JP2023013138A - Position detection device - Google Patents

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敬友 水野
Keiyu Mizuno
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Abstract

To provide a position detection device capable of downsizing a device size.SOLUTION: A position detection device 1 includes a bridge circuit 4 obtained by assembling a plurality of magnetoresistive elements 7 for detecting a magnet 3 interlocked with a movable body 2 in a bridge shape. The position detection device 1 obtains a difference between a first detection signal V1 detected from an intermediate point 14 of a first element pair 8 of the bridge circuit 4 and a second detection signal V2 detected from an intermediate point 15 of a second element pair 9 of the bridge circuit 4 to detect a position of the movable body 2. In the bridge circuit 4, at least one resistance value R of the plurality of magnetoresistive elements 7 is set to a value different from a resistance value R of the other magnetoresistive elements 7.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、磁気抵抗素子のブリッジ回路の出力により位置検出を実行する位置検出装置に関する。 The present invention relates to a position detection device that detects a position based on the output of a bridge circuit of magnetoresistive elements.

従来、4つの磁気抵抗素子をブリッジ状に組んだ磁気センサを用いて、可動体の位置を検出する位置検出装置が周知である(例えば、特許文献1参照)。この種の位置検出装置では、可動体に磁石が取り付けられ、可動体の位置に応じて磁石から磁気センサに付与される磁界が変化する。このときの磁界の変化を磁気センサで検出して、可動体の位置を判定する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a position detection device that detects the position of a movable body using a magnetic sensor in which four magnetoresistive elements are arranged in a bridge shape is well known (see, for example, Patent Document 1). In this type of position detection device, a magnet is attached to the movable body, and the magnetic field applied from the magnet to the magnetic sensor changes according to the position of the movable body. A change in the magnetic field at this time is detected by a magnetic sensor to determine the position of the movable body.

特開2002-81903号公報JP-A-2002-81903

ところで、この種の位置検出装置においては、装置小型化のニーズが非常に高いので、装置サイズに対する何らかの対策が必要であった。 By the way, in this type of position detection device, there is a great need for miniaturization of the device, so some countermeasures for device size have been required.

前記課題を解決する位置検出装置は、可動体と連動する磁石を検知する複数の磁気抵抗素子をブリッジ状に組むことによってブリッジ回路が設けられ、前記ブリッジ回路の第1素子対の中間点から検出される第1検出信号と、前記ブリッジ回路の第2素子対の中間点から検出される第2検出信号との差を求めて、前記可動体の位置を検出する構成であって、複数の前記磁気抵抗素子の少なくとも1つの抵抗値を、他の前記磁気抵抗素子の前記抵抗値と異なる値に設定した。 A position detecting device for solving the above-mentioned problems is provided with a bridge circuit by assembling a plurality of magnetoresistive elements that detect a magnet interlocking with a movable body in a bridge form, and detects from an intermediate point of a first element pair of the bridge circuit. and a second detection signal detected from an intermediate point of the second element pair of the bridge circuit to detect the position of the movable body. A resistance value of at least one of the magnetoresistive elements is set to a value different from the resistance values of the other magnetoresistive elements.

本発明によれば、装置サイズを小型化できる。 According to the present invention, the device size can be reduced.

一実施形態の位置検出装置の構成図。1 is a configuration diagram of a position detection device according to an embodiment; FIG. 移動開始位置のときの磁石及びブリッジ回路の位置関係を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the positional relationship between the magnet and the bridge circuit at the movement start position; 磁石からブリッジ回路にかかる磁界の変化を示す説明図。Explanatory drawing which shows the change of the magnetic field applied to a bridge circuit from a magnet. 移動終端位置のときの磁石及びブリッジ回路の位置関係を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the positional relationship between the magnet and the bridge circuit at the movement end position; 第1検出信号及び第2検出信号の波形図。Waveform diagrams of a first detection signal and a second detection signal. 従来の位置付けの位置検出装置における第1検出信号及び第2検出信号の波形図。Waveform diagrams of a first detection signal and a second detection signal in a conventional position detection device for positioning. 磁石の小サイズ化を説明する概要図。Schematic diagram for explaining size reduction of a magnet.

以下、本開示の一実施形態を説明する。
図1に示すように、位置検出装置1は、可動体2に設けられた磁石3と、磁石3の磁界Eを検出するブリッジ回路4とを備えている。位置検出装置1は、可動体2と連動する磁石3の磁界Eをブリッジ回路4で検出することによって、可動体2の位置を検出する磁気式である。位置検出装置1は、例えば、スイッチ装置の位置検出に使用される。可動体2は、スイッチ装置に用いられる場合、ユーザ操作によって動く可動体2の位置を検出する。
An embodiment of the present disclosure will be described below.
As shown in FIG. 1 , the position detection device 1 includes a magnet 3 provided on a movable body 2 and a bridge circuit 4 for detecting the magnetic field E of the magnet 3 . The position detection device 1 is of a magnetic type that detects the position of the movable body 2 by detecting the magnetic field E of the magnet 3 interlocking with the movable body 2 with the bridge circuit 4 . The position detection device 1 is used, for example, for position detection of a switch device. The movable body 2 detects the position of the movable body 2 that is moved by a user's operation when used in a switch device.

磁石3は、可動体2の移動方向(同図の白抜き矢印方向)に対して磁極方向(N-S方向)が交差する向きに配置されている。磁石3は、ブリッジ回路4の側方において、可動体2とともに直線往復動する。 The magnet 3 is arranged in a direction in which the magnetic pole direction (NS direction) intersects the moving direction of the movable body 2 (the direction of the white arrow in the figure). The magnet 3 linearly reciprocates along with the movable body 2 on the side of the bridge circuit 4 .

ブリッジ回路4は、複数の磁気抵抗素子7がブリッジ状に組まれている。本例の場合、ブリッジ回路4は、4つの磁気抵抗素子7を備えている。ブリッジ回路4は、第1磁気抵抗素子7a及び第2磁気抵抗素子7bが直列接続された第1素子対8と、第3磁気抵抗素子7c及び第4磁気抵抗素子7dが直列接続された第2素子対9とを備えている。第1素子対8及び第2素子対9の各々は、2つの磁気抵抗素子7を直列に組んだハーフブリッジ回路である。 The bridge circuit 4 has a plurality of magnetoresistive elements 7 assembled in a bridge shape. In this example, the bridge circuit 4 has four magnetoresistive elements 7 . The bridge circuit 4 includes a first element pair 8 in which a first magnetoresistive element 7a and a second magnetoresistive element 7b are connected in series, and a second magnetoresistive element in which a third magnetoresistive element 7c and a fourth magnetoresistive element 7d are connected in series. and an element pair 9 . Each of the first element pair 8 and the second element pair 9 is a half bridge circuit in which two magnetoresistive elements 7 are connected in series.

ブリッジ回路4は、第1素子対8及び第2素子対9を並列に組んだ回路からなる。このように、ブリッジ回路4は、2つのハーフブリッジ回路を並列に組んだ回路である。なお、本例の場合、第1磁気抵抗素子7aの抵抗値Rを「R1」とし、第2磁気抵抗素子7bの抵抗値Rを「R2」とし、第3磁気抵抗素子7cの抵抗値Rを「R3」とし、第4磁気抵抗素子7dの抵抗値Rを「R4」とする。ブリッジ回路4は、磁気抵抗素子7が並べられた方向の平面を検知面として、磁石3の磁界Eを検知する。 The bridge circuit 4 consists of a circuit in which a first element pair 8 and a second element pair 9 are connected in parallel. Thus, the bridge circuit 4 is a circuit in which two half bridge circuits are connected in parallel. In this example, the resistance value R of the first magnetoresistive element 7a is "R1", the resistance value R of the second magnetoresistive element 7b is "R2", and the resistance value R of the third magnetoresistive element 7c is "R3" and the resistance value R of the fourth magnetoresistive element 7d is "R4". The bridge circuit 4 detects the magnetic field E of the magnet 3 using the plane in the direction in which the magnetoresistive elements 7 are arranged as a detection plane.

第1磁気抵抗素子7aは、電源Vcに繋がる端子12に一端が接続されるとともに、他端が第2磁気抵抗素子7bに接続されている。第2磁気抵抗素子7bは、一端が第1磁気抵抗素子7aに接続されるとともに、グランドに繋がる端子13に他端が接続されている。第3磁気抵抗素子7cは、グランドに繋がる端子13に一端が接続されるとともに、他端が第4磁気抵抗素子7dに接続されている。第4磁気抵抗素子7dは、一端が第3磁気抵抗素子7cに接続されるとともに、電源Vcに繋がる端子12に他端が接続されている。 The first magnetoresistive element 7a has one end connected to a terminal 12 connected to a power supply Vc and the other end connected to the second magnetoresistive element 7b. The second magnetoresistive element 7b has one end connected to the first magnetoresistive element 7a and the other end connected to a terminal 13 connected to the ground. The third magnetoresistive element 7c has one end connected to a terminal 13 connected to the ground, and the other end connected to the fourth magnetoresistive element 7d. The fourth magnetoresistive element 7d has one end connected to the third magnetoresistive element 7c and the other end connected to a terminal 12 connected to the power supply Vc.

ブリッジ回路4は、第1素子対8(第1磁気抵抗素子7a及び第2磁気抵抗素子7b)の中間点14から第1検出信号V1を出力するとともに、第2素子対9(第3磁気抵抗素子7c及び第4磁気抵抗素子7d)の中間点15から第2検出信号V2を出力する。第1検出信号V1は、第1磁気抵抗素子7a及び第2磁気抵抗素子7bの中間電位である。第2検出信号V2は、第3磁気抵抗素子7c及び第4磁気抵抗素子7dの中間電位である。 The bridge circuit 4 outputs the first detection signal V1 from the intermediate point 14 of the first element pair 8 (the first magnetoresistive element 7a and the second magnetoresistive element 7b), and the second element pair 9 (the third magnetoresistive element A second detection signal V2 is output from an intermediate point 15 between the element 7c and the fourth magnetoresistive element 7d). The first detection signal V1 is an intermediate potential between the first magnetoresistive element 7a and the second magnetoresistive element 7b. The second detection signal V2 is an intermediate potential between the third magnetoresistive element 7c and the fourth magnetoresistive element 7d.

磁気抵抗素子7は、複数の磁気抵抗素子7の少なくとも1つの抵抗値Rを、他の磁気抵抗素子7の抵抗値Rと異なる値に設定されている。本例の場合、磁気抵抗素子7は、同一素子対において、抵抗値Rが異なるように設定されている。具体的には、第1素子対8の第1磁気抵抗素子7aと第2磁気抵抗素子7bとで抵抗値Rを異ならせ、第2素子対9の第3磁気抵抗素子7cと第4磁気抵抗素子7dとで抵抗値Rを異ならせる。 At least one of the magnetoresistive elements 7 has a resistance value R set to a value different from the resistance values R of the other magnetoresistive elements 7 . In this example, the magnetoresistive elements 7 are set so that the resistance values R are different in the same element pair. Specifically, the resistance value R is made different between the first magnetoresistive element 7a and the second magnetoresistive element 7b of the first element pair 8, and the third magnetoresistive element 7c and the fourth magnetoresistive element 7c of the second element pair 9 The resistance value R is made different from that of the element 7d.

このように、同一素子対において抵抗値Rをずらして設定するのは、磁石3からの磁界Eがブリッジ回路4に付与されていない状態のとき、或いは、付与される磁界Eが弱い状態のとき、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差が大きくなるようにするためである。こうすれば、磁石3が移動開始位置や移動終端位置に位置してブリッジ回路4から離れた場所に位置する際に、ブリッジ回路4が外乱に影響を受けたとしても、ブリッジ回路4から出力される第1検出信号V1及び第2検出信号V2の大小が反転してしまう状況が生じ難くなる。よって、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の大小関係が不定になり難い。 In this way, the resistance values R are set by shifting in the same element pair when the magnetic field E from the magnet 3 is not applied to the bridge circuit 4, or when the applied magnetic field E is weak. , the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 is increased. In this way, even if the bridge circuit 4 is affected by disturbance when the magnet 3 is positioned at the movement start position or the movement end position and is positioned away from the bridge circuit 4, the output from the bridge circuit 4 will be Therefore, a situation in which the magnitudes of the first detection signal V1 and the second detection signal V2 are reversed is less likely to occur. Therefore, it is difficult for the magnitude relationship between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 to become unstable.

本例の場合、第1磁気抵抗素子7a、第2磁気抵抗素子7b、第3磁気抵抗素子7c、及び第4磁気抵抗素子7dのうち、ブリッジ対向する磁気抵抗素子7の群の各々を、第1素子群17及び第2素子群18とする。本例の場合、第1素子群17は、第1磁気抵抗素子7a及び第3磁気抵抗素子7cを含む。第2素子群18は、第2磁気抵抗素子7b及び第4磁気抵抗素子7dを含む。 In the case of this example, among the first magnetoresistive element 7a, the second magnetoresistive element 7b, the third magnetoresistive element 7c, and the fourth magnetoresistive element 7d, each of the groups of the magnetoresistive elements 7 facing the bridge is A first element group 17 and a second element group 18 are used. In this example, the first element group 17 includes a first magnetoresistive element 7a and a third magnetoresistive element 7c. The second element group 18 includes a second magnetoresistive element 7b and a fourth magnetoresistive element 7d.

第1素子群17の磁気抵抗素子7の各々の抵抗値Rは、第2素子群18の磁気抵抗素子7の各々の抵抗値Rよりも高く設定されている。具体的には、第1磁気抵抗素子7aの抵抗値R1は、第2磁気抵抗素子7bの抵抗値R2よりも高く設定されている(R1>R2の関係)。第3磁気抵抗素子7cの抵抗値R3は、第4磁気抵抗素子7dの抵抗値R4よりも高く設定されている(R3>R4の関係)。なお、本例の場合、第1磁気抵抗素子7aの抵抗値R1と第3磁気抵抗素子7cの抵抗値R3とは、同じ値に設定されている(R1=R3の関係)。第2磁気抵抗素子7bの抵抗値R2と第4磁気抵抗素子7dの抵抗値R4とは、同じ値に設定されている(R2=R4の関係)。 The resistance value R of each magnetoresistive element 7 of the first element group 17 is set higher than the resistance value R of each magnetoresistive element 7 of the second element group 18 . Specifically, the resistance value R1 of the first magnetoresistive element 7a is set higher than the resistance value R2 of the second magnetoresistive element 7b (relationship R1>R2). The resistance value R3 of the third magnetoresistive element 7c is set higher than the resistance value R4 of the fourth magnetoresistive element 7d (relationship R3>R4). In this example, the resistance value R1 of the first magneto-resistive element 7a and the resistance value R3 of the third magneto-resistive element 7c are set to the same value (relationship of R1=R3). The resistance value R2 of the second magnetoresistive element 7b and the resistance value R4 of the fourth magnetoresistive element 7d are set to the same value (relationship of R2=R4).

位置検出装置1は、ブリッジ回路4から入力する第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差を求めるコンパレータ20を備えている。コンパレータ20は、第1入力端子21が第1素子対8の中間点14に接続され、第2入力端子22が第2素子対9の中間点15に接続されている。コンパレータ20は、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差を、差分信号Saとして下段に出力する。 The position detection device 1 includes a comparator 20 that obtains the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 that are input from the bridge circuit 4 . The comparator 20 has a first input terminal 21 connected to the midpoint 14 of the first element pair 8 and a second input terminal 22 connected to the midpoint 15 of the second element pair 9 . The comparator 20 outputs the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 to the lower stage as the difference signal Sa.

位置検出装置1は、ロジック回路23、及び位置判定部24を備えている。ロジック回路23は、入力がコンパレータ20に接続され、出力が位置判定部24に接続されている。ロジック回路23は、コンパレータ20から入力する差分信号Sa、すなわち、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差に基づき、2値符号Sbを位置判定部24に出力する。2値符号Sbは、Hi信号、又はLo信号のいずれかの信号である。 The position detection device 1 includes a logic circuit 23 and a position determination section 24 . The logic circuit 23 has an input connected to the comparator 20 and an output connected to the position determination section 24 . The logic circuit 23 outputs the binary code Sb to the position determination section 24 based on the difference signal Sa input from the comparator 20, that is, the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2. The binary code Sb is either a Hi signal or a Lo signal.

位置判定部24は、ロジック回路23から入力する2値符号Sbに基づき、可動体2の位置を判定する。位置判定部24は、例えば、2値符号SbとしてLo信号を入力しているとき、スイッチ検出を「オフ」と判定する。一方、位置判定部24は、例えば、2値符号SbとしてHi信号を入力しているとき、スイッチ検出を「オン」と判定する。このように、位置判定部24は、可動体2の位置を検出して、スイッチ検出のオン/オフを判定する。 The position determination unit 24 determines the position of the movable body 2 based on the binary code Sb input from the logic circuit 23 . For example, when the Lo signal is input as the binary code Sb, the position determination unit 24 determines that the switch detection is "off". On the other hand, the position determination unit 24 determines that the switch detection is "ON" when a Hi signal is input as the binary code Sb, for example. In this way, the position determination unit 24 detects the position of the movable body 2 and determines whether switch detection is on or off.

次に、本実施形態の位置検出装置1の作用について説明する。
図2に示すように、可動体2が非操作の場合、磁石3は、移動開始位置に位置する(時刻「t0」)。移動開始位置は、可動体2が操作される前の初期位置である。このとき、磁石3は、ブリッジ回路4から大きく離れた場所に位置する。このとき、磁石3からブリッジ回路4の検知面には、磁界Eが付与されない状態、或いは弱い磁界Eがかかる状態となる。
Next, the operation of the position detection device 1 of this embodiment will be described.
As shown in FIG. 2, when the movable body 2 is not operated, the magnet 3 is positioned at the movement start position (time "t0"). The movement start position is the initial position before the movable body 2 is operated. At this time, the magnet 3 is positioned far away from the bridge circuit 4 . At this time, the sensing surface of the bridge circuit 4 from the magnet 3 is in a state where no magnetic field E is applied or a weak magnetic field E is applied.

図3に示すように、可動体2が操作されると、可動体2の移動に応じて磁石3もブリッジ回路4に対して近づくように直線方向に動き、磁石3の横を通過した後、離れていく。このとき、磁石3からブリッジ回路4に付与される磁界Eは、ブリッジ回路4の検知面に対して、紙面時計回り方向に向きが変わりながら変化していく。 As shown in FIG. 3, when the movable body 2 is operated, the magnet 3 also moves linearly so as to approach the bridge circuit 4 in accordance with the movement of the movable body 2, and after passing the magnet 3, Come away. At this time, the magnetic field E applied from the magnet 3 to the bridge circuit 4 changes with respect to the detection surface of the bridge circuit 4 while changing its direction in the clockwise direction on the paper surface.

具体的には、磁石3がブリッジ回路4の紙面左斜め上に位置した場合(時刻「t1」のとき)、ブリッジ回路4には、紙面右斜め下45度方向の向き磁界Eが付与される。磁石3がブリッジ回路4の紙面真上に位置した場合(時刻「t2」のとき)、ブリッジ回路4には、紙面下方向の向きの磁界Eが付与される。磁石3がブリッジ回路4の紙面右斜め上に位置した場合(時刻「t3」のとき)、ブリッジ回路4には、紙面左斜め下45度方向の向きの磁界Eが付与される。磁石3がブリッジ回路4の紙面右斜め上に位置した場合(時刻「t4」のとき)、ブリッジ回路4には、紙面左方向の向きの磁界Eが付与される。 Specifically, when the magnet 3 is positioned diagonally to the upper left of the bridge circuit 4 (at time t1), the bridge circuit 4 is provided with a magnetic field E oriented diagonally downward to the right of the paper at 45 degrees. . When the magnet 3 is positioned directly above the bridge circuit 4 on the page (at time "t2"), the bridge circuit 4 is provided with a magnetic field E oriented downward on the page. When the magnet 3 is positioned diagonally to the upper right of the bridge circuit 4 on the page (time "t3"), the bridge circuit 4 is provided with a magnetic field E oriented diagonally to the lower left of the page at 45 degrees. When the magnet 3 is positioned diagonally to the upper right of the bridge circuit 4 on the paper surface (at time "t4"), the bridge circuit 4 is provided with a magnetic field E directed leftward on the paper surface.

図4に示すように、可動体2が移動終端位置に到達した場合(時刻「t5」のとき)、磁石3は、ブリッジ回路4から大きく離れた場所に位置する。このとき、磁石3からブリッジ回路4の検知面には、磁界Eが付与されない状態、或いは弱い磁界Eがかかる状態となる。 As shown in FIG. 4 , when the movable body 2 reaches the movement end position (time “t5”), the magnet 3 is positioned far away from the bridge circuit 4 . At this time, the sensing surface of the bridge circuit 4 from the magnet 3 is in a state where no magnetic field E is applied or a weak magnetic field E is applied.

図5に、磁石3がブリッジ回路4に対して移動した際の第1検出信号V1及び第2検出信号V2の出力波形を図示する。本例の場合、第1磁気抵抗素子7aの抵抗値R1と第3磁気抵抗素子7cの抵抗値R3とを、第2磁気抵抗素子7bの抵抗値R2と第4磁気抵抗素子7dの抵抗値R4とをずらして設定している。このため、時刻「t0」のとき、磁石3からブリッジ回路4に磁界Eが付与されない状態下、或いは弱い磁界Eがかかる状態下では、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の間には、抵抗値Rのずらし量に応じた電圧差が発生する。よって、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の間には、十分な電圧差が生じた状態となるので、検出状態が不定になり難い。 FIG. 5 shows output waveforms of the first detection signal V1 and the second detection signal V2 when the magnet 3 moves with respect to the bridge circuit 4. As shown in FIG. In the case of this example, the resistance value R1 of the first magneto-resistive element 7a and the resistance value R3 of the third magneto-resistive element 7c are replaced by the resistance value R2 of the second magneto-resistive element 7b and the resistance value R4 of the fourth magneto-resistive element 7d. and are set in a staggered manner. Therefore, at time "t0", under the condition that the magnetic field E is not applied from the magnet 3 to the bridge circuit 4, or under the condition that the weak magnetic field E is applied, between the first detection signal V1 and the second detection signal V2, , a voltage difference corresponding to the shift amount of the resistance value R is generated. Therefore, since there is a sufficient voltage difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2, it is difficult for the detection state to become unstable.

ロジック回路23は、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差が閾値未満の場合、2値符号Sbとして、Lo信号を位置判定部24に出力する。よって、位置判定部24は、ロジック回路23からLo信号を入力することにより、スイッチ状態を「オフ」と判定する。 When the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 is less than the threshold, the logic circuit 23 outputs a Lo signal to the position determination section 24 as a binary code Sb. Therefore, the position determination unit 24 determines the switch state as "off" by inputting the Lo signal from the logic circuit 23 .

本例の場合、第1検出信号V1は、磁石3が移動開始位置から位置終端位置に向かって動く際、値が低下→上昇→低下と変化する交流波形をとる。一方、第2検出信号V2は、磁石3が移動開始位置から移動終端位置に向かって動く際、値が上昇→低下→上昇と変化する交流波形をとる。具体的には、第1検出信号V1は、磁石3が移動開始位置から動き始めてブリッジ回路4に近づいていく際、値が徐々に低下し、時刻t1付近から値が上昇して、値が再び下がる波形変化をとる。一方、第2検出信号V2は、磁石3が移動開始位置から動き始めてブリッジ回路4に近づいていく際、徐々に値が上昇し、時刻t1付近から値が低下して、値が再び探す波形変化をとる。 In the case of this example, the first detection signal V1 has an AC waveform whose value changes in the order of decrease→rise→decrease when the magnet 3 moves from the movement start position toward the position end position. On the other hand, the second detection signal V2 has an AC waveform whose value changes in the order of increasing→decreasing→increasing when the magnet 3 moves from the movement start position toward the movement end position. Specifically, the value of the first detection signal V1 gradually decreases when the magnet 3 begins to move from the movement start position and approaches the bridge circuit 4, increases from around time t1, and returns to V1. Take down waveform change. On the other hand, the value of the second detection signal V2 gradually increases when the magnet 3 starts to move from the movement start position and approaches the bridge circuit 4, then decreases from around time t1, and the value changes again. take.

可動体2が移動開始位置から移動した後、暫くは、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差が閾値未満の状態となる。このため、ロジック回路23は、Lo信号の出力が継続される。よって、時刻「t0」~「t2」付近の間は、スイッチ状態が「オフ」の判定が継続される。 After the movable body 2 moves from the movement start position, the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 is less than the threshold for a while. Therefore, the logic circuit 23 continues to output the Lo signal. Therefore, the determination that the switch state is "off" is continued between times "t0" and "t2".

時刻「t2」付近になると、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差が閾値以上となる。このため、ロジック回路23は、2値符号Sbとして、Hi信号を位置判定部24に出力する。よって、位置判定部24は、ロジック回路23からHi信号を入力することにより、スイッチ状態を「オン」と判定する。 Around time t2, the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 becomes equal to or greater than the threshold. Therefore, the logic circuit 23 outputs a Hi signal to the position determination section 24 as the binary code Sb. Therefore, the position determination unit 24 determines that the switch state is "on" by inputting the Hi signal from the logic circuit 23 .

時刻「t4」付近になると、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差が再度、閾値未満に変化する。このため、ロジック回路23は、2値符号Sbとして、Lo信号を位置判定部24に出力する。よって、位置判定部24は、Lo信号を入力することにより、スイッチ状態を「オフ」と判定する。 Around time t4, the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 again changes to less than the threshold. Therefore, the logic circuit 23 outputs the Lo signal to the position determination section 24 as the binary code Sb. Therefore, the position determination unit 24 determines the switch state as "OFF" by inputting the Lo signal.

ここで、図6を用いて、従来の位置付けの位置検出装置1について説明する。従来の位置付けの位置検出装置1は、第1磁気抵抗素子7a~第4磁気抵抗素子7dの抵抗値Rが全て同じであるとする。この構成の場合、磁石3からブリッジ回路4に磁界Eが付与されない、或いはブリッジ回路4に付与される磁界Eが弱い状態下では、第1検出信号V1及び第2検出信号V2は、ともに基準電位をとる。基準電位は、ブリッジ回路4が磁石3の磁界Eに影響を受けていないときの電圧値である。 Here, a conventional positioning position detection device 1 will be described with reference to FIG. In the conventional positioning position detection device 1, it is assumed that the resistance values R of the first to fourth magnetoresistive elements 7a to 7d are all the same. In this configuration, when the magnetic field E is not applied from the magnet 3 to the bridge circuit 4 or the magnetic field E applied to the bridge circuit 4 is weak, both the first detection signal V1 and the second detection signal V2 are at the reference potential. take. The reference potential is the voltage value when the bridge circuit 4 is not affected by the magnetic field E of the magnet 3 .

従来の位置検出装置1の場合、磁石3からブリッジ回路4に磁界Eが付与されない、或いはブリッジ回路4に付与される磁界Eが弱い状態下のとき、第1検出信号V1及び第2検出信号V2は、ほぼ同じ値をとる。このため、ブリッジ回路4が外乱を受けると、状況に応じて、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の大小関係が反転してしまうことがあり、第1検出信号V1及び第2検出信号V2が不定となってしまう。 In the case of the conventional position detection device 1, when the magnetic field E is not applied from the magnet 3 to the bridge circuit 4 or the magnetic field E applied to the bridge circuit 4 is weak, the first detection signal V1 and the second detection signal V2 take approximately the same value. Therefore, when the bridge circuit 4 receives disturbance, depending on the situation, the magnitude relationship between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 may be reversed. V2 becomes unstable.

従って、磁石3のストローク範囲のうち、磁石3の磁界Eがブリッジ回路4に届かない区間、或いは届き難い区間は、ブリッジ回路4の出力を位置判定に使用することができない。このため、ブリッジ回路4の出力から位置判定する場合、磁石3からブリッジ回路4に対し、ある程度の強さの磁界Eが付与される状況としておかなくてはならない。よって、磁石3のサイズを大きくしなければならない。 Therefore, the output of the bridge circuit 4 cannot be used for position determination in the section where the magnetic field E of the magnet 3 does not reach or hardly reaches the bridge circuit 4 within the stroke range of the magnet 3 . For this reason, when the position is determined from the output of the bridge circuit 4, a situation must be established in which the magnetic field E of a certain strength is applied from the magnet 3 to the bridge circuit 4. FIG. Therefore, the size of the magnet 3 must be increased.

一方、図7に示すように、本例の場合、磁石3からブリッジ回路4に磁界Eが付与されない、或いはブリッジ回路4に付与される磁界Eが弱い状態下のとき、第1検出信号V1及び第2検出信号V2には、大きな差が生じるので、第1検出信号V1及び第2検出信号V2が不定となり難い。これにより、磁石3の磁界Eがブリッジ回路4に届かない区間も、位置判定の区間として利用することが可能となる。よって、磁石3のサイズを小型化することが可能となる。ひいては、位置検出装置1の装置サイズも小さくすることが可能となる。 On the other hand, as shown in FIG. 7, in this example, when the magnetic field E is not applied from the magnet 3 to the bridge circuit 4 or the magnetic field E applied to the bridge circuit 4 is weak, the first detection signal V1 and Since a large difference occurs in the second detection signal V2, it is difficult for the first detection signal V1 and the second detection signal V2 to become unstable. As a result, even a section in which the magnetic field E of the magnet 3 does not reach the bridge circuit 4 can be used as a section for position determination. Therefore, it becomes possible to reduce the size of the magnet 3 . As a result, the device size of the position detection device 1 can also be reduced.

上記実施形態の位置検出装置1によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)位置検出装置1は、可動体2と連動する磁石3を検知する複数の磁気抵抗素子7をブリッジ状に組むことによってブリッジ回路4が設けられている。位置検出装置1は、ブリッジ回路4の第1素子対8の中間点14から検出される第1検出信号V1と、ブリッジ回路4の第2素子対9の中間点15から検出される第2検出信号V2との差を求めて、可動体2の位置を検出する。位置検出装置1は、複数の磁気抵抗素子7の少なくとも1つの抵抗値Rを、他の磁気抵抗素子7の前記抵抗値Rと異なる値に設定されている。
According to the position detection device 1 of the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The position detection device 1 is provided with a bridge circuit 4 by assembling a plurality of magnetoresistive elements 7 for detecting the magnet 3 interlocking with the movable body 2 in a bridge shape. The position detection device 1 detects a first detection signal V1 detected from the midpoint 14 of the first element pair 8 of the bridge circuit 4 and a second detection signal V1 detected from the midpoint 15 of the second element pair 9 of the bridge circuit 4. The position of the movable body 2 is detected by obtaining the difference from the signal V2. In the position detection device 1 , the resistance value R of at least one of the plurality of magnetoresistive elements 7 is set to a value different from the resistance values R of the other magnetoresistive elements 7 .

本例の構成によれば、可動体2の動きに伴い、磁石3がブリッジ回路4から離れた場所に位置して、磁石3の磁界Eがブリッジ回路4に付与されない状態、或いは、弱い磁界Eがかかる状態となっても、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の間に、ある程度の差を生じさせることが可能となる。このため、磁石3がブリッジ回路4から離れた場所に位置したときの第1検出信号V1及び第2検出信号V2の大小関係が安定化するので、この位置も可動体2の位置判定の範囲とすることが可能となる。これにより、可動体2の移動全範囲において常に磁石3の磁界Eをブリッジ回路4にかけておく構成をとらずに済むので、その分、磁石3のサイズを小さくすることが可能となる。よって、位置検出装置1の装置サイズを小型化することができる。 According to the configuration of this example, as the movable body 2 moves, the magnet 3 is positioned away from the bridge circuit 4, and the magnetic field E of the magnet 3 is not applied to the bridge circuit 4, or the weak magnetic field E Even in such a state, it is possible to generate a certain amount of difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2. Therefore, the magnitude relationship of the first detection signal V1 and the second detection signal V2 is stabilized when the magnet 3 is positioned away from the bridge circuit 4, so that this position is also within the range of the position determination of the movable body 2. It becomes possible to As a result, there is no need to employ a configuration in which the magnetic field E of the magnet 3 is constantly applied to the bridge circuit 4 over the entire range of movement of the movable body 2, so the size of the magnet 3 can be reduced accordingly. Therefore, the device size of the position detection device 1 can be reduced.

(2)位置検出装置1は、第1素子対8の各々の磁気抵抗素子7を異なる抵抗値Rとし、第2素子対9の各々の磁気抵抗素子7を異なる抵抗値Rとされている。この構成によれば、各磁気抵抗素子7の抵抗値Rを最適な値に設定することができる。 (2) In the position detection device 1, the magnetoresistive elements 7 of the first element pair 8 have different resistance values R, and the magnetoresistive elements 7 of the second element pair 9 have different resistance values R. According to this configuration, the resistance value R of each magnetoresistive element 7 can be set to an optimum value.

(3)第1素子対8は、電源Vcに繋がる端子12に接続された第1磁気抵抗素子7aと、グランドに繋がる端子13に接続された第2磁気抵抗素子7bとを有する。第2素子対9は、グランドに繋がる端子13に接続された第3磁気抵抗素子7cと、電源Vcに繋がる端子12に接続された第4磁気抵抗素子7dとを有する。第1磁気抵抗素子7a、第2磁気抵抗素子7b、第3磁気抵抗素子7c、及び第4磁気抵抗素子7dのうち、ブリッジ対向する磁気抵抗素子7の群の各々を、第1素子群17及び第2素子群18とした場合、第1素子群17の磁気抵抗素子7(本例は、第1磁気抵抗素子7a、第3磁気抵抗素子7c)の各々の抵抗値R(本例は、R1及びR3)は、第2素子群18の磁気抵抗素子7(本例は、第2磁気抵抗素子7b、第4磁気抵抗素子7d)の各々の抵抗値R(本例は、R2及びR4)よりも高く設定されている。 (3) The first element pair 8 has a first magnetoresistive element 7a connected to a terminal 12 connected to the power supply Vc and a second magnetoresistive element 7b connected to a terminal 13 connected to the ground. The second element pair 9 has a third magnetoresistive element 7c connected to a terminal 13 connected to the ground, and a fourth magnetoresistive element 7d connected to a terminal 12 connected to the power supply Vc. Of the first magnetoresistive element 7a, the second magnetoresistive element 7b, the third magnetoresistive element 7c, and the fourth magnetoresistive element 7d, each of the groups of the magnetoresistive elements 7 facing the bridge is arranged in the first element group 17 and the When the second element group 18 is used, the resistance value R (R1 and R3) are the resistance values R (R2 and R4 in this example) of the magnetoresistive elements 7 (second magnetoresistive element 7b and fourth magnetoresistive element 7d in this example) of the second element group 18. is set too high.

この構成によれば、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の各々の波形を、一方が上昇するときは他方が低下し、一方が低下するときは他方が上昇する波形変化とすることが可能となる。よって、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の各波形を、規則性を持った波形とすることが可能となるので、位置の判定処理の簡易化に寄与する。 According to this configuration, the waveforms of the first detection signal V1 and the second detection signal V2 can be changed such that when one increases, the other decreases, and when the other decreases, the other increases. It becomes possible. Therefore, the waveforms of the first detection signal V1 and the second detection signal V2 can be made to have regularity, which contributes to simplification of the position determination process.

(4)第1磁気抵抗素子7a及び第3磁気抵抗素子7cが同じ抵抗値Rに設定されている。第2磁気抵抗素子7b及び第4磁気抵抗素子7dが同じ抵抗値Rに設定されている。この構成によれば、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の各波形を、互いに関係性を持った規則性のある波形とすることが可能となる。よって、位置の判定処理の簡易化に一層寄与する。 (4) The same resistance value R is set for the first magnetoresistive element 7a and the third magnetoresistive element 7c. The same resistance value R is set for the second magnetoresistive element 7b and the fourth magnetoresistive element 7d. According to this configuration, it is possible to make the waveforms of the first detection signal V1 and the second detection signal V2 have regularity in relation to each other. This further contributes to simplification of position determination processing.

(5)磁石3は、可動体2が移動開始位置及び移動終端位置の少なくとも一方の位置に存在する場合に、前記ブリッジ回路に磁界Eがかからない状態、又は前記ブリッジ回路に弱い磁界Eが付与される状態となるように配置されている。この構成によれば、可動体2の移動開始位置及び移動終端位置の少なくとも一方の位置を、位置判定で用いることが可能となる。このため、磁石3のサイズを、常に磁界Eがブリッジ回路4にかかるような大きさにする必要がない。よって、その分だけ磁石3のサイズを小さくすることができる。 (5) When the movable body 2 is in at least one of the movement start position and the movement end position, the magnet 3 is in a state where the bridge circuit is not subjected to the magnetic field E or a weak magnetic field E is applied to the bridge circuit. It is arranged so that it is in a state where According to this configuration, at least one of the movement start position and the movement end position of the movable body 2 can be used for position determination. Therefore, it is not necessary to set the size of the magnet 3 so that the magnetic field E is always applied to the bridge circuit 4 . Therefore, the size of the magnet 3 can be reduced accordingly.

(6)位置検出装置1が有するロジック回路23は、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差に基づき、2値符号Sbを出力する。位置検出装置1が有する位置判定部24は、ロジック回路23から入力する2値符号Sbに基づき、可動体2の位置を判定する。この構成によれば、第1検出信号V1及び第2検出信号V2の差に基づく2値符号Sbをロジック回路23から位置判定部24に出力して、可動体2の位置を位置判定部24に判定させることが可能となる。よって、このような処理を実行するロジック回路23及び位置判定部24を備えた位置検出装置1とすることができる。 (6) The logic circuit 23 of the position detection device 1 outputs a binary code Sb based on the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2. A position determination unit 24 included in the position detection device 1 determines the position of the movable body 2 based on the binary code Sb input from the logic circuit 23 . According to this configuration, the binary code Sb based on the difference between the first detection signal V1 and the second detection signal V2 is output from the logic circuit 23 to the position determination section 24, and the position of the movable body 2 is transmitted to the position determination section 24. It is possible to judge. Therefore, the position detection device 1 can be provided with the logic circuit 23 and the position determination section 24 that execute such processing.

なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・第2磁気抵抗素子7bの抵抗値R2を第1磁気抵抗素子7aの抵抗値R1よりも高くし、第4磁気抵抗素子7dの抵抗値R4を第3磁気抵抗素子7cの抵抗値R3よりも高くしてもよい。
In addition, this embodiment can be changed and implemented as follows. This embodiment and the following modified examples can be implemented in combination with each other within a technically consistent range.
- The resistance value R2 of the second magnetoresistive element 7b is higher than the resistance value R1 of the first magnetoresistive element 7a, and the resistance value R4 of the fourth magnetoresistive element 7d is higher than the resistance value R3 of the third magnetoresistive element 7c. You can make it higher.

・磁気抵抗素子7の抵抗値Rは、全て同じ値でなければ、どのような大小関係の組み合わせとしてもよい。
・磁石3は、平面方向の片方がN極であり、もう片方がS極となった磁極パターンに限定されない。例えば、磁石3の周方向にN極及びS極が複数組並んだ磁極パターンでもよい。
- The resistance values R of the magneto-resistive elements 7 may be combined in any combination as long as they are not all the same value.
- The magnet 3 is not limited to a magnetic pole pattern in which one side in the planar direction is the N pole and the other side is the S pole. For example, a magnetic pole pattern in which a plurality of sets of N poles and S poles are arranged in the circumferential direction of the magnet 3 may be used.

・磁石3は、N極及びS極が磁石3の厚み方向に並んだ磁極パターンとしてもよい。
・可動体2は、直線往復動するスライド部材に限らず、例えば、軸回りに回転する回転部材や、支点回りに揺動する揺動部材としてもよい。
- The magnet 3 may have a magnetic pole pattern in which the N pole and the S pole are aligned in the thickness direction of the magnet 3 .
- The movable body 2 is not limited to a slide member that reciprocates linearly.

・位置検出装置1は、車載用に限定されず、他の機器や装置に使用可能である。
・ブリッジ回路4は、1つのみ設けられることに限定されず、複数設けてもよい。
・本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
- The position detection device 1 is not limited to vehicle-mounted use, and can be used for other devices and devices.
- The number of bridge circuits 4 is not limited to one, and a plurality of bridge circuits may be provided.
- Although the present disclosure has been described with reference to examples, it is understood that the present disclosure is not limited to such examples or structures. The present disclosure also includes various modifications and modifications within the equivalent range. In addition, various combinations and configurations, as well as other combinations and configurations including single, more, or less elements thereof, are within the scope and spirit of this disclosure.

1…位置検出装置、2…可動体、3…磁石、4…ブリッジ回路、7…磁気抵抗素子、7a…第1磁気抵抗素子、7b…第2磁気抵抗素子、7c…第3磁気抵抗素子、7d…第4磁気抵抗素子、8…第1素子対、9…第2素子対、14…中間点、15…中間点、17…第1素子群、18…第2素子群、23…ロジック回路、24…位置判定部、V1…第1検出信号、V2…第2検出信号、E…磁界、R(R1~R4)…抵抗値、Vc…電源、GND…グランド、Sa…差分信号、Sb…2値符号。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Position detection apparatus 2... Movable body 3... Magnet 4... Bridge circuit 7... Magnetic resistance element 7a... First magnetic resistance element 7b... Second magnetic resistance element 7c... Third magnetic resistance element 7d... Fourth magnetoresistive element, 8... First element pair, 9... Second element pair, 14... Intermediate point, 15... Intermediate point, 17... First element group, 18... Second element group, 23... Logic circuit , 24... Position determining section V1... First detection signal V2... Second detection signal E... Magnetic field R (R1 to R4)... Resistance value Vc... Power supply GND... Ground Sa... Differential signal Sb... Binary code.

Claims (6)

可動体と連動する磁石を検知する複数の磁気抵抗素子をブリッジ状に組むことによってブリッジ回路が設けられ、前記ブリッジ回路の第1素子対の中間点から検出される第1検出信号と、前記ブリッジ回路の第2素子対の中間点から検出される第2検出信号との差を求めて、前記可動体の位置を検出する位置検出装置であって、
複数の前記磁気抵抗素子の少なくとも1つの抵抗値を、他の前記磁気抵抗素子の前記抵抗値と異なる値に設定した位置検出装置。
A bridge circuit is provided by assembling a plurality of magnetoresistive elements for detecting a magnet interlocking with a movable body in a bridge form, and a first detection signal detected from an intermediate point of a first element pair of the bridge circuit and the bridge A position detection device for detecting the position of the movable body by obtaining a difference from a second detection signal detected from an intermediate point of a second element pair of the circuit,
A position detecting device, wherein the resistance value of at least one of the plurality of magnetoresistive elements is set to a value different from the resistance values of the other magnetoresistive elements.
前記第1素子対の各々の前記磁気抵抗素子を異なる前記抵抗値とし、前記第2素子対の各々の前記磁気抵抗素子を異なる前記抵抗値とした
請求項1に記載の位置検出装置。
2. The position detecting device according to claim 1, wherein the magnetoresistive elements of the first element pair have different resistance values, and the magnetoresistive elements of the second element pair have different resistance values.
前記第1素子対は、電源に繋がる端子に接続された第1磁気抵抗素子と、グランドに繋がる端子に接続された第2磁気抵抗素子とを有し、
前記第2素子対は、前記グランドに繋がる端子に接続された第3磁気抵抗素子と、前記電源に繋がる端子に接続された第4磁気抵抗素子とを有し、
前記第1磁気抵抗素子、前記第2磁気抵抗素子、前記第3磁気抵抗素子、及び前記第4磁気抵抗素子のうち、ブリッジ対向する前記磁気抵抗素子の群の各々を、第1素子群及び第2素子群とした場合、前記第1素子群の前記磁気抵抗素子の各々の前記抵抗値は、前記第2素子群の前記磁気抵抗素子の各々の前記抵抗値よりも高く設定されている
請求項2に記載の位置検出装置。
The first element pair has a first magnetoresistive element connected to a terminal connected to a power supply and a second magnetoresistive element connected to a terminal connected to ground,
The second element pair has a third magnetoresistive element connected to the terminal connected to the ground and a fourth magnetoresistive element connected to the terminal connected to the power supply,
Of the first magnetoresistive element, the second magnetoresistive element, the third magnetoresistive element, and the fourth magnetoresistive element, each of the groups of the magnetoresistive elements facing the bridge is divided into the first element group and the fourth magnetoresistive element. 3. In the case of two element groups, the resistance value of each of the magnetoresistive elements of the first element group is set higher than the resistance value of each of the magnetoresistive elements of the second element group. 3. The position detection device according to 2.
前記第1磁気抵抗素子及び前記第3磁気抵抗素子が同じ前記抵抗値に設定され、前記第2磁気抵抗素子及び前記第4磁気抵抗素子が同じ前記抵抗値に設定されている
請求項3に記載の位置検出装置。
4. The method according to claim 3, wherein the first magnetoresistive element and the third magnetoresistive element are set to the same resistance value, and the second magnetoresistive element and the fourth magnetoresistive element are set to the same resistance value. position detection device.
前記磁石は、前記可動体が移動開始位置及び移動終端位置の少なくとも一方の位置に存在する場合に、前記ブリッジ回路に磁界がかからない状態、又は前記ブリッジ回路に弱い磁界が付与される状態となるように配置されている
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の位置検出装置。
The magnet is arranged such that when the movable body is at at least one of a movement start position and a movement end position, no magnetic field is applied to the bridge circuit or a weak magnetic field is applied to the bridge circuit. The position detection device according to any one of claims 1 to 4, which is arranged in the .
前記第1検出信号及び前記第2検出信号の差に基づき、2値符号を出力するロジック回路と、
前記ロジック回路から入力する前記2値符号に基づき、前記可動体の位置を判定する位置判定部と
を備えている請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の位置検出装置。
a logic circuit that outputs a binary code based on the difference between the first detection signal and the second detection signal;
The position detection device according to any one of claims 1 to 5, further comprising a position determination unit that determines the position of the movable body based on the binary code input from the logic circuit.
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