111vを介して効果的に分散され得る。第1ランド部101Lの上面と第1ランド部101L上の構成要素(ビア導体111v、第1絶縁層111)との剥離の発生が抑制される場合がある。 Since the first land portion 101L and the third land portion 103L are connected through the plurality of via conductors 111v, the stress that may be applied to the upper surface of the first land portion 101L is effectively transferred through the plurality of via conductors 111v. can be distributed in Occurrence of peeling between the upper surface of the first land portion 101L and the components (via conductor 111v, first insulating layer 111) on the first land portion 101L may be suppressed.

特に、複数のビア導体111vの底部(領域111vb)が平面視において貫通孔100thの外側に位置していることにより、第1ランド部101Lの上面に係り得る応力は効果的に分散される場合がある。特に充填材100trの直上の領域において生じ得る応力が、複数のビア導体111vを介して効果的に分散される場合がある。具体的には、効果的な応力分散の観点から、平面視において、領域111vbは貫通孔100thの中心100thcから貫通孔100thの半径の2倍以内の領域に位置していることが望ましい。例えば、貫通孔100thは直径150μmに形成されており、この場合、領域111vbは、貫通孔100thの外側における、中心100thcから300μm以内の領域に形成されることが好ましい。 In particular, since the bottoms (regions 111vb) of the plurality of via conductors 111v are located outside the through holes 100th in plan view, the stress that may be exerted on the upper surface of the first land portion 101L may be effectively dispersed. be. In particular, the stress that may occur in the region directly above the filler 100tr may be effectively dispersed through the plurality of via conductors 111v. Specifically, from the viewpoint of effective stress distribution, it is desirable that the region 111vb is positioned within twice the radius of the through hole 100th from the center 100thc of the through hole 100th in plan view. For example, the through hole 100th is formed with a diameter of 150 μm, and in this case, the region 111vb is preferably formed within 300 μm from the center 100thc outside the through hole 100th.

貫通孔100thの平面視における形状は円形に限定されず「貫通孔100thの半径」とは貫通孔100thの平面視における中心から最も遠位の貫通孔100thの周縁までの距離を意味している。なお、本明細書では貫通孔100thの外側における、貫通孔100thの中心100thcから貫通孔100thの半径の2倍以内の領域を「貫通孔100thの外側の周辺部」と称する。また、ビア導体111vの底面に対応する複数の領域111vbは、平面視において、部分的に貫通孔100thの内側の領域に位置してもよい。すなわち、複数のビア導体111vは、その第1ランド部101Lとの接続位置において、少なくとも部分的に貫通孔100thの外側の周辺部に位置していればよい。 The shape of the through-hole 100th in plan view is not limited to a circle, and the "radius of the through-hole 100th" means the distance from the center of the through-hole 100th in plan view to the peripheral edge of the most distal through-hole 100th. In this specification, a region outside the through-hole 100th within twice the radius of the through-hole 100th from the center 100thc of the through-hole 100th is referred to as "outer periphery of the through-hole 100th". Also, the plurality of regions 111vb corresponding to the bottom surfaces of the via conductors 111v may be partially positioned inside the through holes 100th in plan view. In other words, the plurality of via conductors 111v may be located at least partially outside the through-hole 100th at the connection position with the first land portion 101L.

さらに具体的には、効果的な応力分散の観点から、複数の領域111vbのそれぞれは、平面視において中心100thcから略等しい距離に位置していることが好ましい。同様の観点から、平面視において、複数の領域111vbは貫通孔100thの周縁に沿って略等しい間隔で(すなわち複数の領域111vbのうち隣り合う領域111vb同士の間隔が等しく)配置されていることが望ましい。なお、図2に示される例では、第1ランド部101Lと第3ランド部103Lとが4つのビア導体111vで接続される例が示されているが、第1ランド部101Lと第3ランド部103Lとを接続する複数のビア導体111vの数はこれに限定されない。また、図1及び図2を参照して上述された、第1ランド部101Lの上面における第1ビア導体111vの接続位置については、第2ランド部102Lの上面における第2ビア導体112vの接続位置にも適用され得る。 More specifically, from the viewpoint of effective stress distribution, it is preferable that each of the plurality of regions 111vb be positioned at substantially equal distances from the center 100thc in plan view. From a similar point of view, the plurality of regions 111vb are arranged along the periphery of the through-hole 100th at substantially equal intervals (that is, the intervals between adjacent regions 111vb among the plurality of regions 111vb are equal). desirable. Note that the example shown in FIG. 2 shows an example in which the first land portion 101L and the third land portion 103L are connected by four via conductors 111v. The number of via conductors 111v connecting with 103L is not limited to this. In addition, the connection position of the first via conductor 111v on the upper surface of the first land portion 101L described above with reference to FIGS. can also be applied to

次いで、図3を参照して、第1導体層101(第1ランド部101L)、スルーホール導体100tc、及び第2導体層102(第2ランド部102L)の層構造、並びに、第3導体層103、第1ビア導体111v、第4導体層104、及び第2ビア導体112vの構造について詳述される。図3は、図1に示される一点鎖線で囲われる領域IIIの拡大図である。第1ランド部101L、第2ランド部102L、及びスルーホール導体100tcは一体的に形成されており、貫通孔100thにおけるスルーホール導体100tcの内側は充填材100trによって充填されている。充填材100trは、例えば、エポキシ、アクリル、フェノールなどの樹脂を含有する絶縁性材料、或いは、銀粒子などの導電性粒子を含む導電性ペースト又は導電性インクの固化物であり得る。 Next, referring to FIG. 3, the layer structure of first conductor layer 101 (first land portion 101L), through-hole conductor 100tc, and second conductor layer 102 (second land portion 102L), and the third conductor layer 103, the structures of the first via conductor 111v, the fourth conductor layer 104, and the second via conductor 112v will be described in detail. FIG. 3 is an enlarged view of a region III surrounded by a dashed line shown in FIG. The first land portion 101L, the second land portion 102L, and the through-hole conductor 100tc are integrally formed, and the inside of the through-hole conductor 100tc in the through-hole 100th is filled with the filler 100tr. The filler 100tr can be, for example, an insulating material containing resin such as epoxy, acrylic, or phenol, or a solidified conductive paste or conductive ink containing conductive particles such as silver particles.

コア絶縁層100に設けられている貫通孔100thの内壁に形成されるスルーホール導体100tcは、例えば無電解銅めっき膜である金属膜層1b、及び、例えば電解銅めっき膜である電解めっき膜層1cの2層を含んでいる。第1導体層101及び第2導体層102はそれぞれ、例えば銅箔である金属箔1a、金属膜層1b、電解めっき膜層1c、金属膜層1d、電解めっき膜層1eを含む5層構造を有している。充填材100trの直上には、金属膜層1d及び電解めっき膜層1eの2層が形成されている。スルーホール導体100tcを構成する金属膜層1b及び電解めっき膜層1cと、第1及び第2ランド部101L、102Lを構成する金属膜層1b及び電解めっき膜層1cとは連続している。 The through-hole conductor 100tc formed on the inner wall of the through-hole 100th provided in the core insulating layer 100 includes a metal film layer 1b that is, for example, an electroless copper plating film and an electrolytic plating film layer that is, for example, an electrolytic copper plating film. Contains two layers of 1c. Each of the first conductor layer 101 and the second conductor layer 102 has a five-layer structure including a metal foil 1a such as copper foil, a metal film layer 1b, an electrolytic plated film layer 1c, a metal film layer 1d, and an electrolytic plated film layer 1e. have. Two layers, a metal film layer 1d and an electrolytic plated film layer 1e, are formed immediately above the filler 100tr. The metal film layer 1b and the electrolytic plated film layer 1c forming the through-hole conductor 100tc and the metal film layer 1b and the electrolytic plated film layer 1c forming the first and second land portions 101L and 102L are continuous.

図示されるように、第1絶縁層111上に形成される第3導体層103及び第1ビア導体111v、並びに、第2絶縁層112上に形成される第4導体層104及び第2ビア導体112vは、いずれも、金属膜層1b及び電解めっき膜層1cを含む、2層構造を有している。すなわち、コア基板10の最外の導体層103、104は金属箔を含まない2層構造を有しており、コア絶縁層100の表面に形成される導体層101、102より薄く形成され得る。従って、第3及び第4導体層103、104には、第1及び第2導体層101、102が有する導体パターンよりも微細なパターンが形成され得る。図示される例では、コア基板10が有する最も微細な導体パターンとして信号用配線SWが形成されている。 As illustrated, the third conductor layer 103 and the first via conductor 111v formed on the first insulating layer 111, and the fourth conductor layer 104 and the second via conductor formed on the second insulating layer 112 112v all have a two-layer structure including a metal film layer 1b and an electrolytic plated film layer 1c. That is, the outermost conductor layers 103 and 104 of the core substrate 10 have a two-layer structure that does not contain metal foil, and can be formed thinner than the conductor layers 101 and 102 formed on the surface of the core insulating layer 100 . Therefore, finer patterns than those of the first and second conductor layers 101 and 102 can be formed on the third and fourth conductor layers 103 and 104 . In the illustrated example, the signal wiring SW is formed as the finest conductor pattern that the core substrate 10 has.

コア基板10の最外の導体層が有するべき、例えば信号伝送用の配線を含む導体パターンが、コア絶縁層100の表面に形成される5層構造の導体層101、102に形成されず、絶縁層111、112上の2層構造を有する導体層103、104に形成されることで、コア基板10は、その最外の導体層に比較的微細なパターンを有し得る。 A conductor pattern including, for example, wiring for signal transmission, which should be included in the outermost conductor layer of the core substrate 10, is not formed in the conductor layers 101 and 102 of the five-layer structure formed on the surface of the core insulating layer 100, and is insulated. By forming conductor layers 103 and 104 having a two-layer structure on layers 111 and 112, core substrate 10 can have a relatively fine pattern on its outermost conductor layer.

金属箔1aを有し5層構造を有する第1及び第2導体層101、102それぞれの厚さは、例えば、20μm以上、40μm以下である。金属膜層1b及び電解めっき膜層1cを含む2層構造を有し得る第3及び第4導体層103、104の厚さは、例えば、12μm以上、18μm以下である。このような厚さを有し得る第3及び第4導体層103、104のそれぞれは、最小線幅/最小線間幅(L/S)に関して9μm/12μmの配線ルールで配置された導体パターンを含み得る。 The thickness of each of the first and second conductor layers 101 and 102 having the five-layer structure and having the metal foil 1a is, for example, 20 μm or more and 40 μm or less. The thickness of the third and fourth conductor layers 103 and 104, which may have a two-layer structure including the metal film layer 1b and the electroplating film layer 1c, is, for example, 12 μm or more and 18 μm or less. Each of the third and fourth conductor layers 103, 104, which can have such thicknesses, has conductor patterns arranged according to a wiring rule of 9 μm/12 μm in terms of minimum line width/minimum line width (L/S). can contain.

実施形態の配線基板は、図1~図3を参照して説明された配線基板1の構成に加えて、第1導体層101及び第2導体層102に、ランド部101L、102L以外に、さらにプレーン部を有し得る。図4には、第1導体層101における第3プレーン部P3の直下の領域に、第3プレーンP3と平面視において略一致するパターンの第1プレーン部P1が形成される例が、配線基板2として示されている。配線基板2においては、さらに、第2導体層102における、第4プレーン部P4の直下の領域に第4プレーン部P4と平面視において略一致するパターンの第2プレーン部P2が形成されている。図示される例では、第1プレーン部P1を含む第1導体層101は、第3導体層103に形成されている信号用配線SWの直下の領域に導体パターンを含んでおらず、第2プレーン部P2を含む第2導体層102は、第4導体層104に形成されている信号用配線SWの直下の領域に導体パターンを有していない。 In the wiring board of the embodiment, in addition to the configuration of the wiring board 1 described with reference to FIGS. It can have a plane part. FIG. 4 shows an example in which a first plane portion P1 having a pattern that substantially matches the third plane portion P3 in a plan view is formed in a region of the first conductor layer 101 directly below the third plane portion P3. is shown as Further, in the wiring board 2, a second plane portion P2 is formed in a region directly below the fourth plane portion P4 in the second conductor layer 102, and has a pattern that substantially matches the fourth plane portion P4 in plan view. In the illustrated example, the first conductor layer 101 including the first plane portion P1 does not include a conductor pattern in the region immediately below the signal wiring SW formed on the third conductor layer 103, and the second plane The second conductor layer 102 including the portion P2 does not have a conductor pattern in the region immediately below the signal wiring SW formed in the fourth conductor layer 104. FIG.

第1プレーン部P1と第3プレーン部P3、並びに、第2プレーン部P2と第4プレーン部P4はビア導体で接続され得る。第1プレーン部P1と第3プレーン部P3とは第3ビア導体3vによって接続され、第2プレーン部P2と第4プレーン部P4とは第4ビア導体4vによって接続され得る。ビア導体によって接続されることで、第1プレーン部P1と第3プレーン部P3、並びに、第2プレーン部P2と第4プレーン部P4は、複数の層に亘るプレーン部として構成され得る。このような形態により、コア基板10は強化された電源プレーン又はグランドプレーンを有し得る。なお、第1プレーン部P1と第3プレーン部P3、並びに、第2プレーン部P2と第4プレーン部P4は、ビア導体によって接続されていない構成を有し得る。 The first plane portion P1 and the third plane portion P3, and the second plane portion P2 and the fourth plane portion P4 can be connected by via conductors. The first plane portion P1 and the third plane portion P3 can be connected by a third via conductor 3v, and the second plane portion P2 and the fourth plane portion P4 can be connected by a fourth via conductor 4v. By being connected by via conductors, the first plane portion P1 and the third plane portion P3, and the second plane portion P2 and the fourth plane portion P4 can be configured as plane portions extending over a plurality of layers. With such a configuration, the core substrate 10 can have reinforced power or ground planes. The first plane portion P1 and the third plane portion P3, and the second plane portion P2 and the fourth plane portion P4 may have a configuration in which they are not connected by via conductors.

また、実施形態の配線基板は、図5に示される配線基板3のように、信号用配線SWがプレーン部に取り囲まれる構成をも有し得る。図5に示される例では、第3導体層103の信号用配線SWの直上の領域には、絶縁層(第3絶縁層)113を介して形成されている第5導体層105に含まれるプレーン部(第5プレーン部)P5が位置している。また、信号用配線SWの直下の領域には第1絶縁層111を介して、第1導体層101に含まれる第1プレーン部P1が位置している。これらの、信号用配線SWの直下及び直上にプレーン部P1、P5が位置する態様により、信号用配線SWによって搬送される信号の伝送品質が向上し得る。信号用配線SWが、その上層側及び下層側の両方においてグランドパターンなどに用いられるプレーン部P1、P5と重なるので、信号用配線SWにおいて外来ノイズによる影響を受け難い信号の伝送が可能であると考えられる。 Moreover, the wiring board of the embodiment can also have a configuration in which the signal wiring SW is surrounded by a plane portion, like the wiring board 3 shown in FIG. In the example shown in FIG. 5, a plane included in the fifth conductor layer 105 formed via an insulating layer (third insulating layer) 113 is provided in a region directly above the signal wiring SW of the third conductor layer 103. A portion (fifth plane portion) P5 is located. Also, the first plane portion P1 included in the first conductor layer 101 is located in the region immediately below the signal wiring SW with the first insulating layer 111 interposed therebetween. The mode in which the plane portions P1 and P5 are positioned immediately below and directly above the signal wiring SW can improve the transmission quality of the signal carried by the signal wiring SW. Since the signal wiring SW overlaps with the plane portions P1 and P5 used for the ground pattern and the like on both the upper layer side and the lower layer side, it is possible to transmit signals that are not easily affected by external noise in the signal wiring SW. Conceivable.

また、図示されるように、配線基板3は、第4導体層104が有する信号用配線SW、第2導体層102、及び第6導体層106においても、上述された信号用配線SWの上層及び下層にプレーン部が位置する構成を有している。第4導体層104に含まれる信号用配線SWの直上には第6導体層に含まれる第6プレーン部P6が位置し、信号用配線SWの直下には第2導体層に含まれる第2プレーン部P2が位置している。 In addition, as shown in the figure, the wiring substrate 3 includes the signal wiring SW included in the fourth conductor layer 104, the second conductor layer 102, and the sixth conductor layer 106 as well as the above-described signal wiring SW. It has a structure in which a plane part is located in the lower layer. A sixth plane portion P6 included in the sixth conductor layer is located directly above the signal wiring SW included in the fourth conductor layer 104, and a second plane included in the second conductor layer is located directly below the signal wiring SW. Part P2 is located.

次に、図1の配線基板1が製造される場合を例にして、一実施形態の配線基板の製造方法の一例が、図6A~図6Iを参照して説明される。なお、図6A~図6Dでは、図3と同様に、各導体層の構造が詳細に描かれるが、図6E~図6Iにおいては、図1と同様に、各導体層の構造が簡略化されて単層構造を有するように示されている。 Next, an example of a method for manufacturing a wiring board according to one embodiment will be described with reference to FIGS. 6A to 6I, taking the case of manufacturing the wiring board 1 of FIG. 1 as an example. 6A to 6D, similar to FIG. 3, the structure of each conductor layer is drawn in detail, but in FIGS. 6E to 6I, similar to FIG. 1, the structure of each conductor layer is simplified. are shown to have a single layer structure.

先ず、図6Aに示されるように、絶縁層100及び絶縁層100の両面に金属箔1aが設けられた基板(例えば両面銅張積層板)が用意される。続く図6B~図6Dでは、図6Aにおいて一点鎖線で囲われる領域Bに対応した拡大図が示される。 First, as shown in FIG. 6A, an insulating layer 100 and a substrate (for example, a double-sided copper-clad laminate) provided with metal foils 1a on both sides of the insulating layer 100 are prepared. 6B to 6D show enlarged views corresponding to the region B surrounded by the dashed line in FIG. 6A.

次いで、図6Bに示されるように、絶縁層100に貫通孔100thが形成される。貫通孔100thは、例えばドリルなどの切削装置によって穿孔されることによって形成される。貫通孔100thは、炭酸ガスレーザー又はYAGレーザー等のレーザー光の照射によって形成されてもよい。 Next, through holes 100th are formed in the insulating layer 100, as shown in FIG. 6B. The through hole 100th is formed by drilling with a cutting device such as a drill. The through hole 100th may be formed by irradiating a laser beam such as a carbon dioxide laser or a YAG laser.

続いて、貫通孔100thの内壁面上、並びに金属箔1a上に金属膜層1bが、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される。金属膜層1bは例えば銅からなる無電解めっき膜であるが、金属膜層1bの材料は銅に限定されない。続いて、金属膜層1bを給電層として用いる電解めっきによって、金属膜層1b上に電解めっき膜層1cが形成される。電解めっき膜層1cは、金属膜層1b上に析出される例えば銅などの金属からなる。しかし、金属膜層1cの材料は銅に限定されない。貫通孔100thの内壁面上には、金属膜層1bと電解めっき膜層1cとを含み、絶縁層100の両面に形成される導体層同士の導電性を担う2層構造のスルーホール導体100tcが形成される。 Subsequently, the metal film layer 1b is formed on the inner wall surface of the through hole 100th and on the metal foil 1a by, for example, electroless plating or sputtering. The metal film layer 1b is, for example, an electroless plated film made of copper, but the material of the metal film layer 1b is not limited to copper. Subsequently, an electrolytic plated film layer 1c is formed on the metal film layer 1b by electrolytic plating using the metal film layer 1b as a power feeding layer. The electrolytic plated film layer 1c is made of a metal such as copper deposited on the metal film layer 1b. However, the material of the metal film layer 1c is not limited to copper. On the inner wall surface of the through-hole 100th, a through-hole conductor 100tc having a two-layer structure including a metal film layer 1b and an electrolytic plated film layer 1c and responsible for electrical conductivity between conductor layers formed on both surfaces of the insulating layer 100 is provided. It is formed.

次いで、図6Cに示されるように、貫通孔100thのスルーホール導体100tcの内側の空洞が、充填材100trで充填される。例えば、エポキシ、アクリル又はフェノールなどの樹脂が、貫通孔100thの開口の一方から注入される。充填された充填材100trは加熱などによって固化される。固化した充填材100trの端面は、必要に応じて、化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。この研磨によって、充填材100trの端面と電解めっき膜層1cの表面とが、好ましくは略面一にされる。 Next, as shown in FIG. 6C, the cavity inside the through-hole conductor 100tc of the through-hole 100th is filled with the filler 100tr. For example, resin such as epoxy, acrylic or phenol is injected from one opening of the through hole 100th. The filled filler 100tr is solidified by heating or the like. The end face of the solidified filler 100tr is polished by any method such as chemical mechanical polishing, if necessary. By this polishing, the end face of the filler 100tr and the surface of the electrolytic plated film layer 1c are preferably made substantially flush.

次いで、図6Dに示されるように、さらに、電解めっき膜層1c及び充填材100trの上に金属膜層1d及び電解めっき膜層1eが順に形成される。金属膜層1d及び電解めっき膜層1eは、例えば、金属膜層1b及び電解めっき膜層1cと同様の方法で形成される。その結果、絶縁層100の両面上に、金属箔1a、金属膜層1b、電解めっき膜層1c、金属膜層1d、及び電解メッキ膜層1eの5層構造を有する第1及び第2導体層101、102が形成される。 Next, as shown in FIG. 6D, a metal film layer 1d and an electrolytic plated film layer 1e are formed in this order on the electrolytic plated film layer 1c and the filler 100tr. The metal film layer 1d and the electrolytic plated film layer 1e are formed, for example, by the same method as the metal film layer 1b and the electrolytic plated film layer 1c. As a result, on both surfaces of the insulating layer 100, the first and second conductor layers having a five-layer structure of the metal foil 1a, the metal film layer 1b, the electrolytic plated film layer 1c, the metal film layer 1d, and the electrolytic plated film layer 1e. 101, 102 are formed.

次いで、図6Eに示されるように、第1及び第2導体層101、102は、例えば、適切な位置に開口を備えるエッチングマスクを用いたエッチングによってパターニングされる。第1導体層101は、第1ランド部101Lを含むパターンに形成され、第2導体層102は、第2ランド部102Lを含むパターンに形成される。第1及び第2導体層101、102は、このようにサブトラクティブ法を用いて形成され得る。 The first and second conductor layers 101, 102 are then patterned, for example by etching using an etch mask with openings at appropriate locations, as shown in FIG. 6E. The first conductor layer 101 is formed in a pattern including the first land portion 101L, and the second conductor layer 102 is formed in a pattern including the second land portion 102L. The first and second conductor layers 101, 102 can thus be formed using a subtractive method.

次いで、図6Fに示されるように、第1導体層101及び第1導体層101から露出する絶縁層100の表面に第1絶縁層111が積層される。第2導体層102及び第2導体層102から露出する絶縁層100の表面には第2絶縁層112が積層される。例えば、フィルム状の絶縁性樹脂(例えばエポキシ樹脂)が熱圧着され、この絶縁性樹脂におけるビア導体が形成されるべき位置に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔vhが形成される。 Next, as shown in FIG. 6F , the first insulating layer 111 is laminated on the first conductor layer 101 and the surface of the insulating layer 100 exposed from the first conductor layer 101 . A second insulating layer 112 is laminated on the second conductor layer 102 and the surface of the insulating layer 100 exposed from the second conductor layer 102 . For example, a film-like insulating resin (for example, epoxy resin) is thermally compressed, and through holes vh are formed at positions where via conductors are to be formed in this insulating resin by irradiating carbon dioxide laser light, for example.

貫通孔vhは、1つのランド部101L、102Lに対して複数形成される。貫通孔vhは、その底部の少なくとも一部が、平面視において、ランド部101L、102Lの上面における貫通孔100thの外側に位置するように形成される。具体的には、配線基板1について図2を参照して説明された、ビア導体111vの底面に対応する領域111vbと貫通孔100thとの位置関係を有するように、貫通孔vhが形成される。 A plurality of through holes vh are formed for one land portion 101L, 102L. The through hole vh is formed such that at least a part of the bottom thereof is positioned outside the through hole 100th on the upper surfaces of the lands 101L and 102L in plan view. Specifically, the through hole vh is formed so as to have the positional relationship between the region 111vb corresponding to the bottom surface of the via conductor 111v and the through hole 100th described with reference to FIG.

次いで、図6Gに示されるように、第3及び第4導体層103、104、並びに、ビア導体111v、112vが形成される。第3及び第4導体層103、104、並びに、ビア導体111v、112vは、貫通孔vh内及び絶縁層111、112上面への、無電解めっき又はスパッタリングなどによる金属膜層の形成、及び、この金属膜を給電層として用いると共に、適切な開口を有するめっきレジストを用いる電解めっきによって形成される。すなわち、金属箔を用いないセミアディティブ(SAP:Semi-Additive Process)法によって導体層103、104並びに、ビア導体111v、112vが形成される。第3導体層103は、第3ランド部103L、信号用配線SW、及び第3プレーン部P3を有するパターンに形成され、第4導体層104は、第4ランド部104L、信号用配線SW、及び第4プレーン部P4を有するパターンに形成される。一方の面10A及び一方の面10Aと反対側の他方の面10Bを有するコア基板10の形成が完了する。 Then, as shown in FIG. 6G, third and fourth conductor layers 103, 104 and via conductors 111v, 112v are formed. The third and fourth conductor layers 103, 104 and the via conductors 111v, 112v are formed by forming metal film layers in the through holes vh and on the upper surfaces of the insulating layers 111, 112 by electroless plating, sputtering, or the like. It is formed by electroplating using a metal film as a power supply layer and using a plating resist with appropriate openings. That is, conductor layers 103 and 104 and via conductors 111v and 112v are formed by a semi-additive (SAP: Semi-Additive Process) method that does not use metal foil. The third conductor layer 103 is formed in a pattern having a third land portion 103L, a signal wiring SW, and a third plane portion P3. A pattern having a fourth plane portion P4 is formed. Formation of the core substrate 10 having one surface 10A and the other surface 10B opposite to the one surface 10A is completed.

次いで、図6Hに示されるように、コア基板10の一方の面10A上に第1ビルドアップ部11が形成されると共に、他方の面10B上に第2ビルドアップ部12が形成される。上述した絶縁層111及び導体層103の形成と同様の工程が繰り返されることで、一方の面10Aの上側に絶縁層113、115、及び、導体層105、107が形成され、他方の面10Bの上側に絶縁層114、116、及び、導体層106、108が形成される。第1及び第2ビルドアップ部11、12の形成が完了する。 Next, as shown in FIG. 6H, the first buildup portion 11 is formed on one surface 10A of the core substrate 10, and the second buildup portion 12 is formed on the other surface 10B. By repeating the same process as the formation of the insulating layer 111 and the conductor layer 103 described above, the insulating layers 113 and 115 and the conductor layers 105 and 107 are formed on the upper side of the one surface 10A, and the other surface 10B is formed. Insulating layers 114, 116 and conductor layers 106, 108 are formed on the upper side. Formation of the first and second buildup portions 11 and 12 is completed.

次いで、図6Iに示されるように、第1ビルドアップ部11上にソルダーレジスト層11sが形成され、第2ビルドアップ部12上にソルダーレジスト層12sが形成される。ソルダーレジスト層11s、12sは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。ソルダーレジスト層11s、12sは、導体パッド107p、108pを露出する開口11sa、12saを有するように形成される。導体パッド107p、108pの露出面には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の配線基板1が完成する。 Next, as shown in FIG. 6I, a solder-resist layer 11s is formed on the first buildup portion 11, and a solder-resist layer 12s is formed on the second buildup portion 12. Next, as shown in FIG. The solder resist layers 11s and 12s are formed by, for example, forming a resin layer containing a photosensitive epoxy resin or polyimide resin, and exposing and developing using a mask having an appropriate opening pattern. The solder resist layers 11s, 12s are formed to have openings 11sa, 12sa exposing the conductor pads 107p, 108p. Surface protective films (such as Au, Ni/Au, Ni/Pd/Au, solder, or heat-resistant preflux) are formed on the exposed surfaces of the conductor pads 107p and 108p by electroless plating, solder leveler, or spray coating. not shown) may be formed. The wiring board 1 shown in FIG. 1 is completed through the above steps.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。説明された配線基板1~3においては、第1ビルドアップ部11及び第2ビルドアップ部12は、それぞれ2つの導体層105、107、106、108、及び、2つの絶縁層113、115、114、116を含んでいるが、第1及び第2ビルドアップ部11、12が有する絶縁層及び、導体層の層数はこれに限定されない。第1ビルドアップ部11及び第2ビルドアップ部12は、3つ以上の導体層及び3つ以上の絶縁層を含んでいてもよく、導体層及び絶縁層それぞれを1つだけ含んでいてもよい。また、第1ビルドアップ部11及び第2ビルドアップ部12は、互いに、異なる層数の絶縁層及び導体層を有してもよい。また、第3及び第4導体層103、104は、例えば、金属箔を用いるセミアディティブ(MSAP:Modified Semi-Additive Process)法を用いて形成され、金属箔を含む3層構造を有していてもよい。 The wiring substrates of the embodiments are not limited to those having the structures illustrated in each drawing, and the structures, shapes, and materials illustrated in this specification. In the wiring boards 1 to 3 described, the first buildup section 11 and the second buildup section 12 each consist of two conductor layers 105, 107, 106, 108 and two insulating layers 113, 115, 114. , 116, but the number of insulating layers and conductor layers included in the first and second buildup portions 11 and 12 is not limited to this. The first buildup section 11 and the second buildup section 12 may include three or more conductor layers and three or more insulation layers, or may include only one conductor layer and one insulation layer. . Also, the first buildup section 11 and the second buildup section 12 may have different numbers of insulating layers and conductor layers. In addition, the third and fourth conductor layers 103 and 104 are formed, for example, using a semi-additive (MSAP: Modified Semi-Additive Process) method using metal foil, and have a three-layer structure including the metal foil. good too.

1、2、3 配線基板
10 コア基板
10A 一方の面
10B 他方の面
100 コア絶縁層
100A 第1面
100B 第2面
101 導体層(第1導体層)
102 導体層(第2導体層)
103 導体層(第3導体層)
104 導体層(第4導体層)
105 導体層(第5導体層)
106 導体層(第6導体層)
11 第1ビルドアップ部
12 第2ビルドアップ部
100th 貫通孔
111v ビア導体(第1ビア導体)
112v ビア導体(第2ビア導体)
101L ランド部(第1ランド部)
102L ランド部(第2ランド部)
103L ランド部(第3ランド部)
104L ランド部(第4ランド部)
SW 信号用配線
P1 プレーン部(第1プレーン部)
P2 プレーン部(第2プレーン部)
P3 プレーン部(第3プレーン部)
P4 プレーン部(第4プレーン部)
Reference Signs List 1, 2, 3 wiring board 10 core substrate 10A one surface 10B other surface 100 core insulating layer 100A first surface 100B second surface 101 conductor layer (first conductor layer)
102 conductor layer (second conductor layer)
103 conductor layer (third conductor layer)
104 conductor layer (fourth conductor layer)
105 conductor layer (fifth conductor layer)
106 conductor layer (sixth conductor layer)
11 first buildup portion 12 second buildup portion 100th through hole 111v via conductor (first via conductor)
112v via conductor (second via conductor)
101L land part (first land part)
102L land part (second land part)
103L land part (third land part)
104L land (fourth land)
SW signal wiring P1 plane part (first plane part)
P2 plane part (second plane part)
P3 plane part (third plane part)
P4 plane part (fourth plane part)

Claims (13)

第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有するコア絶縁層と、
前記第1面上に形成され第1ランド部を含む第1導体層と、
前記第2面上に形成され第2ランド部を含む第2導体層と、
前記第1面及び前記第1導体層を被覆する第1絶縁層と、
前記第2面及び前記第2導体層を被覆する第2絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成される第3導体層と、
前記第2絶縁層上に形成される第4導体層と、
を含むコア基板を有する配線基板であって、
前記第1ランド部と前記第2ランド部とは、前記コア絶縁層を貫通する貫通孔の内側に形成されるスルーホール導体によって接続されており、
前記第1ランド部と前記第3導体層とは、前記第1絶縁層を貫通する複数の第1ビア導体によって接続され、
前記第2ランド部と前記第4導体層とは、前記第2絶縁層を貫通する複数の第2ビア導体によって接続され、
前記複数の第1ビア導体の底部は、平面視において、前記第1ランド部の上面における前記貫通孔の外側の周辺部に位置している。
a core insulation layer having a first surface and a second surface opposite the first surface;
a first conductor layer formed on the first surface and including a first land;
a second conductor layer formed on the second surface and including a second land;
a first insulating layer covering the first surface and the first conductor layer;
a second insulating layer covering the second surface and the second conductor layer;
a third conductor layer formed on the first insulating layer;
a fourth conductor layer formed on the second insulating layer;
A wiring board having a core substrate containing
the first land portion and the second land portion are connected by a through-hole conductor formed inside a through-hole penetrating the core insulating layer,
the first land portion and the third conductor layer are connected by a plurality of first via conductors penetrating the first insulating layer;
the second land portion and the fourth conductor layer are connected by a plurality of second via conductors penetrating the second insulating layer;
The bottoms of the plurality of first via conductors are positioned on the upper surface of the first land in the periphery outside the through hole in plan view.
請求項1記載の配線基板であって、前記複数の第2ビア導体の底部は、平面視において、前記第2ランド部の上面における前記貫通孔の外側の周辺部に位置している。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the bottoms of the plurality of second via conductors are positioned on the upper surface of the second land in a peripheral portion outside the through hole in a plan view. 請求項2記載の配線基板であって、前記複数の第1ビア導体及び前記複数の第2ビア導体は、平面視において、前記貫通孔の中心から略等しい距離に位置している。 3. The wiring board according to claim 2, wherein the plurality of first via conductors and the plurality of second via conductors are positioned at substantially equal distances from the center of the through hole in plan view. 請求項3記載の配線基板であって、前記複数の第1ビア導体のうち前記貫通孔の周縁に沿って隣り合う第1ビア導体間の距離は略等しく、前記複数の第2ビア導体のうち前記貫通孔の周縁に沿って隣り合う第2ビア導体間の距離は略等しい。 4. The wiring board according to claim 3, wherein distances between adjacent first via conductors of said plurality of first via conductors along the periphery of said through-hole are substantially equal, and said plurality of second via conductors The distance between the second via conductors adjacent to each other along the periphery of the through hole is substantially equal. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1導体層は前記第1ランド部のみで構成され、前記第2導体層は前記第2ランド部のみで構成されている。 2. The wiring board according to claim 1, wherein said first conductor layer is composed only of said first land portion, and said second conductor layer is composed only of said second land portion. 請求項1記載の配線基板であって、
前記第3導体層は平面視において前記第1ランド部と略一致する第3ランド部を含み、前記第3ランド部と前記第1ランド部とが前記複数の第1ビア導体により接続され、
前記第4導体層は平面視において前記第2ランド部と略一致する第4ランド部を含み、前記第4ランド部と前記第2ランド部とが前記複数の第2ビア導体により接続されている。
The wiring board according to claim 1,
the third conductor layer includes a third land portion substantially coinciding with the first land portion in plan view, the third land portion and the first land portion being connected by the plurality of first via conductors;
The fourth conductor layer includes a fourth land portion substantially coinciding with the second land portion in plan view, and the fourth land portion and the second land portion are connected by the plurality of second via conductors. .
請求項1記載の配線基板であって、前記第3導体層及び前記第4導体層は、信号用配線をさらに含んでいる。 2. The wiring board according to claim 1, wherein said third conductor layer and said fourth conductor layer further include signal wiring. 請求項7記載の配線基板であって、前記信号用配線は、配線幅が30μm以下、且つ、配線間距離が30μm以下に形成されている。 8. The wiring board according to claim 7, wherein the signal wiring has a wiring width of 30 [mu]m or less and a wiring distance of 30 [mu]m or less. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1導体層は第1プレーン部をさらに含んでおり、前記第2導体層は第2プレーン部をさらに含んでいる。 2. The wiring board according to claim 1, wherein said first conductor layer further includes a first plane portion, and said second conductor layer further includes a second plane portion. 請求項9記載の配線基板であって、前記第3導体層は平面視において前記第1プレーン部と略一致する第3プレーン部を含み、前記第4導体層は平面視において前記第2プレーン部と略一致する第4プレーン部を含んでいる。 10. The wiring board according to claim 9, wherein the third conductor layer includes a third plane portion substantially coinciding with the first plane portion in plan view, and the fourth conductor layer includes the second plane portion in plan view. and a fourth plane portion substantially coinciding with . 請求項9記載の配線基板であって、
前記第3導体層及び前記第4導体層は、信号用配線をさらに含み、
前記第1導体層は、前記第3導体層に含まれる前記信号用配線の直下の領域に導体パターンを有さず、
前記第2導体層は、前記第4導体層に含まれる前記信号用配線の直下の領域に導体パターンを有していない。
The wiring board according to claim 9,
The third conductor layer and the fourth conductor layer further include signal wiring,
the first conductor layer does not have a conductor pattern in a region immediately below the signal wiring included in the third conductor layer;
The second conductor layer does not have a conductor pattern in a region immediately below the signal wiring included in the fourth conductor layer.
請求項9記載の配線基板であって、
前記第3導体層及び前記第4導体層は、信号用配線をさらに含み、
前記第3導体層に含まれる前記信号用配線の直下には、前記第1プレーン部が位置しており、
前記第4導体層に含まれる前記信号用配線の直下には、前記第2プレーン部が位置している。
The wiring board according to claim 9,
The third conductor layer and the fourth conductor layer further include signal wiring,
The first plane portion is positioned directly below the signal wiring included in the third conductor layer,
The second plane portion is positioned directly below the signal wiring included in the fourth conductor layer.
請求項12記載の配線基板であって、
前記第3導体層の上側に、第5絶縁層及び前記第5絶縁層上に形成される第5導体層をさらに有し、
前記第4導体層の上側に、第6絶縁層及び前記第6絶縁層上に形成される第6導体層をさらに有し、
前記第3導体層に含まれる前記信号用配線の直上には、前記第5導体層に含まれるプレーン層が位置しており、
前記第4導体層に含まれる前記信号用配線の直上には、前記第6導体層に含まれるプレーン層が位置している。
13. The wiring board according to claim 12,
further comprising a fifth insulating layer on the upper side of the third conductive layer and a fifth conductive layer formed on the fifth insulating layer;
further comprising a sixth insulating layer on the upper side of the fourth conductive layer and a sixth conductive layer formed on the sixth insulating layer;
A plane layer included in the fifth conductor layer is positioned directly above the signal wiring included in the third conductor layer,
A plane layer included in the sixth conductor layer is positioned directly above the signal wiring included in the fourth conductor layer.
JP2022013533A 2022-01-31 2022-01-31 wiring board Pending JP2023111608A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022013533A JP2023111608A (en) 2022-01-31 2022-01-31 wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022013533A JP2023111608A (en) 2022-01-31 2022-01-31 wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023111608A true JP2023111608A (en) 2023-08-10

Family

ID=87551754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022013533A Pending JP2023111608A (en) 2022-01-31 2022-01-31 wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2023111608A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101201940B1 (en) Method for manufacturing multilayer wiring board having cable part
TWI479972B (en) Multi-layer flexible printed wiring board and manufacturing method thereof
CN110999552B (en) Printed circuit board with improved heat dissipation
JP2020202248A (en) Wiring board and method of manufacturing wiring board
WO2008004382A1 (en) Method for manufacturing multilayer printed wiring board
US10945334B2 (en) Wiring substrate
TWI459879B (en) Method for manufacturing multilayer flexible printed wiring board
US11160164B2 (en) Wiring substrate
US11406016B2 (en) Wiring substrate
US11277910B2 (en) Wiring substrate
JP2023111608A (en) wiring board
US10986729B2 (en) Wiring substrate
JP2000323841A (en) Multilayer circuit board and manufacture thereof
US20230284380A1 (en) Wiring substrate
JP4926676B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board
US20230171889A1 (en) Wiring substrate
US20230171884A1 (en) Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate
US20230135774A1 (en) Interconnect substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus
US20240008191A1 (en) Wiring substrate
JP2024002647A (en) Wiring board and method for manufacturing wiring board
JP2024033648A (en) wiring board
JP2022114157A (en) wiring board
JP2021174849A (en) Wiring board
CN117336940A (en) Wiring substrate
CN117412469A (en) Wiring substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20220929