JP2023064909A - Wafer grinding method - Google Patents

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Takeshi Nagai
亜樹 高橋
Aki Takahashi
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Abstract

To reduce grinding time.SOLUTION: In a wafer grinding method, when grinding a wafer 5, only an outside area 602 of the wafer 5 is ground in an outside grinding step, and then a center area 601 is ground until the center area is made flush with the outside area 602 in a center area grinding step in a center grinding step. In other words, an upper surface 6 of the wafer 5 is divided into the center area 601 and the outside area 602, and grinding is executed for each of the areas. Therefore, contact area between the wafer 5 and a lower surface of a grinding stone 77 becomes smaller, which can reduce grinding loads acting on the wafer 5. This can increase a grinding speed, and thus can reduce total grinding time.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、ウェーハの研削方法に関する。 The present invention relates to a wafer grinding method.

特許文献１に開示のように、チャックテーブルに保持されたウェーハを研削砥石で研削する研削装置では、環状の研削砥石をチャックテーブルの回転中心を通るように位置づけ、チャックテーブルと研削砥石とを各々回転させ、ウェーハの半径部分に研削砥石の下面を接触させて研削している。 As disclosed in Patent Document 1, in a grinding apparatus that grinds a wafer held on a chuck table with a grinding wheel, an annular grinding wheel is positioned so as to pass through the center of rotation of the chuck table, and the chuck table and the grinding wheel are positioned separately. The wafer is rotated and ground by bringing the lower surface of the grinding wheel into contact with the radius portion of the wafer.

特開２０１３－１１９１２３号公報JP 2013-119123 A 特開２０１０－１６２６６５号公報JP 2010-162665 A

上述のような研削装置では、ウェーハの半径部分にかかる研削荷重によって、チャックテーブルの傾きが変化し、研削したウェーハの厚みが均一にならないことがある。 In the grinding apparatus as described above, the grinding load applied to the radial portion of the wafer may change the tilt of the chuck table, and the thickness of the ground wafer may not be uniform.

また、特許文献２に開示のように、大径のウェーハを研削砥石で研削する場合、研削砥石の接触面積が大きくなることで、研削砥石の負荷が大きくなり、チャックテーブルの傾きが大きく変化する。そのため、研削送り速度を遅くする必要が生じるので、研削時間が長くなる。 In addition, as disclosed in Patent Document 2, when a large-diameter wafer is ground with a grinding wheel, the contact area of the grinding wheel increases, which increases the load on the grinding wheel and greatly changes the inclination of the chuck table. . Therefore, it becomes necessary to slow down the grinding feed rate, resulting in a longer grinding time.

したがって、本発明の目的は、研削時間を短くすること、および、研削荷重を小さくしてウェーハを均一な厚みに研削することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to shorten the grinding time and reduce the grinding load to grind a wafer to a uniform thickness.

本発明の研削方法（本研削方法）は、保持面によってウェーハを保持しているチャックテーブルを回転させるとともに、スピンドルに装着された環状の研削砥石を回転させてウェーハを研削するウェーハの研削方法であって、該保持面が保持しているウェーハの半径部分の中心と外周との間から外周までの部分に該研削砥石を接近させることによって、該ウェーハの中央に、研削されない円形の中央エリアを形成するとともに、該ウェーハにおける該中央エリアの外側の環状の外側エリアを研削する外研削工程と、該外研削工程の後、該保持面の中心の上方に該研削砥石を位置づけ、該研削砥石を該保持面に垂直な方向に沿って該保持面に接近させることによって、該中央エリアを研削して該外側エリアと面一にする中央研削工程と、を含む。
本研削方法では、該外研削工程で該ウェーハの該外側エリアに接触する該研削砥石の下面の面積と、該中央研削工程で該ウェーハの該中央エリアに接触する該研削砥石の下面の面積とを、互いに等しくしてもよい。
本研削方法では、該スピンドルを回転させるモータの負荷電流値を測定する回転負荷測定部を用いて、該外研削工程で該ウェーハの該外側エリアを研削する際の負荷電流値と、該中央研削工程で該ウェーハの該中央エリアを研削する際の負荷電流値とを、互いに等しくしてもよい。
本研削方法では、該保持面が保持したウェーハにかかる荷重を測定する荷重測定器を用いて、該外研削工程で該ウェーハの該外側エリアを研削する際の荷重値と、該中央研削工程で該ウェーハの該中央エリアを研削する際の荷重値とを、互いに等しくしてもよい。
本研削方法は、仕上げ厚みと、該仕上げ厚みよりも厚い面合わせ厚みとを設定する厚み設定工程を備えてもよく、該外研削工程では、該ウェーハの該外側エリアを該面合わせ厚みまで研削してもよく、該中央研削工程では、該ウェーハの該中央エリアが該外側エリアと面一になった後、該中央エリアおよび該外側エリアを該仕上げ厚みまで研削してもよい。 The grinding method (main grinding method) of the present invention is a wafer grinding method in which a wafer is ground by rotating a chuck table holding a wafer by a holding surface and rotating an annular grinding wheel mounted on a spindle. A circular central area that is not ground is formed in the center of the wafer by bringing the grinding wheel close to the portion from between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer held by the holding surface to the outer periphery. an outer grinding step of forming and grinding an annular outer area of the wafer outside of the central area; after the outer grinding step, positioning the grinding wheel above the center of the holding surface; a central grinding step of grinding the central area flush with the outer areas by approaching the retaining surface along a direction perpendicular to the retaining surface.
In this grinding method, the area of the lower surface of the grinding wheel that contacts the outer area of the wafer in the outer grinding step and the area of the lower surface of the grinding wheel that contacts the central area of the wafer in the central grinding step. may be equal to each other.
In this grinding method, a rotational load measuring unit that measures a load current value of a motor that rotates the spindle is used to measure the load current value when grinding the outer area of the wafer in the outer grinding step, and the center grinding. A load current value during grinding of the central area of the wafer in the process may be equal to each other.
In this grinding method, using a load measuring device that measures the load applied to the wafer held by the holding surface, the load value when grinding the outer area of the wafer in the outer grinding step and the load value in the central grinding step The load values for grinding the central area of the wafer may be equal to each other.
The grinding method may include a thickness setting step of setting a finish thickness and a face-to-face thickness thicker than the finish thickness, and in the outer grinding step, the outer area of the wafer is ground to the face-to-face thickness. The center grinding step may grind the center area and the outer area to the finish thickness after the center area of the wafer is flush with the outer area.

本研削方法では、外研削工程においてウェーハの外側エリアのみを研削した後、中央研削工程において、外側エリアと面一となるまで、中央エリアを研削している。すなわち、本研削方法では、ウェーハを中央エリアと外側エリアとに分けて、エリアごとに研削を実施している。 In this grinding method, after only the outer area of the wafer is ground in the outer grinding step, the central area is ground until it becomes flush with the outer area in the central grinding step. That is, in this grinding method, the wafer is divided into a central area and an outer area, and grinding is performed for each area.

したがって、ウェーハと研削砥石の下面との接触面積が小さくなるので、ウェーハにかかる研削荷重を小さくすることができる。このため、外研削工程および中央研削工程における研削速度を高速化することができる。したがって、本研削方法では、外研削工程および中央研削工程における合計の研削時間を短縮することが可能となっている。 Therefore, since the contact area between the wafer and the lower surface of the grinding wheel is reduced, the grinding load applied to the wafer can be reduced. Therefore, the grinding speed in the outer grinding process and the central grinding process can be increased. Therefore, in this grinding method, it is possible to shorten the total grinding time in the outer grinding process and the central grinding process.

また、ウェーハにかかる研削荷重を小さくすることができるので、研削中にチャックテーブルが傾くことを抑制することができる。したがって、ウェーハを、均一な厚みを有するように研削することが可能となる。 In addition, since the grinding load applied to the wafer can be reduced, tilting of the chuck table during grinding can be suppressed. Therefore, it becomes possible to grind the wafer so as to have a uniform thickness.

研削装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a grinding apparatus. 外研削工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an external grinding process. 外研削工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an external grinding process. 研削砥石の高さの時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of the height of a grinding wheel. 中央研削工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a center grinding process. 中央研削工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a center grinding process. 他の外研削工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows another external grinding process. 他の外研削工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows another external grinding process.

図１に示すように、本実施形態にかかる研削装置１は、ウェーハ５を研削するための装置であり、直方体状の基台１０、上方に延びるコラム１１、および、研削装置１の各部材を制御する制御部３を備えている。 As shown in FIG. 1, a grinding apparatus 1 according to this embodiment is an apparatus for grinding a wafer 5, and includes a rectangular parallelepiped base 10, an upwardly extending column 11, and members of the grinding apparatus 1. A control unit 3 for controlling is provided.

ウェーハ５は、たとえば、円形の半導体ウェーハである。ウェーハ５の上面６は、研削加工が施される被加工面となる。 Wafer 5 is, for example, a circular semiconductor wafer. An upper surface 6 of the wafer 5 is a surface to be ground.

基台１０の上面側には、開口部１３が設けられている。そして、開口部１３内には、ウェーハ保持機構３０が配置されている。ウェーハ保持機構３０は、ウェーハ５を保持する保持面２２を備えたチャックテーブル２０、および、チャックテーブル２０を支持して回転するテーブル回転機構２８を含んでいる。 An opening 13 is provided on the upper surface side of the base 10 . A wafer holding mechanism 30 is arranged in the opening 13 . The wafer holding mechanism 30 includes a chuck table 20 having a holding surface 22 that holds the wafer 5 and a table rotating mechanism 28 that supports and rotates the chuck table 20 .

チャックテーブル２０は、ポーラス部材２１と、ポーラス部材２１の上面が露出するようにポーラス部材２１を収容する枠体２３と、を備えている。ポーラス部材２１の上面は、ウェーハ５を吸引保持する保持面２２である。保持面２２は、中心を頂点とする円錐状の面として形成されている（図３参照）。保持面２２は、吸引源（図示せず）に連通されることにより、ウェーハ５を吸引保持する。すなわち、チャックテーブル２０は、保持面２２によってウェーハ５を保持する。また、図１に示すように、枠体２３の上面である枠体面２４は、保持面２２と面一となるように形成されている。 The chuck table 20 includes a porous member 21 and a frame 23 that accommodates the porous member 21 so that the upper surface of the porous member 21 is exposed. The upper surface of the porous member 21 is a holding surface 22 that holds the wafer 5 by suction. The holding surface 22 is formed as a conical surface with the apex at the center (see FIG. 3). The holding surface 22 sucks and holds the wafer 5 by communicating with a suction source (not shown). That is, the chuck table 20 holds the wafer 5 with the holding surface 22 . Further, as shown in FIG. 1 , a frame body surface 24 that is the upper surface of the frame body 23 is formed so as to be flush with the holding surface 22 .

テーブル回転機構２８は、下方からチャックテーブル２０を支持している。テーブル回転機構２８は、保持面２２の中心を軸に、チャックテーブル２０を回転させるように構成されている。
また、ウェーハ保持機構３０は、たとえばチャックテーブル２０の下方におけるテーブル回転機構２８の内部に、荷重測定器２９を有している。荷重測定器２９は、チャックテーブル２０の保持面２２が保持したウェーハ５にかかる荷重を測定するものである。 A table rotation mechanism 28 supports the chuck table 20 from below. The table rotation mechanism 28 is configured to rotate the chuck table 20 around the center of the holding surface 22 .
The wafer holding mechanism 30 also has a load measuring device 29 inside the table rotating mechanism 28 below the chuck table 20, for example. The load measuring device 29 measures the load applied to the wafer 5 held by the holding surface 22 of the chuck table 20 .

チャックテーブル２０の周囲には、チャックテーブル２０とともにＹ軸方向に沿って移動されるカバー板３９が設けられている。また、カバー板３９には、Ｙ軸方向に伸縮する蛇腹カバー１２が連結されている。そして、ウェーハ保持機構３０の下方には、Ｙ軸方向移動機構９０が配設されている。 A cover plate 39 is provided around the chuck table 20 to move along the Y-axis direction together with the chuck table 20 . A bellows cover 12 that expands and contracts in the Y-axis direction is connected to the cover plate 39 . A Y-axis direction moving mechanism 90 is arranged below the wafer holding mechanism 30 .

Ｙ軸方向移動機構９０は、チャックテーブル２０と研削機構７０とを、相対的に、保持面２２に平行なＹ軸方向に移動させる。本実施形態では、Ｙ軸方向移動機構９０は、研削機構７０に対して、チャックテーブル２０をＹ軸方向に移動させるように構成されている。 The Y-axis direction moving mechanism 90 relatively moves the chuck table 20 and the grinding mechanism 70 in the Y-axis direction parallel to the holding surface 22 . In this embodiment, the Y-axis direction moving mechanism 90 is configured to move the chuck table 20 in the Y-axis direction with respect to the grinding mechanism 70 .

Ｙ軸方向移動機構９０は、Ｙ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール９２、このＹ軸ガイドレール９２上をスライドするＹ軸移動テーブル９５、Ｙ軸ガイドレール９２と平行なＹ軸ボールネジ９３、Ｙ軸ボールネジ９３に接続されているＹ軸モータ９４、Ｙ軸ボールネジ９３の回転角度を検知するためのＹ軸エンコーダ９６、および、これらを保持する保持台９１を備えている。 The Y-axis direction moving mechanism 90 includes a pair of Y-axis guide rails 92 parallel to the Y-axis direction, a Y-axis moving table 95 sliding on the Y-axis guide rails 92, and a Y-axis ball screw 93 parallel to the Y-axis guide rails 92. , a Y-axis motor 94 connected to the Y-axis ball screw 93, a Y-axis encoder 96 for detecting the rotation angle of the Y-axis ball screw 93, and a holding base 91 for holding these.

Ｙ軸移動テーブル９５は、Ｙ軸ガイドレール９２にスライド可能に設置されている。Ｙ軸移動テーブル９５には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、Ｙ軸ボールネジ９３が螺合されている。Ｙ軸モータ９４は、図１に示すように、Ｙ軸ボールネジ９３の一端部に連結されている。 The Y-axis moving table 95 is slidably installed on the Y-axis guide rail 92 . A nut portion (not shown) is fixed to the Y-axis moving table 95 . A Y-axis ball screw 93 is screwed into this nut portion. The Y-axis motor 94 is connected to one end of the Y-axis ball screw 93, as shown in FIG.

Ｙ軸方向移動機構９０では、Ｙ軸モータ９４がＹ軸ボールネジ９３を回転させることにより、Ｙ軸移動テーブル９５が、Ｙ軸ガイドレール９２に沿って、Ｙ軸方向に移動する。Ｙ軸移動テーブル９５には、ウェーハ保持機構３０のテーブル回転機構２８が載置されている。したがって、Ｙ軸移動テーブル９５のＹ軸方向への移動に伴って、テーブル回転機構２８およびチャックテーブル２０を含むウェーハ保持機構３０が、Ｙ軸方向に移動する。 In the Y-axis direction moving mechanism 90 , the Y-axis motor 94 rotates the Y-axis ball screw 93 to move the Y-axis moving table 95 along the Y-axis guide rail 92 in the Y-axis direction. The table rotation mechanism 28 of the wafer holding mechanism 30 is placed on the Y-axis moving table 95 . Accordingly, as the Y-axis moving table 95 moves in the Y-axis direction, the wafer holding mechanism 30 including the table rotation mechanism 28 and the chuck table 20 moves in the Y-axis direction.

本実施形態では、ウェーハ保持機構３０は、保持面２２にウェーハ５を保持させるための－Ｙ方向側のワーク載置位置と、ウェーハ５が研削される＋Ｙ方向側の研削位置との間を、Ｙ軸方向移動機構９０によって、Ｙ軸方向に沿って移動される。 In the present embodiment, the wafer holding mechanism 30 has a position between the work placement position on the -Y direction side for holding the wafer 5 on the holding surface 22 and the grinding position on the +Y direction side where the wafer 5 is ground. It is moved along the Y-axis direction by the Y-axis direction moving mechanism 90 .

Ｙ軸エンコーダ９６は、Ｙ軸モータ９４がＹ軸ボールネジ９３を回転させることで回転され、Ｙ軸ボールネジ９３の回転角度を認識することができる。そして、Ｙ軸エンコーダ９６は、認識結果に基づいて、Ｙ軸方向に移動されるウェーハ保持機構３０のチャックテーブル２０のＹ軸方向における位置を検知することができる。 The Y-axis encoder 96 is rotated by the Y-axis motor 94 rotating the Y-axis ball screw 93 , and can recognize the rotation angle of the Y-axis ball screw 93 . Based on the recognition result, the Y-axis encoder 96 can detect the Y-axis position of the chuck table 20 of the wafer holding mechanism 30 that is moved in the Y-axis direction.

また、図１に示すように、基台１０上の後方（＋Ｙ方向側）には、コラム１１が立設されている。コラム１１の前面には、ウェーハ５を研削する研削機構７０、および、研削送り機構６０が設けられている。 Further, as shown in FIG. 1, a column 11 is erected behind the base 10 (on the +Y direction side). A grinding mechanism 70 for grinding the wafer 5 and a grinding feed mechanism 60 are provided on the front surface of the column 11 .

研削送り機構６０は、チャックテーブル２０と研削機構７０の研削砥石７７とを、保持面２２に垂直なＺ軸方向（研削送り方向）に相対的に移動させる。本実施形態では、研削送り機構６０は、チャックテーブル２０に対して、研削砥石７７をＺ軸方向に移動させるように構成されている。 The grinding feed mechanism 60 relatively moves the chuck table 20 and the grinding wheel 77 of the grinding mechanism 70 in the Z-axis direction (grinding feed direction) perpendicular to the holding surface 22 . In this embodiment, the grinding feed mechanism 60 is configured to move the grinding wheel 77 in the Z-axis direction with respect to the chuck table 20 .

研削送り機構６０は、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール６１、このＺ軸ガイドレール６１上をスライドするＺ軸移動テーブル６３、Ｚ軸ガイドレール６１と平行なＺ軸ボールネジ６２、Ｚ軸モータ６４、Ｚ軸ボールネジ６２の回転角度を検知するためのＺ軸エンコーダ６５、および、Ｚ軸移動テーブル６３に取り付けられたホルダ６６を備えている。ホルダ６６は、研削機構７０を支持している。 The grinding feed mechanism 60 includes a pair of Z-axis guide rails 61 parallel to the Z-axis direction, a Z-axis moving table 63 sliding on the Z-axis guide rails 61, a Z-axis ball screw 62 parallel to the Z-axis guide rails 61, a Z Equipped with a shaft motor 64 , a Z-axis encoder 65 for detecting the rotation angle of the Z-axis ball screw 62 , and a holder 66 attached to the Z-axis moving table 63 . Holder 66 supports grinding mechanism 70 .

Ｚ軸移動テーブル６３は、Ｚ軸ガイドレール６１にスライド可能に設置されている。Ｚ軸移動テーブル６３には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、Ｚ軸ボールネジ６２が螺合されている。Ｚ軸モータ６４は、Ｚ軸ボールネジ６２の一端部に連結されている。 The Z-axis moving table 63 is slidably installed on the Z-axis guide rail 61 . A nut portion (not shown) is fixed to the Z-axis moving table 63 . A Z-axis ball screw 62 is screwed into this nut portion. The Z-axis motor 64 is connected to one end of the Z-axis ball screw 62 .

研削送り機構６０では、Ｚ軸モータ６４がＺ軸ボールネジ６２を回転させることにより、Ｚ軸移動テーブル６３が、Ｚ軸ガイドレール６１に沿って、Ｚ軸方向に移動する。これにより、Ｚ軸移動テーブル６３に取り付けられたホルダ６６、および、ホルダ６６に支持された研削機構７０も、Ｚ軸移動テーブル６３とともにＺ軸方向に移動する。 In the grinding feed mechanism 60 , the Z-axis motor 64 rotates the Z-axis ball screw 62 to move the Z-axis moving table 63 along the Z-axis guide rail 61 in the Z-axis direction. As a result, the holder 66 attached to the Z-axis moving table 63 and the grinding mechanism 70 supported by the holder 66 also move together with the Z-axis moving table 63 in the Z-axis direction.

Ｚ軸エンコーダ６５は、Ｚ軸モータ６４がＺ軸ボールネジ６２を回転させることで回転され、Ｚ軸ボールネジ６２の回転角度を認識することができる。そして、Ｚ軸エンコーダ６５は、認識結果に基づいて、Ｚ軸方向に移動される研削機構７０の研削砥石７７の高さ位置を検知することができる。 The Z-axis encoder 65 is rotated by the Z-axis motor 64 rotating the Z-axis ball screw 62 and can recognize the rotation angle of the Z-axis ball screw 62 . Based on the recognition result, the Z-axis encoder 65 can detect the height position of the grinding wheel 77 of the grinding mechanism 70 that is moved in the Z-axis direction.

研削機構７０は、ホルダ６６に固定されたスピンドルハウジング７１、スピンドルハウジング７１に回転可能に保持されたスピンドル７２、スピンドル７２を回転駆動するスピンドルモータ７３、スピンドル７２の下端に取り付けられたホイールマウント７４、および、ホイールマウント７４に支持された研削ホイール７５を備えている。 The grinding mechanism 70 includes a spindle housing 71 fixed to a holder 66, a spindle 72 rotatably held by the spindle housing 71, a spindle motor 73 for rotating the spindle 72, a wheel mount 74 attached to the lower end of the spindle 72, and a grinding wheel 75 supported on a wheel mount 74 .

スピンドルハウジング７１は、Ｚ軸方向に延びるようにホルダ６６に保持されている。スピンドル７２は、チャックテーブル２０の保持面２２と直交するようにＺ軸方向に延び、スピンドルハウジング７１に回転可能に支持されている。 The spindle housing 71 is held by the holder 66 so as to extend in the Z-axis direction. The spindle 72 extends in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface 22 of the chuck table 20 and is rotatably supported by the spindle housing 71 .

スピンドルモータ７３は、スピンドル７２の上端側に連結されている。このスピンドルモータ７３により、スピンドル７２は、Ｚ軸方向に延びる回転軸を中心として回転する。 The spindle motor 73 is connected to the upper end side of the spindle 72 . The spindle motor 73 rotates the spindle 72 around a rotation axis extending in the Z-axis direction.

ホイールマウント７４は、円板状に形成されており、スピンドル７２の下端（先端）に固定されている。ホイールマウント７４は、研削ホイール７５を支持している。 The wheel mount 74 is disc-shaped and fixed to the lower end (tip) of the spindle 72 . A wheel mount 74 supports a grinding wheel 75 .

研削ホイール７５は、外径がホイールマウント７４の外径と略同径を有するように形成されている。研削ホイール７５は、金属材料から形成された円環状のホイール基台７６を含む。ホイール基台７６の下面には、全周にわたって、環状に配列された複数の研削砥石７７が固定されている。研削砥石７７は、その中心を軸に、スピンドル７２とともにスピンドルモータ７３によって回転され、チャックテーブル２０に保持されたウェーハ５の上面６を研削する。 The grinding wheel 75 is formed to have an outer diameter approximately the same as the outer diameter of the wheel mount 74 . Grinding wheel 75 includes an annular wheel base 76 formed from a metallic material. A plurality of grinding wheels 77 arranged in an annular shape are fixed to the lower surface of the wheel base 76 over the entire circumference. The grinding wheel 77 is rotated about its center by a spindle motor 73 together with the spindle 72 to grind the upper surface 6 of the wafer 5 held on the chuck table 20 .

また、研削機構７０の上部には、第１研削水源６９が接続されており、第１研削水源６９からの研削水が、スピンドル７２内の図示しない研削水路を介して、研削砥石７７およびウェーハ５の上面６に供給される。 A first grinding water source 69 is connected to the upper part of the grinding mechanism 70 , and the grinding water from the first grinding water source 69 is supplied to the grinding wheel 77 and the wafer 5 through a grinding water channel (not shown) in the spindle 72 . is supplied to the upper surface 6 of the

さらに、Ｙ軸方向移動機構９０のＹ軸移動テーブル９５における＋Ｘ側かつ＋Ｙ側の端部には、研削水ノズル機構３３が取り付けられている。 Further, a grinding water nozzle mechanism 33 is attached to the +X side and +Y side end of the Y-axis moving table 95 of the Y-axis direction moving mechanism 90 .

研削水ノズル機構３３は、研削水ノズル３４、および、研削水ノズル３４を旋回させる旋回モータ３５を有しているとともに、第２研削水源３８に接続されている。研削水ノズル３４は、研削加工の際、チャックテーブル２０の外周側から、保持面２２に保持されているウェーハ５の上面６に、第２研削水源３８からの研削水を供給する。
なお、この研削水ノズル機構３３は、たとえば、第１研削水源６９からの研削水が研削砥石７７およびウェーハ５の上面６に十分に供給される場合には、備えられていなくてもよい。 The grinding water nozzle mechanism 33 has a grinding water nozzle 34 and a turning motor 35 for turning the grinding water nozzle 34 , and is connected to a second grinding water source 38 . The grinding water nozzle 34 supplies grinding water from the second grinding water source 38 to the upper surface 6 of the wafer 5 held on the holding surface 22 from the outer peripheral side of the chuck table 20 during grinding.
The grinding water nozzle mechanism 33 may not be provided if, for example, the grinding water from the first grinding water source 69 is sufficiently supplied to the grinding wheel 77 and the upper surface 6 of the wafer 5 .

また、基台１０における開口部１３の側部には、保持面２２に保持されているウェーハ５の厚みを測定する厚み測定器５６が配設されている。 A thickness measuring device 56 for measuring the thickness of the wafer 5 held on the holding surface 22 is arranged on the side of the opening 13 of the base 10 .

厚み測定器５６は、接触式あるいは非接触式のハイトゲージである、ウェーハ高さ測定部５７および保持面高さ測定部５８を有している。
ウェーハ高さ測定部５７は、保持面２２に保持されているウェーハ５の高さを測定する。保持面高さ測定部５８は、保持面２２に面一である枠体２３の枠体面２４の高さを測定する。そして、厚み測定器５６は、測定されたウェーハ５の高さと保持面２２の高さとの差分に基づいて、ウェーハ５の厚みを算出する。 The thickness measuring device 56 has a wafer height measuring section 57 and a holding surface height measuring section 58, which are contact or non-contact height gauges.
A wafer height measuring unit 57 measures the height of the wafer 5 held on the holding surface 22 . The holding surface height measuring unit 58 measures the height of the frame surface 24 of the frame 23 flush with the holding surface 22 . Then, the thickness measuring device 56 calculates the thickness of the wafer 5 based on the difference between the measured height of the wafer 5 and the height of the holding surface 22 .

たとえば、保持面高さ測定部５８は、レーザー光線をチャックテーブル２０の枠体２３の枠体面２４に照射して、その反射光に基づいて、枠体２３の上面の高さ（すなわち、保持面２２の高さ）を測定する。一方、ウェーハ高さ測定部５７は、レーザー光線をウェーハ５の上面６に照射し、その反射光に基づいて、ウェーハ５の上面の高さを測定する。 For example, the holding surface height measuring unit 58 irradiates the frame surface 24 of the frame 23 of the chuck table 20 with a laser beam, and measures the height of the upper surface of the frame 23 (that is, the holding surface 22 height). On the other hand, the wafer height measuring unit 57 irradiates the upper surface 6 of the wafer 5 with a laser beam and measures the height of the upper surface of the wafer 5 based on the reflected light.

なお、保持面高さ測定部５８およびウェーハ高さ測定部５７は、枠体２３およびウェーハ５の上面に音波を照射することによって、保持面２２の高さおよびウェーハ５の上面の高さを測定するように構成されていてもよい。 Note that the holding surface height measuring unit 58 and the wafer height measuring unit 57 measure the height of the holding surface 22 and the height of the upper surface of the wafer 5 by irradiating the upper surfaces of the frame 23 and the wafer 5 with sound waves. may be configured to

また、厚み測定器５６は、ウェーハ高さ測定部５７および保持面高さ測定部５８に代えて、１つの非接触式の厚み測定部、たとえばレーザー式の厚み測定部を備えてもよい。この厚み測定部は、たとえば、ウェーハ５を透過する波長を有するレーザー光線をウェーハ５に照射し、ウェーハ５の下面からの反射光とウェーハ５の上面６からの反射光とを受光し、各反射光の光路差に基づいてウェーハ５の厚みを測定する。なお、１つの非接触式の厚み測定部は、ウェーハ５の下面からの反射光とウェーハ５の上面からの反射光との干渉光を解析することによりウェーハ５の厚みを測定する分光干渉式ウェーハ厚み計であってもよい。なお、この厚み測定部は、測定光を出射する光源として、ＳＬＤ（Super Luminescent Diode）を備えてもよい。 Also, the thickness measuring device 56 may be provided with one non-contact thickness measuring section, for example, a laser thickness measuring section, instead of the wafer height measuring section 57 and the holding surface height measuring section 58 . For example, the thickness measuring unit irradiates the wafer 5 with a laser beam having a wavelength that can pass through the wafer 5, receives reflected light from the lower surface of the wafer 5 and reflected light from the upper surface 6 of the wafer 5, and measures each reflected light. The thickness of the wafer 5 is measured based on the optical path difference of . One non-contact thickness measuring unit is a spectral interference type wafer that measures the thickness of the wafer 5 by analyzing the interference light between the reflected light from the lower surface of the wafer 5 and the reflected light from the upper surface of the wafer 5. It may be a thickness gauge. The thickness measuring section may include an SLD (Super Luminescent Diode) as a light source for emitting measurement light.

研削装置１の制御部３は、制御プログラムにしたがって演算処理を行うＣＰＵ、および、メモリ等の記憶媒体等を備えている。制御部３は、研削装置１の上述した各部材を制御して、ウェーハ５に対する研削加工を実行する。また、制御部３は、研削機構７０におけるスピンドル７２を回転させるスピンドルモータ７３の回転速度を予め設定した回転速度とするようスピンドルモータ７３に供給する電流を制御する。また、制御部３は、研削砥石７７がウェーハ５に接触したことにより回転速度を遅くする負荷を受けた際に、予め設定した回転速度を維持させようとスピンドルモータ７３に供給する電流の負荷電流値を測定する回転負荷測定部として機能するように構成されている。 The control unit 3 of the grinding apparatus 1 includes a CPU that performs arithmetic processing according to a control program, a storage medium such as a memory, and the like. The control unit 3 controls the above-described members of the grinding device 1 to grind the wafer 5 . Further, the control unit 3 controls the current supplied to the spindle motor 73 so that the rotation speed of the spindle motor 73 that rotates the spindle 72 in the grinding mechanism 70 is set in advance. Further, when the grinding wheel 77 comes into contact with the wafer 5 and receives a load that slows down the rotation speed, the control unit 3 controls the load current of the current supplied to the spindle motor 73 to maintain the preset rotation speed. It is configured to function as a rotational load measuring section that measures the value.

以下に、制御部３によって制御される、研削装置１におけるウェーハ５の研削方法について説明する。この研削方法は、保持面２２によってウェーハ５を保持しているチャックテーブル２０を回転させるとともに、スピンドル７２に装着された環状の研削砥石７７を回転させてウェーハ５を研削する方法である。 A method of grinding the wafer 5 in the grinding apparatus 1 controlled by the controller 3 will be described below. In this grinding method, the wafer 5 is ground by rotating the chuck table 20 holding the wafer 5 by the holding surface 22 and rotating the ring-shaped grinding wheel 77 mounted on the spindle 72 .

［１．厚み設定工程］
本実施形態では、まず、作業者が、図示しない入力装置を用いて、研削されるウェーハ５の厚みとして、仕上げ厚みと、仕上げ厚みよりも厚い面合わせ厚みとを研削装置１に設定する。 [1. Thickness setting process]
In the present embodiment, first, the operator uses an input device (not shown) to set the thickness of the wafer 5 to be ground in the grinding apparatus 1 to the finish thickness and the face-to-face thickness that is thicker than the finish thickness.

［２．保持工程］
次に、作業者が、図１に示すチャックテーブル２０の保持面２２に、上面６が上向きとなるようにウェーハ５を保持させる。 [2. Holding process]
Next, the operator holds the wafer 5 on the holding surface 22 of the chuck table 20 shown in FIG. 1 so that the upper surface 6 faces upward.

［３．外研削工程］
この工程では、制御部３は、保持面２２が保持しているウェーハ５の半径部分の中心と外周との間から外周までの部分に研削砥石７７を接近させることによって、ウェーハ５の中央に、研削されない円形の中央エリアを形成するとともに、ウェーハ５における中央エリアの外側の環状の外側エリアを研削する。 [3. Outer Grinding Process]
In this step, the control unit 3 causes the grinding wheel 77 to approach a portion from between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer 5 held by the holding surface 22 to the outer periphery, so that the center of the wafer 5 is A circular outer area of the wafer 5 outside the central area is ground while forming an unground circular central area.

具体的には、制御部３は、Ｙ軸方向移動機構９０を用いてチャックテーブル２０におけるＹ軸方向での位置を調整することにより、図２に示すように、チャックテーブル２０の保持面２２が保持しているウェーハ５の半径部分の中心と外周との間の上方に、研削砥石７７を位置づける。なお、研削砥石７７の番手は、たとえば８０００番手である。 Specifically, the control unit 3 uses the Y-axis direction moving mechanism 90 to adjust the position of the chuck table 20 in the Y-axis direction, so that the holding surface 22 of the chuck table 20 is positioned as shown in FIG. A grinding wheel 77 is positioned above between the center and outer periphery of the radial portion of the wafer 5 being held. The number of the grinding wheel 77 is 8000, for example.

次に、制御部３は、図１に示した研削機構７０のスピンドルモータ７３を制御して、スピンドル７２とともに研削砥石７７を回転させる（図２の矢印３０１参照）。スピンドル７２および研削砥石７７の回転数は、たとえば３０００ｒｐｍである。さらに、制御部３は、図１に示したテーブル回転機構２８を制御して、保持面２２によってウェーハ５を保持しているチャックテーブル２０を回転させる（図２の矢印３０２参照）。チャックテーブル２０の回転数は、たとえば３００ｒｐｍである。 Next, the control unit 3 controls the spindle motor 73 of the grinding mechanism 70 shown in FIG. 1 to rotate the grinding wheel 77 together with the spindle 72 (see arrow 301 in FIG. 2). The rotational speeds of the spindle 72 and grinding wheel 77 are, for example, 3000 rpm. Further, the control unit 3 controls the table rotating mechanism 28 shown in FIG. 1 to rotate the chuck table 20 holding the wafer 5 by the holding surface 22 (see arrow 302 in FIG. 2). The rotation speed of chuck table 20 is, for example, 300 rpm.

なお、チャックテーブル２０は、図３に示すように、円錐状の保持面２２における研削砥石７７の下方に位置する部分が研削砥石７７の下面と平行となるように、チャックテーブル２０の傾斜角度θが調整された状態で、矢印３０２に示すように回転される。チャックテーブル２０の傾斜角度θは、本実施形態では、図３に示すように、チャックテーブル２０の回転軸２２１とＺ軸方向とのなす角度である。 As shown in FIG. 3, the chuck table 20 is arranged at an inclination angle θ of the chuck table 20 so that the portion of the conical holding surface 22 located below the grinding wheel 77 is parallel to the lower surface of the grinding wheel 77 . is adjusted and rotated as indicated by arrow 302 . In this embodiment, the tilt angle θ of the chuck table 20 is the angle between the rotation axis 221 of the chuck table 20 and the Z-axis direction, as shown in FIG.

次に、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、原点高さ位置にある研削機構７０を下降させて、研削砥石７７を保持面２２に垂直な方向に沿って保持面２２に接近させることによって、回転する研削砥石７７を回転するウェーハ５の上面６に接触させて、上面６を研削する。 Next, using the grinding feed mechanism 60, the control unit 3 lowers the grinding mechanism 70 from the origin height position to bring the grinding wheel 77 closer to the holding surface 22 along the direction perpendicular to the holding surface 22. Thereby, the rotating grinding wheel 77 is brought into contact with the rotating upper surface 6 of the wafer 5 to grind the upper surface 6 .

図４に、研削砥石７７の下面の高さ（砥石高さ）の時間変化を示す。なお、図４では、本実施形態にかかる研削方法における研削砥石７７の高さの時間変化を実線で示す一方、従来の研削方法における研削砥石の高さの時間変化を破線で示している。 FIG. 4 shows changes over time in the height of the lower surface of the grinding wheel 77 (grinding wheel height). In FIG. 4, the solid line shows the change in height of the grinding wheel 77 with time in the grinding method according to the present embodiment, while the broken line shows the change in height of the grinding wheel with time in the conventional grinding method.

図４に示すように、本実施形態では、制御部３は、まず、研削砥石７７の高さが、原点高さｈ０から所定のエアカット開始高さｈ１となるまで、研削機構７０を、比較的に高速の初期速度Ｖ１で、チャックテーブル２０に近づくように下降させる（時間範囲Ｔ１）。 As shown in FIG. 4, in this embodiment, the control unit 3 first controls the grinding mechanism 70 until the height of the grinding wheel 77 reaches a predetermined air cut start height h1 from the origin height h0. It is lowered so as to approach the chuck table 20 at a relatively high initial speed V1 (time range T1).

制御部３は、研削砥石７７の下面が所定のエアカット開始高さｈ１に到達した後、研削送り機構６０を用いて、研削機構７０の下降速度を、初期速度Ｖ１よりも遅いエアカット速度Ｖ２に設定する。そして、制御部３は、研削送り機構６０によって、エアカット速度Ｖ２で、研削機構７０をチャックテーブル２０に接近させる（時間範囲Ｔ２）。 After the lower surface of the grinding wheel 77 reaches a predetermined air cutting start height h1, the control unit 3 uses the grinding feed mechanism 60 to set the lowering speed of the grinding mechanism 70 to an air cutting speed V2, which is lower than the initial speed V1. set to Then, the controller 3 causes the grinding feed mechanism 60 to bring the grinding mechanism 70 closer to the chuck table 20 at the air cut speed V2 (time range T2).

研削砥石７７の下面が、ウェーハ５の上面６に接触する高さｈ２に到達した場合、制御部３は、第１研削速度Ｖ３で、研削砥石７７によって、ウェーハ５の上面６を研削する（時間範囲Ｔ３）。第１研削速度Ｖ３は、初期速度Ｖ１よりも遅く、たとえばエアカット速度Ｖ２と同様の速度であり、たとえば０．９μｍ／ｓｅｃである。また、制御部３は、研削水ノズル機構３３を用いて、研削水ノズル３４から、ウェーハ５の上面６に研削水を供給する（図２の矢印３０３参照）。なお、制御部３は、旋回モータ３５を用いて、研削水ノズル３４から供給される研削水の方向（着水点）を調整する（図２の矢印３０４参照）。 When the lower surface of the grinding wheel 77 reaches the height h2 at which it contacts the upper surface 6 of the wafer 5, the control unit 3 grinds the upper surface 6 of the wafer 5 with the grinding wheel 77 at the first grinding speed V3 (time Range T3). The first grinding speed V3 is slower than the initial speed V1 and is, for example, the same speed as the air cutting speed V2, for example 0.9 μm/sec. The control unit 3 also supplies grinding water to the upper surface 6 of the wafer 5 from the grinding water nozzle 34 using the grinding water nozzle mechanism 33 (see arrow 303 in FIG. 2). Note that the control unit 3 uses the turning motor 35 to adjust the direction (landing point) of the grinding water supplied from the grinding water nozzle 34 (see arrow 304 in FIG. 2).

この際、上述したように、研削砥石７７は、保持面２２が保持しているウェーハ５の半径部分の中心と外周との間の上方に位置づけられている。このため、研削砥石７７は、ウェーハ５の半径部分の中心と外周との間から外周までの部分に接近し、この部分を研削する。これにより、図２および図３に示すように、ウェーハ５の上面６では、その中央エリア６０１が研削されず、中央エリア６０１の外側の環状の外側エリア６０２が研削される。すなわち、外研削工程では、ウェーハ５の中央に、研削されない円形の中央エリア６０１を形成するとともに、ウェーハ５における中央エリア６０１の外側の環状の外側エリア６０２を研削する。
なお、図２に、研削砥石７７におけるウェーハ５の上面６の外側エリア６０２に接触する部分である第１接触部分７７１を示している。 At this time, as described above, the grinding wheel 77 is positioned above between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer 5 held by the holding surface 22 . Therefore, the grinding wheel 77 approaches the portion from between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer 5 to the outer periphery, and grinds this portion. As a result, as shown in FIGS. 2 and 3, the central area 601 of the top surface 6 of the wafer 5 is not ground, and the annular outer area 602 outside the central area 601 is ground. That is, in the outer grinding step, a circular central area 601 that is not ground is formed in the center of the wafer 5, and an annular outer area 602 outside the central area 601 of the wafer 5 is ground.
In addition, FIG. 2 shows a first contact portion 771 which is a portion of the grinding wheel 77 that contacts the outer area 602 of the upper surface 6 of the wafer 5 .

この外研削工程では、制御部３は、外側エリア６０２を、厚み設定工程において設定された面合わせ厚みまで研削する。すなわち、制御部３は、適宜、厚み測定器５６を用いて、研削されているウェーハ５の外側エリア６０２の厚みを測定する。そして、研削砥石７７の下面の高さが高さｈ３となり（図４参照）、外側エリア６０２の厚みが面合わせ厚みに到達した場合、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、比較的に高速の退避速度Ｖ４で、研削砥石７７を、エアカット開始高さｈ１に退避させる（時間範囲Ｔ４）。これにより、研削砥石７７の下面がウェーハ５の上面６から離れる。 In this outer grinding step, the control unit 3 grinds the outer area 602 to the mating thickness set in the thickness setting step. That is, the control unit 3 appropriately uses the thickness measuring device 56 to measure the thickness of the outer area 602 of the wafer 5 being ground. Then, when the height of the lower surface of the grinding wheel 77 reaches the height h3 (see FIG. 4) and the thickness of the outer area 602 reaches the thickness of the mating surface, the control unit 3 uses the grinding feed mechanism 60 to move the At the high retraction speed V4, the grinding wheel 77 is retracted to the air cut start height h1 (time range T4). As a result, the lower surface of the grinding wheel 77 is separated from the upper surface 6 of the wafer 5 .

［４．中央研削工程］
［４－１．中央エリア研削工程］
次に、制御部３は、Ｙ軸方向移動機構９０を用いてチャックテーブル２０の位置を調整することにより、図５に示すように、ウェーハ５を保持しているチャックテーブル２０の保持面２２の中心の上方に、研削砥石７７を位置づける。 [4. Central Grinding Process]
[4-1. Central area grinding process]
Next, the control unit 3 adjusts the position of the chuck table 20 using the Y-axis direction moving mechanism 90 so that the holding surface 22 of the chuck table 20 holding the wafer 5 as shown in FIG. Position the grinding wheel 77 above the center.

次に、制御部３は、研削送り機構６０を用いて研削機構７０を下降させて、研削砥石７７を保持面２２に垂直な方向に沿って保持面２２に接近させることによって、ウェーハ５の上面６の中央エリア６０１を研削して、中央エリア６０１と外側エリア６０２とを面一にする。 Next, the control unit 3 lowers the grinding mechanism 70 using the grinding feed mechanism 60 to bring the grinding wheel 77 closer to the holding surface 22 along the direction perpendicular to the holding surface 22 , thereby lowering the upper surface of the wafer 5 . The central area 601 of 6 is ground so that the central area 601 and the outer area 602 are flush.

具体的には、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、図４に示すように、エアカット速度Ｖ５で、研削機構７０をチャックテーブル２０に接近させる（時間範囲Ｔ５）。このエアカット速度Ｖ５は、たとえば、上述したエアカット速度Ｖ２と同様の速度である。
研削砥石７７の下面が、ウェーハ５の上面６に接触する高さｈ２に到達した場合、制御部３は、第２研削速度Ｖ６で、研削砥石７７によって、ウェーハ５の上面６を研削する（時間範囲Ｔ６）。第２研削速度Ｖ６は、たとえばエアカット速度Ｖ２および第１研削速度Ｖ３と同様の速度であり、たとえば０．９μｍ／ｓｅｃである。また、制御部３は、研削水ノズル機構３３を用いて、ウェーハ５の上面６に研削水を供給する（図５の矢印３０３参照）。 Specifically, the controller 3 uses the grinding feed mechanism 60 to bring the grinding mechanism 70 closer to the chuck table 20 at the air cut speed V5 as shown in FIG. 4 (time range T5). This air cut speed V5 is, for example, the same speed as the air cut speed V2 described above.
When the lower surface of the grinding wheel 77 reaches the height h2 at which it contacts the upper surface 6 of the wafer 5, the control unit 3 grinds the upper surface 6 of the wafer 5 with the grinding wheel 77 at the second grinding speed V6 (time range T6). The second grinding speed V6 is, for example, the same speed as the air cut speed V2 and the first grinding speed V3, and is, for example, 0.9 μm/sec. The control unit 3 also supplies grinding water to the upper surface 6 of the wafer 5 using the grinding water nozzle mechanism 33 (see arrow 303 in FIG. 5).

この際、上述したように、研削砥石７７は、ウェーハ５を保持している保持面２２の中心の上方に位置づけられている。このため、図５に示すように、外研削工程において研削されなかったウェーハ５の上面６の中央エリア６０１が研削される。
なお、図５に、研削砥石７７におけるウェーハ５の上面６の中央エリア６０１に接触する部分である第２接触部分７７２を示している。 At this time, as described above, the grinding wheel 77 is positioned above the center of the holding surface 22 holding the wafer 5 . Therefore, as shown in FIG. 5, the central area 601 of the upper surface 6 of the wafer 5 that was not ground in the outer grinding step is ground.
Note that FIG. 5 shows a second contact portion 772 which is a portion of the grinding wheel 77 that contacts the central area 601 of the upper surface 6 of the wafer 5 .

制御部３は、適宜、厚み測定器５６を用いて、研削されているウェーハ５の中央エリア６０１の厚みを測定する。そして、研削砥石７７の下面の高さが高さｈ３となり（図４参照）、中央エリア６０１の厚みが、外側エリア６０２の厚みである面合わせ厚みに到達して、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となるまで、制御部３は、第２研削速度Ｖ６での中央エリア６０１の研削を実施する。 The controller 3 appropriately uses the thickness measuring device 56 to measure the thickness of the central area 601 of the wafer 5 being ground. Then, the height of the lower surface of the grinding wheel 77 becomes the height h3 (see FIG. 4), the thickness of the central area 601 reaches the thickness of the outer area 602, which is the thickness of the surface contact, and the central area 601 and the outer area 602 are separated. The control unit 3 grinds the central area 601 at the second grinding speed V6 until the two are flush with each other.

［４－２．全面研削工程］
また、制御部３は、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となった後、中央エリア６０１および外側エリア６０２を、これらが仕上げ厚みとなるまで研削する。
具体的には、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、図４に示すように、研削機構７０の下降速度を、第２研削速度Ｖ６から第３研削速度Ｖ７に遅くして、研削加工を継続する（時間範囲Ｔ７；仕上げ研削）。この研削加工では、図６に示すように、ウェーハ５の上面６における中央エリア６０１および外側エリア６０２を含む全面が研削される。また、第３研削速度Ｖ７は、たとえば、０．３μｍ／ｓｅｃである。 [4-2. Full surface grinding process]
Further, after the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other, the control unit 3 grinds the central area 601 and the outer area 602 until they have the finished thickness.
Specifically, the control unit 3 uses the grinding feed mechanism 60 to reduce the descending speed of the grinding mechanism 70 from the second grinding speed V6 to the third grinding speed V7 as shown in FIG. Machining is continued (time range T7; finish grinding). In this grinding process, as shown in FIG. 6, the entire surface of the upper surface 6 of the wafer 5 including a central area 601 and an outer area 602 is ground. Also, the third grinding speed V7 is, for example, 0.3 μm/sec.

そして、制御部３は、研削砥石７７の下面の高さが高さｈ４となり（図４参照）、厚み測定器５６によって測定されるウェーハ５の厚みが、厚み設定工程において設定された仕上げ厚みに到達したときに、研削送り機構６０による研削機構７０の下降を停止させ、いわゆるスパークアウト加工を実施する（時間範囲Ｔ８）。このスパークアウト加工により、ウェーハ５の上面６における研削斑が除去される。 Then, the control unit 3 sets the height of the lower surface of the grinding wheel 77 to the height h4 (see FIG. 4), and the thickness of the wafer 5 measured by the thickness measuring device 56 reaches the finish thickness set in the thickness setting step. When it reaches, the descent of the grinding mechanism 70 by the grinding feed mechanism 60 is stopped, and so-called spark-out machining is performed (time range T8). This spark-out process removes grinding unevenness on the upper surface 6 of the wafer 5 .

スパークアウト加工の終了後、制御部３は、エスケープカット加工を実施する（時間範囲Ｔ９）。この際、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、研削機構７０を、予め設定されているエスケープカット加工速度Ｖ９で、ゆっくりと上昇させることにより、研削砥石７７によってウェーハ５をエスケープカット加工する。 After finishing the spark-out machining, the control unit 3 executes the escape cut machining (time range T9). At this time, the control unit 3 uses the grinding feed mechanism 60 to slowly raise the grinding mechanism 70 at a preset escape cut processing speed V9, so that the wafer 5 is escape cut processed by the grinding wheel 77. do.

エスケープカット加工は、たとえば、研削砥石７７の下面がウェーハ５の上面６から離れるまで実施される。エスケープカット加工の終了後、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、研削機構７０を、比較的に高速の退避速度Ｖ１０で、原点高さ位置に退避させる（時間範囲Ｔ１０）。この退避速度Ｖ１０は、たとえば、上述した退避速度Ｖ４と同様の速度である。 Escape cut processing is performed, for example, until the lower surface of the grinding wheel 77 is separated from the upper surface 6 of the wafer 5 . After the escape cut processing is completed, the control unit 3 uses the grinding feed mechanism 60 to retract the grinding mechanism 70 to the origin height position at a relatively high retraction speed V10 (time range T10). This retraction speed V10 is, for example, the same speed as the retraction speed V4 described above.

以上のように、本実施形態では、外研削工程においてウェーハ５の外側エリア６０２のみを研削した後、中央研削工程の中央エリア研削工程において、外側エリア６０２と面一となるまで、中央エリア６０１を研削している。すなわち、本実施形態では、ウェーハ５の厚みを面合わせ厚みにする際に、ウェーハ５の上面６を中央エリア６０１と外側エリア６０２とに分けて、エリアごとに研削を実施している。 As described above, in the present embodiment, after grinding only the outer area 602 of the wafer 5 in the outer grinding process, the central area 601 is ground until it becomes flush with the outer area 602 in the central area grinding process of the central grinding process. Grinding. That is, in this embodiment, when the thickness of the wafer 5 is adjusted to the face-to-face thickness, the upper surface 6 of the wafer 5 is divided into a central area 601 and an outer area 602, and each area is ground.

したがって、ウェーハ５と研削砥石７７の下面との接触面積、すなわち、第１接触部分７７１（図２参照）および第２接触部分７７２（図５参照）の面積が小さくなるので、ウェーハ５にかかる研削荷重（垂直荷重）を小さくすることができる。このため、外研削工程における研削速度である第１研削速度Ｖ３、および、中央エリア研削工程における研削速度である第２研削速度Ｖ６を、高速化することができる。たとえば、第１研削速度Ｖ３および第２研削速度Ｖ６を互いに等しい速度とするとともに、この速度を、上面６の全面を仕上げ研削する際の第３研削速度Ｖ７（０．３μｍ／ｓｅｃ）の３倍（０．９μｍ／ｓｅｃ）とすることができる。したがって、本実施形態では、外研削工程および中央研削工程における合計の研削時間を、上面６の全面を最初から一度に研削する従来の方法における研削時間に比して、短縮することが可能となっている。 Therefore, since the contact area between the wafer 5 and the lower surface of the grinding wheel 77, that is, the area of the first contact portion 771 (see FIG. 2) and the second contact portion 772 (see FIG. 5), is reduced, the grinding of the wafer 5 is reduced. The load (vertical load) can be reduced. Therefore, the first grinding speed V3, which is the grinding speed in the outer grinding step, and the second grinding speed V6, which is the grinding speed in the central area grinding step, can be increased. For example, the first grinding speed V3 and the second grinding speed V6 are made equal to each other, and this speed is three times the third grinding speed V7 (0.3 μm/sec) for finish grinding the entire surface of the upper surface 6. (0.9 μm/sec). Therefore, in this embodiment, the total grinding time in the outer grinding process and the central grinding process can be shortened compared to the grinding time in the conventional method of grinding the entire surface of the upper surface 6 at once from the beginning. ing.

たとえば、図４に破線によって示すように、従来の研削方法では、研削砥石７７の下面が所定のエアカット開始高さｈ１に到達した後、ウェーハ５の上面６の全面を、第１研削速度Ｖ３等よりも遅い第４研削速度Ｖ１２で研削した後、さらに遅い第４研削速度Ｖ１３で仕上げ研削している。したがって、図４に示すように、研削の開始から終了までにかかる時間ｔ１が、本実施形態における研削の開始から終了までの時間ｔ０よりも長くなっている。 For example, as shown by the dashed line in FIG. 4, in the conventional grinding method, after the lower surface of the grinding wheel 77 reaches a predetermined air cutting start height h1, the entire surface of the upper surface 6 of the wafer 5 is ground at the first grinding speed V3. After grinding at a fourth grinding speed V12, which is slower than the above, finish grinding is performed at a fourth grinding speed V13, which is still slower. Therefore, as shown in FIG. 4, the time t1 from the start to end of grinding is longer than the time t0 from the start to end of grinding in this embodiment.

また、本実施形態では、外研削工程の後（時間範囲Ｔ３の後）、スパークアウト加工およびエスケープカット加工を行うことなく研削砥石７７をエアカット開始高さｈ１に退避させて、その後に、中央研削工程を実施している。したがって、研削時間をさらに短縮することが可能となっている。 Further, in the present embodiment, after the outer grinding step (after the time range T3), the grinding wheel 77 is retracted to the air cut start height h1 without performing the spark-out processing and the escape cut processing. Grinding process is carried out. Therefore, it is possible to further shorten the grinding time.

また、本実施形態では、外研削工程および中央エリア研削工程においてウェーハ５にかかる研削荷重を小さくすることができるので、研削中にチャックテーブル２０が傾くことを抑制することができる。したがって、ウェーハ５を、均一な厚みを有するように研削することが可能となる。 Further, in this embodiment, since the grinding load applied to the wafer 5 can be reduced in the outer grinding process and the central area grinding process, tilting of the chuck table 20 during grinding can be suppressed. Therefore, it becomes possible to grind the wafer 5 so as to have a uniform thickness.

なお、本実施形態では、制御部３は、外研削工程でウェーハ５の外側エリア６０２に接触する研削砥石７７の下面の面積である第１接触部分７７１（図２参照）の面積と、中央研削工程の中央エリア研削工程でウェーハ５の中央エリア６０１に接触する研削砥石７７の下面の面積である第２接触部分７７２（図５参照）の面積とを、互いに等しくしてもよい。 In this embodiment, the control unit 3 controls the area of the first contact portion 771 (see FIG. 2), which is the area of the lower surface of the grinding wheel 77 that contacts the outer area 602 of the wafer 5 in the outer grinding process, and the central grinding The area of the second contact portion 772 (see FIG. 5), which is the area of the lower surface of the grinding wheel 77 that contacts the central area 601 of the wafer 5 in the central area grinding step of the process, may be equal to each other.

これにより、外研削工程および中央エリア研削工程において、ウェーハ５にかかる研削荷重を等しくすること、および、研削砥石７７にかかる負荷を等しくすることができる。この場合、第１接触部分７７１の面積と第２接触部分７７２の面積とが互いに等しくなるように、外研削工程において、制御部３が、たとえば研削砥石７７の外径およびウェーハ５の外径に基づいて、Ｙ軸方向移動機構９０を制御して、研削砥石７７に対するチャックテーブル２０のＹ軸方向における位置を設定する。
なお、第１接触部分７７１の面積と第２接触部分７７２の面積は、研削砥石７７に対するチャックテーブル２０のＹ軸方向における位置と研削砥石７７の径方向の幅から予め算出している。 This makes it possible to equalize the grinding load applied to the wafer 5 and equalize the load applied to the grinding wheel 77 in the outer grinding process and the central area grinding process. In this case, in the external grinding step, the controller 3 adjusts the outer diameter of the grinding wheel 77 and the outer diameter of the wafer 5 so that the area of the first contact portion 771 and the area of the second contact portion 772 are equal to each other. Based on this, the Y-axis direction moving mechanism 90 is controlled to set the position of the chuck table 20 with respect to the grinding wheel 77 in the Y-axis direction.
The area of the first contact portion 771 and the area of the second contact portion 772 are calculated in advance from the position of the chuck table 20 with respect to the grinding wheel 77 in the Y-axis direction and the radial width of the grinding wheel 77 .

また、制御部３は、研削機構７０におけるスピンドル７２を回転させるスピンドルモータ７３の負荷電流値を用いて、研削を制御してもよい。たとえば、制御部３は、外研削工程で外側エリア６０２を研削する際のスピンドルモータ７３の負荷電流値と、中央研削工程の中央エリア研削工程で中央エリア６０１を研削する際のスピンドルモータ７３の負荷電流値とを測定し、これらを互いに等しくしてもよい。 Further, the control unit 3 may control grinding using the load current value of the spindle motor 73 that rotates the spindle 72 in the grinding mechanism 70 . For example, the control unit 3 controls the load current value of the spindle motor 73 when grinding the outer area 602 in the outer grinding process and the load of the spindle motor 73 when grinding the central area 601 in the central area grinding process of the central grinding process. , and may be measured and equated to each other.

この場合にも、外研削工程および中央エリア研削工程において、ウェーハ５にかかる研削荷重を等しくすること、および、研削砥石７７にかかる負荷を等しくすることができる。この場合、制御部３は、外研削工程と中央エリア研削工程とにおけるスピンドルモータ７３の負荷電流値が互いに等しくなるように、たとえば、第１接触部分７７１と第２接触部分７７２との面積を調整する。
すなわち、制御部３は、外研削工程において外側エリア６０２を研削する際に、スピンドルモータ７３の負荷電流値（外負荷電流値）を測定する。さらに、制御部３は、中央研削工程における中央エリア研削工程において中央エリア６０１を研削する際に、スピンドルモータ７３の負荷電流値（中央負荷電流値）を測定する。そして、制御部３は、外負荷電流値と中央負荷電流値とが互いに等しくなるように、たとえば、第１接触部分７７１と第２接触部分７７２との面積を調整する。 In this case also, the grinding load applied to the wafer 5 and the load applied to the grinding wheel 77 can be made equal in the outer grinding process and the central area grinding process. In this case, the controller 3 adjusts the areas of the first contact portion 771 and the second contact portion 772, for example, so that the load current values of the spindle motor 73 in the outer grinding process and the central area grinding process are equal to each other. do.
That is, the control unit 3 measures the load current value (external load current value) of the spindle motor 73 when grinding the outer area 602 in the external grinding process. Furthermore, the control unit 3 measures the load current value (central load current value) of the spindle motor 73 when grinding the central area 601 in the central area grinding process in the central grinding process. Then, the controller 3 adjusts, for example, the areas of the first contact portion 771 and the second contact portion 772 so that the external load current value and the central load current value are equal to each other.

また、制御部３は、第１接触部分７７１と第２接触部分７７２との面積を調整することに代えてあるいは加えて、図１に示したテーブル回転機構２８を制御して、ウェーハ５を保持しているチャックテーブル２０の回転速度を調整することにより、外研削工程と中央エリア研削工程とにおけるスピンドルモータ７３の負荷電流値を等しくするように構成されていてもよい。
また、制御部３は、チャックテーブル２０の回転速度を調整することに代えてあるいは加えて、スピンドルモータ７３の回転速度を調整することにより、外研削工程と中央エリア研削工程とにおけるスピンドルモータ７３の負荷電流値を等しくするように構成されていてもよい。 In addition to or instead of adjusting the areas of the first contact portion 771 and the second contact portion 772, the control section 3 controls the table rotation mechanism 28 shown in FIG. 1 to hold the wafer 5. The load current value of the spindle motor 73 may be made equal between the outer grinding process and the central area grinding process by adjusting the rotation speed of the chuck table 20 .
Further, instead of or in addition to adjusting the rotation speed of the chuck table 20, the control unit 3 adjusts the rotation speed of the spindle motor 73 in the outer grinding process and the central area grinding process. It may be configured to equalize the load current values.

また、制御部３は、ウェーハ保持機構３０に備えられている荷重測定器２９を用いて、外研削工程でウェーハ５の上面６の外側エリア６０２を研削する際の荷重値と、中央研削工程でウェーハ５の上面６の中央エリア６０１を研削する際の荷重値とを、互いに等しくしてもよい。 Further, the control unit 3 uses the load measuring device 29 provided in the wafer holding mechanism 30 to measure the load value when grinding the outer area 602 of the upper surface 6 of the wafer 5 in the outer grinding process and the load value when grinding the outer area 602 in the central grinding process. The load values for grinding the central area 601 of the upper surface 6 of the wafer 5 may be equal to each other.

すなわち、制御部３は、外研削工程において外側エリア６０２を研削する際に、荷重測定器２９を用いて、ウェーハ５にかかる荷重（外研削荷重）を測定する。さらに、制御部３は、中央研削工程における中央エリア研削工程において中央エリア６０１を研削する際に、荷重測定器２９を用いて、ウェーハ５にかかる荷重（中央研削荷重）を測定する。そして、制御部３は、外研削荷重と中央研削荷重とが互いに等しくなるように、たとえば、第１接触部分７７１と第２接触部分７７２との面積を調整する、および／または、テーブル回転機構２８を制御してウェーハ５を保持しているチャックテーブル２０の回転速度を調整する。これにより、外研削工程および中央エリア研削工程において、ウェーハ５にかかる研削荷重を等しくすること、および、研削砥石７７にかかる負荷を等しくすることができる。 That is, the control unit 3 uses the load measuring device 29 to measure the load applied to the wafer 5 (outer grinding load) when grinding the outer area 602 in the outer grinding step. Further, the control unit 3 uses the load measuring device 29 to measure the load applied to the wafer 5 (center grinding load) when grinding the center area 601 in the center area grinding process in the center grinding process. Then, the control unit 3 adjusts, for example, the areas of the first contact portion 771 and the second contact portion 772 so that the outer grinding load and the central grinding load are equal to each other, and/or the table rotation mechanism 28 is controlled to adjust the rotation speed of the chuck table 20 holding the wafer 5 . This makes it possible to equalize the grinding load applied to the wafer 5 and equalize the load applied to the grinding wheel 77 in the outer grinding process and the central area grinding process.

なお、制御部３は、中央エリア研削工程において、厚み測定器５６を用いて、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となったことを検知している。これに関し、制御部３は、スピンドルモータ７３の負荷電流値を用いて、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となったことを検知してもよい。
すなわち、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となると、研削砥石７７の下面がウェーハ５の上面６の全面に接触するため、研削砥石７７の下面とウェーハ５の上面６との摩擦抵抗が大きくなり、スピンドルモータ７３の負荷電流値が大きくなる。制御部３は、この負荷電流値の変化に基づいて、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となったことを検知してもよい。 Note that the control unit 3 uses the thickness measuring device 56 to detect that the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other in the central area grinding step. In this regard, the control unit 3 may use the load current value of the spindle motor 73 to detect that the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other.
That is, when the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other, the lower surface of the grinding wheel 77 contacts the entire surface of the upper surface 6 of the wafer 5, so that the frictional resistance between the lower surface of the grinding wheel 77 and the upper surface 6 of the wafer 5 increases. increases, and the load current value of the spindle motor 73 increases. The control unit 3 may detect that the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other based on the change in the load current value.

あるいは、制御部３は、ウェーハ保持機構３０に備えられている荷重測定器２９の測定値に基づいて、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となったことを検知してもよい。
すなわち、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となると、研削砥石７７の下面がウェーハ５の上面６の全面に接触するため、ウェーハ５が研削砥石７７から受ける研削荷重値が大きくなる。制御部３は、この研削荷重値の変化を荷重測定器２９を用いて検出することによって、中央エリア６０１と外側エリア６０２とが面一となったことを検知してもよい。 Alternatively, the control unit 3 may detect that the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other based on the measured value of the load measuring device 29 provided in the wafer holding mechanism 30 .
That is, when the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other, the lower surface of the grinding wheel 77 comes into contact with the entire upper surface 6 of the wafer 5, so the grinding load applied to the wafer 5 from the grinding wheel 77 increases. The control unit 3 may detect that the central area 601 and the outer area 602 are flush with each other by detecting the change in the grinding load value using the load measuring device 29 .

また、本実施形態では、外研削工程において、ウェーハ５の半径部分の中心と外周との間から外周までの部分に研削砥石７７を接近させて外側エリア６０２を研削するために、Ｙ軸方向移動機構９０を用いてチャックテーブル２０におけるＹ軸方向での位置を調整することにより、ウェーハ５の半径部分の中心と外周との間の上方に、研削砥石７７を位置づけている。
これに関し、チャックテーブル２０と研削砥石７７とのＹ軸方向における相対的な位置関係を調整することに代えて、チャックテーブル２０の傾斜角度を変更することにより、研削砥石７７によって外側エリア６０２を研削してもよい。 Further, in this embodiment, in the outer grinding step, the Y-axis direction movement is performed in order to grind the outer area 602 by bringing the grinding wheel 77 closer to the portion from between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer 5 to the outer periphery. Grinding wheel 77 is positioned above between the center and outer periphery of the radial portion of wafer 5 by adjusting its position in the Y-axis direction on chuck table 20 using mechanism 90 .
In this regard, instead of adjusting the relative positional relationship between the chuck table 20 and the grinding wheel 77 in the Y-axis direction, the outer area 602 is ground by the grinding wheel 77 by changing the inclination angle of the chuck table 20 . You may

この場合、図７に示すように、制御部３は、外研削工程において、ウェーハ５を保持しているチャックテーブル２０の保持面２２の中心の上方に、研削砥石７７を位置づける。
また、制御部３は、図８に示すように、チャックテーブル２０の傾斜角度θを、ウェーハ５の半径部分の中心と外周との間から外周までの部分、すなわち、ウェーハ５の外側エリア６０２のみに研削砥石７７の下面が接触するように、調整する。この場合のチャックテーブル２０の傾斜角度θは、図３および図６に示した傾斜角度θよりも大きくなる。 In this case, as shown in FIG. 7, the controller 3 positions the grinding wheel 77 above the center of the holding surface 22 of the chuck table 20 holding the wafer 5 in the outer grinding step.
Further, as shown in FIG. 8, the control unit 3 sets the tilt angle θ of the chuck table 20 to only the portion between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer 5 to the outer periphery, that is, only the outer area 602 of the wafer 5. is adjusted so that the lower surface of the grinding wheel 77 comes into contact with . The tilt angle θ of the chuck table 20 in this case is larger than the tilt angle θ shown in FIGS.

次に、制御部３は、研削送り機構６０を用いて、原点高さ位置にある研削機構７０を下降させて、研削砥石７７を保持面２２に垂直な方向に沿って保持面２２に接近させることによって、ウェーハ５に、研削されない円形の中央エリア６０１を形成するとともに、ウェーハ５における中央エリア６０１の外側の環状の外側エリア６０２を研削する。
なお、図７に、研削砥石７７におけるウェーハ５の上面６の外側エリア６０２に接触する部分である第１接触部分７７１を示している。 Next, using the grinding feed mechanism 60, the control unit 3 lowers the grinding mechanism 70 from the origin height position to bring the grinding wheel 77 closer to the holding surface 22 along the direction perpendicular to the holding surface 22. Thereby, a circular central area 601 which is not ground is formed on the wafer 5 and an annular outer area 602 outside the central area 601 of the wafer 5 is ground.
Note that FIG. 7 shows a first contact portion 771 which is a portion of the grinding wheel 77 that contacts the outer area 602 of the upper surface 6 of the wafer 5 .

制御部３は、たとえば、外側エリア６０２の一部（ウェーハ５の外周）が面合わせ厚みとなるまで外側エリア６０２を研削した後、研削送り機構６０によって研削機構７０を上昇させて、研削砥石７７の下面をウェーハ５の上面６から離す。または、研削機構７０を一時停止させて、その後、制御部３は、図６に示すように、チャックテーブル２０の傾斜角度θを、円錐状の保持面２２における研削砥石７７の下方に位置する部分が研削砥石７７の下面と平行となるように調整する（小さくする）。そして、制御部３は、上述した中央研削工程を実施し、中央エリア研削工程において中央エリア６０１を面合わせ厚みまで研削するとともに、全面研削工程において、中央エリア６０１および外側エリア６０２を、これらが仕上げ厚みとなるまで研削する。 For example, the controller 3 grinds the outer area 602 until a part of the outer area 602 (the outer periphery of the wafer 5) reaches the mating thickness, and then raises the grinding mechanism 70 by the grinding feed mechanism 60 and grinds the grinding wheel 77. from the top surface 6 of the wafer 5. Alternatively, the grinding mechanism 70 is temporarily stopped, and then the controller 3, as shown in FIG. is parallel to the lower surface of the grinding wheel 77 (reduced). Then, the control unit 3 performs the above-described center grinding process, grinds the center area 601 to the thickness of the mating surface in the center area grinding process, and grinds the center area 601 and the outer area 602 in the entire surface grinding process. Grind until thick.

この方法でも、外研削工程および中央エリア研削工程において、ウェーハ５と研削砥石７７の下面との接触面積が小さくなるので、ウェーハ５にかかる研削荷重を小さくすることができるため、研削速度を高速化することができる。したがって、外研削工程および中央研削工程における合計の研削時間を短縮することが可能となっている。
また、この方法では、外研削工程から中央研削工程に移行する際に、Ｙ軸方向移動機構９０によって研削機構７０に対するチャックテーブル２０のＹ軸方向における位置を変更する必要がない。したがって、研削時間をより短縮することができる。 This method also reduces the contact area between the wafer 5 and the lower surface of the grinding wheel 77 in the outer grinding process and the central area grinding process, so that the grinding load applied to the wafer 5 can be reduced, thereby increasing the grinding speed. can do. Therefore, it is possible to shorten the total grinding time in the outer grinding process and the central grinding process.
Moreover, in this method, it is not necessary to change the position of the chuck table 20 in the Y-axis direction with respect to the grinding mechanism 70 by the Y-axis direction moving mechanism 90 when shifting from the outer grinding process to the central grinding process. Therefore, the grinding time can be shortened.

１：研削装置、３：制御部、５：ウェーハ、６：上面、１０：基台、
１１：コラム、１２：蛇腹カバー、１３：開口部、２０：チャックテーブル、
２１：ポーラス部材、２２：保持面、２３：枠体、２４：枠体面、
２８：テーブル回転機構、２９：荷重測定器、３０：ウェーハ保持機構、
３３：研削水ノズル機構、３４：研削水ノズル、３５：旋回モータ、
３８：第２研削水源、３９：カバー板、
５６：厚み測定器、５７：ウェーハ高さ測定部、５８：保持面高さ測定部、
６０：研削送り機構、６１：Ｚ軸ガイドレール、６２：Ｚ軸ボールネジ、
６３：Ｚ軸移動テーブル、６４：Ｚ軸モータ、６５：Ｚ軸エンコーダ、
６６：ホルダ、６９：第１研削水源、
７０：研削機構、７１：スピンドルハウジング、７２：スピンドル、
７３：スピンドルモータ、７４：ホイールマウント、７５：研削ホイール、
７６：ホイール基台、７７：研削砥石、
９０：Ｙ軸方向移動機構、９１：保持台、９２：Ｙ軸ガイドレール、
９３：Ｙ軸ボールネジ、９４：Ｙ軸モータ、９５：Ｙ軸移動テーブル、
９６：Ｙ軸エンコーダ、
６０１：中央エリア、６０２：外側エリア、
７７１：第１接触部分、７７２：第２接触部分 1: grinding device, 3: control unit, 5: wafer, 6: upper surface, 10: base,
11: column, 12: bellows cover, 13: opening, 20: chuck table,
21: porous member, 22: holding surface, 23: frame, 24: frame surface,
28: table rotation mechanism, 29: load measuring device, 30: wafer holding mechanism,
33: grinding water nozzle mechanism, 34: grinding water nozzle, 35: turning motor,
38: second grinding water source, 39: cover plate,
56: Thickness measuring instrument, 57: Wafer height measuring unit, 58: Holding surface height measuring unit,
60: Grinding feed mechanism, 61: Z-axis guide rail, 62: Z-axis ball screw,
63: Z-axis moving table, 64: Z-axis motor, 65: Z-axis encoder,
66: holder, 69: first grinding water source,
70: grinding mechanism, 71: spindle housing, 72: spindle,
73: spindle motor, 74: wheel mount, 75: grinding wheel,
76: Wheel base, 77: Grinding wheel,
90: Y-axis direction movement mechanism, 91: holding table, 92: Y-axis guide rail,
93: Y-axis ball screw, 94: Y-axis motor, 95: Y-axis movement table,
96: Y-axis encoder,
601: central area, 602: outer area,
771: first contact portion, 772: second contact portion

Claims (5)

保持面によってウェーハを保持しているチャックテーブルを回転させるとともに、スピンドルに装着された環状の研削砥石を回転させてウェーハを研削するウェーハの研削方法であって、
該保持面が保持しているウェーハの半径部分の中心と外周との間から外周までの部分に該研削砥石を接近させることによって、該ウェーハの中央に、研削されない円形の中央エリアを形成するとともに、該ウェーハにおける該中央エリアの外側の環状の外側エリアを研削する外研削工程と、
該外研削工程の後、該保持面の中心の上方に該研削砥石を位置づけ、該研削砥石を該保持面に垂直な方向に沿って該保持面に接近させることによって、該中央エリアを研削して該外側エリアと面一にする中央研削工程と、を含む、
ウェーハの研削方法。 A wafer grinding method for grinding a wafer by rotating a chuck table holding a wafer by a holding surface and rotating an annular grinding wheel attached to a spindle, comprising:
A circular central area that is not ground is formed in the center of the wafer by bringing the grinding wheel close to the portion from between the center and the outer periphery of the radial portion of the wafer held by the holding surface to the outer periphery. an outer grinding step of grinding an annular outer area of the wafer outside of the central area;
After the outer grinding step, the central area is ground by positioning the grinding wheel over the center of the retaining surface and bringing the grinding wheel closer to the retaining surface along a direction perpendicular to the retaining surface. a central grinding step flush with said outer area;
Wafer grinding method. 該外研削工程で該ウェーハの該外側エリアに接触する該研削砥石の下面の面積と、該中央研削工程で該ウェーハの該中央エリアに接触する該研削砥石の下面の面積とを、互いに等しくする、
請求項１記載のウェーハの研削方法。 The area of the lower surface of the grinding wheel that contacts the outer area of the wafer in the outer grinding step and the area of the lower surface of the grinding wheel that contacts the central area of the wafer in the central grinding step are made equal to each other. ,
The wafer grinding method according to claim 1 . 該スピンドルを回転させるモータの負荷電流値を測定する回転負荷測定部を用いて、該外研削工程で該ウェーハの該外側エリアを研削する際の負荷電流値と、該中央研削工程で該ウェーハの該中央エリアを研削する際の負荷電流値とを、互いに等しくする、
請求項１記載のウェーハの研削方法。 Using a rotating load measuring unit that measures the load current value of the motor that rotates the spindle, the load current value when grinding the outer area of the wafer in the outer grinding process and the load current value of the wafer in the central grinding process making the load current values when grinding the central area equal to each other;
The wafer grinding method according to claim 1 . 該保持面が保持したウェーハにかかる荷重を測定する荷重測定器を用いて、該外研削工程で該ウェーハの該外側エリアを研削する際の荷重値と、該中央研削工程で該ウェーハの該中央エリアを研削する際の荷重値とを、互いに等しくする、
請求項１記載のウェーハの研削方法。 Using a load measuring device for measuring the load applied to the wafer held by the holding surface, the load value when grinding the outer area of the wafer in the outer grinding step and the center of the wafer in the center grinding step equating the load value when grinding the area to each other,
The wafer grinding method according to claim 1 . 仕上げ厚みと、該仕上げ厚みよりも厚い面合わせ厚みとを設定する厚み設定工程を備え、
該外研削工程では、該ウェーハの該外側エリアを該面合わせ厚みまで研削し、
該中央研削工程では、該ウェーハの該中央エリアが該外側エリアと面一になった後、該中央エリアおよび該外側エリアを該仕上げ厚みまで研削する、
請求項１記載のウェーハの研削方法。 A thickness setting step of setting a finish thickness and a face-to-face thickness that is thicker than the finish thickness,
In the outer grinding step, the outer area of the wafer is ground to the mating thickness,
The center grinding step grinds the center area and the outer area to the finish thickness after the center area of the wafer is flush with the outer area.
The wafer grinding method according to claim 1 .
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