JP2023083009A - Wiring board and method for manufacturing wiring board - Google Patents

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勉 山内
Tsutomu Yamauchi
康平 鈴木
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Abstract

To improve the connection reliability of wiring boards.SOLUTION: A wiring board of the embodiment includes a first conductor pattern 111 and a second conductor pattern 121 facing each other, an insulating layer 22 interposed between the first conductor pattern 111 and the second conductor pattern 121, and a via conductor 42 penetrating the insulating layer 22 and connecting the first conductor pattern 111 and the second conductor pattern 121. The first conductor pattern 111 has a recess 11b in the surface 11a on the second conductor pattern 121 side, and a portion of the side 42a of the via conductor 42 is in contact with the recess 11b.SELECTED DRAWING: Figure 2A

Description

本発明は、配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing the wiring board.

特許文献1には、スタックビア構造を有する多層配線基板が開示されている。上下に隣接する一連のビアパッドにおいて上側のビアパッドの最下部は、下側のビアパッドの上面中央に形成されている凹部の底面に配置されている。 Patent Document 1 discloses a multilayer wiring board having a stacked via structure. In a series of vertically adjacent via pads, the lowermost portion of the upper via pad is arranged on the bottom surface of a recess formed in the center of the upper surface of the lower via pad.

特開2008-270531号公報JP 2008-270531 A

特許文献1に開示の多層配線基板における上下のビアパッド同士の接続構造では、両ビアパッドの接続面積は、上側のビアパッドの底面の面積に制限される。そのため、ビアパッド同士の接続強度が不足し、十分な接続信頼性が得られないことがある。 In the connection structure between the upper and lower via pads in the multilayer wiring board disclosed in Patent Document 1, the connection area of both via pads is limited to the area of the bottom surface of the upper via pad. Therefore, the connection strength between the via pads is insufficient, and sufficient connection reliability may not be obtained.

本発明の配線基板は、互いに対向する第1導体パターン及び第2導体パターンと、前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとの間に介在する絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続しているビア導体と、を含んでいる。そして、前記第1導体パターンは、前記第2導体パターン側の表面に凹部を有し、前記ビア導体の側面の一部が前記凹部と接している。 The wiring board of the present invention comprises a first conductor pattern and a second conductor pattern facing each other, an insulating layer interposed between the first conductor pattern and the second conductor pattern, and a conductor penetrating through the insulating layer. a via conductor connecting the first conductor pattern and the second conductor pattern. The first conductor pattern has a recess on the surface on the second conductor pattern side, and a part of the side surface of the via conductor is in contact with the recess.

本発明の配線基板の製造方法は、第1導体パターンを形成することと、前記第1導体パターンを覆う絶縁層を形成することと、前記絶縁層を貫く貫通孔をレーザー光の照射によって形成することと、前記絶縁層上に第2導体パターンを形成することと、前記貫通孔内に前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続するビア導体を形成することと、を含んでいる。そして、前記貫通孔を形成することは、前記レーザー光の照射によって前記第1導体パターンの表面に前記貫通孔と連続的に繋がる凹部を形成することを含んでいる。 A method of manufacturing a wiring board according to the present invention includes forming a first conductor pattern, forming an insulating layer covering the first conductor pattern, and forming a through hole penetrating the insulating layer by irradiating a laser beam. forming a second conductor pattern on the insulating layer; and forming a via conductor connecting the first conductor pattern and the second conductor pattern in the through hole. . Forming the through-hole includes forming a recess continuously connected to the through-hole on the surface of the first conductor pattern by irradiating the laser beam.

本発明の実施形態によれば、ビア導体と導体パターンとの接続の信頼性を向上させ得ることがある。 According to the embodiments of the present invention, it may be possible to improve the reliability of connection between via conductors and conductor patterns.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to one embodiment of the present invention; FIG. 図1のIIA部の拡大図。The enlarged view of the IIA part of FIG. 図1の配線基板における導体パターンの一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of a conductor pattern on the wiring board of FIG. 1; 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of the wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す拡大図。FIG. 4 is an enlarged view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の製造方法で用いられるレーザー光の強度分布の一例を示す模式図。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of intensity distribution of laser light used in the manufacturing method of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す拡大図。FIG. 4 is an enlarged view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board being manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention; FIG.

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1は一実施形態の配線基板の一例である配線基板100を示す断面図であり、図2Aは、図1のIIA部の拡大図である。図2Bには、図2Aに示される導体パターン111の平面図が、ビア導体42と共に示されている。なお、配線基板100は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図1の配線基板100の積層構造、並びに配線基板100に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。 A wiring board according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wiring board 100 that is an example of a wiring board according to one embodiment, and FIG. 2A is an enlarged view of the IIA portion of FIG. FIG. 2B shows a plan view of conductor pattern 111 shown in FIG. 2A together with via conductors 42 . Note that the wiring board 100 is merely an example of the wiring board of the present embodiment. The laminated structure of the wiring board of the embodiment and the number of conductor layers and insulating layers are not limited to the laminated structure of the wiring board 100 in FIG.

図1に示されるように、配線基板100は、コア基板3、及び、コア基板3の両面それぞれに積層されている導体層及び絶縁層を含んでいる。具体的には、配線基板100は、導体層11~16、絶縁層30、及び絶縁層21~24を含んでいる。コア基板3の第1面3a上に、順に、絶縁層21、導体層11、絶縁層22、及び、導体層12が積層されている。一方、コア基板3の第2面3b上に、順に、絶縁層23、導体層13、絶縁層24、及び導体層14が積層されている。コア基板3は絶縁層30並びに導体層15及び導体層16を含んでいる。導体層15及び導体層16は、絶縁層30の第1面3a側の表面及び第2面3b側の表面にそれぞれ形成されている。絶縁層30には、導体層15と導体層16とを接続するスルーホール導体33が形成されている。実施形態の配線基板は、ひと組以上の互いに対向する2つの導体層と、対向する2つの導体層の間に介在する1以上の絶縁層を含み得る。 As shown in FIG. 1, the wiring board 100 includes a core substrate 3, and conductor layers and insulating layers laminated on both sides of the core substrate 3, respectively. Specifically, the wiring board 100 includes conductor layers 11-16, an insulating layer 30, and insulating layers 21-24. An insulating layer 21 , a conductor layer 11 , an insulating layer 22 , and a conductor layer 12 are laminated in this order on the first surface 3 a of the core substrate 3 . On the other hand, on the second surface 3b of the core substrate 3, an insulating layer 23, a conductor layer 13, an insulating layer 24, and a conductor layer 14 are laminated in this order. The core substrate 3 includes an insulating layer 30 and conductor layers 15 and 16 . The conductor layer 15 and the conductor layer 16 are formed on the first surface 3a side surface and the second surface 3b side surface of the insulating layer 30, respectively. A through-hole conductor 33 that connects the conductor layer 15 and the conductor layer 16 is formed in the insulating layer 30 . The wiring board of the embodiment may include one or more sets of two conductor layers facing each other and one or more insulating layers interposed between the two conductor layers facing each other.

なお、実施形態の説明では、配線基板100の厚さ方向において絶縁層30から遠い側は、「外側」、「上側」若しくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層30に近い側は、「内側」、「下側」若しくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各導体層に含まれる導体パターン、並びに各絶縁層において、絶縁層30と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層30側を向く表面は「下面」とも称される。配線基板100の厚さ方向は、「Z方向」とも称される。 In the description of the embodiments, the side farther from the insulating layer 30 in the thickness direction of the wiring board 100 is also referred to as "outer", "upper" or "upper", or simply "upper", and is closer to the insulating layer 30. The sides are also referred to as "inner", "lower" or "lower", or simply "lower". Furthermore, in each conductor layer, the conductor pattern included in each conductor layer, and each insulating layer, the surface facing away from the insulating layer 30 is also referred to as the "upper surface", and the surface facing the insulating layer 30 is also referred to as the "lower surface". is called The thickness direction of the wiring board 100 is also referred to as the "Z direction".

導体層12及び絶縁層22の上にはソルダーレジスト5が形成されている。導体層14及び絶縁層24の上にもソルダーレジスト5が形成されている。各ソルダーレジスト5には、導体層12の一部又は導体層14の一部を露出させる開口が設けられている。 A solder resist 5 is formed on the conductor layer 12 and the insulating layer 22 . A solder resist 5 is also formed on the conductor layer 14 and the insulating layer 24 . Each solder resist 5 is provided with an opening that exposes a portion of the conductor layer 12 or a portion of the conductor layer 14 .

配線基板100は、さらにビア導体41~44を含んでいる。ビア導体41、42、43、44は、それぞれ、絶縁層21、22、23、24を貫通している。絶縁層21~24は、各絶縁層を貫く、貫通孔6又は貫通孔61を有しており、各ビア導体は各絶縁層を貫く貫通孔6又は貫通孔61内に形成されている。絶縁層21を貫く貫通孔61はビア導体41で充填されており、絶縁層22を貫く貫通孔6はビア導体42で充填されている。絶縁層23又は絶縁層24を貫く貫通孔61は、ビア導体43又はビア導体44で充填されている。 Wiring board 100 further includes via conductors 41 to 44 . Via conductors 41, 42, 43 and 44 penetrate insulating layers 21, 22, 23 and 24, respectively. The insulating layers 21 to 24 have a through hole 6 or a through hole 61 that penetrates each insulating layer, and each via conductor is formed in the through hole 6 or through hole 61 that penetrates each insulating layer. A through hole 61 penetrating the insulating layer 21 is filled with a via conductor 41 , and a through hole 6 penetrating the insulating layer 22 is filled with a via conductor 42 . A through-hole 61 passing through the insulating layer 23 or the insulating layer 24 is filled with a via conductor 43 or a via conductor 44 .

ビア導体41~44は、それぞれ、互いに対向する2つの導体層の一方から突出して他方と接している。ビア導体41は、導体層11と一体的に形成されていて導体層11と導体層15とを接続している。ビア導体42は、導体層12と一体的に形成されていて導体層12と導体層11とを接続している。ビア導体43は、導体層13と一体的に形成されていて導体層13と導体層16とを接続している。ビア導体44は、導体層14と一体的に形成されていて導体層14と導体層13とを接続している。 Via conductors 41 to 44 each protrude from one of two conductor layers facing each other and are in contact with the other. Via conductor 41 is formed integrally with conductor layer 11 and connects conductor layer 11 and conductor layer 15 . Via conductors 42 are formed integrally with conductor layer 12 and connect conductor layers 12 and 11 . Via conductors 43 are formed integrally with conductor layer 13 and connect conductor layers 13 and 16 . Via conductors 44 are formed integrally with conductor layer 14 and connect conductor layer 14 and conductor layer 13 .

絶縁層30及び絶縁層21~24は任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などが例示される。図1の例では、絶縁層30は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材(補強材)34を含んでいる。各絶縁層は、さらに、例えば二酸化ケイ素やアルミナなどの粒体からなるフィラー(図示せず)を含み得る。 The insulating layer 30 and the insulating layers 21 to 24 are made of any insulating resin. Examples of the insulating resin include epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), and phenol resin. In the example of FIG. 1, the insulating layer 30 includes a core material (reinforcing material) 34 made of glass fiber, aramid fiber, or the like. Each insulating layer may further include a filler (not shown) consisting of particles such as silicon dioxide or alumina.

導体層11~16、スルーホール導体33、及びビア導体41~44は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。導体層11~14、及びビア導体41~44は、図1の例では、それぞれ、第1金属膜4aと、第1金属膜4a上に形成されている第2金属膜4bとを含む2層構造を有している。ビア導体42を構成している第1金属膜4aは貫通孔6の内壁に直接形成されており、ビア導体41、43、44それぞれを構成している第1金属膜4aは貫通孔61の内壁に直接形成されている。 Conductor layers 11-16, through-hole conductors 33, and via conductors 41-44 may be formed using any metal such as copper or nickel. In the example of FIG. 1, each of the conductor layers 11 to 14 and the via conductors 41 to 44 is a two-layer structure including a first metal film 4a and a second metal film 4b formed on the first metal film 4a. have a structure. The first metal film 4 a forming the via conductor 42 is formed directly on the inner wall of the through hole 6 , and the first metal film 4 a forming each of the via conductors 41 , 43 and 44 is formed on the inner wall of the through hole 61 . is formed directly on the

第1金属膜4aは、例えば、無電解めっきやスパッタリングなどによって形成されている。第2金属膜4bは、例えば、第1金属膜4aを給電層として用いる電解めっきによって形成される電解めっき膜である。スルーホール導体33も、無電解めっき膜及び電解めっき膜などを含む2層構造を有している。一方、導体層15及び導体層16は、金属箔をさらに含む3層構造を有している。 The first metal film 4a is formed by electroless plating, sputtering, or the like, for example. The second metal film 4b is, for example, an electrolytic plated film formed by electrolytic plating using the first metal film 4a as a power supply layer. The through-hole conductor 33 also has a two-layer structure including an electroless plated film and an electrolytic plated film. On the other hand, the conductor layers 15 and 16 have a three-layer structure further including metal foil.

導体層11~16は、それぞれ、任意の導体パターンを含んでいる。例えば、導体層11は、導体パターン111(第1導体パターン)及び導体パターン112を含み、導体層12は導体パターン121(第2導体パターン)及び導体パターン122を含んでいる。導体層13及び導体層14は、それぞれ導体パターン131及び導体パターン141を含んでいる。 Each of the conductor layers 11-16 includes arbitrary conductor patterns. For example, conductor layer 11 includes conductor pattern 111 (first conductor pattern) and conductor pattern 112 , and conductor layer 12 includes conductor pattern 121 (second conductor pattern) and conductor pattern 122 . The conductor layer 13 and the conductor layer 14 respectively include conductor patterns 131 and conductor patterns 141 .

導体パターン111と導体パターン121は互いに少なくとも部分的に対向しており、導体パターン112と導体パターン122は互いに少なくとも部分的に対向している。導体パターン131と導体パターン141は互いに少なくとも部分的に対向している。絶縁層22は、導体パターン111と導体パターン121との間に介在すると共に、導体パターン112と導体パターン122との間に介在している。導体パターン131と導体パターン141との間には絶縁層24が介在している。 Conductive patterns 111 and 121 are at least partially opposed to each other, and conductive patterns 112 and 122 are at least partially opposed to each other. The conductor pattern 131 and the conductor pattern 141 are at least partially opposed to each other. The insulating layer 22 is interposed between the conductor patterns 111 and 121 and between the conductor patterns 112 and 122 . An insulating layer 24 is interposed between the conductor pattern 131 and the conductor pattern 141 .

導体パターン121及び導体パターン122は、それぞれ、ビア導体42の所謂ビアランド(ビアパッド)を含み、導体パターン111及び導体パターン112は、それぞれ、ビア導体42の所謂受けパッドを含んでいる。同様に、導体パターン141はビア導体44の所謂ビアランドを含み、導体パターン131はビア導体44の所謂受けパッドを含んでいる。 Conductive patterns 121 and 122 each include so-called via lands (via pads) for via conductors 42 , and conductive patterns 111 and 112 each include so-called receiving pads for via conductors 42 . Similarly, the conductor pattern 141 includes so-called via lands for the via conductors 44 , and the conductor pattern 131 includes so-called receiving pads for the via conductors 44 .

すなわち、ビア導体42は、導体パターン121又は導体パターン122と一体的に形成されていて導体パターン121又は導体パターン122から突出しており、導体パターン111又は導体パターン112と接している。導体パターン121から突出するビア導体42は、導体パターン111と導体パターン121とを接続している。導体パターン122から突出するビア導体42は、導体パターン112と導体パターン122とを接続している。同様に、ビア導体44は導体パターン131と導体パターン141とを接続している。 That is, via conductors 42 are integrally formed with conductor pattern 121 or conductor pattern 122 , protrude from conductor pattern 121 or conductor pattern 122 , and are in contact with conductor pattern 111 or conductor pattern 112 . Via conductors 42 projecting from conductor pattern 121 connect conductor pattern 111 and conductor pattern 121 . Via conductors 42 projecting from conductor pattern 122 connect conductor pattern 112 and conductor pattern 122 . Similarly, via conductors 44 connect conductive patterns 131 and 141 .

図1の例において、ビア導体41~44は、いずれも、受けパッド側に向かって先細りする形状を有している。例えば導体パターン111と導体パターン121とを接続するビア導体42は、導体パターン111に向かって先細りする形状を有している。しかし、ビア導体42のテーパー角TA1(図2A参照)は、ビア導体41、43、44それぞれのテーパー各TA2(図2A参照)よりも小さい。そのため、ビア導体41、43、44よりも、ビア導体42の方が微細な配線パターンの形成に有利なことがある。なお、各ビア導体の「テーパー角」は、Z方向に対する各ビア導体の側面の角度である。 In the example of FIG. 1, via conductors 41 to 44 all have a shape that tapers toward the receiving pad side. For example, a via conductor 42 connecting conductive pattern 111 and conductive pattern 121 has a shape that tapers toward conductive pattern 111 . However, the taper angle TA1 (see FIG. 2A) of via conductor 42 is smaller than the taper angle TA2 (see FIG. 2A) of each of via conductors 41, 43, and 44. FIG. Therefore, the via conductors 42 are sometimes more advantageous than the via conductors 41, 43, and 44 in forming fine wiring patterns. The "taper angle" of each via conductor is the angle of the side surface of each via conductor with respect to the Z direction.

導体パターン111と導体層15とを接続するビア導体41と、導体パターン111と導体パターン121とを接続するビア導体42とは、Z方向において積層されており、平面視で重なっている。すなわち、これらビア導体41及びビア導体42はスタックビア導体を構成している。なお「平面視」は、配線基板100をZ方向に沿う視線で見ることを意味している。 The via conductors 41 connecting the conductor pattern 111 and the conductor layer 15 and the via conductors 42 connecting the conductor pattern 111 and the conductor pattern 121 are stacked in the Z direction and overlap in plan view. That is, these via conductors 41 and via conductors 42 constitute stack via conductors. Note that “planar view” means viewing the wiring board 100 with a line of sight along the Z direction.

図1の配線基板100では、絶縁層22を貫通する複数のビア導体42における導体層11側の先端は、いずれも、各ビア導体42の受けパッド(導体パターン111や導体パターン112など)の内部に入り込んでいる。この点についての詳細が、導体パターン111に入り込んでいるビア導体42を例に、図2A及び図2Bを参照して以下に説明される。 In the wiring board 100 of FIG. 1 , the tips of the plurality of via conductors 42 penetrating the insulating layer 22 on the side of the conductor layer 11 are all inside the receiving pads (conductor patterns 111, 112, etc.) of the via conductors 42. getting into Details of this point will be described below with reference to FIGS. 2A and 2B, using via conductors 42 that enter conductor pattern 111 as an example.

図2Aに示されるように、導体パターン111は、導体パターン121側の表面11aに凹部11bを有している。表面11aは、導体層12を向く導体パターン111の表面であって絶縁層22と接している。凹部11bは、表面11aから導体パターン121と反対方向に向かって、すなわち、絶縁層21及び導体層15側に向かって凹んでいる。図2Aの例において凹部11bは、表面11aに沿う方向に広がる底面11b1と、底面11b1と交差する面であって凹部11b内の空間を囲む内壁面(内側面)11b2とを有している。図2Aの例の凹部11bは、絶縁層21側に向かって先細りするテーパー形状を有している。そのため、内壁面11b2は、底面11b1側が凹部11bの中心側に近づくように、Z方向に対して傾いており、底面11b1の法線に対しても傾いている。 As shown in FIG. 2A, the conductor pattern 111 has a concave portion 11b on the surface 11a on the conductor pattern 121 side. The surface 11 a is the surface of the conductor pattern 111 that faces the conductor layer 12 and is in contact with the insulating layer 22 . The recess 11b is recessed from the surface 11a in a direction opposite to the conductor pattern 121, that is, toward the insulating layer 21 and the conductor layer 15 side. In the example of FIG. 2A, the recess 11b has a bottom surface 11b1 that extends along the surface 11a, and an inner wall surface (inner surface) 11b2 that intersects with the bottom surface 11b1 and surrounds the space inside the recess 11b. The concave portion 11b in the example of FIG. 2A has a tapered shape that tapers toward the insulating layer 21 side. Therefore, the inner wall surface 11b2 is inclined with respect to the Z direction so that the bottom surface 11b1 approaches the center of the recess 11b, and is also inclined with respect to the normal line of the bottom surface 11b1.

そして、本実施形態では、ビア導体42の側面42aの一部が凹部11bと接している。すなわち、図2Aの例において、ビア導体42は、導体パターン111側の端部において凹部11bに挿入されており、側面42aが、導体パターン111側の端部において凹部11bの内壁面11b2と接している。一方、ビア導体42における導体パターン111側の端面42bは凹部11bの底面11b1に接している。 In this embodiment, a part of the side surface 42a of the via conductor 42 is in contact with the recess 11b. That is, in the example of FIG. 2A, the via conductor 42 is inserted into the recess 11b at the end on the conductor pattern 111 side, and the side surface 42a is in contact with the inner wall surface 11b2 of the recess 11b at the end on the conductor pattern 111 side. there is On the other hand, the end surface 42b of the via conductor 42 on the conductor pattern 111 side is in contact with the bottom surface 11b1 of the recess 11b.

本実施形態では、このようにビア導体42の端面42bだけでなく、ビア導体42の側面42aも、導体パターン111側の端部において凹部11bに接している。そのため、例えば端面42bだけが導体パターン111と接している場合と比べて、導体パターン111とビア導体42との接触面積が大きい。従って、導体パターン111とビア導体42との密着強度が、例えば端面42bだけが導体パターン111と接している場合と比べて高いと考えられる。すなわち、ビア導体42と導体パターン111との接続信頼性が、従来よりも高いと考えられる。 In this embodiment, not only the end surface 42b of the via conductor 42 but also the side surface 42a of the via conductor 42 are in contact with the recess 11b at the end on the conductor pattern 111 side. Therefore, the contact area between the conductor pattern 111 and the via conductor 42 is larger than in the case where only the end face 42b is in contact with the conductor pattern 111, for example. Therefore, it is considered that the adhesion strength between the conductor pattern 111 and the via conductor 42 is higher than when only the end face 42b is in contact with the conductor pattern 111, for example. That is, it is considered that the connection reliability between the via conductors 42 and the conductor patterns 111 is higher than in the conventional art.

ビア導体42と導体パターン111のような、ビア導体と、そのビア導体と接続される導体パターン(所謂受けパッド)との間には、例えば、ビア導体が貫く絶縁層の温度変化による伸縮などによって、両者を剥離させる方向の応力が生じ得る。そのため、両者の界面での剥離やクラックなどが生じることがある。特に、配線基板には、電子機器の小型化に伴って配線の高密度化が求められる。そしてその実現のためにビア導体の小径化が求められることがある。しかし、ビア導体がその端面だけで受けパッドと接する構造では、ビア導体の小径化は、ビア導体と受けパッドとの接触面積の減少に直結し、その接触面積の減少量に対応する密着力の低下を招き得る。そのため、ビア導体とその受けパッドとの界面剥離などがさらに生じ易くなることがある。 Between the via conductors such as the via conductors 42 and the conductor pattern 111 and the conductor patterns (so-called receiving pads) connected to the via conductors, for example, expansion and contraction due to changes in temperature of the insulating layer penetrated by the via conductors may occur. , a stress in the direction of separating the two can occur. Therefore, peeling or cracking may occur at the interface between the two. In particular, wiring substrates are required to have higher wiring densities as electronic devices become smaller. In order to achieve this, it is sometimes required to reduce the diameter of via conductors. However, in a structure in which a via conductor is in contact with a receiving pad only at its end surface, a reduction in the diameter of the via conductor directly leads to a decrease in the contact area between the via conductor and the receiving pad, and the reduction in contact area corresponds to a decrease in adhesion. can lead to decline. Therefore, interfacial peeling between the via conductor and its receiving pad may occur more easily.

これに対して、本実施形態では、ビア導体42の端面42bだけでなく側面42aも、凹部11bにおいて導体パターン111と接している。そのため、端面42bだけが導体パターン111と接しているときよりも、ビア導体42と導体パターン111との間に広い接触面積が得られている。従って、両者の密着力が高まっていると考えられる。 In contrast, in the present embodiment, not only the end surface 42b of the via conductor 42 but also the side surface 42a are in contact with the conductor pattern 111 in the recess 11b. Therefore, a larger contact area is obtained between the via conductor 42 and the conductor pattern 111 than when only the end surface 42b is in contact with the conductor pattern 111 . Therefore, it is considered that the adhesion between the two is increased.

加えて仮にビア導体42が小径化されても、例えば、凹部11bの深さを深くしてビア導体42をより深く凹部11bに挿入することによって、側面42aと凹部11bとの接触面積を大きくすることができる。すなわち、端面42bでの接触面積の減少が、側面42aによる接触面積の拡大によって補われ得ることがある。ビア導体42と導体パターン111との密着力の低下が抑制されることがある。又は、ビア導体42と導体パターン111との密着力が維持若しくは向上することがある。従って、密着力の低下に伴う、例えば界面剥離のような接続に関する不具合の発生が抑制されることがある。 In addition, even if the diameter of the via conductor 42 is reduced, for example, by increasing the depth of the recess 11b and inserting the via conductor 42 deeper into the recess 11b, the contact area between the side surface 42a and the recess 11b can be increased. be able to. That is, the decrease in the contact area at the end surface 42b may be compensated for by the increase in the contact area due to the side surface 42a. A decrease in adhesion between the via conductor 42 and the conductor pattern 111 may be suppressed. Alternatively, the adhesion between the via conductor 42 and the conductor pattern 111 may be maintained or improved. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of problems related to connection, such as interfacial peeling, caused by a decrease in adhesion.

このように本実施形態に依れば、ビア導体42と導体パターン111との接続信頼性を向上させ得ることがある。図1の例では、絶縁層22を貫通するビア導体42の全てにおいて、各ビア導体42が接続されている導体パターン111、112のような受けパッドとの接続信頼性が、向上することがある。 As described above, according to this embodiment, the connection reliability between the via conductors 42 and the conductor patterns 111 may be improved. In the example of FIG. 1, the reliability of connection with receiving pads such as conductor patterns 111 and 112 to which each via conductor 42 is connected may be improved in all of the via conductors 42 penetrating the insulating layer 22. .

ビア導体42は、絶縁層22を貫く貫通孔6内の部分と、導体パターン111の凹部11b内の部分とを有している。しかし、ビア導体42を構成する第1金属膜4a及び第2金属膜4bそれぞれにおいて、貫通孔6内の部分と凹部11b内の部分とは一体的に形成されている。例えば、ビア導体42の側面42aは、貫通孔6内の部分から凹部11b内の部分まで連続的に延びている。図2Aに示される断面において、側面42aは、導体パターン111の表面11aとの接点付近で屈曲せずに直線的に延びている。すなわち、図2Bに示されるように、導体パターン111の表面11aにおいて、凹部11bの周縁と貫通孔6の周縁とが重なっている。好ましくは、ビア導体42の側面42aは、導体パターン111の表面11a付近に段差を有していない。例えば導体パターン111と絶縁層22との間にずれ応力が生じても、導体パターン111と絶縁層22との界面をビア導体42内に延長したようなクラックがビア導体42に生じ難いと考えられる。 Via conductor 42 has a portion inside through hole 6 penetrating insulating layer 22 and a portion inside recess 11 b of conductor pattern 111 . However, in each of the first metal film 4a and the second metal film 4b forming the via conductor 42, the portion inside the through-hole 6 and the portion inside the recess 11b are integrally formed. For example, the side surface 42a of the via conductor 42 continuously extends from the portion inside the through hole 6 to the portion inside the recess 11b. In the cross section shown in FIG. 2A, the side surface 42a extends linearly without bending near the point of contact with the surface 11a of the conductor pattern 111. As shown in FIG. That is, as shown in FIG. 2B, on the surface 11a of the conductor pattern 111, the peripheral edges of the recesses 11b and the peripheral edges of the through holes 6 overlap. Preferably, side surface 42 a of via conductor 42 does not have a step near surface 11 a of conductive pattern 111 . For example, even if shear stress occurs between the conductor pattern 111 and the insulating layer 22, cracks that extend the interface between the conductor pattern 111 and the insulating layer 22 into the via conductor 42 are unlikely to occur in the via conductor 42. .

図2Aに示されるように、ビア導体42を構成する第1金属膜4aの厚さは、凹部11bの深さよりも小さい。そのため、凹部11bの底面11b1を覆う第1金属膜4aの表面4aa(底面11b1と反対側の表面)は、導体パターン111の表面11aよりも、絶縁層21側に位置している。そして、第2金属膜4b及び第1金属膜4aが、Z方向において表面11aを横切っている。導体パターン111の表面11aと第1金属膜4aの表面4aaとが面一である場合と比べて、第1金属膜4aと第2金属膜4bとの界面剥離が生じ難いと考えられる。 As shown in FIG. 2A, the thickness of first metal film 4a forming via conductor 42 is smaller than the depth of recess 11b. Therefore, the surface 4aa of the first metal film 4a covering the bottom surface 11b1 of the recess 11b (the surface opposite to the bottom surface 11b1) is located closer to the insulating layer 21 than the surface 11a of the conductive pattern 111 is. The second metal film 4b and the first metal film 4a cross the surface 11a in the Z direction. As compared with the case where the surface 11a of the conductor pattern 111 and the surface 4aa of the first metal film 4a are flush with each other, it is considered that the interfacial separation between the first metal film 4a and the second metal film 4b is less likely to occur.

凹部11bの深さD、すなわち、ビア導体42における凹部11bへの挿入長さは、例えば、2μm以上、8μm以下である。前述したようなビア導体42と導体パターン111との密着強度の向上作用が得られ、且つ、凹部11bの形成が容易であると考えられる。また、凹部11bの深さDは、例えば、導体パターン111の厚さの10%以上、50%以下である。しかし、凹部11bの深さは、上記範囲に限定されず、例えば8μmよりも大きくてもよい。 The depth D of the recess 11b, that is, the insertion length of the via conductor 42 into the recess 11b is, for example, 2 μm or more and 8 μm or less. It is considered that the effect of improving the adhesion strength between the via conductor 42 and the conductor pattern 111 as described above can be obtained, and the formation of the concave portion 11b is easy. Also, the depth D of the concave portion 11b is, for example, 10% or more and 50% or less of the thickness of the conductor pattern 111 . However, the depth of the concave portion 11b is not limited to the above range, and may be, for example, greater than 8 μm.

前述したように、ビア導体42のテーパー角TA1は、ビア導体41のテーパー角TA2よりも小さい。テーパー角TA1は、例えば80°以上、88°以下である。比較的小さいテーパー角TA1を有するビア導体42は、導体パターン121側において、導体パターン111側の端面42bに対して比較的小さい拡大率を有する端面を有し得る。例えば、導体パターン121側の端面におけるビア導体42の幅Wは、15μm以上、30μm以下である。その場合、絶縁層22の厚さ(導体パターン111と導体パターン121との間の距離)は15~30μmであってもよい。 As described above, the taper angle TA1 of via conductor 42 is smaller than the taper angle TA2 of via conductor 41 . The taper angle TA1 is, for example, 80° or more and 88° or less. A via conductor 42 having a relatively small taper angle TA1 can have an end surface on the conductor pattern 121 side that has a relatively small enlargement ratio with respect to the end surface 42b on the conductor pattern 111 side. For example, the width W of the via conductor 42 at the end face on the conductor pattern 121 side is 15 μm or more and 30 μm or less. In that case, the thickness of the insulating layer 22 (the distance between the conductor pattern 111 and the conductor pattern 121) may be 15 to 30 μm.

なお、ビア導体42の「幅」、及び後述される凹部11bの「幅」は、平面視における、ビア導体42及び凹部11bそれぞれの外周上の任意の2点間の最長距離である。ここで、ビア導体42及び凹部11bの平面形状は、例えば円形であってもよく、方形であってもよい。ビア導体42及び凹部11bの平面形状が円形である場合、ビア導体42及び凹部11bそれぞれの幅は、ビア導体42及び凹部11bそれぞれの円形の平面形状の直径である。 The "width" of the via conductor 42 and the "width" of the recess 11b, which will be described later, are the longest distances between arbitrary two points on the peripheries of the via conductor 42 and the recess 11b, respectively, in plan view. Here, the planar shapes of via conductors 42 and recesses 11b may be, for example, circular or rectangular. When the planar shape of via conductor 42 and recess 11b is circular, the width of via conductor 42 and recess 11b is the diameter of the circular planar shape of via conductor 42 and recess 11b.

配線基板100では、図2A及び図2Bに示されるように、凹部11bの幅と、凹部11b内のビア導体42の幅とが略同じである。前述したように、凹部11bは、絶縁層21側に向かって先細りする形状を有している。ビア導体42は、貫通孔6内において導体パターン111に向かって先細りする形状を有しており、凹部11b内においても、貫通孔6内でのテーパー角TA1と略同じテーパー角で絶縁層21に向かって先細りする形状を有している。図2Aの例では、凹部11bと凹部11b内のビア導体42とは、互いに略同じテーパー角TA1を有している。そのため、図2Aの例では、凹部11bの幅と凹部11b内のビア導体42の幅とが、Z方向全体に渡って略同じである。 In the wiring board 100, as shown in FIGS. 2A and 2B, the width of the recess 11b is substantially the same as the width of the via conductor 42 in the recess 11b. As described above, the concave portion 11b has a shape that tapers toward the insulating layer 21 side. The via conductor 42 has a shape that tapers toward the conductor pattern 111 within the through hole 6, and is tapered to the insulating layer 21 at a taper angle TA1 that is substantially the same as the taper angle TA1 within the through hole 6 also within the recess 11b. It has a tapered shape. In the example of FIG. 2A, the recess 11b and the via conductor 42 in the recess 11b have approximately the same taper angle TA1. Therefore, in the example of FIG. 2A, the width of the recess 11b and the width of the via conductor 42 in the recess 11b are substantially the same over the entire Z direction.

さらに、図2A及び図2Bに示されるように、配線基板100では、ビア導体42の側面42aは、導体パターン111側の端部において全周に渡って凹部11bと接している。具体的には、側面42aは凹部11b内で全周に渡って凹部11bと接している。そして、上記の通り、凹部11bの幅と凹部11b内のビア導体42の幅とがZ方向全体に渡って略同じなので、凹部11bの内壁面11b2の略全面がビア導体42の側面42aと接している。従って、ビア導体42と導体パターン111との密着強度が、内壁面11b2と側面42aとが部分的に接している場合よりもなお高まっていると考えられる。 Furthermore, as shown in FIGS. 2A and 2B, in wiring board 100, side surface 42a of via conductor 42 is in contact with recess 11b over the entire circumference at the end on the conductor pattern 111 side. Specifically, the side surface 42a is in contact with the recess 11b over the entire circumference within the recess 11b. As described above, since the width of the recess 11b and the width of the via conductor 42 in the recess 11b are substantially the same over the entire Z direction, substantially the entire inner wall surface 11b2 of the recess 11b is in contact with the side surface 42a of the via conductor 42. ing. Therefore, it is considered that the adhesion strength between the via conductor 42 and the conductor pattern 111 is higher than when the inner wall surface 11b2 and the side surface 42a are partially in contact with each other.

また、凹部11bはビア導体42で充填されている。図2Aの例では、凹部11bの底面11b1の全面が、ビア導体42の端面42bと接している。すなわち、凹部11b全体がビア導体42で充填されている。凹部11b内にボイドなどが存在する場合と比べて、熱膨張や熱収縮などによる不具合が生じ難いと考えられる。 Also, the recess 11 b is filled with the via conductor 42 . In the example of FIG. 2A , the entire bottom surface 11 b 1 of the recess 11 b is in contact with the end surface 42 b of the via conductor 42 . That is, the entire recess 11 b is filled with the via conductor 42 . It is considered that problems due to thermal expansion and thermal contraction are less likely to occur than in the case where voids or the like are present in the concave portion 11b.

図3には、実施形態の配線基板の他の例である配線基板101の断面図が示されている。配線基板101は、図1の例の配線基板100と同様の構造を有している。しかし配線基板101は、導体パターン111の内部に先端が入り込んでいるビア導体42に加えて、導体パターン112の内部に先端が略入り込んでいないビア導体421を絶縁層22に含んでいる。このように、実施形態の配線基板は、導体パターン111や導体パターン112のような所謂受けパッドに先端を入り込ませているビア導体(例えばビア導体42)と、入り込ませていないビア導体(例えばビア導体421)とを、1つの絶縁層に含んでいてもよい。例えば、微細なピッチで並ぶ配線パターンと、大きな幅を有する電源パターンやGNDパターンなどとを、その1つの絶縁層に隣接する導体層に混在させ得ることがある。 FIG. 3 shows a cross-sectional view of a wiring board 101 that is another example of the wiring board of the embodiment. The wiring board 101 has the same structure as the wiring board 100 in the example of FIG. However, the wiring substrate 101 includes via conductors 42 whose tips do not enter inside the conductor pattern 111 , and via conductors 421 whose tips do not substantially enter inside the conductor pattern 112 in the insulating layer 22 . Thus, the wiring board of the embodiment includes via conductors (for example, the via conductors 42) whose tips are inserted into so-called receiving pads such as the conductor patterns 111 and the conductor patterns 112, and via conductors (for example, the via conductors) whose tips are not inserted. 421) may be included in one insulating layer. For example, a wiring pattern arranged at a fine pitch and a power supply pattern or GND pattern having a large width may be mixed in a conductor layer adjacent to one insulating layer.

図3の配線基板101では、絶縁層22に加えて絶縁層24にも、所謂受けパッドの内部に先端が入り込んでいるビア導体(ビア導体421)を含んでいる。ビア導体421は、導体層13に含まれる導体パターン132と、導体層14に含まれる導体パターン142とを接続している。導体パターン132は、ビア導体421の所謂受けパッドを含み、導体パターン142は、ビア導体421の所謂ビアランドを含んでいる。導体パターン132は、導体パターン142側の表面13aに凹部13bを有している。そして、ビア導体421における導体パターン132側の端部は凹部13bに挿入されていて、その側面が凹部13bと接している。凹部13b全体がビア導体421で充填されており、凹部13bの内壁面の略全面がビア導体421の側面と接している。 In the wiring board 101 of FIG. 3, the insulating layer 24 as well as the insulating layer 22 include via conductors (via conductors 421) whose tips are inserted into the insides of so-called receiving pads. The via conductors 421 connect the conductor pattern 132 included in the conductor layer 13 and the conductor pattern 142 included in the conductor layer 14 . Conductive pattern 132 includes so-called receiving pads for via conductors 421 , and conductive pattern 142 includes so-called via lands for via conductors 421 . The conductor pattern 132 has a concave portion 13b on the surface 13a on the conductor pattern 142 side. The end of the via conductor 421 on the conductor pattern 132 side is inserted into the recess 13b, and the side surface of the via conductor 421 is in contact with the recess 13b. The entire recess 13 b is filled with the via conductor 421 , and substantially the entire inner wall surface of the recess 13 b is in contact with the side surface of the via conductor 421 .

図3の配線基板101のように、実施形態の配線基板は、コア基板の両面それぞれに積層されている絶縁層の両方に、所謂受けパッドに先端を入り込ませているビア導体を備えていてもよい。実施形態の配線基板において、図1及び図2に示されるビア導体42のように先端を受けパッドに入り込ませているビア導体は、任意の絶縁層に設けられ得る。 Like the wiring board 101 in FIG. 3, the wiring board according to the embodiment may include via conductors whose ends are inserted into so-called receiving pads on both insulating layers laminated on both sides of the core board. good. In the wiring board of the embodiment, via conductors whose tips are recessed into receiving pads like the via conductors 42 shown in FIGS. 1 and 2 can be provided in any insulating layer.

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図1の配線基板100を例に用いて図4A~図4Hを参照して説明される。 Next, a method for manufacturing a wiring board according to one embodiment will be described with reference to FIGS. 4A to 4H using the wiring board 100 of FIG. 1 as an example.

図4Aに示されるように、コア基板3が用意され、さらにコア基板3の第1面3a上に絶縁層21が形成されると共に、第2面3b上に絶縁層23が形成される。コア基板3の用意では、例えば、コア基板3の絶縁層30となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔を含む出発基板(例えば両面銅張積層板)が用意される。そして、貫通孔の形成及びパネルめっきに続くサブトラクティブ法を用いたパターニングによって、所望の導体パターンを有する導体層15及び導体層16、並びにスルーホール導体33が形成される。 As shown in FIG. 4A, a core substrate 3 is prepared, an insulating layer 21 is formed on the first surface 3a of the core substrate 3, and an insulating layer 23 is formed on the second surface 3b. In preparation of the core substrate 3, for example, an insulating layer to be the insulating layer 30 of the core substrate 3 and a starting substrate (for example, a double-sided copper-clad laminate) including metal foil laminated on both surfaces of the insulating layer are prepared. be. Then, the conductor layers 15 and 16 having desired conductor patterns and the through-hole conductors 33 are formed by patterning using the subtractive method following the formation of through-holes and panel plating.

絶縁層21及び絶縁層23の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板3の第1面3a及び第2面3bそれぞれの上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、絶縁層21及び絶縁層23が形成される。各絶縁層には、ビア導体41又はビア導体43を形成するための貫通孔61が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。 In forming the insulating layer 21 and the insulating layer 23, for example, a film-like epoxy resin is laminated on the first surface 3a and the second surface 3b of the core substrate 3, and heated and pressurized. As a result, insulating layers 21 and 23 are formed. Through holes 61 for forming via conductors 41 or via conductors 43 are formed in each insulating layer by, for example, carbon dioxide laser light irradiation.

そして、導体パターン111を含む導体層11が絶縁層21上に形成され、絶縁層23上には導体層13が形成される。絶縁層21を貫く貫通孔61内にはビア導体41が形成され、絶縁層23を貫く貫通孔61内にはビア導体43が形成される。導体層11及び導体層13、並びにビア導体41及びビア導体43は、例えば、セミアディティブ法によって、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。まず、絶縁層21及び絶縁層23の表面、並びに貫通孔61内に、無電解めっきやスパッタリングによって第1金属膜4aが形成される。そして、絶縁層21上の第1金属膜4aの上には、導体パターン111などの導体層11に含まれるべき導体パターンの形成領域に応じた開口を有するめっきレジスト(図示せず)が設けられる。同様に絶縁層23上の第1金属膜4aの上にもめっきレジスト(図示せず)が設けられる。そして、第1金属膜4aを給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによって各めっきレジストの開口内に第2金属膜4bが形成される。その結果、貫通孔61内に、ビア導体41又はビア導体43が形成される。 A conductor layer 11 including a conductor pattern 111 is formed on the insulating layer 21 , and a conductor layer 13 is formed on the insulating layer 23 . Via conductors 41 are formed in through holes 61 penetrating insulating layer 21 , and via conductors 43 are formed in through holes 61 penetrating insulating layer 23 . The conductor layers 11 and 13 and the via conductors 41 and 43 are formed using any metal such as copper or nickel by, for example, a semi-additive method. First, the first metal film 4a is formed on the surfaces of the insulating layers 21 and 23 and in the through holes 61 by electroless plating or sputtering. Then, on the first metal film 4a on the insulating layer 21, a plating resist (not shown) having openings corresponding to formation regions of conductor patterns to be included in the conductor layer 11 such as the conductor pattern 111 is provided. . Similarly, a plating resist (not shown) is provided on the first metal film 4a on the insulating layer 23 as well. Then, the second metal film 4b is formed in the opening of each plating resist by pattern plating including electrolytic plating using the first metal film 4a as a power supply layer. As a result, via conductors 41 or via conductors 43 are formed in through holes 61 .

めっきレジストが除去された後、めっきレジストの除去によって露出する第1金属膜4aの不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、導体パターン111及びその他の所定の導体パターンを含む導体層11が形成される。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、導体パターン111(第1導体パターン)を形成することを含んでいる。絶縁層23上には、導体パターン131などの所定の導体パターンを含む導体層13が形成される。 After the plating resist is removed, unnecessary portions of the first metal film 4a exposed by the removal of the plating resist are removed, for example, by etching. As a result, the conductor layer 11 including the conductor pattern 111 and other predetermined conductor patterns is formed. As described above, the wiring board manufacturing method of the present embodiment includes forming the conductor pattern 111 (first conductor pattern). A conductor layer 13 including a predetermined conductor pattern such as a conductor pattern 131 is formed on the insulating layer 23 .

図4Bに示されるように、導体パターン111を含む導体層11を覆う絶縁層22、及び導体層13を覆う絶縁層24が形成される。本実施形態の配線基板の製造方法は、このように、導体パターン111を覆う絶縁層22を形成することを含んでいる。絶縁層22及び絶縁層24は、例えば、前述した絶縁層21及び絶縁層23の形成方法と同様の方法で形成される。例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を絶縁層21及び導体層11の上に積層して熱圧着することによって絶縁層22が形成される。 As shown in FIG. 4B, an insulating layer 22 covering the conductor layer 11 including the conductor pattern 111 and an insulating layer 24 covering the conductor layer 13 are formed. The wiring board manufacturing method of the present embodiment includes forming the insulating layer 22 covering the conductor pattern 111 in this manner. The insulating layer 22 and the insulating layer 24 are formed by, for example, the same method as the method for forming the insulating layer 21 and the insulating layer 23 described above. For example, the insulating layer 22 is formed by laminating a film-like epoxy resin on the insulating layer 21 and the conductor layer 11 and thermally compressing them.

図4C及び図4Dに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、絶縁層22を貫く貫通孔6を形成することを含んでいる。図4Dは、図4Cに示されるIVD部の拡大図を示している。貫通孔6はビア導体42(図4G参照)が形成されるべき領域に形成される。貫通孔6は、レーザー光Lを絶縁層22に照射することによって形成される。絶縁層22に貫通孔6を形成することによって、導体層11に含まれている導体パターン111などの所定の導体パターンの一部が貫通孔6内に露出される。なお、絶縁層24には、ビア導体44(図4G参照)が形成されるべき領域に貫通孔61が形成される。貫通孔61も、レーザー光の照射などによって形成される。貫通孔6の形成と貫通孔61の形成とは、同一のレーザー加工機を用いて同一の工程内で連続的に行われてもよく、順に実施される別々の工程で互いに異なる加工機を用いて行われてもよい。 As shown in FIGS. 4C and 4D, the wiring board manufacturing method of the present embodiment further includes forming through holes 6 penetrating the insulating layer 22 . FIG. 4D shows an enlarged view of the IVD section shown in FIG. 4C. Through holes 6 are formed in regions where via conductors 42 (see FIG. 4G) are to be formed. The through hole 6 is formed by irradiating the insulating layer 22 with the laser beam L. As shown in FIG. By forming the through hole 6 in the insulating layer 22 , a part of the predetermined conductor pattern such as the conductor pattern 111 included in the conductor layer 11 is exposed in the through hole 6 . Through holes 61 are formed in insulating layer 24 in regions where via conductors 44 (see FIG. 4G) are to be formed. The through hole 61 is also formed by laser light irradiation or the like. The formation of the through-holes 6 and the formation of the through-holes 61 may be performed continuously in the same process using the same laser processing machine, or may be performed in separate processes in sequence using different processing machines. may be done.

図4Dに示されるように、貫通孔6を形成することは、レーザー光Lの照射によって導体パターン111における絶縁層21と反対方向を向く表面11aに、凹部11bを形成することを含んでいる。すなわち、貫通孔6の形成に伴って、貫通孔6と連続的に繋がっている凹部11bが表面11aに形成される。好ましくは、表面11aにおいて貫通孔6の周縁と重なる周縁を有していて貫通孔6の内壁面と凹部11bの内壁面との境界に段差を有しない凹部11bが形成される。 As shown in FIG. 4D, forming the through hole 6 includes forming a recess 11b on the surface 11a of the conductor pattern 111 facing away from the insulating layer 21 by irradiation with the laser beam L. That is, along with the formation of the through hole 6, the recess 11b continuously connected to the through hole 6 is formed on the surface 11a. Preferably, recess 11b having a peripheral edge overlapping the peripheral edge of through hole 6 on surface 11a and having no step at the boundary between the inner wall surface of through hole 6 and the inner wall surface of recess 11b is formed.

貫通孔6及び凹部11bは、例えば、レーザー光Lの一連の照射によって略同時又は連続的に形成される。すなわち、貫通孔6を形成すべく照射されるレーザー光Lの照射が貫通孔6の形成後にも停止されずに継続されてもよい。そして、その継続されるレーザー光Lが、貫通孔6に露出する導体パターン111の表面11aに照射されることによって、凹部11bが形成されてもよい。或いは、貫通孔6の形成が完了する前に、形成途上の貫通孔6内に露出する導体パターン111の表面11aの一部にレーザー光Lが照射され、貫通孔6の形成と並行して凹部11bの一部又は全部が形成されてもよい。レーザー光Lの照射によって、貫通孔6の形成と連続的に又は同時に凹部11bが形成されるので、効率よく凹部11bを形成することができる。 The through-hole 6 and the concave portion 11b are formed substantially simultaneously or continuously by a series of irradiation with the laser light L, for example. That is, the irradiation of the laser beam L to form the through hole 6 may be continued without being stopped even after the through hole 6 is formed. Then, the recess 11b may be formed by irradiating the surface 11a of the conductor pattern 111 exposed in the through hole 6 with the laser light L that continues. Alternatively, before the formation of the through hole 6 is completed, a part of the surface 11a of the conductor pattern 111 exposed in the through hole 6 being formed is irradiated with the laser beam L, and the recess is formed in parallel with the formation of the through hole 6. A part or all of 11b may be formed. Since the recesses 11b are formed continuously or simultaneously with the formation of the through holes 6 by the irradiation of the laser light L, the recesses 11b can be formed efficiently.

貫通孔6及び貫通孔61(図4C参照)の形成に用いられるレーザーとしては、炭酸ガスレーザーやYAGレーザーなどが例示されるが、各貫通孔の形成に用いられるレーザーは特に限定されない。例えば、貫通孔6の形成には、直進性に優れた紫外線領域の波長を有する紫外線(UV)レーザーが用いられてもよい。前述したような、30μmを下回るような幅を有するビア導体42の形成に適した貫通孔6の形成に有利なことがある。 Examples of the laser used to form the through holes 6 and 61 (see FIG. 4C) include a carbon dioxide laser and a YAG laser, but the laser used to form each through hole is not particularly limited. For example, the through holes 6 may be formed using an ultraviolet (UV) laser having a wavelength in the ultraviolet region, which is superior in straightness. It may be advantageous to form through holes 6 suitable for forming via conductors 42 having a width of less than 30 μm, as described above.

図4Eには、貫通孔6の形成に用いられるレーザー光の強度分布(ビームプロファイル)の例が示されている。図4Eでは、レーザー光L1及びレーザー光L2の中心が横軸の0点に示され、その中心からの径方向の距離(横軸)に対するレーザー光L1、L2の強度が縦軸に示されている。 FIG. 4E shows an example of the intensity distribution (beam profile) of the laser light used for forming the through holes 6. As shown in FIG. In FIG. 4E, the center of the laser light L1 and the laser light L2 is indicated by the 0 point on the horizontal axis, and the intensity of the laser light L1 and L2 with respect to the radial distance from the center (horizontal axis) is indicated on the vertical axis. there is

図4Eにおいてレーザー光L1は、ガウス分布のようにレーザー光の中心ほど高い強度を有する、所謂ガウシアン型の強度分布を有している。一方、レーザー光L2は、レーザー光の中心からの距離に関して所定の範囲内では略均一な強度を示す、所謂トップハット型の強度分布を有している。貫通孔6及び凹部11bの形成に用いられるレーザー光Lは、図4Eに示されるレーザー光L1、L2の強度分布を含む、任意の強度分布を有し得る。例えば、レーザー光L2のようなトップハット型の強度分布を有するレーザー光Lを用いることが、貫通孔6及び凹部11bの形成において有益なことがある。レーザー光全体が所望の大きさの領域に集中されるため、小径の貫通孔6及び凹部11bを形成し得ることがある。また、その所望の大きさの領域に集中された光がその領域内で略均一な強度分布を有するため、貫通孔6の形成に続いて、所望の面積を有する凹部11bが形成され易いと考えられる。 In FIG. 4E, the laser beam L1 has a so-called Gaussian intensity distribution in which the intensity increases toward the center of the laser beam like a Gaussian distribution. On the other hand, the laser beam L2 has a so-called top-hat intensity distribution in which the intensity is substantially uniform within a predetermined range with respect to the distance from the center of the laser beam. The laser light L used for forming the through hole 6 and the recess 11b can have any intensity distribution including the intensity distribution of the laser lights L1 and L2 shown in FIG. 4E. For example, using a laser beam L having a top-hat intensity distribution such as the laser beam L2 may be beneficial in forming the through hole 6 and the recess 11b. Since the entire laser beam is concentrated in a region of desired size, it may be possible to form small-diameter through holes 6 and recesses 11b. In addition, since the light concentrated in the region of the desired size has a substantially uniform intensity distribution within that region, it is believed that the recesses 11b having the desired area are likely to be formed following the formation of the through-holes 6. be done.

なお、トップハット型の強度分布を有するレーザー光Lが貫通孔6の形成に用いられる場合でも、レーザー光Lを発する光源(図示せず)として、例えばガウシアン型の強度分布を有する光源が用いられてもよい。その場合、例えば適切な光学素子を含むビームシェイパー(図示せず)を用いて、例えばガウシアン型の強度分布を有するレーザー光が、トップハット型の強度分布を有するレーザー光Lに整形されてもよい。 Even when the laser beam L having a top-hat intensity distribution is used to form the through hole 6, a light source having a Gaussian intensity distribution, for example, is used as a light source (not shown) that emits the laser beam L. may In that case, for example, laser light having a Gaussian intensity distribution may be shaped into laser light L having a top-hat intensity distribution using, for example, a beam shaper (not shown) including suitable optical elements. .

貫通孔6、61、及び凹部11bの形成後、貫通孔6、61の形成によって生じた樹脂残渣(スミア)を除去するデスミア処理が行われてもよい。例えばアルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔6、61の内壁を晒すことによって貫通孔6、61内のスミアが除去される。このデスミア処理によって、導体パターン111の凹部11b内に落下したスミアが除去されてもよい。 After forming the through holes 6 and 61 and the recesses 11b, a desmear process may be performed to remove resin residue (smear) caused by forming the through holes 6 and 61. FIG. Smear in the through-holes 6, 61 is removed by exposing the inner walls of the through-holes 6, 61 to a processing liquid such as, for example, an alkaline permanganate solution. This desmearing process may remove smears that have fallen into the recesses 11b of the conductor pattern 111 .

図4F及び図4Gに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、貫通孔6内にビア導体42を形成することを含んでいる。絶縁層24の貫通孔61内には、ビア導体44が形成される。また、絶縁層22上には導体層12が形成され、絶縁層24上には、導体層14が形成される。図4Fには、図4Dに示される部分に相当する部分について、ビア導体42の形成途上の状態が示されている。 As shown in FIGS. 4F and 4G, the wiring board manufacturing method of the present embodiment further includes forming via conductors 42 in the through holes 6 . A via conductor 44 is formed in the through hole 61 of the insulating layer 24 . A conductor layer 12 is formed on the insulating layer 22 and a conductor layer 14 is formed on the insulating layer 24 . FIG. 4F shows a state in the process of forming via conductors 42 in a portion corresponding to the portion shown in FIG. 4D.

ビア導体42、44は、前述したビア導体41及びビア導体43の形成方法と同様に、例えばセミアディティブ法を用いて、導体層12又は導体層14と共に形成される。例えばビア導体42及び導体層12の形成では、図4Fに示されるように、貫通孔6の内壁面上及び絶縁層22の表面上の全面に、例えば無電解めっきやスパッタリングによって第1金属膜4aが形成される。導体パターン111の表面11aには、貫通孔6に繋がっている凹部11bが形成されているので、第1金属膜4aは、凹部11bの内壁面11b2上にも形成される。第1金属膜4aは、凹部11bの内壁面11b2(図4F参照)の全面に形成されてもよい。第1金属膜4aは、さらに、凹部11bの底面11b1(図4F参照)の一部又は全部に形成されてもよい。このように本実施形態においてビア導体42を形成することは、凹部11bの内壁面11b2に第1金属膜4aを形成することを含み得る。 The via conductors 42 and 44 are formed together with the conductor layer 12 or the conductor layer 14 by using, for example, a semi-additive method similar to the method of forming the via conductors 41 and 43 described above. For example, in forming the via conductors 42 and the conductor layer 12, as shown in FIG. 4F, a first metal film 4a is formed on the inner wall surface of the through hole 6 and the entire surface of the insulating layer 22 by, for example, electroless plating or sputtering. is formed. Since the recess 11b connected to the through hole 6 is formed on the surface 11a of the conductor pattern 111, the first metal film 4a is also formed on the inner wall surface 11b2 of the recess 11b. The first metal film 4a may be formed on the entire surface of the inner wall surface 11b2 (see FIG. 4F) of the recess 11b. The first metal film 4a may also be formed on part or all of the bottom surface 11b1 (see FIG. 4F) of the recess 11b. Thus, forming the via conductor 42 in the present embodiment can include forming the first metal film 4a on the inner wall surface 11b2 of the recess 11b.

図4Gに示されるように、第1金属膜4a上に、開口R1を有するめっきレジストRが設けられる。開口R1は、導体パターン121などの導体層12に含まれるべき導体パターンの形成領域、又は、導体パターン141などの導体層14に含まれるべき導体パターンの形成領域に設けられる。そして、第1金属膜4aを給電層として用いる電解めっきによって、開口R1内に第2金属膜4bが形成される。その結果、導体パターン121などの導体層12に含まれるべき導体パターン、又は、導体パターン141などの導体層14に含まれるべき導体パターンが形成される。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、絶縁層22上に、導体パターン121(第2導体パターン)を形成することを含んでいる。 As shown in FIG. 4G, a plating resist R having an opening R1 is provided on the first metal film 4a. The opening R1 is provided in a formation region of a conductor pattern to be included in the conductor layer 12 such as the conductor pattern 121 or in a formation region of a conductor pattern to be included in the conductor layer 14 such as the conductor pattern 141 . Then, the second metal film 4b is formed in the opening R1 by electroplating using the first metal film 4a as a power supply layer. As a result, a conductor pattern such as the conductor pattern 121 that should be included in the conductor layer 12 or a conductor pattern that should be included in the conductor layer 14 such as the conductor pattern 141 is formed. As described above, the wiring board manufacturing method of the present embodiment includes forming the conductor pattern 121 (second conductor pattern) on the insulating layer 22 .

貫通孔6内には、導体パターン111と導体パターン121とを接続するビア導体42が形成される。貫通孔61内には、導体パターン131と導体パターン141とを接続するビア導体44が形成される。導体パターン111の表面11aには、貫通孔6に繋がっている凹部11bが形成されているので、凹部11bの内部にもビア導体42が形成される。その結果、凹部11bがビア導体42によって充填される。このように、本実施形態においてビア導体42を形成することは、ビア導体42で凹部11bを充填することを含み得る。貫通孔6内の部分と一体的に形成された部分を凹部11b内に有するビア導体42が形成される。好ましくは、凹部11bの略全体を充填し、凹部11bの内壁面の全面と接するビア導体42が形成される。 A via conductor 42 that connects the conductor pattern 111 and the conductor pattern 121 is formed in the through hole 6 . A via conductor 44 that connects the conductor pattern 131 and the conductor pattern 141 is formed in the through hole 61 . Since the recess 11b connected to the through hole 6 is formed on the surface 11a of the conductor pattern 111, the via conductor 42 is also formed inside the recess 11b. As a result, recess 11 b is filled with via conductor 42 . Thus, forming the via conductors 42 in this embodiment may include filling the recesses 11 b with the via conductors 42 . A via conductor 42 having a portion formed integrally with the portion in through hole 6 in recess 11b is formed. Preferably, a via conductor 42 is formed that fills substantially the entire recess 11b and is in contact with the entire inner wall surface of the recess 11b.

第2金属膜4bの形成後、めっきレジストRが、例えば適切な剥離液を用いて除去される。さらに、第1金属膜4aのうちのめっきレジストRの除去によって露出する部分が、例えばフラッシュエッチングなどの短時間のエッチングによって除去される。その結果、互いに分離された、導体パターン121又は導体パターン141のような所望の導体パターンを含む導体層12及び導体層14が形成される。 After forming the second metal film 4b, the plating resist R is removed using, for example, a suitable stripping solution. Furthermore, the portion of the first metal film 4a exposed by the removal of the plating resist R is removed by short-time etching such as flash etching. As a result, conductor layers 12 and 14 are formed which include desired conductor patterns, such as conductor pattern 121 or conductor pattern 141, which are separated from each other.

配線基板100が製造される場合、図4Hに示されるように、絶縁層22及び導体層12の上にソルダーレジスト5が形成され、絶縁層24及び導体層14の上にもソルダーレジスト5が形成される。例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを、スプレーイングや積層、又は印刷などで工程途上の配線基板100の表面に供給することによって、ソルダーレジスト5が形成される。ソルダーレジスト5には、例えば、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって開口が形成される。以上の工程を経る事によって、図1の例の配線基板100が完成する。 When the wiring board 100 is manufactured, the solder resist 5 is formed on the insulating layer 22 and the conductor layer 12, and the solder resist 5 is also formed on the insulating layer 24 and the conductor layer 14, as shown in FIG. 4H. be done. For example, the solder resist 5 is formed by supplying a photosensitive epoxy resin, polyimide resin, or the like to the surface of the wiring board 100 during the process by spraying, laminating, printing, or the like. Openings are formed in the solder resist 5 by, for example, exposure and development using a mask having an appropriate opening pattern. The wiring substrate 100 shown in FIG. 1 is completed through the above steps.

本実施形態の配線基板の製造方法によれば、図4Dに示されるように、レーザー光Lの照射によって導体パターン111の表面11aに貫通孔6と連続的に繋がる凹部11bが形成される。そのため、貫通孔6内に形成されるビア導体42(図4G参照)が、その側面においても、導体パターン111(凹部11b)と接し得る。従って、導体パターン111との間に高い密着強度を有するビア導体42が形成され得る。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、ビア導体と導体層との接続に関して高い信頼性を有する配線基板が得られると考えられる。 According to the wiring board manufacturing method of the present embodiment, as shown in FIG. 4D , the laser light L is irradiated to form the recesses 11 b continuously connected to the through holes 6 on the surface 11 a of the conductor pattern 111 . Therefore, via conductors 42 (see FIG. 4G) formed in through-holes 6 can be in contact with conductor pattern 111 (recesses 11b) on their side surfaces as well. Therefore, a via conductor 42 having a high adhesion strength to the conductor pattern 111 can be formed. That is, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is considered that a wiring board having high reliability in connection between via conductors and conductor layers can be obtained.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。例えば、実施形態の配線基板はコア基板を含まない、所謂コアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板では、絶縁層を介して対向する任意のひと組の導体パターンのうちの一方が、所謂受けパッドを含む導体パターン111(第1導体パターン)であり得、他方が、所謂ビアランドを含む導体パターン121(第2導体パターン)であり得る。ビア導体42のように受けパッドに先端を入り込ませるビア導体同士が積層されていてもよい。 The wiring substrates of the embodiments are not limited to those having the structures illustrated in each drawing, and the structures, shapes, and materials illustrated in this specification. As described above, the wiring board of the embodiment can have any laminated structure. A wiring substrate of embodiments may include any number of conductor layers and insulating layers. For example, the wiring board of the embodiment may be a so-called coreless board that does not include a core board. In the wiring board of the embodiment, one of a set of arbitrary conductor patterns facing each other via an insulating layer can be a conductor pattern 111 (first conductor pattern) including a so-called receiving pad, and the other can be a so-called via land. It may be a conductor pattern 121 (second conductor pattern) including Via conductors, such as the via conductor 42, may be stacked such that the tip of the via conductor is inserted into the receiving pad.

導体パターン111及び導体パターン121は、それぞれ、各導体層の配線パターンと一体的に形成されていてもよい。また、導体パターン111は、導体パターン121以外の導体パターンに接続されているビア導体のビアランド又は受けパッドと一体的に形成されていてもよく、導体パターン121は、導体パターン111以外の導体パターンに接続されているビア導体のビアランド、又は部品搭載パッドと一体的に形成されていてもよい。 Each of the conductor pattern 111 and the conductor pattern 121 may be formed integrally with the wiring pattern of each conductor layer. Also, the conductor pattern 111 may be formed integrally with a via land or a receiving pad of a via conductor connected to a conductor pattern other than the conductor pattern 121. It may be formed integrally with the via land of the connected via conductor or the component mounting pad.

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、各導体層は、セミアディティブ法以外の方法で形成されてもよい。各絶縁層は任意の方法で形成され得る。貫通孔6の形成に用いられるレーザー光Lは、任意の強度分布を有し得る。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。 The method for manufacturing the wiring board of the embodiment is not limited to the method described with reference to each drawing. For example, each conductor layer may be formed by a method other than the semi-additive method. Each insulating layer can be formed by any method. The laser light L used for forming the through holes 6 can have any intensity distribution. Arbitrary steps may be added to the wiring board manufacturing method of the embodiment in addition to the steps described above, and some of the steps described above may be omitted.

100、101 配線基板
11~16 導体層
111 導体パターン(第1導体パターン)
11a 導体パターンの表面
11b 凹部
11b1 底面
11b2 内壁面
121 導体パターン(第2導体パターン)
21~24 絶縁層
41~44 ビア導体
42a ビア導体の側面
42b ビア導体の端面
4a 金属膜(第1金属膜)
4b 第2金属膜
6、61 貫通孔
L レーザー光
W ビア導体の幅
100, 101 wiring substrates 11 to 16 conductor layer 111 conductor pattern (first conductor pattern)
11a Surface 11b of conductor pattern Recess 11b1 Bottom surface 11b2 Inner wall surface 121 Conductor pattern (second conductor pattern)
21 to 24 insulating layers 41 to 44 via conductor 42a side surface 42b of via conductor end surface 4a of via conductor metal film (first metal film)
4b second metal films 6, 61 through hole L laser beam W width of via conductor

Claims (11)

互いに対向する第1導体パターン及び第2導体パターンと、
前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとの間に介在する絶縁層と、
前記絶縁層を貫通して前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続しているビア導体と、
を含む配線基板であって、
前記第1導体パターンは、前記第2導体パターン側の表面に凹部を有し、
前記ビア導体の側面の一部が前記凹部と接している。
a first conductor pattern and a second conductor pattern facing each other;
an insulating layer interposed between the first conductor pattern and the second conductor pattern;
a via conductor penetrating the insulating layer and connecting the first conductor pattern and the second conductor pattern;
A wiring board comprising
The first conductor pattern has a concave portion on the surface on the second conductor pattern side,
A part of the side surface of the via conductor is in contact with the recess.
請求項1記載の配線基板であって、
前記ビア導体は前記第1導体パターン側の端部において前記凹部に挿入されており、
前記凹部の幅と前記凹部内の前記ビア導体の幅とが略同じである。
The wiring board according to claim 1,
the via conductor is inserted into the recess at an end on the first conductor pattern side,
The width of the recess and the width of the via conductor in the recess are substantially the same.
請求項1記載の配線基板であって、前記ビア導体の前記側面は、前記第1導体パターン側の端部において全周に渡って前記凹部と接している。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the side surface of the via conductor is in contact with the recess over the entire circumference at the end on the first conductor pattern side. 請求項3記載の配線基板であって、前記凹部の内壁面の略全面が前記ビア導体の前記側面と接している。 4. The wiring board according to claim 3, wherein substantially the entire inner wall surface of said recess is in contact with said side surface of said via conductor. 請求項1記載の配線基板であって、
前記絶縁層は、前記ビア導体で充填されている貫通孔を有し、
前記第1導体パターンの前記表面において前記凹部の周縁と前記貫通孔の周縁とが重なっている。
The wiring board according to claim 1,
the insulating layer has a through hole filled with the via conductor;
A peripheral edge of the recess and a peripheral edge of the through hole overlap on the surface of the first conductor pattern.
請求項1記載の配線基板であって、前記凹部全体が前記ビア導体で充填されている。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the entire recess is filled with the via conductor. 請求項1記載の配線基板であって、前記第2導体パターン側の端面における前記ビア導体の幅は、15μm以上、30μm以下である。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the width of the via conductor on the end surface on the side of the second conductor pattern is 15 [mu]m or more and 30 [mu]m or less. 第1導体パターンを形成することと、
前記第1導体パターンを覆う絶縁層を形成することと、
前記絶縁層を貫く貫通孔をレーザー光の照射によって形成することと、
前記絶縁層上に第2導体パターンを形成することと、
前記貫通孔内に前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続するビア導体を形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記貫通孔を形成することは、前記レーザー光の照射によって前記第1導体パターンの表面に前記貫通孔と連続的に繋がる凹部を形成することを含んでいる。
forming a first conductor pattern;
forming an insulating layer covering the first conductor pattern;
Forming a through-hole penetrating the insulating layer by irradiating a laser beam;
forming a second conductor pattern on the insulating layer;
forming a via conductor that connects the first conductor pattern and the second conductor pattern in the through hole;
A wiring board manufacturing method comprising
Forming the through-hole includes forming a recess continuously connected to the through-hole on the surface of the first conductor pattern by irradiating the laser beam.
請求項8記載の配線基板の製造方法であって、前記ビア導体を形成することは、前記凹部の内壁面に金属膜を形成することを含んでいる。 9. The method of manufacturing a wiring board according to claim 8, wherein forming the via conductor includes forming a metal film on an inner wall surface of the recess. 請求項8記載の配線基板の製造方法であって、前記ビア導体を形成することは、前記ビア導体で前記凹部の略全体を充填することを含んでいる。 9. The method of manufacturing a wiring board according to claim 8, wherein forming the via conductor includes filling substantially the entire recess with the via conductor. 請求項8記載の配線基板の製造方法であって、前記貫通孔及び前記凹部は、前記レーザー光の一連の照射によって略同時又は連続的に形成される。 9. The method of manufacturing a wiring board according to claim 8, wherein the through hole and the recess are formed substantially simultaneously or continuously by a series of irradiation with the laser beam.
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