JP2023043419A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板を適切にエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。基板Ｗを処理する基板処理方法は、切り替え工程と処理工程を備える。切り替え工程では、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤の間で、添加剤が切り替わる。処理工程では、エッチング液が基板Ｗに供給される。処理工程では、切り替え工程によって選択された添加剤が基板Ｗに供給される。【選択図】図６

Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。
特許文献１の基板処理方法は、エッチング液に加えて、添加剤を基板に供給する。添加剤は、イオン性界面活性剤である。イオン性界面活性剤は、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤のいずれであってもよい。特許文献１の基板処理方法によれば、凹部内のエッチングレートは向上される。
特許文献１は、エッチングレートの指標として、ブランケット比を提示する。ブランケット比は、基板のブランケット部分のエッチングレートに対する、基板の凹部内のエッチングレートの割合である。通常、凹部内のエッチングレートは、ブランケット部分のエッチングレートよりも低い。このため、通常、ブランケット比は、１未満である。特許文献１の基板処理方法によれば、ブランケットのエッチングレートは低下せずに、凹部内のエッチングレートは高くなる。その結果、特許文献１の基板処理方法によれば、ブランケット比は、１に近い値まで高められる。
特開２０２１－４８３６９号公報
近年、基板の表面に形成されるパターンは、複雑化している。このため、基板をエッチングする処理も、複雑化している。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切にエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤の間で添加剤を切り替える切り替え工程と、前記切り替え工程によって選択された前記添加剤と、エッチング液とを、基板に供給する処理工程と、を備える基板処理方法である。
基板処理方法は、切り替え工程と処理工程を備える。切り替え工程では、添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で切り替わる。処理工程では、エッチング液は基板に供給される。処理工程では、切り替え工程によって選択された添加剤は基板に供給される。このように、処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で適切に切り替わる。よって、基板は、処理工程において、適切にエッチングされる。
上述した基板処理方法において、切り替え工程では、処理工程の条件が規定される処理条件情報に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つは、前記添加剤として選択されることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。
上述した基板処理方法において、前記処理条件情報は、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つを添加剤として指定する添加剤情報を含み、前記切り替え工程では、前記添加剤は、前記添加剤情報に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の間で切り替わることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。
上述した基板処理方法において、基板はブランケット部分を有し、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電することが好ましい。エッチング液とアニオン界面活性剤が基板に供給される場合、アニオン界面活性剤はブランケット部分と反対の極性を有する。このため、ブランケット部分とアニオン界面活性剤は互いに引き合う。アニオン界面活性剤はブランケット部分の近傍に集まる（concentrate）。よって、エッチング液がブランケット部分をエッチングすることを、アニオン界面活性剤は阻む。すなわち、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを、好適に阻害する。エッチング液とカチオン界面活性剤が基板に供給される場合、カチオン界面活性剤はブランケット部分と同じ極性を有する。このため、ブランケット部分とカチオン界面活性剤は互いに反発する。カチオン界面活性剤はブランケット部分の近傍に集まらない。よって、エッチング液がブランケット部分をエッチングすることを、カチオン界面活性剤は阻まない。すなわち、ブランケット部分のエッチングを、カチオン界面活性剤は好適に許容する。以上の通り、添加剤がアニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で切り替わることによって、ブランケット部分のエッチングレートは好適に制御される。
上述した基板処理方法において、基板は凹部を区画する壁部分を有し、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記凹部は負に帯電することが好ましい。エッチング液とアニオン界面活性剤が基板に供給される場合、アニオン界面活性剤は壁部分と同じ極性を有する。このため、壁部分とアニオン界面活性剤は互いに反発する。アニオン界面活性剤が凹部内に入ることは困難である。よって、エッチング液が凹部内をエッチングすることを、アニオン界面活性剤は阻まない。すなわち、アニオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを、好適に許容する。エッチング液とカチオン界面活性剤が基板に供給される場合、カチオン界面活性剤は壁部分と反対の極性を有する。このため、壁部分とカチオン界面活性剤は互いに引き合う。カチオン界面活性剤が凹部内に入ることは容易である。よって、エッチング液が凹部内をエッチングすることを、カチオン界面活性剤は阻む。すなわち、凹部内のエッチングを、カチオン界面活性剤は好適に阻害する。以上の通り、添加剤がアニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で切り替わることによって、凹部内のエッチングレートは好適に制御される。
上述の基板処理方法において、エッチング液は、酸性であることが好ましい。エッチング液が基板に供給されたとき、ブランケット部分は好適に正に帯電する。エッチング液が基板に供給されたとき、凹部を区画する基板の壁部分は好適に負に帯電する。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、前記処理条件情報が第１エッチング条件を規定するとき、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、前記処理条件情報が第２エッチング条件を規定するとき、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択され、前記第１エッチング条件は、基板のブランケット部分をエッチングから保護しつつ、基板の凹部内をエッチングすることであり、前記第２エッチング条件は、基板の前記凹部をエッチングから保護しつつ、基板の前記ブランケット部分をエッチングすることであることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。例えば、ブランケット部分をエッチングするか、または、ブランケット部分をエッチングから保護するかは、好適に制御される。例えば、凹部内をエッチングするか、または、凹部をエッチングから保護するかは、好適に制御される。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電し、かつ、前記凹部を区画する基板の壁部分は負に帯電し、前記切り替え工程では、前記処理条件情報が第１エッチング条件を規定するとき、前記アニオン界面活性剤が前記添加剤として選択され、前記処理条件情報が第２エッチング条件を規定するとき、前記カチオン界面活性剤が前記添加剤として選択されることが好ましい。
処理条件情報が第１エッチング条件を規定する場合、処理工程では、アニオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。エッチング液が基板に供給されたとき、ブランケット部分は正に帯電する。アニオン界面活性剤とブランケット部分は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを妨げる。すなわち、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分をエッチングから保護する。エッチング液が基板に供給されたとき、壁部分は負に帯電する。アニオン界面活性剤と壁部分は互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを許容する。その結果、処理工程において第１エッチング条件で基板をエッチングすることは、容易である。
処理条件情報が第２エッチング条件を規定する場合、処理工程では、カチオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。カチオン界面活性剤とブランケット部分は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤と壁部分は互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを妨げる。すなわち、カチオン界面活性剤は、凹部をエッチングから保護する。その結果、処理工程において第２エッチング条件で基板をエッチングすることは、容易である。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、基板のブランケット部分のエッチングレートおよび基板の凹部内のエッチングレートの少なくともいずれかに関する目標に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つは、前記添加剤として選択されることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット部分の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、前記目標が前記凹部内の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択されることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。例えば、ブランケット部分のエッチングレートは、好適に制御される。例えば、凹部内のエッチングレートは、好適に制御される。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電し、かつ、前記凹部を区画する基板の壁部分は負に帯電し、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット部分の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤が前記添加剤として選択され、前記目標が前記凹部内の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、前記カチオン界面活性剤が前記添加剤として選択されることが好ましい。
目標がブランケット部分のエッチングレートを零に近づけることである場合、処理工程では、アニオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。エッチング液が基板に供給されたとき、ブランケット部分は正に帯電する。アニオン界面活性剤とブランケット部分は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを妨げる。すなわち、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングレートを低下させる。その結果、ブランケット部分のエッチングレートを零に近づけるという目標は、処理工程において容易に達成される。
目標が凹部内の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、処理工程では、カチオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。エッチング液が基板に供給されたとき、壁部分は負に帯電する。カチオン界面活性剤と壁部分は互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを妨げる。すなわち、カチオン界面活性剤は、凹部内のエッチングレートを低下させる。その結果、凹部内のエッチングレートを零に近づけるという目標は、処理工程において容易に達成される。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、前記目標が、前記ブランケット部分の前記エッチングレートを前記凹部内の前記エッチングレートよりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、前記目標が、前記凹部内の前記エッチングレートを前記ブランケット部分のエッチングレートよりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択されることが好ましい。基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。例えば、処理工程におけるブランケット部分のエッチングレートと凹部内のエッチングレートの間の大小関係は、好適に切り替わる。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電し、かつ、前記凹部を区画する基板の壁部分は負に帯電し、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット部分の前記エッチングレートを前記凹部内の前記エッチングレートよりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤が前記添加剤として選択され、前記目標が前記凹部内の前記エッチングレートを前記ブランケット部分の前記エッチングレートよりも小さくすることである場合、前記カチオン界面活性剤が前記添加剤として選択されることが好ましい。
目標がブランケット部分のエッチングレートを凹部内のエッチングレートよりも小さくすることである場合、処理工程では、アニオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。エッチング液が基板に供給されたとき、ブランケット部分は正に帯電する。アニオン界面活性剤とブランケット部分は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを妨げる。エッチング液が基板に供給されたとき、壁部分は負に帯電する。アニオン界面活性剤と壁部分は互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを許容する。これらの結果、ブランケット部分のエッチングレートを凹部内のエッチングレートよりも小さくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
目標が凹部内のエッチングレートをブランケット部分のエッチングレートよりも小さくすることである場合、処理工程では、カチオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。カチオン界面活性剤とブランケット部分は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤と壁部分は互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを妨げる。これらの結果、凹部内のエッチングレートをブランケット部分のエッチングレートよりも小さくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、ブランケット比に関する目標に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つは、前記添加剤として選択され、前記ブランケット比は、基板のブランケット部分のエッチングレートに対する基板の凹部内のエッチングレートの割合であることが好ましい。基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット比を基準値よりも大きくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、前記目標が前記ブランケット比を前記基準値よりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択され、前記基準値は、前記添加剤を基板に供給せずに前記エッチング液を基板に供給したときに得られるブランケット比であることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。例えば、処理工程におけるブランケット比は、好適に制御される。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電し、かつ、前記凹部を区画する基板の壁部分は負に帯電し、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット比を前記基準値よりも大きくすることである場合、前記アニオン界面活性剤が前記添加剤として選択され、前記目標が前記ブランケット比を前記基準値よりも小さくすることである場合、前記カチオン界面活性剤が前記添加剤として選択されることが好ましい。
目標がブランケット比を基準値よりも大きくすることである場合、処理工程では、アニオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。エッチング液が基板に供給されたとき、ブランケット部分は正に帯電する。アニオン界面活性剤とブランケット部分は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを妨げる。エッチング液が基板に供給されたとき、壁部分は負に帯電する。アニオン界面活性剤と壁部分は互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを許容する。これらの結果、ブランケット比を基準値よりも大きくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
目標がブランケット比を基準値よりも小さくすることである場合、処理工程では、カチオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。カチオン界面活性剤とブランケット部分は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤と壁部分は互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを妨げる。これらの結果、ブランケット比を基準値よりも小さくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
上述した基板処理方法において、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット比を１よりも大きくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、前記目標が前記ブランケット比を零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択されることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。例えば、処理工程におけるブランケット比は、一層柔軟に制御される。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電し、かつ、前記凹部を区画する基板の壁部分は負に帯電し、前記切り替え工程では、前記目標が前記ブランケット比を１よりも大きくすることである場合、前記アニオン界面活性剤が前記添加剤として選択され、前記目標が前記ブランケット比を零に近づけることである場合、前記カチオン界面活性剤が前記添加剤として選択されることが好ましい。
目標がブランケット比を１よりも大きくすることである場合、処理工程では、アニオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。エッチング液が基板に供給されたとき、ブランケット部分は正に帯電する。アニオン界面活性剤とブランケット部分は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを妨げる。エッチング液が基板に供給されたとき、壁部分は負に帯電する。アニオン界面活性剤と壁部分は互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを許容する。これらの結果、ブランケット比を１よりも大きくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
目標がブランケット比を零に近づけることである場合、処理工程では、カチオン界面活性剤とエッチング液が基板に供給される。カチオン界面活性剤とブランケット部分は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤は、ブランケット部分のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤と壁部分は互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤は、凹部内のエッチングを妨げる。これらの結果、ブランケット比を零に近づけるという目標は、処理工程において容易に達成される。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液は、過酸化水素水であることが好ましい。過酸化水素水は、基板を好適にエッチングする。
上述した基板処理方法において、処理工程で処理される基板は、窒化チタンからなるブランケット部分を有することが好ましい。アニオン界面活性剤と過酸化水素水が基板に供給される場合、ブランケット部分とアニオン界面活性剤は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤は、窒化チタンからなるブランケット部分を過酸化水素水から好適に保護する。カチオン界面活性剤と過酸化水素水が基板に供給される場合、ブランケット部分とカチオン界面活性剤は、互いに反発する。このため、過酸化水素水が窒化チタンからなるブランケット部分をエッチングすることを、カチオン界面活性剤は好適に許容する。
上述した基板処理方法において、処理工程で処理される基板は、前記凹部を区画する壁部分であって、シリコン、二酸化シリコン、ポリシリコンおよび酸化ハフニウムの少なくともいずれかからなる前記壁部分を有することが好ましい。アニオン界面活性剤と過酸化水素水が基板に供給される場合、過酸化水素水が凹部内をエッチングすることを、アニオン界面活性剤は好適に許容する。カチオン界面活性剤と過酸化水素水が基板に供給される場合、カチオン界面活性剤は、凹部を過酸化水素水から好適に保護する。
上述した基板処理方法において、処理工程で処理される基板は、第１壁と、第２壁と、前記第１壁と前記第２壁の間に位置し、窒化チタンからなる中間部分と、を有し、前記処理工程では、前記第１壁と前記第２壁がエッチングされずに中間部分がエッチングされて、凹部が前記第１壁と前記第２壁の間に形成されることが好ましい。アニオン界面活性剤と過酸化水素水が基板に供給される場合、過酸化水素水が窒化チタンからなる中間部分をエッチングすることを、アニオン界面活性剤は好適に許容する。よって、過酸化水素水が凹部内をエッチングすることを、アニオン界面活性剤は一層好適に許容する。
上述した基板処理方法において、前記エッチング液に対する前記添加剤の濃度の設定値を変更する調整工程と、をさらに備え、前記処理工程では、前記切り替え工程によって選択された前記添加剤が、前記調整工程によって決定された設定値と等しい濃度で、基板に供給されることが好ましい。処理工程において基板に供給される添加剤の濃度は、適切に変わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。
また、本発明は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持される基板にエッチング液と添加剤を供給する供給部と、前記供給部を制御し、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で前記添加剤を切り替える制御部と、を備える基板処理装置である。
基板処理装置は、基板保持部と供給部と制御部を備える。基板保持部は、基板を保持する。供給部は、基板保持部によって保持される基板にエッチング液を供給する。供給部は、基板保持部によって保持される基板に添加剤を供給する。制御部は、供給部を制御する。制御部は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で前記添加剤を切り替える。このため、基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で適切に切り替わる。よって、基板は適切にエッチングされる。
本発明の基板処理方法および基板処理装置によれば、基板は適切にエッチングされる。
基板処理装置の内部を示す平面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 処理ユニットの構成を示す図である。 図４（ａ）、４（ｂ）は、ブランケット部分を模式的に示す図である。 図５（ａ）、５（ｂ）は、凹部を模式的に示す図である。 基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 比較例と実験例１－６を示す表である。 アニオン界面活性剤とエッチング液が供給されるブランケット部分を模式的に示す図である。 アニオン界面活性剤とエッチング液が供給される凹部を模式的に示す図である。 カチオン界面活性剤とエッチング液が供給されるブランケット部分を模式的に示す図である。 カチオン界面活性剤とエッチング液が供給される凹部を模式的に示す図である。
以下、図面を参照して本発明の基板処理方法および基板処理装置を説明する。
＜１．基板処理装置の概要＞
図１は、基板処理装置１の内部を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板処理装置１における処理は、ウェットエッチング処理を含む。
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。
基板処理装置１は、インデクサ部３と処理ブロック７を備える。処理ブロック７はインデクサ部３に接続される。インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。処理ブロック７は、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。
本明細書では、便宜上、インデクサ部３と処理ブロック７が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック７からインデクサ部３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。
インデクサ部３は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部４を備える。各キャリア載置部４はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）、または、ＯＣ（Open Cassette）である。
インデクサ部３は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、キャリア載置部４の後方に配置される。搬送機構５は、基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。搬送機構５はハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、水平面内においてハンド５ａを回転させる。
処理ブロック７は、搬送機構８を備える。搬送機構８は、基板Ｗを搬送する。搬送機構８と搬送機構５は、相互に、基板Ｗを受け渡し可能である。搬送機構８は、ハンド８ａとハンド駆動部８ｂを備える。ハンド８ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａに連結される。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、水平面内においてハンド８ａを回転させる。
処理ブロック７は、複数の処理ユニット１１を備える。処理ユニット１１は、搬送機構８の側方に配置される。各処理ユニット１１は、基板Ｗに処理を行う。
処理ユニット１１は、基板保持部１３を備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。
搬送機構８は、各処理ユニット１１にアクセス可能である。搬送機構８は、基板保持部１３に基板Ｗを渡すことができる。搬送機構８は、基板保持部１３から基板Ｗを取ることができる。
図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、記憶部９を備える。記憶部９は、各種の情報を記憶する。記憶部９は、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
記憶部９に格納される情報は、例えば、搬送機構５、８を制御するための搬送条件情報Ｕ１である。記憶部９に格納される情報は、例えば、処理ユニット１１を制御するための処理条件情報Ｕ２である。搬送条件情報Ｕ１および処理条件情報Ｕ２は、予め、設定されている。搬送条件情報Ｕ１および処理条件情報Ｕ２は、基板処理装置１が基板Ｗを処理する前に、設定されている。処理条件情報Ｕ２は、基板Ｗに対する処理の条件を規定する。処理条件情報Ｕ２は、処理レシピとも呼ばれる。処理条件情報Ｕ２は、例えば、基板Ｗごとに設定される。処理条件情報Ｕ２は、例えば、基板Ｗのロットごとに設定される。
基板処理装置１は、制御部１０を備える。制御部１０は、記憶部９と通信可能である。制御部１０は、搬送条件情報Ｕ１および処理条件情報Ｕ２を参照する。制御部１０は、さらに、搬送機構５、８と処理ユニット１１と通信可能である。制御部１０は、搬送機構５、８と処理ユニット１１を制御する。制御部１０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）等によって実現されている。
基板処理装置１の動作例を簡単に説明する。
インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。具体的には、搬送機構５は、キャリアＣから処理ブロック７の搬送機構８に基板Ｗを渡す。
搬送機構８は、処理ユニット１１に基板Ｗを分配する。具体的には、搬送機構８は、搬送機構５から、各処理ユニット１１の基板保持部１３に基板Ｗを搬送する。
処理ユニット１１は、基板保持部１３に保持された基板Ｗを処理する。処理ユニット１１は、例えば、基板Ｗにエッチング処理を行う。
処理ユニット１１が基板Ｗを処理した後、搬送機構８は、各処理ユニット１１から基板Ｗを回収する。具体的には、搬送機構８は、各基板保持部１３から基板Ｗを受ける。そして、搬送機構８は、搬送機構５に基板Ｗを渡す。
インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。具体的には、搬送機構５は、搬送機構８からキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜２．処理ユニット１１の構成＞
図３は、処理ユニット１１の構成を示す図である。各処理ユニット１１は、同一の構造を有する。処理ユニット１１は、枚葉式に分類される。すなわち、各処理ユニット１１は、一度に１枚の基板Ｗのみを処理する。
基板保持部１３は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部１３は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。基板保持部１３は、基板保持部１３が保持する基板Ｗの下方に位置する。基板保持部１３は、基板Ｗの下面および基板Ｗの周縁部の少なくともいずれかと接触する。基板保持部１３は、基板Ｗの上面と接触しない。
処理ユニット１１は、回転駆動部１４を備える。回転駆動部１４は、基板保持部１３に連結される。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、基板保持部１３と一体に回転する。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転軸線Ｂ回りに回転する。回転軸線Ｂは、例えば、基板Ｗの中心を通り、鉛直方向Ｚに延びる。
処理ユニット１１は、供給部１５を備える。供給部１５は、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、エッチング液と添加剤を供給する。供給部１５は、さらに、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、リンス液と気体を供給する。例えば、供給部１５は、基板Ｗの上面に、エッチング液と添加剤とリンス液と気体を供給する。
供給部１５によって供給されるエッチング液は、例えば、過酸化水素水である。あるいは、エッチング液は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）、または、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）である。
供給部１５によって供給される添加剤は、イオン性界面活性剤である。イオン性界面活性剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤を含む。アニオン界面活性剤は、例えば、ドデシル硫酸ナトリウム（sodium dodecyl sulfate、ＳＤＳ）である。カチオン界面活性剤は、例えば、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド（Hexadecyltrimethylammonium Chloride、ＣＴＡＣ）である。
供給部１５によって供給されるリンス液は、例えば、純水（ＤＩＷ）である。
供給部１５によって供給される気体は、例えば、乾燥エアまたは不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。
供給部１５は、ノズル１６を備える。ノズル１６は、供給源２８ａ、２８ｂ、２８ｃに連通接続される。供給源２８ａは、エッチング液をノズル１６に送る。供給源２８ｂは、アニオン界面活性剤をノズル１６に送る。供給源２８ｃは、カチオン界面活性剤をノズル１６に送る。
ノズル１６と供給源２８ａ－２８ｃの間の流路の一例を説明する。供給部１５は、配管２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄと４方コネクタ２２と弁２３ａ、２３ｂ、２３ｃとを備える。配管２１ａは、供給源２８ａと４方コネクタ２２を連結する。配管２１ｂは、供給源２８ｂと４方コネクタ２２を連結する。配管２１ｃは、供給源２８ｃと４方コネクタ２２を連結する。配管２１ｄは、４方コネクタ２２とノズル１６を連結する。弁２３ａは、配管２１ａに設けられる。弁２３ｂは、配管２１ｂに設けられる。弁２３ｃは、配管２１ｃに設けられる。弁２３ａは、ノズル１６によるエッチング液の吐出を制御する。具体的には、弁２３ａが開くとき、エッチング液は供給源２８ａからノズル１６に流れる。弁２３ａが開くとき、ノズル１６はエッチング液を吐出する。弁２３ａが閉じるとき、エッチング液は供給源２８ａからノズル１６に流れない。弁２３ａが閉じるとき、ノズル１６はエッチング液を吐出しない。同様に、弁２３ｂは、ノズル１６によるアニオン界面活性剤の吐出を制御する。弁２３ｃは、ノズル１６によるカチオン界面活性剤の吐出を制御する。弁２３ａ、２３ｂが同時に開くとき、エッチング液とカチオン界面活性剤は４方コネクタ２２において混合される。弁２３ａ、２３ｂが同時に開くとき、ノズル１６はエッチング液とアニオン界面活性剤の混合液を吐出する。同様に、弁２３ａ、２３ｃが同時に開くとき、ノズル１６はエッチング液とカチオン界面活性剤の混合液を吐出する。
供給部１５は、ノズル１７を備える。ノズル１７は、供給源２９ａに連通接続される。供給源２９ａは、リンス液をノズル１７に送る。供給部１５は、配管２４ａと弁２５ａを備える。配管２４ａは、供給源２９ａとノズル１７を連結する。弁２５ａは、配管２４ａに設けられる。弁２５ａは、ノズル１７によるリンス液の吐出を制御する。
供給部１５は、ノズル１８を備える。ノズル１８は、供給源２９ｂに連通接続される。供給源２９ｂは、不活性ガスをノズル１８に送る。供給部１５は、配管２４ｂと弁２５ｂを備える。配管２４ｂは、供給源２９ｂとノズル１８を連結する。弁２５ｂは、配管２４ｂに設けられる。弁２５ｂは、ノズル１８によるリンス液の吐出を制御する。
処理ユニット１１は、さらに、不図示の筐体を備えてもよい。筐体は、例えば、基板保持部１３とノズル１６－１８を収容する。基板Ｗは、筐体の内部で処理される。
処理ユニット１１は、さらに、カップを備えてもよい。カップは、基板保持部１３の周囲に配置される。カップは、基板保持部１３に保持される基板Ｗから飛散した液体を受け止める。
図２を参照する。制御部１０は、回転駆動部１４を制御する。制御部１０は、供給部１５を制御する。具体的には、制御部１０は、弁２３ａ－２３ｃ、２５ａ－２５ｂを制御する。
制御部１０が有する処理条件情報Ｕ２は、添加剤情報Ｕ２ａを含む。添加剤情報Ｕ２ａは、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤のいずれか１つを添加剤として指定する。
＜３．基板Ｗ＞
次に、基板Ｗを説明する。基板Ｗは、例えば、ブランケット部分および凹部の少なくともいずれかを有する。基板保持部１３が基板Ｗを保持するとき、ブランケット部分および凹部の少なくともいずれかは、基板Ｗの上面に位置する。
図４（ａ）、４（ｂ）は、ブランケット部分を模式的に示す図である。ブランケット部分Ｐ１は、基板Ｗの一部である。
図４（ａ）は、エッチング前のブランケット部分Ｐ１を示す。図４（ｂ）は、エッチング後のブランケット部分Ｐ１を示す。ブランケット部分Ｐ１は、深さ方向ｄ１にエッチングされる。ブランケット部分Ｐ１のエッチング量は、例えば、図４（ｂ）に示す距離Ｄ１である。ブランケット部分Ｐ１は、面Ｑ１を有する。面Ｑ１は、エッチング液に晒される。面Ｑ１は、例えば、深さ方向ｄ１に直交する。面Ｑ１は、例えば、平坦である。面Ｑ１は、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートのロスが発生しない程、十分に広い。エッチングレートは、単位時間当たりのエッチング量である。図４（ａ）、４（ｂ）は、面Ｑ１の長さＭ１、Ｎ１を示す。長さＭ１、Ｎ１はそれぞれ、例えば、５００ｎｍよりも大きい。
図５（ａ）、５（ｂ）は、凹部を模式的に示す図である。凹部Ａは空間である。基板Ｗは、壁部分Ｒを有する。壁部分Ｒは、凹部Ａを区画する。例えば、壁部分Ｒは、第１壁Ｒ１と第２壁Ｒ２を含む。第２壁Ｒ２は、第１壁Ｒ１と向かい合う。基板Ｗは、中間部分Ｐ２を有する。中間部分Ｐ２は、第１壁Ｒ１と第２壁Ｒ２の間に位置する。壁部分Ｒおよび中間部分Ｐ２はそれぞれ、基板Ｗの一部である。
図５（ａ）は、エッチング前の凹部Ａを示す。図５（ｂ）は、エッチング後の凹部Ａを示す。中間部分Ｐ２は、深さ方向ｄ２にエッチングされる。中間部分Ｐ２のエッチング量は、例えば、図５（ｂ）に示す距離Ｄ２である。壁部分Ｒは、エッチングされない。第１壁Ｒ１および第２壁Ｒ２がエッチングされずに中間部分Ｐ２がエッチングされることによって、凹部Ａは第１壁Ｒ１と第２壁Ｒ２の間に形成される。
中間部分Ｐ２は、面Ｑ２を有する。面Ｑ２は、エッチング液に晒される。面Ｑ２は、例えば、深さ方向ｄ２に直交する。面Ｑ２は、面Ｑ１よりも十分に小さい。面Ｑ２は、中間部分Ｐ２のエッチングレートのロスが発生するほど、十分に狭い。面Ｑ２は面Ｑ１よりも十分に小さいので、中間部分Ｐ２のエッチングレートは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートよりも低くなり易い。よって、凹部Ａも、十分に狭い。
図５（ａ）、５（ｂ）は、面Ｑ２の長さＭ２、Ｎ２を示す。長さＭ２は、第１壁Ｒ１と第２壁Ｒ２の離隔距離に相当する。長さＭ２は、１００ｎｍ以下である。長さＮ２は、１００ｎｍ以下であってもよいし、１００ｎｍよりも大きくてもよい。
本明細書では、中間部分Ｐ２のエッチングを、凹部Ａ内のエッチングと適宜に呼ぶ。中間部分Ｐ２のエッチングレートを、凹部Ａ内のエッチングレートと適宜に呼ぶ。長さＭ２を、適宜に、凹部Ａの幅Ｍ２と呼ぶ。
＜４．処理ユニット１１の動作例＞
図６は、基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、切り替え工程と処理工程を備える。処理工程は、切り替え工程の後に、実行される。処理工程は、第１洗浄工程とエッチング工程と第２洗浄工程と乾燥工程を含む。処理工程では、処理ユニット１１の各要素は、制御部１０の制御にしたがって、動作する。
ステップＳ１：切り替え工程
添加剤は、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤の間で切り替わる。
具体的には、制御部１０は、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤の間で添加剤を切り替える。制御部１０は、処理条件情報Ｕ２に基づいて、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤のいずれか１つを、前記添加剤として選択する。制御部１０は、添加剤情報Ｕ２ａに基づいて、アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤の間で添加剤を切り替える。制御部１０は、添加剤情報Ｕ２ａによって指定されるアニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤のいずれか１つを、添加剤として選択する。
ステップＳ２：処理工程
第１洗浄工程とエッチング工程と第２洗浄工程と乾燥工程は、この順で実行される。
ステップＳ２ａ：第１洗浄工程
リンス液は基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗは、洗浄される。
具体的には、弁２５ａは、開く。ノズル１７は、基板保持部１３に保持される基板Ｗにリンス液を吐出する。リンス液は、基板Ｗを洗浄する。その後、弁２５ａが閉じる。ノズル１７は、リンス液の吐出を停止する。
ステップＳ２ｂ：エッチング工程
切り替え工程によって選択された添加剤と、エッチング液とは、基板Ｗに供給される。添加剤とエッチング液は同時に基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗは、エッチングされる。
切り替え工程においてアニオン界面活性剤が添加剤として選択された場合、弁２３ａは開き、弁２３ｂは開き、弁２３ｃは閉じる。アニオン界面活性剤が添加剤として選択される場合、ノズル１６は、エッチング液とアニオン界面活性剤を基板Ｗに吐出する。具体的には、ノズル１６は、エッチング液とアニオン界面活性剤の混合液を基板Ｗに吐出する。ノズル１６は、カチオン界面活性剤を基板Ｗに吐出しない。その後、弁２３ａ、２３ｂは閉じる。ノズル１６は、混合液の吐出を停止する。
切り替え工程においてカチオン界面活性剤が添加剤として選択された場合、弁２３ａは開き、弁２３ｂは閉じ、弁２３ｃは開く。カチオン界面活性剤が添加剤として選択される場合、ノズル１６は、エッチング液とカチオン界面活性剤を基板Ｗに吐出する。具体的には、ノズル１６は、エッチング液とカチオン界面活性剤の混合液を基板Ｗに吐出する。ノズル１６は、アニオン界面活性剤を基板Ｗに吐出しない。その後、弁２３ａ、２３ｃは閉じる。ノズル１６は、混合液の吐出を停止する。
ステップＳ２ｃ：第２洗浄工程
リンス液は基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗは、洗浄される。ステップ２ｃにおける動作は、例えば、ステップＳ２ａにおける動作と同じである。
ステップＳ２ｄ：乾燥工程
気体は基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗは乾燥される。
具体的には、弁２５ｂは、開く。ノズル１８は、基板保持部１３に保持される基板Ｗに気体を吐出する。気体は、基板Ｗを乾燥させる。その後、弁２５ｂは、閉じる。ノズル１８は、気体の吐出を停止する。
上述した処理工程の少なくとも一部において、回転駆動部１４は、基板Ｗを回転させてもよい。例えば、上述した処理工程の全部において、回転駆動部１４は、基板Ｗを回転させてもよい。
＜５．切り替え工程の技術的意義＞
比較例と実験例１－６によって、切り替え工程の技術的意義を説明する。図７は、比較例と実験例１－６を示す表である。図７の表は、基板Ｗが比較例と実験例１－６によって処理されたときの、基板Ｗのエッチングレートおよびブランケット比を示す。
比較例および実験例１－６はそれぞれ、以下の条件で実行された。比較例および実験例１－６では、基板Ｗを、上述した処理工程によって処理した。第１洗浄工程、第２洗浄工程および乾燥工程の条件は、比較例および実験例１－６の間で同じである。エッチング工程の条件は、比較例および実験例１－６の間で異なる。
具体的には、エッチング工程で基板Ｗに供給されるエッチング液は、比較例および実験例１－６の間で同じである。エッチング液は、過酸化水素水である。言い換えれば、過酸化水素水は、過酸化水素を純水（ＤＩＷ）で希釈した水溶液である。エッチング液は、酸性である。
エッチング工程で基板Ｗに供給される添加剤は、比較例および実験例１－６の間で異なる。比較例１のエッチング工程では、添加剤を基板Ｗに供給しなかった。実験例１－６のエッチング工程では、添加剤を基板Ｗに供給した。
実験例１－３の添加剤は、ドデシル硫酸ナトリウム（sodium dodecyl sulfate）である。以下では、ドデシル硫酸ナトリウムを、ＳＤＳと略記する。ＳＤＳは、アニオン界面活性剤に属する。実験例１では、エッチング液に対するＳＤＳの濃度は１ｍＭである。ここで、Ｍは、ｍｏｌ／Ｌを意味する。すなわち、実験例１では、エッチング液１Ｌ当たりのＳＤＳの量は、０．００１ｍｏｌである。実験例２では、エッチング液に対するＳＤＳの濃度は１０ｍＭである。実験例３では、エッチング液に対するＳＤＳの濃度は１００ｍＭである。
実験例４－６の添加剤は、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド（Hexadecyltrimethylammonium Chloride）である。以下では、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリドを、ＣＴＡＣと略記する。ＣＴＡＣは、カチオン界面活性剤に属する。実験例４では、エッチング液に対するＣＴＡＣの濃度は１ｍＭである。実験例５では、エッチング液に対するＣＴＡＣの濃度は１０ｍＭである。実験例６では、エッチング液に対するＣＴＡＣの濃度は１００ｍＭである。
比較例１および実験例１－６では、ブランケット部分Ｐ１をエッチングした。ブランケット部分Ｐ１は、窒化チタンからなる。比較例１および実験例１－６の実行後、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢを測定した。図４（ｂ）を参照して、エッチングレートＥＢは、１分間当たりの距離Ｄ１である。
さらに、比較例１および実験例１－６では、凹部Ａ１、Ａ２、Ａ３をエッチングした。ここで、図５（ｂ）を参照して、凹部Ａ１の幅Ｍ２は、２ｎｍである。凹部Ａ２の幅Ｍ２は、５ｎｍである。凹部Ａ３の幅Ｍ２は、１０ｎｍである。凹部Ａ１は、第１壁Ｒ１、第２壁Ｒ２および中間部分Ｐ２によって構成される。第１壁Ｒ１は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる。第２壁Ｒ２は、ポリシリコンからなる。中間部分Ｐ２は、窒化チタンからなる。同様に、凹部Ａ２、Ａ３は、第１壁Ｒ１、第２壁Ｒ２および中間部分Ｐ２によって構成される。凹部Ａ２、Ａ３の第１壁Ｒ１はそれぞれ、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる。凹部Ａ２、Ａ３の第２壁Ｒ２はそれぞれ、ポリシリコンからなる。凹部Ａ２、Ａ３の中間部分Ｐ２はそれぞれ、窒化チタンからなる。比較例１および実験例１－６の実行後、凹部Ａ１内のエッチングレートＥＡ１を測定した。同様に、比較例１および実験例１－６の実行後、凹部Ａ２、Ａ３内のエッチングレートＥＡ２、ＥＡ３を測定した。図５（ｂ）を参照して、エッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３はそれぞれ、例えば、１分間当たりの距離Ｄ２である。
さらに、エッチングレートＥＢ、ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に基づいて、ブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３を算出した。ブランケット比Ｆ１は、エッチングレートＥＢに対するエッチングレートＥＡ１の割合である。ブランケット比Ｆ２は、エッチングレートＥＢに対するエッチングレートＥＡ２の割合である。ブランケット比Ｆ３は、エッチングレートＥＢに対するエッチングレートＥＡ３の割合である。言い換えれば、ブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３は、以下の式で定義される。
Ｆ１＝ＥＡ１／ＥＢ
Ｆ２＝ＥＡ２／ＥＢ
Ｆ３＝ＥＡ３／ＥＢ
以下では、エッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３を区別しない場合、エッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３をエッチングレートＥＡと呼ぶ。ブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３を区別しない場合、ブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３をブランケット比Ｆと呼ぶ。
図７の比較例を参照する。比較例では、エッチングレートＥＢは、７．７ｎｍ／ｍｉｎである。比較例では、エッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３はそれぞれ、２．２０ｎｍ／ｍｉｎ、５．５６ｎｍ／ｍｉｎ、６．７３ｎｍ／ｍｉｎである。比較例では、エッチングレートＥＢはエッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも大きい。比較例では、凹部Ａの幅Ｍ２が減少するにしたがって、凹部ＡのエッチングレートＥＡは低下する。
比較例では、ブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３はいずれも、１未満である。比較例では、凹部Ａの幅Ｍ２が減少するにしたがって、ブランケット比Ｆは低下する。
比較例のブランケット比Ｆ１を実験例１－６のブランケット比Ｆ１と区別するために、比較例のブランケット比Ｆ１を基準値Ｆ１Ｔと呼ぶ。同様に、比較例のブランケット比Ｆ２、Ｆ３をそれぞれ、基準値Ｆ２Ｔ、Ｆ３Ｔと呼ぶ。基準値Ｆ１Ｔ、Ｆ２Ｔ、Ｆ３Ｔを区別しない場合、基準値Ｆ１Ｔ、Ｆ２Ｔ、Ｆ３Ｔを基準値ＦＴと呼ぶ。
実験例１－３を参照する。実験例１－３では、エッチングレートＥＢは、０．９ｎｍ／ｍｉｎから１．６ｎｍ／ｍｉｎの範囲内にある。このように、実験例１－３のエッチングレートＥＢはそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＢに比べて、著しく低い。実験例１－３のエッチングレートＥＢはそれぞれ、零に近い。実験例１－３では、ブランケット部分Ｐ１はエッチングから保護された。
実験例１－３のエッチングレートＥＡ１は、１．４０ｎｍ／ｍｉｎから２．４０ｎｍ／ｍｉｎの範囲内である。このように、実験例１－３のエッチングレートＥＡ１はそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＡ１と同等またはそれよりも僅かに低い。実験例１－３のエッチングレートＥＡ２はそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＡ２よりも僅かに低い。実験例１－３のエッチングレートＥＡ３はそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＡ３よりも僅かに低い。実験例１－３では、凹部Ａは適切にエッチングされた。
実験例１のエッチングレートＥＢは、実験例１のエッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも小さい。同様に、実験例２では、エッチングレートＥＢはエッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも小さい。実験例３では、エッチングレートＥＢはエッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも小さい。まとめると、実験例１－３では、エッチングレートＥＢはエッチングレートＥＡよりも小さい。
実験例１－３のブランケット比Ｆ１はそれぞれ、基準値Ｆ１Ｔよりも大きい。同様に、実験例１－３のブランケット比Ｆ２はそれぞれ、基準値ＦＴ２よりも大きい。実験例１－３のブランケット比Ｆ３はそれぞれ、基準値ＦＴ３よりも大きい。まとめると、実験例１－３のブランケット比Ｆは、基準値ＦＴよりも大きい。
実験例１－３のブランケット比Ｆ１はそれぞれ、１よりも大きい。同様に、実験例１－３のブランケット比Ｆ２はそれぞれ、１よりも大きい。実験例１－３のブランケット比Ｆ３はそれぞれ、１よりも大きい。まとめると、実験例１－３では、ブランケット比Ｆは１よりも大きい。
実験例４－６を参照する。実験例４－６のエッチングレートＥＢは、２．８ｎｍ／ｍｉｎから４．５ｎｍ／ｍｉｎの範囲内である。このように、実験例４－６のエッチングレートＥＢはそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＢよりも、僅かに低い。実験例４－６のエッチングレートＥＢはそれぞれ、実験例１－３のエッチングレートＥＢよりも高い。実験例４－６では、ブランケット部分Ｐ１は適切にエッチングされた。
実験例４－６のエッチングレートＥＡ１は、０．６３ｎｍ／ｍｉｎから０．８９ｎｍ／ｍｉｎの範囲内である。このように、実験例４－６のエッチングレートＥＡ１はそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＡ１に比べて、著しく低い。同様に、実験例４－６のエッチングレートＥＡ２はそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＡ２に比べて、著しく低い。実験例４－６のエッチングレートＥＡ３はそれぞれ、比較例のエッチングレートＥＡ３に比べて、著しく低い。さらに、実験例４－６のエッチングレートＥＡ１はそれぞれ、実験例１－３のエッチングレートＥＡ１よりも、低い。実験例４－６のエッチングレートＥＡ２はそれぞれ、実験例１－３のエッチングレートＥＡ２よりも、低い。実験例４－６のエッチングレートＥＡ２はそれぞれ、実験例１－３のエッチングレートＥＡ２よりも、低い。実験例４－６のエッチングレートＥＡはそれぞれ、零に近い。実験例４－６では、凹部Ａはエッチングから保護された。
実験例４のエッチングレートＥＢは、実験例４のエッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも大きい。同様に、実験例５では、エッチングレートＥＢはエッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも大きい。実験例６では、エッチングレートＥＢは、エッチングレートＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３よりも大きい。まとめると、実験例４－６では、エッチングレートＥＢはエッチングレートＥＡよりも大きい。
実験例４－６のブランケット比Ｆ１はそれぞれ、基準値Ｆ１Ｔよりも小さい。同様に、実験例４－６のブランケット比Ｆ２はそれぞれ、基準値Ｆ２Ｔよりも小さい。実験例４－６のブランケット比Ｆ３はそれぞれ、基準値Ｆ３Ｔよりも小さい。まとめると、実験例４－６のブランケット比Ｆは、基準値ＦＴよりも小さい。
実験例４－６のブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３はそれぞれ、１よりも小さい。実験例４－６のブランケット比Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３はそれぞれ、零に近い。まとめると、実験例４－６のブランケット比Ｆは、１よりも小さい。実験例４－６のブランケット比Ｆは、零に近い。
＜６．エッチングにおける添加剤の役割＞
本発明者は、エッチング工程において添加剤が果たす役割について、以下のように推察する。
図８は、アニオン界面活性剤とエッチング液が供給されるブランケット部分Ｐ１を模式的に示す図である。
混合液Ｇは、エッチング液を含む。エッチング液は、エッチング種Ｊを含む。エッチング種Ｊは、ブランケット部分Ｐ１をエッチングする。エッチング種Ｊは、例えば、負に帯電する。エッチング種Ｊは、例えば、陰イオンである。エッチング液が過酸化水素水である場合、エッチング種ＪはＨＯ２ －である。エッチング液は、例えば、酸性を有する。このため、混合液Ｇは、例えば、酸性を有する。
混合液Ｇは、アニオン界面活性剤Ｋを含む。混合液Ｇ中において、アニオン界面活性剤Ｋは、負に帯電する。混合液Ｇ中において、アニオン界面活性剤Ｋは、陰イオンに電離する。具体的には、アニオン界面活性剤Ｋは、親水基Ｋ１と疎水基Ｋ２を有する。混合液Ｇ中において、親水基Ｋ１は負に帯電する。
ブランケット部分Ｐ１は、混合液Ｇに晒される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は、例えば、正に帯電する。混合液Ｇが酸性である場合、ブランケット部分Ｐ１が正に帯電することは容易である。
アニオン界面活性剤Ｋはブランケット部分Ｐ１と反対の極性を有する。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１に引き寄せられる。アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１に近づき易い。アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１の近傍に集まり易い。アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１にくっつき易い。アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１を覆い易い。よって、エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に近づくことを、アニオン界面活性剤Ｋは妨げる。エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１の近傍に集まることを、アニオン界面活性剤Ｋは妨げる。エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に接触することを、アニオン界面活性剤Ｋは妨げる。エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは妨げる。このように、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１をエッチング種Ｊから保護する。アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１をエッチングから保護する。アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを阻害する。その結果、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢは著しく低下する。
なお、エッチング種Ｊも、ブランケット部分Ｐ１と反対の極性を有する。よって、エッチング種Ｊも、ブランケット部分Ｐ１に引き寄せられる。但し、アニオン界面活性剤Ｋは親水基Ｋ１と疎水基Ｋ２を有する。ブランケット部分Ｐ１が疎水性を有する場合、疎水基Ｋ２とブランケット部分Ｐ１の間の親和性は、エッチング種Ｊとブランケット部分Ｐ１との間の親和性よりも高い。ブランケット部分Ｐ１が親水性を有する場合、親水基Ｋ１とブランケット部分Ｐ１の間の親和性は、エッチング種Ｊとブランケット部分Ｐ１との間の親和性よりも高い。このように、ブランケット部分Ｐ１が疎水性を有する場合であっても、ブランケット部分Ｐ１が親水性を有する場合であっても、アニオン界面活性剤Ｋとブランケット部分Ｐ１の間の親和性は、エッチング種Ｊとブランケット部分Ｐ１の間の親和性よりも、高い。したがって、エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に近づくことよりも、アニオン界面活性剤Ｋがブランケット部分Ｐ１に近づくことの方が容易である。
さらに、アニオン界面活性剤Ｋはエッチング種Ｊよりも大きい。このため、ブランケット部分Ｐ１の近傍に位置するアニオン界面活性剤Ｋは、エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に近づくことを、効果的に妨げる。
図９は、アニオン界面活性剤とエッチング液が供給される凹部Ａを模式的に示す図である。
凹部Ａは、混合液Ｇに晒される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、中間部分Ｐ２は、例えば、正に帯電する。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは、例えば、負に帯電する。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、第１壁Ｒ１は、例えば、負に帯電する。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、第２壁Ｒ２は、例えば、負に帯電する。
アニオン界面活性剤Ｋは壁部分Ｒと同じ極性を有する。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、壁部分Ｒに反発する。アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａに近づき難い。アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａに入り難い。アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内に集まりにくい。よって、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることを、アニオン界面活性剤Ｋは妨げない。言い換えれば、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることを、アニオン界面活性剤Ｋは許容する。エッチング種Ｊが凹部Ａ内に集まることを、アニオン界面活性剤Ｋは許容する。エッチング種Ｊが中間部分Ｐ２に接触することを、アニオン界面活性剤Ｋは許容する。エッチング種Ｊが中間部分Ｐ２をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは許容する。このように、アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ２内のエッチングを妨げない。アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内のエッチングを許容する。その結果、凹部Ａは適切にエッチングされる。
なお、エッチング種Ｊも、壁部分Ｒと同じ極性を有する。しかしながら、エッチング種Ｊは、アニオン界面活性剤Ｋよりも小さい。このため、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることの方が、アニオン界面活性剤Ｋが凹部Ａに入ることよりも、容易である。
さらに、アニオン界面活性剤Ｋは、混合液Ｇ中に、不図示の反対イオンを放出する。アニオン界面活性剤Ｋの反対イオンは、陽イオンである。例えば、アニオン界面活性剤ＫがＳＤＳのとき、反対イオンはＮａ＋である。アニオン界面活性剤Ｋの反対イオンは、壁部分Ｒに引き寄せられる。そして、アニオン界面活性剤Ｋの反対イオンは、壁部分Ｒの近傍において、電気的に中和する。このため、壁部分Ｒの近傍に位置する反対イオンは、エッチング種Ｊと壁部分Ｒの間の反発力を低減する。その結果、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることは、一層容易である。
図１０は、カチオン界面活性剤とエッチング液が供給されるブランケット部分Ｐ１を模式的に示す図である。
上述の通り、混合液Ｇは、エッチング液を含む。エッチング液は、エッチング種Ｊを含む。エッチング種Ｊは、例えば、陰イオンである。エッチング液は、例えば、酸性を有する。混合液Ｇも、例えば、酸性を有する。
混合液Ｇは、カチオン界面活性剤Ｌを含む。混合液Ｇ中において、カチオン界面活性剤Ｌは、正に帯電する。混合液Ｇ中において、カチオン界面活性剤Ｌは、陽イオンに電離する。具体的には、カチオン界面活性剤Ｌは、親水基Ｌ１と疎水基Ｌ２を有する。混合液Ｇ中において、親水基Ｌ１は正に帯電する。
ブランケット部分Ｐ１は、混合液Ｇに晒される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は、例えば、正に帯電する。
カチオン界面活性剤Ｌはブランケット部分Ｐ１と同じ極性を有する。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１に反発する。カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１に近づき難い。カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１の近傍に集まり難い。カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１にくっつき難い。カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１を覆い難い。よって、エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に近づくことを、カチオン界面活性剤Ｌは妨げない。すなわち、エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に近づくことを、カチオン界面活性剤Ｌは許容する。エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１の近傍に集まることを、カチオン界面活性剤Ｌは許容する。エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に接触することを、カチオン界面活性剤Ｌは許容する。エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１をエッチングすることを、カチオン界面活性剤Ｌは許容する。このように、カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを阻害しない。その結果、ブランケット部分Ｐ１は、適切にエッチングされる。
なお、エッチング種Ｊは、ブランケット部分Ｐ１と反対の極性を有する。このため、エッチング種Ｊがブランケット部分Ｐ１に近づくこと接触することは一層容易である。
カチオン界面活性剤Ｌは親水基Ｌ１と疎水基Ｌ２を有する。ブランケット部分Ｐ１が疎水性を有する場合、疎水基Ｌ２とブランケット部分Ｐ１の間の親和性は、高い。ブランケット部分Ｐ１が親水性を有する場合、親水基Ｌ１とブランケット部分Ｐ１の間の親和性は、高い。このように、ブランケット部分Ｐ１が疎水性を有する場合であっても、ブランケット部分Ｐ１が親水性を有する場合であっても、カチオン界面活性剤Ｌとブランケット部分Ｐ１の間の親和性は、高い。このため、カチオン界面活性剤Ｌの一部は、ブランケット部分Ｐ１に近づくことがある。よって、カチオン界面活性剤Ｌの一部は、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢを僅かに低下させる。
図１１は、カチオン界面活性剤とエッチング液が供給される凹部Ａを模式的に示す図である。
上述の通り、凹部Ａは、混合液Ｇに晒される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、中間部分Ｐ２は、例えば、正に帯電する。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは、例えば、負に帯電する。
カチオン界面活性剤Ｌは壁部分Ｒと反対の極性を有する。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、壁部分Ｒに引き寄せられる。カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａに近づき易い。カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａに入り易い。カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内に集まり易い。よって、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることを、カチオン界面活性剤Ｌは妨げる。エッチング種Ｊが凹部Ａ内に集まることを、カチオン界面活性剤Ｌは妨げる。エッチング種Ｊが中間部分Ｐ２に接触することを、カチオン界面活性剤Ｌは妨げる。エッチング種Ｊが中間部分Ｐ２をエッチングすることを、カチオン界面活性剤Ｌは妨げる。このように、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａをエッチング種Ｊから保護する。カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａをエッチングから保護する。カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングを阻害する。その結果、凹部Ａ内のエッチングレートＥＡは著しく低下する。
なお、エッチング種Ｊは、壁部分Ｒと同じ極性を有する。このため、エッチング種Ｊと壁部分Ｒは互いに反発する。よって、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることは一層困難である。
さらに、カチオン界面活性剤Ｌは、エッチング種Ｊよりも大きい。このため、凹部Ａに位置するカチオン界面活性剤Ｌは、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることを効果的に妨げる。
特に、凹部Ａは極めて狭い。このため、凹部Ａ内に位置するカチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａの大部分を専有する。よって、カチオン界面活性剤Ｌが凹部Ａに位置するとき、凹部Ａは、エッチング種Ｊが凹部Ａに位置するためのスペースをほとんど有しない。仮にカチオン界面活性剤Ｌとエッチング種Ｊが凹部Ａに位置する場合、エッチング種Ｊとカチオン界面活性剤Ｌは互いにぶつかり易い。仮にカチオン界面活性剤Ｌとエッチング種Ｊが凹部Ａに位置する場合、エッチング種Ｊとカチオン界面活性剤Ｌは立体障害を起こしやすい。このため、凹部Ａに位置するカチオン界面活性剤Ｌは、エッチング種Ｊが凹部Ａに入ることを一層効果的に妨げる。
＜７．実施形態の効果＞
実施形態の基板処理方法は、切り替え工程と処理工程を備える。切り替え工程では、添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で切り替わる。切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方は、添加剤として選択される。切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方は、添加剤として選択されない。処理工程では、エッチング液は基板Ｗに供給される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方は基板Ｗに供給される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方は基板Ｗに供給されない。処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、切り替え工程によって選択された添加剤に限られる。以上の通り、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で適切に切り替わる。よって、基板Ｗは、処理工程において、適切にエッチングされる。
切り替え工程では、処理条件情報Ｕ２に基づいて、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌのいずれか１つは、前記添加剤として選択される。このため、処理工程では、基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。
処理条件情報Ｕ２は、添加剤情報Ｕ２ａを含む。添加剤情報Ｕ２ａは、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌのいずれか１つを添加剤として指定する。切り替え工程では、添加剤は、添加剤情報Ｕ２ａに基づいて、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの間で切り替わる。このため、処理工程では、基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。
エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。このため、エッチング液とアニオン界面活性剤Ｋが基板Ｗに供給される場合、アニオン界面活性剤Ｋはブランケット部分Ｐ１と反対の極性を有する。このため、ブランケット部分Ｐ１とアニオン界面活性剤Ｋは互いに引き合う。アニオン界面活性剤Ｋはブランケット部分Ｐ１の近傍に集まる。よって、エッチング液がブランケット部分Ｐ１をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは阻む。すなわち、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを、好適に阻害する。エッチング液とカチオン界面活性剤Ｌが基板Ｗに供給される場合、カチオン界面活性剤Ｌはブランケット部分Ｐ１と同じ極性を有する。このため、ブランケット部分Ｐ１とカチオン界面活性剤Ｌは互いに反発する。カチオン界面活性剤Ｌはブランケット部分Ｐ１の近傍に集まらない。よって、エッチング液がブランケット部分Ｐ１をエッチングすることを、カチオン界面活性剤Ｌは阻まない。すなわち、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを、カチオン界面活性剤Ｌは好適に許容する。以上の通り、添加剤がアニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で切り替わることによって、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢは好適に制御される。
エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは負に帯電する。エッチング液とアニオン界面活性剤Ｋが基板Ｗに供給される場合、アニオン界面活性剤Ｋは壁部分Ｒと同じ極性を有する。このため、壁部分Ｒとアニオン界面活性剤Ｋは互いに反発する。アニオン界面活性剤Ｋが凹部Ａ内に入ることは困難である。よって、エッチング液が凹部Ａ内をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは阻まない。すなわち、アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内のエッチングを、好適に許容する。エッチング液とカチオン界面活性剤Ｌが基板Ｗに供給される場合、カチオン界面活性剤Ｌは壁部分Ｒと反対の極性を有する。このため、壁部分Ｒとカチオン界面活性剤Ｌは互いに引き合う。カチオン界面活性剤Ｌが凹部Ａ内に入ることは容易である。よって、エッチング液が凹部Ａ内をエッチングすることを、カチオン界面活性剤Ｌは阻む。すなわち、凹部Ａ内のエッチングを、カチオン界面活性剤Ｌは好適に阻害する。以上の通り、添加剤がアニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で切り替わることによって、凹部Ａ内のエッチングレートＥＡは好適に制御される。
エッチング液は、酸性である。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は好適に正に帯電する。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは好適に負に帯電する。
エッチング液は、例えば、過酸化水素水である。このため、過酸化水素水は、基板Ｗを好適にエッチングする。
ブランケット部分Ｐ１は、例えば、窒化チタンからなる。例えば、アニオン界面活性剤Ｋと過酸化水素水が基板Ｗに供給される場合、ブランケット部分Ｐ１とアニオン界面活性剤Ｋは互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、窒化チタンからなるブランケット部分Ｐ１を過酸化水素水から好適に保護する。例えば、カチオン界面活性剤Ｌと過酸化水素水が基板Ｗに供給される場合、ブランケット部分Ｐ１とカチオン界面活性剤Ｌは互いに反発する。このため、過酸化水素水が窒化チタンからなるブランケット部分Ｐ１をエッチングすることを、カチオン界面活性剤Ｌは好適に許容する。
壁部分Ｒは、例えば、二酸化シリコンおよびポリシリコンからなる。第１壁Ｒ１は、例えば、二酸化シリコンからなる。第２壁Ｒ２は、例えば、ポリシリコンからなる。例えば、アニオン界面活性剤Ｋと過酸化水素水が基板Ｗに供給される場合、過酸化水素水が二酸化シリコンおよびポリシリコンからなる凹部Ａ内をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは好適に許容する。例えば、カチオン界面活性剤Ｌと過酸化水素水が基板Ｗに供給される場合、カチオン界面活性剤Ｌは、二酸化シリコンおよびポリシリコンからなる凹部Ａを過酸化水素水から好適に保護する。
中間部分Ｐ２は、例えば、窒化チタンからなる。このため、アニオン界面活性剤Ｋと過酸化水素水が基板Ｗに供給される場合、過酸化水素水が窒化チタンからなる中間部分Ｐ２をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは好適に許容する。よって、過酸化水素水が凹部Ａ内をエッチングすることを、アニオン界面活性剤Ｋは一層好適に許容する。
基板処理装置１は、基板保持部１３と供給部１５と制御部１０を備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。供給部１５は、基板保持部１３によって保持される基板Ｗにエッチング液と添加剤を供給する。制御部１０は、供給部１５を制御する。制御部１０は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で添加剤を切り替える。このため、基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で適切に切り替わる。よって、基板Ｗは適切にエッチングされる。
本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）実施形態では、切り替え工程では、添加剤は、添加剤情報Ｕ２ａに基づいて、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で切り替わった。但し、これに限られない。以下、各種の変形実施形態を説明する。
（１－１）処理条件情報Ｕ２は、エッチング条件を規定する。エッチング条件は、例えば、第１エッチング条件と第２エッチング条件を含む。第１エッチング条件は、ブランケット部分Ｐ１をエッチングから保護しつつ、凹部Ａ内をエッチングすることである。第２エッチング条件は、凹部Ａをエッチングから保護しつつ、ブランケット部分Ｐ１をエッチングすることである。処理条件情報Ｕ２が第１エッチング条件を規定するとき、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方が添加剤として選択される。処理条件情報Ｕ２が第２エッチング条件を規定するとき、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方が添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。例えば、ブランケット部分Ｐ１をエッチングするか、または、ブランケット部分Ｐ１をエッチングから保護するかは、好適に制御される。例えば、凹部Ａ内をエッチングするか、または、凹部Ａをエッチングから保護するかは、好適に制御される。
具体的には、処理条件情報Ｕ２が第１エッチング条件を規定するとき、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋが添加剤として選択される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋとエッチング液が基板Ｗに供給される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋとブランケット部分Ｐ１は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを妨げる。すなわち、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１をエッチングから保護する。エッチング液が基板に供給されたとき、壁部分Ｒは負に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋと壁部分Ｒは互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内のエッチングを許容する。その結果、処理工程において第１エッチング条件で基板をエッチングすることは、容易である。
具体的には、処理条件情報Ｕ２が第２エッチング条件を規定するとき、切り替え工程では、カチオン界面活性剤Ｌが添加剤として選択される。処理工程では、カチオン界面活性剤Ｌとエッチング液が基板Ｗに供給される。カチオン界面活性剤Ｌとブランケット部分Ｐ１は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤Ｐ１は、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤Ｌと壁部分Ｒは互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングを妨げる。すなわち、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａをエッチングから保護する。その結果、処理工程において第２エッチング条件で基板Ｗをエッチングすることは、容易である。
（１－２）切り替え工程では、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢおよび凹部Ａ内のエッチングレートＥＡの少なくともいずれかに関する目標に基づいて、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌのいずれか１つは、添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。
（１－２－１）例えば、目標がブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢを零に近づけることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方が前記添加剤として選択される。例えば、目標が凹部Ａ内のエッチングレートＥＡを零に近づけることである場合、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方が添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。例えば、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢは、好適に制御される。例えば、凹部Ａ内のエッチングレートＥＡは、好適に制御される。
具体的には、目標がブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢを零に近づけることである場合、切り替え工程ではアニオン界面活性剤Ｋが添加剤として選択される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋとエッチング液が基板Ｗに供給される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋとブランケット部分Ｐ１は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを妨げる。すなわち、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢを低下させる。その結果、ブランケット部分Ｐ１のエッチングレートＥＢを零に近づけるという目標は、処理工程において容易に達成される。
具体的には、目標が凹部Ａ内のエッチングレートを零に近づけることである場合、切り替え工程ではカチオン界面活性剤Ｌが添加剤として選択される。処理工程では、カチオン界面活性剤Ｌとエッチング液が基板Ｗに供給される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは負に帯電する。カチオン界面活性剤Ｌと壁部分Ｒは互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングを妨げる。すなわち、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングレートＥＡを低下させる。その結果、凹部Ａ内のエッチングレートＥＡを零に近づけるという目標は、処理工程において容易に達成される。
（１－２－２）例えば、目標がエッチングレートＥＢをエッチングレートＥＡよりも小さくすることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方が添加剤として選択される。例えば、目標がエッチングレートＥＡをエッチングレートＥＢよりも小さくすることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方が添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。例えば、処理工程におけるエッチングレートＥＢとエッチングレートＥＡの間の大小関係は、好適に切り替わる。
具体的には、目標がエッチングレートＥＢをエッチングレートＥＡよりも小さくすることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋが添加剤として選択される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋとエッチング液が基板Ｗに供給される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋとブランケット部分Ｐ１は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを妨げる。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは負に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋと壁部分Ｒは互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内のエッチングを許容する。これらの結果、エッチングレートＥＢをエッチングレートＥＡよりも小さくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
具体的には、目標がエッチングレートＥＡをエッチングレートＥＢよりも小さくすることである場合、切り替え工程では、カチオン界面活性剤Ｌが添加剤として選択される。処理工程では、カチオン界面活性剤Ｌとエッチング液が基板Ｗに供給される。カチオン界面活性剤Ｌとブランケット部分Ｐ１は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤Ｌと壁部分Ｒは互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングを妨げる。これらの結果、エッチングレートＥＡをエッチングレートＥＢよりも小さくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
（１－３）切り替え工程では、ブランケット比Ｆに関する目標に基づいて、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌのいずれか１つは、添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。
（１－３－１）例えば、目標がブランケット比Ｆを基準値ＦＴよりも大きくすることである場合、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方が前記添加剤として選択される。目標がブランケット比Ｆを基準値ＦＴよりも小さくすることである場合、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方が添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板に供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。例えば、処理工程におけるブランケット比Ｆは、好適に制御される。
具体的には、目標がブランケット比Ｆを基準値ＦＴよりも大きくすることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋが添加剤として選択される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋとエッチング液が基板Ｗに供給される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋとブランケット部分Ｐ１は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを妨げる。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは負に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋと壁部分Ｒは互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内のエッチングを許容する。これらの結果、ブランケット比Ｆを基準値ＦＴよりも大きくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
具体的には、目標がブランケット比Ｆを基準値ＦＴよりも小さくすることである場合、切り替え工程では、カチオン界面活性剤Ｌが添加剤として選択される。処理工程では、カチオン界面活性剤Ｌとエッチング液が基板Ｗに供給される。カチオン界面活性剤Ｌとブランケット部分Ｐ１は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤Ｌと壁部分Ｒは互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングを妨げる。これらの結果、ブランケット比Ｆを基準値ＦＴよりも小さくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
（１－３－２）例えば、目標がブランケット比Ｆを１よりも大きくすることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの一方が添加剤として選択される。目標がブランケット比Ｆを零に近づけることである場合、アニオン界面活性剤Ｋおよびカチオン界面活性剤Ｌの他方が添加剤として選択される。
本変形実施形態によれば、処理工程において基板Ｗに供給される添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で一層適切に切り替わる。よって、基板Ｗは一層適切にエッチングされる。例えば、処理工程におけるブランケット比Ｆは、一層柔軟に制御される。
具体的には、目標がブランケット比Ｆを１よりも大きくすることである場合、切り替え工程では、アニオン界面活性剤Ｋが添加剤として選択される。処理工程では、アニオン界面活性剤Ｋとエッチング液が基板Ｗに供給される。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋとブランケット部分Ｐ１は互いに引き合う。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを妨げる。エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、壁部分Ｒは負に帯電する。アニオン界面活性剤Ｋと壁部分Ｒは互いに反発する。このため、アニオン界面活性剤Ｋは、凹部Ａ内のエッチングを許容する。これらの結果、ブランケット比Ｆを１よりも大きくするという目標は、処理工程において容易に達成される。
具体的には、目標がブランケット比Ｆを零に近づけることである場合、切り替え工程では、カチオン界面活性剤Ｌが添加剤として選択される。処理工程では、カチオン界面活性剤Ｌとエッチング液が基板Ｗに供給される。カチオン界面活性剤Ｌとブランケット部分Ｐ１は互いに反発する。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、ブランケット部分Ｐ１のエッチングを許容する。カチオン界面活性剤Ｌと壁部分Ｒは互いに引き合う。このため、カチオン界面活性剤Ｌは、凹部Ａ内のエッチングを妨げる。これらの結果、ブランケット比Ｆを零に近づけるという目標は、処理工程において容易に達成される。
（２）実施形態において、切り替え工程では、第１情報および第２情報に基づいて、添加剤は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で切り替わってもよい。ここで、第１情報は、アニオン界面活性剤Ｋとエッチングレートとの関係を規定する。第２情報は、カチオン界面活性剤Ｌとエッチングレートの関係を規定する。第１情報および第２情報はそれぞれ、実験等によって得られる。第１情報および第２情報は、例えば、図７に示す表である。例えば、記憶部９は、第１情報および第２情報を記憶してもよい。制御部１０は、記憶部９から第１情報および第２情報を取得してもよい。そして、制御部１０は、第１情報および第２情報に基づいて、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で添加剤を切り替えてもよい。
（３）実施形態では、記憶部９は、処理条件情報Ｕ２を有する。記憶部９は、添加剤情報Ｕ２ａは記憶部９に記憶される。但し、これに限られない。
例えば、基板処理装置１は、不図示の入力部を備えてもよい。ユーザーは、入力部に処理条件情報Ｕ２または添加剤情報Ｕ２ａを入力してもよい。制御部１０は、入力部から、処理条件情報Ｕ２または添加剤情報Ｕ２ａを取得してもよい。
あるいは、制御部１０は、基板処理装置１の外部装置から、処理条件情報Ｕ２または添加剤情報Ｕ２ａを取得してもよい。外部装置は、例えば、基板処理装置１を管理するホストコンピュータである。
同様に、上述した（１－２）、（１－３）の変形実施形態において、制御部１０は、種々の手法によって、目標を取得してもよい。例えば、制御部１０は、記憶部９から目標を取得してもよい。例えば、制御部１０は、入力部から目標を取得してもよい。例えば、制御部１０は、基板処理装置１の外部装置から目標を取得してもよい。
（４）基板処理方法は、さらに、調整工程を備えてもよい。調整工程では、エッチング液に対する添加剤の濃度の設定値を変更する。例えば、調整工程では、エッチング液に対する添加剤の濃度の設定値を、１ｍＭから１００ｍＭの間の値に、決定する。処理工程では、切り替え工程によって選択された添加剤が、調整工程によって決定された設定値と等しい濃度で、基板に供給される。本変形実施形態によれば、処理工程において基板に供給される添加剤の濃度は適切に変わる。よって、基板は一層適切にエッチングされる。
（５）上述した実施形態では、壁部分Ｒは、二酸化シリコンおよびポリシリコンからなる。但し、これに限られない。壁部分Ｒは、シリコン、二酸化シリコン、ポリシリコンおよび酸化ハフニウムの少なくともいずれかからなってもよい。
（６）上述した実施形態では、エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は正に帯電する。但し、これに限られない。例えば、エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、ブランケット部分Ｐ１は負に帯電してもよい。
（７）上述した実施形態では、エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、中間部分Ｐ２は正に帯電する。但し、これに限られない。例えば、エッチング液が基板Ｗに供給されたとき、中間部分Ｐ２は負に帯電してもよい。
（８）実施形態で説明した通り、処理工程で処理される基板Ｗは、ブランケット部分Ｐ１と凹部Ａの少なくともいずれかを有する。言い換えれば、処理工程で処理される基板Ｗは、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであってもよい。ここで、第１基板Ｗ１は、ブランケット部分Ｐ２と凹部Ａの両方を有する。第２基板Ｗ２は、ブランケット部分Ｐ２を有し、凹部Ａを有しない。第３基板Ｗ３は、ブランケット部分Ｐ２を有せず、凹部Ａを有する。
（８）上述した実施形態では、ノズル１６と供給源２８ａ－２８ｃの間の流路は、配管２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄと４方コネクタ２２と弁２３ａ、２３ｂ、２３ｃとによって構成される。但し、これに限られない。ノズル１６と供給源２８ａ－２８ｃの間の流路の構成を適宜に変更してもよい。
例えば、実施形態では、弁２３ｂ、２３ｃは、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で添加剤を切り替える。但し、これに限られない。例えば、供給部１５は、アニオン界面活性剤Ｋとカチオン界面活性剤Ｌの間で添加剤を切り替える三方弁を備えてもよい。
例えば、実施形態では、エッチング液と添加剤は、４方コネクタ２２において、混合される。但し、これに限られない。供給部１５は、エッチング液と添加剤を混合するためのミキサーやミキシングバルブを備えてもよい。
（９）上述した実施形態では、供給部１５は、エッチング液と添加剤の混合液を基板Ｗに供給した。ノズル１６は、エッチング液と添加剤の混合液を吐出した。但し、これに限られない。例えば、供給部１５は、エッチング液と添加剤を個別に基板Ｗに供給してもよい。図示を省略するが、供給部１５は、専らエッチング液を吐出する第１ノズルと、専らエッチング液を吐出する第２ノズルを備えてもよい。第１ノズルから吐出されたエッチング液と第２ノズルから吐出された添加剤は、基板Ｗ上で混合されてもよい。
（１０）実施形態では、処理ユニット１１は、枚葉式に分類された。但し、これに限られない。例えば、処理ユニット１１は、バッチ式に分類されてもよい。すなわち、処理ユニット１１は、一度に複数の基板Ｗを処理してもよい。処理ユニット１１は、エッチング液と添加剤を、複数の基板Ｗに同時に供給してもよい。例えば、処理ユニット１１は、処理槽を備えてもよい。供給部１５は、処理槽にエッチング液と添加剤を供給してもよい。処理ユニット１１は、さらに、複数の基板Ｗを一度に保持する基板保持部を備えてもよい。基板保持部は、複数の基板Ｗを、処理槽に貯留されるエッチング液および添加剤の混合液に浸漬させてもよい。
（１１）実施形態および上記（１）から（１０）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。
１ … 基板処理装置
９ … 記憶部
１０ … 制御部
１１ … 処理ユニット
１５ … 供給部
１６ … ノズル
Ａ … 凹部
ＥＢ … ブランケット部分のエッチングレート
ＥＡ、ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３ … 凹部内のエッチングレート
Ｆ、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３ … ブランケット比
ＦＴ、Ｆ１Ｔ、Ｆ２Ｔ、Ｆ３Ｔ … 基準値
Ｇ … エッチング液と添加剤の混合液
Ｊ … エッチング種
Ｋ … アニオン界面活性剤
Ｌ … カチオン界面活性剤
Ｐ１ … ブランケット部分
Ｒ … 壁部分
Ｒ１ … 第１壁
Ｒ２ … 第２壁
Ｍ２ … 凹部の幅
Ｕ２ … 処理条件情報
Ｕ２ａ… 添加剤情報

Claims (18)

  1. 基板を処理する基板処理方法であって、
    アニオン界面活性剤およびカチオン界面活性剤の間で添加剤を切り替える切り替え工程と、
    前記切り替え工程によって選択された前記添加剤と、エッチング液とを、基板に供給する処理工程と、
    を備える基板処理方法。
  2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
    切り替え工程では、処理工程の条件が規定される処理条件情報に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つは、前記添加剤として選択される
    基板処理方法。
  3. 請求項２に記載の基板処理方法において、
    前記処理条件情報は、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つを添加剤として指定する添加剤情報を含み、
    前記切り替え工程では、前記添加剤は、前記添加剤情報に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の間で切り替わる
    基板処理方法。
  4. 請求項３に記載の基板処理方法において、
    基板はブランケット部分を有し、
    前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電する
    基板処理方法。
  5. 請求項３または４に記載の基板処理方法において、
    基板は凹部を区画する壁部分を有し、
    前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記凹部は負に帯電する
    基板処理方法。
  6. 請求項２に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、
    前記処理条件情報が第１エッチング条件を規定するとき、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、
    前記処理条件情報が第２エッチング条件を規定するとき、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択され、
    前記第１エッチング条件は、基板のブランケット部分をエッチングから保護しつつ、基板の凹部内をエッチングすることであり、
    前記第２エッチング条件は、基板の前記凹部をエッチングから保護しつつ、基板の前記ブランケット部分をエッチングすることである
    基板処理方法。
  7. 請求項６に記載の基板処理方法において、
    前記エッチング液が基板に供給されたとき、前記ブランケット部分は正に帯電し、かつ、前記凹部を区画する基板の壁部分は負に帯電し、
    前記切り替え工程では、
    前記処理条件情報が第１エッチング条件を規定するとき、前記アニオン界面活性剤が前記添加剤として選択され、
    前記処理条件情報が第２エッチング条件を規定するとき、前記カチオン界面活性剤が前記添加剤として選択される
    基板処理方法。
  8. 請求項１に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、基板のブランケット部分のエッチングレートおよび基板の凹部内のエッチングレートの少なくともいずれかに関する目標に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つは、前記添加剤として選択される
    基板処理方法。
  9. 請求項８に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、
    前記目標が前記ブランケット部分の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、
    前記目標が前記凹部内の前記エッチングレートを零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択される
    基板処理方法。
  10. 請求項８に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、
    前記目標が、前記ブランケット部分の前記エッチングレートを前記凹部内の前記エッチングレートよりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、
    前記目標が、前記凹部内の前記エッチングレートを前記ブランケット部分のエッチングレートよりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択される
    基板処理方法。
  11. 請求項１に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、ブランケット比に関する目標に基づいて、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤のいずれか１つは、前記添加剤として選択され、
    前記ブランケット比は、基板のブランケット部分のエッチングレートに対する基板の凹部内のエッチングレートの割合である
    基板処理方法。
  12. 請求項１１に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、
    前記目標が前記ブランケット比を基準値よりも大きくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、
    前記目標が前記ブランケット比を前記基準値よりも小さくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択され、
    前記基準値は、前記添加剤を基板に供給せずに前記エッチング液を基板に供給したときに得られるブランケット比である
    基板処理方法。
  13. 請求項１１に記載の基板処理方法において、
    前記切り替え工程では、
    前記目標が前記ブランケット比を１よりも大きくすることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の一方が前記添加剤として選択され、
    前記目標が前記ブランケット比を零に近づけることである場合、前記アニオン界面活性剤および前記カチオン界面活性剤の他方が前記添加剤として選択される
    基板処理方法。
  14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記エッチング液は、過酸化水素水である
    基板処理方法。
  15. 請求項１４に記載の基板処理方法において、
    処理工程で処理される基板は、窒化チタンからなるブランケット部分を有する
    基板処理方法。
  16. 請求項１４または１５に記載の基板処理方法において、
    処理工程で処理される基板は、前記凹部を区画する壁部分であって、シリコン、二酸化シリコン、ポリシリコンおよび酸化ハフニウムの少なくともいずれかからなる前記壁部分を有する
    基板処理方法。
  17. 請求項１から１６のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記エッチング液に対する前記添加剤の濃度の設定値を変更する調整工程と、
    をさらに備え、
    前記処理工程では、前記切り替え工程によって選択された前記添加剤が、前記調整工程によって決定された設定値と等しい濃度で、基板に供給される
    基板処理方法。
  18. 基板処理装置であって、
    基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部によって保持される基板にエッチング液と添加剤を供給する供給部と、
    前記供給部を制御し、アニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤の間で前記添加剤を切り替える制御部と、
    を備える
    基板処理装置。
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