JP2023053696A - 金属箔のレーザ切断方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】例えば、改善された新規な金属箔のレーザ切断方法を得る。【解決手段】金属箔のレーザ切断方法は、例えば、電池の負極を構成する加工対象としての金属箔にレーザ光のパルスを10[MHz]以下の周波数で断続的に照射することにより当該加工対象をレーザ切断する。また、金属箔のレーザ切断方法では、パルスの照射領域と次のパルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)R=L2/L1 ・・・ (1)ここに、L1:照射領域の掃引方向における長さ、L2:パルスと次のパルスとが掃引方向に重なっている場合にはパルスと次のパルスとの重複領域の掃引方向における長さ、パルスと次のパルスとが掃引方向に接している場合には0、パルスと次のパルスとが掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、と定義した場合、重なり率Rは、-22[%]より大きくかつ96[%]以下であってもよい。【選択図】図5

Description

本発明は、金属箔のレーザ切断方法に関する。
金属材料で作られた加工対象を切断する手法の一つとして、レーザ光の照射によるレーザ切断が知られている。レーザ切断とは、レーザ光を加工対象の切断する部分に照射し、レーザ光のエネルギで当該部分を溶融させ、加工対象を切断する方法である(例えば、非特許文献1参照)。
Patwa, Rahul, et al. "High speed laser cutting of electrodes for advanced batteries." International Congress on Applications of Lasers & Electro Optics. 2010.
加工対象が金属箔である場合、当該金属箔は変形したり破れたりしやすいため、レーザ切断における各種パラメータを、より厚い金属部材の場合と同様に設定すると、所要の品質が得られ難い場合があった。
また、金属箔が電池の負極に適用されるような場合にあっては、より高品質なレーザ切断が求められる。
そこで、本発明の課題の一つは、例えば、電池の負極を構成する加工対象としての金属箔をレーザ切断することが可能となるような、改善された新規な金属箔のレーザ切断方法を得ること、である。
本発明の金属箔のレーザ切断方法は、例えば、電池の負極を構成する加工対象としての金属箔にレーザ光のパルスを10[MHz]以下の周波数で断続的に照射することにより当該加工対象をレーザ切断する。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記パルスの照射領域と次の前記パルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)
R=L2/L1 ・・・ (1)
ここに、L1:前記照射領域の掃引方向における長さ、L2:前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に重なっている場合には前記パルスと前記次のパルスとの重複領域の前記掃引方向における長さ、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に接している場合には0、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、と定義した場合、前記重なり率Rは、-22[%]より大きくかつ96[%]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光の照射エネルギが、0.03[J/mm]以上かつ5.0[J/mm]未満であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記金属箔の厚さが、500[μm]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記金属箔は、皮膜で覆われた箇所と、皮膜で覆われていない箇所と、を有してもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光のスポット径が、100[μm]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光のスポット径が、50[μm]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光のスポット径が、28[μm]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光のピーク出力が、200[W]以上であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記金属箔は、銅系材料で作られた金属層を有してもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記周波数が、1[MHz]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光の照射エネルギが、1.0[J/mm]未満であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光のピーク出力が、400[W]以上であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記パルスの照射領域と次の前記パルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)
R=L2/L1 ・・・ (1)
ここに、L1:前記照射領域の掃引方向における長さ、L2:前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に重なっている場合には前記パルスと前記次のパルスとの重複領域の前記掃引方向における長さ、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に接している場合には0、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、と定義した場合、前記重なり率Rが、9[%]以上であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記重なり率Rが、78[%]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記金属箔は、前記金属層の表面に塗布された活物質層を有してもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記周波数が、500[kHz]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記周波数が、100[kHz]以上であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記レーザ光の照射エネルギが、0.15[J/mm]以下であってもよい。
前記金属箔のレーザ切断方法では、前記パルスの照射領域と次の前記パルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)
R=L2/L1 ・・・ (1)
ここに、L1:前記照射領域の掃引方向における長さ、L2:前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に重なっている場合には前記パルスと前記次のパルスとの重複領域の前記掃引方向における長さ、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に接している場合には0、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、と定義した場合、前記重なり率Rが、24[%]以上であってもよい。
本発明によれば、電池の負極を構成する加工対象としての金属箔をレーザ切断することが可能な、より改善された新規な金属箔のレーザ切断方法を得ることができる。
図1は、第1実施形態のレーザ切断装置の例示的な概略構成図である。 図2は、実施形態のレーザ切断装置による加工対象の一例としての活物質が塗布された銅箔の例示的かつ模式的な断面図である。 図3は、実施形態のレーザ切断装置による加工対象の一例としての活物質が塗布された銅箔の例示的かつ模式的な平面図である。 図4は、実施形態のレーザ切断装置の光源の出力の時間波形の一例を示す模式図である。 図5は、実施形態のレーザ切断装置から出力されたレーザ光の時間的に連続する二つのパルスの加工対象の表面上での照射範囲の一例を示す模式的な平面図である。 図6は、実施形態のレーザ切断装置から出力されたレーザ光の時間的に連続する二つのパルスの加工対象の表面上での照射範囲の別の一例を示す模式的な平面図である。 図7は、実施形態のレーザ切断装置におけるスポット径の定義を示す説明図である。 図8は、加工対象としての金属箔の切断された端縁の一例の側面視での撮影画像である。 図9は、加工対象としての金属箔の切断された端縁の一例の平面視での撮影画像である。 図10は、加工対象としての金属箔の切断された端縁の別の一例の平面視での撮影画像である。 図11は、実施形態のレーザ切断装置によって活物質が塗布された銅箔を切断した場合の当該切断された端縁における厚さ方向の突出物の高さについての、レーザ光の照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。 図12は、実施形態のレーザ切断装置によって活物質が塗布された銅箔を切断した場合の当該切断された端縁における表面に沿う方向の突出物の高さについての、パルスの重なり率および光源からの出力に対する評価結果の一例を示すグラフである。 図13は、実施形態のレーザ切断装置によって活物質が塗布された銅箔を切断した場合の当該切断された端縁における変色領域の幅についてのレーザ光の照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。 図14は、実施形態のレーザ切断装置によって活物質が塗布されていない銅箔を切断した場合の当該切断された端縁における厚さ方向の突出物の高さについての、レーザ光の照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。 図15は、実施形態のレーザ切断装置によって活物質が塗布されていない銅箔を切断した場合の当該切断された端縁における表面に沿う方向の突出物の高さについての、パルスの重なり率および光源からの出力に対する評価結果の一例を示すグラフである。 図16は、実施形態のレーザ切断装置によって活物質が塗布されていない銅箔を切断した場合の当該切断された端縁における変色領域の幅についてのレーザ光の照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。 図17は、第2実施形態のレーザ切断装置の例示的な概略構成図である。
以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果(効果)は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果(派生的な効果も含む)のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
以下に示される実施形態は、同様の構成を備えている。よって、各実施形態の構成によれば、当該同様の構成に基づく同様の作用および効果が得られる。また、以下では、それら同様の構成には同様の符号が付与されるとともに、重複する説明が省略される場合がある。
また、各図において、X方向を矢印Xで表し、Y方向を矢印Yで表し、Z方向を矢印Zで表している。X方向、Y方向、およびZ方向は、互いに交差するとともに直交している。X方向およびY方向は、加工対象Wの表面Wa(加工面)に沿う方向であり、Z方向は、当該表面Waの法線方向である。なお、いくつかの図中では、X方向が掃引方向SDとして例示されているが、掃引方向SDは、Z方向と交差していればよく、X方向には限定されない。
[第1実施形態]
[レーザ切断装置の構成]
図1は、第1実施形態のレーザ切断装置100の概略構成図である。レーザ切断装置100は、レーザ装置110と、光学ヘッド120と、光ファイバ130と、コントローラ140と、を備えている。
レーザ装置110は、光源としてレーザ発振器を備えており、一例としては、数kWのパワーのシングルモードのレーザ光を出力できるよう構成されている。レーザ装置110が出力するレーザ光の波長は、例えば、800[nm]以上かつ1200[nm]以下であるが、これには限定されない。また、レーザ装置110は、連続発振レーザを、例えば、10[MHz]以下の周波数で断続的に出力することができる。
光ファイバ130は、レーザ装置110と光学ヘッド120とを光学的に接続し、レーザ装置110から出力されたレーザ光を光学ヘッド120に導く。レーザ装置110が、シングルモードレーザ光を出力する場合、光ファイバ130は、シングルモードレーザ光を伝送するよう構成される。この場合、シングルモードレーザ光のMビーム品質は、1.2以下に設定される。また、レーザ装置110がマルチモードレーザ光を出力する場合、光ファイバ130はマルチモードレーザ光を伝送するよう、構成される。
光学ヘッド120は、レーザ装置110から入力されたレーザ光を加工対象Wの表面Waへ照射するための光学装置である。光学ヘッド120は、コリメートレンズ121と、集光レンズ122と、DOE123(diffractive optical element、回折光学素子)と、を有している。コリメートレンズ121および集光レンズ122は、光学部品とも称されうる。光学ヘッド120は、コリメートレンズ121および集光レンズ122以外の光学部品を有してもよい。
本実施形態では、光学ヘッド120は、加工対象Wの表面Wa上でレーザ光Lの照射を行いながらレーザ光Lを掃引するため、加工対象Wとの相対位置を変更可能に構成されている。光学ヘッド120と加工対象Wとの相対移動は、光学ヘッド120の移動、加工対象Wの移動、または光学ヘッド120および加工対象Wの双方の移動により、実現されうる。
コリメートレンズ121は、入力されたレーザ光をコリメートする。コリメートされたレーザ光は、平行光になる。集光レンズ122は、平行光としてのレーザ光を集光し、レーザ光L(出力光)として、加工対象Wに照射する。また、DOE123は、コリメートレンズ121と集光レンズ122との間に配置され、レーザ光のビームの形状(以下、ビーム形状と称する)を成形する。DOE123は、例えば、周期の異なる複数の回折格子が重ね合わせられた構成を有している。DOE123は、平行光を、各回折格子の影響を受けた方向に曲げたり、重ね合わせたりすることにより、より好適な形状のビームを成形することができる。DOE123は、ビームシェイパとも称されうる。
このような構成により、光学ヘッド120は、加工対象Wの表面Waへ、Z方向の反対方向に、レーザ光Lを照射する。光学ヘッド120からのレーザ光Lの照射方向は、Z方向の反対方向である。光学ヘッド120は、例えば、ビーム径が10[μm]以上かつ100[μm]以下となるようにレーザ光Lを集光することができる。
コントローラ140は、レーザ装置110の作動や、表面Wa上でレーザ光Lが掃引されるように光学ヘッド120と加工対象Wとを相対移動する相対移動機構(不図示)の作動等を制御することができる。
[加工対象]
図2は、加工対象Wとしての金属箔10の断面図であり、図3は、金属箔10の平面図である。本実施形態では、レーザ切断装置100の加工対象Wは、電池の負極を構成する金属箔10である。金属箔10の厚さは、例えば、厚さが500[μm]以下であるが、これには限定されない。
図2に示されるように、金属箔10は、金属層11と、活物質層12と、を有している。活物質層12は、金属層11の厚さ方向の両側、すなわち金属層11の表裏両面に形成された皮膜である。活物質層12は、塗膜や、塗布物質、表層、表層材とも称されうる。金属箔10は、例えば、リチウムイオン電池のような電池の、負極を構成する。その場合、金属層11は、例えば、無酸素銅や銅合金のような銅系材料で作られ、活物質層12は、例えば、炭素系材料やチタン酸リチウムのような活物質で作られる。
また、図3に示されるように、電池の電極として構成される金属箔10の表面Waにあっては、金属層11が活物質層12すなわち皮膜で覆われた被覆箇所Pcと、活物質層12で覆われず金属層11が露出した露出箇所Peとが、形成される。レーザ切断装置100は、金属箔10の表面Wa上で所定の掃引経路Ptでレーザ光Lを掃引することにより、被覆箇所Pcおよび露出箇所Peの双方を連続的に切断することができる。この場合、コントローラ140は、レーザ光Lを表面Wa上で掃引しながら被覆箇所を切断する際のレーザ光Lの照射条件と、露出箇所を切断する際のレーザ光Lの照射条件とが切り替わるよう、レーザ装置110や相対移動機構を制御することができる。
[レーザ切断方法]
レーザ切断装置100を用いたレーザ切断にあっては、まず、加工対象Wが、その表面Waにレーザ光Lが照射されるようにセットされる。そして、レーザ光Lが表面Waに照射されている状態で、レーザ光Lと加工対象Wとが相対的に移動する。これにより、レーザ光Lが表面Wa上に照射されながら当該表面Wa上を掃引方向SDに移動する(掃引する)。レーザ光Lが照射された部分は、溶融し、切断される。
[間欠照射]
このような金属箔10のレーザ切断において、当該金属箔10に強いレーザ光Lが当たると、切断された端縁10aが屈曲したりめくれたりすることがある。かと言って、レーザ光Lの出力を小さくすると、レーザ切断に時間を要してしまう。そこで、発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、加工対象Wが金属箔10である場合には、レーザ光Lを表面Waに所定の周波数で断続的に(間欠的に)照射することにより、より短い加工時間でより高品質な加工を実行可能であるという知見を得た。発明者らは、このような観点から、レーザ光Lのパルスの周波数は、10[MHz]以下であるのが好ましいことを、実験的に見出した。また、単位面積あたりのレーザ光Lのエネルギ、すなわちエネルギ密度が低いと、所要の切断状態が得られ難くなる。このような観点から、レーザ光Lのスポットの直径(スポット径)は、100[μm]以下であるのが好ましく、50[μm]以下であるのがより好ましく、30[μm]以下であることがさらに好ましいことが判明した。
図4は、レーザ装置110が出力するレーザ光のパルスの模式的な時間波形を示すグラフである。図4において、横軸は時間であり、縦軸はレーザ装置110からのレーザ光の出力である。間欠照射において、各パルスにおける発振時間をTp、パルスの周期をTcとしたとき、デューティ比Drは、Dr=(Tp/Tc)×100[%]と表すことができる。また、パルスの周波数は、1/Tcとなる。
[重なり率]
また、発明者らは、実験的な研究により、時間的に間隔をあけて連続した二つのパルスの表面Wa上での照射範囲の重なり状態が切断品質に影響を与えることを見出した。図5は、時間的に連続した二つのパルスの照射範囲が表面Wa上で部分的に重なった状態を示す平面図であり、図6は、時間的に連続した二つのパルスの照射範囲が表面Wa上で重ならず離間した状態を示す平面図である。
重なり率Rは、以下の式(1)のように定義する。
R=L2/L1 ・・・ (1)
ここに、L1は、n回目のレーザ光Lのパルスの照射領域Pn、およびn+1回目のレーザ光Lのパルスの照射領域Pn+1の、掃引軌跡の幅方向の中心線C上での掃引方向SDに沿った長さであって、二つの照射領域Pn,Pn+1において同じ値である。nは、正数である。このL1は、次の式(2)で表すことができる。
L1=Lo+d ・・・ (2)
ここに、Loは、レーザ光Lのスポットの、パルスの発振時間Tp(図4参照)での掃引に伴う表面Wa上での移動距離であり、dは、レーザ光Lの表面Wa上でのスポットの直径(スポット径)である。
他方、L2は、照射領域Pnと照射領域Pn+1との重複状態を示す長さである。図5に示されるように、照射領域Pnと照射領域Pn+1とが重なっている場合、L2は、照射領域Pnと照射領域Pn+1との重複領域Aの、中心線C上での掃引方向SDに沿った長さとする。この場合、L2>0となる。図示しないが、照射領域Pnと照射領域Pn+1とが掃引方向SDに接している場合にはL2=0とする。また、図6に示されるように、照射領域Pnと照射領域Pn+1とが掃引方向SDに距離I(>0)だけ離間している場合には、L2=-Iとする。この場合、L2<0となる。
[スポット径]
図7は、スポット径の定義の説明図である。図7において、Axは、光軸、fは、コリメートレンズ121の焦点距離、fは、集光レンズ122の焦点距離、θは、ビーム発散角、θは、ビーム広がり角、Dは、コリメート光のビーム径、Dは、焦点位置Pでのビーム径、Dは、デフォーカス位置としての表面Wa上でのビーム径(スポット径)、aは、焦点位置Pと表面Waとの間の距離である。なお、スポット径Dは、理論スポット径とも称されうる。この場合において、次の式(3)~(5)が成り立つ。
=2θ ・・・(3)
=(4f/πD)Mλ ・・・(4)
=D√{1+(4aλ/πD } ・・・(5)
ここに、Mは、ビーム品質であり、λは、波長である。
本実施形態のレーザ切断にあっては、表面Waにおけるスポット径Dが所期の値になるよう、レーザ切断装置100の各部が構成、調整、あるいは制御される。発明者らの鋭意研究により、スポット径Dは、28[μm]以下であると熱影響を低減することができて好ましく、21[μm]以下であるのがより一層好ましいことが判明した。一例として、レーザ光のビーム品質Mが1.1より小さく、光ファイバ130のコア径が、14[μm]であり、かつレーザ光の波長が、1070[nm]である場合、光学倍率が1.5倍の光学ヘッド120によれば、スポット径Dを、21[μm]に設定することができる。
[端縁の品質評価]
発明者らは、レーザ光Lの断続的な照射により負極としての金属箔10をレーザ切断する場合について鋭意研究を重ねた結果、レーザ光Lの照射条件を適宜に設定することにより、レーザ光Lによって切断された金属箔10の端縁10a近傍に生じる種々の不都合な事象を回避し、端縁10aの近傍の品質をより一層向上できることを見出した。
図8は、金属箔10の切断された端縁10aを当該金属箔10の厚さ方向(Z方向)および掃引方向SDと直交した方向(Y方向の反対方向)に見た正面図、図9は、端縁10aの一例を厚さ方向(Z方向の反対方向)に見た平面図、図10は、図9とは別のサンプルの端縁10aを厚さ方向(Z方向の反対方向)に見た平面図である。
金属箔10の端縁10aにおいては、図8に示されるように、金属箔10の厚さ方向(Z方向)に膨らんだ例えばドロス(塊)のような突出物Dが生じる場合がある。また、端縁10aにおいては、図9に示されるように、表面Waに沿う方向に端縁10aから突出した例えばバリのような突出物Pが生じる場合がある。さらに、端縁10aにおいては、図10に示されるように、端縁10aに沿って所定幅で延びた変色域Hが生じる場合がある。
[活物質付き銅箔:厚さ方向の突出物]
活物質付き銅箔(活物質:グラファイト複合材、厚さ90[μm])について、実験を行った。活物質付き銅箔の実験結果によって得られた好適な処理条件は、被覆箇所Pcでのレーザ切断に適用することができる。
実験により、端縁10aにおける厚さ方向(Z方向)の突出物D(図8参照)については、レーザ光Lの照射エネルギおよびパルスの周波数によってその高さが変化することが判明した。図11は、活物質が塗布された銅箔を切断した場合の端縁10aにおける厚さ方向の突出物Dの高さについての、レーザ光Lの照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。
照射エネルギE[J/mm]は、表面Waの単位長さあたりに照射されるエネルギであって、次の式(6)で表すことができる。
E=Pp×Dr/(100×v) ・・・(6)
ここに、Pp:ピーク出力[W]、Dr:デューティ比[%]、v:掃引速度[mm/s]である。なお、パルスの周波数が0である状態は、レーザ光が断続的ではなく連続的に照射されている状態を示す。
図11において、○:最良は、突出物Dの表面WaからのZ方向に沿った高さ(以下、第一高さと称する)が5[μm]以下である場合を示し、◇:良好は、第一高さが5[μm]より大きくかつ10[μm]以下である場合を示し、×:不良は、第一高さが10[μm]より大きい場合を示す。
図11に示されるように、周波数については、0[kHz]以上かつ500[kHz]以下であるのが好ましい(良好以上)ことが判明し、照射エネルギについては、0.03[J/mm]以上かつ5.0[J/mm]未満であるのが好ましく(良好)、0.15[J/mm]以下であるのがより好ましい(最良)ことが判明した。これは、与えられたエネルギ量が所定量を超えた場合に突出物Dが生じるからであると考えられる。
[活物質付き銅箔:表面に沿う方向の突出物]
実験により、端縁10aにおける表面Waに沿う方向(Y方向)の突出物P(図9参照)については、重なり率およびパルスのピーク出力(Pp、図4参照)によってその高さが変化することが判明した。図12は、活物質が塗布された銅箔を切断した場合の端縁10aにおける表面Waに沿う方向の突出物Pの高さについての、重なり率およびピーク出力に対する評価結果の一例を示すグラフである。
図12において、○:最良は、突出物Pの端縁10aからのY方向に沿った高さ(以下、第二高さと称する)が10[μm]以下である場合を示し、◇:良好は、第二高さが10[μm]より大きくかつ20[μm]以下である場合を示し、×:不良は、第二高さが20[μm]より大きい場合を示す。
図12に示されるように、ピーク出力については、200[W]より大きいのが好ましく(良好)、400[W]以上であるのがより好ましい(最良)であることが判明し、重なり率については、9[%]以上かつ96[%]以下であるのが好ましく(良好)、24[%]以上かつ78[%]以下であるのがより好ましい(最良)ことが判明した。これは、重なり率が低くレーザ光Lが照射されない領域が生じるほど突出物Pが発生し易くなるとともに、ピーク出力が大きくなるほどカーフ幅(切断幅)が大きくなり突出物Pが発生し難くなるからであると考えられる。
[活物質付き銅箔:変色域]
実験により、端縁10aに沿って所定幅で延びた変色域H(図10参照)については、レーザ光Lの照射エネルギおよびパルスの周波数によってその幅の大きさが変化することが判明した。図13は、活物質が塗布された銅箔を切断した場合の端縁10aにおける変色域Hの幅についての、レーザ光Lの照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。
図13において、○:変色域HのY方向に沿った幅が50[μm]以下である場合を示し、◇:良好は、変色域Hの幅が50[μm]より大きくかつ100[μm]以下である場合を示し、×:不良は、変色域Hの幅が100[μm]より大きい場合を示す。変色域Hは、端縁10aの近傍において、撮影画像における輝度が、一般領域と比較して45%以下となる領域とした。なお、一般領域とは、切断対象の金属箔10においてレーザ光Lでの切断による影響が少ない領域をいい、例えば、端縁10aから1000[μm]以上離れた箇所を一般領域とすることができる。
図13に示されるように、周波数については、0[kHz]以上かつ500[kHz]以下であるのが好ましく(良好)、100[kHz]以上であるのがより好ましい(最良)ことが判明し、照射エネルギについては、0.03[J/mm]以上かつ1.0[J/mm]未満であるのが好ましく(良好)、0.12[J/mm]以下であるのがより好ましい(最良)ことが判明した。これは、与えられたエネルギ量が所定量を超えた場合に熱影響による変色が生じ易くなるからであると考えられる。
[銅箔(活物質無し):厚さ方向の突出物]
銅箔(活物質無し、厚さ10[μm])についても、活物質付き銅箔と同様の実験を行った。銅箔(活物質無し)の実験結果によって得られた好適な処理条件は、露出箇所Peでのレーザ切断に適用することができる。
図14は、活物質が塗布されていない銅箔を切断した場合の端縁10aにおける厚さ方向の突出物Dの高さについての、レーザ光Lの照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。突出物Dの高さの判定基準は、活物質付き銅箔の場合と同じである。
図14に示されるように、周波数については、0[kHz]以上かつ1[MHz](1000[kHz])以下であるのが好ましく(良好)、500[kHz]以下であるのがより好ましい(最良)であることが判明し、照射エネルギについては、0.03[J/mm]以上かつ2.0[J/mm]未満であるのが好ましく(良好)、0.2[J/mm]以下であるのがより好ましい(最良)ことが判明した。
[銅箔(活物質無し):表面に沿う方向の突出物]
図15は、活物質が塗布されていない銅箔を切断した場合の端縁10aにおける表面Waに沿う方向の突出物Pの高さについての、重なり率およびピーク出力に対する評価結果の一例を示すグラフである。突出物Pの高さの判定基準は、活物質付き銅箔の場合と同じである。
図15に示されるように、ピーク出力については、200[W]以上かつ1000[W]以下であるのが好ましく(良好)、400[W]以上であるのがより好ましい(最良)であることが判明し、重なり率については、-22[%]より大きくかつ96[%]以下であるのが好ましく(良好)、9[%]以上かつ78[%]以下であるのがより好ましい(最良)ことが判明した。
[銅箔(活物質無し):変色域]
図16は、活物質が塗布されていない銅箔を切断した場合の端縁10aにおける変色域Hの幅についての、レーザ光Lの照射エネルギおよびパルスの周波数に対する評価結果の一例を示すグラフである。変色域Hは、端縁10aの近傍において、撮影画像における輝度が、一般領域と比較して53[%]以下となる領域とした。なお、一般領域とは、切断対象の金属箔10においてレーザ光Lでの切断による影響が少ない領域をいい、例えば、端縁10aから1000[μm]以上離れた箇所を一般領域とすることができる。
図16に示されるように、周波数については、0[kHz]以上かつ1[MHz]以下であるのが好ましい(良好以上)であることが判明し、照射エネルギについては、0.03[J/mm]以上かつ1.0[J/mm]未満であるのが好ましく(良好)、0.8[J/mm]以下であるのがより好ましい(最良)ことが判明した。
以上、説明したように、本実施形態によれば、電池の負極を構成する金属箔のレーザ切断方法において、パルスの周波数や、照射エネルギ、ピーク出力、重なり率等を適宜に設定することにより、端縁10aにおける厚さ方向の突出物Dや、端縁10aにおける表面Waに沿う方向の突出物P、変色域Hの、形成あるいは増大を抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、より高品質な金属箔のレーザ切断を実現することができる。
[第2実施形態]
図17は、第2実施形態のレーザ切断装置100Aの概略構成図である。本実施形態では、光学ヘッド120は、コリメートレンズ121と集光レンズ122との間に、ガルバノスキャナ126を有している。ガルバノスキャナ126は、二つのミラー126aを有している。これら二つのミラー126aの姿勢の変化により、レーザ光Lの照射方向および照射位置が変化する。すなわち、レーザ切断装置100Aは、光学ヘッド120を移動させることなく、レーザ光Lの照射位置を移動させ、レーザ光Lを掃引することができる。コントローラ140は、ミラー126aの角度(姿勢)が変化するよう、各ミラー126aに対応するモータ126bの作動を制御することができる。本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様の作用および効果が得られる。
以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック(構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等)は、適宜に変更して実施することができる。
10…金属箔
10a…端縁
11…金属層
12…活物質層
100,100A…レーザ切断装置
110…レーザ装置
120…光学ヘッド
121…コリメートレンズ
122…集光レンズ
123…DOE
126…ガルバノスキャナ
126a…ミラー
126b…モータ
130…光ファイバ
140…コントローラ
A…重複領域
Ax…光軸
a…距離
C…中心線
D…突出物
…ビーム径(スポット径)
,D…ビーム径
,f…焦点距離
Dr…デューティ比
E…照射エネルギ
H…変色域
I…距離
L…レーザ光
P…突出物
Pc…被覆箇所
Pe…露出箇所
Pf…焦点位置
Pn,Pn+1…照射領域
Pt…掃引経路
R…重なり率
SD…掃引方向
Tp…発振時間
W…加工対象
Wa…表面
X…方向
Y…方向
Z…方向
θ…ビーム発散角
θ…ビーム広がり角

Claims (20)

  1. 電池の負極を構成する加工対象としての金属箔にレーザ光のパルスを10[MHz]以下の周波数で断続的に照射することにより当該加工対象をレーザ切断する、金属箔のレーザ切断方法。
  2. 前記パルスの照射領域と次の前記パルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)
    R=L2/L1 ・・・ (1)
    ここに、
    L1:前記照射領域の掃引方向における長さ、
    L2:前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に重なっている場合には前記パルスと前記次のパルスとの重複領域の前記掃引方向における長さ、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に接している場合には0、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、
    と定義した場合、前記重なり率Rは、-22[%]より大きくかつ96[%]以下である、請求項1に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  3. 前記レーザ光の照射エネルギが、0.03[J/mm]以上かつ5.0[J/mm]未満である、請求項1または2に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  4. 前記金属箔の厚さが、500[μm]以下である、請求項1~3のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  5. 前記金属箔は、皮膜で覆われた箇所と、皮膜で覆われていない箇所と、を有した、請求項1~4のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  6. 前記レーザ光のスポット径が、100[μm]以下である、請求項1~5のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  7. 前記レーザ光のスポット径が、50[μm]以下である、請求項6に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  8. 前記レーザ光のスポット径が、28[μm]以下である、請求項7に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  9. 前記レーザ光のピーク出力が、200[W]以上である、請求項1~7のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  10. 前記金属箔は、銅系材料で作られた金属層を有した、請求項1~8のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  11. 前記周波数が、1[MHz]以下である、請求項10に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  12. 前記レーザ光の照射エネルギが、1.0[J/mm]未満である、請求項10または11に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  13. 前記レーザ光のピーク出力が、400[W]以上である、請求項10~12のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  14. 前記パルスの照射領域と次の前記パルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)
    R=L2/L1 ・・・ (1)
    ここに、
    L1:前記照射領域の掃引方向における長さ、
    L2:前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に重なっている場合には前記パルスと前記次のパルスとの重複領域の前記掃引方向における長さ、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に接している場合には0、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、
    と定義した場合、前記重なり率Rが、9[%]以上である、請求項10~13のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  15. 前記重なり率Rが、78[%]以下である、請求項14に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  16. 前記金属箔は、前記金属層の表面に塗布された活物質層を有した、請求項10~15のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  17. 前記周波数が、500[kHz]以下である、請求項16に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  18. 前記周波数が、100[kHz]以上である、請求項16または17に記載の金属箔のレーザ切断方法。
  19. 前記レーザ光の照射エネルギが、0.15[J/mm]以下である、請求項16~18のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
  20. 前記パルスの照射領域と次の前記パルスの照射領域との重なり率Rを、以下の式(1)
    R=L2/L1 ・・・ (1)
    ここに、
    L1:前記照射領域の掃引方向における長さ、
    L2:前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に重なっている場合には前記パルスと前記次のパルスとの重複領域の前記掃引方向における長さ、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に接している場合には0、前記パルスと前記次のパルスとが前記掃引方向に距離I(>0)だけ離間している場合には-I、
    と定義した場合、前記重なり率Rが、24[%]以上である、請求項16~19のうちいずれか一つに記載の金属箔のレーザ切断方法。
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