JP2023012133A - Circuit module and electronic device - Google Patents

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Eiji Yagi
浩之 山口
Hiroyuki Yamaguchi
邦彦 内田
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Abstract

To reduce signal transmission loss.SOLUTION: A circuit module 100 includes a slave substrate 101 having a signal line 11 and a master substrate 102 fixed to the slave substrate 101. The signal line 11 has a signal pattern 111, which is a conductor pattern, the signal pattern 111 facing a main surface 1191 of the master substrate 102 and arranged on a main surface 1171 of the slave substrate 101. The master substrate 102 has a conductor plane 15 arranged on the main surface 1191 so as to face the signal pattern 111 with spacing.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、信号の伝送技術に関する。 The present invention relates to signal transmission technology.

一般に、2つの半導体素子の間でデジタル信号の通信を行う場合、信号の伝送線路として信号線が用いられる。信号線は、プリント配線板等の基板に形成され、2つの半導体素子は、基板に実装される。信号線間で信号のクロストークを抑制するため、基板において、信号線は、絶縁層を介してグラウンド層又は電源層と隣接させるのが一般的である。特許文献1には、信号線が配置された導体層が、グラウンド層又は電源層と隣接して配置された構成のプリント配線板が開示されている。 In general, when performing digital signal communication between two semiconductor elements, a signal line is used as a signal transmission line. A signal line is formed on a substrate such as a printed wiring board, and two semiconductor elements are mounted on the substrate. In order to suppress signal crosstalk between signal lines, signal lines are generally placed adjacent to a ground layer or a power supply layer via an insulating layer on a substrate. Patent Document 1 discloses a printed wiring board in which a conductor layer having signal lines is arranged adjacent to a ground layer or a power supply layer.

特開2007-213375号公報JP 2007-213375 A

電子機器の高機能化に伴い、信号の伝送速度が高まる傾向にある。信号の高速化に伴い、信号の減衰量が増大する問題が顕著となってきている。信号線において信号の減衰量が増大すると、信号波が信号線を伝搬する過程で信号波形が歪み、信号の受信側の半導体素子において誤動作の虞がある。 2. Description of the Related Art As electronic devices become more sophisticated, signal transmission speeds tend to increase. As the speed of signals increases, the problem of increased signal attenuation has become conspicuous. If the amount of signal attenuation increases in the signal line, the signal waveform is distorted in the process of propagating the signal wave through the signal line, and there is a risk of malfunction in the semiconductor element on the signal receiving side.

本発明は、信号の伝送損失を低減することを目的とする。 An object of the present invention is to reduce signal transmission loss.

本発明の回路モジュールは、信号線を有する第1基板と、前記第1基板と固定された第2基板と、を備え、前記信号線は、前記第2基板の第2面に対向する、前記第1基板の第1面に配置された信号パターンを有し、前記第2基板は、前記信号パターンと間隔をあけて対向するよう、前記第2面に配置された導体プレーンを有する、ことを特徴とする。 A circuit module of the present invention includes a first substrate having a signal line, and a second substrate fixed to the first substrate, the signal line facing a second surface of the second substrate. A first substrate has a signal pattern arranged on a first surface thereof, and the second substrate has a conductor plane arranged on the second surface so as to face the signal pattern with a gap therebetween. Characterized by

本発明によれば、信号の伝送損失が低減される。 According to the present invention, signal transmission loss is reduced.

実施形態に係るデジタルカメラの説明図である。1 is an explanatory diagram of a digital camera according to an embodiment; FIG. (a)は、実施形態に係る回路モジュールの平面図である。(b)は実施形態に係る回路モジュールの断面図である。(a) is a plan view of the circuit module according to the embodiment. (b) is a cross-sectional view of the circuit module according to the embodiment. 図2(b)のIII-III線に沿う回路モジュールの断面図である。3 is a cross-sectional view of the circuit module taken along line III-III in FIG. 2(b); FIG. (a)及び(b)は変形例の回路モジュールの断面図である。(a) and (b) are sectional views of a circuit module of a modification. (a)及び(b)は変形例の回路モジュールの断面図である。(a) and (b) are sectional views of a circuit module of a modification. 実施例1及び比較例1のグラフである。4 is a graph of Example 1 and Comparative Example 1; 実施例2のグラフである。4 is a graph of Example 2; (a)は比較例の回路モジュールの断面図である。(b)は(a)に示すVIIIB-VIIIB線に沿う回路モジュールの断面図である。(a) is a cross-sectional view of a circuit module of a comparative example. (b) is a cross-sectional view of the circuit module taken along line VIIIB-VIIIB shown in (a).

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、実施形態に係るデジタルカメラ600の説明図である。デジタルカメラ600は、レンズ交換式のデジタルカメラであり、カメラ本体601を備える。カメラ本体601は電子機器の一例である。カメラ本体601は、レンズを含むレンズユニット(レンズ鏡筒)602が着脱可能となっている。なお、レンズユニットとカメラ本体とが一体となって電子機器を構成してもよい。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram of a digital camera 600 according to an embodiment. A digital camera 600 is an interchangeable-lens digital camera and includes a camera body 601 . The camera body 601 is an example of electronic equipment. A camera body 601 is detachable with a lens unit (lens barrel) 602 including lenses. Note that the lens unit and the camera body may be integrated to form an electronic device.

カメラ本体601は、筐体611と、回路モジュール100と、回路モジュール200と、を備える。回路モジュール100及び回路モジュール200は、筐体611の内部に収納されている。また、筐体611の内部には、不図示のバッテリが収納される。回路モジュール100と回路モジュール200とは、フレキシブルプリント配線板300で接続されている。 The camera body 601 includes a housing 611 , a circuit module 100 and a circuit module 200 . The circuit module 100 and the circuit module 200 are housed inside the housing 611 . A battery (not shown) is accommodated inside the housing 611 . The circuit module 100 and the circuit module 200 are connected by a flexible printed wiring board 300 .

回路モジュール200は、本実施形態では撮像モジュールである。回路モジュール200は、プリント配線板201と、プリント配線板201に実装されたイメージセンサ202と、を備える。イメージセンサ202は、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ又はCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサである。イメージセンサ202は、レンズユニット602を介して入射した光を電気信号に変換する機能を有する。 The circuit module 200 is an imaging module in this embodiment. The circuit module 200 includes a printed wiring board 201 and an image sensor 202 mounted on the printed wiring board 201 . The image sensor 202 is, for example, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor or a CCD (Charge Coupled Device) image sensor. The image sensor 202 has a function of converting light incident through the lens unit 602 into an electrical signal.

回路モジュール100は、本実施形態では画像処理モジュールである。回路モジュール100は、親基板102と、親基板102に実装された回路ユニット110と、親基板102に実装された電源ユニット130と、を有する。電源ユニット130は、不図示のバッテリから供給された電圧を、所定の電源電圧V0に変換して回路ユニット110に印加することで、回路ユニット110の各部の動作に必要な電力を回路ユニット110に供給する電源回路である。電源電圧V0は、直流電圧である。 The circuit module 100 is an image processing module in this embodiment. The circuit module 100 has a mother board 102 , a circuit unit 110 mounted on the mother board 102 , and a power supply unit 130 mounted on the mother board 102 . The power supply unit 130 converts a voltage supplied from a battery (not shown) into a predetermined power supply voltage V0 and applies it to the circuit unit 110, thereby supplying the circuit unit 110 with the power necessary for the operation of each part of the circuit unit 110. This is the power supply circuit that supplies the power. The power supply voltage V0 is a DC voltage.

図2(a)は、実施形態に係る回路モジュール100の平面図である。図2(b)は、実施形態に係る回路モジュール100の断面図である。図3は、図2(b)のIII-III線に沿う回路モジュール100の断面図である。 FIG. 2(a) is a plan view of the circuit module 100 according to the embodiment. FIG. 2B is a cross-sectional view of the circuit module 100 according to the embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of the circuit module 100 taken along line III-III in FIG. 2(b).

回路ユニット110は、子基板101と、子基板101に実装されたロジックLSI(Large Scale Integration)103と、子基板101に実装された2つのメモリIC(Integrated Circuit)104とを備える。ロジックLSI103は、第1半導体素子の一例である。メモリIC104は、第2半導体素子の一例である。また、子基板101は、第1基板の一例であり、親基板102は、第2基板の一例である。なお、メモリIC104の数、即ち第2半導体素子の数は、本実施形態では2つであるが、1つであっても3つ以上であってもよい。 The circuit unit 110 includes a child board 101 , a logic LSI (Large Scale Integration) 103 mounted on the child board 101 , and two memory ICs (Integrated Circuits) 104 mounted on the child board 101 . The logic LSI 103 is an example of a first semiconductor element. Memory IC 104 is an example of a second semiconductor element. Further, the child board 101 is an example of a first board, and the parent board 102 is an example of a second board. The number of memory ICs 104, that is, the number of second semiconductor elements is two in this embodiment, but may be one or three or more.

ロジックLSI103は、画像処理を行う素子である。具体的には、ロジックLSI103は、イメージセンサ202から画像データを示す電気信号を取得し、取得した電気信号を補正する処理を行い、補正された画像データを生成する機能を有する。また、ロジックLSI103は、メモリIC104を制御するメモリコントローラとしても機能する。メモリIC104は、画像データ等のデータを記憶可能なメモリ素子であり、ロジックLSI103の制御の下、ロジックLSI103から送信されたデータを記憶することができる。 The logic LSI 103 is an element that performs image processing. Specifically, the logic LSI 103 has a function of acquiring an electrical signal representing image data from the image sensor 202, correcting the acquired electrical signal, and generating corrected image data. The logic LSI 103 also functions as a memory controller that controls the memory IC 104 . The memory IC 104 is a memory element capable of storing data such as image data, and can store data transmitted from the logic LSI 103 under the control of the logic LSI 103 .

ロジックLSI103と各メモリIC104との間で通信されうる信号は、データ信号、アドレス信号、コマンド信号、クロック信号などのデジタル信号である。本実施形態では、デジタル信号は、シングルエンド信号である。デジタル信号の伝送速度は、200Mbps以上、好ましくは2Gbps以上、より好ましくは5Gbps以上である。デジタル信号の伝送速度が2Gbpsの場合、デジタル信号の基本波の周波数は1GHzであり、3倍の高調波は3GHz、5倍の高調波は5GHzである。このように、デジタル信号の伝送速度が高速化するほど、デジタル信号に含まれる信号波成分の周波数が高くなる。 Signals that can be communicated between the logic LSI 103 and each memory IC 104 are digital signals such as data signals, address signals, command signals, and clock signals. In this embodiment, the digital signal is a single-ended signal. The digital signal transmission speed is 200 Mbps or higher, preferably 2 Gbps or higher, and more preferably 5 Gbps or higher. When the transmission speed of the digital signal is 2 Gbps, the frequency of the fundamental wave of the digital signal is 1 GHz, the triple harmonic is 3 GHz, and the fifth harmonic is 5 GHz. Thus, the higher the transmission speed of the digital signal, the higher the frequency of the signal wave component contained in the digital signal.

ロジックLSI103及び各メモリIC104は、電源ユニット130により電源電圧V0、例えば1.1Vの直流電圧が印加されることにより動作する。なお、電源ユニット130は、親基板102ではなく子基板101に実装されていてもよいし、親基板102及び子基板101以外の基板に実装されていてもよい。即ち、電源ユニット130は、ロジックLSI103及び各メモリIC104に電力を供給可能であればよく、筐体611の内部に配置されていればよい。 The logic LSI 103 and each memory IC 104 operate when the power supply unit 130 applies a power supply voltage V0, for example, a DC voltage of 1.1V. Note that the power supply unit 130 may be mounted on the daughter board 101 instead of the mother board 102 or may be mounted on a board other than the mother board 102 and the daughter board 101 . In other words, the power supply unit 130 only needs to be able to supply power to the logic LSI 103 and each memory IC 104 and is arranged inside the housing 611 .

本実施形態では、ロジックLSI103とメモリIC104とをユニット化することにより、開発の効率化が図られている。また、デジタル信号の伝送損失が低減されるよう、ロジックLSI103とメモリIC104とが近接して配置されている。これにより、回路ユニット110の小型化も図られている。 In this embodiment, development efficiency is improved by unitizing the logic LSI 103 and the memory IC 104 . Also, the logic LSI 103 and the memory IC 104 are arranged close to each other so as to reduce transmission loss of digital signals. As a result, the size of the circuit unit 110 is also reduced.

本実施形態において、子基板101は、リジッド基板である。子基板101の基材は、シリコン等の半導体基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板等のどのような基板であってもよいが、コストや調達容易性の観点から、ガラスエポキシ基板が好ましい。ガラスエポキシ基板は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた基板である。本実施形態において、子基板101は、基材として絶縁基材を用いたリジッドプリント配線板である。 In this embodiment, the child board 101 is a rigid board. The substrate of the child substrate 101 may be any substrate such as a semiconductor substrate such as silicon, a ceramic substrate, or a glass epoxy substrate, but the glass epoxy substrate is preferable from the viewpoint of cost and ease of procurement. A glass epoxy substrate is a substrate obtained by impregnating a glass cloth with an epoxy resin. In this embodiment, the child board 101 is a rigid printed wiring board using an insulating base material as the base material.

本実施形態において、親基板102は、リジッド基板である。親基板102の基材は、シリコン等の半導体基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板等のどのような基板であってもよいが、コストや調達容易性の観点から、ガラスエポキシ基板が好ましい。本実施形態において、親基板102は、基材として絶縁基材を用いたリジッドプリント配線板である。 In this embodiment, the parent substrate 102 is a rigid substrate. The base material of the mother board 102 may be any substrate such as a semiconductor substrate such as silicon, a ceramic substrate, or a glass epoxy substrate, but a glass epoxy substrate is preferable from the viewpoint of cost and ease of procurement. In this embodiment, the mother board 102 is a rigid printed wiring board using an insulating base material as the base material.

子基板101は、第1絶縁体部の一例である絶縁基材117と、絶縁基材117の内部又は外部に配置された導体部分と、を有する。絶縁基材117は、第1面の一例である主面1171と、第3面の一例であって、主面1171とは反対の主面1172と、を有する。主面1171は、親基板102と対向する面である。ロジックLSI103及び各メモリIC104は、主面1172に実装されている。 The child board 101 has an insulating base material 117 that is an example of a first insulator part, and a conductor part arranged inside or outside the insulating base material 117 . The insulating base material 117 has a major surface 1171 that is an example of a first surface and a major surface 1172 that is an example of a third surface and is opposite to the major surface 1171 . The main surface 1171 is the surface facing the mother substrate 102 . The logic LSI 103 and each memory IC 104 are mounted on the main surface 1172 .

親基板102は、第2絶縁体部の一例である絶縁基材119と、絶縁基材119の内部又は外部に配置された導体部分と、を有する。絶縁基材119は、第2面の一例である主面1191と、第4面の一例であって、主面1191とは反対の主面1192と、を有する。主面1191は、回路ユニット110、即ち子基板101と対向する面である。回路ユニット110は、主面1191に実装されている。平面視、即ち主面1191と垂直なZ方向に視て、子基板101は、親基板102よりもサイズが小さい。 The mother board 102 has an insulating base material 119 that is an example of a second insulator part, and a conductor part arranged inside or outside the insulating base material 119 . The insulating base material 119 has a major surface 1191 that is an example of a second surface and a major surface 1192 that is an example of a fourth surface and is opposite to the major surface 1191 . The main surface 1191 is the surface facing the circuit unit 110 , that is, the child board 101 . Circuit unit 110 is mounted on main surface 1191 . The child board 101 is smaller than the parent board 102 in plan view, that is, in the Z direction perpendicular to the main surface 1191 .

本実施形態では、主面1171と主面1191とが互いに対向するように回路ユニット110が親基板102に実装されている。主面1171と主面1191との間には、ロジックLSI103及び各メモリIC104が存在せず、主面1171と主面1191との間隔を狭くすることができる。 In this embodiment, the circuit unit 110 is mounted on the mother board 102 so that the main surface 1171 and the main surface 1191 face each other. Since the logic LSI 103 and each memory IC 104 are not present between the main surfaces 1171 and 1191, the distance between the main surfaces 1171 and 1191 can be narrowed.

ロジックLSI103は、複数の接続端子106で子基板101に電気的及び機械的に接続されている。具体的には、ロジックLSI103は、複数の接続端子106で子基板101の主面1172に配置された複数のパッドに接続されている。このように、複数の接続端子106は、ロジックLSI103と主面1172との間に配置され、ロジックLSI103を子基板101に固定するのに用いられている。 The logic LSI 103 is electrically and mechanically connected to the child board 101 through a plurality of connection terminals 106 . Specifically, the logic LSI 103 is connected to a plurality of pads arranged on the main surface 1172 of the daughter board 101 with a plurality of connection terminals 106 . Thus, the plurality of connection terminals 106 are arranged between the logic LSI 103 and the main surface 1172 and used to fix the logic LSI 103 to the child board 101 .

また、各メモリIC104は、複数の接続端子107で子基板101に電気的及び機械的に接続されている。具体的には、各メモリIC104は、複数の接続端子107で子基板101の主面1172に配置された複数のパッドに接続されている。このように、複数の接続端子107は、対応するメモリIC104と主面1172との間に配置され、対応するメモリIC104を子基板101に固定するのに用いられている。 Each memory IC 104 is electrically and mechanically connected to the sub-board 101 through a plurality of connection terminals 107 . Specifically, each memory IC 104 is connected to a plurality of pads arranged on the main surface 1172 of the daughter board 101 with a plurality of connection terminals 107 . Thus, the plurality of connection terminals 107 are arranged between the corresponding memory ICs 104 and the main surface 1172 and are used to fix the corresponding memory ICs 104 to the child board 101 .

子基板101は、複数の接続端子108で親基板102に電気的及び機械的に接続されている。具体的には、子基板101の主面1171に配置された複数のパッドと、親基板102の主面1191に配置された複数のパッドとが複数の接続端子108で接続されている。このように、複数の接続端子108は、主面1171と主面1191との間に配置され、子基板101を親基板102に固定するのに用いられている。各接続端子106,107,108は、例えばはんだなどの接合材を含んでいる。 The child board 101 is electrically and mechanically connected to the parent board 102 with a plurality of connection terminals 108 . Specifically, a plurality of pads arranged on main surface 1171 of child board 101 and a plurality of pads arranged on main surface 1191 of parent board 102 are connected by a plurality of connection terminals 108 . Thus, the plurality of connection terminals 108 are arranged between the main surface 1171 and the main surface 1191 and are used to secure the daughter board 101 to the mother board 102 . Each connection terminal 106, 107, 108 contains a bonding material such as solder.

子基板101は、少なくとも2つの導体層、本実施形態では2つの導体層1011,1012を有する。導体層1011は、第1導体層の一例である。導体層1012は、第2導体層の一例である。導体層1011,1012は、導電性の導体パターン、即ち金属箔が配置される層である。各導体層1011,1012は、表層である。即ち、導体層1011は、主面1171上に画成され、導体層1012は、主面1172上に画成されている。つまり、子基板101は、少なくとも2つの表層を有するのが好ましく、2つの表層以外に、内層(導体層)を有していてもよい。本実施形態では、導体層1012は、絶縁基材117の絶縁材(誘電材)を介して導体層1011と隣接する導体層である。導体層1011は、各接続端子108と接続される部分を除いて、主面1171上に配置された第1ソルダーレジスト膜であるソルダーレジスト膜118で覆われている。導体層1011において、導体パターンのない部分には、ソルダーレジスト膜118が配置されてもよい。 The child board 101 has at least two conductor layers, two conductor layers 1011 and 1012 in this embodiment. Conductor layer 1011 is an example of a first conductor layer. The conductor layer 1012 is an example of a second conductor layer. The conductor layers 1011, 1012 are layers on which conductive conductor patterns, ie metal foils, are arranged. Each conductor layer 1011, 1012 is a surface layer. That is, conductor layer 1011 is defined on major surface 1171 and conductor layer 1012 is defined on major surface 1172 . That is, the child board 101 preferably has at least two surface layers, and may have an inner layer (conductor layer) in addition to the two surface layers. In this embodiment, the conductor layer 1012 is a conductor layer adjacent to the conductor layer 1011 with the insulating material (dielectric material) of the insulating base material 117 interposed therebetween. Conductor layer 1011 is covered with solder-resist film 118 , which is a first solder-resist film disposed on main surface 1171 , except for portions connected to connection terminals 108 . A solder-resist film 118 may be disposed on a portion of the conductor layer 1011 where there is no conductor pattern.

親基板102は、少なくとも1つの導体層を有していればよい。親基板102は、2層以下の導体層を有しているのが好ましく、本実施形態では、2つの導体層1021,1022を有する。導体層1021,1022は、導電性の導体パターン、即ち金属箔が配置される層である。各導体層1021,1022は、表層である。即ち、導体層1021は、主面1191上に画成され、導体層1022は、主面1192上に画成されている。つまり、親基板102は、少なくとも主面1191側の表層を有するのが好ましく、主面1191側の表層以外に、主面1192側の表層及び/又は内層(導体層)を有していてもよい。導体層1021は、各接続端子108と接続される部分を除いて、主面1191上に配置された第2ソルダーレジスト膜であるソルダーレジスト膜120で覆われている。導体層1021において、導体パターンのない部分には、ソルダーレジスト膜120が配置されてもよい。 Mother board 102 may have at least one conductor layer. The mother board 102 preferably has two conductor layers or less, and has two conductor layers 1021 and 1022 in this embodiment. The conductor layers 1021, 1022 are layers on which conductive conductor patterns, ie metal foils, are arranged. Each conductor layer 1021, 1022 is a surface layer. That is, conductor layer 1021 is defined on major surface 1191 and conductor layer 1022 is defined on major surface 1192 . That is, the mother substrate 102 preferably has at least a surface layer on the main surface 1191 side, and may have a surface layer on the main surface 1192 side and/or an inner layer (conductor layer) in addition to the surface layer on the main surface 1191 side. . Conductor layer 1021 is covered with solder-resist film 120, which is a second solder-resist film disposed on main surface 1191, except for portions connected to connection terminals 108. FIG. A solder-resist film 120 may be disposed on a portion of the conductor layer 1021 where there is no conductor pattern.

導体層1022は、省略されてもよい。この場合、親基板102は、少なくとも1つの導体層として1つの導体層1021のみを有する基板ということになる。 The conductor layer 1022 may be omitted. In this case, the mother substrate 102 is a substrate having only one conductor layer 1021 as at least one conductor layer.

子基板101は、2つのメモリIC104のそれぞれに対応する複数の信号線11を有する。例えば、ロジックLSI103と各メモリIC104とは、40~50本の信号線11で電気的に接続されている。各信号線11は、銅などの金属、即ち導体で形成されている。 The child board 101 has a plurality of signal lines 11 respectively corresponding to the two memory ICs 104 . For example, the logic LSI 103 and each memory IC 104 are electrically connected by 40 to 50 signal lines 11 . Each signal line 11 is made of a metal such as copper, that is, a conductor.

複数の接続端子106は、電源端子1061、グラウンド端子1062、複数の送信端子1063を含む。なお、図2(b)において、電源端子1061及びグラウンド端子1062は、それぞれ1つだけ図示されているが、それぞれ複数あってもよい。 The plurality of connection terminals 106 includes a power terminal 1061 , a ground terminal 1062 and a plurality of transmission terminals 1063 . Although only one power supply terminal 1061 and one ground terminal 1062 are shown in FIG. 2B, there may be a plurality of each.

複数の接続端子107は、電源端子1071、グラウンド端子1072、複数の受信端子1073を含む。なお、図2(b)において、電源端子1071及びグラウンド端子1072は、それぞれ1つだけ図示されているが、それぞれ複数あってもよい。 The plurality of connection terminals 107 includes a power terminal 1071 , a ground terminal 1072 and a plurality of reception terminals 1073 . Although only one power supply terminal 1071 and one ground terminal 1072 are illustrated in FIG. 2B, there may be a plurality of each.

電源端子1061及びグラウンド端子1062の間に、回路モジュール100の線路L0、即ち電源線L1及びグラウンド線L2を介して電源電圧V0が印加されることにより、ロジックLSI103が動作する。また、電源端子1071及びグラウンド端子1072の間に、線路L0、即ち電源線L1及びグラウンド線L2を介して電源電圧V0が印加されることにより、メモリIC104が動作する。線路L0は、銅などの金属、即ち導体で形成されている。線路L0は、電源電位V1とされる電源線L1と、グラウンド電位V2とされるグラウンド線L2と、を含む。ここで、電源電位V1とグラウンド電位V2との電位差(V1-V2)が、電源電圧V0であり、ロジックLSI103及びメモリIC104の動作電圧である。 The logic LSI 103 operates by applying a power supply voltage V0 between the power supply terminal 1061 and the ground terminal 1062 via the line L0 of the circuit module 100, that is, the power supply line L1 and the ground line L2. The memory IC 104 operates by applying a power supply voltage V0 between the power supply terminal 1071 and the ground terminal 1072 through the line L0, that is, the power supply line L1 and the ground line L2. The line L0 is made of a metal such as copper, that is, a conductor. The line L0 includes a power line L1 having a power potential V1 and a ground line L2 having a ground potential V2. Here, the potential difference (V1−V2) between the power supply potential V1 and the ground potential V2 is the power supply voltage V0, which is the operating voltage of the logic LSI 103 and the memory IC 104. FIG.

各送信端子1063は、デジタル信号を送信する端子である。各受信端子1073は、デジタル信号を受信する端子である。各信号線11は、ロジックLSI103の対応する送信端子1063と、メモリIC104の対応する受信端子1073とに電気的に接続されている。これにより、ロジックLSI103と各メモリIC104との間で各信号線11を介してデジタル信号の伝送が可能となる。 Each transmission terminal 1063 is a terminal for transmitting a digital signal. Each receiving terminal 1073 is a terminal for receiving a digital signal. Each signal line 11 is electrically connected to the corresponding transmission terminal 1063 of the logic LSI 103 and the corresponding reception terminal 1073 of the memory IC 104 . As a result, digital signals can be transmitted between the logic LSI 103 and each memory IC 104 via each signal line 11 .

各メモリIC104に対応する複数の信号線11は、図2(a)に示すように、互いに間隔をあけて並行して配置されている。回路ユニット110の小型化、即ち回路モジュール100の小型化の観点から、複数の信号線11は、互いの間隔ができるだけ狭いのが好ましい。その際、複数の信号線11の間でクロストークを低減させるために、グラウンド線L2又は電源線L1などの電位の安定した、電位変動の少ない基準線と近接しているのが好ましい。 A plurality of signal lines 11 corresponding to each memory IC 104 are arranged in parallel with a space therebetween, as shown in FIG. 2(a). From the viewpoint of miniaturization of the circuit unit 110, that is, miniaturization of the circuit module 100, it is preferable that the distance between the plurality of signal lines 11 is as narrow as possible. At that time, in order to reduce crosstalk between the plurality of signal lines 11, it is preferable that the signal lines 11 are close to a reference line with a stable potential and little potential fluctuation, such as the ground line L2 or the power line L1.

ここで、比較例の回路モジュールについて説明する。図8(a)は、比較例の回路モジュール100Xの断面図である。図8(b)は、図8(a)に示すVIIIB-VIIIB線に沿う回路モジュール100Xの断面図である。回路モジュール100Xは、ロジックLSI103Xと、メモリIC104Xと、ロジックLSI103X及びメモリIC104Xが実装された基板102Xと、を有する。基板102Xは、3つ以上の導体層を有するリジッドプリント配線板であり、例えば6つの導体層を有する基板である。 Here, a circuit module of a comparative example will be described. FIG. 8A is a cross-sectional view of a circuit module 100X of a comparative example. FIG. 8(b) is a cross-sectional view of the circuit module 100X along line VIIIB-VIIIB shown in FIG. 8(a). The circuit module 100X has a logic LSI 103X, a memory IC 104X, and a substrate 102X on which the logic LSI 103X and the memory IC 104X are mounted. The board 102X is a rigid printed wiring board having three or more conductor layers, for example, a board having six conductor layers.

ロジックLSI103Xは、複数の接続端子106Xで基板102Xに接続され、メモリIC104Xは、複数の接続端子107Xで基板102Xに接続されている。複数の接続端子106Xは、信号を送信する送信端子1063Xと、電源端子1061X及びグラウンド端子1062Xと、を含む。複数の接続端子107Xは、信号を受信する受信端子1073Xと、電源端子1071X及びグラウンド端子1072Xと、を含む。 The logic LSI 103X is connected to the substrate 102X through a plurality of connection terminals 106X, and the memory IC 104X is connected to the substrate 102X through a plurality of connection terminals 107X. The multiple connection terminals 106X include a transmission terminal 1063X for transmitting signals, a power supply terminal 1061X, and a ground terminal 1062X. The multiple connection terminals 107X include a reception terminal 1073X for receiving signals, a power supply terminal 1071X, and a ground terminal 1072X.

基板102Xの6つの導体層において、ロジックLSI103X及びメモリIC104Xが実装される表層から反対側の表層に向かって順に1~6番目の導体層とする。6つの導体層は、絶縁基材119Xの絶縁体を介してZ方向に間隔をあけて配置されている。ロジックLSI103Xの電源端子1061XとメモリIC104Xの電源端子1071Xとは、1番目の導体層に配置された導体パターンL1Xで接続されている。ロジックLSI103Xのグラウンド端子1062XとメモリIC104Xのグラウンド端子1072Xとは、基板102Xの3番目の導体層に配置された導体パターンL2Xを含む配線で接続されている。ロジックLSI103Xの送信端子1063XとメモリIC104Xの受信端子1073Xとは、2番目の導体層に配置された信号パターン111Xを含む信号線で接続されている。よって、信号パターン111Xは、絶縁体を介して導体パターンL1X,L2Xに挟まれて配置されている。なお、4~6番目の各導体層にも、種々の導体パターン116Xが配置されている。導体パターンL1Xの上には、ソルダーレジスト膜120Xが形成されている。 Among the six conductor layers of the substrate 102X, from the surface layer on which the logic LSI 103X and the memory IC 104X are mounted, the first to sixth conductor layers are arranged in order toward the opposite surface layer. The six conductor layers are spaced apart in the Z direction via the insulator of the insulating base material 119X. A power terminal 1061X of the logic LSI 103X and a power terminal 1071X of the memory IC 104X are connected by a conductor pattern L1X arranged on the first conductor layer. The ground terminal 1062X of the logic LSI 103X and the ground terminal 1072X of the memory IC 104X are connected by wiring including the conductor pattern L2X arranged on the third conductor layer of the substrate 102X. A transmission terminal 1063X of the logic LSI 103X and a reception terminal 1073X of the memory IC 104X are connected by a signal line including the signal pattern 111X arranged on the second conductor layer. Therefore, the signal pattern 111X is sandwiched between the conductor patterns L1X and L2X via an insulator. Various conductor patterns 116X are also arranged on each of the fourth to sixth conductor layers. A solder resist film 120X is formed on the conductor pattern L1X.

絶縁基材119Xは、ソルダーレジスト膜120Xの比誘電率よりも高い比誘電率の絶縁体(誘電体)、例えばガラスエポキシで構成されている。信号パターン111Xは、絶縁基材119Xの絶縁材(誘電材)を介して導体パターンL1X,L2Xと隣接して配置されている。これにより、信号パターン111Xを伝搬するデジタル信号のクロストークが抑制される。信号パターン111Xは、比誘電率の高い誘電材を介して導体パターンL1X,L2Xと対向して配置されているため、デジタル信号の高速化に伴い、絶縁基材119Xの誘電材による誘電損が増大し、デジタル信号が歪む。特に、デジタル信号における高調波成分、例えば第3高調波成分、第5高調波成分の減衰量が大きくなる。そして、第3高調波成分及び第5高調波成分の中でも、特に第5高調波成分の減衰量が大きくなる。そして、デジタル信号の伝送速度が200Mbps以上となると、デジタル信号の歪みが大きくなり、デジタル信号の伝送速度が2Gbps以上となると、デジタル信号の歪みが顕著となる。特に、デジタル信号の伝送速度が5Gbps以上となると、デジタル信号の歪みが更に顕著となる。ここで、例えばデジタル信号の伝送速度が2Gbpsの場合、デジタル信号の基本波の周波数1GHzに対して、第3高調波の周波数は3GHz、第5高調波の周波数は5GHzである。よって、3GHz以上の高周波帯で減衰量が大きく、特に5GHz以上の高周波数帯の減衰量が大きい。 The insulating base material 119X is made of an insulator (dielectric) having a dielectric constant higher than that of the solder resist film 120X, such as glass epoxy. The signal pattern 111X is arranged adjacent to the conductor patterns L1X and L2X via the insulating material (dielectric material) of the insulating base material 119X. This suppresses crosstalk of digital signals propagating through the signal pattern 111X. Since the signal pattern 111X is arranged to face the conductor patterns L1X and L2X via a dielectric material with a high dielectric constant, the dielectric loss due to the dielectric material of the insulating base material 119X increases as the speed of digital signals increases. and the digital signal is distorted. In particular, the amount of attenuation of harmonic components in the digital signal, such as the third harmonic component and the fifth harmonic component, increases. Among the third harmonic component and the fifth harmonic component, the attenuation amount of the fifth harmonic component is particularly large. When the transmission speed of the digital signal is 200 Mbps or higher, the distortion of the digital signal becomes large, and when the transmission speed of the digital signal is 2 Gbps or higher, the distortion of the digital signal becomes significant. In particular, when the transmission speed of the digital signal is 5 Gbps or higher, the distortion of the digital signal becomes more pronounced. Here, for example, when the transmission speed of a digital signal is 2 Gbps, the frequency of the 3rd harmonic is 3 GHz and the frequency of the 5th harmonic is 5 GHz with respect to the frequency of the fundamental wave of the digital signal of 1 GHz. Therefore, the attenuation amount is large in the high frequency band of 3 GHz or higher, and the attenuation amount is particularly large in the high frequency band of 5 GHz or higher.

本実施形態では、信号線11は、主面1171上、即ち導体層1011に配置された信号パターン111を含む。信号パターン111は、帯状の導体パターンである。また、信号線11は、送信端子1063と信号パターン111とを接続する、Z方向に延びる信号ヴィア112と、受信端子1073と信号パターン111とを接続する、Z方向に延びる信号ヴィア113と、を含む。信号パターン111は、導体パターン、即ち銅箔などの金属箔で構成されている。各信号ヴィア112,113は、ヴィア導体である。なお、導体層1012には、導体パターン121が配置されている。 In this embodiment, signal line 11 includes signal pattern 111 disposed on major surface 1171 , ie, conductor layer 1011 . The signal pattern 111 is a strip-shaped conductor pattern. In addition, the signal line 11 includes a signal via 112 extending in the Z direction connecting the transmitting terminal 1063 and the signal pattern 111, and a signal via 113 extending in the Z direction connecting the receiving terminal 1073 and the signal pattern 111. include. The signal pattern 111 is composed of a conductor pattern, that is, a metal foil such as copper foil. Each signal via 112, 113 is a via conductor. A conductor pattern 121 is arranged on the conductor layer 1012 .

また、親基板102は、主面1191上、即ち導体層1021に配置された導体プレーン15を有する。導体プレーン15も銅箔などの金属箔で構成されている。導体プレーン15は、ベタの導体パターンである。なお、導体層1022には、導体パターン122が配置されている。信号パターン111と導体プレーン15とは、短絡しないように、Z方向に間隔D1をあけて互いに対向している。導体プレーン15は、ロジックLSI103及びメモリIC104に電源電圧V0を印加するのに用いられる線路L0の一部である。 The mother board 102 also has a conductor plane 15 arranged on the main surface 1191 , ie, on the conductor layer 1021 . The conductor plane 15 is also made of metal foil such as copper foil. The conductor plane 15 is a solid conductor pattern. A conductor pattern 122 is arranged on the conductor layer 1022 . The signal pattern 111 and the conductor plane 15 are opposed to each other with an interval D1 in the Z direction so as not to be short-circuited. The conductor plane 15 is part of the line L0 used to apply the power supply voltage V0 to the logic LSI 103 and memory IC 104. FIG.

本実施形態では、導体プレーン15は、線路L0のうち、グラウンド電位V2とされるグラウンド線L2の一部である。信号パターン111及び導体プレーン15が、それぞれ互いに対向する主面1171,1191に配置されるため、信号パターン111と導体プレーン15とが近接する。即ち、信号パターン111と導体プレーン15とが互いに対向する。よって、導体プレーン15には、信号パターン111を流れる信号電流に対するリターン電流が流れやすくなり、信号線11間のクロストークが抑制される。また、高速のデジタル信号が伝搬する信号線11であっても、安定した特性インピーダンスを実現することができる。 In this embodiment, the conductor plane 15 is a part of the ground line L2 of the line L0, which has the ground potential V2. Since the signal pattern 111 and the conductor plane 15 are arranged on the main surfaces 1171 and 1191 facing each other, the signal pattern 111 and the conductor plane 15 are close to each other. That is, the signal pattern 111 and the conductor plane 15 face each other. Therefore, a return current for the signal current flowing through the signal pattern 111 easily flows through the conductor plane 15, and crosstalk between the signal lines 11 is suppressed. Moreover, even in the signal line 11 through which high-speed digital signals propagate, a stable characteristic impedance can be realized.

また、誘電損は、信号線とグラウンド線(又は電源線)との間の誘電体の比誘電率と比例する。本実施形態では、信号パターン111と導体プレーン15との間に絶縁基材117,119の絶縁材(誘電材)が存在しない。よって、絶縁基材117,119による誘電損が低減され、信号線11を伝搬するデジタル信号の歪み、即ちデジタル信号の伝送損失が低減される。特に、高周波帯におけるデジタル信号の高調波成分の減衰量が低減されるので、デジタル信号の伝送損失が低減される。 Also, the dielectric loss is proportional to the dielectric constant of the dielectric between the signal line and the ground line (or power line). In this embodiment, the insulating material (dielectric material) of the insulating substrates 117 and 119 does not exist between the signal pattern 111 and the conductor plane 15 . Therefore, the dielectric loss due to the insulating bases 117 and 119 is reduced, and the distortion of the digital signal propagating through the signal line 11, that is, the transmission loss of the digital signal is reduced. In particular, since the attenuation amount of the harmonic components of the digital signal in the high frequency band is reduced, the transmission loss of the digital signal is reduced.

信号パターン111と導体プレーン15とのZ方向の間隔D1は、子基板101において互いに隣接する導体層1011と導体層1012とのZ方向の間隔D2よりも狭いのが好ましい。これにより、信号パターン111と導体プレーン15との電界結合が強まり、より効果的に誘電損が低減され、信号線11を伝搬するデジタル信号の歪み、即ちデジタル信号の伝送損失が効果的に低減される。また、信号パターン111の特性インピーダンスの局所的なばらつきが低減され、特性インピーダンスを所望の値、例えば60Ωに安定させることができる。また、子基板101の機械的な強度が増すという効果も奏する。このように、本実施形態では、2層の子基板101で所望の値の特性インピーダンスを実現でき、コストダウンに有効である。また、親基板102についても、2層基板や片面基板で、所望の値の特性インピーダンスを実現することが可能である。 The Z-direction spacing D1 between the signal pattern 111 and the conductor plane 15 is preferably narrower than the Z-direction spacing D2 between the adjacent conductor layers 1011 and 1012 on the child board 101 . As a result, the electric field coupling between the signal pattern 111 and the conductor plane 15 is strengthened, the dielectric loss is more effectively reduced, and the distortion of the digital signal propagating through the signal line 11, that is, the transmission loss of the digital signal is effectively reduced. be. Also, local variation in the characteristic impedance of the signal pattern 111 is reduced, and the characteristic impedance can be stabilized at a desired value, eg, 60Ω. In addition, there is an effect that the mechanical strength of the sub-board 101 is increased. Thus, in this embodiment, a desired value of characteristic impedance can be achieved with the two-layer sub-board 101, which is effective for cost reduction. Also, the parent substrate 102 can be a two-layer substrate or a single-sided substrate to achieve a desired value of characteristic impedance.

ここで、信号パターン111と導体プレーン15との間には、絶縁基材117,119の比誘電率よりも低い比誘電率のソルダーレジスト膜118,120がある。例えば絶縁基材117,119の比誘電率は、4.3であり、ソルダーレジスト膜118,120の比誘電率は、3.0である。信号パターン111と導体プレーン15をそれぞれ保護するソルダーレジスト膜118,120の比誘電率が絶縁基材117,119の比誘電率よりも低いため、誘電損が低減され、デジタル信号の伝送損失が低減される。 Here, between the signal pattern 111 and the conductor plane 15, there are solder resist films 118, 120 having a dielectric constant lower than that of the insulating substrates 117, 119. FIG. For example, the insulating substrates 117 and 119 have a dielectric constant of 4.3, and the solder resist films 118 and 120 have a dielectric constant of 3.0. Since the dielectric constants of the solder resist films 118 and 120 that protect the signal pattern 111 and the conductor plane 15 are lower than the dielectric constants of the insulating substrates 117 and 119, the dielectric loss is reduced and the transmission loss of the digital signal is reduced. be done.

また、信号パターン111と導体プレーン15との間には、エアギャップD3があるのが好ましい。エアの比誘電率は、絶縁基材117,119の比誘電率やソルダーレジスト膜118,120の比誘電率よりも低いためである。エアの比誘電率は1.0である。エアギャップD3は、本実施形態では、ソルダーレジスト膜118とソルダーレジスト膜120とのZ方向の間隔である。エアギャップD3があることで、誘電損が効果的に低減され、デジタル信号の伝送損失が効果的に低減される。 Also, an air gap D3 is preferably provided between the signal pattern 111 and the conductor plane 15 . This is because the relative dielectric constant of air is lower than the relative dielectric constant of the insulating substrates 117 and 119 and the relative dielectric constant of the solder resist films 118 and 120 . Air has a dielectric constant of 1.0. The air gap D3 is the distance in the Z direction between the solder-resist film 118 and the solder-resist film 120 in this embodiment. The presence of the air gap D3 effectively reduces the dielectric loss and effectively reduces the transmission loss of the digital signal.

各信号線11の信号パターン111の全ては、図2(a)に示すように、Z方向に視て、導体プレーン15の外形で囲われた領域内に位置する。これにより、信号のクロストークを効果的に抑制することができる。また、各信号線11の全ては、図2(a)に示すように、Z方向に視て、導体プレーン15の外形で囲われた領域内に位置する。これにより、信号のクロストークをより効果的に抑制することができる。 All of the signal patterns 111 of each signal line 11 are positioned within a region surrounded by the outline of the conductor plane 15 when viewed in the Z direction, as shown in FIG. 2(a). As a result, signal crosstalk can be effectively suppressed. Further, all of the signal lines 11 are positioned within a region surrounded by the outline of the conductor plane 15 when viewed in the Z direction, as shown in FIG. 2(a). This makes it possible to more effectively suppress signal crosstalk.

なお、導体プレーン15がグラウンド電位V2とされるのが好ましいが、これに限定されるものではない。導体プレーン15の電位は、ロジックLSI103が送信するデジタル信号(電気信号)の振幅を確定させるための電位で変動が少ない電位であればよく、例えば電源電位V1とされてもよい。 Although it is preferable that the conductor plane 15 is set to the ground potential V2, it is not limited to this. The potential of the conductor plane 15 may be a potential for determining the amplitude of the digital signal (electrical signal) transmitted by the logic LSI 103 and may be a potential with little fluctuation, for example, it may be the power supply potential V1.

ここで、信号パターン111は、導体プレーン15と対向する導体面1111と、導体面1111とは反対の面であって、絶縁基材117の主面1171と接触する導体面1112と、を有する。また、導体プレーン15は、信号パターン111と対向する導体面151と、導体面151とは反対の面であって、絶縁基材119の主面1191と接触する導体面152と、有する。導体面1111は、第1導体面の一例であり、導体面1112は、第2導体面の一例である。導体面151は、第3導体面の一例であり、導体面152は、第4導体面の一例である。 Here, the signal pattern 111 has a conductor surface 1111 facing the conductor plane 15 and a conductor surface 1112 opposite to the conductor surface 1111 and in contact with the main surface 1171 of the insulating base material 117 . Also, the conductor plane 15 has a conductor surface 151 facing the signal pattern 111 and a conductor surface 152 opposite to the conductor surface 151 and in contact with the principal surface 1191 of the insulating base material 119 . The conductor surface 1111 is an example of a first conductor surface, and the conductor surface 1112 is an example of a second conductor surface. The conductor surface 151 is an example of a third conductor surface, and the conductor surface 152 is an example of a fourth conductor surface.

本実施形態では、絶縁基材117と信号パターン111との剥離を防止する、即ち絶縁基材117と信号パターン111とを密着させるため、絶縁基材117の主面1171と、信号パターン111の導体面1112とは、粗面となっている。各面1171,1112を粗面とすることによって、絶縁基材117と信号パターン111とをアンカー効果により固着している。 In the present embodiment, in order to prevent separation between the insulating base material 117 and the signal pattern 111, that is, to bring the insulating base material 117 and the signal pattern 111 into close contact, the main surface 1171 of the insulating base material 117 and the conductor of the signal pattern 111 are separated from each other. The surface 1112 is a rough surface. By roughening the surfaces 1171 and 1112, the insulating base material 117 and the signal pattern 111 are fixed by an anchor effect.

同様に、絶縁基材119と導体プレーン15との剥離を防止する、即ち絶縁基材119と導体プレーン15とを密着させるため、絶縁基材119の主面1191と、導体プレーン15の導体面152とは、粗面となっている。各面1191,152を粗面とすることによって、絶縁基材119と導体プレーン15とをアンカー効果により固着している。 Similarly, in order to prevent separation between the insulating base material 119 and the conductor plane 15, that is, to bring the insulating base material 119 and the conductor plane 15 into close contact, the principal surface 1191 of the insulating base material 119 and the conductor surface 152 of the conductor plane 15 are separated. and has a rough surface. By roughening the surfaces 1191 and 152, the insulating base material 119 and the conductor plane 15 are fixed by an anchor effect.

デジタル信号の高速化に伴い、信号電流は、表皮効果によって信号パターン111の表面に集中しやすくなる。特に、信号電流のうち、周波数が高い成分ほど、信号パターン111の表面近傍の薄い部分に集中しやすくなる。例えば、第3高調波成分及び第5高調波成分は、基本波成分に比べて表面に近い部分を流れ、第5高調波成分は、第3高調波成分に比べて表面に近い部分を流れる。デジタル信号の伝送速度が高いほど、即ちデジタル信号の基本波の周波数が高いほど、表皮効果は顕著となる。 As the speed of digital signals increases, the signal current tends to concentrate on the surface of the signal pattern 111 due to the skin effect. In particular, among the signal currents, the higher the frequency component, the more likely it is to concentrate on the thin portion near the surface of the signal pattern 111 . For example, the 3rd and 5th harmonic components flow closer to the surface than the fundamental component, and the 5th harmonic component flows closer to the surface than the 3rd harmonic component. The higher the transmission speed of the digital signal, that is, the higher the frequency of the fundamental wave of the digital signal, the more pronounced the skin effect.

本実施形態では、信号パターン111が導体プレーン15と対向するため、信号パターン111の導体面1111,1112のうち、導体プレーン15と対向する導体面1111に信号電流が集中しやすくなる。本実施形態では、導体面1111の表面粗さは、導体面1112の表面粗さよりも小さい。ここで、導体面1112は主面1171と接しているため、導体面1112の表面粗さと主面1171の表面粗さは同じである。すなわち、導体面1111の表面粗さは主面1171の表面粗さよりも小さい。導体面1111の表面粗さは、算術平均粗さRaで0.005μm以上0.05μm以下が好ましく、導体面1112の表面粗さ、即ち主面1171の表面粗さは、0.5μm以上5μm以下が好ましい。このように、信号電流は、粗面とした導体面1112ではなく、平滑面とした導体面1111に集中しやすくなるので、信号電流の抵抗損失が小さくなり、信号電流の減衰量が小さくなる。これにより、信号電流が信号パターン111を流れやすくなるため、信号の伝送損失が低減される。 In this embodiment, since the signal pattern 111 faces the conductor plane 15 , the signal current tends to concentrate on the conductor face 1111 facing the conductor plane 15 among the conductor faces 1111 and 1112 of the signal pattern 111 . In this embodiment, the surface roughness of conductor surface 1111 is smaller than the surface roughness of conductor surface 1112 . Here, since the conductor surface 1112 is in contact with the main surface 1171, the surface roughness of the conductor surface 1112 and the surface roughness of the main surface 1171 are the same. That is, the surface roughness of conductor surface 1111 is smaller than the surface roughness of main surface 1171 . The surface roughness of the conductor surface 1111 is preferably 0.005 μm or more and 0.05 μm or less in arithmetic mean roughness Ra, and the surface roughness of the conductor surface 1112, that is, the surface roughness of the main surface 1171, is 0.5 μm or more and 5 μm or less. is preferred. In this way, the signal current is more likely to concentrate on the smooth conductor surface 1111 rather than the rough conductor surface 1112, so that the resistance loss of the signal current and the attenuation of the signal current are reduced. This makes it easier for the signal current to flow through the signal pattern 111, thereby reducing signal transmission loss.

また、導体プレーン15には、信号電流の流れる方向とは反対方向にリターン電流が流れる。本実施形態では、導体プレーン15が信号パターン111と対向するため、導体プレーン15の導体面151,152のうち、信号パターン111と対向する導体面151にリターン電流が集中しやすくなる。本実施形態では、導体面151の表面粗さは、導体面152の表面粗さよりも小さい。ここで、導体面152は主面1191と接しているため、導体面152の表面粗さと主面1191の表面粗さは同じである。すなわち、導体面151の表面粗さは主面1191の表面粗さよりも小さい。導体面151の表面粗さは、算術平均粗さRaで0.005μm以上0.05μm以下が好ましく、導体面152の表面粗さ、即ち主面1191の表面粗さは、0.5μm以上5μm以下が好ましい。このように、リターン電流は、粗面とした導体面152ではなく、平滑面とした導体面151に集中しやすくなるので、リターン電流の抵抗損失が小さくなり、リターン電流の減衰量が小さくなる。これにより、リターン電流が導体プレーン15を流れやすくなるため、その結果、信号電流もスムーズに流れ、信号の伝送損失が低減される。なお、導体面1111及び導体面151は、金属箔の表面に金属をメッキすることで、平滑面とすることができる。 A return current flows through the conductor plane 15 in the direction opposite to the direction in which the signal current flows. In this embodiment, since the conductor plane 15 faces the signal pattern 111 , the return current tends to concentrate on the conductor face 151 facing the signal pattern 111 among the conductor faces 151 and 152 of the conductor plane 15 . In this embodiment, the surface roughness of conductor surface 151 is smaller than the surface roughness of conductor surface 152 . Here, since the conductor surface 152 is in contact with the main surface 1191, the surface roughness of the conductor surface 152 and the surface roughness of the main surface 1191 are the same. That is, the surface roughness of conductor surface 151 is smaller than the surface roughness of principal surface 1191 . The surface roughness of the conductor surface 151 is preferably 0.005 μm or more and 0.05 μm or less in arithmetic mean roughness Ra, and the surface roughness of the conductor surface 152, that is, the surface roughness of the main surface 1191, is 0.5 μm or more and 5 μm or less. is preferred. In this way, the return current tends to concentrate on the smooth conductor surface 151 instead of the rough conductor surface 152, so that the resistance loss of the return current is reduced and the attenuation of the return current is reduced. This makes it easier for the return current to flow through the conductor plane 15, and as a result, the signal current also flows smoothly, reducing signal transmission loss. The conductor surface 1111 and the conductor surface 151 can be made smooth by plating metal on the surface of the metal foil.

[変形例]
以上の実施形態では、エアギャップD3が存在する、即ちD3>0である場合について説明したが、これに限定するものではない。例えば図4(a)に示すように、エアギャップD3が極めて小さい場合またはエアギャップD3が存在しない場合であってもよい。これらの場合、ソルダーレジスト膜118,120のいずれか一方のみを省略することは可能である。
[Modification]
In the above embodiment, the case where the air gap D3 exists, that is, D3>0, has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 4A, the air gap D3 may be extremely small or may not exist. In these cases, it is possible to omit only one of the solder resist films 118 and 120 .

また、エアギャップD3が存在していれば、図4(b)に示すようにソルダーレジスト膜120を省略し、導体プレーン15がエアに露出されていてもよい。また、エアギャップD3が存在していれば、図5(a)に示すようにソルダーレジスト膜118を省略し、信号パターン111がエアに露出されていてもよい。また、エアギャップD3が存在していれば、図5(b)に示すようにソルダーレジスト膜118,120の両方を省略し、信号パターン111及び導体プレーン15がエアに露出されていてもよい。 Moreover, if the air gap D3 exists, the solder resist film 120 may be omitted and the conductor plane 15 may be exposed to the air as shown in FIG. 4(b). Further, if the air gap D3 exists, the signal pattern 111 may be exposed to the air by omitting the solder resist film 118 as shown in FIG. 5(a). If the air gap D3 exists, both the solder resist films 118 and 120 may be omitted, and the signal pattern 111 and conductor plane 15 may be exposed to the air, as shown in FIG. 5(b).

(実施例)
上記実施形態の回路モジュール100、及び上記比較例の回路モジュール100Xについて、信号の透過特性をコンピュータシミュレーションによって求めた。
(Example)
The signal transmission characteristics of the circuit module 100 of the embodiment and the circuit module 100X of the comparative example were obtained by computer simulation.

(実施例1)
実施例1で用いた回路モジュール100は、上記実施形態の回路モジュール100に対応する。導体の材質は、主に銅とした。信号パターン111と導体プレーン15のそれぞれは、表面がメッキされた銅箔とした。信号パターン111の配線幅を125μmとした。各ソルダーレジスト膜118,120の厚みを20μmとした。間隔D1を20μmとした。
(Example 1)
The circuit module 100 used in Example 1 corresponds to the circuit module 100 of the above embodiment. The material of the conductor was mainly copper. Each of the signal pattern 111 and the conductor plane 15 is made of copper foil with a plated surface. The wiring width of the signal pattern 111 was set to 125 μm. The thickness of each solder resist film 118, 120 was set to 20 μm. The interval D1 was set to 20 μm.

なお、間隔D1=20μmを実現する好適な方法として、子基板101及び親基板102のいずれか一方にペースト状のクリームはんだをスクリーン印刷などで塗布した後、子基板101を親基板102上に載置する。そして、リフロー炉で加熱してクリームはんだを溶融させ、その後冷却して溶融はんだを固化させることで実現できる。ただし、接続方法は、はんだ接合に限定するものではない。はんだ接合する場合、接続端子108のピッチが、子基板101上のロジックLSI103の端子のピッチ及びメモリIC104の端子のピッチよりも広い方が、実装信頼性の観点で望ましい。 As a suitable method for realizing the distance D1=20 μm, paste cream solder is applied to either the child substrate 101 or the mother substrate 102 by screen printing or the like, and then the child substrate 101 is placed on the mother substrate 102. place. Then, it can be realized by heating in a reflow furnace to melt the cream solder and then cooling to solidify the melted solder. However, the connection method is not limited to solder joint. In the case of soldering, it is preferable that the pitch of the connection terminals 108 is wider than the pitch of the terminals of the logic LSI 103 and the pitch of the terminals of the memory IC 104 on the child board 101 from the viewpoint of mounting reliability.

絶縁基材117,119の絶縁材は、ガラス繊維をエポキシ樹脂で含浸した複合材とした。絶縁基材117,119の比誘電率を4.3、ソルダーレジスト膜118,120の比誘電率を3.0とした。以上の形態において、信号パターン111の特性インピーダンスは60Ωとなった。 The insulating material of the insulating base materials 117 and 119 is a composite material in which glass fibers are impregnated with an epoxy resin. The relative dielectric constant of the insulating substrates 117 and 119 is 4.3, and the relative dielectric constant of the solder resist films 118 and 120 is 3.0. In the above configuration, the characteristic impedance of the signal pattern 111 was 60Ω.

(比較例1)
比較例1で用いた回路モジュール100Xは、上記比較例の回路モジュール100Xに対応する。導体の材質は、主に銅とした。絶縁基材119Xは、ガラス繊維をエポキシ樹脂で含浸した複合材とした。絶縁基材119Xの比誘電率を4.3とした。
(Comparative example 1)
The circuit module 100X used in Comparative Example 1 corresponds to the circuit module 100X of the comparative example. The material of the conductor was mainly copper. The insulating base material 119X is a composite material in which glass fibers are impregnated with an epoxy resin. The dielectric constant of the insulating base material 119X was set to 4.3.

信号パターン111X、導体パターンL2Xなどの銅箔の厚みを、18μmとした。導体パターンL1Xはエアに触れる層であるため、表面にメッキが施される。そのため、導体パターンL1Xの厚みを、信号パターン111Xや導体パターンL2Xよりも厚い、43μmとした。信号パターン111Xと導体パターンL1Xとの間隔を200μm、信号パターン111Xと導体パターンL2Xとの間隔を400μmとした。信号パターン111Xの配線幅を125μmとした。以上の形態において、信号パターン111Xの特性インピーダンスは60Ωであった。 The thickness of the copper foil of the signal pattern 111X, conductor pattern L2X, etc. was set to 18 μm. Since the conductor pattern L1X is a layer exposed to air, its surface is plated. Therefore, the thickness of the conductor pattern L1X is set to 43 μm, which is thicker than the signal pattern 111X and the conductor pattern L2X. The interval between the signal pattern 111X and the conductor pattern L1X was set to 200 μm, and the interval between the signal pattern 111X and the conductor pattern L2X was set to 400 μm. The wiring width of the signal pattern 111X was set to 125 μm. In the above embodiment, the characteristic impedance of the signal pattern 111X was 60Ω.

(実施例1と比較例1とのシミュレーション結果)
図6は、実施例1及び比較例1の透過特性を示すグラフである。図6において、縦軸は透過特性、横軸は周波数である。信号パターン111,111Xのそれぞれの配線長を100mmとした。図6に示すグラフは、1MHzから20GHzまでの周波数における各信号パターン111,111Xの透過特性のシミュレーション結果を示したグラフである。図6中、符号301は実施例1の透過特性、符号302は比較例1の透過特性である。シミュレータとしては、シーメンスEDAジャパン株式会社のHyperLynxを用いた。
(Simulation results of Example 1 and Comparative Example 1)
6 is a graph showing transmission characteristics of Example 1 and Comparative Example 1. FIG. In FIG. 6, the vertical axis is the transmission characteristic and the horizontal axis is the frequency. The wiring length of each of the signal patterns 111 and 111X was set to 100 mm. The graph shown in FIG. 6 is a graph showing simulation results of transmission characteristics of the signal patterns 111 and 111X at frequencies from 1 MHz to 20 GHz. In FIG. 6, reference numeral 301 denotes transmission characteristics of Example 1, and reference numeral 302 denotes transmission characteristics of Comparative Example 1. In FIG. HyperLynx of Siemens EDA Japan Co., Ltd. was used as a simulator.

透過特性は、信号パターン111,111Xの入力端に印加した正弦波の電気信号が出力端にどのくらい透過(伝搬)するかを電圧比で示すものである。電圧比の分母は、入力端における電圧、電圧比の分子は出力端における電圧である。 The transmission characteristic indicates, in voltage ratio, how much the sine-wave electric signal applied to the input ends of the signal patterns 111 and 111X is transmitted (propagated) to the output ends. The denominator of the voltage ratio is the voltage at the input and the numerator of the voltage ratio is the voltage at the output.

5GHzにおいて、比較例1の透過特性302では-2.87dBであり、30%ほど正弦波の振幅が減衰した。これに対し、実施例1の透過特性301では-0.36dBであり、4%ほど正弦波の振幅が減衰した。以上の結果から、実施例1の信号パターン111によれば、比較例1の信号パターン111Xに対して、信号波の透過特性が大きく改善されている。即ち、2Gbpsの信号伝送において、比較例1の信号パターン111Xでは、基本波の5倍の高調波である5GHzの信号成分が30%ほど減衰するため、波形劣化により伝送の不具合が発生する虞がある。これに対し、実施例1の信号パターン111では、基本波の5倍の高調波である5GHzの信号成分の減衰が4%程度であるため、比較例1よりも波形劣化が抑制される。よって、実施例1では、デジタル信号の高速伝送を実現することができる。 At 5 GHz, the transmission characteristic 302 of Comparative Example 1 was -2.87 dB, and the amplitude of the sine wave was attenuated by about 30%. On the other hand, the transmission characteristic 301 of Example 1 is -0.36 dB, and the amplitude of the sine wave is attenuated by about 4%. From the above results, according to the signal pattern 111 of Example 1, the transmission characteristics of the signal wave are greatly improved as compared with the signal pattern 111X of Comparative Example 1. FIG. That is, in signal transmission at 2 Gbps, in the signal pattern 111X of Comparative Example 1, the signal component of 5 GHz, which is a five-fold harmonic of the fundamental wave, is attenuated by about 30%. be. On the other hand, in the signal pattern 111 of the first embodiment, the attenuation of the signal component of 5 GHz, which is the five-fold harmonic of the fundamental wave, is about 4%. Therefore, in the first embodiment, high-speed transmission of digital signals can be realized.

図6に示すような透過特性301となるのは、実施例1の回路モジュール100の構造では、信号パターン111と導体プレーン15との間の誘電正接、即ち誘電損が小さくなるためと考えられる。 The transmission characteristic 301 as shown in FIG. 6 is considered to be because the dielectric loss tangent between the signal pattern 111 and the conductor plane 15, that is, the dielectric loss, is small in the structure of the circuit module 100 of the first embodiment.

また、比較例1の信号パターン111Xは導体パターンL1X,L2Xに挟まれて配置されているが、3層以上の基板102Xの強度をアンカー効果によって増すために、基板102Xに含まれる信号パターン111Xなどの銅箔の表面が粗化されている。銅箔の表面が粗化されているため、表皮効果による抵抗損が大きくなり、正弦波の減衰が大きいと考えられる。一方、実施例1の信号パターン111では、信号パターン111の導体面1111と、導体面1111に対向する導体プレーン15の導体面151とは、それぞれ表面が銅メッキされて平滑面となっている。各導体面1111,151の平坦度が良好で、そのため表皮効果による抵抗損が小さく、信号波の減衰を抑制できる。 In addition, although the signal pattern 111X of the comparative example 1 is sandwiched between the conductor patterns L1X and L2X, in order to increase the strength of the substrate 102X having three or more layers by the anchor effect, the signal pattern 111X included in the substrate 102X, etc. The surface of the copper foil of is roughened. Since the surface of the copper foil is roughened, the resistance loss due to the skin effect increases, and the attenuation of the sine wave is considered to be large. On the other hand, in the signal pattern 111 of the first embodiment, the conductor surface 1111 of the signal pattern 111 and the conductor surface 151 of the conductor plane 15 facing the conductor surface 1111 are plated with copper to form smooth surfaces. The flatness of each conductor surface 1111, 151 is good, so the resistance loss due to the skin effect is small, and the attenuation of signal waves can be suppressed.

図6において、20GHzにおける透過特性301,302の差が、5GHzにおける透過特性301,302の差よりも大きい。このように、デジタル信号の伝送速度が高速になるほど、透過特性301と透過特性302との差が大きくなっている。即ち、実施例1では、デジタル信号の伝送速度が高速になるほど、デジタル信号の減衰量の低減効果が高くなる。 In FIG. 6, the difference between transmission characteristics 301 and 302 at 20 GHz is greater than the difference between transmission characteristics 301 and 302 at 5 GHz. Thus, the difference between the transmission characteristics 301 and 302 increases as the transmission speed of the digital signal increases. That is, in the first embodiment, the higher the transmission speed of the digital signal, the higher the effect of reducing the amount of attenuation of the digital signal.

(実施例2)
図7は、実施例2のシミュレーション結果を示すグラフである。実施例2では、実施例1の構成で間隔D1、信号パターン111の幅w、各ソルダーレジスト膜118,120の厚みhrを変えたときの信号パターン111の特性インピーダンスをシミュレーションした。
(Example 2)
7 is a graph showing simulation results of Example 2. FIG. In Example 2, the characteristic impedance of the signal pattern 111 was simulated when the interval D1, the width w of the signal pattern 111, and the thickness hr of the solder resist films 118 and 120 were changed in the configuration of Example 1. FIG.

高速伝送においてデジタル信号の品質を確保するためには、インピーダンス整合も重要である。メモリIC104や信号ヴィア113における信号波の反射を低減することを考慮すると、信号パターン111における特性インピーダンスは、40Ω以上80Ω以下であるのが好ましく、60Ωであるのが更に好ましい。 Impedance matching is also important to ensure the quality of digital signals in high-speed transmission. Considering the reduction of signal wave reflection in the memory IC 104 and the signal via 113, the characteristic impedance of the signal pattern 111 is preferably 40Ω or more and 80Ω or less, more preferably 60Ω.

図7に示すグラフから、信号パターン111における特性インピーダンスを40Ω以上80Ω以下の範囲に収めるには、間隔D1は、8μm以上130μm以下であるのが好ましい。また、信号パターン111における特性インピーダンスを60Ωにするには、間隔D1は、12μm以上70μm以下であるのが好ましい。その際、信号パターン111の幅wは、25μm以上150μm以下であるのが好ましい。 From the graph shown in FIG. 7, it is preferable that the interval D1 be 8 μm or more and 130 μm or less in order to keep the characteristic impedance of the signal pattern 111 within the range of 40Ω or more and 80Ω or less. In order to set the characteristic impedance of the signal pattern 111 to 60Ω, the interval D1 is preferably 12 μm or more and 70 μm or less. In this case, the width w of the signal pattern 111 is preferably 25 μm or more and 150 μm or less.

このように、信号パターン111と導体プレーン15とを近づけることで、信号パターン111の幅wが狭くても、信号線11のインピーダンスをロジックLSI1103及びメモリIC104の入力端子のインピーダンスに整合させることができる。よって、信号パターン111を高密度に配線しつつ、信号線11間のクロストークが抑制され、高周波帯域での伝送損失を低減することができる。 Thus, by bringing the signal pattern 111 and the conductor plane 15 close to each other, the impedance of the signal line 11 can be matched with the impedance of the input terminals of the logic LSI 1103 and the memory IC 104 even if the width w of the signal pattern 111 is narrow. . Therefore, while wiring the signal patterns 111 at high density, the crosstalk between the signal lines 11 is suppressed, and the transmission loss in the high frequency band can be reduced.

本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and many modifications are possible within the technical concept of the present invention. Moreover, the effects described in the embodiments are merely enumerations of the most suitable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments.

また、上述の実施形態では、電子機器として、デジタルカメラ等の撮像装置に本発明の回路ユニットを適用した場合について説明したが、これに限定するものではない。本発明の電子ユニットは、電子機器として、例えばプリンタ、複写機、ファクシミリ及びこれらの機能を備えた複合機等の画像形成装置にも適用可能である。 Further, in the above-described embodiments, a case where the circuit unit of the present invention is applied to an imaging device such as a digital camera as an electronic device has been described, but the present invention is not limited to this. The electronic unit of the present invention can also be applied to image forming apparatuses such as printers, copiers, facsimiles, and multifunction machines having these functions as electronic equipment.

また、上述の実施形態では、子基板101と親基板102とがはんだ接合によって固定される場合について説明したが、これに限定するものではない。例えば、不図示の固定ジグによって固定される場合であってもよい。 Also, in the above-described embodiment, the case where the child board 101 and the parent board 102 are fixed by soldering has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it may be fixed by a fixing jig (not shown).

また、上述の実施形態では、子基板101にロジックLSI103及びメモリIC014が実装される場合について説明したが、これに限定するものではない。例えば、子基板101に別の基板が実装され、その別の基板にロジックLSI103及びメモリIC014が実装される場合であってもよい。 Also, in the above-described embodiment, the case where the logic LSI 103 and the memory IC 014 are mounted on the sub-board 101 has been described, but the present invention is not limited to this. For example, another board may be mounted on the child board 101, and the logic LSI 103 and the memory IC 014 may be mounted on the other board.

11…信号線、15…導体プレーン、100…回路モジュール、101…子基板(第1基板)、102…親基板(第2基板)、111…信号パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Signal line, 15... Conductor plane, 100... Circuit module, 101... Child board (first board), 102... Parent board (second board), 111... Signal pattern

Claims (20)

信号線を有する第1基板と、
前記第1基板と固定された第2基板と、を備え、
前記信号線は、前記第2基板の第2面に対向する、前記第1基板の第1面に配置された信号パターンを有し、
前記第2基板は、前記信号パターンと間隔をあけて対向するよう、前記第2面に配置された導体プレーンを有する、
ことを特徴とする回路モジュール。
a first substrate having a signal line;
comprising the first substrate and a fixed second substrate;
the signal line has a signal pattern arranged on the first surface of the first substrate facing the second surface of the second substrate;
The second substrate has a conductor plane arranged on the second surface so as to face the signal pattern with a gap therebetween.
A circuit module characterized by:
前記信号パターンは、前記導体プレーンと対向する第1導体面と、前記第1導体面と対向する第2導体面と、を有し、
前記第1導体面の表面粗さが、前記第2導体面の表面粗さよりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
The signal pattern has a first conductor surface facing the conductor plane and a second conductor surface facing the first conductor surface,
the surface roughness of the first conductor surface is smaller than the surface roughness of the second conductor surface;
2. The circuit module according to claim 1, wherein:
前記導体プレーンは、前記信号パターンと対向する第3導体面と、前記第3導体面と対向する第4導体面と、を有し、
前記第3導体面の表面粗さが、前記第4導体面の表面粗さよりも小さい、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の回路モジュール。
The conductor plane has a third conductor surface facing the signal pattern and a fourth conductor surface facing the third conductor surface,
the surface roughness of the third conductor surface is smaller than the surface roughness of the fourth conductor surface;
3. The circuit module according to claim 1, wherein:
前記第1基板の前記第1面とは反対の第3面に実装され、前記信号線を介してデジタル信号の通信を行う第1半導体素子及び第2半導体素子を更に備える、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の回路モジュール。
Further comprising a first semiconductor element and a second semiconductor element mounted on a third surface opposite to the first surface of the first substrate and performing digital signal communication via the signal line,
4. The circuit module according to claim 1, wherein:
前記第1半導体素子は、前記信号線と電気的に接続され、前記デジタル信号を送信する送信端子を含み、
前記第2半導体素子は、前記信号線と電気的に接続され、前記デジタル信号を受信する受信端子を含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の回路モジュール。
the first semiconductor element includes a transmission terminal electrically connected to the signal line and transmitting the digital signal;
The second semiconductor element is electrically connected to the signal line and includes a receiving terminal for receiving the digital signal,
5. The circuit module according to claim 4, wherein:
前記第2半導体素子は、メモリ素子である、
ことを特徴とする請求項4又は5に記載の回路モジュール。
wherein the second semiconductor device is a memory device;
6. The circuit module according to claim 4 or 5, characterized in that:
前記導体プレーンは、前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子に電源電圧を印加するのに用いる線路の一部である、
ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The conductor plane is part of a line used to apply a power supply voltage to the first semiconductor element and the second semiconductor element,
7. The circuit module according to any one of claims 4 to 6, characterized in that:
前記導体プレーンは、グラウンド電位とされる、
ことを特徴とする請求項7に記載の回路モジュール。
the conductor plane is at ground potential;
8. The circuit module according to claim 7, wherein:
前記信号パターンと前記導体プレーンとの間隔が、前記第1基板における、前記信号パターンが配置された第1導体層と、絶縁体を介して前記第1導体層と隣接する第2導体層との間隔よりも狭い、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The distance between the signal pattern and the conductor plane is the distance between the first conductor layer on which the signal pattern is arranged and the second conductor layer adjacent to the first conductor layer with an insulator interposed therebetween. narrower than the interval
9. The circuit module according to any one of claims 1 to 8, characterized in that:
前記信号パターンと前記導体プレーンとの間隔が、8μm以上130μm以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The distance between the signal pattern and the conductor plane is 8 μm or more and 130 μm or less.
10. The circuit module according to any one of claims 1 to 9, characterized in that:
前記信号パターンと前記導体プレーンとの間隔が、12μm以上70μm以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The distance between the signal pattern and the conductor plane is 12 μm or more and 70 μm or less.
10. The circuit module according to any one of claims 1 to 9, characterized in that:
前記信号パターンの幅が、25μm以上150μm以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The signal pattern has a width of 25 μm or more and 150 μm or less.
12. The circuit module according to claim 1, wherein:
前記第1基板及び前記第2基板の少なくとも一方は、リジッド基板である、
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の回路モジュール。
At least one of the first substrate and the second substrate is a rigid substrate,
13. The circuit module according to any one of claims 1 to 12, characterized in that:
前記リジッド基板は、プリント配線板である、
ことを特徴とする請求項13に記載の回路モジュール。
The rigid board is a printed wiring board,
14. The circuit module according to claim 13, wherein:
前記第1基板は、第1絶縁体部と、前記信号パターンを覆うように配置され、前記第1絶縁体部の比誘電率よりも低い比誘電率の第1ソルダーレジスト膜と、を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The first substrate has a first insulator portion, and a first solder resist film arranged to cover the signal pattern and having a relative dielectric constant lower than that of the first insulator portion.
15. The circuit module according to any one of claims 1 to 14, characterized in that:
前記第2基板は、第2絶縁体部と、前記導体プレーンを覆うように配置され、前記第2絶縁体部の比誘電率よりも低い比誘電率の第2ソルダーレジスト膜と、を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The second substrate has a second insulator portion, and a second solder resist film arranged to cover the conductor plane and having a relative dielectric constant lower than that of the second insulator portion.
16. The circuit module according to any one of claims 1 to 15, characterized in that:
前記第1基板の導体層の数が2つである、
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The number of conductor layers of the first substrate is two,
17. The circuit module according to any one of claims 1 to 16, characterized in that:
前記第2基板の導体層の数が2つ以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の回路モジュール。
The number of conductor layers of the second substrate is two or less,
18. The circuit module according to any one of claims 1 to 17, characterized in that:
前記信号パターンと前記導体プレーンと間には、エアギャップがある、
ことを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項に記載の回路モジュール。
there is an air gap between the signal pattern and the conductor plane;
19. The circuit module according to any one of claims 1 to 18, characterized in that:
筐体と、
前記筐体の内部に配置された、請求項1乃至19のいずれか1項に記載の回路モジュールと、
を備える電子機器。
a housing;
20. The circuit module according to any one of claims 1 to 19, arranged inside the housing;
electronic equipment.
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