JP2023052599A - 超電導線材及び超電導線材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。また、以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
(超電導線材)
図1は、第1実施形態にかかる超電導線材の斜視模式図である。超電導線材100は、超電導層10と基材20とを備える。以下、基材20に対する超電導層10の積層方向をz方向、z方向からの平面視で超電導層10の長軸方向をx方向、x方向及びz方向に直交する方向をy方向という。
(超電導線材の製造方法)
超電導線材の製造方法は、パルスレーザー蒸着法により人工ピンを有する超電導層を成膜する成膜工程と、超電導層を酸素雰囲気中でアニールするアニール工程と、を有する。
検討1では、人工ピンの添加量の違いが臨界電流密度に及ぼす影響を確認した。
まず基材を準備した。基材は、HastelloyC276にCeO2/LaMnO3/MgO/Y2O3/Gd2Zr2O7を積層したものとした。基材は、幅10mm、長さ100mm、厚み0.1mmとした。
比較例1は、人工ピンの添加量を3.5mol%とした点が、実施例1と異なる。その他の条件は、実施例1と同様とした。
比較例2は、希土類元素をY及びGdとし、人工ピンを添加しなかった点が、実施例1と異なる。その他の条件は、実施例1と同様とした。
検討2は、酸素アニールの温度を変動させた際における臨界電流密度の挙動を調べた。検討2は、人工ピンの濃度が5.0mol%の場合(実施例1の系列)と、3.5mol%の場合(比較例1の系列)と、で行った。それぞれの場合において、酸素アニール時における維持温度を250℃、300℃、350℃、400℃、450℃とした。臨界電流密度は、外部磁場を印加していない自己磁場中で測定した。その他の条件は、実施例1と同様の手順で作製し、評価した。
検討3は、成膜時の成膜温度を変動させた際における臨界転移温度の変化及び超電導層の隣接面間距離d(005)の変化を調べた。
検討4は、超電導層に十分な酸素アニールを行わなかった場合に、人工ピンの濃度と、臨界電流密度との関係を調べた。
2、2’ 歪領域
10、10’ 超電導層
20 基材
100 超電導線材
Claims (6)
- 組成式REBa2Cu3Oy(REは希土類元素)で表される超電導層と、
前記超電導層に添加され、組成式BaMO3(MはHf、Zr、Sn、Nb、Tiからなる群から選択される少なくとも一つ)で表される人工ピンと、を有し、
前記超電導層の前駆体材料に対する前記人工ピンの添加濃度は、3.5mol%以上5.0mol%未満であり、
前記人工ピンのc軸方向と、前記超電導層のc軸方向とは、一致しており、
前記超電導層における(005)面の隣接面間距離d(005)は、理論値の100%以上101%以下であり、
前記超電導層における(005)面の隣接面間距離d(005)の理論値は、前記超電導層における(005)面のc軸長の理論値の1/5であり、
前記超電導層における(005)面のc軸長は、前記希土類元素がYbの場合は11.650Å、Erの場合は11.659Å、Hoの場合は11.670Å、Yの場合は11.657Å、Dyの場合は11.668Å、Gdの場合は11.703Å、Euの場合は11.704Å、Smの場合は11.721Å、Ndの場合は11.736Å、Laの場合は11.783Åである、超電導線材。 - 自己磁場中における臨界電流密度が、77Kで5.0×106A/cm2以上である、請求項1に記載の超電導線材。
- 印加磁場が3T、温度が77Kの条件で、臨界電流密度が0.5×106A/cm2以上である、請求項1又は2に記載の超電導線材。
- 臨界転移温度Tcが88K以上である、請求項1から3のいずれか一項に記載の超電導線材。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の超電導線材の製造方法であって、
パルスレーザー蒸着法により人工ピンを有する超電導層を成膜する成膜工程と、
前記超電導層を酸素雰囲気中でアニールするアニール工程と、を有し、
前記成膜工程は、前記超電導層の包晶温度より200度低い温度以上の温度条件で行い、
前記アニール工程は、450℃以下の温度域で2時間以上行う、超電導線材の製造方法。 - 前記アニール工程において、酸素分圧が1atm以上である、請求項5に記載の超電導線材の製造方法。
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