JP2023012050A - 熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents

熱硬化性樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2023012050A
JP2023012050A JP2021115459A JP2021115459A JP2023012050A JP 2023012050 A JP2023012050 A JP 2023012050A JP 2021115459 A JP2021115459 A JP 2021115459A JP 2021115459 A JP2021115459 A JP 2021115459A JP 2023012050 A JP2023012050 A JP 2023012050A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
optical semiconductor
thermosetting resin
thermosetting
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021115459A
Other languages
English (en)
Inventor
謙司 大西
Kenji Onishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2021115459A priority Critical patent/JP2023012050A/ja
Priority to TW111125129A priority patent/TW202311319A/zh
Priority to KR1020220083059A priority patent/KR20230011239A/ko
Priority to CN202210853992.7A priority patent/CN115612235A/zh
Publication of JP2023012050A publication Critical patent/JP2023012050A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/062Copolymers with monomers not covered by C08L33/06
    • C08L33/068Copolymers with monomers not covered by C08L33/06 containing glycidyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C08F220/325Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013Fillers, pigments or reinforcing additives
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/06Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2333/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/06Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2333/10Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/14Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2433/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2433/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2433/06Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2433/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2433/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2433/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2433/06Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2433/10Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C08J2433/12Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2433/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2433/04Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2433/14Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

【課題】光半導体素子を封止した際の光透過率および耐熱性に優れる、光半導体素子封止用のシート状の樹脂組成物を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂組成物3は、基板5上に配置された1以上の光半導体素子6を封止するためのシート状の熱硬化性樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂組成物3は有機成分としてアクリル系樹脂を含み、前記有機成分中の前記アクリル系樹脂の含有割合は85質量%以上である。前記アクリル系樹脂はグリシジル基含有アクリル系樹脂を含むことが好ましい。【選択図】図1

Description

本発明は、熱硬化性樹脂組成物に関する。より具体的には、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するためのシート状の熱硬化性樹脂組成物に関する。
例えば液晶表示装置に使用されるバックライトは、基板上に複数のLEDが配置されており、上記複数のLEDが封止樹脂により封止された構造を有するものが知られている。上記封止樹脂を用いて上記複数のLEDを一括して封止する方法としては、複数のLEDが配置された領域に液状樹脂を流し込み、上記複数のLEDを埋没させた後、熱や紫外線照射により液状樹脂を硬化する方法が知られている。
しかし、液状樹脂を用いてLEDなどの光半導体素子を封止する方法では、液状樹脂を塗布する際に液だれが起こる、意図しない領域に液状樹脂が付着するなど、取り扱い性に劣るという問題があった。これに対し、液状樹脂を用いるのではなく、光半導体素子を封止するための封止層を備える封止用シートの形式とすることで、容易であり、簡易な工程且つ短時間で光半導体素子を封止することが考えられる。このような封止用シートとしては、熱可塑性樹脂を含む発光ダイオード基板用封止材シートが知られている(特許文献1参照)。
特開2021-9937号公報
しかしながら、熱可塑性樹脂を用いた封止用シートは、融点付近において上記熱可塑性樹脂が軟化溶融する場合があり、耐熱性に劣る傾向がある。このため、熱可塑性樹脂を用いた封止用シートを用いて光半導体素子を封止した後において、例えば封止用シートが適用された画像表示装置が発熱した際や封止後にリフロー工程に付した際に加熱されることにより封止用シートの形状が変化するなどといった問題がある。また、上記封止用シートには、光半導体素子が発する光の透過性に優れることが求められる。
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、光半導体素子を封止した際の光透過性および耐熱性に優れる、光半導体素子封止用のシート状の樹脂組成物を提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、光半導体素子封止用のシート状の樹脂組成物であって、アクリル系樹脂の含有割合が特定値以上である熱硬化性樹脂組成物によれば、光半導体素子を封止した際の光透過性および耐熱性に優れることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
すなわち、本発明は、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するためのシート状の熱硬化性樹脂組成物であって、
上記熱硬化性樹脂組成物は有機成分としてアクリル系樹脂を含み、
上記有機成分中の上記アクリル系樹脂の含有割合は85質量%以上である、熱硬化性樹脂組成物を提供する。
上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化性を有することにより、光半導体素子を備える基板にシート状の熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせて熱硬化性樹脂組成物中に光半導体素子を埋め込んだ後、加熱により硬化して光半導体素子を封止することができる。また、熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において加熱によって軟化溶融しにくいため、耐熱性に優れる。さらに、上記熱硬化性樹脂組成物は、上述のように、有機成分としてアクリル系樹脂を85質量%以上含有する。これにより、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において光透過性に優れる。
上記アクリル系樹脂はグリシジル基含有アクリル系樹脂を含むことが好ましい。これにより、グリシジル基が熱硬化性官能基として作用し、硬化剤を配合しない場合であっても熱硬化によりグリシジル基の反応が進行し、上記熱硬化性樹脂組成物が硬化する。このため、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において適度な柔軟性を有し、光半導体素子の封止性により優れる。
上記グリシジル基含有アクリル系樹脂はグリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むことが好ましい。また、上記グリシジル基含有アクリル系樹脂中の上記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有割合は5~50質量%であることが好ましい。上記含有割合が上記範囲内であると、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において適度な柔軟性を有し、光半導体素子の封止性により優れる。
上記グリシジル基含有アクリル系樹脂の重量平均分子量は2000~400000であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲内であると、光半導体素子の埋め込み性により優れる。また、上記有機成分中の上記グリシジル基含有アクリル系樹脂の含有割合は40質量%以上であることが好ましい。上記含有割合が40質量%以上であると、光半導体素子の埋め込み性により優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物の熱硬化後のヘイズ値は0.1~1.0%であることが好ましい。上記ヘイズ値が上記範囲内であると、熱硬化後において光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物の熱硬化後のショアD硬度は50~100であることが好ましい。上記ショアD硬度が上記範囲内であると、表面の耐傷性に優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物を厚さ100μmのウエハに貼り合わせた状態で熱硬化した際の、熱硬化前に対する熱硬化後の上記ウエハの反り量は4mm以下であることが好ましい。上記反り量が4mm以下であると、熱硬化後において光半導体素子の封止性により優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物の波長400nmの光透過率は85%以上であることが好ましい。上記光透過率が85%以上であると、光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物の硬化前の光透過率に対する硬化後の光透過率の比[硬化後/硬化前]は0.95以上であることが好ましい。上記比が0.95以上であると、熱硬化前後において白化や黄変などの着色が起こりにくく、光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。
また、本発明は、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記光半導体素子を封止する上記熱硬化性樹脂組成物が硬化した硬化物と、を備える光半導体装置を提供する。このような光半導体装置は、硬化物による光半導体素子の封止性に優れ、且つ、耐熱性に優れる。
上記光半導体装置は液晶画面のバックライトであってもよい。また、上記光半導体装置は自発光型表示装置であってもよい。
また、本発明は、上記バックライトと表示パネルとを備える画像表示装置を提供する。
また、本発明は、上記自発光型表示装置を備える画像表示装置を提供する。
本発明の熱硬化性樹脂組成物によれば、光半導体素子の封止性に優れながら、耐熱性に優れる。このため、シート状の上記熱硬化性樹脂組成物が適用された画像表示装置が発熱した際や封止後にリフロー工程に付した際に加熱された場合であっても、形状が変化しにくい。また、封止後のシートをリフロー工程等の加熱工程に付すことができ、光半導体装置を製造する際の工程の自由度が向上する。
本発明の熱硬化性樹脂組成物を備える光半導体素子封止用シートの一実施形態を示す断面図である。 図1に示す光半導体素子封止用シートを用いた光半導体装置の断面図である。 図2に示す光半導体装置がタイリングして作製された光半導体装置の一実施形態を示す外観図である。 光半導体装置の製造方法の一実施形態における埋め込み工程の様子を示す断面図を表す。 図4に示す埋め込み工程後に得られる積層体を示す断面図を表す。 図5に示す積層体に加熱工程を実施して得られる積層体を示す断面図を表す。 図6に示す積層体のダイシング工程におけるダイシング位置を示す断面図を表す。
[熱硬化性樹脂組成物]
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するためのシート状の熱硬化性樹脂組成物である。なお、本明細書において、「光半導体素子を封止する」とは、光半導体素子の少なくとも一部を熱硬化性樹脂組成物内に埋め込むことをいう。上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化性を有することにより、光半導体素子を備える基板にシート状の熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせて熱硬化性樹脂組成物中に光半導体素子を埋め込んだ後、加熱により硬化して光半導体素子を封止することができる。また、熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において加熱によって軟化溶融しにくいため、耐熱性に優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物は有機成分としてアクリル系樹脂を少なくとも含む。上記有機成分中のアクリル系樹脂の含有割合は、上記熱硬化性樹脂組成物中の有機成分の総量(100質量%)に対して、85質量%以上であり、好ましくは90質量%以上、より好ましくは95質量%以上である。上記含有割合が85質量%以上であることにより、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において光透過性に優れる。なお、上記含有割合は、100質量%であってもよい。
上記アクリル系樹脂は、樹脂(ポリマー)の構成単位として、アクリル系モノマー(分子中に(メタ)アクリロイル基またはこれに変換可能な構造を有するモノマー成分)に由来する構成単位を含む樹脂である。上記アクリル系樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含む樹脂であることが好ましい。なお、本明細書において、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」および/または「メタクリル」(「アクリル」および「メタクリル」のうち、いずれか一方または両方)を表し、他も同様である。
上記アクリル系樹脂は熱硬化性官能基を有することが好ましい。上記熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基等のエポキシ基含有基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基、アジリジル基などが挙げられる。中でも、エポキシ基含有基が好ましく、より好ましくはグリシジル基である。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル系樹脂が特に好ましい。上記熱硬化性官能基は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記熱硬化性官能基を有するアクリル系樹脂は、熱硬化性官能基を有するモノマーに由来する構成単位を含むことが好ましく、熱硬化性官能基を有するアクリル系モノマー(熱硬化性官能基含有アクリル系モノマー)に由来する構成単位を含むことがより好ましい。上記熱硬化性官能基を有するモノマーとしては、グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステル等のエポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物基含有モノマー、ヒドロキシ基含有(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。
上記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸メチルグリシジルなどが挙げられる。
上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。上記酸無水物基含有モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などが挙げられる。
上記ヒドロキシ基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
上記熱硬化性官能基含有アクリル系モノマーとしては、中でも、エポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、より好ましくはグリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルである。上記アクリル系樹脂がグリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むと、グリシジル基が熱硬化性官能基として作用し、硬化剤を配合しない場合であっても熱硬化によりグリシジル基の反応が進行し、上記熱硬化性樹脂組成物が硬化する。このため、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において適度な柔軟性を有し、光半導体素子の封止性により優れる。
上記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有割合は、上記グリシジル基含有アクリル系樹脂の全構成単位の総量(100質量%)に対して、5~50質量%が好ましく、より好ましくは6~45質量%である。上記含有割合が上記範囲内であると、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において適度な柔軟性を有し、光半導体素子の封止性により優れる。
上記熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂は、上記熱硬化性官能基含有モノマー以外のその他のモノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記その他のモノマーとしては、上記熱硬化性官能基含有アクリル系モノマー以外のその他の(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。上記その他のモノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記その他の(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルにおける炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル等の脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル等の芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸イソペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸エイコシルなどが挙げられる。
上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、中でも、炭素数が1~20(好ましくは1~14、より好ましくは2~10、さらに好ましくは2~8)の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましい。上記炭素数が上記範囲内であると、熱硬化時における上記熱硬化性基含有アクリル系樹脂の柔軟性をより適切なものとしやすく、埋め込み性がより向上する。
上記脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘプチル、(メタ)アクリル酸シクロオクチル等の一環式の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸イソボルニル等の二環式の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステル;ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、トリシクロペンタニル(メタ)アクリレート、1-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-メチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-エチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート等の三環以上の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルエステル、(メタ)アクリル酸ベンジルエステルなどが挙げられる。
アルコキシ基を有する炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルにおける炭化水素基中の1以上の水素原子をアルコキシ基に置換したものが挙げられ、例えば、(メタ)アクリル酸の2-メトキシメチルエステル、2-メトキシエチルエステル、2-メトキシブチルエステルなどが挙げられる。
上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性や光半導体素子への密着性等の基本特性を熱硬化性樹脂組成物において適切に発現させるためには、上記熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂の全構成単位に対する、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルの割合は、上記熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂の全構成単位の総量(100質量%)に対して、50~95質量%が好ましく、より好ましくは55~94質量%である。
上記その他のモノマー成分としては、さらに、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、窒素原子含有モノマー等の極性基含有モノマーなどが挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などが挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどが挙げられる。上記窒素原子含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリロイルモルホリン等のモルホリノ基含有モノマー、(メタ)アクリロニトリル等のシアノ基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド等のアミド基含有モノマーなどが挙げられる。
上記熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂は、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系樹脂を構成するモノマー成分と共重合可能な多官能(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能(メタ)アクリレートとしては、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。上記多官能(メタ)アクリレートは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂は、上述の各種モノマー成分を重合することにより得られる。この重合方法としては、特に限定されないが、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、活性エネルギー線照射による重合方法(活性エネルギー線重合方法)などが挙げられる。また、得られるアクリル系樹脂は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体などいずれであってもよい。
上記グリシジル基含有アクリル系樹脂の重量平均分子量は、2000~400000が好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲内であると、光半導体素子の埋め込み性により優れる。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミネーション・クロマトグラフィー(GPC)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値をいうものとする。
上記グリシジル基含有アクリル系樹脂としては、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化後においてある程度の硬さを有し側面が切削された光半導体装置の側面同士の密着性を低くする観点から、中でも、重量平均分子量30000~300000のものを含むことが好ましい。また、上記グリシジル基含有アクリル系樹脂としては、硬化前の損失弾性率を下げ、埋め込み性をより向上させることができる観点から、さらに、重量平均分子量2000~20000(好ましくは2000~10000)のものを含んでいてもよい。
上記有機成分中の上記グリシジル基含有アクリル系樹脂の含有割合は、上記熱硬化性樹脂組成物中の有機成分の総量(100質量%)に対して、40質量%以上(例えば、40~100質量%)が好ましく、より好ましくは50質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上である。上記含有割合が40質量%以上であると、光半導体素子の埋め込み性により優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物は、上述の熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂における熱硬化性官能基(第1の官能基)と熱により反応し得る官能基(第2の官能基)を有する成分を含むことが好ましい。上記第2の官能基も熱硬化性官能基である。この場合、熱硬化性樹脂組成物の加熱時において上記第1の官能基と上記第2の官能基とが反応することで熱硬化性樹脂組成の硬化がより促進される。
上記第2の官能基を有する成分は、上記第1の官能基を有する熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂以外の熱硬化性官能基含有アクリル系樹脂であってもよいし、第2の官能基を有するその他の成分であってもよい。上記第2の官能基を有する成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記第1の官能基と上記第2の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基などが挙げられる。上記組み合わせは、一種のみであってもよいし、二種以上であってもよい。
上記グリシジル基含有アクリル系樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂組成物は、上記第2の官能基を有する成分として、グリシジル基と反応性を有する官能基を有する成分を含むことが好ましい。上記グリシジル基と反応性を有する官能基としては、カルボキシ基、アジリジル基、ヒドロキシ基などが挙げられる。中でも、カルボキシ基、ヒドロキシ基が好ましい。上記ヒドロキシ基としては、酸性度が高くエポキシ基との反応性に優れる観点から、シラノール基が好ましい。
上記カルボキシ基を有する成分は、上記有機成分であることが好ましく、より好ましくはカルボキシ基含有アクリル系樹脂である。上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂を含有すると、上記グリシジル基含有アクリル系樹脂におけるグリシジル基とカルボキシ基との反応が、硬化剤を配合しない場合であってもより進行しやすく、且つ、光半導体素子の封止性により優れる。また、表面の耐傷性がよりいっそう優れる。
上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂は、カルボキシ基含有モノマーに由来する構成単位を含むことが好ましく、カルボキシ基含有アクリル系モノマーに由来する構成単位を含むことがより好ましい。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。
上記カルボキシ基含有アクリル系モノマーに由来する構成単位の含有割合は、上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂の全構成単位の総量(100質量%)に対して、1~50質量%が好ましく、より好ましくは10~40質量%である。上記含有割合が上記範囲内であると、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において適度な柔軟性を有し、光半導体素子の封止性により優れる。
上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂は、上記カルボキシ基含有モノマー以外のその他のモノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記その他のモノマーとしては、上記熱硬化性官能基含有アクリル系モノマー以外のその他の(メタ)アクリル酸エステルや、上記極性基含有モノマー、上記多官能性モノマーなどが挙げられる。上記その他のモノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記その他の(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルにおける(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、中でも、炭素数が1~20(好ましくは1~14、より好ましくは1~10、さらに好ましくは1~8)の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましい。上記炭素数が上記範囲内であると、上記熱硬化性基含有アクリル系樹脂の柔軟性をより適切なものとしやすく、埋め込み性がより向上する。
上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性や光半導体素子への密着性等の基本特性を熱硬化性樹脂組成物において適切に発現させるためには、上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂の全構成単位の総量(100質量%)に対する、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルの割合は、50~95質量%が好ましく、より好ましくは60~90質量%である。
上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂の重量平均分子量は、1000~200000が好ましく、より好ましくは3000~100000である。上記重量平均分子量が上記範囲内であると、光半導体装置の埋め込み性により優れる。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミネーション・クロマトグラフィー(GPC)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値をいうものとする。
上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂を含む場合、上記有機成分中の上記カルボキシ基含有アクリル系樹脂の含有割合は、上記熱硬化性樹脂組成物中の有機成分の総量(100質量%)に対して、5~60質量%が好ましく、より好ましくは10~50質量%、さらに好ましくは25~45質量%である。上記含有割合が上記範囲内であると、熱硬化性樹脂組成物の熱硬化性により優れる。また、表面の耐傷性により優れる、
上記熱硬化性樹脂組成物中の有機成分の含有割合は、上記熱硬化性樹脂組成物の総量(100質量%)に対して、50質量%以上が好ましく、より好ましくは60質量%以上、さらに好ましくは65質量%以上である。上記含有割合が50質量%以上であると、熱硬化性樹脂組成物の柔軟性に優れ、光半導体素子の埋め込み性により優れる。上記含有割合は、100質量%であってもよい。
上記熱硬化性樹脂組成物は、無機粒子を含んでいてもよい。上記無機粒子を含むと、熱硬化性樹脂組成物の硬化後において反りがより発生しにくくなる。また、ダイシング性に優れ、高い耐熱信頼性が担保される。上記無機粒子は、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記無機粒子は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記無機粒子は、シラノール基を有する無機粒子が好ましく、より好ましくはシリカ粒子である。上記シラノール基を有する無機粒子(特にシリカ粒子)を含有すると、当該無機粒子は上記第2の官能基を有するその他の成分に該当し、上記シラノール基が熱硬化性官能基として作用し、上記グリシジル基含有アクリル系樹脂におけるグリシジル基とシラノール基との反応が、硬化剤を配合しない場合であってもより進行しやすく、且つ、熱硬化性樹脂組成物の熱硬化前においてある程度の硬さを有することで光半導体素子の封止性に優れる。さらに、封止後において硬化した熱硬化性樹脂組成物の反りが抑制され、封止性によりいっそう優れる。
上記無機粒子の平均粒径は、50nm以下(例えば1~50nm)が好ましく、より好ましくは30nm以下(例えば3~30nm)である。上記平均粒径が50μm以下であると、無機粒子の総表面積が充分に大きくなる。このため、上記無機粒子がシラノール基を有する場合はシラノール基の量が多くなり、エポキシ基との反応性がより高くなる。また、熱硬化性樹脂組成物の硬化後において光透過性に優れ、高い耐熱信頼性が担保される。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計(例えば、商品名「LA-910」、株式会社堀場製作所製)を用いて求めることができる。
上記熱硬化性樹脂組成物が上記無機粒子を含有する場合、上記無機粒子の含有量は、上記有機成分の総量100質量部に対して、1~50質量部が好ましく、より好ましくは5~45質量部である。上記含有量が1質量部以上であると、熱硬化性樹脂組成物の熱硬化性により優れる。上記含有量が50質量部以下であると、熱硬化性樹脂組成物の柔軟性に優れ、光半導体素子の埋め込み性により優れる。また、表面の耐傷性に優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、上述の各種成分以外のその他の成分を含んでいてもよい。上記その他の成分としては、アクリル系樹脂以外の樹脂、架橋促進剤、粘着付与樹脂(ロジン誘導体、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール等)、オリゴマー、老化防止剤、その他の充填剤(有機充填剤等)、着色剤(顔料や染料など)、酸化防止剤、可塑剤、軟化剤、界面活性剤、帯電防止剤、表面潤滑剤、レベリング剤、光安定剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、粒状物、箔状物などが挙げられる。上記その他の成分は、それぞれ、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記着色剤としては、黒系着色剤が好ましい。上記黒系着色剤としては、公知乃至慣用の黒色を呈するための着色剤(顔料、染料等)を用いることができ、例えば、カーボンブラック(ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラック、松煙等)、グラファイト、酸化銅、二酸化マンガン、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト(非磁性フェライト、磁性フェライト等)、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、アントラキノン系着色剤、窒化ジルコニウムなどが挙げられる。黒系着色剤は一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。また、黒色以外の色を呈する着色剤を組み合わせて配合して黒系着色剤として機能する着色剤を用いてもよい。
上記熱硬化性樹脂組成物中の熱硬化性官能基の反応を促進あるいは架橋を形成する硬化剤の含有割合は、上記熱硬化性樹脂組成物の総量(100質量%)に対して、例えば10質量%以下であり、好ましくは5質量%以下、より好ましくは1質量%以下、さらに好ましくは0.5質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以下、さらに好ましくは0.01質量%以下、特に好ましくは実質的に含有しないことである。上記グリシジル基含有アクリル系樹脂は硬化剤を配合しない場合であっても熱硬化によりグリシジル基の反応が進行し、上記熱硬化性樹脂組成物が硬化する。このため、上記含有割合が10質量%以下であると、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において適度な柔軟性を有し、光半導体素子の封止性により優れる。また、光透過性により優れる。
上記硬化剤としては、例えば、グリシジル基の熱硬化を促進する作用を奏するものが挙げられ、具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。
上記熱硬化性樹脂組成物のヘイズ値は、1.0%以下が好ましく、より好ましくは0.8%以下である。上記ヘイズ値は、0.1%以上であってもよい。上記ヘイズ値が上記範囲内であると、熱硬化後において光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。また、上記熱硬化性樹脂組成物は、例えば硬化剤を配合しない、あるいはその配合率を最小限とすることができ、シンプルな構成で作製することができるため、上記ヘイズ値とすることが可能である。上記ヘイズ値は、例えば、ヘイズメーターを用い、JIS K 7136に基づいて測定することができる。また、上記熱硬化性樹脂組成物の熱硬化後におけるヘイズ値が上記範囲内であることが好ましい。上記熱硬化後のヘイズ値が上記範囲内であると、光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物の熱硬化後におけるショアD硬度は、50~100が好ましく、より好ましくは60~97、さらに好ましくは70~95である。上記ショアD硬度が上記範囲内であると、表面の耐傷性に優れる。上記ショアD硬度は、ASTM D-2240に基づいて測定することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物を厚さ100μmのウエハに貼り合わせた状態で熱硬化した際の、熱硬化前に対する熱硬化後の上記ウエハの反り量は、4mm以下が好ましく、より好ましくは3mm以下、さらに好ましくは1mm以下であることが好ましい。上記反り量が4mm以下であると、熱硬化後において光半導体素子の封止性により優れる。上記反り量は、上記シート状の熱硬化性樹脂組成物を厚さ100μmのウエハに貼り合わせ、熱硬化前のウエハの反りを0mmとし、上記熱硬化性樹脂組成物を熱硬化した際のウエハの反り量を測定して求められる。
上記熱硬化性樹脂組成物の波長400nmの光透過率は、85%以上が好ましく、より好ましくは90%以上である。上記光透過率が85%以上であると、光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。また、上記熱硬化性樹脂組成物は、例えば硬化剤を配合しない、あるいはその配合率を最小限とすることができ、シンプルな構成で作製することができるため、上記光透過率とすることが可能である。また、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化後、125℃で1000時間保管後における波長400nmの光透過率が上記範囲内であることが好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物の硬化前の上記光透過率に対する硬化後の上記光透過率の比[硬化後/硬化前]は0.95以上であることが好ましい。上記比が0.95以上であると、熱硬化前後において白化や黄変などの着色が起こりにくく、光透過性に優れ、画像表示装置用途として好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物(硬化前)の140℃せん断損失弾性率G’’は、0.5~40KPaが好ましく、より好ましくは1~20KPa、さらに好ましくは10~20KPaである。上記せん断損失弾性率G’’が0.5KPa以上であると、上記熱硬化性樹脂組成物を熱ラミネートにより光半導体素子に貼り合わせる際および熱硬化させる段階において加熱した際、光半導体素子を適度に埋め込むことができ、上記熱硬化性樹脂組成物のはみだしが起こりにくく、光半導体素子の封止性により優れる。また、上記せん断損失弾性率G’’が40KPa以下であると、上記熱硬化性樹脂組成物を熱ラミネートにより光半導体素子に貼り合わせる際および熱硬化させる段階において加熱した際、光半導体素子を充分に埋め込むことができ、光半導体素子の封止性により優れる。
上記せん断損失弾性率は、φ8mm×300μmの円柱状に打ち抜いた熱硬化性樹脂組成物について、せん断モード、周波数1Hzの条件で測定し、140℃におけるせん断損失弾性率を算出して得ることができる。上記せん断損失弾性率の測定および測定値の解析は、固体粘弾性測定装置(商品名「HAAKE MARSIII レオメーター」、Thermo SCIENTIFIC社製)を用いて行うことができる。
上記熱硬化性樹脂組成物(硬化前)の25℃引張貯蔵弾性率E’は、5~2000MPaが好ましく、より好ましくは10~1500MPa、さらに好ましくは20~1000MPaである。上記引張貯蔵弾性率E’が5MPa以上であると、熱硬化前に上記熱硬化性樹脂組成物を打ち抜き加工する際などにおいて切削性に優れる。上記引張貯蔵弾性率E’が2000MPa以下であると、適度な柔軟性を有するため取り扱い時に上記熱硬化性樹脂組成物の欠けや割れがより発生しにくく、ハンドリング性に優れる。
上記熱硬化性樹脂組成物の硬化後における、150℃引張貯蔵弾性率E’は、0.05~20MPaが好ましく、より好ましくは0.1~10MPa、さらに好ましくは0.15~5MPaである。上記引張貯蔵弾性率E’が0.05MPa以上であると、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化後においてある程度の硬さを有し、タイリング状態において隣接する光半導体装置の側面同士の密着性が低く、隣接した光半導体装置同士を引き離す際、光半導体装置側面におけるシートの欠損や隣接する光半導体装置のシートの付着が起こりにくい。上記引張貯蔵弾性率E’が20MPa以下であると、光半導体素子を封止した際において熱硬化性樹脂組成物の硬化物と基板との線膨張係数の差が小さく、反りがより起こりにくい。
上記熱硬化性樹脂組成物の硬化後におけるガラス転移温度(Tg)は、10~150℃が好ましく、より好ましくは20~100℃、さらに好ましくは20~60℃である。上記Tgが10℃以上であると、表面の耐傷性に優れる。上記Tgが150℃以下であると、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において反りがより発生しにくく、光半導体素子の封止性に優れる。上記ガラス転移温度は、動的粘弾性測定(DMA)装置を用いて算出することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物は、硬化後におけるガラス転移温度でのtanδが、0.1~5であることが好ましく、より好ましくは0.7~1.5、さらに好ましくは1.0~1.5である。上記tanδが0.1以上であると、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化後において反りがより発生しにくく、光半導体素子の封止性に優れる。上記tanδが5以下であると、表面の耐傷性に優れる。上記tanδは、動的粘弾性測定(DMA)装置を用いて算出することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物は、基材部の表面に設けられていてもよい。この場合、上記基材部は上記熱硬化性樹脂組成物の支持体となり、上記基材部を備えることにより上記熱硬化性樹脂組成物は取り扱い性に優れる。なお、上記基材部と、上記基材部の一方の面に設けられた上記熱硬化性樹脂組成物とを備えるシートを、光半導体素子封止用シートと称する場合がある。
また、上記熱硬化性樹脂組成物は、その少なくとも一方の面(例えば、上記基材部を有する場合は上記基材部とは反対側の表面)に、剥離ライナーを備えていてもよい。上記剥離ライナーは上記熱硬化性樹脂組成物の保護材として用いられ、熱硬化性樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する際に剥がされる。なお、剥離ライナーは必ずしも設けられなくてもよい。
上記剥離ライナーは、上記熱硬化性樹脂組成物表面を被覆して保護するための要素であり、光半導体素子が配置された基板に熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる際には当該シートから剥がされる。
上記剥離ライナーとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが挙げられる。
上記剥離ライナーの厚さは、例えば10~200μm、好ましくは15~150μm、より好ましくは20~100μmである。上記厚さが10μm以上であると、剥離ライナーの加工時に切り込みにより破断しにくい。上記厚さが200μm以下であると、使用時に上記熱硬化性樹脂組成物から剥離ライナーをより剥離しやすい。
[光半導体素子封止用シート]
上記光半導体素子封止用シートは、上記基材部と、上記基材部の一方の面に設けられたシート状の上記熱硬化性樹脂組成物とを備える。
以下、上記光半導体素子封止用シートの一実施形態について説明する。図1は、本発明の熱硬化性樹脂組成物を備える光半導体素子封止用シートの一実施形態を示す断面図である。図1に示すように、光半導体素子封止用シート1は、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するために使用することのできるものであり、基材部2と、シート状の熱硬化性樹脂組成物3と、剥離ライナー4とを備える。熱硬化性樹脂組成物3は、基材部2の一方の面に設けられている。剥離ライナー4は、熱硬化性樹脂組成物3の表面(基材部2を有する側とは反対側の表面)に貼付されている。言い換えると、光半導体素子封止用シート1は、基材部2、熱硬化性樹脂組成物3、および剥離ライナー4をこの順に備える。基材部2は、光学フィルム21と、プラスチックフィルム23とを有する複層であり、光学フィルム21とプラスチックフィルム23とは粘着剤層22を介して貼り合わせられている。
<基材部>
上記基材部は、単層であってもよいし、同一または組成や厚さ等が異なる複層であってもよい。上記基材部が複層である場合、各層は粘着剤層などの他の層により貼り合わせられていてもよい。なお、基材部に使用される基材層は、熱硬化性樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する際には、熱硬化性樹脂組成物とともに光半導体素子を備える基板に貼付される部分であり、熱硬化性樹脂組成物の使用時(貼付時)に剥離される剥離ライナーや、基材部表面を保護するに過ぎない表面保護フィルムは「基材部」には含まない。
上記基材部を構成する基材層としては、例えば、ガラスやプラスチック基材(特に、プラスチックフィルム)などが挙げられる。上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、アイオノマー、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-プロピレン共重合体、環状オレフィン系ポリマー、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂;ポリウレタン;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;ポリカーボネート;ポリイミド系樹脂;ポリエーテルエーテルケトン;ポリエーテルイミド;アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド;ポリフェニルスルフィド;フッ素樹脂;ポリ塩化ビニル;ポリ塩化ビニリデン;トリアセチルセルロース(TAC)等のセルロース樹脂;シリコーン樹脂;ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル系樹脂;ポリサルフォン;ポリアリレート;ポリ酢酸ビニルなどが挙げられる。上記樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記基材層は、反射防止(AR)フィルム、偏光板、位相差板等の各種光学フィルムであってもよい。上記基材部が光学フィルムを有する場合、上記基材層は光学部材にそのまま適用することができる。
上記プラスチックフィルムは、ポリエステル系樹脂および/またはポリイミド系樹脂を主成分(構成樹脂のうち最も質量割合の高い成分)として含むことが好ましい。このような構成を有することにより、上記基材部は耐熱性に優れ、高温環境下において基材部の熱膨張が抑制でき、寸法安定性が向上する。また、シートとしての剛性を付与することができるため、取り扱い性や保持性が向上する。
上記プラスチックフィルムの厚さは、20~200μmであることが好ましく、より好ましくは40~150μmである。上記厚さが20μm以上であると、光半導体素子封止用シートの支持性および取り扱い性がより向上する。上記厚さが200μm以下であると、光半導体装置をより薄くすることができる。
上記基材部は、ポリエステル系樹脂および/またはポリイミド系樹脂を主成分とするプラスチックフィルムと、光学フィルムとを含むことが好ましい。偏光板等の光学フィルムは一般的に支持性や取り扱い性に劣る傾向があり、上記プラスチックフィルムと組み合わせて用いることで、双方の長所を活かすことができる。この場合、特に、上記基材部において、上記プラスチックフィルムが上記熱硬化性樹脂組成物側であることが好ましい。
上記基材部は、アンチグレア性および/または反射防止性を有する層を備えることが好ましい。上記アンチグレア性および/または反射防止性を有する層は、例えば、上記基材層の少なくとも一方の面に、アンチグレア処理および/または反射防止処理を施すことで、上記アンチグレア処理層や反射防止処理層として得られる。上記アンチグレア処理層および上記反射防止処理層は、同一層であってもよいし、互いに異なる層であってもよい。アンチグレア処理および反射防止処理は、それぞれ、公知乃至慣用の方法で実施することができる。
上記基材部の上記熱硬化性樹脂組成物を備える側の表面は、熱硬化性樹脂組成物との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理;クロム酸処理等の化学的処理;コーティング剤(下塗り剤)による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材部における熱硬化性樹脂組成物側の表面全体に施されていることが好ましい。
上記基材部の厚さは、支持体としての機能および表面の耐擦傷性に優れる観点から、5μm以上が好ましく、より好ましくは10μm以上である。上記基材部の厚さは、透明性により優れる観点から、300μm以下が好ましく、より好ましくは200μm以下である。
上記基材部は、表面(上記熱硬化性樹脂組成物とは反対側の表面)に、表面保護フィルムを備えていてもよい。上記基材部として例えば上記光学フィルムを用いる場合、光学フィルムを使用時まで保護することができる。なお、表面保護フィルムは必ずしも設けられなくてもよい。
上記熱硬化性樹脂組成物は、上記剥離シートの剥離処理面上に上記熱硬化性樹脂組成物を形成することによって作製してもよい。さらに、上記熱硬化性樹脂組成物表面に上記基材部または別途剥離シートを貼り合わせてもよい。また、上記基材部上にて上記熱硬化性樹脂組成物を形成してもよい。さらに上記熱硬化性樹脂組成物表面に上記剥離シートを貼り合わせてもよい。上記熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物を形成する樹脂組成物を剥離シートの剥離処理面または基材部上に塗布して樹脂組成物を形成した後、加熱による脱溶媒や硬化を行い、あるいは活性エネルギー線照射による硬化を行い、該樹脂組成物を固化させることによって作製することができる。なお、加熱を行う場合、形成される熱硬化性樹脂組成物は光半導体素子を封止する際に熱硬化可能な状態としておく。樹脂組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。
上記熱硬化性樹脂組成物または上記光半導体装置封止用シートを用いて、光半導体素子が配置された基板上に上記熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせて、上記熱硬化性樹脂組成物により光半導体素子を封止することで、光半導体装置を得ることができる。具体的には、まず、必要に応じて剥離ライナーを剥離して上記熱硬化性樹脂組成物を露出させる。そして、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子(好ましくは複数の光半導体素子)とを備える光学部材の、光半導体素子が配置された基板面に、熱硬化性樹脂組成物の露出面を貼り合わせ、上記光学部材が複数の光半導体素子を備える場合はさらに複数の光半導体素子間の隙間を熱硬化性樹脂組成物が充填するように配置し、複数の光半導体素子を一括して埋め込む。その後、熱硬化性樹脂組成物を加熱して硬化させ、光半導体素子を封止する。このようにして、上記熱硬化性樹脂組成物または上記光半導体装置封止用シートを用いて光半導体素子を封止することができる。また、上記熱硬化性樹脂組成物または上記光半導体装置封止用シートを用いて、減圧環境下あるいは加圧しつつ貼り合わせることにより光半導体素子を埋め込んでもよい。このような方法としては、例えば、特開2016-29689号公報や特開平6-97268に開示の方法が挙げられる。
[光半導体装置]
上記熱硬化性樹脂組成物を用いて光半導体装置を作製することができる。上記熱硬化性樹脂組成物を用いて製造される光半導体装置は、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記光半導体素子を封止する上記熱硬化性樹脂組成物が硬化した硬化物と、を備える。上記硬化物は、上記熱硬化性樹脂組成物が熱硬化した硬化物であり、具体的には、上記熱硬化性樹脂組成物が熱硬化した硬化封止層を備える。
上記光半導体素子としては、例えば、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、紫外線発光ダイオード等の発光ダイオード(LED)が挙げられる。
上記光半導体装置において、上記熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子を凸部、複数の光半導体素子間の隙間を凹部としたときの凹凸への追従性に優れ光半導体素子の埋め込み性に優れるため、複数の光半導体素子を一括して封止していることが好ましい。
図2に、図1に示す光半導体素子封止用シート1を用いた光半導体装置の一実施形態を示す。図2に示す光半導体装置10は、基板5と、基板5の一方の面に配置された複数の光半導体素子6と、光半導体素子6を封止する光半導体素子封止用シートの硬化物1’とを備える。光半導体素子封止用シートの硬化物1’は光半導体素子封止用シート1から剥離ライナー4が剥離され、熱硬化性樹脂組成物3が熱硬化して形成された硬化封止層3’が形成されたものである。複数の光半導体素子6は、一括して硬化封止層3’に封止されている。硬化封止層3’は、複数の光半導体素子6で形成された凹凸形状に追従して光半導体素子6および基板5に密着し、光半導体素子6を埋め込んでいる。
上記光半導体装置は、上述のように、硬化封止層により光半導体素子を封止している。上記熱硬化性樹脂組成物の熱硬化後は、光透過性に優れ、光半導体素子が発する光を効率よく透過させることができる。また、上記熱硬化性樹脂組成物の熱硬化後は、耐熱性に優れる。このため、光半導体素子を封止した後において、例えば画像表示装置が発熱した際や封止後にリフロー工程に付した際に加熱した場合であっても、硬化封止層の形状が変化しにくい。また、上記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化前においては充分な柔軟性を有することで凹凸追従性に優れ、光半導体素子を充分に埋め込み、熱硬化後においては光半導体素子を固定する。このため、光半導体素子は硬化封止層に密着しており、光半導体素子の封止性に優れる。さらに、硬化封止層の側面は粘着性が低いため、タイリングされた状態において、隣接する光半導体装置同士を引き離す際、容易に引き離すことができ、シートの欠損や隣接する光半導体装置のシートの付着が起こりにくい。
上記光半導体装置は、個々の光半導体装置がタイリングされたものであってもよい。すなわち、上記光半導体装置は、複数の光半導体装置が平面方向にタイル状に配置されたものであってもよい。
図3に複数の光半導体装置が配置されて作製された光半導体装置の一実施形態を示す。図3に示す光半導体装置20は、複数の光半導体装置10が縦方向に4個、横方向に4個の計16個が平面方向にタイル状に配置(タイリング)されたものである。隣接する2つの光半導体装置10間の境界20aでは、光半導体装置10同士が隣接しているが、これらは容易に引き離すことができ、硬化封止層3’側面の欠損や、隣接する光半導体装置の一方から他方に、硬化封止層3’側面において欠損した樹脂の付着が起こりにくい。
上記光半導体装置は、液晶画面のバックライトであることが好ましく、特に全面直下型のバックライトであることが好ましい。また、上記バックライトと表示パネルとを組み合わせることで画像表示装置とすることができる。上記光半導体装置が液晶画面のバックライトである場合の光半導体素子はLED素子である。例えば、上記バックライトにおいて、上記基板上には、各LED素子に発光制御信号を送るための金属配線層が積層されている。赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色の光を発する各LED素子は、表示パネルの基板上に金属配線層を介して交互に配列されている。金属配線層は、銅などの金属によって形成されており、各LED素子の発光を反射して、画像の視認性を低下させる。また、RGBの各色の各LED素子が発する光が混色し、コントラストが低下する。
また、上記光半導体装置は、自発光型表示装置であることが好ましい。また、上記自発光型表示装置と、必要に応じて表示パネルとを組み合わせることで画像表示装置とすることができる。上記光半導体装置が自発光型表示装置である場合の光半導体素子はLED素子である。上記自発光型表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)表示装置や上記バックライトなどが挙げられる。例えば、上記自発光型表示装置において、上記基板上には、各LED素子に発光制御信号を送るための金属配線層が積層されている。赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色の光を発する各LED素子は、基板上に金属配線層を介して交互に配列されている。金属配線層は、銅などの金属によって形成されており、各LED素子の発光度合いを調整して各色を表示させる。
上記熱硬化性樹脂組成物および上記光半導体素子封止用シートは、折り曲げて使用される光半導体装置、例えば、折り曲げ可能な画像表示装置(フレキシブルディスプレイ)(特に、折り畳み可能な画像表示装置(フォルダブルディスプレイ))を有する光半導体装置に用いることができる。具体的には、折り畳み可能なバックライトおよび折り畳み可能な自発光型表示装置などに使用することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物および上記光半導体素子封止用シートは、光半導体素子の封止性に優れるため、上記光半導体装置がミニLED表示装置である場合およびマイクロLED表示装置である場合のいずれにも好ましく使用することができる。
[光半導体装置の製造方法]
上記光半導体装置は、例えば、上記光半導体素子封止用シートを、上記基板上に設けられた上記光半導体素子に貼り合わせて上記光半導体素子を上記熱硬化性樹脂組成物により埋め込む工程(埋め込み工程)、上記埋め込み工程を経て得られた、上記基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記光半導体素子を封止する上記光半導体素子封止用シートと、を備える積層体を加熱して上記熱硬化性樹脂組成物を硬化させて上記硬化物を得る工程(加熱工程)を備える製造方法により製造することができる。上記硬化物は、上記熱硬化性樹脂組成物が熱硬化した硬化物であり、具体的には、上記熱硬化性樹脂組成物が熱硬化した硬化封止層を備える。
上記製造方法は、さらに、上記加熱工程を経た上記積層体をダイシングして光半導体装置を得る工程(ダイシング工程)を備えていてもよい。また、上記製造方法は、さらに、上記ダイシング工程で得られた複数の光半導体装置を平面方向に接触するように並べるタイリング工程を備えていてもよい。以下、図2に示す光半導体装置10および図3に示す光半導体装置20の製造方法を適宜参酌して説明する。
(埋め込み工程)
上記埋め込み工程では、上記光半導体素子封止用シートを、光半導体素子が配置された基板に貼り合わせ、熱硬化性樹脂組成物により光半導体素子を封止する。上記埋め込み工程では、具体的には、図4に示すように、剥離ライナー4を剥離した光半導体素子封止用シート1の熱硬化性樹脂組成物3を、基板5の光半導体素子6が配置された面に対向するように配置し、光半導体素子封止用シート1を基板5の光半導体素子6が配置された面に貼り合わせ、図5に示すように光半導体素子6を熱硬化性樹脂組成物3に埋め込む。ダイシング工程にて端部を切り落としてサイズを揃える目的で、図4に示すように、貼り合わせに使用される基板5は、図2に示す光半導体装置10における基板5よりも平面方向に広く延びており、基板5の端部付近には光半導体素子6が配置されていない。また、貼り合わせる光半導体素子封止用シート1は、貼り合わせに使用される基板5よりも平面方向に広く延びている。すなわち、埋め込み工程において貼り合わせられる光半導体素子封止用シート1の基板5に対向する面の面積は、埋め込み工程において貼り合わせられる基板5の光半導体素子封止用シート1に対向する面の面積よりも大きい。
上記貼り合わせの際の温度は、例えば室温から150℃の範囲内である。また、上記貼り合わせの際、減圧または加圧してもよい。減圧や加圧により熱硬化性樹脂組成物と基板または光半導体素子との間に空隙が形成されるのを抑制することができる。また、上記埋め込み工程では、減圧下で光半導体素子封止用シートを貼り合わせ、その後加圧することが好ましい。減圧する場合の圧力は例えば1~100Paであり、減圧時間は例えば5~600秒である。また、加圧する場合の圧力は例えば0.05~0.5MPaであり、減圧時間は例えば5~600秒である。
(加熱工程)
上記加熱工程では、上記光半導体素子が配置された上記基板に上記光半導体素子封止用シートが貼り合わせられた積層体(例えば、上記埋め込み工程で得られた積層体)に対し、加熱して上記熱硬化性樹脂組成物を硬化させる。上記加熱工程では、具体的には、図6に示すように、熱硬化性樹脂組成物3を硬化させて硬化封止層3’が形成され、光半導体素子封止用シート1の硬化物1’が得られる。上記加熱時の温度は、例えば80~200℃の範囲内であり、加熱時間は例えば1分~24時間である。
(ダイシング工程)
上記ダイシング工程では、上記加熱工程を経た積層体をダイシングする。ここで、ダイシング工程に付す積層体において、光半導体素子封止用シートの硬化物1’および基板5は、上述のように、最終的に得られる光半導体装置10よりも平面方向に広く延びている。そして、上記ダイシング工程では、光半導体素子封止用シートの硬化物および基板の側端部をダイシングして除去する。具体的には、図7に示す鎖線の位置でダイシングを行い、側端部を除去する。上記ダイシングは、公知乃至慣用の方法により行うことができ、例えば、ダイシングブレードを用いた方法や、レーザー照射により行うことができる。このようにして、例えば図2に示す光半導体装置10を製造することができる。
(タイリング工程)
上記タイリング工程では、上記ダイシング工程で得られた複数の光半導体装置を平面方向に接触するように並べてタイリングする。このようにして、例えば図3に示す光半導体装置20を製造することができる。タイリングして得られた光半導体装置は、光半導体素子の封止性に優れながら、隣接する光半導体装置同士を引き離す際、シートの欠損や隣接する光半導体装置のシートの付着が起こりにくい。
以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
実施例1
アクリル樹脂(グリシジルメタクリレート(GMA):エチルアクリレート(EA):ブチルメタクリレート(BMA)=40質量%:28質量%:32質量%、重量平均分子量4万)100質量部、およびシリカフィラー(商品名「MEK-ST-40」、日産化学株式会社製)42質量部(固形分換算)をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液1を調製した。
上記樹脂組成物溶液1を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物1を作製した。
実施例2
アクリル樹脂(GMA:EA:BMA=7質量%:48質量%:45質量%、重量平均分子量25万)100質量部、およびシリカフィラー(商品名「MEK-ST-40」、日産化学株式会社製)20質量部(固形分換算)をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液2を調製した。
上記樹脂組成物溶液2を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物2を作製した。
実施例3
アクリル樹脂(GMA:EA:BMA=32質量%:32質量%:36質量%、重量平均分子量4万)100質量部、およびアクリル樹脂(2-エチルヘキシルアクリレート(EHA):メチルメタクリレート(MMA):メタクリル酸(MAA)=22質量%、63質量%:15質量%、重量平均分子量1万)55質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液3を調製した。
上記樹脂組成物溶液3を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物3を作製した。
実施例4
アクリル樹脂(GMA:EA:BMA=32質量%:32質量%:36質量%、重量平均分子量4万)100質量部、アクリル樹脂(EHA:MMA:MAA=22質量%、63質量%:15質量%、重量平均分子量1万)70質量部、およびアクリル樹脂(GMA:ブチルアクリレート(BA)=18質量%:82質量%、重量平均分子量0.25万)40質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液4を調製した。
上記樹脂組成物溶液4を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物4を作製した。
比較例1
アクリル樹脂(GMA:EA:BMA=60質量%:18質量%:22質量%、重量平均分子量45万)100質量部、フェノール樹脂(商品名「MEHC-7500」、明和化成株式会社製)55質量部、エポキシ樹脂(商品名「EPPN501HY」、日本化薬株式会社製)53質量部、およびシリカフィラー(商品名「MEK-ST-40」、日産化学株式会社製)120質量部(固形分換算)をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液5を調製した。
上記樹脂組成物溶液5を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物5を作製した。
比較例2
アクリル樹脂(GMA:EA:BMA=3質量%:56質量%:31質量%、重量平均分子量45万)100質量部、フェノール樹脂(商品名「MEHC-7500」、明和化成株式会社製)44質量部、およびエポキシ樹脂(商品名「JER828」、三菱ケミカル株式会社製)59質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液6を調製した。
上記樹脂組成物溶液6を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物6を作製した。
比較例3
アクリル樹脂(GMA:EA:BMA=60質量%:18質量%:22質量%、重量平均分子量45万)100質量部、フェノール樹脂(商品名「MEHC-7500」、明和化成株式会社製)279質量部、エポキシ樹脂(商品名「EPPN501HY」、日本化薬株式会社製)287質量部、およびシリカフィラー(商品名「SO-25R」、株式会社アドマテックス製)470質量部(固形分換算)をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が20質量%となる樹脂組成物溶液7を調製した。
上記樹脂組成物溶液7を、剥離ライナー(シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム)の離型処理面上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)20μmのシート状の熱硬化性樹脂組成物7を作製した。
<評価>
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物について、以下の評価を行った。結果を表に示す。
(1)140℃せん断損失弾性率
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を積層して、厚さ約300μmの熱硬化性樹脂組成物の積層体を作製し、φ8mmの円柱状に打ち抜いて測定サンプルとした。上記測定サンプルを、レオメーター(商品名「HAAKE MARSIII レオメーター」、Thermo SCIENTIFIC社製)を用いて、せん断モードで、周波数1Hzの条件で、80~160℃の範囲で昇温速度5℃/分で測定して、140℃におけるせん断損失弾性率を算出した。
(2)25℃引張貯蔵弾性率
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、60℃の条件下で厚さ200μmになるまで重ね合わせ、幅10mm×長さ40mmの短冊状にカッターナイフで切り出し、測定サンプルとした。上記測定サンプルを、固体粘弾性測定装置(商品名「RSAIII」、Rheometric Scientific社製)を用いて、引張モードで、周波数1Hz、チャック間距離22.5mmの条件で、-30~250℃の範囲で昇温速度5℃/分で測定して動的貯蔵弾性率を測定し、25℃における引張貯蔵弾性率を算出した。
(3)硬化後の150℃引張貯蔵弾性率
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、60℃の条件下で厚さ200μmになるまで重ね合わせ、長さ40mm×幅10mmの短冊状にカッターナイフで切り出し、その後150℃で1時間加熱して硬化させたものを測定サンプルとした。上記測定サンプルを、固体粘弾性測定装置(商品名「RSAIII」、Rheometric Scientific社製)を用いて、引張モードで、チャック間距離22.5mm、周波数1Hzの条件で、-30~250℃の範囲で昇温速度5℃/分で測定して動的貯蔵弾性率を測定し、150℃における引張貯蔵弾性率を算出した。
(4)硬化後のガラス転移温度およびtanδ
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、60℃の条件下で厚さ200μmになるまで重ね合わせ、次いで長さ40mm×幅10mmの短冊状の測定片を切り出した。次に、動的粘弾性測定装置(商品名「RSAIII」、Rheometric Scientific社製)を用いて、チャック間距離22.5mm、周波数1Hzの条件で、-30~250℃の範囲で昇温速度5℃/分で貯蔵弾性率および損失弾性率を測定し、tanδのピーク値よりガラス転移温度を算出した。また、当該ピーク値をガラス転移温度のtanδとして得た。
(5)光透過率(硬化前)
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物について、同様にして厚さ50μmのものを別途作製し、測定サンプルとした。そして、紫外可視近赤外分光光度計(商品名「V-670DS」、日本分光株式会社製)および積分球ユニットを使用して、300~2000nmの波長域における全光線透過率スペクトルを測定し、得られたスペクトルから波長400nmにおける透過率を読み取った。
(6)光透過率(硬化後)
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物について、同様にして厚さ50μmのものを別途作製し、その後150℃で1時間加熱して硬化させ、さらに125℃で1000時間保管したもの測定サンプルとした。そして、紫外可視近赤外分光光度計(商品名「V-670DS」、日本分光株式会社製)および積分球ユニットを使用して、300~2000nmの波長域における全光線透過率スペクトルを測定し、得られたスペクトルから波長400nmにおける透過率を読み取った。
(7)ヘイズ値
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物について、同様にして厚さ50μmのものを別途作製し、その後150℃で1時間加熱して硬化させ、さらに125℃で1000時間保管したもの測定サンプルとした。そして、濁度計(商品名「NDHG2000」、日本電色工業株式会社製)の試料室にセットして、光源D65を用いて、ヘイズ値を測定した。
(8)ショアD硬度
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を積層して、厚さ3mmの熱硬化性樹脂組成物の積層体を作製し、150℃で1時間、次いで175℃で1時間加熱して熱硬化させ、測定サンプルを作製した。そして、デュロメーターのタイプD圧子にてショアD硬度を測定した。
(9)反り量
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、厚さ100μmのウエハに貼り合わせ、150℃で1時間加熱して硬化させ、測定サンプルを作製した。そして、熱硬化前のウエハの反りを0mmとし、上記熱硬化性樹脂組成物を熱硬化した際のウエハの反り量を測定した。
(10)埋め込み性
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、10mm×10mm×200μmのミラーチップに、温度80℃、圧力0.3MPa、および貼り合わせ速度10mm/秒の条件で貼り合わせ、次いで、ダイボンダー(商品名「ダイボンダーSPA-300」、株式会社新川製)を用いて、ステージ温度140℃、ダイボンド荷重0.2MPa、およびダイボンド時間2秒の条件で表面凹凸10μmのBGA基板にボンディングした。そして、熱硬化性樹脂組成物と基板との間のボイドを、超音波映像装置(商品名「FineSAT III」、株式会社日立パワーソリューションズ製)を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を、二値化ソフト「WinRoof ver.5.6」を用いて算出した。また、チップからはみだした熱硬化性樹脂組成物の距離を光学顕微鏡にて測定した。そして、以下の基準に従って埋め込み性について評価した。
○:ボイドの占める面積が熱硬化性樹脂組成物の表面積に対して10%未満であり、且つ最大のはみだし量が100μm未満である
×:ボイドの占める面積が熱硬化性樹脂組成物の表面積に対して10%以上である、または、最大のはみだし量が100μm以上である
(11)ダイシング評価
実施例および比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物について、基板(商品名「鉛フリーユニバーサル基板ICB93SGPBF」、サンハヤト株式会社製)のパターン面に対して、剥離ライナーを剥離して露出した熱硬化性樹脂組成物面全面をハンドローラーで貼り合わせ、試験サンプルを作製した。なお、熱硬化性樹脂組成物の貼り合わせ面積は、貼り合わせられる基板の面積よりも大きい。貼り合わせは、温度22℃、湿度50%の環境下で、気泡が入らないようにして行った。その後、150℃で1時間加熱して熱硬化性樹脂組成物を硬化させた。
熱硬化後、試験サンプルの熱硬化性樹脂組成物を貼付していない側である基板表面にダイシングテープ(商品名「NBD-5172K」、日東電工株式会社製)を貼付した。ダイシングテープの粘着剤面にはダイシングするためのダイシングリングを貼付した。貼付後、遮光下および温度22℃の環境下で30分放置した。その後、下記のダイシング条件で、試験サンプルおよびダイシングテープの積層体について、基板の側端から内側に向かって5mmの位置のブレードダイシングを行った。
<ダイシング条件>
ダイシング装置:商品名「DFD-6450」、株式会社ディスコ製
カット方式:シングルカット
ダイシング速度:30mm/秒
ダイシングブレード:商品名「P1A861 SDC400N75BR597」、株式会社ディスコ製
ダイシングブレード回転数:30,000rpm
ブレード高さ:85μm
水量:1.5L/分
ダイシング間隔:10mm
1回のダイシングの距離:試験サンプルの全長分
なお、ダイシングに用いたブレードは、以下の方法でドレスダイシングを行ったものを用いた。
ダイシングテープ(商品名「NBD-7163K」、日東電工株式会社製)の粘着剤層に、ダイシングリングと、ボード(商品名「DRESSER BOARD BGCA0172」、株式会社ディスコ製)とを貼り付け、処理用のワークを作製した。次いで、得られたワークを下記のドレスダイシング条件でダイシングし、上記ブレードダイシング用のブレードを得た。
<ドレスダイシング条件>
ダイシング装置:製品名「DFD-6450」、株式会社ディスコ製
カット方式:シングルカット
ダイシング速度:55mm/秒
ダイシングブレード:商品名「P1A861 SDC400N75BR597」(新品)、株式会社ディスコ製
ダイシングブレード回転数:35,000rpm
ブレード高さ:500μm
水量:1.5L/分
1回のダイシングの距離:ボードの全長
ダイシング間隔:1mm刻み
ダイシング回数:100回
その後、ブレードダイシングによって短冊状に切断された、試験サンプルおよび基板の積層体のダイシング面について確認し、べたつきがないかを確認した。べたつきが確認されたものを「×」とし、確認できかったものを「○」として評価した。
Figure 2023012050000002
表1に示すように、本発明の熱硬化性樹脂組成物(実施例)は、硬化後において光透過率が高く光透過性に優れると評価された。また、耐熱性に優れ、反り量が小さい、ダイシング性が良好であると評価された。さらに、埋め込み性が良好であり、光半導体素子の封止性に優れると評価された。一方、熱硬化性樹脂組成物中のアクリル系樹脂の含有割合が低い場合(比較例)、硬化後の光透過率が低く光透過性に劣ると評価された。また、埋め込み性やダイシング性が劣る、反り量が大きく耐熱性に劣る場合もあった。
1 光半導体素子封止用シート
1’ 光半導体素子封止用シートの硬化物
2 基材部
21 光学フィルム
22 粘着剤層
23 プラスチックフィルム
3 熱硬化性樹脂組成物
3’ 硬化封止層
4 剥離ライナー
5 基板
6 光半導体素子
10,20 光半導体装置

Claims (14)

  1. 基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するためのシート状の熱硬化性樹脂組成物であって、
    前記熱硬化性樹脂組成物は有機成分としてアクリル系樹脂を含み、
    前記有機成分中の前記アクリル系樹脂の含有割合は85質量%以上である、熱硬化性樹脂組成物。
  2. 前記アクリル系樹脂はグリシジル基含有アクリル系樹脂を含む請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  3. 前記グリシジル基含有アクリル系樹脂はグリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含み、前記グリシジル基含有アクリル系樹脂中の前記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有割合は5~50質量%である、請求項2に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  4. 前記グリシジル基含有アクリル系樹脂の重量平均分子量は2000~400000であり、前記有機成分中の前記グリシジル基含有アクリル系樹脂の含有割合は40質量%以上である、請求項2または3に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  5. 熱硬化後のヘイズ値は0.1~1.0%である請求項1~4のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  6. 熱硬化後のショアD硬度は50~100である請求項1~5のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  7. 厚さ100μmのウエハに貼り合わせた状態で熱硬化した際の、熱硬化前に対する熱硬化後の上記ウエハの反り量は4mm以下である請求項1~6のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  8. 波長400nmの光透過率は85%以上である請求項1~7のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  9. 硬化前の光透過率に対する硬化後の光透過率の比[硬化後/硬化前]は0.95以上である請求項1~8のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  10. 基板と、前記基板上に配置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する、請求項1~9のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物が硬化した硬化物と、を備える光半導体装置。
  11. 液晶画面のバックライトである請求項10に記載の光半導体装置。
  12. 請求項11に記載のバックライトと表示パネルとを備える画像表示装置。
  13. 自発光型表示装置である請求項10に記載の光半導体装置。
  14. 請求項13に記載の自発光型表示装置を備える画像表示装置。
JP2021115459A 2021-07-13 2021-07-13 熱硬化性樹脂組成物 Pending JP2023012050A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021115459A JP2023012050A (ja) 2021-07-13 2021-07-13 熱硬化性樹脂組成物
TW111125129A TW202311319A (zh) 2021-07-13 2022-07-05 熱硬化性樹脂組合物
KR1020220083059A KR20230011239A (ko) 2021-07-13 2022-07-06 열경화성 수지 조성물
CN202210853992.7A CN115612235A (zh) 2021-07-13 2022-07-13 热固性树脂组合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021115459A JP2023012050A (ja) 2021-07-13 2021-07-13 熱硬化性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023012050A true JP2023012050A (ja) 2023-01-25

Family

ID=84857065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021115459A Pending JP2023012050A (ja) 2021-07-13 2021-07-13 熱硬化性樹脂組成物

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023012050A (ja)
KR (1) KR20230011239A (ja)
CN (1) CN115612235A (ja)
TW (1) TW202311319A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021009937A (ja) 2019-07-01 2021-01-28 大日本印刷株式会社 封止部材付き発光ダイオード基板、表示装置、タイリング表示装置、および発光ダイオード基板用封止材シート

Also Published As

Publication number Publication date
TW202311319A (zh) 2023-03-16
CN115612235A (zh) 2023-01-17
KR20230011239A (ko) 2023-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102169223B1 (ko) 필름상 접착제, 반도체 접합용 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101634064B1 (ko) 수지막 형성용 복합 시트
TWI632217B (zh) Semiconductor bonded bonding sheet and method of manufacturing semiconductor device
TWI809051B (zh) 保護膜形成用複合片及附有保護膜的半導體晶片的製造方法
TWI805704B (zh) 保護膜形成用複合片及附有保護膜的半導體晶片的製造方法
JPWO2019182001A1 (ja) フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
KR20230011238A (ko) 열경화성 수지 조성물
JP7451815B2 (ja) 光半導体素子封止用シート
TWI695872B (zh) 樹脂膜形成用薄片、及樹脂膜形成用複合薄片
CN110831766B (zh) 树脂膜形成用膜及树脂膜形成用复合片
JP2023012050A (ja) 熱硬化性樹脂組成物
TW202100694A (zh) 膜狀接著劑以及半導體加工用片
JP7447035B2 (ja) 光半導体素子封止用シート
JP7291310B1 (ja) 熱硬化性フィルム、複合シート、及び半導体装置の製造方法
JP7520497B2 (ja) 接着フィルム及び接着複合シート
JP7217175B2 (ja) 半導体背面密着フィルムおよびダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム
WO2020137934A1 (ja) フィルム状接着剤、積層シート、複合シート、及び積層体の製造方法
TW202111054A (zh) 保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片、以及具保護膜之工件加工物之製造方法
TW202313339A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、以及具保護膜之工件加工物的製造方法
WO2020137944A1 (ja) フィルム状接着剤、積層シート、複合シート、及び積層体の製造方法
TW202348757A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、半導體裝置之製造方法、以及保護膜形成膜之使用
JP2024139200A (ja) 熱硬化性樹脂フィルム、複合シート、半導体チップ、及び半導体チップの製造方法
JP2023031526A (ja) 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、保護膜付きワークの製造方法、及び、保護膜付きワーク加工物の製造方法
CN115109370A (zh) 保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的工件加工物与带保护膜的工件的制造方法
CN112868095A (zh) 热固性树脂膜及第一保护膜形成用片

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240911