JP2023021574A - 光照射装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】伝搬に起因する光量の減少を抑制することによって、光検出精度の低下を抑制する。【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する光照射装置は、光を照射するための少なくとも1つの光照射部と、光を検出するための検出部とを備え、検出部は、光照射部から照射された光を伝搬させるための伝搬部材と、伝搬部材によって伝搬された光を検出するための光検出器とを備え、伝搬部材には、伝搬部材によって伝搬される光の伝搬方向を、光検出器に向かう方向へ変化させる少なくとも1つの伝搬方向変化部が設けられる。【選択図】図7

Description

本願明細書に開示される技術は、照射された光を検出する技術に関するものである。
従来から、レーザー光照射などの光照射によって対象物を加工する光加工技術が用いられている(たとえば、特許文献1を参照)。
特開2006-272430号公報
照射された光の光量を光検出器で検出する際、光検出器まで当該光を伝搬させる過程で光の光量が減少してしまう場合がある。そのような場合には、光検出器において光検出のための十分な光量が得られず、結果として光検出精度が低下してしまう。
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、伝搬に起因する光量の減少を抑制することによって、光検出精度の低下を抑制するための技術である。
本願明細書に開示される技術の第1の態様である光照射装置は、光を照射するための少なくとも1つの光照射部と、前記光を検出するための検出部とを備え、前記検出部は、前記光照射部から照射された前記光を伝搬させるための伝搬部材と、前記伝搬部材によって伝搬された前記光を検出するための光検出器とを備え、前記伝搬部材には、前記伝搬部材によって伝搬される前記光の伝搬方向を、前記光検出器に向かう方向へ変化させる少なくとも1つの伝搬方向変化部が設けられる。
本願明細書に開示される技術の第2の態様である光照射装置は、第1の態様である光照射装置に関連し、前記伝搬方向変化部は、前記伝搬部材に入射される前記光を反射する反射面を有し、前記反射面は、前記伝搬部材に入射される前記光を前記光検出器に向かう方向へ反射させた後、前記光を前記伝搬部材に入射させる。
本願明細書に開示される技術の第3の態様である光照射装置は、第1または2の態様である光照射装置に関連し、前記伝搬方向変化部は、前記伝搬部材に入射された前記光を前記光検出器に向かう方向へ屈折させる屈折面を有する。
本願明細書に開示される技術の第4の態様である光照射装置は、第1から3のうちのいずれか1つの態様である光照射装置に関連し、前記伝搬方向変化部が複数設けられ、複数の前記伝搬方向変化部が、前記伝搬部材の長手方向に沿って配置される。
本願明細書に開示される技術の第5の態様である光照射装置は、第1から4のうちのいずれか1つの態様である光照射装置に関連し、ステージをさらに備え、前記光照射部は、前記ステージの上面に前記光を照射し、前記ステージの少なくとも一部には、前記光を散乱させるための少なくとも1つの散乱部が設けられ、前記散乱部は、透明性材料で構成され、前記伝搬部材は、前記散乱部を介して入射された前記光を伝搬させる。
本願明細書に開示される技術の第6の態様である光照射装置は、第5の態様である光照射装置に関連し、前記伝搬方向変化部は、前記散乱部の位置に対応して配置される。
本願明細書に開示される技術の第7の態様である光照射装置は、第5の態様である光照射装置に関連し、前記ステージが内包されるチャンバをさらに備え、前記光検出器は、前記伝搬部材によって伝搬された前記光を、前記チャンバの外部において検出する。
本願明細書に開示される技術の第8の態様である光照射装置は、第5の態様である光照射装置に関連し、前記検出部は、前記散乱部を介して入射された前記光を集光するための集光レンズと、前記集光レンズよりも前記散乱部から遠ざかる位置で、かつ、前記集光レンズの集光位置に配置される遮光板とをさらに備え、前記伝搬部材は、前記集光レンズによって集光された前記光を伝搬させる。
本願明細書に開示される技術の第9の態様である光照射装置は、第1から8のうちのいずれか1つの態様である光照射装置に関連し、前記光照射部から照射される前記光がレーザー光である。
本願明細書に開示される技術の少なくとも第1の態様によれば、伝搬方向変化部が、伝搬部材に入射される光の伝搬方向を光検出器が位置する方向へ変化させることによって、当該光が光検出器とは反対側などに伝搬することを効果的に抑制し、当該光を光検出器へ向かって効率的に伝搬させることができる。その結果、光検出器へ伝搬される光を増やして光検出精度の低下を抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、光照射装置の構成の例を概略的に示す斜視図である。 実施の形態に関する光照射装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。 図2に例が示された構成のうち、主に光照射部およびステージを示す斜視図である。 図2に例が示された構成のうち、主に光照射部およびステージの構成の例を示す断面図である。 検出部における集光ユニットおよび透明ロッドについて示す概略図である。 検出部における集光ユニットおよび透明ロッドについて示す概略図である。 透明ロッドに到達した光の伝搬経路の例を示す図である。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
また、本願明細書に記載される説明において、「第1の」または「第2の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
また、本願明細書に記載される説明において、「…軸正方向」または「…軸負方向」などの表現は、図示される…軸の矢印に沿う方向を正方向とし、図示される…軸の矢印とは反対側の方向を負方向とするものである。
また、本願明細書に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合と、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合とを含むものとする。
また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
また、本願明細書に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「Aの上面に設けられるB」と記載される場合、AとBとの間に別の構成要素「C」が介在することを妨げるものではない。
<実施の形態>
以下、本実施の形態に関する光照射装置、および、光照射装置について説明する。なお、以下の実施の形態においては、一例としてチャンバ内が真空または減圧雰囲気下とされる光照射装置が記載されるが、チャンバ内が真空でない場合にも、同様に適用可能である。
<光照射装置の構成について>
図1は、本実施の形態に関する光照射装置1の構成の例を概略的に示す斜視図である。図1においては、真空チャンバ12を支持するチャンバフレーム、または、実際に接続される配線などは、便宜のため図示が省略されている。なお、本実施の形態における「真空」とは、基板Wの特性劣化を防止するために高真空(たとえば、0.00001Pa)であることが望ましいが、当該高真空に達しない真空度である場合も含むものとする。
図1に例が示されるように、光照射装置1は、真空チャンバ12と、石定盤などの外部固定部14と、真空チャンバ12と外部固定部14とを接続する、たとえばステンレスなどで形成された伸縮性部材であるベローズ16Aと、真空チャンバ12内に光を照射する光照射部18と、真空チャンバ12内を減圧して真空状態にする真空ポンプ21と、光照射装置1のそれぞれの駆動部を制御する制御部22とを備える。上記では、伸縮性部材の例として、ステンレスなどで形成されたベローズが示されているが、求められる仕様に応じて、ステンレス以外の金属で形成された伸縮性部材が採用されてもよいし、樹脂などで形成された伸縮性部材が採用されてもよい。また、伸縮性部材の形状は、上記のベローズ16Aのような蛇腹形状でなくてもよい。
真空チャンバ12は、内部に基板Wが収容される空間を有する。処理対象となる基板Wには、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのflat panel display(FPD)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ(field emission display、すなわち、FED)用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。なお、当該基板Wは、たとえば、上面に薄膜が形成された状態の基板である。
また、真空チャンバ12の側面には、基板Wを搬入および搬出する際に基板Wが通過するための開口部12Aが形成されている。開口部12Aは、真空チャンバ12が真空状態となる際に適宜閉じられる。真空チャンバ12の内部に収容される他の構成については、後述する。
光照射部18は、真空チャンバ12内に収容された基板Wの上面に向けて光を照射する。この際、基板Wは後述の検出部などによって、あらかじめ位置合わせがなされている。光照射部18は、たとえばレーザー光を照射することによって基板Wのアブレーション加工を行う。なお、光照射部18は、加工などの目的に応じて、たとえば電子線などの光を照射するものであってもよい。光照射部18は、図示しない照射窓(石英などで形成される透明板)を介して、真空チャンバ12の外部から真空チャンバ12内に収容された基板Wの上面に光を照射する。そして、真空チャンバ12内の基板Wが光照射部18に対して相対的に移動することによって、または、光照射部18における光学系の制御によって、光が基板Wの上面を走査する。また、光照射部18は、外部固定部14に固定された架台24の上面に配置される。
制御部22は、たとえば、ハードディスクドライブ(Hard disk drive、すなわち、HDD)、ランダムアクセスメモリ(random access memory、すなわち、RAM)、リードオンリーメモリ(read only memory、すなわち、ROM)、フラッシュメモリ、揮発性または不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスクまたはDVDなどを含むメモリ(記憶媒体)を含む記憶装置と、たとえば、当該記憶装置、外部のCD-ROM、外部のDVD-ROM、または、外部のフラッシュメモリなどに格納されたプログラムを実行する中央演算処理装置(central processing unit、すなわち、CPU)などの処理回路と、マウス、キーボード、タッチパネル、または、各種スイッチなどの、情報を入力することができる入力装置と、ディスプレイ、液晶表示装置、または、ランプなどの、情報を出力することができる出力装置とを含むことができる。
制御部22は、光照射部18における光源の出力および光が照射される方向の制御、または、真空ポンプ21の出力制御、さらには、後述するそれぞれの駆動部の駆動制御などを行う。
図2は、本実施の形態に関する光照射装置1の、真空チャンバ12の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。図2に例が示されるように、真空チャンバ12の内部には、基板Wが上面に配置されるステージ42と、Y軸方向に移動可能であり、かつ、ステージ42を下方から支持するスライダー44と、真空チャンバ12とは独立して外部固定部14に固定されたベース46と、ベース46に固定され、かつ、Y軸方向に延びるリニアガイド48と、スライダー44をリニアガイド48に沿ってY軸方向に移動させるリニアモータ機構50と、ステージ42に形成された貫通孔(ここでは図示せず)を貫通して基板Wを支持するリフトピン52Aを有するリフトピン機構52とを備える。
ステージ42は、基板Wの加工面を上方に向けつつ、基板Wを略水平に保持する。ステージ42の詳細な構成については後述する。ステージ42を支持するスライダー44がリニアモータ機構50によってY軸方向に移動し、また、光照射部18から照射される光がX軸方向に走査されることによって、平面視において基板Wの加工領域の全面を光によって走査することが可能となる。または、光照射部18から照射される光が、X軸方向およびY軸方向に走査されることによって、平面視において基板Wの加工領域の全面を光によって走査することが可能となる。なお、リフトピン機構52は、ベース46に固定される。
リニアモータ機構50は、真空チャンバ12の側面に形成された開口部12Bを介して、真空チャンバ12の側方に位置する外部固定部14に固定される。具体的には、リニアモータ機構50は、開口部12Bに溶接されるベローズ16Aの中を通る中空の柱状部材14Aの端部に固定される。この際、リニアモータ機構50に接続される配線などは、柱状部材14Aの内部を通って真空チャンバ12の外部に導出される。なお、外部固定部14に含まれる柱状部材14Aは、外部固定部14に含まれる外部部材14Bに固定される。また、柱状部材14Aは、真空チャンバ12の側面に接続されたベローズ16Aとは接触しない。
ベース46は、真空チャンバ12の底面に形成された開口部12Cを介して、真空チャンバ12の下方に位置する外部固定部14に固定される。具体的には、ベース46は、開口部12Cに溶接されるベローズ16Bの中を通る柱状部材14Cの端部に固定される。なお、外部固定部14に含まれる柱状部材14Cは、外部固定部14に含まれる外部部材14Bに固定される。また、柱状部材14Cは、真空チャンバ12の底面に接続されたベローズ16Bとは接触しない。
図2では、外部固定部14は、真空チャンバ12の側方および下方に渡って配置されるが、これらの位置における外部固定部14が連続していることは必須ではなく、これらの位置に分散して設けられていてもよいし、いずれかの位置のみに設けられていてもよい。また、真空チャンバ12は、ベローズ16Bとは別にチャンバフレーム(図示せず)によって鉛直方向下方から支持されて固定されるが、当該チャンバフレームは、外部固定部14とは独立して設けられる。
図3は、図2に例が示された構成のうち、主に光照射部18およびステージ42を示す斜視図である。図3においては、ステージ42の上面に基板Wが配置された状態が示されている。光照射部18は、図3におけるX軸方向に光の照射方向を走査可能であり、ステージ42がリニアモータ機構50(図2を参照)によってY軸方向に移動可能である。よって、光照射部18からステージ42の上面に照射される光は、基板Wの上面において矩形型の照射領域(光照射領域)を形成することができる。
図3に示されるように、ステージ42は、光照射部18によって光が照射される対象である基板Wが配置される対象配置領域42Aと、光照射部18によって照射される光の位置を校正するための領域である位置校正領域42Bとを備える。
対象配置領域42Aは、対象配置領域42A内の特定の位置に基板Wを配置する。これによって、ステージ42と基板Wとの位置関係はあらかじめ特定される。位置校正領域42Bでは、光照射部18から位置校正領域42B内に照射される光の位置が検出される。そして、位置校正領域42Bでは、対象配置領域42Aにおける基板Wに対する光加工処理に先立って、光照射部18から照射される光の方向の設定値と、検出された光の照射位置との対応関係が校正される。
位置校正領域42Bの少なくとも一部には、光を透過させる透光部142が設けられる。透光部142は、石英(SiO)などのガラス材料または透明性樹脂(たとえば、シリコン樹脂)などの透明性材料で構成される。透光部142は、位置校正領域42Bに対応するステージ42の上面から下面に至って設けられる。光照射部18から透光部142に照射された光は、ステージ42の上面から下面へ透過する。
透光部142には、たとえば2つの散乱部142Aが設けられる。なお、散乱部142Aの数は、2つに限られるものではない。散乱部142Aは透明性材料で構成され、照射された光を散乱させつつ、反射または透過させる。散乱部142Aが設けられる位置は、ステージ42における特定の位置である。すなわち、ステージ42全体における散乱部142Aの位置は、あらかじめ特定されている。図3においては、それぞれの散乱部142Aは、光照射部18の光照射領域のX軸方向における端部に配置されているが、散乱部142Aが配置される位置は、ステージ42における特定の位置であればよく、光照射部18の光照射領域の端部に限られない。散乱部142Aは、入射する光を散乱させる性質を有し、たとえば、ガラス材料などの透明性材料にブラスト加工を施す、または、フッ酸などを用いてフロスト加工を施すことによって得られる。図3においては、それぞれの散乱部142Aは、透光部142の上面に形成されているが、少なくとも1つの散乱部142Aが透光部142の下面に形成されていてもよい。
なお、図3に示される場合では、対象配置領域42Aと位置校正領域42Bとが別々の領域とされているが、これらの領域は少なくとも一部が重なっていてもよい。すなわち、基板Wが配置される少なくとも一部の領域に透光部142が設けられていてもよい。そのような場合、たとえば、基板Wが配置されていない状態で、基板Wが配置される予定の位置において、光照射部18から照射される光の位置の校正が行われてもよい。
また、透光部142は、その全範囲において散乱部142Aが形成されていてもよい。すなわち、光が透過するのみである部分は存在せず、透光部142の全範囲において光の散乱が生じる場合であってもよい。
また、図3において透光部142はX軸方向に延びて設けられており、X軸方向のそれぞれの端部に散乱部142Aが設けられているが、透光部142はX軸方向において複数箇所に分割されていてもよい。ただし、一体的に形成された透光部142において複数の散乱部142Aが設けられている場合(すなわち、図3に示される場合)には、透明性材料で透光部142が製造された際の複数の散乱部142A間の位置精度が維持された状態で、ステージ42に透光部142を取り付ける(図3の場合には、嵌め込む)ことができる。そのため、ステージ42に取り付ける際に散乱部142A間の位置ずれが生じないため、複数の散乱部142Aを用いて行われる校正の精度を高く維持することができる。
図4は、図2に例が示された構成のうち、主に光照射部18およびステージ42の構成の例を示す断面図である。図4に例が示されるように、光照射部18は、照射する光の方向をX軸方向およびY軸方向に制御するガルバノミラーまたはポリゴンミラーなどであるスキャナ18Aと、図示しない光源からの光を集光する集光レンズ18Bとを備える。図4において、集光レンズ18B、さらには、石英などで形成される照射窓20を介して照射される光は、たとえばレーザー光18Cである。レーザー光18Cは、スキャナ18Aの制御によってステージ42の上面に配置される基板WをX軸方向およびY軸方向に走査可能である。ここで、光照射部18は、X軸方向およびY軸方向に光を制御可能であることが望ましいが、光照射部18は、X軸方向またはY軸方向のいずれかに光を制御可能であってもよい。
ステージ42は、位置校正領域42B(図3を参照)において形成される透光部142と、透光部142の上面に形成される散乱部142Aとを備える。光照射部18から照射されるレーザー光18Cは、X軸方向において少なくとも散乱部142Aに到達する範囲で走査可能である。
ステージ42の下方には、光を検出するための検出部62が配置される。検出部62は、真空チャンバ12内で光を集光する集光ユニット62Aと、集光ユニット62Aに集光された光を伝搬させるガラスなどの透明性材料からなる透明ロッド62Dと、透明ロッド62Dの上面に設けられ、かつ、光の伝搬方向を変化させるプリズム構造166と、透明ロッド62D内を伝搬する光を透明ロッド62Dから出射させるファイバー62Bと、ファイバー62Bから出射された光を集光する集光レンズ62Eと、集光レンズ62Eによって集光された光を、真空チャンバ12の筐体に設けられた透明窓20Aを介して真空チャンバ12外で検出する光検出器62Cとを備える。光照射部18と検出部62とを備えることで、光検出装置を構成することができる。
プリズム構造166には、主に光を屈折させる屈折面266Aを有する屈折プリズム166Aと、主に光を反射させる反射面266Bを有する反射プリズム166Bとが含まれる。図4においては、2つのプリズム構造166が設けられており、それぞれのプリズム構造166で、光検出器62Cに近い側に屈折プリズム166Aが配置され、光検出器62Cから遠い側に反射プリズム166Bが配置されている。
プリズム構造166は、ガラスまたは水晶などの透明な媒質で構成される多面体である。プリズム構造166は、透明ロッド62Dの上面との間に空気ギャップを有するように機械的に配置されてもよいし、低アウトガスの光学ガラス用接着材などを使って透明ロッド62Dの上面に接着されてもよい。
プリズム構造166は、平面視で散乱部142Aと重なる位置に配置されることが望ましい。また、図4に例が示されるように、複数のプリズム構造166が1つの透明ロッド62Dの長手方向に沿って設けられる場合には、複数の検出箇所から伝搬する光を単一の透明ロッド62Dを使って伝搬させ、さらには、単一の光検出器62Cを使って検出することができる。
屈折プリズム166Aにおける屈折面266Aは、たとえば、単層または複数層の反射防止膜が形成された面である。膜の材質としては、たとえば、フッ化マグネシウム、シリコン、二酸化ケイ素などが想定される。屈折面266Aの勾配角は、入射される光の角度に応じて調整される。また、反射プリズム166Bにおける反射面266Bは、たとえば、誘電体多層膜が形成された面である。反射プリズム166Bは、反射面266Bと同様の機能を有する他の鏡部材に置き換えられてもよい。反射面266Bの勾配角は、入射される光の角度に応じて調整される。
図5および図6は、検出部における集光ユニット62Aおよび透明ロッド62Dについて示す概略図である。なお、図5および図6においては、簡単のため、図4に示されたプリズム構造166は図示を省略する。
図5および図6に例が示されるように、集光ユニット62Aは、図4の光照射部18から入射される光の光軸上で、当該光を集光する集光レンズ162と、光照射部18から入射される光の光軸上で、集光レンズ162よりも光の経路の下流(すなわち、図5および図6におけるZ軸負方向側)に配置される遮光板164とを備える。遮光板164は、入射する光を遮る板状の部材であり、集光レンズ162よりも透光部142から遠ざかる位置の、集光レンズ162の集光位置に配置される。
また、図5および図6に例が示されるように、透明ロッド62Dは、石英(SiO)などのガラス材料または透明性樹脂(たとえば、シリコン樹脂)などの透明性材料で構成される。また、透明ロッド62Dは、たとえば円柱形状の棒部材であり、図4のステージ42の面に沿う平面(すなわち、XY平面)において延びて形成される。透明ロッド62Dが円柱形状であれば、集光ユニット62Aにおいて集光された光が透明ロッド62Dに入射する場合、透明ロッド62D内で全反射条件を満たしやすくなり、当該光を効率よく伝搬させることができる。ただし、透明ロッド62Dの形状は円柱形状に限られるものではなく、たとえば、角柱形状であってもよい。また、本実施の形態では、透明ロッド62Dが棒形状である場合が示されたが、透明ロッド62Dは、たとえば、ステージ42全面に対応する面形状などであってもよい。
透明ロッド62Dは、Z軸方向においては、集光レンズ162を基準として、散乱部142Aとの共役位置に配置される。
また、透明ロッド62Dは、平面視で少なくとも散乱部142Aと重なる範囲(たとえば、平面視で散乱部142Aを含む範囲)に配置されればよい。このような配置であれば、散乱部142Aで散乱し、さらに、集光ユニット62Aにおいて集光された光は、効率的に透明ロッド62Dに入射して伝搬される。
図5に示される場合では、光照射部18(図4を参照)から入射されたレーザー光18C(平行光)は、ステージ42における透光部142のみを通過して集光ユニット62Aに到達している。一方で、図6に示される場合では、光照射部18(図4を参照)から入射されたレーザー光18Cは、ステージ42における散乱部142Aおよび透光部142を通過して集光ユニット62Aに到達している。なお、図6においては、レーザー光18Cは散乱部142Aおよび透光部142を通過しているが、レーザー光18Cは散乱部142Aのみを通過してもよい。
図5に示される場合では、散乱部142A以外の透光部142を通過するレーザー光18Cは、光の照射範囲および方向が大きく変化せずに集光ユニット62Aに到達する。そして、レーザー光18Cは、集光ユニット62Aにおける集光レンズ162によって集光され、集光レンズ162の集光位置に配置された遮光板164に入射する。そして、遮光板164で光が遮られるため、レーザー光18Cの光軸に沿う光の経路の、遮光板164よりもさらに下流に位置する透明ロッド62Dには、レーザー光18Cは到達しない。
一方で、図6に示される場合では、透光部142における散乱部142Aを通過するレーザー光18Cは、散乱部142Aを通過する際に光の散乱が生じる。そうすると、レーザー光18Cによる照射範囲が散乱光(図6における砂地部分)によって拡げられた状態で、レーザー光18Cが集光ユニット62Aに到達する。そして、レーザー光18Cは、集光ユニット62Aにおける集光レンズ162によって集光される。
この際、散乱部142Aにおける光の散乱によって照射範囲が拡がっているレーザー光18Cには平行光ではない成分が多く含まれており、少なくとも一部の成分が集光レンズ162の集光位置には集光されない。よって、集光レンズ162の集光位置に配置された遮光板164ではレーザー光18Cの一部のみが遮られる。換言すると、レーザー光18Cの光軸に沿う光の経路の、遮光板164よりもさらに下流に位置する透明ロッド62Dに、遮光板164に遮られなかった一部のレーザー光18C、すなわち、レーザー光18Cの散乱光が到達する。
上記のように、ステージ42の上面に照射されたレーザー光18Cは、透光部142のうちの散乱部142Aが形成された箇所に入射した場合に、集光ユニット62Aで集光された後透明ロッド62Dに到達する。そして、透明ロッド62Dに到達した光が透明ロッド62D内、さらには、透明ロッド62Dの端部に接続されるファイバー62B内を伝搬した後集光レンズ62Eに集光されて光検出器62Cにおいて検出される。よって、レーザー光18Cが散乱部142Aに照射された場合に検出部62がレーザー光18Cの散乱光を検出することができるため、その際のスキャナ18A(図4を参照)の設定値と散乱部142Aの位置とを対応させるように、照射される光の位置を校正することができる。これによって、後の工程で、ステージ42の上面に配置された基板Wを光加工する際に、光照射部18(図4を参照)から照射される光の位置を高い精度で位置合わせすることができる。
また、光照射部18(図4を参照)によって光が照射される透光部142および透明ロッド62Dは透明性材料で構成されているため、光照射部18(図4を参照)によって照射される光の位置を校正するために繰り返し透光部142および透明ロッド62Dに比較的高い強度の光が照射される場合であっても、校正のために光が照射されるターゲット(すなわち、透光部142および透明ロッド62D)の損傷を抑制することができる。
また、検出部62において検出される光は散乱光であり、散乱せずに透光部142を透過した透過光ではないため、散乱していない透過光を直接検出する場合に比べて、検出部62における当該光に起因する損傷を抑制することができる。
図7は、透明ロッド62Dに到達した光118Cの伝搬経路の例を示す図である。光118Cは、たとえば、図4に示された光照射部18から照射されたレーザー光18Cが散乱部142Aで散乱し、さらに、集光ユニット62Aで集光されて透明ロッド62Dに到達した光である。
図7に例が示されるように、Z軸負方向に進行(伝搬)する光118Cは、まず、透明ロッド62Dの上面に設けられるプリズム構造166に入射する。具体的には、光118Cは、プリズム構造166のうちの反射プリズム166Bに入射する。そして、反射プリズム166Bの反射面266Bで光118Cが反射することによって、その進行方向(伝搬方向)がX軸負方向に変化する。
次に、光118Cは、プリズム構造166のうちの屈折プリズム166Aに入射する。そして、光118Cは、屈折プリズム166Aの屈折面266Aで屈折することによってその進行方向(伝搬方向)にZ軸負方向の成分が加わり(すなわち、X軸負方向に進みつつZ軸負方向に曲げられ)、光118Cは透明ロッド62D内へ入射する。そして、光118Cは、透明ロッド62D内を伝搬して、さらに、透明ロッド62DのX軸負方向側の端部に取り付けられるファイバー62B内を伝搬して、最終的に、光検出器62C(図4を参照)において検出される。
ここで、プリズム構造166が設けられていない場合には、図7に示されるように透明ロッド62Dに垂直に入射する光118Cは、透明ロッド62Dと透過するか、または、透明ロッド62Dの下面で等方的に散乱する。そして、散乱後に透明ロッド62D内において全反射条件を満たす光のみが透明ロッド62D内を伝搬し、最終的に光検出器62C(図4を参照)において検出される。
そうすると、透明ロッド62Dの一方の端部にファイバー62Bを介して接続される光検出器62Cに検出される光は、透明ロッド62Dに入射した光のうちの光検出器62Cが位置する側に散乱した光に限られ、さらに、透明ロッド62D内で全反射条件を満たす光に限られる。その結果、光検出器62Cで検出される光の光量が不十分であることに起因して、光検出器62Cにおける光検出精度が低下してしまう。
一方で、本実施の形態によれば、Z軸負方向に進行する光118Cはまずプリズム構造166に入射し、反射面266Bで反射されることによって、その進行方向がX軸負方向に変化する。さらに、光118Cが屈折面226Aで屈折することによって、その進行方向にZ軸負方向の成分が加わる。すなわち、光118Cの進行方向が、プリズム構造166の反射面266Bおよび屈折面266Aのそれぞれによって、光検出器62Cに向かう方向へ変化する。
そうすると、透明ロッド62Dの下面で反射または散乱する光の大部分は、光検出器62Cに向かう方向に進行することとなる。よって、プリズム構造166が設けられない場合に比べて光検出器62Cで検出される光の光量が増加し、その結果、光検出器62Cにおける光検出精度を向上させることができる。
なお、プリズム構造166は反射プリズム166Bのみが備えられるものであってもよい。その場合、たとえば反射プリズム166Bの反射面266Bの勾配角が図7に示される場合よりも大きければ、Z軸負方向に進行(伝搬)する光118Cは、反射プリズム166Bの反射面266Bで反射した後、その進行方向(伝搬方向)にX軸負方向の成分が加わりつつ、透明ロッド62D内に直接入射する。このような場合でも、光118Cは、屈折プリズム166Aも備えられる場合と同様に、透明ロッド62D内を効率的に伝搬することができる。
また、プリズム構造166は屈折プリズム166Aのみが備えられるものであってもよい。その場合、たとえば屈折プリズム166Aの屈折面266Aに対し、Z軸負方向に進行(伝搬)して入射する光118Cは、屈折プリズム166Aの屈折面266Aで屈折した後、その進行方向(伝搬方向)にX軸負方向の成分が加わりつつ透明ロッド62D内に入射する。このような場合でも、光118Cは、反射プリズム166Bも備えられる場合と同様に、透明ロッド62D内を効率的に伝搬することができる。
<以上に記載された実施の形態によって生じる効果について>
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。すなわち、以下では便宜上、対応づけられる具体的な構成のうちのいずれか1つのみが代表して記載される場合があるが、代表して記載された具体的な構成が対応づけられる他の具体的な構成に置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、光照射装置は、光を照射するための少なくとも1つの光照射部18と、光を検出するための検出部62とを備える。検出部62は、伝搬部材と、光検出器62Cとを備える。ここで、伝搬部材は、たとえば、透明ロッド62Dなどに対応するものである。透明ロッド62Dは、光照射部18から照射された光を伝搬させる。光検出器62Cは、透明ロッド62Dによって伝搬された光を検出する。そして、透明ロッド62Dには、透明ロッド62Dによって伝搬される光の伝搬方向を、光検出器62Cに向かう方向へ変化させる少なくとも1つの伝搬方向変化部が設けられる。ここで、伝搬方向変化部は、たとえば、プリズム構造166などに対応するものである。
このような構成によれば、プリズム構造166が、透明ロッド62Dに入射される光の伝搬方向を光検出器62Cが位置する方向へ変化させることによって、当該光が光検出器62Cとは反対側などに伝搬することを効果的に抑制し、当該光を光検出器62Cへ向かって効率的に伝搬させることができる。その結果、光検出器62Cへ伝搬される光を増やして光検出精度の低下を抑制することができる。
なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、プリズム構造166は、透明ロッド62Dに入射される光を反射する反射面266Bを有する。反射面266Bは、透明ロッド62Dに入射される光を光検出器62Cに向かう方向へ反射させた後、光を透明ロッド62Dに入射させる。このような構成によれば、透明ロッド62Dに入射される光を光検出器62Cが位置する方向へ反射させた後さらに透明ロッド62D内に入射させることによって、当該光が光検出器62Cとは反対側などに伝搬することを効果的に抑制し、当該光を光検出器62Cへ向かって効率的に伝搬させることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、プリズム構造166は、透明ロッド62Dに入射された光を光検出器62Cに向かう方向へ屈折させる屈折面266Aを有する。このような構成によれば、透明ロッド62Dに入射された光を光検出器62Cが位置する方向へ屈折させることによって、当該光が光検出器62Cとは反対側などに伝搬することを効果的に抑制し、当該光を光検出器62Cへ向かって効率的に伝搬させることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、プリズム構造166が複数設けられる。そして、複数のプリズム構造166が、透明ロッド62Dの長手方向に沿って配置される。このような構成によれば、透明ロッド62Dの長手方向における異なる箇所から入射した光それぞれを、単一の透明ロッド62Dを使って伝搬させ、さらには、単一の光検出器62Cを使って検出することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、光照射装置は、ステージ42を備える。ここで、光照射部18は、ステージ42の上面に光を照射する。また、ステージ42の少なくとも一部には、光を散乱させるための少なくとも1つの散乱部142Aが設けられる。また、散乱部142Aは、透明性材料で構成される。そして、透明ロッド62Dは、散乱部142Aを介して入射された光を伝搬させる。このような構成によれば、光が照射される散乱部142Aが透明性材料で構成されるため、レーザー光18Cなどの高強度の光が照射される場合であっても、光が照射される箇所の損傷を軽減することができる。そのため、検出部62によって検出される光の位置精度が低下しにくい。また、散乱部142Aで散乱した散乱光を検出することによって、レーザー光18Cなどの高強度の光を検出する場合であっても、光が直接照射されることに起因する検出部62の損傷を軽減することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、プリズム構造166は、散乱部142Aの位置に対応して配置される。このような構成によれば、散乱部142Aで散乱されて透明ロッド62Dに入射する光の伝搬方向をプリズム構造166で変化させることによって、当該光を透明ロッド62D内で効率的に伝搬させることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、光照射部18から照射される光がレーザー光18Cである。このような構成によれば、レーザー光18Cのような高強度の光が照射される場合であっても、プリズム構造166が、透明ロッド62Dに入射される光の伝搬方向を光検出器62Cが位置する方向へ変化させることによって、当該光が光検出器62Cとは反対側などに伝搬することを効果的に抑制し、当該光を光検出器62Cへ向かって効率的に伝搬させることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、光照射装置は、ステージ42が内包されるチャンバを備える。ここで、チャンバは、たとえば、真空チャンバ12などに対応するものである。光検出器62Cは、透明ロッド62Dによって伝搬された光を、真空チャンバ12の外部において検出する。このような構成によれば、検出部62のうちの光検出器62Cが真空チャンバ12の外部に設けられるため、光検出器62Cから放出されるアウトガスが真空チャンバ12内で生じることを抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、検出部62は、散乱部142Aを介して入射された光を集光するための集光レンズ162と、集光レンズ162よりも散乱部142Aから遠ざかる位置で、かつ、集光レンズ162の集光位置に配置される遮光板164とを備える。そして、透明ロッド62Dは、集光レンズ162によって集光された光を伝搬させる。このような構成によれば、遮光板164で透過光を遮断しつつ散乱部142Aで散乱した散乱光を検出することによって、レーザー光18Cなどの高強度の光を検出する場合であっても、光が直接照射されることに起因する検出部62の損傷を軽減することができる。
<以上に記載された実施の形態の変形例について>
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
1 光照射装置
18 光照射部
18B 集光レンズ
18C レーザー光
42 ステージ
62 検出部
62C 光検出器
62E 集光レンズ
118C 光
142A 散乱部
162 集光レンズ
164 遮光板
226A 屈折面
266A 屈折面
266B 反射面

Claims (9)

  1. 光を照射するための少なくとも1つの光照射部と、
    前記光を検出するための検出部とを備え、
    前記検出部は、
    前記光照射部から照射された前記光を伝搬させるための伝搬部材と、
    前記伝搬部材によって伝搬された前記光を検出するための光検出器とを備え、
    前記伝搬部材には、前記伝搬部材によって伝搬される前記光の伝搬方向を、前記光検出器に向かう方向へ変化させる少なくとも1つの伝搬方向変化部が設けられる、
    光照射装置。
  2. 請求項1に記載の光照射装置であり、
    前記伝搬方向変化部は、前記伝搬部材に入射される前記光を反射する反射面を有し、
    前記反射面は、前記伝搬部材に入射される前記光を前記光検出器に向かう方向へ反射させた後、前記光を前記伝搬部材に入射させる、
    光照射装置。
  3. 請求項1または2に記載の光照射装置であり、
    前記伝搬方向変化部は、前記伝搬部材に入射された前記光を前記光検出器に向かう方向へ屈折させる屈折面を有する、
    光照射装置。
  4. 請求項1から3のうちのいずれか1つに記載の光照射装置であり、
    前記伝搬方向変化部が複数設けられ、
    複数の前記伝搬方向変化部が、前記伝搬部材の長手方向に沿って配置される、
    光照射装置。
  5. 請求項1から4のうちのいずれか1つに記載の光照射装置であり、
    ステージをさらに備え、
    前記光照射部は、前記ステージの上面に前記光を照射し、
    前記ステージの少なくとも一部には、前記光を散乱させるための少なくとも1つの散乱部が設けられ、
    前記散乱部は、透明性材料で構成され、
    前記伝搬部材は、前記散乱部を介して入射された前記光を伝搬させる、
    光照射装置。
  6. 請求項5に記載の光照射装置であり、
    前記伝搬方向変化部は、前記散乱部の位置に対応して配置される、
    光照射装置。
  7. 請求項5に記載の光照射装置であり、
    前記ステージが内包されるチャンバをさらに備え、
    前記光検出器は、前記伝搬部材によって伝搬された前記光を、前記チャンバの外部において検出する、
    光照射装置。
  8. 請求項5に記載の光照射装置であり、
    前記検出部は、
    前記散乱部を介して入射された前記光を集光するための集光レンズと、
    前記集光レンズよりも前記散乱部から遠ざかる位置で、かつ、前記集光レンズの集光位置に配置される遮光板とをさらに備え、
    前記伝搬部材は、前記集光レンズによって集光された前記光を伝搬させる、
    光照射装置。
  9. 請求項1から8のうちのいずれか1つに記載の光照射装置であり、
    前記光照射部から照射される前記光がレーザー光である、
    光照射装置。
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