JP2023019682A - 力覚センサの製造方法及び力覚センサ - Google Patents
力覚センサの製造方法及び力覚センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023019682A JP2023019682A JP2021124610A JP2021124610A JP2023019682A JP 2023019682 A JP2023019682 A JP 2023019682A JP 2021124610 A JP2021124610 A JP 2021124610A JP 2021124610 A JP2021124610 A JP 2021124610A JP 2023019682 A JP2023019682 A JP 2023019682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- force sensor
- strain
- manufacturing
- main surface
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
- G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
- G01B7/18—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01G—WEIGHING
- G01G3/00—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances
- G01G3/12—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances wherein the weighing element is in the form of a solid body stressed by pressure or tension during weighing
- G01G3/14—Weighing apparatus characterised by the use of elastically-deformable members, e.g. spring balances wherein the weighing element is in the form of a solid body stressed by pressure or tension during weighing measuring variations of electrical resistance
- G01G3/1402—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
【課題】従来の力覚センサと比較して、感度を高めること。【解決手段】力覚センサの製造方法は、板状部材(基材BM)と、導体膜製の歪みゲージ(12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2)とを備えた力覚センサ(1)の製造方法であって、板状部材(基材BM)の一方の主面に誘電体層(DL)を介して導体層を形成する第1の工程((c)参照)と、半導体転写製造方法を用いて前記導体層を歪みゲージに加工する第2の工程((d)参照)と、を含んでいる。【選択図】図5
Description
本発明は、力覚センサの製造方法及び力覚センサに関する。
外力により変形する変形部を有する金属製の起歪体と、その変形部に実装された複数の歪ゲージと、を備え、その歪ゲージを用いて外力を検知する力覚センサが知られている。
このような力覚センサにおいて、起歪体に実装可能な歪みゲージが特許文献1の図1に記載されている。特許文献1の歪みゲージは、樹脂材料で形成された基材と、基材上に設けられた金属製の抵抗体及び一対のタブと、前記基材の主面のうち抵抗体が設けられた主面とは反対側の主面に設けられた融着層とを備えている。融着層を用いて基材を起歪体に融着することによって、歪みゲージを起歪体に実装することができる。
なお、この歪みゲージにおける抵抗体及び一対のタブは、それぞれ、本願明細書における歪みゲージを構成するゲージ本体及び一対の電極に読み替えられる。また、以下においては、抵抗体及び一対のタブを、それぞれ、ゲージ本体及び一対の電極と呼び、ゲージ本体及び一対の電極をまとめて歪みゲージと呼ぶ。
ところで、ゲージ本体のパターンは、一軸方向に沿って延伸された金属製の細線を所定の距離ごとに、複数回にわたって折り返す(180°折り曲げる)ことによって得られる。以下では、このような形状のことをメアンダ形状と呼ぶ。
このようなメアンダ形状を有する抵抗体と一対のタブは、それ自体では形状を保持する強度を有していないため、上述した基材のうえに設けられている。すなわち、基材は、歪みゲージを支持する支持部材である。
特許文献1の段落0024に記載されているように、この基材は、樹脂材料で形成された可撓性を有する板状部材である。樹脂材料の例としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレン、及びポリエーテルエーテルケトンが挙げられている。このような樹脂材料により構成された基材は、粘着性をもたない。そのため、特許文献1において、基材とは別個に融着層を設けることによって、歪みゲージを起歪体に実装可能にしている。
特許文献1の段落0024及び段落0027などには、基材の厚みは、約12μm~25μmであり、融着層の厚みは、3μm~12μmである、と記載されている。したがって、特許文献1の技術を用いて歪みゲージを起歪体に実装した場合、歪みゲージと起歪体との間には、厚みが少なくとも15μm以上である誘電体層が介在することになる。
起歪体が金属製である場合、歪みゲージと起歪体とを絶縁するために、これらの間に介在する誘電体層が必要である。しかし、歪みゲージの感度を高めるという観点においては、この誘電体層の厚みが薄いことが好ましい。誘電体層の厚みが厚くなるほど、起歪体の変形に対するひずみケージの変形の追従性が悪くなり、その結果、歪みゲージの感度が低下するためである。
本発明の一態様は、上述した課題に鑑みなされたものであり、従来よりも感度が高い力覚センサを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る力覚センサの製造方法は、
板状部材と、導体膜製の歪みゲージとを備えた力覚センサの製造方法であって、
前記板状部材の一方の主面に、直接又は間接に導体層を形成する第1の工程と、
半導体転写製造方法を用いて前記導体層を歪みゲージに加工する第2の工程と、を含んでいる。
板状部材と、導体膜製の歪みゲージとを備えた力覚センサの製造方法であって、
前記板状部材の一方の主面に、直接又は間接に導体層を形成する第1の工程と、
半導体転写製造方法を用いて前記導体層を歪みゲージに加工する第2の工程と、を含んでいる。
本発明の第2の実施形態に係る力覚センサの製造方法は、上述した第1の態様に係る力覚センサの製造方法の構成に加えて、前記板状部材は、導電体により構成されており、前記第1の工程のまえに実施する第3の工程であって、前記主面に直接誘電体層を形成する第3の工程を更に含んでおり、前記第1の工程において、前記導体層は、前記主面に前記誘電体層のみを介して形成される、構成が採用されている。
本発明の第3の実施形態に係る力覚センサの製造方法は、上述した第1の態様に係る力覚センサの製造方法の構成に加えて、前記板状部材は、誘電体により構成されており、前記第1の工程において、前記導体層は、前記主面に直接形成される、構成が採用されている。
本発明の第4の実施形態に係る力覚センサの製造方法は、上述した第1の態様~第3の態様の何れか一態様に係る力覚センサの製造方法の構成に加えて、前記半導体転写製造方法は、リソグラフィー法である、構成が採用されている。
本発明の第5の実施形態に係る力覚センサの製造方法は、上述した第4の態様に係る力覚センサの製造方法の構成に加えて、前記第2の工程のあとに実施する第4の工程であって、前記歪みゲージが設けられた前記板状部材から起歪体を機械加工により切削する第4の工程を更に含む、構成が採用されている。
上記の課題を解決するために、本発明の第6の態様に係る力覚センサは、板状部材からなる起歪体と、前記板状部材の一方の主面に、直接又は単層である誘電体層を介して、設けられた導体パターンである歪みゲージと、を備えている。
本発明の第7の実施形態に係る力覚センサは、上述した第6の態様に係る力覚センサの構成に加えて、前記起歪体は、導電体により構成されており、前記歪みゲージは、前記主面に前記誘電体層を介して設けられている、構成が採用されている。
本発明の第8の実施形態に係る力覚センサは、上述した第7の態様に係る力覚センサの構成に加えて、前記誘電体層の厚みが1μm以上2μm以下である、構成が採用されている。
本発明の第9の実施形態に係る力覚センサは、上述した第6の態様に係る力覚センサの構成に加えて、前記起歪体は、誘電体により構成されており、前記歪みゲージは、前記主面に直接設けられている、構成が採用されている。
本発明の一態様によれば、従来の力覚センサと比較して感度を高めることができる。
〔第1の実施形態〕
<力覚センサの構成>
本発明の第1の実施形態に係る力覚センサ1について、図1~図3を参照して説明する。図1は、力覚センサ1の斜視図である。図2は、力覚センサ1が備えている歪みゲージの平面図である。図3は、力覚センサ1の拡大断面図であって、歪みゲージ12a1,12a2を含む部分の拡大断面図である。なお、図3の拡大断面図は、図1及び図2に示したA-A線に沿った断面を矢印の方向に矢視することによって得られる。A-A線は、歪みゲージ12a2を構成するゲージ本体12a21を通る直線である。より詳しくは、メアンダ形状を有するゲージ本体12a21のうち、x軸方向に沿った部分を通る直線である。ゲージ本体12a21については、図2を参照して後述する。なお、本実施形態においては、ゲージ本体12a21において、電極12a22から電極12a23へ向かう方向をx軸正方向と定め、電極12a22,12a23の各々から、配線12a24,12a25の各々が延伸されている方向をy軸正方向と定め、x軸正方向及びy軸正方向とともに右手系の直交座標を形成するようにz軸正方向を定めている(図2参照)。
<力覚センサの構成>
本発明の第1の実施形態に係る力覚センサ1について、図1~図3を参照して説明する。図1は、力覚センサ1の斜視図である。図2は、力覚センサ1が備えている歪みゲージの平面図である。図3は、力覚センサ1の拡大断面図であって、歪みゲージ12a1,12a2を含む部分の拡大断面図である。なお、図3の拡大断面図は、図1及び図2に示したA-A線に沿った断面を矢印の方向に矢視することによって得られる。A-A線は、歪みゲージ12a2を構成するゲージ本体12a21を通る直線である。より詳しくは、メアンダ形状を有するゲージ本体12a21のうち、x軸方向に沿った部分を通る直線である。ゲージ本体12a21については、図2を参照して後述する。なお、本実施形態においては、ゲージ本体12a21において、電極12a22から電極12a23へ向かう方向をx軸正方向と定め、電極12a22,12a23の各々から、配線12a24,12a25の各々が延伸されている方向をy軸正方向と定め、x軸正方向及びy軸正方向とともに右手系の直交座標を形成するようにz軸正方向を定めている(図2参照)。
力覚センサ1は、6軸力覚センサであり、起歪体11と、6個の歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2からなる歪ゲージ群と、を備えている。
ここで、6軸力覚センサとは、外力のx軸方向成分、y軸方向成分、z軸方向成分、x軸周りのモーメント成分、y軸周りのモーメント成分、及びz軸周りのモーメント成分を検出することが可能な力覚センサのことを指す。なお、起歪体11は、2つの主面がxy平面と平行になるように配置されているものとする。起歪体11の一対の主面のうち、一方の主面であるz軸正方向側の主面を主面11aと呼び、他方の主面であるz軸負方向側の主面を主面11bと呼ぶ。
なお、力覚センサ1は、本願発明の一態様に係る力覚センサの一例である。本願発明の一態様に係る力覚センサは、力覚センサ1に限定されるものではない。本願発明の一態様に係る力覚センサの構成は、既存の力覚センサに適用可能である。例えば、本願発明の一態様に係る力覚センサの構成は、特願2019-068598号公報の図1及び図2に記載されている力覚センサにも適用可能である。
また、力覚センサ1は、起歪体11と、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とに加えて、複数の抵抗素子と、複数のブリッジ回路とを備えている。ただし、本実施形態においては、起歪体11、及び、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2について説明し、複数の抵抗素子、及び、複数のブリッジ回路の説明を省略する。複数の抵抗素子、及び、複数のブリッジ回路の構成については、既存の力覚センサ(例えば、特願2019-068598号公報の図1及び図2に記載されている力覚センサ)の構成を適用することができる。
(起歪体)
起歪体11は、ばね性を有する材料により構成された板状部材である。図1に示すように、起歪体11は、コア部111と、コア部111を取り囲むフレーム部112と、コア部111とフレーム部112とを連結するアーム部113a~113cと、を備えている。起歪体11の材料としては、例えば、アルミニウム合金、合金鋼、ステンレス鋼などの導電体、又は、セラミックス、樹脂、ガラスなどの誘電体が挙げられる。本実施形態において、起歪体11は、誘電体の一例であるセラミックスにより構成されている。
起歪体11は、ばね性を有する材料により構成された板状部材である。図1に示すように、起歪体11は、コア部111と、コア部111を取り囲むフレーム部112と、コア部111とフレーム部112とを連結するアーム部113a~113cと、を備えている。起歪体11の材料としては、例えば、アルミニウム合金、合金鋼、ステンレス鋼などの導電体、又は、セラミックス、樹脂、ガラスなどの誘電体が挙げられる。本実施形態において、起歪体11は、誘電体の一例であるセラミックスにより構成されている。
また、起歪体11の加工方法としては、例えば、後述する製造方法において説明するように、厚さが均一である1枚の板状部材である基材を機械加工することが挙げられる。機械加工の一例としては、切削が挙げられる。切削は、NC(Numerical Control)加工を好適に用いることができる。なお、フレーム部112が固定された状態でコア部111に外力が作用すると、アーム部113a~113cにその外力に応じた歪が生じる。このため、コア部111は、「受力部」と呼ばれることがあり、フレーム部112は、「固定部」と呼ばれることがある。
コア部111の形状は特に限定されないが、本実施形態においては、コア部111の形状として、底面が略三角形である柱形状(すなわち、略三角柱形状)を採用している。また、フレーム部112の形状は特定に限定されないが、本実施形態においては、フレーム部112の形状として、リング状を採用している。フレーム部112の外周部及び内周部は、何れも略円形状であり、互いに同心円状になるように構成されている。起歪体11は、上述したように厚さが均一である1枚の基材を加工することによって成形される。したがって、コア部111の厚みとフレーム部112の厚みとは、略等しい(本実施形態においては等しい)。コア部111は、フレーム部112の内周部の内側に、リング状であるフレーム部112の中心とコア部111の重心とが一致するように収められている。
本実施形態においては、アーム部113a~113cの形状として、底面が略長方形であり、且つ、1方向に沿って延出された柱形状(すなわち、略四角柱形状)を採用している。また、アーム部113a~113cの個数は、特に限定されないが、本実施形態においては、アーム部113a~113cの個数を3としている。アーム部113aは、コア部111からy軸負方向に延出し、コア部111とフレーム部112とを連結する。また、アーム部113bは、xy平面内においてy軸負方向から-120°(時計周りに120°)の方向に延出し、コア部111とフレーム部112とを連結する。また、アーム部113cは、コア部111からxy平面内においてy軸負方向から+120°(反時計周りに120°)の方向に延出し、コア部111とフレーム部112とを連結する。
ただし、コア部111、フレーム部112、及び、アーム部113a~113cの各々の形状は、上述した形状に限定されない。例えば、コア部111、フレーム部112、及び、アーム部113a~113cの各々は、特願2019-068598号公報の図1のような形状であってもよい。
(歪みゲージ)
起歪体11の主面11aには、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2が形成されている(図1参照)。より具体的には、アーム部113aの主面11aには、歪みゲージ12a1,12a2が形成されており(図3参照)、アーム部113bの主面11aには、歪みゲージ12b1,12b2が形成されており、アーム部113cの主面11aには、歪みゲージ12c1,12c2が形成されている。
起歪体11の主面11aには、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2が形成されている(図1参照)。より具体的には、アーム部113aの主面11aには、歪みゲージ12a1,12a2が形成されており(図3参照)、アーム部113bの主面11aには、歪みゲージ12b1,12b2が形成されており、アーム部113cの主面11aには、歪みゲージ12c1,12c2が形成されている。
歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2は、主面11aの法線方向であるz軸正方向側から平面視した場合に、図2に示す形状に成形された、導電体製の導体パターンである。本実施形態において、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2は、Cu-Ni系合金により構成されている。ただし、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2を構成する導電体は、これに限定されず、例えば、Ni-Cr系合金が挙げられる。これらの導電体は、半導体転写製造方法(例えば、フォトリソグラフィー法)を用いて加工可能な導電体のなかから適宜選択することができる。
ここでは、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のうち、歪みゲージ12a2を用いて、その形状について説明する。なお、歪みゲージ12b2,12c2は、歪みゲージ12a2と同じ形状を有する。また、歪みゲージ12a1,12b1,12c1は、yz平面を鏡映面として、歪みゲージ12a2と鏡映対称な形状を有する。
図2に示すように、歪みゲージ12a2は、ゲージ本体12a21と、一対の電極12a22,12a23と、一対の配線12a24,12a25と、により構成されている。
ゲージ本体12a21のパターンは、一軸方向に沿って延伸された導電体製の細線を所定の距離ごとに、複数回にわたって折り返す(180°折り曲げる)ことによって得られる。以下では、このような形状のことをメアンダ形状と呼ぶ。ゲージ本体12a21のパターンは、図2に示した例に限定されず、適宜設計することができる。
一対の配線である配線12a24,12a25の各々は、それぞれ、メアンダ形状に折り曲げられたゲージ本体12a21の両端部に繋がっている。配線12a24,12a25の各々は、いずれもy軸方向に沿って延伸されている。ただし、配線12a24,12a25の各々の形状は、図2に示した例に限定されず、適宜設計することができる。
一対の電極である電極12a22,12a23の各々は、それぞれ、配線12a24,12a25に繋がっている。本実施形態において、電極12a22,12a23の形状は、角丸四角形である。ただし、電極12a22,12a23の形状は、図2に示した例に限定されず、適宜設計することができる。
本実施形態において、主面11a及び歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2の上層のうち、電極12a22,12a23を除いた領域には、誘電体層13が設けられている(図3参照)。なお、図1においては、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2の構成を分かりやすくするために誘電体層13の図示を省略している。
誘電体層13を構成する誘電体としては、半導体転写製造方法(例えば、フォトリソグラフィー法)において利用可能な樹脂(例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂など)が挙げられる。誘電体層13は、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2を保護する。
なお、本実施形態において、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2は、起歪体11の一方の主面である主面11aのみに形成されている。ただし、本発明の一態様において、複数の歪みゲージは、主面11aに加えて、起歪体11の他方主面である主面11bにも形成されていてもよい。すなわち、本発明の一態様において、複数の歪みゲージは、起歪体11の両主面11a,11bに形成されていてもよい。
<変形例>
力覚センサ1の変形例である力覚センサ1Aについて、図4を参照して説明する。図4は、力覚センサ1Aの拡大断面図であって、歪みゲージ12a1,12a2を含む部分の拡大断面図である。
力覚センサ1の変形例である力覚センサ1Aについて、図4を参照して説明する。図4は、力覚センサ1Aの拡大断面図であって、歪みゲージ12a1,12a2を含む部分の拡大断面図である。
図4に示すように、力覚センサ1Aは、図3に示す力覚センサ1をベースにして、以下の変更を施すことによって得られる。
1つ目の変更点は、誘電体製である起歪体11を導電体製である起歪体11Aに変更することである。2つ目の変更点は、起歪体11Aの一方の主面である主面11aAと、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2及び誘電体層13との間に、誘電体層14を介在させることである。
本変形例において、起歪体11Aは、導電体の一例であるアルミニウム合金により構成されている。ただし、起歪体11Aは、導電体製であれよく、合金鋼や、ステンレス鋼などにより構成されていてもよい。
誘電体層14は、起歪体11Aと、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とを絶縁する。誘電体層13を構成する誘電体としては、半導体転写製造方法(例えば、フォトリソグラフィー法)において利用可能な樹脂(例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂など)が挙げられる。本変形例において、誘電体層14は、ポリイミド樹脂により構成されている。
誘電体層14は、単一の製造プロセスにより構成された単一の層である。誘電体層14は、1種類の材料を用いて、均一に構成されている。
誘電体層14の厚みt(図4参照)は、起歪体11Aと、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とを絶縁可能であり、且つ、特許文献1に記載された力覚センサにおける誘電体層の厚さ(=15μm)より薄い範囲内において、適宜定めることができる。ただし、力覚センサ1の感度をより高めるという観点においては、厚みtは、絶縁性を保つことができる範囲内において、できるだけ薄いことが好ましい。また、厚みtは、半導体転写製造方法(例えば、フォトリソグラフィー法)においてよいに形成可能な厚みであることが好ましい。好ましい厚みtとしては、1μm以上2μm以下が挙げられる。この構成によれば、誘電体層14の厚みが1μm以上であるため、起歪体11Aと、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2と、を確実に絶縁することができる。また、この構成によれば、誘電体層14の厚みが2μm以下であるため、感度を更に高めることができる。
〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態に係る力覚センサの製造方法について、図5を参照して説明する。図5は、本製造方法の流れを示す模式図である。なお、図5の(b)~(e)に各々図示した断面図は、図5の(d)に図示したB-B線における断面図である。B-B線は、図2に示したA-A線に対応する直線である。
本発明の第2の実施形態に係る力覚センサの製造方法について、図5を参照して説明する。図5は、本製造方法の流れを示す模式図である。なお、図5の(b)~(e)に各々図示した断面図は、図5の(d)に図示したB-B線における断面図である。B-B線は、図2に示したA-A線に対応する直線である。
本製造方法は、第1の実施形態の変形例である力覚センサ1Aの製造方法である。なお、説明の便宜上、第1の実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、図5の(a)~(f)の各々においては、各工程において用いる。
本製造方法は、研磨工程と、誘電体層形成工程と、導体層形成工程と、第1のフォトリソグラフィー工程と、第2のフォトリソグラフィー工程と、切削工程とを含んでいる。
本実施形態においては、起歪体11Aを成形するための素材としてアルミニウム合金製の板状部材である基材BMを用いる。本実施形態において、基材BMの形状は、正方形状である。ただし、基材BMの形状は、これに限定されるものではない。また、本実施形態では、基材BMを用いて、1つの力覚センサ1を製造する場合を例にして、本製造方法について説明する。ただし、1枚の基材BMを用いて製造する力覚センサ1の数は、1つに限定されない。1枚の基材BMから複数の力覚センサ1を製造する場合、その力覚センサ1の数に応じて、基材BMの大きさを適宜選択すればよい。
<研磨工程>
研磨工程は、基材BMの一対の主面である主面BMa,BMbを研磨する工程である(図5の(a)参照)。研磨後の主面BMaにおける表面粗さは、フォトリソグラフィー法を用いて歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2を成形可能な範囲内であれば適宜選択することができる。本実施形態においては、主面BMaの表面粗さ(算術平均粗さRa)が0.2μm以下になるように主面BMa,BMbを研磨する。
研磨工程は、基材BMの一対の主面である主面BMa,BMbを研磨する工程である(図5の(a)参照)。研磨後の主面BMaにおける表面粗さは、フォトリソグラフィー法を用いて歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2を成形可能な範囲内であれば適宜選択することができる。本実施形態においては、主面BMaの表面粗さ(算術平均粗さRa)が0.2μm以下になるように主面BMa,BMbを研磨する。
<誘電体層形成工程>
誘電体層形成工程は、主面BMaに誘電体(本実施形態においては、ポリイミド樹脂)をスピンコートすることによって誘電体層DL1を形成する工程である(図5の(b)参照)。誘電体層形成工程は、第3の工程の一例である。
誘電体層形成工程は、主面BMaに誘電体(本実施形態においては、ポリイミド樹脂)をスピンコートすることによって誘電体層DL1を形成する工程である(図5の(b)参照)。誘電体層形成工程は、第3の工程の一例である。
<導体層形成工程>
導体層形成工程は、誘電体層DL1の上層に導電体(本実施形態においては、Cu-Ni系合金)を成膜することによって導体層CLを形成する工程である(図5の(c)参照)。導体層形成工程は、第1の工程の一例である。導体層形成工程において導体層CLは、スパッタ法を用いて成膜される。ただし、導体層形成工程において導体層CLを成膜する方法は、スパッタ法に限定されず、例えば真空蒸着法であってもよい。
導体層形成工程は、誘電体層DL1の上層に導電体(本実施形態においては、Cu-Ni系合金)を成膜することによって導体層CLを形成する工程である(図5の(c)参照)。導体層形成工程は、第1の工程の一例である。導体層形成工程において導体層CLは、スパッタ法を用いて成膜される。ただし、導体層形成工程において導体層CLを成膜する方法は、スパッタ法に限定されず、例えば真空蒸着法であってもよい。
<第1のフォトリソグラフィー工程>
第1のフォトリソグラフィー工程は、フォトリソグラフィー法を用いて導体層CLを歪みゲージに加工する工程である(図5の(d)参照)。第1のフォトリソグラフィー工程は、第2の工程の一例である。また、フォトリソグラフィー法は、半導体転写製造方法の一態様である。第1のフォトリソグラフィー工程について簡単に説明すれば以下の通りである。
第1のフォトリソグラフィー工程は、フォトリソグラフィー法を用いて導体層CLを歪みゲージに加工する工程である(図5の(d)参照)。第1のフォトリソグラフィー工程は、第2の工程の一例である。また、フォトリソグラフィー法は、半導体転写製造方法の一態様である。第1のフォトリソグラフィー工程について簡単に説明すれば以下の通りである。
第1のフォトリソグラフィー工程においては、まず、導体層CLの上層にフォトレジストをスピンコートする。その次に、フォトレジスト上にマスクを置いた状態でフォトレジストを露光する。このときに用いるマスクは、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のパターンと同じマスクパターンを有する。この露光により、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のパターンがフォトレジストに転写される。なお、この露光において用いる光の波長は、限定されるものでなく、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のパターンの精細さに応じて適宜選択することができる。すなわち、第1のフォトリソグラフィー工程において用いるリソグラフィー法は、フォトリソグラフィー法であってもよいし、電子線リソグラフィー法であってもよい。本実施形態では、フォトリソグラフィー法を用いる。次に、露光済のフォトレジストを現像することによって、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のパターンに対応したフォトレジストが導体層CLの上層に残る。次に、ウェットプロセスを用いて、フォトレジストから露出している領域の導体層CLをエッチングすることにより、導体層CLを歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2の形状にパターニングする。次に、導体層CLの上層に残されたフォトレジストを除去する。
<第2のフォトリソグラフィー工程>
第2のフォトリソグラフィー工程は、フォトリソグラフィー法を用いて、各歪みゲージ(例えば、歪みゲージ12a2)のゲージ本体(例えば、ゲージ本体12a21)及び一対の配線(例えば、配線12a24,12a25)を覆い、一対の電極(例えば、電極12a22,12a23)を露出させる保護層を作成する工程である(図5の(e)参照)。第2のフォトリソグラフィー工程について簡単に説明すれば以下の通りである。
第2のフォトリソグラフィー工程は、フォトリソグラフィー法を用いて、各歪みゲージ(例えば、歪みゲージ12a2)のゲージ本体(例えば、ゲージ本体12a21)及び一対の配線(例えば、配線12a24,12a25)を覆い、一対の電極(例えば、電極12a22,12a23)を露出させる保護層を作成する工程である(図5の(e)参照)。第2のフォトリソグラフィー工程について簡単に説明すれば以下の通りである。
第2のフォトリソグラフィー工程においては、まず、各歪みゲージの上層にフォトレジストをスピンコートする。その次に、フォトレジスト上にマスクを置いた状態でフォトレジストを露光する。このときに用いるマスクは、各歪みゲージの一対の電極のパターンと同じマスクパターンを有する。この露光により、一対の電極のパターンがフォトレジストに転写される。次に、露光済のフォトレジストを現像することによって、一対の電極のパターンに対応したフォトレジストが導体層CLの上層に残る。次に、各歪みゲージ及びフォトレジストの上層に、誘電体(本実施形態においては、ポリイミド樹脂)をスピンコートすることによって誘電体層DL2を形成する。次に、一対の電極のパターンに対応したフォトレジストをリフトオフする。
<切削工程>
切削工程は、主面BMaに歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2が形成された基材BMから起歪体11を機械加工により切削する工程である(図5の(g)参照)。切削工程は、第4の工程の一例である。切削工程を実施することによって、力覚センサ1Aが完成する。
切削工程は、主面BMaに歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2が形成された基材BMから起歪体11を機械加工により切削する工程である(図5の(g)参照)。切削工程は、第4の工程の一例である。切削工程を実施することによって、力覚センサ1Aが完成する。
<製造方法のまとめ>
以上のように、第2の実施形態に係る製造方法は、導電体製の板状部材である基材BMと、導体膜製の歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とを備えた力覚センサ1Aの製造方法である。
以上のように、第2の実施形態に係る製造方法は、導電体製の板状部材である基材BMと、導体膜製の歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とを備えた力覚センサ1Aの製造方法である。
本製造方法は、主面BMaに、間接に導体層CLを形成する導体層形成工程と、半導体転写製造方法の一態様であるリソグラフィー法を用いて導体層CLを歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2に加工する第1のリソグラフィー工程と、を含んでいる。
本製造方法によれば、基材BMの一方の主面BMaに直接又は間接に形成された導体層CLを、リソグラフィー法を用いて歪みゲージに加工することができる。したがって、特許文献1の技術において抵抗体及び一対のタブと基材との間に設けられていた融着層を省くことができる。したがって、本製造方法を用いて製造された力覚センサ1Aは、基材BMにより構成された起歪体11Aと、単層である誘電体層14を介して主面11aAに設けられた導体パターンである歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2と、を備えている。力覚センサ1Aは、従来よりも歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2と起歪体11との間隔を近づけることができるので、感度を高めることができる。なお、本製造方法において、半導体転写製造方法は、リソグラフィー法に限定されない。
また、本製造方法において、基材BMは、導電体により構成されている。そのうえで、本製造方法は、導体層形成工程のまえに実施する誘電体層形成工程であって、主面BMaに直接誘電体層DL1を形成する誘電体層形成工程を更に含んでいる。また、導体層形成工程において、導体層CLは、主面BMaに誘電体層DL1のみを介して形成される。
本製造方法により製造された力覚センサ1Aにおいては、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2と、基材BMとの間に誘電体層DL1のみが介在する。特許文献1の技術において抵抗体及び一対のタブの支持部材として機能する基材と比較した場合、支持部材としての機能をもたない誘電体層DL1は、その厚みを薄くすることができる。したがって、力覚センサ1Aにおいては、融着層を省略できることに加えて、誘電体層DL1の厚みを基材の厚みよりも薄くすることができるので、感度を更に高めることができる。
また、本製造方法においては、前記半導体転写製造方法として、リソグラフィー法を採用している。
また、本製造方法は、第1のリソグラフィー工程のあとに切削工程であって、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2が設けられた基材BMから起歪体11Aを機械加工により切削する切削工程を更に含む。
第2の工程において用いるリソグラフィー法においては、レジストを導体層CLの上に塗布し、レジストを設計時に定めた歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のパターンに露光し、レジストを現像することによって所定のパターンを導体層CL上に形成する。上述した露光の工程において、所定のパターンを精度よく露光するためには、レジストの膜厚ができるだけ均一であることが好ましい。
しかし、事前に板状部材から起歪体を機械加工により切削しておき、起歪体の一方の主面に導体層を形成したうえで、リソグラフィー法を用いて導体層を歪みゲージに加工する場合、前記主面に複数の凹みが形成されているため、前記主面の場所に応じてレジストの膜厚にばらつきが生じる。その結果、上述した露光の工程における露光の精度が低下しやすい。
したがって、本製造方法を用いて製造された力覚センサ1Aにおいては、事前に板状部材から起歪体を機械加工により切削しておく場合と比較して、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2のパターンを設計時に定めたパターンに近づけることができる。
<変形例>
第2の実施形態では、力覚センサ1Aを製造する場合について説明した。ただし、本製造方法は、力覚センサ1を製造する場合にも好適に用いることができる。その場合、上述した製造方法に対して、以下の変更を施せばよい。
第2の実施形態では、力覚センサ1Aを製造する場合について説明した。ただし、本製造方法は、力覚センサ1を製造する場合にも好適に用いることができる。その場合、上述した製造方法に対して、以下の変更を施せばよい。
1つ目の変更点は、基材BMを構成する材料を導電体(例えばアルミニウム合金)から誘電体(例えばセラミックス)に変更することである。2つ目の変更点は、誘電体層形成工程を省略し、導体層形成工程において、導体層CLを主面BMaに直接形成することである。
また、第2の実施形態では、主面BMaのみに歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2を形成したが、主面BMaに加えて主面BMbに複数の歪みゲージを形成することもできる。この場合、主面BMaにおいて実施した誘電体層形成工程、導体層形成工程、第1のフォトリソグラフィー工程、及び第2のフォトリソグラフィー工程と同様の工程を、主面BMbにおいても実施し、その後、切削工程を実施すればよい。
第2の実施形態では、導体層CLを歪みゲージに加工する工程において、リソグラフィー法を採用している。ただし、導体層CLを歪みゲージに加工する工程においては、リソグラフィー法の代わりに、ナノインプリント法を用いてもよい。リソグラフィー法及びナノインプリント法の各々は、何れも、半導体転写製造方法の一態様である。
(製造方法の変形例のまとめ)
以上のように、第2の実施形態の変形例に係る製造方法は、板状部材である基材BMと、導体膜製の歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とを備えた力覚センサ1の製造方法である。
以上のように、第2の実施形態の変形例に係る製造方法は、板状部材である基材BMと、導体膜製の歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2とを備えた力覚センサ1の製造方法である。
本製造方法は、主面BMaに、直接、導体層CLを形成する導体層形成工程と、半フォトリソグラフィー法を用いて導体層CLを歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2に加工する第1のリソグラフィー工程と、を含んでいる。
また、本製造方法において、基材BMは、誘電体により構成されており、導体層形成工程において、前記導体層CLは、主面BMaに直接形成される。
以上のように、本願発明の一変形例において、基材BMを構成する材料は、導電体に限定されるものではなく、例えばセラミックスのように誘電体であってもよい。基材BMが誘電体製である場合、基材BMの一方の主面BMaに歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2を直接設けることができる。したがって、本変形例の製造方法を用いて製造された力覚センサ1においては、歪みゲージ12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2と起歪体11との間隔をゼロにすることができるので、感度を更に高めることができる。
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
BM 基材(板状部材)
BMa 主面(板状部材の一方の主面)
CL 導体層
DL1,DL2 誘電体層
1 力覚センサ
11 起歪体
11a 主面(起歪体の一方の主面)
12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2 歪みゲージ
13 誘電体層
BMa 主面(板状部材の一方の主面)
CL 導体層
DL1,DL2 誘電体層
1 力覚センサ
11 起歪体
11a 主面(起歪体の一方の主面)
12a1,12a2,12b1,12b2,12c1,12c2 歪みゲージ
13 誘電体層
Claims (9)
- 板状部材と、導体膜製の歪みゲージとを備えた力覚センサの製造方法であって、
前記板状部材の一方の主面に、直接又は間接に導体層を形成する第1の工程と、
半導体転写製造方法を用いて前記導体層を歪みゲージに加工する第2の工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする力覚センサの製造方法。 - 前記板状部材は、導電体により構成されており、
前記第1の工程のまえに実施する第3の工程であって、前記主面に直接誘電体層を形成する第3の工程を更に含んでおり、
前記第1の工程において、前記導体層は、前記主面に前記誘電体層のみを介して形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の力覚センサの製造方法。 - 前記板状部材は、誘電体により構成されており、
前記第1の工程において、前記導体層は、前記主面に直接形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の力覚センサの製造方法。 - 前記半導体転写製造方法は、リソグラフィー法であることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の力覚センサの製造方法。
- 前記第2の工程のあとに実施する第4の工程であって、前記歪みゲージが設けられた前記板状部材から起歪体を機械加工により切削する第4の工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の力覚センサの製造方法。 - 板状部材からなる起歪体と、
前記板状部材の一方の主面に、直接又は単層である誘電体層を介して、設けられた導体パターンである歪みゲージと、を備えている、
ことを特徴とする力覚センサ。 - 前記起歪体は、導電体により構成されており、
前記歪みゲージは、前記主面に前記誘電体層を介して設けられている、
ことを特徴とする請求項6に記載の力覚センサ。 - 前記誘電体層の厚みが1μm以上2μm以下である、
ことを特徴とする請求項7に記載の力覚センサ。 - 前記起歪体は、誘電体により構成されており、
前記歪みゲージは、前記主面に直接設けられている、
ことを特徴とする請求項6に記載の力覚センサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021124610A JP2023019682A (ja) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 力覚センサの製造方法及び力覚センサ |
US17/851,691 US20230031860A1 (en) | 2021-07-29 | 2022-06-28 | Force sensor and method for producing the same |
KR1020220087791A KR20230018327A (ko) | 2021-07-29 | 2022-07-15 | 힘 센서의 제조 방법 및 힘 센서 |
DE102022117717.3A DE102022117717A1 (de) | 2021-07-29 | 2022-07-15 | Kraftsensor und Verfahren zur Herstellung desselben |
CN202210863860.2A CN115682908A (zh) | 2021-07-29 | 2022-07-21 | 力觉传感器的制造方法和力觉传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021124610A JP2023019682A (ja) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 力覚センサの製造方法及び力覚センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023019682A true JP2023019682A (ja) | 2023-02-09 |
Family
ID=84889919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021124610A Pending JP2023019682A (ja) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 力覚センサの製造方法及び力覚センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230031860A1 (ja) |
JP (1) | JP2023019682A (ja) |
KR (1) | KR20230018327A (ja) |
CN (1) | CN115682908A (ja) |
DE (1) | DE102022117717A1 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017067764A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、荷重センサ、及びひずみゲージの製造方法 |
JP6998717B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-01-18 | 日産自動車株式会社 | 可変磁力モータの制御方法および制御装置 |
-
2021
- 2021-07-29 JP JP2021124610A patent/JP2023019682A/ja active Pending
-
2022
- 2022-06-28 US US17/851,691 patent/US20230031860A1/en active Pending
- 2022-07-15 KR KR1020220087791A patent/KR20230018327A/ko unknown
- 2022-07-15 DE DE102022117717.3A patent/DE102022117717A1/de active Pending
- 2022-07-21 CN CN202210863860.2A patent/CN115682908A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230031860A1 (en) | 2023-02-02 |
KR20230018327A (ko) | 2023-02-07 |
CN115682908A (zh) | 2023-02-03 |
DE102022117717A1 (de) | 2023-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6869710B2 (ja) | 起歪体およびその起歪体を備えた力覚センサ | |
US11187599B2 (en) | Strain body and force sensor provided with the strain body | |
WO2022183826A1 (zh) | 磁传感器、磁传感器的制备方法及电子设备 | |
JP6611762B2 (ja) | ひずみゲージ及び多軸力センサ | |
JP7107330B2 (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
WO2019009368A1 (ja) | ひずみゲージ及び多軸力センサ | |
CN112201645A (zh) | 套刻标识、晶圆的套刻误差测量方法及晶圆的堆叠方法 | |
JPS6321530A (ja) | 力検出装置 | |
JP2023019682A (ja) | 力覚センサの製造方法及び力覚センサ | |
JP6611761B2 (ja) | ひずみゲージ及び多軸力センサ | |
JP4958102B2 (ja) | 触覚センサー及びその製造方法 | |
JP3830783B2 (ja) | 立体型歪みセンサ | |
EP3588039A1 (en) | Elastic body and force sensor provided with said elastic body | |
US11187598B2 (en) | Strain body and force sensor provided with the strain body | |
JP2007173757A (ja) | センサエレメント | |
JP6767559B2 (ja) | ひずみゲージ及び多軸力センサ | |
JP2022113517A (ja) | 磁気センサ | |
JPS6321531A (ja) | 力検出装置 | |
Tendulkar et al. | Process development for adjustable X-ray mirrors | |
US11114223B1 (en) | Three-dimensional thermistor platform and a method for manufacturing the same | |
TWI793834B (zh) | 壓力傳感裝置與其製造方法 | |
JP6837113B2 (ja) | ひずみゲージ及び多軸力センサ | |
JP4466344B2 (ja) | 加速度センサ | |
JPS63226073A (ja) | 力検出装置 | |
JPS63153441A (ja) | 力検出装置 |