JP2023039271A - Current sense circuit, and dc/dc converter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電流センス回路及びDC/DCコンバータに関する。 The present invention relates to current sense circuits and DC/DC converters.
センス抵抗Rsに発生する電圧降下に相当する電流検出信号Visを出力する電流センス回路として、例えば、特許文献1に記載されたものが提案されている。特許文献1に記載された電流センス回路は、図5に示すように、トランジスタQ11~Q13と、抵抗R11~R15とを備えている。トランジスタQ11~Q13は、PNPトランジスタから構成されている。
As a current sense circuit that outputs a current detection signal Vis corresponding to the voltage drop occurring in the sense resistor Rs, the one described in
トランジスタQ11のベース・エミッタ電圧VBEQ11は、下記の式(1)に示すように、最低動作電圧VBEQ11MINより高くする必要がある。
VBEQ11=VIN-(VR13+VR11)>VBEQ11MIN …(1)
VIN:センス抵抗Rsの一端に入力される入力電圧
VR13:抵抗R13の両端電圧
VR11:抵抗R11の両端電圧
The base-emitter voltage V BEQ11 of transistor Q11 must be higher than the minimum operating voltage V BEQ11MIN as shown in equation (1) below.
VBEQ11 =VIN-(VR13+VR11)> VBEQ11MIN (1)
VIN: Input voltage input to one end of sense resistor Rs VR13: Voltage across resistor R13 VR11: Voltage across resistor R11
このため、入力電圧VINの同相入力電圧は、以下の式(2)のようになり、低い入力電圧VINには対応できない。
VIN>VR13+VR11+VBEQ11MIN …(2)
Therefore, the common-mode input voltage of the input voltage VIN becomes as shown in the following equation (2), and cannot handle a low input voltage VIN.
VIN>VR13+VR11+ VBEQ11MIN (2)
即ち、従来の電流センス回路は、同相入力電圧の範囲が狭いという問題があった。そこで、同相入力範囲が低いときに有効な演算増幅器と、同相入力範囲が高いときに有効な演算増幅器とを設けて同相入力範囲を広くする技術が提案されている(特許文献2)。 That is, the conventional current sensing circuit has a problem that the range of the common mode input voltage is narrow. Therefore, a technique has been proposed to widen the common-mode input range by providing an operational amplifier effective when the common-mode input range is low and an operational amplifier effective when the common-mode input range is high (Patent Document 2).
しかしながら、特許文献2の技術は、2つの演算増幅器が必要となり、回路規模が大きく、チップサイズが増加してしまうという問題があった。
However, the technique of
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路規模の小型化を図りつつ同相入力範囲を広くすることができる電流センス回路及びDC/DCコンバータを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a current sensing circuit and a DC/DC converter capable of widening the common-mode input range while reducing the size of the circuit. be.
前述した目的を達成するために、本発明に係る電流センス回路及びDC/DCコンバータは、下記の[1]~[6]を特徴としている。
[1]
センス抵抗に発生する電圧降下に相当する電流検出信号を出力する電流センス回路であって、
第2の入力電圧が供給される電源ラインと前記センス抵抗の一端との間にコレクタ・エミッタ間が接続された第1のトランジスタと、
前記電源ラインと前記センス抵抗の他端との間にコレクタ・エミッタ間が接続され、ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続され、ベース・コレクタが接続された第2のトランジスタと、
前記センス抵抗の一端と前記第1のトランジスタのエミッタとの間に接続された第1の抵抗と、
前記センス抵抗の他端と前記第2のトランジスタのエミッタとの間に接続され、前記第1の抵抗と同一抵抗値を有する第2の抵抗と、
エミッタが前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、ベースが前記第1のトランジスタのコレクタに接続された第3のトランジスタと、
前記電源ラインと前記第3のトランジスタのコレクタとの間に接続された第3の抵抗と、有する電流検出信号生成回路と、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の抵抗の接続点と、前記第2のトランジスタのエミッタと前記第2の抵抗の接続点との間に直列接続された互いに同一抵抗値の第4の抵抗及び第5の抵抗と、
前記センス抵抗の一端に入力される第1の入力電圧に応じた電圧と所定電圧とを比較し、前記第1の入力電圧に応じた電圧が前記所定電圧より高い場合、前記センス抵抗の一端及び前記センス抵抗の他端から前記第4の抵抗と前記第5の抵抗の接続点に向かって電流を流す電流供給回路とを有する同相入力範囲拡大回路と、を備えた
電流センス回路であること。
[2]
[1]に記載の電流センス回路であって、
前記電流供給回路は、
ソースが互いに接続された第4のトランジスタ及び第5のトランジスタと、前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタに電流を供給する第1の電流源と、を含み、前記第4のトランジスタのゲートに前記第1の入力電圧に応じた電圧が供給され、前記第5のトランジスタのゲートに前記所定電圧が供給された比較回路と、
前記第5のトランジスタに流れる電流に応じた電流を前記第4の抵抗と前記第5の抵抗の接続点から流出させる第1のカレントミラー回路とを備えた
電流センス回路であること。
[3]
[1]又は[2]に記載の電流センス回路であって、
前記第1の入力電圧に応じた電圧は、前記第4の抵抗と前記第5の抵抗の接続点電圧である
電流センス回路であること。
[4]
[1]~[3]の何れか1項に記載の電流センス回路であって、
前記同相入力範囲拡大回路は、
ダイオード接続され、互いに直列接続された複数の第6のトランジスタと、前記第6のトランジスタに電流を供給する第2の電流源とを含み、複数の前記第6のトランジスタの両端に生成された電圧に応じた前記所定電圧を生成する電圧生成回路を有する
電流センス回路であること。
[5]
[1]~[4]の何れか1項に記載の電流センス回路であって、
定電流を流す第3の電流源と、
前記第3の電流源の電流をコピーして、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのコレクタにそれぞれ供給する第2のカレントミラー回路と、
前記第3の電流源の電流をコピーして、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのエミッタからグランドに向かってコピーした前記電流を流す第3のカレントミラー回路とを有する入力バイアス低減回路を備えた
電流センス回路であること。
[6]
コイルと、
前記コイルの一端が接続されたコンデンサと、
第2の入力電圧が供給される電圧源と前記コイルの他端との間に設けられ、前記コイルに前記第2の入力電圧の供給をオンオフする第7のトランジスタと、
前記コイルの一端と前記コンデンサとの間に設けられたセンス抵抗と、
前記第7のトランジスタのオンオフを制御して、前記第2の入力電圧を変換した出力電圧を出力させる制御回路とを備えた
DC/DCコンバータであって、
前記制御回路は、
前記センス抵抗に発生する電圧降下に相当する電流検出信号を出力する請求項1~5の何れか1項に記載の電流センス回路を有し、
前記出力電圧に応じた電圧と基準電圧との差分に応じた誤差信号と前記電流検出信号に応じたスロープ信号との比較に基づいて、前記第7のトランジスタをオンオフする信号を生成する、
DC/DCコンバータであること。
In order to achieve the above object, a current sensing circuit and a DC/DC converter according to the present invention are characterized by the following [1] to [6].
[1]
A current sense circuit that outputs a current detection signal corresponding to a voltage drop occurring in a sense resistor,
a first transistor having a collector-emitter connected between a power supply line to which a second input voltage is supplied and one end of the sense resistor;
a second transistor having a collector-emitter connected between the power supply line and the other end of the sense resistor, a base connected to the base of the first transistor, and a base-collector connected;
a first resistor connected between one end of the sense resistor and an emitter of the first transistor;
a second resistor connected between the other end of the sense resistor and the emitter of the second transistor and having the same resistance value as the first resistor;
a third transistor having an emitter connected to the emitter of the second transistor and a base connected to the collector of the first transistor;
a current detection signal generating circuit having a third resistor connected between the power supply line and the collector of the third transistor;
Fourth resistors having the same resistance value are connected in series between a connection point between the emitter of the first transistor and the first resistor and a connection point between the emitter of the second transistor and the second resistor. a resistor and a fifth resistor;
A voltage corresponding to a first input voltage input to one end of the sense resistor is compared with a predetermined voltage, and if the voltage corresponding to the first input voltage is higher than the predetermined voltage, one end of the sense resistor and and a common-mode input range expansion circuit including a current supply circuit for supplying a current from the other end of the sense resistor to a connection point between the fourth resistor and the fifth resistor.
[2]
The current sense circuit according to [1],
The current supply circuit is
a fourth transistor and a fifth transistor having sources connected together; and a first current source supplying current to the fourth transistor and the fifth transistor, the gate of the fourth transistor. a comparator circuit supplied with a voltage corresponding to the first input voltage to the gate of the fifth transistor and the predetermined voltage supplied to the gate of the fifth transistor;
A current sensing circuit comprising: a first current mirror circuit that causes a current corresponding to a current flowing through the fifth transistor to flow out from a connection point between the fourth resistor and the fifth resistor.
[3]
The current sense circuit according to [1] or [2],
A voltage corresponding to the first input voltage is a connection point voltage between the fourth resistor and the fifth resistor.
[4]
The current sensing circuit according to any one of [1] to [3],
The common-mode input range expansion circuit includes:
a plurality of sixth transistors diode-connected and connected in series with each other; and a second current source supplying current to the sixth transistors, wherein a voltage is generated across the plurality of sixth transistors. a current sense circuit including a voltage generating circuit that generates the predetermined voltage according to the current sensing circuit.
[5]
The current sensing circuit according to any one of [1] to [4],
a third current source that supplies a constant current;
a second current mirror circuit that copies the current of the third current source and supplies it to the collectors of the first transistor and the second transistor, respectively;
a third current mirror circuit that copies the current of the third current source and passes the copied current from the emitters of the first transistor and the second transistor toward ground. be a current sense circuit with
[6]
a coil;
a capacitor to which one end of the coil is connected;
a seventh transistor provided between a voltage source to which a second input voltage is supplied and the other end of the coil for turning on and off supply of the second input voltage to the coil;
a sense resistor provided between one end of the coil and the capacitor;
A DC/DC converter comprising a control circuit for controlling on/off of the seventh transistor to output an output voltage obtained by converting the second input voltage,
The control circuit is
The current sensing circuit according to any one of
generating a signal for turning on and off the seventh transistor based on a comparison between an error signal corresponding to a difference between a voltage corresponding to the output voltage and a reference voltage and a slope signal corresponding to the current detection signal;
Must be a DC/DC converter.
本発明に係る電流センス回路及びDC/DCコンバータによれば、回路規模の小型化を図りつつ同相入力範囲を広くすることができるとの効果を奏する。 According to the current sensing circuit and the DC/DC converter according to the present invention, it is possible to widen the common-mode input range while reducing the size of the circuit.
以上、本発明について簡潔に説明した。更に、以下に説明される発明を実施するための形態(以下、「実施形態」という。)を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細は更に明確化されるであろう。 The present invention has been briefly described above. Furthermore, the details of the present invention will be further clarified by reading the following detailed description of the invention (hereinafter referred to as "embodiment") with reference to the accompanying drawings. .
本発明に関する具体的な実施形態について、各図を参照しながら以下に説明する。 Specific embodiments relating to the present invention will be described below with reference to each drawing.
本発明の電流センス回路4は、図1に示すDC/DCコンバータ1に用いられる。DC/DCコンバータ1は、第7のトランジスタとしてのMOSトランジスタMP11のオンオフにより直流の第2の入力電圧としての入力電圧V+を降圧して出力電圧Voutとして出力する。DC/DCコンバータ1は、MOSトランジスタMP11と、ダイオードDと、コイルLoutと、コンデンサCoutと、電圧検出用抵抗R21、R22と、電流検出用のセンス抵抗Rsと、MOSトランジスタMP11のオンオフを制御する制御回路としての制御IC2とを備えている。
The
MOSトランジスタMP11は、Pチャンネルの電界効果トランジスタから構成されている。MOSトランジスタMP11は、ソースに入力電圧V+が供給され、ドレインがコイルLout及びダイオードDのカソードに接続され、ゲートが制御IC2のゲート端子GATEに接続される。ダイオードDのアノードはグランドGNDに接続される。 The MOS transistor MP11 is composed of a P-channel field effect transistor. The MOS transistor MP11 has a source supplied with the input voltage V + , a drain connected to the coil Lout and the cathode of the diode D, and a gate connected to the gate terminal GATE of the control IC2. The anode of diode D is connected to ground GND.
コイルLoutは、一端がMOSトランジスタMP11のドレインに接続され、他端がセンス抵抗Rsを介してコンデンサCoutの一端に接続される。このコンデンサCoutの一端から出力電圧Voutが出力される。また、コンデンサCoutは、他端がグランドGNDに接続される。 The coil Lout has one end connected to the drain of the MOS transistor MP11 and the other end connected to one end of the capacitor Cout via the sense resistor Rs. An output voltage Vout is output from one end of this capacitor Cout. Also, the capacitor Cout has the other end connected to the ground GND.
電圧検出用抵抗R21、R22は、コンデンサCoutに並列接続され、互いに直列接続される。電圧検出用抵抗R21は、電圧検出用抵抗R22との接続点と反対側の端部がコンデンサCoutの一端に接続される。電圧検出用抵抗R22は、電圧検出用抵抗R21との接続点と反対側の端部がグランドGNDに接続される。これにより、出力電圧Voutを電圧検出用抵抗R21、R22で分圧した検出電圧Vouts(=出力電圧Voutに応じた電圧)が制御IC2のフィードバック端子FBに供給される。 The voltage detection resistors R21 and R22 are connected in parallel to the capacitor Cout and connected in series with each other. The end of the voltage detection resistor R21 opposite to the connection point with the voltage detection resistor R22 is connected to one end of the capacitor Cout. The voltage detection resistor R22 is connected to the ground GND at the end opposite to the connection point with the voltage detection resistor R21. As a result, the detection voltage Vouts (=voltage corresponding to the output voltage Vout) obtained by dividing the output voltage Vout by the voltage detection resistors R21 and R22 is supplied to the feedback terminal FB of the control IC2.
センス抵抗Rsは、コイルLoutと、コンデンサCoutとの間に接続されている。このセンス抵抗Rsの両端が、制御IC2の入力端子INP、INNに各々接続される。 A sense resistor Rs is connected between the coil Lout and the capacitor Cout. Both ends of the sense resistor Rs are connected to the input terminals INP and INN of the control IC2, respectively.
制御IC2は、検出電圧Voutsが基準電圧VrefとなるようにMOSトランジスタMP11をオンオフ制御する。制御IC2は、誤差検出回路3と、電流センス回路4と、発振器5と、加算器6と、PWM比較器7と、フリップフロップ8と、MOSトランジスタMN11と、NOT回路9と、ドライバ10とを有している。
The control IC2 controls on/off of the MOS transistor MP11 so that the detected voltage Vouts becomes the reference voltage Vref. The
誤差検出回路3は、反転入力に検出電圧Voutsが入力され、非反転入力に基準電圧Vrefが入力され、検出電圧Voutsと基準電圧Vrefとの差分である誤差信号Verrを出力する。電流センス回路4は、センス抵抗Rsに生じる電圧降下Rs×Is(=センス抵抗Rsに流れる電流)に相当する電流検出信号Visを出力する。発振器5は、クロック信号CLOCK及びクロック信号CLOCKに同期した三角波Vrampを出力する。加算器6は、三角波Vrampと電流検出信号Visとを加算したスロープ信号Vslopeを出力する。PWM比較器7は、反転入力に誤差信号Verrが入力され、非反転入力にスロープ信号Vslopeが入力され、誤差信号Verrとスロープ信号Vslopeとを比較した比較信号Vcompを出力する。
The
フリップフロップ8は、セット端子Sにクロック信号CLOCKが入力され、リセット端子Rに比較信号Vcompが入力される。フリップフロップ8の出力端子Qは、NOT回路9の入力に接続され、NOT回路9の出力がドライバ10に入力される。ドライバ10の出力は、MOSトランジスタMP11のゲートに接続される。一方、フリップフロップ8の反転出力端子QBは、MOSトランジスタMN11のゲートに接続される。MOSトランジスタMN11は、Nチャンネルの電界効果トランジスタから構成されている。MOSトランジスタMN11は、ドレインがPWM比較器7の非反転入力に接続され、ソースがグランドGNDに接続される。
The flip-
以上の構成により、クロック信号CLOCKが立ち上がるとフリップフロップ8がセットされ、出力端子QがHレベルとなり、MOSトランジスタMP11がオンする。その後、Vslope>Verrになると比較信号Vcompが反転して、フリップフロップ8がリセットされ、出力端子QがLレベルとなり、MOSトランジスタMP11がオフする。また、フリップフロップ8の反転出力端子QBがHレベルとなり、MOSトランジスタMN11がオンしてスロープ信号Vslopeが0Vにリセットされる。
With the above configuration, when the clock signal CLOCK rises, the flip-
次に、上述した電流センス回路4の詳細について図2を参照して説明する。同図に示すように、電流センス回路4は、センス抵抗Rsに発生する電圧降下Rs×Isに相当する電流検出信号Visを出力するための電流検出信号生成回路41と、電流検出信号生成回路41の同相入力範囲を拡大するための同相入力範囲拡大回路42と、入力バイアス電流を低減するための入力バイアス低減回路43とを備えている。
Next, details of the
電流検出信号生成回路41は、第1~第3のトランジスタとしてのトランジスタQ1~Q3と、第1~第3の抵抗としての抵抗R1~R3とを有している。トランジスタQ1~Q3は、NPN型のバイポーラトランジスタから構成されている。トランジスタQ1は、電圧V+(第2の入力電圧)が供給される電源ラインとセンス抵抗Rsの一端との間にコレクタ・エミッタ間が接続される。詳しく説明すると、トランジスタQ1は、コレクタがMOSトランジスタMP3のドレイン・ソース間を介して電源ラインに接続され、エミッタが抵抗R1及び入力端子INPを介してセンス抵抗Rsの一端に接続されている。
The current detection
トランジスタQ2は、電源ラインとセンス抵抗Rsの他端との間にコレクタ・エミッタ間が接続される。詳しく説明すると、トランジスタQ2は、コレクタがMOSトランジスタMP4のドレイン・ソース間を介して電源ラインに接続され、エミッタが抵抗R2及び入力端子INNを介してセンス抵抗Rsの他端に接続されている。 The transistor Q2 is connected between the collector and the emitter between the power supply line and the other end of the sense resistor Rs. More specifically, the transistor Q2 has a collector connected to the power supply line through the drain and source of the MOS transistor MP4, and an emitter connected to the other end of the sense resistor Rs through the resistor R2 and the input terminal INN.
また、トランジスタQ1、Q2は、ベース同士が接続され、トランジスタQ2は、ベース及びコレクタが接続されている。即ち、トランジスタQ1、Q2はカレントミラー回路を構成する。抵抗R1は、センス抵抗Rsの一端とトランジスタQ1のエミッタとの間に接続され、抵抗R2は、センス抵抗Rsの他端とトランジスタQ2のエミッタとの間に接続されている。抵抗R1と抵抗R2とは同一の抵抗値を有する(R1=R2)。 The bases of the transistors Q1 and Q2 are connected to each other, and the base and collector of the transistor Q2 are connected. That is, the transistors Q1 and Q2 form a current mirror circuit. The resistor R1 is connected between one end of the sense resistor Rs and the emitter of the transistor Q1, and the resistor R2 is connected between the other end of the sense resistor Rs and the emitter of the transistor Q2. The resistors R1 and R2 have the same resistance value (R1=R2).
トランジスタQ3は、ベースがトランジスタQ1のコレクタとMOSトランジスタMP3のドレインに接続され、エミッタがトランジスタQ2のエミッタと抵抗R2に接続されている。また、トランジスタQ3は、コレクタが抵抗R3を介して電源ラインに接続されている。 The transistor Q3 has a base connected to the collector of the transistor Q1 and the drain of the MOS transistor MP3, and an emitter connected to the emitter of the transistor Q2 and the resistor R2. The transistor Q3 has a collector connected to the power supply line via a resistor R3.
以上の構成によれば、トランジスタQ1、Q2から構成されるカレントミラー回路の働きにより、トランジスタQ1、Q2のエミッタ電流Ie1、Ie2は等しい。センス抵抗Rsに電流Isが流れていない場合、等しいエミッタ電流Ie1、Ie2が抵抗R1、R2にそれぞれ流れ、トランジスタQ1、Q2のエミッタは同じ電位となる。これに対して、センス抵抗Rsに電流Isが流れると、センス抵抗Rsでの電圧降下Rs×IsだけトランジスタQ1、Q2のエミッタに電位差が生じる。このため、トランジスタQ3はトランジスタQ1、Q2のエミッタが等しくなるように下記の式(3)に示すエミッタ電流Ie3を流す。
Ie3=Is×Rs/R1 …(3)
According to the above configuration, the emitter currents Ie1 and Ie2 of the transistors Q1 and Q2 are equal due to the function of the current mirror circuit composed of the transistors Q1 and Q2. When current Is does not flow through sense resistor Rs, equal emitter currents Ie1 and Ie2 flow through resistors R1 and R2, respectively, and the emitters of transistors Q1 and Q2 are at the same potential. On the other hand, when the current Is flows through the sense resistor Rs, a potential difference is generated between the emitters of the transistors Q1 and Q2 by the voltage drop Rs×Is across the sense resistor Rs. Therefore, the transistor Q3 flows an emitter current Ie3 given by the following equation (3) so that the emitters of the transistors Q1 and Q2 are equal.
Ie3=Is×Rs/R1 (3)
よって、抵抗R3の両端には、下記の式(4)に示すような、電流Isに応じた電流検出信号Visが発生する。
Vis=Is×Rs×R3/R1 …(4)
式(4)から明らかなようにR3/R1が増幅率(ゲイン)となる。
Therefore, a current detection signal Vis corresponding to the current Is is generated across the resistor R3 as shown in the following equation (4).
Vis=Is×Rs×R3/R1 (4)
As is clear from the equation (4), R3/R1 is the amplification factor (gain).
ところで、トランジスタQ1のベース・エミッタ電圧VBEQ1は、下記の式(5)に示すように、最低動作電圧VBEQ1MINより高くする必要がある。
VBEQ1=(V+-VIN)-(VDSMP3+VR1)>VBEQ1MIN …(5)
VDSMP3:MOSトランジスタMP3のドレイン・ソース間電圧
VR1:抵抗R1の両端電圧
By the way, the base-emitter voltage V BEQ1 of the transistor Q1 must be higher than the minimum operating voltage V BEQ1MIN as shown in the following equation (5).
VBEQ1 =(V + -VIN)-( VDSMP3 +VR1)> VBEQ1MIN (5)
V DSMP3 : Voltage between drain and source of MOS transistor MP3 VR1 : Voltage across resistor R1
このため、入力端子INPに入力される第1の入力電圧としての入力電圧VINの同相入力電圧は、以下の式(6)のようになり、上記電流検出信号生成回路41では高い入力電圧VINには対応できない。
VIN<V+-(VBEQ1MIN+VDSMP3+VR1) …(6)
Therefore, the common-mode input voltage of the input voltage VIN as the first input voltage input to the input terminal INP is expressed by the following equation (6). cannot handle.
VIN<V + −(V BEQ1MIN +V DSMP3 +VR1) (6)
そこで、本実施形態では、同相入力範囲拡大回路42が設けられている。同相入力範囲拡大回路42は、第4、第5の抵抗としての抵抗R4、R5と、電流供給回路421とを備えている。抵抗R4、R5は、トランジスタQ1のエミッタと抵抗R1の接続点と、トランジスタQ2のエミッタと抵抗R2の接続点との間に直列接続されている。抵抗R4、R5は、同一の抵抗値を有している。
Therefore, in this embodiment, the common-mode input
電流供給回路421は、抵抗R4と抵抗R5の接続点電圧V1と所定電圧(V+-V2)とを比較し、接続点電圧V1が所定電圧(V+-V2)より高い場合、図4に示すようにセンス抵抗Rsの一端から入力端子INPを介して抵抗R1に流れる経路及びセンス抵抗Rsの他端から入力端子INNを介して抵抗R2に流れる経路から抵抗R4とR5の接続点に向かって定電流M×I1/2を流す。ここで、Mは後述する第1のカレントミラー回路424で設定されるミラー比を表す。次に、この電流供給回路421の構成について説明する。電流供給回路421は、比較回路422と、電圧生成回路423と、第1のカレントミラー回路424と、ダイオードD1と抵抗R6を備えている。
The
比較回路422は、抵抗R4とR5の接続点電圧V1と、所定電圧(V+-V2)とを比較する回路である。接続点電圧V1は、入力電圧VINと等しく、入力電圧VINに応じた電圧である。比較回路422は、第4、第5のトランジスタとしてのMOSトランジスタMP5及びMP6と、第1の電流源としての定電流源422Aとを含む。MOSトランジスタMP5及びMP6は、Pチャンネルの電界効果トランジスタから構成されている。
The
MOSトランジスタMP5及びMP6のソースは、互いに接続され、定電流源422Aの他端に接続されている。MOSトランジスタMP5のドレインはグランドGNDに接続され、MOSトランジスタMP6のドレインは後述するMOSトランジスタMN5のドレイン・ソース間を介してグランドGNDに接続されている。MOSトランジスタMP5のゲートには、接続点電圧V1が供給されている。なお、MOSトランジスタMP5のドレインは、本実施形態においてはグランドGNDに接続されているがこれに限らない。例えば抵抗を介してグランドGNDに接続されてもよい。
The sources of MOS transistors MP5 and MP6 are connected to each other and to the other end of constant
MOSトランジスタMP6のゲートには、抵抗R6を介して所定電圧(V+-V2)が供給されている。後述するダイオードD1が非導通状態の場合は、抵抗R6に流れる電流はゼロである。つまり、MOSトランジスタMP6のゲートには、所定電圧(V+-V2)が供給される。また、後述するダイオードD1が導通状態の場合は、MOSトランジスタMP6のゲートには、所定電圧(V+-V2)から抵抗R6に流れる電流により発生する電圧降下分を差し引いた電圧が供給される。 A predetermined voltage (V + -V2) is supplied to the gate of the MOS transistor MP6 through a resistor R6. When the diode D1, which will be described later, is in a non-conducting state, the current flowing through the resistor R6 is zero. That is, a predetermined voltage (V + -V2) is supplied to the gate of the MOS transistor MP6. When the diode D1, which will be described later, is in a conductive state, the gate of the MOS transistor MP6 is supplied with a voltage obtained by subtracting a voltage drop caused by a current flowing through the resistor R6 from a predetermined voltage (V + -V2).
定電流源422Aは、MOSトランジスタMP5、MP6に定電流I1を供給する電流源である。定電流源422Aは、一端が電源ラインに接続され、他端がMOSトランジスタMP5、MP6のソースに接続される。
A constant
以上の構成により、接続点電圧V1>所定電圧(V+-V2)である場合、MOSトランジスタMP6に定電流I1が流れ、MOSトランジスタMP5に流れる電流がゼロとなる。一方、接続点電圧V1<所定電圧(V+-V2)である場合、MOSトランジスタMP5に定電流I1が流れ、MOSトランジスタMP6に流れる電流がゼロとなる。 With the above configuration, when the connection point voltage V1>predetermined voltage (V + -V2), the constant current I1 flows through the MOS transistor MP6, and the current flowing through the MOS transistor MP5 becomes zero. On the other hand, when the connection point voltage V1<predetermined voltage (V + -V2), the constant current I1 flows through the MOS transistor MP5, and the current flowing through the MOS transistor MP6 becomes zero.
電圧生成回路423は、所定電圧(V+-V2)を生成する回路である。複数の第6のトランジスタとしてのトランジスタQ4~Q6と、第2の電流源としての定電流源423Aとを有している。これらトランジスタQ4~Q6は、NPN型のバイポーラトランジスタから構成され、電圧V+が供給される電源ラインと、MOSトランジスタMP6のゲートに接続された抵抗R6との間に直列に接続されている。また、トランジスタQ4~Q6は、ベースとコレクタが接続され、ダイオード接続されている。定電流源423Aは、トランジスタQ4~Q6とグランドGNDとの間に接続されている。定電流源423Aは、トランジスタQ4~Q6に定電流I2を流す。トランジスタQ4~Q6に定電流I2を流すと、電圧V2が発生し、MOSトランジスタMP6のゲートに所定電圧(V+-V2)が供給される。
The
電圧V2は、下記の式(7)に表すように、設定される。即ち、トランジスタQ4~Q6の数が設定される。
V2>(VBEQ1MIN+VDSMP3) …(7)
The voltage V2 is set as represented by the following equation (7). That is, the number of transistors Q4-Q6 is set.
V2>(V BEQ1MIN +V DSMP3 ) (7)
第1のカレントミラー回路424は、MOSトランジスタMN4、MN5を有している。MOSトランジスタMN4、MN5は、Nチャンネルの電界効果トランジスタから構成される。MOSトランジスタMN4、MN5は、互いにゲート同士が接続され、ソースがグランドGNDに接続されている。MOSトランジスタMN4のドレインは、MOSトランジスタMP5のゲートに接続されている。MOSトランジスタMN5は、ゲート・ドレインが接続されている。MOSトランジスタMN5のドレインは、MOSトランジスタMP6のドレインに接続されている。また、MOSトランジスタMN4、MN5はゲートアスペクト比がM:1に設定されている。これにより第1のカレントミラー回路のミラー比はMとなる。
The first
以上の構成により、接続点電圧V1>所定電圧(V+-V2)となり、MOSトランジスタMP6に定電流I1が流れると、MOSトランジスタMN5に定電流I1が供給される。MOSトランジスタMN5に流れる定電流I1に応じた電流(M×I1)が、MOSトランジスタMN4のドレイン電流に流れる。これにより、図4に示すようにセンス抵抗Rsの一端から入力端子INPを介して抵抗R1に流れる経路及びセンス抵抗Rsの他端から入力端子INNを介して抵抗R2に流れる経路から抵抗R4とR5の接続点に向かってそれぞれ定電流M×I1/2を流出させ、接続点からMOSトランジスタMN4に向かって定電流M×I1を流す。 With the above configuration, when the connection point voltage V1>predetermined voltage (V + -V2) and the constant current I1 flows through the MOS transistor MP6, the constant current I1 is supplied to the MOS transistor MN5. A current (M×I1) corresponding to the constant current I1 flowing through the MOS transistor MN5 flows as the drain current of the MOS transistor MN4. As a result, as shown in FIG. 4, a path flowing from one end of the sense resistor Rs to the resistor R1 via the input terminal INP and a path flowing from the other end of the sense resistor Rs to the resistor R2 via the input terminal INN are connected to the resistors R4 and R5. A constant current M.times.I1/2 flows out toward the connection point of , and a constant current M.times.I1 flows from the connection point toward the MOS transistor MN4.
ダイオードD1は、MOSトランジスタMP6のゲート・ソース間に過大な電圧が印加されないよう保護する役割を持ち、アノードがMOSトランジスタMP6のゲートに接続され、カソードがMOSトランジスタMP5のゲートに接続される。具体的には、入力電圧VINが低く電源ラインの電圧V+が高い場合に、MOSトランジスタMP6のソースの電圧よりも大きな電圧がMOSトランジスタMP6のゲートに印加される可能性がある。そのような場合でも、このダイオードD1により、MOSトランジスタMP6のゲートは接続点電圧V1にダイオードD1の順方向電圧VFが加算された電圧V1+VFに制限されるため、MOSトランジスタMP6を保護することが可能となる。なお、このようにダイオードが導通状態となる場合においても、接続点電圧V1<所定電圧(V+-V2)であり、MOSトランジスタMP5に定電流I1が流れ、MOSトランジスタMP6に流れる電流がゼロとなる。 The diode D1 has a role of protecting the gate and source of the MOS transistor MP6 from being applied with excessive voltage, and has an anode connected to the gate of the MOS transistor MP6 and a cathode connected to the gate of the MOS transistor MP5. Specifically, when the input voltage VIN is low and the power supply line voltage V + is high, a voltage higher than the source voltage of the MOS transistor MP6 may be applied to the gate of the MOS transistor MP6. Even in such a case, the diode D1 limits the gate of the MOS transistor MP6 to the voltage V1+VF, which is the sum of the forward voltage VF of the diode D1 and the voltage V1 at the connection point, so that the MOS transistor MP6 can be protected. becomes. Even when the diode is in a conductive state, the connection point voltage V1<predetermined voltage (V + -V2), the constant current I1 flows through the MOS transistor MP5, and the current flowing through the MOS transistor MP6 is zero. Become.
抵抗R6は、MOSトランジスタMP6のゲートが上述した電圧V1+VFに制限されダイオードD1が導通状態となった場合に、ダイオードD1から抵抗R4と抵抗R5の接続点に向かって流れる電流を極めて小さい電流値に制限するための抵抗である。つまり、抵抗R6は大きな抵抗値に設定される。 The resistor R6 reduces the current flowing from the diode D1 to the connection point between the resistors R4 and R5 to an extremely small current value when the gate of the MOS transistor MP6 is limited to the voltage V1+VF described above and the diode D1 becomes conductive. resistance to limit. That is, resistor R6 is set to a large resistance value.
上述した構成の同相入力範囲拡大回路42によれば、入力電圧VINが低い場合、接続点電圧V1<所定電圧(V+-V2)となる。この場合、図3に示すように、MOSトランジスタMP5に定電流I1が流れ、MOSトランジスタMP6、MN4、MN5に流れる電流はゼロとなる。従って、抵抗R4、R5に流れる電流もゼロとなる。抵抗R4、R5を無視できるので、従来回路と同じように動作し、電流検出信号Visは、上記式(4)で表される。
According to the common-mode input
これに対して、入力電圧VINが高くなると、電圧V2が式(7)のように設定されているため、入力電圧VINがV+-(VBEQ1MIN+VDSMP3)を超える前に接続点電圧V1>所定電圧(V+-V2)となる。この場合、図4に示すように、MOSトランジスタMP6、MN4、MN5に定電流I1が流れ、MOSトランジスタMP5に流れる電流はゼロとなる。従って、抵抗R1、R2、R4、R5には、M×I1/2の電流が流れ、トランジスタQ1、Q2のエミッタ電位を低下させる。これにより、トランジスタQ1、Q2の動作電圧を確保し、入力電圧VINの同相入力電圧は電圧V+まで入力することができる。抵抗R1、R4に流れる電流と、抵抗R2、R5に流れる電流とは等しい。従って、トランジスタQ1、Q2のエミッタ電流の差Ie1-Ie2は変動しないため、電流検出信号Visも、上記式(4)で表されるまま変わらない。 On the other hand, when the input voltage VIN increases, the voltage V2 is set as shown in Equation (7) . A predetermined voltage (V + -V2) is obtained. In this case, as shown in FIG. 4, the constant current I1 flows through the MOS transistors MP6, MN4, and MN5, and the current flowing through the MOS transistor MP5 becomes zero. Therefore, a current of M.times.I1/2 flows through the resistors R1, R2, R4 and R5, lowering the emitter potentials of the transistors Q1 and Q2. As a result, the operating voltages of the transistors Q1 and Q2 are ensured, and the common-mode input voltage of the input voltage VIN can be input up to the voltage V + . The currents flowing through the resistors R1 and R4 are equal to the currents flowing through the resistors R2 and R5. Therefore, since the difference Ie1-Ie2 between the emitter currents of the transistors Q1 and Q2 does not change, the current detection signal Vis remains unchanged as expressed by the above equation (4).
上述した電流センス回路4によれば、同相入力範囲拡大回路42により、回路規模の小型化を図りつつ同相入力範囲を広くすることができる。
According to the
また、上述した電流センス回路4によれば、同相入力範囲拡大回路42は、MOSトランジスタMP5及びMP6と、定電流源422Aとを含んだ比較回路422と、第1のカレントミラー回路424を有している。これにより、簡単な構成で、接続点電圧V1>所定電圧(V+-V2)の場合に抵抗R4、R5に電流M×I1/2を流すことができる。
Further, according to the
また、上述した電流センス回路4によれば、MOSトランジスタMP5のゲートには、入力電圧VINに応じた電圧として接続点電圧V1が供給されている。これにより、簡単な構成で、MOSトランジスタMP5のゲートに入力電圧VINに応じた電圧を供給することができる。
Further, according to the
また、上述した電流センス回路4によれば、同相入力範囲拡大回路42は、複数のトランジスタQ4~Q6と、定電流源423Aとを含む電圧生成回路423を有している。これにより、簡単な構成で所定電圧(V+-V2)を生成することができる。
Further, according to the
次に、入力バイアス低減回路43について説明する。入力バイアス低減回路43は、第3の電流源としての定電流源431と、第2のカレントミラー回路432と、第3のカレントミラー回路433とを有している。定電流源431は、MOSトランジスタMP1のドレインとグランドGNDとの間に接続され、定電流I3を発生する定電流源である。
Next, the input
第2のカレントミラー回路432は、定電流I3をコピーして、トランジスタQ1及びQ2のコレクタにそれぞれ供給する。第2のカレントミラー回路432は、MOSトランジスタMP1、MP3及びMP4を有する。MOSトランジスタMP1、MP3及びMP4は同一サイズである。MOSトランジスタMP1、MP3及びMP4は、Pチャンネルの電界効果トランジスタから構成されている。MOSトランジスタMP1は、ソースが電圧V+が供給された電源ラインに接続され、ドレインが定電流源431に接続されている。MOSトランジスタMP1のドレイン、ゲートが接続されている。
A second
MOSトランジスタMP3は、ゲートがMOSトランジスタMP1のゲートに接続され、ソースが電圧V+が供給された電源ラインに接続され、ドレインがトランジスタQ1のコレクタに接続されている。MOSトランジスタMP4は、ゲートがMOSトランジスタMP1のゲートに接続され、ソースが電圧V+が供給された電源ラインに接続され、ドレインがトランジスタQ2のコレクタに接続されている。 The MOS transistor MP3 has a gate connected to the gate of the MOS transistor MP1, a source connected to the power line supplied with the voltage V + , and a drain connected to the collector of the transistor Q1. The MOS transistor MP4 has a gate connected to the gate of the MOS transistor MP1, a source connected to the power line supplied with the voltage V + , and a drain connected to the collector of the transistor Q2.
第3のカレントミラー回路433は、MOSトランジスタMP2、MN1により定電流I3をコピーして、コピーした定電流I3をトランジスタQ1及びQ2のエミッタからグランドGNDに向かって流す。第3のカレントミラー回路433は、MOSトランジスタMP2、MN1、MN2及びMN3を有している。MOSトランジスタMP2は、MOSトランジスタMP1と同一サイズである。MOSトランジスタMN1、MN2及びMN3は、同一サイズである。MOSトランジスタMP2は、ゲートがMOSトランジスタMP1のゲートに接続され、ソースが電圧V+が供給された電源ラインに接続され、ドレインがMOSトランジスタMN1のドレインに接続されている。MOSトランジスタMN1は、ドレインがMOSトランジスタMP2のドレインに接続され、ソースがグランドGNDに接続される。また、MOSトランジスタMN1のゲート、ドレインが接続される。
The third
MOSトランジスタMN2は、ゲートがMOSトランジスタMN1のゲートに接続され、ドレインがトランジスタQ1と抵抗R1の接続点に接続され、ソースがグランドGNDに接続されている。MOSトランジスタMN3は、ゲートがMOSトランジスタMN1、MN2のゲートに接続され、ドレインがトランジスタQ2と抵抗R2の接続点に接続され、ソースがグランドGNDに接続されている。 The MOS transistor MN2 has a gate connected to the gate of the MOS transistor MN1, a drain connected to a connection point between the transistor Q1 and the resistor R1, and a source connected to the ground GND. The MOS transistor MN3 has a gate connected to the gates of the MOS transistors MN1 and MN2, a drain connected to a connection point between the transistor Q2 and the resistor R2, and a source connected to the ground GND.
以上の構成によれば、第2のカレントミラー回路432によりトランジスタQ1、Q2のコレクタにそれぞれ定電流I3が供給される。また、第3のカレントミラー回路433により、MOSトランジスタMN2、MN3のドレインに定電流I3がコピーされる。MOSトランジスタMP3、MP4のドレイン電流と、MOSトランジスタMN3、MN4のドレイン電流とが等しい場合、トランジスタQ1、Q2のエミッタから流れる電流は、全てMOSトランジスタMN2、MN3に流れ、入力端子INP、INNから出力される入力バイアス電流を0とすることができる。
According to the above configuration, the second
上述した実施形態によれば、入力バイアス低減回路43により、入力端子INP、INNに流れる入力バイアス電流を低減することができ、無負荷時に出力電圧Voutを持ち上げることを低減することができる。
According to the above-described embodiment, the input
上述したDC/DCコンバータ1によれば、センス抵抗RsをコイルLoutとコンデンサCoutとの間に設けられている。これにより、MOSトランジスタMP11がオンしている間もオフしている間もセンス抵抗Rsで損失が発生するが、MOSトランジスタMP11のオンオフに応じてセンス抵抗Rsでスパイクノイズが発生しないため、スパイクノイズをマスクする時間が不要となり、発振器5の発振周波数を高くすることができる。
According to the DC/
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be modified, improved, etc. as appropriate. In addition, the material, shape, size, number, location, etc. of each component in the above-described embodiment are arbitrary and not limited as long as the present invention can be achieved.
例えば、上述した実施形態によれば、入力バイアス低減回路43が設けられていたが、これに限ったものではない。入力バイアス低減回路43は必須ではなく、設けなくてもよい。
For example, according to the above-described embodiments, the input
また、上述した実施形態によれば、電圧生成回路423は、複数のトランジスタQ4~Q6と、定電流源423Aとから構成されていたが、これに限ったものではない。電圧生成回路423としては、例えば、ツェナーダイオードなどを用いた他の周知の電圧生成回路を用いてもよい。
Further, according to the above-described embodiment, the
1 DC/DCコンバータ
2 制御IC(制御回路)
4 電流センス回路
41 電流検出信号生成回路
42 同相入力範囲拡大回路
43 入力バイアス低減回路
421 電流供給回路
422 比較回路
422A 定電流源(第1の電流源)
424 第1のカレントミラー回路
423 電圧生成回路
423A 定電流源(第2の電流源)
431 定電流源(第3の電流源)
432 第2のカレントミラー回路
433 第3のカレントミラー回路
Lout コイル
Cout コンデンサ
MP5 MOSトランジスタ(第4のトランジスタ)
MP6 MOSトランジスタ(第5のトランジスタ)
MP11 MOSトランジスタ(第7のトランジスタ)
Q1 トランジスタ(第1のトランジスタ)
Q2 トランジスタ(第2のトランジスタ)
Q3 トランジスタ(第3のトランジスタ)
Q4~Q6 トランジスタ(第6のトランジスタ)
R1 抵抗(第1の抵抗)
R2 抵抗(第2の抵抗)
R3 抵抗(第3の抵抗)
R4 抵抗(第4の抵抗)
R5 抵抗(第5の抵抗)
Rs センス抵抗
VIN 入力電圧(第1の入力電圧)
V1 接続点電圧
V+ 入力電圧(第2の入力電圧)
V+-V2 所定電圧
1 DC/
4
424 first
431 constant current source (third current source)
432 second
MP6 MOS transistor (fifth transistor)
MP11 MOS transistor (seventh transistor)
Q1 transistor (first transistor)
Q2 transistor (second transistor)
Q3 transistor (third transistor)
Q4 to Q6 transistors (sixth transistors)
R1 resistor (first resistor)
R2 resistor (second resistor)
R3 resistor (third resistor)
R4 resistor (fourth resistor)
R5 resistor (fifth resistor)
Rs sense resistor VIN input voltage (first input voltage)
V1 node voltage V + input voltage (second input voltage)
V + -V2 Predetermined voltage
Claims (6)
第2の入力電圧が供給される電源ラインと前記センス抵抗の一端との間にコレクタ・エミッタ間が接続された第1のトランジスタと、
前記電源ラインと前記センス抵抗の他端との間にコレクタ・エミッタ間が接続され、ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続され、ベース・コレクタが接続された第2のトランジスタと、
前記センス抵抗の一端と前記第1のトランジスタのエミッタとの間に接続された第1の抵抗と、
前記センス抵抗の他端と前記第2のトランジスタのエミッタとの間に接続され、前記第1の抵抗と同一抵抗値を有する第2の抵抗と、
エミッタが前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、ベースが前記第1のトランジスタのコレクタに接続された第3のトランジスタと、
前記電源ラインと前記第3のトランジスタのコレクタとの間に接続された第3の抵抗と、有する電流検出信号生成回路と、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の抵抗の接続点と、前記第2のトランジスタのエミッタと前記第2の抵抗の接続点との間に直列接続された互いに同一抵抗値の第4の抵抗及び第5の抵抗と、
前記センス抵抗の一端に入力される第1の入力電圧に応じた電圧と所定電圧とを比較し、前記第1の入力電圧に応じた電圧が前記所定電圧より高い場合、前記センス抵抗の一端及び前記センス抵抗の他端から前記第4の抵抗と前記第5の抵抗の接続点に向かって電流を流す電流供給回路とを有する同相入力範囲拡大回路と、を備えた
電流センス回路。 A current sense circuit that outputs a current detection signal corresponding to a voltage drop occurring in a sense resistor,
a first transistor having a collector-emitter connected between a power supply line to which a second input voltage is supplied and one end of the sense resistor;
a second transistor having a collector-emitter connected between the power supply line and the other end of the sense resistor, a base connected to the base of the first transistor, and a base-collector connected;
a first resistor connected between one end of the sense resistor and an emitter of the first transistor;
a second resistor connected between the other end of the sense resistor and the emitter of the second transistor and having the same resistance value as the first resistor;
a third transistor having an emitter connected to the emitter of the second transistor and a base connected to the collector of the first transistor;
a current detection signal generating circuit having a third resistor connected between the power supply line and the collector of the third transistor;
Fourth resistors having the same resistance value are connected in series between a connection point between the emitter of the first transistor and the first resistor and a connection point between the emitter of the second transistor and the second resistor. a resistor and a fifth resistor;
A voltage corresponding to a first input voltage input to one end of the sense resistor is compared with a predetermined voltage, and if the voltage corresponding to the first input voltage is higher than the predetermined voltage, one end of the sense resistor and a common-mode input range expansion circuit including a current supply circuit for supplying a current from the other end of the sense resistor to a connection point between the fourth resistor and the fifth resistor.
前記電流供給回路は、
ソースが互いに接続された第4のトランジスタ及び第5のトランジスタと、前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタに電流を供給する第1の電流源と、を含み、前記第4のトランジスタのゲートに前記第1の入力電圧に応じた電圧が供給され、前記第5のトランジスタのゲートに前記所定電圧が供給された比較回路と、
前記第5のトランジスタに流れる電流に応じた電流を前記第4の抵抗と前記第5の抵抗の接続点から流出させる第1のカレントミラー回路とを備えた
電流センス回路。 2. The current sense circuit of claim 1, comprising:
The current supply circuit is
a fourth transistor and a fifth transistor having sources connected together; and a first current source supplying current to the fourth transistor and the fifth transistor, the gate of the fourth transistor. a comparator circuit supplied with a voltage corresponding to the first input voltage to the gate of the fifth transistor and the predetermined voltage supplied to the gate of the fifth transistor;
A current sense circuit, comprising: a first current mirror circuit that causes a current corresponding to a current flowing through the fifth transistor to flow out from a connection point between the fourth resistor and the fifth resistor.
前記第1の入力電圧に応じた電圧は、前記第4の抵抗と前記第5の抵抗の接続点電圧である
電流センス回路。 3. The current sense circuit according to claim 1 or 2,
A voltage corresponding to the first input voltage is a connection point voltage of the fourth resistor and the fifth resistor. A current sense circuit.
前記同相入力範囲拡大回路は、
ダイオード接続され、互いに直列接続された複数の第6のトランジスタと、前記第6のトランジスタに電流を供給する第2の電流源とを含み、複数の前記第6のトランジスタの両端に生成された電圧に応じた前記所定電圧を生成する電圧生成回路を有する
電流センス回路。 The current sensing circuit according to any one of claims 1 to 3,
The common-mode input range expansion circuit includes:
a plurality of sixth transistors diode-connected and connected in series with each other; and a second current source supplying current to the sixth transistors, wherein a voltage is generated across the plurality of sixth transistors. a current sense circuit, comprising a voltage generation circuit that generates the predetermined voltage according to the current sense circuit.
定電流を流す第3の電流源と、
前記第3の電流源の電流をコピーして、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのコレクタにそれぞれ供給する第2のカレントミラー回路と、
前記第3の電流源の電流をコピーして、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのエミッタからグランドに向かってコピーした前記電流を流す第3のカレントミラー回路とを有する入力バイアス低減回路を備えた
電流センス回路。 The current sensing circuit according to any one of claims 1 to 4,
a third current source that supplies a constant current;
a second current mirror circuit that copies the current of the third current source and supplies it to the collectors of the first transistor and the second transistor, respectively;
a third current mirror circuit that copies the current of the third current source and passes the copied current from the emitters of the first transistor and the second transistor toward ground. A current sense circuit with
前記コイルの一端が接続されたコンデンサと、
第2の入力電圧が供給される電圧源と前記コイルの他端との間に設けられ、前記コイルに前記第2の入力電圧の供給をオンオフする第7のトランジスタと、
前記コイルの一端と前記コンデンサとの間に設けられたセンス抵抗と、
前記第7のトランジスタのオンオフを制御して、前記第2の入力電圧を変換した出力電圧を出力させる制御回路とを備えた
DC/DCコンバータであって、
前記制御回路は、
前記センス抵抗に発生する電圧降下に相当する電流検出信号を出力する請求項1~5の何れか1項に記載の電流センス回路を有し、
前記出力電圧に応じた電圧と基準電圧との差分に応じた誤差信号と前記電流検出信号に応じたスロープ信号との比較に基づいて、前記第7のトランジスタをオンオフする信号を生成する、
DC/DCコンバータ。 a coil;
a capacitor to which one end of the coil is connected;
a seventh transistor provided between a voltage source to which a second input voltage is supplied and the other end of the coil for turning on and off supply of the second input voltage to the coil;
a sense resistor provided between one end of the coil and the capacitor;
A DC/DC converter comprising a control circuit for controlling on/off of the seventh transistor to output an output voltage obtained by converting the second input voltage,
The control circuit is
The current sensing circuit according to any one of claims 1 to 5, which outputs a current detection signal corresponding to the voltage drop occurring in the sense resistor,
generating a signal for turning on and off the seventh transistor based on a comparison between an error signal corresponding to a difference between a voltage corresponding to the output voltage and a reference voltage and a slope signal corresponding to the current detection signal;
DC/DC converter.
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