JP2023046526A - 弾性波デバイス、モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
配線基板と、
共振器と、前記共振器に電気的に接続された配線パターンとを有し、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、
前記配線パターンは、
第1配線層と、
前記第1配線層の上面に接した下層金属層と、前記下層金属層の上面に接した金属層であるパーティション層と、前記パーティション層の上面に接した上層金属層とを有する、第2配線層と、を備え、
前記パーティション層は、前記下層金属層および前記上層金属層よりも電気伝導率が低い金属である。
前記下層金属層は、前記第1配線層の上面に接する部分と、前記第1絶縁層を介して前記第1配線層の上面に接する部分と、を有することが、本開示の一形態とされる。
上面に前記共振器と前記配線パターンとが形成された圧電性基板と、
サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなり、前記圧電性基板の下面に接する基板と、を備えたことが、本開示の一形態とされる。
前記下層金属層は下からTi、Alが積層した構造であり、
前記パーティション層はTiであり、
前記上層金属層はAlである、ことが、本開示の一形態とされる。
前記パーティション層は電気伝導率が10×106S/m以下の金属であり、
前記下層金属層及び前記上層金属層は、電気伝導率が20×106S/m以上の金属を含む、ことが、本開示の一形態とされる。
図1は、実施の形態1に係る弾性波デバイスのうち配線パターン部分の断面図である。圧電体10の上に、第1配線層12と第2配線層19を有する配線パターンが形成されている。第1配線層12は単層又は複層の金属層を有する。第2配線層19は、第1配線層12の上面に接した下層金属層14と、下層金属層14の上面に接した金属層であるパーティション層16と、パーティション層16の上面に接した上層金属層18とを有する。一例によれば、下層金属層14は単層又は複層の金属層を有し、上層金属層18も単層又は複層の金属層を有する。図1の例では、第2配線層19の幅は第1配線層12の幅より小さくなっている。一例によれば、下層金属層14と上層金属層18の合計の厚みは、第1配線層12の厚みの6~70倍とすることができる。
図14は、実施の形態2に係る配線パターンの構成例を示す断面図である。第1絶縁層40は、第1配線層12の上面の一部を覆っている。下層金属層14は、第1配線層12の上面に接する部分と、第1絶縁層40を介して第1配線層12の上面に接する部分と、を有する。第2絶縁層42は、第1絶縁層40の上面と、第2配線層19の側面を覆っている。一例によれば、第2絶縁層42は、上層金属層18の上面の少なくとも一部を露出させる。
図21は実施の形態3に係る弾性波デバイスの縦断面図である。図21に示されるように、弾性波デバイス50は、第1デバイスチップ51と第2デバイスチップ52とを備える。一例によれば、第1デバイスチップ51と第2デバイスチップ52とは、バンドパスフィルタとして機能する。例えば、第1デバイスチップ51は、送信フィルタと受信フィルタとのうちの一方として機能する。第2デバイスチップ52は、送信フィルタと受信フィルタとのうちの他方として機能する。
図23は、弾性波デバイスを有するモジュール100の縦断面図である。モジュール100は、配線基板130と、集積回路部品ICと、弾性波デバイス101と、インダクタ111と、封止部117とを備える。一例によれば、配線基板130は、実施の形態1で説明した配線基板2と同等とすることができる。集積回路部品ICは、配線基板130の内部に実装される。一例によれば、集積回路部品ICは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。
Claims (16)
- 配線基板と、
共振器と、前記共振器に電気的に接続された配線パターンとを有し、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、
前記配線パターンは、
第1配線層と、
前記第1配線層の上面に接した下層金属層と、前記下層金属層の上面に接した金属層であるパーティション層と、前記パーティション層の上面に接した上層金属層とを有する、第2配線層と、を備え、
前記パーティション層は、前記下層金属層および前記上層金属層よりも電気伝導率が低い金属である、弾性波デバイス。 - 前記下層金属層と前記上層金属層の合計の厚みは、前記第1配線層の厚みの6~70倍である請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記第1配線層の上面の一部を覆う第1絶縁層を備え、
前記下層金属層は、前記第1配線層の上面に接する部分と、前記第1絶縁層を介して前記第1配線層の上面に接する部分と、を有する請求項1又は2に記載の弾性波デバイス。 - 前記第1絶縁層の上面と、前記第2配線層の側面を覆う第2絶縁層を備えた請求項3に記載の弾性波デバイス。
- 前記第2配線層は階段状部分を有し、前記第2絶縁層は前記階段状部分を覆う請求項4に記載の弾性波デバイス。
- 前記第1配線層は前記第2絶縁層と直接接していない請求項4又は5に記載の弾性波デバイス。
- 前記第2配線層は、前記第1配線層、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層に直接接する請求項4又は5に記載の弾性波デバイス。
- 前記第1絶縁層は、前記第1配線層、前記第2配線層および前記第2絶縁層に直接接する請求項4又は5に記載の弾性波デバイス。
- 前記第1絶縁層の熱膨張係数は、前記第2絶縁層の熱膨張係数より小さい請求項4から8のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。
- 前記第2配線層の幅は前記第1配線層の幅より小さい請求項1から9のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。
- 前記デバイスチップは、
上面に前記共振器と前記配線パターンとが形成された圧電性基板と、
サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなり、前記圧電性基板の下面に接する基板と、を備えた請求項1から10のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。 - 前記デバイスチップは、前記共振器を複数有し、複数の前記共振器が弾性表面波共振器であり、バンドパスフィルタ又はデュプレクサとして機能する、請求項1から11のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。
- 前記デバイスチップは、前記共振器を複数有し、複数の前記共振器が音響薄膜共振器であり、バンドパスフィルタ又はデュプレクサとして機能する、請求項1から11のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。
- 前記第1配線層は下からTi、AlCu、Tiが積層した構造であり、
前記下層金属層は下からTi、Alが積層した構造であり、
前記パーティション層はTiであり、
前記上層金属層はAlである、請求項1から13のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。 - 前記パーティション層は電気伝導率が10×106S/m以下の金属であり、
前記下層金属層及び前記上層金属層は、電気伝導率が20×106S/m以上の金属を含む、請求項1から13のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。 - 請求項1から14のいずれか1項に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
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