JP2023056853A - チップ除去方法および装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 159
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000008168 Ficus benjamina Species 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
基板上に保持層を介して保持されているチップのうち、除去対象チップを取り除くチップ除去方法であって、
除去対象チップに粘着層を有する粘着キャリアを当接させる粘着キャリア当接ステップと、
除去対象チップに向けてレーザビームを照射し、当該除去対象チップと保持層との保持力を、当該除去対象チップと粘着キャリアとの粘着力よりも弱める、レーザ照射ステップとを有することを特徴としている。
基板上に保持層を介して保持されているチップのうち、除去対象チップを取り除くチップ除去装置であって、
除去対象チップに粘着キャリアを当接させる粘着キャリア当接部と、
除去対象チップに向けてレーザビームを照射し、当該除去対象チップと保持層との保持力を、当該除去対象チップと粘着キャリアとの粘着力よりも弱める、レーザ照射部とを備えたことを特徴としている。
なお、以下の説明では、直交座標系の3軸をX、Y、Zとし、水平方向をX方向、Y方向と表現し、XY平面に垂直な方向(つまり、重力方向)をZ方向と表現する。また、X方向は奥/手前、Y方向は左/右と表現する。また、Z方向は、重力に逆らう方向を上、重力がはたらく方向を下と表現する。また、X方向を中心軸として回転する方向をα方向とし、Z方向を中心軸として回転する方向をθ方向とする。
具体的には、基板保持台2は、基板Wの下面を支え水平状態で保持するものである。
より具体的には、基板保持台2は、保持面(つまり、基板Wの下面と接する側。上面とも言う)が平坦な板状部材で構成されており、当該保持面には細孔や溝が形成されている。これら細孔や溝は、切替バルブ等を介して負圧吸引手段と接続されており、基板Wを保持面上に置いた状態で負圧吸引手段を作動させると、これら細孔や溝と基板Wとで形成される空間に吸引力が発生する。そのため、基板Wが保持面に吸引されて吸着保持される。
具体的には、粘着キャリア3は、基板Wから分離させた除去対象チップCbを貼り付けて、外部へ排出するものである。
より具体的には、粘着キャリア3は、ベース基板Kの表面(チップCと向き合う側。図では下面側)に粘着層Sが形成されている。
具体的には、粘着キャリア当接部4は、粘着キャリア3を除去対象チップCbの上面に近づけ、当接させるものである。
より具体的には、粘着キャリア当接部4は、キャリア保持部41、搬送ロボット42を備えており、制御部9から出力される制御信号に基づいて駆動・制御される。
具体的には、キャリア保持部41は、粘着キャリア3の外周部の複数個所(図では右奥を代表して例示)を上下面から狭持する構成を例示する。
具体的には、搬送ロボット42は、多軸アクチュエータで構成されており、キャリア保持部41をXYθ方向に移動させたり、Z方向に昇降させたり、所定の位置で静止させたりする構成をしている。
具体的には、レーザ照射部5は、除去対象チップCbにレーザビームLを照射し、除去対象チップCbを透過したエネルギーによって、その下層にある保持層Hの表面をアブレーションすることで、界面E1にはたらく保持力を低下させるものである。
より具体的には、レーザ照射部5は、レーザ発振器51、ビーム走査部52等を備えている。
具体的には、レーザ発振器51は、制御部9からの制御信号に基づいてレーザビームLのパワーや照射ON/OFFが制御される。
より具体的には、レーザ発振器51は、YAGレーザの第2高調波(波長532nm)であるレーザビームLを出力するもの(グリーンレーザと呼ばれる)が例示できる。このレーザビームLの波長は、除去対象チップCbが厚みの薄い半導体材料であれば、エネルギーが透過し、保持層Hの表面がアブレーションされて、界面E1にプラズマ又はガスを発生させることができる。そうすることで、除去対象チップCbが基板Wから勢いよく飛び出す力がはたらき、除去対象チップCbと保持層Hとの界面E1にはたらく保持力が低下する。
具体的には、制御部9は、下記の機能を有している。
・上流工程の検査装置等から直接またはホストコンピュータを介して、除去対象チップCbの配置情報Jを取得する。
・基板保持部2の切替バルブを制御して、基板Wを保持したり、保持を解除する。
・粘着キャリア当接部4のキャリア保持部41を制御して、粘着キャリア3を把持したり、把持を解除する。
・粘着キャリア当接部4の搬送ロボット42を制御して、粘着キャリア2を搬送・排出したり、粘着キャリア2と基板Wとの隙間Gを調節したりする。
・配置情報Jと、撮像カメラ43から取得したアライメントマークMを含む画像とに基づいて、基板W上のどの位置にレーザビームLを照射するか演算する。
・レーザ照射部5のビーム走査部52に対して制御信号を出力し、レーザビームLの照射方向を決定・変更する。
・レーザ照射部5のレーザ発振器51に対して、レーザビームLを照射するための制御信号を出力する。
より具体的には、制御部9は、コンピュータとその実行プログラムで構成されている。
以下に、上述のチップ除去装置1を用いて、基板W上の除去対象チップCbを取り除くチップ除去方法について、動作フローを例示しつつ詳細な手順の説明を行う。
その後、保持層Hに向けてレーザビームLを照射し、除去対象チップCbと保持層Hとの保持力(つまり、界面E1に作用する結合力)を、除去対象チップCbと粘着キャリア3との粘着力よりも弱める(ステップs5:図3(c)参照)。このとき、基板W上のどの位置にレーザビームLを照射するかは、配置情報Jに基づいて演算する。
[粘着キャリア3、粘着キャリア当接部4について]
なお上述では、チップ除去装置1として、粘着キャリア3として、透明なガラス板Kの表面(チップCと向き合う側)にシリコン樹脂からなる粘着層Sが形成された構成を例示した。また、粘着キャリア当接部4として、粘着キャリア3の外縁や外周部を保持するキャリア保持部41と、搬送ロボット42とを備えた構成を例示した。
しかし、本発明を具現化する上で、粘着キャリア3や粘着キャリア当接部4は、この様な構成に限らず、種々の変形例を選択しうる。例えば、下述のような構成のチップ除去装置1Bとしても良い。
なお、基板保持台2、レーザ照射部5は、上述のチップ除去装置1に備えられた構成を概ね同じため、詳細な説明は省略する。
具体的には、粘着キャリア3Bは、基板Wから分離させた除去対象チップCbを貼り付けて、外部へ排出するものである。
より具体的には、粘着キャリア3Bは、可撓性を有するシート状の粘着シートFを含んで構成されており、粘着シートFの表面(チップCと向き合う側)に粘着層S(シリコン樹脂等)が形成されている。
具体的には、シート搬送部6は、除去対象チップCbが貼り付いた粘着シートFを巻出(排出とも言う)し、除去対象チップCbが貼り付いていない粘着シートFを基板Wの上方に配置(供給とも言う)するものである。
より具体的には、シート搬送部6は、巻出ロール61、巻出駆動部62、ガイドローラ63、巻取ロール66、巻取駆動部67、ガイドローラ68等を備えている。
具体的には、粘着シート当接部4Bは、シート搬送部6で供給された粘着キャリア3Bを除去対象チップCbに近づけ、その上面に当接させるものである。
より具体的には、粘着シート当接部4Bは、ガイドローラ63,68をZ方向に移動させる昇降機構を備えている。
具体的には、制御部9Bは、上述の制御部9と同様の機能に加え、下記の様な機能を有している。
・粘着キャリア当接部4Bを制御して、ガイドローラ63,68をZ方向に移動させる。
・シート搬送部6を制御して、粘着キャリア3Bを搬送・静止させる。
なお上述では、粘着キャリア当接部4Bとして、粘着キャリア3Bの搬送経路に配置されたガイドローラ33,38をZ方向に移動させる昇降機構を備え、除去対象チップCbに粘着キャリア3Bを当接させる構成を例示した。
図5(a)には、粘着キャリア3Bを上昇位置に移動させた状態が示されている。
図5(b)には、粘着キャリア3Bを下降位置に移動させた後、除去対象チップCbにレーザビームLを照射している状態が示されている。
なお、基板保持台2、粘着キャリア3B、レーザ照射部5、シート搬送部6は、上述のチップ除去装置1Bに備えられた構成を概ね同じため、詳細な説明は省略する。
具体的には、粘着シート当接部4Cは、シート搬送部6で供給された粘着キャリア3Bを除去対象チップCbに近づけ、その上面に当接させるものである。
より具体的には、粘着シート当接部4Cは、粘着キャリア3Bの上方(つまり、基板Wとは反対側)に配置した板状部材45と、板状部材45を下方(つまり、粘着キャリア3B側)に移動させる昇降機構46を備えている。
具体的には、板状部材45は、所定の厚みを有しつつ、下面側(粘着キャリア3Bと向き合う側)が平坦で透明なガラスやサファイヤ等で構成されている。
より具体的には、昇降機構46は、1軸のアクチュエータで構成され、ボールネジと回転モータを組み合わせたものやエアシリンダ等が例示できる。
具体的には、制御部9Cは、上述の制御部9Bと同様の機能に加え、下記の様な機能を有している。
・粘着キャリア当接部4Cを制御して、板状部材45をZ方向に移動させる。
[粘着キャリア3について]
なお上述では、除去対象チップCbの上方に粘着キャリア3,3Bを配置させる際、基板Wに付されたアライメントマークMが露出するように配置させる構成を例示した。
しかし、粘着キャリア3,3Bが透明で薄い材料で構成されているなど、アライメントマークMの識別や位置検出に影響がなければ、アライメントマークMの上に粘着キャリア3,3Bが配置されても良い。
なお上述では、粘着キャリア当接部4として、粘着キャリア3の外縁や外周部を保持するキャリア保持部41と、搬送ロボット42とを備えた構成を例示した。
しかし、粘着キャリア当接部4は、この様な構成に限定されず、種々の変形例を採用し得る。例えば、キャリア保持部41として、粘着キャリア3の外周部の複数箇所を上下面から狭持する構成や、基板上面を吸引吸着して搬送する構成であっても良いし、ローラコンベアによる搬送や、ムービングビームによるシャトル搬送等であっても良く、水平方向に粘着キャリア3を供給・排出させたり、Z方向に昇降させてたりする機構を備えた構成であれば良い。
なお上述では、レーザ照射部5として、YAGレーザの第2高調波を出力するグリーンレーザを例示し、波長532nmのレーザビームLを出力する構成を例示した。波長532nmのレーザビームLであれば、粘着キャリア3のガラス基板Kや粘着層Sのシリコンを効率よく透過する一方で、導電性樹脂からなる保持層Hに対しては高い吸収特性を示す。つまり、保持層Hの表面がアブレーションされて、除去対象チップCbと保持層Hとの界面E1にはたらく保持力が著しく低下する一方で、除去対象チップCbと粘着キャリア3との界面E2にはたらく粘着力は保たれているので、除去対象チップCbの分離・回収が容易となり、好ましい。
なお上述のチップ除去装置1,1B,1Cは、上述の構成に加え、チップ検査部7を備えた構成であっても良い。
具体的には、チップ検査部7は、粘着キャリア3に貼り付している除去対象チップCbの数をカウントしたり、位置を検出したりするものである。
より具体的には、チップ検査部7は、回収チップ検出部、検査部等を備え、例えば図1,4中の破線で示す位置に配置されている。
具体的には、キャリア回収部は、粘着キャリア3を基板Wから遠ざけ、別の場所(例えば、廃棄場所や搬出用コンベア等)に移動させるものである。
より具体的には、キャリア回収部は、チップ除去装置1における粘着キャリア当接部4の搬送ロボット42や、チップ除去装置1Bにおけるシート搬送部6と兼用する。
具体的には、回収チップ検出部は、X方向に所定の長さを有する帯状の光を発するバー照明と、X方向に多数の受光素子が並んだラインセンサを備えている。
具体的には、検査部は、回収チップ検出部で検出した除去対象チップCbの数および/または位置と配置情報Jとを比較して、基板W上の除去対象チップCbが正しく分離されて粘着キャリア3,3B側に転写されているかを検査する。
より具体的には、検査部は、コンピュータとその実行プログラムで構成されており、制御部9の一部に組み込まれいる。
しかし、回収チップ検出部は、バー照明とラインセンサに限らず、エリアカメラを用いても良い。また、照明やセンサは、搬送キャリア3を装置外に搬出させる際の待機場所や搬送経路等に配置して検査する構成であっても良い。
なお上述した除去対象チップCbの回収は、粘着キャリア3に除去対象チップCbが貼り付いた状態で装置外に搬出して廃棄しても良いし、除去対象チップCbが貼り付いたフィルム状の粘着キャリア3Bを巻取ロール26に巻き付けてロールが満杯になった後廃棄しも良いし、粘着キャリア3,3Bの搬送中にヘラ状部材(スクレーパー)等で除去対象チップCbを掻き落とし、粘着キャリア3,3Bを再利用する構成であっても良い。
2 基板保持台
3,3B 粘着キャリア
4,4B,4C 粘着キャリア当接部
5 レーザ照射部
6 シート搬送部
7 チップ検査部
9,9B,9C 制御部
41 キャリア保持部
42 搬送ロボット
45 板状部材
46 昇降機構
51 レーザ発振器
52 ビーム走査部
52M ミラー
52S スキャナ
61 巻出ロール
62 巻出駆動部
63 ガイドローラ
66 巻取ロール
67 巻取駆動部
68 ガイドローラ
W 基板
C チップ
Cb 除去対象チップ
H 保持層(基板側:導電性樹脂、はんだ等)
S 粘着層(粘着キャリア側)
K ガラス基板
G 隙間
J 除去対象チップの配置情報
L レーザビーム
E1 界面(基板側)
E2 界面(粘着キャリア側)
Claims (10)
- 基板上に保持層を介して保持されているチップのうち、除去対象チップを取り除くチップ除去方法であって、
前記除去対象チップに粘着層を有する粘着キャリアを当接させる粘着キャリア当接ステップと、
前記除去対象チップに向けてレーザビームを照射し、当該除去対象チップと前記保持層との保持力を、当該除去対象チップと前記粘着キャリアとの粘着力よりも弱める、レーザ照射ステップとを有することを特徴とする、チップ除去方法。 - 前記粘着キャリア当接ステップでは、前記除去対象チップを含む複数の前記チップに前記粘着キャリアを当接させ、
前記レーザ照射ステップでは、前記除去対象チップに対して選択的に前記レーザビームを照射することを特徴とする、請求項1に記載のチップ除去方法。 - 前記レーザビームは、
前記除去対象チップと前記保持層との界面にプラズマ又はガスを発生させる波長 又は 当該界面に衝撃を与える波長 を有している
ことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のチップ除去方法。 - 前記レーザ照射ステップは、前記除去対象チップに対して、前記粘着キャリア越しに、前記レーザビームを照射する
ことを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載のチップ除去方法。 - 前記レーザビームが照射されて前記除去対象チップが貼り付いた前記粘着キャリアを回収するキャリア回収ステップと、
前記キャリア回収ステップで回収された前記粘着キャリア上の前記除去対象チップの有無および/または位置を検出する回収チップ検出ステップと、
前記回収チップ検出部で検出された前記除去対象チップについて、前記レーザ照射部で前記レーザビームを照射したものと数および/または位置が一致するか検査する、検査ステップとを有する
ことを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のチップ除去方法。 - 基板上に保持層を介して保持されているチップのうち、除去対象チップを取り除くチップ除去装置であって、
前記除去対象チップに粘着キャリアを当接させる粘着キャリア当接部と、
前記除去対象チップに向けてレーザビームを照射し、当該除去対象チップと前記保持層との保持力を、当該除去対象チップと前記粘着キャリアとの粘着力よりも弱める、レーザ照射部とを備えたことを特徴とする、チップ除去装置。 - 前記粘着キャリア当接部は、前記除去対象チップを含む複数の前記チップに前記粘着キャリアを当接させ、
前記レーザ照射部は、前記除去対象チップに対して選択的に前記レーザビームを照射することを特徴とする、請求項6に記載のチップ除去装置。 - 前記レーザビームは、
前記除去対象チップと前記保持層との界面にプラズマ又はガスを発生させる波長 又は 当該界面に衝撃を与える波長 を有している
ことを特徴とする、請求項6または請求項7に記載のチップ除去装置。 - 前記レーザ照射部は、前記除去対象チップに対して、前記粘着キャリア越しに前記レーザビームを照射する
ことを特徴とする、請求項6~8のいずれかに記載のチップ除去装置。 - 前記レーザビームが照射されて前記除去対象チップが貼り付いた前記粘着キャリアを回収するキャリア回収部と、
前記キャリア回収ステップで回収された前記粘着キャリア上の前記除去対象チップの有無および/または位置を検出する回収チップ検出部と、
前記回収チップ検出部で検出された前記除去対象チップについて、前記レーザ照射部で前記レーザビームを照射したものと数および/または位置が一致するか検査する、検査部とを備えた
ことを特徴とする、請求項6~9のいずれかに記載のチップ除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021166311A JP7455789B2 (ja) | 2021-10-08 | 2021-10-08 | チップ除去方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021166311A JP7455789B2 (ja) | 2021-10-08 | 2021-10-08 | チップ除去方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023056853A true JP2023056853A (ja) | 2023-04-20 |
JP7455789B2 JP7455789B2 (ja) | 2024-03-26 |
Family
ID=86004877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021166311A Active JP7455789B2 (ja) | 2021-10-08 | 2021-10-08 | チップ除去方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7455789B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109496351B (zh) | 2017-06-09 | 2022-09-09 | 歌尔股份有限公司 | 微发光二极管阵列转移方法、制造方法以及显示装置 |
KR102445450B1 (ko) | 2017-06-12 | 2022-09-20 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립 |
KR102369934B1 (ko) | 2017-06-23 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법 |
-
2021
- 2021-10-08 JP JP2021166311A patent/JP7455789B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7455789B2 (ja) | 2024-03-26 |
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