JP2023034155A - 有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023034155A JP2023034155A JP2021140248A JP2021140248A JP2023034155A JP 2023034155 A JP2023034155 A JP 2023034155A JP 2021140248 A JP2021140248 A JP 2021140248A JP 2021140248 A JP2021140248 A JP 2021140248A JP 2023034155 A JP2023034155 A JP 2023034155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- organometallic complex
- light
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 101
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 70
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 65
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 31
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 272
- 239000000463 material Substances 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 68
- -1 naphthalene-diyl group Chemical group 0.000 description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 50
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 42
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 39
- 230000006870 function Effects 0.000 description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 28
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 150000002678 macrocyclic compounds Chemical class 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Chemical class 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 4
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000003113 dilution method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- JRTIUDXYIUKIIE-KZUMESAESA-N (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene;nickel Chemical compound [Ni].C\1C\C=C/CC\C=C/1.C\1C\C=C/CC\C=C/1 JRTIUDXYIUKIIE-KZUMESAESA-N 0.000 description 2
- VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 1,5-cyclooctadiene Chemical compound C1CC=CCCC=C1 VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004912 1,5-cyclooctadiene Substances 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- NSABRUJKERBGOU-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 NSABRUJKERBGOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M lithium;8-hydroxyquinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- AVKICCCNTFCREG-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichlorohexan-2-one Chemical compound CCCCC(=O)C(Cl)Cl AVKICCCNTFCREG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHKJHQBOAJQXQR-UHFFFAOYSA-N 1H-azirine Chemical compound N1C=C1 ZHKJHQBOAJQXQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoprop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C(=C)C#N IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 2H-isoindole Chemical compound C1=CC=CC2=CNC=C21 VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 2h-thiazine Chemical compound N1SC=CC=C1 AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDASUJMDVPTNTF-UHFFFAOYSA-N 5,7-dibromo-8-quinolinol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=C(Br)C=C(Br)C2=C1 ZDASUJMDVPTNTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004838 Heat curing adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910004542 HfN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004839 Moisture curing adhesive Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910008322 ZrN Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001492 aromatic hydrocarbon derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N azepane Chemical compound C1CCCNCC1 ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYOVOXDWRFGKEX-UHFFFAOYSA-N azepine Chemical compound N1C=CC=CC=C1 XYOVOXDWRFGKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N azetidine Chemical compound C1CNC1 HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- SURLGNKAQXKNSP-DBLYXWCISA-N chlorin Chemical compound C\1=C/2\N/C(=C\C3=N/C(=C\C=4NC(/C=C\5/C=CC/1=N/5)=CC=4)/C=C3)/CC\2 SURLGNKAQXKNSP-DBLYXWCISA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- WDFKMLRRRCGAKS-UHFFFAOYSA-N chloroxine Chemical compound C1=CN=C2C(O)=C(Cl)C=C(Cl)C2=C1 WDFKMLRRRCGAKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 238000005695 dehalogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002518 isoindoles Chemical class 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000003120 macrolide antibiotic agent Substances 0.000 description 1
- 229940041033 macrolides Drugs 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005267 main chain polymer Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004309 pyranyl group Chemical class O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005412 pyrazyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004892 pyridazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005495 pyridazyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004322 quinolinols Chemical group 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000005266 side chain polymer Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005556 thienylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N tiliquinol Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(O)C2=N1 RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】光学的又は電気的に優れた機能を有する有機金属錯体とその合成方法、当該有機金属錯体を含有するフィルム及び有機エレクトロニクスデバイスを提供する。【解決手段】有機金属錯体は、下記一般式(1)で表される構造を有する。TIFF2023034155000015.tif44165(式中、Mは、ナトリウム以外の金属原子又はイオンを表す。Ar1は、各々独立に、2価の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。mは、0~6の自然数を表す。Ar2は、各々独立に、金属原子又はイオンMと結合している少なくとも1つの窒素原子を有する2価の芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。nは、1~6の自然数を表す。また、m及びnは、4≦m+n≦12を満たす。)【選択図】なし
Description
本発明は、有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳しくは、光学的又は電子工学的に優れた機能を有する有機金属錯体とその合成方法、当該有機金属錯体を含有するフィルム及び有機エレクトロニクスデバイス、特に、駆動電圧が低下し外部取り出し効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することに関する。
ポルフィリン、マクロライド、クラウンエーテル等の概ね10個以上の原子からなる環状構造を持つ有機化合物は、大員環化合物と呼ばれ、一部は、環状構造の中心において金属原子又はイオンと配位し、錯体を形成することができる。
このような大員環化合物を配位子とする有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有するものが多く、さまざまな分野で利用されている。例えば、フタロシアニンは、立体障害の少ない平面構造をとるため、分子全体にπ電子共役系が広がっており、銅との錯体においては、色合いに優れ鮮明で、耐久性に優れることから、青色の有機顔料、記録媒体としてのCD-R、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機トランジスタ等に幅広く利用されている。
このような大員環化合物は、特異な構造に由来してさまざまな機能を有しており、幅広い分野での利用が期待されている一方、簡便でかつ効率的な製造(合成)方法は限られている。このため、大員環化合物及び大員環化合物を配位子とする有機金属錯体の、簡便でかつ効率的な製造方法については、研究・開発が重ねられてきた。
非特許文献1では、6つのピリジンが単結合により結合した環状化合物の合成方法について記載されている。しかし、当該合成方法では、結合した6つのピリジンの両末端を選択的に結合させる方法については記載されておらず、環状化合物の収率は極めて低かった。
非特許文献2及び3についても、選択的に環状化合物を合成する方法については、記載されておらず、環状化合物の収率は極めて低かった。また、非特許文献2に記載の技術は、中心の金属原子又はイオンがナトリウムの場合についてのみ用いることができ、その他の金属種を用いる技術については更に検討する余地があった。
Newkome,G.R.et al.J.Am.Chem.Soc.1983,105,5956.
Toner,J.L.Tetrahedron Lett.1983.24.2707.
Bell,T.W.et al.J.Am.Chem.Soc.1986,108,8109
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有する有機金属錯体とその合成方法、当該有機金属錯体を含有するフィルム及び有機エレクトロニクスデバイス、特に、駆動電圧が低下し外部取り出し効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、下記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする有機金属錯体において、光学的又は電気的に優れた機能を有することを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
1.下記一般式(1)で表される構造を有する
ことを特徴とする有機金属錯体。
ことを特徴とする有機金属錯体。
(式中、Mは、ナトリウム以外の金属原子又はイオンを表す。Ar1は、各々独立に、2価の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。mは、0~6の自然数を表す。mが、2~6の自然数を表す場合、m個のAr1は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。Ar2は、各々独立に、金属原子又はイオンMと結合している少なくとも1つの窒素原子を有する2価の芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。nは、1~6の自然数を表す。nが2~6の自然数を表す場合、n個のAr2は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。また、m及びnは、4≦m+n≦12を満たす。なお、m個のAr1及びn個のAr2の結合順序は、特に制限されない。)
2.前記有機金属錯体が、下記一般式(2)で表される構造を有する
ことを特徴とする第1項に記載の有機金属錯体。
ことを特徴とする第1項に記載の有機金属錯体。
(式中、Mは、ナトリウム以外の金属原子又はイオンを表す。Ar2は、各々独立に、金属原子又はイオンMと結合している少なくとも1つの窒素原子を有する2価の芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。nは、4~8の自然数を表し、n個のAr2は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。)
3.前記有機金属錯体が、下記一般式(3)で表される構造を有する
ことを特徴とする第2項に記載の有機金属錯体。
ことを特徴とする第2項に記載の有機金属錯体。
(式中、R1~R3は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。M及びnは、それぞれ、一般式(2)におけるM及びnと同義である。なお、nは、4~8の自然数を表し、n個のR1~R3は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。)
4.第1項から第3項までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を合成する有機金属錯体の合成方法であって、
金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程を有する
ことを特徴とする有機金属錯体の合成方法。
金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程を有する
ことを特徴とする有機金属錯体の合成方法。
5.第1項から第3項までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する
ことを特徴とするフィルム。
ことを特徴とするフィルム。
6.第1項から第3項までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する有機機能層を有する
ことを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス。
ことを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス。
7.第1項から第3項までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する有機機能層を有する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明の上記手段により、光学的又は電子工学的に優れた機能を有する有機金属錯体とその合成方法、当該有機金属錯体を含有するフィルム及び有機エレクトロニクスデバイス、特に、駆動電圧が低下し外部取り出し効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
大員環化合物は、優れた機能を有するものが多く、幅広い分野での利用が期待されている一方、簡便でかつ効率的な製造(合成)方法は限られている。このため、大員環化合物の、簡便でかつ効率的な製造方法については、研究・開発が重ねられてきた。
一般的に、大員環化合物を合成する際の環状化反応は、環状化させたい反応点同士が出会う確率が低いため、反応物が鎖状に結合した化合物が生成しやすく、環状の化合物は生成しづらい。環状化合物の収率を向上させる方法としては、後述する高度希釈法が用いられるが、大量の溶媒を必要とするため、技術的・コスト的負荷が大きい。
本発明者が検討を重ねたところ、後述する鋳型反応を用いることにより、技術的・コスト的負荷を抑えつつ、高い収率で環状化合物が合成できることがわかった。また、この鋳型反応を用いることにより、大員環化合物を配位子とする有機金属錯体が形成されるが、この有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有することがわかった。さらに、ここで形成される有機金属錯体の金属種は、鋳型反応に用いられる特定の金属種であるが、大員環化合物を合成した後、中心の金属種を入れ替えることによって、その他の金属種を用いた有機金属錯体を合成できることがわかった。
本発明の有機金属錯体は、上記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする。
この特徴は、下記実施形態に共通する又は対応する技術的特徴である。
この特徴は、下記実施形態に共通する又は対応する技術的特徴である。
本発明の実施形態としては、本発明の効果発現の観点から、前記有機金属錯体が、上記一般式(2)で表される構造を有することが好ましく、さらに、上記一般式(3)で表される構造を有することが好ましい。
本発明の有機金属錯体の合成方法は、金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程を有することを特徴とする。
また、本発明の有機金属錯体は、好適にフィルムに含有される。
さらに、本発明の有機金属錯体は、有機エレクトロニクスデバイスや有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機機能層に好適に含有される。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「~」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
≪本発明の有機金属錯体の概要≫
本発明の有機金属錯体は、下記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする。
本発明の有機金属錯体は、下記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする。
(式中、Mは、ナトリウム以外の金属原子又はイオンを表す。Ar1は、各々独立に、2価の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。mは、0~6の自然数を表す。mが、2~6の自然数を表す場合、m個のAr1は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。Ar2は、各々独立に、金属原子又はイオンMと結合している少なくとも1つの窒素原子を有する2価の芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。nは、1~6の自然数を表す。nが2~6の自然数を表す場合、n個のAr2は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。また、m及びnは、4≦m+n≦12を満たす。なお、m個のAr1及びn個のAr2の結合順序は、特に制限されない。)
本発明において、「錯体」とは、1つの原子又はイオンを中心として、その周りにいくつかの他の原子、イオン、分子又は原子団(これらを「配位子」という。)が、方向性をもって立体的に結合してつくる1つの原子集団のことをいう。なお、結合は、上記一般式(1)において、金属原子又はイオンMとAr2とをつなぐ点線で表される。
錯体の中でも、中心の原子又はイオンが金属原子又はイオンである場合を、「金属錯体」といい、さらに、配位子が有機化合物である場合を、「有機金属錯体」という。
本発明の有機金属錯体は、Ar1及びAr2、又はAr2のみにより構成される大員環化合物と金属原子又はイオンMが結合して形成される。詳しくは、上記一般式(1)の点線で示すとおり、Ar2中の1つの窒素原子が金属原子又はイオンMと結合する。この結合の仕組みは断定できないが、配位結合により結合していると考えられる。なお、Ar1中の原子と金属原子又はイオンMは、結合していても結合していなくてもよい。
「配位結合」とは、結合を形成する2つの原子の一方からのみ結合電子が分子軌道に提供される化学結合のことをいう。本発明においては、Ar2中の1つの窒素原子の非共有電子対が提供され、金属原子又はイオンMと配位結合すると考えられる。
本発明の有機金属錯体において、配位子である大員環化合物は環状構造を有し、金属原子又はイオンMと配位結合するAr2中の1つの窒素原子は、環状構造の内側に位置する。窒素原子が環状構造の内側に位置することにより、環状構造の中心において金属原子又はイオンが配位しやすくなる。
本発明に係る大員環化合物は、上記一般式(1)の曲線で示すとおり、m個のAr1及びn個のAr2が、それぞれ、一か所の単結合により相互に結合した構造であり、そのうち、Ar2が、金属原子又はイオンMとの配位結合に寄与する。また、Ar2において、窒素原子は2つ以上含まれていてもよいが、そのうち1つのみが金属原子又はイオンMとの配位結合に寄与する。そのため、大員環化合物と金属原子又はイオンMとの配位結合数はnであり、nは1~6の自然数をとり得ることから、本発明の有機金属錯体における配位結合数は、1~6の範囲内である。配位結合数を変化させることにより、本発明の有機金属錯体の特性が変化する。
一例として、金属原子又はイオンMがNiである場合を考える。金属原子又はイオンの配位数はそれぞれの金属に固有のものであり、Niについては、配位数4又は6をとり得る。配位数が4である場合には、4つの配位結合が全て平面上にあるため、大員環化合物と4つの配位結合を有することが、安定性の観点から好ましい。また、配位数が6である場合には、大員環化合物と4つの配位結合を有し、さらに、他の配位子と2つの配位結合を有していることが、安定性の観点から好ましい。
なお、金属原子又はイオンMの配位数は限定されず、後述の本発明の有機金属錯体の製造方法で示すMO-9のように、大員環化合物と5つの配位結合を有し、さらに2つの塩化物イオンと配位結合を有してもよい。
本発明の有機金属錯体における配位結合数は、Ar1及びAr2の種類、並びに、中心の金属原子又はイオンの種類によって選択され得る。
m及びnは、4≦m+n≦12を満たす。m+nの値が3以下であると、環状構造を形成できない、又は、環状構造を形成できても環の中心の空孔に金属原子又はイオンが入り込めず、有機金属錯体を形成できない。また、m+nの値が13以上であると、空孔が大きくなりすぎてしまい、金属原子又はイオンMと窒素原子との距離が大きくなるため、配位結合しづらくなる。
m及びnは、4≦m+n≦8であることが好ましく、5≦m+n≦6であることがより好ましい。m+nの値が、上記範囲内であることにより、大員環化合物が立体障害の少ない平面構造となるため、分子全体にπ電子共役系が広がりやすくなる。また、空孔の大きさが小さすぎたり大きすぎたりしないため、金属原子又はイオンMと窒素原子が配位結合しやすい。
Ar1は、各々独立に、2価の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。Ar1は、金属原子又はイオンMとは、結合していても結合していなくてもよい。また、mは、0~6の自然数を表す。mが、2~6の自然数を表す場合、m個のAr1は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。
「2価の芳香族炭化水素基(「アリーレン基」ともいう。)」とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子2個を除いた2価の基、及び当該2価の基からなる群から選ばれる複数個(例えば、2~5個)が結合した2価の基のことをいう。2価の芳香族炭化水素基の炭素原子数は、通常、6~60であり、好ましくは6~30であり、より好ましくは6~18である。
2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレン-ジイル基、アントラセン-ジイル基、フェナントレン-ジイル基、ジヒドロフェナントレン-ジイル基、ナフタセン-ジイル基、フルオレン-ジイル基、ピレン-ジイル基、ペリレン-ジイル基、クリセン-ジイル基等が挙げられる。
また、「2価の芳香族複素環基」とは、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち2個の水素原子を除いた2価の基、及び当該2価の基からなる群から選ばれる複数(例えば、2~4個)が結合した2価の基のことをいう。
2価の芳香族複素環基(「ヘテロアリーレン基」ともいう。)としては、例えば、ピリジレン基(ピリジン-ジイル基)、ピリダジン-ジイル基、イミダゾール-ジイル基、チエニレン(チオフェン-ジイル基)、キノリレン基(キノリン-ジイル基)、イソキノリレン基(イソキノリン-ジイル基)、オキサゾール-ジイル基、チアゾール-ジイル基、オキサジアゾール-ジイル基、ベンゾチアゾール-ジイル基、ベンゾチアジアゾール-ジイル基、フタルイミド-ジイル基、チエノチアゾール-ジイル基、チアゾロチアゾール-ジイル基、チエノチオフェン-ジイル基、チエノオキサゾール-ジイル基、ジベンゾフラン-ジイル基、ジベンゾチオフェン-ジイル基、カルバゾール-ジイル基などが挙げられる。
これらの芳香族基(芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基)は、任意の位置に置換基を有していても良い。
置換基としては、例えば、フェニル基、ピリジル基、ピロール基、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、トリアジニル基などの芳香族基、及びそれらがさらに縮合した縮合芳香族基(例えば、ナフチル基、キノリル基、イミダゾリル基、インドロイミダゾリル基、イミダゾイミダゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、アザジベンゾフリル基、ベンズイミダゾリル基、キナゾリル基、ベンゾピラジニル基、など)、アルキル、分岐アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニルなどの脂肪族基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、カルボニル基、アシル基、エステル基、ウレイド基、ウレタン基、などの置換基、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子などが挙げられ、中でも、芳香族基(縮合体を含む)、脂肪族基、シアノ基、アルコキシ基、フッ素原子であることが好ましい。
置換基としては、例えば、フェニル基、ピリジル基、ピロール基、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、トリアジニル基などの芳香族基、及びそれらがさらに縮合した縮合芳香族基(例えば、ナフチル基、キノリル基、イミダゾリル基、インドロイミダゾリル基、イミダゾイミダゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、アザジベンゾフリル基、ベンズイミダゾリル基、キナゾリル基、ベンゾピラジニル基、など)、アルキル、分岐アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニルなどの脂肪族基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、カルボニル基、アシル基、エステル基、ウレイド基、ウレタン基、などの置換基、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子などが挙げられ、中でも、芳香族基(縮合体を含む)、脂肪族基、シアノ基、アルコキシ基、フッ素原子であることが好ましい。
Ar2は、各々独立に、金属原子又はイオンMと結合している少なくとも1つの窒素原子を有する2価の芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよく、縮環していてもよい。nは、1~6の自然数を表す。nが2~6の自然数を表す場合、n個のAr2は、全て同じでも、全て異なっていてもよい。
したがって、Ar2は、上記2価の芳香族複素環基のうち、窒素原子を有するものであり、例えば、ピリジレン基(ピリジン-ジイル基)、ピリダジン-ジイル基、イミダゾール-ジイル基、キノリレン基(キノリン-ジイル基)、イソキノリレン基(イソキノリン-ジイル基)、オキサゾール-ジイル基、チアゾール-ジイル基、オキサジアゾール-ジイル基、ベンゾチアゾール-ジイル基、ベンゾチアジアゾール-ジイル基、フタルイミド-ジイル基、チエノチアゾール-ジイル基、チアゾロチアゾール-ジイル基、チエノオキサゾール-ジイル基、カルバゾール-ジイル基などが挙げられる。
金属原子又はイオンMとしては、ナトリウム以外であれば特に制限されず、例えば、Li、K、Mg、Ca、Sr、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Pd、Ag、Rh、Pt、Au、La、Ce、Er、及びそのイオンなどが挙げられ、中でも、Pd、Pt、Ag、Ni、Au、Rh、Ir、Co、Cu、及びそのイオン等が挙げられる。
金属原子又はイオンMは、特に制限されないが、大員環化合物の空孔の大きさによって、配位できる金属が選択される。また、形成される有機金属錯体の特性は、配位する金属によって、大きく変化する。
以下に、本発明の有機金属錯体の例を示す。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記化学構造式において、Ar2中の1つの窒素原子と金属原子又はイオンMとの結合を点線で表し、Ar1中の原子と金属原子又はイオンとの結合を実線で表す。また、MO-20のRにおける*印は、Eu原子との結合箇所を表す。
≪本発明の有機金属錯体の製造方法≫
本発明の有機金属錯体の製造(合成)方法は、金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程を有することを特徴とする。
本発明の有機金属錯体の製造(合成)方法は、金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程を有することを特徴とする。
また、本発明の有機金属錯体の製造方法は、1)金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程、に加え、必要に応じて、2)中心の金属原子又はイオンを入れ替える工程を有する。
通常、大員環化合物を合成しようとすると、環状化させたい反応点同士が出会う確率が低いため、反応物が鎖状に結合した化合物が生成しやすく、環状化合物は生成しづらい。そのため、溶媒を通常よりも非常に大量に用いることで、環状化させたい反応点同士が出会う確率を相対的に上げ、環状化合物の収率を向上させる方法(高度希釈法)が用いられる。しかし、大量の溶媒を必要とするため、技術的・コスト的負荷が大きい。
本発明の有機金属錯体は、このような高度希釈法を用いずとも、鋳型反応下においてカップリング反応を生じさせることにより、環状化合物を高い収率で合成することができる。
「鋳型反応」とは、有機化合物の合成方法において、金属原子又はイオンを共存させることにより、反応物が金属原子又はイオンと配位結合し、環状化に都合の良い位置状態で合成が進行する反応のことをいう。本発明においては、上記一般式(1)におけるAr2中の1つの窒素原子の非共有電子対が提供され、金属原子又はイオンMと配位結合すると考えられる。
しかし、鋳型反応は、Ni、Pd等の特定の金属原子又はイオン共存下でのみ生じるため、Ni、Pd等の金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化した後、中心の金属原子又はイオンを入れ替えることによって、その他の金属原子又はイオンを用いた有機金属錯体を合成することができる。
以下、本発明の有機金属錯体の製造方法の一例について説明する。
(金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程)
2,2’-ビピリジル(23.4g、150.0mmol)、1,5-シクロオクタジエン(18.4mL、150.0mmol)、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)(41.3g、150.0mmol)に、DMF(62.5mL)とトルエン(62.5mL)を加え、80℃で30分間撹拌した。化合物2(3.78g、15.0mmol)のトルエン溶液(250mL)を、1時間かけて混合物に滴下して加え、80℃でさらに16時間撹拌を続けた。反応混合物を室温まで冷まし、2Mの塩酸(300mL)を加え、空気下で一晩激しく撹拌した。CH2Cl2(400mL×3)で抽出し、有機層を飽和食塩水(200mL)で洗浄し、Na2SO4上で乾燥させた後、真空で濃縮した。粗生成物をシリカゲルショートパス(溶離液:CHCl3:MeOH=20:1)に通し、さらに、GPC(YMC T30000、T4000、T2000カラム、溶媒:CHCl3)で精製することで、化合物MO-9を黄色の固体として収率57%で得た(1.77g、1.71mmol)。なお、質量分析(MALDI-TOF MS)により、生成物が化合物MO-9であることがわかった。
2,2’-ビピリジル(23.4g、150.0mmol)、1,5-シクロオクタジエン(18.4mL、150.0mmol)、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)(41.3g、150.0mmol)に、DMF(62.5mL)とトルエン(62.5mL)を加え、80℃で30分間撹拌した。化合物2(3.78g、15.0mmol)のトルエン溶液(250mL)を、1時間かけて混合物に滴下して加え、80℃でさらに16時間撹拌を続けた。反応混合物を室温まで冷まし、2Mの塩酸(300mL)を加え、空気下で一晩激しく撹拌した。CH2Cl2(400mL×3)で抽出し、有機層を飽和食塩水(200mL)で洗浄し、Na2SO4上で乾燥させた後、真空で濃縮した。粗生成物をシリカゲルショートパス(溶離液:CHCl3:MeOH=20:1)に通し、さらに、GPC(YMC T30000、T4000、T2000カラム、溶媒:CHCl3)で精製することで、化合物MO-9を黄色の固体として収率57%で得た(1.77g、1.71mmol)。なお、質量分析(MALDI-TOF MS)により、生成物が化合物MO-9であることがわかった。
(中心の金属原子又はイオンを入れ替える工程)
実施例1と同様に、2,2’-ビピリジル、1,5-シクロオクタジエン、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)のDMF/トルエン溶液に10当量のCuCl(14.9g、150mmol)を加えた以外は全く同様にして、合成を行うことにより、銅錯体MO-11が生成した。なお、質量分析により、生成物が化合物MO-11であることがわかった。
実施例1と同様に、2,2’-ビピリジル、1,5-シクロオクタジエン、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)のDMF/トルエン溶液に10当量のCuCl(14.9g、150mmol)を加えた以外は全く同様にして、合成を行うことにより、銅錯体MO-11が生成した。なお、質量分析により、生成物が化合物MO-11であることがわかった。
≪本発明のフィルム≫
本発明の有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有しており、フィルム化することにより様々な用途に応用でき、例えば、光るプラスチック、ディスプレイの発光色制御フィルム、感温シートなどが挙げられる。本発明の有機金属錯体は、環状の配位子を用いることで熱力学的安定性を利用できるため、錯体の安定性が高く、特に、ディスプレイ用カラーフィルターに有用である。
本発明の有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有しており、フィルム化することにより様々な用途に応用でき、例えば、光るプラスチック、ディスプレイの発光色制御フィルム、感温シートなどが挙げられる。本発明の有機金属錯体は、環状の配位子を用いることで熱力学的安定性を利用できるため、錯体の安定性が高く、特に、ディスプレイ用カラーフィルターに有用である。
本発明のフィルムの厚さは、特に制限されないが、10~1500μmの範囲内であることが好ましく、20~1000μmの範囲内であることがより好ましい。
本発明のフィルムは、剥離層を有する基板上に単層フィルムとして形成し、剥離してもよい。また、基板上に形成し、各種の機能層を有する積層フィルムとしてもよい。
本発明のフィルムは、プラスチック材料に有機金属錯体を配合させて作製することができる。有機金属錯体の配合量は、プラスチック材料の総質量に対して、1~50質量%の範囲内であることが好ましい。プラスチック材料としては、特に制限されず、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、尿素樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が挙げられる。
フィルムの作製方法は、特に制限されず、従来公知の方法で作製できる。なお、後述の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における、有機機能層の形成工程に記載の方法を用いてもよい。
また、配位子である大員環化合物を重合させて、フィルムを作製することもできる。大員環化合物を重合させる方法については、公知の合成方法(非特許文献:高分子化学 合成編、中條善樹他著、丸善出版、2010年6月発行)に記載の方法を利用できる。例えば分子内にあらかじめビニル基やエポキシ基等の重合性置換基を導入し、その連鎖重合により重合体を得る方法や、分子内にハロゲン置換基(「ハロゲノ基」ともいう。)を導入し、その脱ハロゲン化により縮重合を行う方法がある。
≪本発明の有機エレクトロニクスデバイス≫
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、本発明の有機金属錯体を含有する有機機能層を有することを特徴とする。本発明の有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有しており、有機機能層を構成する材料として使用することにより、有機エレクトロニクスデバイスの性能が向上し得る。
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、本発明の有機金属錯体を含有する有機機能層を有することを特徴とする。本発明の有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有しており、有機機能層を構成する材料として使用することにより、有機エレクトロニクスデバイスの性能が向上し得る。
有機エレクトロニクスデバイスとしては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機太陽電池、有機トランジスタ等が挙げられる。以下、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池について説明する。
[有機エレクトロルミネッセンス素子]
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、本発明の有機金属錯体を含有する有機機能層を有することを特徴とする。本発明の有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有しており、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」ともいう。)の材料として好適に用いることができる。
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、本発明の有機金属錯体を含有する有機機能層を有することを特徴とする。本発明の有機金属錯体は、光学的又は電子工学的に優れた機能を有しており、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」ともいう。)の材料として好適に用いることができる。
本発明の有機金属錯体を用いて製造される有機EL素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができる。中でも、(vii)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
(i)陽極/発光層/陰極
(ii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(v)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(vi)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(vii)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
(i)陽極/発光層/陰極
(ii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(v)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(vi)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(vii)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
本発明の有機EL素子において、発光層は単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(「正孔障壁層」ともいう。)や電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう。)を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(「電子障壁層」ともいう。)や正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう。)を設けてもよい。
本発明に係る電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
本発明に係る正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機機能層」という。
本発明の有機EL素子は、上記有機金属錯体を含有する有機機能層を有する。すなわち、上記有機金属錯体は、(i)~(vii)に挙げる構成において、陽極及び陰極以外のどの層に含有されていてもよい。
図1は、有機EL素子の構成の一例であり、(vi)に挙げる構成に対応する模式図である。図1では、正孔注入層4、正孔輸送層5、発光層6及び電子輸送層7が有機機能層Fである。
図2は、有機EL素子中での電荷の流れと発光のメカニズム示す模式図である。有機EL素子1に電圧を印加すると、陰極9から電子注入層8に電子(e-)が、陽極3から正孔注入層4に正孔(h+)が注入される。
続いて電子及び正孔は、電極とは反対側の隣接有機層である、電子輸送層7、正孔輸送層5にそれぞれ輸送される。
最後に発光層6において出会った電子と正孔が再結合Rして励起子が生じ、これらが励起状態から基底状態に戻るときに放出する光(蛍光・リン光)Lを利用した発光素子が、有機EL素子である。図2では、正孔注入層4から電子注入層8までが有機機能層Fである。
また、本発明の有機EL素子は、少なくとも一層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。タンデム構造においても、陽極と陰極を除いた層全体を「有機機能層」という。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
陽極/第1発光ユニット/第2発光ユニット/第3発光ユニット/陰極
陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/中間層/第3発光ユニット/陰極
陽極/第1発光ユニット/第2発光ユニット/第3発光ユニット/陰極
陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/中間層/第3発光ユニット/陰極
ここで、上記第1発光ユニット、第2発光ユニット及び第3発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また、二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。さらに、第3発光ユニットはなくてもよく、一方で第3発光ユニットと電極の間にさらに発光ユニットや中間層を設けてもよい。
複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料及び構成を用いることができる。
中間層に用いられる材料としては、特に制限されず、例えば、ITO(インジウム・スズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)、ZnO2、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、CuI、InN、GaN、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaB6、RuO2、Al等の導電性無機化合物層や、Au/Bi2O3等の二層膜や、SnO2/Ag/SnO2、ZnO/Ag/ZnO、Bi2O3/Au/Bi2O3、TiO2/TiN/TiO2、TiO2/ZrN/TiO2等の多層膜、また、C60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられる。
発光ユニット内の好ましい構成としては、特に制限されず、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた(i)~(vii)の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられる。
タンデム型有機EL素子の具体例としては、特に制限されず、例えば、米国特許第6337492号明細書、米国特許第7420203号明細書、米国特許第7473923号明細書、米国特許第6872472号明細書、米国特許第6107734号明細書、米国特許第6337492号明細書、国際公開第2005/009087号、特開2006-228712号公報、特開2006-24791号公報、特開2006-49393号公報、特開2006-49394号公報、特開2006-49396号公報、特開2011-96679号公報、特開2005-340187号公報、特許第4711424号公報、特許第3496681号公報、特許第3884564号公報、特許第4213169号公報、特開2010-192719号公報、特開2009-076929号公報、特開2008-078414号公報、特開2007-059848号公報、特開2003-272860号公報、特開2003-045676号公報、国際公開第2005/094130号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられる。
<1 有機エレクトロルミネッセンス素子の構成要素>
以下、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
以下、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
(発光層)
「発光層」とは、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層のことをいう。発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。
「発光層」とは、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層のことをいう。発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。
また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。本発明に係る発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成は特に制限されない。
発光層の厚さの総和は、特に制限されないが、形成する層の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm~5μmの範囲内であることが好ましく、2~500nmの範囲内であることがより好ましく、5~200nmの範囲内であることが更に好ましい。なお、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層の厚さも、発光層の厚さの総和に含まれる。
発光層には、発光ドーパント(以下、「発光性ドーパント化合物」、「ドーパント化合物」、単に「ドーパント」ともいう。)と、ホスト化合物(以下、「マトリックス材料」、「発光ホスト化合物」、単に「ホスト」ともいう。)と、を含有することが好ましく、発光性材料より発光させることが好ましい。
(1)発光ドーパント
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント(以下、「蛍光ドーパント」又は「蛍光性化合物」ともいう。)と、リン光発光性ドーパント(以下、「リン光ドーパント」又は「リン光性化合物」ともいう。)が好ましく用いられる。本発明においては、特に、リン光発光性ドーパント、又は、蛍光発光性ドーパントの中でも、熱活性型遅延蛍光発光性化合物(Thermally Activated Delayed Fluorescence:TADF)を用いることが好ましい。
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント(以下、「蛍光ドーパント」又は「蛍光性化合物」ともいう。)と、リン光発光性ドーパント(以下、「リン光ドーパント」又は「リン光性化合物」ともいう。)が好ましく用いられる。本発明においては、特に、リン光発光性ドーパント、又は、蛍光発光性ドーパントの中でも、熱活性型遅延蛍光発光性化合物(Thermally Activated Delayed Fluorescence:TADF)を用いることが好ましい。
発光層における発光ドーパントの濃度は、使用する特定のドーパント及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の厚さ方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、発光ドーパントは、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なるドーパント同士の組み合わせや、蛍光発光性ドーパントとリン光発光性ドーパントとを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。
有機EL素子の発光色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000(コニカミノルタ(株)製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
本発明においては、一層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。
白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に制限されないが、例えば青と橙や、青と緑と赤との組み合わせ等が挙げられる。
本発明における白色とは、特に制限されず、橙色寄りの白色であっても青色寄りの白色であってもよいが、2度視野角正面輝度を上記の方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がx=0.39±0.09、y=0.38±0.08の領域内にあることが好ましい。
白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に制限されないが、例えば青と橙や、青と緑と赤との組み合わせ等が挙げられる。
本発明における白色とは、特に制限されず、橙色寄りの白色であっても青色寄りの白色であってもよいが、2度視野角正面輝度を上記の方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がx=0.39±0.09、y=0.38±0.08の領域内にあることが好ましい。
(1.1)リン光発光性ドーパント
本発明に係るリン光発光性ドーパント(以下、「リン光ドーパント」ともいう。)について説明する。
リン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
本発明に係るリン光発光性ドーパント(以下、「リン光ドーパント」ともいう。)について説明する。
リン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は、原理としては二種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
本発明においては、リン光ドーパントとして、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Ir又はPtである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の発光層に使用される公知のリン光ドーパントを用いることができる。また、上記金属錯体と公知のリン光ドーパントを併用してもよい。公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国際公開第2009/100991号、国際公開第2008/101842号、国際公開第2003/040257号、米国特許公開第2006/835469号明細書、米国特許公開第2006/0202194号明細書、米国特許公開第2007/0087321号明細書、米国特許公開第2005/0244673号明細書、Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.Int.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国際公開第2009/050290号、国際公開第2002/015645号、国際公開第2009/000673号、米国特許公開第2002/0034656号明細書、米国特許第7332232号明細書、米国特許公開第2009/0108737号明細書、米国特許公開第2009/0039776号明細書、米国特許第6921915号明細書、米国特許第6687266号明細書、米国特許公開第2007/0190359号明細書、米国特許公開第2006/0008670号明細書、米国特許公開第2009/0165846号明細書、米国特許公開第2008/0015355号明細書、米国特許第7250226号明細書、米国特許第7396598号明細書、米国特許公開第2006/0263635号明細書、米国特許公開第2003/0138657号明細書、米国特許公開第2003/0152802号明細書、米国特許第7090928号明細書、Angew.Chem.Int.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国際公開第2002/002714号、国際公開第2006/009024号、国際公開第2006/056418号、国際公開第2005/019373号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2007/004380号、国際公開第2006/082742号、米国特許公開第2006/0251923号明細書、米国特許公開第2005/0260441号明細書、米国特許第7393599号明細書、米国特許第7534505号明細書、米国特許第7445855号明細書、米国特許公開第2007/0190359号明細書、米国特許公開第2008/0297033号明細書、米国特許第7338722号明細書、米国特許公開第2002/0134984号明細書、米国特許第7279704号明細書、米国特許公開第2006/098120号明細書、米国特許公開第2006/103874号明細書、国際公開第2005/076380号、国際公開第2010/032663号、国際公開第2008/140115号、国際公開第2007/052431号、国際公開第2011/134013号、国際公開第2011/157339号、国際公開第2010/086089号、国際公開第2009/113646号、国際公開第2012/020327号、国際公開第2011/051404号、国際公開第2011/004639号、国際公開第2011/073149号、米国特許公開第2012/228583号明細書、米国特許公開第2012/212126号明細書、特開2012-069737号公報、特開2012-195554号公報、特開2009-114086号公報、特開2003-81988号公報、特開2002-302671号公報、特開2002-363552号公報等である。
(1.2)蛍光発光性ドーパント
本発明に係る蛍光発光性ドーパント(以下、「蛍光ドーパント」ともいう)について説明する。
蛍光ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。
本発明に係る蛍光発光性ドーパント(以下、「蛍光ドーパント」ともいう)について説明する。
蛍光ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。
本発明においては、蛍光ドーパントとして、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Cu又はEuである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の発光層に使用される公知の蛍光ドーパントを用いることができる。また、上記金属錯体と公知の蛍光ドーパントを併用してもよい。公知の蛍光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
本発明に係る蛍光ドーパントとしては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又は、希土類錯体系化合物等が挙げられる。
また、熱活性型遅延蛍光発光性化合物を用いてもよい。具体例としては、例えば、国際公開第2011/156793号、特開2011-213643号公報、特開2010-93181号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
(2)ホスト化合物
本発明に係るホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機EL素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物であることが好ましく、リン光量子収率が0.01未満の化合物であることがより好ましい。
本発明に係るホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機EL素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物であることが好ましく、リン光量子収率が0.01未満の化合物であることがより好ましい。
ホスト化合物の含有量は、発光層に含有される化合物の全質量に対して、20質量%以上であることが好ましい。なお、ホスト化合物の励起状態エネルギーは、同一層内に含有される発光ドーパントの励起状態エネルギーよりも高いことが好ましい。
本発明においては、ホスト化合物として、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMがIrである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の発光層に使用される公知のホスト化合物を用いることができる。また、上記金属錯体と公知のホスト化合物を併用してもよい。
ホスト化合物は、低分子化合物でも、繰り返し単位を有する高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような反応性基を有する化合物でもよい。ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用してもよい。ホスト化合物を複数種併用することで、電荷の移動を調整することができ、有機EL素子を高効率化することができる。
また、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機EL素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、ホスト化合物は、高いガラス転移温度(Tg)を有することが好ましい。好ましくはTgが90℃以上であり、より好ましくは120℃以上である。ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Calorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS-K-7121に準拠した方法により求められる値である。
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
特開2001-257076号公報、特開2002-308855号公報、特開2001-313179号公報、特開2002-319491号公報、特開2001-357977号公報、特開2002-334786号公報、特開2002-8860号公報、特開2002-334787号公報、特開2002-15871号公報、特開2002-334788号公報、特開2002-43056号公報、特開2002-334789号公報、特開2002-75645号公報、特開2002-338579号公報、特開2002-105445号公報、特開2002-343568号公報、特開2002-141173号公報、特開2002-352957号公報、特開2002-203683号公報、特開2002-363227号公報、特開2002-231453号公報、特開2003-3165号公報、特開2002-234888号公報、特開2003-27048号公報、特開2002-255934号公報、特開2002-260861号公報、特開2002-280183号公報、特開2002-299060号公報、特開2002-302516号公報、特開2002-305083号公報、特開2002-305084号公報、特開2002-308837号公報、米国特許公開第2003/0175553号明細書、米国特許公開第2006/0280965号明細書、米国特許公開第2005/0112407号明細書、米国特許公開第2009/0017330号明細書、米国特許公開第2009/0030202号明細書、米国特許公開第2005/0238919号明細書、国際公開第2001/039234号、国際公開第2009/021126号、国際公開第2008/056746号、国際公開第2004/093207号、国際公開第2005/089025号、国際公開第2007/063796号、国際公開第2007/063754号、国際公開第2004/107822号、国際公開第2005/030900号、国際公開第2006/114966号、国際公開第2009/086028号、国際公開第2009/003898号、国際公開第2012/023947号、特開2008-074939号公報、特開2007-254297号公報、EP第2034538号明細書等である。
特開2001-257076号公報、特開2002-308855号公報、特開2001-313179号公報、特開2002-319491号公報、特開2001-357977号公報、特開2002-334786号公報、特開2002-8860号公報、特開2002-334787号公報、特開2002-15871号公報、特開2002-334788号公報、特開2002-43056号公報、特開2002-334789号公報、特開2002-75645号公報、特開2002-338579号公報、特開2002-105445号公報、特開2002-343568号公報、特開2002-141173号公報、特開2002-352957号公報、特開2002-203683号公報、特開2002-363227号公報、特開2002-231453号公報、特開2003-3165号公報、特開2002-234888号公報、特開2003-27048号公報、特開2002-255934号公報、特開2002-260861号公報、特開2002-280183号公報、特開2002-299060号公報、特開2002-302516号公報、特開2002-305083号公報、特開2002-305084号公報、特開2002-308837号公報、米国特許公開第2003/0175553号明細書、米国特許公開第2006/0280965号明細書、米国特許公開第2005/0112407号明細書、米国特許公開第2009/0017330号明細書、米国特許公開第2009/0030202号明細書、米国特許公開第2005/0238919号明細書、国際公開第2001/039234号、国際公開第2009/021126号、国際公開第2008/056746号、国際公開第2004/093207号、国際公開第2005/089025号、国際公開第2007/063796号、国際公開第2007/063754号、国際公開第2004/107822号、国際公開第2005/030900号、国際公開第2006/114966号、国際公開第2009/086028号、国際公開第2009/003898号、国際公開第2012/023947号、特開2008-074939号公報、特開2007-254297号公報、EP第2034538号明細書等である。
上記に該当する例として、本発明に用いられるホスト化合物は、以下に示す一般式(a)又は(b)の部分構造を有することが好ましく、両方の部分構造を有していてもよい。
式中、Cは炭素原子を表し、R1~R12は水素原子又は置換基を表す。CR1~CR4又はCR5R6の少なくとも1つ、若しくは、CR7~CR12の少なくとも1つが、窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかで置換されており、各原子の原子価を満足するように水素原子又は置換基で置換されている。隣り合うCR基同士は環を形成してもよい。このような構造を満足する例として、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、ピリジン、キノリン、クマリン、ベンゾフラン、インドール、アクリジン、フェノキサジン、カルバゾール、カルボリン、ジベンゾフラン構造等が挙げられる。
Ar1~Ar3は、各々独立に、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、置換基を有してもよい。
(電子輸送層)
「電子輸送層」とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している層のことをいう。
電子輸送層の厚さの総和は、特に制限されないが、2nm~5μmの範囲内であることが好ましく、2~500nmの範囲内であることがより好ましく、5~200nmの範囲内であることがさらに好ましい。
「電子輸送層」とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している層のことをいう。
電子輸送層の厚さの総和は、特に制限されないが、2nm~5μmの範囲内であることが好ましく、2~500nmの範囲内であることがより好ましく、5~200nmの範囲内であることがさらに好ましい。
電子輸送層に用いられる材料(以下、「電子輸送材料」ともいう。)としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよい。
本発明においては、電子輸送材料として、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Ir又はZnである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の電子輸送層に使用される公知の材料を用いることができる。また、上記金属錯体と公知の材料を併用してもよい。
公知の電子輸送材料としては、例えば、含窒素芳香族複素環誘導体(カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子に置換されたもの)、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等)、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素誘導体(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン等)等が挙げられる。
また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス(8-キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7-ジクロロ-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7-ジブロモ-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(2-メチル-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(5-メチル-8-キノリノール)アルミニウム、ビス(8-キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリーやメタルフタロシアニン、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができ、正孔注入層及び正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又は、これらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又は、これらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
本発明に係る電子輸送層は、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、n性の高い(電子リッチ)電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のn型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平4-297076号公報、特開10-270172号公報、特開2000-196140号公報、特開2001-102175号公報、J.Appl.Phys.95,5773(2004)等の文献に記載されたものが挙げられる。
公知の電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第6528187号明細書、米国特許第7230107号明細書、米国特許公開第2005/0025993号明細書、米国特許公開第2004/0036077号明細書、米国特許公開第2009/0115316号明細書、米国特許公開第2009/0101870号明細書、米国特許公開第2009/0179554号明細書、国際公開第2003/060956号、国際公開第2008/132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、米国特許第7964293号明細書、米国特許公開第2009/030202号明細書、国際公開第2004/080975号、国際公開第2004/063159号、国際公開第2005/085387号、国際公開第2006/067931号、国際公開第2007/086552号、国際公開第2008/114690号、国際公開第2009/069442号、国際公開第2009/066779号、国際公開第2009/054253号、国際公開第2011/086935号、国際公開第2010/150593号、国際公開第2010/047707号、EP2311826号、特開2010-251675号公報、特開2009-209133号公報、特開2009-124114号公報、特開2008-277810号公報、特開2006-156445号公報、特開2005-340122号公報、特開2003-45662号公報、特開2003-31367号公報、特開2003-282270号公報、国際公開第2012/115034号、等である。
米国特許第6528187号明細書、米国特許第7230107号明細書、米国特許公開第2005/0025993号明細書、米国特許公開第2004/0036077号明細書、米国特許公開第2009/0115316号明細書、米国特許公開第2009/0101870号明細書、米国特許公開第2009/0179554号明細書、国際公開第2003/060956号、国際公開第2008/132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、米国特許第7964293号明細書、米国特許公開第2009/030202号明細書、国際公開第2004/080975号、国際公開第2004/063159号、国際公開第2005/085387号、国際公開第2006/067931号、国際公開第2007/086552号、国際公開第2008/114690号、国際公開第2009/069442号、国際公開第2009/066779号、国際公開第2009/054253号、国際公開第2011/086935号、国際公開第2010/150593号、国際公開第2010/047707号、EP2311826号、特開2010-251675号公報、特開2009-209133号公報、特開2009-124114号公報、特開2008-277810号公報、特開2006-156445号公報、特開2005-340122号公報、特開2003-45662号公報、特開2003-31367号公報、特開2003-282270号公報、国際公開第2012/115034号、等である。
中でも、本発明の電子輸送材料としては、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体であることがより好ましい。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用してもよい。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用してもよい。
(正孔阻止層)
「正孔阻止層」とは、広い意味では電子輸送層の機能を有する層のことをいう。好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、上記電子輸送層の構成を、必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
「正孔阻止層」とは、広い意味では電子輸送層の機能を有する層のことをいう。好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、上記電子輸送層の構成を、必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
正孔阻止層の厚さは、3~100nmの範囲内であることが好ましく、5~30nmの範囲内であることがより好ましい。
正孔阻止層に用いられる材料としては、上記の電子輸送層やホスト化合物に用いられる材料であることが好ましい。
(電子注入層)
「電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう。)」とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことをいい、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
「電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう。)」とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことをいい、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
電子注入層は、必要に応じて、上記のように陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に形成される。電子注入層は薄膜であることが好ましく、素材にもよるが、厚さは0.1~5nmの範囲内であることが好ましい。また、構成材料が断続的に存在する不均一な膜であってもよい。
本発明においては、電子注入層に用いられる材料として、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Ir又はZnである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の電子注入層に使用される公知の材料を用いることができる。また、上記金属錯体と公知の材料を併用してもよい。
また、電子注入層は、特開平6-325871号公報、特開平9-17574号公報、特開平10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、リチウム8-ヒドロキシキノレート(Liq)等に代表される金属錯体等が挙げられる。上記の電子輸送材料を用いることも可能である。これらの材料は単独で用いてもよく、複数種を併用してもよい。
(正孔輸送層)
「正孔輸送層」とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する層のことをいう。
正孔輸送層の厚さの総和は、特に制限されないが、5nm~5μmの範囲内であることが好ましく、2~500nmの範囲内であることがより好ましく、5~200nmの範囲内であることが更に好ましい。
「正孔輸送層」とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する層のことをいう。
正孔輸送層の厚さの総和は、特に制限されないが、5nm~5μmの範囲内であることが好ましく、2~500nmの範囲内であることがより好ましく、5~200nmの範囲内であることが更に好ましい。
正孔輸送層に用いられる材料(以下、正孔輸送材料という)としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよい。
本発明においては、正孔輸送材料として、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Ir又はCuである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の正孔輸送層に使用される公知の材料を用いることができる。また、上記金属錯体と公知の材料を併用してもよい。
公知の正孔輸送材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えばPEDOT:PSS、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
トリアリールアミン誘導体としては、α-NPDに代表されるベンジジン型や、MTDATAに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。また、特表2003-519432号公報や特開2006-135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に用いられる。
不純物をドープしたp性の高い正孔輸送材料を用いることもでき、例えば、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、特開2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載のものが挙げられる。
また、特開平11-251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料やp型-Si、p型-SiC等の無機化合物を用いることもできる。さらに、Ir(ppy)3に代表されるような中心金属にIrやPtを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
中でも、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。なお、正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用してもよい。
Appl.Phys.Lett.69,2160(1996)、J.Lumin.72-74,985(1997)、Appl.Phys.Lett.78,673(2001)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.51,913(1987)、Synth.Met.87,171(1997)、Synth.Met.91,209 (1997)、Synth.Met.111,421(2000)、SID Symposium Digest,37,923(2006)、J.Mater.Chem.3,319(1993)、Adv.Mater.6,677(1994)、Chem.Mater.15,3148(2003)、米国特許公開第2003/0162053号、米国特許公開第2002/0158242号、米国特許公開第2006/0240279号、米国特許公開第2008/0220265号、米国特許第5061569号、国際公開第2007/002683号、国際公開第2009/018009号、EP650955、米国特許公開第2008/0124572号、米国特許公開第2007/0278938号、米国特許公開第2008/0106190号、米国特許公開第2008/0018221号、国際公開第2012/115034号、特表2003-519432号公報、特開2006-135145号公報、米国特許出願番号13/585981号等である。
(電子阻止層)
「電子阻止層」とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層のことをいい、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、必要に応じて、上記正孔輸送層の構成を、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
「電子阻止層」とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層のことをいい、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、必要に応じて、上記正孔輸送層の構成を、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
電子阻止層の厚さは、3~100nmの範囲内であることが好ましく、5~30nmの範囲内であることがより好ましい。
本発明においては、電子阻止層に用いられる材料として、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Ir、Fe又はCuである有機金属錯体であることが好ましい。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の電子阻止層に使用される公知の材料を用いることができる。また、上記金属錯体と公知の材料を併用してもよい。電子阻止層に用いられる材料としては、上記正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、上記ホスト化合物として用いられる材料も電子阻止層に好ましく用いられる。
(正孔注入層)
「正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう。)」とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことをいい、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
正孔注入層は、必要に応じて、上記のように陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に形成される。
「正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう。)」とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことをいい、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
正孔注入層は、必要に応じて、上記のように陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に形成される。
本発明においては、正孔注入層に用いられる材料として、上記有機金属錯体(上記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体)を用いることができる。中でも、中心の金属原子又はイオンMが、Ir、Fe又はCuである有機金属錯体であることが好ましい。
本発明の有機金属錯体を、正孔注入層の材料として用いることにより、有機EL素子の駆動電圧を低下させ、外部取り出し効率を向上させることができる。
上記金属錯体の他に、有機EL素子の正孔注入層に使用される公知の材料を用いることができる。また、上記金属錯体と公知の材料を併用してもよい。
正孔注入層は、特開平9-45479号公報、特開平9-260062号公報、特開平8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、公知の正孔注入層に用いられる材料としては、例えば上記の正孔輸送材料等が挙げられる。
中でも、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表2003-519432号公報や特開2006-135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。これらの材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用してもよい。
下記実施例内の比較例において、正孔注入層に用いられる材料として、銅フタロシアニン及びポリチオフェン導電性高分子を使用しているが、本発明の有機金属錯体を、他の層の材料として使用する場合には、銅フタロシアニン及びポリチオフェン導電性高分子は、正孔注入層の好適な材料として用いられる。
本発明に係る有機機能層は、その他の化合物を含有してもよい。
その他の化合物としては、例えば、臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Pd、Ca、Na等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
その他の化合物としては、例えば、臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Pd、Ca、Na等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
その他の化合物の含有量は、任意に決定できるが、含有される層の全質量に対して1000ppm以下であることが好ましく、500ppm以下であることがより好ましく、50ppm以下であることが更に好ましい。ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。
(陽極)
陽極は、発光層に正孔を供給するために機能する電極であり、光透過性を有することが好ましい。陽極の厚さは、材料にもよるが、10nm~1μmの範囲内であることが好ましく、10~200nmの範囲内であることがより好ましい。
陽極は、発光層に正孔を供給するために機能する電極であり、光透過性を有することが好ましい。陽極の厚さは、材料にもよるが、10nm~1μmの範囲内であることが好ましく、10~200nmの範囲内であることがより好ましい。
陽極に用いられる材料としては、酸化物半導体や、薄膜の金属又は合金で構成されていることが好ましく、例えば、Ag、Au等の金属又は金属を主成分とする合金、CuI、又はインジウム・スズの複合酸化物(ITO)、SnO2及びZnO等の酸化物半導体が挙げられる。
光透過性を有する陽極の場合、銀を主成分として構成することが好ましく、銀の純度としては、99%以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム(Pd)、銅(Cu)及び金(Au)等が添加されていてもよい。
光透過性を有する陽極が、銀を主成分として構成されている層である場合は、具体的には、銀単独で形成しても、又は銀(Ag)を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム(Ag・Mg)、銀・銅(Ag・Cu)、銀・パラジウム(Ag・Pd)、銀・パラジウム・銅(Ag・Pd・Cu)、銀・インジウム(Ag・In)などが挙げられる。
本発明に係る陽極が、銀を主成分として構成されている層である場合、陽極の厚さが、2~20nmの範囲内であることが好ましく、4~12nmの範囲内であることがより好ましい。厚さが20nm以下であることにより、光透過性を有する陽極の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、高い光透過率が維持される。
本発明において、「銀を主成分として構成されている層」とは、光透過性を有する陽極中の銀の含有量が60質量%以上であることをいう。また、銀の含有量が80質量%以上であることがより好ましく、90質量%以上であることが更に好ましく、98質量%以上であることが特に好ましい。
なお、「光透過性」とは、波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。
なお、「光透過性」とは、波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。
銀を主成分として構成されている層は、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。
また、陽極が、銀を主成分として構成されている層であり、光透過性を有する場合、膜の厚さを均一する観点から、その下部に、下地層を設けることが好ましい。下地層としては、特に制限されないが、窒素原子又は硫黄原子を有する有機化合物を含有する層であることが好ましい。
下地層に用いられる窒素原子含有化合物は、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に制限されないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であることが好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ-C-シンノリン、ポルフィリン、クロリン及びコリン等が挙げられる。
また、下地層に用いられる窒素原子含有化合物は、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物であることが好ましい。
これらの窒素原子含有化合物の具体例としては、特開2015-046364号公報の段落(0097)~同(0221)に記載の例示化合物No.1~No.134が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、又は、パターン精度を余り必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
また、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/sq.以下が好ましい。
(陰極)
陰極は、発光層に電子を供給するために機能する電極であり、光反射性又は光透過性を有する電極であることが好ましい。
陰極は、発光層に電子を供給するために機能する電極であり、光反射性又は光透過性を有する電極であることが好ましい。
陰極に用いられる材料としては、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物又はこれらの混合物として、例えば、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属、ITO、ZnO、TiO2及びSnO2等の酸化物半導体などが挙げられるが、中でも、薄膜の金属又は合金であることが好ましい。
光透過性を有する陰極が、銀を主成分として構成されている層である場合は、上記陽極の説明で記載したのと同様の材料を挙げることができ、具体的には、銀単独で形成しても、又は銀(Ag)を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム(Ag・Mg)、銀・銅(Ag・Cu)、銀・パラジウム(Ag・Pd)、銀・パラジウム・銅(Ag・Pd・Cu)、銀・インジウム(Ag・In)などが挙げられる。
陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成して作製できる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/sq.以下が好ましく、厚さは、10nm~5μmの範囲内であることが好ましく、50~200nmの範囲内であることがより好ましい。
発光した光を透過させ、発光輝度を向上させる観点から、陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であることが好ましい。1~20nmの範囲内の厚さの上記金属を作製し、その上に、上記陽極の説明に記載の導電性透明材料を作製することにより、透明又は半透明の陰極を作製できる。また、これを応用することにより、陽極及び陰極の両方が透過性を有する有機EL素子を作製できる。
(基板)
本発明の有機EL素子に用いられる基板としては、特に制限されず、透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムが挙げられる。また、有機EL素子にフレキシブル性を付与できる観点から、フレキシブル性を有する樹脂フィルムであることがより好ましい。
本発明の有機EL素子に用いられる基板としては、特に制限されず、透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムが挙げられる。また、有機EL素子にフレキシブル性を付与できる観点から、フレキシブル性を有する樹脂フィルムであることがより好ましい。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(略称:PET)、ポリエチレンナフタレート(略称:PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(略称:TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(略称:CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート(略称:PC)、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(略称:PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、シクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
シクロオレフィン系樹脂としては、市販品を用いることができ、例えば、JSR社製のアートン(登録商標)、三井化学社製のアペル(登録商標)等が挙げられる。
これらの樹脂フィルムのうち、コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート(略称:PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(略称:PEN)、ポリカーボネート(略称:PC)等のフィルムが、フレキシブル性を有する樹脂フィルムとして好適に用いられる。
また、上記の樹脂フィルムは、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。
樹脂フィルムは、従来公知の一般的な製膜方法により製造できる。例えば、材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイやTダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の樹脂フィルムを製造できる。また、未延伸の樹脂フィルムを一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、樹脂フィルムの搬送方向(縦軸方向、MD方向)、又は樹脂フィルムの搬送方向と直角の方向(横軸方向、TD方向)に延伸することにより、延伸樹脂フィルムを製造できる。この場合の延伸倍率は、樹脂フィルムの原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ2~10倍の範囲内であることが好ましい。
樹脂フィルムの厚さは、3~200μmの範囲内であることが好ましく、10~100μmの範囲内であることがより好ましく、20~80μmの範囲内であることが更に好ましく、20~50μmの範囲内であることが特に好ましい。厚さを薄くすることにより光遮蔽部を大きくすることなく、効果的に光遮蔽できる。
また、透明な基板として用いられるガラスとしては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の室温における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、5%以上であることがより好ましい。外部取り出し量子効率は、下記式で表される。
外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルターや、蛍光体を用いて有機EL素子からの発光色を多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。
(ガスバリアー層)
本発明の有機EL素子においては、上記説明した基板上に、必要に応じて、ガスバリアー層を設ける構成であってもよい。特に、基板が樹脂フィルムである場合は、ガスバリアー層を設けることが好ましい。
本発明の有機EL素子においては、上記説明した基板上に、必要に応じて、ガスバリアー層を設ける構成であってもよい。特に、基板が樹脂フィルムである場合は、ガスバリアー層を設けることが好ましい。
ガスバリアー層を形成した樹脂フィルムは、JIS K 7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、JIS K 7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3mL/(m2・24h・atm)以下、水蒸気透過度が、10-5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
ガスバリアー層を形成する材料としては、水分や酸素などの有機EL素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機物が用いられる。さらに、脆弱性の改良の観点から、これら無機層と有機材料からなる有機層の積層構造とすることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限されないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
ガスバリアー層の形成方法については、特に制限されず、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等の薄膜形成方法を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法が特に好ましい。また、ポリシラザン含有液を湿式塗布方式により塗布して塗膜を形成した後に乾燥し、形成された塗膜に波長200nm以下の真空紫外光(VUV光)を照射することにより、形成した塗布膜に改質処理を施して、ガスバリアー層を形成する方法も好適に用いられる。
ガスバリアー層の厚さは、1~500nmの範囲内であることが好ましく、10~300nmの範囲内であることがより好ましい。ガスバリアー層の厚さが1nm以上であれば、所望のガスバリアー性能を発揮でき、500nm以下であれば、緻密な酸窒化ケイ素膜でのクラックの発生等の膜質劣化を防止できる。
(封止)
上記有機機能層及び電極に用いられる材料は、耐湿性が低く酸化しやすい、すなわち、環境中の水や酸素等によって分解や酸化が生じるため、有機機能層及び電極に水分が入り込まないよう、封止することが好ましい。封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、基板とを接着剤で接着する方法が挙げられる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
上記有機機能層及び電極に用いられる材料は、耐湿性が低く酸化しやすい、すなわち、環境中の水や酸素等によって分解や酸化が生じるため、有機機能層及び電極に水分が入り込まないよう、封止することが好ましい。封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、基板とを接着剤で接着する方法が挙げられる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等が挙げられる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、有機EL素子の薄膜化の観点から、ポリマーフィルム又は金属フィルムであることが好ましい。また、ポリマーフィルムは、JIS K 7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3mL/m2/24h以下、JIS K 7129-1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%)が、1×10-3g/(m2/24h)以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工する方法としては、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が用いられる。
接着剤としては、例えば、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマー等の反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型接着剤、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)接着剤、ポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン等のホットメルト型接着剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤等が挙げられる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるため、室温から80℃までの範囲内において接着硬化できるものが好ましい。また、上記接着剤中に乾燥剤を分散させてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に、当該電極と有機機能層を被覆し、基板と接する形で無機物又は有機物の層を形成し、封止膜を形成することも好ましい。この場合、封止膜を形成する材料としては、水分や酸素等の素子の劣化をもたらすものの侵入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
さらに、封止膜の脆弱性を改良する観点から、これら無機物の層と有機物の層の積層構造とすることが好ましい。封止膜の形成方法については、特に制限されず、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコーンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空としてもよく、内部に吸湿性化合物を封入してもよい。
吸湿性化合物としては、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
(保護膜、保護板)
有機機能層を挟み基板と対向する側の上記封止部材又は封止膜の外側に、素子の機械的強度を高める観点から、保護膜又は保護板を設けてもよい。特に、封止膜を用いる場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜又は保護板を設けることが好ましい。保護膜及び保護板に用いられる材料としては、上記封止部材及び封止膜と同様、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化の観点からポリマーフィルムを用いることが好ましい。
有機機能層を挟み基板と対向する側の上記封止部材又は封止膜の外側に、素子の機械的強度を高める観点から、保護膜又は保護板を設けてもよい。特に、封止膜を用いる場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜又は保護板を設けることが好ましい。保護膜及び保護板に用いられる材料としては、上記封止部材及び封止膜と同様、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化の観点からポリマーフィルムを用いることが好ましい。
(光取り出し向上技術)
本発明の有機EL素子は、一般的に、空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6~2.1の範囲内)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せない。これは、臨界角以上の角度θで界面(基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし、有機EL素子の外部に取り出すことができないことや、電極又は発光層と基板との間で光が全反射を起こし、光が電極又は発光層を導波し、結果として、光が有機EL素子の側面方向に逃げるためである。
本発明の有機EL素子は、一般的に、空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6~2.1の範囲内)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せない。これは、臨界角以上の角度θで界面(基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし、有機EL素子の外部に取り出すことができないことや、電極又は発光層と基板との間で光が全反射を起こし、光が電極又は発光層を導波し、結果として、光が有機EL素子の側面方向に逃げるためである。
光取り出し効率を向上させる手法としては、例えば、基板表面に凹凸を形成し、基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(例えば、米国特許第4774435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(例えば、特開昭63-314795号公報)、有機EL素子の側面等に反射面を形成する方法(例えば、特開平1-220394号公報)、基板と発光層の間に中間の屈折率である平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(例えば、特開昭62-172691号公報)、基板と発光層との間に基板よりも低屈折率である平坦層を導入する方法(例えば、特開2001-202827号公報)、基板、電極及び発光層のいずれかの層間又は層中に回折格子を形成する方法(特開平11-283751号公報)などが挙げられる。
本発明においては、基板と発光層の間に基板よりも低屈折率である平坦層を導入する方法、又は、基板、電極及び発光層のいずれかの層間又は層中に回折格子を形成する方法を用いることが好ましい。
基板と電極との間に、低屈折率である平坦層(以下、「低屈折率層」ともいう。)を光の波長よりも長い厚さで形成することにより、低屈折率層の屈折率が低いほど、外部への光の取り出し効率が高くなる。本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度又は耐久性に優れた有機EL素子を得ることができる。
低屈折率層の形成に用いられる材料としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。一般的に、基板の屈折率は1.5~1.7の範囲内であるため、低屈折率層の屈折率は、1.5以下であることが好ましく、1.35以下であることがより好ましい。
また、エバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込み、低屈折率層の効果が薄れるのを抑制する観点から、低屈折率層の厚さが、低屈折率層中の波長の2倍以上であることが好ましい。
回折格子を形成する方法では、回折格子が1次の回折や、2次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、基板、電極及び発光層のいずれかの層間又は層中に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するため、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど向上しない。しかし、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光取り出し効率が向上する。
回折格子を形成する位置としては、基板、電極及び発光層のいずれかの層間、又は層中であればよいが、光が発生する場所である発光層の近傍であることが好ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
(集光シート)
本発明の有機EL素子は、基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工する、又は、集光シートを用いることにより、特定方向、例えば有機EL素子の発光面に対して正面方向に集光することができ、特定方向上の輝度を高めることができる。
本発明の有機EL素子は、基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工する、又は、集光シートを用いることにより、特定方向、例えば有機EL素子の発光面に対して正面方向に集光することができ、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10~100μmの範囲内であることが好ましい。上記範囲内であることにより、集光機能を有し、かつ、厚さを十分薄くすることができる。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることができ、具体的には、住友スリーエム社製の輝度上昇フィルム(BEF)などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であっても良い。
また、有機EL素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製の拡散フィルム(ライトアップ)などを用いることができる。
<2 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法>
本発明の有機EL素子の製造方法を以下に説明する。
本発明の有機EL素子の製造方法を以下に説明する。
(陽極の形成工程)
陽極は、Ag、Au等の金属又は金属を主成分とする合金、CuI、又はインジウム・スズの複合酸化物(ITO)、SnO2及びZnO等の酸化物半導体、IDIXO(In2O3-ZnO)等の非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いて、蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよい。パターン精度を余り必要としない場合(100μm以上程度)は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。また、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いてもよい。
陽極は、Ag、Au等の金属又は金属を主成分とする合金、CuI、又はインジウム・スズの複合酸化物(ITO)、SnO2及びZnO等の酸化物半導体、IDIXO(In2O3-ZnO)等の非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いて、蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよい。パターン精度を余り必要としない場合(100μm以上程度)は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。また、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いてもよい。
(有機機能層の形成工程)
本発明に係る有機機能層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等)の形成方法について説明する。
有機機能層の形成方法は、特に制限されず、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
本発明に係る有機機能層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等)の形成方法について説明する。
有機機能層の形成方法は、特に制限されず、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、例えば、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法等の印刷法のほか、スピンコート法、キャスト法、インクジェット印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、ロールコート法、ディップコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ドクターコート法、LB法(ラングミュア-ブロジェット法)等が挙げられるが、塗布液を容易に精度良く塗布でき高生産性である観点から、インクジェットヘッドを用いたインクジェット印刷法であることがより好ましい。インクジェット印刷法の詳細については後述する。また、層毎に異なる製膜方法を用いてもよい。
湿式法に用いる塗布液としては、有機機能層を形成する材料が液媒体に均一に溶解される溶液でも、材料が固形分として液媒体に分散される分散液でも良い。分散方法としては、超音波分散、高剪断力分散、メディア分散等が挙げられる。
液媒体としては、特に制限されず、例えば、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、ジクロロヘキサノン等のハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、n-プロピルメチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶媒、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族系溶媒、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン、炭酸ジエチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、メタノール、エタノール、1-ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、ジメチルスルホキシド、水又はこれらの混合液媒体等が挙げられる。
これらの液媒体の沸点は、迅速に液媒体を乾燥させる観点から、乾燥処理の温度未満であることが好ましく、具体的には、60~200℃の範囲内であることが好ましく、80~180℃の範囲内であることがより好ましい。
塗布液は、塗布範囲を制御する目的や、塗布後の表面張力勾配に伴う液流動(例えば、コーヒーリングと呼ばれる現象を引き起こす液流動)を抑制する目的に応じて、界面活性剤を含有してもよい。
界面活性剤としては、溶媒に含まれる水分の影響、レベリング性、基板への濡れ性等の観点から、例えば、アニオン性又はノニオン性の界面活性剤等が挙げられる。具体的には、含フッ素系活性剤や、国際公開第08/146681号、特開平2-41308号公報等に挙げられた界面活性剤を用いることができる。
塗布膜の粘度及び厚さは、有機機能層として必要とされる機能と有機材料の溶解度又は分散性に応じて適宜選択することができる。具体的には、塗布膜の粘度は、0.3~100mPa・sの範囲内であることが好ましく、厚さは、1~90μmの範囲内であることが好ましい。
湿式法により塗布膜を形成した後、上記の液媒体を除去する乾燥工程を有することが好ましい。乾燥工程の温度は、特に制限されないが、有機機能層、電極、基板等が損傷しない程度の温度であることが好ましい。塗布液の組成等によって異なるが、例えば、乾燥工程の温度は、80~300℃の範囲内であることが好ましく、時間は、10秒~10分の範囲内であることが好ましい。上記範囲内であることにより、迅速に乾燥できる。
有機機能層の形成方法として蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等によって異なるが、例えば、ボート加熱温度は50~450℃の範囲内、真空度は、1×10-6~1×10-2Paの範囲内、蒸着速度は0.01~50nm/秒の範囲内、基板温度は-50~300℃の範囲内であることが好ましい。また、有機機能層全体の厚さは、0.1nm~5μmの範囲内であることが好ましく、5~200nmの範囲内であることがより好ましい。
有機機能層の形成は、1回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜方法を施してもよい。その際は、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
(陰極の形成工程)
このようにして有機機能層を形成した後、この上部に上記の電極物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10~200nmの範囲内となるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成し、陰極を形成する。同時に、陰極端部に、外部電源と接続する部分を形成する。陰極の形成後、基材、陽極、有機機能層及び陰極を、上記の封止部材で封止する。
このようにして有機機能層を形成した後、この上部に上記の電極物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10~200nmの範囲内となるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成し、陰極を形成する。同時に、陰極端部に、外部電源と接続する部分を形成する。陰極の形成後、基材、陽極、有機機能層及び陰極を、上記の封止部材で封止する。
<3 有機EL素子の用途>
本発明の有機EL素子は、ドット発光してパターニングや文字を再現したり、多色発光してカラーの有機ELデバイスを提供したりすることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。これに限定されないが、ピクセルの高精細化を実現することができることから、前述のディスプレイのサブピクセルを構成するR(赤)・G(緑)・B(青)の個々が独立したLEDであるマイクロLED等の電子デバイスに好適である。
本発明の有機EL素子は、ドット発光してパターニングや文字を再現したり、多色発光してカラーの有機ELデバイスを提供したりすることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。これに限定されないが、ピクセルの高精細化を実現することができることから、前述のディスプレイのサブピクセルを構成するR(赤)・G(緑)・B(青)の個々が独立したLEDであるマイクロLED等の電子デバイスに好適である。
[有機太陽電池]
図3は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子からなるシングル構成(バルクヘテロジャンクション層が一層の構成)の太陽電池の一例を示す模式図である。図3において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10は、基板11の一方面上に、透明電極(陽極)12、正孔輸送層17、バルクヘテロジャンクション層の光電変換部14、電子輸送層18及び対極(陰極)13が順次積層されている。
図3は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子からなるシングル構成(バルクヘテロジャンクション層が一層の構成)の太陽電池の一例を示す模式図である。図3において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10は、基板11の一方面上に、透明電極(陽極)12、正孔輸送層17、バルクヘテロジャンクション層の光電変換部14、電子輸送層18及び対極(陰極)13が順次積層されている。
基板11は、順次積層された透明電極12、光電変換部14及び対極13を保持する部材である。基板11側から光電変換される光が入射するので、基板11は、この光電変換される光を透過させることが可能な、すなわち、この光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。基板11としては、例えば、ガラスや樹脂フィルムなどが用いられる。
光電変換部14は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する層であって、p型半導体材料とn型半導体材料とを一様に混合したバルクヘテロジャンクション層を有して構成される。p型半導体材料は、相対的に電子供与体(ドナー)として機能し、n型半導体材料は、相対的に電子受容体(アクセプター)として機能する。ここで、電子供与体及び電子受容体は、“光を吸収した際に、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア(電荷分離状態)を形成する電子供与体及び電子受容体”であり、電極のように単に電子を供与又は受容するものではなく、光反応によって、電子を供与又は受容するものである。
図3において、基板11を介して透明電極12から入射された光は、光電変換部14のバルクヘテロジャンクション層における電子受容体又は電子供与体で吸収され、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア(電荷分離状態)が形成される。発生した電荷は、内部電界、例えば、透明電極12と対極13の仕事関数が異なる場合では透明電極12と対極13との電位差によって、電子は電子受容体間を通り、また、正孔は電子供与体間を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ光電流が検出される。例えば、透明電極12の仕事関数が対極13の仕事関数よりも大きい場合では、電子は透明電極12へ、正孔は対極13へ輸送される。なお、仕事関数の大小が逆転すれば、電子と正孔はこれとは逆方向に輸送される。また、透明電極12と対極13との間に電位をかけることにより、電子と正孔の輸送方向を制御することもできる。
本発明の有機金属錯体は、分子内で分極し電荷分離に有利であること等から、キャリア伝導を行いやすい化合物である。そのため、太陽電池、とりわけ有機太陽電池では、ヘテロジャンクション型のn型材料としての適用が有効である。
本発明の有機金属錯体は、例えば、有機EL素子のように、n型層とp型層を積層してなるヘテロジャンクション型太陽電池や、光電変換部14にn型化合物とp型化合物とを共存させ、その海島構造によりp/n界面の面積を増大させるバルクへテロジャンクション型太陽電池にも使用できる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量%」を表す。
≪実施例1≫
[鋳型反応による金属錯体MO-9の合成方法]
[鋳型反応による金属錯体MO-9の合成方法]
2,2’-ビピリジル(23.4g、150.0mmol)、1,5-シクロオクタジエン(18.4mL、150.0mmol)、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)(41.3g、150.0mmol)に、DMF(62.5mL)とトルエン(62.5mL)を加え、80℃で30分間撹拌した。化合物2(3.78g、15.0mmol)のトルエン溶液(250mL)を、1時間かけて混合物に滴下して加え、80℃でさらに16時間撹拌を続けた。反応混合物を室温まで冷まし、2Mの塩酸(300mL)を加え、空気下で一晩激しく撹拌した。CH2Cl2(400mL×3)で抽出し、有機層を飽和食塩水(200mL)で洗浄し、Na2SO4上で乾燥させた後、真空で濃縮した。粗生成物をシリカゲルショートパス(溶離液:CHCl3:MeOH=20:1)に通し、さらに、GPC(YMC T30000、T4000、T2000カラム、溶媒:CHCl3)で精製することで、化合物MO-9を黄色の固体として収率57%で得た(1.77g、1.71mmol)。得られたMO-9は高スピン錯体の状態をとり、その磁気的性質の利用も可能である。
≪実施例2≫
[金属錯体MO-11の合成方法:中心金属の交換]
実施例1と同様に、2,2’-ビピリジル、1,5-シクロオクタジエン、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)のDMF/トルエン溶液に10当量のCuCl(14.9g、150mmol)を加えた以外は全く同様にして、合成を行ったところ、質量分析の結果から銅錯体MO-11が生成していることが明らかとなった。実施例2で用いた銅塩を種々の金属塩に置換え、共存させて反応を行うことで、鋳型反応によるC-Cカップリング/環化反応の後金属種交換が生じ、他の金属に変換可能であることがわかった。
[金属錯体MO-11の合成方法:中心金属の交換]
実施例1と同様に、2,2’-ビピリジル、1,5-シクロオクタジエン、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)のDMF/トルエン溶液に10当量のCuCl(14.9g、150mmol)を加えた以外は全く同様にして、合成を行ったところ、質量分析の結果から銅錯体MO-11が生成していることが明らかとなった。実施例2で用いた銅塩を種々の金属塩に置換え、共存させて反応を行うことで、鋳型反応によるC-Cカップリング/環化反応の後金属種交換が生じ、他の金属に変換可能であることがわかった。
≪実施例3≫
[MO-9を含有する薄膜(光るプラスチックフィルム)の作製]
1.0mLのクロロホルムに、PMMA(ポリメタクリル酸メチル、Mw:15,000、アルドリッチ社製)10mg、MO-9を0.1mg加え、PMMAに対するMO-9の含有量が1質量%となる溶液を調製した。3cm角の石英基板上に、この溶液を塗布し、スピンコート法により、MO-9を含有する薄膜を形成した。得られた薄膜に、254nmのUVライトを照射したところ、MO-9のクロロホルム中での発光(353nm)に由来する青白い発光が観察できた。
[MO-9を含有する薄膜(光るプラスチックフィルム)の作製]
1.0mLのクロロホルムに、PMMA(ポリメタクリル酸メチル、Mw:15,000、アルドリッチ社製)10mg、MO-9を0.1mg加え、PMMAに対するMO-9の含有量が1質量%となる溶液を調製した。3cm角の石英基板上に、この溶液を塗布し、スピンコート法により、MO-9を含有する薄膜を形成した。得られた薄膜に、254nmのUVライトを照射したところ、MO-9のクロロホルム中での発光(353nm)に由来する青白い発光が観察できた。
≪実施例4≫
[有機エレクトロニクスデバイス]
(比較用の有機EL素子4-1の作製)
第1電極(陽極)としてITO(Indium Tin Oxide)を100nm製膜したガラス板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥及びUVオゾン洗浄を行い、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。次いで、銅フタロシアニンを10nm蒸着して正孔注入層を設け、α-NPD(4,4’-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)を前記正孔注入層上に蒸着し、厚さ40nmの正孔輸送層を設けた。
[有機エレクトロニクスデバイス]
(比較用の有機EL素子4-1の作製)
第1電極(陽極)としてITO(Indium Tin Oxide)を100nm製膜したガラス板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥及びUVオゾン洗浄を行い、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。次いで、銅フタロシアニンを10nm蒸着して正孔注入層を設け、α-NPD(4,4’-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)を前記正孔注入層上に蒸着し、厚さ40nmの正孔輸送層を設けた。
ホスト材料として、CBP(4,4’-ビス〔9H-カルバゾール-9-イル〕ビフェニル)と、発光性材料として、Ir(ppy)3(トリス〔2-フェニルピリジナト〕イリジウム(III))とを、それぞれ94%、6%の体積%になるように共蒸着し、厚さ30nmの発光層を設けた。
その後、BCP(2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)を蒸着し、厚さ330nmの電子輸送層を設けた。さらに、アルミニウムを蒸着し、厚さ100nmの第2電極(陰極)を設けた。
次に、有機EL素子全体の封止部材として下記ガスバリアーフィルムを作製した。
ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人フィルムソリューション株式会社製)の全面に、特開2004-68143号公報に記載の構成の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、SiOxからなる無機物のガスバリアー層を厚さ500nmとなるように形成し、酸素透過度0.001mL/(m2・24h)以下、水蒸気透過度0.001g/(m2・24h)以下のガスバリアー性を有する可撓性のガスバリアーフィルムを作製した。
ガスバリアーフィルムの片面に、封止樹脂層として熱硬化型の液状接着剤(エポキシ系樹脂)を厚さ25μmで形成した。そして、この封止樹脂層を設けたガスバリアーフィルムを、上記で作製した有機EL素子に重ね合わせた。このとき、陽極及び陰極の取出し部の端部が外に出るように、ガスバリアーフィルムの封止樹脂層形成面を、有機EL素子の封止面側に連続的に重ね合わせた。
次に、ガスバリアーフィルムを貼り合せた試料を減圧装置内に配置し、90℃で0.1MPaの減圧条件下で押圧をかけて5分間保持した。続いて、試料を大気圧環境に戻し、さらに90℃で30分間加熱して接着剤を硬化させた。
(本発明の有機EL素子4-2の作製)
上記で作製した有機EL素子4-1の正孔注入材料として用いた銅フタロシアニンを、実施例1で合成したMO-9に変更した以外は全く同様にして、有機EL素子4-2を作製した。
作製した有機EL素子について、温度23℃において、発光開始時の電圧を測定した。駆動電圧は、電流密度2.5mA/cm2となったときの電圧値とし、有機EL素子4-1を100とした場合の相対評価を行ったところ、有機EL素子4-2では95となり、駆動電圧の低下が確認され、本発明材料の優位性が明らかである。
上記で作製した有機EL素子4-1の正孔注入材料として用いた銅フタロシアニンを、実施例1で合成したMO-9に変更した以外は全く同様にして、有機EL素子4-2を作製した。
作製した有機EL素子について、温度23℃において、発光開始時の電圧を測定した。駆動電圧は、電流密度2.5mA/cm2となったときの電圧値とし、有機EL素子4-1を100とした場合の相対評価を行ったところ、有機EL素子4-2では95となり、駆動電圧の低下が確認され、本発明材料の優位性が明らかである。
≪実施例5≫
[有機エレクトロニクスデバイス]
(比較用の有機EL素子5-1の作製)
第1電極(陽極)としてITO(Indium Tin Oxide)を100nm製膜したガラス基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥及びUVオゾン洗浄を行った。ついで、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)(Heraeus社製、CLEVIOS P VP AI 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入層を設けた。次いで、α-NPD(4,4’-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)を前記正孔注入層上に蒸着し、厚さ40nmの正孔輸送層を設けた。
[有機エレクトロニクスデバイス]
(比較用の有機EL素子5-1の作製)
第1電極(陽極)としてITO(Indium Tin Oxide)を100nm製膜したガラス基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥及びUVオゾン洗浄を行った。ついで、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)(Heraeus社製、CLEVIOS P VP AI 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入層を設けた。次いで、α-NPD(4,4’-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)を前記正孔注入層上に蒸着し、厚さ40nmの正孔輸送層を設けた。
半導体性材料であるホスト材料として、CBP(4,4’-ビス〔9H-カルバゾール-9-イル〕ビフェニル)と発光性材料としてIr(ppy)3(トリス〔2-フェニルピリジナト〕イリジウム(III))とを、それぞれ94%、6%の体積%になるように共蒸着し、厚さ30nmの発光層を設けた。
その後、BCP(2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)を蒸着し、厚さ330nmの電子輸送層を設けた。
さらに、第2電極(陰極)としてアルミニウムを厚さ100nmでさらに蒸着して電極を設けた。
さらに、第2電極(陰極)としてアルミニウムを厚さ100nmでさらに蒸着して電極を設けた。
次に、有機EL素子全体の封止部材として下記ガスバリアーフィルムを作製した。
ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人フィルムソリューション株式会社製)の全面に、特開2004-68143号公報に記載の構成の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、SiOxからなる無機物のガスバリアー層を厚さ500nmとなるように形成した。これにより、酸素透過度0.001mL/(m2・24h)以下、水蒸気透過度0.001g/(m2・24h)以下のガスバリアー性を有する可撓性のガスバリアーフィルムを作製した。
ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人フィルムソリューション株式会社製)の全面に、特開2004-68143号公報に記載の構成の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、SiOxからなる無機物のガスバリアー層を厚さ500nmとなるように形成した。これにより、酸素透過度0.001mL/(m2・24h)以下、水蒸気透過度0.001g/(m2・24h)以下のガスバリアー性を有する可撓性のガスバリアーフィルムを作製した。
ガスバリアーフィルムの片面に、封止樹脂層として熱硬化型の液状接着剤(エポキシ系樹脂)を厚さ25μmで形成した。そして、この封止樹脂層を設けたガスバリアーフィルムを、上記で作製した有機EL素子に重ね合わせた。このとき、陽極及び陰極の取出し部の端部が外に出るように、ガスバリアーフィルムの封止樹脂層形成面を、有機EL素子の封止面側に連続的に重ね合わせた。
次に、ガスバリアーフィルムを貼り合せた試料を減圧装置内に配置し、90℃で0.1MPaの減圧条件下で押圧をかけて5分間保持した。続いて、試料を大気圧環境に戻し、さらに90℃で30分間加熱して接着剤を硬化させた。
(本発明の有機EL素子5-2の作製)
上記で作製した有機EL素子5-1で用いたPEDOT/PSSの代わりにMO-11を用いて真空蒸着法によって厚さ30nmの正孔注入層を設けた以外は全く同様にして、有機EL素子5-2を作製した。
作製した有機EL素子について、温度23℃において、発光開始時の電圧を測定した。駆動電圧は、電流密度2.5mA/cm2となったときの電圧値とし、有機EL素子5-1を100とした場合の相対評価を行ったところ、有機EL素子5-2では96となり、駆動電圧の低下が確認され、本発明材料の優位性が明らかである。
上記で作製した有機EL素子5-1で用いたPEDOT/PSSの代わりにMO-11を用いて真空蒸着法によって厚さ30nmの正孔注入層を設けた以外は全く同様にして、有機EL素子5-2を作製した。
作製した有機EL素子について、温度23℃において、発光開始時の電圧を測定した。駆動電圧は、電流密度2.5mA/cm2となったときの電圧値とし、有機EL素子5-1を100とした場合の相対評価を行ったところ、有機EL素子5-2では96となり、駆動電圧の低下が確認され、本発明材料の優位性が明らかである。
1 有機EL素子
2 基板
3 陽極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
F 有機機能層
R 再結合
L 光
10 バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子
11 基板
12 透明電極(陽極)
13 対極(陰極)
14 光電変換部(バルクヘテロジャンクション層)
17 正孔輸送層
18 電子輸送層
2 基板
3 陽極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
F 有機機能層
R 再結合
L 光
10 バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子
11 基板
12 透明電極(陽極)
13 対極(陰極)
14 光電変換部(バルクヘテロジャンクション層)
17 正孔輸送層
18 電子輸送層
Claims (7)
- 下記一般式(1)で表される構造を有する
ことを特徴とする有機金属錯体。
- 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を合成する有機金属錯体の合成方法であって、
金属原子又はイオン共存下で、カップリング反応により、配位子を環状化する工程を有する
ことを特徴とする有機金属錯体の合成方法。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する
ことを特徴とするフィルム。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する有機機能層を有する
ことを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する有機機能層を有する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021140248A JP2023034155A (ja) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021140248A JP2023034155A (ja) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023034155A true JP2023034155A (ja) | 2023-03-13 |
Family
ID=85504712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021140248A Pending JP2023034155A (ja) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023034155A (ja) |
-
2021
- 2021-08-30 JP JP2021140248A patent/JP2023034155A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102237305B1 (ko) | 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 표시 장치 및 조명 장치 | |
US20200044164A1 (en) | Organic electroluminescent element, display device, lighting device, pi-conjugated compound, and light-emitting thin film | |
JP6319319B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
US11302882B2 (en) | Luminescent film, organic electroluminescent element, organic material composition and method for producing organic electroluminescent element | |
WO2016017684A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、発光性薄膜、表示装置及び照明装置 | |
JP7107223B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス用材料 | |
WO2016181844A1 (ja) | π共役系化合物、遅延蛍光体、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置 | |
JP2016036022A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、電荷移動性薄膜、表示装置及び照明装置 | |
JP6065557B2 (ja) | イリジウム錯体、有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2016225498A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2016181773A1 (ja) | π共役系化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光材料、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
CN107534092B (zh) | 有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置 | |
WO2016056562A1 (ja) | イリジウム錯体、有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5998989B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JPWO2016190014A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6755261B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
WO2018168292A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び化合物 | |
JP7173145B2 (ja) | 薄膜、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス用材料、表示装置、及び、照明装置 | |
JP6123438B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 | |
WO2018186101A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2023034155A (ja) | 有機金属錯体とその合成方法、フィルム、有機エレクトロニクスデバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP7060490B2 (ja) | 非イオン性有機エレクトロニクス材料、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子作製用溶液 | |
JP7351310B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用の混合組成物 | |
JP7334577B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
WO2021106366A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び発光性膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231222 |