JP2019139363A - タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 - Google Patents
タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019139363A JP2019139363A JP2018020197A JP2018020197A JP2019139363A JP 2019139363 A JP2019139363 A JP 2019139363A JP 2018020197 A JP2018020197 A JP 2018020197A JP 2018020197 A JP2018020197 A JP 2018020197A JP 2019139363 A JP2019139363 A JP 2019139363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- touch panel
- capacitor
- capacity
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
【課題】タッチパネルのセンシング精度の向上。【解決手段】タッチパネル駆動装置は、タッチパネルの一対の受信信号線からの、操作に伴う容量変化によって波形が変化する各受信信号を受信して、タッチパネル操作監視のための検出値を生成する受信回路を備える。この受信回路 には、一方の受信信号線にそれぞれ並列に接続可能な、容量値の異なる第１〜第Ｘ容量部と、それらに対応する第１〜第Ｘスイッチを有する計測用容量部が設けられる。そして第１〜第Ｘスイッチにより、一方の受信信号線に接続される容量値を順次切り替えながら、各受信信号のレベルを比較する動作を行って検出値を生成する。この場合に集積回路では、第１〜第Ｘ容量部を構成する容量素子を配置する第１領域と、小さい部類の容量部に対応するスイッチを配置する第２領域と、大きい部類の容量部に対応するスイッチを配置する第３領域が設けられ、第２領域は第３領域よりも第１に近い位置に形成されているようにする。【選択図】図７
Description
本発明はタッチパネル駆動装置、タッチパネル装置に関し、特にタッチパネル操作検出に用いる技術に関する。
タッチパネルに関して各種の技術が知られており、下記特許文献１には同時に２組（一対の送信信号線と一対の受信信号線）の信号線（電極）のセンシングを行ってタッチ操作位置の検出を行うことで解像度を向上させるセンシング技術が開示されている。
また下記特許文献２には、Ｘ、Ｙ方向の電極配線において電極が交差する部分を設けないようにした、いわゆるシングルレイヤ方式の構造が開示されている。
また下記特許文献２には、Ｘ、Ｙ方向の電極配線において電極が交差する部分を設けないようにした、いわゆるシングルレイヤ方式の構造が開示されている。
タッチパネルにおいてセンシング精度を維持又は向上させることは重要である。そして操作の検出のためにはタッチパネルの信号線のスキャンを行うことになるが、静電容量方式のタッチパネルの場合、スキャンの際に、タッチ操作による容量変化に応じた信号線からの信号電圧の変化や差分を検出することになる。このため信号電圧の変化や差分を検出するための基準となる値の精度が、タッチパネル操作のセンシング精度を左右することになる。
本発明では、タッチパネルの一対の受信信号線からの各受信信号を受信して検出を行うことを考える。特に一方の受信信号線に接続される計測用容量部の容量値を順次切り替えながら一方と他方の受信信号線からの各受信信号のレベルを比較する動作を含むセンシング動作を行う。この場合に、容量値の精度を上げセンシング精度を向上させることを目的とする。
本発明に係るタッチパネル駆動装置は、タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うタッチパネル駆動装置であって、前記タッチパネルの一対の受信信号線からの、操作に伴う容量変化によって波形が変化する各受信信号を受信して、タッチパネル操作監視のための検出値を生成する受信回路を備える。前記受信回路には、一方の受信信号線にそれぞれ並列に接続可能な、容量値の異なる第１容量部から第Ｘ容量部までの複数の容量部と、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までのそれぞれに対応する第１スイッチから第Ｘスイッチまでの複数のスイッチを有する計測用容量部が設けられる。前記受信回路は、前記第１スイッチから第Ｘスイッチにより前記一方の受信信号線に接続される容量部を選択することで前記計測用容量部の容量値を順次切り替えながら、前記一方の受信信号線と他方の受信信号線からの各受信信号のレベルを比較する動作を行って前記検出値を生成するものとされる。前記受信回路を含む集積回路では、前記第１容量部から第Ｘ容量部を構成する容量素子を配置する第１領域と、前記第１容量部から第Ｘ容量部までのうちで容量値が小さい側に分けられる容量部に対応する前記スイッチを配置する第２領域と、前記第１容量部から第Ｘ容量部までのうちで容量値が大きい側に分けられる容量部に対応する前記スイッチを配置する第３領域と、が設けられ、前記第２領域は、前記第３領域よりも前記第１領域に近い位置に形成されている。
このような本発明ではタッチパネルのセンシングとして差動方式を用いる。即ち一対の受信信号線からの受信信号の差分に相当する検出値を生成する。このための手法として、一方の受信信号線に接続した計測用容量部の容量値を順次切り替えながら一方と他方の受信信号線からの各受信信号のレベルを比較する。この動作によれば各受信信号のレベルが略同等となるときの容量値（又は容量値の選択制御信号）は、各受信信号の差分に相当する値となる。従って上記動作によりタッチパネル操作監視のための検出値を生成することができる。ところが計測用容量部の各段階の容量値のリニアリティが悪いと、正確な検出ができない。ここで容量誤差は、容量素子とスイッチ素子の寄生容量が一因となっている。そして小さい容量のコンデンサほど寄生容量の影響による容量誤差が大きくなる。また寄生容量は配線が長くなれば増加する。そこで第２領域を、第３領域よりも第１領域に近い位置とすることで、小さい容量の容量部とスイッチの間の配線長が短くなるようにする。
このような本発明ではタッチパネルのセンシングとして差動方式を用いる。即ち一対の受信信号線からの受信信号の差分に相当する検出値を生成する。このための手法として、一方の受信信号線に接続した計測用容量部の容量値を順次切り替えながら一方と他方の受信信号線からの各受信信号のレベルを比較する。この動作によれば各受信信号のレベルが略同等となるときの容量値（又は容量値の選択制御信号）は、各受信信号の差分に相当する値となる。従って上記動作によりタッチパネル操作監視のための検出値を生成することができる。ところが計測用容量部の各段階の容量値のリニアリティが悪いと、正確な検出ができない。ここで容量誤差は、容量素子とスイッチ素子の寄生容量が一因となっている。そして小さい容量のコンデンサほど寄生容量の影響による容量誤差が大きくなる。また寄生容量は配線が長くなれば増加する。そこで第２領域を、第３領域よりも第１領域に近い位置とすることで、小さい容量の容量部とスイッチの間の配線長が短くなるようにする。
上記したタッチパネル駆動装置においては、前記第１領域内では、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までの容量部のうちの、容量値が小さい容量部を形成する容量素子が、容量値が大きい容量部を形成する容量素子よりも、前記第２領域に近い位置に配置されているようにすることが考えられる。
集積回路の第１領域には、第１容量部から第Ｘ容量部までの各容量部を構成する容量素子が形成されるが、このときに小さい容量の容量部を構成する容量素子がなるべく第２領域に近くなるようにする。
集積回路の第１領域には、第１容量部から第Ｘ容量部までの各容量部を構成する容量素子が形成されるが、このときに小さい容量の容量部を構成する容量素子がなるべく第２領域に近くなるようにする。
上記したタッチパネル駆動装置においては、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までの各容量部を形成する複数の容量素子は、全て特定の容量値の容量素子により形成されており、前記第１領域では、それぞれの容量部を構成する容量素子は、点対称に配置されていることが考えられる。
各容量部ＣＭの容量値を得るための容量素子（コンデンサ）を、全て特定の容量値のコンデンサ、つまり同一の面積のコンデンサとする。そして並列接続や直接接続により各容量部の容量を形成する。そして各容量部では、その容量部を構成する容量素子が複数配置されるが、その複数の容量素子を、第１領域において例えば中央点に対して点対称となるように配置する。
各容量部ＣＭの容量値を得るための容量素子（コンデンサ）を、全て特定の容量値のコンデンサ、つまり同一の面積のコンデンサとする。そして並列接続や直接接続により各容量部の容量を形成する。そして各容量部では、その容量部を構成する容量素子が複数配置されるが、その複数の容量素子を、第１領域において例えば中央点に対して点対称となるように配置する。
上記したタッチパネル駆動装置においては、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までの各容量部のうちで、所定値以上の容量値の容量部は、複数の容量素子の並列接続により形成されていることが考えられる。
大きい容量の容量素子（コンデンサ）が含まれるほど全体として面積比が大きくなる。所定値以上の容量部については、容量素子の並列接続で必要な容量を形成することで、全体での面積比を小さくできる。
大きい容量の容量素子（コンデンサ）が含まれるほど全体として面積比が大きくなる。所定値以上の容量部については、容量素子の並列接続で必要な容量を形成することで、全体での面積比を小さくできる。
本発明のタッチパネル装置は、タッチパネルと、上記のタッチパネル駆動装置を有して構成される。
即ち容量精度を高くしたタッチパネル駆動装置を用いることで、センシング精度のよいタッチパネル装置を実現する。
即ち容量精度を高くしたタッチパネル駆動装置を用いることで、センシング精度のよいタッチパネル装置を実現する。
本発明によれば、寄生容量の影響が大きい、小さい部類の容量部の容量素子とスイッチの距離を相対的に短くすることで、全体として容量の誤差の程度の差を緩和でき、これにより計測用容量部が受信信号線に与える各段階の容量のリニアリティが向上される。従ってタッチパネルのセンシング精度を向上させることができ、操作位置としての座標の再現性や正確性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．タッチパネル装置の構成＞
＜２．センシング動作＞
＜３．リニアリティ改善のための構成＞
［３−１：第１例］
［３−２：第２例］
［３−３：第３例］
［３−４：第４例］
［３−５：第５例］
［３−６：第６例］
＜４．実施の形態の効果及び変形例＞
＜１．タッチパネル装置の構成＞
＜２．センシング動作＞
＜３．リニアリティ改善のための構成＞
［３−１：第１例］
［３−２：第２例］
［３−３：第３例］
［３−４：第４例］
［３−５：第５例］
［３−６：第６例］
＜４．実施の形態の効果及び変形例＞
＜１．タッチパネル装置の構成＞
実施の形態のタッチパネル装置１の構成例を図１に示す。
タッチパネル装置１は、各種機器においてユーザインターフェース装置として装着される。ここで各種機器とは、例えば電子機器、通信機器、情報処理装置、製造設備機器、工作機械、車両、航空機、建物設備機器、その他非常に多様な分野の機器が想定される。タッチパネル装置１は、これらの多様な機器製品においてユーザの操作入力に用いる操作入力デバイスとして採用される。
図１ではタッチパネル装置１と製品側ＭＣＵ（Micro Control Unit）９０を示しているが、製品側ＭＣＵ９０とは、タッチパネル装置１が装着される機器における制御装置を示しているものである。タッチパネル装置１は製品側ＭＣＵ９０に対してユーザのタッチパネル操作の情報を供給する動作を行うことになる。
実施の形態のタッチパネル装置１の構成例を図１に示す。
タッチパネル装置１は、各種機器においてユーザインターフェース装置として装着される。ここで各種機器とは、例えば電子機器、通信機器、情報処理装置、製造設備機器、工作機械、車両、航空機、建物設備機器、その他非常に多様な分野の機器が想定される。タッチパネル装置１は、これらの多様な機器製品においてユーザの操作入力に用いる操作入力デバイスとして採用される。
図１ではタッチパネル装置１と製品側ＭＣＵ（Micro Control Unit）９０を示しているが、製品側ＭＣＵ９０とは、タッチパネル装置１が装着される機器における制御装置を示しているものである。タッチパネル装置１は製品側ＭＣＵ９０に対してユーザのタッチパネル操作の情報を供給する動作を行うことになる。
タッチパネル装置１は、タッチパネル２と、タッチパネル駆動装置３を有する。
タッチパネル駆動装置３はセンサＩＣ（Integrated Circuit）４とＭＣＵ５を有する。
このタッチパネル駆動装置３は、タッチパネル側接続端子部３１を介してタッチパネル２と接続される。この接続を介してタッチパネル駆動装置３はタッチパネル２の駆動（センシング）を行う。
また操作入力デバイスとして機器に搭載される際には、タッチパネル駆動装置３は製品側接続端子部３２を介して製品側ＭＣＵ９０と接続される。この接続によりタッチパネル駆動装置３は製品側ＭＣＵ９０にセンシングした操作情報を送信する。
タッチパネル駆動装置３はセンサＩＣ（Integrated Circuit）４とＭＣＵ５を有する。
このタッチパネル駆動装置３は、タッチパネル側接続端子部３１を介してタッチパネル２と接続される。この接続を介してタッチパネル駆動装置３はタッチパネル２の駆動（センシング）を行う。
また操作入力デバイスとして機器に搭載される際には、タッチパネル駆動装置３は製品側接続端子部３２を介して製品側ＭＣＵ９０と接続される。この接続によりタッチパネル駆動装置３は製品側ＭＣＵ９０にセンシングした操作情報を送信する。
タッチパネル駆動装置３におけるセンサＩＣ４は、送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３、インターフェース・レジスタ回路４４、電源回路４５を有する。
センサＩＣ４の送信回路４１は、マルチプレクサ４３によって選択されたタッチパネル２における端子に対して送信信号を出力する。また受信回路４２は、マルチプレクサ４３によって選択されたタッチパネル２における端子から信号を受信し、必要な比較処理等を行う。
図２に、送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３とタッチパネル２の接続状態を模式的に示す。
タッチパネル２は、タッチ面を形成するパネル平面に、送信側の電極としてのｎ本の送信信号線２１−１から２１−ｎが配設される。
また同じくパネル平面に、受信側の電極としてのｍ本の受信信号線２２−１から２２−ｍが配設される。
なお送信信号線２１−１・・・２１−ｎ、受信信号線２２−１・・・２２−ｍを特に区別しない場合は、総称として「送信信号線２１」「受信信号線２２」と表記する。
図２に、送信回路４１、受信回路４２、マルチプレクサ４３とタッチパネル２の接続状態を模式的に示す。
タッチパネル２は、タッチ面を形成するパネル平面に、送信側の電極としてのｎ本の送信信号線２１−１から２１−ｎが配設される。
また同じくパネル平面に、受信側の電極としてのｍ本の受信信号線２２−１から２２−ｍが配設される。
なお送信信号線２１−１・・・２１−ｎ、受信信号線２２−１・・・２２−ｍを特に区別しない場合は、総称として「送信信号線２１」「受信信号線２２」と表記する。
送信信号線２１−１・・・２１−ｎと、受信信号線２２−１・・・２２−ｍは、図示するように交差して配設される場合もあれば、いわゆるシングルレイヤ構造として、上述の特許文献２のように交差が生じないように配設される場合もある。いずれにしても送信信号線２１と受信信号線２２が配設される範囲内でタッチ操作面が形成され、タッチ操作時の容量変化により操作位置が検出される構造となる。
図では送信信号線２１と受信信号線２２の間で生じる容量を一部のみ例示している（容量Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ３２，Ｃ３３）が、タッチ操作面の全体に、送信信号線２１と受信信号線２２の間で生じる容量（例えば交差位置における容量）が存在し、タッチ操作により容量変化が生じた位置が受信回路４２により検出されることとなる。
図では送信信号線２１と受信信号線２２の間で生じる容量を一部のみ例示している（容量Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ３２，Ｃ３３）が、タッチ操作面の全体に、送信信号線２１と受信信号線２２の間で生じる容量（例えば交差位置における容量）が存在し、タッチ操作により容量変化が生じた位置が受信回路４２により検出されることとなる。
送信回路４１は、マルチプレクサ４３により選択された送信信号線２１−１・・・２１−ｎに対して送信信号を出力する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接する送信信号線２１を選択していく走査を行う。
受信回路４２は、マルチプレクサ４３により選択された受信信号線２２−１・・・２２−ｍからの受信信号を受信する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接する受信信号線２２を選択していく。
送信回路４１、受信回路４２によるセンシング動作については後述する。
受信回路４２は、マルチプレクサ４３により選択された受信信号線２２−１・・・２２−ｍからの受信信号を受信する。本実施の形態では、マルチプレクサ４３が各タイミングで２本ずつ隣接する受信信号線２２を選択していく。
送信回路４１、受信回路４２によるセンシング動作については後述する。
図１に戻って説明する。センサＩＣ４のインターフェース・レジスタ回路４４には、送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５に対する各種の設定情報がＭＣＵ５によって書き込まれる。送信回路４１、マルチプレクサ４３、受信回路４２、電源回路４５は、それぞれインターフェース・レジスタ回路４４に記憶された設定情報によって動作が制御される。
またインターフェース・レジスタ回路４４には、受信回路４２により検出された検出値（説明上「ＲＡＷ値」ともいう）を記憶し、ＭＣＵ５が取得できるようにしている。
またインターフェース・レジスタ回路４４には、受信回路４２により検出された検出値（説明上「ＲＡＷ値」ともいう）を記憶し、ＭＣＵ５が取得できるようにしている。
電源回路４５は、駆動電圧ＡＶＣＣを生成し、送信回路４１，受信回路４２に供給する。後述するが、送信回路４１は駆動電圧ＡＶＣＣを用いたパルスをマルチプレクサ４３によって選択された送信信号線２１に印加する。
また受信回路４２は、センシング動作の際に、マルチプレクサ４３によって選択された受信信号線２２に対して駆動電圧ＡＶＣＣを印加することも行う。
電源回路４５の構成については後に詳述する。
また受信回路４２は、センシング動作の際に、マルチプレクサ４３によって選択された受信信号線２２に対して駆動電圧ＡＶＣＣを印加することも行う。
電源回路４５の構成については後に詳述する。
ＭＣＵ５はセンサＩＣ４の設定、制御を行う。具体的にはＭＣＵ５はインターフェース・レジスタ回路４４に対して必要な設定情報を書き込むことで、センサＩＣ４の各部の動作を制御する。
またＭＣＵ５は受信回路４２からのＲＡＷ値をインターフェース・レジスタ回路４４から読み出すことで取得する。そしてＭＣＵ５は、ＲＡＷ値を用いて座標計算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する処理を行う。
またＭＣＵ５は受信回路４２からのＲＡＷ値をインターフェース・レジスタ回路４４から読み出すことで取得する。そしてＭＣＵ５は、ＲＡＷ値を用いて座標計算を行い、ユーザのタッチ操作位置情報としての座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する処理を行う。
＜２．センシング動作＞
以上の構成のタッチパネル装置１によるセンシング動作について説明する。
まず図３によりタッチパネル２に対する送信回路４１，受信回路４２の動作を説明する。図ではタッチパネル２において２つの送信信号線２１−２、２１−３と、２つの受信信号線２２−２、２２−３を示している。
本実施の形態の場合、先の図２に示したような送信信号線２１、受信信号線２２に対して、送信回路４１と受信回路４２が、それぞれ隣接する２本ずつ送信、受信を行っていくことでタッチ操作の検出を行うものとなる。つまり一対の送信信号線２１と一対の受信信号線２２の２本×２本を基本セルとして、順次セル単位で検出走査を行う。図３では、その１つのセル部分を示していることになる。
以上の構成のタッチパネル装置１によるセンシング動作について説明する。
まず図３によりタッチパネル２に対する送信回路４１，受信回路４２の動作を説明する。図ではタッチパネル２において２つの送信信号線２１−２、２１−３と、２つの受信信号線２２−２、２２−３を示している。
本実施の形態の場合、先の図２に示したような送信信号線２１、受信信号線２２に対して、送信回路４１と受信回路４２が、それぞれ隣接する２本ずつ送信、受信を行っていくことでタッチ操作の検出を行うものとなる。つまり一対の送信信号線２１と一対の受信信号線２２の２本×２本を基本セルとして、順次セル単位で検出走査を行う。図３では、その１つのセル部分を示していることになる。
送信回路４１は、２本の送信信号線２１（図の場合では２１−２，２１−３）に対して、ドライバ４１１，４１２から駆動電圧ＡＶＣＣ１を出力する。つまりドライバ４１１，４１２の出力である送信信号Ｔ＋、Ｔ−がマルチプレクサ４３によって選択された送信信号線２１−２，２１−３に供給される。
なお、駆動電圧ＡＶＣＣ１は、図１の電源回路４５が生成する駆動電圧ＡＶＣＣ自体、もしくは駆動電圧ＡＶＣＣに基づく電圧である。
この場合、送信回路４１は、ドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋は図示のように、アイドル（Idle）期間をロウレベル（以下「Ｌレベル」と表記）とする。例えば０Ｖとする。そして続くアクティブ（Active）期間にはハイレベル（以下「Ｈレベル」と表記）とする。この場合、Ｈレベルの信号として具体的には駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加を行う。
また送信回路４１は、もう一つのドライバ４１２からの送信信号Ｔ−は、アイドル期間をＨレベル（駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加）とし、続くアクティブ期間はＬレベルとする。
ここで、アイドル期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位を安定させる期間であり、アクティブ期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位変化をセンシングする期間となる。
なお、駆動電圧ＡＶＣＣ１は、図１の電源回路４５が生成する駆動電圧ＡＶＣＣ自体、もしくは駆動電圧ＡＶＣＣに基づく電圧である。
この場合、送信回路４１は、ドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋は図示のように、アイドル（Idle）期間をロウレベル（以下「Ｌレベル」と表記）とする。例えば０Ｖとする。そして続くアクティブ（Active）期間にはハイレベル（以下「Ｈレベル」と表記）とする。この場合、Ｈレベルの信号として具体的には駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加を行う。
また送信回路４１は、もう一つのドライバ４１２からの送信信号Ｔ−は、アイドル期間をＨレベル（駆動電圧ＡＶＣＣ１の印加）とし、続くアクティブ期間はＬレベルとする。
ここで、アイドル期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位を安定させる期間であり、アクティブ期間は受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位変化をセンシングする期間となる。
このアイドル期間、アクティブ期間において、受信回路４２はマルチプレクサ４３によって選択された２つの受信信号線２２（図の場合では２２−３，２２−２）からの受信信号Ｒ＋、Ｒ−を受信する。
受信回路４２は、コンパレータ４２１、基準容量部４２２、スイッチ４２３，４２５、計測用容量部４２４、演算制御部４２６を備えている。
２つの受信信号線２２からの受信信号Ｒ＋、Ｒ−はコンパレータ４２１で受信される。コンパレータ４２１は、受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位を比較して、その比較結果をＨレベル又はＬレベルで演算制御部４２６に出力する。
受信回路４２は、コンパレータ４２１、基準容量部４２２、スイッチ４２３，４２５、計測用容量部４２４、演算制御部４２６を備えている。
２つの受信信号線２２からの受信信号Ｒ＋、Ｒ−はコンパレータ４２１で受信される。コンパレータ４２１は、受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位を比較して、その比較結果をＨレベル又はＬレベルで演算制御部４２６に出力する。
基準容量部４２２を構成するコンデンサの一端には駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加されている。駆動電圧ＡＶＣＣ２は、図１の電源回路４５が生成する駆動電圧ＡＶＣＣ自体、もしくは駆動電圧ＡＶＣＣに基づく電圧である。基準容量部４２２を構成するコンデンサの他端はスイッチ４２３の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の＋入力端子に接続されている。
また計測用容量部４２４の一端には駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加されている。この計測用容量部４２４の他端はスイッチ４２５の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の−入力端子に接続されている。
また計測用容量部４２４の一端には駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加されている。この計測用容量部４２４の他端はスイッチ４２５の端子Ｔａを介してコンパレータ４２１の−入力端子に接続されている。
スイッチ４２３、４２５は、アイドル期間には端子Ｔｉが選択される。従ってアイドル期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（受信信号線２２−３）、−入力端子（受信信号線２２−２）がグランド接続され、受信信号Ｒ＋、Ｒ−はグランド電位となる。
スイッチ４２３、４２５は、アクティブ期間には端子Ｔａが選択される。従ってアクティブ期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（受信信号線２２−３）、−入力端子（受信信号線２２−２）に駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加される。
スイッチ４２３、４２５は、アクティブ期間には端子Ｔａが選択される。従ってアクティブ期間にはコンパレータ４２１の＋入力端子（受信信号線２２−３）、−入力端子（受信信号線２２−２）に駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加される。
図３では当該セルが非タッチ状態の場合の受信信号Ｒ＋、Ｒ−の波形を実線で示している。アイドル期間ではスイッチ４２３、４２５が端子Ｔｉを選択していることで、受信信号Ｒ＋、Ｒ−は、或る電位（グランド電位）で安定されている。
アクティブ期間となるとスイッチ４２３、４２５が端子Ｔａを選択することで、受信信号線２２−３，２２−２に駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加される。これにより受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位がΔＶ上昇する。非タッチの状態では、このΔＶの電位上昇は、受信信号Ｒ＋、Ｒ−共に発生する。
一方、送信回路４１側では、アクティブ期間となると、上述のように送信信号Ｔ＋が立ち上がり、送信信号Ｔ−が立ち下がる。これにより、タッチ操作があった場合には、受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位上昇の程度が変化する。
仮に容量Ｃ２２に影響を与えるＡ１位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ−の電位がアクティブ期間において破線で示すようにΔＶＨだけ上昇する。
また仮に容量Ｃ３２が変化するＡ２位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ−の電位がアクティブ期間において破線で示すΔＶＬだけ上昇する。
これらのように当該セルに対するタッチ操作位置に応じて、受信信号Ｒ−の電位変化量が受信信号Ｒ＋の電位変化量（ΔＶ）よりも大きくなったり小さくなったりする。
コンパレータ４２１はこのような受信信号Ｒ＋、Ｒ−を比較することになる。
アクティブ期間となるとスイッチ４２３、４２５が端子Ｔａを選択することで、受信信号線２２−３，２２−２に駆動電圧ＡＶＣＣ２が印加される。これにより受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位がΔＶ上昇する。非タッチの状態では、このΔＶの電位上昇は、受信信号Ｒ＋、Ｒ−共に発生する。
一方、送信回路４１側では、アクティブ期間となると、上述のように送信信号Ｔ＋が立ち上がり、送信信号Ｔ−が立ち下がる。これにより、タッチ操作があった場合には、受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位上昇の程度が変化する。
仮に容量Ｃ２２に影響を与えるＡ１位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ−の電位がアクティブ期間において破線で示すようにΔＶＨだけ上昇する。
また仮に容量Ｃ３２が変化するＡ２位置がタッチされた場合、受信信号Ｒ−の電位がアクティブ期間において破線で示すΔＶＬだけ上昇する。
これらのように当該セルに対するタッチ操作位置に応じて、受信信号Ｒ−の電位変化量が受信信号Ｒ＋の電位変化量（ΔＶ）よりも大きくなったり小さくなったりする。
コンパレータ４２１はこのような受信信号Ｒ＋、Ｒ−を比較することになる。
なお、このように変化する受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位差分自体をＲＡＷ値（検出結果）として出力するようにしてもよいが、本実施の形態では受信回路４２は、演算制御部４２６が受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電圧バランスがとれるように計測用容量部４２４の設定変更を行い、ＲＡＷ値を得るようにしている。
演算制御部４２６は、インターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれた設定情報に従って、スイッチ４２３，４２５のオン／オフや計測用容量部４２４の容量値の切替処理を行う。またコンパレータ４２１の出力を監視し、後述の処理でＲＡＷ値を算出する。演算制御部４２６で算出されたＲＡＷ値はインターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれることでＭＣＵ５が取得可能とされる。
演算制御部４２６は、インターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれた設定情報に従って、スイッチ４２３，４２５のオン／オフや計測用容量部４２４の容量値の切替処理を行う。またコンパレータ４２１の出力を監視し、後述の処理でＲＡＷ値を算出する。演算制御部４２６で算出されたＲＡＷ値はインターフェース・レジスタ回路４４に書き込まれることでＭＣＵ５が取得可能とされる。
以上の図３において可変容量コンデンサの記号で示した計測用容量部４２４は、例えば図４のように複数の容量部ＣＭ（ＣＭ０〜ＣＭ７）とスイッチＳＷ（ＳＷ０〜ＳＷ７）により構成されている。
なお図４はスイッチ４２３，４２５が端子Ｔａに接続された状態（アクティブ期間）での等価回路として示しており、スイッチ４２３，４２５の図示は省略している。
各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７は、駆動電圧ＡＶＣＣ２の電位とコンパレータ４２１の−入力端子の間に並列に接続されている。また各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７に対してはそれぞれ直列にスイッチＳＷ０〜ＳＷ７が接続されている。つまりスイッチＳＷ０〜ＳＷ７のオン／オフにより、受信信号Ｒ−に影響を与える容量部ＣＭを変更できる構成である。
また図４では各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７を１つのコンデンサの記号で示しているが、後述するように各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７のそれぞれは１つのコンデンサで形成される場合もあるし、複数のコンデンサで構成される場合もある。
スイッチＳＷ０〜ＳＷ７は、例えばＦＥＴ（Field effect transistor）等のスイッチ素子を用いて構成されるが、図１４等で後述するように、１つのスイッチＳＷとして複数のスイッチ素子が設けられる場合もある。
なお図４はスイッチ４２３，４２５が端子Ｔａに接続された状態（アクティブ期間）での等価回路として示しており、スイッチ４２３，４２５の図示は省略している。
各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７は、駆動電圧ＡＶＣＣ２の電位とコンパレータ４２１の−入力端子の間に並列に接続されている。また各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７に対してはそれぞれ直列にスイッチＳＷ０〜ＳＷ７が接続されている。つまりスイッチＳＷ０〜ＳＷ７のオン／オフにより、受信信号Ｒ−に影響を与える容量部ＣＭを変更できる構成である。
また図４では各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７を１つのコンデンサの記号で示しているが、後述するように各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７のそれぞれは１つのコンデンサで形成される場合もあるし、複数のコンデンサで構成される場合もある。
スイッチＳＷ０〜ＳＷ７は、例えばＦＥＴ（Field effect transistor）等のスイッチ素子を用いて構成されるが、図１４等で後述するように、１つのスイッチＳＷとして複数のスイッチ素子が設けられる場合もある。
各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７の容量値は、例えば容量部ＣＭ０＝２ｆＦ（フェムトファラッド）、ＣＭ１＝４ｆＦ、ＣＭ２＝８ｆＦ、ＣＭ３＝１６ｆＦ、ＣＭ４＝３２ｆＦ、ＣＭ５＝６４ｆＦ、ＣＭ６＝１２８ｆＦ、ＣＭ７＝２５６ｆＦとされる。
容量部ＣＭ０からＣＭ７は、ビット“０”からビット“７”の８ビットの値で選択される。容量部ＣＭ０及びスイッチＳＷ０がビット０、容量部ＣＭ１及びスイッチＳＷ１がビット“１”、・・・容量部ＣＭ７及びスイッチＳＷ７がビット“７”として機能する。
そして８ビットの値として０（＝「００００００００」）から２５５（＝「１１１１１１１１」）の容量設定値が与えられる。容量設定値はＭＣＵ５がインターフェース・レジスタ回路４４に書き込む設定情報の一つである。
受信回路４２では、この８ビットの容量設定値に応じてスイッチＳＷ０〜ＳＷ７がオン／オフされる。即ちスイッチＳＷ０〜ＳＷ７は対応するビットが「０」であればオフ、「１」であればオンとなる。これにより計測用容量部４２４の全体の容量値が０ｆＦ〜５１０ｆＦの範囲で２５６段階に可変されることになる。
なお、センサＩＣ４において容量部ＣＭとスイッチＳＷが実際に形成される配線部分には寄生容量Ｃｓが発生する。図４では、容量部ＣＭ０とスイッチＳＷ０の回路部分のみに寄生容量Ｃｓを示しているが、実際には他の回路部分（容量部ＣＭ１とスイッチＳＷ１の回路部分から容量部ＣＭ７とスイッチＳＷ７の回路部分まで全て）でも寄生容量Ｃｓが生じている。容量部ＣＭのコンデンサは実際には配線間の容量として実現する。するとスイッチＳＷとの間の配線が長い程、寄生容量Ｃｓは大きくなる。
この寄生容量Ｃｓは各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７の各容量値に誤差を生じさせるものとして影響する。この対策については後述する。
容量部ＣＭ０からＣＭ７は、ビット“０”からビット“７”の８ビットの値で選択される。容量部ＣＭ０及びスイッチＳＷ０がビット０、容量部ＣＭ１及びスイッチＳＷ１がビット“１”、・・・容量部ＣＭ７及びスイッチＳＷ７がビット“７”として機能する。
そして８ビットの値として０（＝「００００００００」）から２５５（＝「１１１１１１１１」）の容量設定値が与えられる。容量設定値はＭＣＵ５がインターフェース・レジスタ回路４４に書き込む設定情報の一つである。
受信回路４２では、この８ビットの容量設定値に応じてスイッチＳＷ０〜ＳＷ７がオン／オフされる。即ちスイッチＳＷ０〜ＳＷ７は対応するビットが「０」であればオフ、「１」であればオンとなる。これにより計測用容量部４２４の全体の容量値が０ｆＦ〜５１０ｆＦの範囲で２５６段階に可変されることになる。
なお、センサＩＣ４において容量部ＣＭとスイッチＳＷが実際に形成される配線部分には寄生容量Ｃｓが発生する。図４では、容量部ＣＭ０とスイッチＳＷ０の回路部分のみに寄生容量Ｃｓを示しているが、実際には他の回路部分（容量部ＣＭ１とスイッチＳＷ１の回路部分から容量部ＣＭ７とスイッチＳＷ７の回路部分まで全て）でも寄生容量Ｃｓが生じている。容量部ＣＭのコンデンサは実際には配線間の容量として実現する。するとスイッチＳＷとの間の配線が長い程、寄生容量Ｃｓは大きくなる。
この寄生容量Ｃｓは各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７の各容量値に誤差を生じさせるものとして影響する。この対策については後述する。
一方、受信信号Ｒ＋側の基準容量部４２２のコンデンサの容量値は例えば２５６ｆＦとされる。
上述のように受信信号Ｒ−は、タッチの有無及び位置によってアクティブ期間の波形の電位上昇の程度が変わる。受信信号Ｒ＋の波形上昇程度（ΔＶ）より大きくなったり小さくなったりする。
図４の構成では、計測用容量部４２４の容量設定値を変更していくことで受信信号Ｒ−の波形の電位上昇程度を変化させることができ、例えば受信信号Ｒ＋と同等となる計測用容量部４２４の容量設定値を見つけ出すことができる。
例えば図４の受信信号Ｒ−の破線で示す波形Ｓｇ１が初期状態であったとしたときに、計測用容量部４２４の容量を小さくすれば受信信号Ｒ−は波形Ｓｇ２のように波形Ｓｇ１より小さくなる。また、計測用容量部４２４の容量を大きくすれば受信信号Ｒ−は波形Ｓｇ３のように波形Ｓｇ１より大きくなる。
つまり、コンパレータ４２１で受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電圧レベルが同等となったときの計測用容量部４２４の容量設定値は、タッチによる受信信号Ｒ−の電圧変化に相当する値と等価となる。従って、コンパレータ４２１の出力をみながら計測用容量部４２４の容量設定値を変化させていき、受信信号Ｒ＋、Ｒ−のアクティブ期間の電圧が同等となる容量設定値を探索する。すると探索された容量設定値を、タッチ操作のセンシング情報としてのＲＡＷ値とできることになる。
図４の構成では、計測用容量部４２４の容量設定値を変更していくことで受信信号Ｒ−の波形の電位上昇程度を変化させることができ、例えば受信信号Ｒ＋と同等となる計測用容量部４２４の容量設定値を見つけ出すことができる。
例えば図４の受信信号Ｒ−の破線で示す波形Ｓｇ１が初期状態であったとしたときに、計測用容量部４２４の容量を小さくすれば受信信号Ｒ−は波形Ｓｇ２のように波形Ｓｇ１より小さくなる。また、計測用容量部４２４の容量を大きくすれば受信信号Ｒ−は波形Ｓｇ３のように波形Ｓｇ１より大きくなる。
つまり、コンパレータ４２１で受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電圧レベルが同等となったときの計測用容量部４２４の容量設定値は、タッチによる受信信号Ｒ−の電圧変化に相当する値と等価となる。従って、コンパレータ４２１の出力をみながら計測用容量部４２４の容量設定値を変化させていき、受信信号Ｒ＋、Ｒ−のアクティブ期間の電圧が同等となる容量設定値を探索する。すると探索された容量設定値を、タッチ操作のセンシング情報としてのＲＡＷ値とできることになる。
以上のセンシング動作の具体的な手順を図５で説明する。この図５はＭＣＵ５がインターフェース・レジスタ回路４４に書き込んだ各種の設定情報に基づいて送信回路４１、受信回路４２で行われる処理を示したものである。
図５においてステップＳ１００からＳ１０９のループ処理は、１つのセル（２つの送信信号線２１と２つの受信信号線２２の組）に対するセンシングの手順を示している。なお、ＲＡＷ値を得るまでに容量設定値は８段階の異なる値を取る（初期状態から７回変更される）。
図５においてステップＳ１００からＳ１０９のループ処理は、１つのセル（２つの送信信号線２１と２つの受信信号線２２の組）に対するセンシングの手順を示している。なお、ＲＡＷ値を得るまでに容量設定値は８段階の異なる値を取る（初期状態から７回変更される）。
ステップＳ１００でまず変数ｎが初期値としてｎ＝７に設定される。また受信回路４２はＭＣＵ５の指示（容量設定値）に基づいて計測用容量部４２４の容量値を２５６ｆＦに設定する。つまり容量設定値＝１２８（＝１０００００００）とされ、ビット“７”のみが「１」であることでスイッチＳＷ７のみがオンとされる。
ステップＳ１０１ではアイドル期間の設定が行われる。
送信回路４１ではドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋はＬレベル、送信信号Ｔ−はＨレベル（＝駆動電圧ＡＶＣＣ１）とする。
受信回路４２では、スイッチ４２３，４２５が端子Ｔｉに接続される。これによりコンパレータ４２１の＋入力端子、−入力端子はグランド接続される。
送信回路４１ではドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋はＬレベル、送信信号Ｔ−はＨレベル（＝駆動電圧ＡＶＣＣ１）とする。
受信回路４２では、スイッチ４２３，４２５が端子Ｔｉに接続される。これによりコンパレータ４２１の＋入力端子、−入力端子はグランド接続される。
次にステップＳ１０２では所定の期間経過により、アイドル期間からアクティブ期間への切り替えが行われる。
送信回路４１ではドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋はＨレベル（＝駆動電圧ＡＶＣＣ１）、ドライバ４１２からの送信信号Ｔ−はＬレベルとする。
受信回路４２では、スイッチ４２３，４２５が端子Ｔａに接続される。これによりコンパレータ４２１の＋入力端子は基準容量部４２２を介して駆動電圧ＡＶＣＣ２に接続され、−入力端子は計測用容量部４２４を介して駆動電圧ＡＶＣＣ２に接続される。
送信回路４１ではドライバ４１１からの送信信号Ｔ＋はＨレベル（＝駆動電圧ＡＶＣＣ１）、ドライバ４１２からの送信信号Ｔ−はＬレベルとする。
受信回路４２では、スイッチ４２３，４２５が端子Ｔａに接続される。これによりコンパレータ４２１の＋入力端子は基準容量部４２２を介して駆動電圧ＡＶＣＣ２に接続され、−入力端子は計測用容量部４２４を介して駆動電圧ＡＶＣＣ２に接続される。
アクティブ期間となると受信信号Ｒ＋、Ｒ−がΔＶ上昇するが、送信信号Ｔ＋が立ち上がり送信信号Ｔ−が立ち下がることで、検出中のセルに対するタッチ操作の有無やタッチ操作位置に応じた受信信号Ｒ−の変化が生じる（上昇量がΔＶＨやΔＶＬとなる）。
ステップＳ１０３ではコンパレータ４２１が受信信号Ｒ＋、Ｒ−を比較し、比較結果を出力する。コンパレータ４２１からは、（受信信号Ｒ＋）＞（受信信号Ｒ−）であればＨレベル出力が得られ、（受信信号Ｒ＋）＜（受信信号Ｒ−）であればＬレベル出力が得られる。
ステップＳ１０３ではコンパレータ４２１が受信信号Ｒ＋、Ｒ−を比較し、比較結果を出力する。コンパレータ４２１からは、（受信信号Ｒ＋）＞（受信信号Ｒ−）であればＨレベル出力が得られ、（受信信号Ｒ＋）＜（受信信号Ｒ−）であればＬレベル出力が得られる。
ステップＳ１０４はコンパレータ４２１の出力に応じて処理が分岐される。
コンパレータ４２１の出力がＨレベルであれば、ステップＳ１０５で計測用容量部４２４の容量切替が行われる。この場合、ビット“ｎ”のスイッチをオンにしたまま、ビット“ｎ−１”のスイッチをオンとする。
それまで上記のように初期状態で容量設定値＝「１０００００００」とされてビット“７”のみオンとしていたときは、続いて容量設定値＝「１１００００００」とされてビット“７”とビット“６”がオンとされる。即ちスイッチＳＷ７，ＳＷ６がオンとされ、計測用容量部４２４の容量値は３８４ｆＦとなる。
そしてステップＳ１０７で変数ｎ＞０であれば、ステップＳ１０８で変数ｎをデクリメントしてステップＳ１０１に戻る。つまり、計測用容量部４２４の容量を大きくした上で、アイドル期間、アクティブ期間の動作を行ってコンパレータ４２１の出力を確認する。
コンパレータ４２１の出力がＨレベルであれば、ステップＳ１０５で計測用容量部４２４の容量切替が行われる。この場合、ビット“ｎ”のスイッチをオンにしたまま、ビット“ｎ−１”のスイッチをオンとする。
それまで上記のように初期状態で容量設定値＝「１０００００００」とされてビット“７”のみオンとしていたときは、続いて容量設定値＝「１１００００００」とされてビット“７”とビット“６”がオンとされる。即ちスイッチＳＷ７，ＳＷ６がオンとされ、計測用容量部４２４の容量値は３８４ｆＦとなる。
そしてステップＳ１０７で変数ｎ＞０であれば、ステップＳ１０８で変数ｎをデクリメントしてステップＳ１０１に戻る。つまり、計測用容量部４２４の容量を大きくした上で、アイドル期間、アクティブ期間の動作を行ってコンパレータ４２１の出力を確認する。
またステップＳ１０４においてコンパレータ４２１の出力がＬレベルであれば、ステップＳ１０６で計測用容量部４２４の容量切替が行われる。この場合、ビット“ｎ”のスイッチをオフにして、ビット“ｎ−１”のスイッチをオンとする。
それまで初期状態で容量設定値＝「１０００００００」とされてビット“７”のみオンとしていたとすると、続いて容量設定値＝「０１００００００」とされてビット“７”がオフとされ、ビット“６”がオンとされる。即ちスイッチＳＷ７がオフとされスイッチＳＷ６がオンとされ、計測用容量部４２４の容量値は１２８ｆＦとなる。
そしてステップＳ１０７で変数ｎ＞０であれば、ステップＳ１０８で変数ｎをデクリメントしてステップＳ１０１に戻る。つまり、計測用容量部４２４の容量を小さくした上で、アイドル期間、アクティブ期間の動作を行ってコンパレータ４２１の出力を確認する。
それまで初期状態で容量設定値＝「１０００００００」とされてビット“７”のみオンとしていたとすると、続いて容量設定値＝「０１００００００」とされてビット“７”がオフとされ、ビット“６”がオンとされる。即ちスイッチＳＷ７がオフとされスイッチＳＷ６がオンとされ、計測用容量部４２４の容量値は１２８ｆＦとなる。
そしてステップＳ１０７で変数ｎ＞０であれば、ステップＳ１０８で変数ｎをデクリメントしてステップＳ１０１に戻る。つまり、計測用容量部４２４の容量を小さくした上で、アイドル期間、アクティブ期間の動作を行ってコンパレータ４２１の出力を確認する。
この処理を変数ｎ＝０となるまで行うことで、受信信号Ｒ−のアクティブ期間の電圧値と受信信号Ｒ＋のアクティブ期間の電圧値とのバランスがとれたときの容量設定値が判定される。
なお変数ｎ＝０のときのステップＳ１０５，Ｓ１０６においては、ビット“ｎ−１”は存在しないので、ビット“ｎ−１”の処理は行わない。
ステップＳ１０７で変数ｎ＝０となっていたらステップＳ１０９に進み、受信回路４２はＲＡＷ値を算出する。これは計測用容量部４２４においてオンとなっているスイッチＳＷのビットの２のべき乗の総和をとるという処理となる。例えば仮に最終的にスイッチＳＷ５、ＳＷ３、ＳＷ２がオンになっていたとしたら、２5＋２3＋２2＝４４ということになり、ＲＡＷ値＝４４となる。
なお変数ｎ＝０のときのステップＳ１０５，Ｓ１０６においては、ビット“ｎ−１”は存在しないので、ビット“ｎ−１”の処理は行わない。
ステップＳ１０７で変数ｎ＝０となっていたらステップＳ１０９に進み、受信回路４２はＲＡＷ値を算出する。これは計測用容量部４２４においてオンとなっているスイッチＳＷのビットの２のべき乗の総和をとるという処理となる。例えば仮に最終的にスイッチＳＷ５、ＳＷ３、ＳＷ２がオンになっていたとしたら、２5＋２3＋２2＝４４ということになり、ＲＡＷ値＝４４となる。
このように求められたＲＡＷ値はインターフェース・レジスタ回路４４を介して１つのセルの検出値としてＭＣＵ５に取得される。
タッチパネル２における各セル（２本の送信信号線２１と２本の受信信号線２２の組）について同様に図５の処理が行われ、ＲＡＷ値が求められる。
ＭＣＵ５は各セルについてのＲＡＷ値を取得し、タッチ操作位置の座標計算を行い、求めた座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する。
タッチパネル２における各セル（２本の送信信号線２１と２本の受信信号線２２の組）について同様に図５の処理が行われ、ＲＡＷ値が求められる。
ＭＣＵ５は各セルについてのＲＡＷ値を取得し、タッチ操作位置の座標計算を行い、求めた座標値を製品側ＭＣＵ９０に送信する。
本実施の形態では以上のようなセンシング動作として、受信信号Ｒ＋、Ｒ−の差分をとることで、取得されるＲＡＷ値が、外部環境からの影響を受けにくいようにすることができ、タッチ操作の検出精度を向上できる。
特に非タッチ時には受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位のバランスがとれているようにし、タッチによる容量変化によって受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位に差が生ずるようにしている。これを計測用容量部４２４の容量を順次変化させて受信信号Ｒ＋、Ｒ−のバランスがとれる容量値を探索し、その容量値を指定する容量設定値からＲＡＷ値を得るようにしている。これによりタッチ操作による容量変化に起因する受信信号Ｒ＋、Ｒ−の差分を正確に検出できる。
特に非タッチ時には受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位のバランスがとれているようにし、タッチによる容量変化によって受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位に差が生ずるようにしている。これを計測用容量部４２４の容量を順次変化させて受信信号Ｒ＋、Ｒ−のバランスがとれる容量値を探索し、その容量値を指定する容量設定値からＲＡＷ値を得るようにしている。これによりタッチ操作による容量変化に起因する受信信号Ｒ＋、Ｒ−の差分を正確に検出できる。
なお受信回路４２から駆動電圧ＡＶＣＣ２を印加して、選択された受信信号線２２を充電する理由としては主に２つがある。
１つはタッチパネル２がシングルレイヤ構造の場合の事情である。シングルレイヤ構造の場合、非タッチの状態では、送信信号線２１と受信信号線２２の間で容量がほとんど生じない。つまり送信信号線２１と受信信号線２２の間（電極間）は絶縁状態にある。しかし非タッチ状態でも、アクティブ期間に受信信号波形が立ち上がるようにすることが必要である。このために駆動電圧ＡＶＣＣ２を送信することによって、シングルレイヤの場合にも対応して上記のセンシング動作が良好にできるようにしている。
またもう１つの理由はシングルレイヤに限ったことではない。上記のセンシング方式ではアクティブ期間に移行したときからの、受信信号Ｒ−の電位上昇幅を見ることになるが、送信信号Ｔ−の立ち下がりによる影響も把握したい。つまり図３に破線で示したΔＶＬの電位上昇も観測する必要がある。もしアクティブ期間での非タッチ状態での受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位が０Ｖだと、立ち下がりの影響を受ける場合、受信信号Ｒ−の電位がマイナス値になってしまい、受信回路４２において扱いにくいものとなる。そこで受信信号Ｒ−の電位が０Ｖ以下にならないように持ち上げておくようにし、送信信号Ｔ−の立ち下がりの影響による受信波形の電位を容易かつ適切に観測しやすくするために駆動電圧ＡＶＣＣ２を印加している。
１つはタッチパネル２がシングルレイヤ構造の場合の事情である。シングルレイヤ構造の場合、非タッチの状態では、送信信号線２１と受信信号線２２の間で容量がほとんど生じない。つまり送信信号線２１と受信信号線２２の間（電極間）は絶縁状態にある。しかし非タッチ状態でも、アクティブ期間に受信信号波形が立ち上がるようにすることが必要である。このために駆動電圧ＡＶＣＣ２を送信することによって、シングルレイヤの場合にも対応して上記のセンシング動作が良好にできるようにしている。
またもう１つの理由はシングルレイヤに限ったことではない。上記のセンシング方式ではアクティブ期間に移行したときからの、受信信号Ｒ−の電位上昇幅を見ることになるが、送信信号Ｔ−の立ち下がりによる影響も把握したい。つまり図３に破線で示したΔＶＬの電位上昇も観測する必要がある。もしアクティブ期間での非タッチ状態での受信信号Ｒ＋、Ｒ−の電位が０Ｖだと、立ち下がりの影響を受ける場合、受信信号Ｒ−の電位がマイナス値になってしまい、受信回路４２において扱いにくいものとなる。そこで受信信号Ｒ−の電位が０Ｖ以下にならないように持ち上げておくようにし、送信信号Ｔ−の立ち下がりの影響による受信波形の電位を容易かつ適切に観測しやすくするために駆動電圧ＡＶＣＣ２を印加している。
＜３．リニアリティ改善のための構成＞
［３−１：第１例］
ところで以上のように計測用容量部４２４の容量値を切り替えながら受信信号Ｒ＋、Ｒ−を比較していくことでタッチ時の容量変化を検出するセンシング動作では、その検出精度には、計測用容量部４２４の容量値のリニアリティ（線形性）が大きく関わる。
［３−１：第１例］
ところで以上のように計測用容量部４２４の容量値を切り替えながら受信信号Ｒ＋、Ｒ−を比較していくことでタッチ時の容量変化を検出するセンシング動作では、その検出精度には、計測用容量部４２４の容量値のリニアリティ（線形性）が大きく関わる。
例えば容量設定値＝６３（＝００１１１１１１）でスイッチＳＷ０からＳＷ５がオンとなると、計測用容量部４２４の容量値は１２６ｆＦとなり、また容量設定値＝６４（＝０１００００００）でスイッチＳＷ６のみがオンとなると、計測用容量部４２４の容量値は１２８ｆＦとなるはずである。
ここで仮に容量部ＣＭ０〜ＣＭ７がそれぞれ１つのコンデンサで形成されているとする。例えば容量部ＣＭ０は２ｆＦのコンデンサ、容量部ＣＭ１は４ｆＦのコンデンサ、容量部ＣＭ２は８ｆＦのコンデンサ、・・・容量部ＣＭ７は２５６ｆＦのコンデンサとする。
図６には、このようにそれぞれ１つのコンデンサを用いる場合の、各容量部ＣＭのコンデンサの面積を示している。
上記のように容量設定値＝６３のときは、容量部ＣＭ０〜ＣＭ５の６個のコンデンサの並列接続により計測用容量部４２４の容量値は１２６ｆＦとなり、容量設定値＝６４では容量部ＣＭ６により計測用容量部４２４の容量値は１２８ｆＦとなる。
図６には、このようにそれぞれ１つのコンデンサを用いる場合の、各容量部ＣＭのコンデンサの面積を示している。
上記のように容量設定値＝６３のときは、容量部ＣＭ０〜ＣＭ５の６個のコンデンサの並列接続により計測用容量部４２４の容量値は１２６ｆＦとなり、容量設定値＝６４では容量部ＣＭ６により計測用容量部４２４の容量値は１２８ｆＦとなる。
ところが例えば２ｆＦというような極めて小さい容量のコンデンサは、正確な容量とすることが困難という事情がある。
さらに面積の小さいコンデンサほど、上述した寄生容量Ｃｓの影響を受けやすいということもある。
つまり、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７のそれぞれにおいてスイッチＳＷ０〜ＳＷ７との配線間で寄生容量Ｃｓが生じるが、それぞれの寄生容量Ｃｓの容量値が仮にほぼ同じ程度であったとしても、例えば２ｆＦのような小さい容量部ＣＭ０では、寄生容量Ｃｓによる容量変化が、２５６ｆＦの容量部ＣＭ７よりも顕著になる。
さらに面積の小さいコンデンサほど、上述した寄生容量Ｃｓの影響を受けやすいということもある。
つまり、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７のそれぞれにおいてスイッチＳＷ０〜ＳＷ７との配線間で寄生容量Ｃｓが生じるが、それぞれの寄生容量Ｃｓの容量値が仮にほぼ同じ程度であったとしても、例えば２ｆＦのような小さい容量部ＣＭ０では、寄生容量Ｃｓによる容量変化が、２５６ｆＦの容量部ＣＭ７よりも顕著になる。
これらのことから、例えば容量部ＣＭ０〜ＣＭ５の６個のコンデンサの並列接続による容量が寄生容量の影響で、１２６ｆＦとはならず、１２８ｆＦよりも大きくなってしまうことがある。すると容量設定値＝６３のときの容量より、容量設定値＝６４の容量が小さくなってしまう。
このように容量設定値で制御されるべき２５６段階の容量値に、大小関係の逆転現象がおきることがある。このような逆転現象が多く起きる状態をリニアリティが悪い状態といっている。そして上述の図５の処理を考えれば理解されるとおり、リニアリティが悪いと、ＲＡＷ値を正確に生成できなくなる。
このように容量設定値で制御されるべき２５６段階の容量値に、大小関係の逆転現象がおきることがある。このような逆転現象が多く起きる状態をリニアリティが悪い状態といっている。そして上述の図５の処理を考えれば理解されるとおり、リニアリティが悪いと、ＲＡＷ値を正確に生成できなくなる。
そこで本実施の形態では、センサＩＣ４における容量部ＣＭ０〜ＣＭ７とスイッチＳＷ０〜ＳＷ７の配置を工夫する。
図７Ａは、センサＩＣ４内における計測用容量部４２４を構成する素子を配置する領域を模式的に示している。計測用容量部４２４を構成する素子とは、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７として機能するコンデンサと、スイッチＳＷ０〜ＳＷ７となるトランジスタである。
そして図示するように、計測用容量部４２４の素子を配置する領域を、第１領域ＡＲ１、第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３に分ける。
第１領域ＡＲ１には、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７となるコンデンサが配置される。
第２領域ＡＲ２には、容量値の小さい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ０〜ＣＭ４）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ０〜ＳＷ４）となるトランジスタが配置される。
第３領域ＡＲ３には、容量値の大きい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ５〜ＣＭ７）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ５〜ＳＷ７）となるトランジスタが配置される。
図７Ａは、センサＩＣ４内における計測用容量部４２４を構成する素子を配置する領域を模式的に示している。計測用容量部４２４を構成する素子とは、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７として機能するコンデンサと、スイッチＳＷ０〜ＳＷ７となるトランジスタである。
そして図示するように、計測用容量部４２４の素子を配置する領域を、第１領域ＡＲ１、第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３に分ける。
第１領域ＡＲ１には、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７となるコンデンサが配置される。
第２領域ＡＲ２には、容量値の小さい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ０〜ＣＭ４）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ０〜ＳＷ４）となるトランジスタが配置される。
第３領域ＡＲ３には、容量値の大きい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ５〜ＣＭ７）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ５〜ＳＷ７）となるトランジスタが配置される。
このように第２領域ＡＲ２が、第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１に近い位置に形成されているようにする配置により、計測用容量部４２４のリニアリティを改善する。
リニアリティ改善効果を図８に示す。図８Ａは、図７Ａの配置の場合の特性、図８Ｂは比較例となる図７Ｂの配置の場合の特性である。なお、図７Ｂの配置とは、第１領域ＡＲ１に隣接して第３領域ＡＲ３が配置され、小容量の容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷが配置された第２領域ＡＲ２が、第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１から遠くなっている例である。
図８Ａ，図８Ｂにおいて、横軸は容量設定値としての０〜２５５を示す。縦軸は出力電圧Ｖｃとしている。この出力電圧Ｖｃとは、計測用容量部４２４を受信信号線２２に接続しない状態で、駆動電圧ＡＶＣＣ２を印加したときの立ち上がり波形の電圧値（コンパレータ４２１側に出力される電圧値）である。
観測される出力電圧Ｖｃは間接的に計測用容量部４２４の各段階の容量値を表すものとなる。
リニアリティ改善効果を図８に示す。図８Ａは、図７Ａの配置の場合の特性、図８Ｂは比較例となる図７Ｂの配置の場合の特性である。なお、図７Ｂの配置とは、第１領域ＡＲ１に隣接して第３領域ＡＲ３が配置され、小容量の容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷが配置された第２領域ＡＲ２が、第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１から遠くなっている例である。
図８Ａ，図８Ｂにおいて、横軸は容量設定値としての０〜２５５を示す。縦軸は出力電圧Ｖｃとしている。この出力電圧Ｖｃとは、計測用容量部４２４を受信信号線２２に接続しない状態で、駆動電圧ＡＶＣＣ２を印加したときの立ち上がり波形の電圧値（コンパレータ４２１側に出力される電圧値）である。
観測される出力電圧Ｖｃは間接的に計測用容量部４２４の各段階の容量値を表すものとなる。
図８Ｂの場合、計測用容量部４２４の容量値のリニアリティが悪いことが見て取れる。つまり観測される出力電圧Ｖｃ（容量値）の上下変動が大きく、リニアリティが大きく乱れている。
一方図８Ａでは観測される出力電圧Ｖｃ（容量値）の上下変動がかなり抑えられており、リニアリティがかなり改善されていることがわかる。
一方図８Ａでは観測される出力電圧Ｖｃ（容量値）の上下変動がかなり抑えられており、リニアリティがかなり改善されていることがわかる。
このようにリニアリティが改善されるのは、小容量側の容量部ＣＭ（例えば容量部ＣＭ０〜ＣＭ４）のコンデンサと、スイッチＳＷ（トランジスタ）の間の配線長が比較的短くできることによる。配線長を短くすることで、これら小容量側における寄生容量Ｃｓとしての容量値を低減する。すると、小容量側の容量部ＣＭにおける容量値に対する寄生容量Ｃｓの影響が相対的に小さくなる。一方、大容量側の容量部ＣＭは、元々寄生容量Ｃｓの影響は小さい。コンデンサによる容量値に対して寄生容量Ｃｓの容量値が十分に小さいためである。すると、小容量側で配線長を短くして寄生容量Ｃｓを小さくすることで、計測用容量部４２４における容量部ＣＭ０〜ＣＭ７の全体としてみれば、寄生容量Ｃｓによる容量誤差が均一化される方向に、容量誤差の程度の差が小さくなる。つまり設計上の本来の容量に対する誤差の割合が均一化される方向に調整できる。
これによって上述の逆転現象が生じにくくなり、リニアリティが改善されると考えることができる。
これによって上述の逆転現象が生じにくくなり、リニアリティが改善されると考えることができる。
なお本実施の形態として、寄生容量Ｃｓによる誤差の影響をより均一化させる構成として図７Ｃの配置例も考えられる。
図７Ｃの配置例は第１領域ＡＲ１において各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７のコンデンサ配置を工夫するものである。小さい容量部ＣＭ０のコンデンサほど、第２領域ＡＲ２に近くなるようにしていることを示している。
もちろん全てのコンデンサを厳密に、容量順に第２領域ＡＲ２から順番に距離を長くしていくようにすることに限るものではなく、各容量値のコンデンサのサイズ等に応じて配置すればよい。その際に、小さい容量のコンデンサ（或いは小さい容量の容量部ＣＭを構成するコンデンサ）について、スイッチＳＷからの距離を短くすることで、小容量側での寄生容量Ｃｓを減らし、各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７における寄生容量Ｃｓによる容量誤差の割合の差を低減できる。
図７Ｃの配置例は第１領域ＡＲ１において各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７のコンデンサ配置を工夫するものである。小さい容量部ＣＭ０のコンデンサほど、第２領域ＡＲ２に近くなるようにしていることを示している。
もちろん全てのコンデンサを厳密に、容量順に第２領域ＡＲ２から順番に距離を長くしていくようにすることに限るものではなく、各容量値のコンデンサのサイズ等に応じて配置すればよい。その際に、小さい容量のコンデンサ（或いは小さい容量の容量部ＣＭを構成するコンデンサ）について、スイッチＳＷからの距離を短くすることで、小容量側での寄生容量Ｃｓを減らし、各容量部ＣＭ０〜ＣＭ７における寄生容量Ｃｓによる容量誤差の割合の差を低減できる。
［３−２：第２例］
第２例として計測用容量部４２４が図９のように構成される例を説明する。
これは計測用容量部４２４が容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０と、この容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０のそれぞれに対応するスイッチＳＷ０〜ＳＷ１０を有する例である。この場合もセンシング動作のために計測用容量部４２４の容量値が図４、図５で説明した例と同様の考え方で変更されていく。
第２例として計測用容量部４２４が図９のように構成される例を説明する。
これは計測用容量部４２４が容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０と、この容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０のそれぞれに対応するスイッチＳＷ０〜ＳＷ１０を有する例である。この場合もセンシング動作のために計測用容量部４２４の容量値が図４、図５で説明した例と同様の考え方で変更されていく。
この場合において、１１個の容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の接続のオン／オフをさせるために、ビット“０”〜ビット“１０”の１１ビットの容量設定値が用いられてスイッチＳＷ０〜ＳＷ１０が制御される。
１１ビットの容量設定値により、容量値は２０４８段階に切り替えられる。
各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の容量値は、２ｆＦ、４ｆＦ、８ｆＦ、１６ｆＦ、３２ｆＦ、６４ｆＦ、１２８ｆＦ、２５６ｆＦ、５１２ｆＦ、１０２４ｆＦ、２０４８ｆＦとされる。従って計測用容量部４２４の容量値は、０ｆＦから４０９４ｆＦまでに変更される。
１１ビットの容量設定値により、容量値は２０４８段階に切り替えられる。
各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の容量値は、２ｆＦ、４ｆＦ、８ｆＦ、１６ｆＦ、３２ｆＦ、６４ｆＦ、１２８ｆＦ、２５６ｆＦ、５１２ｆＦ、１０２４ｆＦ、２０４８ｆＦとされる。従って計測用容量部４２４の容量値は、０ｆＦから４０９４ｆＦまでに変更される。
この例では容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０は、それぞれ１つのコンデンサにより構成されるものとする。またスイッチＳＷ０〜ＳＷ１０はそれぞれトランジスタで構成される。
そして、センサＩＣ４において容量部ＣＭ０〜ＣＭ７とスイッチＳＷ０〜ＳＷ７は図７Ａのように配置される。
例えば第２領域ＡＲ２には、比較的小さい容量値である容量部ＣＭ０〜ＣＭ４に対応するスイッチＳＷ０〜ＳＷ４となるトランジスタが配置され、第３領域ＡＲ３には比較的大きい容量値である容量部ＣＭ５〜ＣＭ１０に対応するスイッチＳＷ５〜ＳＷ１０となるトランジスタが配置される。
このようにすることで上述の第１例と同様の効果を得ることができる。即ち計測用容量部４２４の容量可変段階数を多くした場合も、図７Ａの配置は有効である。
なおこの場合も図７Ｃのように、第１領域ＡＲ１の各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を構成するコンデンサについては、小さい容量値の容量部ＣＭを構成するコンデンサほど第２領域に近い位置に配置することが、小さい容量部ＣＭによる容量誤差を小さくでき、容量誤差の割合を均一化するためには好適となる。
そして、センサＩＣ４において容量部ＣＭ０〜ＣＭ７とスイッチＳＷ０〜ＳＷ７は図７Ａのように配置される。
例えば第２領域ＡＲ２には、比較的小さい容量値である容量部ＣＭ０〜ＣＭ４に対応するスイッチＳＷ０〜ＳＷ４となるトランジスタが配置され、第３領域ＡＲ３には比較的大きい容量値である容量部ＣＭ５〜ＣＭ１０に対応するスイッチＳＷ５〜ＳＷ１０となるトランジスタが配置される。
このようにすることで上述の第１例と同様の効果を得ることができる。即ち計測用容量部４２４の容量可変段階数を多くした場合も、図７Ａの配置は有効である。
なおこの場合も図７Ｃのように、第１領域ＡＲ１の各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を構成するコンデンサについては、小さい容量値の容量部ＣＭを構成するコンデンサほど第２領域に近い位置に配置することが、小さい容量部ＣＭによる容量誤差を小さくでき、容量誤差の割合を均一化するためには好適となる。
［３−３：第３例］
第３例の計測用容量部４２４の構成を図１０に示す。これは図９と同じく容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０とスイッチＳＷ０〜ＳＷ１０を有する構成であるが、大容量側（例えば容量部ＣＭ７〜ＣＭ１０）を複数のコンデンサで構成する例である。
第３例の計測用容量部４２４の構成を図１０に示す。これは図９と同じく容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０とスイッチＳＷ０〜ＳＷ１０を有する構成であるが、大容量側（例えば容量部ＣＭ７〜ＣＭ１０）を複数のコンデンサで構成する例である。
容量部ＣＭ０〜ＣＭ６は、それぞれ２ｆＦ、４ｆＦ、８ｆＦ、１６ｆＦ、３２ｆＦ、６４ｆＦ、１２８ｆＦの１つのコンデンサを用いて構成する。
容量部ＣＭ７は１２８ｆＦの２個のコンデンサの並列接続で２５６ｆＦの容量を構成する。容量部ＣＭ８は１２８ｆＦの４個のコンデンサの並列接続で５１２ｆＦの容量を構成する。容量部ＣＭ９は１２８ｆＦの８個のコンデンサの並列接続で１０２４ｆＦの容量を構成する。容量部ＣＭ１０は１２８ｆＦの１６個のコンデンサの並列接続で２０４８ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ７は１２８ｆＦの２個のコンデンサの並列接続で２５６ｆＦの容量を構成する。容量部ＣＭ８は１２８ｆＦの４個のコンデンサの並列接続で５１２ｆＦの容量を構成する。容量部ＣＭ９は１２８ｆＦの８個のコンデンサの並列接続で１０２４ｆＦの容量を構成する。容量部ＣＭ１０は１２８ｆＦの１６個のコンデンサの並列接続で２０４８ｆＦの容量を構成する。
このように、大容量側を全て１２８ｆＦのコンデンサにより構成することで、計測用容量部４２４は２ｆＦから１２８ｆＦのコンデンサが配置される。
図９のように２ｆＦから２０４８ｆＦまでのコンデンサを用いる場合、最小面積のコンデンサから最大面積のコンデンサまでの面積比がかなり大きくなる。これに対し図１０の場合、最大面積のコンデンサが１２８ｆＦとなることで、最小面積のコンデンサから最大面積のコンデンサまでの面積比を小さくすることができる。これにより寄生容量Ｃｓの影響による容量誤差の割合を均一化することに有利となる。
また図１０の例では、１２８ｆＦのコンデンサよりも広い面積のコンデンサを用いないことでコンデンサ配置の自由度が増し、ＩＣ設計上有利にもなる。
図９のように２ｆＦから２０４８ｆＦまでのコンデンサを用いる場合、最小面積のコンデンサから最大面積のコンデンサまでの面積比がかなり大きくなる。これに対し図１０の場合、最大面積のコンデンサが１２８ｆＦとなることで、最小面積のコンデンサから最大面積のコンデンサまでの面積比を小さくすることができる。これにより寄生容量Ｃｓの影響による容量誤差の割合を均一化することに有利となる。
また図１０の例では、１２８ｆＦのコンデンサよりも広い面積のコンデンサを用いないことでコンデンサ配置の自由度が増し、ＩＣ設計上有利にもなる。
もちろんこの図１０の構成の場合も、図７Ａ又は図７Ｃの配置を採るが、例えば容量部ＣＭ０〜ＣＭ６及びスイッチＳＷ０〜ＳＷ６は小容量側、容量部ＣＭ７〜ＣＭ１０及びスイッチＳＷ７〜ＳＷ１０は大容量側とする例が考えられる。もちろん、大容量側と小容量側の切り分けはこれに限らず、実際の配置設計の都合に合わせて変更してもよい。あくまでも、小容量の容量部ＣＭとスイッチＳＷの配線がなるべく短くなるようにすればよい。
［３−４：第４例］
図１１，図１２，図１３により計測用容量部４２４の第４例の構成を説明する。これは、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の全てを特定の容量のコンデンサのみで構成する例である。
さらに、図７Ａと同様に第１領域ＡＲ１，第２領域ＡＲ２，第３領域ＡＲ３の配置構造を採るが、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０のコンデンサを配置する第１領域ＡＲ１では、各容量部ＣＭを構成するコンデンサを点対称に配置するものとする。
図１１，図１２，図１３により計測用容量部４２４の第４例の構成を説明する。これは、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の全てを特定の容量のコンデンサのみで構成する例である。
さらに、図７Ａと同様に第１領域ＡＲ１，第２領域ＡＲ２，第３領域ＡＲ３の配置構造を採るが、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０のコンデンサを配置する第１領域ＡＲ１では、各容量部ＣＭを構成するコンデンサを点対称に配置するものとする。
容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の全てを特定の容量のコンデンサのみで構成することによればコンデンサの面積の違いによって生じる容量誤差を低減でき、リニアリティ改善に寄与できる。
また図７Ａのような配置により、上述の通り、寄生容量Ｃｓの影響による容量誤差の割合の差を均一化でき、これもリニアリティ改善に寄与できる。
さらに第１領域ＡＲ１においてコンデンサを点対称配置にすることで、フォトリソグラフィ工程等で生じたｘ方向又はｙ方向の傾斜誤差（後述）の影響を低減し、これも容量精度を向上させ、リニアリティの改善につながる。
このように第４例は総合的にリニアリティの改善を実現するものとなる。
また図７Ａのような配置により、上述の通り、寄生容量Ｃｓの影響による容量誤差の割合の差を均一化でき、これもリニアリティ改善に寄与できる。
さらに第１領域ＡＲ１においてコンデンサを点対称配置にすることで、フォトリソグラフィ工程等で生じたｘ方向又はｙ方向の傾斜誤差（後述）の影響を低減し、これも容量精度を向上させ、リニアリティの改善につながる。
このように第４例は総合的にリニアリティの改善を実現するものとなる。
まず図１１により容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の全てを特定の容量のコンデンサのみで構成する場合の構成例を説明する。
計測用容量部４２４の容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０は全て１６ｆＦのコンデンサで構成する。
容量部ＣＭ０は８つの１６ｆＦのコンデンサの直列接続で２ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ１は４つの１６ｆＦのコンデンサの直列接続で４ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ２は２つの１６ｆＦのコンデンサの直列接続で８ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ３は１６ｆＦのコンデンサ１つで構成する。
容量部ＣＭ４は２つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続で３２ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ５は４つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続で６４ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ６は８つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続で１２８ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ７は１６個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で２５６ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ８〜ＣＭ１０については図示の都合上、ブロックで示した。
容量部ＣＭ８は３２個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で５１２ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ９は６４個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で１０２４ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ８は１２８個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で２０４８ｆＦの容量を構成する。
計測用容量部４２４の容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０は全て１６ｆＦのコンデンサで構成する。
容量部ＣＭ０は８つの１６ｆＦのコンデンサの直列接続で２ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ１は４つの１６ｆＦのコンデンサの直列接続で４ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ２は２つの１６ｆＦのコンデンサの直列接続で８ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ３は１６ｆＦのコンデンサ１つで構成する。
容量部ＣＭ４は２つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続で３２ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ５は４つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続で６４ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ６は８つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続で１２８ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ７は１６個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で２５６ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ８〜ＣＭ１０については図示の都合上、ブロックで示した。
容量部ＣＭ８は３２個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で５１２ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ９は６４個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で１０２４ｆＦの容量を構成する。
容量部ＣＭ８は１２８個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続で２０４８ｆＦの容量を構成する。
このように各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を全て同じ容量値のコンデンサで形成することがリニアリティ改善に寄与する理由は次のように考えることができる。
コンデンサの容量は面積や周辺長に依存する。そしてＩＣ内におけるコンデンサのレイアウトの仕上がり寸法の誤差が容量誤差として表れる。このときに、レイアウト面積が大きいほど寸法誤差の影響を受けにくく、面積が小さいほど影響を受けやすくなる。
なお基本的（理論的）にはコンデンサ容量は面積に比例する。
コンデンサの容量は面積や周辺長に依存する。そしてＩＣ内におけるコンデンサのレイアウトの仕上がり寸法の誤差が容量誤差として表れる。このときに、レイアウト面積が大きいほど寸法誤差の影響を受けにくく、面積が小さいほど影響を受けやすくなる。
なお基本的（理論的）にはコンデンサ容量は面積に比例する。
面積による寸法誤差の影響の受けやすさの違いを一例を挙げて説明する。例えば図１２Ａのように、１６ｆＦのコンデンサの設計寸法が５μｍ×５μｍの正方形で、６４ｆＦのコンデンサの設計寸法が１０μｍ×１０μｍの正方形であるとする。
ここで、ＩＣ上での仕上がり寸法が、縦方向及び横方向に＋０．１μｍとなった場合を想定する。１６ｆＦのコンデンサは仕上がり寸法が５．１μｍ×５．１μｍの正方形で、６４ｆＦのコンデンサは仕上がり寸法が１０．１μｍ×１０．１μｍの正方形となる場合である。
ここで、ＩＣ上での仕上がり寸法が、縦方向及び横方向に＋０．１μｍとなった場合を想定する。１６ｆＦのコンデンサは仕上がり寸法が５．１μｍ×５．１μｍの正方形で、６４ｆＦのコンデンサは仕上がり寸法が１０．１μｍ×１０．１μｍの正方形となる場合である。
１６ｆＦの容量の変化量は、
（５．１μｍ×５．１μｍ）÷（５μｍ×５μｍ）＝１．０４
となり、４％の容量誤差が生じていることになる。
６４ｆＦの容量の変化量は、
（１０．１μｍ×１０．１μｍ）÷（１０μｍ×１０μｍ）＝１．０１
となり、２％の容量誤差が生じていることになる。
（５．１μｍ×５．１μｍ）÷（５μｍ×５μｍ）＝１．０４
となり、４％の容量誤差が生じていることになる。
６４ｆＦの容量の変化量は、
（１０．１μｍ×１０．１μｍ）÷（１０μｍ×１０μｍ）＝１．０１
となり、２％の容量誤差が生じていることになる。
仕上がり寸法が＋０．１μｍとして、同様に計算すると実際の容量は次の通りとなる。
・１６ｆＦ：４％誤差＝１６．６４
・３２ｆＦ：２．８％の誤差＝３２．９ｆＦ
・６４ｆＦ：２％の誤差＝６５．２８ｆＦ
・１２８ｆＦ：１．４％の誤差＝１２９．７９ｆＦ
・２５６ｆＦ：１％の誤差＝２５８．５６ｆＦ
・１６ｆＦ：４％誤差＝１６．６４
・３２ｆＦ：２．８％の誤差＝３２．９ｆＦ
・６４ｆＦ：２％の誤差＝６５．２８ｆＦ
・１２８ｆＦ：１．４％の誤差＝１２９．７９ｆＦ
・２５６ｆＦ：１％の誤差＝２５８．５６ｆＦ
ここで、計測用容量部４２４の容量値を２５４ｆＦとする場合は、容量部ＣＭ０〜ＣＭ６の各容量値の総和をとることになる。
その容量部ＣＭ０〜ＣＭ６の各容量値の総和は、仮に２ｆＦから８ｆＦまでの誤差を１６ｆＦと同じ４％としても、２．０８＋４．１６＋８．３２＋１６．６４＋３２．９＋６５．２８＋１２９．７９＝２５９．１７［ｆＦ］となる。つまり容量を「２５４ｆＦ」としたいときの容量値が「２５９．１７ｆＦ」となる。
一方、実際の「２５６ｆＦ」のコンデンサは上記の誤差で２５８．５６ｆＦなので、「２５４ｆＦ」≧「２５６ｆＦ」となって逆転現象が起きてしまう。
即ち仕上がり寸法の誤差が与える容量誤差が容量毎にばらつくことで、このような逆転現象が例えば２５６段階という可変容量の各段階において多く発生し、リニアリティが悪化する。
その容量部ＣＭ０〜ＣＭ６の各容量値の総和は、仮に２ｆＦから８ｆＦまでの誤差を１６ｆＦと同じ４％としても、２．０８＋４．１６＋８．３２＋１６．６４＋３２．９＋６５．２８＋１２９．７９＝２５９．１７［ｆＦ］となる。つまり容量を「２５４ｆＦ」としたいときの容量値が「２５９．１７ｆＦ」となる。
一方、実際の「２５６ｆＦ」のコンデンサは上記の誤差で２５８．５６ｆＦなので、「２５４ｆＦ」≧「２５６ｆＦ」となって逆転現象が起きてしまう。
即ち仕上がり寸法の誤差が与える容量誤差が容量毎にばらつくことで、このような逆転現象が例えば２５６段階という可変容量の各段階において多く発生し、リニアリティが悪化する。
これに対して本実施の形態の場合は「１６ｆＦ」のコンデンサしか使用しないので、仕上がり寸法の誤差が各コンデンサに与える容量誤差がほぼ均一となる。すると各容量部ＣＭに生ずる容量誤差が、その容量の大小に関わらずほとんど同じ誤差となる。
つまり、図１２Ｂのように、仕上がり寸法が＋０．１μｍであると仮定して上記と同様に計算すると、実際の容量は次の通りとなる。つまり全てのコンデンサが５．１μｍ×５．１μｍの正方形となる場合である。
・１６ｆＦの容量部ＣＭ３：４％誤差＝１６．６４ｆＦ
・３２ｆＦの容量部ＣＭ４：１６．６４ｆＦ×２＝３３．２８ｆＦ
・６４ｆＦの容量部ＣＭ５：１６．６４ｆＦ×４＝６６．５６ｆＦ
・１２８ｆＦの容量部ＣＭ６：１６．６４ｆＦ×８＝１３３．１２ｆＦ
・２５６ｆＦの容量部ＣＭ７：１６．６４ｆＦ×１６＝２６６．２４ｆＦ
・５１２ｆＦの容量部ＣＭ８：１６．６４ｆＦ×３２＝５３２．４８ｆＦ
・１０２４ｆＦの容量部ＣＭ９：１６．６４ｆＦ×６４＝１０６４．９６ｆＦ
・２０４８ｆＦの容量部ＣＭ１０：１６．６４ｆＦ×１２８＝２１２９．９２ｆＦ
この場合、容量誤差がすべて４％のため、上記の「２５４ｆＦ」≧「２５６ｆＦ」といったような逆転現象が起きない。従ってリニアリティが大幅に改善されることになる。
つまり、図１２Ｂのように、仕上がり寸法が＋０．１μｍであると仮定して上記と同様に計算すると、実際の容量は次の通りとなる。つまり全てのコンデンサが５．１μｍ×５．１μｍの正方形となる場合である。
・１６ｆＦの容量部ＣＭ３：４％誤差＝１６．６４ｆＦ
・３２ｆＦの容量部ＣＭ４：１６．６４ｆＦ×２＝３３．２８ｆＦ
・６４ｆＦの容量部ＣＭ５：１６．６４ｆＦ×４＝６６．５６ｆＦ
・１２８ｆＦの容量部ＣＭ６：１６．６４ｆＦ×８＝１３３．１２ｆＦ
・２５６ｆＦの容量部ＣＭ７：１６．６４ｆＦ×１６＝２６６．２４ｆＦ
・５１２ｆＦの容量部ＣＭ８：１６．６４ｆＦ×３２＝５３２．４８ｆＦ
・１０２４ｆＦの容量部ＣＭ９：１６．６４ｆＦ×６４＝１０６４．９６ｆＦ
・２０４８ｆＦの容量部ＣＭ１０：１６．６４ｆＦ×１２８＝２１２９．９２ｆＦ
この場合、容量誤差がすべて４％のため、上記の「２５４ｆＦ」≧「２５６ｆＦ」といったような逆転現象が起きない。従ってリニアリティが大幅に改善されることになる。
そして図１３Ａのように、第１領域ＡＲ１，第２領域ＡＲ２，第３領域ＡＲ３の配置構造を採る。
図示のように第１領域ＡＲ１において、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を構成する全て１６ｆＦのコンデンサが配置される。なお、第１領域ＡＲ１において１つマスが１つの１６ｆＦのコンデンサを示している。各マスには「０」〜「１０」を付しているが、「０」はＣＭ０を構成するコンデンサ、「１」はＣＭ１を構成するコンデンサ、・・・「１０」はＣＭ１０を構成するコンデンサという意味である。
図示のように第１領域ＡＲ１において、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を構成する全て１６ｆＦのコンデンサが配置される。なお、第１領域ＡＲ１において１つマスが１つの１６ｆＦのコンデンサを示している。各マスには「０」〜「１０」を付しているが、「０」はＣＭ０を構成するコンデンサ、「１」はＣＭ１を構成するコンデンサ、・・・「１０」はＣＭ１０を構成するコンデンサという意味である。
第２領域ＡＲ２には、容量値の小さい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ０〜ＣＭ５）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ０〜ＳＷ５）となるトランジスタが配置される。
第３領域ＡＲ３には、容量値の大きい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ６〜ＣＭ１０）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ６〜ＳＷ１０）となるトランジスタが配置される。
大容量側と小容量側の切り分けはこれに限らず、実際の配置設計の都合に合わせて変更されればよい。
第３領域ＡＲ３には、容量値の大きい側に分けられる容量部（例えば容量部ＣＭ６〜ＣＭ１０）に対応するスイッチ（例えばスイッチＳＷ６〜ＳＷ１０）となるトランジスタが配置される。
大容量側と小容量側の切り分けはこれに限らず、実際の配置設計の都合に合わせて変更されればよい。
このような第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３におけるスイッチ配置により、小容量側の容量部ＣＭでは配線長を短くすることができ、寄生容量Ｃｓの影響による容量誤差を小さくすることができる。これにより、第１例と同様に、設計上の本来の容量に対する誤差の割合が均一化される方向に調整でき、これによって上述の逆転現象が生じにくくなり、リニアリティが改善される。
さらに第１領域ＡＲ１においては、各容量部ＣＭを構成するコンデンサが第１領域ＡＲ１の中心点ＣＴに対して点対称に配置されている。
容量部ＣＭ０は『０』を付した８個のコンデンサが中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。容量部ＣＭ１は『１』を付した４個のコンデンサが中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。容量部ＣＭ１は『２』を付した２個のコンデンサが中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。
容量部ＣＭ３については『３』を付した４個のコンデンサが中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。但し、容量部ＣＭ３は１つのコンデンサでよい。４つのコンデンサを配置しているのは、ＣＭ０〜ＣＭ１０のすべてを点対称配置するための調整の意味であり、実際には『３』を付した４個のコンデンサのいずれか１つが用いられ、他はダミーとされる。同様に配置調整の意味で『ｄｕｍ』を付した８個のダミーコンデンサも構成されている。
容量部ＣＭ４は『４』を付した２個のコンデンサが中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。容量部ＣＭ５は『５』を付した４個のコンデンサが中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。容量部ＣＭ６〜ＣＭ１０のそれぞれについても、『６』を付した８個のコンデンサ、『７』を付した１６個のコンデンサ、『８』を付した３２個のコンデンサ、『９』を付した６４個のコンデンサ、『１０』を付した１２８個のコンデンサが、中心点ＣＴに点対称となる関係で配置されている。
大きな容量値の容量部ＣＭについては、特定の容量値のコンデンサ（この例では１６ｆＦ）を多数配置することになるため、小容量側の容量部ＣＭを構成するコンデンサが第１領域ＡＲ１の中央側に集まるように配置される。
そして図示のように点対称配置とすることで、特性に傾斜が発生したときにも配置の影響を受けないようにすることができる。
ここでいう「傾斜」とはレイアウトに依存した特性の変化のことであり、基本的にはｘ方向又はｙ方向に対して一時的な変化を想定している。特性の傾斜が発生する要因はフォトリソグラフィ工程の処理、基板濃度、膜厚などが挙げられ、総合的なプロセスばらつきにより発生するといえる。
ここでいう「傾斜」とはレイアウトに依存した特性の変化のことであり、基本的にはｘ方向又はｙ方向に対して一時的な変化を想定している。特性の傾斜が発生する要因はフォトリソグラフィ工程の処理、基板濃度、膜厚などが挙げられ、総合的なプロセスばらつきにより発生するといえる。
例えばｘ方向に傾斜があった場合を考える。図１３Ｂには、第１領域ＡＲ１の中央部（太線ＣＡＲ）を拡大して示している。図示のように、容量値にｘ方向に傾斜があり、ｘ方向の４つのコンデンサの容量値が、１５．８ｆＦ、１５．９ｆＦ、１６ｆＦ、１６．１ｆＦであったとする。
この場合、『５』を付した容量部ＣＭ５の容量値は、１５．８＋１５．９＋１６＋１６．１＝６３．８ｆＦとなる。
つまり第１領域ＡＲ１において中心点ＣＴに点対称となる関係でコンデンサを配置することで、傾斜による誤差の相殺ができ、特性傾斜の影響を低減できるため、各容量部ＣＭに生ずる誤差を小さくすることができる。もってリニアリティの改善に寄与できる。
この場合、『５』を付した容量部ＣＭ５の容量値は、１５．８＋１５．９＋１６＋１６．１＝６３．８ｆＦとなる。
つまり第１領域ＡＲ１において中心点ＣＴに点対称となる関係でコンデンサを配置することで、傾斜による誤差の相殺ができ、特性傾斜の影響を低減できるため、各容量部ＣＭに生ずる誤差を小さくすることができる。もってリニアリティの改善に寄与できる。
［３−５：第５例］
図１４により計測用容量部４２４の第５例の構成を説明する。これは、図１１と同様に容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の全てを特定の容量（例えば１６ｆＦ）のコンデンサのみで構成する例であるが、スイッチＳＷ４〜ＳＷ１０の構成が異なる。上述の第４例で説明したように、各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を全て同じ容量値のコンデンサで形成することでリニアリティが改善できるが、図１４はさらに容量精度を向上させることができる例である。
図１４により計測用容量部４２４の第５例の構成を説明する。これは、図１１と同様に容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の全てを特定の容量（例えば１６ｆＦ）のコンデンサのみで構成する例であるが、スイッチＳＷ４〜ＳＷ１０の構成が異なる。上述の第４例で説明したように、各容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を全て同じ容量値のコンデンサで形成することでリニアリティが改善できるが、図１４はさらに容量精度を向上させることができる例である。
図１４の計測用容量部４２４において、容量部ＣＭ０〜ＣＭ３及びスイッチＳＷ０〜ＳＷ３の構成は図１１と同じである。即ち、容量部ＣＭ０〜ＣＭ３は全て１６ｆＦのコンデンサを用い、またその容量部ＣＭ０〜ＣＭ３（コンデンサ１つもしくは複数の直列接続）に対して１つのスイッチ素子によるスイッチＳＷ０〜ＳＷ３を設けている。
この図１４の構成では、複数のコンデンサの並列接続により構成される容量部ＣＭ４〜ＣＭ１０に対応するスイッチＳＷ４〜ＳＷ１０については、スイッチ素子が、それぞれ容量素子に１：１で対応するように設けられている。
この図１４の構成では、複数のコンデンサの並列接続により構成される容量部ＣＭ４〜ＣＭ１０に対応するスイッチＳＷ４〜ＳＷ１０については、スイッチ素子が、それぞれ容量素子に１：１で対応するように設けられている。
例えば容量部ＣＭ４は２つの１６ｆＦのコンデンサの並列接続により３２ｆＦが得られるようにしているが、スイッチＳＷ４としては、この２つのコンデンサのそれぞれに対応する２つのスイッチ素子を設けるようにしている。
スイッチＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ８，ＳＷ９，ＳＷ１０も同様である。
例えば容量部ＣＭ７は１６個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続により２５６ｆＦが得られるようにしているが、これに対応するスイッチＳＷ７としては、この１６個のコンデンサに対応する１６個のスイッチ素子を設けるようにしている。
図示の都合上、容量部ＣＭ８〜ＣＭ１０、スイッチＳＷ８〜ＳＷ１０はブロック化しているが、スイッチＳＷ８〜ＳＷ１０も、それぞれ対応する容量部ＣＭ８〜ＣＭ１０のコンデンサ毎に、スイッチ素子が設けられている。
このように計測用容量部４２４内の容量部ＣＭとして並列接続されるコンデンサについては、１つ１つの１６ｆＦのコンデンサに対応してスイッチ素子が設けられている。
スイッチＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ８，ＳＷ９，ＳＷ１０も同様である。
例えば容量部ＣＭ７は１６個の１６ｆＦのコンデンサの並列接続により２５６ｆＦが得られるようにしているが、これに対応するスイッチＳＷ７としては、この１６個のコンデンサに対応する１６個のスイッチ素子を設けるようにしている。
図示の都合上、容量部ＣＭ８〜ＣＭ１０、スイッチＳＷ８〜ＳＷ１０はブロック化しているが、スイッチＳＷ８〜ＳＷ１０も、それぞれ対応する容量部ＣＭ８〜ＣＭ１０のコンデンサ毎に、スイッチ素子が設けられている。
このように計測用容量部４２４内の容量部ＣＭとして並列接続されるコンデンサについては、１つ１つの１６ｆＦのコンデンサに対応してスイッチ素子が設けられている。
１つの容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷ内の複数のスイッチ素子は、同時にオン／オフ制御される。
例えばスイッチＳＷ４の２つのスイッチ素子は、容量部ＣＭ４を選択するときに同時にオンとされ、また容量部ＣＭ４を全体の容量から外すときに同時にオフとされる。
例えばスイッチＳＷ４の２つのスイッチ素子は、容量部ＣＭ４を選択するときに同時にオンとされ、また容量部ＣＭ４を全体の容量から外すときに同時にオフとされる。
このようにスイッチ素子も並列にすることでリニアリティの改善を促進できる。
上述のように容量部ＣＭのコンデンサとスイッチＳＷのスイッチ素子との配線間では寄生容量Ｃｓが生じるが、容量部ＣＭ４〜ＣＭ１０において、並列の各コンデンサにそれぞれスイッチ素子を接続することで、寄生容量の均一化を図ることができ、これによって寄生容量に起因する容量誤差を低減し、精度の高い容量値を形成することができる。従ってリニアリティの改善に寄与できる。
上述のように容量部ＣＭのコンデンサとスイッチＳＷのスイッチ素子との配線間では寄生容量Ｃｓが生じるが、容量部ＣＭ４〜ＣＭ１０において、並列の各コンデンサにそれぞれスイッチ素子を接続することで、寄生容量の均一化を図ることができ、これによって寄生容量に起因する容量誤差を低減し、精度の高い容量値を形成することができる。従ってリニアリティの改善に寄与できる。
［３−６：第６例］
計測用容量部４２４の第６例の構成を図１５で説明する。
上記第５例のように、並列接続されたコンデンサの１つ１つに対応してスイッチ素子を設けることは寄生容量Ｃｓの均一化に好ましいが、コンデンサ数とともにスイッチ素子数が大幅に増加する。すると配置面積の拡大やレイアウトの困難性といったことが製造上の望ましくないとされる場合も起こりえる。
そこで、寄生容量Ｃｓの均一化と配置面積等を共に勘案するものとして図１５の構成が考えられる。
計測用容量部４２４の第６例の構成を図１５で説明する。
上記第５例のように、並列接続されたコンデンサの１つ１つに対応してスイッチ素子を設けることは寄生容量Ｃｓの均一化に好ましいが、コンデンサ数とともにスイッチ素子数が大幅に増加する。すると配置面積の拡大やレイアウトの困難性といったことが製造上の望ましくないとされる場合も起こりえる。
そこで、寄生容量Ｃｓの均一化と配置面積等を共に勘案するものとして図１５の構成が考えられる。
図１５では計測用容量部４２４において容量部ＣＭ４〜ＣＭ１０及びスイッチＳＷ４〜ＳＷ１０の部分を抽出して示している。図示外の部分は図１４と同様である。
この図１５は、例えば１２８ｆＦまでの容量を単位としてスイッチ素子を１つ設けるようにしている。
この図１５は、例えば１２８ｆＦまでの容量を単位としてスイッチ素子を１つ設けるようにしている。
即ち、容量値が１２８ｆＦ以下である容量部ＣＭ４、ＣＭ６、ＣＭ７については、それぞれの容量部ＣＭ４、ＣＭ５、ＣＭ６に対応して１つのスイッチ素子によるスイッチＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６を設ける。
容量部ＣＭ７は、１６ｆＦのコンデンサ１６個により容量値が２５６ｆＦなので、コンデンサ８個（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設ける。つまり２つのスイッチ素子でスイッチＳＷ７を形成する。
容量部ＣＭ８は、１６ｆＦのコンデンサ３２個により容量値が５１２ｆＦとなる。図の一点鎖線の４つの枠はそれぞれ８個のコンデンサの並列接続を示している。この８個のコンデンサ（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設ける。つまり４つのスイッチ素子でスイッチＳＷ８を形成する。
容量部ＣＭ９とスイッチＳＷ９は図示の都合上ブロック化して示しているが、容量部ＣＭ９は１６ｆＦのコンデンサ６４個により容量値が１０２４ｆＦとなる。この場合も８個のコンデンサの並列接続（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設け、８つのスイッチ素子でスイッチＳＷ９を形成する。
容量部ＣＭ１０とスイッチＳＷ１０もブロック化して示しているが、容量部ＣＭ１０は１６ｆＦのコンデンサ１２８個により容量値が２０４８ｆＦとなる。この場合も８個のコンデンサの並列接続（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設け、１６個のスイッチ素子でスイッチＳＷ１０を形成する。
容量部ＣＭ７は、１６ｆＦのコンデンサ１６個により容量値が２５６ｆＦなので、コンデンサ８個（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設ける。つまり２つのスイッチ素子でスイッチＳＷ７を形成する。
容量部ＣＭ８は、１６ｆＦのコンデンサ３２個により容量値が５１２ｆＦとなる。図の一点鎖線の４つの枠はそれぞれ８個のコンデンサの並列接続を示している。この８個のコンデンサ（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設ける。つまり４つのスイッチ素子でスイッチＳＷ８を形成する。
容量部ＣＭ９とスイッチＳＷ９は図示の都合上ブロック化して示しているが、容量部ＣＭ９は１６ｆＦのコンデンサ６４個により容量値が１０２４ｆＦとなる。この場合も８個のコンデンサの並列接続（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設け、８つのスイッチ素子でスイッチＳＷ９を形成する。
容量部ＣＭ１０とスイッチＳＷ１０もブロック化して示しているが、容量部ＣＭ１０は１６ｆＦのコンデンサ１２８個により容量値が２０４８ｆＦとなる。この場合も８個のコンデンサの並列接続（１２８ｆＦ）毎に１つのスイッチ素子を設け、１６個のスイッチ素子でスイッチＳＷ１０を形成する。
このような構成とすることで、図１４の構成に比べてスイッチ素子数を削減する。並列接続された各コンデンサに対する寄生容量Ｃｓの均一化の効果は若干小さくなるが、レイアウト上の困難性は低減される。換言すれば、寄生容量Ｃｓの均一化の効果を得つつ、設計や製造上の事情に適した構成となる。
なお１２８ｆＦを単位としてスイッチを設けるようにしたが、もちろん１２８ｆＦを単位とすることに限られない。
なお１２８ｆＦを単位としてスイッチを設けるようにしたが、もちろん１２８ｆＦを単位とすることに限られない。
＜４．実施の形態の効果及び変形例＞
以上の実施の形態のタッチパネル装置１又はタッチパネル駆動装置３によれば次のような効果が得られる。
実施の形態のタッチパネル駆動装置３は、タッチパネル２に対し、順次、隣接する一対の送信信号線２１と隣接する一対の受信信号線２２を選択する走査を行う。そしてタッチパネル２の一対の受信信号線２２からの、ユーザの操作に伴う容量変化によって波形が変化する各受信信号Ｒ＋、Ｒ−を受信して、タッチパネル操作監視のための検出値（ＲＡＷ値）を生成する受信回路４２を備えている。この受信回路４２には、一方の受信信号線にそれぞれ並列に接続可能な、容量値の異なる第１容量部から第Ｘ容量部までの複数の容量部ＣＭと、各容量部ＣＭのそれぞれに対応する第１スイッチから第Ｘスイッチまでの複数のスイッチＳＷを有する計測用容量部４２４が設けられ、受信回路４２は、各スイッチＳＷにより一方の受信信号線に接続される容量部を選択することで計測用容量部４２４の容量値を順次切り替えながら、一方の受信信号線と他方の受信信号線からの各受信信号Ｒ−、Ｒ＋のレベルを比較する動作を行ってＲＡＷ値を生成する。受信回路４２を含む集積回路であるセンサＩＣ４Ｄでは、第１〜第Ｘの各容量部ＣＭを構成する容量素子（コンデンサ）を配置する第１領域ＡＲ１と、容量値が小さい側に分けられる容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷを配置する第２領域ＡＲ２と、容量値が大きい側に分けられる容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷを配置する第３領域ＡＲ３が設けられ、第２領域ＡＲ２は第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１に近い位置に形成されている。
第２領域ＡＲ２を、第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１に近い位置とすることで、小さい容量の容量部ＣＭとスイッチＳＷの間の配線長を短くできる。これによって小さい容量の容量部ＣＭにおいて容量誤差を小さくし、全体として各容量部ＣＭの誤差の割合を均一化する方向に調整できる。こうすることで例えば図４の例のように８ビットの容量設定値で制御される２５６段階の容量や、図９，図１０，図１１の例のように１１ビットの容量設定値で制御される２０４８段階の容量において、容量値の逆転ということが生じない、もしくは生じにくいということになる。
結果として、計測用容量部４２４のリニアリティが改善されることになり、これによりＲＡＷ値の正確性が確保される。従ってＭＣＵ５が求める操作位置座標の情報の精度も向上し、製品側ＭＣＵ９０に対して高精度な操作検出情報を提供できることになる。
以上の実施の形態のタッチパネル装置１又はタッチパネル駆動装置３によれば次のような効果が得られる。
実施の形態のタッチパネル駆動装置３は、タッチパネル２に対し、順次、隣接する一対の送信信号線２１と隣接する一対の受信信号線２２を選択する走査を行う。そしてタッチパネル２の一対の受信信号線２２からの、ユーザの操作に伴う容量変化によって波形が変化する各受信信号Ｒ＋、Ｒ−を受信して、タッチパネル操作監視のための検出値（ＲＡＷ値）を生成する受信回路４２を備えている。この受信回路４２には、一方の受信信号線にそれぞれ並列に接続可能な、容量値の異なる第１容量部から第Ｘ容量部までの複数の容量部ＣＭと、各容量部ＣＭのそれぞれに対応する第１スイッチから第Ｘスイッチまでの複数のスイッチＳＷを有する計測用容量部４２４が設けられ、受信回路４２は、各スイッチＳＷにより一方の受信信号線に接続される容量部を選択することで計測用容量部４２４の容量値を順次切り替えながら、一方の受信信号線と他方の受信信号線からの各受信信号Ｒ−、Ｒ＋のレベルを比較する動作を行ってＲＡＷ値を生成する。受信回路４２を含む集積回路であるセンサＩＣ４Ｄでは、第１〜第Ｘの各容量部ＣＭを構成する容量素子（コンデンサ）を配置する第１領域ＡＲ１と、容量値が小さい側に分けられる容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷを配置する第２領域ＡＲ２と、容量値が大きい側に分けられる容量部ＣＭに対応するスイッチＳＷを配置する第３領域ＡＲ３が設けられ、第２領域ＡＲ２は第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１に近い位置に形成されている。
第２領域ＡＲ２を、第３領域ＡＲ３よりも第１領域ＡＲ１に近い位置とすることで、小さい容量の容量部ＣＭとスイッチＳＷの間の配線長を短くできる。これによって小さい容量の容量部ＣＭにおいて容量誤差を小さくし、全体として各容量部ＣＭの誤差の割合を均一化する方向に調整できる。こうすることで例えば図４の例のように８ビットの容量設定値で制御される２５６段階の容量や、図９，図１０，図１１の例のように１１ビットの容量設定値で制御される２０４８段階の容量において、容量値の逆転ということが生じない、もしくは生じにくいということになる。
結果として、計測用容量部４２４のリニアリティが改善されることになり、これによりＲＡＷ値の正確性が確保される。従ってＭＣＵ５が求める操作位置座標の情報の精度も向上し、製品側ＭＣＵ９０に対して高精度な操作検出情報を提供できることになる。
実施の形態では、図７Ｃのように、第１領域ＡＲ１内では、第１容量部から第Ｘ容量部までの容量部ＣＭのうちの、容量値が小さい容量部ＣＭを形成する容量素子が、容量値が大きい容量部ＣＭを形成する容量素子よりも、第２領域ＡＲ２に近い位置に配置されている例を述べた。
これにより小さい容量の容量部ＣＭでは、容量素子とスイッチＳＷの間の配線長を短くすることができ、小さい容量の容量部ＣＭの容量誤差を小さくできる。これも全体として各容量部ＣＭの容量誤差の均一化、リニアリティの改善に寄与できる。
これにより小さい容量の容量部ＣＭでは、容量素子とスイッチＳＷの間の配線長を短くすることができ、小さい容量の容量部ＣＭの容量誤差を小さくできる。これも全体として各容量部ＣＭの容量誤差の均一化、リニアリティの改善に寄与できる。
また図１０の第３例の場合、第１容量部から第Ｘ容量部までの各容量部ＣＭのうちで、所定値以上の容量値の容量部ＣＭは、複数の容量素子の並列接続により形成されているようにした。
所定値以上の容量部については、容量素子の並列接続で必要な容量を形成することで、全体での面積比を小さくできる。これによりコンデンサ面積の差による寄生容量による誤差の影響度合いの差を小さくし、全体として容量部ＣＭの容量誤差を小さくできる。これも計測用容量部４２４のリニアリティ改善に有効となる。
所定値以上の容量部については、容量素子の並列接続で必要な容量を形成することで、全体での面積比を小さくできる。これによりコンデンサ面積の差による寄生容量による誤差の影響度合いの差を小さくし、全体として容量部ＣＭの容量誤差を小さくできる。これも計測用容量部４２４のリニアリティ改善に有効となる。
図１１，図１２，図１３で説明した第４例では、各容量部ＣＭを形成する複数の容量素子は、全て特定の容量値（例えば１６ｆＦ）の容量素子により形成されており、第１領域ＡＲ１では、それぞれの容量部ＣＭを構成する容量素子（１つの容量部ＣＭにおける複数のコンデンサ）は点対称に配置されている構成を説明した。
各容量部ＣＭの全てのコンデンサを例えば１６ｆＦのコンデンサとし、面積を均一にすることで、面積に起因する容量誤差の割合の差を均一化できる。また点対称の配置により、センサＩＣ４においてｘ方向又はｙ方向に特性が傾斜することが生じていても、配置位置によって容量誤差の差が大きくなってしまうことを防止できる。従って各容量部ＣＭの容量誤差を小さくでき、計測用容量部４２４のリニアリティ改善に有効となる。
各容量部ＣＭの全てのコンデンサを例えば１６ｆＦのコンデンサとし、面積を均一にすることで、面積に起因する容量誤差の割合の差を均一化できる。また点対称の配置により、センサＩＣ４においてｘ方向又はｙ方向に特性が傾斜することが生じていても、配置位置によって容量誤差の差が大きくなってしまうことを防止できる。従って各容量部ＣＭの容量誤差を小さくでき、計測用容量部４２４のリニアリティ改善に有効となる。
なお第４例では容量部ＣＭの全てを特定の容量値のコンデンサで構成した場合に図１３のように点対称に配置するとしたが、コンデンサ配置はこれに限らない。
例えば第１領域ＡＲ１において全てを１６ｆＦのコンデンサで構成するが、小さい容量値の容量部ＣＭほど第２領域ＡＲ２に近い位置に配置するようにすることもできる。つまり図７Ｃの構成を採用することもできる。
これにより小容量側での寄生容量Ｃｓを減らし、各容量部ＣＭにおける寄生容量Ｃｓによる容量誤差の割合の差を低減できる。
例えば第１領域ＡＲ１において全てを１６ｆＦのコンデンサで構成するが、小さい容量値の容量部ＣＭほど第２領域ＡＲ２に近い位置に配置するようにすることもできる。つまり図７Ｃの構成を採用することもできる。
これにより小容量側での寄生容量Ｃｓを減らし、各容量部ＣＭにおける寄生容量Ｃｓによる容量誤差の割合の差を低減できる。
図１４、図１５で説明した第５例、第６例の場合、容量部ＣＭにおいて並列接続されるコンデンサの１つ１つに対して（もしくは１２８ｆＦなどの所定容量単位で）、スイッチ素子を設けるようにすることで、コンデンサとスイッチ素子間の配線に生ずる寄生容量Ｃｓの均一化を促進でき、これによってリニアリティの改善に寄与できる。
実施の形態の計測用容量部４２４は、第１容量部から第Ｘ容量部までの各容量値は、２のべき乗の関係の容量値とされている。
具体的に図４の第１例の構成の場合、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７の各容量値は、２1，２2，２3・・・２8の比の関係を持つ２の１乗から２のＸ乗までの容量値とされている。
また図９の第２例、図１０の第３例、図１１の第４例、図１４の第５例、図１５の第６例の構成の場合、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の各容量値は、２1，２2，２3・・・２11の比の関係を持つ２の１乗から２のＸ乗までの容量値とされている。
これにより計測用容量部４２４は容量部の選択によって合成容量値は２X段階に可変できる。そして図７Ａ、図７Ｃ、図１３Ａのような配置により、２X段階のうちで小さい容量値の方が大きい容量値よりも実際の容量が大きくなってしまうといった逆転現象が起きないようになる。
さらにこの場合、Ｘビットの容量設定値で容量可変制御をすることが好適となる。例えば８ビット（又は１１ビット）の容量設定値で、各ビットを容量部ＣＭ０〜ＣＭ７（又はＣＭ１０）のスイッチＳＷ０〜ＳＷ７（又はＳＷ１０）のオン／オフ制御に割り当てる。
これにより容量設定値自体が第１容量部から第Ｘ容量部の選択により実現される複数段階の合成容量値を示す値となり、上述のように、容量設定値を用いてＲＡＷ値を得ることができる。これは演算処理上、非常に効率的な処理となる。
具体的に図４の第１例の構成の場合、容量部ＣＭ０〜ＣＭ７の各容量値は、２1，２2，２3・・・２8の比の関係を持つ２の１乗から２のＸ乗までの容量値とされている。
また図９の第２例、図１０の第３例、図１１の第４例、図１４の第５例、図１５の第６例の構成の場合、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０の各容量値は、２1，２2，２3・・・２11の比の関係を持つ２の１乗から２のＸ乗までの容量値とされている。
これにより計測用容量部４２４は容量部の選択によって合成容量値は２X段階に可変できる。そして図７Ａ、図７Ｃ、図１３Ａのような配置により、２X段階のうちで小さい容量値の方が大きい容量値よりも実際の容量が大きくなってしまうといった逆転現象が起きないようになる。
さらにこの場合、Ｘビットの容量設定値で容量可変制御をすることが好適となる。例えば８ビット（又は１１ビット）の容量設定値で、各ビットを容量部ＣＭ０〜ＣＭ７（又はＣＭ１０）のスイッチＳＷ０〜ＳＷ７（又はＳＷ１０）のオン／オフ制御に割り当てる。
これにより容量設定値自体が第１容量部から第Ｘ容量部の選択により実現される複数段階の合成容量値を示す値となり、上述のように、容量設定値を用いてＲＡＷ値を得ることができる。これは演算処理上、非常に効率的な処理となる。
図１１で説明した第４例（又は図１４の第５例、図１５の第６例）では、１６ｆＦのコンデンサを用いて、２ｆＦ〜２０４８ｆＦの１１個の容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０を形成することで、必要なコンデンサ数を比較的少なくできる。
例えば全て２ｆＦのコンデンサとすると、２０４８ｆＦのためには１０２４個のコンデンサを並列接続することになり、全て１６ｆＦの場合の１２８個に比べて著しく多くなる。もちろん３２ｆＦ、６４ｆＦ等のコンデンサを使用すれば、必要なコンデンサ数はより少なくできるが、一方で、容量が大きくなる程コンデンサの面積は広くなる。これらを勘案して、容量部ＣＭのうちで中央付近の容量値のコンデンサを使用することで、ＩＣ設計に有利となる。
例えば全て２ｆＦのコンデンサとすると、２０４８ｆＦのためには１０２４個のコンデンサを並列接続することになり、全て１６ｆＦの場合の１２８個に比べて著しく多くなる。もちろん３２ｆＦ、６４ｆＦ等のコンデンサを使用すれば、必要なコンデンサ数はより少なくできるが、一方で、容量が大きくなる程コンデンサの面積は広くなる。これらを勘案して、容量部ＣＭのうちで中央付近の容量値のコンデンサを使用することで、ＩＣ設計に有利となる。
なお第４例のように１つの容量値のコンデンサのみを用いる場合、基準容量部４２２側も計測用容量部４２４のコンデンサと同じ容量値のコンデンサを用いることも考えられる。
例えば基準容量部４２２側は、１つの２５６ｆＦのコンデンサで構成すればよいが、比較基準としての精度向上を考えれば、基準容量部４２２も、１６ｆＦの１６個のコンデンサの並列接続で２５６ｆＦの容量を構成することも考えられる。
例えば基準容量部４２２側は、１つの２５６ｆＦのコンデンサで構成すればよいが、比較基準としての精度向上を考えれば、基準容量部４２２も、１６ｆＦの１６個のコンデンサの並列接続で２５６ｆＦの容量を構成することも考えられる。
また実施の形態のタッチパネル装置１では、タッチ操作を行うものとして説明したが、いわゆるホバーセンシング（非接触近接操作）に対応するタッチパネル装置としても実現できる。
また実施の形態の構成や動作は一例である。本発明は他に様々な構成例、動作例が考えられる。
受信回路４２や計測用容量部４２４は上掲した構成に限らない。特に第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３の配置のための小容量側／大容量側の切り分けは、使用するコンデンサ容量、数、素子サイズ、スイッチ素子の種別、構造等に応じて決められれば良い。
また容量部ＣＭ０〜ＣＭ７で２５６段階に容量可変できる構成と、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０で２０４８段階に容量可変できる構成を示したが、より多数の容量部ＣＭを設け、より多段階に容量可変できるようにすることも考えられる。もちろん可変容量段階数を少なくする例も考えられる。
受信回路４２や計測用容量部４２４は上掲した構成に限らない。特に第２領域ＡＲ２、第３領域ＡＲ３の配置のための小容量側／大容量側の切り分けは、使用するコンデンサ容量、数、素子サイズ、スイッチ素子の種別、構造等に応じて決められれば良い。
また容量部ＣＭ０〜ＣＭ７で２５６段階に容量可変できる構成と、容量部ＣＭ０〜ＣＭ１０で２０４８段階に容量可変できる構成を示したが、より多数の容量部ＣＭを設け、より多段階に容量可変できるようにすることも考えられる。もちろん可変容量段階数を少なくする例も考えられる。
１…タッチパネル装置、２…タッチパネル、３…タッチパネル駆動装置、４…センサＩＣ、５…ＭＣＵ、２１，２１−１〜２１−ｍ…送信信号線、２２，２２−１〜２２−ｎ…受信信号線、４１…送信回路、４２…受信回路、４３…マルチプレクサ、４４…インターフェース・レジスタ回路、４５…電源回路、４１１，４１２…ドライバ、４２１…コンパレータ、４２２…基準容量部、４２３，４２５…スイッチ、４２４…計測用容量部、４２６…演算制御部、ＡＲ１…第１領域、ＡＲ２…第２領域、ＡＲ３…第３領域
Claims (5)
- タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うタッチパネル駆動装置であって、
前記タッチパネルの一対の受信信号線からの、操作に伴う容量変化によって波形が変化する各受信信号を受信して、タッチパネル操作監視のための検出値を生成する受信回路を備え、
前記受信回路には、一方の受信信号線にそれぞれ並列に接続可能な、容量値の異なる第１容量部から第Ｘ容量部までの複数の容量部と、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までのそれぞれに対応する第１スイッチから第Ｘスイッチまでの複数のスイッチを有する計測用容量部が設けられ、
前記受信回路は、前記第１スイッチから第Ｘスイッチにより前記一方の受信信号線に接続される容量部を選択することで前記計測用容量部の容量値を順次切り替えながら、前記一方の受信信号線と他方の受信信号線からの各受信信号のレベルを比較する動作を行って前記検出値を生成するものとされ、
前記受信回路を含む集積回路では、
前記第１容量部から第Ｘ容量部を構成する容量素子を配置する第１領域と、
前記第１容量部から第Ｘ容量部までのうちで容量値が小さい側に分けられる容量部に対応する前記スイッチを配置する第２領域と、
前記第１容量部から第Ｘ容量部までのうちで容量値が大きい側に分けられる容量部に対応する前記スイッチを配置する第３領域と、が設けられ、
前記第２領域は、前記第３領域よりも前記第１領域に近い位置に形成されている
タッチパネル駆動装置。 - 前記第１領域内では、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までの容量部のうちの、容量値が小さい容量部を形成する容量素子が、容量値が大きい容量部を形成する容量素子よりも、前記第２領域に近い位置に配置されている
請求項１に記載のタッチパネル駆動装置。 - 前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までの各容量部を形成する複数の容量素子は、全て特定の容量値の容量素子により形成されており、
前記第１領域では、それぞれの容量部を構成する容量素子は、点対称に配置されている
請求項１に記載のタッチパネル駆動装置。 - 前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までの各容量部のうちで、所定値以上の容量値の容量部は、複数の容量素子の並列接続により形成されている
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のタッチパネル駆動装置。 - タッチパネルと、
前記タッチパネルに対し、順次、隣接する一対の送信信号線と隣接する一対の受信信号線を選択する走査を行うタッチパネル駆動装置とを有し、
前記タッチパネル駆動装置は、前記タッチパネルの一対の受信信号線からの、操作に伴う容量変化によって波形が変化する各受信信号を受信して、タッチパネル操作監視のための検出値を生成する受信回路を備え、
前記受信回路には、一方の受信信号線にそれぞれ並列に接続可能な、容量値の異なる第１容量部から第Ｘ容量部までの複数の容量部と、前記第１容量部から前記第Ｘ容量部までのそれぞれに対応する第１スイッチから第Ｘスイッチまでの複数のスイッチを有する計測用容量部が設けられ、
前記受信回路は、前記第１スイッチから第Ｘスイッチにより前記一方の受信信号線に接続される容量部を選択することで前記計測用容量部の容量値を順次切り替えながら、前記一方の受信信号線と他方の受信信号線からの各受信信号のレベルを比較する動作を行って前記検出値を生成するものとされ、
前記受信回路を含む集積回路では、
前記第１容量部から第Ｘ容量部を構成する容量素子を配置する第１領域と、
前記第１容量部から第Ｘ容量部までのうちで容量値の小さい側に分けられる容量部に対応する前記スイッチを配置する第２領域と、
前記第１容量部から第Ｘ容量部までのうちで容量値の大きい側に分けられる容量部に対応する前記スイッチを配置する第３領域と、が設けられ、
前記第２領域は、前記第３領域よりも前記第１領域に近い位置に形成されている
タッチパネル装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018020197A JP6718475B2 (ja) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 |
| TW108103854A TWI698785B (zh) | 2018-02-07 | 2019-01-31 | 觸控面板驅動裝置及觸控面板裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018020197A JP6718475B2 (ja) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019139363A true JP2019139363A (ja) | 2019-08-22 |
| JP6718475B2 JP6718475B2 (ja) | 2020-07-08 |
Family
ID=67693992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018020197A Active JP6718475B2 (ja) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6718475B2 (ja) |
| TW (1) | TWI698785B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021068151A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 双葉電子工業株式会社 | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 |
| CN114201068A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 双叶电子工业株式会社 | 触摸面板驱动装置以及触摸面板装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101398322B1 (ko) * | 2011-12-05 | 2014-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린의 센싱 장치 및 방법 |
| WO2013129742A1 (en) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Position sensing method of touch panel and integrated circuit |
| TWI474248B (zh) * | 2013-05-08 | 2015-02-21 | Touchplus Information Corp | 應用於電容式面板的控制點感測方法與裝置 |
| TW201447663A (zh) * | 2013-06-13 | 2014-12-16 | Integrated Solutions Technology Inc | 觸控裝置及其感測電路 |
| TWI511014B (zh) * | 2013-09-03 | 2015-12-01 | Nuvoton Technology Corp | 感應元件 |
| KR102207193B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2021-01-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 시스템 |
-
2018
- 2018-02-07 JP JP2018020197A patent/JP6718475B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-31 TW TW108103854A patent/TWI698785B/zh active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021068151A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 双葉電子工業株式会社 | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 |
| JP7026662B2 (ja) | 2019-10-23 | 2022-02-28 | 双葉電子工業株式会社 | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 |
| CN114201068A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 双叶电子工业株式会社 | 触摸面板驱动装置以及触摸面板装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI698785B (zh) | 2020-07-11 |
| JP6718475B2 (ja) | 2020-07-08 |
| TW201935453A (zh) | 2019-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI659348B (zh) | 觸控電路、觸控感測裝置、與觸控感測方法 | |
| US10191588B2 (en) | Coordinate input device and display device with the same | |
| JP5411670B2 (ja) | 静電容量型タッチパネルの信号処理回路 | |
| TWI485606B (zh) | 觸控裝置及其觸控方法 | |
| US9195353B2 (en) | Touch controllers, methods thereof, and devices having the touch controllers | |
| JP5075082B2 (ja) | 入力装置、及びそれを備えた表示装置 | |
| US20140132559A1 (en) | Display device and driving method thereof | |
| JP2019121383A (ja) | タッチ表示装置、タッチ駆動回路、及びタッチ駆動方法 | |
| TWI417778B (zh) | 補償電容偏差之電子裝置 | |
| JP5443207B2 (ja) | タッチセンサ装置 | |
| EP2902888B1 (en) | Touch panel calibration system | |
| JP2017191480A (ja) | 容量測定回路、それを用いた入力装置、電子機器 | |
| JP6718475B2 (ja) | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 | |
| JP2011113186A (ja) | 静電容量型タッチパネルの信号処理回路 | |
| TWI709883B (zh) | 觸控面板驅動裝置及觸控面板裝置 | |
| US20150227257A1 (en) | Capacitance sensing apparatus and method | |
| JP7026662B2 (ja) | タッチパネル駆動装置、タッチパネル装置 | |
| US20230367425A1 (en) | Touch Display Device and Weighted Touch Sensing Method of Touch Controller | |
| TWI810655B (zh) | 觸摸面板驅動裝置以及觸摸面板裝置 | |
| KR101427627B1 (ko) | 터치패널 입력장치 및 그의 터치패널 입력검출방법 | |
| TW202213053A (zh) | 驅動具觸控顯示面板的驅動裝置和驅動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190705 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200519 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200612 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6718475 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |