JP2023009685A

JP2023009685A - Substrate processing method and substrate processing system

Info

Publication number: JP2023009685A
Application number: JP2021113149A
Authority: JP
Inventors: 梨沙子松田; risako Matsuda; 慶太庄司; Keita Shoji
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2021-07-07
Filing date: 2021-07-07
Publication date: 2023-01-20

Abstract

To appropriately diagnose the appropriateness of a measuring device for a gas flow rate in a substrate processing system and to appropriately reduce a time for the diagnosis.SOLUTION: A substrate processing method includes the steps of: measuring a first internal pressure by a plurality of pressure sensors in a state in which an internal pressure of a flow measuring part is stable; comparing the first internal pressure measured by each of the plurality of pressure sensors with each other to obtain a first comparison result; measuring a second internal pressure different from the first internal pressure by a plurality of pressure sensors in a state in which the internal pressure of the flow measuring part is stable; comparing the second internal pressure measured by each of the plurality of pressure sensors with each other to obtain a second comparison result; and diagnosing whether or not calibration is required for each of the plurality of pressure sensors based on the first and the second comparison results.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。 The present disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing system.

特許文献１には、流量制御器からガス流路に出力されたガスの流量を、ガス供給に伴うガス流路内の圧力の上昇速度と、ガス流路内の温度と、既知のガス流路容積と、に基づいてビルドアップ（ＢｕｉｌｄＵｐ）手法を用いて算出する方法が開示されている。 In Patent Document 1, the flow rate of gas output from a flow controller to a gas flow path is determined by the rate of pressure increase in the gas flow path due to gas supply, the temperature in the gas flow path, and the known gas flow path. A method of calculating using a build-up method based on the volume is disclosed.

特開２０１９－１２０６１７号公報JP 2019-120617 A

本開示にかかる技術は、基板処理システムにおけるガス流量の測定装置の妥当性を適切に診断すると共に、当該診断に係る時間を適切に短縮する。 The technique according to the present disclosure appropriately diagnoses the validity of a gas flow rate measuring device in a substrate processing system and appropriately shortens the time required for the diagnosis.

本開示の一態様は、基板処理システムを用いて行われる基板処理方法であって、前記基板処理システムは、前記基板を収容して所望のガス処理を施すチャンバと、少なくとも前記チャンバの内部にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部からチャンバに供給されるガスの流量を調整する流量制御部と、前記流量制御部の二次側に接続され、前記流量制御部から出力されるガスの流量を測定する流量測定部と、前記流量測定部の内部圧力を測定する複数の圧力センサと、を備え、前記基板処理方法は、前記流量測定部の内部圧力が安定した状態で、複数の前記圧力センサにより第１の内部圧力を測定する工程と、複数の前記圧力センサの各々で測定された前記第１の内部圧力を相互に比較して第１の比較結果を取得する工程と、前記流量測定部の内部圧力が安定した状態で、複数の前記圧力センサにより前記第１の内部圧力とは異なる第２の内部圧力を測定する工程と、複数の前記圧力センサの各々で測定された前記第２の内部圧力を相互に比較して第２の比較結果を取得する工程と、前記第１の比較結果及び前記第２の比較結果に基づいて、複数の前記圧力センサの各々に較正が必要であるか否かを診断する工程と、を含む。 One aspect of the present disclosure is a substrate processing method performed using a substrate processing system, wherein the substrate processing system includes a chamber that accommodates the substrate and performs desired gas processing; a gas supply unit that supplies the gas, a flow control unit that adjusts the flow rate of the gas supplied from the gas supply unit to the chamber, and a gas that is connected to the secondary side of the flow control unit and is output from the flow control unit and a plurality of pressure sensors for measuring the internal pressure of the flow rate measurement section, wherein the substrate processing method comprises a plurality of measuring a first internal pressure with the pressure sensor; comparing the first internal pressures measured by each of the plurality of pressure sensors to obtain a first comparison result; a step of measuring a second internal pressure different from the first internal pressure with the plurality of pressure sensors in a state where the internal pressure of the flow rate measurement unit is stable; comparing second internal pressures to each other to obtain a second comparison result; and calibration of each of the plurality of pressure sensors based on the first comparison result and the second comparison result. and diagnosing whether the

本開示によれば、基板処理システムにおけるガス流量の測定装置の妥当性を適切に診断すると共に、当該診断に係る時間を適切に短縮することができる。 According to the present disclosure, it is possible to appropriately diagnose the validity of a gas flow rate measuring device in a substrate processing system, and to appropriately shorten the time required for the diagnosis.

実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成例を示す平面図である。1 is a plan view showing a configuration example of a wafer processing system according to an embodiment; FIG. 実施の形態にかかるガス供給機構の構成例を示す系統図である。1 is a system diagram showing a configuration example of a gas supply mechanism according to an embodiment; FIG. 実施の形態にかかるガス流量の測定方法を示すフロー図である。It is a flow chart showing a method of measuring a gas flow rate according to an embodiment. 図３に示すガス流量の測定方法におけるバルブの開閉タイミングを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing valve opening/closing timings in the gas flow rate measuring method shown in FIG. 3 ; 自己診断の実施タイミングについての説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of the execution timing of self-diagnosis;

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、チャンバの内部空間に配置された半導体基板（以下、「ウェハ」という。）に対して、所望のガス雰囲気下でエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理等の各種ガス処理が行われる。これらガス処理においては、処理対象のウェハに対して所望のガス処理結果を得るため、チャンバの内部空間に供給されるガスの流量を精密に測定することが重要になる。 In the manufacturing process of semiconductor devices, a semiconductor substrate (hereinafter referred to as "wafer") placed in the inner space of a chamber is subjected to various gases such as etching, film formation, cleaning, etc. under a desired gas atmosphere. processing takes place. In these gas processes, it is important to precisely measure the flow rate of the gas supplied to the internal space of the chamber in order to obtain the desired gas process results for the wafers to be processed.

特許文献１には、チャンバ本体の内部空間に供給されるガスの流量を測定する流量測定システムを備えた基板処理システムが開示されている。特許文献１に記載の流量測定方法によれば、ガス流量の測定手法の一つとしてビルドアップ手法が用いられ、容積が既知のガス流路に対してガスを供給することで、当該ガス供給に伴うガス流路内の圧力上昇速度、ガス流路内の温度、及び当該ガス流路の容積に基づいてガス流量を測定する。 Patent Document 1 discloses a substrate processing system provided with a flow rate measurement system that measures the flow rate of gas supplied to the internal space of the chamber body. According to the flow rate measurement method described in Patent Document 1, a build-up method is used as one of the gas flow rate measurement methods. The gas flow rate is measured based on the accompanying rate of pressure increase in the gas channel, the temperature in the gas channel, and the volume of the gas channel.

ところで、特許文献１にも記載される当該流量測定システムでは、上述のようなガス流量の測定に加え、チャンバの内部空間にガスを出力する流量制御機器（例えばマスフローコントローラ等）の校正、すなわち０点調整やスパン（測定範囲）調整を行う場合がある。かかる場合、流量測定システムは流量制御機器から出力されるガス流量の基準として機能する。 By the way, in the flow measurement system described in Patent Document 1, in addition to measuring the gas flow rate as described above, calibration of a flow control device (for example, a mass flow controller, etc.) that outputs gas to the internal space of the chamber, that is, zero Point adjustment and span (measurement range) adjustment may be performed. In such cases, the flow measurement system serves as a reference for the gas flow output from the flow control device.

しかしながら、このように流量測定システムを用いて流量制御機器の校正が行われる場合、例えば基準となる当該流量測定システムが備える圧力センサにずれ、すなわち０点ずれやスパンずれが生じていると、流量制御機器から出力されるガス流量が所望のガス流量からずれた状態で校正され、この結果、処理対象のウェハに対して所望のガス処理結果が得られなくなるおそれがある。そこで、かかる流量測定システム（圧力センサ）のずれに起因する流量制御機器の校正の不具合を抑制するため、かかる圧力センサによる測定値に妥当性があるかを診断することが必要になる。 However, when the flow control device is calibrated using the flow measurement system in this way, for example, if the pressure sensor provided in the flow measurement system as a reference has a deviation, that is, a zero point deviation or a span deviation, the flow rate There is a possibility that the gas flow rate output from the control device is calibrated in a state deviating from the desired gas flow rate, and as a result, the desired gas processing result cannot be obtained for the wafer to be processed. Therefore, in order to suppress calibration failure of the flow control device due to the deviation of the flow measurement system (pressure sensor), it is necessary to diagnose whether the measurement value by the pressure sensor is valid.

圧力センサの測定値の診断は、従来、例えば当該圧力センサに診断用の外部機器を接続することにより行われる。しかしながら、このように外部機器を用いて診断を行う場合、かかる外部機器自身に妥当性があるかを更に確認する必要があることに加え、当該外部機器の着脱が必要になることから診断に長時間を要し、例えばシステムの定期メンテナンス等の時間を利用する必要があった。すなわち、このように従来の流量測定システムにおいては、圧力センサの測定値の妥当性の診断を行うという観点において改善の余地があった。 Diagnosis of the measured value of the pressure sensor is conventionally performed, for example, by connecting an external device for diagnosis to the pressure sensor. However, when performing a diagnosis using an external device in this way, it is necessary to further confirm the validity of the external device itself, and in addition, it is necessary to attach and detach the external device. It was time-consuming, and it was necessary to use the time for periodic maintenance of the system, for example. That is, in the conventional flow measurement system, there is room for improvement in terms of diagnosing the validity of the measured value of the pressure sensor.

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板処理システムにおけるガス流量の測定装置の妥当性を適切に診断すると共に、当該診断に係る時間を適切に短縮する。以下、一実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 The technique according to the present disclosure has been made in view of the above circumstances, and appropriately diagnoses the validity of a gas flow rate measuring device in a substrate processing system and appropriately shortens the time required for the diagnosis. A wafer processing system as a substrate processing system according to one embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.

＜ウェハ処理システムの構成＞
図１は、本実施形態にかかるウェハ処理システム１の構成の概略を示す平面図である。ウェハ処理システム１では、基板としてのウェハＷに対して、例えばエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理等の所望のガス処理を行う。 <Configuration of Wafer Processing System>
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a wafer processing system 1 according to this embodiment. In the wafer processing system 1, a wafer W as a substrate is subjected to desired gas processing such as etching processing, film forming processing, cleaning processing, and the like.

図１に示すようにウェハ処理システム１は、大気部１０と減圧部１１がロードロックモジュール２０、２１を介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う減圧モジュールを備える。 As shown in FIG. 1, the wafer processing system 1 has a configuration in which an atmosphere section 10 and a decompression section 11 are integrally connected via load lock modules 20 and 21 . The atmospheric part 10 includes an atmospheric module that performs desired processing on the wafer W under atmospheric pressure. The decompression unit 11 includes a decompression module that performs desired processing on the wafer W in a decompressed atmosphere.

ロードロックモジュール２０、２１は、それぞれゲートバルブ２０ａ、２１ａを介して、大気部１０の後述するローダモジュール３０と接続されている。またロードロックモジュール２０、２１は、それぞれゲートバルブ２０ｂ、２１ｂを介して、減圧部１１の後述するトランスファモジュール５０と接続されている。ロードロックモジュール２０、２１は、ウェハＷを一時的に保持するように構成されている。また、ロードロックモジュール２０、２１は、内部を大気圧雰囲気と減圧雰囲気（真空状態）とに切り替えられるように構成されている。 The load lock modules 20 and 21 are connected to a later-described loader module 30 of the atmosphere section 10 via gate valves 20a and 21a, respectively. The load lock modules 20 and 21 are connected to a later-described transfer module 50 of the decompression section 11 via gate valves 20b and 21b, respectively. The load lock modules 20, 21 are configured to hold the wafer W temporarily. Further, the load lock modules 20 and 21 are configured so that the inside can be switched between an atmospheric pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere (vacuum state).

大気部１０は、大気圧雰囲気下でウェハＷを搬送するローダモジュール３０を有している。ローダモジュール３０には、複数のウェハＷを保管可能なフープ３１を載置する複数、例えば５つのロードポート３２と、前述のロードロックモジュール２０、２１が設けられている。なお、ローダモジュール３０には、ウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール（図示せず）や複数のウェハＷを格納する格納モジュール（図示せず）などが設けられていてもよい。 The atmospheric part 10 has a loader module 30 that transports the wafer W under atmospheric pressure. The loader module 30 is provided with a plurality of, for example, five load ports 32 on which FOUPs 31 capable of storing a plurality of wafers W are placed, and the aforementioned load lock modules 20 and 21 . The loader module 30 may be provided with an orienter module (not shown) for adjusting the horizontal orientation of the wafer W, a storage module (not shown) for storing a plurality of wafers W, and the like.

ローダモジュール３０の内部には、当該ローダモジュール３０の内部に延伸するガイドレール４１上を移動自在に構成されたウェハ搬送機構４０が設けられている。ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム４２を有している。搬送アーム４２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。そしてウェハ搬送機構４０は、ロードポート３２のフープ３１、及びロードロックモジュール２０、２１に対してウェハＷを搬送可能に構成されている。 Inside the loader module 30 , a wafer transfer mechanism 40 is provided which is movable on guide rails 41 extending inside the loader module 30 . The wafer transfer mechanism 40 has a transfer arm 42 that holds and moves the wafer W. As shown in FIG. The transport arm 42 is configured to be movable horizontally, vertically, around the horizontal axis, and around the vertical axis. The wafer transfer mechanism 40 is configured to transfer the wafer W to the FOUP 31 of the load port 32 and the load lock modules 20 and 21 .

減圧部１１は、減圧雰囲気下でウェハＷを搬送するトランスファモジュール５０を有している。トランスファモジュール５０には、目的に応じてウェハＷにエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理等の所望のガス処理を行う複数、例えば６つのチャンバ６０と、前述のロードロックモジュール２０、２１が設けられている。チャンバ６０は、ゲートバルブ６１を介してトランスファモジュール５０に接続されている。なお、トランスファモジュール５０に接続されるチャンバ６０の数は図示の例に限定されるものではなく、任意に決定できる。 The decompression unit 11 has a transfer module 50 that transfers the wafer W under a decompressed atmosphere. The transfer module 50 is provided with a plurality of, for example, six chambers 60 for subjecting the wafer W to desired gas processing such as etching processing, film forming processing, cleaning processing, etc., and the load lock modules 20 and 21 described above. ing. Chamber 60 is connected to transfer module 50 via gate valve 61 . The number of chambers 60 connected to the transfer module 50 is not limited to the illustrated example, and can be determined arbitrarily.

トランスファモジュール５０の内部には、当該トランスファモジュール５０の内部に延伸するガイドレール７１上を移動自在に構成されたウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム７２を有している。搬送アーム７２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。そしてウェハ搬送機構７０は、任意のチャンバ６０、及びロードロックモジュール２０、２１に対してウェハＷを搬送可能に構成されている。 Inside the transfer module 50 , a wafer transfer mechanism 70 is provided which is movable on guide rails 71 extending inside the transfer module 50 . The wafer transfer mechanism 70 has a transfer arm 72 that holds and moves the wafer W. As shown in FIG. The transfer arm 72 is configured to be movable horizontally, vertically, around a horizontal axis, and around a vertical axis. The wafer transfer mechanism 70 is configured to transfer the wafer W to any chamber 60 and load lock modules 20 and 21 .

そしてトランスファモジュール５０では、ロードロックモジュール２０に保持されたウェハＷを搬送アーム７２で受け取り、任意のチャンバ６０に搬送する。また、チャンバ６０で所望の処理が施されたウェハＷを搬送アーム７２が保持し、ロードロックモジュール２１に搬出する。 In the transfer module 50 , the wafer W held by the load lock module 20 is received by the transfer arm 72 and transferred to an arbitrary chamber 60 . Further, the transfer arm 72 holds the wafer W subjected to desired processing in the chamber 60 and unloads it to the load lock module 21 .

また減圧部１１には、チャンバ６０のそれぞれに対してガスを供給するためのガス供給機構１００が設けられている。ガス供給機構１００は、チャンバ６０に対するガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容した、複数、例えば各チャンバ６０に対応した６つのガスボックス１１０と、ガスボックス１１０（チャンバ６０）の一次側（上流側）に設けられた少なくとも１つのガスソースを備えるガス供給部としてのメインガスユニット１２０と、チャンバ６０に供給されるガスの流量を測定する流量測定ユニット１３０と、を備えている。なお、ガス供給機構１００の詳細な構成は後述する。 The decompression unit 11 is also provided with a gas supply mechanism 100 for supplying gas to each of the chambers 60 . The gas supply mechanism 100 includes a plurality of gas boxes 110, for example, six gas boxes 110 corresponding to each of the chambers 60, and a primary side (upstream side) of the gas box 110 (chamber 60). a main gas unit 120 as a gas supply section including at least one gas source provided on the chamber 60; A detailed configuration of the gas supply mechanism 100 will be described later.

以上のウェハ処理システム１には制御装置としての制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１におけるウェハＷのガス処理を制御するプログラムが格納されている。またプログラム格納部には、後述の処理ガスの供給動作や後述の流量測定ユニット１３０の自己診断動作を制御するプログラムが更に格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。また、当該記憶媒体Ｈは一時的なものであってもよいし、非一時的なものであってもよい。 The wafer processing system 1 described above is provided with a control section 200 as a control device. The control unit 200 is, for example, a computer equipped with a CPU, memory, etc., and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling the gas processing of the wafer W in the wafer processing system 1 . The program storage section further stores a program for controlling the operation of supplying a processing gas, which will be described later, and the self-diagnostic operation of the flow rate measuring unit 130, which will be described later. The program may be recorded in a computer-readable storage medium H and installed in the control unit 200 from the storage medium H. Also, the storage medium H may be temporary or non-temporary.

次に、上述したガス供給機構１００の詳細な構成の一例について説明する。図２はガス供給機構１００のガス流路を構成する配管系を示す模式図である。なお、以下の説明においては、上述したようにガスの通流方向におけるメインガスユニット１２０側を一次側（上流側）、通流方向における後述の排気ユニット１５０側を二次側（下流側）、とそれぞれ言う場合がある。また図２においては、図示が煩雑になることを抑制するため、ウェハ処理システム１に配置された６つのチャンバ６０、及びガスボックス１１０のうち、一部の図示を省略する。 Next, an example of detailed configuration of the gas supply mechanism 100 described above will be described. FIG. 2 is a schematic diagram showing a piping system that constitutes the gas flow path of the gas supply mechanism 100. As shown in FIG. In the following description, the main gas unit 120 side in the gas flow direction is the primary side (upstream side), the exhaust unit 150 side in the gas flow direction is the secondary side (downstream side), each may say. Also, in FIG. 2, in order to prevent the illustration from becoming complicated, some of the six chambers 60 and the gas box 110 arranged in the wafer processing system 1 are omitted.

メインガスユニット１２０には、１又はそれ以上のガスをそれぞれのガスボックス１１０に供給するためのガスソース１２１及び流量制御器１２２が設けられている。一実施形態において、メインガスユニット１２０は、１又はそれ以上のガスを、それぞれに対応のガスソース１２１からそれぞれに対応の流量制御器１２２を介してガスボックス１１０に供給するように構成される。各流量制御器１２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。 The main gas unit 120 is provided with gas sources 121 and flow controllers 122 for supplying one or more gases to each gas box 110 . In one embodiment, main gas unit 120 is configured to supply one or more gases to gas box 110 from respective gas sources 121 via respective flow controllers 122 . Each flow controller 122 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.

メインガスユニット１２０の下流側には、接続配管１２３を介して複数、本実施形態においては上述したように各チャンバ６０に対応して６つのガスボックス１１０が接続されている。また、接続配管１２３にはそれぞれのガスボックス１１０に対応してバルブ１２３ａが配置され、かかるバルブ１２３ａの開閉により、メインガスユニット１２０からそれぞれのガスボックス１１０へのガス供給を任意に切り替え可能に構成されている。 A plurality of gas boxes 110 are connected to the downstream side of the main gas unit 120 via connecting pipes 123, in this embodiment, six gas boxes 110 corresponding to the respective chambers 60 as described above. In addition, a valve 123a is arranged in the connection pipe 123 corresponding to each gas box 110, and by opening and closing the valve 123a, the gas supply from the main gas unit 120 to each gas box 110 can be arbitrarily switched. It is

ガスボックス１１０には、対応するそれぞれのチャンバ６０に対する処理ガスの流量を制御するための流量制御器１１１が設けられている。流量制御器１１１は、例えばメインガスユニット１２０から供給されるガスの種類に応じて複数設けられていてもよい。また流量制御器１１１の一次側には流量制御器一次バルブ１１１ａが配置され、かかる流量制御器一次バルブ１１１ａの開閉によりメインガスユニット１２０からそれぞれの流量制御器１１１へのガス供給を任意に切り替え可能に構成されている。また、流量制御器１１１の二次側には流量制御器二次バルブ１１１ｂが配置され、流量制御器１１１から二次側へのガスの供給を任意に切り替え可能に構成されている。 The gas box 110 is provided with a flow controller 111 for controlling the flow rate of process gas to each corresponding chamber 60 . A plurality of flow rate controllers 111 may be provided according to the type of gas supplied from the main gas unit 120, for example. A flow controller primary valve 111a is arranged on the primary side of the flow controller 111, and the gas supply from the main gas unit 120 to each flow controller 111 can be arbitrarily switched by opening and closing the flow controller primary valve 111a. is configured to A flow controller secondary valve 111b is arranged on the secondary side of the flow controller 111, and is configured to be able to arbitrarily switch the gas supply from the flow controller 111 to the secondary side.

ガスボックス１１０の下流側には、接続配管１１２を介して対応するチャンバ６０が接続されている。接続配管１１２には第１出力バルブ１１２ａが配置され、かかる第１出力バルブ１１２ａの開閉により、ガスボックス１１０からチャンバ６０へのガス供給を任意に切り替え可能に構成されている。 A corresponding chamber 60 is connected to the downstream side of the gas box 110 via a connecting pipe 112 . A first output valve 112a is arranged in the connection pipe 112, and the gas supply from the gas box 110 to the chamber 60 can be arbitrarily switched by opening and closing the first output valve 112a.

また、ガスボックス１１０の下流側には、接続配管１１２とは分岐して、測定配管１３１を介して流量測定ユニット１３０が接続されている。測定配管１３１には第２出力バルブ１３１ａが配置され、かかる第２出力バルブ１３１ａの開閉により、ガスボックス１１０から流量測定ユニット１３０へのガス供給を任意に切り替え可能に構成されている。 A flow measurement unit 130 is connected to the downstream side of the gas box 110 via a measurement pipe 131 branched from the connection pipe 112 . A second output valve 131a is arranged in the measurement pipe 131, and the gas supply from the gas box 110 to the flow measurement unit 130 can be arbitrarily switched by opening and closing the second output valve 131a.

本実施形態にかかるガスボックス１１０においては、一つの流量制御器１１１からガスを供給する場合に、例えばウェハ処理を目的としてチャンバ６０に処理ガスを供給する場合は、第１出力バルブ１１２ａを開放するとともに第２出力バルブ１３１ａを閉止することで、処理ガスが接続配管１１２を通ってチャンバ６０に供給される。一方、例えばガス流量の測定を目的として流量測定ユニット１３０にガスを供給する場合は、第２出力バルブ１３１ａを開放するとともに第１出力バルブ１１２ａを閉止することで、ガスが測定配管１３１を通って流量測定ユニット１３０に供給される。 In the gas box 110 according to this embodiment, when supplying gas from one flow controller 111, for example, when supplying a processing gas to the chamber 60 for the purpose of wafer processing, the first output valve 112a is opened. At the same time, by closing the second output valve 131a, the processing gas is supplied to the chamber 60 through the connecting pipe 112. FIG. On the other hand, for example, when gas is supplied to the flow measurement unit 130 for the purpose of measuring the gas flow rate, the second output valve 131a is opened and the first output valve 112a is closed so that the gas flows through the measurement pipe 131. It is supplied to the flow measurement unit 130 .

チャンバ６０の内部には、上述したように接続配管１１２を介してウェハ処理の目的に応じた所望の処理ガスが供給される。そしてチャンバ６０においては、供給された処理ガスを用いて、ウェハＷに対してエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理等の所望のガス処理が行われる。チャンバ６０の内部に供給された処理ガスは、排気配管６２を介して、後述の排気ユニット１５０に排出される。また、排気配管６２には排気バルブ６２ａが配置され、かかる排気バルブ６２ａの開閉により、チャンバ６０からの処理ガスの排気動作を制御可能に構成されている。 A desired processing gas is supplied to the inside of the chamber 60 through the connecting pipe 112 according to the purpose of wafer processing as described above. In the chamber 60, the wafer W is subjected to desired gas processing such as etching processing, film forming processing, cleaning processing, etc., using the supplied processing gas. The processing gas supplied to the interior of the chamber 60 is discharged to an exhaust unit 150 (to be described later) through an exhaust pipe 62 . An exhaust valve 62a is arranged in the exhaust pipe 62, and the exhaust operation of the processing gas from the chamber 60 can be controlled by opening and closing the exhaust valve 62a.

流量測定ユニット１３０は、当該流量測定ユニット１３０の内部圧力を測定する複数、例えば本実施形態においては２つの圧力センサ１３２、１３３と、当該流量測定ユニット１３０の内部温度を測定する温度センサ１３４と、を含む。圧力センサ１３２、１３３による圧力測定レンジは任意に決定できるが、例えば流量測定ユニット１３０における圧力測定レンジを広くとるため、一方を高圧レンジ、他方を低圧レンジで測定可能なセンサとすることが好ましい。 The flow measurement unit 130 includes a plurality of, for example, two pressure sensors 132 and 133 for measuring the internal pressure of the flow measurement unit 130, a temperature sensor 134 for measuring the internal temperature of the flow measurement unit 130, including. Although the pressure measurement range of the pressure sensors 132 and 133 can be determined arbitrarily, for example, in order to widen the pressure measurement range in the flow rate measurement unit 130, it is preferable to use sensors capable of measuring one in a high pressure range and the other in a low pressure range.

流量測定ユニット１３０の一次側は測定器一次バルブ１３０ａを介して測定配管１３１に接続され、かかる測定器一次バルブ１３０ａを開放することにより、ガスボックス１１０からのガスを流量測定ユニット１３０に導入可能に構成されている。また、流量測定ユニット１３０の二次側は測定器二次バルブ１３０ｂを介して後述の較正システム１４０に接続されている。 The primary side of the flow measurement unit 130 is connected to the measurement pipe 131 via the primary measuring device valve 130a, and by opening the primary measuring device valve 130a, the gas from the gas box 110 can be introduced into the flow measurement unit 130. It is configured. Also, the secondary side of the flow rate measuring unit 130 is connected to a later-described calibration system 140 via a meter secondary valve 130b.

本実施形態において流量測定ユニット１３０は、内部に流路を形成しガスボックス１１０からのガスを通流しうるように構成されている。したがって、上記圧力センサ１３２、１３３および温度センサ１３４が設けられる流量測定ユニット１３０の内部とは、測定器一次バルブ１３０ａと測定器二次バルブ１３０ｂとの間の領域であって、ガス流路を形成する流量測定ユニット１３０自身の内部空間を指す。 In this embodiment, the flow measurement unit 130 is configured to form a channel inside so that the gas from the gas box 110 can flow. Therefore, the inside of the flow measurement unit 130 in which the pressure sensors 132, 133 and the temperature sensor 134 are provided is the area between the measuring device primary valve 130a and the measuring device secondary valve 130b, forming a gas flow path. refers to the internal space of the flow measurement unit 130 itself.

また、本実施形態において測定配管１３１は、内部に流路を形成しガスボックス１１０からのガスを通流しうるように構成されている。そして、本実施形態にかかる後述のガス流量の測定方法においては、ガスボックス１１０からのガスを、測定配管１３１を介して流量測定ユニット１３０に封入することで、当該測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部圧力の上昇速度を計測し、かかる上昇速度を用いてガス流量を測定する。 Further, in the present embodiment, the measurement pipe 131 is configured to form a channel inside so that the gas from the gas box 110 can flow. In the method of measuring the gas flow rate described later according to the present embodiment, the gas from the gas box 110 is enclosed in the flow measurement unit 130 via the measurement pipe 131, so that the measurement pipe 131 and the flow measurement unit 130 The rate of rise of the internal pressure is measured, and the rate of rise is used to measure the gas flow rate.

較正システム１４０は、流量測定ユニット１３０によるガス流量の測定結果に基づいて、当該流量測定ユニット１３０の較正を行う。較正システム１４０は、基準器配管１４１及び基準器１４２を含む。また基準器配管１４１には基準器バルブ１４１ａが配置され、当該基準器バルブ１４１ａの開閉により、基準器１４２に対するガスの供給を任意に制御可能に構成されている。 The calibration system 140 calibrates the flow measurement unit 130 based on the measurement result of the gas flow rate by the flow measurement unit 130 . Calibration system 140 includes reference tubing 141 and reference 142 . A reference valve 141a is arranged in the reference pipe 141, and the gas supply to the reference device 142 can be arbitrarily controlled by opening and closing the reference valve 141a.

基準器配管１４１の上流側は、上述したように測定器二次バルブ１３０ｂを介して流量測定ユニット１３０に接続されている。また、基準器配管１４１の下流側は、較正バルブ１４０ａ及び排気配管１４３を介して、前述の排気配管６２、すなわち後述の排気ユニット１５０に接続されている。また、排気配管１４３には排気バルブ１４３ａが配置され、かかる排気バルブ１４３ａの開閉により、排気配管１４３と排気配管６２の連通を任意に切り替え可能に構成されている。 The upstream side of the reference pipe 141 is connected to the flow rate measurement unit 130 via the measuring device secondary valve 130b as described above. Further, the downstream side of the reference device pipe 141 is connected to the aforementioned exhaust pipe 62 , that is, the later-described exhaust unit 150 via the calibration valve 140 a and the exhaust pipe 143 . An exhaust valve 143a is arranged in the exhaust pipe 143, and the communication between the exhaust pipe 143 and the exhaust pipe 62 can be arbitrarily switched by opening and closing the exhaust valve 143a.

排気ユニット１５０は、排気配管６２の下流においてガスを排気するよう構成されている。排気ユニット１５０は、ウェハ処理システム１に配置された複数のチャンバ６０のそれぞれに対応して設けられる複数の排気機構１５１と、排気機構１５１の下流側において、排気ガスの除害処理を行うための少なくとも１つの除害装置１５２と、を含む。排気機構１５１としては、例えばターボ分子ポンプやドライポンプ等の真空ポンプ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。 The exhaust unit 150 is configured to exhaust gas downstream of the exhaust line 62 . The exhaust unit 150 includes a plurality of exhaust mechanisms 151 provided corresponding to each of the plurality of chambers 60 arranged in the wafer processing system 1, and an exhaust mechanism 151 downstream of the exhaust mechanism 151 for detoxifying the exhaust gas. and at least one abatement device 152 . The exhaust mechanism 151 may include, for example, a vacuum pump such as a turbo-molecular pump or a dry pump, or a combination thereof.

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。 While various exemplary embodiments have been described above, various additions, omissions, substitutions, and modifications may be made without being limited to the exemplary embodiments described above. Also, elements from different embodiments can be combined to form other embodiments.

ここで、本実施形態にかかるウェハ処理システム１においては、流量測定ユニット１３０を用いて流量制御器１１１から出力されるガス流量の測定が行われ、かかる測定結果に基づいて流量制御器１１１の較正、すなわち出力されるガス流量の調整が行われる場合がある。しかしながら、この時、流量測定ユニット１３０の圧力センサにずれ（例えば０点ずれやスパンずれ）が生じていると、流量制御器１１１の較正が適切に行われず、この結果、チャンバ６０におけるウェハＷに対するガス処理が適切に実行できなくなるおそれがある。
このため、流量測定ユニット１３０においては圧力センサによる測定結果に妥当性があるか否かを診断することが必要になるが、従来、かかる診断においては流量測定ユニット１３０に診断用の外部機器を接続する必要があり、当該診断に時間と手間を要した。 Here, in the wafer processing system 1 according to this embodiment, the gas flow rate output from the flow rate controller 111 is measured using the flow rate measurement unit 130, and the flow rate controller 111 is calibrated based on the measurement result. That is, there are cases where the output gas flow rate is adjusted. However, at this time, if the pressure sensor of the flow measurement unit 130 is misaligned (for example, 0 point misalignment or span misalignment), the flow controller 111 is not properly calibrated, and as a result, the wafer W in the chamber 60 is Gas processing may not be performed properly.
Therefore, in the flow measurement unit 130, it is necessary to diagnose whether or not the measurement result by the pressure sensor is valid. This diagnosis required time and effort.

そこで本実施形態にかかるウェハ処理システム１では、かかる流量測定ユニット１３０における圧力センサ１３２、１３３の診断を、診断用の外部機器を接続することなく、当該流量測定ユニット１３０による自己診断により行うことで、当該診断に要する時間と手間を省略する。
また更に、当該診断を、流量測定ユニット１３０を用いて行われる流量制御器１１１から出力されるガス流量の測定動作と同時に行うことにより、当該診断に要する時間を更に適切に短縮する。 Therefore, in the wafer processing system 1 according to the present embodiment, the pressure sensors 132 and 133 in the flow measurement unit 130 are diagnosed by self-diagnosis by the flow measurement unit 130 without connecting an external device for diagnosis. , the time and effort required for the diagnosis are omitted.
Furthermore, by performing the diagnosis at the same time as the operation of measuring the gas flow rate output from the flow controller 111 using the flow rate measurement unit 130, the time required for the diagnosis can be shortened more appropriately.

＜ウェハ処理方法＞
以下、上述のように構成された流量測定ユニット１３０を用いて行われる、ウェハ処理方法としての、流量測定ユニット１３０の自己診断を含むガス流量の測定方法について、図面を参照しながら説明する。 <Wafer processing method>
A gas flow rate measurement method including self-diagnosis of the flow rate measurement unit 130 as a wafer processing method performed using the flow rate measurement unit 130 configured as described above will be described below with reference to the drawings.

なお、以下の説明においてはウェハ処理システム１のスタートアップ時（立ち上げ時）において、ガス流量の測定を行う場合を例に説明を行うが、ガス流量の測定を実行するタイミングはこれに限定されるものではない。具体的には、例えばチャンバ６０の内部空間で行われるウェハＷに対するガス処理の合間（ウェハ処理システム１のアイドル時）や、ウェハ処理システム１のメンテナンス時、等の任意のタイミングでガス流量の測定を実行できる。 In the following description, the case where the gas flow rate is measured at the time of starting up the wafer processing system 1 will be described as an example, but the timing at which the gas flow rate is measured is limited to this. not a thing Specifically, for example, the gas flow rate is measured at an arbitrary timing such as between gas processing of the wafer W performed in the inner space of the chamber 60 (while the wafer processing system 1 is idle) or during maintenance of the wafer processing system 1. can be executed.

図３は、一実施形態に係るガス流量の測定方法の一連の流れを示すフロー図である。また図４は、図３に示したガス流量の測定方法における各種バルブの開閉タイミングを示している。図４において、横軸は時間、縦軸は流量測定ユニット１３０の圧力センサによる圧力の測定値と、流量制御器二次バルブ１１１ｂ、測定器一次バルブ１３０ａ、測定器二次バルブ１３０ｂ及び較正バルブ１４０ａの開閉状態をそれぞれ示している。なお、以下の説明においては、図４のタイミング図での図示を省略したその他のバルブ（例えば出力バルブや排気バルブ等）については、特に言及にない場合には閉止されているものとする。 FIG. 3 is a flow chart showing a series of flow of the gas flow rate measuring method according to one embodiment. FIG. 4 shows opening/closing timings of various valves in the gas flow rate measuring method shown in FIG. In FIG. 4, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the pressure measured by the pressure sensor of the flow measurement unit 130, the flow controller secondary valve 111b, the measuring device primary valve 130a, the measuring device secondary valve 130b, and the calibration valve 140a. , respectively. In the following description, other valves (for example, an output valve, an exhaust valve, etc.) omitted from the timing diagram of FIG. 4 are assumed to be closed unless otherwise specified.

また、以下の説明においては、上記ウェハ処理システム１の６つのガスボックス１１０のうち一のガスボックス１１０に配置された一の流量制御器１１１から出力されるガスの流量を測定する場合を例に説明を行うが、ウェハ処理システム１に配置された他のガスボックス１１０からガスが供給される場合であっても、同様の方法によりガス流量の測定を行うことができる。 In the following description, the case of measuring the flow rate of gas output from one flow controller 111 arranged in one gas box 110 out of the six gas boxes 110 of the wafer processing system 1 is taken as an example. As will be explained, even when the gas is supplied from another gas box 110 arranged in the wafer processing system 1, the gas flow rate can be measured by a similar method.

ガスボックス１１０からのガス流量の測定にあたっては、先ず、ガスボックス１１０、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部が真空引きされる（図３及び図４の工程ＳＴ１）。なお、工程ＳＴ１では較正システム１４０の内部も真空引きされる。より具体的には、工程ＳＴ１では、測定対象の流量制御器１１１の流量制御器二次バルブ１１１ｂ、第２出力バルブ１３１ａ、測定器一次バルブ１３０ａ、測定器二次バルブ１３０ｂ及び較正バルブ１４０ａが開放された状態で、排気バルブ１４３ａが更に開放されることで、排気ユニット１５０によりガスボックス１１０、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部が真空引きされる。 When measuring the gas flow rate from the gas box 110, first, the insides of the gas box 110, the measurement pipe 131, and the flow rate measurement unit 130 are evacuated (step ST1 in FIGS. 3 and 4). The inside of the calibration system 140 is also evacuated in step ST1. More specifically, in step ST1, the flow controller secondary valve 111b, the second output valve 131a, the measuring device primary valve 130a, the measuring device secondary valve 130b, and the calibration valve 140a of the flow controller 111 to be measured are opened. By further opening the exhaust valve 143 a in this state, the interior of the gas box 110 , the measurement pipe 131 and the flow rate measurement unit 130 is evacuated by the exhaust unit 150 .

続けて、測定対象の流量制御器１１１の流量制御器一次バルブ１１１ａが開放され、測定配管１３１に対する流量制御器１１１からのガスの供給が開始される（図３及び図４の工程ＳＴ２）。次に、測定対象の流量制御器１１１の流量制御器二次バルブ１１１ｂ及び測定器二次バルブ１３０ｂが閉止される（図３及び図４の工程ＳＴ３）。すなわち工程ＳＴ３においては、ガスボックス１１０の流量制御器１１１から出力されたガスが、流量制御器二次バルブ１１１ｂと測定器二次バルブ１３０ｂとの間で、すなわちガスボックス１１０の内部における流量制御器二次バルブ１１１ｂの下流側、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の中で封入された第１の状態が形成される。 Subsequently, the flow controller primary valve 111a of the flow controller 111 to be measured is opened, and gas supply from the flow controller 111 to the measurement pipe 131 is started (step ST2 in FIGS. 3 and 4). Next, the flow controller secondary valve 111b and the measuring device secondary valve 130b of the flow controller 111 to be measured are closed (step ST3 in FIGS. 3 and 4). That is, in step ST3, the gas output from the flow controller 111 of the gas box 110 flows between the flow controller secondary valve 111b and the measuring instrument secondary valve 130b, i.e., the flow controller inside the gas box 110. Downstream of the secondary valve 111b, in the measurement pipe 131 and the flow measurement unit 130, a first enclosed state is formed.

また、かかる第１の状態においては、流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ１が取得される（図３の工程ＳＴ４）。内部圧力Ｐ１は流量測定ユニット１３０の二つの圧力センサ１３２、１３３により測定され、かかる２つの圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢの平均値を内部圧力Ｐ１として取得してもよい。なお、工程ＳＴ３では、圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢが安定しているときに内部圧力Ｐ１が取得されることが望ましい。測定値ＰＡ、ＰＢは、例えばその変動量が所望の閾値以下である場合に安定しているものと判断され得る。 Also, in the first state, the internal pressure P1 of the flow rate measurement unit 130 is obtained (step ST4 in FIG. 3). The internal pressure P1 may be measured by the two pressure sensors 132, 133 of the flow measurement unit 130, and the average value of the measured values PA, PB by the two pressure sensors 132, 133 may be obtained as the internal pressure P1. In step ST3, it is desirable to acquire the internal pressure P1 when the measured values PA and PB by the pressure sensors 132 and 133 are stable. The measurements PA, PB can be determined to be stable, for example, if their variation is below a desired threshold.

また本実施形態にかかるガス流量の測定に際しては、かかる第１の状態において、流量測定ユニット１３０の第１の自己診断を実施する（図３の工程ＳＴ５）。具体的には、工程ＳＴ４において内部圧力Ｐ１の取得のために測定された２つの圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢを相互に比較することで、これら測定値ＰＡと測定値ＰＢとの間にズレがないことを確認する。測定値ＰＡ、ＰＢは、例えばこれら測定値ＰＡ、ＰＢの差分値が圧力センサ１３２、１３３の測定精度の許容差内に収まっている場合にズレがないものと判断され得る。 Further, when measuring the gas flow rate according to the present embodiment, a first self-diagnosis of the flow rate measurement unit 130 is performed in the first state (step ST5 in FIG. 3). Specifically, by comparing the measured values PA and PB measured by the two pressure sensors 132 and 133 to obtain the internal pressure P1 in step ST4, the measured values PA and PB are compared. Make sure there is no gap between them. Measured values PA and PB can be judged to have no discrepancy, for example, when the difference value between these measured values PA and PB is within the tolerance of the measurement accuracy of the pressure sensors 132 and 133 .

換言すれば、本実施形態においては、流量測定ユニット１３０に配置された２つの圧力センサ１３２、１３３のうちのいずれか一方を標準器とみなして診断を行い、測定値ＰＡ、ＰＢの差分が許容差内に収まっている場合にはこれら測定値に妥当性があると判断してガス流量の測定を継続する。そして、一方で測定値ＰＡ、ＰＢの差分が許容差内に収まっていない場合には妥当性がないと判断し、これら圧力センサ１３２、１３３に較正が必要であることを通知する。 In other words, in this embodiment, one of the two pressure sensors 132 and 133 arranged in the flow measurement unit 130 is regarded as a standard device for diagnosis, and the difference between the measured values PA and PB is acceptable. If the values are within the difference, it is determined that these measured values are valid, and the measurement of the gas flow rate is continued. On the other hand, if the difference between the measured values PA and PB is not within the allowable range, it is determined that there is no validity, and the pressure sensors 132 and 133 are notified that they need to be calibrated.

また更に、本実施形態にかかるガス流量の測定に際しては、かかる第１の状態において、流量測定ユニット１３０の内部空間を構成する測定器一次バルブ１３０ａと測定器二次バルブ１３０ｂのリークチェックを行う（図３の工程ＳＴ６）。 Furthermore, when measuring the gas flow rate according to the present embodiment, in the first state, a leak check is performed on the measuring device primary valve 130a and the measuring device secondary valve 130b that constitute the internal space of the flow rate measuring unit 130 ( Step ST6 in FIG. 3).

工程ＳＴ３で流量測定ユニット１３０の内部に形成される第１の状態では、上述したように流量制御器二次バルブ１１１ｂと測定器二次バルブ１３０ｂが閉止されている。換言すれば、第１の状態においては、流量制御器１１１からのガスの出力、及び排気ユニット１５０によるガスの排出が停止され、図４に示したように内部圧力Ｐ１が安定する。 In the first state formed inside the flow rate measuring unit 130 in step ST3, the flow rate controller secondary valve 111b and the measuring device secondary valve 130b are closed as described above. In other words, in the first state, the output of gas from the flow controller 111 and the exhaust of gas from the exhaust unit 150 are stopped, and the internal pressure P1 is stabilized as shown in FIG.

この時、例えば流量制御器二次バルブ１１１ｂにリークがある場合には流量制御器１１１からのガスの出力が完全には停止されず、流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ１が上昇する。一方、例えば測定器二次バルブ１３０ｂにリークがある場合には排気ユニット１５０によるガスの排出が完全には停止されず、流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ１が減少する。このように、工程ＳＴ６においては内部圧力Ｐ１が安定する第１の状態において、当該内部圧力Ｐ１の上昇、又は減少を検知することで、流量制御器二次バルブ１１１ｂと測定器二次バルブ１３０ｂのリークチェックを実施することができる。 At this time, for example, if there is a leak in the flow controller secondary valve 111b, the gas output from the flow controller 111 is not completely stopped, and the internal pressure P1 of the flow measurement unit 130 rises. On the other hand, if there is a leak in the measuring device secondary valve 130b, for example, the exhaust unit 150 does not completely stop discharging the gas, and the internal pressure P1 of the flow measuring unit 130 decreases. Thus, in the first state in which the internal pressure P1 is stabilized in step ST6, by detecting the increase or decrease of the internal pressure P1, the flow controller secondary valve 111b and the measuring device secondary valve 130b A leak check can be performed.

図３及び図４の説明に戻る。
流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ１が取得され、流量測定ユニット１３０の第１の自己診断が行われると、次に、工程ＳＴ３において閉止された流量制御器二次バルブ１１１ｂ及び測定器二次バルブ１３０ｂが開放される（図３及び図４の工程ＳＴ７）。次に、測定器二次バルブ１３０ｂが閉止され、かかる状態で流量制御器１１１からのガスの供給が継続されることで、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部圧力が増加する第２の状態が形成される（図３及び図４の工程ＳＴ８）。 Returning to the description of FIGS.
After the internal pressure P1 of the flow rate measurement unit 130 is obtained and the first self-diagnosis of the flow rate measurement unit 130 is performed, next, the closed flow rate controller secondary valve 111b and the measuring device secondary valve 130b are checked in step ST3. is opened (step ST7 in FIGS. 3 and 4). Next, the measuring device secondary valve 130b is closed, and gas supply from the flow rate controller 111 is continued in this state, whereby the internal pressure of the measurement pipe 131 and the flow rate measuring unit 130 increases. is formed (step ST8 in FIGS. 3 and 4).

測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部圧力が所望の値まで増加されると、次に、流量制御器二次バルブ１１１ｂが閉止される（図３及び図４の工程ＳＴ９）。すなわち工程ＳＴ９においては、ガスボックス１１０の流量制御器１１１から出力されたガスが、流量制御器二次バルブ１１１ｂと測定器二次バルブ１３０ｂとの間で、すなわちガスボックス１１０の内部における流量制御器二次バルブ１１１ｂの下流側、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の中で封入された第３の状態が形成される。 When the internal pressures of the measurement pipe 131 and the flow rate measurement unit 130 are increased to desired values, the flow rate controller secondary valve 111b is then closed (step ST9 in FIGS. 3 and 4). That is, in step ST9, the gas output from the flow controller 111 of the gas box 110 flows between the flow controller secondary valve 111b and the measuring device secondary valve 130b, that is, the flow controller inside the gas box 110. Downstream of the secondary valve 111b, in the measuring pipe 131 and the flow measuring unit 130, a sealed third condition is formed.

また、かかる第３の状態においては、流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ２、及び内部温度Ｔ２が取得される（図３の工程ＳＴ１０）。内部圧力Ｐ２は流量測定ユニット１３０の二つの圧力センサ１３２、１３３により測定され、かかる２つの圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢの平均値を内部圧力Ｐ２として取得してもよい。なお、工程ＳＴ１０では、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ２及び内部温度Ｔ２が安定しているときに圧力センサ１３２、１３３及び温度センサ１３４によって測定値が取得されることが望ましい。内部圧力Ｐ２及び内部温度Ｔ２は、例えばその変動量が所望の閾値以下である場合に安定しているものと判断され得る。 Also, in the third state, the internal pressure P2 and the internal temperature T2 of the flow rate measurement unit 130 are acquired (step ST10 in FIG. 3). The internal pressure P2 may be measured by the two pressure sensors 132 and 133 of the flow measurement unit 130, and the average value of the measured values PA and PB by the two pressure sensors 132 and 133 may be obtained as the internal pressure P2. In step ST10, it is preferable that the pressure sensors 132 and 133 and the temperature sensor 134 acquire measured values when the internal pressure P2 and the internal temperature T2 of the measurement pipe 131 and the flow rate measurement unit 130 are stable. The internal pressure P2 and the internal temperature T2 can be determined to be stable, for example, if their amount of variation is equal to or less than a desired threshold.

流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ２及び内部温度Ｔ２が取得されると、次に、測定器二次バルブ１３０ｂを開放するとともに、較正バルブ１４０ａを閉止する（図３及び図４の工程ＳＴ１１）。すなわち工程ＳＴ１１においては、工程ＳＴ９において測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の中で封入されたガスが、測定器二次バルブ１３０ｂと較正バルブ１４０ａとの間で封入された第４の状態が形成され、すなわち、工程ＳＴ９において測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の中で封入されたガスの少なくとも一部が、較正システム１４０へと排出される。 When the internal pressure P2 and internal temperature T2 of the flow rate measurement unit 130 are obtained, next, the measuring device secondary valve 130b is opened and the calibration valve 140a is closed (step ST11 in FIGS. 3 and 4). That is, in step ST11, a fourth state is formed in which the gas enclosed in the measurement pipe 131 and the flow rate measurement unit 130 in step ST9 is enclosed between the measuring device secondary valve 130b and the calibration valve 140a. That is, at least part of the gas enclosed in the measurement pipe 131 and flow measurement unit 130 in step ST9 is discharged to the calibration system 140 .

次に、測定器二次バルブ１３０ｂが閉止されることにより、流量測定ユニット１３０と較正システム１４０との間が遮断された第５の状態が形成される（図３及び図４の工程ＳＴ１２）。本実施形態においては、第３の状態（工程ＳＴ９）で流量測定ユニット１３０の内部に封入されていたガスが部分的に排出されることで、換言すれば封入されていたガスが完全に排出されることなく、第５の状態が形成される。従って、第３の状態（工程ＳＴ９）から第５の状態（工程ＳＴ１２）を形成するのに要する時間が短縮される。 Next, the meter secondary valve 130b is closed to form a fifth state in which communication between the flow rate measurement unit 130 and the calibration system 140 is blocked (step ST12 in FIGS. 3 and 4). In the present embodiment, the gas enclosed inside the flow measurement unit 130 is partially discharged in the third state (step ST9), in other words, the enclosed gas is completely discharged. , a fifth state is formed. Therefore, the time required to form the third state (step ST9) to the fifth state (step ST12) is shortened.

なお、図示は省略するが、かかる工程ＳＴ１２の後に較正バルブ１４０ａを開放する工程を追加し、工程ＳＴ１１から、かかる較正バルブ１４０ａの開放まで繰り返すことにより、流量測定ユニット１３０の内部圧力を低下させてもよい。 Although illustration is omitted, a step of opening the calibration valve 140a is added after the step ST12, and the internal pressure of the flow measurement unit 130 is reduced by repeating the steps from step ST11 to the opening of the calibration valve 140a. good too.

また、かかる第５の状態においては、流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ３が取得される（図３の工程ＳＴ１３）。内部圧力Ｐ３は流量測定ユニット１３０の二つの圧力センサ１３２、１３３により測定され、かかる２つの圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢの平均値を内部圧力Ｐ３として取得してもよい。なお、工程ＳＴ１３では、測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ２が安定しているときに圧力センサ１３２、１３３によって測定値が取得されることが望ましい。内部圧力Ｐ３は、例えばその変動量が所望の閾値以下である場合に安定しているものと判断され得る。 Also, in the fifth state, the internal pressure P3 of the flow rate measurement unit 130 is obtained (step ST13 in FIG. 3). The internal pressure P3 may be measured by the two pressure sensors 132, 133 of the flow measurement unit 130, and the average value of the measured values PA, PB by the two pressure sensors 132, 133 may be obtained as the internal pressure P3. In step ST13, it is desirable that the pressure sensors 132 and 133 acquire the measured values when the internal pressure P2 of the measurement pipe 131 and the flow rate measurement unit 130 is stable. The internal pressure P3 can be determined to be stable, for example, if its amount of variation is less than or equal to a desired threshold.

また本実施形態にかかるガス流量の測定に際しては、かかる第５の状態において、流量測定ユニット１３０の第２の自己診断を実施する（図３の工程ＳＴ１４）。かかる第２の自己診断は、例えば工程ＳＴ５における第１の自己診断と同様の方法により行われ得る。すなわち、工程ＳＴ１３において内部圧力Ｐ３の取得のために測定された２つの圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢを相互に比較することで、これら測定値ＰＡと測定値ＰＢとの間にズレがないことを確認する。 Further, when measuring the gas flow rate according to the present embodiment, the second self-diagnosis of the flow rate measurement unit 130 is performed in the fifth state (step ST14 in FIG. 3). Such a second self-diagnosis can be performed, for example, by the same method as the first self-diagnosis in step ST5. That is, by comparing the measured values PA and PB measured by the two pressure sensors 132 and 133 to obtain the internal pressure P3 in step ST13, the discrepancy between the measured values PA and PB can be determined. Make sure there are no

本実施形態によれば、このように、上述の工程ＳＴ５における第１の自己診断に加え、工程ＳＴ１４における第２の自己診断を実施する。これにより、本実施形態においては低圧雰囲気（内部圧力Ｐ１）と高圧雰囲気（内部圧力Ｐ３）の両方で流量測定ユニット１３０の自己診断を実施され、圧力センサ１３２、１３３に生じた不具合が０点ずれであるか、スパンずれであるか、を適切に診断することができる。 According to this embodiment, in this way, in addition to the first self-diagnosis in step ST5 described above, the second self-diagnosis in step ST14 is performed. As a result, in this embodiment, self-diagnosis of the flow measurement unit 130 is performed in both a low-pressure atmosphere (internal pressure P1) and a high-pressure atmosphere (internal pressure P3). or span deviation can be properly diagnosed.

なお、かかる第５の状態においては、上述の工程ＳＴ６と同様の方法により、流量測定ユニット１３０の内部空間を構成する測定器一次バルブ１３０ａと測定器二次バルブ１３０ｂのリークチェックがさらに行われてもよい（図３の工程ＳＴ１５）。 In the fifth state, a leak check is further performed on the measuring device primary valve 130a and the measuring device secondary valve 130b, which constitute the internal space of the flow rate measuring unit 130, by the same method as in step ST6 described above. (step ST15 in FIG. 3).

測定器一次バルブ１３０ａと測定器二次バルブ１３０ｂにリークが発生しているか否かは、上述の工程ＳＴ６を実施することのみによってもでも判断できる。しかしながら、本実施形態においては、このように高圧雰囲気（内部圧力Ｐ３）において更にリークチェックを行うことで、測定器一次バルブ１３０ａと測定器二次バルブ１３０ｂにリークが発生しているか否かを更に適切に診断することができる。 Whether or not there is a leak in the measuring device primary valve 130a and the measuring device secondary valve 130b can be determined only by performing the above step ST6. However, in the present embodiment, by further performing a leak check in such a high-pressure atmosphere (internal pressure P3), it is possible to further check whether or not a leak has occurred in the measuring device primary valve 130a and the measuring device secondary valve 130b. can be properly diagnosed.

図３及び図４の説明に戻る。
流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ３が取得され取得され、流量測定ユニット１３０の第２の自己診断が行われると、次に、測定器一次バルブ１３０ａが開放されることで、工程ＳＴ９において測定配管１３１に封入されていたガスの少なくとも一部が流入して流量測定ユニット１３０の内部圧力が増加する第６の状態が形成される（図３及び図４の工程ＳＴ１６）。 Returning to the description of FIGS.
After the internal pressure P3 of the flow rate measurement unit 130 is acquired and the second self-diagnosis of the flow rate measurement unit 130 is performed, next, the measuring instrument primary valve 130a is opened, and the measurement pipe 131 is opened in step ST9. At least part of the gas enclosed in the flow rate measuring unit 130 flows into the sixth state in which the internal pressure of the flow rate measuring unit 130 increases (step ST16 in FIGS. 3 and 4).

その後、時間の経過により、測定配管１３１から流量測定ユニット１３０へのガスの流入、すなわち流量測定ユニット１３０の内部圧力が安定する第７の状態が形成される。内部圧力は、例えばその変動量が所望の閾値以下である場合に安定しているものと判断され得る。また、かかる第７の状態においては、流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ４が取得される（図３の工程ＳＴ１７）。内部圧力Ｐ４は流量測定ユニット１３０の二つの圧力センサ１３２、１３３により測定され、かかる２つの圧力センサ１３２、１３３による測定値ＰＡ、ＰＢの平均値を内部圧力Ｐ４として取得してもよい。 After that, with the passage of time, a seventh state is formed in which gas flows from the measurement pipe 131 to the flow rate measuring unit 130, that is, the internal pressure of the flow rate measuring unit 130 is stabilized. An internal pressure may be determined to be stable, for example, if the amount of variation is less than or equal to a desired threshold. Also, in the seventh state, the internal pressure P4 of the flow rate measurement unit 130 is acquired (step ST17 in FIG. 3). The internal pressure P4 may be measured by the two pressure sensors 132, 133 of the flow measurement unit 130, and the average value of the measured values PA, PB by the two pressure sensors 132, 133 may be obtained as the internal pressure P4.

流量測定ユニット１３０の内部圧力Ｐ４が取得されると、次に、流量制御器１１１から出力されたガス流量Ｑが、一例として下記式（１）により算出される（図３の工程ＳＴ１８）。

Ｑ＝（Ｐ２－Ｐ１）／Δｔ×（１／Ｒ）×［（Ｖｓｔ／Ｔｓｔ）＋（Ｖ／Ｔ２）×
（Ｐ２－Ｐ３）／（Ｐ２－Ｐ４）］・・・（１）

ここで、Ｐ１～Ｐ４はそれぞれ圧力センサ１３２、１３３による測定値、Ｔ２は温度センサ１３４による測定値、Ｖは測定配管１３１及び流量測定ユニット１３０の内部容積、Ｖｓｔはガスボックス１１０における流量制御器１１１の下流側の配管の容積、Ｔｓｔはガスボックス１１０における流量制御器１１１の下流側の配管の容温度、Δｔは第２の状態（工程ＳＴ８）における内部圧力の上昇に要した時間、Ｒは気体定数、をそれぞれ表している。なお、（Ｖｓｔ／Ｔｓｔ）は適宜省略され得る。 When the internal pressure P4 of the flow measurement unit 130 is acquired, next, the gas flow rate Q output from the flow rate controller 111 is calculated, for example, by the following formula (1) (step ST18 in FIG. 3).

Q=(P2−P1)/Δt×(1/R)×[(Vst/Tst)+(V/T2)×
(P2-P3)/(P2-P4)] (1)

Here, P1 to P4 are the values measured by the pressure sensors 132 and 133, respectively, T2 is the value measured by the temperature sensor 134, V is the internal volume of the measurement pipe 131 and the flow measurement unit 130, and Vst is the flow controller 111 in the gas box 110. Tst is the volume of the pipe downstream of the flow controller 111 in the gas box 110, Δt is the time required for the internal pressure to rise in the second state (step ST8), R is the gas constants, respectively. Note that (Vst/Tst) can be omitted as appropriate.

なお、ガス流量Ｑを算出するための上記式（１）は一例であり、適宜、他の算出式を用いてガス流量Ｑの算出を行ってもよい。 Note that the above formula (1) for calculating the gas flow rate Q is an example, and the gas flow rate Q may be calculated using other calculation formulas as appropriate.

その後、流量制御器１１１から出力されたガス流量Ｑが算出されると、較正バルブ１４０ａ及び流量制御器二次バルブ１１１ｂが順次開放され、流量測定ユニット１３０を用いて行われる一連のガス流量測定が完了する。なお、一連のガス流量測定の完了後、排気バルブ１４３ａを開放することにより測定配管１３１より下流側流路の排気が更に行われてもよい。 After that, when the gas flow rate Q output from the flow rate controller 111 is calculated, the calibration valve 140a and the flow rate controller secondary valve 111b are sequentially opened, and a series of gas flow rate measurements performed using the flow rate measurement unit 130 are performed. complete. After a series of gas flow rate measurements are completed, the exhaust valve 143a may be opened to further evacuate the flow path downstream of the measurement pipe 131. FIG.

本実施形態にかかるウェハ処理、すなわち流量測定ユニット１３０の自己診断を含むガス流量の測定は以上のようにして行われる。 Wafer processing according to the present embodiment, that is, gas flow measurement including self-diagnosis of the flow measurement unit 130 is performed as described above.

以上の本実施形態によれば、上述したように、流量測定ユニット１３０が備える圧力センサ１３２、１３３の診断、すなわち例えば０点ずれやスパンずれにより較正が必要か否かの診断を、診断用の外部機器を接続することなく、当該流量測定ユニット１３０自身で簡易的に行うことができる。このため、かかる外部機器の着脱に要する時間が不要になり、当該流量測定ユニット１３０の診断にかかる時間を大幅に短縮することができる。 According to the present embodiment, as described above, the pressure sensors 132 and 133 included in the flow rate measurement unit 130 are diagnosed, that is, whether or not calibration is necessary due to, for example, zero-point deviation or span deviation. This can be easily performed by the flow rate measurement unit 130 itself without connecting an external device. Therefore, the time required for attaching and detaching such an external device becomes unnecessary, and the time required for diagnosing the flow measurement unit 130 can be greatly shortened.

また本実施形態によれば、このように外部機器の着脱を必要とせず、流量測定ユニット１３０にガスを通流することのみによって自己診断を行うことができるため、上述した一連の流れのように、流量制御器１１１の流量測定と同時にかかる診断を実行できる。換言すれば、図５に示すように、ウェハ処理システム１の定期メンテナンスやトラブル時のメンテナンス等の長時間の空き時間を利用することなく、例えばチャンバ６０におけるウェハ処理の合間である短時間のアイドル時を利用して診断を実行できる。このため、ウェハ処理システム１の定期メンテナンスやトラブル時のメンテナンスにおいてはかかる流量測定ユニット１３０の診断を省略できるため、ウェハ処理システム１のメンテナンスに係る時間を短縮できる。更に、本実施形態にかかるウェハ処理システム１によれば、上述の自己診断において不具合を発見した場合のみに流量測定ユニット１３０の較正を実行すればよいため、ウェハ処理システム１のメンテナンスに係る時間を更に省略できる。 Further, according to the present embodiment, self-diagnosis can be performed only by passing gas through the flow rate measuring unit 130 without requiring attachment and detachment of an external device. , such diagnostics can be performed concurrently with the flow rate measurement of the flow controller 111 . In other words, as shown in FIG. 5, a short period of idle time between wafer processing in the chamber 60, for example, can be performed without using a long period of idle time such as periodic maintenance or troubleshooting maintenance of the wafer processing system 1. Time can be used to perform diagnostics. Therefore, the diagnosis of the flow rate measurement unit 130 can be omitted in regular maintenance of the wafer processing system 1 or maintenance in the event of trouble, so that the time required for maintenance of the wafer processing system 1 can be shortened. Furthermore, according to the wafer processing system 1 of the present embodiment, the calibration of the flow rate measurement unit 130 only needs to be performed when a problem is found in the above-described self-diagnosis. can be further omitted.

ただし、本実施形態にかかる流量測定ユニット１３０の自己診断のタイミングは、上述のようなウェハ処理システム１のスタートアップ時や、図５に示したアイドル時に限定されるものではなく、適宜、ウェハ処理システム１のメンテナンスに際しても行われてよい。 However, the timing of the self-diagnosis of the flow measurement unit 130 according to the present embodiment is not limited to the startup of the wafer processing system 1 as described above or the idle time shown in FIG. 1 may also be performed.

なお、以上の実施形態においては、流量測定ユニット１３０が２つの圧力センサ１３２、１３３を備え、かかる２つの圧力センサ１３２、１３３による測定結果を比較することで自己診断を行ったが、流量測定ユニット１３０に配置される圧力センサの数はこれに限定されず、少なくとも２つ以上の圧力センサを備えていれば、本開示に係る技術を適用できる。 In the above embodiment, the flow rate measurement unit 130 includes two pressure sensors 132 and 133, and self-diagnosis is performed by comparing the measurement results of the two pressure sensors 132 and 133. However, the flow rate measurement unit The number of pressure sensors arranged in 130 is not limited to this, and the technology according to the present disclosure can be applied as long as at least two pressure sensors are provided.

具体的には、例えば流量測定ユニット１３０が３つ以上の圧力センサ（図示せず）を備えている場合であっても、これら複数の圧力センサによる測定値を相互に比較することによって、少なくともいずれかの圧力センサに較正が必要か否かを診断できる。なお、かかる場合、特にそれぞれの圧力センサが異なる圧力測定レンジを有している場合においては、流量測定シーケンス中において自己診断を実施する回数を増やすこと好ましい。具体的には、例えば流量測定ユニット１３０が３つの圧力センサを備える場合においては、上記実施形態の第１の自己診断及び第２の自己診断に加え、更に、内部圧力Ｐ１又はＰ３とは異なる内部圧力で安定している際に、第３の自己診断が実施されることが望ましい。 Specifically, even if the flow rate measurement unit 130 includes, for example, three or more pressure sensors (not shown), at least some It is possible to diagnose whether any pressure sensor needs calibration. In such a case, especially when the pressure sensors have different pressure measurement ranges, it is preferable to increase the number of times the self-diagnosis is performed during the flow measurement sequence. Specifically, for example, when the flow rate measurement unit 130 includes three pressure sensors, in addition to the first self-diagnosis and second self-diagnosis of the above embodiment, an internal pressure different from the internal pressure P1 or P3 A third self-diagnosis is preferably performed when the pressure is stable.

なお、以上の実施形態においては、流量測定ユニット１３０が備える２つの圧力センサ１３２、１３３の自己診断を行う場合を例に説明を行ったが、自己診断を行うセンサの種類は圧力センサに限定されるものでなく、例えば流量測定ユニット１３０が備える温度センサの自己診断が行われてもよい。具体的には、流量測定ユニット１３０に複数の温度センサ（図示せず）を設け、かかる温度センサの各々による複数の測定値を相互に比較することで、上記と同様の方法により自己診断を実施することができる。すなわち、例えば流量測定ユニット１３０が２つの温度センサを備える場合においては、これら温度センサによる測定値ＴＡ、ＴＢを相互に比較し、これら測定値ＴＡ、測定値ＴＢとの間にズレがないことを確認することで、これら温度センサに較正が必要か否かを、外部機器を接続することなく簡易的に診断することができる。 In the above embodiment, the self-diagnosis of the two pressure sensors 132 and 133 provided in the flow rate measurement unit 130 has been described as an example, but the type of sensor for self-diagnosis is limited to pressure sensors. Instead, for example, self-diagnosis of the temperature sensor provided in the flow rate measurement unit 130 may be performed. Specifically, a plurality of temperature sensors (not shown) are provided in the flow rate measurement unit 130, and a plurality of measurement values obtained by each of these temperature sensors are compared with each other to perform self-diagnosis in the same manner as described above. can do. That is, for example, when the flow rate measurement unit 130 has two temperature sensors, the measured values TA and TB by these temperature sensors are compared with each other to confirm that there is no deviation between the measured values TA and TB. By checking, it is possible to easily diagnose whether or not these temperature sensors need to be calibrated without connecting an external device.

なお、以上の実施形態においてはウェハ処理システム１が備える流量測定ユニット１３０において、圧力センサ１３２、１３３の自己診断を行う場合を例に説明を行ったが、本開示の技術に係る自己診断が行われる部材は、流量測定ユニット１３０には限定されない。すなわち、例えばチャンバ６０に、当該チャンバ６０の内部圧力を測定するための圧力センサが複数設けられている場合においては、これら測定センサによる各々の測定値を相互に比較することで、これら圧力センサに較正が必要か否かを、外部機器を接続することなく適切に診断できる。 In the above embodiment, the case where the pressure sensors 132 and 133 are self-diagnosed in the flow rate measurement unit 130 included in the wafer processing system 1 has been described as an example. The member used is not limited to the flow measurement unit 130 . That is, for example, in the case where the chamber 60 is provided with a plurality of pressure sensors for measuring the internal pressure of the chamber 60, by comparing the values measured by these measurement sensors with each other, the pressure sensors Whether or not calibration is necessary can be properly diagnosed without connecting an external device.

特に、このようにチャンバ６０に複数の圧力センサを設けられている場合においては、当該チャンバ６０において実施されるウェハＷのガス処理時における圧力センサの測定値を利用して診断を実施できるため、これら圧力センサの診断に係る時間、及びチャンバ６０のメンテナンスに係る時間を適切に短縮できる。 In particular, in the case where the chamber 60 is provided with a plurality of pressure sensors, diagnosis can be performed using the pressure sensor measurements during the gas processing of the wafer W performed in the chamber 60. The time required for diagnosing these pressure sensors and the time required for maintenance of the chamber 60 can be appropriately shortened.

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

１ウェハ処理システム
６０チャンバ
１１１流量制御器
１２０メインガスユニット
１３０流量測定ユニット
１３２圧力センサ
１３３圧力センサ
Ｗウェハ
1 wafer processing system 60 chamber 111 flow controller 120 main gas unit 130 flow measurement unit 132 pressure sensor 133 pressure sensor W wafer

Claims

A substrate processing method performed using a substrate processing system, comprising:
The substrate processing system includes
a chamber that houses the substrate and performs a desired gas treatment;
a gas supply unit that supplies gas to at least the interior of the chamber;
a flow control unit that adjusts the flow rate of the gas supplied from the gas supply unit to the chamber;
a flow measurement unit connected to the secondary side of the flow control unit and measuring the flow rate of the gas output from the flow control unit;
and a plurality of pressure sensors that measure the internal pressure of the flow rate measuring unit,
The substrate processing method includes:
a step of measuring a first internal pressure with the plurality of pressure sensors while the internal pressure of the flow rate measuring unit is stable;
comparing the first internal pressures measured by each of the plurality of pressure sensors to obtain a first comparison result;
a step of measuring a second internal pressure different from the first internal pressure with the plurality of pressure sensors while the internal pressure of the flow rate measuring unit is stable;
comparing the second internal pressures measured by each of the plurality of pressure sensors to obtain a second comparison result;
and diagnosing whether each of the plurality of pressure sensors requires calibration based on the first comparison result and the second comparison result.

2. The substrate processing method according to claim 1, wherein in the step of diagnosing said pressure sensors, zero-point deviation and span deviation occurring in each of said pressure sensors are detected.

a flow control unit secondary valve disposed on the secondary side of the flow control unit;
a flow controller secondary valve located on the secondary side of the flow measurement unit,
The step of measuring the first internal pressure and the step of measuring the second internal pressure are performed with at least the flow controller secondary valve and the flow controller secondary valve closed,
The substrate processing method includes
In the step of measuring at least one of the first internal pressure and the second internal pressure, the step of confirming the stability of the internal pressure of the flow rate measuring unit;
3. The substrate according to claim 1, further comprising the step of performing a leak check of said flow control unit secondary valve and said flow control unit secondary valve based on the result of confirming the stability of said internal pressure. Processing method.

4. The substrate processing method according to claim 1, wherein each of said series of steps is performed when said substrate processing system is started up.

5. The substrate processing method according to claim 1, wherein each of said series of steps is performed between gas treatments performed inside said chamber.

A substrate processing system for processing a substrate,
a chamber that houses the substrate and performs a desired gas treatment;
a gas supply unit that supplies gas to at least the interior of the chamber;
a flow control unit that adjusts the flow rate of the gas supplied from the gas supply unit to the chamber;
a flow measurement unit connected to the secondary side of the flow control unit and measuring the flow rate of the gas output from the flow control unit;
a plurality of pressure sensors that measure the internal pressure of the flow rate measuring unit;
a controller;
The control device is
performing control to measure a first internal pressure with the plurality of pressure sensors in a state where the internal pressure of the flow rate measuring unit is stable;
performing control to compare the first internal pressures measured by each of the plurality of pressure sensors to obtain a first comparison result;
performing control to measure a second internal pressure different from the first internal pressure with the plurality of pressure sensors in a state where the internal pressure of the flow rate measuring unit is stable;
performing control to compare the second internal pressures measured by each of the plurality of pressure sensors to obtain a second comparison result;
performing control to diagnose whether each of the plurality of pressure sensors requires calibration based on the first comparison result and the second comparison result.