JP2023042764A - Capacitor and manufacturing method of capacitor - Google Patents

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JP2023042764A JP2021150076A JP2021150076A JP2023042764A JP 2023042764 A JP2023042764 A JP 2023042764A JP 2021150076 A JP2021150076 A JP 2021150076A JP 2021150076 A JP2021150076 A JP 2021150076A JP 2023042764 A JP2023042764 A JP 2023042764A
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舞子 畑野
Maiko Hatano
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Abstract

To provide a capacitor in novel configuration.SOLUTION: A capacitor includes: a substrate including a first principal surface on one side and a second principal surface on the other side; a plurality of first internal electrode forming penetration holes formed in a first region of the first principal surface and penetrating the substrate in a thickness direction; a plurality of second internal electrode forming penetration holes formed in a second region, which is different from the first region, of the first principal surface and penetrating the substrate in the thickness direction; a plurality of third internal electrode forming penetration holes formed at least in the first region and in the second region and penetrating the substrate in the thickness direction; a plurality of first internal electrodes consisting of conductors embedded in the plurality of first internal electrode forming penetration holes; a plurality of second internal electrodes consisting of conductors embedded in the plurality of second internal electrode forming penetration holes; and a plurality of third internal electrodes consisting of conductors embedded in the plurality of third internal electrode forming penetration holes.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、キャパシタおよびキャパシタの製造方法に関する。 The present disclosure relates to capacitors and methods of manufacturing capacitors.

特許文献1の図1および図2には、基体の一方の面(上面)に形成された第1開口部に埋め込まれた第1埋込電極と、基体の他方の面(下面)に形成された第2開口部に埋め込まれた第2埋込電極とを有する容量素子が開示されている。基体は、シリコン基板と、シリコン基板上に積層された酸化シリコン層(BOX層)とからなる。第1開口部は基体を貫通していない上方開口の凹部である。また、第2開口部は基体を貫通していない下方開口の凹部である。 1 and 2 of Patent Document 1 show a first embedded electrode embedded in a first opening formed on one surface (upper surface) of a substrate, and a first embedded electrode formed on the other surface (lower surface) of the substrate. and a second embedded electrode embedded in the second opening. The base consists of a silicon substrate and a silicon oxide layer (BOX layer) laminated on the silicon substrate. The first opening is a top opening recess that does not penetrate the base. Also, the second opening is a recess of a lower opening that does not penetrate the base.

特許文献1の図2に示すように、第1埋込電極と第2埋込電極とは、平面視において両者が互いに入り込んだ櫛歯状に配置されている。なお、特許文献1には、特許文献1の図3に示すように、第1埋込電極と第2埋込電極とは、平面視において、中央部に配置された円状の第1埋込電極と、その円状の第1埋込電極と同心円状に交互に配置された環状の第2埋込電極および環状の第1電極とから構成されてもよいことが開示されている。 As shown in FIG. 2 of Patent Literature 1, the first embedded electrode and the second embedded electrode are arranged in a comb-teeth shape in which both are interdigitated in plan view. In Patent Document 1, as shown in FIG. 3 of Patent Document 1, the first embedded electrode and the second embedded electrode are circular first embedded electrodes arranged in the center in plan view. It is disclosed that it may consist of an electrode, and annular second embedded electrodes and annular first electrodes alternately arranged concentrically with the circular first embedded electrode.

特許第6555084号公報Japanese Patent No. 6555084

本開示の目的は、新規な構成のキャパシタを提供することである。 An object of the present disclosure is to provide a capacitor of novel configuration.

また、本開示の目的は、新規なキャパシタの製造方法を提供することである。 Another object of the present disclosure is to provide a novel capacitor manufacturing method.

本開示の一実施形態は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する基板と、前記第1主面の第1領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔と、前記第1主面の前記第1領域とは異なる第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔と、少なくとも前記第1領域内および前記第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔と、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第1内部電極と、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第2内部電極と、前記複数の第3内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第3内部電極と、前記第1主面上に配置され、前記複数の第1内部電極が電気的に接続された第1外部電極と、前記第1主面上に前記第1外部電極と離間して配置され、前記複数の第2内部電極が電気的に接続された第2外部電極と、前記第2主面上に配置され、前記複数の第3内部電極が電気的に接続された第3外部電極とを含む、キャパシタを提供する。 An embodiment of the present disclosure includes a substrate having a first principal surface on one side and a second principal surface on the other side, and a polarizer formed in a first region of the first principal surface and penetrating the substrate in a thickness direction. and a plurality of second internal electrode forming through holes formed in a second region different from the first region of the first main surface and penetrating the substrate in the thickness direction. a plurality of third internal electrode forming through holes formed at least in the first region and the second region and penetrating the substrate in a thickness direction; and the plurality of first internal electrode forming through holes. a plurality of first internal electrodes made of a conductor embedded in the plurality of through-holes for forming the second internal electrodes; a plurality of second internal electrodes made of a conductor embedded in the plurality of through-holes for forming the second internal electrodes; a plurality of third internal electrodes made of a conductor embedded in the third internal electrode forming through-holes, and the plurality of first internal electrodes disposed on the first main surface and electrically connected to each other a first external electrode; a second external electrode arranged on the first main surface and spaced apart from the first external electrode; the plurality of second internal electrodes being electrically connected; a third outer electrode disposed thereon and electrically connected to the plurality of third inner electrodes.

この構成では、新規な構成のキャパシタが得られる。 This configuration provides a capacitor with a novel configuration.

本開示の一実施形態は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する基板における前記第1主面の第1領域内に前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔を形成し、前記第1主面の前記第1領域とは異なる第2領域内に前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔を形成し、少なくとも前記第1領域内および前記第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記第1電極形成用貫通孔内、前記第2内部電極形成用貫通孔内および前記第3内部電極形成用貫通孔内に導電体を埋め込むことにより、前記第1内部電極形成用貫通孔内に第1内部電極を形成し、前記第2内部電極形成用貫通孔内に第2内部電極を形成し、前記第3内部電極形成用貫通孔内に第3内部電極を形成する工程と、前記第1主面上に、前記複数の第1内部電極が電気的に接続された第1外部電極と、前記第1外部電極と離間して配置されかつ前記複数の第2内部電極が電気的に接続された第2外部電極とを配置する第1および第2外部電極形成工程と、前記第2主面上に、前記複数の第3内部電極が電気的に接続された第3外部電極を配置する第3外部電極形成工程とを含む、キャパシタの製造方法を提供する。 In one embodiment of the present disclosure, a substrate having a first main surface on one side and a second main surface on the other side has a plurality of second main surfaces penetrating the substrate in a thickness direction in a first region of the first main surface. One internal electrode forming through-hole is formed, and a plurality of second internal electrode forming through-holes penetrating the substrate in the thickness direction are formed in a second region different from the first region of the first main surface. a through-hole forming step of forming a plurality of through-holes for forming third internal electrodes formed at least in the first region and in the second region and penetrating the substrate in a thickness direction; By embedding a conductor in the formation through-hole, the second internal electrode-forming through-hole, and the third internal electrode-forming through-hole, the first internal electrode is formed in the first internal electrode-forming through-hole. forming a second internal electrode in the second internal electrode forming through hole and forming a third internal electrode in the third internal electrode forming through hole; a first external electrode electrically connected to the plurality of first internal electrodes; and a second external electrode spaced apart from the first external electrode and electrically connected to the plurality of second internal electrodes. a first and second external electrode forming step for arranging external electrodes; and a third external electrode for arranging a third external electrode electrically connected to the plurality of third internal electrodes on the second main surface. and a forming step.

この製造方法では、新規な構成のキャパシタを製造できる。 With this manufacturing method, a capacitor with a novel configuration can be manufactured.

図1は、本開示の第1実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。1 is a schematic plan view of a capacitor according to a first embodiment of the present disclosure; FIG. 図2は、図1のII-II線に沿う模式的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 図3は、図2のIII-III線に沿う模式的な断面図である。3 is a schematic cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 2. FIG. 図4は、図2のIV-IV線に沿う模式的な断面図である。4 is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 2. FIG. 図5は、図2のV-V線に沿う模式的な断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view along line V-V in FIG. 図6Aは、図1~図5に示すキャパシタの製造工程の一部を示す断面図であって、図2の切断面に対応する断面図である。6A is a cross-sectional view showing part of the manufacturing process of the capacitor shown in FIGS. 1 to 5, and is a cross-sectional view corresponding to the cross-sectional view of FIG. 図6Bは、図6Aの次の工程を示す断面図である。FIG. 6B is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6A. 図6Cは、図6Bの次の工程を示す断面図である。FIG. 6C is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6B. 図6Dは、図6Cの次の工程を示す断面図である。FIG. 6D is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6C. 図6Eは、図6Dの次の工程を示す断面図である。FIG. 6E is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6D. 図6Fは、図6Eの次の工程を示す断面図である。FIG. 6F is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6E. 図6Gは、図6Fの次の工程を示す断面図である。FIG. 6G is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6F. 図6Hは、図6Gの次の工程を示す断面図である。FIG. 6H is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6G. 図6Iは、図6Hの次の工程を示す断面図である。FIG. 6I is a cross-sectional view showing the next step after FIG. 6H. 図6Jは、図6Iの次の工程を示す断面図である。FIG. 6J is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 6I. 図7は、本開示の第2実施形態に係るキャパシタの模式的な断面図であって、図2の切断面に対応する断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the capacitor according to the second embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view corresponding to the cross-sectional plane of FIG. 2 . 図8Aは、図7に示すキャパシタの製造工程の一部を示す断面図である。8A is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the capacitor shown in FIG. 7. FIG. 図8Bは、図8Aの次の工程を示す断面図である。FIG. 8B is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 8A. 図8Cは、図8Bの次の工程を示す断面図である。FIG. 8C is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 8B. 図9は、第1内部電極形成用貫通孔、第2内部電極形成用貫通孔および第3内部電極形成用貫通孔の配置の変形例を示す模式的な平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view showing a modification of the arrangement of the first internal electrode-forming through-holes, the second internal electrode-forming through-holes, and the third internal electrode-forming through-holes. 図10は、第1内部電極形成用貫通孔、第2内部電極形成用貫通孔および第3内部電極形成用貫通孔の配置のさらに他の変形例を示す模式的な平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing still another modification of the arrangement of the first internal electrode-forming through-holes, the second internal electrode-forming through-holes, and the third internal electrode-forming through-holes. 図11は、他の実施形態の構造を説明するための電気回路図である。FIG. 11 is an electric circuit diagram for explaining the structure of another embodiment.

[本開示の実施形態の説明]
本開示の一実施形態は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する基板と、前記第1主面の第1領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔と、前記第1主面の前記第1領域とは異なる第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔と、少なくとも前記第1領域内および前記第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔と、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第1内部電極と、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第2内部電極と、前記複数の第3内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第3内部電極と、前記第1主面上に配置され、前記複数の第1内部電極が電気的に接続された第1外部電極と、前記第1主面上に前記第1外部電極と離間して配置され、前記複数の第2内部電極が電気的に接続された第2外部電極と、前記第2主面上に配置され、前記複数の第3内部電極が電気的に接続された第3外部電極とを含む、キャパシタを提供する。
[Description of Embodiments of the Present Disclosure]
An embodiment of the present disclosure includes a substrate having a first principal surface on one side and a second principal surface on the other side, and a polarizer formed in a first region of the first principal surface and penetrating the substrate in a thickness direction. and a plurality of second internal electrode forming through holes formed in a second region different from the first region of the first main surface and penetrating the substrate in the thickness direction. a plurality of third internal electrode forming through holes formed at least in the first region and the second region and penetrating the substrate in a thickness direction; and the plurality of first internal electrode forming through holes. a plurality of first internal electrodes made of a conductor embedded in the plurality of through-holes for forming the second internal electrodes; a plurality of second internal electrodes made of a conductor embedded in the plurality of through-holes for forming the second internal electrodes; a plurality of third internal electrodes made of a conductor embedded in the third internal electrode forming through-holes, and the plurality of first internal electrodes disposed on the first main surface and electrically connected to each other a first external electrode; a second external electrode arranged on the first main surface and spaced apart from the first external electrode; the plurality of second internal electrodes being electrically connected; a third outer electrode disposed thereon and electrically connected to the plurality of third inner electrodes.

この構成では、新規な構成のキャパシタが得られる。 This configuration provides a capacitor with a novel configuration.

本開示の一実施形態では、複数の第3内部電極形成用貫通孔は、平面視において、前記第1領域と前記第2領域との間領域に形成された複数の前記第3内部電極形成用貫通孔を含む。 In one embodiment of the present disclosure, the plurality of through holes for forming the third internal electrodes are the plurality of through holes for forming the third internal electrodes formed in a region between the first region and the second region in plan view. Includes through holes.

本開示の一実施形態では、前記第1領域において、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔は、平面視において行列状に配置されており、前記第2領域において、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔は、平面視において行列状に配置されている。 In one embodiment of the present disclosure, in the first region, the plurality of internal electrode forming through holes, including the plurality of first internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes, are flat. a plurality of internal electrode forming through holes arranged in a matrix when viewed, and in the second region, the plurality of internal electrode forming through holes comprising the plurality of second internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes , are arranged in a matrix in plan view.

本開示の一実施形態では、前記第1領域において、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔と前記複数の第3内部電極形成用孔とは、平面視で前記第1主面に沿う第1方向に交互に配置されているとともに、前記第1主面に沿う方向であって前記第1方向に直交する第2方向に交互に配置されており、前記第2領域において、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔と前記複数の第3内部電極形成用貫通孔とは、前記第1方向に交互に配置されているとともに、前記第2方向に交互に配置されている。 In one embodiment of the present disclosure, in the first region, the plurality of first internal electrode forming through-holes and the plurality of third internal electrode forming holes are arranged along the first main surface in plan view. alternately arranged in one direction and alternately arranged in a second direction along the first main surface and orthogonal to the first direction, and in the second region, the plurality of second The two internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes are alternately arranged in the first direction and alternately in the second direction.

本開示の一実施形態では、前記間領域に形成される前記複数の第3内部電極形成用貫通孔は、平面視において、前記間領域が延びる方向に間隔を空けて配置されている。 In one embodiment of the present disclosure, the plurality of third internal electrode forming through holes formed in the intermediate region are arranged at intervals in a direction in which the intermediate region extends in plan view.

本開示の一実施形態では、前記第1主面上に前記第1内部電極毎に形成され、前記第1内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第1表面電極と、前記第1主面上に前記第2内部電極毎に形成され、前記第2内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第2表面電極と、前記第2主面上に前記第3内部電極毎に形成され、前記第3内部電極の前記第2主面側端部に接触する複数の第3表面電極と、前記複数の第1表面電極、前記複数の第2表面電極および前記第3内部電極の前記第1主面側端部を覆うように前記第1主面上に形成され、前記第1表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔と、前記2表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔とを有する第1絶縁膜と、前記複数の第3表面電極、前記第1内部電極の前記第2主面側端部および前記第2内部電極の前記第2主面側端部を覆うように前記第2主面上に形成され、前記第3表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔を有する第2絶縁膜とをさらに含み、前記第1外部電極は、前記第1領域内において、平面視で前記複数の第1表面電極を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成されており、前記第2外部電極は、前記第2領域内において、平面視で前記複数の第2表面電極を覆うように前記第1絶縁膜上に形成されており、前記第3外部電極は、底面視で前記複数の第3表面電極を覆うように、前記第2絶縁膜上に形成されており、前記第1外部電極は、前記第1コンタクト孔内に入り込み、前記第1コンタクト孔内で前記第1表面電極に接続されており、前記第2外部電極は、前記第2コンタクト孔内に入り込み、前記第2コンタクト孔内で前記第2表面電極に接続されており、前記第3外部電極は、前記第3コンタクト孔内に入り込み、前記第3コンタクト孔内で前記第3表面電極に接続されている。 In one embodiment of the present disclosure, a plurality of first surface electrodes formed on the first main surface for each of the first internal electrodes and in contact with ends of the first internal electrodes on the first main surface side; a plurality of second surface electrodes formed on the first main surface for each of the second internal electrodes and in contact with ends of the second internal electrodes on the first main surface side; a plurality of third surface electrodes formed for each third internal electrode and in contact with the second main surface side end portion of the third internal electrode; the plurality of first surface electrodes; the plurality of second surface electrodes; a first contact hole formed on the first main surface so as to cover the first main surface side end portion of the third internal electrode and exposing at least part of the surface of the first surface electrode; a first insulating film having second contact holes exposing at least part of the surfaces of the surface electrodes; the plurality of third surface electrodes; a second insulating film formed on the second main surface so as to cover the end portion of the internal electrode on the second main surface side, and having a third contact hole exposing at least part of the surface of the third surface electrode; wherein the first external electrode is formed on the first insulating film in the first region so as to cover the plurality of first surface electrodes in plan view, and the second external electrode is formed on the first insulating film in the second region so as to cover the plurality of second surface electrodes in plan view, and the third external electrode is formed on the plurality of third electrodes in bottom view. The first external electrode is formed on the second insulating film so as to cover the surface electrode, and the first external electrode enters the first contact hole and is connected to the first surface electrode within the first contact hole. The second external electrode is inserted into the second contact hole and connected to the second surface electrode within the second contact hole, and the third external electrode is located within the third contact hole. and is connected to the third surface electrode within the third contact hole.

本開示の一実施形態では、前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第1主面側端部を覆うように前記第1主面上に形成され、前記第1内部電極の前記第1主面側端部を露出させる第1コンタクト孔と、前記第2内部電極の前記第1主面側端部を露出させる第2コンタクト孔を有する第1絶縁膜と、前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第2主面側端部を覆うように前記第2主面上に形成され、前記第3内部電極の前記第2主面側端部を露出させる第3コンタクト孔を有する第2絶縁膜とをさらに含み、前記第1外部電極は、前記第1領域内において、平面視で前記複数の第1内部電極の前記第1主面側端部を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成されており、前記第2外部電極は、前記第2領域内において、平面視で前記複数の第2内部電極の前記第1主面側端部を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成されており、前記第3外部電極は、底面視で前記複数の第3内部電極の前記第2主面側端部を覆うように、前記第2絶縁膜上に形成されており、前記第1外部電極は、前記第1コンタクト孔内に入り込み、前記第1コンタクト孔内で前記第1内部電極に接続されており、前記第2外部電極は、前記第2コンタクト孔内に入り込み、前記第2コンタクト孔内で前記第2内部電極に接続されており、前記第3外部電極は、前記第3コンタクト孔内に入り込み、前記第3コンタクト孔内で前記第3内部電極に接続されている。 In one embodiment of the present disclosure, the first internal electrode, the second internal electrode, and the third internal electrode are formed on the first main surface so as to cover end portions of the first internal electrode, the third internal electrode, and the third internal electrode. a first insulating film having a first contact hole exposing the first main surface side end of one internal electrode and a second contact hole exposing the first main surface side end of the second internal electrode; The second main surface of the third internal electrode is formed on the second main surface so as to cover the second main surface side end portions of the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode. a second insulating film having a third contact hole exposing a surface-side end portion, wherein the first external electrode is located within the first region and is located in the first region of the plurality of first internal electrodes in a plan view; The second external electrode is formed on the first insulating film so as to cover the end portion on the main surface side, and the second external electrode is the first electrode of the plurality of second internal electrodes in the second region in a plan view. The third external electrode is formed on the first insulating film so as to cover the ends on the main surface side, and the third external electrodes cover the ends on the second main surface side of the plurality of third internal electrodes in a bottom view. the first external electrode is formed on the second insulating film, the first external electrode enters the first contact hole, is connected to the first internal electrode in the first contact hole, and the The second external electrode enters the second contact hole and is connected to the second internal electrode inside the second contact hole, and the third external electrode enters the third contact hole and connects the It is connected to the third internal electrode within the third contact hole.

本開示の一実施形態では、前記第1内部電極形成用貫通孔、前記第2内部電極形成用貫通孔および前記第3内部電極形成用貫通孔のアスペクト比が10以上である。 In one embodiment of the present disclosure, the aspect ratio of the first internal electrode forming through hole, the second internal electrode forming through hole, and the third internal electrode forming through hole is 10 or more.

本開示の一実施形態では、前記第1内部電極形成用貫通孔、前記第2内部電極形成用貫通孔および前記第3内部電極形成用貫通孔の深さが100μm以上である。 In one embodiment of the present disclosure, the depth of the first internal electrode forming through hole, the second internal electrode forming through hole, and the third internal electrode forming through hole is 100 μm or more.

本開示の一実施形態では、前記第1内部電極形成用貫通孔、前記第2内部電極形成用貫通孔および前記第3内部電極形成用貫通孔の横断面の最大幅または最大径が、1μm以上10μm以下である。 In one embodiment of the present disclosure, the maximum width or maximum diameter of the cross section of the first internal electrode forming through hole, the second internal electrode forming through hole, and the third internal electrode forming through hole is 1 μm or more. 10 μm or less.

本開示の一実施形態では、前記第1内部電極、第2内部電極および前記第3内部電極を含む複数の内部電極の電極間距離が、0.3μm以上10μm以下である。 In one embodiment of the present disclosure, the inter-electrode distance of the plurality of internal electrodes including the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode is 0.3 μm or more and 10 μm or less.

本開示の一実施形態では、前記導電体がNiまたはCuを含む。 In one embodiment of the present disclosure, the conductor comprises Ni or Cu.

本開示の一実施形態は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する基板における前記第1主面の第1領域内に前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔を形成し、前記第1主面の前記第1領域とは異なる第2領域内に前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔を形成し、少なくとも前記第1領域内および前記第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記第1電極形成用貫通孔内、前記第2内部電極形成用貫通孔内および前記第3内部電極形成用貫通孔内に導電体を埋め込むことにより、前記第1内部電極形成用貫通孔内に第1内部電極を形成し、前記第2内部電極形成用貫通孔内に第2内部電極を形成し、前記第3内部電極形成用貫通孔内に第3内部電極を形成する工程と、前記第1主面上に、前記複数の第1内部電極が電気的に接続された第1外部電極と、前記第1外部電極と離間して配置されかつ前記複数の第2内部電極が電気的に接続された第2外部電極とを配置する第1および第2外部電極形成工程と、前記第2主面上に、前記複数の第3内部電極が電気的に接続された第3外部電極を配置する第3外部電極形成工程とを含む、キャパシタの製造方法を提供する。 In one embodiment of the present disclosure, a substrate having a first main surface on one side and a second main surface on the other side has a plurality of second main surfaces penetrating the substrate in a thickness direction in a first region of the first main surface. One internal electrode forming through-hole is formed, and a plurality of second internal electrode forming through-holes penetrating the substrate in the thickness direction are formed in a second region different from the first region of the first main surface. a through-hole forming step of forming a plurality of through-holes for forming third internal electrodes formed at least in the first region and in the second region and penetrating the substrate in a thickness direction; By embedding a conductor in the formation through-hole, the second internal electrode-forming through-hole, and the third internal electrode-forming through-hole, the first internal electrode is formed in the first internal electrode-forming through-hole. forming a second internal electrode in the second internal electrode forming through hole and forming a third internal electrode in the third internal electrode forming through hole; a first external electrode electrically connected to the plurality of first internal electrodes; and a second external electrode spaced apart from the first external electrode and electrically connected to the plurality of second internal electrodes. a first and second external electrode forming step for arranging external electrodes; and a third external electrode for arranging a third external electrode electrically connected to the plurality of third internal electrodes on the second main surface. and a forming step.

この製造方法では、新規な構成のキャパシタを製造できる。 With this manufacturing method, a capacitor with a novel configuration can be manufactured.

本開示の一実施形態では、前記貫通孔形成工程では、前記複数の第3内部電極形成用貫通孔は、前記第1領域内および前記第2領域内ならびに平面視において前記第1領域と前記第2領域との間領域に形成される。 In one embodiment of the present disclosure, in the through hole forming step, the plurality of third internal electrode forming through holes are formed in the first region and the second region, and in plan view, the first region and the third internal electrode forming through holes. It is formed in the region between the two regions.

本開示の一実施形態では、前記貫通孔形成工程では、前記第1領域において、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔が、平面視において行列状に配置されるように前記基板に形成され、前記第2領域において、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔が、平面視において行列状に配置されるように前記基板に形成される。 In one embodiment of the present disclosure, in the through-hole forming step, in the first region, a plurality of internal electrodes including the plurality of first internal electrode-forming through holes and the plurality of third internal electrode-forming through holes Formation through-holes are formed in the substrate so as to be arranged in a matrix in plan view, and the plurality of second internal electrode-forming through-holes and the plurality of third internal electrode-forming through-holes are formed in the second region. A plurality of through-holes for forming internal electrodes are formed in the substrate so as to be arranged in a matrix in plan view.

本開示の一実施形態では、前記第1および第2外部電極形成工程は、前記第1主面上に、前記第1内部電極毎に形成されかつ前記第1内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第1表面電極と、前記第2内部電極毎に形成されかつ前記第2内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第2表面電極とを形成する工程と、前記第1表面電極と、前記第2表面電極と、前記第3内部電極の前記第1主面側端部とを覆うように、前記第1主面上に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔と、前記第2表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔を、前記第1絶縁層に形成する工程と、前記第1コンタクト孔を介して前記第1表面電極に接続される第1外部電極を前記第1絶縁膜上に形成し、前記第2コンタクト孔を介して前記第2表面電極に接続される第2外部電極を前記第1絶縁膜上に形成する工程とを含み、前記第3外部電極形成工程は、前記第2主面上に、前記第3内部電極毎に形成されかつ前記第3内部電極の前記第2主面側端部に接触する複数の第3表面電極を形成する工程と、前記第3表面電極と、前記第1内部電極の前記第2主面側端部と、前記第2内部電極の前記第2主面側端部とを覆うように、前記第2主面上に第2絶縁層を形成する工程と、前記第3表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔を、前記第2絶縁層に形成する工程と、前記第3コンタクト孔を介して前記第3表面電極に接続される第3外部電極を前記第2絶縁膜上に形成する工程とを含む。 In one embodiment of the present disclosure, the step of forming the first and second external electrodes is performed on the first main surface by forming each of the first internal electrodes on the first main surface side of the first internal electrode. A plurality of first surface electrodes contacting end portions and a plurality of second surface electrodes formed for each of the second internal electrodes and contacting the end portions of the second internal electrodes on the first main surface side are formed. forming a first insulating layer on the first main surface so as to cover the first surface electrode, the second surface electrode, and the end portion of the third internal electrode on the first main surface side; forming a first contact hole exposing at least part of the surface of the first surface electrode and a second contact hole exposing at least part of the surface of the second surface electrode in the first insulating layer forming on the first insulating film a first external electrode connected to the first surface electrode through the first contact hole, and forming the second surface electrode through the second contact hole; forming on the first insulating film a second external electrode connected to the second main surface, wherein the step of forming the third external electrode is formed on the second main surface for each of the third internal electrodes, and forming a plurality of third surface electrodes contacting the second main surface side end portions of the third internal electrodes; and forming the third surface electrode and the second main surface side end portions of the first internal electrodes. forming a second insulating layer on the second main surface so as to cover the ends of the second internal electrodes on the second main surface; and at least part of the surface of the third surface electrode. forming a third contact hole in the second insulating layer to expose a third external electrode connected to the third surface electrode through the third contact hole on the second insulating film and the step of

本開示の一実施形態では、前記第1および第2外部電極形成工程は、前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第1主面側端部を覆うように、前記第1主面上に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1内部電極の前記第1主面側端部の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔と、前記第2内部電極の前記第1主面側端部の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔を、前記第1絶縁層に形成する工程と、前記第1コンタクト孔を介して前記第1内部電極に接続される第1外部電極を前記第1絶縁膜上に形成し、前記第2コンタクト孔を介して前記第2内部電極に接続される第2外部電極を前記第1絶縁膜上に形成する工程とを含み、前記第3外部電極形成工程は、前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第2主面側端部を覆うように、前記第2主面上に第2絶縁層を形成する工程と、前記第3内部電極の前記第2主面側端部の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔を、前記第2絶縁層に形成する工程と、前記第3コンタクト孔を介して前記第3内部電極に接続される第3外部電極を前記第2絶縁膜上に形成する工程とを含む。
[本開示の実施形態の詳細な説明]
以下では、本開示の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
In one embodiment of the present disclosure, the step of forming the first and second external electrodes is performed so as to cover ends of the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode on the first main surface side. a step of forming a first insulating layer on the first main surface; a first contact hole exposing at least a portion of an end portion of the first internal electrode on the first main surface side; and the second internal electrode. forming, in the first insulating layer, a second contact hole exposing at least a part of the end portion of the first main surface of the first insulating layer connected to the first internal electrode through the first contact hole forming a first external electrode on the first insulating film, and forming a second external electrode on the first insulating film to be connected to the second internal electrode through the second contact hole. , the step of forming the third external electrode includes forming a second electrode on the second main surface so as to cover end portions of the first internal electrode, the second internal electrode, and the third internal electrode on the side of the second main surface. forming an insulating layer; forming, in the second insulating layer, a third contact hole exposing at least a part of the end of the third internal electrode on the second main surface side; and the third contact. and forming, on the second insulating film, a third external electrode connected to the third internal electrode through a hole.
[Detailed Description of Embodiments of the Present Disclosure]
Embodiments of the present disclosure are described in detail below with reference to the accompanying drawings.

図1は、本開示の第1実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。図2は、図1のII-II線に沿う模式的な断面図である。図3は、図1のIII-III線に沿う模式的な断面図である。図4は、図2のIV-IV線に沿う模式的な断面図である。図5は、図2のIV-IV線に沿う模式的な断面図である
ただし、図1では、図2の第1絶縁膜11の第1および第2コンタクト孔11a,11bならびに第1および第2表面電極9,10は、省略されている。また、図1では、第1内部電極6と第2内部電極7と第3内部電極8とを識別しやすくするために、第1内部電極6は斜線ハッチングで示され、第2内部電極7はクロスハッチングで示され、第3内部電極8はドット状ハッチングで示されている。
1 is a schematic plan view of a capacitor according to a first embodiment of the present disclosure; FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II of FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view along line III-III in FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 2. FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 2. However, in FIG. The two surface electrodes 9 and 10 are omitted. In FIG. 1, the first internal electrode 6 is indicated by diagonal hatching, and the second internal electrode 7 is indicated by hatching in order to facilitate identification of the first internal electrode 6, the second internal electrode 7, and the third internal electrode 8. It is indicated by cross-hatching, and the third internal electrodes 8 are indicated by dot-like hatching.

以下において、図1の上下方向を縦方向といい、図1の左右方向を横方向ということにする。また、図1の左側を「左」といい、図1の右側を「右」という場合がある。 Hereinafter, the up-down direction in FIG. 1 is called the vertical direction, and the left-right direction in FIG. 1 is called the horizontal direction. Also, the left side of FIG. 1 may be referred to as "left" and the right side of FIG. 1 may be referred to as "right".

図1および図2を参照して、キャパシタ1は、直方体形状である。キャパシタ1は、基板2を含んでいる。 1 and 2, capacitor 1 has a rectangular parallelepiped shape. Capacitor 1 includes substrate 2 .

基板2は、直方体状であり、一対の主面2a,2bと、4つの側面2cとを含む。一対の主面2a,2bのうち図2の上面側の主面2aを「第1主面2a」といい、第1主面2aと反対側の主面2bを「第2主面2b」という。 The substrate 2 has a rectangular parallelepiped shape and includes a pair of main surfaces 2a and 2b and four side surfaces 2c. Of the pair of main surfaces 2a and 2b, the main surface 2a on the upper surface side in FIG. .

第1主面2aに直交する法線方向から見た平面視において、基板2は横方向に長い長方形状であり、その縦方向の長さは、例えば5mm程度であり、横方向の長さは、例えば10mm程度である。基板2の平面視形状は、正方形状、円形状、楕円形状等のように長方形状以外の形状であってもよい。 In a plan view viewed from the normal direction perpendicular to the first main surface 2a, the substrate 2 has a rectangular shape elongated in the horizontal direction, and the length in the vertical direction is, for example, about 5 mm, and the length in the horizontal direction is , for example, about 10 mm. The planar view shape of the substrate 2 may be a shape other than a rectangular shape, such as a square shape, a circular shape, an elliptical shape, or the like.

また、基板2の厚さは、例えば、100μm以上であり、この実施形態では例えば400μm程度である。この実施形態では、基板2は、シリコン基板が熱酸化されてなる酸化シリコン(SiO)からなる。なお、基板2は、シリコン基板であってもよい。 Further, the thickness of the substrate 2 is, for example, 100 μm or more, and is, for example, about 400 μm in this embodiment. In this embodiment, the substrate 2 is made of silicon oxide (SiO 2 ) obtained by thermally oxidizing a silicon substrate. Note that the substrate 2 may be a silicon substrate.

基板2には、第1主面2aの第1領域E1において、基板2を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔3が形成されている。また、基板2には、第1主面2aの第2領域E2において、基板2を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔4が形成されている。 The substrate 2 is formed with a plurality of first internal electrode forming through holes 3 penetrating through the substrate 2 in the thickness direction in the first region E1 of the first main surface 2a. Further, in the substrate 2, a plurality of through holes 4 for forming second internal electrodes are formed through the substrate 2 in the thickness direction in the second region E2 of the first main surface 2a.

この実施形態では、第1領域E1は、第1主面2aの左側縁から左右方向中央よりも少し左側までの領域に設定されている。第2領域E2は、第1主面2aの略右半分の領域に設定されている。第1領域E1と第2領域E2との間領域を第3領域E3ということにする。 In this embodiment, the first area E1 is set to the area from the left edge of the first main surface 2a to the left side of the center in the left-right direction. The second area E2 is set in a substantially right half area of the first main surface 2a. A region between the first region E1 and the second region E2 is called a third region E3.

基板2には、第1主面2aの第1領域E1、第2領域E2および第3領域E3のそれぞれにおいて、基板2を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔5が形成されている。 The substrate 2 has a plurality of third internal electrode forming through-holes 5 penetrating through the substrate 2 in the thickness direction in each of the first area E1, the second area E2 and the third area E3 of the first main surface 2a. formed.

第1主面2aの第1領域E1において、複数の第1内部電極形成用貫通孔3と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔3,5は、平面視において、行列状に配置されている。この実施形態では、複数の内部電極形成用貫通孔3,5は、平面視において、縦方向および横方向に所定間隔をおいて並んで配置されている。第1内部電極形成用貫通孔3と第3内部電極形成用貫通孔5とは、縦方向および横方向それぞれにおいて、交互に並んで配置されている。 In the first region E1 of the first main surface 2a, the plurality of internal electrode forming through holes 3, 5 each including the plurality of first internal electrode forming through holes 3 and the plurality of third internal electrode forming through holes 5 are , are arranged in a matrix in plan view. In this embodiment, the plurality of internal electrode forming through holes 3 and 5 are arranged side by side at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in a plan view. The first internal electrode forming through holes 3 and the third internal electrode forming through holes 5 are arranged alternately in the vertical direction and the horizontal direction.

第1主面2aの第2領域E2において、複数の第2内部電極形成用貫通孔4と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔4,5は、平面視において、行列状に配置されている。この実施形態では、複数の内部電極形成用貫通孔4,5は、平面視において、縦方向および横方向に前記所定間隔をおいて並んで配置されている。第2内部電極形成用貫通孔4と第3内部電極形成用貫通孔5とは、縦方向および横方向それぞれにおいて、交互に並んで配置されている。 In the second region E2 of the first main surface 2a, a plurality of internal electrode forming through holes 4, 5 each composed of a plurality of second internal electrode forming through holes 4 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are , are arranged in a matrix in plan view. In this embodiment, the plurality of internal electrode forming through-holes 4 and 5 are arranged side by side at the predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in a plan view. The second internal electrode forming through-holes 4 and the third internal electrode forming through-holes 5 are arranged alternately in the vertical and horizontal directions.

第1主面2aの第3領域E3において、複数の第3内部電極形成用貫通孔5は、縦方向(第3領域E3が延びる方向)に前記所定間隔をおいて並んで1列状に配置されている。 In the third region E3 of the first main surface 2a, the plurality of through holes 5 for forming the third internal electrodes are arranged in a line at the predetermined intervals in the vertical direction (the direction in which the third region E3 extends). It is

各内部電極形成用貫通孔3,4,5の横断面形状は、この実施形態では、正方形状であり、その1辺の長さは、例えば1μm以上10μm以下程度である。この実施形態では、前記1辺の長さは、例えば5μm程度である。各内部電極形成用貫通孔3,4,5の深さは、基板2の厚さと同じである。各内部電極形成用貫通孔3,4,5のアスペクト比が10以上であることが好ましい。 In this embodiment, the cross-sectional shape of each of the internal electrode forming through holes 3, 4, and 5 is square, and the length of one side thereof is, for example, about 1 μm or more and 10 μm or less. In this embodiment, the length of one side is, for example, about 5 μm. The depth of each internal electrode forming through hole 3 , 4 , 5 is the same as the thickness of the substrate 2 . It is preferable that the aspect ratio of each internal electrode forming through hole 3, 4, 5 is 10 or more.

第1領域E1に形成された複数の内部電極形成用貫通孔3,5の各行の縦方向位置と、第2領域E2に形成された複数の内部電極形成用貫通孔4,5の各行の縦方向位置と、第3領域E3に形成された各第3内部電極形成用貫通孔5の縦方向位置とは、互いに整合している。 The vertical position of each row of the plurality of internal electrode forming through holes 3 and 5 formed in the first region E1 and the vertical position of each row of the plurality of internal electrode forming through holes 4 and 5 formed in the second region E2 The directional position and the vertical position of each third internal electrode forming through hole 5 formed in the third region E3 are aligned with each other.

また、第3領域E3に形成された各第3内部電極形成用貫通孔5と、その左隣にある第1領域E1内の内部電極形成用貫通孔3,5との間隔および3領域E3に形成された各第3内部電極形成用貫通孔5と、その右隣にある第2領域E2内の内部電極形成用貫通孔4,5との間隔は、前記所定間隔である。 Further, the distance between each third internal electrode forming through-hole 5 formed in the third region E3 and the internal electrode forming through-holes 3, 5 in the first region E1 on the left side thereof, and in the third region E3 The distance between each of the formed third internal electrode forming through holes 5 and the internal electrode forming through holes 4, 5 in the second region E2 on the right thereof is the predetermined distance.

したがって、全ての第1内部電極形成用貫通孔3、全ての第2内部電極形成用貫通孔4と、全ての第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、平面視において、行列状に配置されている。この実施形態では、複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、平面視において、縦方向および横方向に前記所定間隔をおいて並んで配置されている。 Therefore, a plurality of internal electrode forming through holes 3 each including all first internal electrode forming through holes 3, all second internal electrode forming through holes 4, and all third internal electrode forming through holes 5 , 4 and 5 are arranged in a matrix in plan view. In this embodiment, the plurality of through-holes 3, 4, 5 for forming internal electrodes are arranged side by side at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in a plan view.

各第1内部電極形成用貫通孔3内には、導電体からなる第1内部電極6が埋め込まれている。各第2内部電極形成用貫通孔4内には、導電体からなる第2内部電極7が埋め込まれている。各第3内部電極形成用貫通孔5内には、導電体からなる第3内部電極8が埋め込まれている。第1内部電極6、第2内部電極7および第3内部電極8を含む複数の内部電極6,7,8の電極間距離は、0.3μm以上10μm以下程度である。 A first internal electrode 6 made of a conductor is embedded in each first internal electrode forming through hole 3 . A second internal electrode 7 made of a conductor is embedded in each second internal electrode forming through hole 4 . A third internal electrode 8 made of a conductor is embedded in each third internal electrode forming through hole 5 . The inter-electrode distance of the plurality of internal electrodes 6, 7, 8 including the first internal electrode 6, the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8 is about 0.3 μm or more and 10 μm or less.

第1内部電極6は、第1内部電極形成用貫通孔3の内面に形成されたバリア・シード層61と、バリア・シード層61に囲まれた状態で第1内部電極形成用貫通孔3に埋め込まれた内部電極層62とからなる。バリア・シード層61は、第1内部電極形成用貫通孔3の内面に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたシード層とからなる。 A barrier/seed layer 61 is formed on the inner surface of the through hole 3 for forming the first internal electrode, and the first internal electrode 6 is formed in the through hole 3 for forming the first internal electrode while being surrounded by the barrier/seed layer 61 . and an embedded internal electrode layer 62 . The barrier/seed layer 61 is composed of a barrier layer formed on the inner surface of the first internal electrode forming through hole 3 and a seed layer formed on the barrier layer.

第2内部電極7は、第2内部電極形成用貫通孔4の内面に形成されたバリア・シード層71と、バリア・シード層71に囲まれた状態で第2内部電極形成用貫通孔4に埋め込まれた内部電極層72とからなる。バリア・シード層71は、第2内部電極形成用貫通孔4の内面に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたシード層とからなる。 A barrier/seed layer 71 is formed on the inner surface of the through hole 4 for forming the second internal electrode, and the second internal electrode 7 is formed in the through hole 4 for forming the second internal electrode while being surrounded by the barrier/seed layer 71 . and an embedded internal electrode layer 72 . The barrier/seed layer 71 is composed of a barrier layer formed on the inner surface of the second internal electrode forming through hole 4 and a seed layer formed on the barrier layer.

第3内部電極8は、第3内部電極形成用貫通孔5の内面に形成されたバリア・シード81層と、バリア・シード層81に囲まれた状態で第3内部電極形成用貫通孔5に埋め込まれた内部電極層82とからなる。バリア・シード層81は、第3内部電極形成用貫通孔5の内面に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたシード層とからなる。 The third internal electrode 8 is surrounded by a barrier/seed layer 81 formed on the inner surface of the third internal electrode-forming through-hole 5 and the barrier/seed layer 81 in the third internal electrode-forming through-hole 5 . and an embedded internal electrode layer 82 . The barrier/seed layer 81 is composed of a barrier layer formed on the inner surface of the third internal electrode forming through hole 5 and a seed layer formed on the barrier layer.

バリア・シード層61,71,81におけるバリア層は、例えば、TiN、Mn、Mn酸化物、Ni等から構成される。シード層は、例えば、Ni、NiCr、Cu、Co、Au等から構成される。内部電極層62,72,82は、例えば、Ni、Cu等から構成される。 The barrier layers in the barrier/seed layers 61, 71, 81 are made of, for example, TiN, Mn, Mn oxide, Ni, or the like. The seed layer is composed of Ni, NiCr, Cu, Co, Au, or the like, for example. The internal electrode layers 62, 72, 82 are made of Ni, Cu, or the like, for example.

図1~図4を参照して、基板2の第1主面2a上には、第1内部電極6毎に、第1内部電極6の上端面(第1主面側端部)に接触する第1表面電極9が、第1内部電極6の上端面を覆うように形成されている。また、基板2の第1主面2a上には、第2内部電極7毎に、第2内部電極7の上端面(第1主面側端部)に接触する第2表面電極10が、第2内部電極7の上端面を覆うように形成されている。 1 to 4, on the first main surface 2a of the substrate 2, each first internal electrode 6 is in contact with the upper end surface (first main surface side end portion) of the first internal electrode 6. A first surface electrode 9 is formed to cover the upper end surface of the first internal electrode 6 . Further, on the first main surface 2a of the substrate 2, a second surface electrode 10, which is in contact with the upper end surface of the second internal electrode 7 (end portion on the side of the first main surface) for each second internal electrode 7, is provided on the first main surface 2a. 2 are formed so as to cover the upper end surfaces of the internal electrodes 7 .

第1表面電極9の平面視形状は、例えば、第1内部電極6の上端面の大きさとほぼ等しい正方形状または第1内部電極6の上端面の大きさよりも若干大きな正方形状である。この実施形態では、第1表面電極9の平面視形状は、第1内部電極6の上端面の大きさよりも若干大きな正方形状である。 The planar shape of the first surface electrode 9 is, for example, a square shape that is substantially equal to the size of the upper end surface of the first internal electrode 6 or a square shape that is slightly larger than the size of the upper end surface of the first internal electrode 6 . In this embodiment, the planar shape of the first surface electrode 9 is a square shape slightly larger than the size of the upper end surface of the first internal electrode 6 .

第2表面電極10の平面視形状は、例えば、第2内部電極7の上端面の大きさとほぼ等しい正方形状または第2内部電極7の上端面の大きさよりも若干大きな正方形状である。この実施形態では、第2表面電極10の平面視形状は、第2内部電極7の上端面の大きさよりも若干大きな正方形状である。第1表面電極9および第2表面電極10の平面視形状は、長方形状、円形状等のように正方形状以外の形状であってもよい。 The shape of the second surface electrode 10 in a plan view is, for example, a square shape substantially equal to the size of the upper end surface of the second internal electrode 7 or a square shape slightly larger than the size of the upper end surface of the second internal electrode 7 . In this embodiment, the planar shape of the second surface electrode 10 is a square shape slightly larger than the size of the upper end face of the second internal electrode 7 . The planar shape of the first surface electrode 9 and the second surface electrode 10 may be a shape other than a square such as a rectangular shape or a circular shape.

基板2の第1主面2a上には、第1主面2aの露出面と、第1表面電極9と、第2表面電極10と、第3内部電極8の上端面(第1主面側端部)とを覆うように、第1絶縁膜11が形成されている。第1絶縁膜11には、第1表面電極9の上面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔11aが形成されているとともに、第2表面電極10の上面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔11bが形成されている。 On the first main surface 2a of the substrate 2, the exposed surface of the first main surface 2a, the first surface electrode 9, the second surface electrode 10, and the upper end surface (first main surface side) of the third internal electrode 8 are provided. A first insulating film 11 is formed so as to cover the edge). The first insulating film 11 is formed with a first contact hole 11a that exposes at least a portion of the upper surface of the first surface electrode 9, and a second contact hole 11a that exposes at least a portion of the upper surface of the second surface electrode 10. A contact hole 11b is formed.

第1絶縁膜11は、例えばSiO膜からなる。第1絶縁膜11は、SiN膜、SiON膜等から構成されてもよい。第1コンタクト孔11aの平面視形状は、例えば、第1表面電極9の上面の大きさとほぼ等しい正方形状または第1表面電極9の上面の大きさよりも若干小さな正方形状である。この実施形態では、第1コンタクト孔11aの平面視形状は、第1表面電極9の上面の大きさよりも若干小さな正方形状である。 The first insulating film 11 is made of, for example, a SiO2 film. The first insulating film 11 may be composed of a SiN film, a SiON film, or the like. The planar shape of the first contact hole 11 a is, for example, a square shape that is substantially equal to the size of the upper surface of the first surface electrode 9 or a square shape that is slightly smaller than the size of the upper surface of the first surface electrode 9 . In this embodiment, the planar shape of the first contact hole 11 a is a square shape slightly smaller than the size of the upper surface of the first surface electrode 9 .

第2コンタクト孔12aの平面視形状は、第2表面電極10の上面の大きさとほぼ等しい正方形状または第2表面電極10の上面の大きさよりも若干小さな正方形状である。この実施形態では、第2コンタクト孔12aの平面視形状は、第2表面電極10の上面の大きさよりも若干小さな正方形状である。第1コンタクト孔11aおよび第2コンタクト孔12aの平面視形状は、長方形状、円形状等のように正方形状以外の形状であってもよい。 The shape of the second contact hole 12 a in a plan view is a square shape substantially equal to the size of the upper surface of the second surface electrode 10 or a square shape slightly smaller than the size of the upper surface of the second surface electrode 10 . In this embodiment, the planar shape of the second contact hole 12a is a square shape slightly smaller than the size of the upper surface of the second surface electrode 10 . The planar shape of the first contact hole 11a and the second contact hole 12a may be a shape other than a square, such as a rectangular shape or a circular shape.

第1絶縁膜11上には、第1領域E1内に第1外部電極12が形成され、第2領域E2内に第2外部電極13が形成されている。第1外部電極12は、平面視において、第1領域E1内の全ての第1表面電極9および第1領域E1内の全ての第3内部電極8を覆うように配置されている。第1外部電極12は、平面視において、縦方向に長い長方形状を有している。 On the first insulating film 11, a first external electrode 12 is formed in the first region E1 and a second external electrode 13 is formed in the second region E2. The first external electrodes 12 are arranged to cover all the first surface electrodes 9 in the first region E1 and all the third internal electrodes 8 in the first region E1 in plan view. The first external electrode 12 has a vertically elongated rectangular shape in plan view.

第1外部電極12は、第1絶縁膜11の第1コンタクト孔11a内に入り込み、第1コンタクト孔11a内で第1表面電極9の上面に接続されている。これにより、第1外部電極12は、第1内部電極6に電気的に接続されている。 The first external electrode 12 enters the first contact hole 11a of the first insulating film 11 and is connected to the upper surface of the first surface electrode 9 within the first contact hole 11a. Thereby, the first external electrode 12 is electrically connected to the first internal electrode 6 .

第2外部電極13は、平面視において、第2領域E2内の全ての第2表面電極10および第2領域E2内の全ての第3内部電極8を覆うように配置されている。第2外部電極13は、平面視において、縦方向に長い長方形状を有している。 The second external electrodes 13 are arranged to cover all the second surface electrodes 10 in the second region E2 and all the third internal electrodes 8 in the second region E2 in plan view. The second external electrode 13 has a vertically elongated rectangular shape in plan view.

第2外部電極13は、第1絶縁膜11の第2コンタクト孔11b内に入り込み、第2コンタクト孔11b内で第2表面電極10の上面に接続されている。これにより、第2外部電極13は、第2内部電極7に電気的に接続されている。第1外部電極12および第2外部電極13は、例えば、Ti、Cu、Ni、Ag、Au等から構成される。 The second external electrode 13 enters the second contact hole 11b of the first insulating film 11 and is connected to the upper surface of the second surface electrode 10 in the second contact hole 11b. Thereby, the second external electrode 13 is electrically connected to the second internal electrode 7 . The first external electrode 12 and the second external electrode 13 are made of, for example, Ti, Cu, Ni, Ag, Au, or the like.

図1~図3および図5を参照して、基板2の第2主面2b上には、第3内部電極8毎に、第3内部電極8の下端面(第2主面側端部)に接触する第3表面電極15が、第3内部電極8の下端面を覆うように形成されている。第3表面電極15の平面視形状は、第3内部電極8の下端面の大きさとほぼ等しい正方形状または第3内部電極8の下端面の大きさよりも若干大きな正方形状である。この実施形態では、第3表面電極15の平面視形状は、第3内部電極8の下端面の大きさよりも若干大きな正方形状である。第3表面電極15の平面視形状は、長方形状、円形状等のように正方形状以外の形状であってもよい。 1 to 3 and 5, on the second main surface 2b of the substrate 2, for each third internal electrode 8, the lower end surface (second main surface side end portion) of the third internal electrode 8 is provided. A third surface electrode 15 in contact with is formed to cover the lower end surface of the third internal electrode 8 . The shape of the third surface electrode 15 in a plan view is a square shape substantially equal to the size of the lower end surface of the third internal electrode 8 or a square shape slightly larger than the size of the lower end surface of the third internal electrode 8 . In this embodiment, the planar view shape of the third surface electrode 15 is a square shape slightly larger than the size of the lower end surface of the third internal electrode 8 . The planar view shape of the third surface electrode 15 may be a shape other than a square shape, such as a rectangular shape or a circular shape.

基板2の第2主面2b上には、第2主面2bの露出面と、第3表面電極15と、第1内部電極6の下端面(第2主面側端部)と第2内部電極7の下端面(第2主面側端部)とを覆うように、第2絶縁膜16が形成されている。第2絶縁膜16には、第3表面電極15の上面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔16aが形成されている。 On the second main surface 2b of the substrate 2, the exposed surface of the second main surface 2b, the third surface electrode 15, the lower end surface (second main surface side end portion) of the first internal electrode 6, and the second inner A second insulating film 16 is formed so as to cover the lower end surface of the electrode 7 (end portion on the side of the second main surface). A third contact hole 16 a is formed in the second insulating film 16 to expose at least part of the upper surface of the third surface electrode 15 .

第2絶縁膜16は、例えばSiO膜からなる。第2絶縁膜16は、SiN膜、SiON膜等から構成されてもよい。第3コンタクト孔16aの平面視形状は、第3表面電極15の上面の大きさとほぼ等しい正方形状または第3表面電極15の上面の大きさよりも若干小さな正方形状である。この実施形態では、第3コンタクト孔16aの平面視形状は、第3表面電極15の上面の大きさよりも若干小さな正方形状である。第3コンタクト孔16aの平面視形状は、長方形状、円形状等のように正方形状以外の形状であってもよい。 The second insulating film 16 is made of, for example, a SiO2 film. The second insulating film 16 may be composed of a SiN film, a SiON film, or the like. The shape of the third contact hole 16a in a plan view is a square shape substantially equal to the size of the upper surface of the third surface electrode 15 or a square shape slightly smaller than the size of the upper surface of the third surface electrode 15 . In this embodiment, the planar shape of the third contact hole 16 a is a square shape slightly smaller than the size of the upper surface of the third surface electrode 15 . The planar view shape of the third contact hole 16a may be a shape other than a square shape, such as a rectangular shape or a circular shape.

第2絶縁膜16上には、第3外部電極17が形成されている。第3外部電極17は、底面視において、全ての第3表面電極15、全ての第1内部電極6および全ての第2内部電極7を覆うように配置されている。第3外部電極17は、第2主面2bの周縁部を除いた第2主面2bのほぼ全域に形成されている。第3外部電極17は、第2絶縁膜16の第3コンタクト孔16a内に入り込み、第3コンタクト孔16a内で第3表面電極15の上面に接続されている。これにより、第3外部電極17は、第3内部電極8に電気的に接続されている。第3外部電極17は、例えば、Ti、Cu、Ni、Ag、Au等から構成される。 A third external electrode 17 is formed on the second insulating film 16 . The third external electrodes 17 are arranged so as to cover all the third surface electrodes 15, all the first internal electrodes 6 and all the second internal electrodes 7 in bottom view. The third external electrode 17 is formed over substantially the entire area of the second main surface 2b excluding the peripheral portion of the second main surface 2b. The third external electrode 17 enters the third contact hole 16a of the second insulating film 16 and is connected to the upper surface of the third surface electrode 15 within the third contact hole 16a. Thereby, the third external electrode 17 is electrically connected to the third internal electrode 8 . The third external electrode 17 is made of, for example, Ti, Cu, Ni, Ag, Au, or the like.

以上のような構成において、第1領域E1において、縦方向に隣り合う第1内部電極6と第3内部電極8とは、縦方向において対向した対向面を有している。そして、縦方向に隣り合う第1内部電極6と第3内部電極8との対向面に挟まれた基板2の壁が容量膜(誘電体膜)を構成している。縦方向に隣接する1組の第1内部電極6と第3内部電極8とそれらの間の容量膜とによって1つの第1キャパシタ要素が構成されている。 In the configuration as described above, in the first region E1, the first internal electrode 6 and the third internal electrode 8, which are vertically adjacent to each other, have opposing surfaces facing each other in the vertical direction. A wall of the substrate 2 sandwiched between the facing surfaces of the first internal electrode 6 and the third internal electrode 8 adjacent in the vertical direction constitutes a capacitor film (dielectric film). A pair of vertically adjacent first internal electrodes 6 and third internal electrodes 8 and a capacitive film therebetween constitute one first capacitor element.

同様に、第1領域E1において、横方向に隣り合う第1内部電極6と第3内部電極8とは、横方向において対向した対向面を有している。そして、横方向に隣り合う第1内部電極6と第3内部電極8との対向面に挟まれた基板2の壁が容量膜(誘電体膜)を構成している。横方向に隣接する1組の第1内部電極6と第3内部電極8とそれらの間の容量膜とによって1つの第1キャパシタ要素が構成されている。 Similarly, in the first region E1, the first internal electrode 6 and the third internal electrode 8, which are laterally adjacent to each other, have opposing surfaces facing each other in the lateral direction. A wall of the substrate 2 sandwiched between the facing surfaces of the first internal electrode 6 and the third internal electrode 8, which are laterally adjacent to each other, constitutes a capacitor film (dielectric film). A pair of laterally adjacent first internal electrodes 6 and third internal electrodes 8 and a capacitive film therebetween constitute one first capacitor element.

また、第1領域E1内の複数の内部電極6,8における最も右側の列内の第1内部電極6と、第3領域E3内の第3内部電極8との間において、横方向に隣り合う第1内部電極6と第3内部電極8とは、横方向において対向した対向面を有している。そして、横方向に隣り合う第1内部電極6と第3内部電極8との対向面に挟まれた基板2の壁が容量膜(誘電体膜)を構成している。横方向に隣接する1組の第1内部電極6と第3内部電極8とそれらの間の容量膜とによって1つの第1キャパシタ要素が構成されている。 In addition, between the first internal electrode 6 in the rightmost column of the plurality of internal electrodes 6 and 8 in the first region E1 and the third internal electrode 8 in the third region E3, laterally adjacent The first internal electrode 6 and the third internal electrode 8 have opposing surfaces facing each other in the lateral direction. A wall of the substrate 2 sandwiched between the facing surfaces of the first internal electrode 6 and the third internal electrode 8, which are laterally adjacent to each other, constitutes a capacitor film (dielectric film). A pair of laterally adjacent first internal electrodes 6 and third internal electrodes 8 and a capacitive film therebetween constitute one first capacitor element.

そして、複数の第1内部電極6は第1外部電極12に電気的に接続され、複数の第3内部電極8は第3外部電極17に電気的に接続されているので、これらの全ての第1キャパシタ要素が並列に接続された第1キャパシタが得られる。 Since the plurality of first internal electrodes 6 are electrically connected to the first external electrode 12 and the plurality of third internal electrodes 8 are electrically connected to the third external electrode 17, all these A first capacitor is obtained with one capacitor element connected in parallel.

一方、第2領域E2において、縦方向に隣り合う第2内部電極7と第3内部電極8とは、縦方向において対向した対向面を有している。そして、縦方向に隣り合う第2内部電極7と第3内部電極8との対向面に挟まれた基板2の壁が容量膜(誘電体膜)を構成している。縦方向に隣接する1組の第2内部電極7と第3内部電極8とそれらの間の容量膜とによって1つの第2キャパシタ要素が構成されている。 On the other hand, in the second region E2, the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8, which are vertically adjacent to each other, have opposing surfaces facing each other in the vertical direction. A wall of the substrate 2 sandwiched between the facing surfaces of the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8, which are vertically adjacent to each other, constitutes a capacitor film (dielectric film). A pair of vertically adjacent second internal electrodes 7 and third internal electrodes 8 and a capacitive film therebetween constitute one second capacitor element.

同様に、第2領域E2において、横方向に隣り合う第2内部電極7と第3内部電極8とは、横方向において対向した対向面を有している。そして、横方向に隣り合う第2内部電極7と第3内部電極8との対向面に挟まれた基板2の壁が容量膜(誘電体膜)を構成している。横方向に隣接する1組の第2内部電極7と第3内部電極8とそれらの間の容量膜とによって1つの第2キャパシタ要素が構成されている。 Similarly, in the second region E2, the laterally adjacent second internal electrode 7 and third internal electrode 8 have opposing surfaces facing each other in the lateral direction. A wall of the substrate 2 sandwiched between the facing surfaces of the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8, which are laterally adjacent to each other, constitutes a capacitor film (dielectric film). A pair of laterally adjacent second internal electrodes 7 and third internal electrodes 8 and a capacitive film therebetween constitute one second capacitor element.

また、第2領域E2内の複数の内部電極7,8における最も左側の列内の第2内部電極7と、第3領域E3内の第3内部電極8との間において、横方向に隣り合う第2内部電極7と第3内部電極8とは、横方向において対向した対向面を有している。そして、横方向に隣り合う第2内部電極7と第3内部電極8との対向面に挟まれた基板2の壁が容量膜(誘電体膜)を構成している。横方向に隣接する1組の第2内部電極7と第3内部電極8とそれらの間の容量膜とによって1つの第2キャパシタ要素が構成されている。 In addition, between the second internal electrode 7 in the leftmost row of the plurality of internal electrodes 7 and 8 in the second region E2 and the third internal electrode 8 in the third region E3, laterally adjacent The second internal electrode 7 and the third internal electrode 8 have opposing surfaces facing each other in the lateral direction. A wall of the substrate 2 sandwiched between the facing surfaces of the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8, which are laterally adjacent to each other, constitutes a capacitor film (dielectric film). A pair of laterally adjacent second internal electrodes 7 and third internal electrodes 8 and a capacitive film therebetween constitute one second capacitor element.

そして、複数の第2内部電極7は第2外部電極13に電気的に接続され、複数の第3内部電極8は第3外部電極17に電気的に接続されているので、これらの全ての第2キャパシタ要素が並列に接続された第2キャパシタが得られる。これにより、第1キャパシタと第2キャパシタとが内蔵され、小型化および大容量化が図れるキャパシタを提供できる。 Since the plurality of second internal electrodes 7 are electrically connected to the second external electrode 13 and the plurality of third internal electrodes 8 are electrically connected to the third external electrode 17, all these A second capacitor is obtained with two capacitor elements connected in parallel. As a result, it is possible to provide a capacitor in which the first capacitor and the second capacitor are built in, and which can be reduced in size and increased in capacity.

また、基板2に第1内部電極形成用貫通孔3、第2内部電極形成用貫通孔4および第3内部電極形成用貫通孔5を形成し、これらの内部電極形成用貫通孔3,4,5内に導電体を埋め込むことによって第1内部電極6、第2内部電極7および第3内部電極8を形成できるから、第1内部電極6、第2内部電極7および第3内部電極8の製造が容易である。これにより、第1キャパシタと第2キャパシタとが内蔵され、製造が容易なキャパシタを提供できる。 Further, the substrate 2 is formed with a first internal electrode forming through hole 3, a second internal electrode forming through hole 4 and a third internal electrode forming through hole 5, and these internal electrode forming through holes 3, 4, Since the first internal electrode 6, the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8 can be formed by embedding the conductor in 5, the manufacturing of the first internal electrode 6, the second internal electrode 7 and the third internal electrode 8 is easy. As a result, it is possible to provide a capacitor that incorporates the first capacitor and the second capacitor and is easy to manufacture.

なお、第1領域E1または第2領域E2と同様な構造を、同一基板2内に追加することにより、3つ以上のキャパシタが内蔵されたキャパシタを提供することができる。 By adding a structure similar to that of the first region E1 or the second region E2 within the same substrate 2, a capacitor in which three or more capacitors are incorporated can be provided.

図6A~図6Jは、キャパシタの製造工程の一例を説明するための断面図であり、図2に対応する切断面を示す。 6A to 6J are cross-sectional views for explaining an example of the manufacturing process of the capacitor, showing cross-sectional views corresponding to FIG.

まず、図6Aに示すように、基板2の元となる元基板40が用意される。元基板40は、第1主面40aと、第1主面40aと反対側の第2主面40bと、第1主面40aと第2主面40bとを連結する4つの側面40cとを有している。元基板40は、シリコン基板である。元基板40に、例えば、電気化学エッチング(Electrochemical Etching)法によって、第1内部電極形成用貫通孔3、第2内部電極形成用貫通孔4および第3内部電極形成用貫通孔5が形成される。これらの内部電極形成用貫通孔3,4,5は、レーザ加工、ドライエッチング法等によって形成されてもよい。 First, as shown in FIG. 6A, a base substrate 40 that is the base of the substrate 2 is prepared. The base substrate 40 has a first main surface 40a, a second main surface 40b opposite to the first main surface 40a, and four side surfaces 40c connecting the first main surface 40a and the second main surface 40b. are doing. The original substrate 40 is a silicon substrate. A first internal electrode forming through hole 3, a second internal electrode forming through hole 4 and a third internal electrode forming through hole 5 are formed in the original substrate 40 by, for example, an electrochemical etching method. . These internal electrode forming through holes 3, 4, and 5 may be formed by laser processing, dry etching, or the like.

次に、図6Bに示すように、熱酸化法により、元基板40全体が熱酸化膜とされる。これにより、元基板40が、SiOからなる基板2とされる。元基板40の第1主面40aが基板2の第1主面2aとされ、元基板40の第2主面40bが基板2の第2主面2bとされ、元基板40の側面40cが基板2の側面2cとされる。 Next, as shown in FIG. 6B, the entire original substrate 40 is formed into a thermal oxide film by a thermal oxidation method. As a result, the original substrate 40 becomes the substrate 2 made of SiO 2 . The first main surface 40a of the original substrate 40 is the first main surface 2a of the substrate 2, the second main surface 40b of the original substrate 40 is the second main surface 2b of the substrate 2, and the side surface 40c of the original substrate 40 is the substrate. 2 side 2c.

次に、図6Cに示すように、第1~第3内部電極形成用貫通孔3~5の内面と、基板2の第1主面2aと、基板2の第2主面2bとに、バリア・シード層61,71,81の材料層であるバリア・シード材料層41が形成される。具体的には、まず、第1~第3内部電極形成用貫通孔3~5の内面、第1主面2aおよび第2主面2bに、例えばTiNからなるバリア材料層が形成される。そして、バリア材料層上に、例えばNiからなるシード材料層が形成される。バリア材料層およびシード材料層は、例えば、原子層堆積法(ALD : Atomic Layer Deposition)、化学気相成長(CVD:chemical vapor deposition)、めっき法等によって形成される。 Next, as shown in FIG. 6C, barrier films are formed on the inner surfaces of the first to third internal electrode forming through holes 3 to 5, the first main surface 2a of the substrate 2, and the second main surface 2b of the substrate 2. Next, as shown in FIG. • A barrier-seed material layer 41, which is the material layer of the seed layers 61, 71, 81, is formed. Specifically, first, a barrier material layer made of TiN, for example, is formed on the inner surfaces of the first to third internal electrode forming through holes 3 to 5, the first main surface 2a and the second main surface 2b. Then, a seed material layer made of Ni, for example, is formed on the barrier material layer. The barrier material layer and the seed material layer are formed by, for example, atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), plating, or the like.

次に、図6Dに示すように、例えばめっき法によって、バリア・シード材料層41上に、内部電極層62,72,82の材料層である内部電極材料層42が形成される。内部電極材料層42は、例えばNi層である。 Next, as shown in FIG. 6D, an internal electrode material layer 42, which is a material layer of the internal electrode layers 62, 72, 82, is formed on the barrier/seed material layer 41 by, for example, plating. The internal electrode material layer 42 is, for example, a Ni layer.

次に、図6Eに示すように、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)によって、第1主面2a上および第2主面2b上のバリア・シード材料層41および内部電極材料層42が除去される。これにより、第1内部電極形成用貫通孔3内にバリア・シード層61および内部電極層62からなる第1内部電極6が埋め込まれた構成が得られる。また、第2内部電極形成用貫通孔4内にバリア・シード層71および内部電極層72からなる第2内部電極7が埋め込まれた構成が得られる。また、第3内部電極形成用貫通孔5内にバリア・シード層81および内部電極層82からなる第3内部電極8が埋め込まれた構成が得られる。 Next, as shown in FIG. 6E, the barrier/seed material layer 41 and the internal electrode material layer 42 on the first main surface 2a and the second main surface 2b are removed by, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing). As a result, a structure in which the first internal electrodes 6 composed of the barrier/seed layers 61 and the internal electrode layers 62 are embedded in the through holes 3 for forming the first internal electrodes is obtained. Also, a configuration is obtained in which the second internal electrode 7 composed of the barrier/seed layer 71 and the internal electrode layer 72 is embedded in the through hole 4 for forming the second internal electrode. Also, a structure is obtained in which the third internal electrode 8 composed of the barrier/seed layer 81 and the internal electrode layer 82 is embedded in the through hole 5 for forming the third internal electrode.

次に、図6Fに示すように、基板2の第1主面2a上に、各第1内部電極6の上端面にそれぞれ接触する第1表面電極9が形成されるとともに、各第2内部電極7の上端面にそれぞれ接触する第2表面電極10が形成される。第1表面電極9および第2表面電極10は、例えば、基板2の第1主面2a上に、第1表面電極9および第2表面電極10の材料膜である電極膜を形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによって電極膜をパターニングすることによって形成される。第1表面電極9および第2表面電極10は、例えばTiからなる。 Next, as shown in FIG. 6F, on the first main surface 2a of the substrate 2, the first surface electrodes 9 are formed in contact with the upper end surfaces of the first internal electrodes 6, and the second internal electrodes 6 are formed. Second surface electrodes 10 are formed in contact with the upper end surfaces of 7 respectively. The first surface electrode 9 and the second surface electrode 10 are formed by, for example, forming an electrode film, which is a material film of the first surface electrode 9 and the second surface electrode 10, on the first main surface 2a of the substrate 2, followed by photolithography. It is formed by patterning the electrode film by lithography and etching. The first surface electrode 9 and the second surface electrode 10 are made of Ti, for example.

次に、図6Gに示すように、例えばスパッタ法により、基板2の第1主面2a上に、第1主面2aの露出面と、第1表面電極9と、第2表面電極10と、第3内部電極8の上端面とを覆うように、第1絶縁膜11が形成される。第1絶縁膜11は、化学気相蒸着法(CVD : Chemical Vapor Deposition)によって形成されてもよい。第1絶縁膜11は、例えばSiO膜からなる。 Next, as shown in FIG. 6G, the exposed surface of the first main surface 2a, the first surface electrode 9, the second surface electrode 10, and the like are formed on the first main surface 2a of the substrate 2 by, for example, a sputtering method. A first insulating film 11 is formed to cover the upper end surfaces of the third internal electrodes 8 . The first insulating film 11 may be formed by chemical vapor deposition (CVD). The first insulating film 11 is made of, for example, a SiO2 film.

次に、図6Hに示すように、基板2の第2主面2b上に、各第3内部電極8の下端面にそれぞれ接触する第3表面電極15が形成される。第3表面電極15は、例えば、基板2の第2主面2b上に、第3表面電極15の材料膜である電極膜を形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによって電極膜をパターニングすることによって形成される。第3表面電極15は、例えばTiからなる。 Next, as shown in FIG. 6H, the third surface electrodes 15 are formed on the second main surface 2b of the substrate 2 so as to contact the lower end surfaces of the third internal electrodes 8, respectively. The third surface electrode 15 is formed, for example, by forming an electrode film, which is a material film of the third surface electrode 15, on the second main surface 2b of the substrate 2, and then patterning the electrode film by photolithography and etching. be done. The third surface electrode 15 is made of Ti, for example.

次に、図6Iに示すように、例えばスパッタ法により、基板2の第2主面2b上に、第2主面2bの露出面と、第3表面電極15と、第1内部電極6の下端面と、第2内部電極7の下端面とを覆うように、第2絶縁膜16が形成される。第2絶縁膜16は、化学気相蒸着法によって形成されてもよい。第2絶縁膜16は、例えばSiO膜からなる。 Next, as shown in FIG. 6I, the exposed surface of the second main surface 2b, the third surface electrode 15, and the lower portion of the first internal electrode 6 are formed on the second main surface 2b of the substrate 2 by sputtering, for example. A second insulating film 16 is formed to cover the end faces and the lower end faces of the second internal electrodes 7 . The second insulating layer 16 may be formed by chemical vapor deposition. The second insulating film 16 is made of, for example, a SiO2 film.

次に、図6Jに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、第1絶縁膜11に、第1表面電極9の上面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔11aが形成されるとともに第2表面電極10の上面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔11bが形成される。また、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、第2絶縁膜16に、第3表面電極15の下面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔16aが形成される。 Next, as shown in FIG. 6J, by photolithography and etching, the first insulating film 11 is formed with a first contact hole 11a that exposes at least a portion of the upper surface of the first surface electrode 9, and the second surface is exposed. A second contact hole 11b exposing at least a portion of the upper surface of the electrode 10 is formed. Further, by photolithography and etching, the second insulating film 16 is formed with a third contact hole 16a that exposes at least a portion of the lower surface of the third surface electrode 15. As shown in FIG.

最後に、第1絶縁膜11上に、例えばメッキ法によって、第1外部電極12および第2外部電極13が形成され、第2絶縁膜16上に、例えばメッキ法によって、第3外部電極17が形成されることにより、図1~図5に示されるキャパシタ1が得られる。 Finally, a first external electrode 12 and a second external electrode 13 are formed on the first insulating film 11 by plating, for example, and a third external electrode 17 is formed on the second insulating film 16 by plating, for example. By forming, the capacitor 1 shown in FIGS. 1 to 5 is obtained.

前述の実施形態では、第1内部電極6の上端面に接触する第1表面電極9、第2内部電極7の上端面に接触する第2表面電極10および第3内部電極8の下端面に接触する第3表面電極15が設けられている。しかし、図7に示される第2実施形態に係るキャパシタ1Aのように、第1表面電極9、第2表面電極10および第3表面電極15は、設けられなくてもよい。図7は、図2に対応する断面図である。図7において、図2の各部に対応する部分には、図2と同じ符号を付して示す。 In the above-described embodiment, the first surface electrode 9 contacts the upper end surface of the first internal electrode 6, the second surface electrode 10 contacts the upper end surface of the second internal electrode 7, and the lower end surfaces of the third internal electrode 8 contact. A third surface electrode 15 is provided. However, like the capacitor 1A according to the second embodiment shown in FIG. 7, the first surface electrode 9, the second surface electrode 10 and the third surface electrode 15 may not be provided. FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. In FIG. 7, the parts corresponding to the parts in FIG. 2 are given the same reference numerals as in FIG.

図7に示されるキャパシタ1Aでは、第1絶縁膜11には、第1内部電極6の上端面(第1主面側端部)の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔11cと、第2内部電極7の上端面(第1主面側端部)の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔11dとが形成されている。また、第2絶縁膜16には、第3内部電極8の下端面(第2主面側端部)の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔16bが形成されている。 In the capacitor 1A shown in FIG. 7, the first insulating film 11 includes a first contact hole 11c exposing at least a portion of the upper end surface (first main surface side end) of the first internal electrode 6, and a second contact hole 11c. A second contact hole 11d is formed to expose at least a portion of the upper end surface (end portion on the side of the first main surface) of the internal electrode 7 . A third contact hole 16 b is formed in the second insulating film 16 to expose at least a part of the lower end surface (the end portion on the side of the second main surface) of the third internal electrode 8 .

第1外部電極12の一部は、第1コンタクト孔11c内に入り込み、第1コンタクト孔11c内において第1内部電極6の上端面に接続されている。これにより、第1外部電極12は、各第1内部電極6に電気的に接続されている。 A portion of the first external electrode 12 enters the first contact hole 11c and is connected to the upper end surface of the first internal electrode 6 within the first contact hole 11c. Thereby, the first external electrode 12 is electrically connected to each first internal electrode 6 .

第2外部電極13の一部は、第2コンタクト孔11d内に入り込み、第2コンタクト孔11d内において第2内部電極7の上端面に接続されている。これにより、第2外部電極13は、各第2内部電極7に電気的に接続されている。 A portion of the second external electrode 13 enters the second contact hole 11d and is connected to the upper end surface of the second internal electrode 7 within the second contact hole 11d. Thereby, the second external electrodes 13 are electrically connected to the respective second internal electrodes 7 .

第3外部電極17の一部は、第3コンタクト孔16b内に入り込み、第3コンタクト孔16b内において第2内部電極7の上端面に接続されている。これにより、第3外部電極17は、各第3内部電極8に電気的に接続されている。 A portion of the third external electrode 17 enters the third contact hole 16b and is connected to the upper end surface of the second internal electrode 7 within the third contact hole 16b. Thereby, the third external electrode 17 is electrically connected to each third internal electrode 8 .

図7のキャパシタ1Aの製造方法について説明する。図7のキャパシタ1Aを製造する場合にも、前述の図61~図6Eに示される工程と同様な工程が行われる。図6Eの工程が終了すると、図8Aに示すように、例えばスパッタ法により、基板2の第1主面2a上に、第1主面2aの露出面、第1内部電極6、第2内部電極7および第3内部電極8の上端面(第1主面側端部)を覆うように、第1絶縁膜11が形成される。第1絶縁膜11は、化学気相蒸着法によって形成されてもよい。第1絶縁膜11は、例えばSiO膜からなる。 A method of manufacturing the capacitor 1A of FIG. 7 will be described. When manufacturing capacitor 1A of FIG. 7, steps similar to those shown in FIGS. 61 to 6E are performed. 6E, as shown in FIG. 8A, the exposed surface of the first main surface 2a, the first internal electrode 6, and the second internal electrode are formed on the first main surface 2a of the substrate 2 by sputtering, for example. A first insulating film 11 is formed to cover the upper end surfaces (ends on the first main surface side) of 7 and third internal electrodes 8 . The first insulating layer 11 may be formed by chemical vapor deposition. The first insulating film 11 is made of, for example, a SiO2 film.

次に、図8Bに示すように、例えばスパッタ法により、基板2の第2主面2b上に、第2主面2bの露出面、第1内部電極6、第2内部電極7および第3内部電極8の下端面(第2主面側端部)を覆うように、第2絶縁膜16が形成される。第2絶縁膜16は、化学気相蒸着法によって形成されてもよい。第2絶縁膜16は、例えばSiO膜からなる。 Next, as shown in FIG. 8B, the exposed surface of the second main surface 2b, the first internal electrode 6, the second internal electrode 7 and the third internal electrode are formed on the second main surface 2b of the substrate 2 by, for example, a sputtering method. A second insulating film 16 is formed to cover the lower end surface of the electrode 8 (end portion on the side of the second main surface). The second insulating layer 16 may be formed by chemical vapor deposition. The second insulating film 16 is made of, for example, a SiO2 film.

次に、図8Cに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、第1絶縁膜11に、第1内部電極6の上端面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔11cが形成されるとともに第2内部電極7の上端面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔11dが形成される。また、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、第2絶縁膜16に、第3内部電極8の下端面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔16bが形成される。 Next, as shown in FIG. 8C, a first contact hole 11c is formed in the first insulating film 11 by photolithography and etching to expose at least a part of the upper end surface of the first internal electrode 6, and a second contact hole 11c is formed. A second contact hole 11d that exposes at least a portion of the upper end surface of the internal electrode 7 is formed. Further, by photolithography and etching, the second insulating film 16 is formed with a third contact hole 16b that exposes at least a portion of the lower end surface of the third internal electrode 8. As shown in FIG.

最後に、第1絶縁膜11上に、例えばメッキ法によって、第1外部電極12および第2外部電極13が形成され、第2絶縁膜16上に、例えばメッキ法によって、第3外部電極17が形成されることにより、図7に示されるキャパシタ1Aが得られる。 Finally, a first external electrode 12 and a second external electrode 13 are formed on the first insulating film 11 by plating, for example, and a third external electrode 17 is formed on the second insulating film 16 by plating, for example. By forming, the capacitor 1A shown in FIG. 7 is obtained.

図9は、第1内部電極形成用貫通孔3、第2内部電極形成用貫通孔4および第3内部電極形成用貫通孔5の配置が異なる変形例を示す平面図である。図9において、図1に対応する各部には、図1と同じ符号を付して示す。 FIG. 9 is a plan view showing a modification in which the first internal electrode forming through holes 3, the second internal electrode forming through holes 4 and the third internal electrode forming through holes 5 are arranged differently. In FIG. 9, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

以下において、図9の上下方向を縦方向といい、図9の左右方向を横方向ということにする。また、図9の左側を「左」といい、図9の右側を「右」といい、図9の上側を「後」といい、図9の下側を「前」という場合がある。 Hereinafter, the up-down direction in FIG. 9 is called the vertical direction, and the left-right direction in FIG. 9 is called the horizontal direction. Also, the left side of FIG. 9 may be called "left", the right side of FIG. 9 may be called "right", the upper side of FIG. 9 may be called "rear", and the lower side of FIG. 9 may be called "front".

図9においては、第1絶縁膜11、第1表面電極9、第2表面電極10、第1外部電極12および第2外部電極13は、省略されている。ただし、第1外部電極12および第2外部電極13は、一点鎖線で示されている。第1領域E1および第2領域E2は、二点鎖線で示されている。 In FIG. 9, the first insulating film 11, the first surface electrode 9, the second surface electrode 10, the first external electrode 12 and the second external electrode 13 are omitted. However, the first external electrode 12 and the second external electrode 13 are indicated by dashed lines. The first area E1 and the second area E2 are indicated by two-dot chain lines.

図9の例では、第1領域E1は、平面視において、基板2の第1主面2aの左上の隅部の四角形領域に設定されている。第2領域E2は、平面視において、第1主面2aのうち、第1領域E1を含みかつ第1領域E1よりも少し大きな左上の隅部領域を除いた領域に設定されている。第2領域E2は、平面視において、L字の左右が反対の逆L形状である。第1領域E1と第2領域E2との間領域を第3領域E3ということにする。 In the example of FIG. 9, the first area E1 is set to a rectangular area at the upper left corner of the first main surface 2a of the substrate 2 in plan view. The second area E2 is set to an area of the first main surface 2a that includes the first area E1 and excludes an upper left corner area that is slightly larger than the first area E1 in plan view. The second region E2 has an inverted L shape in which the left and right sides of the L shape are reversed in plan view. A region between the first region E1 and the second region E2 is called a third region E3.

第1領域E1に、複数の第1内部電極形成用貫通孔3と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とが形成されている。図9の例では、第1領域E1に、2つの第1内部電極形成用貫通孔3と、2つの第3内部電極形成用貫通孔5とが形成されている。2つの第1内部電極形成用貫通孔3と2つの第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔3,5は、2行2列の行列状に配置されている。第1内部電極形成用貫通孔3と第3内部電極形成用貫通孔5とは、横方向および縦方向それぞれにおいて互いに隣接するように配置されている。 A plurality of first internal electrode forming through holes 3 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the first region E1. In the example of FIG. 9, two first internal electrode forming through holes 3 and two third internal electrode forming through holes 5 are formed in the first region E1. A plurality of internal electrode forming through holes 3 and 5, each of which consists of two first internal electrode forming through holes 3 and two third internal electrode forming through holes 5, are arranged in a matrix of two rows and two columns. there is The first internal electrode forming through hole 3 and the third internal electrode forming through hole 5 are arranged adjacent to each other in the horizontal direction and the vertical direction.

第2領域E2に、複数の第2内部電極形成用貫通孔4と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とが形成されている。複数の第2内部電極形成用貫通孔4と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔4,5は、行列状に配置されている。第2内部電極形成用貫通孔4と第3内部電極形成用貫通孔5とは、縦方向および横方向それぞれにおいて、交互に並んで配置されている。 A plurality of second internal electrode forming through holes 4 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the second region E2. A plurality of internal electrode forming through holes 4 and 5, which are composed of a plurality of second internal electrode forming through holes 4 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5, are arranged in a matrix. The second internal electrode forming through-holes 4 and the third internal electrode forming through-holes 5 are arranged alternately in the vertical and horizontal directions.

第3領域E3には、複数の第3内部電極形成用貫通孔5が形成されている。複数の第3内部電極形成用貫通孔5は、平面視において、第1領域E1の右辺に沿って縦方向に間隔を空けて並んで配置された複数の第3内部電極形成用貫通孔5と、第1領域E1の前辺に沿って横方向に間隔を空けて並んで配置された複数の第3内部電極形成用貫通孔5とからなる。つまり、第3領域E3には、第3領域E3が延びる方向に間隔を空けて、複数の第3内部電極形成用貫通孔5が形成されている。 A plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the third region E3. The plurality of third internal electrode forming through holes 5 are aligned with the plurality of third internal electrode forming through holes 5 vertically spaced apart along the right side of the first region E1 in plan view. , and a plurality of through holes 5 for forming third internal electrodes arranged side by side at intervals in the lateral direction along the front side of the first region E1. That is, in the third region E3, a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed at intervals in the direction in which the third region E3 extends.

全ての第1内部電極形成用貫通孔3、全ての第2内部電極形成用貫通孔4と、全ての第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、平面視において、行列状に配置されている。この実施形態では、複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、平面視において、縦方向および横方向に所定間隔をおいて並んで配置されている。 a plurality of internal electrode forming through holes 3, 4 each including all first internal electrode forming through holes 3, all second internal electrode forming through holes 4, and all third internal electrode forming through holes 5; , 5 are arranged in a matrix in plan view. In this embodiment, the plurality of internal electrode forming through holes 3, 4, 5 are arranged side by side at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in a plan view.

各第1内部電極形成用貫通孔3内には第1内部電極6が埋め込まれている。各第2内部電極形成用貫通孔4内には第2内部電極7が埋め込まれている。各第3内部電極形成用貫通孔5内には第3内部電極8が埋め込まれている。図9では、第1内部電極6と第2内部電極7と第3内部電極8とを識別しやすくするために、第1内部電極6は斜線ハッチングで示され、第2内部電極7はクロスハッチングで示され、第3内部電極8はドット状ハッチングで示されている。 A first internal electrode 6 is embedded in each first internal electrode forming through hole 3 . A second internal electrode 7 is embedded in each second internal electrode forming through hole 4 . A third internal electrode 8 is embedded in each third internal electrode forming through hole 5 . In FIG. 9, in order to facilitate identification of the first internal electrode 6, the second internal electrode 7, and the third internal electrode 8, the first internal electrode 6 is hatched, and the second internal electrode 7 is cross-hatched. , and the third internal electrodes 8 are indicated by dotted hatching.

第1内部電極6の上端面は第1外部電極12に電気的に接続され、第2内部電極7の上端面は第2外部電極13に電気的に接続され、第3内部電極8の下端面は図10には現れていない第3外部電極18に電気的に接続されている。 The upper end surface of the first internal electrode 6 is electrically connected to the first external electrode 12 , the upper end surface of the second internal electrode 7 is electrically connected to the second external electrode 13 , and the lower end surface of the third internal electrode 8 is electrically connected to the second external electrode 13 . is electrically connected to the third external electrode 18 not shown in FIG.

図10は、第1内部電極形成用貫通孔3、第2内部電極形成用貫通孔4および第3内部電極形成用貫通孔5の配置が異なる他の変形例を示す平面図である。図10において、図1に対応する各部には、図1と同じ符号を付して示す。 FIG. 10 is a plan view showing another modification in which the arrangement of the first internal electrode forming through holes 3, the second internal electrode forming through holes 4, and the third internal electrode forming through holes 5 is different. In FIG. 10, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

以下において、図10の上下方向を縦方向といい、図10の左右方向を横方向ということにする。また、図10の左側を「左」といい、図10の右側を「右」といい、図10の上側を「後」といい、図10の下側を「前」という場合がある。 Hereinafter, the up-down direction in FIG. 10 is called the vertical direction, and the left-right direction in FIG. 10 is called the horizontal direction. Also, the left side of FIG. 10 may be called "left", the right side of FIG. 10 may be called "right", the upper side of FIG. 10 may be called "rear", and the lower side of FIG. 10 may be called "front".

図10においては、第1絶縁膜11、第1表面電極9、第2表面電極10、第1外部電極12および第2外部電極13は、省略されている。ただし、第1外部電極12および第2外部電極13は、一点鎖線で示されている。第1領域E1、第2領域E2および第3領域E3は、二点鎖線で示されている。 In FIG. 10, the first insulating film 11, the first surface electrode 9, the second surface electrode 10, the first external electrode 12 and the second external electrode 13 are omitted. However, the first external electrode 12 and the second external electrode 13 are indicated by dashed lines. The first area E1, the second area E2 and the third area E3 are indicated by two-dot chain lines.

図10の例では、第1領域E1は、平面視において、基板2の第1主面2aの中央部の四角形(正方形)領域に設定されている。第2領域E2は、平面視において、第1領域E1に間隔を空けて配置された周囲領域に設定されている。第1領域E1と第2領域E2との間の、平面視四角環状の領域を第3領域E3ということにする。 In the example of FIG. 10, the first region E1 is set to a rectangular (square) region in the central portion of the first main surface 2a of the substrate 2 in plan view. The second area E2 is set as a peripheral area spaced apart from the first area E1 in plan view. A quadrangular annular area in plan view between the first area E1 and the second area E2 will be referred to as a third area E3.

第1領域E1に、複数の第1内部電極形成用貫通孔3と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とが形成されている。図10の例では、第1領域E1に、2つの第1内部電極形成用貫通孔3と、2つの第3内部電極形成用貫通孔5とが形成されている。2つの第1内部電極形成用貫通孔3と2つの第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔3,5は、2行2列の行列状に配置されている。第1内部電極形成用貫通孔3と第3内部電極形成用貫通孔5とは、横方向および縦方向それぞれにおいて互いに隣接するように配置されている。 A plurality of first internal electrode forming through holes 3 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the first region E1. In the example of FIG. 10, two first internal electrode forming through holes 3 and two third internal electrode forming through holes 5 are formed in the first region E1. A plurality of internal electrode forming through holes 3 and 5, each of which consists of two first internal electrode forming through holes 3 and two third internal electrode forming through holes 5, are arranged in a matrix of two rows and two columns. there is The first internal electrode forming through hole 3 and the third internal electrode forming through hole 5 are arranged adjacent to each other in the horizontal direction and the vertical direction.

第2領域E2に、複数の第2内部電極形成用貫通孔4と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とが形成されている。複数の第2内部電極形成用貫通孔4と複数の第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔4,5は、行列状に配置されている。第2内部電極形成用貫通孔4と第3内部電極形成用貫通孔5とは、縦方向および横方向それぞれにおいて、交互に並んで配置されている。 A plurality of second internal electrode forming through holes 4 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the second region E2. A plurality of internal electrode forming through holes 4 and 5, which are composed of a plurality of second internal electrode forming through holes 4 and a plurality of third internal electrode forming through holes 5, are arranged in a matrix. The second internal electrode forming through-holes 4 and the third internal electrode forming through-holes 5 are arranged alternately in the vertical and horizontal directions.

第3領域E3には、複数の第3内部電極形成用貫通孔5が形成されている。複数の第3内部電極形成用貫通孔5は、平面視において、第1領域E1の周囲を巡るように、間隔を空けて配置された複数の第3内部電極形成用貫通孔5からなる。つまり、第3領域E3には、第3領域E3が延びる方向に間隔を空けて複数の第3内部電極形成用貫通孔5が形成されている。 A plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the third region E3. The plurality of third internal electrode forming through holes 5 are composed of a plurality of third internal electrode forming through holes 5 arranged at intervals so as to surround the first region E1 in plan view. That is, in the third region E3, a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed at intervals in the direction in which the third region E3 extends.

全ての第1内部電極形成用貫通孔3、全ての第2内部電極形成用貫通孔4と、全ての第3内部電極形成用貫通孔5とからなる複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、平面視において、行列状に配置されている。この実施形態では、複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、平面視において、縦方向および横方向に所定間隔をおいて並んで配置されている。 a plurality of internal electrode forming through holes 3, 4 each including all first internal electrode forming through holes 3, all second internal electrode forming through holes 4, and all third internal electrode forming through holes 5; , 5 are arranged in a matrix in plan view. In this embodiment, the plurality of internal electrode forming through holes 3, 4, 5 are arranged side by side at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in a plan view.

各第1内部電極形成用貫通孔3内には第1内部電極6が埋め込まれている。各第2内部電極形成用貫通孔4内には第2内部電極7が埋め込まれている。各第3内部電極形成用貫通孔5内には第3内部電極8が埋め込まれている。図10では、第1内部電極6と第2内部電極7と第3内部電極8とを識別しやすくするために、第1内部電極6は斜線ハッチングで示され、第2内部電極7はクロスハッチングで示され、第3内部電極8はドット状ハッチングで示されている。 A first internal electrode 6 is embedded in each first internal electrode forming through hole 3 . A second internal electrode 7 is embedded in each second internal electrode forming through hole 4 . A third internal electrode 8 is embedded in each third internal electrode forming through hole 5 . In FIG. 10, in order to facilitate identification of the first internal electrode 6, the second internal electrode 7, and the third internal electrode 8, the first internal electrode 6 is hatched, and the second internal electrode 7 is cross-hatched. , and the third internal electrodes 8 are indicated by dotted hatching.

第1内部電極6の上端面は第1外部電極12に電気的に接続され、第2内部電極7の上端面は第2外部電極13に電気的に接続され、第3内部電極8の下端面は図10には現れていない第3外部電極18に電気的に接続されている。 The upper end surface of the first internal electrode 6 is electrically connected to the first external electrode 12 , the upper end surface of the second internal electrode 7 is electrically connected to the second external electrode 13 , and the lower end surface of the third internal electrode 8 is electrically connected to the second external electrode 13 . is electrically connected to the third external electrode 18 not shown in FIG.

以上、本開示に係る第1および第2実施形態および変形例について説明したが、本開示はさらに他の形態で実施することができる。例えば、前述の第1および第2実施形態では、第1内部電極形成用貫通孔3、第2内部電極形成用貫通孔4および第3内部電極形成用貫通孔5の横断面形状は、正方形状である。しかし、第1内部電極形成用貫通孔3、第2内部電極形成用貫通孔4および第3内部電極形成用貫通孔5の横断面形状は、長方形状、台形状、正六角形状、円形状、楕円形等のように正方形状以外の形状であってもよい。 Although the first and second embodiments and modifications according to the present disclosure have been described above, the present disclosure can be implemented in other forms. For example, in the above-described first and second embodiments, the cross-sectional shape of the first internal electrode forming through hole 3, the second internal electrode forming through hole 4, and the third internal electrode forming through hole 5 is square. is. However, the cross-sectional shapes of the first internal electrode forming through hole 3, the second internal electrode forming through hole 4, and the third internal electrode forming through hole 5 are rectangular, trapezoidal, regular hexagonal, circular, A shape other than a square such as an ellipse may be used.

また、前述の実施形態では、複数の第1内部電極形成用貫通孔3と複数の第2内部電極形成用貫通孔4と複数の第3内部電極形成用貫通孔5からなる複数の内部電極形成用貫通孔3,4,5は、行列状に配置されているが、千鳥状に配置されてもよい。 In the above-described embodiment, a plurality of internal electrode forming through holes 3, a plurality of second internal electrode forming through holes 4, and a plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed. The through-holes 3, 4 and 5 are arranged in a matrix, but may be arranged in a staggered manner.

また、前述の実施形態では、第1領域E1と第2領域E2との間領域(第3領域E3)に、複数の第3内部電極形成用貫通孔5が形成されているが、第3領域E3に第3内部電極形成用貫通孔5が形成されなくてもよい。 In the above-described embodiment, the plurality of third internal electrode forming through holes 5 are formed in the region between the first region E1 and the second region E2 (the third region E3). The through hole 5 for forming the third internal electrode may not be formed in E3.

第1および第2実施形態に係るキャパシタ1,1Aに内蔵されている2つのキャパシタを第1キャパシタC1および第2キャパシタC2とする。図11の電気回路図に示すように、キャパシタ1,1A内に、第1スイッチング素子SW1と第2スイッチング素子SW2とを形成することにより、容量を切り替えれるようにしてもよい。具体的には、第1キャパシタC1の一方の電極と第2キャパシタC2の一方の電極が、第1端子P1に電気的に接続される。第1キャパシタC1の他方の電極が第1スイッチング素子SW1を介して第2端子P2に接続され、第2キャパシタC2の他方の電極が第2スイッチング素子SW2を介して第2端子P2に接続される。 The two capacitors built in the capacitors 1 and 1A according to the first and second embodiments are assumed to be a first capacitor C1 and a second capacitor C2. As shown in the electric circuit diagram of FIG. 11, the capacitance may be switched by forming a first switching element SW1 and a second switching element SW2 in the capacitors 1 and 1A. Specifically, one electrode of the first capacitor C1 and one electrode of the second capacitor C2 are electrically connected to the first terminal P1. The other electrode of the first capacitor C1 is connected to the second terminal P2 via the first switching element SW1, and the other electrode of the second capacitor C2 is connected to the second terminal P2 via the second switching element SW2. .

第1スイッチング素子SW1および第2スイッチング素子SW2が共にオンの場合には、キャパシタの容量は第1キャパシタC1の容量と第2キャパシタC2の容量との和となる。第1スイッチング素子SW1がオンで、第2スイッチング素子SW2がオフの場合には、キャパシタの容量は第1キャパシタC1の容量と等しくなる。第1スイッチング素子SW1がオフで、第2スイッチング素子SW2がオンの場合には、キャパシタの容量は第2キャパシタC2の容量と等しくなる。 When both the first switching element SW1 and the second switching element SW2 are on, the capacitance of the capacitor is the sum of the capacitance of the first capacitor C1 and the capacitance of the second capacitor C2. When the first switching element SW1 is on and the second switching element SW2 is off, the capacitance of the capacitor is equal to the capacitance of the first capacitor C1. When the first switching element SW1 is off and the second switching element SW2 is on, the capacitance of the capacitor is equal to the capacitance of the second capacitor C2.

本開示の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。 Although the embodiments of the present disclosure have been described in detail, these are only specific examples used to clarify the technical content of the present invention, and the present invention should be construed as being limited to these specific examples. should not, the scope of the invention is limited only by the appended claims.

1,1A キャパシタ
2 基板
2a 第1主面
2b 第2主面
3 第1内部電極形成用貫通孔
4 第2内部電極形成用貫通孔
5 第3内部電極形成用貫通孔
6 第1内部電極
61 バリア・シード層
7 第2内部電極
71 バリア・シード層
8 第3内部電極
81 バリア・シード層
9 第1表面電極
10 第2表面電極
11 第1絶縁膜
11a,11c 第1コンタクト孔
11b,11d 第2コンタクト孔
12 第1外部電極
13 第2外部電極
15 第3表面電極
16 第2絶縁膜
16a,16b 第3コンタクト孔
17 第3外部電極
40 元基板
40a 第1主面
40b 第2主面
41 バリア・シード材料層
42 内部電極材料層
E1 第1領域
E2 第2領域
E3 第3領域
Reference Signs List 1, 1A capacitor 2 substrate 2a first main surface 2b second main surface 3 first internal electrode forming through hole 4 second internal electrode forming through hole 5 third internal electrode forming through hole 6 first internal electrode 61 barrier Seed layer 7 Second internal electrode 71 Barrier/seed layer 8 Third internal electrode 81 Barrier/seed layer 9 First surface electrode 10 Second surface electrode 11 First insulating film 11a, 11c First contact hole 11b, 11d Second second contact hole 12 first external electrode 13 second external electrode 15 third surface electrode 16 second insulating film 16a, 16b third contact hole 17 third external electrode 40 base substrate 40a first main surface 40b second main surface 41 barrier Seed material layer 42 Internal electrode material layer E1 First region E2 Second region E3 Third region

Claims (17)

一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する基板と、
前記第1主面の第1領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔と、
前記第1主面の前記第1領域とは異なる第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔と、
少なくとも前記第1領域内および前記第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔と、
前記複数の第1内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第1内部電極と、
前記複数の第2内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第2内部電極と、
前記複数の第3内部電極形成用貫通孔内に埋め込まれた導電体からなる複数の第3内部電極と、
前記第1主面上に配置され、前記複数の第1内部電極が電気的に接続された第1外部電極と、
前記第1主面上に前記第1外部電極と離間して配置され、前記複数の第2内部電極が電気的に接続された第2外部電極と、
前記第2主面上に配置され、前記複数の第3内部電極が電気的に接続された第3外部電極とを含む、キャパシタ。
a substrate having a first main surface on one side and a second main surface on the other side;
a plurality of through holes for forming first internal electrodes formed in a first region of the first main surface and penetrating the substrate in a thickness direction;
a plurality of through holes for forming second internal electrodes formed in a second region different from the first region of the first main surface and penetrating the substrate in a thickness direction;
a plurality of third internal electrode forming through holes formed at least in the first region and in the second region and penetrating the substrate in a thickness direction;
a plurality of first internal electrodes made of conductors embedded in the plurality of through holes for forming the first internal electrodes;
a plurality of second internal electrodes made of conductors embedded in the plurality of second internal electrode forming through holes;
a plurality of third internal electrodes made of conductors embedded in the plurality of through holes for forming the third internal electrodes;
a first external electrode disposed on the first main surface and electrically connected to the plurality of first internal electrodes;
a second external electrode spaced apart from the first external electrode on the first principal surface and electrically connected to the plurality of second internal electrodes;
and a third external electrode disposed on the second main surface and electrically connected to the plurality of third internal electrodes.
複数の第3内部電極形成用貫通孔は、平面視において、前記第1領域と前記第2領域との間領域に形成された複数の前記第3内部電極形成用貫通孔を含む、請求項1に記載のキャパシタ。 2. The plurality of third internal electrode forming through holes includes a plurality of the third internal electrode forming through holes formed in a region between the first region and the second region in plan view. The capacitor described in . 前記第1領域において、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔は、平面視において行列状に配置されており、
前記第2領域において、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔は、平面視において行列状に配置されている、請求項1または請求項2に記載のキャパシタ。
In the first region, the plurality of internal electrode-forming through-holes including the plurality of first internal electrode-forming through-holes and the plurality of third internal electrode-forming through-holes are arranged in a matrix in plan view. cage,
In the second region, the plurality of internal electrode forming through holes, which are the plurality of second internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes, are arranged in a matrix in plan view. 3. The capacitor of claim 1 or claim 2, comprising:
前記第1領域において、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔と前記複数の第3内部電極形成用孔とは、平面視で前記第1主面に沿う第1方向に交互に配置されているとともに、前記第1主面に沿う方向であって前記第1方向に直交する第2方向に交互に配置されており、
前記第2領域において、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔と前記複数の第3内部電極形成用貫通孔とは、前記第1方向に交互に配置されているとともに、前記第2方向に交互に配置されている、請求項3に記載のキャパシタ。
In the first region, the plurality of first internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming holes are alternately arranged in a first direction along the first main surface in plan view. and alternately arranged in a second direction perpendicular to the first direction along the first main surface,
In the second region, the plurality of second internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes are alternately arranged in the first direction and are arranged in the second direction. 4. The capacitor of claim 3, interleaved.
前記間領域に形成される前記複数の第3内部電極形成用貫通孔は、平面視において、前記間領域が延びる方向に間隔を空けて配置されている、請求項3または4に記載のキャパシタ。 5. The capacitor according to claim 3, wherein said plurality of third internal electrode forming through holes formed in said intermediate region are spaced apart in a direction in which said intermediate region extends in plan view. 前記第1主面上に前記第1内部電極毎に形成され、前記第1内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第1表面電極と、
前記第1主面上に前記第2内部電極毎に形成され、前記第2内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第2表面電極と、
前記第2主面上に前記第3内部電極毎に形成され、前記第3内部電極の前記第2主面側端部に接触する複数の第3表面電極と、
前記複数の第1表面電極、前記複数の第2表面電極および前記第3内部電極の前記第1主面側端部を覆うように前記第1主面上に形成され、前記第1表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔と、前記2表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔とを有する第1絶縁膜と、
前記複数の第3表面電極、前記第1内部電極の前記第2主面側端部および前記第2内部電極の前記第2主面側端部を覆うように前記第2主面上に形成され、前記第3表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔を有する第2絶縁膜とをさらに含み、
前記第1外部電極は、前記第1領域内において、平面視で前記複数の第1表面電極を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成されており、
前記第2外部電極は、前記第2領域内において、平面視で前記複数の第2表面電極を覆うように前記第1絶縁膜上に形成されており、
前記第3外部電極は、底面視で前記複数の第3表面電極を覆うように、前記第2絶縁膜上に形成されており、
前記第1外部電極は、前記第1コンタクト孔内に入り込み、前記第1コンタクト孔内で前記第1表面電極に接続されており、
前記第2外部電極は、前記第2コンタクト孔内に入り込み、前記第2コンタクト孔内で前記第2表面電極に接続されており、
前記第3外部電極は、前記第3コンタクト孔内に入り込み、前記第3コンタクト孔内で前記第3表面電極に接続されている、請求項1~5のいずれか一項に記載のキャパシタ。
a plurality of first surface electrodes formed on the first main surface for each of the first internal electrodes and in contact with ends of the first internal electrodes on the first main surface side;
a plurality of second surface electrodes formed on the first main surface for each of the second internal electrodes and in contact with ends of the second internal electrodes on the first main surface side;
a plurality of third surface electrodes formed on the second main surface for each of the third internal electrodes and in contact with ends of the third internal electrodes on the side of the second main surface;
formed on the first main surface so as to cover end portions of the plurality of first surface electrodes, the plurality of second surface electrodes and the third internal electrodes on the first main surface side; a first insulating film having a first contact hole exposing at least part of the surface and a second contact hole exposing at least part of the surface of the second surface electrode;
formed on the second main surface so as to cover the plurality of third surface electrodes, the second main surface side end portions of the first internal electrodes, and the second main surface side end portions of the second internal electrodes; and a second insulating film having a third contact hole exposing at least part of the surface of the third surface electrode,
The first external electrode is formed on the first insulating film in the first region so as to cover the plurality of first surface electrodes in plan view,
The second external electrode is formed on the first insulating film in the second region so as to cover the plurality of second surface electrodes in plan view,
The third external electrode is formed on the second insulating film so as to cover the plurality of third surface electrodes in a bottom view,
The first external electrode enters the first contact hole and is connected to the first surface electrode within the first contact hole,
the second external electrode enters the second contact hole and is connected to the second surface electrode within the second contact hole,
6. The capacitor according to claim 1, wherein said third external electrode enters said third contact hole and is connected to said third surface electrode within said third contact hole.
前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第1主面側端部を覆うように前記第1主面上に形成され、前記第1内部電極の前記第1主面側端部を露出させる第1コンタクト孔と、前記第2内部電極の前記第1主面側端部を露出させる第2コンタクト孔を有する第1絶縁膜と、
前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第2主面側端部を覆うように前記第2主面上に形成され、前記第3内部電極の前記第2主面側端部を露出させる第3コンタクト孔を有する第2絶縁膜とをさらに含み、
前記第1外部電極は、前記第1領域内において、平面視で前記複数の第1内部電極の前記第1主面側端部を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成されており、
前記第2外部電極は、前記第2領域内において、平面視で前記複数の第2内部電極の前記第1主面側端部を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成されており、
前記第3外部電極は、底面視で前記複数の第3内部電極の前記第2主面側端部を覆うように、前記第2絶縁膜上に形成されており、
前記第1外部電極は、前記第1コンタクト孔内に入り込み、前記第1コンタクト孔内で前記第1内部電極に接続されており、
前記第2外部電極は、前記第2コンタクト孔内に入り込み、前記第2コンタクト孔内で前記第2内部電極に接続されており、
前記第3外部電極は、前記第3コンタクト孔内に入り込み、前記第3コンタクト孔内で前記第3内部電極に接続されている、請求項1~5のいずれか一項に記載のキャパシタ。
formed on the first main surface so as to cover end portions of the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode on the side of the first main surface; a first insulating film having a first contact hole exposing a surface-side end and a second contact hole exposing the first main-surface-side end of the second internal electrode;
The second main surface of the third internal electrode is formed on the second main surface so as to cover the second main surface side end portions of the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode. a second insulating film having a third contact hole exposing the face side end,
The first external electrode is formed on the first insulating film in the first region so as to cover the first main surface side end portions of the plurality of first internal electrodes in plan view,
The second external electrode is formed on the first insulating film in the second region so as to cover the first main surface side end portions of the plurality of second internal electrodes in plan view,
The third external electrode is formed on the second insulating film so as to cover end portions of the plurality of third internal electrodes on the second main surface side in a bottom view,
The first external electrode enters the first contact hole and is connected to the first internal electrode within the first contact hole,
the second external electrode enters the second contact hole and is connected to the second internal electrode within the second contact hole,
6. The capacitor according to claim 1, wherein said third external electrode enters said third contact hole and is connected to said third internal electrode within said third contact hole.
前記第1内部電極形成用貫通孔、前記第2内部電極形成用貫通孔および前記第3内部電極形成用貫通孔のアスペクト比が10以上である、請求項1~7のいずれか一項に記載のキャパシタ。 8. The aspect ratio of the first internal electrode forming through hole, the second internal electrode forming through hole, and the third internal electrode forming through hole is 10 or more, according to any one of claims 1 to 7. capacitor. 前記第1内部電極形成用貫通孔、前記第2内部電極形成用貫通孔および前記第3内部電極形成用貫通孔の深さが100μm以上である、請求項1~7のいずれか一項に記載のキャパシタ。 The depth of each of the first internal electrode forming through hole, the second internal electrode forming through hole, and the third internal electrode forming through hole is 100 μm or more, according to any one of claims 1 to 7. capacitor. 前記第1内部電極形成用貫通孔、前記第2内部電極形成用貫通孔および前記第3内部電極形成用貫通孔の横断面の最大幅または最大径が、1μm以上10μm以下である、請求項9に記載のキャパシタ。 10. The maximum width or maximum diameter of the cross section of the first internal electrode forming through hole, the second internal electrode forming through hole, and the third internal electrode forming through hole is 1 μm or more and 10 μm or less. The capacitor described in . 前記第1内部電極、第2内部電極および前記第3内部電極を含む複数の内部電極の電極間距離が、0.3μm以上10μm以下である、請求項9に記載のキャパシタ。 10. The capacitor according to claim 9, wherein an inter-electrode distance of a plurality of internal electrodes including said first internal electrode, second internal electrode and said third internal electrode is 0.3 [mu]m or more and 10 [mu]m or less. 前記導電体がNiまたはCuを含む、請求項1~11のいずれか一項に記載のキャパシタ。 A capacitor according to any preceding claim, wherein the conductor comprises Ni or Cu. 一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する基板における前記第1主面の第1領域内に前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第1内部電極形成用貫通孔を形成し、前記第1主面の前記第1領域とは異なる第2領域内に前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第2内部電極形成用貫通孔を形成し、少なくとも前記第1領域内および前記第2領域内に形成され、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の第3内部電極形成用貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記第1電極形成用貫通孔内、前記第2内部電極形成用貫通孔内および前記第3内部電極形成用貫通孔内に導電体を埋め込むことにより、前記第1内部電極形成用貫通孔内に第1内部電極を形成し、前記第2内部電極形成用貫通孔内に第2内部電極を形成し、前記第3内部電極形成用貫通孔内に第3内部電極を形成する工程と、
前記第1主面上に、前記複数の第1内部電極が電気的に接続された第1外部電極と、前記第1外部電極と離間して配置されかつ前記複数の第2内部電極が電気的に接続された第2外部電極とを配置する第1および第2外部電極形成工程と、
前記第2主面上に、前記複数の第3内部電極が電気的に接続された第3外部電極を配置する第3外部電極形成工程とを含む、キャパシタの製造方法。
A substrate having a first main surface on one side and a second main surface on the other side has a plurality of first internal electrode forming through holes penetrating through the substrate in a thickness direction in a first region of the first main surface. forming a plurality of second internal electrode forming through holes penetrating through the substrate in a thickness direction in a second region different from the first region of the first main surface, and forming at least in the first region and a through-hole forming step of forming a plurality of third internal electrode forming through-holes formed in the second region and penetrating the substrate in the thickness direction;
By embedding a conductor in the first electrode-forming through-hole, the second internal electrode-forming through-hole, and the third internal electrode-forming through-hole, forming a first internal electrode, forming a second internal electrode in the second internal electrode forming through hole, and forming a third internal electrode in the third internal electrode forming through hole;
a first external electrode to which the plurality of first internal electrodes are electrically connected; A first and second external electrode forming step for arranging a second external electrode connected to the
a third external electrode forming step of arranging a third external electrode electrically connected to the plurality of third internal electrodes on the second main surface.
前記貫通孔形成工程では、前記複数の第3内部電極形成用貫通孔は、前記第1領域内および前記第2領域内ならびに平面視において前記第1領域と前記第2領域との間領域に形成される、請求項13に記載のキャパシタの製造方法。 In the through hole forming step, the plurality of third internal electrode forming through holes are formed within the first region, within the second region, and in a region between the first region and the second region in plan view. 14. The method of manufacturing a capacitor according to claim 13, wherein: 前記貫通孔形成工程では、
前記第1領域において、前記複数の第1内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔が、平面視において行列状に配置されるように前記基板に形成され、
前記第2領域において、前記複数の第2内部電極形成用貫通孔および前記複数の第3内部電極形成用貫通孔からなる複数の内部電極形成用貫通孔が、平面視において行列状に配置されるように前記基板に形成される、請求項13または請求項14に記載のキャパシタの製造方法。
In the through-hole forming step,
In the first region, a plurality of internal electrode forming through holes, each of which includes the plurality of first internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes, are arranged in a matrix when viewed from above. formed on the substrate such that
In the second region, a plurality of internal electrode forming through holes, each of which includes the plurality of second internal electrode forming through holes and the plurality of third internal electrode forming through holes, are arranged in a matrix when viewed from above. 15. The method of manufacturing a capacitor according to claim 13 or 14, wherein the capacitor is formed on the substrate in such a manner that
前記第1および第2外部電極形成工程は、
前記第1主面上に、前記第1内部電極毎に形成されかつ前記第1内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第1表面電極と、前記第2内部電極毎に形成されかつ前記第2内部電極の前記第1主面側端部に接触する複数の第2表面電極とを形成する工程と、
前記第1表面電極と、前記第2表面電極と、前記第3内部電極の前記第1主面側端部とを覆うように、前記第1主面上に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔と、前記第2表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔を、前記第1絶縁層に形成する工程と、
前記第1コンタクト孔を介して前記第1表面電極に接続される第1外部電極を前記第1絶縁膜上に形成し、前記第2コンタクト孔を介して前記第2表面電極に接続される第2外部電極を前記第1絶縁膜上に形成する工程とを含み、
前記第3外部電極形成工程は、
前記第2主面上に、前記第3内部電極毎に形成されかつ前記第3内部電極の前記第2主面側端部に接触する複数の第3表面電極を形成する工程と、
前記第3表面電極と、前記第1内部電極の前記第2主面側端部と、前記第2内部電極の前記第2主面側端部とを覆うように、前記第2主面上に第2絶縁層を形成する工程と、
前記第3表面電極の表面の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔を、前記第2絶縁層に形成する工程と、
前記第3コンタクト孔を介して前記第3表面電極に接続される第3外部電極を前記第2絶縁膜上に形成する工程とを含む、請求項13~15のいずれか一項に記載のキャパシタの製造方法。
The step of forming the first and second external electrodes includes:
a plurality of first surface electrodes formed on the first main surface for each of the first internal electrodes and in contact with ends of the first internal electrodes on the side of the first main surface; forming a plurality of second surface electrodes that are formed and are in contact with the first main surface side end portions of the second internal electrodes;
forming a first insulating layer on the first main surface so as to cover the first surface electrode, the second surface electrode, and the end portion of the third internal electrode on the first main surface side; ,
forming a first contact hole exposing at least part of the surface of the first surface electrode and a second contact hole exposing at least part of the surface of the second surface electrode in the first insulating layer; ,
A first external electrode connected to the first surface electrode through the first contact hole is formed on the first insulating film, and a second external electrode connected to the second surface electrode through the second contact hole is formed on the first insulating film. 2 forming an external electrode on the first insulating film,
The third external electrode forming step includes:
forming, on the second main surface, a plurality of third surface electrodes formed for each of the third internal electrodes and in contact with the end portions of the third internal electrodes on the side of the second main surface;
on the second main surface so as to cover the third surface electrode, the second main surface side end portion of the first internal electrode, and the second main surface side end portion of the second internal electrode forming a second insulating layer;
forming, in the second insulating layer, a third contact hole exposing at least part of the surface of the third surface electrode;
16. The capacitor according to claim 13, further comprising the step of forming a third external electrode connected to said third surface electrode through said third contact hole on said second insulating film. manufacturing method.
前記第1および第2外部電極形成工程は、
前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第1主面側端部を覆うように、前記第1主面上に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1内部電極の前記第1主面側端部の少なくとも一部を露出させる第1コンタクト孔と、前記第2内部電極の前記第1主面側端部の少なくとも一部を露出させる第2コンタクト孔を、前記第1絶縁層に形成する工程と、
前記第1コンタクト孔を介して前記第1内部電極に接続される第1外部電極を前記第1絶縁膜上に形成し、前記第2コンタクト孔を介して前記第2内部電極に接続される第2外部電極を前記第1絶縁膜上に形成する工程とを含み、
前記第3外部電極形成工程は、
前記第1内部電極、前記第2内部電極および前記第3内部電極の前記第2主面側端部を覆うように、前記第2主面上に第2絶縁層を形成する工程と、
前記第3内部電極の前記第2主面側端部の少なくとも一部を露出させる第3コンタクト孔を、前記第2絶縁層に形成する工程と、
前記第3コンタクト孔を介して前記第3内部電極に接続される第3外部電極を前記第2絶縁膜上に形成する工程とを含む、請求項13~15のいずれか一項に記載のキャパシタの製造方法。
The step of forming the first and second external electrodes includes:
forming a first insulating layer on the first main surface so as to cover end portions of the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode on the first main surface side;
A first contact hole exposing at least part of the first main surface side end of the first internal electrode, and a second contact hole exposing at least part of the first main surface side end of the second internal electrode. forming a contact hole in the first insulating layer;
A first external electrode connected to the first internal electrode through the first contact hole is formed on the first insulating film, and a second external electrode connected to the second internal electrode through the second contact hole is formed on the first insulating film. 2 forming an external electrode on the first insulating film,
The third external electrode forming step includes:
forming a second insulating layer on the second main surface so as to cover end portions of the first internal electrode, the second internal electrode and the third internal electrode on the second main surface side;
forming, in the second insulating layer, a third contact hole exposing at least a portion of the second main surface side end portion of the third internal electrode;
16. The capacitor according to claim 13, further comprising the step of forming on said second insulating film a third external electrode connected to said third internal electrode via said third contact hole. manufacturing method.
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