JP2023094167A - スイッチング素子の出力電圧検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】スイッチング素子の出力電圧検出装置において、制御回路基板に大電流が流れることによる故障の影響を抑制することにある。【解決手段】スイッチング素子の出力電圧検出装置は、第1出力端子及び第2出力端子を備えるスイッチング素子(10)と、第1出力端子と第2出力端子の間の電位差である出力電圧を検出する制御回路基板(200)と、を備える。出力電圧検出装置は、第1出力端子にカソード端子が接続され、制御回路基板にアノード端子が接続されたダイオード(20)と、第1出力端子、ダイオード、及び制御回路基板を接続する所定経路に設けられたヒューズ機能(55)と、を備える。【選択図】 図12

Description

本発明は、スイッチング素子のオン電圧に応じた出力電圧を検出する出力電圧検出装置に関する。
従来、スイッチング素子(IGBT)の出力端子の電圧を、高耐圧ダイオードを介して監視する装置がある(特許文献1参照)。特許文献1に記載の装置では、高耐圧ダイオードのカソード端子に電源電圧(高電圧)が印加され、アノード端子が制御回路基板(低圧部)に接続されている。
特許第6665681号公報
ところで、特許文献1に記載の装置では、スイッチング素子の出力電圧を検出するために高耐圧ダイオードを追加したことにより、高耐圧ダイオードを介して制御回路基板に高電圧が印加されている。このため、高耐圧ダイオードが短絡した場合に、制御回路基板に大電流が流れて故障が発生して周りに影響するという新たな問題が生じるおそれがある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、スイッチング素子の出力電圧検出装置において、制御回路基板に大電流が流れることによる故障の影響を抑制することにある。
上記課題を解決するための第1の手段は、
第1出力端子(T1)及び第2出力端子(T2)を備えるスイッチング素子(10)と、前記第1出力端子と前記第2出力端子の間の電位差である出力電圧を検出する制御回路基板(200)と、を備えるスイッチング素子の出力電圧検出装置であって、
前記第1出力端子にカソード端子(20b,21b)が接続され、前記制御回路基板にアノード端子(20a,22a)が接続されたダイオード(20)と、
前記第1出力端子、前記ダイオード、及び前記制御回路基板を接続する所定経路(320)に設けられたヒューズ機能(55、56、32a、58)と、
を備える。
上記構成によれば、スイッチング素子の出力電圧検出装置は、スイッチング素子と、制御回路基板とを備えている。スイッチング素子は、第1出力端子及び第2出力端子を備えている。制御回路基板は、前記第1出力端子と前記第2出力端子の間の電位差である出力電圧を検出する。これにより、スイッチング素子の出力電圧検出装置は、スイッチング素子の出力電圧を監視することができる。
ここで、ダイオードは、前記第1出力端子にカソード端子が接続され、前記制御回路基板にアノード端子が接続されている。このため、ダイオードが短絡した場合に、制御回路基板に大電流が流れて故障が発生して周りに影響するおそれがある。この点、前記第1出力端子、前記ダイオード、及び前記制御回路基板を接続する所定経路に、ヒューズ機能が設けられている。このため、ダイオードが短絡した場合であっても、ヒューズ機能が働いて(ヒューズが溶断)して第1出力端子と制御回路基板とを切断することができる。したがって、スイッチング素子の出力電圧を検出するためのダイオードを備える出力電圧検出装置において、制御回路基板に大電流が流れることによる故障の影響を抑制することができる。
第2の手段では、
前記スイッチング素子は、パワーモジュール(120)に内蔵されており、
前記制御回路基板は、前記出力電圧を検出する検出部(211)を備え、
前記第1出力端子に接続され、前記パワーモジュールの外部まで延びる第1導体板(31,36)と、
前記検出部に接続され、前記制御回路基板の外部まで延びる第2導体板(32)と、を備え、
前記制御回路基板及び前記パワーモジュールの外部において、前記ダイオードのカソード端子が前記第1導体板に接続され、前記ダイオードのアノード端子が前記第2導体板に接続されている。
上記構成によれば、前記スイッチング素子は、パワーモジュールに内蔵されている。前記制御回路基板は、前記出力電圧を検出する検出部を備えている。ここで、上記出力電圧を検出するためのダイオードを制御回路基板に実装する場合は、ダイオードとの絶縁距離を確保するために、制御回路基板が大型化するおそれがある。また、上記出力電圧を検出するためのダイオードをパワーモジュールに内蔵する場合は、パワーモジュールが大型化するおそれがある。
この点、第1導体板は、前記第1出力端子に接続され、前記パワーモジュールの外部まで延びている。第2導体板は、前記検出部に接続され、前記制御回路基板の外部まで延びている。そして、前記制御回路基板及び前記パワーモジュールの外部において、前記ダイオードのカソード端子が前記第1導体板に接続され、前記ダイオードのアノード端子が前記第2導体板に接続されている。このため、制御回路基板においてダイオードとの絶縁距離を確保する必要がなく、制御回路基板が大型化することを抑制することができる。さらに、ダイオードをパワーモジュールに内蔵する必要がなく、パワーモジュールが大型化することを抑制することができる。
第3の手段では、前記制御回路基板及び前記パワーモジュールの外部の前記所定経路において、前記第1導体板及び前記第2導体板よりも細く形成された導体部により前記ヒューズ機能が構成されている。こうした構成によれば、制御回路基板においてヒューズ機能との絶縁距離を確保する必要がなく、制御回路基板が大型化することを抑制することができる。さらに、ヒューズ機能をパワーモジュールに内蔵する必要がなく、パワーモジュールが大型化することを抑制することができる。
第4の手段では、前記ダイオードは、ベアチップの状態であり、前記ダイオードと、前記第1導体板又は前記第2導体板とが、ボンディングワイヤ(55)により接続されており、前記ボンディングワイヤにより前記ヒューズ機能が構成されている。
上記構成によれば、前記ダイオードは、ベアチップの状態である。このため、ダイオードと他の配線等とをワイヤボンディングして、それらをボンディングワイヤにより接続することができる。この点、前記ダイオードと、前記第1導体板又は前記第2導体板とが、ボンディングワイヤにより接続されている。そして、前記ボンディングワイヤにより前記ヒューズ機能が構成されている。したがって、前記ダイオードと、前記第1導体板又は前記第2導体板とを接続する機能と、ヒューズ機能とを、ボンディングワイヤにより兼ねることができる。さらに、前記制御回路基板及び前記パワーモジュールの外部において、前記ダイオードと、前記第1導体板又は前記第2導体板とが接続されることにより、第3の手段と同様の作用効果を奏することができる。
第5の手段では、前記パワーモジュールと前記制御回路基板とは、複数の所定導体板(33,34)により接続されており、前記第1出力端子には、電源電圧が印加される。
一般に、前記パワーモジュールと前記制御回路基板とは、複数の所定導体板により接続されている。例えば、所定導体板は、スイッチング素子のゲートへ電力(電圧、電流)を出力するゲート配線として用いられたり、パワーモジュール及び制御回路基板の基準電位を同一にするための基準電位配線として用いられたりする。一方、パワーモジュールにおいて電源電圧(高電圧)が印加される配線は、一般に制御回路基板に接続する必要がないため、パワーモジュールの外部に露出されない。
この点、上記構成によれば、前記第1出力端子には、電源電圧が印加される。そして、第1導体板は、前記第1出力端子に接続され、前記パワーモジュールの外部まで延びている。したがって、電源電圧が印加される第1出力端子に第1導体板を介して、ダイオードのカソード端子を接続することができる。
第1実施形態のスイッチング素子の出力電圧検出装置を示す回路図。 ダイオードの接続態様を示す模式図。 ダイオードの接続態様の変更例を示す模式図。 ダイオードの接続態様の他の変更例を示す模式図。 ダイオードを2つ接続する場合の接続態様を示す模式図。 ダイオードを2つ接続する場合の接続態様の変更例を示す模式図。 第2実施形態のスイッチング素子の出力電圧検出装置を示す分解斜視図。 図7のスイッチング素子の出力電圧検出装置の回路図。 ダイオードの接続態様を示す模式図。 ダイオードの接続態様の変更例を示す模式図。 ダイオードの接続態様の他の変更例を示す模式図。 第3実施形態のダイオード及びヒューズの接続態様を示す模式図。 ダイオード及びヒューズの接続態様の変更例を示す模式図。 ダイオード及びヒューズの接続態様の他の変更例を示す模式図。 ヒューズの挿入箇所を示す回路図。
(第1実施形態)
以下、車両に搭載されて入力される制御信号に基づいて負荷の駆動を制御するパワースイッチング装置に具現化した第1実施形態につい、図面を参照して説明する。
図1に示すように、スイッチング素子の出力電圧検出装置100は、スイッチング素子10を含むパワー素子110が実装されたパワーモジュール120を備えている。パワーモジュール120には、各種配線300を介して制御回路基板200が接続されている。制御回路基板200には、スイッチング素子10のオンオフを制御する制御回路210が実装されている。
スイッチング素子10のオンオフを制御するための制御信号を伝達するゲート配線310と、スイッチング素子10の出力電圧を伝達するための電圧検出配線320と、制御回路210とスイッチング素子10とで基準電位を共通化するための基準電位配線330とを介して、パワーモジュール120と制御回路基板200とが接続されている。なお、配線300が接続されるパワーモジュール120側の端子をモジュール側の端子と称し、制御回路基板200側の端子を基板側の端子と称することがある。
パワー素子110は、スイッチング素子10を備えている。パワー素子110は1つのチップとして素子を形成しており、ひとつの制御端子T0と、2つの出力端子T1,T2とが、外部に接続可能に形成されている。
スイッチング素子10は、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を採用することができる。図1に示すように、IGBTにおけるゲート端子が制御端子T0に相当し、コレクタ端子が出力端子T1(第1出力端子)に相当し、エミッタ端子が出力端子T2(第2出力端子)に相当している。図示しないが、スイッチング素子10のコレクタ端子T1には、負荷に供給する高電圧(例えば800[V])の電源電圧VDDが印加される。エミッタ端子T2には、制御回路基板200と共通したグランド電位が接続される。なお、スイッチング素子10はIGBTに限定されることはなく、例えばMOSFETでもよい。スイッチング素子10がMOSFETの場合には、出力端子T1がドレイン端子に相当し、出力端子T2がソース端子に相当する。
高耐圧ダイオード20は一般的に知られたダイオード素子である。以降、高耐圧ダイオード20における順電圧をVFと表記する。高耐圧ダイオード20のカソード端子は、スイッチング素子10の出力電圧を検出するための検出端子T3を介して、スイッチング素子10におけるコレクタ端子T1に接続されている。また、高耐圧ダイオード20のアノード端子は、制御回路基板200における後述の電圧検出部211に接続されている。高耐圧ダイオード20はIGBTのコレクタ-エミッタ間電圧、すなわちスイッチング素子10の出力電圧を検出するための電圧検出素子である。具体的には、スイッチング素子10がオン状態のとき、高耐圧ダイオード20のアノード側に出力される検出電圧は、スイッチング素子10のオン電圧Vonと、高耐圧ダイオード20の順電圧VFの和である。例えば、スイッチング素子10のコレクタ電流として過電流が流れると、オン電圧が上昇して検出電圧も上昇する。
パワー素子110は、パワーモジュール120内に実装されている。パワーモジュール120は、図1に示すように、外部との接続端子として5つのモジュール側端子を備えている。すなわち、パワーモジュール120は、制御端子としてのゲート端子T0と、第1出力端子としてのコレクタ端子T1と、第2出力端子としてのエミッタ端子T2と、高耐圧ダイオード20の出力電圧を検出するための検出端子T3と、パワーモジュール120と制御回路基板200の基準電位を同一にするための基準端子T4とを備えている。
ゲート端子T0は、ゲート配線310によって制御回路基板200と接続されている。検出端子T3は、電圧検出配線320によって高耐圧ダイオード20を介して制御回路基板200と接続されている。基準端子T4は基準電位配線330によって制御回路基板200と接続されている。
制御回路基板200は、制御回路210と、ゲート抵抗器220,と電流制限抵抗器230と、ブランキング容量240と、を備えている。
制御回路210は、スイッチング素子10におけるゲート端子T0に対して、制御信号であるゲート電圧を出力する。また、制御回路210は電圧検出部211を含み、検出されたスイッチング素子10の出力電圧に基づいてゲート電圧の制御あるいはフェールセーフの制御を行う。本実施形態における制御回路210は特定用途向け集積回路(application specific integrated circuit)として構成され、ひとつのチップとして制御回路基板200に実装されている。制御回路210には電源電圧としてVCCが供給されている。
電圧検出部211(検出部)は、制御回路210に内蔵される機能部であり、電圧検出端子T3に基づいて出力される検出電圧、すなわちVon+VFを検出する。例えばスイッチング素子10に過電流が流れるとVonが上昇するため、検出電圧Von+VFも上昇する。制御回路210は、検出電圧が所定の閾値を超えたことを条件にフェールセーフ動作を行う等の制御をしている。
また、電圧検出部211は、定電流を電圧検出端子T3に出力する機能を有している。スイッチング素子10がオンの際に電流Iが生成され、電圧検出端子T3に供給される。電流Iの電流値は電圧検出部211内で生成された定電圧Vcに基づいて規定される。一方、スイッチング素子10がオフの際や、短絡状態にある場合には、高耐圧ダイオード20がオフするため、電圧検出端子T3には定電圧Vcが出力される。なお、定電圧Vcは制御回路210に供給される電源電圧VCCそのものでも良いし、制御回路210の内部で生成された電圧であっても良い。
ゲート抵抗器220は、制御回路210に含まれる図示しないドライバと、スイッチング素子10のゲート端子T0との間に挿入されている。ゲート抵抗器220は、スイッチング動作時のゲート充放電時間を最適にする目的で挿入されている。
電流制限抵抗器230は、高耐圧ダイオード20(電圧検出端子T3)と電圧検出部211との間に挿入されている。電流制限抵抗器230は、スイッチング動作時の過渡電流を抑制する目的で挿入されている。
ブランキング容量240は、電流制限抵抗器230と電圧検出部211と結ぶ配線と基準電位(グランド)との間に挿入されるコンデンサである。ブランキング容量240は、スイッチング素子10のターンオン動作時において、IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧が、IGBTの短絡判断電圧以下になるまでの間、フェールセーフ動作が行われないようにするために挿入されている。この時間(ブランキング時間)はブランキング容量240の容量値が大きいほど長く設定できる。
ここで、スイッチング素子10の出力電圧を検出するための高耐圧ダイオード20を制御回路基板200に実装する場合は、高耐圧ダイオード20との絶縁距離を確保するために、制御回路基板200が大型化するおそれがある。また、スイッチング素子10の出力電圧を検出するための高耐圧ダイオード20をパワーモジュール120に内蔵する場合は、パワーモジュール120が大型化するおそれがある。
上記に鑑みて、高耐圧ダイオード20は、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部に配置されている。図2に示すように、パワーモジュール120は、矩形板状に形成されている。制御回路基板200は、矩形板状に形成されている。パワーモジュール120の最も面積の大きい面である主面120aと、制御回路基板200の法線とが平行になっている。また、パワーモジュール120の法線と、制御回路基板200の最も面積の大きい面である主面200aとが平行になっている。高耐圧ダイオード20は、パワーモジュール120と制御回路基板200との間のスペースに配置されている。
バスバー41は、銅合金等により棒状に形成され、上記コレクタ端子T1に接続されている。バスバー42は、銅合金等により棒状に形成され、上記エミッタ端子T2に接続されている。
リードフレーム33は、銅合金等により薄板状及び柱状(針状)に形成され、パワーモジュール120に後述する樹脂により固定されている。また、リードフレーム33は、制御回路基板200に半田等により接合され、制御回路基板200に電気的に接続されている。リードフレーム33の一端は、ボンディングワイヤ51を介して上記ゲート端子T0に接続されている。また、リードフレーム33の他端は、ゲート抵抗器220を介して制御回路210に接続されている。リードフレーム33及びボンディングワイヤ51により、上記ゲート配線310が構成されている。
リードフレーム34は、銅合金等により薄板状に形成され、パワーモジュール120と制御回路基板200とに固定されている。リードフレーム34の一端は、ボンディングワイヤ52を介して上記基準端子T4に接続されている。また、リードフレーム34の他端は、制御回路210及びグランド電位に接続されている。リードフレーム34及びボンディングワイヤ52により、上記基準電位配線330が構成されている。すなわち、パワーモジュール120と制御回路基板200とは、複数のリードフレーム33,34(所定導体板)により接続されている。
リードフレーム31(第1導体板)は、銅合金等により薄板状に形成され、パワーモジュール120に固定されている。リードフレーム31の一端は、上記電圧検出端子T3に接続されている。すなわち、リードフレーム31は、電圧検出端子T3を介してコレクタ端子T1に接続され、パワーモジュール120の外部まで延びている。リードフレーム31の他端には、上記高耐圧ダイオード20のカソード端子20bが接続されている。すなわち、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、リードフレーム31に高耐圧ダイオード20のカソード端子20bが接続されている。
リードフレーム32(第2導体板)は、銅合金等により薄板状に形成され、パワーモジュール120と制御回路基板200とに固定されている。リードフレーム32の一端には、高耐圧ダイオード20のアノード端子20aが接続されている。リードフレーム32の他端は、上記電流制限抵抗器230に接続されている。すなわち、リードフレーム32は、電流制限抵抗器230を介して上記電圧検出部211に接続され、制御回路基板200の外部まで延びている。制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、リードフレーム32に高耐圧ダイオード20のアノード端子20aが接続されている。リードフレーム31,32により、上記電圧検出配線320が構成されている。
高耐圧ダイオード20は、例えば既製品のダイオードである。高耐圧ダイオード20のアノード端子20aとカソード端子20bとの間隔は、所定間隔wである。リードフレーム31とリードフレーム32との間隔は、所定間隔wに対応した間隔に設定されている。すなわち、リードフレーム31に高耐圧ダイオード20のカソード端子20bを接続し、リードフレーム32に高耐圧ダイオード20のアノード端子20aを接続可能なように、リードフレーム31とリードフレーム32との間隔が設定されている。なお、高耐圧ダイオード20として、カスタマイズ(特別注文)されたダイオードを用いることもできる。
パワー素子110(スイッチング素子10)、及びボンディングワイヤ51,52は、樹脂60により封止されている。また、バスバー41,42の一部、及びリードフレーム31~34の一部も、樹脂60により封止されている。高耐圧ダイオード20は、樹脂60により封止されていない。
以上詳述した本実施形態は、以下の利点を有する。
・リードフレーム31は、電圧検出端子T3を介してコレクタ端子T1に接続され、パワーモジュール120の外部まで延びている。リードフレーム32は、電圧検出部211に接続され、制御回路基板200の外部まで延びている。そして、高耐圧ダイオード20は、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、リードフレーム31にカソード端子20bが接続され、リードフレーム32にアノード端子20aが接続されている。このため、制御回路基板200において高耐圧ダイオード20との絶縁距離を確保する必要がなく、制御回路基板200が大型化することを抑制することができる。さらに、高耐圧ダイオード20をパワーモジュール120に内蔵する必要がなく、パワーモジュール120が大型化することを抑制することができる。
・パワーモジュール120において電源電圧VDD(高電圧)が印加される配線は、一般に制御回路基板200に接続する必要がないため、パワーモジュール120の外部に露出されない。この点、コレクタ端子T1には、電源電圧VDDが印加される。そして、リードフレーム31は、コレクタ端子T1に接続され、パワーモジュール120の外部まで延びている。したがって、電源電圧VDDが印加されるコレクタ端子T1にリードフレーム31を介して、高耐圧ダイオード20のカソード端子20bを接続することができる。
・高耐圧ダイオード20のアノード端子20aとカソード端子20bとの間隔は、所定間隔wであり、リードフレーム31とリードフレーム32との間隔は、所定間隔wに対応した間隔に設定されている。こうした構成によれば、高耐圧ダイオード20のアノード端子20aとカソード端子20bとの間隔に対応して、リードフレーム31とリードフレーム32との間隔が設定されているため、既製品の高耐圧ダイオード20を用いることができる。
なお、第1実施形態を、以下のように変更して実施することもできる。第1実施形態と同一の部分については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
・図3,4に示すように、リードフレーム32が、制御回路基板200に固定され、パワーモジュール120に固定されていない構成を採用することもできる。すなわち、リードフレーム32は、全体が樹脂60の外に配置されている。また、リードフレーム31は、パワーモジュール120と制御回路基板200とに固定されていてもよい。要するに、リードフレーム31,32は、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、高耐圧ダイオード20を接続可能であればよい。
・図5に示すように、スイッチング素子の出力電圧検出装置100は、高耐圧ダイオード20に代えて、第1高耐圧ダイオード21(第1ダイオード)と第2高耐圧ダイオード22(第2ダイオード)とを備えていてもよい。制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、第1高耐圧ダイオード21のカソード端子21bがリードフレーム31に接続され、第1高耐圧ダイオード21のアノード端子21aがリードフレーム35(仲介導体板)に接続されている。リードフレーム35は、銅合金等により薄板状に形成されており、パワーモジュール120に固定されていても、固定されていなくてもよい。制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、第2高耐圧ダイオード22のカソード端子22bがリードフレーム35に接続され、第2高耐圧ダイオード22のアノード端子22aがリードフレーム32に接続されている。
リードフレーム31とリードフレーム32との間隔は、第1高耐圧ダイオード21のアノード端子21aとカソード端子21bとの間隔である所定間隔w1と、第2高耐圧ダイオード22のアノード端子22aとカソード端子22bとの間隔である所定間隔w2とに対応した間隔に設定されている。すなわち、リードフレーム31に第1高耐圧ダイオード21のカソード端子21bを接続し、リードフレーム35に第1高耐圧ダイオード21のアノード端子21a及び第2高耐圧ダイオード22のカソード端子22bを接続し、リードフレーム32に第2高耐圧ダイオード22のアノード端子22aを接続可能なように、リードフレーム31とリードフレーム32との間隔が設定されている。
上記構成によれば、リードフレーム31とリードフレーム32との間に、第1高耐圧ダイオード21と第2高耐圧ダイオード22とをリードフレーム35を介して接続することができる。このため、第1高耐圧ダイオード21及び第2高耐圧ダイオード22の一方が短絡したとしても、リードフレーム31とリードフレーム32とが短絡することを抑制することができる。さらに、リードフレーム31とリードフレーム32との間に1つの高耐圧ダイオード20を接続する場合と比較して、第1高耐圧ダイオード21及び第2高耐圧ダイオード22を小型化することができ、第1高耐圧ダイオード21との絶縁距離、及び第2高耐圧ダイオード22との絶縁距離を確保しやすくなる。なお、図6に示すように、リードフレーム32が、制御回路基板200に固定され、パワーモジュール120に固定されていない構成を採用することもできる。
(第2実施形態)
以下、第2実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に説明する。なお、第1実施形態と同一の部分については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
本実施形態では、図7に示すように、スイッチング素子の出力電圧検出装置100は、3つ(複数)のパワーモジュール120を備える3相インバータとして具現化されている。各パワーモジュール120は、板状に形成され、最も面積が大きい主面120aが互いに対向するように配置されている。各パワーモジュール120は、ヒートシンク70の各スロット(挿入部)へ挿入され、ヒートシンク70の内部に流通する冷却水により水冷されている。
制御回路基板200は、複数のパワーモジュール120のZ方向(所定方向)の側部に対向するように配置されている。各パワーモジュール120の主面120aと、制御回路基板200の法線(Z方向の直線)とが平行になっている。また、各パワーモジュール120の法線(X方向の直線)と、制御回路基板200の最も面積の大きい面である主面200aとが平行になっている。
図8は、図7のスイッチング素子の出力電圧検出装置100の回路図である。なお、図8では、1相のパワーモジュール120のみを表示している。
各パワーモジュール120は、上アームのパワー素子110と、下アームのパワー素子110とを内蔵している。上アームのスイッチング素子10のエミッタ端子T2と、下アームのスイッチング素子10のコレクタ端子T1とが、出力端子T5に接続されている。
制御回路基板200には、各パワー素子110に対応した制御回路210、ゲート抵抗器220、電流制限抵抗器230、及びブランキング容量240がそれぞれ搭載されている。そして、各高耐圧ダイオード20は、各パワー素子110と制御回路基板200との間のスペースに配置されている。
図9に併せて示すように、バスバー41は、銅合金等により棒状に形成され、上アームのスイッチング素子10のコレクタ端子T1に接続されている。バスバー43は、銅合金等により棒状に形成され、出力端子T5に接続されている。バスバー42は、銅合金等により棒状に形成され、下アームのスイッチング素子10のエミッタ端子T2に接続されている。
リードフレーム31~34、及び各スイッチング素子10に対応する各高耐圧ダイオード20と、他の部材との接続態様は、第1実施形態と同様である。本実施形態では、リードフレーム31は、パワーモジュール120の外部までZ方向へ延びている。リードフレーム32は、制御回路基板200の外部までZ方向と反対方向へ延びている。
上記構成によれば、スイッチング素子の出力電圧検出装置100は、複数のパワーモジュール120を備え、複数のパワーモジュール120は、板状に形成され、最も面積が大きい主面120aが互いに対向するように配置されている。このため、複数のパワーモジュール120を積層して配置することができ、複数のパワーモジュール120を効率的に配置することができる。そして、制御回路基板200は、複数のパワーモジュール120のZ方向の側部に対向するように配置されている。このため、複数のパワーモジュール120に対して、共通のZ方向に制御回路基板200を配置することができ、制御回路基板200を共通化することができる。
ここで、リードフレーム31は、パワーモジュール120の外部までZ方向へ延びている。そして、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、リードフレーム31に高耐圧ダイオード20のカソード端子20bが接続されている。また、リードフレーム32は、制御回路基板200の外部までZ方向と反対方向へ延びている。そして、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、リードフレーム32に高耐圧ダイオード20のアノード端子20aが接続されている。したがって、複数のパワーモジュール120と制御回路基板200との間のスペースを利用して、リードフレーム31とリードフレーム32とに高耐圧ダイオード20を接続することができる。
なお、第2実施形態を、以下のように変更して実施することもできる。第2実施形態と同一の部分については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
・図10に示すように、スイッチング素子の出力電圧検出装置100が、上記出力端子T5及び制御回路基板200に接続されたリードフレーム36(導体板)を備える場合は、下アームにおいてリードフレーム36に高耐圧ダイオード20のカソード端子20bを接続してもよい。そして、下アームにおいて、リードフレーム32に高耐圧ダイオード20のアノード端子20aを接続してもよい。
・図11に示すように、制御回路基板200に平行にパワーモジュール120を配置することもできる(平置きタイプ)。この場合も、コレクタ端子T1に接続されたバスバー41や、出力端子T5に接続されたバスバー43にダイオード20を接続することができる。各リードフレームは、制御回路基板200に電気的に接続されている。
(第3実施形態)
以下、第3実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に説明する。なお、第1実施形態と同一の部分については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
図1,2に示すように、高耐圧ダイオード20は、電圧検出端子T3を介してコレクタ端子T1にカソード端子20bが接続され、制御回路基板200にアノード端子20aが接続されている。このため、高耐圧ダイオード20が短絡した場合に、制御回路基板200に大電流が流れて故障が発生して周りに影響するおそれがある。
そこで、本実施形態では、コレクタ端子T1、高耐圧ダイオード20、及び電圧検出部211(制御回路210、制御回路基板200)を接続する所定経路に、ヒューズ機能を設けている。具体的には、図12に示すように、高耐圧ダイオード20は、ベアチップの状態である。高耐圧ダイオード20のカソード端子20bと、リードフレーム31とが、ワイヤボンディングされてボンディングワイヤ55により接続されている。ボンディングワイヤ55(導体部)は、リードフレーム31,32よりも細く形成されており、上記電源電圧VDDに応じた大電流が流れた場合に溶断する。すなわち、ボンディングワイヤ55によりヒューズ(ヒューズ機能)が構成されている。なお、図12では、上記リードフレーム33,34等の表示を省略している。
上記構成によれば、高耐圧ダイオード20が短絡した場合であっても、ボンディングワイヤ55が溶断してコレクタ端子T1と制御回路基板200とを切断することができる。したがって、スイッチング素子10の出力電圧を検出するための高耐圧ダイオード20を備える出力電圧検出装置100において、制御回路基板200に大電流が流れることによる故障の影響を抑制することができる。
高耐圧ダイオード20は、ベアチップの状態である。このため、高耐圧ダイオード20とリードフレーム31とをワイヤボンディングして、それらをボンディングワイヤ55により接続することができる。そして、ボンディングワイヤ55によりヒューズ(ヒューズ機能)が構成されている。したがって、高耐圧ダイオード20と、リードフレーム31とを接続する機能と、ヒューズ機能とを、ボンディングワイヤ55により兼ねることができる。さらに、制御回路基板200及びパワーモジュール120の外部において、高耐圧ダイオード20と、リードフレーム31とが接続されることにより、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、第3実施形態を、以下のように変更して実施することもできる。第3実施形態と同一の部分については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
・図13に示すように、ボンディングワイヤ55に代えて、リードフレーム31,32よりも細く形成されたバスバー56(導体部)によりヒューズ(ヒューズ機能)を構成することもできる。バスバー56は、高耐圧ダイオード20のカソード端子20bと、リードフレーム31とを接続している。
図14に示すように、リードフレーム32においてリードフレーム31よりも細く形成された細部32a(導体部)によりヒューズ(ヒューズ機能)を構成することもできる。なお、高耐圧ダイオード20のカソード端子20bと、リードフレーム31とは、配線57により接続されている。
図13,14の構成によれば、制御回路基板200においてヒューズ機能との絶縁距離を確保する必要がなく、制御回路基板200が大型化することを抑制することができる。さらに、ヒューズ機能をパワーモジュール120に内蔵する必要がなく、パワーモジュール120が大型化することを抑制することができる。
なお、上記の各実施形態を、以下のように変更して実施することもできる。
・ゲート抵抗器220、電流制限抵抗器230、ブランキング容量240が制御回路基板200に含まれる例について説明したが、ゲート抵抗器220、電流制限抵抗器230、ブランキング容量240はパワーモジュール120側に含まれるように実装されてもよいし、制御回路基板200およびパワーモジュール120の外側に実装されてもよい。
・第3実施形態及びその変更例のボンディングワイヤ55、バスバー56、及びリードフレーム32の細部32a(ヒューズ機能)を、第2実施形態に適用することもできる。また、パワーモジュール120及び制御回路基板200の少なくとも一方にヒューズ機能を内蔵することもできる。すなわち、図15に示すように、ヒューズ58(ヒューズ機能)は、コレクタ端子T1、高耐圧ダイオード20、及び電圧検出部211(制御回路210、制御回路基板200)を接続する所定経路のいずれかの箇所に設けられていればよい。
10…スイッチング素子、20…高耐圧ダイオード、20a…アノード端子、20b…カソード端子、21…第1高耐圧ダイオード、21a…アノード端子、21b…カソード端子、22…第2高耐圧ダイオード、22a…アノード端子、22b…カソード端子、31…リードフレーム、32…リードフレーム、32a…細部、36…リードフレーム、55…ボンディングワイヤ、56…バスバー、100…スイッチング素子の出力電圧検出装置、120…パワーモジュール、200…制御回路基板、210…制御回路、211…電圧検出部、320…電圧検出配線、T1…コレクタ端子、T2…エミッタ端子、T3…電圧検出端子。

Claims (5)

  1. 第1出力端子(T1)及び第2出力端子(T2)を備えるスイッチング素子(10)と、前記第1出力端子と前記第2出力端子の間の電位差である出力電圧を検出する制御回路基板(200)と、を備えるスイッチング素子の出力電圧検出装置であって、
    前記第1出力端子にカソード端子(20b,21b)が接続され、前記制御回路基板にアノード端子(20a,22a)が接続されたダイオード(20)と、
    前記第1出力端子、前記ダイオード、及び前記制御回路基板を接続する所定経路(320)に設けられたヒューズ機能(55、56、32a、58)と、
    を備えるスイッチング素子の出力電圧検出装置。
  2. 前記スイッチング素子は、パワーモジュール(120)に内蔵されており、
    前記制御回路基板は、前記出力電圧を検出する検出部(211)を備え、
    前記第1出力端子に接続され、前記パワーモジュールの外部まで延びる第1導体板(31,36)と、
    前記検出部に接続され、前記制御回路基板の外部まで延びる第2導体板(32)と、を備え、
    前記制御回路基板及び前記パワーモジュールの外部において、前記ダイオードのカソード端子が前記第1導体板に接続され、前記ダイオードのアノード端子が前記第2導体板に接続されている、請求項1に記載のスイッチング素子の出力電圧検出装置。
  3. 前記制御回路基板及び前記パワーモジュールの外部の前記所定経路において、前記第1導体板及び前記第2導体板よりも細く形成された導体部により前記ヒューズ機能が構成されている、請求項2に記載のスイッチング素子の出力電圧検出装置。
  4. 前記ダイオードは、ベアチップの状態であり、
    前記ダイオードと、前記第1導体板又は前記第2導体板とが、ボンディングワイヤ(55)により接続されており、
    前記ボンディングワイヤにより前記ヒューズ機能が構成されている、請求項2又は3に記載のスイッチング素子の出力電圧検出装置。
  5. 前記パワーモジュールと前記制御回路基板とは、複数の所定導体板(33,34)により接続されており、
    前記第1出力端子には、電源電圧が印加される、請求項2~4のいずれか1項に記載のスイッチング素子の出力電圧検出装置。
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