JP5216027B2 - Shift position detector - Google Patents

Shift position detector Download PDF

Info

Publication number
JP5216027B2
JP5216027B2 JP2010007280A JP2010007280A JP5216027B2 JP 5216027 B2 JP5216027 B2 JP 5216027B2 JP 2010007280 A JP2010007280 A JP 2010007280A JP 2010007280 A JP2010007280 A JP 2010007280A JP 5216027 B2 JP5216027 B2 JP 5216027B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnet
shift
shift lever
displacement
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010007280A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011143852A (en
Inventor
直宏 西脇
文浩 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP2010007280A priority Critical patent/JP5216027B2/en
Publication of JP2011143852A publication Critical patent/JP2011143852A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5216027B2 publication Critical patent/JP5216027B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16H—GEARING
    • F16H59/00—Control inputs to control units of change-speed-, or reversing-gearings for conveying rotary motion
    • F16H59/02—Selector apparatus
    • F16H59/08—Range selector apparatus
    • F16H59/10—Range selector apparatus comprising levers
    • F16H59/105—Range selector apparatus comprising levers consisting of electrical switches or sensors

Description

本発明は、シフトパターンに沿って操作されるシフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置に関する。   The present invention relates to a shift position detection device that detects a shift position of a shift lever operated along a shift pattern.

ユーザによって操作される車両のシフトレバーと変速機との間の機械的な連結を排除した上で、シフトレバーの位置をセンサを通じて検出し、検出されたシフト位置に基づいて変速機のシフトレンジの切り替えを行う、いわゆるバイワイヤ式のシフト装置が周知である。車両のシフト装置としてこうしたバイワイヤ式のシフト装置を採用すれば、シフトレバーと変速機とを連結するリンク機構などを車両に設ける必要がなくなることから、シフトレバーの配設位置を自由に変更することが可能になるなど、車両設計の自由度を大きく高めることができるようになる。そして従来、この種のシフト装置としては、例えば特許文献１に記載の装置が知られている。   After eliminating the mechanical connection between the shift lever and the transmission of the vehicle operated by the user, the position of the shift lever is detected through a sensor, and the shift range of the transmission is determined based on the detected shift position. So-called by-wire shift devices that perform switching are well known. If such a by-wire type shift device is adopted as a vehicle shift device, it is not necessary to provide a link mechanism or the like for connecting the shift lever and the transmission to the vehicle, so that the position of the shift lever can be freely changed. The degree of freedom in vehicle design can be greatly increased. Conventionally, as this type of shift device, for example, a device described in Patent Document 1 is known.

図１４に示されるように、このシフト装置には、軸部１２０ａを中心に揺動するシフトレバー１２０が設けられており、このシフトレバー１２０の揺動がシフト路１２１によって案内される。そして、ユーザは、シフトレバー１２０をシフト路１２１に沿って操作することで、そのシフト位置を「Ｄ（ドライブ）ポジション」、「Ｎ（ニュートラル）ポジション」、及び「Ｒ（リバース）ポジション」に変更することが可能となっている。また、図１５に示されるように、このシフト装置では、シフトレバー１２０の基端部に磁石１２２が設けられており、シフトレバー１２０の揺動に伴って、磁石１２２が図中のＸ軸方向に往復動する構造となっている。ちなみに、シフトレバー１２０がＮポジションに位置しているときの磁石１２２の位置を図中の実線で示される基準位置Ｐｎとすると、シフトレバー１２０がＤポジションに位置したとき、磁石１２２は基準位置Ｐｎよりも右側の第１の位置Ｐ１に移動する。また、シフトレバー１２０がＲポジションに位置したとき、磁石１２２は基準位置Ｐｎよりも左側の第２の位置Ｐ２に移動する。一方、このシフト装置には、こうした磁石１２２の移動に伴う磁界の変化を検出するための２つの磁気センサ１２３ａ，１２３ｂが設けられている。ちなみに、これらの磁気センサ１２３ａ，１２３ｂは、磁石１２２から図中のＹ軸方向に若干ずれた位置に設けられて且つ、上記Ｘ軸方向に沿って併設されている。また、これらの磁気センサ１２３ａ，１２３ｂは、印加される磁気ベクトルに応じて磁気抵抗効果により抵抗値を変化させる磁気抵抗効果素子（ＭＲＥ素子）からなる、いわゆる磁気抵抗効果センサ（ＭＲセンサ）である。そして、このシフト装置では、磁気センサ１２３ａ，１２３ｂの出力電圧を差動増幅回路に入力してそれらの差分値を演算するとともに、演算された差分値に基づいて上記磁石１２２の位置を、換言すればシフトレバー１２０の位置を検出する。   As shown in FIG. 14, the shift device is provided with a shift lever 120 that swings around a shaft portion 120 a, and the swing of the shift lever 120 is guided by a shift path 121. The user operates the shift lever 120 along the shift path 121 to change the shift position to “D (drive) position”, “N (neutral) position”, and “R (reverse) position”. It is possible to do. As shown in FIG. 15, in this shift device, a magnet 122 is provided at the base end of the shift lever 120, and the magnet 122 moves in the X-axis direction in the figure as the shift lever 120 swings. It is structured to reciprocate. Incidentally, if the position of the magnet 122 when the shift lever 120 is positioned at the N position is a reference position Pn indicated by a solid line in the drawing, the magnet 122 is positioned at the reference position Pn when the shift lever 120 is positioned at the D position. It moves to the first position P1 on the right side. When the shift lever 120 is positioned at the R position, the magnet 122 moves to the second position P2 on the left side of the reference position Pn. On the other hand, the shift device is provided with two magnetic sensors 123a and 123b for detecting a change in the magnetic field accompanying the movement of the magnet 122. Incidentally, these magnetic sensors 123a and 123b are provided at positions slightly shifted from the magnet 122 in the Y-axis direction in the figure, and are provided along the X-axis direction. Further, these magnetic sensors 123a and 123b are so-called magnetoresistive effect sensors (MR sensors) composed of magnetoresistive effect elements (MRE elements) that change the resistance value by the magnetoresistive effect according to the applied magnetic vector. . In this shift device, the output voltages of the magnetic sensors 123a and 123b are input to the differential amplifier circuit to calculate the difference value between them, and the position of the magnet 122 is based on the calculated difference value. For example, the position of the shift lever 120 is detected.

このような構成からなるシフト装置によれば、ユーザによるシフトレバー１２０の操作に伴って磁石１２２が上記Ｘ軸方向に往復動したときに、上記差分値Ｖｄが、図１６に示すように直線的に変化する。なお、この図１６では、横軸が磁石１２２の上記基準位置Ｐｎからの変位を、また、縦軸が上記差分値Ｖｄをそれぞれ示している。また、磁石１２２の変位量を、基準位置Ｐｎから上記第１の位置Ｐ１に向かう側を正として示している。このように磁石１２２の変位に対して差分値Ｖｄが直線的に変化すれば、差分値Ｖｄとシフトレバー１２０の操作位置とを一対一に対応させることができるため、同差分値Ｖｄに基づいてシフトレバー１２０のシフト位置を検出することができる。   According to the shift device having such a configuration, when the magnet 122 reciprocates in the X-axis direction as the user operates the shift lever 120, the difference value Vd is linear as shown in FIG. To change. In FIG. 16, the horizontal axis represents the displacement of the magnet 122 from the reference position Pn, and the vertical axis represents the difference value Vd. Further, the displacement amount of the magnet 122 is shown as positive on the side from the reference position Pn toward the first position P1. If the difference value Vd changes linearly with respect to the displacement of the magnet 122 in this way, the difference value Vd and the operation position of the shift lever 120 can be made to correspond one-to-one, and therefore based on the difference value Vd. The shift position of the shift lever 120 can be detected.

特開２００９−２２２５９４号公報JP 2009-222594 A

ところで、このようなシフト装置にあっては、通常、差分値Ｖｄに基づいてシフトレバー１２０の位置を検出する際に、次のような方法が採用されることが多い。すなわち、先の図１６に示されるように、差分値Ｖｄに対して２つの閾値Ｖｅ１１，Ｖｅ１２（Ｖｅ１１＜Ｖｅ１２）を設けた上で、以下の（ａ１）〜（ａ３）に例示する判定処理を行う。   By the way, in such a shift device, generally, the following method is often employed when detecting the position of the shift lever 120 based on the difference value Vd. That is, as shown in FIG. 16 above, the two threshold values Ve11 and Ve12 (Ve11 <Ve12) are provided for the difference value Vd, and the determination processing illustrated in the following (a1) to (a3) is performed. Do.

（ａ１）差分値Ｖｄが閾値Ｖｅ１１未満であるとき。このとき、シフトレバー１２０のシフト位置はＲポジションであると判定する。
（ａ２）差分値Ｖｄが閾値Ｖｅ１１以上であって且つ、閾値Ｖｅ１２未満であるとき。このとき、シフトレバー１２０のシフト位置はＮポジションであると判定する。 (A1) When the difference value Vd is less than the threshold value Ve11. At this time, it is determined that the shift position of the shift lever 120 is the R position.
(A2) When the difference value Vd is greater than or equal to the threshold value Ve11 and less than the threshold value Ve12. At this time, it is determined that the shift position of the shift lever 120 is the N position.

（ａ３）差分値Ｖｄが閾値Ｖｅ１２以上であるとき。このとき、シフトレバー１２０の位置はＤポジションであると判定する。
このような判定処理を通じてシフトレバー１２０のシフト位置を検出すれば、差分値Ｖｄと閾値Ｖｅ１１，Ｖｅ１２との比較を行うだけでシフトレバー１２０の位置を検出することができるため、シフト位置を容易に検出することが可能となる。 (A3) When the difference value Vd is greater than or equal to the threshold Ve12. At this time, it is determined that the position of the shift lever 120 is the D position.
If the shift position of the shift lever 120 is detected through such a determination process, the position of the shift lever 120 can be detected simply by comparing the difference value Vd with the threshold values Ve11 and Ve12. It becomes possible to detect.

一方、上述した特許文献１に記載のシフト装置にあっては、磁石１２２が上記第１の位置Ｐ１から上記第２の位置Ｐ２の範囲に位置しているときに限って差分値Ｖｄの直線性を担保することが可能となっている。このため、差分値Ｖｄの直線性を担保しつつシフト位置の数を増やそうとすると、差分値Ｖｄに対して設けられる各閾値の間隔が自ずと狭くなってしまう。例えば上述した３つのシフト位置に加え、更に２つのシフト位置を設ける場合には、先の図１６に対応する図として図１７に示すように、４つの閾値Ｖｅ２１〜Ｖｅ２４を設ける必要があり、これらの各閾値Ｖｅ２１〜Ｖｅ２４の間隔が上記閾値Ｖｅ１１，Ｖｅ１２の間隔と比較すると狭くなってしまう。そしてこのように閾値の間隔が狭くなると、例えばノイズ等の影響によって磁気センサ１２３ａ，１２３ｂの出力値が変動した際に、上記差分値Ｖｄが閾値を超えて変化するような状況が生じ易くなり、ひいてはシフトレバー１２０の位置の誤検出等をも招きかねない。   On the other hand, in the shift device described in Patent Document 1 described above, the linearity of the difference value Vd is only when the magnet 122 is located in the range from the first position P1 to the second position P2. Can be secured. For this reason, if it is going to increase the number of shift positions, ensuring the linearity of difference value Vd, the space | interval of each threshold value provided with respect to difference value Vd will become narrow naturally. For example, when two shift positions are provided in addition to the three shift positions described above, it is necessary to provide four threshold values Ve21 to Ve24 as shown in FIG. 17 as a diagram corresponding to FIG. The interval between the thresholds Ve21 to Ve24 is narrower than the interval between the thresholds Ve11 and Ve12. When the interval between the thresholds becomes narrow in this way, for example, when the output values of the magnetic sensors 123a and 123b fluctuate due to noise or the like, a situation in which the difference value Vd changes beyond the threshold value easily occurs. As a result, the position of the shift lever 120 may be erroneously detected.

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、シフト位置を高い精度で検出することのできるシフト位置検出装置を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a shift position detecting device capable of detecting a shift position with high accuracy.

請求項１に記載の発明は、特定方向へ直線状に延びるシフトパターンに沿って設定された５つのシフト位置に操作されるシフトレバーと、当該シフトレバーの前記特定方向への変位に伴い異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を生成する検出部と、を備え、前記２つの電圧信号並びにこれらに対して共通して設定される２つの閾値の比較を通じて前記２つの電圧信号をそれぞれ三値化し、その三値の組合せに基づき前記シフトレバーが５つのシフト位置のいずれに位置しているかを検出することをその要旨とする。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a shift lever operated at five shift positions set along a shift pattern extending linearly in a specific direction, and different inclinations as the shift lever is displaced in the specific direction. A detection unit that generates two voltage signals that change linearly with each other, and compares the two voltage signals with each other through a comparison of the two voltage signals and two threshold values set in common with the two voltage signals. The gist of the invention is that it is digitized and based on the combination of the three values, the shift lever is detected in any of the five shift positions.

本発明によれば、検出部において生成される２つの電圧信号の傾きが異なるので、共通して設定される２つの閾値との比較を通じて生成される三値の組合せを５つのシフト位置毎に異ならせることが可能となる。このため、三値の組合せに基づき５つのシフト位置を検出することができる。このように、検出部において生成される２つの電圧信号に対して設定される閾値の数を２つにすることができるため、前述したように検出部の信号に対して４つの閾値を設定して５つのシフト位置を検出する場合と比較すると、閾値の間隔を広げることができる。このため、仮にノイズ等の影響によって検出部の電圧信号が変動したとしても、当該検出部の電圧信号が閾値を超えて変化するような状況が発生しにくくなる。したがって、シフトレバーのシフト位置を適切に検出することができる。   According to the present invention, since the slopes of the two voltage signals generated in the detection unit are different, the combination of the ternary values generated through the comparison with two commonly set threshold values is different for each of the five shift positions. It becomes possible to make it. Therefore, five shift positions can be detected based on the ternary combination. As described above, since the number of thresholds set for the two voltage signals generated in the detection unit can be two, as described above, four thresholds are set for the signal of the detection unit. Compared with the case where five shift positions are detected, the threshold interval can be increased. For this reason, even if the voltage signal of the detection unit fluctuates due to the influence of noise or the like, a situation in which the voltage signal of the detection unit changes beyond the threshold is less likely to occur. Therefore, the shift position of the shift lever can be detected appropriately.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のシフト位置検出装置において、前記検出部は、前記シフトレバーの特定方向に沿った方向への操作に伴い変位する磁石と、当該磁石の変位に伴う当該磁石から発せられる磁界の変化を検出する２つの磁界検出器と、これら磁界検出器の検出信号をそれぞれ所要に処理することで前記シフトレバーの特定方向への変位に対して直線的に変化する電圧信号を生成する２つの信号処理回路と、を備え、前記２つの磁界検出器は、前記磁石の変位量当たりの印加磁界の変化の度合いが互いに異なるように配設されてなることをその要旨とする。   According to a second aspect of the present invention, in the shift position detecting device according to the first aspect, the detection unit includes a magnet that is displaced by an operation in a direction along a specific direction of the shift lever, and a displacement of the magnet. Two magnetic field detectors for detecting a change in the magnetic field emitted from the magnet due to the magnetic field, and processing the detection signals of these magnetic field detectors, respectively, by linearly processing the shift lever in a specific direction. Two signal processing circuits that generate voltage signals that change, and the two magnetic field detectors are arranged so that the degree of change in applied magnetic field per displacement of the magnet is different from each other. The gist.

本発明によれば、２つの磁界検出器に対する磁石の変位量当たりの印加磁界の変化の度合いが異なるので、これら磁気検出器の検出信号の変化の度合い（態様）も異なるものとなる。このため、これら２つの検出信号を所要に処理することにより、印加磁界の変化の度合いに応じて互いに異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を、容易に生成することが可能となる。   According to the present invention, since the degree of change in applied magnetic field per magnet displacement amount for the two magnetic field detectors is different, the degree (mode) of change in the detection signal of these magnetic detectors is also different. For this reason, by processing these two detection signals as required, it is possible to easily generate two voltage signals that change linearly with different inclinations depending on the degree of change in the applied magnetic field.

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のシフト位置検出装置において、前記２つの磁界検出器は、それぞれ印加される磁界の強度に比例した電圧信号を生成するホールセンサを備え、これらホールセンサは、前記磁石に対する距離が互いに異ならせられることにより、前記磁石の変位量当たりの印加磁界強度の変化の度合いが互いに異ならせられてなることをその要旨とする。   According to a third aspect of the present invention, in the shift position detecting device according to the second aspect, each of the two magnetic field detectors includes a Hall sensor that generates a voltage signal proportional to the strength of the applied magnetic field. The gist of the Hall sensor is that the degree of change in applied magnetic field intensity per displacement amount of the magnets is made different from each other by making the distances to the magnets different from each other.

本発明によれば、２つのホールセンサの磁石に対する距離が異なるので、これらホールセンサに印加される磁界強度の変化の度合いも異なる。したがって、印加磁界強度の変化の度合いに応じて互いに異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を、容易に生成することが可能となる。   According to the present invention, since the distances of the two Hall sensors to the magnets are different, the degree of change in the magnetic field strength applied to these Hall sensors is also different. Therefore, it is possible to easily generate two voltage signals that change linearly with different slopes depending on the degree of change in applied magnetic field strength.

この場合、例えば、請求項４に記載の発明によるように、２つのホールセンサを、磁石の変位方向に平行をなす基板の表裏に設けることにより、２つのホールセンサと磁石との距離を異ならせることができる。   In this case, for example, as in the invention described in claim 4, by providing two Hall sensors on the front and back of the substrate parallel to the magnet displacement direction, the distance between the two Hall sensors and the magnet is made different. be able to.

また、請求項５に記載される構成を採用することにより、２つのホールセンサと磁石との距離を異ならせることも可能である。すなわち、磁石には、その変位方向に直交する方向に凹む段差部を形成することにより厚みの異なる第１及び第２の部分を設ける。また、２つのホールセンサは、磁石の段差部側の部分に対向しかつ磁石の変位方向に平行をなす同一基板上に配設する。そして、２つのホールセンサの一方は磁石の第１の部分に、同じく他方は第２の部分に対応して配設する。２つのホールセンサは同一基板上に配設されているので、磁石の段差部が形成された部分に対応するホールセンサと、そうでないホールセンサとでは、磁石との距離が異なることになる。   Further, by adopting the configuration described in claim 5, the distance between the two Hall sensors and the magnet can be made different. That is, the magnet is provided with first and second portions having different thicknesses by forming a stepped portion that is recessed in a direction perpendicular to the displacement direction. The two Hall sensors are arranged on the same substrate facing the stepped portion side portion of the magnet and parallel to the displacement direction of the magnet. One of the two Hall sensors is disposed corresponding to the first portion of the magnet, and the other is disposed corresponding to the second portion. Since the two Hall sensors are arranged on the same substrate, the Hall sensor corresponding to the portion where the stepped portion of the magnet is formed and the Hall sensor that is not so have different distances from the magnet.

請求項６に記載の発明は、請求項２に記載のシフト位置検出装置において、前記２つの磁界検出器は、前記磁石の変位方向に間隔をおいて配設されて当該磁石の変位に伴う磁界の方向の変化を検出して増減特性が相反する電圧信号を生成する２つを１組とする磁気抵抗効果センサをそれぞれ備え、これら２組の磁気抵抗効果センサは、各組を構成する２つの磁気抵抗効果センサの前記磁石の変位方向における距離、及び当該変位方向に直交する方向における前記磁石に対する距離を異ならせることにより、前記磁石の変位量当たりの印加磁界方向の変化の度合いが互いに異ならせられてなり、前記２つの信号処理回路は、前記所要の処理として、対応する組の前記２つの磁気抵抗効果センサにおいて生成される前記２つの電圧信号の差分を求めることにより、前記シフトレバーの特定方向への変位に対して直線的に変化する一の電圧信号をそれぞれ生成することをその要旨とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the shift position detection device according to the second aspect, the two magnetic field detectors are arranged at intervals in the displacement direction of the magnet, and a magnetic field accompanying the displacement of the magnet. Each of which includes two magnetoresistive effect sensors that generate voltage signals having opposite increase / decrease characteristics by detecting a change in the direction of each of the two magnetoresistive effect sensors. By varying the distance in the displacement direction of the magnet of the magnetoresistive effect sensor and the distance to the magnet in the direction orthogonal to the displacement direction, the degree of change in the applied magnetic field direction per displacement amount of the magnet is varied. Thus, the two signal processing circuits obtain the difference between the two voltage signals generated in the corresponding two magnetoresistive effect sensors as the required processing. The Rukoto, to generate a voltage signal which varies linearly with the displacement in the specific direction of the shift lever, respectively and its gist.

本発明によれば、各組の２つの磁気抵抗効果センサにおいて生成される２つの電圧信号は、磁石の変位量に対する増減特性が相反する。このため、各組の２つの磁気抵抗効果センサにおいて生成される２つの電圧信号の差分値は、磁石の変位量に応じて直線的に変化するものとなる。ここで、２組の磁気抵抗効果センサの磁石に対する配置は前述の通り異なるので、各組の磁気抵抗効果センサに印加される磁界方向の変化の度合いも異なる。このため、各組の２つの磁気抵抗効果センサにおいて生成される２つの電圧信号の変化の態様は、印加磁界方向の変化の度合いに応じて各組で異なるものとなる。したがって、各組の２つの磁気抵抗効果センサにおいて生成される２つの電圧信号の差分値の変化の度合いは各組で異なる。このように、印加磁界方向の変化の度合いに応じて互いに異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を、容易に生成することが可能となる。   According to the present invention, the two voltage signals generated in the two magnetoresistive sensors of each set have opposite characteristics with respect to the amount of displacement of the magnet. For this reason, the difference value of the two voltage signals generated in the two magnetoresistive sensors of each set changes linearly according to the displacement amount of the magnet. Here, since the arrangement of the two sets of magnetoresistive sensors with respect to the magnets is different as described above, the degree of change in the magnetic field direction applied to each set of magnetoresistive sensors is also different. For this reason, the mode of change of the two voltage signals generated in the two magnetoresistive effect sensors in each group differs depending on the degree of change in the applied magnetic field direction. Therefore, the degree of change in the difference value between the two voltage signals generated in the two magnetoresistive effect sensors in each group is different in each group. In this way, it is possible to easily generate two voltage signals that change linearly with different slopes depending on the degree of change in the applied magnetic field direction.

本発明にかかるシフト位置検出装置によれば、シフト位置を高い精度で検出することができる。   According to the shift position detection device of the present invention, the shift position can be detected with high accuracy.

第１の実施の形態におけるシフト装置の斜視図。The perspective view of the shift apparatus in 1st Embodiment. 同じくシフト位置検出装置の概略構成を示す斜視図。The perspective view which shows schematic structure of a shift position detection apparatus similarly. 同じく（ａ）は磁石と磁気センサとの位置関係及び磁石の形状を示す正面図、（ｂ）は図３（ａ）の左側面図、（ｃ）は図３（ａ）の平面図。Similarly, (a) is a front view showing the positional relationship between the magnet and the magnetic sensor and the shape of the magnet, (b) is a left side view of FIG. 3 (a), and (c) is a plan view of FIG. 3 (a). 同じく磁石の変位量と磁気センサに印加される磁束密度及び出力電圧との関係を示すグラフ。The graph which similarly shows the relationship between the displacement amount of a magnet, the magnetic flux density applied to a magnetic sensor, and an output voltage. 同じくシフト装置の電気的な構成を示すブロック図。The block diagram which similarly shows the electric structure of a shift apparatus. ２つの磁気センサにおいて生成される三値信号の組合せとシフトレバーの操作位置との関係を示す一覧表。The list which shows the relationship between the combination of the ternary signal produced | generated in two magnetic sensors, and the operation position of a shift lever. （ａ）は第２の実施の形態における磁石と磁気センサとの位置関係及び磁石の形状を示す正面図、（ｂ）は図７（ａ）の左側面図、（ｃ）は図７（ａ）の平面図。(A) is a front view showing the positional relationship between the magnet and the magnetic sensor and the shape of the magnet in the second embodiment, (b) is a left side view of FIG. 7 (a), and (c) is FIG. 7 (a). ) Plan view. （ａ）は第３の実施の形態における磁石と磁気センとの位置関係を示す平面図、（ｂ）は同じく正面図、（ｃ）は同じく下面図。(A) is a top view which shows the positional relationship of the magnet and magnetic sensor in 3rd Embodiment, (b) is a front view similarly, (c) is a bottom view similarly. 同じくシフトレバーの操作を通じて磁石が変位した場合における当該磁石と磁気センサとの相対位置関係を示す平面図。Similarly, the top view which shows the relative positional relationship of the said magnet and a magnetic sensor when a magnet displaces through operation of a shift lever. 同じくシフト装置の電気的な構成を示すブロック図。The block diagram which similarly shows the electric structure of a shift apparatus. 同じく２つの磁気センサの出力信号と磁石の変位量との関係、並びにそれらの出力信号の差分値と磁石の変位量との関係を示すグラフ。The graph which similarly shows the relationship between the output signal of two magnetic sensors, and the displacement amount of a magnet, and the relationship between the difference value of those output signals, and the displacement amount of a magnet. 同じく磁石の変位量と第１及び第２の磁気センサの出力信号の差分値、並びに第３及び第４の磁気センサの出力信号の差分値との関係を示すグラフ。The graph which similarly shows the relationship between the displacement amount of a magnet, the difference value of the output signal of a 1st and 2nd magnetic sensor, and the difference value of the output signal of a 3rd and 4th magnetic sensor. （ａ），（ｂ）は、同じくシフト位置検出装置におけるシフト位置の検出態様を示すグラフ。(A), (b) is a graph which similarly shows the detection aspect of the shift position in a shift position detection apparatus. 従来のシフト装置の斜視図。The perspective view of the conventional shift apparatus. 同じくシフト装置におけるシフトレバーの基端部に設けられる磁石と２つの磁気センサとの位置関係を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the positional relationship of the magnet provided in the base end part of the shift lever in a shift apparatus, and two magnetic sensors. 同じくシフト装置における２つの磁気センサの出力信号の差分値と磁石の変位量との関係を示すグラフ。The graph which similarly shows the relationship between the difference value of the output signal of two magnetic sensors in a shift apparatus, and the displacement amount of a magnet. 同じくシフト装置における５つのシフト位置を検出する方法を示すグラフ。The graph which similarly shows the method of detecting five shift positions in a shift apparatus.

＜第１の実施の形態＞
以下、本発明を車両のシフト装置に具体化した第１の実施の形態について図１〜図６を参照して説明する。 <First Embodiment>
A first embodiment in which the present invention is embodied in a vehicle shift device will be described below with reference to FIGS.

＜シフト装置の概略構成＞
まず、シフト装置の概略構成を説明する。図１に示されるように、シフト装置は、車両に固定されるレバーユニット１と、このレバーユニット１に基端部が支持されて車両の変速機のシフトレンジを切り替える際にユーザによって操作されるシフトレバー２と、このシフトレバー２の移動を案内するシフトゲート３が形成されたシフトパネル４とを備えてなる。シフトゲート３は、図中のＹ軸方向へ延びる直線状に形成されている。このシフト装置では、シフトゲート３に対して５つのシフト位置、すなわち「Ｐポジション（駐車位置）」、「Ｒポジション（後進位置）」、「Ｎポジション（中立位置：ニュートラル）」、「Ｄポジション（前進位置）」、及び「Ｂポジション（回生ブレーキ位置）」が設定されている。これらシフト位置にシフトレバー２が操作されると、変速機のシフトレンジが各シフト位置に対応するシフトレンジに設定される。なお、シフト装置は、シフトレバー２の操作位置が各シフト位置に保持される保持型（ステーショナリタイプ）のものとして構成されている。また、このシフト装置では、レバーユニット１の内部に設けられるシフト位置検出装置を通じて、シフトレバー２が５つのシフト位置のいずれに位置しているかを検出する。 <Schematic configuration of shift device>
First, a schematic configuration of the shift device will be described. As shown in FIG. 1, the shift device is operated by a user when the lever unit 1 fixed to the vehicle and the base end portion of the lever unit 1 are supported to switch the shift range of the transmission of the vehicle. A shift lever 2 and a shift panel 4 having a shift gate 3 for guiding the movement of the shift lever 2 are provided. The shift gate 3 is formed in a straight line extending in the Y-axis direction in the drawing. In this shift device, five shift positions with respect to the shift gate 3, that is, "P position (parking position)", "R position (reverse position)", "N position (neutral position: neutral)", "D position ( "Forward position)" and "B position (regenerative brake position)" are set. When the shift lever 2 is operated at these shift positions, the shift range of the transmission is set to a shift range corresponding to each shift position. The shift device is configured as a holding type (stationary type) in which the operation position of the shift lever 2 is held at each shift position. Further, in this shift device, it is detected through any shift position detection device provided inside the lever unit 1 which of the five shift positions the shift lever 2 is located.

＜シフト位置検出装置＞
次に、シフト位置検出装置について説明する。図２に示すように、レバーユニット１の内部に設けられる支持部材１１は、Ｘ軸方向において互いに対向する２つの側壁１２ａ，１２ｂ及びこれらの下部間を連結する底壁１２ｃを備えている。これら側壁１２ａ，１２ｂの上部には、Ｙ軸方向へ延びる段差部１３ａ，１３ｂが形成されている。２つの段差部１３ａ，１３ｂ間には四角板状のスライダ１４が架け渡されている。スライダ１４は、段差部１３ａ，１３ｂによって、そのＸ軸方向への変位が規制されるとともに、そのＹ軸方向への変位が許容される。 <Shift position detection device>
Next, the shift position detection device will be described. As shown in FIG. 2, the support member 11 provided in the lever unit 1 includes two side walls 12 a and 12 b that face each other in the X-axis direction and a bottom wall 12 c that connects the lower portions thereof. Step portions 13a and 13b extending in the Y-axis direction are formed on the upper portions of the side walls 12a and 12b. A square plate-like slider 14 is bridged between the two stepped portions 13a and 13b. The slider 14 is restricted from being displaced in the X-axis direction by the step portions 13a and 13b, and is allowed to be displaced in the Y-axis direction.

スライダ１４の上面中央部には先のシフトレバー２の基端部が、同じく下面には直方体状の磁石１５が固定されている。また、支持部材１１の２つの側壁１２ａ，１２ｂ間には基板１６が固定されている。基板１６と支持部材１１の底壁１２ｃとの間には若干の隙間が形成されている。基板１６の表裏両面にはそれぞれ第１及び第２の磁気センサ１７，１８、並びに図示しない各種の電子部品が設けられている。したがって、シフトレバー２がＹ軸方向へスライド操作されると、これに伴い磁石１５も基板１６（第１及び第２の磁気センサ１７，１８）に対してＹ軸方向へ相対変位する。   A base end portion of the previous shift lever 2 is fixed to the center portion of the upper surface of the slider 14, and a rectangular parallelepiped magnet 15 is fixed to the lower surface. A substrate 16 is fixed between the two side walls 12 a and 12 b of the support member 11. A slight gap is formed between the substrate 16 and the bottom wall 12 c of the support member 11. First and second magnetic sensors 17 and 18 and various electronic components (not shown) are provided on the front and back surfaces of the substrate 16, respectively. Therefore, when the shift lever 2 is slid in the Y-axis direction, the magnet 15 is also displaced relative to the substrate 16 (first and second magnetic sensors 17 and 18) in the Y-axis direction.

第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、図示しないホール素子及びその信号処理回路１７ｂ，１８ｂが１チップに集積化されたホールセンサである。また、これらホールセンサは、Ｓ極からＮ極、あるいはＮ極からＳ極への磁界の変化を検出して直線状の出夏信号を生成する、いわゆるリニア検出タイプのものである。当該タイプのホールセンサは、Ｎ極の磁界が印加されたときには正（＋）の信号を、Ｓ極の磁界が印加されたときには負（−）の電圧信号を生成する。信号処理回路１７ｂ，１８ｂは、ホール素子において印加磁界強度に応じて生成される電圧信号を増幅する増幅回路等を備えてなる。なお、これら信号処理回路１７ｂ，１８ｂは、ホール素子等とは別個に構成することも可能である。   The first and second magnetic sensors 17 and 18 are Hall sensors in which Hall elements (not shown) and their signal processing circuits 17b and 18b are integrated on one chip. These Hall sensors are of the so-called linear detection type that detects a change in the magnetic field from the south pole to the north pole or from the north pole to the south pole and generates a linear summer signal. This type of Hall sensor generates a positive (+) signal when an N pole magnetic field is applied, and a negative (-) voltage signal when an S pole magnetic field is applied. The signal processing circuits 17b and 18b include an amplification circuit that amplifies a voltage signal generated according to the applied magnetic field strength in the Hall element. Note that these signal processing circuits 17b and 18b can be configured separately from the Hall elements and the like.

＜磁石と磁気センサとの位置関係＞
図３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示されるように、磁石１５は、図中のＺ軸方向に沿って着磁されることにより両面４極とされている。これら磁石１５、並びに第１及び第２の磁気センサ１７，１８の相対位置関係は、シフトレバー２が先のＮポジションに位置するときの磁石１５の位置をその基準位置Ｐｎとしたとき、次のように設定されている。すなわち、図３（ａ）に示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、これらをＸ軸方向から見たとき、磁石１５のＹ軸方向における中央部に対応して設けられている。また、図３（ｂ）に示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、これらをＹ軸方向からみたとき、磁石１５のＸ軸方向における中央部よりも若干ずれて設けられている。なお、第１及び第２の磁気センサ１７，１８のＸ軸方向における位置は適宜変更可能である。Ｚ軸方向において磁石１５に対向していればよい。また、図３（ｂ），（ｃ）に示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、これらをＺ軸方向から見たとき、互いに一致するように設けられている。なお、この図３（ｃ）では、便宜上、磁石１５を二点鎖線で示す。 <Positional relationship between magnet and magnetic sensor>
As shown in FIGS. 3A, 3 </ b> B, and 3 </ b> C, the magnet 15 is magnetized along the Z-axis direction in FIG. The relative positional relationship between the magnet 15 and the first and second magnetic sensors 17 and 18 is as follows when the position of the magnet 15 when the shift lever 2 is positioned at the previous N position is the reference position Pn. Is set to That is, as shown in FIG. 3A, the first and second magnetic sensors 17 and 18 are provided corresponding to the central portion of the magnet 15 in the Y-axis direction when viewed from the X-axis direction. It has been. Further, as shown in FIG. 3B, the first and second magnetic sensors 17 and 18 are provided slightly shifted from the central portion of the magnet 15 in the X-axis direction when viewed from the Y-axis direction. It has been. The positions of the first and second magnetic sensors 17 and 18 in the X-axis direction can be changed as appropriate. It only needs to face the magnet 15 in the Z-axis direction. 3B and 3C, the first and second magnetic sensors 17 and 18 are provided so as to coincide with each other when viewed from the Z-axis direction. In FIG. 3C, the magnet 15 is indicated by a two-dot chain line for convenience.

前述したように、また図３（ａ），（ｂ）に示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、基板１６の表裏に設けられている。すなわち、磁石１５と第１の磁気センサ１７とのＺ軸方向における距離Ｇｚ１は、磁石１５と第２の磁気センサ１８とのＺ軸方向における距離Ｇｚ２よりも小さい。ちなみに、これら距離Ｇｚ１，Ｇｚ２は、磁石１５の下面と第１及び第２の磁気センサ１７，１８の感磁面１７ａ，１８ａとの間の距離を示す。磁石１５の磁束密度は、磁石１５からの距離に反比例するので、磁石１５からの距離が大きくなるほど磁束密度の大きさは小さくなる。このため、基板１６の磁石１５側の側面に設けられた第１の磁気センサ１７に印加される磁束密度は、基板１６の磁石１５と反対側の側面に設けられた第２の磁気センサ１８に印加される磁束密度よりも大きくなる。   As described above and as shown in FIGS. 3A and 3B, the first and second magnetic sensors 17 and 18 are provided on the front and back of the substrate 16. That is, the distance Gz1 between the magnet 15 and the first magnetic sensor 17 in the Z-axis direction is smaller than the distance Gz2 between the magnet 15 and the second magnetic sensor 18 in the Z-axis direction. Incidentally, these distances Gz1 and Gz2 indicate distances between the lower surface of the magnet 15 and the magnetic sensitive surfaces 17a and 18a of the first and second magnetic sensors 17 and 18, respectively. Since the magnetic flux density of the magnet 15 is inversely proportional to the distance from the magnet 15, the magnitude of the magnetic flux density decreases as the distance from the magnet 15 increases. Therefore, the magnetic flux density applied to the first magnetic sensor 17 provided on the side surface of the substrate 16 on the magnet 15 side is applied to the second magnetic sensor 18 provided on the side surface opposite to the magnet 15 of the substrate 16. It becomes larger than the applied magnetic flux density.

なお、図３（ｃ）にシフトレバー２が各操作位置（Ｐ，Ｒ，Ｎ，Ｄ，Ｂ）に操作されたときの磁石１５の位置を示す。同図では、シフトレバー２がＰ，Ｒ，Ｎ，Ｄ，Ｂポジションにあるときの磁石１５の位置をそれぞれ位置Ｐｐ，Ｐｒ，Ｐｎ，Ｐｄ，Ｐｂとする。また、同図では、磁石１５のＸ軸方向へ延びる中心軸Ｏｘの位置を示す。この中心軸ＯｘはＹ軸方向における極性（Ｎ極及びＳ極）の境界でもある。   FIG. 3C shows the position of the magnet 15 when the shift lever 2 is operated to each operation position (P, R, N, D, B). In the figure, the positions of the magnet 15 when the shift lever 2 is in the P, R, N, D, and B positions are defined as positions Pp, Pr, Pn, Pd, and Pb, respectively. Further, in the figure, the position of the central axis Ox extending in the X-axis direction of the magnet 15 is shown. The central axis Ox is also a boundary of polarities (N pole and S pole) in the Y axis direction.

磁石１５が基準位置Ｐｎに位置するとき、当該磁石１５の中心軸Ｏｘは、第１及び第２の磁気センサ１７，１８にＺ軸方向において対応する。磁石１５が位置Ｐｒ，Ｐｐに位置するとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は磁石１５のＳ極に対応する。詳述すると、磁石１５が位置Ｐｐにあるとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８はＳ極のＹ軸方向における中央部に対応する。磁石１５が位置Ｐｒにあるとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８はＳ極のＹ軸方向における中央部よりも若干ずれた部位に対応する。   When the magnet 15 is located at the reference position Pn, the central axis Ox of the magnet 15 corresponds to the first and second magnetic sensors 17 and 18 in the Z-axis direction. When the magnet 15 is located at the positions Pr and Pp, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to the S pole of the magnet 15. More specifically, when the magnet 15 is at the position Pp, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to the central portion of the south pole in the Y-axis direction. When the magnet 15 is at the position Pr, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to portions that are slightly shifted from the central portion of the south pole in the Y-axis direction.

同様に、磁石１５が位置Ｐｄ，Ｐｂに位置するとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は磁石１５のＮ極に対応する。詳述すると、磁石１５が位置Ｐｂにあるとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８はＮ極のＹ軸方向における中央部に対応する。磁石１５が位置Ｐｄにあるとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８はＮ極のＹ軸方向における中央部よりも若干ずれた部位に対応する。   Similarly, when the magnet 15 is located at the positions Pd and Pb, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to the N pole of the magnet 15. More specifically, when the magnet 15 is at the position Pb, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to the central portion of the N pole in the Y-axis direction. When the magnet 15 is at the position Pd, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to portions that are slightly displaced from the central portion of the N pole in the Y-axis direction.

＜磁石の変位と磁気センサの印加磁束密度との関係＞
次に、磁石１５の変位と、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の印加磁束密度との関係について説明する。 <Relationship between magnet displacement and applied magnetic flux density of magnetic sensor>
Next, the relationship between the displacement of the magnet 15 and the applied magnetic flux density of the first and second magnetic sensors 17 and 18 will be described.

第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、前述したようにホールセンサが採用されているので、それらの感磁面１７ａ，１８ａに対して直交する方向の磁界を検出する。また、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力は磁界の強さ、すなわち磁束密度の大きさに比例する。また、先の図３（ａ）に示されるように、磁石１５がその基準位置Ｐｎに存在する場合、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は磁石１５の磁極の境界に対応するため、両感磁面１７ａ，１８ａに直交する磁束密度は最も小さくなる。   Since the first and second magnetic sensors 17, 18 employ Hall sensors as described above, they detect magnetic fields in a direction perpendicular to the magnetic sensitive surfaces 17a, 18a. The outputs of the first and second magnetic sensors 17 and 18 are proportional to the strength of the magnetic field, that is, the magnetic flux density. Further, as shown in FIG. 3A, when the magnet 15 is present at the reference position Pn, the first and second magnetic sensors 17 and 18 correspond to the boundary of the magnetic pole of the magnet 15, The magnetic flux density orthogonal to both the magnetic sensitive surfaces 17a and 18a is the smallest.

そしてこの磁石１５の基準位置Ｐｎを基準として、シフトレバー２の操作を通じて磁石１５がＹ軸方向へ変位した場合、当該磁石１５の変位量と第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される磁束密度との関係は、図４のグラフのようになる。なお、当該グラフでは、その横軸に磁石１５の変位量が、縦軸に磁束密度がプロットされている。また、当該グラフでは、磁石１５がその基準位置Ｐｎを原点としてシフトレバー２のＢポジションに対応する位置Ｐｂへ向かうときの変位量を正（＋）の値、同じくＰポジションに対応する位置Ｐｐへ向かうときの変位量を負（−）の値としている。   Then, when the magnet 15 is displaced in the Y-axis direction through the operation of the shift lever 2 with the reference position Pn of the magnet 15 as a reference, the displacement amount of the magnet 15 and the first and second magnetic sensors 17 and 18 are applied. The relationship with the magnetic flux density is as shown in the graph of FIG. In the graph, the amount of displacement of the magnet 15 is plotted on the horizontal axis, and the magnetic flux density is plotted on the vertical axis. In the graph, the displacement amount when the magnet 15 moves from the reference position Pn to the position Pb corresponding to the B position of the shift lever 2 as the origin is a positive (+) value, similarly to the position Pp corresponding to the P position. The amount of displacement when heading is a negative (-) value.

さて、図４のグラフに示されるように、磁石１５のＹ軸方向への変位に伴い、第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される磁束密度はそれぞれ正弦波状に変化する。すなわち、磁石１５の基準位置Ｐｎを原点とする正の方向への変位量が大きくなるにつれて第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される正の磁束密度が大きくなる。逆に、磁石１５の基準位置Ｐｎを原点とする負の方向への変位量が大きくなるにつれて第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される負の磁束密度が大きくなる。これは、磁石１５の正の方向への変位に伴い両感磁面１７ａ，１８ａに直交する方向におけるＮ極の磁界成分が増大し、磁石１５の負の方向への変位に伴い両感磁面１７ａ，１８ａに直交する方向におけるＳ極の磁界成分が増大するからである。   Now, as shown in the graph of FIG. 4, the magnetic flux density applied to the first and second magnetic sensors 17 and 18 changes in a sine wave shape as the magnet 15 is displaced in the Y-axis direction. That is, as the amount of displacement of the magnet 15 in the positive direction with the reference position Pn as the origin increases, the positive magnetic flux density applied to the first and second magnetic sensors 17 and 18 increases. Conversely, the negative magnetic flux density applied to the first and second magnetic sensors 17, 18 increases as the amount of displacement of the magnet 15 in the negative direction with the reference position Pn as the origin increases. This is because the magnetic field component of the N pole in the direction orthogonal to both the magnetosensitive surfaces 17a and 18a increases with the displacement of the magnet 15 in the positive direction, and the both magnetosensitive surfaces with the displacement of the magnet 15 in the negative direction. This is because the magnetic field component of the S pole in the direction orthogonal to 17a and 18a increases.

また、磁石１５の変位量当たりの磁束密度の変化の割合は、第１の磁気センサ１７に印加される磁束密度の方が第２の磁気センサ１８に印加される磁束密度よりも大きくなる。これは、第２の磁気センサ１８は第１の磁気センサ１７よりも磁石１５からの距離が大きく、その分だけ印加される磁束密度が小さくなるからである。   The rate of change in the magnetic flux density per displacement of the magnet 15 is such that the magnetic flux density applied to the first magnetic sensor 17 is greater than the magnetic flux density applied to the second magnetic sensor 18. This is because the second magnetic sensor 18 has a larger distance from the magnet 15 than the first magnetic sensor 17, and the applied magnetic flux density is correspondingly reduced.

また、図５に示すように、ホールセンサである第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、印加される磁界（磁束密度）の大きさに比例した出力電圧Ｖ１，Ｖ２を生成する。このため、図４のグラフに示されるように、磁石１５の変位に伴う出力電圧Ｖ１，Ｖ２の変化は、第１及び第２の磁気センサ１７，１８に対する印加磁束密度の変化に準じたものとなる。シフト位置検出装置の制御装置２１は、この磁石１５の変位に伴う磁束密度の変化、正確には出力電圧Ｖ１，Ｖ２の変化を利用して磁石１５の位置、すなわちシフトレバー２の操作位置を検出する。   As shown in FIG. 5, the first and second magnetic sensors 17 and 18 that are Hall sensors generate output voltages V1 and V2 that are proportional to the magnitude of the applied magnetic field (magnetic flux density). Therefore, as shown in the graph of FIG. 4, changes in the output voltages V1 and V2 due to the displacement of the magnet 15 conform to changes in the applied magnetic flux density with respect to the first and second magnetic sensors 17 and 18. Become. The control device 21 of the shift position detection device detects the position of the magnet 15, that is, the operation position of the shift lever 2 using the change in the magnetic flux density accompanying the displacement of the magnet 15, more precisely, the change in the output voltages V 1 and V 2. To do.

＜シフト位置の検出方法＞
次に、シフトレバー２の操作位置の検出方法について説明する。図４のグラフに示されるように、当該シフト位置検出装置では、出力電圧Ｖ１，Ｖ２に対して第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２が設定されている。第２の閾値Ｖｈ２は、第１の閾値Ｖｈ１よりも大きな値である。そして制御装置２１は、出力電圧Ｖ１，Ｖ２と第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２との比較を通じて、出力電圧Ｖ１，Ｖ２を三値化する。すなわち、制御装置２１は、次の（ｂ１）〜（ｂ３）に示されるようにして、出力電圧Ｖ１，Ｖ２の電圧レベルに応じて、Ｈ（ハイ）レベル、Ｍ（ミドル）レベル、及びＬ（ロー）レベルのいずれかの電圧レベルを有する論理信号（Ｈ、Ｍ、Ｌ）を生成する。 <Detection method of shift position>
Next, a method for detecting the operation position of the shift lever 2 will be described. As shown in the graph of FIG. 4, in the shift position detection device, first and second threshold values Vh1 and Vh2 are set for the output voltages V1 and V2. The second threshold value Vh2 is a value larger than the first threshold value Vh1. Then, the control device 21 ternizes the output voltages V1 and V2 through a comparison between the output voltages V1 and V2 and the first and second threshold values Vh1 and Vh2. That is, the control device 21 performs the H (high) level, the M (middle) level, and the L (middle) level according to the voltage levels of the output voltages V1 and V2, as shown in the following (b1) to (b3). A logic signal (H, M, L) having a voltage level of any of the (low) levels is generated.

（ｂ１）出力電圧Ｖ１，Ｖ２の電圧レベルが第１の閾値Ｖｈ１未満であるとき、Ｌレベルの論理信号（Ｌ）を生成する。
（ｂ２）出力電圧Ｖ１，Ｖ２の電圧レベルが第１の閾値Ｖｈ１以上、かつ第２の閾値Ｖｈ２未満であるとき、Ｍレベルの論理信号（Ｍ）を生成する。 (B1) When the voltage levels of the output voltages V1 and V2 are less than the first threshold value Vh1, an L level logic signal (L) is generated.
(B2) When the voltage levels of the output voltages V1 and V2 are equal to or higher than the first threshold value Vh1 and lower than the second threshold value Vh2, an M level logic signal (M) is generated.

（ｂ３）出力電圧Ｖ１，Ｖ２の電圧レベルが第２の閾値Ｖｈ２以上であるとき、Ｈレベルの論理信号（Ｈ）を生成する。
ここで、磁石１５がシフトレバー２の各操作位置に対応して変位したとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力電圧Ｖ１，Ｖ２の電圧レベル、すなわち出力論理（三値Ｈ、Ｍ、Ｌ）の組合せがすべて異なるように、第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２は設定される。このため、シフトレバー２の各操作位置（Ｐ、Ｒ、Ｎ、Ｄ、Ｂ）と、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力論理である三値（Ｈ，Ｍ，Ｌ）との組合せは、次のようになる。 (B3) When the voltage levels of the output voltages V1 and V2 are equal to or higher than the second threshold value Vh2, an H level logic signal (H) is generated.
Here, when the magnet 15 is displaced corresponding to each operation position of the shift lever 2, the voltage levels of the output voltages V1, V2 of the first and second magnetic sensors 17, 18, that is, the output logic (ternary H, The first and second threshold values Vh1, Vh2 are set so that all combinations of M, L) are different. Therefore, each operation position (P, R, N, D, B) of the shift lever 2 and three values (H, M, L) which are output logics of the first and second magnetic sensors 17, 18 The combination is as follows.

すなわち、図６の一覧表の左側の２列の欄に示されるように、シフトレバー２がＰポジションに操作された場合には「Ｌ，Ｌ」、Ｒポジションに操作された場合には「Ｍ，Ｌ」、Ｎポジションに操作された場合には「Ｍ，Ｍ」、Ｄポジションに操作された場合には「Ｍ，Ｈ」、Ｂポジションに操作された場合には「Ｈ，Ｈ」となる。なお、図６の一覧表では、Ｈレベル、Ｍレベル及びＬレベルの電圧レベルを有する論理信号をそれぞれＨ、Ｍ、Ｌとして表している。   That is, as shown in the two columns on the left side of the list of FIG. 6, when the shift lever 2 is operated to the P position, “L, L”, and when the shift lever 2 is operated to the R position, “M”. , L ”and“ M ”when operated to the N position,“ M, H ”when operated to the D position, and“ H, H ”when operated to the B position. . In the list of FIG. 6, logic signals having voltage levels of H level, M level, and L level are represented as H, M, and L, respectively.

このように、シフトレバー２が各操作位置に操作された場合、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力論理の組合せがすべて異なる。すなわち、シフトレバー２の各操作位置と各出力論理との組合せが一対一で対応するので、当該出力論理の組合せに基づきシフトレバー２の操作位置を特定可能となる。   Thus, when the shift lever 2 is operated to each operation position, all combinations of output logic of the first and second magnetic sensors 17 and 18 are different. That is, since each operation position of the shift lever 2 and each output logic have a one-to-one correspondence, the operation position of the shift lever 2 can be specified based on the combination of the output logic.

図５に示すように、シフト装置の制御装置２１は、第１及び第２の磁気センサ１７，１８からの出力論理の組合せに基づきシフトレバー２の操作位置を検出し、当該操作位置に応じた指令信号を変速機２２へ出力する。変速機２２側では、この指令信号に基づきその内部の動力伝達経路の接続状態の切り替えが行われる。   As shown in FIG. 5, the control device 21 of the shift device detects the operation position of the shift lever 2 based on the combination of the output logics from the first and second magnetic sensors 17 and 18, and responds to the operation position. A command signal is output to the transmission 22. On the transmission 22 side, the connection state of the internal power transmission path is switched based on this command signal.

こうした構成によれば、出力電圧Ｖ１，Ｖ２に対して設定される閾値の数が２つであるにもかかわらず、５つのシフト位置を検出することができる。このため、先の背景技術に記載したように、検出信号に対して４つの閾値を設定して５つのシフト位置を検出する場合と比較すると、閾値の間隔を広げることができる。このため、仮に外乱等の影響によって磁束密度が変動したとしても、当該磁束密度が各閾値を超えて変化するような状況が発生しにくくなるため、シフトレバー２の操作位置を適切に検出することが可能になる。   According to such a configuration, five shift positions can be detected even though the number of threshold values set for the output voltages V1 and V2 is two. For this reason, as described in the background art above, it is possible to widen the interval between the threshold values as compared with the case where four threshold values are set for the detection signal and five shift positions are detected. For this reason, even if the magnetic flux density fluctuates due to the influence of a disturbance or the like, it is difficult for a situation in which the magnetic flux density changes beyond each threshold to occur, and therefore the operation position of the shift lever 2 can be detected appropriately. Is possible.

なお、前述した構成では、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力電圧Ｖ１，Ｖ２の三値化は制御装置２１において行われるようにしたが、これを第１及び第２の磁気センサ１７，１８で行うようにしてもよい。この場合には、制御装置２１は、第１及び第２の磁気センサ１７，１８を通じて取得される出力論理（三値）の組合せに基づき、シフトレバー２のシフト位置を検出する。   In the configuration described above, the ternarization of the output voltages V1 and V2 of the first and second magnetic sensors 17 and 18 is performed in the control device 21, but this is performed in the first and second magnetic sensors. 17 and 18 may be used. In this case, the control device 21 detects the shift position of the shift lever 2 based on the combination of output logic (three values) acquired through the first and second magnetic sensors 17 and 18.

また、図３（ｂ），（ｃ）に二点鎖線で示されるように、基板１６の表裏に第３及び第４の磁気センサ３１，３２を追加して設けてもよい。これら第３及び第４の磁気センサ３１，３２も交番検出タイプのホールセンサが採用される。第３及び第４の磁気センサ３１，３２は、例えば、図３（ｂ）に示されるように、基準位置Ｐｎに位置する磁石１５のＺ軸方向へ延びる中心軸を中心としてＸ軸方向において線対称となるように、かつ図３（ｃ）に示されるように、基準位置Ｐｎに位置する磁石１５のＹ軸方向へ延びる中心軸を中心としてＸ軸方向において線対称となるように設ける。なお、これら第３及び第４の磁気センサ３１，３２の位置は適宜変更可能である。   Further, as indicated by a two-dot chain line in FIGS. 3B and 3C, third and fourth magnetic sensors 31 and 32 may be additionally provided on the front and back of the substrate 16. These third and fourth magnetic sensors 31 and 32 also employ alternating detection type hall sensors. For example, as shown in FIG. 3B, the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 are lines in the X-axis direction with the central axis extending in the Z-axis direction of the magnet 15 located at the reference position Pn as the center. As shown in FIG. 3 (c), the magnets 15 are provided so as to be symmetrical with respect to the X axis direction about the central axis extending in the Y axis direction of the magnet 15 located at the reference position Pn. The positions of the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 can be changed as appropriate.

そしてこの場合、磁石１５の変位量と第３及び第４の磁気センサ３１，３２に印加される磁束密度との関係は、先の図４のグラフに示されるように、磁石１５の変位量と第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される磁束密度との関係と同様の関係になる。第３の磁気センサ３１に印加される磁束密度は第１の磁気センサ１７に印加される磁束密度と同様に変化する。第４の磁気センサ３２に印加される磁束密度は、第２の磁気センサ１８に印加される磁束密度と同様に変化する。したがって、第３及び第４の磁気センサ３１，３２の出力論理は、図６の一覧表の右側の２列の欄に示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力論理と同じになる。   In this case, the relationship between the displacement amount of the magnet 15 and the magnetic flux density applied to the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 is as follows. As shown in the graph of FIG. The relationship is similar to the relationship with the magnetic flux density applied to the first and second magnetic sensors 17 and 18. The magnetic flux density applied to the third magnetic sensor 31 changes in the same manner as the magnetic flux density applied to the first magnetic sensor 17. The magnetic flux density applied to the fourth magnetic sensor 32 changes in the same manner as the magnetic flux density applied to the second magnetic sensor 18. Accordingly, the output logic of the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 is the output logic of the first and second magnetic sensors 17 and 18 as shown in the two columns on the right side of the list of FIG. Will be the same.

このようにした場合であれ、シフトレバー２が各操作位置に操作されたときの第１〜第４の磁気センサ１７，１８，３１，３２の出力論理の組合せはすべて異なるものとなり、シフトレバー２の各操作位置と各出力論理との組合せは一対一で対応する。したがって、第１〜第４の磁気センサ１７，１８，３１，３２の出力論理の組合せに基づき、シフトレバー２の各操作位置を検出可能となる。また、この場合には、シフトレバー２の各操作位置に対応する出力論理の組合せに重なるものがないので、第１〜第４の磁気センサ１７，１８，３１，３２のうちいずれか一が故障等したときであれ、シフトレバー２の各操作位置の検出が可能になる。   Even if it does in this way, when the shift lever 2 is operated to each operation position, the combination of the output logic of the 1st-4th magnetic sensors 17, 18, 31, and 32 becomes all different, and the shift lever 2 Each operation position and each output logic have a one-to-one correspondence. Therefore, each operation position of the shift lever 2 can be detected based on the combination of output logics of the first to fourth magnetic sensors 17, 18, 31, 32. In this case, since there is no overlap in the combination of output logic corresponding to each operation position of the shift lever 2, any one of the first to fourth magnetic sensors 17, 18, 31, and 32 has failed. Even when they are equal, each operation position of the shift lever 2 can be detected.

なお、本例において、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、シフトレバー２の特定方向への変位に伴い異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を生成する検出部を構成する。   In the present example, the first and second magnetic sensors 17 and 18 constitute a detection unit that generates two voltage signals that change linearly with different inclinations as the shift lever 2 is displaced in a specific direction. .

＜実施の形態の効果＞
したがって、本実施の形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）第１及び第２の磁気センサ１７，１８と磁石１５とのＺ軸方向における距離を異ならせた。また、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力電圧Ｖ１，Ｖ２に対して第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２（Ｖｈ１＜Ｖｈ２）を設定した。そして制御装置２１は、出力電圧Ｖ１，Ｖ２と第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２との比較を通じて三値の出力論理を生成するようにした。第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２は、各シフト位置に対応する出力論理の組合せがすべて異なるように設定される。このため、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力論理の組合せに基づき５つのシフト位置の検出が可能となる。２つのセンサ出力の組合せを利用することにより、５つの位置を２つの閾値を設定するだけで検出可能となる。従来のように、５つの検出位置に対して４つの閾値を設定する場合と比較して、閾値の間隔を広げることができるため、外乱磁界等の影響によって磁束密度が閾値を超えて変化するような状況が発生しにくくなる。ひいては、シフトレバー２の操作位置を適切に検出することができる。 <Effect of Embodiment>
Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The distance in the Z-axis direction between the first and second magnetic sensors 17 and 18 and the magnet 15 is varied. The first and second threshold values Vh1 and Vh2 (Vh1 <Vh2) are set for the output voltages V1 and V2 of the first and second magnetic sensors 17 and 18. The control device 21 generates ternary output logic through comparison between the output voltages V1 and V2 and the first and second threshold values Vh1 and Vh2. The first and second threshold values Vh1 and Vh2 are set so that all combinations of output logic corresponding to each shift position are different. Therefore, five shift positions can be detected based on the combination of output logics of the first and second magnetic sensors 17 and 18. By using a combination of two sensor outputs, it is possible to detect five positions simply by setting two threshold values. Compared with the case where four threshold values are set for five detection positions as in the prior art, the threshold interval can be widened, so that the magnetic flux density changes beyond the threshold value due to the influence of a disturbance magnetic field or the like. Situation is less likely to occur. As a result, the operation position of the shift lever 2 can be detected appropriately.

（２）第１及び第２の磁気センサ１７，１８として、交番検出タイプのホールセンサを採用した。このため、磁石１５を両面４極とすることにより、磁石１５の変位量当たりの磁束密度の変化の割合を大きくすることが可能になる。センサに印加される磁束密度は、磁極の境界を原点とした正負の方向における変化として得られるからである。   (2) As the first and second magnetic sensors 17 and 18, alternating detection type hall sensors are employed. For this reason, it is possible to increase the rate of change in the magnetic flux density per displacement of the magnet 15 by making the magnet 15 have four poles on both sides. This is because the magnetic flux density applied to the sensor is obtained as a change in the positive and negative directions with the boundary of the magnetic pole as the origin.

（３）第３及び第４の磁気センサ３１，３２を追加して設けた場合には、位置検出装置の検出信頼性を向上させることができる。１つのセンサが故障等しても、シフトレバー２の操作位置の検出が可能になるからである。   (3) When the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 are additionally provided, the detection reliability of the position detection device can be improved. This is because the operation position of the shift lever 2 can be detected even if one sensor fails.

＜第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。本実施の形態は、基本的には先の図１及び図２及び図５に示される構成と同様の構成を備えてなる。したがって、前記第１の実施の形態と同一の部材及び構成については同一の符号を付し、その重複した説明を省略する。 <Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. This embodiment basically has the same configuration as that shown in FIGS. 1, 2, and 5. Therefore, the same members and configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the duplicate description thereof is omitted.

第１の実施の形態では、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の磁石１５からの距離を異ならせることにより、これら磁気センサに印加される磁束密度の大きさを異ならせるようにしているところ、本例ではこれを、磁石１５のＺ軸方向における厚さを異ならせることにより実現している。すなわち、図７（ａ）に示すように、磁石１５の着磁方向は、第１の実施の形態と同様に両面４極着磁とされている。そして図７（ｂ）に示すように、磁石１５の上面及び下面にはそれぞれ段差部４１，４２が形成されている。これら段差部４１，４２は、磁石１５をその左側（Ｙ軸方向）から見た場合、磁石１５のＺ軸方向へ延びる中心軸を境界として磁石１５を第１及び第２の部分１５ａ，１５ｂに分けたとき、図中左側の部分である第１の部分１５ａの上面及び下面の全域に亘って形成されている。このため、第１の部分１５ａのＺ軸方向における厚さＤｚ１は、第２の部分１５ｂのＺ軸方向における厚さＤｚ２よりも、段差部４１，４２の分だけ小さくなっている。なお、第１の部分１５ａの厚さＤｚ１は第１の実施の形態の磁石１５の厚さと同じに、第２の部分１５ｂの厚さＤｚ２は、第１の実施の形態における磁石１５の厚さよりも大きく設定されている。この厚さＤｚ１，Ｄｚ２の違いにより、先の段差部４１，４２が形成される。   In the first embodiment, the distances from the magnet 15 of the first and second magnetic sensors 17 and 18 are made different so that the magnitudes of the magnetic flux densities applied to these magnetic sensors are made different. However, in this example, this is realized by changing the thickness of the magnet 15 in the Z-axis direction. That is, as shown in FIG. 7A, the magnetization direction of the magnet 15 is double-sided, four-pole magnetization as in the first embodiment. 7B, step portions 41 and 42 are formed on the upper surface and the lower surface of the magnet 15, respectively. When the magnet 15 is viewed from the left side (Y-axis direction), these stepped portions 41 and 42 are arranged such that the magnet 15 is formed into the first and second portions 15a and 15b with the central axis extending in the Z-axis direction of the magnet 15 as a boundary. When divided, it is formed over the entire upper and lower surfaces of the first portion 15a, which is the left portion of the drawing. Therefore, the thickness Dz1 in the Z-axis direction of the first portion 15a is smaller than the thickness Dz2 in the Z-axis direction of the second portion 15b by the step portions 41 and 42. Note that the thickness Dz1 of the first portion 15a is the same as the thickness of the magnet 15 of the first embodiment, and the thickness Dz2 of the second portion 15b is greater than the thickness of the magnet 15 of the first embodiment. Is also set larger. Due to the difference between the thicknesses Dz1 and Dz2, the step portions 41 and 42 are formed.

図７（ｂ）に示されるように、基板１６の上面（磁石１５側の側面）には、第１及び第２の磁気センサ１７，１８が設けられている。図７（ａ）に示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、これらをＸ軸方向からみたとき、互いに一致するように設けられている。また、図７（ｃ）に併せて示されるように、第１の磁気センサ１７は第１の部分１５ａに、第２の磁気センサ１８は第２の部分１５ｂに対応している。このため、図７（ｂ）に示されるように、磁石１５（第１の部分１５ａ）と第１の磁気センサ１７とのＺ軸方向における距離Ｇｚ１は、磁石１５（第２の部分１５ｂ）と第２の磁気センサ１８とのＺ軸方向における距離Ｇｚ２よりも大きくなっている。なお、これら距離Ｇｚ１，Ｇｚ２は、磁石１５の下面と感磁面１７ａ，１８ａとの間の距離を示す。   As shown in FIG. 7B, first and second magnetic sensors 17 and 18 are provided on the upper surface (side surface on the magnet 15 side) of the substrate 16. As shown in FIG. 7A, the first and second magnetic sensors 17 and 18 are provided so as to coincide with each other when viewed from the X-axis direction. In addition, as shown in FIG. 7C, the first magnetic sensor 17 corresponds to the first portion 15a, and the second magnetic sensor 18 corresponds to the second portion 15b. Therefore, as shown in FIG. 7B, the distance Gz1 between the magnet 15 (first portion 15a) and the first magnetic sensor 17 in the Z-axis direction is the same as that of the magnet 15 (second portion 15b). The distance from the second magnetic sensor 18 in the Z-axis direction is larger than the distance Gz2. These distances Gz1 and Gz2 indicate the distances between the lower surface of the magnet 15 and the magnetosensitive surfaces 17a and 18a.

シフトレバー２の操作を通じて磁石１５がＹ軸方向へ変位した場合、当該磁石１５の変位量と第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される磁束密度との関係は、第１の実施の形態と同様になる。すなわち、磁石１５のＹ軸方向への変位に伴い、第１及び第２の磁気センサ１７，１８に印加される磁束密度は、先の図４のグラフに示されるように変化する。そして、先の図６の一覧表に示されるように、磁石１５がシフトレバー２の各操作位置に対応して変位したとき、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力論理の組合せはすべて異なるものとなる。すなわち、シフトレバー２の各操作位置と各出力論理との組合せは一対一で対応するので、各出力論理の組合せに基づきシフトレバー２の各操作位置を検出可能となる。   When the magnet 15 is displaced in the Y-axis direction through the operation of the shift lever 2, the relationship between the displacement amount of the magnet 15 and the magnetic flux density applied to the first and second magnetic sensors 17, 18 is the first implementation. It becomes the same as the form. That is, as the magnet 15 is displaced in the Y-axis direction, the magnetic flux density applied to the first and second magnetic sensors 17 and 18 changes as shown in the graph of FIG. As shown in the table of FIG. 6, when the magnet 15 is displaced corresponding to each operation position of the shift lever 2, the combination of the output logics of the first and second magnetic sensors 17 and 18 is Everything will be different. That is, each operation position of the shift lever 2 and each output logic have a one-to-one correspondence, so that each operation position of the shift lever 2 can be detected based on the combination of each output logic.

なお、本例においても、出力電圧Ｖ１，Ｖ２の三値化を第１及び第２の磁気センサ１７，１８で行うようにしてもよい。
また、本例においても、前記第１の実施の形態と同様に、第３及び第４の磁気センサ３１，３２を追加して設けてもよい。この場合、図７（ｂ），（ｃ）に二点鎖線で示されるように、第３の磁気センサ３１は第１の部分１５ａに、第４の磁気センサ３２は第２の部分１５ｂに対応して設けられる。また、第３及び第４の磁気センサ３１，３２は、基板１６の磁石１５側の側面において第１及び第２の磁気センサ１７，１８とともにＸ軸方向に沿って１列をなすように設けられる。 Also in this example, the ternarization of the output voltages V1, V2 may be performed by the first and second magnetic sensors 17, 18.
Also in this example, similarly to the first embodiment, the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 may be additionally provided. In this case, as shown by a two-dot chain line in FIGS. 7B and 7C, the third magnetic sensor 31 corresponds to the first portion 15a, and the fourth magnetic sensor 32 corresponds to the second portion 15b. Provided. The third and fourth magnetic sensors 31 and 32 are provided on the side surface of the substrate 16 on the magnet 15 side so as to form a line along the X-axis direction together with the first and second magnetic sensors 17 and 18. .

磁石１５のＹ軸方向への変位に伴う第３及び第４の磁気センサ３１，３２の印加磁束密度は、先の図４のグラフに示されるように、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の印加磁束密度と同様の傾向で変化する。また、図６の一覧表に示されるように、第３及び第４の磁気センサ３１，３２の出力論理は、第１及び第２の磁気センサ１７，１８の出力論理と同じになる。すなわち、シフトレバー２の各操作位置と各出力論理との組合せは一対一で対応する。このため、第１〜第４の磁気センサ１７，１８，３１，３２の出力論理の組合せに基づき、シフトレバー２の各操作位置を検出可能となる。また、シフトレバー２の各操作位置に対応する出力論理の組合せに重なるものがないので、第１〜第４の磁気センサ１７，１８，３１，３２のうちいずれか一が故障等したときであれ、シフトレバー２の各操作位置の検出が可能になる。   The applied magnetic flux densities of the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 accompanying the displacement of the magnet 15 in the Y-axis direction are the first and second magnetic sensors 17 and 17, as shown in the graph of FIG. 18 changes with the same tendency as the applied magnetic flux density. Further, as shown in the list of FIG. 6, the output logic of the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 is the same as the output logic of the first and second magnetic sensors 17 and 18. That is, the combinations of the operation positions of the shift lever 2 and the output logic correspond one-to-one. Therefore, each operation position of the shift lever 2 can be detected based on the combination of output logics of the first to fourth magnetic sensors 17, 18, 31, 32. In addition, since there is no overlap in the combination of output logic corresponding to each operation position of the shift lever 2, even when any one of the first to fourth magnetic sensors 17, 18, 31, 32 is out of order. The operation positions of the shift lever 2 can be detected.

したがって、本実施の形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）磁石１５の厚さを第１の部分１５ａと第２の部分１５ｂとで異ならせるとともに、これらにＺ軸方向において対向するように第１及び第２の磁気センサ１７，１８を配設することにより、前記第１の実施の形態の（１），（２）と同様の効果を得ることができる。 Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The thickness of the magnet 15 is made different between the first portion 15a and the second portion 15b, and the first and second magnetic sensors 17 and 18 are disposed so as to face each other in the Z-axis direction. As a result, the same effects as in (1) and (2) of the first embodiment can be obtained.

（２）また、第３及び第４の磁気センサ３１，３２を追加して設けた場合には、前記第１の実施の形態の（３）と同様の効果を得ることができる。
（３）また、第１及び第２の磁気センサ１７，１８は、基板１６の磁石１５側の側面にのみ配設される。このため、基板１６と支持部材１１の底壁１２ｃとの間に隙間を省略することも可能になる。 (2) When the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 are additionally provided, the same effect as (3) of the first embodiment can be obtained.
(3) The first and second magnetic sensors 17 and 18 are disposed only on the side surface of the substrate 16 on the magnet 15 side. For this reason, it is possible to omit a gap between the substrate 16 and the bottom wall 12 c of the support member 11.

＜第３の実施の形態＞
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。本実施の形態も、基本的には先の図１及び図２及び図５に示される構成と同様の構成を備えてなる。 <Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. This embodiment also basically has the same configuration as that shown in FIGS. 1, 2, and 5.

図８（ａ），（ｂ）に示すように、スライダ１４（図２を参照。）の底部には、円柱状の磁石５１が固定されている。シフトレバー２のＹ軸方向への操作に伴い、磁石５１もＹ軸方向に沿って変位する。また、同図に示されるように、磁石５１は、Ｚ軸方向に着磁されてなる。   As shown in FIGS. 8A and 8B, a columnar magnet 51 is fixed to the bottom of the slider 14 (see FIG. 2). As the shift lever 2 is operated in the Y-axis direction, the magnet 51 is also displaced along the Y-axis direction. Further, as shown in the figure, the magnet 51 is magnetized in the Z-axis direction.

磁石５１に対向する基板１６の表裏両面には、２つを１組とする２組の磁気センサ５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂが設けられている。これら磁気センサ５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂは、磁気抵抗効果素子（ＭＲＥ）を利用した磁気抵抗効果センサである。この磁気抵抗効果素子は、印加される磁気ベクトル（磁界の方向）に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果を有する。より具体的には、各磁気センサ５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂは、２つの磁気抵抗効果素子が直列に接続されたいわゆるハーフブリッジ回路等が１チップに集積化されたものである。なお、４つの磁気抵抗効果素子がブリッジ状に接続された、いわゆるフルブリッジ回路を備えてなる磁気抵抗効果センサを採用することも可能である。   Two sets of magnetic sensors 52 a, 52 b, 53 a, and 53 b are provided on both the front and back surfaces of the substrate 16 facing the magnet 51. These magnetic sensors 52a, 52b, 53a, 53b are magnetoresistive sensors using magnetoresistive elements (MRE). This magnetoresistive element has a magnetoresistive effect in which the resistance value changes according to the applied magnetic vector (direction of the magnetic field). More specifically, each of the magnetic sensors 52a, 52b, 53a, and 53b is obtained by integrating a so-called half-bridge circuit or the like in which two magnetoresistive elements are connected in series on one chip. It is also possible to employ a magnetoresistive effect sensor including a so-called full bridge circuit in which four magnetoresistive elements are connected in a bridge shape.

図８（ａ），（ｂ）に示されるように、２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂは基板１６の磁石５１側の側面に、また図８（ｂ），（ｃ）に示されるように、残りの２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂは基板１６の磁石５１と反対側の側面に設けられている。   As shown in FIGS. 8A and 8B, the two magnetic sensors 52a and 52b are left on the side surface of the substrate 16 on the magnet 51 side, and as shown in FIGS. 8B and 8C. These two magnetic sensors 53 a and 53 b are provided on the side surface of the substrate 16 opposite to the magnet 51.

図９に示されるように、２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂは、磁石５１に対して以下の（ｃ１）〜（ｃ３）に示す配置関係を有している。
（ｃ１）２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂは、磁石５１をＺ軸方向から見たとき、そのＺ軸方向へ伸びる中心軸ＯからＸ軸方向に距離Ｄｘ１だけずれた位置に配設されている。 As shown in FIG. 9, the two magnetic sensors 52 a and 52 b have the positional relationship shown in the following (c1) to (c3) with respect to the magnet 51.
(C1) The two magnetic sensors 52a and 52b are disposed at positions shifted from the central axis O extending in the Z-axis direction by a distance Dx1 in the X-axis direction when the magnet 51 is viewed from the Z-axis direction.

（ｃ２）２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂは、Ｙ軸方向に沿って並設されている。なお、これら磁気センサ５２ａ，５２ｂの間の距離は、シフトレバー２がシフトゲート３に沿ってＹ軸方向へ操作された際（Ｐ〜Ｂ間）の磁石５１の中心軸Ｏの移動距離Ｓ１と同等の長さに設定されている。   (C2) The two magnetic sensors 52a and 52b are juxtaposed along the Y-axis direction. The distance between the magnetic sensors 52a and 52b is the distance S1 of the central axis O of the magnet 51 when the shift lever 2 is operated in the Y-axis direction along the shift gate 3 (between P and B). It is set to the equivalent length.

（ｃ３）２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂは、磁石５１が図中の基準位置Ｐｎに位置している状態において、その中心軸Ｏを通ってＸ軸に平行をなす軸線Ｘ１を基準に線対称となるように設けられている。   (C3) The two magnetic sensors 52a and 52b are symmetrical with respect to an axis X1 that passes through the central axis O and is parallel to the X axis when the magnet 51 is positioned at the reference position Pn in the drawing. It is provided to become.

また、図９に二点鎖線で示されるように、２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂは、磁石５１に対して以下の（ｄ１）〜（ｄ３）に示す配置関係を有している。
（ｄ１）２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂは、磁石５１をＺ軸方向から見たとき、そのＺ軸方向へ伸びる中心軸ＯからＸ軸方向に、かつ磁気センサ５２ａ，５２ｂと反対側に距離Ｄｘ２だけずれた位置に配設されている。ただし、Ｄｘ２＜Ｄｘ１の関係を有する。 In addition, as shown by a two-dot chain line in FIG. 9, the two magnetic sensors 53 a and 53 b have the positional relationship shown in the following (d1) to (d3) with respect to the magnet 51.
(D1) When the magnet 51 is viewed from the Z-axis direction, the two magnetic sensors 53a and 53b have a distance Dx2 from the central axis O extending in the Z-axis direction to the X-axis direction and opposite to the magnetic sensors 52a and 52b. It is arranged at a position shifted by only. However, it has a relationship of Dx2 <Dx1.

（ｄ２）２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂは、Ｙ軸方向に沿って並設されている。なお、これら磁気センサ５３ａ，５３ｂの間の距離は、シフトレバー２がシフトゲート３に沿ってＹ軸方向へ操作された際（Ｒ，Ｎ，Ｄ間）の磁石５１の中心軸Ｏの移動距離Ｓ２と同等の長さに設定されている。すなわち、Ｓ２＜Ｓ１の関係を有する。   (D2) The two magnetic sensors 53a and 53b are juxtaposed along the Y-axis direction. The distance between the magnetic sensors 53a and 53b is the distance traveled by the central axis O of the magnet 51 when the shift lever 2 is operated in the Y-axis direction along the shift gate 3 (between R, N, and D). The length is set to be equal to S2. That is, there is a relationship of S2 <S1.

（ｄ３）２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂは、磁石５１が図中の基準位置Ｐｎに位置している状態において、その中心軸Ｏを通ってＸ軸に平行をなす軸線Ｘ１を基準に線対称となるように設けられている。   (D3) The two magnetic sensors 53a and 53b are symmetrical with respect to an axis line X1 passing through the central axis O and parallel to the X axis when the magnet 51 is positioned at the reference position Pn in the drawing. It is provided to become.

そして、このシフト位置検出装置では、図９に示されるように、シフトレバー２のシフト位置の変化に伴って磁石５１（正確には、その中心軸Ｏ）がＹ軸に平行をなす軸線Ｙ１上を移動すると、各磁気センサ５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂに印加される磁界が変化することにより、これら磁気センサの出力電圧（センサ出力）が変化する。   In this shift position detecting device, as shown in FIG. 9, the magnet 51 (more precisely, its central axis O) is on the axis Y1 parallel to the Y axis as the shift position of the shift lever 2 changes. Is moved, the magnetic field applied to each of the magnetic sensors 52a, 52b, 53a, 53b changes, so that the output voltage (sensor output) of these magnetic sensors changes.

図１０に示すように、このシフト位置検出装置では、２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂの出力電圧Ｖ１，Ｖ２が、信号処理回路としての差動増幅回路６１に入力されてそれらの差分値（＝Ｖ１−Ｖ２）が演算された後、当該差分値が第１の検出信号Ｓｃ１として、制御装置２１に取り込まれる。また、２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂの出力電圧Ｖ３，Ｖ４が、信号処理回路としての差動増幅回路６２に入力されてそれらの差分値（＝Ｖ３−Ｖ４）が演算された後、当該差分値が第２の検出信号Ｓｃ２として、制御装置２１に取り込まれる。   As shown in FIG. 10, in this shift position detecting device, output voltages V1 and V2 of two magnetic sensors 52a and 52b are input to a differential amplifier circuit 61 as a signal processing circuit, and a difference value (= V1) between them. After -V2) is calculated, the difference value is taken into the control device 21 as the first detection signal Sc1. Further, after the output voltages V3 and V4 of the two magnetic sensors 53a and 53b are input to the differential amplifier circuit 62 as a signal processing circuit and their difference value (= V3−V4) is calculated, the difference value is calculated. Is taken into the control device 21 as the second detection signal Sc2.

制御装置２１では、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２に対してそれぞれ第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２が設定され、これら第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２と第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２との比較に基づきシフトレバー２のシフト位置を検出する。制御装置２１は、検出されたシフト位置に応じて変速機２２に指令信号を出力し、変速機２２の接続状態の切り替えを行わせる。   In the control device 21, first and second threshold values Vh1 and Vh2 are set for the first and second detection signals Sc1 and Sc2, respectively, and the first and second threshold values Vh1 and Vh2 and the first and second threshold values Vh1 and Vh2, respectively. The shift position of the shift lever 2 is detected based on the comparison with the two detection signals Sc1 and Sc2. The control device 21 outputs a command signal to the transmission 22 according to the detected shift position, and causes the connection state of the transmission 22 to be switched.

＜磁気センサの出力電圧の変化＞
次に、磁石１５の変位、並びに２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂの出力電圧Ｖ１，Ｖ２及び第１の検出信号Ｓｃ１の関係を図１１のグラフを参照しつつ説明する。当該グラフでは、横軸に磁石５１の基準位置Ｐｎからの変位量が、縦軸に磁気センサ５２ａ，５２ｂの出力電圧Ｖ１，Ｖ２及び第１の検出信号Ｓｃ１がプロットされている。また当該グラフでは、磁石５１の変位量を、基準位置ＰｎからＰポジションに対応する位置へ向かう側を正、Ｂポジションに対応する位置へ向かう側を負として表している。 <Change in output voltage of magnetic sensor>
Next, the displacement of the magnet 15 and the relationship between the output voltages V1 and V2 of the two magnetic sensors 52a and 52b and the first detection signal Sc1 will be described with reference to the graph of FIG. In the graph, the amount of displacement of the magnet 51 from the reference position Pn is plotted on the horizontal axis, and the output voltages V1 and V2 of the magnetic sensors 52a and 52b and the first detection signal Sc1 are plotted on the vertical axis. In the graph, the amount of displacement of the magnet 51 is expressed as positive on the side toward the position corresponding to the P position from the reference position Pn and negative on the side toward the position corresponding to the B position.

当該グラフに示されるように、磁石５１が、Ｐポジションに対応する位置Ｐｐ、Ｒポジションに対応する位置Ｐｒ、Ｎポジションに対応する位置（基準位置Ｐｎ）、Ｄポジションに対応する位置Ｐｄ、及びＢポジションに対応する位置Ｐｂの順で移動したとすると、２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂの出力電圧Ｖ１，Ｖ２は、図中に一点鎖線及び二点鎖線でそれぞれ示されるように、互いに半周期だけ位相がずれる態様にて正弦波状に変化する。ちなみに、本例では、このように出力電圧Ｖ１，Ｖ２の位相が半周期だけずれるように２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂ（正確には、磁気抵抗素子）の向き等が調整されている。また、このように変化する出力電圧Ｖ１，Ｖ２に対して、第１の検出信号Ｓｃ１は、磁石５１が各シフト位置に変位する範囲（すなわち、移動距離Ｓ１内）で直線的に変化する値となる。   As shown in the graph, the magnet 51 has a position Pp corresponding to the P position, a position Pr corresponding to the R position, a position corresponding to the N position (reference position Pn), a position Pd corresponding to the D position, and B Assuming that the position has moved in the order of the position Pb corresponding to the position, the output voltages V1 and V2 of the two magnetic sensors 52a and 52b are in phase with each other by a half cycle, as indicated by the one-dot chain line and two-dot chain line in the figure It changes in a sine wave shape in a manner of shifting. Incidentally, in this example, the orientations and the like of the two magnetic sensors 52a and 52b (more precisely, magnetoresistive elements) are adjusted so that the phases of the output voltages V1 and V2 are shifted by a half cycle. Further, with respect to the output voltages V1 and V2 that change in this way, the first detection signal Sc1 has a value that linearly changes in a range in which the magnet 51 is displaced to each shift position (that is, within the movement distance S1). Become.

他の２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂの出力電圧Ｖ３、Ｖ４及び第２の検出信号Ｓｃ２の関係も先の図１１のグラフに示される関係に準じたものになる。ただし、これら出力電圧Ｖ３，Ｖ４に対して、第２の検出信号Ｓｃ２は、図１２のグラフに示されるように、磁石５１がＲポジションに対応する位置ＰｒからＤポジションに対応する位置Ｐｄまでの間を変位する範囲（すなわち、移動距離Ｓ２内）で直線的に変化する値となる。また、当該範囲において、磁石５１の変位量当たりの第２の検出信号Ｓｃ２の電圧レベルは、磁石５１の変位量当たりの第１の検出信号Ｓｃ１の電圧レベルよりも大きくなる。すなわち、磁石５１の変位に伴う第２の検出信号Ｓｃ２の変化を示す直線の傾きは、第１の検出信号Ｓｃ１の変化を示す直線の傾きよりも大きくなる。これは、前述した２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂの磁石５１に対する位置関係と、２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂの磁石５１に対する位置関係とが異なることによる。   The relationship between the output voltages V3 and V4 of the other two magnetic sensors 53a and 53b and the second detection signal Sc2 also conforms to the relationship shown in the graph of FIG. However, with respect to these output voltages V3 and V4, as shown in the graph of FIG. 12, the second detection signal Sc2 is obtained when the magnet 51 moves from the position Pr corresponding to the R position to the position Pd corresponding to the D position. The value changes linearly within a range in which the gap is displaced (that is, within the movement distance S2). Further, in this range, the voltage level of the second detection signal Sc2 per displacement amount of the magnet 51 is higher than the voltage level of the first detection signal Sc1 per displacement amount of the magnet 51. That is, the slope of the straight line indicating the change in the second detection signal Sc2 due to the displacement of the magnet 51 is larger than the slope of the straight line indicating the change in the first detection signal Sc1. This is because the positional relationship between the two magnetic sensors 52a and 52b with respect to the magnet 51 and the positional relationship with respect to the magnet 51 of the two magnetic sensors 53a and 53b are different.

詳述すると、２組の磁気センサの配置関係の違いにより、２組の磁気センサ５２ａ，５２ｂ及び磁気センサ５３ａ，５３ｂに印加される磁界方向の変化の度合いが異なるものになる。このため、２組の出力電圧Ｖ１，Ｖ２及び出力電圧Ｖ３，Ｖ４の変化の態様も印加磁界方向の変化の度合いに応じて各組で異なる。したがって、２組の出力電圧Ｖ１，Ｖ２及び出力電圧Ｖ３，Ｖ４の差分値、すなわち第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２の変化の度合いは異なるものとなる。本例では、この磁石５１の変位に伴う第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２の変化を利用して磁石５１の位置、すなわちシフトレバー２の操作位置を検出する。   More specifically, the degree of change in the direction of the magnetic field applied to the two sets of magnetic sensors 52a and 52b and the magnetic sensors 53a and 53b varies depending on the difference in the arrangement relationship between the two sets of magnetic sensors. For this reason, the mode of change of the two sets of output voltages V1 and V2 and the output voltages V3 and V4 also differs depending on the degree of change in the applied magnetic field direction. Therefore, the difference between the two sets of output voltages V1 and V2 and the output voltages V3 and V4, that is, the degree of change in the first and second detection signals Sc1 and Sc2 are different. In this example, the position of the magnet 51, that is, the operation position of the shift lever 2 is detected using changes in the first and second detection signals Sc <b> 1 and Sc <b> 2 accompanying the displacement of the magnet 51.

＜シフト位置の検出方法＞
次に、シフト位置検出装置によるシフトレバー２の操作位置の検出方法について説明する。 <Detection method of shift position>
Next, a method for detecting the operation position of the shift lever 2 by the shift position detection device will be described.

図１２のグラフに示されるように、シフト位置検出装置では、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２に対して第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２が設定されている。第２の閾値Ｖｈ２は、第１の閾値Ｖｈ１より大きな値とである。そして制御装置２１は、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２と第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２との比較を通じて、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２をそれぞれ三値化する。当該三値化は、前記第１の実施の形態における（ｂ１），（ｂ２），（ｂ３）と同様の判定処理に基づき行われる。そして、シフトレバー２の各操作位置（Ｐ、Ｒ、Ｎ、Ｄ、Ｂ）と三値（Ｈ，Ｍ，Ｌ）の組合せは、先の図６の一覧表に示されるものに準じたものとなる。すなわち、シフトレバー２がＰポジションに操作された場合には「Ｌ，Ｌ」、Ｒポジションに操作された場合には「Ｍ，Ｌ」、Ｎポジションに操作された場合には「Ｍ，Ｍ」、Ｄポジションに操作された場合には「Ｍ，Ｈ」、Ｂポジションに操作された場合には「Ｈ，Ｈ」となる。なお、先の図６の一覧表において、第１の磁気センサ１７の出力には第２の検出信号Ｓｃ２が、第２の磁気センサ１８の出力には第１の検出信号Ｓｃ１が対応する。このように、シフトレバー２の各操作位置と各出力論理との組合せは一対一で対応する。このため、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２に基づき生成される三値（Ｈ，Ｍ，Ｌ）の組合せに基づき、シフトレバー２の各操作位置を検出可能となる。   As shown in the graph of FIG. 12, in the shift position detection device, first and second threshold values Vh1 and Vh2 are set for the first and second detection signals Sc1 and Sc2. The second threshold value Vh2 is a value larger than the first threshold value Vh1. Then, the control device 21 trinizes the first and second detection signals Sc1 and Sc2 through comparison between the first and second detection signals Sc1 and Sc2 and the first and second threshold values Vh1 and Vh2. . The ternarization is performed based on the same determination process as (b1), (b2), and (b3) in the first embodiment. And the combination of each operation position (P, R, N, D, B) and ternary value (H, M, L) of the shift lever 2 conforms to that shown in the list of FIG. Become. That is, “L, L” when the shift lever 2 is operated to the P position, “M, L” when the shift lever 2 is operated to the R position, and “M, M” when the shift lever 2 is operated to the N position. , “M, H” when operated to the D position, and “H, H” when operated to the B position. In the table of FIG. 6, the second detection signal Sc2 corresponds to the output of the first magnetic sensor 17, and the first detection signal Sc1 corresponds to the output of the second magnetic sensor 18. Thus, the combinations of the operation positions of the shift lever 2 and the output logics correspond one-to-one. Therefore, each operation position of the shift lever 2 can be detected based on the combination of the three values (H, M, L) generated based on the first and second detection signals Sc1, Sc2.

なお、本例では、前述した三値化を行うことなく、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２と第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２との比較に基づきシフトレバー２の操作位置を検出することも可能である。すなわち、制御装置２１は、次のようにしてシフトレバー２の各操作位置の判定処理を行う。   In this example, the operation position of the shift lever 2 is determined based on the comparison between the first and second detection signals Sc1 and Sc2 and the first and second threshold values Vh1 and Vh2, without performing the above-described ternarization. It is also possible to detect. That is, the control device 21 performs determination processing of each operation position of the shift lever 2 as follows.

（ｅ１）図１３（ａ）のグラフに示されるように、第１の検出信号Ｓｃ１の電圧レベルが第１の閾値Ｖｈ１未満であるとき、シフトレバー２はＰポジションである旨判定する。
（ｅ２）同じく第１の検出信号Ｓｃ１の電圧レベルが第２の閾値Ｖｈ２以上であるとき、シフトレバー２はＢポジションである旨判定する。 (E1) As shown in the graph of FIG. 13A, when the voltage level of the first detection signal Sc1 is less than the first threshold value Vh1, it is determined that the shift lever 2 is in the P position.
(E2) Similarly, when the voltage level of the first detection signal Sc1 is equal to or higher than the second threshold value Vh2, it is determined that the shift lever 2 is in the B position.

（ｅ３）図１３（ｂ）のグラフに示されるように、第２の検出信号Ｓｃ２の電圧レベルが第１の閾値Ｖｈ１未満であるとき、シフトレバー２はＲポジションである旨判定する。
（ｅ４）同じく第２の検出信号Ｓｃ２の電圧レベルが第１の閾値Ｖｈ１以上、かつ第２の閾値Ｖｈ２未満であるとき、シフトレバー２はＮポジションである旨判定する。 (E3) As shown in the graph of FIG. 13B, when the voltage level of the second detection signal Sc2 is less than the first threshold value Vh1, it is determined that the shift lever 2 is in the R position.
(E4) Similarly, when the voltage level of the second detection signal Sc2 is equal to or higher than the first threshold value Vh1 and lower than the second threshold value Vh2, it is determined that the shift lever 2 is in the N position.

（ｅ５）同じく第２の検出信号Ｓｃ２の電圧レベルが第２の閾値Ｖｈ２以上であるとき、シフトレバー２はＤポジションである旨判定する。
このようにしても、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２に対して設定される閾値の数を２つにすることができるため、従来のように、センサ出力（検出信号）に対して４つの閾値を設定して５つのシフト位置を検出する場合と比較すると、閾値の間隔を広げることができる。 (E5) Similarly, when the voltage level of the second detection signal Sc2 is equal to or higher than the second threshold value Vh2, it is determined that the shift lever 2 is in the D position.
Even in this case, the number of thresholds set for the first and second detection signals Sc1 and Sc2 can be made two, so that the sensor output (detection signal) can be detected as in the conventional case. Compared with the case where four threshold values are set and five shift positions are detected, the threshold interval can be increased.

また、図８（ａ），（ｂ）に二点鎖線で示されるように、基板１６の磁石５１側の側面に２つの磁気センサ７１ａ，７１ｂを、磁石５１と反対側の側面に２つの磁気センサ７２ａ，７２ｂを追加して設けてもよい。これら磁気センサ７１ａ，７１ｂ及び磁気センサ７２ａ，７２ｂもＭＲセンサが採用される。２つの磁気センサ７１ａ，７１ｂは、先の磁気センサ５２ａ，５２ｂに対して次のような配置関係を有する。すなわち、図８（ａ）に示されるように、磁石５１のＹ軸方向へ延びる中心軸を中心としてＸ軸方向において線対称となるように設けられる。また、２つの磁気センサ７２ａ，７２ｂは、先の磁気センサ５３ａ，５３ｂに対して次のような配置関係を有する。すなわち、図８（ｃ）に示されるように、磁石５１のＹ軸方向へ延びる中心軸を中心としてＸ軸方向において線対称となるように設けられる。   8A and 8B, two magnetic sensors 71a and 71b are provided on the side surface of the substrate 16 on the magnet 51 side, and two magnetic sensors are provided on the side surface opposite to the magnet 51. Sensors 72a and 72b may be additionally provided. These magnetic sensors 71a and 71b and magnetic sensors 72a and 72b are also MR sensors. The two magnetic sensors 71a and 71b have the following positional relationship with respect to the previous magnetic sensors 52a and 52b. That is, as shown in FIG. 8A, the magnet 51 is provided so as to be line-symmetric in the X-axis direction with the central axis extending in the Y-axis direction as the center. The two magnetic sensors 72a and 72b have the following arrangement relationship with respect to the previous magnetic sensors 53a and 53b. That is, as shown in FIG. 8C, the magnet 51 is provided so as to be line-symmetric in the X-axis direction around the central axis extending in the Y-axis direction.

そして、基準位置Ｐｎを基準とする磁石１５の変位量と２つの磁気センサ７１ａ，７１ｂの出力電圧の差分値である検出信号（第３の検出信号）との関係が、先の図１２のグラフに示される第１の検出信号Ｓｃ１と同様の関係になるように、２つの磁気センサ７１ａ，７１ｂ（正確には、磁気抵抗素子）の向き等が調節されている。また、基準位置Ｐｎを基準とする磁石１５の変位量と２つの磁気センサ７２ａ，７２ｂの出力電圧の差分値である検出信号（第４の検出信号）との関係が、先の図１２のグラフに示される第２の検出信号Ｓｃ２と同様の関係になるように、２つの磁気センサ７２ａ，７２ｂ（正確には、磁気抵抗素子）の向き等が調節されている。   The relationship between the displacement amount of the magnet 15 with respect to the reference position Pn and the detection signal (third detection signal) that is the difference between the output voltages of the two magnetic sensors 71a and 71b is the graph of FIG. The directions of the two magnetic sensors 71a and 71b (more precisely, the magnetoresistive elements) are adjusted so as to have the same relationship as the first detection signal Sc1 shown in FIG. Further, the relationship between the displacement amount of the magnet 15 with respect to the reference position Pn and the detection signal (fourth detection signal) which is the difference value between the output voltages of the two magnetic sensors 72a and 72b is the graph of FIG. The directions of the two magnetic sensors 72a and 72b (more precisely, the magnetoresistive elements) are adjusted so as to have the same relationship as the second detection signal Sc2 shown in FIG.

このため、図６の一覧表の右側の２列の欄に示されるように、２つの磁気センサ７１ａ，７１ｂの検出信号（第３の検出信号）の出力論理、及び２つの磁気センサ７２ａ，７２ｂの検出信号（第４の検出信号）の出力論理は、第１の実施の形態における第３及び第４の磁気センサ３１，３２の出力論理と同じになる。すなわち、シフトレバー２が各操作位置に操作されたときの第１〜第４の検出信号の出力論理の組合せはすべて異なるものとなる。したがって、シフトレバー２の各操作位置と各出力論理との組合せは一対一で対応するので、これら出力論理の組合せに基づき、シフトレバー２の各操作位置を検出可能となる。また、この場合には、シフトレバー２の各操作位置に対応する出力論理の組合せに重なるものがないので、各磁気センサ７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂのいずれか一、あるいは互いに対をなす２つの磁気センサが故障等したときであれ、シフトレバー２の各操作位置の検出が可能になる。   Therefore, as shown in the two columns on the right side of the list of FIG. 6, the output logic of the detection signals (third detection signals) of the two magnetic sensors 71a and 71b and the two magnetic sensors 72a and 72b. The output logic of this detection signal (fourth detection signal) is the same as the output logic of the third and fourth magnetic sensors 31 and 32 in the first embodiment. That is, all combinations of output logic of the first to fourth detection signals when the shift lever 2 is operated to each operation position are different. Accordingly, since the combinations of the operation positions of the shift lever 2 and the output logics correspond one-to-one, the operation positions of the shift lever 2 can be detected based on the combinations of the output logics. Further, in this case, since there is no overlap in the combination of output logics corresponding to each operation position of the shift lever 2, any one of the magnetic sensors 71a, 71b, 72a, 72b, or two that make a pair with each other Even when the magnetic sensor is out of order, each operation position of the shift lever 2 can be detected.

＜実施の形態の効果＞
したがって、本実施の形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）特定の位置にある磁石５１に対する２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂ及び２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂの配置を異ならせることにより、傾き（勾配）の異なる第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２を生成するようにした。そして、これら第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２と第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２との比較を通じて、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２を三値化するようにした。各シフト位置に対応する出力論理の組合せはすべて異なるため、これら出力論理の組合せに基づき５つのシフト位置の検出が可能となる。すなわち、前記第１の実施の形態の（１）と同様の効果を得ることができる。 <Effect of Embodiment>
Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) By making the arrangement of the two magnetic sensors 52a and 52b and the two magnetic sensors 53a and 53b with respect to the magnet 51 at a specific position different, the first and second detection signals Sc1 and Sc1 having different inclinations (gradients) Sc2 was generated. Then, the first and second detection signals Sc1, Sc2 are ternarized through comparison between the first and second detection signals Sc1, Sc2 and the first and second threshold values Vh1, Vh2. Since all combinations of output logic corresponding to each shift position are different, it is possible to detect five shift positions based on the combination of these output logics. That is, the same effect as (1) of the first embodiment can be obtained.

（２）第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２を三値化することなく、これら第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２と第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２との比較を通じて、シフト位置を判定するようにすることも可能である。この場合、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２の傾きが異なるので、これらに対してそれぞれ同一の閾値を設定したときであれ、異なる比較結果を得ることができる。本例では、第１及び第２の検出信号Ｓｃ１，Ｓｃ２に対して同一の第１及び第２の閾値Ｖｈ１，Ｖｈ２を設定することにより、最大で６つの位置を検出可能になる。   (2) Without comparing the first and second detection signals Sc1 and Sc2 with the first and second threshold values Vh1 and Vh2 without ternarizing the first and second detection signals Sc1 and Sc2. It is also possible to determine the shift position. In this case, since the slopes of the first and second detection signals Sc1 and Sc2 are different, different comparison results can be obtained even when the same threshold is set for each of them. In this example, by setting the same first and second threshold values Vh1 and Vh2 for the first and second detection signals Sc1 and Sc2, six positions at the maximum can be detected.

（３）２つの磁気センサ７１ａ，７１ｂ及び２つの磁気センサ７２ａ，７２ｂを追加して設けた場合には、位置検出装置の検出信頼性を向上させることができる。１つあるいは対をなす２つの磁気センサが故障等しても、シフトレバー２の操作位置の検出が可能になるからである。   (3) When the two magnetic sensors 71a and 71b and the two magnetic sensors 72a and 72b are additionally provided, the detection reliability of the position detection device can be improved. This is because the operation position of the shift lever 2 can be detected even if one or two paired magnetic sensors break down.

＜他の実施の形態＞
なお、前記各実施の形態は、次のように変更して実施してもよい。
・第３の実施の形態では、シフトパターンがストレート（直線状）に設定されるシフト装置について適用したが、例えばＨタイプのものに適用することも可能である。この場合、シフトパネル４には、Ｙ軸方向へ沿って延びる第１及び第２のシフトゲート及びこれらの間を連通してＸ軸方向へ延びる第３のシフトゲートが形成される。そして、第１のシフトゲートと第２のシフトゲートとの間の操作の切り替えを検出するスイッチ（接点又はセンサ）を設ける。このスイッチを通じてシフトレバー２が第１及び第２のシフトゲートのいずれに切り替えられているのかを検出可能になる。したがって、同一の磁気センサ５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂを使用して、第１及び第２のシフトゲートに設定される各操作位置を検出することが可能になる。第１及び第２のシフトゲートにそれぞれ設定されるシフト位置が５つまでであれば、前記第３の実施の形態と同等の精度で各シフト位置を検出することができる。 <Other embodiments>
Each of the above embodiments may be modified as follows.
In the third embodiment, the shift device in which the shift pattern is set to be straight (linear) is applied. However, for example, the shift device can be applied to an H type device. In this case, the shift panel 4 is formed with first and second shift gates extending along the Y-axis direction, and a third shift gate that communicates between them and extends in the X-axis direction. Then, a switch (contact or sensor) that detects switching of operation between the first shift gate and the second shift gate is provided. Through this switch, it is possible to detect whether the shift lever 2 is switched to the first or second shift gate. Therefore, it is possible to detect each operation position set in the first and second shift gates using the same magnetic sensor 52a, 52b, 53a, 53b. If there are up to five shift positions set for each of the first and second shift gates, each shift position can be detected with the same accuracy as in the third embodiment.

・第３の実施の形態において、２つの差動増幅回路６１，６２は、磁気センサ５２ａ，５２ｂ及び磁気センサ５３ａ，５３ｂと一体的に設けてもよい。すなわち、２つの磁気センサ５２ａ，５２ｂ及び差動増幅回路６１、並びに２つの磁気センサ５３ａ，５３ｂ及び差動増幅回路６２は、それぞれ単一のＩＣチップとして集積化する。また、２つの差動増幅回路６１，６２は、制御装置２１と一体的に設けるようにしてもよい。   In the third embodiment, the two differential amplifier circuits 61 and 62 may be provided integrally with the magnetic sensors 52a and 52b and the magnetic sensors 53a and 53b. That is, the two magnetic sensors 52a and 52b and the differential amplifier circuit 61, and the two magnetic sensors 53a and 53b and the differential amplifier circuit 62 are each integrated as a single IC chip. The two differential amplifier circuits 61 and 62 may be provided integrally with the control device 21.

・第１〜第３の実施の形態では、シフトレバー２の操作位置が各シフト位置に保持される保持型（ステーショナリタイプ）のシフト装置を例に挙げたが、当該操作位置が特定の基準位置に自動復帰する復帰型（モーメンタリタイプ）のシフト装置へ本発明を適用してもよい。この復帰型のシフト装置では、運転者によりシフトレバー２が各シフト位置に操作された後、当該シフトレバー２の把持が解除されたとき、当該シフトレバー２は特定の基準位置に自動復帰する。しかし、前述した各シフト位置に対応するシフトレンジはそのまま維持される。   In the first to third embodiments, the holding type (stationary type) shift device in which the operation position of the shift lever 2 is held at each shift position is taken as an example, but the operation position is a specific reference position. The present invention may be applied to a return type (momentary type) shift device that automatically returns to the initial position. In this return type shift device, after the shift lever 2 is operated to each shift position by the driver, when the grip of the shift lever 2 is released, the shift lever 2 automatically returns to a specific reference position. However, the shift range corresponding to each shift position described above is maintained as it is.

・第１〜第３の実施の形態では、シフトレバー２のシフト位置を５つとしたが、例えばＲポジション、Ｎポジション及びＤポジションの３つとしてもよい。この場合、Ｐポジションに対応する変速機２２のシフトレンジの切り替えは、運転席の近傍に設けられるパーキングボタンの操作を通じて行う。   In the first to third embodiments, five shift positions of the shift lever 2 are used. However, for example, three positions of an R position, an N position, and a D position may be used. In this case, the shift range of the transmission 22 corresponding to the P position is switched through an operation of a parking button provided near the driver's seat.

＜他の技術的思想＞
次に、前記実施の形態から把握できる技術的思想を以下に追記する。
（イ）特定方向へ直線状に延びるシフトパターンに沿って設定された５つのシフト位置に操作されるシフトレバーと、前記シフトレバーの前記特定方向への変位に対して異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を生成する検出部と、を備え、前記２つの電圧信号の一方を前記５つのシフト位置のうちの２つ又は３つに、他方を前記５つのシフト位置のうち残りの３つ又は２つに割り当て、前記２つの電圧信号並びにこれらに対して設定される２つの閾値の比較を通じて前記シフトレバーが５つのシフト位置のいずれに位置しているかを検出するシフト位置検出装置。 <Other technical ideas>
Next, the technical idea that can be grasped from the above embodiment will be added below.
(B) A shift lever operated at five shift positions set along a shift pattern extending linearly in a specific direction, and linearly changing with a different inclination with respect to the displacement of the shift lever in the specific direction. A detection unit that generates two voltage signals, wherein one of the two voltage signals is set to two or three of the five shift positions, and the other is set to the remaining three of the five shift positions. A shift position detection device that detects whether the shift lever is located in one of five shift positions through comparison between the two voltage signals and two threshold values set for the two voltage signals.

この構成によれば、一方の電圧信号と２つの閾値との比較を通じて、シフトレバーが当該一方の電圧信号に割り当てられた２つ又は３つのシフト位置のいずれに位置するかを、他方の電圧信号と２つの閾値との比較を通じて、当該他方の電圧信号に割り当てられた残りの３つ又は２つのシフト装置のいずれに位置するかを検出可能になる。２つの電圧信号に対して、同じ２つの閾値を使用して異なる５つのシフト位置を検出することが可能になる。   According to this configuration, through comparison between one voltage signal and two threshold values, it is determined whether the shift lever is positioned at the two or three shift positions assigned to the one voltage signal. And the two threshold values can be used to detect which of the remaining three or two shift devices assigned to the other voltage signal is located. For two voltage signals, it is possible to detect five different shift positions using the same two thresholds.

２…シフトレバー、１５，５１…磁石、１５ａ…磁石の第１の部分、１５ｂ…磁石の第２の部分、１６…基板、１７…第１の磁気センサ（磁界検出器）、１８…第２の磁気センサ（磁界検出器）、１７ｂ，１８ｂ…信号処理回路、４１，４２…段差部、５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ…磁気センサ（磁界検出器）、６１，６２…差動増幅回路（信号処理回路）。   2 ... shift lever, 15, 51 ... magnet, 15a ... first part of magnet, 15b ... second part of magnet, 16 ... substrate, 17 ... first magnetic sensor (magnetic field detector), 18 ... second Magnetic sensor (magnetic field detector), 17b, 18b ... signal processing circuit, 41, 42 ... stepped portion, 52a, 52b, 53a, 53b ... magnetic sensor (magnetic field detector), 61, 62 ... differential amplifier circuit (signal) Processing circuit).

Claims (6)

特定方向へ直線状に延びるシフトパターンに沿って設定された５つのシフト位置に操作されるシフトレバーと、当該シフトレバーの前記特定方向への変位に伴い異なる傾きをもって直線的に変化する２つの電圧信号を生成する検出部と、を備え、
前記２つの電圧信号並びにこれらに対して共通して設定される２つの閾値の比較を通じて前記２つの電圧信号をそれぞれ三値化し、その三値の組合せに基づき前記シフトレバーが５つのシフト位置のいずれに位置しているかを検出するシフト位置検出装置。 A shift lever operated at five shift positions set along a shift pattern extending linearly in a specific direction, and two voltages that change linearly with different inclinations as the shift lever is displaced in the specific direction. A detection unit for generating a signal,
The two voltage signals are ternarized through a comparison of the two voltage signals and two threshold values set in common to the two voltage signals, and the shift lever is moved to any of the five shift positions based on the combination of the ternary values. A shift position detecting device for detecting whether or not it is located at a position. 請求項１に記載のシフト位置検出装置において、
前記検出部は、前記シフトレバーの特定方向に沿った方向への操作に伴い変位する磁石と、当該磁石の変位に伴う当該磁石から発せられる磁界の変化を検出する２つの磁界検出器と、これら磁界検出器の検出信号をそれぞれ所要に処理することで前記シフトレバーの特定方向への変位に対して直線的に変化する電圧信号を生成する２つの信号処理回路と、を備え、
前記２つの磁界検出器は、前記磁石の変位量当たりの印加磁界の変化の度合いが互いに異なるように配設されてなるシフト位置検出装置。 The shift position detecting device according to claim 1,
The detection unit includes a magnet that is displaced by an operation of the shift lever in a direction along a specific direction, two magnetic field detectors that detect a change in a magnetic field emitted from the magnet due to the displacement of the magnet, and Two signal processing circuits for generating a voltage signal that linearly changes with respect to the displacement of the shift lever in a specific direction by processing each detection signal of the magnetic field detector as required, and
The shift position detecting device, wherein the two magnetic field detectors are arranged such that the degree of change in applied magnetic field per displacement of the magnet is different from each other. 請求項２に記載のシフト位置検出装置において、
前記２つの磁界検出器は、それぞれ印加される磁界の強度に比例した電圧信号を生成するホールセンサを備え、これらホールセンサは、前記磁石に対する距離が互いに異ならせられることにより、前記磁石の変位量当たりの印加磁界強度の変化の度合いが互いに異ならせられてなるシフト位置検出装置。 The shift position detecting device according to claim 2,
Each of the two magnetic field detectors includes a hall sensor that generates a voltage signal proportional to the strength of the applied magnetic field, and the hall sensors are configured such that the distance to the magnet is different from each other so that the amount of displacement of the magnet is increased. A shift position detecting device in which the degree of change in the applied magnetic field strength is different from each other. 請求項３に記載のシフト位置検出装置において、
前記２つのホールセンサは、前記磁石の変位方向に平行をなす基板の表裏に設けることにより、前記磁石との距離が異ならせられてなるシフト位置検出装置。 The shift position detecting device according to claim 3,
The two Hall sensors are shift position detecting devices in which the distances from the magnets are made different by providing the two Hall sensors on the front and back sides of the substrate parallel to the displacement direction of the magnets. 請求項３に記載のシフト位置検出装置において、
前記磁石は、その変位方向に直交する方向に凹む段差部を形成することにより厚みの異なる第１及び第２の部分を設け、
前記２つのホールセンサは、前記磁石の前記段差部側の部分に対向しかつ前記磁石の変位方向に平行をなす同一基板上に配設するとともに、一方は前記第１の部分に、他方は前記第２の部分に対応して配設することにより、前記磁石との距離が異ならせられてなるシフト位置検出装置。 The shift position detecting device according to claim 3,
The magnet is provided with first and second portions having different thicknesses by forming a stepped portion that is recessed in a direction perpendicular to the displacement direction,
The two Hall sensors are disposed on the same substrate facing the step portion side portion of the magnet and parallel to the displacement direction of the magnet, one being the first portion and the other being the A shift position detection device in which the distance from the magnet is varied by being arranged corresponding to the second part. 請求項２に記載のシフト位置検出装置において、
前記２つの磁界検出器は、前記磁石の変位方向に間隔をおいて配設されて当該磁石の変位に伴う磁界の方向の変化を検出して増減特性が相反する電圧信号を生成する２つを１組とする磁気抵抗効果センサをそれぞれ備え、
これら２組の磁気抵抗効果センサは、各組を構成する２つの磁気抵抗効果センサの前記磁石の変位方向における距離、及び当該変位方向に直交する方向における前記磁石に対する距離を異ならせることにより、前記磁石の変位量当たりの印加磁界方向の変化の度合いが互いに異ならせられてなり、
前記２つの信号処理回路は、前記所要の処理として、対応する組の前記２つの磁気抵抗効果センサにおいて生成される前記２つの電圧信号の差分を求めることにより、前記シフトレバーの特定方向への変位に対して直線的に変化する一の電圧信号をそれぞれ生成するシフト位置検出装置。 The shift position detecting device according to claim 2,
The two magnetic field detectors are arranged to be spaced from each other in the displacement direction of the magnet, detect two changes in the direction of the magnetic field accompanying the displacement of the magnet, and generate two voltage signals having opposite increase / decrease characteristics. Each is provided with a magnetoresistive effect sensor to be a set,
These two sets of magnetoresistive effect sensors are different from each other in that the distance between the two magnetoresistive effect sensors constituting each set in the displacement direction of the magnet and the distance to the magnet in the direction perpendicular to the displacement direction are different from each other. The degree of change of the applied magnetic field direction per magnet displacement is made different from each other,
As the required processing, the two signal processing circuits determine the difference between the two voltage signals generated in the two magnetoresistive effect sensors of the corresponding set, thereby moving the shift lever in a specific direction. A shift position detecting device that generates one voltage signal that varies linearly with respect to each other.
JP2010007280A 2010-01-15 2010-01-15 Shift position detector Expired - Fee Related JP5216027B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010007280A JP5216027B2 (en) 2010-01-15 2010-01-15 Shift position detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010007280A JP5216027B2 (en) 2010-01-15 2010-01-15 Shift position detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011143852A JP2011143852A (en) 2011-07-28
JP5216027B2 true JP5216027B2 (en) 2013-06-19

Family

ID=44459098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010007280A Expired - Fee Related JP5216027B2 (en) 2010-01-15 2010-01-15 Shift position detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5216027B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5607594B2 (en) 2011-09-12 2014-10-15 株式会社東海理化電機製作所 Position sensor
JP6627649B2 (en) * 2016-06-06 2020-01-08 トヨタ自動車株式会社 Control device for vehicle shift position detection device
JP6712912B2 (en) * 2016-06-23 2020-06-24 ローム株式会社 Electronics
JP7279660B2 (en) * 2020-02-13 2023-05-23 株式会社デンソー position sensor
JP2024016392A (en) * 2022-07-26 2024-02-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 input device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS548764Y2 (en) * 1974-02-15 1979-04-21
JPH0242372A (en) * 1988-08-02 1990-02-13 Yuichi Moriki Detection piece of magnetic sensor
JP4604309B2 (en) * 2000-04-17 2011-01-05 トヨタ自動車株式会社 Shift control device, method thereof, and moving body equipped with the device
JP4616708B2 (en) * 2005-06-15 2011-01-19 本田技研工業株式会社 Position detection device
JP2008101932A (en) * 2006-10-17 2008-05-01 Tokai Rika Co Ltd Magnetic position sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011143852A (en) 2011-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8896294B2 (en) Magnetic position detector
JP5607594B2 (en) Position sensor
US9719805B2 (en) Position detecting device
JP5216027B2 (en) Shift position detector
CN105222812A (en) There is the sensing system of three half-bridge structures
JP6928782B2 (en) Magnetic position detector
JP5168226B2 (en) Magnetic proximity sensor
WO2016056135A1 (en) Current detection device and current detection method
JP5373654B2 (en) Operation position detector
US20090251830A1 (en) Magnetic detector
WO2013038867A1 (en) Electric-current sensor
JP2007078417A (en) Current sensor and current sensing method
JP2011105166A (en) Shift position detecting device
JP2011117731A (en) Magnetic detection device
JP5373580B2 (en) Position detection device
JP2007333489A (en) Magnetic position detection device
JP2013060055A (en) Position sensor
JP2007333490A (en) Magnetic position detection device
JP2010243287A (en) Shift position detection device of vehicle
JP2013142604A (en) Current sensor
JP2013142569A (en) Current sensor
JP5497621B2 (en) Rotation angle detector
JP2011163783A (en) Operating position detector
WO2020179636A1 (en) Position detector and magnetic sensor
JP2007093287A (en) Linear motor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees