JP2023000790A - センシング方法、タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 - Google Patents

Abstract

【課題】指によるタッチとグローブタッチのいずれにも対応して適正なタッチ位置検出ができるようにする。
【解決手段】タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うとともに、一対の受信信号線による受信信号感度として、第１モードと、この第１モードより高感度とされた第２モードが選択可能なタッチパネル駆動装置のセンシング方法である。第１手順として、第２モードの設定において走査を行って第１モード、第２モードのモード選択を行う。第２手順として、第１手順で選択したモードの設定状態で走査を行ってタッチ検出を行い、タッチされた位置を示す情報を生成する。
【選択図】図８

Description

本発明はタッチパネルのセンシング方法、タッチパネルを駆動するタッチパネル駆動装置、及びタッチパネルとその駆動装置を有するタッチパネル装置に関する。

タッチパネルに関して各種の技術が知られており、下記特許文献１には同時に２組（一対の送信信号線と一対の受信信号線）の信号線（電極）のセンシングを行ってタッチ操作位置の検出を行うことで解像度を向上させるセンシング技術が開示されている。

特開２０１４－２１９９６１号公報

タッチパネルは、通常、指が直接パネル面に触れることを検出するように設計されている。そのため手にグローブを装着した状態でタッチパネルを操作した場合、グローブの厚みや材質によって指でタッチした場合と比較してタッチ感度が低下してしまい、タッチパネルで所望の操作を行うことが困難となる。

グローブ装着状態でタッチパネルを操作するためには、タッチパネルを高感度化する必要がある。感度設定を変更することで、グローブ装着状態でのタッチ信号を増幅して検出することが可能となりタッチ操作が可能となる。
一方で、このように感度設定を変更すると、指でタッチした場合にタッチ感度が高すぎるためタッチ信号がレンジオーバーとなってしまい、正確なタッチ信号が検出できず、これがタッチ位置の座標計算の精度低下をもたらす原因となる。

このように、指とグローブのようにタッチする対象によってタッチ信号強度に大きな差が生じると一つの感度設定で全てのタッチ対象に対応することが困難となる。
ところが実際、タッチパネルが搭載される製品や用途、或いはタッチパネル操作環境は様々であり、ユーザが通常、指で操作できる状況だけでなく、グローブを装着したままの状態で操作したい状況がある。例えば通常の感度設定とすると、グローブを装着して作業を行う作業現場では、タッチパネル操作のたびにグローブを外す必要があり極めて面倒である。逆に感度を上げた設定とすると、指でのタッチに正確に対応できない。
さらに、タッチ操作を行おうとする人が一々感度設定を切り替えるというのも不便である。

そこで本発明では、タッチパネルに対して指による直接行うタッチ（以下「フィンガータッチ」ともいう）であっても、手にグローブをはめたままで行うタッチ（以下「グローブタッチ」ともいう）であっても、適切にタッチ検出できるようにする技術を提案する。

本発明に係るセンシング方法は、タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うとともに、一対の受信信号線による受信信号感度として、第１モードと、前記第１モードより高感度とされた第２モードが選択可能なタッチパネル駆動装置のセンシング方法であって、前記第２モードの設定において前記走査を行って前記第１モード、前記第２モードのモード選択を行う第１手順と、前記第１手順で選択したモードの設定状態で前記走査を行ってタッチ検出を行い、タッチされた位置を示す情報を生成する第２手順と、が行われる。
すなわち、受信感度を高感度にした状態での走査により感度設定についてのモード選択を行う。その後、選択したモードの状態で、実際のタッチ位置のセンシングを行うようにする。

本発明に係るタッチパネル駆動装置、タッチパネル装置は、上記のセンシング方法を実行する装置であり、一対の受信信号線による受信信号感度として、第１モードと、前記第１モードより高感度とされた第２モードが選択可能な受信回路と、前記第２モードの設定において前記走査を行って前記第１モード、前記第２モードのモード選択を行うモード制御部と、前記モード制御部が選択したモードの設定状態で行った前記走査の際に、タッチされた位置を示す情報を生成する検出演算部と、を備える。

本発明によれば、タッチに応じて第１モードと第２モードの切り替えが自動的に行われることになるため、ユーザがフィンガータッチを行った場合でもグローブタッチを行った場合でも、適切にタッチ位置検出を行うことができる。これによりタッチパネルが使用しやすいものとなり、またタッチパネルを多様な機器や使用環境で用いることに好適となる。ユーザにとっては、指やグローブといった状態を気にすることなくタッチ操作が可能となるため、効率的、かつストレスない操作環境を提供できる。

本発明の実施の形態のタッチパネル及びタッチパネル駆動装置の構成のブロック図である。 実施の形態のタッチパネルのセンシングのための構成の説明図である。 実施の形態のタッチパネル駆動装置の送信回路及び受信回路の説明図である。 実施の形態の受信回路の容量切り替えの構成の説明図である。 実施の形態の走査に応じたタッチ信号検出の単位のブロックの説明図である。 実施の形態の一対の信号線の組に対するタッチ位置の説明図である。 実施の形態のブロックにおける検出パターンの説明図である。 第１の実施の形態のセンシング処理のフローチャートである。 第２の実施の形態のセンシング処理のフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
<１．タッチパネル装置の構成>
<２．第１の実施の形態の処理>
<３．第２の実施の形態の処理>
<４．実施の形態の効果及び変形例>

<１．タッチパネル装置の構成>
実施の形態のタッチパネル装置１の構成例を図１に示す。
タッチパネル装置１は、各種機器においてユーザインターフェース装置として装着される。ここで各種機器とは、例えば電子機器、通信機器、情報処理装置、製造設備機器、工作機械、車両、航空機、建物設備機器、その他非常に多様な分野の機器が想定される。タッチパネル装置１は、これらの多様な機器製品においてユーザの操作入力に用いる操作入力デバイスとして採用される。
図１ではタッチパネル装置１と製品側ＭＣＵ（Micro Control Unit）９０を示しているが、製品側ＭＣＵ９０とは、タッチパネル装置１が装着される機器における制御装置を示しているものである。タッチパネル装置１は製品側ＭＣＵ９０に対してユーザのタッチパネル操作の情報を供給する動作を行うことになる。

タッチパネル装置１は、タッチパネル２と、タッチパネル駆動装置３を有する。
タッチパネル駆動装置３はセンサＩＣ（Integrated Circuit）４とＭＣＵ５を有する。
このタッチパネル駆動装置３は、タッチパネル側接続端子部３１を介してタッチパネル２と接続される。この接続を介してタッチパネル駆動装置３はタッチパネル２の駆動（センシング）を行う。
また操作入力デバイスとして機器に搭載される際には、タッチパネル駆動装置３は製品側接続端子部３２を介して製品側ＭＣＵ９０と接続される。この接続によりタッチパネル駆動装置３は製品側ＭＣＵ９０にセンシングした操作情報を送信する。

タッチパネル駆動装置３におけるセンサＩＣ４は、送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３、インターフェース・レジスタ回路４４、電源回路４５を有する。

センサＩＣ４の送信回路４１は、マルチプレクサ４３によって選択されたタッチパネル２における端子に対して送信信号を出力する。また受信回路４２は、マルチプレクサ４３によって選択されたタッチパネル２における端子から信号を受信し、必要な比較処理等を行う。

図２に、送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３とタッチパネル２の接続状態を模式的に示す。
タッチパネル２は、タッチ面を形成するパネル平面に、送信側の電極としてのｎ本の送信信号線２１－１から２１－ｎが配設される。
また同じくパネル平面に、受信側の電極としてのｍ本の受信信号線２２－１から２２－ｍが配設される。
なお送信信号線２１－１・・・２１－ｎ、受信信号線２２－１・・・２２－ｍを特に区別しない場合は、総称として「送信信号線２１」「受信信号線２２」と表記する。

送信信号線２１－１・・・２１－ｎと、受信信号線２２－１・・・２２－ｍは、図示するように交差して配設される場合もあれば、いわゆるシングルレイヤ構造として、交差が生じないように配設される場合もある。いずれにしても送信信号線２１と受信信号線２２が配設される範囲内でタッチ操作面が形成され、タッチ操作時の容量変化により操作位置が検出される構造となる。
図２では送信信号線２１と受信信号線２２の間で生じる容量を一部のみ例示している（容量Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ３２，Ｃ３３）が、タッチ操作面の全体に、送信信号線２１と受信信号線２２の間で生じる容量（例えば交差位置における容量）が存在し、タッチ操作により容量変化が生じた位置が受信回路４２により検出されることとなる。

送信回路４１は、マルチプレクサ４３により選択された送信信号線２１－１・・・２１－ｎに対して送信信号を出力する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接する送信信号線２１を選択していく走査を行う。
受信回路４２は、マルチプレクサ４３により選択された受信信号線２２－１・・・２２－ｍからの受信信号を受信する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接する受信信号線２２を選択していく。
送信回路４１、受信回路４２によるセンシング動作については後述する。

図１に戻って説明する。センサＩＣ４のインターフェース・レジスタ回路４４には、送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５に対する各種の設定情報がＭＣＵ５によって書き込まれる。
送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５は、それぞれインターフェース・レジスタ回路４４に記憶された設定情報によって動作が制御される。
またインターフェース・レジスタ回路４４には、受信回路４２により検出された検出値（説明上「ＲＡＷ値」ともいう）を記憶し、ＭＣＵ５が取得できるようにしている。

電源回路４５は、駆動電圧ＡＶＣＣ等を生成し、送信回路４１、受信回路４２に供給する。後述するが、送信回路４１は駆動電圧ＡＶＣＣ等を用いたパルスをマルチプレクサ４３によって選択された送信信号線２１に印加する。
また受信回路４２は、センシング動作の際に、マルチプレクサ４３によって選択された受信信号線２２に対して駆動電圧ＡＶＣＣ等を印加することも行う。
なお、図１で例示する駆動電圧ＡＶＣＣとは、後述する駆動電圧ＡＶＣＣ１，ＡＶＣＣ２，ＡＶＣＣ３，ＡＶＣＣ４等の総称としている。

ＭＣＵ５はセンサＩＣ４の設定、制御を行う。具体的にはＭＣＵ５はインターフェース・レジスタ回路４４に対して必要な設定情報を書き込むことで、センサＩＣ４の各部の動作を制御する。
またＭＣＵ５は受信回路４２からのＲＡＷ値をインターフェース・レジスタ回路４４から読み出すことで取得する。そしてＭＣＵ５は、ＲＡＷ値を用いて座標計算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する処理を行う。

図１ではＭＣＵ５におけるメモリ５Ｍとして、ＲＡＭ領域、ＲＯＭ領域、不揮発性記憶領域などを総括して示している。このメモリ５Ｍはインターフェース・レジスタ回路４４に与える設定情報の記憶に用いられる。またメモリ５Ｍは、検出されたＲＡＷ値やそれに応じたタッチ操作位置情報としての座標値を一時的な記憶領域としても用いられる。

また図１では、ＭＣＵ５においてモード制御部５ａ、検出演算部５ｂを示している。これらはＭＣＵ５においてプログラム（ファームウェア等）により実現される処理機能の一部であり、特に本実施の形態の処理のために設けられる機能を示している。

モード制御部５ａとは、高感度モードの設定において走査を行ってノーマルモードと高感度モードのモード選択を行う処理機能である。
ここでいうノーマルモード、高感度モードとは、受信回路４２で設定されるタッチ信号強度に対するゲイン設定のモードであり、ノーマルモードとはノーマル感度としてのゲイン設定のモード、高感度モードとは高感度ゲイン設定のモードである。ノーマルモードは高感度モードよりも感度が低いものとされる。
モード制御部５ａは、タッチ操作に際して、いずれのモードが適切かを判定して選択制御する機能といえる。

検出演算部５ｂは、モード制御部５ａが選択したモードの設定状態で行った走査により得られたＲＡＷ値に基づいて、タッチされた位置を示す情報を生成する処理機能である。すなわちＲＡＷ値を用いて座標計算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標値を求める処理を行う。

これらモード制御部５ａ及び検出演算部５ｂの機能により、後述の図８，図９のような処理が行われる。

以上の構成のタッチパネル装置１によるセンシング動作について説明する。
まず図３によりタッチパネル２に対する送信回路４１，受信回路４２の動作を説明する。図ではタッチパネル２において２つの送信信号線２１－２、２１－３と、２つの受信信号線２２－２、２２－３を示している。
本実施の形態の場合、先の図２に示したような送信信号線２１、受信信号線２２に対して、送信回路４１と受信回路４２が、それぞれ隣接する２本ずつ送信、受信を行っていくことでタッチ操作の検出を行うものとなる。つまり一対の送信信号線２１と一対の受信信号線２２の２本×２本を基本セルとして、順次セル単位で検出走査を行う。図３では、その１つのセルの部分を示していることになる。

送信回路４１は、２本の送信信号線２１（図の場合では２１－２，２１－３）に対して、ドライバ４１１，４１２から駆動電圧ＡＶＣＣ１を出力する。つまりドライバ４１１，４１２の出力である送信信号Ｔ＋、Ｔ－がマルチプレクサ４３によって選択された送信信号線２１－２，２１－３に供給される。
なお駆動電圧ＡＶＣＣ１は、図１の電源回路４５が生成する電圧である。
この場合、送信回路４１は、ドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋を図示のように、アイドル（Idle）期間をロウレベル（以下「Ｌレベル」と表記）とする。例えば０Ｖとする。そして続くアクティブ（Active）期間にはハイレベル（以下「Ｈレベル」と表記）とする。この場合、Ｈレベルの信号として具体的には駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加を行う。
また送信回路４１は、もう一つのドライバ４１２からの送信信号Ｔ－は、アイドル期間をＨレベル（駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加）とし、続くアクティブ期間はＬレベルとする。
ここで、アイドル期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位を安定させる期間であり、アクティブ期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位変化をセンシングする期間となる。

このアイドル期間、アクティブ期間において、受信回路４２はマルチプレクサ４３によって選択された２つの受信信号線２２（図の場合では２２－３，２２－２）からの受信信号Ｒ＋、Ｒ－を受信する。
受信回路４２は、コンパレータ４２１、基準容量部４２２、スイッチ４２３，４２５、計測用容量部４２４、演算制御部４２６、電圧選択部４２７，４２８を備えている。
２つの受信信号線２２からの受信信号Ｒ＋、Ｒ－はコンパレータ４２１で受信される。コンパレータ４２１は、受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位を比較して、その比較結果をＨレベル又はＬレベルで演算制御部４２６に出力する。

基準容量部４２２を構成するコンデンサの一端には、電圧選択部４２７を介して、駆動電圧ＶＳＳ、ＡＶＣＣ４、ＡＶＣＣ３、ＡＶＣＣ２のいずれかが印加される。これらの駆動電圧は、図１の電源回路４５が生成する。
基準容量部４２２を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２３の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の＋入力端子に接続されている。

計測用容量部４２４を構成するコンデンサの一端には電圧選択部４２８を介して、駆動電圧ＶＳＳ、ＡＶＣＣ４、ＡＶＣＣ３、ＡＶＣＣ２のいずれかが印加される。なお電圧選択部４２８では、電圧選択部４２８と同じ電圧が選択される。
計測用容量部４２４を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２５の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の－入力端子に接続されている。

スイッチ４２３、４２５は、アイドル期間には端子Ｔｉが選択される。従ってアイドル期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（受信信号線２２－３）、－入力端子（受信信号線２２－２）がグランド接続され、受信信号Ｒ＋、Ｒ－はグランド電位となる。
スイッチ４２３、４２５は、アクティブ期間には端子Ｔａが選択される。従ってアクティブ期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（受信信号線２２－３）、－入力端子（受信信号線２２－２）に駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）が印加される。

図３では当該セルが非タッチ状態の場合の受信信号Ｒ＋、Ｒ－の波形を実線で示している。アイドル期間ではスイッチ４２３、４２５が端子Ｔｉを選択していることで、受信信号Ｒ＋、Ｒ－は、或る電位（グランド電位）で安定されている。
アクティブ期間となるとスイッチ４２３、４２５が端子Ｔａを選択することで、受信信号線２２－３，２２－２に駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）が印加される。これにより受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位がΔＶ上昇する。非タッチの状態では、このΔＶの電位上昇は、受信信号Ｒ＋、Ｒ－共に発生する。

一方、送信回路４１側では、アクティブ期間となると、上述のように送信信号Ｔ＋が立ち上がり、送信信号Ｔ－が立ち下がる。これにより、タッチ操作があった場合には、受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位上昇の程度が変化する。
仮に容量Ｃ２２に影響を与えるＡ１位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ－の電位がアクティブ期間において破線で示すようにΔＶＨだけ上昇する。
また仮に容量Ｃ３２が変化するＡ２位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ－の電位がアクティブ期間において破線で示すΔＶＬだけ上昇する。
これらのように当該セルに対するタッチ操作位置に応じて、受信信号Ｒ－の電位変化量が受信信号Ｒ＋の電位変化量（ΔＶ）よりも大きくなったり小さくなったりする。
コンパレータ４２１はこのような受信信号Ｒ＋、Ｒ－を比較することになる。

なお、このように変化する受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電位差分自体をＲＡＷ値（検出結果）として出力するようにしてもよいが、本実施の形態では受信回路４２は、演算制御部４２６が受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電圧バランスがとれるように計測用容量部４２４の容量値の設定変更を行い、ＲＡＷ値を得るようにしている。

演算制御部４２６はスイッチ４２３，４２５のオン／オフ制御を行う。
また演算制御部４２６はビット信号ＢＳにより計測用容量部４２４の容量値の切り替え制御を行う。
また演算制御部４２６はモード制御信号ＳＳにより基準容量部４２２の容量値の切り替え制御を行うことで、タッチ信号の検出感度のモード設定を行うことができる。基準容量部４２２の容量は、走査時には固定値であるが、感度のモードの変更として切り替えが行われる。
これら演算制御部４２６の処理は、インターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれた設定情報に従って行われる。即ちＭＣＵ５による動作設定に基づいて行われる。
また演算制御部４２６は、コンパレータ４２１の出力を監視し、ＲＡＷ値を算出する。演算制御部４２６で算出されたＲＡＷ値はインターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれることでＭＣＵ５が取得可能とされる。

以上の図３において可変容量コンデンサの記号で示した計測用容量部４２４は、例えば図４のように複数、この例では１１個のコンデンサＣＭ（コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ１０）と、１１個のスイッチＳＷ（スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０）を有して構成されている。また基準容量部４２２も、計測用容量部４２４と同様に１１個のコンデンサＣＭ（コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ３０）と、１１個のスイッチＳＷ（スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０）を有している。
なお「コンデンサＣＭ」「スイッチＳＷ」という表記は、これらのコンデンサ（ＣＭ０・・・ＣＭ３０）やスイッチ（ＳＷ０・・・ＳＷ３０）を総称する場合に用いる。

この図４は、図３に示したスイッチ４２３，４２５が端子Ｔａに接続された状態（アクティブ期間）での等価回路として示しており、スイッチ４２３，４２５の図示は省略している。

計測用容量部４２４におけるコンデンサＣＭ０とスイッチＳＷ０、コンデンサＣＭ１とスイッチＳＷ１・・・コンデンサＣＭ１０とスイッチＳＷ１０はそれぞれ直列接続される。そして直列接続された１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組は、駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）の電位とコンパレータ４２１の－入力端子の間に並列に接続されている。
従って、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０のオン／オフにより、受信信号Ｒ－に影響を与える計測用容量部４２４の容量値を変更できる。この計測用容量部４２４における各スイッチＳＷのオン／オフはビット信号ＢＳにより制御される。
またスイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０は、それぞれ例えばＦＥＴ（Field effect transistor）等のスイッチ素子を用いて構成されるが、１つのスイッチＳＷとして複数のスイッチ素子が設けられる場合もある。

基準容量部４２２におけるコンデンサＣＭ２０とスイッチＳＷ２０、コンデンサＣＭ２１とスイッチＳＷ２１・・・コンデンサＣＭ３０とスイッチＳＷ３０も、それぞれ直列接続される。そして直列接続された１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組は、駆動電圧ＡＶＣＣ（例えば駆動電圧ＡＶＣＣ２）の電位とコンパレータ４２１の＋入力端子の間に並列に接続されている。
従って、スイッチＳＷ１０からスイッチＳＷ３０のオン／オフにより、基準容量部４２２の容量値を変更できる構成である。この基準容量部４２２における各スイッチＳＷのオン／オフはモード制御信号ＳＳにより制御される。スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０も、例えばＦＥＴ等のスイッチ素子を用いて構成される。

ここで、走査の際に、計測用容量部４２４では１１ビットのビット信号ＢＳのうちの８ビットにより容量値を２５６段階に変化させる例を考える。
図４の例では、計測用容量部４２４は１１個のコンデンサＣＭとスイッチＳＷの組を備えている例としているが、例えば容量値を２５６段階に変化させる場合、８個の組があればよい。例えばビット信号ＢＳの各ビットに対応して、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ７のそれぞれがオン／オフされるようにすれば、計測用容量部４２４における容量値を２５６段階に変化させることができる。ここで、１１個の組を備えるのは、受信感度のモードを変更できるようにしたためである。

また、基準容量部４２２は、２５６段階の中央値とした固定の容量値、例えば「１２８」に相当する容量値でよいため、１つのコンデンサＣＭで構成することが可能である。ところが図のように計測用容量部４２４と同様に１１個の組を備えている目的の１つは、受信感度のモードの変更のためである。

図４の上部に、ゲイン設定Ｇ０，Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を表記した。
ゲイン設定Ｇ０では、コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７が用いられる。
ゲイン設定Ｇ１では、コンデンサＣＭ２１からコンデンサＣＭ２８が用いられる。
ゲイン設定Ｇ２では、コンデンサＣＭ２２からコンデンサＣＭ２９が用いられる。
ゲイン設定Ｇ３では、コンデンサＣＭ２３からコンデンサＣＭ３０が用いられる。

つまりゲイン設定Ｇ０，Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を変更することで、受信信号感度のモードを４段階に変更できる。
例えばゲイン設定Ｇ０では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。
実際にはモード制御信号ＳＳとしては、スイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ３０に対応する１１ビットの信号であることが想定されるが、ゲイン設定Ｇ０の場合、モード制御信号ＳＳにおけるスイッチＳＷ２８，ＳＷ２９，ＳＷ３０については常にオフ制御する論理値となる。そしてスイッチＳＷ２０からスイッチＳＷ２７に対応する各ビットが所定値に設定されることで、コンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７を用いて「１２８」に相当する容量値とされる。なお、８個のコンデンサＣＭを用いることで、基準容量部４２２における容量値、即ち「１２８」に相当する容量値を調整することができる。

同様に、例えばゲイン設定Ｇ１では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２１からコンデンサＣＭ２８を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。またゲイン設定Ｇ２では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２２からコンデンサＣＭ２９を用いて「１２８」に相当する容量値を設定し、ゲイン設定Ｇ３では、基準容量部４２２はコンデンサＣＭ２３からコンデンサＣＭ３０を用いて「１２８」に相当する容量値を設定する。

このように受信感度を変更する各ゲイン設定に応じて、計測用容量部４２４も、コンデンサＣＭが次のように用いられる。
ゲイン設定Ｇ０のときはコンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７が用いられる。
ゲイン設定Ｇ１のときはコンデンサＣＭ１からコンデンサＣＭ８が用いられる。
ゲイン設定Ｇ２のときはコンデンサＣＭ２からコンデンサＣＭ９が用いられる。
ゲイン設定Ｇ３のときはコンデンサＣＭ３からコンデンサＣＭ１０が用いられる。

例えばゲイン設定Ｇ０のときは、計測用容量部４２４はコンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７を用いて容量値を２５６段階に変化させる。
実際にはビット信号ＢＳは、スイッチＳＷ０からスイッチＳＷ１０に対応する１１ビットの信号であることが想定されるが、ゲイン設定Ｇ０の場合、ビット信号ＢＳにおけるスイッチＳＷ８，ＳＷ９，ＳＷ１０に対応するビットは常にオフ制御する論理値となる。そしてスイッチＳＷ０からスイッチＳＷ７に対応する各ビットを変化させることで、コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７を用いて容量値を２５６段階に可変する。

基準容量部４２２及び計測用容量部４２４における各コンデンサの容量値は、例えば次のようにされている。
コンデンサＣＭ０，ＣＭ２０は２ｆＦ（フェムトファラッド）、コンデンサＣＭ１，ＣＭ２１は４ｆＦ、コンデンサＣＭ２，ＣＭ２２は８ｆＦ、コンデンサＣＭ３，ＣＭ２３は１６ｆＦ、コンデンサＣＭ４，ＣＭ２４は３２ｆＦ、コンデンサＣＭ５，ＣＭ２５は６４ｆＦ、コンデンサＣＭ６，ＣＭ２６は１２８ｆＦ、コンデンサＣＭ７，ＣＭ２７は２５６ｆＦ、コンデンサＣＭ８，ＣＭ２８は５１２ｆＦ、コンデンサＣＭ９，ＣＭ２９は１０２４ｆＦ、コンデンサＣＭ１０，ＣＭ３０は２０４８ｆＦである。

なお図４では各コンデンサＣＭはそれぞれ１つのコンデンサにより構成しているが、コンデンサＣＭの全部又は一部は、複数のコンデンサにより構成され、合成容量が上記の容量値となるようにしてもよい。

例えばゲイン設定Ｇ０の場合、コンデンサＣＭ０からコンデンサＣＭ７は、ビット信号ＢＳの１１ビットのうちで、ビット“０”からビット“７”の８ビットの値で選択される。コンデンサＣＭ０及びスイッチＳＷ０がビット“０”、コンデンサＣＭ１及びスイッチＳＷ１がビット“１”、・・・コンデンサＣＭ７及びスイッチＳＷ７がビット“７”として機能する。
そして、この８ビットの値として０（＝「００００００００」）から２５５（＝「１１１１１１１１」）の容量設定値が与えられる。容量設定値はＭＣＵ５がインターフェース・レジスタ回路４４に書き込む設定情報の一つである。
受信回路４２では、この８ビットの容量設定値に応じてスイッチＳＷ０～ＳＷ７がオン／オフされる。即ちスイッチＳＷ０～ＳＷ７は対応するビットが「０」であればオフ、「１」であればオンとなる。これにより計測用容量部４２４の全体の容量値が０ｆＦ～５１０ｆＦの範囲で２５６段階に可変されることになる。

一方、受信信号Ｒ＋側の基準容量部４２２のコンデンサＣＭ２０からコンデンサＣＭ２７により設定される容量値、即ち「１２８」に相当する容量値は例えば２５６ｆＦとされる。

上述のように受信信号Ｒ－は、タッチの有無及び位置によってアクティブ期間の波形の電位上昇の程度が変わる。受信信号Ｒ＋の波形上昇程度（ΔＶ）より大きくなったり小さくなったりする。
図４の構成では、計測用容量部４２４の容量設定値を変更していくことで受信信号Ｒ－の波形の電位上昇程度を変化させることができ、例えば受信信号Ｒ＋と同等となる計測用容量部４２４の容量設定値を見つけ出すことができる。

例えば図４の受信信号Ｒ－の破線で示す波形Ｓｇ１が初期状態であったとしたときに、計測用容量部４２４の容量を小さくすれば受信信号Ｒ－は波形Ｓｇ２のように波形Ｓｇ１より小さくなる。また、計測用容量部４２４の容量を大きくすれば受信信号Ｒ－は波形Ｓｇ３のように波形Ｓｇ１より大きくなる。
つまり、コンパレータ４２１で受信信号Ｒ＋、Ｒ－の電圧レベルが同等となったときの計測用容量部４２４の容量設定値は、タッチによる受信信号Ｒ－の電圧変化に相当する値と等価となる。

従って、コンパレータ４２１の出力をみながら計測用容量部４２４の容量設定値を順次変化させていき、受信信号Ｒ＋、Ｒ－のアクティブ期間の電圧が同等となる容量設定値を探索する。すると探索された容量設定値を、タッチ操作のセンシング情報としてのＲＡＷ値とすることができる。

以上はゲイン設定Ｇ０の例で説明したが、他のゲイン設定の場合もＲＡＷ値の検出方式を同様に考えることができる。つまり基準容量部４２２で「１２８」に相当する容量値の設定に用いる８個のコンデンサＣＭと、計測用容量部４２４で２５６段階の容量値変化に用いる８個のコンデンサＣＭが、ゲイン設定毎に上述のように異なるものとされる。

ゲイン設定については、ゲイン設定Ｇ３、Ｇ２、Ｇ１、Ｇ０の順に従ってタッチ信号の検出を高感度化することができる。具体的には、ゲイン設定Ｇ３、Ｇ２、Ｇ１、Ｇ０の順に従って選択されるコンデンサＣＭの容量値は小さくなるため、１分解能当たりの電圧を細かく検出することができるようになる。そのため、より微小な静電容量（電圧）の変化を大きなＲＡＷ値の変化量として増幅して検出することが可能となる。例えば図４の例の場合、ゲイン設定を１段階、高感度側に切り替えると、ＲＡＷ値の変化量としては２倍に増幅して検出できる。

<２．第１の実施の形態の処理>
以上のような構成において、本実施の形態では、特にフィンガータッチとグローブタッチのいずれであっても精度のよいタッチ検出ができるようにする。このために、ゲイン設定による受信感度モードを自動的に最適な状態に切り替えるようにする。

直接指でタッチするフィンガータッチの場合と、グローブをはめた状態でタッチするグローブタッチの場合とでは、タッチ信号強度に差が生じ、また、グローブでも種類、例えば布製や革製などの違いによってタッチ信号強度が大小異なる場合がある。このため、グローブタッチやフィンガータッチによって、適切な感度（ゲイン設定）が異なる。

そのため、タッチ信号強度に閾値を設けて、閾値以上の場合はノーマル感度のゲイン設定のモード（以下「ノーマルモード」という）を選択し、閾値未満の場合には高感度のゲイン設定のモード（以下「高感度モード」という）を選択するようにする。

そして、この閾値による判定に用いる信号としては高感度モード設定の走査で得られるＲＡＷ値から算出した、下記のタッチ信号強度Ｚとする。高感度モード設定で走査した信号値を用いることで、非タッチとグローブタッチとフィンガータッチの３つの状態のレベル差を明確に識別することができる。
なおノーマルモードの設定では、グローブタッチの場合のタッチ信号強度Ｚが非常に微弱になるため、ノイズの影響も受けやすく非タッチとグローブタッチを識別することが困難となり正確な状態判定と感度選択が難しい。

タッチ信号強度Ｚについて説明する。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃにおけるマス目の１つは、上述のセル、即ち２つの送信信号線２１と２つの受信信号線２２の組を示している。
４×４の１６個のセルを１つのブロックＢＫとして示しているが、ブロックＢＫの各セルのＲＡＷ値を図５Ｄのように「ａ」から「ｐ」で表すこととする。この「ａ」から「ｐ」は、それぞれ各セルを走査したときのＲＡＷ値である。例えば、図５ＡのブロックＢＫについていえば、「ａ」は斜線を付したセルのＲＡＷ値となる。

受信回路４２においては、各セルについて、上述のように２５６段階の分解能でＲＡＷ値を検出する走査を行うが、ＭＣＵ５では、各セルのＲＡＷ値から、タッチ位置座標を求める。
その場合、このブロックＢＫとする１６個のセルの選択を図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃのように順次切り替えながら、ＲＡＷ値のパターンを判定する。

図６には或る１つのセルと、そのセルに対するタッチ位置を「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ｄ」として示している。
タッチ位置が「Ａ」の場合、当該セルを含む１６セルのブロックＢＫにおいて、図７のＡパターンのＲＡＷ値が得られる。「＋」はＲＡＷ値が「１２８」より大きい値、「－」はＲＡＷ値が「１２８」より小さい値となることを示している。
同様にタッチ位置が図６の「Ｂ」「Ｃ」「Ｄ」のそれぞれの場合、当該セルを含むブロックＢＫにおけるＲＡＷ値のパターンが、図７のＢパターン、Ｃパターン、Ｄパターンとなる。
このようなパターンを検出することで、ＭＣＵ５では、セルサイズよりも細かい分解能でタッチ位置座標を求めることができる。

タッチ信号強度Ｚは、例えばこのようなブロックＢＫ毎の各セルのＲＡＷ値から、次のように求めることができる。
タッチ信号強度Ｚ＝
（ａ＋ｂ＋ｅ＋ｆ）＋（ｋ＋ｌ＋ｏ＋ｐ）－（ｃ＋ｄ＋ｇ＋ｈ）－（ｉ＋ｊ＋ｍ＋ｎ）

このようなタッチ信号強度Ｚを用いて適切なモードを判定し、受信信号感度のモードを自動的に切り替える第１の実施の形態の処理例を図８で説明する。

図８はＭＣＵ５においてモード制御部５ａ、検出演算部５ｂの機能により実行される処理例である。図８及び後述の図９の処理は、タッチパネル２による操作検出の終了（例えば電源オフ）となるまで繰り返される。

なお、一例として、高感度モードとはゲイン設定Ｇ０のモード、ノーマルモードはゲイン設定Ｇ２のモードなどと考えることができる。

ステップＳ１０１でＭＣＵ５は、高感度モードで走査制御を行う。即ちＭＣＵ５は受信回路４２に高感度モードを指示して走査を実行させる。受信回路４２はこれに応じて、例えばゲイン設定Ｇ０のモードで各セルの走査を行う。これによりＭＣＵ５は走査の結果として、各セルのＲＡＷ値を取得する。
ＭＣＵ５は取得した各セルのＲＡＷ値により、ブロックＢＫ単位でタッチ信号強度Ｚを算出できる。タッチ信号強度Ｚが最も高いブロックＢＫを判定することで、タッチに応じたタッチ信号強度Ｚを判定できる。

ステップＳ１０２でＭＣＵ５は、モード判定として、タッチ信号強度Ｚと閾値ｔｈ１を比較し、Ｚ>ｔｈ１であるか否かを判定する。
これは、タッチ信号強度Ｚがフィンガータッチを想定した比較的大きい値であるか、グローブタッチを想定した比較的小さい値であるかを判定する処理である。

Ｚ>ｔｈ１であれば、ＭＣＵ５は、フィンガータッチが行われたと判定してステップＳ１０３に進み、受信回路４２にノーマルモードによる走査を実行させる。受信回路４２はこれに応じて、例えばゲイン設定Ｇ２のモードで各セルの走査を行う。これは実際のタッチ位置判定のための走査となる。この走査の結果としてＭＣＵ５は各セルのＲＡＷ値を取得する。

一方ステップＳ１０２でＺ>ｔｈ１ではないと判定された場合は、ＭＣＵ５は、グローブタッチが行われたと判定してステップＳ１０４に進み、受信回路４２に高感度モードによる走査を実行させる。受信回路４２はこれに応じて、例えばゲイン設定Ｇ０のモードで各セルの走査を行う。実際のタッチ位置判定のための走査である。この走査の結果としてＭＣＵ５は各セルのＲＡＷ値を取得する。

ステップＳ１０３又はステップＳ１０４の走査による各セルについてＲＡＷ値を取得したら、ＭＣＵ５はステップＳ１０５でタッチ位置検出を行うか否かを判定する。このため、ステップＳ１０３又はステップＳ１０４の走査で得られた各セルのＲＡＷ値からにタッチ信号強度Ｚを求め、そのタッチ信号強度Ｚを閾値ｔｈ２と比較する。閾値ｔｈ２はタッチ位置検出を行うか否かを判定する閾値であり、例えば閾値ｔｈ１より小さい値である。例えば閾値ｔｈ２は、ノイズなどによるタッチ誤検出を防ぐ値に設定される。

タッチ信号強度Ｚが微少で、Ｚ>ｔｈ２でなければ、ステップＳ１０１に戻る。
Ｚ>ｔｈ２であればＭＣＵ５はステップＳ１０６に進み、座標演算処理を行う。そしてＭＣＵ５はタッチ位置としての座標値を求めたら、ステップＳ１０７で座標リポートとして出力する。つまり図１の製品側ＭＣＵ９０に通知する。そしてステップＳ１０１に戻る。

以上の処理により、タッチ操作が行われた際に、自動的にノーマルモードと高感度モードのうちで適切なモードを選択し、選択したモードによりタッチ位置検出が行われる。

<３．第２の実施の形態の処理>
第２の実施の形態の処理例を図９に示す。これはモード判定において、フィンガータッチ、グローブタッチ、及びタッチされていないこと（以下「ノータッチ」という）を判定するようにした処理例である。
なお図８と同一の処理については同一のステップ番号を付して詳細な説明を避ける。この図９では、モード判定としてステップＳ２０１，Ｓ２０２が行われることが図８と異なる。

ＭＣＵ５はステップＳ１０１で受信回路４２での高感度モードでの走査を指示した後、ステップＳ２０１では、タッチ信号強度Ｚと第１閾値ｔｈ１１を比較する。
第１閾値ｔｈ１１は、高感度モードにおいてタッチ信号強度Ｚがかなり高くなるフィンガータッチを判定するための閾値である。
Ｚ>ｔｈ１１であれば、ＭＣＵ５はフィンガータッチであると判定してステップＳ１０２に進む。

Ｚ>ｔｈ１１でなければ、ＭＣＵ５はフィンガータッチではないと判定してステップＳ２０２に進み、タッチ信号強度Ｚと第２閾値ｔｈ１２を比較する。
第２閾値ｔｈ１２は、第１閾値ｔｈ１１より低い値であり、グローブタッチとノータッチを判定する閾値とされる。例えばグローブタッチであってもグローブの種別によってタッチ信号強度Ｚの大小が異なるが、通常使用されるグローブのうちで、もっともタッチ信号強度Ｚが低くなるときの値に応じて、それをグローブタッチと判定できるレベルに第２閾値ｔｈ１２を設定することが考えられる。

ＭＣＵ５は、Ｚ>ｔｈ１２であれば、グローブタッチであると判定してステップＳ１０４に進む。Ｚ>ｔｈ１２でなければ、ＭＣＵ５はノータッチであると判定してステップＳ１０１に戻る。

以上の処理により、フィンガータッチ、グローブタッチ、ノータッチが判定されるとともに、フィンガータッチ又はグローブタッチとしてタッチ操作が行われた際に、自動的にノーマルモードと高感度モードのうちで適切なモードを選択し、選択したモードによりタッチ位置検出が行われることになる。

<４．実施の形態の効果及び変形例>
以上の実施の形態で説明したタッチパネル装置１、タッチパネル駆動装置３において行われるセンシング方法によれば、次のような効果が得られる。

実施の形態では、タッチパネル２に対し、タッチパネル駆動装置３は、順次、隣接する一対の送信信号線２１と隣接する一対の受信信号線２２を選択する走査を行うとともに、一対の受信信号線２２による受信信号感度として、ノーマルモード（第１モードの一例）と、ノーマルモードより高感度とされた高感度モード（第２モードの一例）が選択可能とされている。
そしてセンシング方法として、モード制御部５ａの制御による第１手順と、検出演算部５ｂの制御による第２手順を行う。
第１手順は、高感度モードの設定において走査を行ってノーマルモード、高感度モードのモード選択を行う。即ち図８のステップＳ１０１、Ｓ１０２や、図９のステップＳ１０１、Ｓ２０１、Ｓ２０２の制御による動作である。
第２手順では、第１手順で選択したモードの設定状態で走査を行ってタッチ検出を行い、タッチされた位置を示す情報を生成する。即ち図８及び図９のステップＳ１０３からＳ１０７の制御による動作である。

このように、低ゲイン設定と高ゲイン設定の２つの感度設定を一つのファームウェアの中に構築し、タッチしたときの信号状況に応じて低ゲイン設定と高ゲイン設定を自動で選択し、切り替える構成とする。
そしてタッチに応じてノーマルモードと高感度モードのいずれが適切かを自動判定して選択することで、フィンガータッチ、グローブタッチのいずれの場合でも適切なタッチ検出ができるようになる。つまり指とグローブのタッチ操作の両立化を実現できる。
ユーザにとっては、フィンガータッチかグローブタッチかを気にしなくてもよい。またモードを手動で切り替えるなどの操作も不要である。これにより極めて使用性がよく、またストレスのない操作を実現するタッチパネルを提供できることになる。

第１の実施の形態としての図８の処理例では、上記の第１手順として、高感度モードの設定における走査の際に検出されたタッチ信号強度Ｚを閾値ｔｈ１と比較した結果に基づいてモード選択を行うものとした。
高感度モードとしてタッチ信号強度を検出し、閾値ｔｈ１と比較することで、検出されるタッチが、高感度モードとすべきタッチであるかノーマルモードとすべきタッチであるかを判定できる。グローブタッチではある程度のタッチ信号強度が得られ、フィンガータッチでは、通常より高いタッチ信号強度が得られるためである。これにより現在のタッチ操作に対して適切なモードを正確に判定できる。

なお、実施の形態では、例えばゲイン設定Ｇ２をノーマルモードとし、ゲイン設定Ｇ０を高感度モードとして、自動選択を行う例で説明したが、図４の構成の場合、ゲイン設定Ｇ０，Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の４段階の感度のモードが選択可能である。このうちのいずれの２つをノーマルモードと高感度モードとしてもよいし、３つのモード或いは４つのモードが自動的に切り替えられるようにしてもよい。例えば高感度モードでの走査のときに検出したタッチ信号強度Ｚの値を、複数の閾値により３段階又は４段階に分類することで、３つのモード或いは４つのモードを自動的に選択するようにすることができる。

第２の実施の形態としての図９の処理例では、第１手順において、高感度モードの設定における走査の際に検出されたタッチ信号強度Ｚを第１閾値ｔｈ１１と比較した結果に基づいて、ノーマルモードに対応するタッチであるか否かを判定し、またタッチ信号強度Ｚを、第１閾値ｔｈ１１より低信号強度の値とされた第２閾値ｔｈ１２と比較した結果に基づいて、高感度モードに対応するタッチであるかノータッチであるか否かを判定するものとした。そしてノーマルモード又は高感度モードに対応するタッチと判定された場合に、モード選択を行って実際のタッチ検出のための走査（ステップＳ１０３，Ｓ１０４）を実行させるものとした。
これによりノーマルモード、高感度モードを適切に選択できる。加えて、タッチが検出されないノータッチの期間は、モード切り替え処理が行われない。これにより処理負荷の軽減ができる。またノータッチの期間は、ステップＳ１０１の走査が繰り返されることになり、タッチが生じたときに即座にモード判定を行って、タッチ位置検出のための走査を実行できるため、タッチ検出の応答性の点でも有利となる。

ところで実施の形態で説明したようにモード切り替えにおいて、ゲイン設定だけを切り替える構造とすると、寄生容量やＩＣのＡＤコンバータの特性のバラツキにより、走査の際のＲＡＷ値のバランスがうまくとれない状態が発生することがある。特に高ゲイン設定の場合である。そこで、受信信号感度のモード切り替えでは、基準容量部４２２及び計測用容量部４２４によるゲイン設定の切り替えだけでなく、スキャンパタン条件、例えば充放電時間やエッジチューニングの調整条件なども切り換えられるようにすることが考えられる。
例えばスキャンパタン条件は、スキャンパタンファイルで設定し、低ゲイン設定と高ゲイン設定にそれぞれ独立して調整されたスキャンパタンファイルを構築して、ファームウェア内に保持する。そしてモード切り替えの際には、各ゲイン設定に対応したスキャンパタン条件を選択することで実現できる。

なお実施の形態のタッチパネル装置１では、実際にパネル面に触れるタッチ操作を行うものとして説明したが、本発明はタッチと同等の操作を行う、いわゆるホバーセンシング（非接触近接操作）に対応するタッチパネル装置も含むものであり、その場合も、上記同様のセンシング手法を適用できる。即ち本発明及び実施の形態でいう「タッチ」とは、非接触近接操作状態も含む。

１ タッチパネル装置
２ タッチパネル
３ タッチパネル駆動装置
４ センサＩＣ
５ ＭＣＵ
５ａ モード制御部
５ｂ 検出演算部
５Ｍ メモリ
２１ 送信信号線、
２２ 受信信号線、
４１ 送信回路、
４２ 受信回路、
４３ マルチプレクサ、
４４ インターフェース・レジスタ回路、
４５ 電源回路、
４２１ コンパレータ、
４２２ 基準容量部、
４２４ 計測用容量部、

Claims (5)

1. タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うとともに、一対の受信信号線による受信信号感度として、第１モードと、前記第１モードより高感度とされた第２モードが選択可能なタッチパネル駆動装置のセンシング方法であって、
   前記第２モードの設定において前記走査を行って前記第１モード、前記第２モードのモード選択を行う第１手順と、
   前記第１手順で選択したモードの設定状態で前記走査を行ってタッチ検出を行い、タッチされた位置を示す情報を生成する第２手順と、
   が行われるセンシング方法。
2. 前記第１手順では、前記第２モードの設定における前記走査の際に検出されたタッチ信号強度を閾値と比較した結果に基づいて、前記モード選択を行う
   請求項１に記載のセンシング方法。
3. 前記第１手順では、
   前記第２モードの設定における前記走査の際に検出されたタッチ信号強度を第１閾値と比較した結果に基づいて、前記第１モードに対応するタッチであるか否かを判定し、
   前記タッチ信号強度を、前記第１閾値より低信号強度の値とされた第２閾値と比較した結果に基づいて、前記第２モードに対応するタッチであるかノータッチであるか否かを判定し、
   前記第１モードに対応するタッチ又は前記第２モードに対応するタッチと判定された場合に、前記モード選択を行う
   請求項１に記載のセンシング方法。
4. タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うタッチパネル駆動装置であって、
   一対の受信信号線による受信信号感度として、第１モードと、前記第１モードより高感度とされた第２モードが選択可能な受信回路と、
   前記第２モードの設定において前記走査を行って前記第１モード、前記第２モードのモード選択を行うモード制御部と、
   前記モード制御部が選択したモードの設定状態で行った前記走査の際に、タッチされた位置を示す情報を生成する検出演算部と、を備える
   タッチパネル駆動装置。
5. タッチパネルと、
   前記タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うタッチパネル駆動装置を備え、
   前記タッチパネル駆動装置は、
   一対の受信信号線による受信信号感度として、第１モードと、前記第１モードより高感度とされた第２モードが選択可能な受信回路と、
   前記第２モードの設定において前記走査を行って前記第１モード、前記第２モードのモード選択を行うモード制御部と、
   前記モード制御部が選択したモードの設定状態で行った前記走査の際に、タッチされた位置を示す情報を生成する検出演算部と、を備える
   タッチパネル装置。

Images