JP2023105340A - 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】機械的強度が向上した弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供する。【解決手段】主面および他の主面を有する第１の圧電基板と、前記第１の圧電基板の他の主面にその主面が接合された主面および他の主面を有する第２の圧電基板と、前記第１の圧電基板の主面上に形成された複数の電極指を有する櫛形電極が相互に挿間するように配置されたIDT電極を有する共振器とを備え、電力印加時の電力が印加された電極指から隣接する電極指の間において、前記第１の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第１の圧電基板の内部の変位量よりも大きく、かつ、前記第２の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第２の圧電基板の内部の変位量よりも大きい弾性波デバイス。【選択図】図１
Description
本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールに関し、詳しくはラム波やＳＨ波を用いる板波デバイスである弾性波デバイス、例えば、フィルタ、デュプレクサまたはマルチプレクサに関する。
特許文献１は、ラム波型高周波デバイスおよびその製造方法を開示する。構造的強度を高め、安定した共振特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上できる製造方法を提供し得る。
特許文献１には、ラム波型高周波デバイスにおいて、ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と、前記空間の周縁に接合面が設けられていることが開示されている。
しかしながら、特許文献１に記載のラム波型高周波デバイスにおいては、近年のさらなる高周波化、それに伴う圧電基板の薄膜化の必要性により、製造工程においても十分に耐えうる機械的強度のある圧電基板の厚みを確保できない。
このため、十分な機械的強度を有する弾性波デバイスを提供することができない。
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、機械的強度が向上した弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。
本開示にかかる弾性波デバイスは、
主面および他の主面を有する第１の圧電基板と、
前記第１の圧電基板の他の主面にその主面が接合された主面および他の主面を有する第２の圧電基板と、
前記第１の圧電基板の主面上に形成された複数の電極指を有する櫛形電極が相互に挿間するように配置されたIDT電極を有する共振器と
を備え、
電力印加時の電力が印加された電極指から隣接する電極指の間において、前記第１の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第１の圧電基板の内部の変位量よりも大きく、かつ、前記第２の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第２の圧電基板の内部の変位量よりも大きい弾性波デバイスとした。
主面および他の主面を有する第１の圧電基板と、
前記第１の圧電基板の他の主面にその主面が接合された主面および他の主面を有する第２の圧電基板と、
前記第１の圧電基板の主面上に形成された複数の電極指を有する櫛形電極が相互に挿間するように配置されたIDT電極を有する共振器と
を備え、
電力印加時の電力が印加された電極指から隣接する電極指の間において、前記第１の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第１の圧電基板の内部の変位量よりも大きく、かつ、前記第２の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第２の圧電基板の内部の変位量よりも大きい弾性波デバイスとした。
電力印加時の電力が印加された電極指近傍の前記第１の圧電基板の主面の変位量は、前記第１の圧電基板の他の主面および前記第２の圧電基板の主面近傍の変位量よりも大きいことが、本開示の一形態とされる。
電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指近傍の前記第１の圧電基板の主面の変位量は、前記第１の圧電基板の他の主面および前記第２の圧電基板の主面近傍の変位量よりも大きいことが、本開示の一形態とされる。
電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指近傍の前記第１の圧電基板および第２の圧電基板の総変位量は、電力が印加された電極指近傍の前記第１の圧電基板および第２の圧電基板の総変位量よりも大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１の圧電基板の主面上の少なくとも一部および前記ＩＤＴ電極は、気密封止された空間に配置されたことが、本発明の一形態とされる。
前記第２の圧電基板の他の主面の前記共振器が形成された領域が中空構造となるように形成された支持基板を備えることが、本発明の一形態とされる。
前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板の極性は相互に反転していることが、本開示の一形態とされる。
前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板は、ファンデルワールス力により接合されていることが、本開示の一形態とされる。
前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶層の少なくとも一方を含むことが、本開示の一形態とされる。
前記共振器により、前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板を伝搬する板波が励振されることが、本開示の一形態とされる。
前記共振器の共振周波数は３～５GHzであることが、本開示の一形態とされる。
前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本発明の一形態とされる。
本開示によれば、機械的強度が向上した弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。
実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。
図１に示すように、弾性波デバイス１は、配線基板３、外部接続端子３１、デバイスチップ５、電極パッド９、バンプ１５および封止部１７を備える。
例えば、配線基板３は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板３は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。
外部接続端子３１は、配線基板３の下面に複数形成される。
電極パッド９は、配線基板３の主面に複数形成される。例えば、電極パッド９は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、電極パッド９の厚みは、１０μｍから２０μｍである。
バンプ１５は、電極パッド９のそれぞれの上面に形成される。例えば、バンプ１５は、金バンプである。例えば、バンプ１５の高さは、１０μｍから５０μｍである。
配線基板３とデバイスチップ５の間は、空隙１６が形成されている。
デバイスチップ５は、バンプ１５を介して、配線基板３にフリップチップボンディングにより実装される。デバイスチップ５は、複数のバンプ１５を介して複数の電極パッド９と電気的に接続される。
デバイスチップ５は、機能素子が形成される基板である。例えば、デバイスチップ５の主面において、送信用フィルタと受信用フィルタとが形成される。
送信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
受信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信用フィルタは、ラダー型フィルタである。
デバイスチップ５は、第１の圧電基板１１、第２の圧電基板２１を含む。
例えば、第１の圧電基板１１、第２の圧電基板２１は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。例えば、第１の圧電基板１１、第２の圧電基板２１は、圧電セラミックスで形成された基板である。
第１の圧電基板１１の主面上には、弾性波素子５２が形成されている。弾性波素子５２は、例えば、ＩＤＴ電極を含む共振器である。
第１の圧電基板１１の他の主面に、第２の圧電基板２１の主面が接合している。第１の圧電基板１１と第２の圧電基板２１は、例えば、ファンデルワールス力により接合している。また、接着層（図示しない）を介して接合されてもよい。
第１の圧電基板１１と第２の圧電基板２１は、極性が相互に反転している。第１の圧電基板１１と第２の圧電基板２１は、それぞれ単一分極状態に予め調整された基板を極性が相互に反転するように貼り合わせ接合してもよい。
例えば、薄膜化前、板厚５００μｍのニオブ酸リチウム単結晶基板は、空気中でキュリー点より低い約摂氏１１００度程度で５時間程度の熱処理により、板厚の中央を境として分極の反転層を形成することができる。
例えば、タンタル酸リチウム単結晶基板は、安息香酸中の熱処理によるプロトン交換で、結晶中のリチウム原子を水素で置換した後、キュリー点より低い約摂氏５９０度程度での熱処理により、分極の反転層を形成することができる。
例えば、デバイスチップ５は、第１の圧電基板１１、第２の圧電基板２１と支持基板とが接合されたチップである。例えば、支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。
図１に示すように、第２の圧電基板２１の他の主面には、支持基板２２が接合されている。
第２の圧電基板２１と支持基板２２は、第２の圧電基板２１他の主面のうち、第１の圧電基板１１主面上に形成された弾性波素子５２に対応する領域が中空構造となるように、空隙２６を形成している。
空隙２６を形成するための支持基板２２上の凹部は、例えば、ドライエッチング法やウエットエッチング法などを用いて、例えば、ウエハプロセスにおいて形成することができる。
これにより、印加された電力による第２の圧電基板２１の他の主面の変位が阻害されることを抑制することができる。
封止部１７は、デバイスチップ５を覆うように形成される。例えば、封止部１７は、合成樹脂等の絶縁体により形成される。例えば、封止部１７は、金属で形成される。
封止部１７が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部１７は、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。
次に、図２を用いて、デバイスチップ５上に形成された弾性波素子５２の例を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の例を示す図である。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の例を示す図である。
図２に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと一対の反射器５２ｂとは、デバイスチップ５の主面に形成される。ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂは、弾性波（主にラム波）を励振し得るように設けられる。
例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。
例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜により形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４５０ｎｍである。
ＩＤＴ５２ａは、一対の櫛形電極５２ｃを備える。一対の櫛形電極５２ｃは、互いに対向する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄとバスバー５２ｅとを備える。
複数の電極指５２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー５２ｅは、複数の電極指５２ｄを接続する。
一対の反射器５２ｂの一方は、ＩＤＴ５２ａの一側に隣接する。一対の反射器５２ｂの他方は、ＩＤＴ５２ａの他側に隣接する。
次に、本実施の形態における弾性波デバイス１についての検討結果を説明する。発明者らは、以下の条件で、本実施の形態におけるデバイスチップ５および弾性波素子５２の共振特性についてシミュレーションを行った。
図３は、実施の形態１におけるシミュレーション条件を模式的に示す図である。
図３に示すように、ＺカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム圧電単結晶を用い、第１の圧電基板１１の主面の結晶方位（０，０，０）、第２の圧電基板２１の主面の結晶方位（０，１８０，０）とした。
第１の圧電基板１１の厚さは４００ｎｍとした。
第２の圧電基板２１の厚さは４００ｎｍとした。
ＩＤＴの厚みは６０ｎｍとした。
ＩＤＴはアルミニウムにより形成した。
デューティー比は、１０％とした。
ピッチは３μｍとした。
電極指５２ｄの対数は、無限大とした。
第１の圧電基板１１の厚さは４００ｎｍとした。
第２の圧電基板２１の厚さは４００ｎｍとした。
ＩＤＴの厚みは６０ｎｍとした。
ＩＤＴはアルミニウムにより形成した。
デューティー比は、１０％とした。
ピッチは３μｍとした。
電極指５２ｄの対数は、無限大とした。
図４は、実施の形態１の比較例１におけるシミュレーション条件を模式的に示す図である。
図４に示すように、単一の圧電基板として、第１の圧電基板１１と同様の圧電基板を用いて、その厚さは４００ｎｍとした。その他の条件は、実施の形態１と同様である。
図５は、実施の形態１の比較例２におけるシミュレーション条件を模式的に示す図である。
図５に示すように、単一の圧電基板として、第１の圧電基板１１と同様の圧電基板を用いて、その厚さは８００ｎｍとした。その他の条件は、実施の形態１と同様である。
次に、上述のシミュレーションの結果を説明する。
図６は、実施の形態１における共振特性を示す図である。
図６は、実施の形態１における共振特性を示す図である。
図６に示すように、４ＧＨｚ～６ＧＨｚ帯において、共振特性が得られている。また、比較例１の圧電基板の厚み４００ｎｍに比べて、実施の形態１の圧電基板の厚みは８００ｎｍであり、機械的強度が大幅に向上していることがわかる。
図７は、比較例１における共振特性を示す図である。
図７に示すように、４ＧＨｚ～６ＧＨｚ帯において、共振特性が得られている。一方で、比較例１の圧電基板の厚みは４００ｎｍであり、実施の形態１の圧電基板の厚み（８００ｎｍ）と比べて、機械的強度が脆弱であり、共振特性と機械的強度の両立ができていないといえる。
図８は、比較例２における共振特性を示す図である。
図８に示すように、比較例２は、デバイスとして利用可能な共振特性が得られていない。一方で、比較例２の圧電基板の厚みは、実施の形態１の圧電基板の厚み（８００ｎｍ）と同じであり、機械的強度は同等である。しかし、共振特性が得られていないため、共振特性と機械的強度の両立ができていないといえる。
図９は、実施の形態１における電力印加時の圧電基板の変位量を示す図である。
図９に示されるように、電力印加時の電力が印加された電極５２ｄＩＮから隣接する電極指５２ｄＯＵＴの間において、第１の圧電基板１１の主面ｓｕｒｆａｃｅ１および他の主面ｕｒｆａｃｅ２近傍部分の変位量は、第１の圧電基板１１の内部ｉｎｔｅｒｎａｌ１の変位量よりも大きい。
電極５２ｄＩＮから隣接する電極指５２ｄＯＵＴの間において、第１の圧電基板１１の主面ｓｕｒｆａｃｅ１および他の主面ｓｕｒｆａｃｅ２近傍部は、１４から１８程度の変位量が多くみられる。第１の圧電基板１１の内部ｉｎｔｅｒｎａｌ１は、０から８程度の変位量が多くみられる。
変位量の単位は、μｍである。スケールは１００倍にしている。なお、圧電基板の変形の視認性を高めるため、見た目の変形は１００倍のスケールで図示している。
また、第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃｅ２および他の主面ｓｕｒｆａｃｅ３近傍部分の変位量は、第２の圧電基板２１の内部ｉｎｔｅｒｎａｌ２の変位量よりも大きい。電極５２ｄＩＮから隣接する電極指５２ｄＯＵＴの間において、第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃｅ２および他の主面ｓｕｒｆａｃｅ３近傍部は、１４から１８程度の変位量が多くみられる。第２の圧電基板２１の内部ｉｎｔｅｒｎａｌ２は、０から８程度の変位量が多くみられる。
なお、第１の圧電基板１１の他の主面ｓｕｒｆａｃｅ２と第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃｅ２は、接合されているため、説明の便宜上同じ符号を用いている。
また、図９に示されるように、電力印加時の電力が印加された電極指５２ｄＩＮ近傍の第１の圧電基板１１の主面ｓｕｒｆａｃｅ１の変位量は、第１の圧電基板１１の他の主面ｓｕｒｆａｃ２および第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃ２近傍の変位量よりも大きい。
電力印加時の電力が印加された電極指５２ｄＩＮ近傍の第１の圧電基板１１の主面ｓｕｒｆａｃｅ１は、８程度の変位量がみられた。第１の圧電基板１１の他の主面ｓｕｒｆａｃ２および第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃ２近傍は、２程度の変位量がみられた。
また、図９に示されるように、電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指５２ｄＯＵＴ近傍の第１の圧電基板１１の主面ｓｕｒｆａｃｅ１の変位量は、第１の圧電基板１１の他の主面ｓｕｒｆａｃｅ２および第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃｅ２近傍の変位量よりも大きい
電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指５２ｄＯＵＴ近傍の第１の圧電基板１１の主面ｓｕｒｆａｃｅ１は、１４程度の変位量がみられた。１の圧電基板１１の他の主面ｓｕｒｆａｃｅ２および第２の圧電基板２１の主面ｓｕｒｆａｃｅ２近傍は、２程度の変位量がみられた。
また、図９に示されるように、電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指５２ｄＯＵＴ近傍の第１の圧電基板１１および第２の圧電基板２１の総変位量は、電力が印加された電極指５２ｄＩＮ近傍の第１の圧電基板１１および第２の圧電基板２１の総変位量よりも大きい。
以上で説明された実施の形態１によれば、機械的強度が向上した弾性波デバイスを提供することができる。
実施の形態２．
図１０は、実施の形態２の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図１０は、実施の形態２の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図１０において、モジュール１００は、配線基板１３０と複数の外部接続端子１３１と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイス１とインダクタ１１１と封止部１１７とを備える。
複数の外部接続端子３１は、配線基板１３０の下面に形成される。複数の外部接続端子１３１は、予め設定された移動通信端末のマザーボードに実装される。
例えば、集積回路部品ＩＣは、配線基板１３０の内部に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。
弾性波デバイス１は、配線基板１３０の主面に実装される。
インダクタ１１１は、配線基板１３０の主面に実装される。インダクタ１１１は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。
封止部１１７は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。
以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、機械的強度が向上した弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。
「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。
１ 弾性波デバイス
３ 配線基板
５ デバイスチップ、 １１ 第１の圧電基板、 ２１第２の圧電基板２１
９ 電極パッド
１５ バンプ
１６ ２６ 空隙
１７ 封止部
２２ 支持基板
３１ 外部接続端子
５２ 弾性波素子、 ５２ａ ＩＤＴ、 ５２ｂ 反射器、 ５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指
１００ モジュール、 １０５ デバイスチップ、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子、 ＩＣ 集積回路部品
３ 配線基板
５ デバイスチップ、 １１ 第１の圧電基板、 ２１第２の圧電基板２１
９ 電極パッド
１５ バンプ
１６ ２６ 空隙
１７ 封止部
２２ 支持基板
３１ 外部接続端子
５２ 弾性波素子、 ５２ａ ＩＤＴ、 ５２ｂ 反射器、 ５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指
１００ モジュール、 １０５ デバイスチップ、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子、 ＩＣ 集積回路部品
Claims (13)
- 主面および他の主面を有する第１の圧電基板と、
前記第１の圧電基板の他の主面にその主面が接合された主面および他の主面を有する第２の圧電基板と、
前記第１の圧電基板の主面上に形成された複数の電極指を有する櫛形電極が相互に挿間するように配置されたIDT電極を有する共振器と
を備え、
電力印加時の電力が印加された電極指から隣接する電極指の間において、前記第１の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第１の圧電基板の内部の変位量よりも大きく、かつ、前記第２の圧電基板の主面および他の主面近傍部分の変位量は前記第２の圧電基板の内部の変位量よりも大きい弾性波デバイス。 - 電力印加時の電力が印加された電極指近傍の前記第１の圧電基板の主面の変位量は、前記第１の圧電基板の他の主面および前記第２の圧電基板の主面近傍の変位量よりも大きい請求項１に記載の弾性波デバイス。
- 電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指近傍の前記第１の圧電基板の主面の変位量は、前記第１の圧電基板の他の主面および前記第２の圧電基板の主面近傍の変位量よりも大きい請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
- 電力印加時の電力が動力に変換されたエネルギーが印加される電極指近傍の前記第１の圧電基板および第２の圧電基板の総変位量は、電力が印加された電極指近傍の前記第１の圧電基板および第２の圧電基板の総変位量よりも大きい請求項１に記載の弾性波デバイス。
- 前記第１の圧電基板の主面上の少なくとも一部および前記ＩＤＴ電極は、気密封止された空間に配置された請求項１～４に記載の弾性波デバイス。
- 前記第２の圧電基板の他の主面の前記共振器が形成された領域が中空構造となるように形成された支持基板を備える、請求項１～５に記載の弾性波デバイス。
- 前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板の極性は相互に反転している請求項１～６に記載の弾性波デバイス。
- 前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板は、ファンデルワールス力により接合されている請求項１～７に記載の弾性波デバイス。
- 前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶層の少なくとも一方を含む請求項１～８に記載の弾性波デバイス。
- 前記共振器により、前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板を伝搬する板波が励振される請求項１～９に記載の弾性波デバイス。
- 前記共振器の共振周波数は３～５GHzである請求項１～１０に記載の弾性波デバイス。
- 前記ＩＤＴ電極のデューティ比は、７％～１５％である請求項１～１１に記載の弾性波デバイス。
- 請求項１～１２に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022006090A JP2023105340A (ja) | 2022-01-19 | 2022-01-19 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
| CN202310072986.2A CN116470873A (zh) | 2022-01-19 | 2023-01-16 | 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022006090A JP2023105340A (ja) | 2022-01-19 | 2022-01-19 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2022006090A Pending JP2023105340A (ja) | 2022-01-19 | 2022-01-19 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
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|---|---|
| JP (1) | JP2023105340A (ja) |
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2022
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- 2023-01-16 CN CN202310072986.2A patent/CN116470873A/zh active Pending
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