JP2023012818A - Composition for forming light emitting layer of quantum dot light emitting element, quantum dot light emitting element, quantum dot display device, and quantum dot lighting - Google Patents

Composition for forming light emitting layer of quantum dot light emitting element, quantum dot light emitting element, quantum dot display device, and quantum dot lighting Download PDF

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宏一朗 飯田
Koichiro Iida
一毅 岡部
Kazutake Okabe
智宏 安部
Tomohiro Abe
大輔 弘
Daisuke Hiroshi
祥匡 坂東
Akimasa Bando
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Abstract

To provide a quantum dot light emitting element having a light emitting layer containing quantum dots, exhibiting excellent element characteristics, low voltage drive, high luminous efficiency, and long drive life.SOLUTION: A composition for forming the light-emitting layer of a quantum dot light-emitting element, comprising quantum dots, a compound represented by the following formula (1), and an organic solvent. (Ar21 and Ar22 are aromatic hydrocarbon groups having 6 to 30 carbons which may have substituents, aromatic heterocyclic groups having 3 to 30 carbons which may have substituents, or monovalent groups having 2 to 7 of these linked together.)SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、量子ドット発光素子の発光層形成用組成物と、これを用いた、量子ドット発光素子、量子ドット表示装置及び量子ドット照明に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition for forming a light emitting layer of a quantum dot light emitting device, and a quantum dot light emitting device, a quantum dot display device and a quantum dot illumination using the same.

薄膜型の電界発光素子として、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われている。有機電界発光素子(OLED)は、通常、陽極と陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した材料が開発されつつあり、発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。 As a thin-film type electroluminescence element, an organic electroluminescence element using an organic thin film has been developed. An organic electroluminescent device (OLED) usually has a hole-injection layer, a hole-transport layer, an organic light-emitting layer, an electron-transport layer, etc. between an anode and a cathode, and materials suitable for these layers are being developed. There are red, green, and blue luminescent colors, and development is progressing accordingly.

近年、発光層に無機発光物質である「量子ドット」を用いることで、赤、緑、及び、青の光源をシャープな発光スペクトルとすることで、より広い色域をカバーする試みがなされている。量子ドットを用いた電界発光素子は量子ドット発光素子(QD-LED、QLED)とも呼ばれている。 In recent years, attempts have been made to cover a wider color gamut by using "quantum dots", which are inorganic light-emitting substances, in the light-emitting layer to make the red, green, and blue light sources sharp emission spectra. . An electroluminescent device using quantum dots is also called a quantum dot light emitting device (QD-LED, QLED).

また、量子ドット発光素子は、通常、湿式成膜法(塗布法)によって形成される。湿式成膜法は、大面積化が容易である等の利点があり、塗布法での製膜による量子ドット発光素子の研究開発が進められてきている。例えば、特許文献1~3及び非特許文献1では、量子ドット発光素子の検討が行われているが、素子の低電圧化、発光効率の向上、駆動寿命の改善が望まれていた。 A quantum dot light-emitting device is usually formed by a wet film-forming method (coating method). The wet film-forming method has advantages such as easiness in increasing the area, and research and development of quantum dot light-emitting devices by film-forming by a coating method have been advanced. For example, Patent Literatures 1 to 3 and Non-Patent Literature 1 discuss quantum dot light-emitting devices, but it has been desired to reduce the voltage of the device, improve the luminous efficiency, and improve the driving life.

特開2020-107867号公報JP 2020-107867 A 特開2020-161476号公報JP 2020-161476 A 特開2020-173937号公報JP 2020-173937 A

Nature,2014年,515巻,96~99頁Nature, 2014, vol.515, pp.96-99

本発明は、量子ドットを含有する発光層を有し、優れた素子特性を示し、低電圧駆動し、発光効率が高く、駆動寿命の長い量子ドット発光素子を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a quantum dot light-emitting device that has a light-emitting layer containing quantum dots, exhibits excellent device characteristics, can be driven at a low voltage, has high luminous efficiency, and has a long drive life.

本発明の要旨は、次の[1]~[9]の通りである。 The gist of the present invention is as follows [1] to [9].

[1] 量子ドットと、下記式(1)で表される化合物と、有機溶媒とを含む、量子ドット発光素子の発光層形成用組成物。 [1] A composition for forming a light emitting layer of a quantum dot light emitting device, comprising quantum dots, a compound represented by the following formula (1), and an organic solvent.

Figure 2023012818000002
Figure 2023012818000002

(式(1)中、
Ar21、Ar22はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
21~R24はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。)
(In formula (1),
Ar 21 and Ar 22 are each independently an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group, an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic ring or a structure selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group represents a monovalent group in which 2 to 7 are linked,
Each of R 21 to R 24 is independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted C 6 to 30 aromatic hydrocarbon group, and a substituted group. an aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have substituents and 3 to 3 carbon atoms which may have substituents represents a monovalent group in which 2 to 7 structures selected from 30 aromatic heterocyclic groups are linked,
e and g are each independently an integer of 0 to 4,
f and h are each independently an integer of 0 to 3; )

[2] 量子ドットと、下記式(1A)で表される化合物と、有機溶媒とを含む、量子ドット発光素子の発光層形成用組成物。 [2] A composition for forming a light emitting layer of a quantum dot light emitting device, comprising quantum dots, a compound represented by the following formula (1A), and an organic solvent.

Figure 2023012818000003
Figure 2023012818000003

(式(1A)中、Ar21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hは、前記式(1)におけるAr21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hと同義である。) (In formula (1A), Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, g, and h are Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, Synonymous with g and h.)

[3] [1]又は[2]に記載の量子ドット発光素子の発光層形成用組成物を塗布、乾燥して発光層を形成する工程を含む、量子ドット発光素子の製造方法。 [3] A method for producing a quantum dot light-emitting device, comprising applying the composition for forming a light-emitting layer of the quantum dot light-emitting device according to [1] or [2] and drying it to form a light-emitting layer.

[4] [3]の量子ドット発光素子の製造方法を含む、量子ドット表示装置の製造方法。 [4] A method for manufacturing a quantum dot display device, including the method for manufacturing the quantum dot light-emitting element of [3].

[5] [3]の量子ドット発光素子の製造方法を含む、量子ドット照明の製造方法。 [5] A method for manufacturing quantum dot lighting, including the method for manufacturing the quantum dot light-emitting device of [3].

[6] 陽極、陰極、及び陽極と陰極の間に設けられた発光層を有し、
該発光層が、量子ドットと、下記式(1)で表される化合物を含む、量子ドット発光素子。
[6] having an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode;
A quantum dot light-emitting device, wherein the light-emitting layer contains quantum dots and a compound represented by the following formula (1).

Figure 2023012818000004
Figure 2023012818000004

(式(1)中、
Ar21、Ar22はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
21~R24はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。)
(In formula (1),
Ar 21 and Ar 22 are each independently an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group, an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic ring or a structure selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group represents a monovalent group in which 2 to 7 are linked,
Each of R 21 to R 24 is independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted C 6 to 30 aromatic hydrocarbon group, and a substituted group. an aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have substituents and 3 to 3 carbon atoms which may have substituents represents a monovalent group in which 2 to 7 structures selected from 30 aromatic heterocyclic groups are linked,
e and g are each independently an integer of 0 to 4,
f and h are each independently an integer of 0 to 3; )

[7] 陽極、陰極、及び陽極と陰極の間に設けられた発光層を有し、
該発光層が、量子ドットと、下記式(1A)で表される化合物を含む、量子ドット発光素子。
[7] having an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode;
A quantum dot light-emitting device, wherein the light-emitting layer contains a quantum dot and a compound represented by the following formula (1A).

Figure 2023012818000005
Figure 2023012818000005

(式(1A)中、Ar21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hは、前記式(1)におけるAr21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hと同義である。) (In formula (1A), Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, g, and h are Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, Synonymous with g and h.)

[8] [6]又は[7]に記載の量子ドット発光素子を含む、量子ドット表示装置。 [8] A quantum dot display device comprising the quantum dot light emitting device according to [6] or [7].

[9] [6]又は[7]に記載の量子ドット発光素子を含む、量子ドット照明。 [9] A quantum dot illumination comprising the quantum dot light-emitting device according to [6] or [7].

本発明の発光層形成用組成物及び量子ドット発光素子により、優れた素子特性を示し、低電圧駆動し、発光効率が高く、駆動寿命の長い量子ドット発光素子を提供することができる。 The composition for forming a light-emitting layer and the quantum dot light-emitting device of the present invention can provide a quantum dot light-emitting device that exhibits excellent device characteristics, can be driven at a low voltage, has high luminous efficiency, and has a long drive life.

図1は、本発明の量子ドット発光素子の構造例を示す断面の模式図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of the quantum dot light-emitting device of the present invention.

以下に、本発明の量子ドット発光素子の発光層形成用組成物、量子ドット発光素子、該量子ドット発光素子を備える量子ドット表示装置及び該量子ドット発光素子を備える量子ドット照明の実施態様を詳細に説明する。以下の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明は、その要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。 In the following, embodiments of the composition for forming the light-emitting layer of the quantum dot light-emitting device of the present invention, the quantum dot light-emitting device, the quantum dot display device comprising the quantum dot light-emitting device, and the quantum dot illumination comprising the quantum dot light-emitting device are described in detail. to explain. The following description is an example (representative example) of embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to these contents unless it exceeds the gist thereof.

〔量子ドット発光素子の発光層形成用組成物〕
本発明の量子ドット発光素子の発光層形成用組成物(以下、「本発明の発光層形成用組成物」と称す。)は、量子ドットと、下記式(1)で表される化合物と、有機溶媒とを含む。
[Composition for forming light-emitting layer of quantum dot light-emitting device]
The composition for forming a light-emitting layer of the quantum dot light-emitting device of the present invention (hereinafter referred to as the "composition for forming a light-emitting layer of the present invention") comprises quantum dots, a compound represented by the following formula (1), and an organic solvent.

Figure 2023012818000006
Figure 2023012818000006

(式(1)中、
Ar21、Ar22はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
21~R24はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。)
(In formula (1),
Ar 21 and Ar 22 are each independently an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group, an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic ring or a structure selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group represents a monovalent group in which 2 to 7 are linked,
Each of R 21 to R 24 is independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted C 6 to 30 aromatic hydrocarbon group, and a substituted group. an aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have substituents and 3 to 3 carbon atoms which may have substituents represents a monovalent group in which 2 to 7 structures selected from 30 aromatic heterocyclic groups are linked,
e and g are each independently an integer of 0 to 4,
f and h are each independently an integer of 0 to 3; )

本発明の発光層形成用組成物中に含まれる式(1)で表される化合物は、1種であっても2種以上であっても良い。 The compound represented by formula (1) contained in the light-emitting layer-forming composition of the present invention may be one kind or two or more kinds.

本発明の発光層形成用組成物を用いて形成された発光層では、量子ドットは発光材料として機能し、式(1)で表される化合物は電荷輸送性材料として機能する。 In the light-emitting layer formed using the light-emitting layer-forming composition of the present invention, the quantum dots function as a light-emitting material, and the compound represented by Formula (1) functions as a charge-transporting material.

[本発明が効果を奏する理由]
本発明の発光層形成用組成物及びこの発光層形成用組成物により形成された量子ドット発光素子の発光層に含まれる前記式(1)で表される化合物は、適度な電荷輸送性とHOMOレベルを有するため、量子ドットの励起状態を効果的に生成することが可能となる。
式(1)で表される化合物は、2つのカルバゾリル基がベンゼン環部分で連結することで、HOMOが広がり、適度な電荷輸送性とHOMOレベルを有する。2つのカルバゾリル基の9-位には芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が結合しているため、耐久性に優れる。
[Reasons why the present invention is effective]
The compound represented by the formula (1) contained in the light-emitting layer of the light-emitting layer-forming composition of the present invention and the quantum dot light-emitting device formed from this light-emitting layer-forming composition has appropriate charge transport properties and HOMO Since it has a level, it becomes possible to effectively generate an excited state of the quantum dot.
The compound represented by the formula (1) has a wide HOMO by connecting two carbazolyl groups at the benzene ring portion, and has an appropriate charge transport property and HOMO level. Since an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group is bonded to the 9-positions of the two carbazolyl groups, the durability is excellent.

[量子ドット]
本発明の発光層形成用組成物は、量子ドットを含有する。量子ドットは、発光性の半導体ナノ粒子で、通常、その直径の範囲は1~20nmである。
[Quantum dots]
The composition for forming a light-emitting layer of the present invention contains quantum dots. Quantum dots are luminescent semiconductor nanoparticles that typically range in diameter from 1 to 20 nm.

量子ドットは、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物、及びこれらの組み合わせからなることが好ましい。 Preferably, the quantum dots comprise Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV elements, Group IV compounds, and combinations thereof.

II-VI族化合物としては、CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HeSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HeZnSe、HeZnTe、MgZnSe、MgZnS、HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTeが挙げられる。 II-VI group compounds include CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe、HeSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HeZnSe、HeZnTe、MgZnSe、MgZnS、HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTeが挙げられる。

III-V族化合物としては、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSbが挙げられる。 III-V compounds include GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb.

IV-VI族化合物としては、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTeが挙げられる。 Group IV-VI compounds include SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe.

IV族元素、IV族化合物としては、Si、Ge、SiC、SiGeが挙げられる。
る。
Examples of Group IV elements and Group IV compounds include Si, Ge, SiC, and SiGe.
be.

量子ドットは、均質な単一構造であってもよく、コア/シェルの二重構造であってもよい。また、コア/シェル/シェルのように三重または四重以上の構造であってもよい。コアとシェルとを構成する物質は、異なる化合物からなる。その際、シェルの化合物のエネルギーバンドギャップは、コアの化合物のエネルギーバンドギャップより大きいことが好ましい。具体的には、ZnTeSe/ZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnSなどの構造が好ましい。
また、量子ドットは1種であっても2種以上であっても良い。
Quantum dots may be homogenous single structures or core/shell dual structures. It may also have a triple or quadruple or more structure such as core/shell/shell. The materials that make up the core and shell consist of different compounds. In this case, the energy bandgap of the shell compound is preferably larger than the energy bandgap of the core compound. Specifically, structures such as ZnTeSe/ZnSe/ZnS, CdSe/ZnS, and InP/ZnS are preferred.
Also, the number of quantum dots may be one or two or more.

[式(1)で表される化合物]
本発明の量子ドット発光素子の発光層形成用組成物は、下記式(1)で表される化合物を含む。
[Compound represented by formula (1)]
A composition for forming a light-emitting layer of a quantum dot light-emitting device of the present invention contains a compound represented by the following formula (1).

Figure 2023012818000007
Figure 2023012818000007

(式(1)中、
Ar21、Ar22はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
21~R24はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。)
(In formula (1),
Ar 21 and Ar 22 are each independently an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group, an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic ring or a structure selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group represents a monovalent group in which 2 to 7 are linked,
Each of R 21 to R 24 is independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted C 6 to 30 aromatic hydrocarbon group, and a substituted group. an aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have substituents and 3 to 3 carbon atoms which may have substituents represents a monovalent group in which 2 to 7 structures selected from 30 aromatic heterocyclic groups are linked,
e and g are each independently an integer of 0 to 4,
f and h are each independently an integer of 0 to 3; )

<Ar21、Ar22
前記式(1)における、Ar21、Ar22に適用できる炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、6員環の単環、又は2~5縮合環の1価の基が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、インデノフルオレン環等の1価の基が挙げられる。さらに好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、フルオレン環、又はインデノフルオレン環の1価の基であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、又はフルオレン環の1価の基であり、最も好ましくはベンゼン環又はナフタレン環の1価の基である。
< Ar21 , Ar22 >
The aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms that can be applied to Ar 21 and Ar 22 in the formula (1) is preferably a 6-membered monocyclic group or a monovalent group having 2 to 5 condensed rings. Specifically, monovalent ring such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, fluorene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, and indenofluorene ring. groups. More preferably, a monovalent group of a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a fluorene ring, or an indenofluorene ring, more preferably a monovalent group of a benzene ring, a naphthalene ring, or a fluorene ring, and most A monovalent group of a benzene ring or a naphthalene ring is preferred.

前記式(1)における、Ar21、Ar22に適用できる炭素数3~30の芳香族複素環基としては、5又は6員環の単環、又は2~5縮合環の1価の基が好ましい。具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、インドロカルバゾール環、インデノカルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環等の1価の基が挙げられる。これらのうち、好ましくはチオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、キナゾリン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドロカルバゾール環、フェナントロリン環、又はインドロカルバゾール環であり、より好ましくはピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、キナゾリン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドロカルバゾール環、又はインデノカルバゾール環の1価の基であり、さらに好ましくはカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドロカルバゾール環、又はインデノカルバゾール環の1価の基である。 The aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms applicable to Ar 21 and Ar 22 in the formula (1) includes a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2- to 5-condensed monovalent group. preferable. Specifically, furan ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, indolocarbazole ring, indenocarbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, Examples include monovalent groups such as pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, shinoline ring, quinoxaline ring, perimidine ring, quinazoline ring, and quinazolinone ring. Among these, thiophene ring, pyrrole ring, imidazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, quinazoline ring, carbazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, indolocarbazole ring, phenanthroline ring, or indo locarbazole ring, more preferably a monovalent group of pyridine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, quinazoline ring, carbazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, indolocarbazole ring, or indenocarbazole ring; and more preferably a monovalent group of a carbazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, indolocarbazole ring, or indenocarbazole ring.

Ar21、Ar22が、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基である場合の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基はこれらの1価の基から選択して組み合わせることができる。連結数は好ましくは2~5であり、より好ましくは3である。 Ar 21 and Ar 22 are selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group When the structure to be formed is a monovalent group in which 2 to 7 units are linked, the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group can be selected from these monovalent groups and combined. The number of linkages is preferably 2-5, more preferably 3.

Ar21、Ar22の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、後述の置換基群Zに挙げられたものが挙げられる。 Examples of the substituent which the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group of Ar 21 and Ar 22 may have include those listed in the substituent group Z described below.

<R21~R24
前記式(1)における、R21~R24に適用できるアルキル基は、炭素数が通常1以上であり、好ましくは4以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下であり、より好ましくは8以下であり、さらに好ましくは6以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基が挙げられる。
前記式(1)における、R21~R24に適用できる、素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基の具体例は、Ar21、Ar22に適用として記載した具体例と同じである。
< R21 to R24 >
In formula (1), the alkyl group applicable to R 21 to R 24 has usually 1 or more carbon atoms, preferably 4 or more carbon atoms, usually 24 or less carbon atoms, preferably 12 or less carbon atoms, and more preferably 12 or less carbon atoms. is 8 or less, more preferably 6 or less, and is a linear, branched or cyclic alkyl group. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, dodecyl groups.
An aromatic hydrocarbon group having a prime number of 6 to 30, an aromatic heterocyclic group having a carbon number of 3 to 30 which may have a substituent, or, applicable to R 21 to R 24 in the formula (1) 2 to 7 structures selected from optionally substituted aromatic hydrocarbon groups having 6 to 30 carbon atoms and aromatic heterocyclic groups having 3 to 30 carbon atoms and optionally having substituents Specific examples of the monovalent groups linked together are the same as the specific examples described as application to Ar 21 and Ar 22 .

21~R24のアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、後述の置換基群Zに挙げられたものが挙げられる。 Examples of the substituent which the alkyl group, aromatic hydrocarbon group, and aromatic heterocyclic group of R 21 to R 24 may have include those listed in the group of substituents Z described below.

<e、f、g、h>
式(1)中、e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。e、f、g、hは、適度な電荷輸送性とHOMOレベルを有する点で、0又は1が好ましい。製造が容易な点で0がさらに好ましい。耐熱性が高い点で1がさらに好ましい。
なお、e、f、g、hが2以上で、R21~R24が複数ある場合、複数のR21~R24は互いに同一であってもよく、異なる基であってもよい。
<e, f, g, h>
In formula (1), e and g are each independently integers of 0 to 4, and f and h are each independently integers of 0 to 3. e, f, g, and h are preferably 0 or 1 from the viewpoint of proper charge transportability and HOMO level. 0 is more preferable in terms of ease of manufacture. 1 is more preferable from the viewpoint of high heat resistance.
When e, f, g and h are 2 or more and there are a plurality of R 21 to R 24 , the plurality of R 21 to R 24 may be the same or different groups.

<置換基群Z>
置換基群Zは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素基、及び芳香族複素環基よりなる群である。これらの置換基は直鎖、分岐及び環状のいずれの構造を含んでいてもよい。
<Substituent Group Z>
Substituent group Z includes an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a heteroaryloxy group, an alkoxycarbonyl group, a dialkylamino group, a diarylamino group, an arylalkylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, A group consisting of an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon group, and an aromatic heterocyclic group. These substituents may contain any structure of linear, branched and cyclic.

置換基群Zとして、より具体的には、以下の構造が挙げられる。
例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等の、炭素数が通常1以上であり、好ましくは4以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下であり、より好ましくは8以下であり、さらに好ましくは6以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基;
例えば、メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下であるアルコキシ基;
例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上であり、好ましくは5以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下である、アリールオキシ基若しくはヘテロアリールオキシ基;
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下であるアルコキシカルボニル基;
例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下であるジアルキルアミノ基;
例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等の、炭素数が通常10以上であり、好ましくは12以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下のジアリールアミノ基;
例えば、フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常7であり、通常36以下であり、好ましくは24以下であるアリールアルキルアミノ基;
例えば、アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2であり、通常24以下であり、好ましくは12であるアシル基;
例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;
例えば、トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上であり、通常12以下であり、好ましくは6以下であるハロアルキル基;
例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下であるアルキルチオ基;
例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上であり、好ましくは5以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下であるアリールチオ基;
例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上であり、好ましくは3以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下であるシリル基;
例えば、トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上であり、好ましくは3以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下であるシロキシ基;
シアノ基;
例えば、フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下である芳香族炭化水素基;
例えば、チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上であり、好ましくは4以上であり、通常36以下であり、好ましくは24以下である芳香族複素環基。
More specific examples of the substituent group Z include the following structures.
For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, dodecyl group, etc. , the number of carbon atoms is usually 1 or more, preferably 4 or more, usually 24 or less, preferably 12 or less, more preferably 8 or less, and still more preferably 6 or less, linear, branched , or a cyclic alkyl group;
An alkoxy group having usually 1 or more carbon atoms, usually 24 or less, preferably 12 or less carbon atoms, such as a methoxy group or an ethoxy group;
For example, an aryloxy group or heteroaryloxy group having usually 4 or more carbon atoms, preferably 5 or more carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms such as phenoxy group, naphthoxy group, pyridyloxy group, etc. group;
For example, an alkoxycarbonyl group having usually 2 or more carbon atoms, usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group;
For example, a dialkylamino group having usually 2 or more carbon atoms, usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a dimethylamino group or a diethylamino group;
For example, a diarylamino group having usually 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms, such as a diphenylamino group or a ditolylamino group;
For example, an arylalkylamino group having usually 7 carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as a phenylmethylamino group;
For example, an acyl group having usually 2 carbon atoms, usually 24 or less, preferably 12 carbon atoms, such as an acetyl group or a benzoyl group;
Halogen atoms such as, for example, fluorine atoms and chlorine atoms;
For example, a haloalkyl group having usually 1 or more carbon atoms, usually 12 or less, preferably 6 or less, such as a trifluoromethyl group;
For example, an alkylthio group having usually 1 or more carbon atoms, usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a methylthio group or an ethylthio group;
arylthio groups having usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms, such as phenylthio, naphthylthio, and pyridylthio groups;
For example, a silyl group having usually 2 or more carbon atoms, preferably 3 or more carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms, such as a trimethylsilyl group or a triphenylsilyl group;
a siloxy group having usually 2 or more carbon atoms, preferably 3 or more carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms, such as a trimethylsiloxy group or a triphenylsiloxy group;
cyano group;
aromatic hydrocarbon groups having usually 6 or more carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as phenyl group and naphthyl group;
For example, an aromatic heterocyclic group having usually 3 or more, preferably 4 or more, and usually 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms such as thienyl group or pyridyl group.

上記の置換基群Zの中でも、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、ジアリールアミノ基、芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基である。電荷輸送性の観点からは、置換基としては、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好ましく、より好ましくは芳香族炭化水素基であり、置換基を有さないことがさらに好ましい。溶解性向上の観点からは、置換基としては、アルキル基又はアルコキシ基が好ましい。 Among the substituent group Z described above, an alkyl group, an alkoxy group, a diarylamino group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group is preferred. From the viewpoint of charge transport properties, the substituent is preferably an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, more preferably an aromatic hydrocarbon group, and further preferably has no substituent. From the viewpoint of improving solubility, the substituent is preferably an alkyl group or an alkoxy group.

また、上記置換基群Zの各置換基は更に置換基を有していてもよい。それら置換基としては、上記置換基(置換基群Z)と同じのものが挙げられる。上記置換基群Zが有してもよい各置換基は、好ましくは、炭素数8以下のアルキル基、炭素数8以下のアルコキシ基、又はフェニル基、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基、炭素数6以下のアルコキシ基、又はフェニル基であり、上記置換基群Zの各置換基は、電荷輸送性の観点からは、さらなる置換基を有さないことがより好ましい。 Further, each substituent in the substituent group Z may further have a substituent. Examples of these substituents include the same substituents as those described above (substituent group Z). Each substituent that the substituent group Z may have is preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms, an alkoxy group having 8 or less carbon atoms, or a phenyl group, more preferably an alkyl group having 6 or less carbon atoms, It is an alkoxy group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group, and each substituent in the substituent group Z more preferably does not have a further substituent from the viewpoint of charge transport properties.

<分子量>
前記式(1)で表される化合物は低分子材料であり、分子量は5,000以下が好ましく、更に好ましくは3,000以下であり、特に好ましくは2,000以下であり、最も好ましくは1,500以下であり、分子量の下限は通常300以上、好ましくは350以上、より好ましくは400以上である。
<Molecular weight>
The compound represented by the formula (1) is a low-molecular-weight material, and has a molecular weight of preferably 5,000 or less, more preferably 3,000 or less, particularly preferably 2,000 or less, and most preferably 1 , 500 or less, and the lower limit of the molecular weight is usually 300 or more, preferably 350 or more, more preferably 400 or more.

<式(1A)で表される化合物>
前記式(1)で表される化合物は、2つのカルバゾリル基が3,3’-位で結合することにより、HOMO及びLUMOが2つのカルバゾリル基に非局在化するため、正孔輸送性及び電子輸送性が高められ、量子ドットの励起状態を効果的に生成することが可能となるため、下記式(1A)で表される化合物であることが好ましい。
<Compound Represented by Formula (1A)>
The compound represented by the formula (1) has hole-transporting property and A compound represented by the following formula (1A) is preferable because the electron-transporting property is enhanced and the excited state of the quantum dot can be effectively generated.

Figure 2023012818000008
Figure 2023012818000008

(式(1A)中、Ar21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hは、前記式(1)におけるAr21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hと同義である。) (In formula (1A), Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, g, and h are Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, Synonymous with g and h.)

<式(1)で表される化合物の具体例>
式(1)で表される化合物は特に限定されないが、例えば以下のような化合物が挙げられる。
<Specific examples of compounds represented by formula (1)>
Although the compound represented by Formula (1) is not particularly limited, the following compounds may, for example, be mentioned.

Figure 2023012818000009
Figure 2023012818000009

Figure 2023012818000010
Figure 2023012818000010

本発明の発光層形成用組成物には、前記式(1)で表される化合物の1種のみが含まれていてもよく、2種以上が含まれていてもよい。 The composition for forming a light-emitting layer of the present invention may contain only one compound represented by the formula (1), or may contain two or more compounds.

[有機溶媒]
本発明の発光層形成用組成物に含有される有機溶媒は、湿式成膜により、量子ドットと、前記式(1)で表される化合物、好ましくは前記式(1A)で表される化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
[Organic solvent]
The organic solvent contained in the composition for forming a light-emitting layer of the present invention is a compound represented by the above formula (1), preferably the compound represented by the above formula (1A), by wet film formation. It is a volatile liquid component used to form the containing layer.

該有機溶媒は、溶質である前記式(1)で表される化合物、好ましくは前記式(1A)で表される化合物及び後述のその他の電荷輸送性材料を用いる場合は、該その他の電荷輸送性材料が良好に溶解する有機溶媒であれば特に限定されない。 The organic solvent is the compound represented by the formula (1), which is a solute, preferably the compound represented by the formula (1A), and when other charge-transporting materials described later are used, the other charge-transporting There is no particular limitation as long as it is an organic solvent in which the organic material can be dissolved satisfactorily.

好ましい有機溶媒としては、例えば、n-デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メシチレン、フェニルシクロヘキサン、テトラリン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル類;シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。 Preferred organic solvents include, for example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, phenylcyclohexane, tetralin and methylnaphthalene; Halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3 - aromatic ethers such as dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and diphenyl ether; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate and n-butyl benzoate; Alicyclic ketones such as cyclohexanone, cyclooctanone and fenchone; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; aliphatic ethers such as glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA);

これらの中でも、粘度と沸点の観点から、アルカン類、芳香族炭化水素類、芳香族エステル類が好ましく、芳香族炭化水素類及び芳香族エステル類が特に好ましい。 Among these, alkanes, aromatic hydrocarbons, and aromatic esters are preferred, and aromatic hydrocarbons and aromatic esters are particularly preferred, from the viewpoint of viscosity and boiling point.

これらの有機溶媒は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 One type of these organic solvents may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.

用いる有機溶媒の沸点は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、また、通常350℃以下、好ましくは330℃以下、より好ましくは300℃以下である。有機溶媒の沸点がこの範囲を下回ると、湿式成膜時において、発光層形成用組成物からの溶媒蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。有機溶媒の沸点がこの範囲を上回ると、湿式成膜後の溶媒残留により、成膜安定性が低下する可能性がある。 The boiling point of the organic solvent used is usually 80° C. or higher, preferably 100° C. or higher, more preferably 120° C. or higher, and usually 350° C. or lower, preferably 330° C. or lower, more preferably 300° C. or lower. If the boiling point of the organic solvent is below this range, the film formation stability may decrease due to evaporation of the solvent from the composition for forming the light-emitting layer during wet film formation. If the boiling point of the organic solvent exceeds this range, there is a possibility that the film formation stability will decrease due to the residual solvent after wet film formation.

特に、上記有機溶媒のうち、沸点が150℃以上の有機溶媒を2種以上組み合わせることにより、より均一な塗布膜を形成しやすいと考えられ、好ましい。 In particular, among the above organic solvents, a combination of two or more organic solvents having a boiling point of 150° C. or higher is considered to facilitate the formation of a more uniform coating film, and thus is preferable.

[その他の電荷輸送材料]
本発明の発光層形成用組成物はさらに、前記式(1)で表される化合物以外のその他の電荷輸送材料を含有しても良い。
[Other charge transport materials]
The composition for forming a light-emitting layer of the present invention may further contain a charge-transporting material other than the compound represented by the formula (1).

その他の電荷輸送材料としては、有機電界発光素子の電荷輸送材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ピリジン、カルバゾール、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、p-ビス(2-フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。 As other charge-transporting materials, those used as charge-transporting materials for organic electroluminescence devices can be used. For example, pyridine, carbazole, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, p-bis(2-phenylethenyl)benzene and these derivatives, quinacridone derivatives, DCM (4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthenes, aryl Examples include condensed aromatic ring compounds with substituted amino groups, styryl derivatives with substituted arylamino groups, and the like.

これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 One type of these may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.

これらの内、好ましくは、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン及びそれらの誘導体であり、さらに好ましくは、アントラセン誘導体である。 Among these, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene and derivatives thereof are preferred, and anthracene derivatives are more preferred. .

[含有量]
本発明の発光層形成用組成物に含まれる量子ドットの含有量は、通常0.001質量%以上、好ましくは0.01質量%以上で、通常30.0質量%以下、好ましくは20.0質量%以下である。
本発明の発光層形成用組成物に含まれる前記式(1)で表される化合物、好ましくは前記式(1A)で表される化合物の含有量は、通常0.01質量%以上で、好ましくは0.1質量%以上、通常30.0質量%以下、好ましくは20.0質量%以下である。
量子ドット及び前記式(1)で表される化合物、好ましくは前記式(1A)で表される化合物の含有量をこの範囲とすることにより、隣接する層(例えば、正孔輸送層や正孔阻止層)から発光層へ効率良く、正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。
なお、量子ドット、前記式(1)で表される化合物、好ましくは前記式(1A)で表される化合物は、発光層形成用組成物中に、1種のみ含まれていてもよく、2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。
[Content]
The content of quantum dots contained in the light-emitting layer-forming composition of the present invention is usually 0.001% by mass or more, preferably 0.01% by mass or more, and is usually 30.0% by mass or less, preferably 20.0% by mass. % by mass or less.
The content of the compound represented by the formula (1), preferably the compound represented by the formula (1A), contained in the composition for forming a light-emitting layer of the present invention is usually 0.01% by mass or more, preferably is 0.1% by mass or more, usually 30.0% by mass or less, preferably 20.0% by mass or less.
By setting the content of the quantum dots and the compound represented by the formula (1), preferably the compound represented by the formula (1A), in this range, adjacent layers (for example, a hole transport layer and a hole Injection of holes and electrons from the blocking layer) into the light-emitting layer is performed efficiently, and the driving voltage can be reduced.
In addition, the quantum dot, the compound represented by the formula (1), preferably the compound represented by the formula (1A) may be contained in the composition for forming the light-emitting layer only one kind. More than one species may be included in combination.

本発明の発光層形成用組成物がその他の電荷輸送材料を含む場合、その含有量は、通常0.01質量%以上、好ましくは0.1質量%以上で、通常30.0質量%以下、好ましくは20.0質量%以下である。発光層形成用組成物中のその他の電荷輸送材料の含有量を上記範囲とすることで、発光層内での電子の輸送性が向上して低電圧化するとともに、発光層内での電子と正孔のバランスが向上するため、発光効率が向上すると考えられる。 When the light-emitting layer-forming composition of the present invention contains other charge-transporting materials, the content thereof is usually 0.01% by mass or more, preferably 0.1% by mass or more, and usually 30.0% by mass or less. Preferably, it is 20.0% by mass or less. By setting the content of the other charge-transporting material in the composition for forming the light-emitting layer within the above range, the transportability of electrons in the light-emitting layer is improved, the voltage is lowered, and electrons in the light-emitting layer It is considered that the luminous efficiency is improved because the hole balance is improved.

また、発光効率を向上させる観点から、本発明の発光層形成用組成物に含まれる前記式(1)で表される化合物、好ましくは前記式(1A)で表される化合物とその他の電荷輸送材料の合計の含有量は、量子ドット1質量部に対して、通常10質量部以下、好ましくは1質量部以下、さらに好ましくは0.5質量部以下であり、通常0.001質量部以上、好ましくは0.005質量部以上、さらに好ましくは0.01質量部以上である。 Further, from the viewpoint of improving luminous efficiency, the compound represented by the formula (1), preferably the compound represented by the formula (1A), contained in the composition for forming a light-emitting layer of the present invention, and other charge-transporting compounds The total content of the materials is usually 10 parts by mass or less, preferably 1 part by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or less, usually 0.001 parts by mass or more, with respect to 1 part by mass of the quantum dots, It is preferably 0.005 parts by mass or more, more preferably 0.01 parts by mass or more.

本発明の発光層形成用組成物に含まれる有機溶媒の含有量は、通常10質量%以上、好ましくは50質量%以上、特に好ましくは80質量%以上で、通常99.95質量%以下、好ましくは99.9質量%以下、特に好ましくは99.8質量%以下である。有機溶媒の含有量が上記下限以上であれば適度な粘度を有して塗布性が向上し、上記上限以下であれば均一な膜が得られやすく成膜性が良好となる。 The content of the organic solvent contained in the light-emitting layer-forming composition of the present invention is usually 10% by mass or more, preferably 50% by mass or more, particularly preferably 80% by mass or more, and usually 99.95% by mass or less, preferably is 99.9% by mass or less, particularly preferably 99.8% by mass or less. If the content of the organic solvent is at least the above lower limit, the composition will have an appropriate viscosity and the coatability will be improved.

[その他の成分]
本発明の発光層形成用組成物は、必要に応じて、量子ドット及び上記の化合物の他に、更に他の化合物を含有してもよい。他の化合物としては、好ましくは、酸化防止剤として知られているジブチルヒドロキシトルエンや、ジブチルフェノール等のフェノール類が挙げられる。
[Other ingredients]
The composition for forming a light-emitting layer of the present invention may contain other compounds in addition to the quantum dots and the above compounds, if necessary. Other compounds preferably include dibutylhydroxytoluene, which is known as an antioxidant, and phenols such as dibutylphenol.

[成膜方法]
本発明の発光層形成用組成物を用いた発光層の形成方法は、湿式成膜法である。湿式成膜法とは、組成物を塗布して液膜を形成し、乾燥して有機溶媒を除去し、発光層の膜を形成する方法である。塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等の湿式で成膜させる方法を採用し、塗布膜を乾燥させて膜形成を行う方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法等が好ましい。本発明の発光層形成用組成物を用いた量子ドット発光素子を備えた量子ドット表示装置を製造する場合は、インクジェット法又はノズルプリンティング法が好ましく、インクジェット法が特に好ましい。
[Deposition method]
A method for forming a light-emitting layer using the composition for forming a light-emitting layer of the present invention is a wet film-forming method. The wet film-forming method is a method of applying a composition to form a liquid film, drying it to remove the organic solvent, and forming a light-emitting layer film. Examples of coating methods include spin coating, dip coating, die coating, bar coating, blade coating, roll coating, spray coating, capillary coating, inkjet, nozzle printing, screen printing, and gravure. It refers to a method of forming a film by employing a wet film-forming method such as a printing method or a flexographic printing method, and drying the coating film. Among these film forming methods, the spin coating method, the spray coating method, the inkjet method, the nozzle printing method, and the like are preferable. When manufacturing a quantum dot display device having a quantum dot light-emitting element using the composition for forming a light-emitting layer of the present invention, an inkjet method or a nozzle printing method is preferable, and an inkjet method is particularly preferable.

乾燥方法は特に限定されないが、自然乾燥、減圧乾燥、加熱乾燥、又は、加熱しながらの減圧乾燥を適宜用いることができる。加熱乾燥は、自然乾燥又は減圧乾燥の後、更に残留有機溶媒を除去するために実施してもよい。
減圧乾燥は、発光層形成用組成物に含まれる有機溶媒の蒸気圧以下に減圧することが好ましい。
加熱する場合は、加熱方法は特に限定されないが、ホットプレートによる加熱、オーブン内での加熱、赤外線加熱等を用いることができる。加熱時間は通常80℃以上で、100℃以上が好ましく、110℃以上がより好ましく、また、200℃以下が好ましく、150℃以下がより好ましい。
加熱時間は、通常1分以上で、2分以上が好ましく、通常60分以下で、30分以下が好ましく、20分以下がより好ましい。
Although the drying method is not particularly limited, natural drying, drying under reduced pressure, drying by heating, or drying under reduced pressure while heating can be used as appropriate. Heat drying may be carried out in order to further remove residual organic solvent after natural drying or vacuum drying.
Drying under reduced pressure is preferably carried out at a pressure equal to or lower than the vapor pressure of the organic solvent contained in the composition for forming a light-emitting layer.
When heating, the heating method is not particularly limited, but heating with a hot plate, heating in an oven, infrared heating, or the like can be used. The heating time is usually 80° C. or higher, preferably 100° C. or higher, more preferably 110° C. or higher, and preferably 200° C. or lower, more preferably 150° C. or lower.
The heating time is generally 1 minute or longer, preferably 2 minutes or longer, generally 60 minutes or shorter, preferably 30 minutes or shorter, and more preferably 20 minutes or shorter.

〔量子ドット発光素子〕
本発明の一態様に係る量子ドット発光素子は、陽極、陰極、及び、陽極と陰極の間に、本発明の発光層形成用組成物を用いて形成された発光層(第一の実施形態における発光層)を含む。
また、本発明の別態様に係る量子ドット発光素子は、陽極、陰極、及び陽極及び陰極の間に設けられた発光層を有し、該発光層は、量子ドット、及び、前記式(1)で表される化合物を含む。
[Quantum dot light emitting device]
A quantum dot light-emitting device according to one aspect of the present invention includes an anode, a cathode, and a light-emitting layer formed between the anode and the cathode using the composition for forming a light-emitting layer of the present invention ( light-emitting layer).
Further, a quantum dot light-emitting device according to another aspect of the present invention has an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode, and the light-emitting layer includes quantum dots and the above formula (1) Including the compound represented by.

本発明の量子ドット発光素子はさらに、陽極と発光層の間に発光層以外の有機層を第2の有機層として含むことが好ましい。第2の有機層は、正孔注入層又は正孔輸送層であることがより好ましく、正孔輸送層であることがさらに好ましい。また、この第2の有機層は、後述の通り、トリアリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体(以下、この第2の有機層に含まれる重合体を「第2の重合体」と称する場合がある。)を含むことが好ましく、該重合体は架橋基を含まないことが更に好ましい。第2の重合体としては、以下の通り、式(5)で表される繰返し単位を含む重合体が好ましく、より好ましくは、後述の式(2)で表される繰り返し単位、式(3)で表される繰り返し単位、又は、式(4)で表される繰り返し単位を含む重合体が好ましい。 The quantum dot light-emitting device of the present invention preferably further includes an organic layer other than the light-emitting layer as a second organic layer between the anode and the light-emitting layer. The second organic layer is more preferably a hole injection layer or a hole transport layer, and even more preferably a hole transport layer. In addition, as described later, the second organic layer is a polymer having a triarylamine structure as a repeating unit (hereinafter, when the polymer contained in the second organic layer is referred to as the "second polymer" ), more preferably the polymer does not contain a cross-linking group. As the second polymer, a polymer containing a repeating unit represented by formula (5) is preferable as follows, more preferably a repeating unit represented by formula (2) described later, or formula (3) or a polymer containing a repeating unit represented by formula (4).

第2の有機層は、後述する第2の組成物を用いて湿式成膜法により形成することが好ましい。第2の組成物は、塗布後、加熱することで不溶化される。そのため、第2の有機層は、量子ドット発光素子の積層化に好適に使用することができる。 The second organic layer is preferably formed by a wet film-forming method using the second composition described below. The second composition is insolubilized by heating after application. Therefore, the second organic layer can be suitably used for lamination of quantum dot light-emitting devices.

以下に本発明の量子ドット発光素子に含まれる第2の有機層について説明する。
本発明の量子ドット発光素子の構造については後述する。
The second organic layer included in the quantum dot light-emitting device of the present invention is described below.
The structure of the quantum dot light emitting device of the present invention will be described later.

[第2の有機層]
第2の有機層には、正孔輸送材料として、トリアリールアミン構造を繰り返し単位として有する第2の重合体を含むことが好ましい。
[Second organic layer]
The second organic layer preferably contains, as a hole-transporting material, a second polymer having a triarylamine structure as a repeating unit.

[第2の有機層に用いる第2の重合体]
第2の有機層が含有する架橋基を有さないトリアリールアミン構造を繰り返し単位として有する第2の重合体としては、トリアリールアミン構造を当該重合体の主鎖に含むことが好ましい。
該トリアリールアミン構造の繰返し単位は下記式(5)で表される。
[Second Polymer Used for Second Organic Layer]
As the second polymer having the triarylamine structure having no cross-linking group contained in the second organic layer as a repeating unit, it is preferable that the main chain of the polymer contains the triarylamine structure.
A repeating unit of the triarylamine structure is represented by the following formula (5).

Figure 2023012818000011
Figure 2023012818000011

(式(5)中、
Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表し、
Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい二価の芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい二価の芳香族複素環基、又は前記二価の芳香族炭化水素基及び前記二価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも1つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した二価の基を表す。
ArとArは単結合又は連結基を介して環を形成していてもよい。)
(In formula (5),
Ar 4 is an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group represents a group in which a plurality of groups selected from an aromatic hydrocarbon group which may have and an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than a bridging group are linked,
Ar 5 is a divalent aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, a divalent aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or represents a divalent group in which at least one group selected from the group consisting of a divalent aromatic hydrocarbon group and the aforementioned divalent aromatic heterocyclic group is linked directly or via a linking group.
Ar 4 and Ar 5 may form a ring via a single bond or a linking group. )

(Ar
上記式(5)で表される繰り返し単位中において、Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
( Ar4 )
In the repeating unit represented by the above formula (5), Ar 4 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a bridging group, and may have a substituent other than a bridging group. A plurality of aromatic heterocyclic groups selected from an aromatic heterocyclic group, an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, and an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group It represents a group in which groups are linked.

芳香族炭化水素基としては、炭素数が6以上、60以下が好ましく、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の、6員環の単環若しくは2~5縮合環の1価の基又はこれらが複数連結した基が挙げられる。なお、例えば「ベンゼン環の1価の基」とは、「1価の遊離原子価を有するベンゼン環」、すなわち、フェニル基を意味する。 The aromatic hydrocarbon group preferably has 6 or more and 60 or less carbon atoms, and specifically includes a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, and chrysene ring. , a triphenylene ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring and the like, a monovalent 6-membered ring or a 2 to 5 condensed ring monovalent group, or a group in which a plurality of these are linked. For example, "a monovalent group of a benzene ring" means "a benzene ring having a monovalent free atom valence", that is, a phenyl group.

芳香族複素環基としては、炭素数が3以上、60以下が好ましく、具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の、5~6員環の単環若しくは2~4縮合環の1価の基又はこれらが複数連結した基が挙げられる。 The aromatic heterocyclic group preferably has 3 or more and 60 or less carbon atoms, and specifically includes a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, and an oxadiazole ring. , indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. Examples include monocyclic to 6-membered ring, monovalent group of 2 to 4 condensed rings, and groups in which a plurality of these are linked.

Arは、電荷輸送性が優れる点、耐久性に優れる点から、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、中でも架橋基以外の置換基を有していてもよいベンゼン環又はフルオレン環の1価の基、すなわち、架橋基以外の置換基を有していてもよいフェニル基又はフルオレニル基がより好ましく、架橋基以外の置換基を有していてもよいフルオレニル基がさらに好ましく、架橋基以外の置換基を有していてもよい2-フルオレニル基が特に好ましい。 Ar 4 is preferably an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a cross-linking group from the viewpoint of excellent charge transportability and durability, and among these, it has a substituent other than a cross-linking group. A monovalent group of a benzene ring or a fluorene ring which may be optionally used, i.e., a phenyl group or a fluorenyl group which may have a substituent other than a bridging group is more preferable, and may have a substituent other than a bridging group. A fluorenyl group that has a good fluorenyl group is more preferred, and a 2-fluorenyl group that may have a substituent other than a cross-linking group is particularly preferred.

Arの芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい架橋基以外の置換基としては、本重合体の特性を著しく低減させないものであれば、特に制限はない。当該置換基は、好ましくは、前記置換基群Zから選ばれる基が挙げられ、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。 Substituents other than the cross-linking group that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 4 may have are not particularly limited as long as they do not significantly reduce the properties of the present polymer. The substituent is preferably a group selected from the substituent group Z, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group, and still more preferably an alkyl group.

Arは、塗布溶媒への溶解性の点から、炭素数1~24のアルキル基で置換されたフルオレニル基が好ましく、特に、炭素数4~12のアルキル基で置換された2-フルオレニル基が好ましい。さらに、2-フルオレニル基の9位がアルキル基で置換された9-アルキル-2-フルオレニル基が好ましく、特に、アルキル基で2置換された9,9’-ジアルキル-2-フルオレニル基が好ましい。 Ar 4 is preferably a fluorenyl group substituted with an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, particularly a 2-fluorenyl group substituted with an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms, from the viewpoint of solubility in a coating solvent. preferable. Furthermore, a 9-alkyl-2-fluorenyl group in which the 9-position of the 2-fluorenyl group is substituted with an alkyl group is preferred, and a 9,9′-dialkyl-2-fluorenyl group in which the 9-position is substituted with an alkyl group is particularly preferred.

9位及び9’位の少なくとも一方がアルキル基で置換されたフルオレニル基であることにより、溶媒に対する溶解性及びフルオレン環の耐久性が向上する傾向にある。さらに、9位及び9’位の両方がアルキル基で置換されたフルオレニル基であることにより、溶媒に対する溶解性及びフルオレン環の耐久性がさらに向上する傾向にある。 At least one of the 9-position and 9'-position is a fluorenyl group substituted with an alkyl group, so that the solubility in solvents and the durability of the fluorene ring tend to be improved. Furthermore, since both the 9- and 9'-positions are alkyl-substituted fluorenyl groups, the solubility in solvents and the durability of the fluorene ring tend to be further improved.

また、Arは、塗布溶媒への溶解性の点から、スピロビフルオレニル基であることも好ましい。 Ar 4 is also preferably a spirobifluorenyl group from the viewpoint of solubility in a coating solvent.

(他の好ましいAr
上記式(5)で表される繰り返し単位におけるArの少なくとも一つは、下記式(10)で表される基であることも好ましい。この理由は、下記式(10)中の2つのカルバゾール構造において、互いの窒素原子間の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基にLUMOが分布することで、式(5)における主鎖アミンへの影響が抑制され、主鎖アミンの電子や励起子に対する耐久性が向上するためと考えられる。
(other preferred Ar 4 )
At least one Ar 4 in the repeating unit represented by formula (5) above is also preferably a group represented by formula (10) below. The reason for this is that in the two carbazole structures in the following formula (10), LUMO is distributed in the aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group between the nitrogen atoms of each other, and the main chain amine in formula (5) This is thought to be due to the fact that the influence on the amine is suppressed and the durability of the main chain amine to electrons and excitons is improved.

Figure 2023012818000012
Figure 2023012818000012

(式(10)中、
Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基であり、
Ar13~Ar15は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基である。
*は式(2)中の窒素原子への結合位置を表す。)
(In formula (10),
Ar 11 and Ar 12 are each independently an optionally substituted divalent aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted divalent aromatic heterocyclic group,
Ar 13 to Ar 15 are each independently a hydrogen atom or a substituent.
* represents the bonding position to the nitrogen atom in formula (2). )

(Ar13~Ar15
Ar13~Ar15は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。Ar13~Ar15が置換基である場合、置換基は特に限定はされないが、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基である。好ましい構造としては、前記Arで挙げた基と同様である。
(Ar 13 to Ar 15 )
Ar 13 to Ar 15 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. When Ar 13 to Ar 15 are substituents, the substituents are not particularly limited, but are preferably an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group. It is a cyclic group. Preferred structures are the same as the groups mentioned for Ar 4 above.

Ar13~Ar15が置換基である場合、Ar13~Ar15が各カルバゾール構造の3位又は6位に結合していることが、耐久性向上の観点から好ましい。 When Ar 13 to Ar 15 are substituents, it is preferred that Ar 13 to Ar 15 are bonded to the 3- or 6-position of each carbazole structure from the viewpoint of improving durability.

Ar13~Ar15は、合成のし易さ及び電荷輸送性の観点からは、水素原子であることが好ましい。 Ar 13 to Ar 15 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of ease of synthesis and charge transport properties.

Ar13~Ar15は、耐久性向上及び電荷輸送性の観点からは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基であることが好ましく、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。 Ar 13 to Ar 15 are an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group from the viewpoint of durability improvement and charge transport property. is preferred, and an optionally substituted aromatic hydrocarbon group is more preferred.

Ar13~Ar15が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基である場合の置換基としては、前記置換基群Zに挙げられる置換基と同様であり、好ましい置換基も同様であり、それら置換基がさらに有していてもよい置換基も同様である。 When Ar 13 to Ar 15 are an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, the substituent group Z includes The substituents mentioned are the same, the preferred substituents are the same, and the substituents that these substituents may further have are also the same.

(Ar12
Ar12は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基である。
( Ar12 )
Ar 12 is an optionally substituted divalent aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted divalent aromatic heterocyclic group.

該芳香族炭化水素基としては、炭素数6以上60以下が好ましく、更に好ましくは炭素数10以上50以下であり、特に好ましくは炭素数12以上40以下である。該芳香族炭化水素基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の、6員環の単環若しくは2~5縮合環の2価の基又はこれらが複数連結した基が挙げられる。これらが複数連結する場合、好ましくは複数連結した2価の芳香族炭化水素基が共役している基である。 The aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 60 carbon atoms, more preferably 10 to 50 carbon atoms, and particularly preferably 12 to 40 carbon atoms. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, Examples include a 6-membered monocyclic ring or a divalent group of 2 to 5 condensed rings such as a fluorene ring, or a group in which a plurality of these are linked. When a plurality of these are linked, it is preferably a group in which a plurality of linked divalent aromatic hydrocarbon groups are conjugated.

該芳香族複素環基としては、炭素数3以上60以下が好ましく、具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の、5若しくは6員環の単環又は2~4縮合環の2価の基又はこれらが複数連結した基等が挙げられる。 The aromatic heterocyclic group preferably has 3 to 60 carbon atoms, and specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring 5 or Examples include a 6-membered monocyclic ring, a divalent group of 2 to 4 condensed rings, and a group in which a plurality of these are linked.

これら芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が有していてもよい置換基は、前記置換基群Zのアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。置換基の立体効果によってAr12の構造のねじれが生じる場合は、置換基が無い方が好ましく、置換基の立体効果によってAr12の構造のねじれが生じない場合は、置換基を有することが好ましい。 Examples of the substituents that these aromatic hydrocarbon groups or aromatic heterocyclic groups may have include the alkyl groups, aralkyl groups and aromatic hydrocarbon groups of the substituent group Z described above. When the structure of Ar 12 is twisted due to the steric effect of the substituent, it is preferable to have no substituent. When the structure of Ar 12 is not twisted due to the steric effect of the substituent, it is preferable to have a substituent. .

Ar12の具体的な好ましい基は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環の2価の基又はこれらが複数連結した基であり、より好ましくは、ベンゼン環の2価の基又はこれが複数連結した基であり、特に好ましくは、ベンゼン環が1,4位の2価で連結した1,4-フェニレン基、フルオレン環の2,7位の2価で連結した2,7-フルオレニレン基、又はこれらが複数連結した基であり、最も好ましくは、“1,4-フェニレン基-2,7-フルオレニレン基-1,4-フェニレン基-”を含む基である。 A specific preferred group for Ar 12 is a divalent group of a benzene ring, a naphthalene ring, anthracene ring, or a fluorene ring, or a group in which a plurality of these are linked, more preferably a divalent group of a benzene ring or a plurality of these It is a linked group, particularly preferably a 1,4-phenylene group in which a benzene ring is linked at the 1,4-position divalently, a 2,7-fluorenylene group in which a fluorene ring is linked at the 2,7-divalent position, Or a group in which a plurality of these are linked, most preferably a group containing "1,4-phenylene group-2,7-fluorenylene group-1,4-phenylene group-".

これら好ましい構造において、フェニレン基は連結位置以外に置換基を有さないことが、置換基の立体効果によるAr12のねじれが生じず好ましい。また、フルオレニレン基は、9,9’位に置換基を有している方が、溶解性及びフルオレン構造の耐久性向上の観点から好ましい。 In these preferred structures, it is preferable that the phenylene group does not have a substituent other than at the linking position so that Ar 12 is not twisted due to the steric effect of the substituent. Further, the fluorenylene group preferably has substituents at the 9 and 9′ positions from the viewpoint of improving solubility and durability of the fluorene structure.

(Ar11
Ar11は、式(10)における主鎖のアミンの窒素原子と連結する2価の基である。Ar11は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基である。
(Ar 11 )
Ar 11 is a divalent group linked to the nitrogen atom of the main chain amine in formula (10). Ar 11 is an optionally substituted divalent aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted divalent aromatic heterocyclic group.

Ar11の芳香族炭化水素基としては、炭素数6以上、60以下が好ましく、更に好ましくは炭素数10以上50以下であり、特に好ましくは炭素数12以上40以下である。該芳香族炭化水素基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の、6員環の単環若しくは2~5縮合環の2価の基又はこれらが複数連結した基が挙げられる。 The aromatic hydrocarbon group for Ar 11 preferably has 6 or more and 60 or less carbon atoms, more preferably 10 or more and 50 or less carbon atoms, and particularly preferably 12 or more and 40 or less carbon atoms. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, Examples include a 6-membered monocyclic ring or a divalent group of 2 to 5 condensed rings such as a fluorene ring, or a group in which a plurality of these are linked.

Ar11の芳香族複素環基としては、炭素数3以上60以下が好ましい。具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の、5若しくは6員環の単環又は2~4縮合環の2価の基又はこれらが複数連結した基が挙げられる。 The aromatic heterocyclic group for Ar 11 preferably has 3 or more and 60 or less carbon atoms. Specifically, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring or A group in which a plurality of these are linked is exemplified.

これら芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が有していてもよい置換基は、前記置換基群Zのアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。 Examples of the substituents that these aromatic hydrocarbon groups or aromatic heterocyclic groups may have include the alkyl groups, aralkyl groups and aromatic hydrocarbon groups of the substituent group Z described above.

これら2価の芳香族炭化水素基又は2価の芳香族複素環基が複数連結する場合、好ましくは複数連結した2価の芳香族炭化水素基が共役しないように結合した基である。具体的には、1,3-フェニレン基、又は置換基を有し置換基の立体効果によって捻じれ構造となる基を含むことが好ましい。 When a plurality of these divalent aromatic hydrocarbon groups or divalent aromatic heterocyclic groups are linked together, it is preferably a group in which the multiple linked divalent aromatic hydrocarbon groups are bonded so as not to be conjugated. Specifically, it preferably contains a 1,3-phenylene group or a group having a substituent and having a twisted structure due to the steric effect of the substituent.

(Ar
Arにおける芳香族炭化水素基及び芳香族炭化水素基としては、式(5)のArと同様の基であって2価である基が挙げられる。また、Arにおける芳香族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基は、前記置換基群Zと同様の基が好ましい。
( Ar5 )
The aromatic hydrocarbon group and aromatic hydrocarbon group for Ar 5 include the same groups as for Ar 4 in formula (5) and are divalent. Further, the aromatic hydrocarbon group in Ar 5 and the substituent which the aromatic hydrocarbon group may have are preferably the same groups as in the substituent group Z above.

(架橋基)
第2の有機層に用いる第2の重合体は、架橋基を有さない。
ここで架橋基とは、熱及び/又は活性エネルギー線の照射により、該架橋基の近傍に位置する他の架橋基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。この場合、反応する基は架橋基と同一の基あるいは異なった基の場合もある。
(crosslinking group)
The second polymer used for the second organic layer does not have a cross-linking group.
Here, the cross-linking group means a group that reacts with other cross-linking groups located in the vicinity of the cross-linking group by irradiation with heat and/or active energy rays to form a new chemical bond. In this case, the reactive group may be the same group as the bridging group or a different group.

架橋基としては、アルケニル基を含む基、共役ジエン構造を含む基、アルキニル基を含む基、オキシラン構造を含む基、オキセタン構造を含む基、アジリジン構造を含む基、アジド基、無水マレイン酸構造を含む基、芳香族環に結合したアルケニル基を含む基、芳香族環に縮環したシクロブテン環などが挙げられる。架橋基の具体例としては、例えば、下記架橋基群Tから選ばれる基が挙げられる。 Examples of the cross-linking group include groups containing an alkenyl group, groups containing a conjugated diene structure, groups containing an alkynyl group, groups containing an oxirane structure, groups containing an oxetane structure, groups containing an aziridine structure, azide groups, and maleic anhydride structures. a group containing an alkenyl group bonded to an aromatic ring, a cyclobutene ring condensed to an aromatic ring, and the like. Specific examples of the cross-linking group include groups selected from the following cross-linking group T.

(架橋基群T)

Figure 2023012818000013
(Crosslinking Group T)
Figure 2023012818000013

上記架橋基群Tにおいて、RXLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、nXLは、0~5の整数を表す。RXLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、nXLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。*1は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。 In the above bridging group T, R XL represents a methylene group, an oxygen atom or a sulfur atom, and n XL represents an integer of 0-5. When multiple R XL are present, they may be the same or different, and when multiple n XL are present, they may be the same or different. *1 represents the binding position. These cross-linking groups may have substituents.

以下、上記式(5)で表される繰り返し単位のより好ましいものとして「式(2)で表される繰り返し単位」、「式(3)で表される繰り返し単位」、「式(4)で表される繰り返し単位」について詳細を説明する。 Hereinafter, more preferable repeating units represented by the above formula (5) are “repeating units represented by formula (2)”, “repeating units represented by formula (3)”, and “repeating units represented by formula (4) Represented repeating unit” will be described in detail.

<式(2)で表される繰り返し単位>

Figure 2023012818000014
<Repeating Unit Represented by Formula (2)>
Figure 2023012818000014

(式(2)中、
Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基であり、
Xは、-C(R)(R)-、-N(R)-又は-C(R11)(R12)-C(R13)(R14)-であり、
及びRは、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基であり、
~R及びR11~R14は、それぞれ独立して、水素原子、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基、架橋基以外の置換基を有していてもよいアラルキル基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、
a及びbは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
cは、1~3の整数であり、
dは、0~4の整数であり、
が複数ある場合は、複数のRは同一であっても異なっていてもよく、
が複数ある場合は、複数のRは同一であっても異なっていてもよい。)
(In formula (2),
Ar 1 is an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group. A group in which a plurality of groups selected from an aromatic hydrocarbon group which may have and an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than a bridging group are linked,
X is -C(R 7 )(R 8 )-, -N(R 9 )- or -C(R 11 )(R 12 )-C(R 13 )(R 14 )-;
R 1 and R 2 are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group,
R 7 to R 9 and R 11 to R 14 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group, and optionally having a substituent other than a bridging group. an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than an aralkyl group or a bridging group,
a and b are each independently an integer of 0 to 4;
c is an integer from 1 to 3,
d is an integer from 0 to 4,
When there are multiple R 1s , the multiple R 1s may be the same or different,
When there are multiple R 2 s, the multiple R 2s may be the same or different. )

(R、R
上記式(2)で表される繰り返し単位中のR及びRは、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基である。
(R 1 , R 2 )
R 1 and R 2 in the repeating unit represented by formula (2) are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group.

該アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、第2の重合体の溶解性を維持するために、1以上が好ましく、また、8以下が好ましく、6以下がより好ましく、3以下がさらに好ましい。該アルキル基は、メチル基又はエチル基であることがさらに好ましい。 The alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group. Although the number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited, it is preferably 1 or more, preferably 8 or less, more preferably 6 or less, and even more preferably 3 or less in order to maintain the solubility of the second polymer. More preferably, the alkyl group is a methyl group or an ethyl group.

が複数ある場合は、複数のRは同一であっても異なっていてもよく、Rが複数ある場合は、複数のRは同一であっても異なっていてもよい。電荷を均一的に窒素原子の周りに分布することができ、さらに合成も容易であることから、全てのRとRは同一の基であることが好ましい。 When there is a plurality of R 1 , the plurality of R 1 may be the same or different, and when there is a plurality of R 2 , the plurality of R 2 may be the same or different. All R 1 and R 2 are preferably the same group because the charge can be uniformly distributed around the nitrogen atom and the synthesis is easy.

(R~R及びR11~R14
~R及びR11~R14は、それぞれ独立して、水素原子、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基、架橋基以外の置換基を有していてもよいアラルキル基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
(R 7 to R 9 and R 11 to R 14 )
R 7 to R 9 and R 11 to R 14 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group, and optionally having a substituent other than a bridging group. It is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than an aralkyl group or a bridging group.

該アルキル基は特に限定されないが、第2の重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は1以上が好ましく、また、24以下が好ましく、8以下がより好ましく、6以下がさらに好ましい。また、該アルキル基は直鎖、分岐又は環状の各構造であってもよい。 The alkyl group is not particularly limited, but since it tends to improve the solubility of the second polymer, the number of carbon atoms is preferably 1 or more, preferably 24 or less, more preferably 8 or less, and further preferably 6 or less. preferable. Also, the alkyl group may have a linear, branched or cyclic structure.

該アルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等が挙げられる。 Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and n-hexyl group. , n-octyl group, cyclohexyl group, dodecyl group and the like.

該アラルキル基は特に限定されないが、第2の重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は5以上が好ましく、また、60以下が好ましく、40以下がより好ましい。 The aralkyl group is not particularly limited, but preferably has 5 or more carbon atoms, preferably 60 or less, and more preferably 40 or less, because it tends to improve the solubility of the second polymer.

該アラルキル基として、具体的には、1,1-ジメチル-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-ブチル)-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-ヘキシル)-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-オクチル)-1-フェニルメチル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、3-フェニル-1-プロピル基、4-フェニル-1-n-ブチル基、1-メチル-1-フェニルエチル基、5-フェニル-1-n-プロピル基、6-フェニル-1-n-ヘキシル基、6-ナフチル-1-n-ヘキシル基、7-フェニル-1-n-ヘプチル基、8-フェニル-1-n-オクチル基、4-フェニルシクロヘキシル基等が挙げられる。 Specific examples of the aralkyl group include 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl group, 1,1-di(n-butyl)-1-phenylmethyl group, 1,1-di(n-hexyl)- 1-phenylmethyl group, 1,1-di(n-octyl)-1-phenylmethyl group, phenylmethyl group, phenylethyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-n-butyl group , 1-methyl-1-phenylethyl group, 5-phenyl-1-n-propyl group, 6-phenyl-1-n-hexyl group, 6-naphthyl-1-n-hexyl group, 7-phenyl-1- n-heptyl group, 8-phenyl-1-n-octyl group, 4-phenylcyclohexyl group and the like.

該芳香族炭化水素基としては特に限定されないが、第2の重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は6以上が好ましく、また、60以下が好ましく、30以下がより好ましい。 The aromatic hydrocarbon group is not particularly limited, but preferably has 6 or more carbon atoms, preferably 60 or less, and more preferably 30 or less, because it tends to improve the solubility of the second polymer.

該芳香族炭化水素基として、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の、6員環の単環若しくは2~5縮合環の1価の基、又はこれらが複数連結した基等が挙げられる。 Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, and fluorene. A 6-membered monocyclic or 2-5 condensed monovalent group such as a ring, or a group in which a plurality of these are linked, and the like can be mentioned.

電荷輸送性及び耐久性向上の観点から、R及びRはメチル基又は芳香族炭化水素基が好ましく、R及びRはメチル基であることがより好ましく、Rはフェニル基であることがより好ましい。 From the viewpoint of improving charge transport properties and durability, R 7 and R 8 are preferably methyl groups or aromatic hydrocarbon groups, R 7 and R 8 are more preferably methyl groups, and R 9 is a phenyl group. is more preferable.

、Rのアルキル基、R~R及びR11~R14のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基は、架橋基以外の置換基を有していてもよい。架橋基以外の置換基は、前記R~R及びR11~R14のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基の好ましい基として挙げた基が挙げられる。 The alkyl groups for R 1 and R 2 , the alkyl groups for R 7 to R 9 and R 11 to R 14 , the aralkyl groups and the aromatic hydrocarbon groups may have a substituent other than a bridging group. Substituents other than the bridging group include the groups exemplified as preferable alkyl groups, aralkyl groups and aromatic hydrocarbon groups for R 7 to R 9 and R 11 to R 14 .

、Rのアルキル基、R~R及びR11~R14のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基は、低電圧化の観点からは、置換基を有さないことが最も好ましい。 The alkyl groups of R 1 and R 2 , the alkyl groups of R 7 to R 9 and R 11 to R 14 , the aralkyl groups and the aromatic hydrocarbon groups may not have substituents from the viewpoint of lowering the voltage. Most preferred.

(a、b、c及びd)
上記式(2)で表される繰り返し単位中において、a及びbはそれぞれ独立して、0~4の整数である。a+bは1以上であることが好ましく、さらに、a及びbは、各々2以下であることが好ましく、aとbの両方が1であることがより好ましい。
(a, b, c and d)
In the repeating unit represented by formula (2) above, a and b are each independently an integer of 0-4. It is preferable that a+b is 1 or more, more preferably each of a and b is 2 or less, and more preferably both a and b are 1.

a+bが1以上であると、主鎖の芳香環が立体障害により捻じれ、第2の重合体の溶媒への溶解性が優れると共に、湿式成膜法で形成し加熱処理された塗膜は溶媒への不溶性に優れる傾向にある。したがって、a+bが1以上であると、この塗膜上へ湿式成膜法で別の有機層(例えば発光層)を形成する場合には、有機溶媒を含む本発明の発光層形成用組成物への第2の重合体の溶出が抑えられる。その結果、形成された発光層への影響が少なく、量子ドット発光素子の駆動寿命はさらに長くなると考えられる。 When a + b is 1 or more, the aromatic ring of the main chain is twisted due to steric hindrance, and the solubility of the second polymer in the solvent is excellent, and the coating film formed by the wet film formation method and heat-treated is solvent It tends to be excellent in insolubility in Therefore, when a + b is 1 or more, when forming another organic layer (for example, a light-emitting layer) on this coating film by a wet film-forming method, the composition for forming a light-emitting layer of the present invention containing an organic solvent elution of the second polymer is suppressed. As a result, it is considered that the formed light-emitting layer is less affected and the driving life of the quantum dot light-emitting device is further extended.

上記式(2)で表される繰り返し単位中において、cは1~3の整数であり、dは0~4の整数である。c及びdは、各々2以下であることが好ましく、cとdは等しいことがさらに好ましく、cとdの両方が1であるか、又はcとdの両方が2であることが特に好ましい。 In the repeating unit represented by formula (2) above, c is an integer of 1-3 and d is an integer of 0-4. Each of c and d is preferably 2 or less, more preferably c and d are equal, and it is particularly preferable that both c and d are 1 or both c and d are 2.

上記式(2)で表される繰り返し単位中のcとdの両方が1であるか又はcとdの両方が2であり、且つ、aとbの両方が2又は1である場合、RとRは、互いに対称な位置に結合していることが最も好ましい。 When both c and d in the repeating unit represented by the above formula (2) are 1 or both c and d are 2 and both a and b are 2 or 1, R 1 and R 2 are most preferably bonded at symmetrical positions.

ここで、RとRとが互いに対称な位置に結合するとは、式(2)におけるフルオレン環、カルバゾール環又は9,10-ジヒドロフェナントレン誘導体構造に対して、RとRの結合位置が対称であることをいう。このとき、主鎖を軸とする180度回転は同一構造とみなす。 Here, the binding of R 1 and R 2 at positions symmetrical to each other means the binding position of R 1 and R 2 with respect to the fluorene ring, carbazole ring or 9,10-dihydrophenanthrene derivative structure in formula (2). is symmetrical. At this time, 180° rotation around the main chain is regarded as the same structure.

(Ar
上記式(2)で表される繰り返し単位中において、Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基である。
(Ar 1 )
In the repeating unit represented by the above formula (2), Ar 1 may have a substituent other than an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a bridging group and a bridging group. A plurality of aromatic heterocyclic groups selected from an aromatic heterocyclic group, an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, and an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group It is a group in which groups are linked.

架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基としては、前記Arの場合と同様のものが挙げられ、架橋基以外の置換基及び好ましい構造も前記Arの場合と同様のものが挙げられる。 Having an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a bridging group, an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group The group in which a plurality of groups selected from aromatic hydrocarbon groups and aromatic heterocyclic groups which may have substituents other than a bridging group are linked is the same as in the case of Ar 4 . and the substituents other than the bridging group and the preferred structure are also the same as in the case of Ar 4 above.

(他の好ましいAr
上記式(2)で表される繰り返し単位におけるArの少なくとも一つは、前記式(10)で表される基であることがより好ましい。
(other preferred Ar 1 )
At least one Ar 1 in the repeating unit represented by formula (2) above is more preferably a group represented by formula (10) above.

(X)
上記式(2)におけるXは、電荷輸送時の安定性が高いことから、-C(R)(R)-又は-N(R)-であることが好ましく、-C(R)(R)-であることがより好ましい。
(X)
X in the above formula (2) is preferably -C(R 7 )(R 8 )- or -N(R 9 )- because of its high stability during charge transport, and -C(R 7 )(R 8 )— is more preferred.

また、上記式(2)で表される繰り返し単位を含む重合体において、Ar、R、R、Xが複数ある場合は、各々同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、重合体が、式(2)で表される繰り返し単位が同一構造である繰り返し単位を複数含むことである。この場合、重合体が同一構造の繰り返し単位を複数含むことで、繰り返し単位のHOMO及びLUMOが同一となるため、特定の浅い準位に電荷が集中してトラップとなることが無く、電荷輸送性に優れると考えられる。 Moreover, in the polymer containing the repeating unit represented by the above formula (2), when there are a plurality of Ar 1 , R 1 , R 2 and X, they may be the same or different. Preferably, the polymer contains a plurality of repeating units in which the repeating units represented by formula (2) have the same structure. In this case, since the polymer contains a plurality of repeating units with the same structure, the HOMO and LUMO of the repeating units are the same, so that the charge is not concentrated at a specific shallow level and becomes a trap, and the charge transport property It is considered to be superior to

(好ましい繰り返し単位)
上記式(2)で表される繰り返し単位は、下記式(2-1)~(2-4)のいずれかで示される繰り返し単位であることが特に好ましい。
(preferred repeating unit)
The repeating unit represented by formula (2) above is particularly preferably a repeating unit represented by any one of the following formulas (2-1) to (2-4).

Figure 2023012818000015
Figure 2023012818000015

上記式において、R及びRは同一であり、且つ、RとRは互いに対称な位置に結合している。 In the formula above, R 1 and R 2 are the same, and R 1 and R 2 are bonded at symmetrical positions.

<式(2)で表される繰り返し単位の主鎖の具体例>
上記式(2)中の窒素原子を除いた主鎖構造は特に限定されないが、例えば以下のような構造が挙げられる。
<Specific example of main chain of repeating unit represented by formula (2)>
Although the main chain structure excluding the nitrogen atom in the above formula (2) is not particularly limited, examples thereof include the following structures.

Figure 2023012818000016
Figure 2023012818000016

Figure 2023012818000017
Figure 2023012818000017

Figure 2023012818000018
Figure 2023012818000018

Figure 2023012818000019
Figure 2023012818000019

Figure 2023012818000020
Figure 2023012818000020

Figure 2023012818000021
Figure 2023012818000021

Figure 2023012818000022
Figure 2023012818000022

<式(2)で表される繰り返し単位の含有量>
第2の有機層が含有する第2の重合体において、式(2)で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、式(2)で表される繰り返し単位は第2の重合体中に通常10モル%以上含まれ、30モル%以上含まれることが好ましく、40モル%以上含まれることがより好ましく、50モル%以上含まれることがさらに好ましい。
<Content of Repeating Unit Represented by Formula (2)>
In the second polymer contained in the second organic layer, the content of the repeating unit represented by formula (2) is not particularly limited, but the repeating unit represented by formula (2) is the second polymer It is usually contained in an amount of 10 mol% or more, preferably 30 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, further preferably 50 mol% or more.

第2の有機層が含有する第2の重合体は、繰り返し単位が、式(2)で表される繰り返し単位のみから構成されていてもよいが、量子ドット発光素子とした場合の諸性能をバランスさせる目的から、式(2)とは別の繰り返し単位を有していてもよい。その場合、第2の重合体中の式(2)で表される繰り返し単位の含有量は、通常、99モル%以下、好ましくは95モル%以下である。 In the second polymer contained in the second organic layer, the repeating unit may be composed only of repeating units represented by formula (2), but the performance when used as a quantum dot light-emitting device is For balancing purposes, it may have repeating units other than formula (2). In that case, the content of the repeating unit represented by formula (2) in the second polymer is usually 99 mol % or less, preferably 95 mol % or less.

<末端基>
本明細書において、末端基とは、第2の重合体の重合終了時に用いるエンドキャップ剤によって形成された、第2の重合体の末端部の構造のことを指す。第2の有機層において、式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の末端基は炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基としては、電荷輸送性の観点から、炭素数1以上60以下の炭化水素基が好ましく、1以上40以下の炭化水素基がより好ましく、1以上30以下の炭化水素基がさらに好ましい。
<Terminal group>
As used herein, a terminal group refers to the terminal structure of the second polymer formed by the endcapping agent used to terminate the polymerization of the second polymer. In the second organic layer, the terminal group of the second polymer containing repeating units represented by formula (2) is preferably a hydrocarbon group. From the viewpoint of charge transportability, the hydrocarbon group is preferably a hydrocarbon group having 1 to 60 carbon atoms, more preferably a hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms, and even more preferably a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.

炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等の、炭素数が通常1以上であり、好ましくは4以上であり、通常24以下であり、好ましくは12以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基;
ビニル基等の、炭素数が通常2以上、24以下であり、好ましくは12以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルケニル基;
エチニル基等の、炭素数が通常2以上、24以下であり、好ましくは12以下である、直鎖又は分岐のアルキニル基;
フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上、36以下であり、好ましくは24以下である芳香族炭化水素基;が挙げられる。
Examples of hydrocarbon groups include
carbon, such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, dodecyl group A linear, branched or cyclic alkyl group whose number is usually 1 or more, preferably 4 or more, usually 24 or less, preferably 12 or less;
A linear, branched, or cyclic alkenyl group having usually 2 or more and 24 or less, preferably 12 or less carbon atoms, such as a vinyl group;
A linear or branched alkynyl group having usually 2 or more and 24 or less, preferably 12 or less carbon atoms, such as an ethynyl group;
aromatic hydrocarbon groups having usually 6 or more and 36 or less, preferably 24 or less carbon atoms, such as phenyl group and naphthyl group;

これら炭化水素基はさらに置換基を有していてもよく、さらに有していてもよい置換基はアルキル基又は芳香族炭化水素基が好ましい。これらさらに有していてもよい置換基が複数ある場合は、互いに結合して環を形成していてもよい。 These hydrocarbon groups may further have a substituent, and the substituent which may further have is preferably an alkyl group or an aromatic hydrocarbon group. When there are a plurality of these substituents which may be additionally contained, they may be combined with each other to form a ring.

末端基は、好ましくは、電荷輸送性及び耐久性の観点から、アルキル基又は芳香族炭化水素基であり、更に好ましくは芳香族炭化水素基である。 The terminal group is preferably an alkyl group or an aromatic hydrocarbon group, more preferably an aromatic hydrocarbon group, from the viewpoint of charge transportability and durability.

<式(3)で表される繰り返し単位>

Figure 2023012818000023
<Repeating Unit Represented by Formula (3)>
Figure 2023012818000023

(式(3)中、
Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基であり、
及びRは、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基であり、
及びRは、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルコキシ基又は架橋基以外の置換基を有していてもよいアラルキル基であり、
lは、0又は1であり、
mは、1又は2であり、
kは、0又は1であり、
pは、0又は1であり、
qは、0又は1である。)
(In formula (3),
Ar 2 is an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group. A group in which a plurality of groups selected from an aromatic hydrocarbon group which may have and an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than a bridging group are linked,
R 3 and R 6 are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group,
R 4 and R 5 are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group, an alkoxy group optionally having a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group is an aralkyl group optionally having
l is 0 or 1,
m is 1 or 2,
k is 0 or 1,
p is 0 or 1,
q is 0 or 1; )

(R、R
上記式(3)で表される繰り返し単位中のR及びRは、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基である。
アルキル基としては、前記式(2)におけるR及びRと同様のものが挙げられ、有していてもよい置換基及び好ましい構造もR及びRと同様のものが挙げられる。
(R 3 , R 6 )
R 3 and R 6 in the repeating unit represented by formula (3) are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group.
Examples of the alkyl group include the same as those for R 1 and R 2 in the formula (2), and the same substituents and preferred structures as those for R 1 and R 2 may be included.

(R、R
上記式(3)で表される繰り返し単位中のR及びRは、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルコキシ基又は架橋基以外の置換基を有していてもよいアラルキル基である。
( R4 , R5)
R 4 and R 5 in the repeating unit represented by the formula (3) are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group, and a substituent other than a bridging group. is an alkoxy group which may be substituted or an aralkyl group which may have a substituent other than a bridging group.

該アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。該アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、1以上が好ましく、また、24以下が好ましく、8以下がより好ましく、6以下がさらに好ましい。 The alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group. Although the number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited, it is preferably 1 or more, preferably 24 or less, more preferably 8 or less, and even more preferably 6 or less, because it tends to improve the solubility of the polymer.

該アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等が挙げられる。 Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and n-hexyl. group, n-octyl group, cyclohexyl group, dodecyl group and the like.

該アルコキシ基は特に限定されず、アルコキシ基(-OR10)のR10で表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造であってもよく、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数が1以上が好ましく、また、24以下が好ましく、12以下がより好ましい。 The alkoxy group is not particularly limited, and the alkyl group represented by R 10 of the alkoxy group (-OR 10 ) may have any structure of linear, branched or cyclic, and improves the solubility of the polymer. Therefore, the number of carbon atoms is preferably 1 or more, preferably 24 or less, and more preferably 12 or less.

該アルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、ヘキシロキシ基、1-メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。 Specific examples of the alkoxy group include methoxy, ethoxy, n-propoxy, n-butoxy, hexyloxy, 1-methylpentyloxy, cyclohexyloxy and the like.

該アラルキル基は特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数5以上が好ましく、また、60以下が好ましく、40以下がより好ましい。 The aralkyl group is not particularly limited, but preferably has 5 or more carbon atoms, preferably 60 or less, and more preferably 40 or less, because it tends to improve the solubility of the polymer.

該アラルキル基としては、具体的には、1,1-ジメチル-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-ブチル)-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-ヘキシル)-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-オクチル)-1-フェニルメチル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、3-フェニル-1-プロピル基、4-フェニル-1-n-ブチル基、1-メチル-1-フェニルエチル基、5-フェニル-1-n-プロピル基、6-フェニル-1-n-ヘキシル基、6-ナフチル-1-n-ヘキシル基、7-フェニル-1-n-ヘプチル基、8-フェニル-1-n-オクチル基、4-フェニルシクロヘキシル基などが挙げられる。 Specific examples of the aralkyl group include 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl group, 1,1-di(n-butyl)-1-phenylmethyl group, 1,1-di(n-hexyl) -1-phenylmethyl group, 1,1-di(n-octyl)-1-phenylmethyl group, phenylmethyl group, phenylethyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-n-butyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, 5-phenyl-1-n-propyl group, 6-phenyl-1-n-hexyl group, 6-naphthyl-1-n-hexyl group, 7-phenyl-1 -n-heptyl group, 8-phenyl-1-n-octyl group, 4-phenylcyclohexyl group and the like.

(l、m及びk)
lは0又は1を表し、kは0又は1を表す。
(l, m and k)
l represents 0 or 1, k represents 0 or 1;

l及びkは各々独立であり、l+kは1以上が好ましく、1又は2がより好ましく、2がさらに好ましい。l+kが上記範囲であることで、第2の有機層が含有する第2の重合体の溶解性を高くし、該重合体を含有する第2の組成物からの析出も抑制できる傾向にある。 l and k are each independent, and l+k is preferably 1 or more, more preferably 1 or 2, and still more preferably 2. When l+k is within the above range, the solubility of the second polymer contained in the second organic layer is increased, and precipitation from the second composition containing the polymer tends to be suppressed.

mは1又は2を表し、本発明の量子ドット発光素子を低電圧で駆動でき、正孔注入能、輸送能、耐久性も向上する傾向にあることから、1であることが好ましい。 m represents 1 or 2, and is preferably 1 because the quantum dot light-emitting device of the present invention can be driven at a low voltage and the hole injection ability, transport ability, and durability tend to be improved.

(p及びq)
pは0又は1を表し、qは0又は1を表す。l=k=1の場合、pとqは同時に0となることはない。pとqが同時に0とならないことで、第2の有機層が含有する第2の重合体の溶解性を高くし、該重合体を含有する第2の組成物からの析出も抑制できる傾向にある。また、前記a及びbと同様の理由により、p+qが1以上であると量子ドット発光素子の駆動寿命はさらに長くなると考えられ、好ましい。
(p and q)
p represents 0 or 1; q represents 0 or 1; If l=k=1, p and q cannot be 0 at the same time. Since p and q are not 0 at the same time, the solubility of the second polymer contained in the second organic layer is increased, and precipitation from the second composition containing the polymer tends to be suppressed. be. For the same reason as a and b above, when p+q is 1 or more, the driving life of the quantum dot light-emitting device is considered to be longer, which is preferable.

(Ar
上記式(3)で表される繰り返し単位中において、Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基である。
( Ar2)
In the repeating unit represented by the above formula (3), Ar 2 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a bridging group, and may have a substituent other than a bridging group. A plurality of aromatic heterocyclic groups selected from an aromatic heterocyclic group, an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, and an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group It is a group in which groups are linked.

該架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基としては、前記式(2)におけるArの場合と同様のものが挙げられ、架橋基以外の置換基及び好ましい構造も前記Arの場合と同様のものが挙げられる。 An aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than the bridging group, an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than the bridging group, or a substituent other than the bridging group The group in which a plurality of groups selected from aromatic hydrocarbon groups and aromatic heterocyclic groups which may have substituents other than a bridging group are linked is Ar 1 in the above formula (2). Examples are the same as in the case of Ar 1, and the substituents other than the cross-linking group and the preferred structure are also the same as in the case of Ar 1 above.

また、Arは、塗布溶媒への溶解性の点から、スピロビフルオレニル基であることも好ましい。 Ar 2 is also preferably a spirobifluorenyl group from the viewpoint of solubility in a coating solvent.

特に、Arは、下記式(15)で表される基又は下記式(16)で表される基が好ましい。 In particular, Ar 2 is preferably a group represented by the following formula (15) or a group represented by the following formula (16).

Figure 2023012818000024
Figure 2023012818000024

(式(15)及び式(16)中、*は、前記式(3)中の窒素原子との結合位置を表す。) (In formulas (15) and (16), * represents the bonding position with the nitrogen atom in formula (3).)

(他の好ましいAr
前記Ar同様に、Arの少なくとも一つが、前記式(10)で表される基であることが好ましい。Arの少なくとも一つが前記式(10)で表される基である場合の、前記式(10)の好ましい構造及び有していてもよい置換基は、前記Arの少なくとも一つが前記式(10)で表される基である場合と同様である。
(other preferred Ar 2 )
As with Ar 1 , at least one Ar 2 is preferably a group represented by formula (10). In the case where at least one of Ar 2 is a group represented by the formula (10), the preferred structure of the formula (10) and the substituents that may be present are such that at least one of the Ar 1 is the formula ( It is the same as the group represented by 10).

<式(3)で表される繰り返し単位の主鎖の具体例>
式(3)中の窒素原子を除いた主鎖構造は特に限定されないが、例えば以下のような構造が挙げられる。
<Specific example of main chain of repeating unit represented by formula (3)>
Although the main chain structure excluding the nitrogen atom in formula (3) is not particularly limited, examples thereof include the following structures.

Figure 2023012818000025
Figure 2023012818000025

Figure 2023012818000026
Figure 2023012818000026

Figure 2023012818000027
Figure 2023012818000027

Figure 2023012818000028
Figure 2023012818000028

Figure 2023012818000029
Figure 2023012818000029

Figure 2023012818000030
Figure 2023012818000030

Figure 2023012818000031
Figure 2023012818000031

Figure 2023012818000032
Figure 2023012818000032

<式(3)で表される繰り返し単位の含有量>
第2の有機層が含有する第2の重合体において、式(3)で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、式(3)で表される繰り返し単位は通常第2の重合体中に10モル%以上含まれ、30モル%以上含まれることが好ましく、40モル%以上含まれることがさらに好ましく、50モル%以上含まれることが特に好ましい。
<Content of Repeating Unit Represented by Formula (3)>
In the second polymer contained in the second organic layer, the content of the repeating unit represented by formula (3) is not particularly limited, but the repeating unit represented by formula (3) is usually the second polymer. It is contained in the coalescence at 10 mol% or more, preferably 30 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, and particularly preferably 50 mol% or more.

第2の有機層が含有する第2の重合体は、繰り返し単位が、式(3)で表される繰り返し単位のみから構成されていてもよいが、量子ドット発光素子とした場合の諸性能をバランスさせる目的から、式(3)とは別の繰り返し単位を有していてもよい。その場合、第2の重合体中の式(3)で表される繰り返し単位の含有量は、通常、99モル%以下、好ましくは95モル%以下である。 In the second polymer contained in the second organic layer, the repeating unit may be composed only of repeating units represented by formula (3), but the performance when used as a quantum dot light-emitting device is For balancing purposes, it may have repeating units other than formula (3). In that case, the content of the repeating unit represented by formula (3) in the second polymer is usually 99 mol % or less, preferably 95 mol % or less.

<末端基>
第2の有機層が含有する第2の重合体において、式(3)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の末端基は、上記式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の末端基と同様に、炭化水素基であることが好ましい。好ましい炭化水素基及び有してよい置換基も、上記式(2)で表される繰り返し単位を含む重合体の末端基と同様である。
<Terminal group>
In the second polymer contained in the second organic layer, the terminal group of the second polymer containing the repeating unit represented by the formula (3) contains the repeating unit represented by the above formula (2) Like the terminal groups of the second polymer, they are preferably hydrocarbon groups. Preferred hydrocarbon groups and substituents that may be present are also the same as the terminal groups of the polymer containing the repeating unit represented by formula (2) above.

[式(4)で表される繰り返し単位]

Figure 2023012818000033
[Repeating unit represented by formula (4)]
Figure 2023012818000033

(式(4)中、
Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基であり、
Ar41は、架橋基以外の置換基を有していてもよい二価の芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい二価の芳香族複素環基、又は前記二価の芳香族炭化水素基及び前記二価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも1つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した二価の基であり、
41及びR42は、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基であり、
tは、1又は2であり、
uは、0又は1であり、
r及びsは、それぞれ独立して、0~4の整数である。)
(In formula (4),
Ar 3 is an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group. A group in which a plurality of groups selected from an aromatic hydrocarbon group which may have and an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than a bridging group are linked,
Ar 41 is a divalent aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, a divalent aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or at least one group selected from the group consisting of a divalent aromatic hydrocarbon group and the divalent aromatic heterocyclic group is a divalent group in which a plurality of groups are linked directly or via a linking group,
R 41 and R 42 are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group,
t is 1 or 2;
u is 0 or 1,
r and s are each independently an integer of 0-4. )

(R41、R42
上記式(4)で表される繰り返し単位中のR41、R42は、それぞれ独立して、架橋基以外の置換基を有していてもよいアルキル基である。
( R41 , R42 )
R 41 and R 42 in the repeating unit represented by formula (4) are each independently an alkyl group optionally having a substituent other than a bridging group.

該アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を維持するために、炭素数1以上が好ましく、また、10以下が好ましく、8以下がより好ましく、6以下がより好ましい。該アルキル基はメチル基又はヘキシル基であることがさらに好ましい。 The alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group. The number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited, but in order to maintain the solubility of the polymer, the number of carbon atoms is preferably 1 or more, preferably 10 or less, more preferably 8 or less, and more preferably 6 or less. More preferably, the alkyl group is a methyl group or a hexyl group.

41及びR42が上記式(4)で表される繰り返し単位中に複数ある場合は、複数のR41及びR42は同一であっても異なっていてもよい。 When a plurality of R 41 and R 42 are present in the repeating unit represented by formula (4) above, the plurality of R 41 and R 42 may be the same or different.

(r、s、t及びu)
式(4)で表される繰り返し単位中において、r及びsはそれぞれ独立して、0~4の整数である。r+sは1以上であることが好ましく、さらに、r及びsは、各々2以下であることが好ましい。r+sが1以上であると、前記式(2)におけるa及びbと同様の理由により、量子ドット発光素子の駆動寿命はさらに長くなると考えられる。
(r, s, t and u)
In the repeating unit represented by formula (4), r and s are each independently an integer of 0-4. r+s is preferably 1 or more, and r and s are each preferably 2 or less. When r+s is 1 or more, the drive life of the quantum dot light-emitting device is considered to be longer for the same reason as a and b in the formula (2).

上記式(4)で表される繰り返し単位中において、tは1又は2であり、uは0又は1である。tは1が好ましく、uは1が好ましい。 In the repeating unit represented by formula (4) above, t is 1 or 2, and u is 0 or 1. t is preferably 1 and u is preferably 1.

(Ar
上記式(4)で表される繰り返し単位中において、Arは、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基である。
( Ar3 )
In the repeating unit represented by the above formula (4), Ar 3 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a bridging group, and may have a substituent other than a bridging group. A plurality of aromatic heterocyclic groups selected from an aromatic heterocyclic group, an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, and an aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group It is a group in which groups are linked.

架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び架橋基以外の置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基としては、前記式(5)におけるArの場合と同様のものが挙げられ、架橋基以外の置換基及び好ましい構造も前記Arの場合と同様のものが挙げられる。 Having an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent other than a bridging group, an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than a bridging group, or a substituent other than a bridging group As a group in which a plurality of groups selected from an aromatic heterocyclic group which may have a substituent other than an aromatic hydrocarbon group and a bridging group are linked, Ar 4 in the formula (5) and the substituents other than the bridging group and the preferred structure are also the same as in the case of Ar 4 .

(Ar41
Ar41は、架橋基以外の置換基を有していてもよい二価の芳香族炭化水素基、架橋基以外の置換基を有していてもよい二価の芳香族複素環基、又は前記二価の芳香族炭化水素基及び前記二価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも1つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した二価の基である。
( Ar41 )
Ar 41 is a divalent aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a bridging group, a divalent aromatic heterocyclic group optionally having a substituent other than a bridging group, or A divalent group in which a plurality of at least one group selected from the group consisting of a divalent aromatic hydrocarbon group and the aforementioned divalent aromatic heterocyclic group are linked directly or via a linking group.

Ar41における芳香族炭化水素基及び芳香族炭化水素基としては、前記式(5)におけるArと同様の基が挙げられる。また、芳香族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基は、前記置換基群Zと同様の基が好ましく、さらに有していてよい置換基も前記置換基群Zと同様であることが好ましい。 The aromatic hydrocarbon group and aromatic hydrocarbon group for Ar 41 include the same groups as for Ar 5 in the formula (5). In addition, the aromatic hydrocarbon group and the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have are preferably the same groups as in the substituent group Z, and the substituent that may further be included in the substituent group Z is preferably the same as

<式(4)で表される繰り返し単位の具体例>
式(4)で表される繰り返し単位は特に限定されないが、例えば以下のような構造が挙げられる。
<Specific examples of repeating units represented by formula (4)>
Although the repeating unit represented by formula (4) is not particularly limited, examples thereof include the following structures.

Figure 2023012818000034
Figure 2023012818000034

<式(4)で表される繰り返し単位の含有量>
第2の有機層が含有する第2の重合体において、式(4)で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、式(4)で表される繰り返し単位は通常第2の重合体中に10モル%以上含まれ、30モル%以上含まれることが好ましく、40モル%以上含まれることがさらに好ましく、50モル%以上含まれることが特に好ましい。
<Content of Repeating Unit Represented by Formula (4)>
In the second polymer contained in the second organic layer, the content of the repeating unit represented by formula (4) is not particularly limited, but the repeating unit represented by formula (4) is usually the second polymer. It is contained in the coalescence at 10 mol% or more, preferably 30 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, and particularly preferably 50 mol% or more.

第2の有機層が含有する第2の重合体は、繰り返し単位が、式(4)で表される繰り返し単位のみから構成されていてもよいが、量子ドット発光素子とした場合の諸性能をバランスさせる目的から、式(4)とは別の繰り返し単位を有していてもよい。その場合、第2の重合体中の式(4)で表される繰り返し単位の含有量は、通常、99モル%以下、好ましくは95モル%以下である。 In the second polymer contained in the second organic layer, the repeating unit may be composed only of repeating units represented by formula (4), but the performance when used as a quantum dot light-emitting device is For balancing purposes, it may have repeating units other than formula (4). In that case, the content of the repeating unit represented by formula (4) in the second polymer is usually 99 mol % or less, preferably 95 mol % or less.

<末端基>
第2の有機層が含有する第2の重合体において、式(4)で表される繰り返し単位を含む重合体の末端基は、上記式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の末端基と同様に、炭化水素基であることが好ましい。好ましい炭化水素基及び有してよい置換基も、上記式(2)で表される繰り返し単位を含む重合体の末端基と同様である。
<Terminal group>
In the second polymer contained in the second organic layer, the terminal group of the polymer containing the repeating unit represented by the formula (4) is the second polymer containing the repeating unit represented by the above formula (2). Like the terminal groups of the polymer, they are preferably hydrocarbon groups. Preferred hydrocarbon groups and substituents that may be present are also the same as the terminal groups of the polymer containing the repeating unit represented by formula (2) above.

[第2の重合体の分子量]
以下、第2の有機層に含まれる第2の重合体の分子量について記す。
[Molecular Weight of Second Polymer]
The molecular weight of the second polymer contained in the second organic layer is described below.

式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の重量平均分子量(Mw)は、通常3,000,000以下、好ましくは1,000,000以下、より好ましくは500,000以下、さらに好ましくは200,000以下、特に好ましくは100,000以下である。また、当該重量平均分子量は、通常2,500以上、好ましくは5,000以上、より好ましくは10,000以上、さらに好ましくは15,000以上、特に好ましくは17,000以上である。 The weight average molecular weight (Mw) of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (2) is usually 3,000,000 or less, preferably 1,000,000 or less, more preferably 500,000 or less. , more preferably 200,000 or less, and particularly preferably 100,000 or less. The weight average molecular weight is usually 2,500 or more, preferably 5,000 or more, more preferably 10,000 or more, still more preferably 15,000 or more, and particularly preferably 17,000 or more.

式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の重量平均分子量が上記上限値以下であることで、溶媒に対する溶解性が得られ、成膜性に優れる傾向にある。また、該重合体の重量平均分子量が上記下限値以上であることで、重合体のガラス転移温度、融点及び気化温度の低下が抑制され、耐熱性が向上する場合がある。 When the weight-average molecular weight of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (2) is equal to or less than the above upper limit value, solubility in a solvent is obtained, and film-forming properties tend to be excellent. Further, when the weight average molecular weight of the polymer is at least the above lower limit, the decrease in the glass transition temperature, melting point and vaporization temperature of the polymer may be suppressed, and the heat resistance may be improved.

また、式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体における数平均分子量(Mn)は、通常2,500,000以下、好ましくは750,000以下、より好ましくは400,000以下、特に好ましくは100,000以下である。また、当該数平均分子量は、通常2,000以上、好ましくは4,000以上、より好ましくは6,000以上、さらに好ましくは8,000以上である。 In addition, the number average molecular weight (Mn) of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (2) is usually 2,500,000 or less, preferably 750,000 or less, more preferably 400,000 or less. , particularly preferably 100,000 or less. Moreover, the number average molecular weight is usually 2,000 or more, preferably 4,000 or more, more preferably 6,000 or more, and still more preferably 8,000 or more.

さらに、式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体における分散度(Mw/Mn)は、好ましくは3.5以下、さらに好ましくは2.5以下、特に好ましくは2.0以下である。なお、分散度は値が小さい程よいため、下限値は理想的には1である。当該重合体の分散度が、上記上限値以下であると、精製が容易で、また溶媒に対する溶解性や電荷輸送能が良好である。 Furthermore, the dispersion degree (Mw/Mn) of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (2) is preferably 3.5 or less, more preferably 2.5 or less, and particularly preferably 2.0. It is below. Note that the lower limit value is ideally 1 because the smaller the value of the degree of dispersion, the better. When the degree of dispersion of the polymer is equal to or less than the above upper limit, purification is easy, and solubility in a solvent and charge transportability are good.

式(3)又は式(4)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは10,000以上であり、より好ましくは15,000以上であり、さらに好ましくは17,000以上である。また、当該重量平均分子量は、好ましくは2,000,000以下であり、より好ましくは1,000,000以下であり、特に好ましくは100,000以下である。 The weight average molecular weight (Mw) of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (3) or formula (4) is preferably 10,000 or more, more preferably 15,000 or more, More preferably, it is 17,000 or more. Also, the weight average molecular weight is preferably 2,000,000 or less, more preferably 1,000,000 or less, and particularly preferably 100,000 or less.

式(3)又は式(4)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の重量平均分子量が上記上限値以下であることで、不純物の高分子量化が抑制され、容易に精製ができる傾向にある。また、該重合体の重量平均分子量が上記下限値以上であることで、ガラス転移温度、融点、気化温度などの低下が抑制され、耐熱性が向上する傾向にある。 When the weight-average molecular weight of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (3) or formula (4) is equal to or less than the above upper limit, impurities can be suppressed from increasing in molecular weight and purification can be easily performed. There is a tendency. Further, when the weight-average molecular weight of the polymer is at least the above lower limit, the decrease in glass transition temperature, melting point, vaporization temperature, etc. is suppressed, and heat resistance tends to be improved.

また、式(3)又は式(4)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の数平均分子量(Mn)は、好ましくは1,000,000以下であり、より好ましくは800,000以下であり、さらに好ましくは500,000以下である。また、当該数平均分子量は好ましくは4,000以上であり、より好ましくは8,000以上であり、さらに好ましくは10,000以上である。 Further, the number average molecular weight (Mn) of the second polymer containing repeating units represented by formula (3) or formula (4) is preferably 1,000,000 or less, more preferably 800,000. or less, more preferably 500,000 or less. Also, the number average molecular weight is preferably 4,000 or more, more preferably 8,000 or more, and still more preferably 10,000 or more.

さらに、式(3)又は式(4)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の分散度(Mw/Mn)は、好ましくは3.5以下であり、より好ましくは3.0以下であり、さらに好ましくは2.4以下であり、特に好ましくは2.1以下であり、最も好ましくは2以下である。また、当該重合体の分散度は、好ましくは1以上であり、より好ましくは1.1以上であり、さらに好ましくは1.2以上である。当該重合体の分散度が上記上限値以下であることで、精製が容易となり、溶媒に対する溶解性の低下抑制や、電荷輸送能の低下抑制ができる傾向にある。 Furthermore, the dispersity (Mw/Mn) of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (3) or formula (4) is preferably 3.5 or less, more preferably 3.0 or less. is more preferably 2.4 or less, particularly preferably 2.1 or less, and most preferably 2 or less. Further, the dispersion degree of the polymer is preferably 1 or more, more preferably 1.1 or more, and still more preferably 1.2 or more. When the degree of dispersion of the polymer is equal to or less than the above upper limit, purification is facilitated, and there is a tendency to suppress a decrease in solubility in a solvent and a decrease in charge-transporting ability.

通常、重合体の重量平均分子量及び数平均分子量はSEC(サイズ排除クロマトグラフィー)測定により決定される。SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量が算出される。 The weight average molecular weight and number average molecular weight of a polymer are usually determined by SEC (size exclusion chromatography) measurements. In SEC measurement, the higher the molecular weight, the shorter the elution time, and the lower the molecular weight, the longer the elution time. By conversion, the weight average molecular weight and number average molecular weight are calculated.

[具体例]
式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の具体例を以下に示すが、本発明に用いる第2の第2の重合体はこれらに限定されるものではない。なお、化学式中の数字は繰返し単位のモル比を表す。nは繰り返し数を表す。
[Concrete example]
Specific examples of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (2) are shown below, but the second polymer used in the present invention is not limited to these. The numbers in the chemical formulas represent the molar ratio of repeating units. n represents the number of repetitions.

これらの第2の重合体は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、又はグラフト共重合体等のいずれでもよく、単量体の配列順序には限定されない。 These second polymers may be random copolymers, alternating copolymers, block copolymers, graft copolymers, or the like, and the sequence of the monomers is not limited.

Figure 2023012818000035
Figure 2023012818000035

式(3)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体及び、式(3)で表される繰り返し単位のArが式(10)で表される構造を有する第2の重合体の具体例を以下に示すが、本発明で用いる第2の重合体はこれらに限定されるものではない。なお、化学式中の数字は繰返し単位のモル比を表す。nは繰り返し数を表す。 A second polymer containing a repeating unit represented by formula (3) and a second polymer having a structure in which Ar 2 of the repeating unit represented by formula (3) is represented by formula (10) Specific examples are shown below, but the second polymer used in the present invention is not limited to these. The numbers in the chemical formulas represent the molar ratio of repeating units. n represents the number of repetitions.

これらの第2の重合体は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、又はグラフト共重合体等のいずれでもよく、単量体の配列順序は限定されない。 These second polymers may be random copolymers, alternating copolymers, block copolymers, graft copolymers, or the like, and the sequence of the monomers is not limited.

Figure 2023012818000036
Figure 2023012818000036

Figure 2023012818000037
Figure 2023012818000037

Figure 2023012818000038
Figure 2023012818000038

式(4)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体の具体例を以下に示すが、本発明で用いる第2の重合体はこれらに限定されるものではない。なお、化学式中の数字は繰返し単位のモル比を表す。nは繰り返し数を表す。 Specific examples of the second polymer containing the repeating unit represented by formula (4) are shown below, but the second polymer used in the present invention is not limited to these. The numbers in the chemical formulas represent the molar ratio of repeating units. n represents the number of repetitions.

これらの第2の重合体は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、又はグラフト共重合体等のいずれでもよく、単量体の配列順序には限定されない。 These second polymers may be random copolymers, alternating copolymers, block copolymers, graft copolymers, or the like, and the sequence of the monomers is not limited.

Figure 2023012818000039
Figure 2023012818000039

Figure 2023012818000040
Figure 2023012818000040

<第2の重合体の製造方法>
第2の有機層が含有する第2の重合体の製造方法は特には制限されず任意である。例えば、Suzuki反応による重合方法、Grignard反応による重合方法、Yamamoto反応による重合方法、Ullmann反応による重合方法、Buchwald-Hartwig反応による重合方法等などが挙げられる。
<Method for producing the second polymer>
The method for producing the second polymer contained in the second organic layer is not particularly limited and is arbitrary. Examples thereof include a polymerization method by Suzuki reaction, a polymerization method by Grignard reaction, a polymerization method by Yamamoto reaction, a polymerization method by Ullmann reaction, a polymerization method by Buchwald-Hartwig reaction, and the like.

Ullmann反応による重合方法及びBuchwald-Hartwig反応による重合方法の場合、例えば、下記式(2a)で表されるジハロゲン化アリール(ZはI、Br、Cl、F等のハロゲン原子を表す。)と下記式(2b)で表される1級アミノアリールとを反応させることにより、前記式(2)で表される繰り返し単位を含む第2の重合体が合成される。 In the case of the polymerization method by the Ullmann reaction and the polymerization method by the Buchwald-Hartwig reaction, for example, an aryl dihalide represented by the following formula (2a) (Z represents a halogen atom such as I, Br, Cl, F) and the following A second polymer containing the repeating unit represented by the formula (2) is synthesized by reacting it with a primary aminoaryl represented by the formula (2b).

Figure 2023012818000041
Figure 2023012818000041

(上記反応式中、Ar、R、R、X、a~dは前記式(2)におけると同義である。) (In the above reaction formula, Ar 1 , R 1 , R 2 , X, and a to d have the same meanings as in formula (2) above.)

また、Ullmann反応による重合方法及びBuchwald-Hartwig反応による重合方法の場合、例えば、式(3a)で表されるジハロゲン化アリール(ZはI、Br、Cl、F等のハロゲン原子を表す。)と式(3b)で表される1級アミノアリールとを反応させることにより、式(3)で表される繰り返し単位を含む重合体が合成される。 Further, in the case of the polymerization method by the Ullmann reaction and the polymerization method by the Buchwald-Hartwig reaction, for example, an aryl dihalide represented by the formula (3a) (Z represents a halogen atom such as I, Br, Cl, F) and A polymer containing a repeating unit represented by formula (3) is synthesized by reacting it with a primary aminoaryl represented by formula (3b).

Figure 2023012818000042
Figure 2023012818000042

(上記反応式中、Ar、R~R、k~m、p、qは前記式(3)におけると同義である。) (In the above reaction formula, Ar 2 , R 3 to R 6 , km to m, p, and q have the same meanings as in formula (3) above.)

なお、上記の重合方法において、通常、N-アリール結合を形成する反応は、例えば炭酸カリウム、tert-ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行う。また、例えば銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。 In the polymerization method described above, the reaction for forming the N-aryl bond is usually carried out in the presence of a base such as potassium carbonate, sodium tert-butoxy, or triethylamine. It can also be carried out in the presence of a transition metal catalyst such as copper or a palladium complex.

[第2の組成物]
以下、第2の有機層を形成する第2の組成物について説明する。
第2の組成物は、第2の重合体及び溶媒(有機溶媒)を含有する。この第2の組成物は通常湿式成膜法で本発明の量子ドット発光素子の有機層を形成するために用いられる。該有機層は、特に本発明の発光層形成用組成物により形成された発光層に隣接する正孔輸送層であることが好ましい。なお、第2の組成物は、第2の重合体を1種類含有するものであってもよく、2種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で含有するものであってもよい。
[Second composition]
The second composition forming the second organic layer will be described below.
The second composition contains a second polymer and a solvent (organic solvent). This second composition is generally used to form the organic layers of the quantum dot light-emitting device of the present invention by a wet film-forming method. The organic layer is preferably a hole-transporting layer adjacent to a light-emitting layer formed from the composition for forming a light-emitting layer of the present invention. The second composition may contain one type of the second polymer, or may contain two or more types in any combination and in any ratio.

(第2の重合体の含有量)
第2の組成物中の上記の第2の重合体の含有量は、通常0.01質量%以上70質量%以下、好ましくは0.1質量%以上60質量%、さらに好ましくは0.5質量%以上50質量%以下である。第2の重合体の含有量が上記範囲内であると、形成した有機層に欠陥が生じ難く、また膜厚ムラが生じ難いため好ましい。
(Content of second polymer)
The content of the second polymer in the second composition is usually 0.01% by mass or more and 70% by mass or less, preferably 0.1% by mass or more and 60% by mass, more preferably 0.5% by mass. % or more and 50 mass % or less. When the content of the second polymer is within the above range, defects are less likely to occur in the formed organic layer, and film thickness unevenness is less likely to occur, which is preferable.

(溶媒)
第2の組成物は、通常、溶媒を含有する。この溶媒は、第2の重合体を溶解するものが好ましい。具体的には、第2の重合体を第2の組成物中に、室温で通常0.05質量%以上、好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上溶解させる溶媒が好適である。
(solvent)
The second composition usually contains a solvent. This solvent preferably dissolves the second polymer. Specifically, a solvent capable of dissolving the second polymer in the second composition at room temperature in an amount of usually 0.05% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 1% by mass or more is suitable. is.

溶媒の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族系溶媒;1,2-ジクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶媒;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル等の脂肪族エステル系溶媒;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル等のエステル系溶媒;等の有機溶媒、その他、後述の正孔注入層形成用組成物や正孔輸送層形成用組成物に用いられる有機溶媒が挙げられる。 Specific examples of solvents include aromatic solvents such as toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene and methylnaphthalene; halogen-containing solvents such as 1,2-dichloroethane, chlorobenzene and o-dichlorobenzene; ethylene glycol dimethyl ether and ethylene glycol diethyl. Ethers, aliphatic ethers such as propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4- Ether solvents such as aromatic ethers such as methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole and 2,4-dimethylanisole; Aliphatic ester solvents such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate and n-butyl lactate; Ester-based solvents such as aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, isopropyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Organic solvents used in the composition for forming the injection layer and the composition for forming the hole transport layer can be mentioned.

なお、溶媒は、1種類を用いてもよく、2種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。 In addition, one solvent may be used, or two or more solvents may be used in any combination and in any ratio.

溶媒の20℃における表面張力は、通常40dyn/cm未満、好ましくは36dyn/cm以下、より好ましくは33dyn/cm以下である。 The surface tension of the solvent at 20° C. is generally less than 40 dyn/cm, preferably 36 dyn/cm or less, more preferably 33 dyn/cm or less.

また一方で、溶媒の25℃における蒸気圧は、通常10mmHg以下であり、好ましくは5mmHg以下であり、通常0.1mmHg以上である。このような溶媒を使用することにより、量子ドット発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適で、第2の重合体の性質に適した第2の組成物を調製することができる。 On the other hand, the vapor pressure of the solvent at 25° C. is usually 10 mmHg or less, preferably 5 mmHg or less, and usually 0.1 mmHg or more. By using such a solvent, it is possible to prepare a second composition suitable for the process of manufacturing a quantum dot light-emitting device by a wet film-forming method and suitable for the properties of the second polymer.

このような溶媒の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶媒、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒が挙げられる。 Specific examples of such solvents include aromatic solvents such as toluene, xylene, mesitylene and cyclohexylbenzene, ether solvents and ester solvents.

ところで、水分は量子ドット発光素子の性能劣化を引き起こす可能性があり、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性がある。そこで、湿式成膜中に残留する水分をできる限り低減するために、溶媒の25℃における水の溶解度は、1質量%以下が好ましく、0.1質量%以下がより好ましい。 By the way, moisture may cause performance deterioration of the quantum dot light-emitting device, and in particular, it may promote a decrease in luminance during continuous driving. Therefore, in order to reduce water remaining during wet film formation as much as possible, the solubility of the solvent in water at 25° C. is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less.

第2の組成物中の溶媒の含有量は、通常10質量%以上、好ましくは30質量%以上、より好ましくは50質量%以上、特に好ましくは80質量%以上である。溶媒の含有量が上記下限以上であることにより、形成される層の平坦さ及び均一さを良好にすることができる。 The content of the solvent in the second composition is usually 10% by mass or more, preferably 30% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and particularly preferably 80% by mass or more. When the content of the solvent is at least the above lower limit, the flatness and uniformity of the formed layer can be improved.

[電子受容性化合物]
第2の組成物は、低抵抗化する点で、さらに電子受容性化合物を含有することが好ましい。特に、第2の組成物を、正孔注入層を形成するために用いる場合には、第2の組成物は電子受容性化合物を含有することが好ましい。
[Electron-accepting compound]
The second composition preferably further contains an electron-accepting compound in order to reduce the resistance. Especially when the second composition is used to form a hole injection layer, the second composition preferably contains an electron-accepting compound.

電子受容性化合物としては、酸化力を有し、第2の有機層に含有される第2の重合体から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、電子親和力が5eV以上である化合物がさらに好ましい。 As the electron-accepting compound, a compound having an oxidizing power and an ability to accept one electron from the second polymer contained in the second organic layer is preferable. Specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound having an electron affinity of 5 eV or more is more preferable.

第2の組成物は、上記のような電子受容性化合物の1種を単独で含んでいてもよく、また2種以上を任意の組み合わせ、及び比率で含んでいてもよい。 The second composition may contain one of the above electron-accepting compounds alone, or may contain two or more in any combination and ratio.

第2の組成物が電子受容性化合物を含む場合、第2の組成物中の電子受容性化合物の含有量は、通常0.0005質量%以上、好ましくは0.001質量%以上であり、通常20質量%以下、好ましくは10質量%以下である。 When the second composition contains an electron-accepting compound, the content of the electron-accepting compound in the second composition is usually 0.0005% by mass or more, preferably 0.001% by mass or more, and usually It is 20% by mass or less, preferably 10% by mass or less.

また、第2の組成物中の第2の重合体に対する電子受容性化合物の割合は、通常0.5質量%以上、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上であり、通常80質量%以下、好ましくは60質量%以下、さらに好ましくは40質量%以下である。 The ratio of the electron-accepting compound to the second polymer in the second composition is usually 0.5% by mass or more, preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and is usually 80% by mass or more. % by mass or less, preferably 60% by mass or less, more preferably 40% by mass or less.

第2の組成物中の電子受容性化合物の含有量が上記下限以上であると、第2の重合体から電子受容体が電子を受容し、形成した有機層が低抵抗化するため好ましい。第2の組成物中の電子受容性化合物の含有量が上記上限以下であると、形成した有機層に欠陥が生じ難く、また膜厚ムラが生じ難いため好ましい。 It is preferable that the content of the electron-accepting compound in the second composition is at least the above lower limit, because the electron acceptor accepts electrons from the second polymer and the resistance of the formed organic layer is lowered. When the content of the electron-accepting compound in the second composition is equal to or less than the above upper limit, defects are less likely to occur in the formed organic layer, and film thickness unevenness is less likely to occur, which is preferable.

[カチオンラジカル化合物]
第2の組成物は、更にカチオンラジカル化合物を含有していてもよい。
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
[Cation Radical Compound]
The second composition may further contain a cation radical compound.
The cation radical compound is preferably an ionic compound composed of a cation radical, which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole-transporting compound, and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole-transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.

また、カチオンラジカルとしては、後述の正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、及び溶解性等の点から好適である。 Moreover, the cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the hole-transporting compound described later. From the viewpoints of amorphousness, visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like, chemical species obtained by removing one electron from a compound that is preferable as a hole-transporting compound is preferable.

ここで、カチオンラジカル化合物は、後述の正孔輸送性化合物と前述の電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。 Here, the cation radical compound can be produced by mixing the hole-transporting compound described later and the electron-accepting compound described above. That is, by mixing the hole-transporting compound and the electron-accepting compound, electron transfer occurs from the hole-transporting compound to the electron-accepting compound, and the cation radical of the hole-transporting compound and the counter anion A cationic compound is produced.

第2の組成物がカチオンラジカル化合物を含む場合、第2の組成物のカチオンラジカル化合物の含有量は、通常0.0005質量%以上、好ましくは0.001質量%以上であり、通常40質量%以下、好ましくは20質量%以下である。カチオンラジカル化合物の含有量が上記下限以上であると形成した有機層が低抵抗化するため好ましく、上記上限以下であると形成した有機層に欠陥が生じ難く、また膜厚ムラが生じ難いため好ましい。 When the second composition contains a cation radical compound, the content of the cation radical compound in the second composition is usually 0.0005% by mass or more, preferably 0.001% by mass or more, and usually 40% by mass. Below, preferably 20% by mass or less. When the content of the cation radical compound is at least the above lower limit, the resistance of the formed organic layer is preferably reduced. .

なお、第2の組成物には、上記の成分以外に、後述の正孔注入層形成用組成物や正孔輸送層形成用組成物に含まれる成分を、後述の含有量で含有していてもよい。 In addition to the above components, the second composition contains components contained in the hole injection layer-forming composition and the hole transport layer-forming composition, which will be described later, in the amounts described later. good too.

[量子ドット発光素子の構造]
本発明の量子ドット発光素子の構造の一例として、図1に量子ドット発光素子8の構造例の模式図(断面)を示す。図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表す。
[Structure of quantum dot light-emitting device]
As an example of the structure of the quantum dot light emitting device of the present invention, FIG. 1 shows a schematic diagram (cross section) of a structural example of a quantum dot light emitting device 8. As shown in FIG. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, 6 is an electron transport layer, and 7 is a cathode.

<基板>
基板1は、量子ドット発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。基板は、外気による量子ドット発光素子の劣化が起こり難いことからガスバリア性の高い材質とするのが好ましい。このため、特に合成樹脂製の基板等のようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を上げるのが好ましい。
<Substrate>
The substrate 1 serves as a support for the quantum dot light-emitting device, and is usually made of quartz or glass plate, metal plate or metal foil, plastic film or sheet, or the like. Among these, glass plates and transparent synthetic resin plates such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate and polysulfone are preferred. The substrate is preferably made of a material having a high gas barrier property because deterioration of the quantum dot light-emitting element due to outside air is unlikely to occur. Therefore, especially when using a material having low gas barrier properties such as a synthetic resin substrate, it is preferable to provide a dense silicon oxide film or the like on at least one side of the substrate to improve the gas barrier properties.

<陽極>
陽極2は、発光層5側の層に正孔を注入する機能を担う。
<Anode>
The anode 2 has the function of injecting holes into the layer on the light-emitting layer 5 side.

陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属;インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物;ヨウ化銅等のハロゲン化金属;カーボンブラック及びポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。 Anode 2 is typically made of metals such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum; metal oxides such as indium and/or tin oxide; metal halides such as copper iodide; carbon black and poly(3 -methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline.

陽極2の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより形成することもできる。また、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。 The anode 2 is usually formed by a dry method such as a sputtering method or a vacuum deposition method. In addition, when the anode is formed using metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., it may be added to an appropriate binder resin solution. It can also be formed by dispersing and coating on a substrate. In the case of a conductive polymer, a thin film can be formed directly on a substrate by electrolytic polymerization, or an anode can be formed by coating a conductive polymer on a substrate (Appl. Phys. Lett., 60 2711, 1992).

陽極2は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極2が積層構造である場合、1層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。 The anode 2 usually has a single-layer structure, but may have a laminated structure as appropriate. When the anode 2 has a laminated structure, different conductive materials may be laminated on the first layer of the anode.

陽極2の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて決めればよい。特に高い透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が60%以上となる厚みが好ましく、可視光の透過率が80%以上となる厚みが更に好ましい。陽極2の厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下である。一方、透明性が不要な場合は、陽極2の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすればよく、この場合、陽極2は基板と同一の厚みでもよい。 The thickness of the anode 2 may be determined according to the required transparency and material. When particularly high transparency is required, the thickness is preferably such that the visible light transmittance is 60% or more, and more preferably the thickness is such that the visible light transmittance is 80% or more. The thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. On the other hand, when transparency is not required, the thickness of the anode 2 may be arbitrarily set according to the required strength, etc. In this case, the thickness of the anode 2 may be the same as that of the substrate.

陽極2の表面に他の層を成膜する場合は、成膜前に、紫外線/オゾン、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極2上の不純物を除去すると共に、そのイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくことが好ましい。 When another layer is formed on the surface of the anode 2, the impurity on the anode 2 is removed and its ionization potential is changed by treating with ultraviolet rays/ozone, oxygen plasma, argon plasma, etc. before the film formation. is preferably adjusted to improve the hole injection property.

<正孔注入層>
陽極2側から発光層5側に正孔を輸送する機能を担う層は、通常、正孔注入輸送層又は正孔輸送層と呼ばれる。そして、陽極2側から発光層5側に正孔を輸送する機能を担う層が2層以上ある場合に、より陽極側に近い方の層を正孔注入層3と呼ぶことがある。正孔注入層3は、陽極2から発光層5側に正孔を輸送する機能を強化する点で、形成されることが好ましい。正孔注入層3を形成する場合、通常、正孔注入層3は、陽極2上に形成される。
<Hole injection layer>
A layer that functions to transport holes from the anode 2 side to the light emitting layer 5 side is usually called a hole injection transport layer or a hole transport layer. When there are two or more layers that function to transport holes from the anode 2 side to the light emitting layer 5 side, the layer closer to the anode side may be called the hole injection layer 3 . The hole injection layer 3 is preferably formed in order to enhance the function of transporting holes from the anode 2 to the light emitting layer 5 side. When forming the hole injection layer 3 , the hole injection layer 3 is usually formed on the anode 2 .

正孔注入層3の膜厚は、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下である。 The film thickness of the hole injection layer 3 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

正孔注入層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。 A method for forming the hole injection layer may be a vacuum deposition method or a wet film formation method. From the viewpoint of excellent film-forming properties, it is preferable to form the film by a wet film-forming method.

以下に、一般的な正孔注入層の形成方法について説明するが、本発明の量子ドット発光素子において、正孔注入層は、正孔注入層形成用組成物を用いて湿式成膜法により形成されることが好ましい。 A general method for forming a hole injection layer will be described below. In the quantum dot light emitting device of the present invention, the hole injection layer is formed by a wet film formation method using a composition for forming a hole injection layer. preferably.

(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層3となる正孔輸送性化合物を含有する。また、正孔注入層形成用組成物は、湿式成膜法の場合は、通常、更に溶媒も含有する。正孔注入層形成用組成物は、正孔輸送性が高く、注入された正孔を効率よく輸送できるのが好ましい。このため、正孔移動度が大きく、トラップとなる不純物が製造時や使用時等に発生し難いことが好ましい。また、安定性に優れ、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。特に、正孔注入層が発光層と接する場合は、発光層からの発光を消光しないものや発光層とエキサイプレックスを形成して、発光効率を低下させないものが好ましい。
(Hole-transporting compound)
The hole injection layer-forming composition usually contains a hole-transporting compound that forms the hole injection layer 3 . Moreover, the composition for forming a hole injection layer usually further contains a solvent in the case of the wet film-forming method. It is preferable that the composition for forming a hole injection layer has a high hole-transporting property and can efficiently transport the injected holes. For this reason, it is preferable that the hole mobility is large and that impurities that become traps are less likely to occur during manufacture or use. Moreover, it is preferable that it has excellent stability, a small ionization potential, and a high transparency to visible light. In particular, when the hole injection layer is in contact with the light-emitting layer, it is preferable to use a material that does not quench light emitted from the light-emitting layer or that forms an exciplex with the light-emitting layer so as not to lower the light emission efficiency.

正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から、4.5eV~6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、キナクリドン系化合物等が挙げられる。 The hole-transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode to the hole injection layer. Examples of hole-transporting compounds include aromatic amine-based compounds, phthalocyanine-based compounds, porphyrin-based compounds, oligothiophene-based compounds, polythiophene-based compounds, benzylphenyl-based compounds, compounds in which tertiary amines are linked with fluorene groups, and hydrazones. compounds, silazane compounds, quinacridone compounds, and the like.

上述の例示化合物のうち、非晶質性及び可視光透過性の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 Among the exemplified compounds described above, aromatic amine compounds are preferred, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferred, from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は、特に制限されないが、表面平滑化効果により均一な発光を得やすい点から、重量平均分子量が1,000以上、1,000,000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)を用いることが好ましい。 The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the point that uniform light emission is easily obtained due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (repeated It is preferable to use a polymerizable compound in which units are linked.

(湿式成膜法による正孔注入層の形成)
湿式成膜法により正孔注入層3を形成する場合、通常、正孔注入層となる材料を可溶な溶媒(正孔注入層用溶媒)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製する。そして、この正孔注入層形成用組成物を正孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して成膜し、乾燥させることにより正孔注入層3を形成する。
(Formation of hole injection layer by wet film formation method)
When the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method, a material for the hole injection layer is usually mixed with a soluble solvent (solvent for the hole injection layer) to form a film formation composition (hole Injection layer forming composition) is prepared. Then, the hole injection layer 3 is formed by coating the hole injection layer forming composition on the layer (usually the anode) corresponding to the lower layer of the hole injection layer to form a film and drying it.

正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点では、低い方が好ましく、また、一方、正孔注入層に欠陥が生じ難い点では、高い方が好ましい。具体的には、0.01質量%以上であるのが好ましく、0.1質量%以上であるのが更に好ましく、0.5質量%以上であるのが特に好ましく、一方、70質量%以下であるのが好ましく、60質量%以下であるのが更に好ましく、50質量%以下であるのが特に好ましい。 The concentration of the hole-transporting compound in the hole-injection layer-forming composition is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. , a higher value is preferable from the viewpoint that defects are less likely to occur in the hole injection layer. Specifically, it is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and particularly preferably 0.5% by mass or more. It is preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less.

溶媒としては、例えば、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒等が挙げられる。 Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents and the like.

エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル及び1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。 Examples of ether-based solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA), 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, and anisole. , phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole and 2,4-dimethylanisole.

エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。 Examples of ester solvents include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate and n-butyl benzoate.

芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3-イソプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。 Examples of aromatic hydrocarbon solvents include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylbiphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. be done.

アミド系溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等が挙げられる。 Examples of amide solvents include N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide.

これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。 In addition to these, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.

正孔注入層3の湿式成膜法による形成は、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後に、これを、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより行われる。
正孔注入層3は、通常、成膜後に、加熱や減圧乾燥等により塗布膜を乾燥させる。
Formation of the hole injection layer 3 by a wet film-forming method is usually carried out by preparing a composition for forming a hole injection layer and then applying it on a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2). It is carried out by coating and forming a film on the surface and drying it.
After forming the hole injection layer 3, the coating film is usually dried by heating, drying under reduced pressure, or the like.

(真空蒸着法による正孔注入層の形成)
真空蒸着法により正孔注入層3を形成する場合には、通常、正孔注入層3の構成材料の1種類又は2種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ)、真空容器内を真空ポンプで10-4Pa程度まで排気する。その後、坩堝を加熱して(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して)、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ(2種類以上の材料を用いる場合は、通常それぞれ独立して蒸発量を制御しながら蒸発させ)、坩堝に向き合って置かれた基板上の陽極上に正孔注入層を形成する。なお、2種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層を形成することもできる。
(Formation of hole injection layer by vacuum evaporation method)
When the hole injection layer 3 is formed by a vacuum deposition method, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 are usually placed in a crucible placed in a vacuum vessel (two or more materials are placed in separate crucibles), and the inside of the vacuum chamber is evacuated to about 10 −4 Pa by a vacuum pump. After that, the crucible is heated (usually each crucible is heated when two or more materials are used) to evaporate while controlling the amount of evaporation of the material in the crucible (when two or more materials are used, (usually independently controlling the amount of evaporation) to form a hole-injecting layer on the anode on the substrate placed facing the crucible. When two or more materials are used, a mixture thereof can be placed in a crucible, heated and evaporated to form the hole injection layer.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上、50℃以下である。 The degree of vacuum during vapor deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. 12.0×10 −4 Pa) or less. The vapor deposition rate is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is usually 0.1 Å/second or more and 5.0 Å/second or less. The film formation temperature during vapor deposition is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but is preferably 10° C. or higher and 50° C. or lower.

なお、正孔注入層3は、架橋されていてもよい。 Note that the hole injection layer 3 may be crosslinked.

<正孔輸送層>
正孔輸送層4は、陽極2側から発光層5側に正孔を輸送する機能を担う層である。正孔輸送層4は、本発明の量子ドット発光素子では、陽極2から発光層5に正孔を輸送する機能を強化する点では、この層を形成することが好ましい。正孔輸送層4を形成する場合、通常、正孔輸送層4は、陽極2と発光層5の間に形成される。また、上述の正孔注入層3がある場合は、正孔注入層3と発光層5の間に形成される。
<Hole transport layer>
The hole transport layer 4 is a layer that functions to transport holes from the anode 2 side to the light emitting layer 5 side. In the quantum dot light-emitting device of the present invention, the hole transport layer 4 is preferably formed from the viewpoint of enhancing the function of transporting holes from the anode 2 to the light-emitting layer 5 . When forming the hole transport layer 4 , the hole transport layer 4 is usually formed between the anode 2 and the light emitting layer 5 . Further, when the hole injection layer 3 described above is present, it is formed between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 5 .

正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、一方、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。 The film thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

正孔輸送層4の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。 A method for forming the hole transport layer 4 may be a vacuum deposition method or a wet film formation method. From the viewpoint of excellent film-forming properties, it is preferable to form the film by a wet film-forming method.

以下に一般的な正孔輸送層の形成方法について説明するが、本発明の量子ドット発光素子において、正孔輸送層は、正孔輸送層形成用組成物として、前述の第2の組成物を用いて湿式成膜法により形成されることが好ましい。 A general method for forming a hole transport layer will be described below. It is preferably formed by a wet film formation method.

正孔輸送層4は、通常、正孔輸送性化合物を含有する。正孔輸送層4に含まれる正孔輸送性化合物としては、第2の有機層が含有する第2の重合体が好ましい。 The hole transport layer 4 usually contains a hole transport compound. The hole-transporting compound contained in the hole-transporting layer 4 is preferably the second polymer contained in the second organic layer.

正孔輸送層4には、第2の重合体の他に、前記正孔輸送性化合物、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルで代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4”-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4’-N,N’-ジカルバゾールビフェニル等のカルバゾール誘導体等が好ましいものとして挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7-53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等を含んでもよい。 In the hole-transporting layer 4, in addition to the second polymer, the hole-transporting compound, represented by 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl, Aromatic diamine containing two or more tertiary amines and having two or more condensed aromatic rings substituted on the nitrogen atom (JP-A-5-234681), 4,4′,4″-tris(1-naphthylphenyl Aromatic amine compounds having a starburst structure such as amino)triphenylamine (J. Lumin., Vol. 72-74, pp. 985, 1997), aromatic amine compounds composed of a tetramer of triphenylamine (Chem. Commun., 2175, 1996), spiro compounds such as 2,2′,7,7′-tetrakis-(diphenylamino)-9,9′-spirobifluorene (Synth. Metals, 91, 209, 1997), 4,4'-N,N'-dicarbazole biphenyl, etc. Also, for example, polyvinylcarbazole, polyvinyltriphenylamine (JP-A-7-53953), tetra Polyarylene ether sulfone containing phenylbenzidine (Polym. Adv. Tech., Vol. 7, p. 33, 1996) and the like may also be included.

(湿式成膜法による正孔輸送層の形成)
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成物を用いて形成させる。
(Formation of hole transport layer by wet film formation method)
When the hole transport layer is formed by a wet film formation method, holes are usually added instead of the composition for forming a hole injection layer in the same manner as in the case of forming the hole injection layer by the wet film formation method. It is formed using a composition for forming a transport layer.

湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、通常、正孔輸送層形成用組成物は、更に溶媒を含有する。正孔輸送層形成用組成物に用いる溶媒は、上述の正孔注入層形成用組成物で用いる溶媒と同様の溶媒を使用することができる。 When forming a hole transport layer by a wet film-forming method, the composition for forming a hole transport layer usually further contains a solvent. As the solvent used in the composition for forming a hole transport layer, the same solvent as the solvent used in the composition for forming a hole injection layer can be used.

正孔輸送層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度と同様の範囲とすることができる。 The concentration of the hole-transporting compound in the hole-transporting layer-forming composition can be in the same range as the concentration of the hole-transporting compound in the hole-injection layer-forming composition.

正孔輸送層の湿式成膜法による形成は、前述の正孔注入層成膜法と同様に行うことができる。 The formation of the hole transport layer by the wet film formation method can be performed in the same manner as the hole injection layer formation method described above.

(真空蒸着法による正孔輸送層の形成)
真空蒸着法で正孔輸送層を形成する場合についても、通常、上述の正孔注入層を真空蒸着法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成物を用いて形成させることができる。蒸着時の真空度、蒸着速度及び温度等の成膜条件などは、前記正孔注入層の真空蒸着時と同様の条件で成膜することができる。
(Formation of hole transport layer by vacuum deposition method)
When the hole-transporting layer is formed by a vacuum vapor deposition method, a hole-transporting layer is generally used instead of the composition for forming a hole-injecting layer in the same manner as in the case of forming the hole-injecting layer by a vacuum vapor deposition method. It can be formed using a layer-forming composition. Film formation conditions such as degree of vacuum, vapor deposition rate and temperature during vapor deposition can be the same as those for the vacuum vapor deposition of the hole injection layer.

<発光層>
発光層5は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極2から注入される正孔と陰極7から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。
発光層5は、陽極2と陰極7の間に形成される層であり、発光層は、陽極の上に正孔注入層がある場合は、正孔注入層と陰極の間に形成され、陽極の上に正孔輸送層がある場合は、正孔輸送層と陰極の間に形成される。
本発明における量子ドット発光素子は、発光層として、第一の実施形態における発光層、又は、第二の実施形態における発光層を有することが好ましい。
<Light emitting layer>
The light-emitting layer 5 is a layer that functions to emit light by being excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 7 when an electric field is applied between a pair of electrodes. .
The light-emitting layer 5 is a layer formed between the anode 2 and the cathode 7, and the light-emitting layer is formed between the hole-injection layer and the cathode, if there is a hole-injection layer on the anode, and the anode If there is a hole-transport layer on top, it is formed between the hole-transport layer and the cathode.
The quantum dot light-emitting device in the present invention preferably has the light-emitting layer in the first embodiment or the light-emitting layer in the second embodiment as the light-emitting layer.

発光層5の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、また、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。このため、発光層5の膜厚は、2nm以上であるのが好ましく、5nm以上であるのが更に好ましく、一方、通常200nm以下であるのが好ましく、100nm以下であるのが更に好ましい。 The film thickness of the light-emitting layer 5 is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. However, a thicker film is preferable because defects are less likely to occur in the film. . For this reason, the thickness of the light-emitting layer 5 is preferably 2 nm or more, more preferably 5 nm or more, and is usually 200 nm or less, more preferably 100 nm or less.

発光層5は、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、1つ又は複数のホスト材料を含有する。ホスト材料は通常、電荷輸送材料であるが、電荷輸送性を調整するために電荷輸送性の低い材料を配合してもよい。 The light-emitting layer 5 contains at least a material having light-emitting properties (light-emitting material) and preferably contains one or more host materials. The host material is usually a charge-transporting material, but a material with low charge-transporting properties may be added to adjust the charge-transporting properties.

(湿式成膜法による発光層の形成)
発光層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよいが、成膜性に優れることから、湿式成膜法が好ましく、スピンコート法及びインクジェット法が更に好ましい。特に、本発明の発光層形成用組成物を用いて、発光層の下層となる正孔注入層又は正孔輸送層を形成すると、湿式成膜法による積層化が容易であるため、湿式成膜法を採用することが好ましい。湿式成膜法により発光層を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに、発光層となる材料を可溶な溶媒(発光層用溶媒)と混合して調製した発光層形成用組成物を用いて形成する。
(Formation of light-emitting layer by wet film-forming method)
A method for forming the light-emitting layer may be either a vacuum deposition method or a wet film formation method, but the wet film formation method is preferred because of its excellent film formability, and the spin coating method and the ink jet method are more preferred. In particular, when the composition for forming a light-emitting layer of the present invention is used to form a hole-injection layer or a hole-transport layer, which is the lower layer of the light-emitting layer, lamination by a wet film-forming method is easy. It is preferable to adopt the law. When the light-emitting layer is formed by a wet film-forming method, a light-emitting layer and A light-emitting layer-forming composition prepared by mixing these materials with a soluble solvent (light-emitting layer solvent) is used.

溶媒としては、例えば、正孔注入層の形成について挙げたエーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒の他、アルカン系溶媒、ハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族アルコール系溶媒、脂環族アルコール系溶媒、脂肪族ケトン系溶媒及び脂環族ケトン系溶媒等が挙げられる。以下に溶媒の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。 Examples of the solvent include ether-based solvents, ester-based solvents, aromatic hydrocarbon-based solvents, amide-based solvents, alkane-based solvents, halogenated aromatic hydrocarbon-based solvents, aliphatic group alcohol solvents, alicyclic alcohol solvents, aliphatic ketone solvents, alicyclic ketone solvents and the like. Specific examples of the solvent are listed below, but are not limited to these as long as the effects of the present invention are not impaired.

例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル系溶媒;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル系溶媒;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル系溶媒;トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、3-イソプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒;n-デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン系溶媒;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール系溶媒;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール系溶媒;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン系溶媒;シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン系溶媒等が挙げられる。これらのうち、アルカン系溶媒及び芳香族炭化水素系溶媒が特に好ましい。 For example, aliphatic ether solvents such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2 -Aromatic ether solvents such as methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, diphenyl ether; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic ester solvents such as ethyl, propyl benzoate, n-butyl benzoate; toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, tetralin, 3-isopropylbiphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4 - aromatic hydrocarbon solvents such as diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene and methylnaphthalene; amide solvents such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide; n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, bicyclohexane Halogenated aromatic hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; Aliphatic alcohol solvents such as butanol and hexanol; Alicyclic alcohol solvents such as cyclohexanol and cyclooctanol; , dibutyl ketone and other aliphatic ketone solvents; cyclohexanone, cyclooctanone, fencon and other alicyclic ketone solvents; Among these, alkane solvents and aromatic hydrocarbon solvents are particularly preferred.

<正孔阻止層>
発光層5と後述の電子輸送層6との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層5の上に、発光層5の陰極7側の界面に接するように積層される層である。
<Hole blocking layer>
A hole-blocking layer may be provided between the light-emitting layer 5 and the electron-transporting layer 6, which will be described later. The hole-blocking layer is a layer laminated on the light-emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light-emitting layer 5 on the cathode 7 side.

この正孔阻止層は、陽極2から移動してくる正孔を陰極7に到達するのを阻止する役割と、陰極7から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T)が高いことが挙げられる。 This hole-blocking layer has the role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 7 and the role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 7 toward the light-emitting layer 5. have. The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer include high electron mobility and low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and an excited triplet level (T 1 ). is high.

このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2-メチル-8-キノラト)アルミニウム-μ-オキソ-ビス-(2-メチル-8-キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11-242996号公報)、3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7-41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10-79297号公報)等が挙げられる。更に、国際公開第2005/022962号に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。 Examples of materials for the hole blocking layer that satisfy these conditions include bis(2-methyl-8-quinolinolato)(phenolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsilanolate)aluminum, and the like. mixed ligand complexes, bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolato) aluminum binuclear metal complexes such as metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives and the like Styryl compounds (JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (JP-A-11-242996) 7-41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), and the like. Furthermore, the compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6 positions described in WO 2005/022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer.

正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。 There are no restrictions on the method of forming the hole blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上であり、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。 The thickness of the hole-blocking layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but it is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less. .

<電子輸送層>
電子輸送層6は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層5と陰極7との間に設けられる。
<Electron transport layer>
The electron transport layer 6 is provided between the light emitting layer 5 and the cathode 7 for the purpose of further improving the current efficiency of the device.

電子輸送層6は、電界を与えられた電極間において陰極7から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層6に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極7からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し、注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。 The electron transport layer 6 is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 7 toward the light-emitting layer 5 between electrodes to which an electric field is applied. The electron-transporting compound used in the electron-transporting layer 6 is a compound that has high electron injection efficiency from the cathode 7, high electron mobility, and can efficiently transport the injected electrons. is required.

電子輸送層に用いる電子輸送性化合物としては、具体的には、例えば、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-ヒドロキシフラボン金属錯体、5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459号公報)、2-tert-ブチル-9,10-N,N’-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等が挙げられる。 Specific examples of the electron-transporting compound used in the electron-transporting layer include metal complexes such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (JP-A-59-194393), and 10-hydroxybenzo[h]quinoline. metal complexes, oxadiazole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948 specification), quinoxaline compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-tert-butyl-9,10-N,N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide, and the like.

電子輸送層6の膜厚は、通常1nm以上、好ましくは5nm以上であり、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。 The film thickness of the electron transport layer 6 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

電子輸送層6は、前記と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層又は正孔阻止層上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。 The electron-transporting layer 6 is formed by laminating the light-emitting layer or the hole-blocking layer by a wet film-forming method or a vacuum vapor deposition method in the same manner as described above. A vacuum deposition method is usually used.

<電子注入層>
陰極7から注入された電子を効率よく電子輸送層6又は発光層5へ注入するために、電子輸送層6と陰極7との間に電子注入層を設けてもよい。
<Electron injection layer>
An electron injection layer may be provided between the electron transport layer 6 and the cathode 7 in order to efficiently inject electrons injected from the cathode 7 into the electron transport layer 6 or the light emitting layer 5 .

電子注入を効率よく行うには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。 In order to efficiently inject electrons, the material forming the electron injection layer is preferably a metal with a low work function. Examples thereof include alkali metals such as sodium and cesium, alkaline earth metals such as barium and calcium, and the like. The film thickness is preferably 0.1 nm or more and 5 nm or less.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10-270171号公報、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報等に記載)ことも、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。 Furthermore, an organic electron-transporting material typified by a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium or rubidium ( JP-A-10-270171, JP-A-2002-100478, JP-A-2002-100482, etc.) also improves the electron injection and transport properties and makes it possible to achieve both excellent film quality. preferable.

電子注入層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。 The film thickness of the electron injection layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

電子注入層は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層5又はその上の正孔阻止層や電子輸送層6上に積層することにより形成される。
湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層の場合と同様である。
The electron injection layer is formed by laminating the light emitting layer 5 or the hole blocking layer or the electron transport layer 6 thereon by a wet film forming method or a vacuum deposition method.
The details of the wet film formation method are the same as those of the light-emitting layer described above.

正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層を電子輸送材料とリチウム錯体共ドープの操作で一層にする場合にもある。 In some cases, the hole-blocking layer, the electron-transporting layer, and the electron-injecting layer are formed into a single layer by the operation of co-doping the electron-transporting material and the lithium complex.

<陰極>
陰極7は、発光層5側の層(電子注入層又は発光層など)に電子を注入する役割を果たす。
<Cathode>
The cathode 7 plays a role of injecting electrons into a layer (an electron injection layer, a light-emitting layer, or the like) on the light-emitting layer 5 side.

陰極7の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金等が用いられる。具体例としては、例えば、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム-リチウム合金等の低仕事関数の合金電極等が挙げられる。 As the material of the cathode 7, it is possible to use the material used for the anode 2, but in terms of efficient electron injection, it is preferable to use a metal with a low work function, such as tin or magnesium. , indium, calcium, aluminum, and silver, or alloys thereof. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, and aluminum-lithium alloys.

量子ドット発光素子の安定性の点では、陰極の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極を保護することが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。 From the viewpoint of the stability of the quantum dot light-emitting device, it is preferable to protect the cathode made of a metal with a low work function by stacking a metal layer that has a high work function and is stable against the atmosphere on the cathode. Metals to be laminated include, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum.

陰極の膜厚は通常、陽極と同様である。 The film thickness of the cathode is generally similar to that of the anode.

<その他の層>
本発明の量子ドット発光素子は、本発明の効果を著しく損なわなければ、更に他の層を有していてもよい。すなわち、陽極と陰極との間に、上述の他の任意の層を有していてもよい。
<Other layers>
The quantum dot light-emitting device of the present invention may further have other layers as long as they do not significantly impair the effects of the present invention. That is, it may have any of the other layers described above between the anode and cathode.

<その他の素子構成>
本発明の量子ドット発光素子は、上述の説明とは逆の構造、即ち、例えば、基板上に陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に積層することも可能である。
<Other device configurations>
The quantum dot light-emitting device of the present invention has a structure opposite to that described above. It is also possible to laminate the injection layer and the anode in this order.

本発明の量子ドット発光素子を有機電界発光装置に適用する場合は、単一の量子ドット発光素子として用いても、複数の量子ドット発光素子がアレイ状に配置された構成にして用いても、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構成にして用いてもよい。 When applying the quantum dot light-emitting device of the present invention to an organic electroluminescent device, even if it is used as a single quantum dot light-emitting device, even if it is used in a configuration in which a plurality of quantum dot light-emitting devices are arranged in an array, A configuration in which anodes and cathodes are arranged in an XY matrix may be used.

〔量子ドット表示装置〕
本発明の量子ドット表示装置(量子ドット発光素子表示装置)は、本発明の量子ドット発光素子を備える。本発明の量子ドット表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の量子ドット発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
[Quantum dot display device]
The quantum dot display device (quantum dot light emitting device display device) of the present invention comprises the quantum dot light emitting device of the present invention. The type and structure of the quantum dot display device of the present invention are not particularly limited, and the quantum dot light emitting device of the present invention can be assembled according to a conventional method.

例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法を参考に有機発光層を、量子ドットを含む発光層に置き換えることで、本発明の量子ドット表示装置を形成することができる。 For example, referring to the method described in "Organic EL Display" (Ohmsha, August 20, 2004, by Shizuo Tokito, Chihaya Adachi, and Hideyuki Murata), the organic light-emitting layer is formed by quantum dots. The quantum dot display device of the present invention can be formed by replacing with a light-emitting layer containing

〔量子ドット照明〕
本発明の量子ドット照明(量子ドット発光素子照明)は、本発明の量子ドット発光素子を備える。本発明の量子ドット照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の量子ドット発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
[Quantum dot lighting]
The quantum dot illumination (quantum dot light emitting device illumination) of the present invention comprises the quantum dot light emitting device of the present invention. The type and structure of the quantum dot illumination of the present invention are not particularly limited, and the quantum dot light emitting device of the present invention can be assembled according to a conventional method.

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be arbitrarily modified without departing from the scope of the invention.

[実施例1]
量子ドット発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を50nmの厚さに堆積したもの(ジオマテック社製、スパッタ成膜品)を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにITOをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Example 1]
A quantum dot light-emitting device was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate to a thickness of 50 nm (manufactured by Geomatec, a sputter-deposited product) was subjected to a 2 mm-wide stripe using ordinary photolithography and etching with hydrochloric acid. was patterned to form an anode. The substrate on which the ITO pattern is formed in this manner is washed with ultrasonic waves using an aqueous solution of surfactant, washed with ultrapure water, ultrasonically washed with ultrapure water, and washed with ultrapure water in this order, and then dried with compressed air. , and finally performed ultraviolet ozone cleaning.

正孔注入層形成用組成物として、下記式(P-1)の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物3.0質量%と、電子受容性化合物(HI-1)0.6質量%とを、安息香酸エチルに溶解させた組成物を調製した。 As a composition for forming a hole injection layer, 3.0% by mass of a hole-transporting polymer compound having a repeating structure of the following formula (P-1) and 0.6% by mass of an electron-accepting compound (HI-1) was dissolved in ethyl benzoate to prepare a composition.

Figure 2023012818000043
Figure 2023012818000043

この正孔注入層形成用組成物を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中ホットプレートで240℃、30分乾燥させ、膜厚40nmの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。 This composition for forming a hole injection layer was spin-coated on the substrate in the atmosphere and dried on a hot plate in the atmosphere at 240° C. for 30 minutes to form a uniform thin film with a thickness of 40 nm, forming a hole injection layer. and

次に、下記の構造式(HT-1)を有する電荷輸送性高分子化合物を、2.0質量%の濃度で1,3,5-トリメチルベンゼンに溶解させ、正孔輸送層形成用組成物を調製した。 Next, a charge-transporting polymer compound having the following structural formula (HT-1) is dissolved in 1,3,5-trimethylbenzene at a concentration of 2.0% by mass to form a hole-transporting layer-forming composition. was prepared.

Figure 2023012818000044
Figure 2023012818000044

この正孔輸送層形成用組成物を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで230℃、30分間乾燥させ、膜厚40nmの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。 This composition for forming a hole transport layer is spin-coated in a nitrogen glove box onto the substrate on which the hole injection layer has been applied and formed, and dried on a hot plate in a nitrogen glove box at 230° C. for 30 minutes to form a film. A uniform thin film with a thickness of 40 nm was formed as a hole transport layer.

引続き、CdZnSeSナノ粒子を1.35質量%、下記式(H-1)で表される構造を有する化合物を0.15質量%含む組成のトルエン溶液を発光層形成用組成物として調製し、これを上記正孔輸送層までを塗布成膜した基板上に、窒素グローブボックス中で毎分3000回転で30秒間スピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで100℃、10分間乾燥させて発光層とした。 Subsequently, a toluene solution containing 1.35% by mass of CdZnSeS nanoparticles and 0.15% by mass of a compound having a structure represented by the following formula (H-1) was prepared as a composition for forming a light-emitting layer. is spin-coated on the substrate on which the film up to the hole transport layer is coated for 30 seconds at 3000 rpm in a nitrogen glove box, and dried on a hot plate in a nitrogen glove box at 100 ° C. for 10 minutes to form a light-emitting layer. and

Figure 2023012818000045
Figure 2023012818000045

発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置に設置し、装置内を2×10-4Pa以下になるまで排気した。 The substrate on which up to the light-emitting layer was formed was placed in a vacuum deposition apparatus, and the inside of the apparatus was evacuated to 2×10 −4 Pa or less.

次に、下記の構造式(ET-1)および8-ヒドロキシキノリノラトリチウムを2:3の膜厚比で、発光層上に真空蒸着法にて共蒸着し、膜厚45nmの電子輸送層を形成した。 Next, structural formula (ET-1) shown below and 8-hydroxyquinolinolatritium were co-deposited on the light-emitting layer at a film thickness ratio of 2:3 by a vacuum vapor deposition method to form an electron-transporting layer having a film thickness of 45 nm. formed.

Figure 2023012818000046
Figure 2023012818000046

続いて、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のITOストライプとは直交するように基板に密着させて、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する量子ドット発光素子を得た。
Subsequently, a striped shadow mask with a width of 2 mm was adhered to the substrate so as to be orthogonal to the ITO stripes of the anode as a mask for cathode evaporation, and aluminum was heated with a molybdenum boat to form an aluminum layer with a thickness of 80 nm. formed to form the cathode.
As described above, a quantum dot light-emitting device having a light-emitting area portion with a size of 2 mm×2 mm was obtained.

[比較例1]
CdZnSeSナノ粒子を1.5質量%含み、前記式(H-1)で表される構造を有する化合物を含まない組成のトルエン溶液を用いて発光層を形成した他は、実施例1と同様にして量子ドット発光素子を作製した。
[Comparative Example 1]
The procedure of Example 1 was repeated, except that the light-emitting layer was formed using a toluene solution having a composition containing 1.5% by mass of CdZnSeS nanoparticles and not containing the compound having the structure represented by the formula (H-1). A quantum dot light-emitting device was fabricated by

[素子の評価]
実施例1および比較例1で得られた量子ドット発光素子を発光させると、ピーク波長628nm、半値幅27nmの赤色発光が得られた。素子に10mA/cmの電流密度で通電し続けた際の輝度半減寿命(LT50)を測定した。
表1に、比較例1の量子ドット発光素子の輝度半減寿命(LT50)を1とした場合の実施例1の量子ドット発光素子の相対輝度半減寿命を示す。
表1中、CdZnSeSナノ粒子を「QD」と記載し、式(H-1)で表される構造を有する化合物を「H-1」と記載する。
[Evaluation of element]
When the quantum dot light-emitting devices obtained in Example 1 and Comparative Example 1 were caused to emit light, red light emission with a peak wavelength of 628 nm and a half width of 27 nm was obtained. The luminance half-life (LT50) was measured when the device was continuously energized at a current density of 10 mA/cm 2 .
Table 1 shows the relative luminance half life of the quantum dot light emitting device of Example 1 when the luminance half life (LT50) of the quantum dot light emitting device of Comparative Example 1 is set to 1.
In Table 1, the CdZnSeS nanoparticles are described as "QD", and the compound having the structure represented by formula (H-1) is described as "H-1".

Figure 2023012818000047
Figure 2023012818000047

表1の結果から、本発明の量子ドット発光素子では、性能が向上することが判った。 From the results in Table 1, it was found that the performance of the quantum dot light-emitting device of the present invention was improved.

本発明は、量子ドット発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)や、面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することができる。 The present invention is applicable to various fields in which quantum dot light-emitting devices are used, such as flat panel displays (for example, OA computers and wall-mounted TVs), and light sources that take advantage of the characteristics of surface light emitters (for example, light sources for copiers). , backlight sources for liquid crystal displays and instruments), display boards, indicator lamps, and the like.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 陰極
8 量子ドット発光素子
REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate 2 anode 3 hole injection layer 4 hole transport layer 5 light emitting layer 6 electron transport layer 7 cathode 8 quantum dot light emitting device

Claims (9)

量子ドットと、下記式(1)で表される化合物と、有機溶媒とを含む、量子ドット発光素子の発光層形成用組成物。
Figure 2023012818000048
(式(1)中、
Ar21、Ar22はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
21~R24はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。)
A composition for forming a light emitting layer of a quantum dot light emitting device, comprising quantum dots, a compound represented by the following formula (1), and an organic solvent.
Figure 2023012818000048
(In formula (1),
Ar 21 and Ar 22 are each independently an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group, an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic ring or a structure selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group represents a monovalent group in which 2 to 7 are linked,
Each of R 21 to R 24 is independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted C 6 to 30 aromatic hydrocarbon group, and a substituted group. an aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have substituents and 3 to 3 carbon atoms which may have substituents represents a monovalent group in which 2 to 7 structures selected from 30 aromatic heterocyclic groups are linked,
e and g are each independently an integer of 0 to 4,
f and h are each independently an integer of 0 to 3; )
量子ドットと、下記式(1A)で表される化合物と、有機溶媒とを含む、量子ドット発光素子の発光層形成用組成物。
Figure 2023012818000049
(式(1A)中、Ar21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hは、前記式(1)におけるAr21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hと同義である。)
A composition for forming a light emitting layer of a quantum dot light emitting device, comprising quantum dots, a compound represented by the following formula (1A), and an organic solvent.
Figure 2023012818000049
(In formula (1A), Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, g, and h are Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, Synonymous with g and h.)
請求項1又は2に記載の量子ドット発光素子の発光層形成用組成物を塗布、乾燥して発光層を形成する工程を含む、量子ドット発光素子の製造方法。 A method for producing a quantum dot light-emitting device, comprising the steps of applying and drying the composition for forming a light-emitting layer of a quantum dot light-emitting device according to claim 1 or 2 to form a light-emitting layer. 請求項3の量子ドット発光素子の製造方法を含む、量子ドット表示装置の製造方法。 A method for manufacturing a quantum dot display device, comprising the method for manufacturing the quantum dot light emitting device according to claim 3. 請求項3の量子ドット発光素子の製造方法を含む、量子ドット照明の製造方法。 A method for manufacturing a quantum dot illumination, comprising the method for manufacturing a quantum dot light emitting device according to claim 3. 陽極、陰極、及び陽極と陰極の間に設けられた発光層を有し、
該発光層が、量子ドットと、下記式(1)で表される化合物を含む、量子ドット発光素子。
Figure 2023012818000050
(式(1)中、
Ar21、Ar22はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
21~R24はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基、又は、置換基を有していてもよい炭素数6~30の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数3~30の芳香族複素環基から選択される構造が2~7個連結した1価の基を表し、
e、gは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
f、hは、それぞれ独立して、0~3の整数である。)
having an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode;
A quantum dot light-emitting device, wherein the light-emitting layer contains quantum dots and a compound represented by the following formula (1).
Figure 2023012818000050
(In formula (1),
Ar 21 and Ar 22 are each independently an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group, an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic ring or a structure selected from an optionally substituted C 6-30 aromatic hydrocarbon group and an optionally substituted C 3-30 aromatic heterocyclic group represents a monovalent group in which 2 to 7 are linked,
Each of R 21 to R 24 is independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted C 6 to 30 aromatic hydrocarbon group, and a substituted group. an aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms which may have substituents and 3 to 3 carbon atoms which may have substituents represents a monovalent group in which 2 to 7 structures selected from 30 aromatic heterocyclic groups are linked,
e and g are each independently an integer of 0 to 4,
f and h are each independently an integer of 0 to 3; )
陽極、陰極、及び陽極と陰極の間に設けられた発光層を有し、
該発光層が、量子ドットと、下記式(1A)で表される化合物を含む、量子ドット発光素子。
Figure 2023012818000051
(式(1A)中、Ar21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hは、前記式(1)におけるAr21、Ar22、R21~R24、e、f、g、hと同義である。)
having an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode;
A quantum dot light-emitting device, wherein the light-emitting layer contains a quantum dot and a compound represented by the following formula (1A).
Figure 2023012818000051
(In formula (1A), Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, g, and h are Ar 21 , Ar 22 , R 21 to R 24 , e, f, Synonymous with g and h.)
請求項6又は7に記載の量子ドット発光素子を含む、量子ドット表示装置。 A quantum dot display device comprising the quantum dot light emitting device according to claim 6 or 7. 請求項6又は7に記載の量子ドット発光素子を含む、量子ドット照明。
A quantum dot illumination comprising the quantum dot light emitting device according to claim 6 or 7.
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