JP2023012325A - メモリー制御装置、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】省エネモードでの揮発メモリーのセルフリフレッシュに費やされる消費電力をより低減させる。【解決手段】メモリー制御装置において、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３に対するアクセス時間及びＤＲＡＭ５３に記憶されているデータ量に基づきＤＲＡＭ５３の動作率Ｍを算出し、この算出された動作率Ｍ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに基づきＤＲＡＭ５３の温度Ｔを算出し、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作を中断して省エネモードへと移行した場合に、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔに対応するセルフリフレッシュの周期を設定して、この設定された周期のセルフリフレッシュをＤＲＡＭ５３で行わせる。【選択図】図３

Description

本発明は、揮発メモリーのセルフリフレッシュを制御するメモリー制御装置及びそれを備える画像形成装置に関し、特に、揮発メモリーのセルフリフレッシュに費やされる消費電力を抑えるための技術に関する。

周知のように揮発メモリー（例えば、Dynamic Random Access Memory：ＤＲＡＭ）では、キャパシター（記憶素子）に蓄えられている電荷（情報）が放電されて失われるため、周期的に電荷をリフレッシュさせる必要がある。

特許文献１では、セルフリフレッシュ機能を有するＳＤＲＡＭと、ＳＤＲＡＭを制御するプロセッサーとを備え、プロセッサーは、クロックが供給されているときに動作して、ＳＤＲＡＭに対して外部リフレッシュを行い、またクロックが供給されなくなると停止して、外部リフレッシュを行わず、これに伴ってＳＤＲＡＭのリフレッシュが外部リフレッシュからセルフリフレッシュに切り替えられ、ＳＤＲＡＭに記憶されているプログラムが保持される。プロセッサーは、クロックの供給が再開されると、ＳＤＲＡＭに記憶されているプログラムを実行する。これにより、プロセッサーの消費電力が低減され、プログラムの再開を速やかに行うことが可能となる。

特開２０１０－２０５０６２号公報

しかしながら、上記特許文献１では、プロセッサーの消費電力を低減させ、プロセッサーによるプログラムの速やかなる再開を可能にしているが、ＤＲＡＭのセルフリフレッシュに費やされる消費電力を低減させてはいない。

本発明は、上記の事情に鑑みなされたものであり、省エネモードでの揮発メモリーのセルフリフレッシュに費やされる消費電力をより低減させながらも、省エネモードからの復帰に際しては、揮発メモリーに記憶されているプログラム及びデータを直ちに利用できるようにすることを目的とする。

本発明の一局面にかかるメモリー制御装置は、揮発メモリーと、前記揮発メモリーの雰囲気温度を検出する温度検出部と、前記揮発メモリーに対するアクセス時間及び前記揮発メモリーに記憶されているデータ量に基づき前記揮発メモリーの動作率を算出し、前記算出された動作率及び前記温度検出部により検出された雰囲気温度に基づき前記揮発メモリーの温度を算出し、前記揮発メモリーに対する書込み及び読込み動作を中断して省エネモードへと移行した場合に、前記揮発メモリーの温度に対応する前記セルフリフレッシュの周期を設定して、前記設定された周期のセルフリフレッシュを前記揮発メモリーで行わせる制御部と、を備えるものである。

また、本発明の一局面にかかる画像形成装置は、上記本発明のメモリー制御装置と、画像を記録紙に形成する画像形成部と、を備えるものである。

本発明によれば、省エネモードでの揮発メモリーのセルフリフレッシュに費やされる消費電力をより低減させながらも、省エネモードからの復帰に際しては、揮発メモリーに記憶されているプログラム及びデータを直ちに利用することができる。

本発明の一実施形態にかかるメモリー制御装置が適用された画像形成装置を示す断面図である。 本実施形態の画像形成装置の主要内部構成を示す機能ブロック図である。 本実施形態の画像形成装置における制御ユニットの構成を示すブロック図である。 ＤＲＡＭの動作率Ｍ及び温度センサーにより検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭの温度Ｔの特性を示すグラフである。 ＤＲＡＭのセルフリフレッシュを実行するための制御手順を示すフローチャートである。 ＤＲＡＭに対する書込み及び読込みの動作の中断時点からの経過時間Ｋ及び温度センサーにより検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭの温度Ｔの特性を示すグラフである。

以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態にかかるメモリー制御装置が適用された画像形成装置を示す断面図である。図１に示すように本実施形態の画像形成装置１０は、例えばコピー機能、プリンター機能、ファクシミリ機能のような複数の機能を兼ね備えたＭＦＰ（複合機）である。この画像形成装置１０は、画像読取部１１と、画像形成部１２とを備えている。

画像読取部１１は、原稿の画像を光学的に読み取る撮像素子（ＣＣＤセンサー）を有しており、この撮像素子のアナログ出力がデジタル信号に変換されて、原稿の画像を示す画像データが生成される。

画像形成部１２は、上記画像データによって示される画像を記録紙に形成するものであり、マゼンタ用の画像形成ユニット３Ｍ、シアン用の画像形成ユニット３Ｃ、イエロー用の画像形成ユニット３Ｙ、及びブラック用の画像形成ユニット３Ｂｋを備えている。各画像形成ユニット３Ｍ、３Ｃ、３Ｙ、及び３Ｂｋのいずれにおいても、感光体ドラム４の表面を均一帯電させ、感光体ドラム４の表面を露光して、感光体ドラム４の表面に静電潜像を形成し、感光体ドラム４の表面の静電潜像をトナー像に現像して、感光体ドラム４の表面のトナー像を中間転写ベルト５に１次転写する。これにより、カラーのトナー像が中間転写ベルト５上に形成される。このカラーのトナー像は、中間転写ベルト５と２次転写ローラー６の間のニップ域Ｎにおいて給紙部１４から搬送路８を通じて搬送されてきた記録紙Ｐに２次転写される。

この後、定着装置１５で記録紙Ｐが加熱及び加圧されて、記録紙Ｐ上のトナー像が熱圧着により定着され、更に記録紙Ｐが排出ローラー１６を通じて排出トレイ１７に排出される。

次に、図２は、本実施形態の画像形成装置１０の主要内部構成を示すブロック図である。図２に示すように本実施形態の画像形成装置１０は、画像読取部１１と、画像形成部１２と、表示部２１と、操作部２２と、タッチパネル２３と、記憶部２８と、制御ユニット２９とを備えている。これらの構成要素は、互いにバスを通じてデータ又は信号の送受信が可能とされている。

表示部２１は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）や有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode）ディスプレイなどから構成される。

操作部２２は、テンキー、決定キー、スタートキーなどの物理キーを備えている。

表示部２１の画面には、タッチパネル２３が配置されている。タッチパネル２３は、所謂抵抗膜方式や静電容量方式などのタッチパネルであって、タッチパネル２３に対するユーザーの指などの接触（タッチ）をその接触位置とともに検知して、その接触位置の座標を示す検知信号を制御ユニット２９の後述する制御部３１などに出力する。

記憶部２８は、ＳＳＤ（Solid State Drive）又はＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの大容量の記憶装置であって、各種のアプリケーションプログラムや種々のデータを記憶している。

制御ユニット２９は、ＳＯＣ(System on a chip)、ＲＯＭ（Read Only Memory）、及びＤＲＡＭ(Random Access Memory）などから構成される。制御ユニット２９は、上記のＲＯＭ又は記憶部２８に記憶された制御プログラムが上記のＳＯＣで実行されることにより、制御部３１として機能する。

制御部３１は、画像形成装置１０を統括的に制御する。制御ユニット２９は、画像読取部１１、画像形成部１２、表示部２１、操作部２２、タッチパネル２３、及び記憶部２８などと接続されている。制御部３１は、これらの構成要素の動作制御や、該各構成要素との間での信号またはデータの送受信を行う。

制御部３１は、画像形成装置１０による画像形成に必要な各種の処理などを実行する処理部としての役割を果たす。また、制御部３１は、タッチパネル２３から出力される検知信号あるいは操作部２２の物理キーの操作に基づき、ユーザーにより入力特許請求の範囲された操作指示を受け付ける。更に、制御部３１は、表示部２１の表示動作を制御する機能を有する。

このような構成の画像形成装置１０において、例えば、ユーザーが、原稿を画像読取部１１にセットし、操作部２２のスタートキーを操作すると、制御部３１は、画像読取部１１により原稿の画像を読取らせて、この画像を画像形成部１２により記録紙に印刷させる。

図３は、制御ユニット２９の構成を概略的に示すブロック図である。図３に示すように制御ユニット２９は、ＳＯＣ５１、ＲＯＭ５２、ＤＲＡＭ５３、及び温度センサー５４などを備えている。ＤＲＡＭ５３は、特許請求の範囲における揮発メモリーの一例である。

ＳＯＣ５１は、プログラム及びデータをＲＯＭ５２から読み出してＤＲＡＭ５３に記憶させ、ＤＲＡＭ５３に記憶されたプログラムを実行したり、データをＤＲＡＭ５３に対して書き込み及び読み出す。ＳＯＣ５１は、上記の制御部３１として機能する。

更に、ＳＯＣ５１は、通常動作のときに、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読出し動作を行いつつ、ＤＲＡＭ５３の外部リフレッシュを行う。また、ＳＯＣ５１は、画像形成装置１０の消費電力を低減させるための省エネモードを設定すると、ＤＲＡＭ５３のリフレッシュを外部リフレッシュからセルフリフレッシュに切り替える。省エネモードは、例えば操作部２２又はタッチパネル２３が操作されてない状態が一定時間継続したときに、ＳＯＣ５１が設定する。

温度センサー５４は、ＤＲＡＭ５３の周辺の雰囲気温度を検出する。

ここで、ＤＲＡＭ５３のリフレッシュには、大きな電力が消費されるので、この消費電力を低減させるのが望ましい。

上記のように省エネモードが設定されると、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の書込み及び読込みの動作を停止し、ＤＲＡＭ５３のリフレッシュを外部リフレッシュからセルフリフレッシュに切り替える。ＤＲＡＭ５３の書込み及び読込みの動作が停止された状態では、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期が変更されても、ＳＯＣ５１の動作に対する影響がない。そして、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期が長くなると、ＤＲＡＭ５３の消費電力が低減される。

また、ＤＲＡＭ５３のキャパシターの電荷は、ＤＲＡＭ５３の温度が低くなる程、放電され難くなって、放電に要する時間が長くなる。このため、ＤＲＡＭ５３の温度が低いときには、セルフリフレッシュの周期を長くして、ＤＲＡＭ５３の消費電力を低減させることが可能である。

そこで、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作を中断させて、省エネモードへと移行するときに、ＤＲＡＭ５３の温度が低いか否かを判定し、ＤＲＡＭ５３の温度が予め定められた温度よりも高いと判定すると、セルフリフレッシュの周期を通常周期Ｑｎに設定する。ＳＯＣ５１は、またＤＲＡＭ５３の温度が上記予め定められた温度以下と判定すると、セルフリフレッシュの周期を通常周期Ｑｎよりも長い周期Ｑｇに設定する。これにより、り、ＤＲＡＭ５３の消費電力を低減させる。

ただし、セルフリフレッシュの周期が長くなり過ぎると、ＤＲＡＭ５３のキャパシター（記憶素子）に蓄えられている電荷が著しく減少して、電荷を正しくリフレッシュさせることができなくなる。

このため、キャパシターの電荷を正しくリフレッシュさせることが可能なセルフリフレッシュの最長周期Ｑｘを実験などにより予め測定して設定しておく。上記のようにＤＲＡＭ５３の温度が低くなる程、キャパシターの電荷の放電に要する時間が長くなるので、その最長周期Ｑｘは、ＤＲＡＭ５３の温度が低い状態で設定されるものとする。

ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度が上記予め定められた温度よりも低いと判定すると、セルフリフレッシュの周期を、通常周期Ｑｎよりも長くかつ最長周期Ｑｘを超えない範囲の周期Ｑｇに設定して、ＤＲＡＭ５３の消費電力を低減させる。

すなわち、ＤＲＡＭ５３の温度が低くなる程、キャパシターの電荷が放電され難くなることに着眼し、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作が中断されて省エネモードへと移行されたときにＤＲＡＭ５３の温度が低い場合は、セルフリフレッシュの周期を、通常周期Ｑｎよりも長くかつ最長周期Ｑｘを超えない範囲の周期Ｑｇに設定して、ＤＲＡＭ５３の消費電力を低減させている。

本発明の一実施形態に係るメモリー制御装置は、揮発メモリーとしてのＤＲＡＭ５３と、温度検出部としての温度センサー５４と、ＳＯＣ５１とを少なくとも備えてなる。なお、本実施形態では、ＲＯＭ５２及びＳＯＣ５１が特許請求の範囲における制御部の一例となる。

図４に示すグラフは、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭ５３の温度Ｔの特性を示すグラフである。図４に示すグラフにおいて、横軸はＤＲＡＭ５３の動作率Ｍを示し、縦軸はＤＲＡＭ５３の温度Ｔを示す。また、特性線Ｓ１は、雰囲気温度Ｈｔが６０℃～４０℃のときの動作率Ｍに対する温度Ｔの変化を示す。更に、特性線Ｓ２は、雰囲気温度Ｈｔが３９℃～２０℃のときの動作率Ｍに対する温度Ｔの変化を示し、特性線Ｓ３は、雰囲気温度Ｈｔが１９℃～０℃のときの動作率Ｍに対する温度Ｔの変化を示す。なお、各特性線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、実験により予め測定されて求めたものである。

ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍは、ＤＲＡＭ５３に対するアクセス時間（書込み及び読込みの時間）及びＤＲＡＭ５３に記憶されているデータ量に応じて変化し、アクセス時間及びデータ量が大きくなる程、動作率Ｍが大きくなり、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが高くなる。また、雰囲気温度Ｈｔが高くなる程、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔも高くなる。

例えば、雰囲気温度Ｈｔが６０℃～４０℃である場合、ＤＲＡＭ５３の動作率ＭとＤＲＡＭ５３の温度Ｔが特性線Ｓ１により対応付けられ、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍがｍ１のときに、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔがｔ１となり、動作率Ｍが変動すると、特性線Ｓ１により対応付けられている温度Ｔも変動する。また、雰囲気温度Ｈｔが３９℃～２０℃である場合、ＤＲＡＭ５３の動作率ＭとＤＲＡＭ５３の温度Ｔが特性線Ｓ２により対応付けられ、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍがｍ２のときに、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔがｔ２となり、動作率Ｍが変動すると、特性線Ｓ２により対応付けられている温度Ｔも変動する。同様に、雰囲気温度Ｈｔが１９℃～０℃である場合、ＤＲＡＭ５３の動作率ＭとＤＲＡＭ５３の温度Ｔが特性線Ｓ３により対応付けられ、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍがｍ３のときに、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔがｔ３となり、動作率Ｍが変動すると、特性線Ｓ３により対応付けられている温度Ｔも変動する。

ＲＯＭ５２には、図４のグラフにおける各特性線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３によって示されるＤＲＡＭ５３の動作率Ｍ、温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔ、及びＤＲＡＭ５３の温度Ｔの対応関係を示すデータが予め記憶されている。

ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作の中断時に、ＤＲＡＭ５３に対するアクセス時間（書込み及び読込みの時間）及びＤＲＡＭ５３に記憶されているデータ量に基づきＤＲＡＭ５３の動作率Ｍを算出する。そして、ＳＯＣ５１は、ＲＯＭ５２に記憶されている図４のグラフに示されるデータを参照して、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭ５３の温度Ｔを取得する。

ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔを取得すると、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔを予め設定された温度閾値θと比較し、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下の場合に、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を、通常周期Ｑｎよりも長く、かつキャパシターの電荷を正しくリフレッシュさせることが可能なセルフリフレッシュの最長周期Ｑｘを超えない範囲の周期Ｑｇに変更する。例えば、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの長い周期Ｑｇとして、通常周期Ｑｎよりも１０％程長くて、セルフリフレッシュの最長周期Ｑｘを超えない周期が設定される。すなわち、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下の場合に、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を、予め定められた時間だけ長くする。これにより、ＤＲＡＭ５３の消費電力を低減させる。

なお、図４のグラフでは、雰囲気温度Ｈｔが６０℃～４０℃のときの特性線Ｓ１、雰囲気温度Ｈｔが３９℃～２０℃のときの特性線Ｓ２、雰囲気温度Ｈｔが１９℃～０℃のときの特性線Ｓ３を示しているが、雰囲気温度Ｈｔをより細かく区分して、より多くの特性線を実験により予め求めておき、これらの特性線別に、動作率Ｍ、雰囲気温度Ｈｔ、及び温度Ｔの対応関係を示すデータをＲＯＭ５２に記憶させてもよい。これにより、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに対するＤＲＡＭ５３の温度Ｔをより正確に取得することが可能となる。

また、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作を中断させる前に、通常動作への復帰に用いられるプログラム及びデータをＤＲＡＭ５３の規定領域に記憶させておき、この状態で、ＤＲＡＭ５３の規定領域のみに対してセルフリフレッシュを行わせる。

これにより、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュに消費される電力をより低減させながらも、省エネモードからの復帰に際しては、プログラム及びデータをＤＲＡＭ５３から直ちに読み出して利用することが可能となる。

次に、上記のようなＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュを実行するための制御手順を、図５に示すフローチャートを参照しつつ整理して説明する。

ＳＯＣ５１は、通常動作に際し、一定期間毎に、ＤＲＡＭ５３に対するアクセス時間（書込み及び読込みの時間）及びＤＲＡＭ５３に記憶されているデータ量を判定し（Ｓ１０１）、省エネモードへの移行を待機している（Ｓ１０２「Ｎｏ」）。

ＳＯＣ５１は、省エネモードへの移行を判定すると（Ｓ１０２「Ｙｅｓ」）、通常動作への復帰に用いられるプログラム及びデータをＤＲＡＭ５３の規定領域に記憶させる（Ｓ１０３）。

そして、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作を中断させて、Ｓ１０１で判定したＤＲＡＭ５３に対するアクセス時間（書込み及び読込みの時間）及びＤＲＡＭ５３に記憶されているデータ量に基づきＤＲＡＭ５３の動作率Ｍを算出する（Ｓ１０４）。また、ＳＯＣ５１は、温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔを取得し（Ｓ１０５）、ＲＯＭ５２に記憶されている図４のグラフに示されるデータを参照して、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭ５３の温度Ｔを取得する（Ｓ１０６）。

ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが予め設定された温度閾値θ以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θを超えていると判定した場合に（Ｓ１０７「Ｎｏ」）、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期として通常周期Ｑｎを設定する（Ｓ１０８）。更に、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３におけるデータ又はプログラムが記憶されている規定領域に対する通常周期ＱｎのセルフリフレッシュをＤＲＡＭ５３に指示して、ＤＲＡＭ５３により通常周期Ｑｎのセルフリフレッシュを該ＤＲＡＭ５３の規定領域に対して実行させる（Ｓ１０９）。

また、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下であると判定した場合に（Ｓ１０７「Ｙｅｓ」）、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期として、通常周期Ｑｎよりも長くかつキャパシターの電荷を正しくリフレッシュさせることが可能なセルフリフレッシュの最長周期Ｑｘを超えない範囲の周期Ｑｇを設定する（Ｓ１１０）。ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の規定領域に対するその長い周期ＱｇのセルフリフレッシュをＤＲＡＭ５３に指示して、ＤＲＡＭ５３によりその長い周期Ｑｇのセルフリフレッシュを該ＤＲＡＭ５３の規定領域に対して実行させる（Ｓ１１１）。

この後、ＳＯＣ５１は、通常動作への復帰を待機し（Ｓ１１２「Ｎｏ」）、通常動作への復帰を判定すると（Ｓ１１２「Ｙｅｓ」）、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュを停止させて（Ｓ１１３）、データ又はプログラムをＤＲＡＭ５３の規定領域から読み出し（Ｓ１１４）、通常動作に復帰する（Ｓ１１５）。

このように本実施形態では、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作が中断されて、省エネモードへと移行されときに、ＤＲＡＭ５３の温度が低ければ、セルフリフレッシュの周期を、通常周期Ｑｎよりも長くかつ最長周期Ｑｘを超えない範囲の周期Ｑｇに設定し、またＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込み動作を中断させる前に、通常動作への復帰に用いられるプログラム及びデータをＤＲＡＭ５３の規定領域に記憶させ、ＤＲＡＭ５３の規定領域のみに対してその長い周期Ｑｇのセルフリフレッシュを行わせている。これにより、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュに消費される電力をより低減させながらも、省エネモードからの復帰に際しては、プログラム及びデータをＤＲＡＭ５３から直ちに読み出して利用することが可能となる。

尚、上記実施形態では、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下である場合に、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を、通常周期Ｑｎよりも長くかつ最長周期Ｑｘを超えない範囲の周期Ｑｇに設定しているが、温度閾値θに対してＤＲＡＭ５３の温度Ｔが低くなる程、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を徐々に長くしてもよい。例えば、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下であると判定した場合に、温度閾値θに対するＤＲＡＭ５３の温度Ｔの温度差を算出し、温度差が－１℃であれば、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を１０％長くし、温度差が－２℃であれば、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を２０％長くするというように、温度差が－１℃低くなる毎に、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を、最長周期Ｑｘを超えない範囲において１０％ずつ長く設定する。

また、上記実施形態では、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込みの動作の中断時に、図４のグラフに示されるデータに基づき、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３の動作率Ｍ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭ５３の温度Ｔを取得し、この温度Ｔが温度閾値θ以下である場合に、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を長くしているが、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込みの動作が中断されてから省エネモードが設定されるまでの間に、放熱によりＤＲＡＭ５３の温度Ｔが低下する。このため、ＳＯＣ５１は、その間の放熱により低下したＤＲＡＭ５３の温度Ｔを取得して、この温度Ｔに基づきＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を設定してもよい。

図６に示すグラフは、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込みの動作の中断時点からの経過時間Ｋ及び温度センサー５４により検出された雰囲気温度Ｈｔに対応するＤＲＡＭ５３の温度Ｔの特性を示すグラフである。図６に示すグラフにおいて、横軸はＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込みの動作の中断時点からの経過時間Ｋを示し、縦軸はＤＲＡＭ５３の温度Ｔを示す。また、特性線Ｓ１１は、雰囲気温度Ｈｔが１９℃～０℃のときの経過時間Ｋに対する温度Ｔの変化を示し、特性線Ｓ１２は、雰囲気温度Ｈｔが３９℃～２０℃のときの経過時間Ｋに対する温度Ｔの変化を示し、特性線Ｓ１３は、雰囲気温度Ｈｔが６０℃～４０℃のときの経過時間Ｋに対する温度Ｔの変化を示している。

縦軸と各特性線Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３との交点の温度Ｔは、ＤＲＡＭ５３に対する書込み及び読込みの動作の中断時点でのＤＲＡＭ５３の温度Ｔを示している。この中断時点でのＤＲＡＭ５３の温度Ｔが上下に変動すると、各特性線Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３が上下に平行移動されて、縦軸と各特性線Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３との交点の温度Ｔが中断時点でのＤＲＡＭ５３の温度Ｔに一致するようにされる。

例えば、雰囲気温度Ｈｔが１９℃～０℃である場合、ＤＲＡＭ５３が良好に放熱されて、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが経過時間Ｋに伴い特性線Ｓ１１に沿って速やかに低下する。また、雰囲気温度Ｈｔが３９℃～２０℃である場合、ＤＲＡＭ５３がやや良好に放熱されて、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが経過時間Ｋに伴い特性線Ｓ１２に沿って低下する。更に、雰囲気温度Ｈｔが６０℃～４０℃である場合、ＤＲＡＭ５３が徐々に放熱されて、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが経過時間Ｋに伴い特性線Ｓ１３に沿って緩やかに低下する。

そして、雰囲気温度Ｈｔが１９℃～０℃である場合、経過時間Ｋが短いうちにＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下となるので、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期が長い周期Ｑｇに設定され易い傾向となる。また、雰囲気温度Ｈｔが３９℃～２０℃である場合、経過時間Ｋが長くなってからＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下となるので、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期が長い周期Ｑｇにやや設定され難い傾向となる。更に、雰囲気温度Ｈｔが６０℃～４０℃である場合、経過時間Ｋが十分に長くならなければ、ＤＲＡＭ５３の温度Ｔが温度閾値θ以下とならず、温度Ｔが温度閾値θ以下となる以前に省エネモードが開始されることがあり、この場合には、ＳＯＣ５１は、ＤＲＡＭ５３のセルフリフレッシュの周期を通常周期Ｑｎに設定する。

また、上記実施形態では、画像形成装置１０を例示しているが、本発明をプリンターあるいはコンピューターなどの他の電子機器に適用することが可能である。

また、図１乃至図６を用いて説明した上記実施形態の構成及び処理は、本発明の一例に過ぎず、本発明を当該構成及び処理に限定する趣旨ではない。

１０ 画像形成装置
１１ 画像読取部
１２ 画像形成部
２１ 表示部
２２ 操作部
２３ タッチパネル
２８ 記憶部
２９ 制御ユニット
３１ 制御部

Claims (6)

1. 揮発メモリーと、
   前記揮発メモリーの雰囲気温度を検出する温度検出部と、
   前記揮発メモリーに対するアクセス時間及び前記揮発メモリーに記憶されているデータ量に基づき前記揮発メモリーの動作率を算出し、前記算出された動作率及び前記温度検出部により検出された雰囲気温度に基づき前記揮発メモリーの温度を算出し、前記揮発メモリーに対する書込み及び読込み動作を中断して省エネモードへと移行した場合に、前記揮発メモリーの温度に対応する前記セルフリフレッシュの周期を設定して、前記設定された周期のセルフリフレッシュを前記揮発メモリーで行わせる制御部と、を備えるメモリー制御装置。
2. 前記制御部は、前記算出された揮発メモリーの温度が予め設定された閾値以下の場合に、前記セルフリフレッシュの周期を予め定められた時間だけ長く設定する処理を行う請求項１に記載のメモリー制御装置。
3. 前記制御部は、前記算出された揮発メモリーの温度が低くなる程、前記予め定められた時間を長く設定する請求項１に記載のメモリー制御装置。
4. 前記制御部は、前記揮発メモリーに対する書込み及び読込み動作を中断して前記省エネモードへと移行する前に、前記揮発メモリーに対する書込み及び読込み動作の復帰に用いられるデータ及びプログラムを前記揮発メモリーの予め設定された規定領域に記憶させ、前記規定領域のみに対して前記設定された周期のセルフリフレッシュを前記揮発メモリーで行わせる請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のメモリー制御装置。
5. 前記制御部は、前記揮発メモリーに対する書込み及び読込み動作の中断時に、前記算出された動作率及び前記温度検出部により検出された雰囲気温度に基づき前記揮発メモリーの温度を算出し、前記算出された温度を前記中断時から前記省エネモードの開始時までの経過時間に応じて補正して、前記補正された温度に対応する前記セルフリフレッシュの周期を設定する請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載のメモリー制御装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のメモリー制御装置と、
   画像を記録紙に形成する画像形成部と、を備える画像形成装置。

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