JP2023048839A - 液体吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 吐出液滴が斜めに吐出されているか否かを検知することができる液体吐出装置を提供することを目的とする。【解決手段】 液体吐出装置２は、液体を吐出する吐出口１１１と、吐出口１１１から液体を吐出するために液体を加熱する加熱素子１０１と、を有する記録素子基板１を備える。液体吐出装置２は、少なくとも第１の温度検知素子１０４と第２の温度検知素子１０７とをさらに有し、記録素子基板１を平面視したとき、第１の温度検知素子１０４と第２の温度検知素子１０７は、加熱素子１０１を中心に、対象となる位置に形成されていることを特徴とする。【選択図】 図１

Description

本発明は、液体を吐出する液体吐出装置に関する。

吐出口から液体（インク）を吐出して紙等の記録媒体に記録を行う方式として、液体を加熱する加熱素子（ヒータ）で発生させた熱エネルギーにより吐出口からインクを吐出させるサーマル式液体吐出装置が知られている。

特許文献１には、サーマル式液体吐出装置において、１つのヒータに２つの温度検知素子（温度センサ）を配置する構成が開示されている。２つの温度センサからの出力信号の大小関係を比較することにより、吐出口から正常に液体が吐出されているか否かを判定している。以下、液体が正常に吐出されている場合を正常吐出状態、液体が正常には吐出されていない場合を不吐出状態と称する。

具体的には、特許文献１においては、例えば平面視でヒータ中央とヒータ周辺に温度センサを１つずつ配置する。ヒータ中央の温度センサの両端子間電圧をＶ１、ヒータ周辺の温度センサの両端子間電圧をＶ２とし、Ｖ１とＶ２をコンパレータで比較する。不吐出状態のときは常にＶ１＞Ｖ２となるのに対して、正常吐出状態のときはＶ１＜Ｖ２となる期間が存在する。この違いを利用し、吐出口から正常に液体が吐出されているか否かを判定することができる。

特許第６３８８３７２号公報

しかしながら、特許文献１の構成においては、正常吐出状態と判定した場合であっても、吐出された液滴が吐出口から斜めに吐出されている（以下、ヨレ吐出や斜め吐出と称することもある）ことがある。吐出液滴が斜めに吐出されている状態は、記録品位の低下を招く原因になるため、不吐出状態に分類されるべき状態である。即ち、特許文献１においては、不吐出状態を正常吐出状態と誤判定してしまう恐れがある。

本発明は、上記課題を鑑み、吐出液滴が斜めに吐出されているか否かを検知することができる液体吐出装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、液体を吐出する吐出口と、前記吐出口から液体を吐出するために液体を加熱する加熱素子と、を有する記録素子基板を備える液体吐出装置において、少なくとも第１の温度検知素子と第２の温度検知素子とをさらに有し、前記記録素子基板を平面視したとき、前記第１の温度検知素子と前記第２の温度検知素子は、前記加熱素子を中心に、対象となる位置に形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、吐出液滴が斜めに吐出されているか否かを検知することができる液体吐出装置を提供することができる。

吐出口周辺の平面図。 図１の断面図。 駆動回路および温度検知素子の出力信号の処理回路を示すブロック図。 ロジック回路部におけるタイミングチャート図。 差動アンプの詳細な回路構成を表した回路図。 正常吐出時および斜め吐出時での状態を表した吐出口断面模式図。 正常吐出時および斜め吐出時での各出力波形を表したタイミングチャート図。 ２つの温度検知素子を縦方向に対称配置した平面図。 ４つの温度検知素子を対象配置した平面図。 加熱素子を設けた層と同層に、４つの温度検知素子を対称配置した平面図。 図１０のＡ－Ａ断面図。 耐キャビテーション膜を設けた層と同層に、４つの温度検知素子を対称配置した平面図。 図１２のＡ－Ａ断面図。 斜め吐出時での各出力波形を表したタイミングチャート図。 液体吐出装置の制御構成を表すブロック図である。

（第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら、本実施形態について説明する。図１５は、吐出口から液体が斜めに吐出されているか否かを検査する斜め吐出検査装置２の制御構成を示すブロック図である。制御部４からの指示を受けて、信号生成部３は記録素子基板１に対して、クロック信号（ＣＬＫ）、ラッチ信号（ＬＴ）、ブロック信号（ＢＬＥ）、ヒータ選択信号（ＤＡＴＡ）、ヒートイネーブル信号（ＨＥ）を出力する。更に、吐出口毎に設けた２つの温度センサの選択や通電量、出力信号の処理に関わる、センサ選択信号（ＳＤＡＴＡ）、定電流信号（Ｄｉｒｅｆ）、しきい値信号１（Ｄｔｈ１）、しきい値信号２（Ｄｔｈ２）を出力する。

判定結果抽出部５は、２つの温度センサ（第１の温度検知素子および第２の温度検知素子）が検出した温度情報に基づいて記録素子基板１から出力される判定結果信号（ＲＳＬＴ）を受信し、ラッチ信号ＬＴの立下りと同期してラッチ期間毎に判定結果を抽出する。そして、判定結果が斜め吐出だった場合に、判定結果に対応するブロック信号ＢＬＥ、センサ選択信号ＳＤＡＴＡをメモリ６に記録する。

制御部４は、メモリ６に記録されたヨレ吐出吐出口のブロック信号ＢＬＥ、センサ選択信号ＳＤＡＴＡを受けて、駆動対象ヒータに斜め吐出の吐出口が含まれる場合、該当ブロックのヒータ選択信号ＤＡＴＡから斜め吐出の吐出口を消去する。そして、代わりに斜め吐出補完用の吐出口を該当ブロックのヒータ選択信号ＤＡＴＡに追加して、信号生成部３に出力する。

図１は、本実施形態における記録素子基板１に設けられた複数の吐出口の内の１つの吐出口を、基板側からインクの吐出方向に見た平面図である。図２は、図１の吐出口の断面図であり、図２（Ａ）はＡ－Ａ断面図、図２（Ｂ）はＢ－Ｂ断面図を表している。記録素子基板１の上に形成されたオリフィスプレート２１２には、インク流路１１２が形成され、インク供給口１１３とインク排出口１１４がインク流路１１２に対して垂直方向に記録素子基板１内に形成されている。インク流路１１２の上には、１つの吐出口に対して１つの吐出口１１１がオリフィスプレート２１２に形成される。

吐出口１１１直下の記録素子基板１内に、例えばＴａＳｉＮのような比抵抗が高く熱的に安定した材料の薄膜抵抗体から成る矩形状のヒータ１０１が設けられる。さらにヒータ１０１の長辺側中央付近に、図１の平面図において一部がヒータ１０１と重なるように、絶縁層２０２を介してヒータ１０１の下層に薄膜抵抗体から成る温度センサ（温度検知素子）１０４，１０７が設けられている。温度検知素子１０４（第１の温度検知素子）と温度検知素子１０７（第２の温度検知素子）は、ヒータ１０１を中心に対称となるように設けられる。ここで対象とは、記録素子基板を平面視したとき、第１の温度検知素子１０４の中心と加熱素子１０１の中心との距離に対する、第２の温度検知素子１０７の中心と加熱素子１０１の中心との距離の比率が、０．９５以上１．０５以下であることをいう。図１においては、第１の温度検知素子１０４および第２の温度検知素子１０７は、加熱素子１０１の短手方向に配置されている。温度センサ１０４、１０７は出力電圧を高めるため、ヒータ１０１と同等の大きな比抵抗を有し、温度抵抗係数が高い材料を用いるのが望ましい。

ヒータ１０１と温度センサ１０４、１０７の上には、例えばＳｉＮのような絶縁体の保護膜２０１が形成される。さらにその上には、図１の平面図においてヒータ１０１を覆うように、例えばＴａから成る耐キャビテーション膜１１０が形成される。

図１に示すように、温度センサ１０４、１０７は保護膜２０１と耐キャビテーション膜１１０を介してインク流路１１２と重なる位置に設けられる。記録素子基板１は、基板２１１上の絶縁部材２０２に対して複数の配線層が設けられて構成される。絶縁部材２０２は、複数の層間絶縁膜が積層されて構成され、上記配線層の個々は層間絶縁膜の間に設けられる。基板２１１にはシリコン等の半導体材料が用いられ、絶縁部材２０２にはシリコン酸化物等の絶縁材料が用いられる。

上述のヒータ１０１、並びに、温度センサ１０４，１０７は、上記複数の配線層に設けられた配線パターンおよび導電プラグを介して電気接続されることにより、記録機能を実現可能な回路を形成する。本実施形態では、基板２１１に最も近い第１層と、その上方の第２層の計２つの配線層が設けられるものとする。

ヒータ１０１は、ヒータ１０１の短辺側の一端部において導電プラグ１０２を介して第２層の配線パターン２０９に接続され、他端部において導電プラグ１０３を介して第２層の配線パターン２１０に接続される。なお、配線パターン２０９は電源線に接続され、配線パターン２１０は後述のスイッチ素子３１９（図３参照）を介して接地されるものとする。

温度センサ１０４は、図１に示されるように、導電プラグ１０５，１０６を介して所定の配線パターンに接続される。例えば、図２Ａに示されるように、温度センサ１０４は、一端部に設けられた導電プラグ１０６を介して第２層のパッド２０４に接続され、更に導電プラグ２０６を介して第１層の配線パターン２０８に接続される。

温度センサ１０７は、温度センサ１０４同様、導電プラグ１０８，１０９を介して所定の配線パターンに接続される。例えば、図２Ａに示されるように、温度センサ１０７は、一端部に設けられた導電プラグ１０８を介して第２層のパッド２０３に接続され、更に導電プラグ２０５を介して第１層の配線パターン２０７に接続される。

また、ヒータ１０１の下方において、第２層には放熱用パターン２０７が配され、該パターン２０７は、プラグ２０９を介して第１層の放熱用パターン２０８に接続され、該パターン２０８は、プラグ２１０を介して基板２１１に接続される。このような構成によれば、ヒータ１０１が駆動されて熱を発生した後において該駆動が抑制された場合には、該熱は基板２１１に速やかに放出されることとなる。

図３は、本実施形態における記録素子基板１に実装したヒータの駆動回路、および温度センサの出力信号の処理回路のブロック図である。ここでは説明を簡単にするために、記録素子基板１は吐出口列３０１内にそれぞれ４個のヒータ１０１ａ～ｄと８個の温度センサ１０４ａ～ｄ，１０７ａ～ｄを備えており、図３に示すような順序で配列しているものとする。

記録素子基板１は、ヒータ１０１ａ～ｄを駆動するための定電圧源３０２と温度センサ１０４ａ～１０４ｄ，１０７ａ～１０７ｄに通電するための定電流源３０４、外部から、または外部へ信号や情報を入出力する入出力部（パッドあるいは端子）を備えている。また、定電流源３０４への電力供給元として定電圧源３０３により、定電流源３０４の高電圧側には例えば５ＶのＶＨＴＡが、低電圧側にはＧＮＤとしてのＶＳＳが印加される。

定電流源３０４は２系統の電流源である、定電流源３０９（第１の定電流源）および定電流源３１０（第２の定電流源）で構成されている。同じ電流型ＤＡＣ３０７を基準電流源としてミラーリング回路３０８により同じ増幅率で定電流源３０９および３１０に電流Ｉｒｅｆがミラーリングされる。

スイッチ素子（ＭＯＳトランジスタ）３１９ａは、ヒータ１０１ａおよびゲート回路３１７ａ、３１８ａと共に、１つの駆動回路３１６ａを構成し、ヒータ１０１ａに対する定電圧源３０２の電圧の印加を制御する。スイッチ素子３１９ａがオンすると、ヒータ１０１ａの高電圧側には例えば２４ＶのＶＨが、低電圧側にはＧＮＤＨが印加される。他の３個のヒータ１０１ｂ～１０１ｄも、同様のスイッチ素子によって制御される。

温度センサ１０４ａ，１０７ａは、スイッチ素子３２４ａ～３２７ａと共に１つの温度取得回路３２３ａを構成する。スイッチ素子３２４ａは温度センサ１０４ａに対する定電流源３０９の電流の給電を制御する。また、スイッチ素子３２５ａは温度センサ１０４ａに発生する電圧のボルテージフォロワ３２８に対する出力を制御する。同様に、スイッチ素子３２６ａは温度センサ１０７ａに対する定電流源３１０の電流の給電を制御する。また、スイッチ素子３２７ａは温度センサ１０７ａに発生する電圧のボルテージフォロワ３２９に対する出力を制御する。

スイッチ素子３２４ａ～３２７ａは同時にオンとなり、このとき温度センサ１０４ａ、１０７ａはヒータ１０１ａに対応する吐出口から吐出するインク滴のヨレ状態を検査するための温度信号をバッファアンプ３２８，３２９に出力する。他の６個の温度センサ１０４ｂ～１０４ｄ，１０７ｂ～１０７ｄも、同様のスイッチ素子によって制御される。

以上示したように、図３の回路構成では、４つの駆動回路３１６ａ～３１６ｄと４つの温度取得回路３２３ａ～３２３ｄを備えている。また、４つの駆動回路３１６ａ～３１６ｄと４つの温度取得回路３２３ａ～３２３ｄは、２つのグループＧ１、Ｇ２に分けられている。各グループは２つの駆動回路と２つの温度取得回路で構成されている。

図４は、記録素子基板１のロジック回路部における制御のタイミングを表したタイミングチャートである。以下、図３および図４を参照し、本実施形態の記録素子基板１のロジック回路部の動作について説明する。

記録素子基板１は、ヨレ吐出検査装置２から転送されるクロック信号（ＣＬＫ）、ラッチ信号（ＬＴ）、ブロック信号（ＢＬＥ）、２ｂｉｔシリアルデータであるヒータ選択信号（ＤＡＴＡ）、ヒートイネーブル信号（ＨＥ）を受信する。なお、ブロック信号（ＢＬＥ）は通常は多ｂｉｔシリアルデータであるが、本実施形態では１ｂｉｔデータとなる。

更に、２ｂｉｔシリアルデータであるセンサ選択信号（ＳＤＡＴＡ）も受信する。クロック信号（ＣＬＫ）以外は、ブロック周期ｔｂの間隔で受信する。すなわち、４つの駆動回路３１６ａ～３１６ｄと４つの温度取得回路３２３ａ～３２３ｄの制御を、２回のブロックに時分割して行ない、これを２回繰り返すことにより８個の温度センサ１０４ｂ～１０４ｄ，１０７ｂ～１０７ｄの温度信号の取得を完了する。

ブロック信号ＢＬ１～ＢＬ４は、クロック信号（ＣＬＫ）に同期してシフトレジスタ３１１に転送されて、それぞれタイミングｔ０～ｔ３でラッチ回路３１２にラッチされ、デコーダ３１３でデコードされて、配線Ｂ１，Ｂ２に出力される。なお、本実施形態ではシフトレジスタ３１１は１ｂｉｔのレジスタとなる。配線Ｂ１，Ｂ２の信号は、次のラッチタイミングまでのｔｂの間保持され、その間に次のブロック信号がシフトレジスタ３１１に転送される。

配線Ｂ１，Ｂ２の信号は、２つのうちどちらか１つのみ有効となる信号で、同時に駆動するヒータを選択するために使用される。図３では、配線Ｂ１はゲート回路３１７ａ，３１７ｃと接続している。従って、配線Ｂ１の信号が有効（Ｈｉｇｈアクティブ）になれば、ヒータ１０１ａ，１０１ｃを同時に駆動することができる。同様に、配線Ｂ２の信号が有効になれば、ヒータ１０１ｂ，１０１ｄを同時に駆動することができる。

図４に示すように、本実施形態では、ｔ０～ｔ１間およびｔ２～ｔ３間ではＢ１が、ｔ１～ｔ２間およびｔ３～ｔ４間ではＢ２が、それぞれ有効となるように時分割で駆動する場合を扱うことにする。

ヒータ選択信号ＤＴ１～ＤＴ４は、クロック信号（ＣＬＫ）に同期してシフトレジスタ３１４ａ，３１４ｂに転送されて、それぞれタイミングｔ０～ｔ３でラッチ回路３１５ａ，３１５ｂにラッチされ、配線Ｄ１，Ｄ２に出力される。配線Ｄ１，Ｄ２の信号は、次のラッチタイミングまでのｔｂの間保持され、その間に次のヒータ選択信号がシフトレジスタ３１４ａ，３１４ｂに転送される。

配線Ｄ１，Ｄ２の信号は、ヒータのグループＧ１，Ｇ２を選択するために使用される。図１では、配線Ｄ１はゲート回路３１７ａ，３１７ｂと接続している。従って、配線Ｄ１の信号が有効（Ｈｉｇｈアクティブ）になれば、グループＧ１のヒータ１０１ａ，１０１ｂを選択することができる。同様に、配線Ｄ２の信号が有効になれば、グループＧ２のヒータ１０１ｃ，１０１ｄを選択することができる。

本実施形態では、前半の２回のブロックでグループＧ１のヒータを、後半の２回のブロックでグループＧ２のヒータを選択する場合を扱うことにする。すなわち、４回のブロックで４つのヒータ全ての駆動が完了する。

配線Ｂ１，Ｂ２の信号は、配線Ｄ１の信号と共に、それぞれゲート回路３１７ａ，３１７ｂに入力される。ゲート回路３１７ａ，３１７ｂの出力信号は、ヒートイネーブル信号（ＨＥ）と共に、それぞれ更にゲート回路３１８ａ，３１８ｂに入力される。ゲート回路３１８ａ，３１８ｂは、それぞれ配線Ｈ１，Ｈ２にパルス信号４０１，４０２を出力する。配線Ｈ１，Ｈ２は、それぞれスイッチ素子３１９ａ，３１９ｂと接続しており、パルス信号４０１，４０２により、それぞれヒータ１０１ａ，１０１ｂが駆動される。

同様に、ゲート回路３１８ｃ，３１８ｄによって、それぞれ配線Ｈ３，Ｈ４にもパルス信号４０３，４０４が出力される。配線Ｈ３，Ｈ４は、それぞれスイッチ素子３１９ｃ，３１９ｄと接続しており、パルス信号４０３，４０４により、それぞれヒータ１０１ｃ，１０１ｄが駆動される。

センサ選択信号ＳＤＴ１～ＳＤＴ４は、クロック信号（ＣＬＫ）に同期してシフトレジスタ３２０ａ，３２０ｂに転送されて、それぞれタイミングｔ０～ｔ３でラッチ回路３２１ａ，３２１ｂにラッチされ、配線ＳＤ１，ＳＤ２に出力される。配線ＳＤ１，ＳＤ２の信号は、次のラッチタイミングまでのｔｂの間保持され、その間に次のセンサ選択信号がシフトレジスタ３２０ａ，３２０ｂに転送される。

配線ＳＤ１，ＳＤ２の信号は、駆動するヒータに対応した温度センサが含まれるグループをＧ１，Ｇ２から１つ選択するために使用される。図３では、配線ＳＤ１はゲート回路３２２ａ，３２２ｂと接続している。従って、配線ＳＤ１の信号が有効（Ｈｉｇｈアクティブ）になれば、グループＧ１の温度センサ１０４ａ，１０４ｂ，１０７ａ，１０７ｂを、駆動するヒータに対応した温度センサとして選択することができる。同様に、配線ＳＤ２の信号が有効になれば、Ｇ２の温度センサ１０４ｃ，１０４ｄ，１０７ｃ，１０７ｄを、駆動するヒータに対応した温度センサとして選択することができる。

図４に示すように、本実施形態では、４回のブロックのうち第１、第２ブロックでは配線ＳＤ１の信号を有効にしてグループＧ１の温度センサを選択する場合を扱うことにする。また、第３、第４ブロックでは配線ＳＤ２の信号を有効にしてグループＧ２の温度センサを選択する場合を扱うことにする。

温度センサを選択するためのブロック信号は、配線Ｂ１，Ｂ２の信号を流用する。すなわち、配線ＳＤ１の信号と共に、配線Ｂ１，Ｂ２の信号が、それぞれゲート回路３２２ａ，３２２ｂに入力される。同様に、配線Ｂ１，Ｂ２の信号が、配線ＳＤ２の信号と共に、それぞれゲート回路３２２ｃ，３２２ｄに入力される。

定電流Ｉｒｅｆの設定値Ｄｉｒｅｆは３２段階で設定可能な５ｂｉｔのデジタル値として定められ、クロック信号ＣＬＫに同期してシフトレジスタ３０５に転送される。そして、ラッチ信号ＬＴに同期してラッチ回路３０６にラッチされ、電流出力型のデジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）３０７に出力される。すなわち、ＤＡＣ３０７は設定値Ｄｉｒｅｆに基づいて出力電流Ｉｒｅｆｉｎを出力する。

ラッチ回路３０６の出力信号は、次のラッチタイミングまでの間保持され、その間に次の設定値Ｄｉｒｅｆがシフトレジスタ３０５に転送される。

ＤＡＣ３０７の出力電流Ｉｒｅｆｉｎは定電流源３０９および３１０にミラーリングされ、例えば１２倍に増幅されて定電流Ｉｒｅｆとして出力される。

以上により、第１ブロックでは、ゲート回路３２２ａによりｔ０～ｔ１間で有効となるパルス信号４０５が配線Ｓ１に出力される。配線Ｓ１はスイッチ素子３２４ａ，３２５ａと接続しており、パルス信号４０５によりｔ０～ｔ１の間、温度センサ１０４ａに定電流源３０９から定電流Ｉｒｅｆが給電される。

温度センサ１０４ａの温度Ｔ１における抵抗Ｒｓ１は、常温温度をＴ０、そのときの抵抗をＲｓ０、温度センサ１０４ａの温度抵抗係数をＴＣＲとして、以下の式（１）で表される。
Ｒｓ１＝Ｒｓ０・｛１＋ＴＣＲ・（Ｔ１－Ｔ０）｝ （１）
そして、温度センサ１０４ａの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ１は、以下の式（２）で表される。
Ｖｓ１＝Ｉｒｅｆ・Ｒｓ１＝Ｉｒｅｆ・Ｒｓ０・｛１＋ＴＣＲ・（Ｔ１－Ｔ０）｝
・・・(２）
上式（２）で表される温度信号Ｖｓ１が配線Ｖ１を通じてボルテージフォロワ３２８に出力される。

また、配線Ｓ１はスイッチ素子３２６ａ，３２７ａも接続しており、パルス信号４０５によりｔ０～ｔ１の間、温度センサ１０７ａに定電流源３１０から定電流Ｉｒｅｆが給電される。

温度センサ１０７ａの温度Ｔ２における抵抗Ｒｓ２は以下の式（３）で表される。
Ｒｓ２＝Ｒｓ０・｛１＋ＴＣＲ・（Ｔ２－Ｔ０）｝ （３）
そして、温度センサ１０７ａの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ２は、以下の式（４）で表される。
Ｖｓ２＝Ｉｒｅｆ・Ｒｓ２＝Ｉｒｅｆ・Ｒｓ０・｛１＋ＴＣＲ・（Ｔ２－Ｔ０）｝
・・・（４）
上式（４）で表される温度信号Ｖｓ２が配線Ｖ２を通じてボルテージフォロワ３２９に出力される。

本実施形態では温度センサ１０４ａ，１０７ａの常温抵抗値が同じＲｓ０となるように構成したが、常温抵抗値が異なっていても構わない。その場合は常温Ｔ０における温度信号Ｖｓ１，Ｖｓ２が等しくなるように、温度センサ１０４ａ，１０７ａに給電する定電流値を定電流源３０９，３１０で調整する。

第２ブロックでは、ゲート回路３２２ｂによりｔ１～ｔ２間で有効となるパルス信号４０６が配線Ｓ２に出力される。配線Ｓ２はスイッチ素子３２４ｂ，３２５ｂと接続しており、パルス信号４０６によりｔ１～ｔ２の間、温度センサ１０４ｂに定電流源３０９から定電流Ｉｒｅｆが給電される。それと同時に、温度センサ１０４ｂの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ１を配線Ｖ１を通じてボルテージフォロワ３２８に出力する。

また、配線Ｓ２はスイッチ素子３２６ｂ，３２７ｂにも接続しており、パルス信号４０６によりｔ１～ｔ２の間、温度センサ１０７ｂに定電流源３１０から定電流Ｉｒｅｆが給電される。それと同時に、温度センサ１０７ｂの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ２を配線Ｖ２を通じてボルテージフォロワ３２９に出力する。

第３ブロックでは、ゲート回路３２２ｃによりｔ２～ｔ３間で有効となるパルス信号４０７が配線Ｓ３に出力される。配線Ｓ３はスイッチ素子３２４ｃ，３２５ｃと接続しており、パルス信号４０７によりｔ２～ｔ３の間、温度センサ１０４ｃに定電流源３０９から定電流Ｉｒｅｆが給電される。それと同時に、温度センサ１０４ｃの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ１を配線Ｖ１を通じてボルテージフォロワ３２８に出力する。

また、配線Ｓ３はスイッチ素子３２６ｃ，３２７ｃにも接続しており、パルス信号４０７によりｔ２～ｔ３の間、温度センサ１０７ｃに定電流源３１０から定電流Ｉｒｅｆが給電される。それと同時に、温度センサ１０７ｃの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ２を配線Ｖ２を通じてボルテージフォロワ３２９に出力する。

第４ブロックでは、ゲート回路３２２ｄによりｔ３～ｔ４間で有効となるパルス信号４０８が配線Ｓ４に出力される。配線Ｓ４はスイッチ素子３２４ｄ，３２５ｄと接続しており、パルス信号４０８によりｔ３～ｔ４の間、温度センサ１０４ｄに定電流源３０９から定電流Ｉｒｅｆが給電される。それと同時に、温度センサ１０４ｄの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ１を配線Ｖ１を通じてボルテージフォロワ３２８に出力する。

また、配線Ｓ４はスイッチ素子３２６ｄ，３２７ｄにも接続しており、パルス信号４０８によりｔ３～ｔ４の間、温度センサ１０７ｄに定電流源３１０から定電流Ｉｒｅｆが給電される。それと同時に、温度センサ１０７ｄの定電流給電側端子に発生する温度信号Ｖｓ２を配線Ｖ２を通じてボルテージフォロワ３２９に出力する。

なお、温度信号Ｖｓ１，Ｖｓ２を差動アンプ３３０（差動信号出力手段）に直接入力すると、スイッチ素子の抵抗が差動アンプ３３０の入力インピーダンスに影響して、温度信号Ｖｓ１，Ｖｓ２が電圧降下して差動アンプ３３０に入力されてしまう。そのため、温度信号Ｖｓ１，Ｖｓ２を吐出口列１０１内に設けたボルテージフォロワ３２８，３２９で一旦受けてから差動アンプ３３０に入力している。

図５は、記録素子基板１の吐出口列１０１外に設けられた差動アンプ３３０の詳細な回路構成を表した回路図である。差動アンプ３３０は、オペアンプ５０１、定電圧源５０２、抵抗５０３～５０６で構成される。

第１～第４の各ブロックにおいて、差動アンプ３３０は式（４）で表される温度信号Ｖｓ２から式（２）で表される温度信号Ｖｓ１を差し引いた信号（差動信号）を差動アンプの増幅率Ｇｄｉｆで増幅する。そして、定電圧源５０２の電圧Ｖｏｆｓだけオフセットした、以下の式（５）で表される信号Ｖｄｉｆを出力する。
Ｖｄｉｆ＝Ｇｄｉｆ・（Ｖｓ２－Ｖｓ１）＋Ｖｏｆｓ
＝Ｖｏｆｓ－Ｇｄｉｆ・Ｉｒｅｆ・Ｒｓ０・ＴＣＲ・（Ｔ２－Ｔ１） （５）
ここで、抵抗５０３，５０４の抵抗値をＲＤ１、抵抗５０５，５０６の抵抗値をＲＤ２とすると、増幅率Ｇｄｉｆは以下の式（６）で表される。

この作動アンプ１３３によって２種類のノイズが相殺される。１つは基準電流源３０７の電流変動によって、式（２）と式（４）に示される定電流Ｉｒｅｆに比例して温度信号Ｖｓ１，Ｖｓ２に重畳するノイズである。もう１つは寄生容量を介して配線Ｖ１，Ｖ２と交差する配線の電圧変動によるクロストークノイズである。上記以外のノイズで信号Ｖｄｉｆに残留するノイズは、ローパスフィルタ３３１によって抑制され、信号ＶＦとして出力される。

信号ＶＦを、２つの閾値信号Ｄｔｈ１，Ｄｔｈ２に基づいた、閾値電圧Ｖｄｔｈ１（第１の所定値），Ｖｄｔｈ２（第２の所定値）と比較することにより吐出がヨレているかどうか（斜め吐出か否か）を判定する。すなわち、信号ＶＦはコンパレータ３３５の正端子に入力され、負端子に入力されたしきい値電圧Ｖｄｔｈ１との比較が行われる。そして、ＶＦ＞Ｖｄｔｈ１であればハイレベル（ヨレ吐出）、ＶＦ≦Ｖｄｔｈ１であればローレベル（正常吐出）となる信号を配線ＣＭＰ１に出力する。

一方で、信号ＶＦはコンパレータ３３９の負端子に入力され、正端子に入力された閾値電圧Ｖｄｔｈ２との比較が行われる。そして、Ｖｄｔｈ２＞ＶＦであればハイレベル（ヨレ吐出）、Ｖｄｔｈ２≦ＶＦであればローレベル（正常吐出）となる信号を配線ＣＭＰ２に出力する。

閾値電圧Ｖｄｔｈ１，Ｖｄｔｈ２は、例えば８ｍＶ刻みで０．５Ｖ～２．５４Ｖまで２５６ランクで設定可能となっている。閾値電圧Ｖｄｔｈ１，Ｖｄｔｈ２の設定値Ｄｔｈ１，Ｄｔｈ２は、例えば２５６ランクで設定可能な８ｂｉｔのデジタル値として定められ、クロック信号ＣＬＫに同期して信号生成部３からシフトレジスタ３３２，３３６にそれぞれ転送される。

閾値信号Ｄｔｈ１はラッチ信号ＬＴに同期してラッチ回路３３３にラッチされ、電圧出力型のＤＡＣ３３４に出力される。ラッチ回路３３３の出力信号は次のラッチタイミングまでの間保持され、その間に次の閾値信号Ｄｔｈ１がシフトレジスタ３３２に転送される。同様にして、閾値信号Ｄｔｈ２はラッチ信号ＬＴに同期してラッチ回路３３６にラッチされ、電圧出力型のＤＡＣ３３８に出力される。ラッチ回路３３８の出力信号は次のラッチタイミングまでの間保持され、その間に次の閾値信号Ｄｔｈ２がシフトレジスタ３３６に転送される。

信号ＣＭＰ１，ＣＭＰ２はＯＲゲート回路３４０に入力されて配線ＣＭＰに出力される。信号ＣＭＰをＲＳラッチ回路３４１のセット入力端子に入力することで、信号ＣＭＰのパルス信号はハイレベルに保持されて配線ＨＣＭＰに出力される。この信号ＨＣＭＰを、ラッチ信号ＬＴをトリガーにしてフリップフロップ回路３４２でラッチすることにより、ヨレ吐出のときに次のラッチ期間でハイレベルとなる判定結果信号ＲＳＬＴが得られる。

信号ＨＣＭＰは、ラッチ信号ＬＴの反転信号をＲＳラッチ回路３４１のリセット入力端子に入力することで、ラッチ信号ＬＴの立下りでリセットされる。

判定結果信号ＲＳＬＴは、図１４に示した判定結果抽出部５で、ラッチ信号ＬＴの立下りに同期して、ラッチ期間分遅延させたブロック信号ＢＬＥとセンサ選択信号ＳＤＡＴＡと共に抽出される。

本実施形態では、上記の差動アンプ３３０からフリップフロップ回路３４２までの判定回路部を吐出口列３０１外の記録素子基板１内部に設ける構成としたが、記録素子基板１外で記録ヘッドに備えられた制御チップ内に設けても構わない。また該判定回路部は記録ヘッド外で記録装置に備えられた制御チップ内に設けても構わない。

図６は、吐出口１１１からインク滴６０１が吐出し、尾引６０２が耐キャビテーション膜１１０に墜落したときの状態を表した吐出口断面模式図であり、図６（Ａ）は正常吐出時、図６（Ｂ）はヨレ吐出時を表している。図７は、図４に示した第１ブロックにおける記録素子基板１の判定回路部の各出力波形を表したタイミングチャートであり、図７（Ａ）は正常吐出時、図７（Ｂ）はヨレ吐出時を表している。他のブロックも同様のタイミングチャートとなるため、本実施形態では割愛する。

以下、図６および図７に基づいて、本実施形態の第１ブロックにおける判定回路部の正常吐出時とヨレ吐出時における動作の違いについて説明する。図６（Ａ）は正常吐出時の吐出口断面模式図であり、インク滴（吐出液滴）６０１はオリフィスプレート２１２の表面に対して垂直に吐出する。また、発泡した気泡内部の負圧は尾引６０２に対して対称に作用し、メニスカスの破裂による気泡の大気連通も吐出口１１１全周で同時に発生して、尾引６０２は平面視でヒータ１０１の中心に墜落する。

従って、墜落した尾引６０２は平面視でヒータ１０１に対して対称に広がるため、ヒータ１０１に対して対称に配置された温度センサ１０４，１０７は尾引６０２によって均等に冷却される。そのため、図７（Ａ）に示すように、温度センサ１０４，１０７の出力信号Ｖｓ１，Ｖｓ２は波形７０１のように重なって見える。なお、波形７０１は、駆動パルス４０１によるヒータ１０１への加熱により初期電圧Ｖｉｎｉから上昇し、尾引６０２の墜落による冷却により特徴点７０２から急速に降温し始める。

出力信号Ｖｓ１，Ｖｓ２が同じ（Ｔ１＝Ｔ２）となるので、式（５）から出力信号Ｖｓ１，Ｖｓ２は電流変動ノイズとクロストークノイズも含めて相殺され、作動アンプ３３０の出力信号Ｖｄｉｆは定電圧のＶｏｆｓとなる。従って、ローパスフィルタ３３１の出力信号ＶＦも図７（Ａ）に示すように定電圧Ｖｏｆｓの波形７０３となる。このＶｏｆｓに対して均等になるように、しきい値電圧Ｖｄｔｈ１，Ｖｄｔｈ２は設定される。

図７（Ａ）では、Ｖｄｔｈ２≦ＶＦ≦Ｖｄｔｈ１となるので、信号ＣＭＰ１，ＣＭＰ２はいずれもローレベル（正常吐出）となり、ＯＲゲート回路３４０の出力信号ＣＭＰもローレベルとなってパルスは発生しない（７０４）。従って、信号ＨＣＭＰ（７０５）および判定結果信号ＲＳＬＴ（７０６）もローレベル（正常吐出）となって判定結果抽出部５に出力される。

一方、図６（Ｂ）はヨレ吐出時の吐出口断面模式図であり、インク滴６０１は図６（Ａ）の吐出方向から左側にヨレて吐出した状態を表している。また、発泡した気泡内部の負圧は尾引６０２に対して非対称に作用し、気泡の大気連通もメニスカスが薄くなった箇所から非対称に発生して、結果として尾引６０２はヒータ１０１の中心から左側にヨレて墜落する。

従って、墜落した尾引６０２は平面視で図６（Ａ）よりも温度センサ１０７に近づき、温度センサ１０４から離れるため、温度センサ１０４よりも温度センサ１０７のほうが尾引６０２によって強く冷却される。すなわち、図７（Ｂ）に示すように、温度センサ１０４の出力信号Ｖｓ１の波形７０７に出現する特徴点７０９ほうが、温度センサ１０７の出力信号Ｖｓ２の波形７０８に出現する特徴点７１０よりも、出現タイミングが遅くなる。また、特徴点７０９以降の降温速度が特徴点７１０以降の降温速度よりも遅く、波形の傾きが緩やかになる。

ただし、特徴点７１０と特徴点７０９の出現時間差は僅かであり、特徴点７０９，７１０の出現タイミングを抽出するには微分フィルタ等の回路が別途必要となる上に精度が低く、出現時間差を良好な精度で検出することができない。

一方、特徴点７１０以降、出力信号Ｖｓ２の波形７０８が出力信号Ｖｓ１の波形７０７を僅かではあるが安定して下回り、波形７０８，７０７の出力信号の差動を取って増幅した信号Ｖｄｉｆは良好な精度で安定して検出できる。そこで、信号Ｖｄｉｆに基づいてヨレ吐出状態の判定を行う。

式（５）から作動アンプ３３０の出力信号Ｖｄｉｆは、特徴点７１０以降は定電圧Ｖｏｆｓから低下する。従って、ローパスフィルタ３３１の出力信号ＶＦも図７（Ａ）に示すように特徴点７１０以降、定電圧Ｖｏｆｓから低下する波形７１１となる。このＶｏｆｓに対して均等になるように、しきい値電圧Ｖｄｔｈ１，Ｖｄｔｈ２は設定される。

図７（Ａ）で、Ｖｄｔｈ２＞ＶＦとなる区間において、信号ＣＭＰ１はローレベル，信号ＣＭＰ２はハイレベル（ヨレ吐出）となり、ＯＲゲート回路３４０の出力信号ＣＭＰはハイレベル（ヨレ吐出）となってパルス７１３が発生する。

従って、信号ＨＣＭＰにはパルス７１３をホールドするパルス７１４が発生し、判定結果信号ＲＳＬＴ（７１５）はハイレベル（ヨレ吐出）となって判定結果抽出部５に出力される。

インク滴６０１の吐出方向が、図６（Ｂ）に示した方向とは逆方向の右側にヨレる場合は、図７（Ｂ）の波形７０７と波形７０８は入れ替わって、信号ＶＦは、定電圧Ｖｏｆｓに対して波形７１１を折り返した波形７１２となる。

この場合、ＶＦ＞Ｖｄｔｈ１となる区間において、信号ＣＭＰ１はハイレベル（ヨレ吐出），信号ＣＭＰ２はローレベルとなり、ＯＲゲート回路３４０の出力信号ＣＭＰはハイレベル（ヨレ吐出）となって、左側にヨレる場合と同様にパルス７１３が発生する。従って、信号ＨＣＭＰにはパルス７１３をホールドするパルス７１４が発生し、判定結果信号ＲＳＬＴ（７１５）はハイレベル（ヨレ吐出）となって判定結果抽出部５に出力される。

以上説明したように、本実施形態では記録素子基板を平面視したとき、対称に配置した２つの温度センサに同一の基準定電流源から生成した定電流を給電すると共に、２つの温度センサの定電流給電側の端子の信号間の差動を取って増幅する構成とした。これにより、電流変動ノイズとクロストークノイズを相殺しながら増幅することで、２つの温度センサを結ぶ方向の僅かなヨレ吐出でも高精度に検出することができる。

（第２の実施形態）
図８は、第１の実施形態で示した図１において、２つの温度センサ１０４，１０７を設けた層と同層に、２つの温度センサ８０１，８０４を縦方向に対称配置で追加した吐出口を、基板側からインクの吐出方向に見た平面図である。

図１に示したように、ヒータ１０１の長辺側中央付近に２つの温度センサ１０４，１０７を対称に配置する構成では、墜落尾引６０２が図１において横方向にヨレる場合にヨレ吐出状態を安定して検知することが可能であった。

しかしながら、墜落尾引６０２が図１において縦方向にヨレる場合は、温度センサ１０４，１０７の出力信号の差動を取ってもヨレ吐出状態を検知することができなかった。

そこで図８に示すように、本実施形態ではヒータ１０１の中心に対して縦方向に対称となるように温度センサ８０１，８０４を配置する。また、定電流源３０９，３１０に加えて、追加した温度センサ８０１，８０４に対応した定電流源も新たに２系統追加し、合わせて４系統とする。

そうすることで、墜落尾引６０２が縦方向にヨレる場合でも、温度センサ８０１，８０４の出力信号の差動を取ることによりヨレ吐出状態を検知することが可能になる。この場合、しきい値電圧Ｖｄｔｈ１，Ｖｄｔｈ２は、墜落尾引６０２が図８において斜め方向にヨレる場合の信号ＶＦも想定した上で設定する。

（第３の実施形態）
図９は、記録素子基板１に設けられた複数の吐出口の内、ヒータ１０１の長辺側に重なるように４つの温度センサ９０１，９０４，９０７，９１０をヒータ１０１に対して互いに対称に設けた吐出口を、基板側からインクの吐出方向に見た平面図である。なお、４つの温度センサに電流を給電する定電流源も、各々の温度センサの分を合わせて４系統とする。

図９に示すように、ヒータ１０１の長辺側の片側に２つずつ温度センサを対称に配置することで、第２の実施形態と同等の効果を得ることができる。すなわち、温度センサ９０１，９０７の出力の差動信号ＶＦ１、または温度センサ９０４，９１０の出力の差動信号ＶＦ２のうち、少なくとも一方がしきい値電圧を超えていれば、横方向にヨレ吐出していると判定する。

同様にして、温度センサ９０１，９０４の出力の差動信号ＶＦ３、または温度センサ９０７，９１０の出力の差動信号ＶＦ４のうち、少なくとも一方が別途設定したしきい値電圧を超えていれば、縦方向にヨレ吐出していると判定する。

または、温度センサ９０１，９１０の出力の差動信号ＶＦ５と、温度センサ９０４，９０７の出力の差動信号ＶＦ６を、別途設定したしきい値電圧と比較しても構わない。この場合、差動信号ＶＦ５またはＶＦ６の内、どちらか一方がしきい値電圧を超えていれば斜め方向にヨレ吐出、共にしきい値電圧を超えていれば横または縦方向にヨレ吐出していると判定する。

（第４の実施形態）
図１０は、ヒータ１０１を設けた層と同層に、ヒータ１０１の長手方向と短手方向にそれぞれ２つの計４つの温度センサ１００１，１００４，１００７，１０１０をヒータ１０１に対して対称に配置した吐出口を、基板側からインクの吐出方向に見た平面図である。

４つの温度センサ１００１，１００４，１００７，１０１０は、図１０の平面図においてインク流路１１２に重なるように配置される。また図１１は図１０の吐出口のＡ－Ａ断面図を表している。図１０に示すように、４つの温度センサ１００１，１００４，１００７，１０１０をヒータ１０１と同じ材料で構成することでシート抵抗を高くすることができ、センサ長を短くしてより狭い範囲の温度を取得するともに、比較的自由な配置を取ることができる。

また図１１に示すように、図２（Ａ）よりも温度センサをインク流路１１２に対して近づけることができ、ヒータ１０１からの熱を受けながら、墜落尾引６０２による冷却に対して感度をより高めることができる。また、４つの温度センサ１００１，１００４，１００７，１０１０を縦方向と横方向に対称に配置することで、第２の実施形態と同等の効果を得ることができる。

（第５の実施形態）
図１２は、耐キャビテーション膜１１０を設けた層と同層に、平面視でヒータ１０１の長辺側中央と短辺側中央に隣接して４つの温度センサ１２０１，１２０４，１２０７，１２１０をヒータ１０１に対して対称に配置した平面図である。また図１３は図１２の吐出口のＡ－Ａ断面図を表している。

耐キャビテーション膜１１０は、ヒータ１０１をキャビテーションから保護するのに必要最小限の範囲を覆うように設けられている。４つの温度センサ１２０１，１２０４，１２０７，１２１０と耐キャビテーション膜１１０との間の隙間は最小限となるように設定され、該温度センサは図１２の平面図においてインク流路１１２に重なるように配置される。

上記説明したように配置することにより、４つの温度センサをヒータ１０１に最も近接して設けることができるが、それでもヒータ１０１から十分な熱を受けるには距離が空き過ぎている。

そこで、差動を取る１対の温度センサの出力信号に有意な差が出現する直前に、ヒータ１０１を設けた層と同層に温度センサを加熱するための４つの補助ヒータ（補助加熱素子）１２１３，１２１６，１２１９，１２２２を設ける。

温度センサ１２０１を加熱するために補助ヒータ１２１３を、温度センサ１２０４を加熱するために補助ヒータ１２１６を、温度センサ１２０７を加熱するために補助ヒータ１２１９を、温度センサ１２１０を加熱するために補助ヒータ１２２２を設ける。４つの補助ヒータは、ヒータ１０１が導電プラグを介して接続する第２層の電源線と同じ電源線に、導電プラグを介して接続する。

図１４は、本実施形態において図４に示した第１ブロックにおける記録素子基板１の判定回路部のヨレ吐出時における各出力波形を表したタイミングチャートである。インク滴６０１は、図６（Ｂ）に示すように横方向の左側にヨレた場合を表している。

温度センサ１２０１，１２０４を補助ヒータで加熱しない場合は、図１４に示した波形１４０３のようにヨレ吐出を検出するのに十分な感度が得られない。従って、信号ＣＭＰにパルス１４０９が出現する前に温度センサ１２０１，１２０４を補助ヒータで加熱することにより、温度センサの出力波形は昇温点１４０４から急昇温して十分な感度が得られるようになる。

昇温点１４０４以降の波形１４０１は温度センサ１２０１の出力信号Ｖｓ１を表し、波形１４０２は温度センサ１２０４の出力信号Ｖｓ２を表している。

図６（Ｂ）に示すように墜落尾引６０２は左側にヨレるため、波形１４０１に出現する特徴点１４０５ほうが、波形１４０２に出現する特徴点１４０６よりも出現タイミングが遅くなる。また、特徴点１４０５以降の降温速度が特徴点１４０６以降の降温速度よりも遅く、波形の傾きが緩やかになる。

特徴点１４０６以降、出力信号Ｖｓ２の波形１４０２が出力信号Ｖｓ１の波形１４０１を下回るため、式（５）から作動アンプ３３０の出力信号Ｖｄｉｆは、特徴点７１０以降は定電圧Ｖｏｆｓから低下する。従って、ローパスフィルタ３３１の出力信号ＶＦも図１４に示すように特徴点１４０６以降、定電圧Ｖｏｆｓから低下する波形１４０７となる。このＶｏｆｓに対して均等になるように、しきい値電圧Ｖｄｔｈ１，Ｖｄｔｈ２は設定される。

図１４で、Ｖｄｔｈ２＞ＶＦとなる区間において、信号ＣＭＰ１はローレベル，信号ＣＭＰ２はハイレベル（ヨレ吐出）となり、ＯＲゲート回路３４０の出力信号ＣＭＰはハイレベル（ヨレ吐出）となってパルス１４０９が発生する。従って、信号ＨＣＭＰにはパルス１４０９をホールドするパルス１４１０が発生し、判定結果信号ＲＳＬＴ（１４１１）はハイレベル（ヨレ吐出）となって判定結果抽出部５に出力される。

本実施形態では図１３に示すように、温度センサをインク流路１１２に接するように設けたため、上記説明したように温度センサは補助ヒータからの熱を受けながら、墜落尾引６０２による冷却に対して感度をより高めることができる。また、４つの温度センサ１２０１，１２０４，１２０７，１２１０を縦方向と横方向に対称に配置することで、実施例２と同等の効果を得ることができる。

（その他の実施形態）
第１の実施形態から第５の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した値や形態に限定するものではない。例えば、ヒータに対して横方向に対称となるように設けた２つの温度センサと、縦方向に対称となるように設けた２つの温度センサは、それぞれ別の層に設けても構わない。

また、２つの温度センサを設ける位置がヒータに対して対称であっても、２つの温度センサの形状は対称でなくても構わない。また、吐出口列辺りの吐出口数は４個に限定するものではなく、例えば５１２個であっても構わないし、吐出口列自体も１列でなく複数列あっても構わない。

１ 記録素子基板
２ 液体吐出装置
１０１ 加熱素子
１０４ 第１の温度検知素子
１０７ 第２の温度検知素子
１１１ 吐出口

Claims (12)

1. 液体を吐出する吐出口と、
   前記吐出口から液体を吐出するために液体を加熱する加熱素子と、
   を有する記録素子基板を備える液体吐出装置において、
   少なくとも第１の温度検知素子と第２の温度検知素子とをさらに有し、
   前記記録素子基板を平面視したとき、前記第１の温度検知素子と前記第２の温度検知素子は、前記加熱素子を中心に、対象となる位置に形成されていることを特徴とする液体吐出装置。
2. 前記記録素子基板を平面視したとき、前記第１の温度検知素子の中心と前記加熱素子の中心との距離に対する、前記第２の温度検知素子の中心と前記加熱素子の中心との距離の比率が、０．９５以上１．０５以下である請求項１に記載の液体吐出装置。
3. 同一の基準電流源から定電流を生成する第１の定電流源および第２の定電流源と、
   前記第１の定電流源からの電流を前記第１の温度検知素子に給電するか否かを切り替える第１の切り替え手段と、
   前記第２の定電流源からの電流を前記第２の温度検知素子に給電するか否かを切り替える第２の切り替え手段と、
   前記第１の温度検知素子からの出力信号と、前記第２の温度検知素子からの出力信号との差動信号を出力する差動信号出力手段と、
   をさらに有する請求項１または２に記載の液体吐出装置。
4. 前記差動信号を予め設定した閾値電圧と比較することで、前記吐出口から吐出される液体が斜めに吐出されているか否かを判定する判定回路部をさらに有する請求項３に記載の液体吐出装置。
5. 前記判定回路部は、前記差動信号が、予め設定した第１の閾値電圧より大きい、または予め設定した第２の閾値電圧よりも小さい場合に、前記吐出口からの液体が斜めに吐出されていると判定する請求項４に記載の液体吐出装置。
6. 前記第１の温度検知素子および前記第２の温度検知素子は、前記加熱素子の短手方向に配置されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
7. 前記第１の温度検知素子および前記第２の温度検知素子は、前記加熱素子の長手方向に配置されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
8. 前記記録素子基板を平面視したとき、前記第１の温度検知素子および前記第２の温度検知素子は、前記加熱素子と重ならない位置に形成されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
9. 前記第１の温度検知素子および第２の温度検知素子は、絶縁層を介して前記加熱素子の下層に形成された薄膜抵抗体である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
10. 前記第１の温度検知素子および第２の温度検知素子は、前記加熱素子と同層に形成された薄膜抵抗体である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
11. 前記第１の温度検知素子および第２の温度検知素子は、耐キャビテーション膜と同層に形成された薄膜抵抗体である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
12. 前記第１の温度検知素子および第２の温度検知素子を加熱する補助加熱素子をさらに有する請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の液体吐出装置。

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